JP2001111219A - 多層セラミック基板及び連結多層セラミック基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 電子部品収納用凹部と側面凹部との間に、ク
ラックやリーク不良が生じにくい高い多層セラミック基
板及び連結セラミック基板を提供すること。 【解決手段】 多層セラミック基板１は、第１主面１Ａ
と第２主面１Ｂと第１〜第４側面１Ｃ，１Ｄ，１Ｅ，１
Ｆとを有し、第１主面１Ａ側に開口した電子部品収納用
凹部７と、第１，第３側面１Ｃ，１Ｅに凹設された複数
の側面凹部９とを有する。そして、多層のセラミック層
は、電子部品収納用凹部７が形成された２層の第１セラ
ミック層２，３と、側面凹部９が形成された１層の第２
セラミック層４と、これらの間に位置し、電子部品収納
用凹部７及び側面凹部９のいずれも形成されていない１
層の第３セラミック層５とを備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、第１主面とこれに
平行な第２主面とこれら両主面を結ぶ側面とを有し、複
数のセラミック層が積層された多層セラミック基板、及
びこの多層セラミック基板が複数連結した連結多層セラ
ミック基板に関し、特に、第１主面側に、電子部品を収
納するための電子部品収納用凹部が形成され、側面に、
第２主面まで延びる側面凹部が形成された多層セラミッ
ク基板、及び連結多層セラミック基板に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、複数のセラミック層が積層さ
れ、上下面及び側面を有する多層セラミック基板の中に
は、上面側に、水晶振動子、表面弾性波フィルタ、集積
回路チップなどの電子部品を収納するための電子部品収
納用凹部が形成され、側面に、下面まで延びる側面凹部
が凹設されたものがある。このような多層セラミック基
板として、具体的には、図６に示す多層セラミック基板
１０１（従来形態１）が挙げられる。図６（ａ）は多層
セラミック基板１０１の斜視図を示し、図６（ｂ）はそ
の断面図を示す。

【０００３】この多層セラミック基板１０１は、３層の
セラミック層１０２，１０３，１０４が積層されたもの
であり、上面１０１Ａ、下面１０１Ｂ、及びこれらを結
ぶ第１〜第４側面１０１Ｃ，１０１Ｄ，１０１Ｅ，１０
１Ｆを有する略直方体形状をなす。上面１０１Ａ側に
は、図示しない電子部品を搭載、封止するための電子部
品収納用凹部１０７が、上面１０１Ａ側の２層のセラミ
ック層１０２，１０３に階段状に形成されている。ま
た、第１側面１０１Ｃ及び第３側面１０１Ｅには、それ
ぞれ３ヶ所に下面１０１Ｂまで延びる略半円筒状の側面
凹部１０９が、下面１０１Ｂ側の１層のセラミック層１
０４に凹設されている。これらの側面凹部１０９は、通
常、その内壁面に導体層が形成され、他の基板等外部と
の接続に用いることが多い。

【０００４】また、別の形態の例として、図７（ａ）及
び図７（ｂ）に断面図を示す多層セラミック基板２０
１，３０１が挙げられる。図７（ａ）に示す多層セラミ
ック基板２０１（従来形態２）は、４層のセラミック層
２０２，２０３，２０４，２０５から構成され、上面２
０１Ａ側には、階段状の電子部品収納用凹部２０７が、
上面２０１Ａ側の３層のセラミック層２０２，２０３，
２０４に形成されている。また、第１側面２０１Ｃ及び
第３側面２０１Ｅには、下面２０１Ｂまで延びる略半円
筒状の側面凹部２０９が、下面２０１Ｂ側の２層のセラ
ミック層２０４，２０５に凹設されている。

【０００５】また、図７（ｂ）に示す多層セラミック基
板３０１（従来形態３）は、３層のセラミック層３０
２，３０３，３０４から構成され、上面３０１Ａ側に
は、電子部品収納用凹部３０７が、上面３０１Ａ側の２
層のセラミック層３０２，３０３に形成されている。ま
た、第１側面３０１Ｃ及び第３側面３０１Ｅには、下面
３０１Ｂまで延びる略半円筒状の側面凹部３０９が、下
面３０１Ｂ側の２層のセラミック層３０３，３０４に形
成されている。

【０００６】これらの多層セラミック基板１０１，２０
１，３０１は、生産性等を考慮して、通常、複数の多層
セラミック基板１０１等が互いに接して繋がった連結多
層セラミック基板を一挙に製造し、これを破断して、個
々の多層セラミック基板１０１等とする方法で製造され
ている。即ち、電子部品収納用凹部１０７等に対応した
孔や側面凹部１０９等に対応した孔が形成された複数の
グリーンシートを積層する。そして、積層体のうち、多
層セラミック基板に対応する領域同士の境界上の位置に
略Ｖ字型のブレーク溝を形成し、その後焼成して連結多
層セラミック基板を製造する。その後は、この連結多層
セラミック基板を、ブレーク溝で破断して、個々の多層
セラミック基板とする。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような形態の多層セラミック基板１０１等は、近年、そ
の小型化に伴い、電子部品収納用凹部１０７等の周囲を
構成する壁部１０１Ｇ，２０１Ｇ，３０１Ｇの厚さが薄
くなってきている（図６及び図７参照）。壁部１０１Ｇ
等の厚さが薄くなると、側面凹部１０９等が形成された
部分では、特にその厚さ、即ち電子部品収納用凹部１０
７等と側面凹部１０９等との間の水平方向の距離ＪＨが
小さくなる。これらの距離ＪＨが小さいと、多層セラミ
ック基板１０１等や連結多層セラミック基板を取り扱う
際や使用する際などに、応力によって電子部品収納用凹
部１０９等と側面凹部１０７等との間にクラックが発生
しやすくなり、強度的に問題がある。また、この部分で
リークも生じやすくなり、気密性の点でも信頼性が低
い。

【０００８】また、電子部品収納用凹部１０７等と側面
凹部１０９等との間の距離ＪＨが小さいと、例えば、こ
れら多層セラミック基板１０１等を製造する際、電子部
品収納用凹部１０７等に対応した孔が形成されたグリー
ンシートと、側面凹部１０９等に対応した孔が形成され
たグリーンシートとを重ねたときに、グリーンシート同
士の位置が僅かにずれただけで、電子部品収納用凹部１
０７等と側面凹部１０９等とが連通してしまうので、製
造時の歩留まりが低下する。また、連結多層セラミック
基板を破断して個々の多層セラミック基板に分割する
際、破断するときの衝撃で、電子部品収納用凹部１０７
等と側面凹部１０９等との間にクラックが生じることも
ある。

【０００９】本発明はかかる現状に鑑みてなされたもの
であって、電子部品収納用凹部と側面凹部との間に、ク
ラックやリーク不良が生じにくい多層セラミック基板及
び連結セラミック基板を提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段、作用及び効果】その解決
手段は、第１主面と、この第１主面に平行な第２主面
と、これら両主面の間を結ぶ側面とを有し、積層された
複数のセラミック層を備え、上記第１主面側に開口し電
子部品を収納するための電子部品収納用凹部と、上記側
面に凹設され上記第２主面まで延びる側面凹部と、を有
する多層セラミック基板であって、上記セラミック層
は、上記電子部品収納用凹部が形成された少なくとも１
つの第１セラミック層と、上記側面凹部が形成された少
なくとも１つの第２セラミック層と、上記第１セラミッ
ク層と第２セラミック層との間に位置し、上記電子部品
収納用凹部及び側面凹部のいずれも形成されていない少
なくとも１つの第３セラミック層と、を備えることを特
徴とする多層セラミック基板である。

【００１１】本発明によれば、電子部品収納用凹部と側
面凹部とが形成された多層セラミック基板は、電子部品
収納用凹部が形成された第１セラミック層と、側面凹部
が形成された第２セラミック層との間に、少なくとも１
つの第３セラミック層が積層されている。従って、電子
部品収納用凹部と側面凹部との間には、必ず第３セラミ
ック層が介在する。このため、この多層セラミック基板
は、その取り扱い時や使用時に応力が加わっても、電子
部品収納用凹部と側面凹部との間には、第３セラミック
層が介在し、これにより、電子部品収納用凹部と側面凹
部との間の強度が高くされているので、応力によるクラ
ックの発生が防止される。また、応力によりクラックが
生じたとしても、これらの凹部間が繋がるクラックは生
じにくい。従って、リーク不良も生じにくく、気密性が
高い。

【００１２】また、製造時にグリーンシート同士の位置
合わせが多少ずれて、電子部品収納用凹部と側面凹部と
の位置関係が多少ずれてできた多層セラミック基板にお
いても、第３セラミック層が介在しているため、従来の
ように、電子部品収納用凹部と側面凹部とが連通したも
のや、あるいは、これらの凹部同士が極端に接近したも
のなどがない。従って、この点からも、本発明の多層セ
ラミック基板は、リーク不良が生じにくく、気密性が高
いものである。

【００１３】さらに、上記の多層セラミック基板であっ
て、前記第３セラミック層は、前記第１セラミック層の
うち上記第３セラミック層に接する層及び前記第２セラ
ミック層のうち上記第３セラミック層に接する層のいず
れのセラミック層よりも厚さが薄いことを特徴とする多
層セラミック基板とするのが好ましい。

【００１４】電子部品収納用凹部が形成された第１セラ
ミック層と、側面凹部が形成された第２セラミック層と
の間に、第３セラミック層が積層されていれば、上記の
ように、これらの凹部間にクラックが発生したり、リー
クを生じたり、これらの凹部間が連通したりすることが
ない。このような効果は、第３セラミック層を薄くして
も十分達成することができる。

【００１５】一方、第３セラミック層を薄くすること
で、同じ厚さの多層セラミック基板であれば、電子部品
収納用凹部の深さを相対的に大きくとることができ、ま
た、側面凹部の厚さ方向の寸法も相対的に大きくとるこ
とができる。あるいは、電子部品収納用凹部や側面凹部
の深さを同じにすると、多層セラミック基板全体の厚さ
を薄くすることができる。従って、クラックやリークの
発生、製造時の歩留まりの低下などの問題を解消できる
上、電子部品収納用凹部や側面凹部の深さを相対的に大
きくする、あるいは、多層セラミック基板全体の厚さを
薄くすることができる。

【００１６】また、他の解決手段は、第１主面と、この
第１主面に平行な第２主面と、積層された複数のセラミ
ック層を備え、上記第１主面側に開口し電子部品を収納
するための複数の電子部品収納用凹部と、少なくとも第
１主面側及び第２主面側のいずれかから略Ｖ字状に形成
された複数のブレーク溝と、上記第２主面側に開口し、
上記ブレーク溝に沿って破断した際に複数に分割される
複数の第２主面側凹部と、を有する連結多層セラミック
基板であって、上記セラミック層は、上記電子部品収納
用凹部が形成された少なくとも１つの第１セラミック層
と、上記第２主面側凹部が形成された少なくとも１つの
第２セラミック層と、上記第１セラミック層と第２セラ
ミック層との間に位置し、上記電子部品収納用凹部及び
第２主面側凹部のいずれも形成されていない第３セラミ
ック層と、を備えることを特徴とする連結多層セラミッ
ク基板である。

【００１７】本発明によれば、複数の電子部品収納用凹
部と複数の第２主面側凹部とが形成された連結多層セラ
ミック基板は、電子部品収納用凹部が形成された第１セ
ラミック層と、第２主面側凹部が形成された第２セラミ
ック層との間に、これらの凹部が形成されていない第３
セラミック層が積層されている。従って、電子部品収納
用凹部と第２主面側凹部との間には、必ず第３セラミッ
ク層が介在する。このため、この連結多層セラミック基
板は、その取り扱い時等に応力が加わっても、電子部品
収納用凹部と第２主面側凹部との間には、第３セラミッ
ク層が介在し、これにより、電子部品収納用凹部と第２
主面側凹部との間の強度が高くされているので、応力に
よるクラックの発生が防止される。また、応力によりク
ラックが生じたとしても、これらの凹部間が繋がるクラ
ックは生じにくい。従って、リーク不良も生じにくく、
気密性が高い。例えば、この連結多層セラミック基板を
ブレーク溝で破断して、個々の多層セラミック基板に個
分けする際に、電子部品収納用凹部と第２主面側凹部と
の間に応力や衝撃が加わっても、これらの凹部が繋がる
クラックが発生することがない。

【００１８】また、製造時にグリーンシート同士の位置
合わせが多少ずれて、電子部品収納用凹部と第２主面側
凹部との位置関係が多少ずれてできた連結多層セラミッ
ク基板においても、第３セラミック層が介在しているた
め、従来のように、電子部品収納用凹部と第２主面側凹
部とが連通したものや、あるいは、これらの凹部同士が
極端に接近したものなどがない。従って、本発明の連結
多層セラミック基板は、リーク不良が生じにくく、気密
性が高いものである。

【００１９】さらに、上記の連結多層セラミック基板で
あって、前記第３セラミック層は、前記第１セラミック
層のうち上記第３セラミック層に接する層及び前記第２
セラミック層のうち上記第３セラミック層に接する層の
いずれのセラミック層よりも厚さが薄いことを特徴とす
る連結多層セラミック基板とするのが好ましい。

【００２０】複数の電子部品収納用凹部が形成された第
１セラミック層と、複数の第２主面側凹部が形成された
第２セラミック層との間に、これらの凹部が形成されて
いない第３セラミック層が積層されていれば、上記のよ
うに、これらの凹部間にクラックが発生したり、リーク
を生じたり、これらの凹部間が連通したりすることがな
い。このような効果は、第３セラミック層を薄くしても
十分達成することができる。

【００２１】一方、第３セラミック層を薄くすること
で、同じ厚さの連結多層セラミック基板であれば、電子
部品収納用凹部や第２主面側凹部の深さを相対的に大き
くとることができる。あるいは、電子部品収納用凹部や
第２主面側凹部の深さを同じにすると、連結多層セラミ
ック基板の厚さを薄くすることができる。従って、クラ
ックやリークの発生、製造時の歩留まりの低下などの問
題を解消できる上、第３セラミック層を薄くすることに
より、電子部品収納用凹部や第２主面側凹部の深さを相
対的に大きくする、あるいは、連結多層セラミック基板
の厚さも薄くすることができる。

【００２２】さらに、上記の多層セラミック基板であっ
て、前記ブレーク溝は、前記第２主面側凹部の底面を横
断する底面横断ブレーク溝を含むことを特徴とする連結
多層セラミック基板とすると良い。

【００２３】個分け用にブレーク溝が形成された連結多
層セラミック基板では、第２主面側凹部を破断して側面
凹部を形成する際、第２主面側凹部の底面の部分に、バ
リや欠けが発生しやすい。これに対し、本発明の連結多
層セラミック基板では、第２主面側凹部の底面を横断す
る底面横断ブレーク溝が、第１主面側からまたは第２主
面側から形成されている。このため、連結多層セラミッ
ク基板を破断させても、既に第２主面側凹部の底面が分
割されているので、その第２主面側凹部が分割された側
面凹部には、バリや欠けが発生しにくい。

【００２４】あるいは、上記の連結多層セラミック基板
であって、前記ブレーク溝は、前記第１主面側から形成
され、前記第１セラミック層及び第３セラミック層を越
えて、前記第２主面側凹部に連通する第１主面側連通ブ
レーク溝を含み、前記第２主面側凹部内には、メッキが
予定されている被メッキ導体層を備えることを特徴とす
る連結多層セラミック基板とすると良い。

【００２５】本発明では、第１主面側から形成され、第
２主面側凹部と連通する第１主面側連通ブレーク溝が形
成されている。このため、連結多層セラミック基板を破
断させても、既に第２主面側凹部の底面が分割されてい
るので、その第２主面側凹部が分割された側面凹部に
は、バリや欠けが発生しにくい。さらに、第２主面側凹
部は、第２主面に開口しているだけでなく、第１主面に
も通じている。このため、第２主面側凹部内に形成され
た被メッキ導体層に、酸化防止などの目的からＮｉメッ
キやＡｕメッキなどのメッキ層を形成する際、メッキ液
が、第２主面側凹部と第１主面側連通ブレーク溝を通じ
て、第１主面と第２主面の間を流通しやすい。また、連
結多層セラミック基板をメッキ液中に浸す際、第２主面
側凹部内に空気が閉じ込められにくいので、メッキ液が
第２主面側凹部内全体に行き渡る。従って、第２主面側
凹部内（被メッキ導体層上）に、均一にメッキ層を形成
することができる。

【００２６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
面を参照しつつ説明する。本実施形態の多層セラミック
基板１を図１に示す。なお、図１（ａ）は多層セラミッ
ク基板１の全体図を示し、図１（ｂ）はその断面図を示
す。この多層セラミック基板１は、４層のセラミック層
が積層されてなり、上面（第１主面）１Ａと、上面１Ａ
と平行な下面（第２主面）１Ｂと、上下面を結ぶ第１側
面１Ｃ、第２側面１Ｄ、第３側面１Ｅ、及び第４側面１
Ｆとを有する３．８ｍｍ×３．８ｍｍ×０．９ｍｍの略
直方体形状をなす。４層のセラミック層のうち、上面１
Ａ側の２層は、厚さ０．２５ｍｍ及び厚さ０．３ｍｍの
第１セラミック層２，３からなり、下面１Ｂ側の１層
は、厚さ０．２ｍｍの第２セラミック層４である。これ
ら第１，第２セラミック層２，３，４の間には、厚さ
０．１５ｍｍの第３セラミック層５が積層されている。
なお、第３セラミック層の厚さ（０．１５ｍｍ）は、第
３セラミック層と接する第１セラミック層３（厚さ０．
３ｍｍ）や第２セラミック層４（厚さ０．２ｍｍ）より
も薄くなっている。

【００２７】この多層セラミック基板１の上面１Ａ側に
は、図示しない表面弾性波フィルタや水晶振動子を搭載
するため、２層からなる第１セラミック層２，３に、階
段状の電子部品収納用凹部７が形成されている。また、
上面１Ａには、この多層セラミック基板１に図示しない
蓋部材を載置して気密封止するために、略口字形状の封
着用メタライズ層（図示しない）が形成されている。

【００２８】一方、第１側面１Ｃ及び第３側面１Ｅに
は、それぞれ３ヶ所に、下面１Ｂまで延びる略半円筒状
の側面凹部９（直径０．４ｍｍ、高さ０．２ｍｍ）が凹
設されている。これらの側面凹部９は、下面１Ｂ側の１
層からなる第２セラミック層４に形成されている。そし
て、その内壁面には被メッキ導体層１０と、更にその表
面にＮｉ−Ａｕメッキ層１１とが形成され、被メッキ導
体層１０は、第３セラミック層５の上下面等に形成され
た基板内配線層１４と導通している。さらに、被メッキ
導体層１０は、下面１Ｂ（第２セラミック層４の下面）
に形成された外部配線層１５とも導通している。また、
第１セラミック層２，３と第２セラミック層４の間に挟
まれた第３セラミック層５には、電子部品収納用凹部７
も側面凹部９も形成されていない。

【００２９】このような多層セラミック基板１は、電子
部品収納用凹部７が形成された第１セラミック層２，３
と、側面凹部９が形成された第２セラミック層４との間
に、第３セラミック層５が積層されているので、電子部
品収納用凹部７と側面凹部９との間には、必ず第３セラ
ミック層５が介在する（図１（ｂ）参照）。このため、
この多層セラミック基板１の取り扱い時や使用時に、電
子部品収納用凹部７と側面凹部９との間に応力が掛かっ
ても、第３セラミック層５があるため強度が高くなって
いるので、これらの凹部を繋ぐクラックが発生しにく
く、気密性が高い。また、電子部品収納用凹部７と側面
凹部９との間に位置ずれが生じていたとしても、両者の
間には第３セラミック層５があるため、両者が連通した
り、極端に接近してリークを生じることもなく、気密性
が高い。

【００３０】さらに、この多層セラミック基板１は、第
３セラミック層５（厚さ０．１５ｍｍ）が、これと接す
る第１セラミック層３（厚さ０．３ｍｍ）や第２セラミ
ック層４（厚さ０．２ｍｍ）よりも薄くなっている。こ
のため、電子部品収納用凹部７の深さＤＨ（０．５５ｍ
ｍ）や側面凹部９の上下方向に長さＳＨ（０．２ｍｍ）
に対して、多層セラミック基板１全体の厚さ（０．９ｍ
ｍ）を薄く、小型化することができる。

【００３１】次に、本実施形態に係る連結多層セラミッ
ク基板２１について、図２を参照しつつ説明する。この
連結多層セラミック基板２１は、隣り合う上記多層セラ
ミック基板１が、互いに接して繋がったものである。上
面（第１主面）２１Ａ側の２層は、厚さ０．２５ｍｍ及
び厚さ０．３ｍｍの第１セラミック層２２，２３からな
り、下面（第２主面）２１Ｂ側の１層は、厚さ０．２ｍ
ｍの第２セラミック層２４からなり、これらの間には、
１層からなる厚さ０．１５ｍｍの第３セラミック層２５
が積層されている。この連結多層セラミック基板２１の
上面２１Ａ側には、多層セラミック基板１に対応して、
２層からなる第１セラミック層２２，２３に、階段状の
電子部品収納用凹部７が複数形成されている。さらに、
上面２１Ａには、略口字形状の封着用メタライズ層（図
示しない）も複数形成されている。

【００３２】一方、この連結多層セラミック基板２１の
下面２１Ｂ側には、個分けの際に２分割されて、多層セ
ラミック基板１の側面凹部９となる下面側凹部（第２主
面側凹部）２９が、下面側２１Ｂに開口して複数形成さ
れている。そして、この下面側凹部２９の内壁面には、
被メッキ導体層３０が形成され、さらにその表面にＮｉ
−Ａｕメッキ層３１が被着されている。この下面側凹部
２９は、１層からなる第２セラミック層２４に形成され
ている。なお、被メッキ導体層３０は、図２中では記載
を省略しているが、多層セラミック基板１に対応して、
基板内配線層１４や外部配線層１５に接続されている
（図１（ｂ）参照）。また、第１セラミック層２２，２
３と第２セラミック層２４の間に挟まれた第３セラミッ
ク層２５には、電子部品収納用凹部７も下面側凹部２９
も形成されていない。

【００３３】さらに、この連結多層セラミック基板２１
には、隣接する多層セラミック基板１同士の境界３６上
に、上面２１Ａ側から上面側連通ブレーク溝（第１主面
側連通ブレーク溝）３７が複数形成されている。具体的
には、上面側連通ブレーク溝３７は、第１セラミック層
２２，２３及び第３セラミック層２５を越えて、下面側
凹部２９の略円形状の底面２９Ｃの略中央を貫通し、下
面側凹部２９と連通する底面横断ブレーク溝である。こ
の上面側連通ブレーク溝３７に沿って、連結多層セラミ
ック基板２１を破断して、多層セラミック基板１に個分
けすると、下面側凹部２９が、それぞれ軸線方向（図中
上下方向）に２分割され、それぞれ多層セラミック基板
１の半円筒形状の側面凹部９となる（図１参照）。

【００３４】このような連結多層セラミック基板２１
は、複数の電子部品収納用凹部７が形成された第１セラ
ミック層２２，２３と、複数の下面側凹部２９が形成さ
れた第２セラミック層２４との間に、第３セラミック層
２５が積層されている。よって、電子部品収納用凹部７
と下面側凹部２９との間には、必ず第３セラミック層２
５が介在する（図２参照）。このため、この連結多層セ
ラミック基板２１の取り扱い時等に、電子部品収納用凹
部７と下面側凹部２９との間に応力が掛かっても、第３
セラミック層２５が介在し強度が高くなっているので、
これらの凹部を繋ぐクラックが発生しにくい。例えば、
この連結多層セラミック基板２１を上面側連通ブレーク
溝３７で破断して、個々の多層セラミック基板１に個分
けする際に、電子部品収納用凹部７と下面側凹部２９と
の間に応力や衝撃が加わっても、これらの凹部が繋がる
クラックの発生が少ない。また、電子部品収納用凹部７
と下面側凹部２９との間に位置ずれが生じていたとして
も、これらの間には第３セラミック層２５があるので、
これらの凹部が連通したり、極端に接近することがな
い。

【００３５】さらに、この連結多層セラミック基板２１
は、第３セラミック層２５（厚さ０．１５ｍｍ）が、こ
れと接する第１セラミック層２３（厚さ０．３ｍｍ）や
第２セラミック層２４（厚さ０．２ｍｍ）よりも薄くな
っている。このため、これを分割した多層セラミック基
板１は、前記のように、電子部品収納用凹部７や側面凹
部９を大きさに対して、全体の厚さが薄くなっている。
また、この連結多層セラミック基板２１では、下面側凹
部２９の底面２９Ｃを横断する底面横断ブレーク溝（上
面側連通ブレーク溝３７）が、上面２１Ａ側から形成さ
れている。このため、連結多層セラミック基板２１を破
断させても、既に下面側凹部２９の底面２９Ｃが上面側
連通ブレーク溝３７で分割されているので、下面側凹部
２９が分割された側面凹部９の端面９Ａに、バリや欠け
が発生しにくい（図１参照）。

【００３６】さらに、上面側連通ブレーク溝３７によ
り、下面側凹部２９は、下面２１Ｂに開口しているだけ
でなく、上面２１Ａにも通じている。このため、下面側
凹部２９内に形成された被メッキ導体層３０に、Ｎｉ−
Ａｕメッキ層３１を形成する際に、メッキ液が、下面側
凹部２９と上面側連通ブレーク溝３７を通じて、上面２
１Ａと下面２１Ｂの間を流通しやすい。また、基板をメ
ッキ液に浸す際、下面側凹部２９内に空気が閉じ込めら
れにくいので、メッキ液が下面側凹部２９内全体に行き
渡る。従って、被メッキ導体層３０上に、均一にＮｉ−
Ａｕメッキ層３１が形成されている。

【００３７】次に、上記多層セラミック基板１及び連結
多層セラミック基板２１の製造方法について、図３を参
照しつつ説明する。まず、積層工程において、図３
（ａ）に示すように、２つの第１セラミックグリーンシ
ート４２，４３、第２セラミックグリーンシート４４及
び第３セラミックグリーンシート４５を重ねた積層体４
１を形成する。

【００３８】具体的には、多層セラミック基板１に対応
する略板形状をなす領域が、互いに接して繋がった第２
セラミックグリーンシート４４を用意する。第２セラミ
ックグリーンシート４４には、予め隣接するセラミック
基板１の側面凹部９に対応する複数の貫通孔４９を所定
の位置に穿孔し、さらに、この貫通孔４９の内壁面に未
焼成被メッキ導体層５０を形成しておく。また、下面に
は、未焼成被メッキ導体層５０に接続する未焼成外部配
線層５５も形成しておく。

【００３９】また一方で、電子部品搭載用凹部７や下面
側凹部２９（側面凹部９）に対応する孔が形成されてい
ない第３セラミックグリーンシート４５を用意する。こ
の第３セラミックグリーンシート４５の上下面及び内部
には、未焼成基板内配線層５４を形成しておく。そし
て、これら第２セラミックグリーンシート４４と第３セ
ラミックグリーンシート４５とを位置合わせをして重ね
る。このとき、第２セラミックグリーンシート４４の貫
通孔４９と第３セラミックグリーンシート４５により、
下面側凹部２９が形成される。また、第２セラミックグ
リーンシート４４の未焼成被メッキ導体層５０と第３セ
ラミックグリーンシート４５の未焼成基板内配線層５４
とが接続される。

【００４０】次に、多層セラミック基板１の電子部品収
納用凹部７に対応し、第１透孔４７が複数穿孔された第
１セラミックグリーンシート４２及び第１透孔４７より
も小さい第２透孔４８が形成された第１グリーンシート
４３を用意する。そして、これら第１グリーンシート４
２，４３と第２，第３グリーンシート４４，４５の積層
体とを位置合わせをして重ねる。このとき、第１セラミ
ックグリーンシート４２，４３の第１透孔４７及び第２
透孔４８と、第３グリーンシート４５とによって、階段
状の電子部品搭載用凹部７が形成される。

【００４１】このようにして、図３（ａ）に示す積層体
４１が形成される。本実施形態では、第１透孔４７また
は第２透孔４８が形成された第１セラミックグリーンシ
ート４２，４３と、貫通孔４９が形成された第２セラミ
ックグリーンシート４４の間に、これらの孔が形成され
ていない第３セラミックグリーンシート４５を積層して
いる。このため、グリーンシート同士を重ねる際に、多
少位置がずれても、第１透孔４７及び第２透孔４８と貫
通孔４９とが連通したり、極端に接近したりすることが
ない。従って、多層セラミック基板１や連結多層セラミ
ック基板２１においても、電子部品収納用凹部７と側面
凹部９（下面側凹部２９）とが連通したり、極端に接近
したりすることがなく、製造時の歩留まりが高い。

【００４２】次に、ブレーク溝形成工程において、図３
（ｂ）に示すように、隣接する多層セラミック基板１対
応する領域同士の境界３６に沿って、上面４１Ａ側（図
中上方）から略Ｖ字型の上面側連通ブレーク溝３７を形
成する。具体的には、図示しないブレーク刃により、第
１セラミックグリーンシート４２，４３及び第３セラミ
ックグリーンシート４５を貫通する深さ以上の上面側連
通ブレーク溝３７を形成する。これにより、上面側ブレ
ーク溝３７と下面側凹部２９とが連通し、下面側凹部２
９は、下面４１Ｂ側だけでなく上面４１Ａ側にも通じた
状態になる。

【００４３】次に、焼成工程において、この積層体４１
を焼成すると、図３（ｃ）に示すように、複数の多層セ
ラミック基板１が繋がった連結多層セラミック基板２０
ができる。これにより、未焼成被メッキ導体層５０、未
焼成基板内配線層５４、及び未焼成外部配線層５５が焼
成されて、被メッキ導体層３０、基板内配線層１４及び
外部配線層１５が形成される。焼成後、メッキ層形成工
程において、下面側凹部２９の内壁面に形成された被メ
ッキ導体層３０の酸化防止及びハンダ付け性向上のため
に、公知の手法により、電解メッキを施し、被メッキ導
体層３０上に、Ｎｉメッキ層及びその上に形成されるＡ
ｕメッキ層からなるＮｉ−Ａｕメッキ層３１を形成す
る。その際、下面側凹部２９は、上面２１Ａにも下面２
１Ｂにも通じているので、下面側凹部２９内に空気が閉
じ込められることなく、また、メッキ液が上下面間を流
通して、被メッキ導体層３０上にＮｉ−Ａｕメッキ層３
１が均一に形成される（図２参照）。このようにして、
図２に示す連結多層セラミック基板２１が製造される。

【００４４】その後、連結多層セラミック基板２１を上
面側連通ブレーク溝３７に沿って破断して、個々の多層
セラミック基板１とする。このとき、連結多層セラミッ
ク基板２１の円筒形状の下面側凹部２９がそれぞれ軸線
方向に２分割されることにより、多層セラミック基板１
の第１側面１Ｃ及び第３側面１Ｅに、それぞれ略半円筒
形状の側面凹部９が形成される。このようにして、連結
多層セラミック基板２１及び多層セラミック基板１が製
造される（図１参照）。

【００４５】（実施形態２）次いで、実施形態２につい
て、図４を参照しつつ説明する。本実施形態の多層セラ
ミック基板４０１及び連結多層セラミック基板４２１
は、基板内配線層４１４が、電子部品収納用凹部４０７
の階段部４０７Ａまで形成されている点が上記実施形態
１と異なる。また、連結多層セラミック基板４２１に形
成されたブレーク溝が、上面４２１Ａ側と下面４２１Ｂ
側の両側から形成されていることも上記実施形態１と異
なる。その他は、上記実施形態１と同様であるので、同
様な部分の説明は省略または簡略化し、上記実施形態１
と異なる部分を中心に説明する。

【００４６】本実施形態の多層セラミック基板４０１の
断面図を図４（ａ）に示す。この多層セラミック基板４
０１は、上記実施形態１と同様に、第１セラミック層４
０２，４０３と第２セラミック層４０４との間に、第３
セラミック層４０５が積層されてなる。そして、上面
（第１主面）４０１Ａ側には、２層からなる第１セラミ
ック層４０２，４０３に、階段状の電子部品収納用凹部
４０７が形成されている。また、第１側面４０１Ｃ及び
第３側面４０１Ｅには、下面（第２主面）４０１Ｂまで
延びる略半円筒状の側面凹部４０９が、第２セラミック
層４０４に形成され、その内壁面には被メッキ導体層４
１０やＮｉ−Ａｕメッキ層４１１が形成されている。

【００４７】この被メッキ導体層４１０は、第３セラミ
ック層４０５の下面や内部、及び第１セラミック層４０
３の上面や内部に形成された基板内配線層４１４と導通
している。つまり、被メッキ導体層４１０は、基板内配
線層４１４により、電子部品収納用凹部４０７の階段部
４０７Ａまで繋がっている。また、被メッキ導体層４１
０は、上記実施形態１と同様に、第２セラミック層４０
４の下面に形成された外部配線層４１５とも導通してい
る。従って、電子部品収納用凹部４０７に収納する電子
部品をワイヤーボンディングにより接続させることが可
能である。また、第３セラミック層４０５（厚さ０．１
５ｍｍ）は、上記実施形態１と同様に、これと接する第
１セラミック層４０３（厚さ０．３ｍｍ）や第２セラミ
ック層４０４（厚さ０．２ｍｍ）よりも薄く、電子部品
収納用凹部４０７も側面凹部４０９も形成されていな
い。

【００４８】このような多層セラミック基板４０１も、
上記実施形態１と同様に、電子部品収納用凹部４０７と
側面凹部４０９との間には、第３セラミック層４０５が
介在しているので、多層セラミック基板４０１の取り扱
い時や使用時に、これらの凹部を繋ぐクラックが発生し
にくく、従って、リーク不良も生じにくい。また、製造
時にこれらの凹部に位置ずれが生じた多層セラミック基
板４０１でも、第３セラミック層４０５が介在している
ので、リーク不良等が生じにくい。さらに、第３セラミ
ック層４０５の厚さ（０．１５ｍｍ）が薄くなっている
ので、電子部品収納用凹部４０７（深さＤＨ０．５５ｍ
ｍ）や側面凹部４０９（長さＳＨ０．２ｍｍ）の大きさ
に対して、多層セラミック基板４０１全体の厚さ（０．
９ｍｍ）が薄くなっている。

【００４９】次に、図４（ｂ）に断面図を示す連結多層
セラミック基板４２１について説明する。この連結多層
セラミック基板４２１は、上記実施形態１と同様に、隣
り合う上記多層セラミック基板４０１が、互いに接して
繋がったものであり、上面（第１主面）４２１Ａ側の２
層の第１セラミック層４２２，４２３と、下面（第２主
面）４２１Ｂ側の１層の第２セラミック層４２４と、こ
れらの間に位置する１層の第３セラミック層４２５とか
ら構成されている。

【００５０】この連結多層セラミック基板４２１の上面
４２１Ａ側には、上記実施形態１と同様に、２層からな
る第１セラミック層４２２，４２３に、階段状の電子部
品収納用凹部４０７が複数形成されている。下面４２１
Ｂ側には、第２セラミック層４２４に下面側凹部（第２
主面側凹部）４２９が複数形成され、その内壁面には、
被メッキ導体層４３０やＮｉ−Ａｕメッキ層４３１が形
成されている。一方、第３セラミック層４２５には、電
子部品収納用凹部４０７も下面側凹部４２９も形成され
ていない。

【００５１】また、この連結多層セラミック基板４２１
には、隣接する多層セラミック基板４０１同士の境界４
３６上に、上記実施形態１と異なり、上面４２１Ａ側と
下面４２１Ｂ側から、それぞれＶ字型のブレーク溝が形
成されている。上面４２１Ａ側から形成された上面側ブ
レーク溝４３８は、上面４２１Ａ側の第１セラミック層
４２２の厚さとほぼ同じ深さになっている。一方、下面
４２１Ｂ側から形成されたブレーク溝は、下面側凹部４
２９の底面４２９Ｃの略中央を横断する底面横断ブレー
ク溝４３７となっている。これらのブレーク溝に沿っ
て、連結多層セラミック基板４２１を破断すると、上記
実施形態１と同様に、下面側凹部４２９が２分割され、
多層セラミック基板４０１の半円筒形状の側面凹部４０
９となる。

【００５２】このような連結多層セラミック基板４２１
も、上記実施形態１と同様に、電子部品収納用凹部４０
７と下面側凹部４２９との間に、必ず第３セラミック層
４２５が介在するので、この連結多層セラミック基板４
２１の取り扱い時等に、これらの凹部が繋がるクラック
が発生しにくい。また、製造時にこれらの凹部間に位置
ずれが生じた連結多層セラミック基板４２１でも、第３
セラミック層４２５により、リーク等が発生しにくくな
っている。また、この連結多層セラミック基板４２１で
は、下面側凹部４２９の底面４２９Ｃを横断する底面横
断ブレーク溝４３７が、下面４２１Ａ側から形成され、
既に下面側凹部４２９の底面４２９Ｃが分割されている
ので、連結多層セラミック基板４２１を破断させても、
側面凹部４０９の端面４０９Ａにバリや欠けが発生しに
くい。

【００５３】次に、これら上記多層セラミック基板４０
１及び連結多層セラミック基板４２１の製造方法につい
て説明する。まず、積層工程において、上記実施形態１
と同様に、２つの第１セラミックグリーンシート、第２
セラミックグリーンシート及び第３セラミックグリーン
シートを重ねた積層体を形成する（図３（ａ）参照）。
なお、未焼成基板内配線層は、第１セラミック層４０３
に対応する第１セラミックグリーンシートの上面と内
部、及び、第３セラミックグリーンシートの内部の所定
の位置に形成しておく。このとき、電子部品収納用凹部
４０７に対応した透孔を有する第１セラミックグリーン
シートと、下面側凹部４２９に対応した貫通孔を有する
第２セラミックグリーンシートの間には、第３セラミッ
クグリーンシートが介在する。このため、これらに位置
ずれが生じても、透孔と貫通孔との間が連通することが
ないことも上記実施形態１と同様である。

【００５４】次に、ブレーク溝形成工程において、隣接
する多層セラミック基板４０１対応する領域同士の境界
４３６に沿って、上面側及び下面側から図示しないブレ
ーク刃を入れ、略Ｖ字型の上面側ブレーク溝４３８及び
底面横断ブレーク溝４３７を形成する。次に、焼成工程
において、この積層体を焼成し、その後、メッキ層形成
工程において、下面側凹部４２９の内壁面に形成された
被メッキ導体層４３０上に、Ｎｉ−Ａｕメッキ層４３１
を形成すれば、連結多層セラミック基板４２１ができ
る。さらに、連結多層セラミック基板４２１を上面側ブ
レーク溝４３８及び底面横断ブレーク溝４３７に沿って
破断すれば、下面側凹部４２９がそれぞれ２分割されて
側面凹部４０９となり、個々の多層セラミック基板４０
１ができる。

【００５５】（実施形態３）次いで、実施形態３につい
て、図５を参照しつつ説明する。本実施形態の多層セラ
ミック基板５０１及び連結多層セラミック基板５２１
は、電子部品搭載用凹部５０７の形状が階段状ではな
く、垂直に凹んでいる点が上記各実施形態１，２と異な
り、基板内配線層５１４の形状も上記実施形態１と若干
異なる。さらに、ブレーク溝が下面５２１Ａ側からのみ
形成されている点も上記各実施形態１，２と異なる。そ
の他は、上記各実施形態１，２のいずれかと同様である
ので、同様な部分の説明は省略または簡略化し、上記各
実施形態１，２と異なる部分を中心に説明する。

【００５６】本実施形態の多層セラミック基板５０１の
断面図を図５（ａ）に示す。この多層セラミック基板５
０１は、上記各実施形態１，２と同様に、第１セラミッ
ク層５０２，５０３と第２セラミック層５０４との間に
第３セラミック層５０５が積層されてなる。上面（第１
主面）５０１Ａ側には、２層からなる第１セラミック層
５０２，５０３に、電子部品収納用凹部５０７が形成さ
れ、略直方体状の収納スペースが確保されている。従っ
て、多層セラミック基板１の大きさに対して、相対的に
大きな電子部品を収納することができる。一方、第１側
面５０１Ｃ及び第３側面５０１Ｅには、上記各実施形態
１，２と同様に、下面（第２主面）５０１Ｂまで延びる
略半円筒状の側面凹部５０９が、第２セラミック層５０
４に形成され、その内壁面には被メッキ導体層５１０や
Ｎｉ−Ａｕメッキ層５１１が形成されている。

【００５７】この被メッキ導体層５１０は、第３セラミ
ック層５０５の上下面及び内部に形成された基板内配線
層５１４と導通し、さらに、上記各実施形態１，２と同
様に、第２セラミック層５０４の下面に形成された外部
配線層５１５とも導通している。また、上記各実施形態
１，２と同様に、第３セラミック層５０５（厚さ０．１
５）は、これと接する第１セラミック層５０３（厚さ
０．３ｍｍ）や第２セラミック層５０４（厚さ０．２ｍ
ｍ）よりも薄く、電子部品収納用凹部５０７も側面凹部
５０９も形成されていない。

【００５８】このような多層セラミック基板５０１も、
上記各実施形態１，２と同様に、電子部品収納用凹部５
０７と側面凹部５０９との間には、第３セラミック層５
０５が介在するので、多層セラミック基板５０１の取り
扱い時や使用時に、これらの凹部を繋ぐクラックが発生
しにくく、従って、リーク不良も生じにくい。また、製
造時にこれらの凹部に位置ずれが生じた多層セラミック
基板５０１でも、第３セラミック層５０５が介在してい
るので、リーク不良等が生じにくい。さらに、第３セラ
ミック層５０５（厚さ０．１５ｍｍ）が薄くなっている
ので、電子部品収納用凹部５０７（深さＤＨ０．５５ｍ
ｍ）や側面凹部５０９（長さＳＨ０．２ｍｍ）の大きさ
に対して、多層セラミック基板５０１全体の厚さ（０．
９ｍｍ）が薄くなっている。

【００５９】次に、図４（ｂ）に断面図を示す連結多層
セラミック基板５２１について説明する。この連結多層
セラミック基板５２１は、上記各実施形態１，２と同様
に、隣り合う上記多層セラミック基板５０１が、互いに
接して繋がったものであり、上面（第１主面）５２１Ａ
側の２層の第１セラミック層５２２，５２３と、下面
（第２主面）５２１Ｂ側の１層の第２セラミック層５２
４と、これらの間に位置する１層の第３セラミック層５
２５とから構成されている。

【００６０】この連結多層セラミック基板５２１の上面
５２１Ａ側には、上記各実施形態１，２と同様に、２層
からなる第１セラミック層５２２，５２３に、電子部品
収納用凹部５０７が複数形成されている。一方、下面５
２１Ｂ側には、第２セラミック層５２４に下面側凹部
（第２主面側凹部）５２９が複数形成され、その内壁面
に被メッキ導体層５３０やＮｉ−Ａｕメッキ層５３１が
形成されている。また、第１セラミック層５２２，５２
３と第２セラミック層５２４の間に挟まれた第３セラミ
ック層５２５には、電子部品収納用凹部５０７も下面側
凹部５２９も形成されていない。

【００６１】また、この連結多層セラミック基板５２１
には、隣接する多層セラミック基板５０１同士の境界５
３６上に、上記各実施形態１，２と異なり、下面５２１
Ｂ側からのみ、下面側凹部５２９の底面５２９Ｃの略中
央を横断する底面横断ブレーク溝５３７が形成されてい
る。この底面横断ブレーク溝５３７は、第２セラミック
グリーンシート及び第３セラミックグリーンシートを横
断する深さとなっている。この底面横断ブレーク溝５３
７に沿って、連結多層セラミック基板５２１を破断する
と、上記各実施形態１，２と同様に、下面側凹部５２９
が２分割され、多層セラミック基板５０１の半円筒形状
の側面凹部５０９となる。

【００６２】このような連結多層セラミック基板５２１
も、上記実施形態１，２と同様に、電子部品収納用凹部
５０７と下面側凹部５２９との間に、必ず第３セラミッ
ク層５２５が介在するので、この連結多層セラミック基
板５２１の取り扱い時等に、これらの凹部を繋ぐクラッ
クが発生しにくく、リーク不良も生じにくい。また、製
造時にこれらの凹部間に位置ずれが生じた連結多層セラ
ミック基板５２１でも、第３セラミック層５２５によ
り、リーク等が発生しにくくなっている。また、下面側
凹部５２９の底面５２９Ｃを横断する底面横断ブレーク
溝５３７が、下面５２１Ａ側から形成され、既に下面側
凹部５２９の底面５２９Ｃが分割されているので、連結
多層セラミック基板５２１を破断させても、下面側凹部
５２９が分割された側面凹部５０９の端面５０９Ａに
は、バリや欠けが発生しにくい。

【００６３】次に、これらの多層セラミック基板５０１
及び連結多層セラミック基板５２１の製造方法について
説明する。まず、積層工程において、上記各実施形態
１，２と同様に、２つの第１セラミックグリーンシー
ト、第２セラミックグリーンシート及び第３セラミック
グリーンシートを重ねた積層体を形成する（図３（ａ）
参照）。なお、未焼成基板内配線層は、第３セラミック
グリーンシートの上下面及び内部の所定の位置に形成し
ておく。このとき、電子部品収納用凹部５０７に対応し
た透孔を有する第１セラミックグリーンシートと、下面
側凹部５２９に対応した貫通孔を有する第２セラミック
グリーンシートの間には、第３セラミックグリーンシー
トが介在する。このため、これらに位置ずれが生じて
も、透孔と貫通孔との間が連通することがないことも上
記各実施形態１，２と同様である。

【００６４】次に、ブレーク溝形成工程において、隣接
する多層セラミック基板５０１対応する領域同士の境界
５３６に沿って、ブレーク刃により下面側から略Ｖ字型
の底面横断ブレーク溝５３７を形成する。その後、焼成
工程において、積層体を焼成し、メッキ層形成工程にお
いて、下面側凹部５２９の内壁面に形成された被メッキ
導体層５３０上に、Ｎｉ−Ａｕメッキ層５３１を形成す
れば、連結多層セラミック基板５２１ができる。さら
に、連結多層セラミック基板５２１を底面横断ブレーク
溝５３７に沿って破断すれば、個々の多層セラミック基
板５０１となる。

【００６５】以上において、本発明を各実施形態に即し
て説明したが、本発明は上記各実施形態に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変更し
て適用できることはいうまでもない。例えば、上記各実
施形態１〜３では、第１セラミック層２，３等が２層か
らなり、第２セラミック層４等及び第３セラミック層５
等がそれぞれ１層からなる多層セラミック基板１等及び
連結多層セラミック基板２１等を示したが、これらの層
は、それぞれ少なくとも１つ以上であれば良く、その数
は適宜変更することができる。

【００６６】また、上記実施形態１〜３では、略半円筒
状の側面凹部９等が、第１側面１Ｃ等及び第３側面１Ｅ
等にそれぞれ３箇所ずつ形成されているが、その形状、
場所、数などについては適宜変更することができる。さ
らに、多層セラミック基板１等の四隅のいずれか、例え
ば第１側面１Ｃ等と第４側面１Ｆ等に跨る側面凹部を形
成することもできる。このような側面凹部は、隣接する
４つの多層セラミック基板の境界上に下面側凹部を形成
した連結多層配線基板を製造し、これを破断して、下面
側凹部を４分割することにより形成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施形態１に係る多層セラミック基板を示す図
であり、（ａ）は斜視図であり、（ｂ）は断面図であ
る。

【図２】実施形態１に係る連結多層セラミック基板を示
す部分断面図である。

【図３】実施形態１に係る多層セラミック基板及び連結
多層セラミック基板の製造方法を示す図であり、（ａ）
は第１〜第３セラミックグリーンシートを積層した状態
を示す部分断面図であり、（ｂ）は積層体に上面側連通
ブレーク溝を形成した状態を示す部分断面図であり、
（ｃ）は積層体を焼成した状態を示す部分断面図であ
る。

【図４】実施形態２に係り、（ａ）は多層セラミック基
板を示す断面図であり、（ｂ）は連結多層セラミック基
板を示す部分断面図である。

【図５】実施形態３に係り、（ａ）は多層セラミック基
板を示す断面図であり、（ｂ）は連結多層セラミック基
板を示す部分断面図である。

【図６】従来形態１に係る多層セラミック基板を示す図
であり、（ａ）は斜視図であり、（ｂ）は断面図であ
る。

【図７】従来の他の形態の多層セラミック基板を示す図
であり、（ａ）は従来形態２に係る多層セラミック基板
の断面図を示し、（ｂ）は従来形態３に係る多層セラミ
ック基板の断面図を示す。

【符号の説明】

１，４０１，５０１ 多層セラミック基板 １Ａ，４０１Ａ，５０１Ａ （多層セラミック基板
の）上面（第１主面） １Ｂ，４０１Ｂ，５０１Ｂ （多層セラミック基板
の）下面（第２主面） １Ｃ，４０１Ｃ，５０１Ｃ （多層セラミック基板
の）第１側面 １Ｄ，４０１Ｄ，５０１Ｄ （多層セラミック基板
の）第２側面 １Ｅ，４０１Ｅ，５０１Ｅ （多層セラミック基板
の）第３側面 １Ｆ，４０１Ｆ，５０１Ｆ （多層セラミック基板
の）第４側面 ２，４０２，５０３ 第１セラミック層 ３，４０３，５０３ 第１セラミック層 ４，４０４，５０４ 第２セラミック層 ５，４０５，５０５ 第３セラミック層 ７，４０７，５０７ 電子部品収納用凹部 ９，４０９，５０９ 側面凹部 １０，４１０，５１０ 被メッキ導体層 １１，４１１，５１１ Ｎｉ−Ａｕメッキ層 ２０ 連結多層セラミック基
板 ２１，４２１，５２１ 連結多層セラミック基
板 ２１Ａ，４２１Ａ，５２１Ａ （連結多層セラミック
基板の）上面（第１主面） ２１Ｂ，４２１Ｂ，５２１Ｂ （連結多層セラミック
基板の）下面（第２主面） ２２，４２２，５２２ 第１セラミック層 ２３，４２３，５２３ 第１セラミック層 ２４，４２４，５２４ 第２セラミック層 ２５，４２５，５２５ 第３セラミック層 ２９，４２９，５２９ 下面側凹部（第２主面
側凹部） ３０，４３０，５３０ 被メッキ導体層 ３１，４３１，５３１ Ｎｉ−Ａｕメッキ層 ３７ 上面側連通ブレーク溝（第１主
面側連通ブレーク溝） ４３７，５３７ 底面横断ブレーク溝

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】第１主面と、この第１主面に平行な第２主
   面と、これら両主面の間を結ぶ側面とを有し、積層され
   た複数のセラミック層を備え、上記第１主面側に開口し
   電子部品を収納するための電子部品収納用凹部と、上記
   側面に凹設され上記第２主面まで延びる側面凹部と、を
   有する多層セラミック基板であって、 上記セラミック層は、 上記電子部品収納用凹部が形成された少なくとも１つの
   第１セラミック層と、 上記側面凹部が形成された少なくとも１つの第２セラミ
   ック層と、 上記第１セラミック層と第２セラミック層との間に位置
   し、上記電子部品収納用凹部及び側面凹部のいずれも形
   成されていない少なくとも１つの第３セラミック層と、 を備えることを特徴とする多層セラミック基板。
2. 【請求項２】第１主面と、この第１主面に平行な第２主
   面と、積層された複数のセラミック層を備え、上記第１
   主面側に開口し電子部品を収納するための複数の電子部
   品収納用凹部と、少なくとも第１主面側及び第２主面側
   のいずれかから略Ｖ字状に形成された複数のブレーク溝
   と、上記第２主面側に開口し、上記ブレーク溝に沿って
   破断した際に複数に分割される複数の第２主面側凹部
   と、を有する連結多層セラミック基板であって、 上記セラミック層は、 上記電子部品収納用凹部が形成された少なくとも１つの
   第１セラミック層と、 上記第２主面側凹部が形成された少なくとも１つの第２
   セラミック層と、 上記第１セラミック層と第２セラミック層との間に位置
   し、上記電子部品収納用凹部及び第２主面側凹部のいず
   れも形成されていない第３セラミック層と、を備えるこ
   とを特徴とする連結多層セラミック基板。
3. 【請求項３】請求項２に記載の連結多層セラミック基板
   であって、 前記ブレーク溝は、前記第２主面側凹部の底面を横断す
   る底面横断ブレーク溝を含むことを特徴とする連結多層
   セラミック基板。
4. 【請求項４】請求項２に記載の連結多層セラミック基板
   であって、 前記ブレーク溝は、前記第１主面側から形成され、前記
   第１セラミック層及び第３セラミック層を越えて、前記
   第２主面側凹部に連通する第１主面側連通ブレーク溝を
   含み、 前記第２主面側凹部内には、メッキが予定されている被
   メッキ導体層を備えることを特徴とする連結多層セラミ
   ック基板。