JP2001110547A - イオン発生器及びそのイオン発生器を備えた静電記録装置 - Google Patents
イオン発生器及びそのイオン発生器を備えた静電記録装置Info
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- JP2001110547A JP2001110547A JP28512799A JP28512799A JP2001110547A JP 2001110547 A JP2001110547 A JP 2001110547A JP 28512799 A JP28512799 A JP 28512799A JP 28512799 A JP28512799 A JP 28512799A JP 2001110547 A JP2001110547 A JP 2001110547A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 使用寿命を向上したイオン発生器を提供す
る。 【解決手段】 絶縁体からなる基板3上に形成された誘
導電極5と、基板3上に誘導電極5を覆って形成された
誘電体層7と、この誘電体層7上に形成されたイオン発
生電極9と、少なくともこのイオン発生電極9を覆う保
護層11とを備えてなり、保護層11に、除電手段、す
なわち、イオン発生電極よりも幅が狭く、イオン発生電
極の表面中央部を底面とする溝部19が形成されてい
る。このようにすれば、保護層11に付着するイオンの
電荷を除電手段19で吸着し、除去することにより、保
護層11表面での帯電と電荷の蓄積が起こらず、保護層
11の絶縁破壊を防止できる。すなわち、イオン発生器
1の使用寿命を向上することができる。
る。 【解決手段】 絶縁体からなる基板3上に形成された誘
導電極5と、基板3上に誘導電極5を覆って形成された
誘電体層7と、この誘電体層7上に形成されたイオン発
生電極9と、少なくともこのイオン発生電極9を覆う保
護層11とを備えてなり、保護層11に、除電手段、す
なわち、イオン発生電極よりも幅が狭く、イオン発生電
極の表面中央部を底面とする溝部19が形成されてい
る。このようにすれば、保護層11に付着するイオンの
電荷を除電手段19で吸着し、除去することにより、保
護層11表面での帯電と電荷の蓄積が起こらず、保護層
11の絶縁破壊を防止できる。すなわち、イオン発生器
1の使用寿命を向上することができる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、イオン発生器に係
り、特に、静電記録装置用のイオン発生器に関する。
り、特に、静電記録装置用のイオン発生器に関する。
【0002】
【従来の技術】電子写真方式の静電気録装置では、イオ
ン発生器で生成したイオンを、制御電極によりイオンの
照射と遮断を選択的に制御し、記録媒体上に照射するこ
とで、この記録媒体上に静電潜像を形成している。この
ような静電記録装置に用いられるイオン発生器として、
絶縁体基板上に形成された誘導電極、誘導電極を覆うよ
うに形成された絶縁性の材料からなる誘電体層、誘電体
層上に形成されたイオン発生電極などからなる固体放電
方式のイオン発生器が知られている。固体放電方式のイ
オン発生器では、誘導電極とイオン発生電極間に高圧交
流電界を印加し、その際イオン発生電極で生じるコロナ
放電により、イオンの生成を行う。
ン発生器で生成したイオンを、制御電極によりイオンの
照射と遮断を選択的に制御し、記録媒体上に照射するこ
とで、この記録媒体上に静電潜像を形成している。この
ような静電記録装置に用いられるイオン発生器として、
絶縁体基板上に形成された誘導電極、誘導電極を覆うよ
うに形成された絶縁性の材料からなる誘電体層、誘電体
層上に形成されたイオン発生電極などからなる固体放電
方式のイオン発生器が知られている。固体放電方式のイ
オン発生器では、誘導電極とイオン発生電極間に高圧交
流電界を印加し、その際イオン発生電極で生じるコロナ
放電により、イオンの生成を行う。
【0003】ところで、固体放電式のイオン発生器で
は、電界集中部であり大気中に露出しているイオン発生
電極の縁部のコロナ放電領域で、コロナ放電によって電
極が削られイオン発生電極周囲に飛散する。この結果、
イオン発生電極とイオン発生電極周囲に飛散した電極材
料が繋がり、電極の面積が広くなったような状態になる
と、誘導電極とイオン発生電極間の静電容量が増加し、
消費電流がイオン発生用交流電源の駆動能力を超え、コ
ロナ放電、つまりイオンの生成が停止してしまうという
問題がある。このため、イオン発生電極を絶縁性の材料
からなる保護層で被覆し、コロナ放電などによる電極の
飛散を防止したイオン発生器が、特開平11―8042
号公報などに提案されている。
は、電界集中部であり大気中に露出しているイオン発生
電極の縁部のコロナ放電領域で、コロナ放電によって電
極が削られイオン発生電極周囲に飛散する。この結果、
イオン発生電極とイオン発生電極周囲に飛散した電極材
料が繋がり、電極の面積が広くなったような状態になる
と、誘導電極とイオン発生電極間の静電容量が増加し、
消費電流がイオン発生用交流電源の駆動能力を超え、コ
ロナ放電、つまりイオンの生成が停止してしまうという
問題がある。このため、イオン発生電極を絶縁性の材料
からなる保護層で被覆し、コロナ放電などによる電極の
飛散を防止したイオン発生器が、特開平11―8042
号公報などに提案されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、イオン発生電
極を絶縁体からなる保護層で覆った従来のイオン発生器
では、保護層の表面にイオンが蓄積して帯電し、保護層
の絶縁耐圧を越えると、保護層の絶縁破壊が生じ、保護
層表面からイオン発生電極に至る貫通孔が形成される。
このとき、コロナ放電を覆う保護層の部分に絶縁破壊が
生じ、貫通孔が形成されると、コロナ放電によって削ら
れた電極が、この貫通孔を通して保護層表面の貫通孔周
囲部分に飛散する。そして、イオン発生電極と貫通孔周
囲に飛散した電極材料が繋がると、結果として、イオン
発生電極の面積が大きくなった状態となる。したがっ
て、イオン発生電極を保護層で覆ったイオン発生器で
は、保護層を有していないイオン発生器に比べれば使用
寿命は長くなるが、コロナ放電部を覆う保護層の部分に
絶縁破壊が起こることにより、保護層を有していないイ
オン発生器と同様に、イオン発生電極の飛散による誘導
電極とイオン発生電極との間の静電容量の増加が生じ、
イオンの生成が停止してしまうため、十分な使用寿命を
得ることができない。
極を絶縁体からなる保護層で覆った従来のイオン発生器
では、保護層の表面にイオンが蓄積して帯電し、保護層
の絶縁耐圧を越えると、保護層の絶縁破壊が生じ、保護
層表面からイオン発生電極に至る貫通孔が形成される。
このとき、コロナ放電を覆う保護層の部分に絶縁破壊が
生じ、貫通孔が形成されると、コロナ放電によって削ら
れた電極が、この貫通孔を通して保護層表面の貫通孔周
囲部分に飛散する。そして、イオン発生電極と貫通孔周
囲に飛散した電極材料が繋がると、結果として、イオン
発生電極の面積が大きくなった状態となる。したがっ
て、イオン発生電極を保護層で覆ったイオン発生器で
は、保護層を有していないイオン発生器に比べれば使用
寿命は長くなるが、コロナ放電部を覆う保護層の部分に
絶縁破壊が起こることにより、保護層を有していないイ
オン発生器と同様に、イオン発生電極の飛散による誘導
電極とイオン発生電極との間の静電容量の増加が生じ、
イオンの生成が停止してしまうため、十分な使用寿命を
得ることができない。
【0005】本発明の課題は、イオン発生器の使用寿命
を向上することにある。
を向上することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明のイオン発生器
は、以下の手段により上記課題を解決する。絶縁体から
なる基板上に形成された誘導電極と、基板上に誘導電極
を覆って形成された誘電体層と、この誘電体層上に形成
されたイオン発生電極と、少なくともこのイオン発生電
極を覆う保護層とを備えてなり、保護層に、イオン発生
電極で発生したイオンを吸引する除電手段が形成されて
いる。
は、以下の手段により上記課題を解決する。絶縁体から
なる基板上に形成された誘導電極と、基板上に誘導電極
を覆って形成された誘電体層と、この誘電体層上に形成
されたイオン発生電極と、少なくともこのイオン発生電
極を覆う保護層とを備えてなり、保護層に、イオン発生
電極で発生したイオンを吸引する除電手段が形成されて
いる。
【0007】このようにすれば、保護層に付着するイオ
ンの電荷を除電手段で吸着し、除去することにより、保
護層表面での帯電と電荷の蓄積が起こらず、保護層の絶
縁破壊を防止できる。すなわち、イオン発生器の使用寿
命を向上することができる。
ンの電荷を除電手段で吸着し、除去することにより、保
護層表面での帯電と電荷の蓄積が起こらず、保護層の絶
縁破壊を防止できる。すなわち、イオン発生器の使用寿
命を向上することができる。
【0008】また、除電手段として、保護層に、イオン
発生電極よりも幅が狭く、イオン発生電極の表面中央部
を底面とする溝部が形成されている。このようにすれ
ば、イオンは、保護層の、イオン発生電極よりも幅が狭
く、イオン発生電極の表面中央部を底面とする溝部へ誘
導される。溝部の底面となるイオン発生電極の表面中央
部に電荷が流入することにより、保護層表面での帯電と
電荷の蓄積が起こらず、保護層の絶縁破壊を防止でき
る。すなわち、イオン発生器の使用寿命を向上すること
ができる。
発生電極よりも幅が狭く、イオン発生電極の表面中央部
を底面とする溝部が形成されている。このようにすれ
ば、イオンは、保護層の、イオン発生電極よりも幅が狭
く、イオン発生電極の表面中央部を底面とする溝部へ誘
導される。溝部の底面となるイオン発生電極の表面中央
部に電荷が流入することにより、保護層表面での帯電と
電荷の蓄積が起こらず、保護層の絶縁破壊を防止でき
る。すなわち、イオン発生器の使用寿命を向上すること
ができる。
【0009】さらに、除電手段として、保護層の、イオ
ン発生電極の表面中央部に対応する位置に、イオン発生
電極よりも幅が狭く、イオン発生電極の表面に接する除
電電極とを備える。このようにすれば、イオンは、除電
電極の表面に誘導されて吸着し、その電荷は、イオン発
生電極へ流れてしまう。このように除電電極にイオンが
吸着されることにより、保護層表面での帯電と電荷の蓄
積が起こらず、保護層の絶縁破壊を防止できる。すなわ
ち、イオン発生器の使用寿命を向上することができる。
ン発生電極の表面中央部に対応する位置に、イオン発生
電極よりも幅が狭く、イオン発生電極の表面に接する除
電電極とを備える。このようにすれば、イオンは、除電
電極の表面に誘導されて吸着し、その電荷は、イオン発
生電極へ流れてしまう。このように除電電極にイオンが
吸着されることにより、保護層表面での帯電と電荷の蓄
積が起こらず、保護層の絶縁破壊を防止できる。すなわ
ち、イオン発生器の使用寿命を向上することができる。
【0010】このとき、除電電極がイオン発生電極より
も硬い材料により形成されていれば、イオンの衝突によ
る除電電極の飛散は、イオン発生電極の飛散に比べて少
なくなり、さらにイオン発生器の使用寿命を向上できる
ので好ましい。
も硬い材料により形成されていれば、イオンの衝突によ
る除電電極の飛散は、イオン発生電極の飛散に比べて少
なくなり、さらにイオン発生器の使用寿命を向上できる
ので好ましい。
【0011】また、保護層表面のイオン発生電極の中央
部に対応する位置に除電電極を備える。このようにすれ
ば、イオンは、除電電極と制御電極との間の電界によ
り、除電電極の表面に誘導されて吸着し、その電荷は、
除電電極に流れてしまう。このように除電電極にイオン
が吸着されることにより、保護層表面での帯電と電荷の
蓄積が起こらず、保護層の絶縁破壊を防止できる。すな
わち、イオン発生器の使用寿命を向上することができ
る。
部に対応する位置に除電電極を備える。このようにすれ
ば、イオンは、除電電極と制御電極との間の電界によ
り、除電電極の表面に誘導されて吸着し、その電荷は、
除電電極に流れてしまう。このように除電電極にイオン
が吸着されることにより、保護層表面での帯電と電荷の
蓄積が起こらず、保護層の絶縁破壊を防止できる。すな
わち、イオン発生器の使用寿命を向上することができ
る。
【0012】このとき、除電電極にイオン発生電極より
も低い電圧を印加すれば、除電電極と制御電極との間の
電界強度を、イオン発生電極と制御電極との間の電界強
度よりも小さくすることにより、除電電極へのイオンの
衝突速度を、保護層がない場合のイオン発生電極へのイ
オンの衝突速度よりも遅くすることができる。このた
め、イオンの衝突による除電電極の飛散が少なくなり、
さらにイオン発生器の使用寿命を向上することができる
ので好ましい。
も低い電圧を印加すれば、除電電極と制御電極との間の
電界強度を、イオン発生電極と制御電極との間の電界強
度よりも小さくすることにより、除電電極へのイオンの
衝突速度を、保護層がない場合のイオン発生電極へのイ
オンの衝突速度よりも遅くすることができる。このた
め、イオンの衝突による除電電極の飛散が少なくなり、
さらにイオン発生器の使用寿命を向上することができる
ので好ましい。
【0013】一方、イオンの照射を制御する静電記録ヘ
ッドと、この静電記録ヘッドから照射されたイオンによ
り静電潜像が形成される記録媒体と、この記録媒体上の
静電潜像に対してトナーを付着させる現像手段とを備え
てなり、静電ヘッドがイオン源として上記のいずれかの
除電手段を有するイオン発生器を有している静電記録装
置とする。
ッドと、この静電記録ヘッドから照射されたイオンによ
り静電潜像が形成される記録媒体と、この記録媒体上の
静電潜像に対してトナーを付着させる現像手段とを備え
てなり、静電ヘッドがイオン源として上記のいずれかの
除電手段を有するイオン発生器を有している静電記録装
置とする。
【0014】
【発明の実施の形態】(第1の実施形態)以下、本発明
を適用してなるイオン発生器の第1の実施形態を、図1
乃至図4を参照して説明する。図1は、本発明を適用し
てなるイオン発生器の概略構成を示す部分断面図であ
る。図2(a)は、本発明を適用してなるイオン発生器
を備えた静電記録ヘッドの概略構成を示すイオン発生面
側からの斜視図、(b)は、(a)の反対側の面からの
斜視図である。図3は、本発明を適用してなるイオン発
生器を備えた静電記録装置の概略構成を示す図である。
図4は、従来のイオン発生器の保護層が絶縁破壊に至る
メカニズムを示す図である。
を適用してなるイオン発生器の第1の実施形態を、図1
乃至図4を参照して説明する。図1は、本発明を適用し
てなるイオン発生器の概略構成を示す部分断面図であ
る。図2(a)は、本発明を適用してなるイオン発生器
を備えた静電記録ヘッドの概略構成を示すイオン発生面
側からの斜視図、(b)は、(a)の反対側の面からの
斜視図である。図3は、本発明を適用してなるイオン発
生器を備えた静電記録装置の概略構成を示す図である。
図4は、従来のイオン発生器の保護層が絶縁破壊に至る
メカニズムを示す図である。
【0015】本実施形態のイオン発生器1は、図1に示
すように、基板3上に、誘導電極5を、誘導電極5を覆
うように誘電体層7を、誘電体層7上にイオン発生電極
9を順次形成し、最上層にイオン発生電極9を覆うよう
に保護層11を形成したものである。基板3は、厚さ約
0.7mmの熱伝導性が良好で絶縁耐圧の大きなセラミッ
クス、例えばアルミナセラミックスなどからなり、図2
に示すように、幅約6mm、長さは、ほぼ静電潜像を形
成する記録媒体の幅に応じた長さを有する略直方体の板
状に形成されている。誘導電極5とイオン発生電極9
は、導電性の高い金属、例えば金(Au)、もしくは銀
−パラジウム合金(Ag−Pd合金)などを主成分と
し、ガラスをバインダとした厚膜材料からなり、何れも
厚さ約10〜50μm、幅約50〜200μmで、基板
3の長手方向に沿って延在する帯状に形成されている。
誘導電極5は、誘導電極5の片側の端部に形成された端
子部12でイオン発生用の交流電源13に接続され、イ
オン発生電極9は、イオン発生電極9の片側の端部に形
成された端子部14で交流電源13に接続されている。
複数の帯状の誘導電極5間とイオン発生電極9間の間隔
は、各々約400〜600μmで、これはイオン流の制
御を行う制御電極15に形成されたイオン透過孔17の
配置に対応するように配置されている。すなわち、イオ
ン透過孔17に対応する位置に誘導電極5が配置され、
誘導電極5とイオン発生電極9とが交互に並ぶように形
成されている。なお、図2では、誘導電極5とイオン発
生電極9の形状などを分かり易くするため、保護層11
を除いた状態を示している。
すように、基板3上に、誘導電極5を、誘導電極5を覆
うように誘電体層7を、誘電体層7上にイオン発生電極
9を順次形成し、最上層にイオン発生電極9を覆うよう
に保護層11を形成したものである。基板3は、厚さ約
0.7mmの熱伝導性が良好で絶縁耐圧の大きなセラミッ
クス、例えばアルミナセラミックスなどからなり、図2
に示すように、幅約6mm、長さは、ほぼ静電潜像を形
成する記録媒体の幅に応じた長さを有する略直方体の板
状に形成されている。誘導電極5とイオン発生電極9
は、導電性の高い金属、例えば金(Au)、もしくは銀
−パラジウム合金(Ag−Pd合金)などを主成分と
し、ガラスをバインダとした厚膜材料からなり、何れも
厚さ約10〜50μm、幅約50〜200μmで、基板
3の長手方向に沿って延在する帯状に形成されている。
誘導電極5は、誘導電極5の片側の端部に形成された端
子部12でイオン発生用の交流電源13に接続され、イ
オン発生電極9は、イオン発生電極9の片側の端部に形
成された端子部14で交流電源13に接続されている。
複数の帯状の誘導電極5間とイオン発生電極9間の間隔
は、各々約400〜600μmで、これはイオン流の制
御を行う制御電極15に形成されたイオン透過孔17の
配置に対応するように配置されている。すなわち、イオ
ン透過孔17に対応する位置に誘導電極5が配置され、
誘導電極5とイオン発生電極9とが交互に並ぶように形
成されている。なお、図2では、誘導電極5とイオン発
生電極9の形状などを分かり易くするため、保護層11
を除いた状態を示している。
【0016】誘電体層7は、例えば高耐圧の結晶化ガラ
スを主成分とする膜厚約20〜70μmの絶縁体からな
る層であり、誘導電極5とイオン発生電極9とを絶縁す
るように形成されている。保護層11は、イオン発生電
極9上で厚さ2〜5μmの絶縁体材料の膜、例えば高耐
圧の結晶化ガラスを主成分とする膜、二酸化ケイ素(S
iO2)膜、窒化ケイ素(SiN)膜、ポリイミドなど
の感光性レジスト材料からなる膜、その他のテフロン
(登録商標)などの合成樹脂膜などからなる。この保護
層11には、イオン発生電極9の中央部に対応する位置
に、イオン発生電極9の幅より狭い、例えば幅約30〜
100μmで、イオン発生電極9を底面とする溝部19
が形成されている。すなわち、コロナ放電部21は保護
層11によりイオン発生電極9から遮蔽される。
スを主成分とする膜厚約20〜70μmの絶縁体からな
る層であり、誘導電極5とイオン発生電極9とを絶縁す
るように形成されている。保護層11は、イオン発生電
極9上で厚さ2〜5μmの絶縁体材料の膜、例えば高耐
圧の結晶化ガラスを主成分とする膜、二酸化ケイ素(S
iO2)膜、窒化ケイ素(SiN)膜、ポリイミドなど
の感光性レジスト材料からなる膜、その他のテフロン
(登録商標)などの合成樹脂膜などからなる。この保護
層11には、イオン発生電極9の中央部に対応する位置
に、イオン発生電極9の幅より狭い、例えば幅約30〜
100μmで、イオン発生電極9を底面とする溝部19
が形成されている。すなわち、コロナ放電部21は保護
層11によりイオン発生電極9から遮蔽される。
【0017】このようなイオン発生器1を備えた静電記
録装置は、図3に示すように、静電潜像が形成される記
録媒体である無端状の誘電体ベルト21、誘電体ベルト
21が掛け渡され、図示していない駆動手段で駆動され
るほぼ水平に配置された2つの搬送ローラ23、25、
搬送ローラ23、25よりも上方に設置され、誘電体ベ
ルト21の上側部分の中央部が掛けられた静電潜像形成
部27の対向電極29、誘電体ベルト21の下側部分の
下方に配設され、イエロー用トナーカートリッジY、マ
ゼンタ用トナーカートリッジM、シアン用トナーカート
リッジC、ブラック用トナーカートリッジKを有し、こ
れら4色のトナーにより静電潜像の現像を行なう現像ユ
ニット31、そして、現像ユニット31の下方に配設さ
れ、記録紙33を供給するための記録紙カートリッジ3
5などが備えられている。さらに、誘電体ベルト21の
移動方向37に対して現像ユニット31の下流側に位置
する搬送ローラ23側には、記録紙カートリッジ35か
ら給紙された記録紙を搬送する2組の記録紙搬送ローラ
対39が、搬送ローラ23の上方と下方に設置されてい
る。また、圧着ローラ41が搬送ローラ23との間に記
録紙33と誘電体ベルト21とを挟むように設置され、
さらに、加熱により記録紙33に転写されたトナー像を
定着処理するための定着ローラー対43が搬送ローラ2
3と搬送ローラ23の上方の記録紙搬送ローラ対39と
の間に設置されている。
録装置は、図3に示すように、静電潜像が形成される記
録媒体である無端状の誘電体ベルト21、誘電体ベルト
21が掛け渡され、図示していない駆動手段で駆動され
るほぼ水平に配置された2つの搬送ローラ23、25、
搬送ローラ23、25よりも上方に設置され、誘電体ベ
ルト21の上側部分の中央部が掛けられた静電潜像形成
部27の対向電極29、誘電体ベルト21の下側部分の
下方に配設され、イエロー用トナーカートリッジY、マ
ゼンタ用トナーカートリッジM、シアン用トナーカート
リッジC、ブラック用トナーカートリッジKを有し、こ
れら4色のトナーにより静電潜像の現像を行なう現像ユ
ニット31、そして、現像ユニット31の下方に配設さ
れ、記録紙33を供給するための記録紙カートリッジ3
5などが備えられている。さらに、誘電体ベルト21の
移動方向37に対して現像ユニット31の下流側に位置
する搬送ローラ23側には、記録紙カートリッジ35か
ら給紙された記録紙を搬送する2組の記録紙搬送ローラ
対39が、搬送ローラ23の上方と下方に設置されてい
る。また、圧着ローラ41が搬送ローラ23との間に記
録紙33と誘電体ベルト21とを挟むように設置され、
さらに、加熱により記録紙33に転写されたトナー像を
定着処理するための定着ローラー対43が搬送ローラ2
3と搬送ローラ23の上方の記録紙搬送ローラ対39と
の間に設置されている。
【0018】静電潜像形成部27は、図1に示すよう
に、イオン発生器1、制御電極15などからなる静電記
録ヘッド部45、そして対向電極29などで構成されて
いる。制御電極15は、図2に示すように、制御電極基
板47と、制御電極基板47のイオン発生器1側の面に
形成され、イオン発生電極9と交差する方向に延在する
ように形成された略帯状の裏面電極49、制御電極基板
47の裏面電極49と反対側の面に形成され、イオン発
生電極9と平行方向に延在する用に形成された略帯状の
表面電極51、そして、裏面電極49と表面電極50と
が交差する位置に、裏面電極49、制御電極基板47、
表面電極50を貫通して形成されたイオンの透過孔1
7、イオン透過孔17に電界を形成るために裏面電極4
9と表面電極50とに電圧印加するイオン透過孔電界印
加電源51、そして、裏面電極49と表面電極50とに
印加する電圧を切り換え、イオン透過孔17に形成され
た電界の方向を切り換えることでイオンの照射と遮断を
切り換えるための電界方向切り換え回路52などからな
る。イオン発生器1と制御電極15とは、イオン発生器
1の誘導電極5に対応する位置に制御電極15の表面電
極50がくるように、すなわち、イオン発生器1の隣り
合うイオン発生電極9の間に対応する位置に制御電極1
5の表面電極50がくるように配置されている。なお、
対向電極29は、図1では平板形状のものを示し、図2
では一対のローラー形状のものを示しているが、静電記
録装置の用途や構成に応じて適宜選択できる。
に、イオン発生器1、制御電極15などからなる静電記
録ヘッド部45、そして対向電極29などで構成されて
いる。制御電極15は、図2に示すように、制御電極基
板47と、制御電極基板47のイオン発生器1側の面に
形成され、イオン発生電極9と交差する方向に延在する
ように形成された略帯状の裏面電極49、制御電極基板
47の裏面電極49と反対側の面に形成され、イオン発
生電極9と平行方向に延在する用に形成された略帯状の
表面電極51、そして、裏面電極49と表面電極50と
が交差する位置に、裏面電極49、制御電極基板47、
表面電極50を貫通して形成されたイオンの透過孔1
7、イオン透過孔17に電界を形成るために裏面電極4
9と表面電極50とに電圧印加するイオン透過孔電界印
加電源51、そして、裏面電極49と表面電極50とに
印加する電圧を切り換え、イオン透過孔17に形成され
た電界の方向を切り換えることでイオンの照射と遮断を
切り換えるための電界方向切り換え回路52などからな
る。イオン発生器1と制御電極15とは、イオン発生器
1の誘導電極5に対応する位置に制御電極15の表面電
極50がくるように、すなわち、イオン発生器1の隣り
合うイオン発生電極9の間に対応する位置に制御電極1
5の表面電極50がくるように配置されている。なお、
対向電極29は、図1では平板形状のものを示し、図2
では一対のローラー形状のものを示しているが、静電記
録装置の用途や構成に応じて適宜選択できる。
【0019】ここで、静電記録装置とは、例えば記録
紙、誘電体ベルト、感光体などの記録媒体上の印刷ドッ
トに対応する位置に、静電潜像を形成し、その後、現像
工程において帯電したトナーを記録媒体上の静電潜像に
付着させることにより印刷を行う電子写真方式の印刷を
行う様々な装置類、例えば複写機、レーザープリンタ、
写真印画装置、小型印刷機、版下作成機などの装置類で
ある。
紙、誘電体ベルト、感光体などの記録媒体上の印刷ドッ
トに対応する位置に、静電潜像を形成し、その後、現像
工程において帯電したトナーを記録媒体上の静電潜像に
付着させることにより印刷を行う電子写真方式の印刷を
行う様々な装置類、例えば複写機、レーザープリンタ、
写真印画装置、小型印刷機、版下作成機などの装置類で
ある。
【0020】このような静電記録装置の作動の一例を以
下に説明する。イオン発生器1でイオンを生成する場
合、図1に示すように、イオン発生器1がイオンの生成
効率向上のため、40℃以上に加熱された状態で、交流
電源13により、誘導電極5とイオン発生電極9との間
に振幅1kV以上、周波数10kHz以上の交流電圧が
印加されてイオン発生電極9付近に高電界が形成され、
コロナ放電部位53でコロナ放電が起きる。このとき、
コロナ放電により大気中のO2、N2が電離され、誘導電
極5の極性がイオン発生電極9に対して正にあるとき、
正負のイオンが同時に生成される。生成されたイオンの
うち、負イオンは、制御電極15の裏面電極49とイオ
ン発生器1のイオン発生電極9との間で、直流定電圧電
源55でバイアス電圧V1を印加して形成される電界の
ため、イオン発生器1の誘導電極5の極性がイオン発生
電極9に対して正の状態から負の状態に変化する過程
で、制御電極15に誘導され、一部がイオン透過孔17
を透過すして記録媒体21に照射され、記録媒体21の
表面に付着して静電潜像を形成する。またこのとき、正
イオンは、イオン発生電極9側に誘導される。静電潜像
形成の後、帯電したトナーを付着させる現像プロセスを
経てトナー像が記録媒体上に形成される。カラー画像を
印画する場合、例えばイエローの画像に対応した静電潜
像を形成した後、現像ユニット31のうちのYによる現
像処理により、イエローのトナーが静電潜像に付着され
てトナー像となる。その後さらに誘電体ベルト21上で
マジェンタに対応した静電潜像の形成を行い、イエロー
の場合と同じく現像処理が行われる(現像ユニット
M)。以下C(シアン画像)、K(ブラック画像)の画
像の潜像形成−現像処理が行われ、全色の潜像形成−現
像処理の後、記録紙カートリッジ35から給紙され、記
録紙搬送ローラ39により搬送される記録紙33にトナ
ー像を転写し、さらに定着ローラ43において加熱によ
る定着処理を行って記録紙に対する印画プロセスを完了
する。なお、記録媒体としては、本実施形態のように誘
電体ベルト21、またはイオンフロー紙などが選択でき
るが、表面が誘電体層で裏面が導体層でありイオンの保
持機能を持つイオンフロー紙を用いた場合、イオンフロ
ー紙上のトナー像がそのまま定着されて印画画像とな
る。また、このとき、静電潜像の形成に関与しなかった
正イオンは、イオン発生電極9側に誘導される。
下に説明する。イオン発生器1でイオンを生成する場
合、図1に示すように、イオン発生器1がイオンの生成
効率向上のため、40℃以上に加熱された状態で、交流
電源13により、誘導電極5とイオン発生電極9との間
に振幅1kV以上、周波数10kHz以上の交流電圧が
印加されてイオン発生電極9付近に高電界が形成され、
コロナ放電部位53でコロナ放電が起きる。このとき、
コロナ放電により大気中のO2、N2が電離され、誘導電
極5の極性がイオン発生電極9に対して正にあるとき、
正負のイオンが同時に生成される。生成されたイオンの
うち、負イオンは、制御電極15の裏面電極49とイオ
ン発生器1のイオン発生電極9との間で、直流定電圧電
源55でバイアス電圧V1を印加して形成される電界の
ため、イオン発生器1の誘導電極5の極性がイオン発生
電極9に対して正の状態から負の状態に変化する過程
で、制御電極15に誘導され、一部がイオン透過孔17
を透過すして記録媒体21に照射され、記録媒体21の
表面に付着して静電潜像を形成する。またこのとき、正
イオンは、イオン発生電極9側に誘導される。静電潜像
形成の後、帯電したトナーを付着させる現像プロセスを
経てトナー像が記録媒体上に形成される。カラー画像を
印画する場合、例えばイエローの画像に対応した静電潜
像を形成した後、現像ユニット31のうちのYによる現
像処理により、イエローのトナーが静電潜像に付着され
てトナー像となる。その後さらに誘電体ベルト21上で
マジェンタに対応した静電潜像の形成を行い、イエロー
の場合と同じく現像処理が行われる(現像ユニット
M)。以下C(シアン画像)、K(ブラック画像)の画
像の潜像形成−現像処理が行われ、全色の潜像形成−現
像処理の後、記録紙カートリッジ35から給紙され、記
録紙搬送ローラ39により搬送される記録紙33にトナ
ー像を転写し、さらに定着ローラ43において加熱によ
る定着処理を行って記録紙に対する印画プロセスを完了
する。なお、記録媒体としては、本実施形態のように誘
電体ベルト21、またはイオンフロー紙などが選択でき
るが、表面が誘電体層で裏面が導体層でありイオンの保
持機能を持つイオンフロー紙を用いた場合、イオンフロ
ー紙上のトナー像がそのまま定着されて印画画像とな
る。また、このとき、静電潜像の形成に関与しなかった
正イオンは、イオン発生電極9側に誘導される。
【0021】ところで、図4に示すように、従来のイオ
ン発生電極9全体を覆う保護層59を備えたイオン発生
器61では、図4(a)、(b)に示すように、誘導電
極5の極性がイオン発生電極9に対して正である状態か
ら、誘導電極5の極性がイオン発生電極9に対して負に
変化する過程で、正イオンは、保護層59表面の誘導電
極5に対応する部分に誘導される。誘導電極5の極性
が、再び正に変化すると、図4(c)、(d)に示すよ
うに、保護層59表面の誘導電極5に対応する部分に集
まった正イオンは、保護層59表面のイオン発生電極9
に対応する部分に移動する。保護層59表面のイオン発
生電極9に対応する部分に集積した正イオンは、誘導電
極5の極性の正負にかかわらず、この位置に滞留して蓄
積されるため、蓄積された正イオンの電荷が保護層59
の絶縁耐圧を越えると、保護層59が破壊される。この
とき、保護層59のコロナ放電部53を覆う部分が破壊
されると、破壊された部分に保護層59表面からイオン
発生電極9に至る貫通孔が形成され、コロナ放電により
イオン発生電極9が削られ、貫通孔を通して保護層59
表面の貫通孔周囲に飛散する。イオン発生電極9の飛散
が起こり、イオン発生電極9と貫通孔周囲に飛散した電
極材料とが繋がると、イオン発生電極9の面積が増大し
た状態になるため、イオン発生器61の電気的特性の変
化、特に静電容量の増加が起こり、このイオン発生電極
9と誘導電極5との間の静電容量の増加により、イオン
の生成が停止してしまう。
ン発生電極9全体を覆う保護層59を備えたイオン発生
器61では、図4(a)、(b)に示すように、誘導電
極5の極性がイオン発生電極9に対して正である状態か
ら、誘導電極5の極性がイオン発生電極9に対して負に
変化する過程で、正イオンは、保護層59表面の誘導電
極5に対応する部分に誘導される。誘導電極5の極性
が、再び正に変化すると、図4(c)、(d)に示すよ
うに、保護層59表面の誘導電極5に対応する部分に集
まった正イオンは、保護層59表面のイオン発生電極9
に対応する部分に移動する。保護層59表面のイオン発
生電極9に対応する部分に集積した正イオンは、誘導電
極5の極性の正負にかかわらず、この位置に滞留して蓄
積されるため、蓄積された正イオンの電荷が保護層59
の絶縁耐圧を越えると、保護層59が破壊される。この
とき、保護層59のコロナ放電部53を覆う部分が破壊
されると、破壊された部分に保護層59表面からイオン
発生電極9に至る貫通孔が形成され、コロナ放電により
イオン発生電極9が削られ、貫通孔を通して保護層59
表面の貫通孔周囲に飛散する。イオン発生電極9の飛散
が起こり、イオン発生電極9と貫通孔周囲に飛散した電
極材料とが繋がると、イオン発生電極9の面積が増大し
た状態になるため、イオン発生器61の電気的特性の変
化、特に静電容量の増加が起こり、このイオン発生電極
9と誘導電極5との間の静電容量の増加により、イオン
の生成が停止してしまう。
【0022】これに対し、本実施形態のイオン発生器1
では、除電手段として、保護層11のイオン発生電極9
の中央部に対応する部分に、イオン発生電極9よりも幅
が狭い溝部19が形成されている。このため、正イオン
は、溝部19からイオン発生電極9の表面中央部へ誘導
される。このように溝部19により、イオン発生電極9
の表面中央部に電荷が流入することにより、保護層11
表面での帯電と電荷の蓄積が起こらず、保護層の絶縁破
壊を防止できる。したがって、最も高電界であり、生成
されたイオンの衝突による衝撃が強く、保護層11がな
い状態でイオン発生電極9の飛散が多く発生するイオン
発生電極9のコロナ放電部53は、保護層11によりイ
オン発生電極9から遮蔽される。一方、溝部19の底面
となるイオン発生電極9の表面中央部でも正イオンの衝
突が起こるが、電界がコロナ放電部53に比べて弱く、
イオンの衝突によるイオン発生電極9の飛散は少ない。
このため、イオン発生電極9の飛散が起こり難い。した
がって、コロナ放電によるイオン発生器1の電気的特性
の変化、特に、イオン発生電極9と誘導電極5との間の
静電容量の増加を防止でき、使用寿命を向上することが
できる。
では、除電手段として、保護層11のイオン発生電極9
の中央部に対応する部分に、イオン発生電極9よりも幅
が狭い溝部19が形成されている。このため、正イオン
は、溝部19からイオン発生電極9の表面中央部へ誘導
される。このように溝部19により、イオン発生電極9
の表面中央部に電荷が流入することにより、保護層11
表面での帯電と電荷の蓄積が起こらず、保護層の絶縁破
壊を防止できる。したがって、最も高電界であり、生成
されたイオンの衝突による衝撃が強く、保護層11がな
い状態でイオン発生電極9の飛散が多く発生するイオン
発生電極9のコロナ放電部53は、保護層11によりイ
オン発生電極9から遮蔽される。一方、溝部19の底面
となるイオン発生電極9の表面中央部でも正イオンの衝
突が起こるが、電界がコロナ放電部53に比べて弱く、
イオンの衝突によるイオン発生電極9の飛散は少ない。
このため、イオン発生電極9の飛散が起こり難い。した
がって、コロナ放電によるイオン発生器1の電気的特性
の変化、特に、イオン発生電極9と誘導電極5との間の
静電容量の増加を防止でき、使用寿命を向上することが
できる。
【0023】さらに、保護層11の破壊によるイオン発
生器1での静電容量の増加を予め見込んで静電記録装置
を設計する必要がないため、静電記録装置に組み込むイ
オン発生器1の駆動用電源13を大容量化する必要がな
く、静電記録装置の大型化やコストの増加などを防ぐこ
とができる。
生器1での静電容量の増加を予め見込んで静電記録装置
を設計する必要がないため、静電記録装置に組み込むイ
オン発生器1の駆動用電源13を大容量化する必要がな
く、静電記録装置の大型化やコストの増加などを防ぐこ
とができる。
【0024】(第2の実施形態)本発明を適用してなる
イオン発生器の第2の実施形態を、図5を参照して説明
する。図5は、本発明を適用してなるイオン発生器の概
略構成を示す部分断面図である。なお、本実施形態で
は、第1の実施形態と同一のものには同じ符号を付して
説明を省略し、第1の実施形態と相違する構成及び特徴
部などについて説明する。
イオン発生器の第2の実施形態を、図5を参照して説明
する。図5は、本発明を適用してなるイオン発生器の概
略構成を示す部分断面図である。なお、本実施形態で
は、第1の実施形態と同一のものには同じ符号を付して
説明を省略し、第1の実施形態と相違する構成及び特徴
部などについて説明する。
【0025】本実施形態のイオン発生器63では、第1
の実施例のイオン発生器1で形成された保護層11の溝
部19の代わりに、図5に示すように、第1の実施形態
の溝部19に対応する位置に除電電極65が形成されて
いる。すなわち、除電電極65は、イオン発生電極9よ
りも幅が狭く、かつ、イオン発生電極9の中央部上に厚
さが保護層11の厚さ以上になるように形成されてお
り、イオン発生電極9に沿って延在している。除電電極
65は、イオン発生電極9よりも硬い導電性材料、例え
ば銅(Cu)などの金属や合金などで形成されている。
の実施例のイオン発生器1で形成された保護層11の溝
部19の代わりに、図5に示すように、第1の実施形態
の溝部19に対応する位置に除電電極65が形成されて
いる。すなわち、除電電極65は、イオン発生電極9よ
りも幅が狭く、かつ、イオン発生電極9の中央部上に厚
さが保護層11の厚さ以上になるように形成されてお
り、イオン発生電極9に沿って延在している。除電電極
65は、イオン発生電極9よりも硬い導電性材料、例え
ば銅(Cu)などの金属や合金などで形成されている。
【0026】したがって、本実施形態では、生成された
正イオンは、除電電極65表面に誘導されて吸着し、そ
の電荷は、イオン発生電極9へ流れてしまう。このよう
に除電電極65に正イオンが吸着されることにより、保
護層11表面での帯電と電荷の蓄積が起こらず、保護層
の絶縁破壊を防止できる。したがって、第1の実施形態
と同様、最も高電界であり、生成されたイオンによる衝
撃が強く、保護層11がない状態でイオン発生電極9を
構成する材料の飛散が多いイオン発生電極9のコロナ放
電部53は、保護層11によりイオン発生電極9から遮
蔽される。すなわち、コロナ放電の継続によるイオン発
生器63の電気的特性の変化、特に、イオン発生電極9
と誘導電極5との間の静電容量の増加を防止でき、使用
寿命を向上することができる。
正イオンは、除電電極65表面に誘導されて吸着し、そ
の電荷は、イオン発生電極9へ流れてしまう。このよう
に除電電極65に正イオンが吸着されることにより、保
護層11表面での帯電と電荷の蓄積が起こらず、保護層
の絶縁破壊を防止できる。したがって、第1の実施形態
と同様、最も高電界であり、生成されたイオンによる衝
撃が強く、保護層11がない状態でイオン発生電極9を
構成する材料の飛散が多いイオン発生電極9のコロナ放
電部53は、保護層11によりイオン発生電極9から遮
蔽される。すなわち、コロナ放電の継続によるイオン発
生器63の電気的特性の変化、特に、イオン発生電極9
と誘導電極5との間の静電容量の増加を防止でき、使用
寿命を向上することができる。
【0027】また、本実施形態の除電電極65は、イオ
ン発生電極9よりも硬い材料で形成されているため、正
イオンの衝突による電極の飛散が多く起こる様な条件下
でも、イオン発生電極9に正イオンが直接衝突した場合
に比べて、除電電極65の飛散は少ないため、使用寿命
を向上することができる。このように、本実施形態のイ
オン発生器63は、除電電極65を形成するための工程
と材料が増加するが、イオンの衝突速度、すなわちイオ
ンの衝突エネルギーが大きくなるような条件下での使用
においては、第1の実施形態のようなイオン発生器1よ
りも、イオンの衝突による電極材料の飛散が低減でき、
さらに使用寿命を向上することができるので好ましい。
ただし、電極の飛散が多く起こる様な条件下でない場合
には、除電電極65をイオン発生電極9と同様の硬さの
材料で形成してもよい。
ン発生電極9よりも硬い材料で形成されているため、正
イオンの衝突による電極の飛散が多く起こる様な条件下
でも、イオン発生電極9に正イオンが直接衝突した場合
に比べて、除電電極65の飛散は少ないため、使用寿命
を向上することができる。このように、本実施形態のイ
オン発生器63は、除電電極65を形成するための工程
と材料が増加するが、イオンの衝突速度、すなわちイオ
ンの衝突エネルギーが大きくなるような条件下での使用
においては、第1の実施形態のようなイオン発生器1よ
りも、イオンの衝突による電極材料の飛散が低減でき、
さらに使用寿命を向上することができるので好ましい。
ただし、電極の飛散が多く起こる様な条件下でない場合
には、除電電極65をイオン発生電極9と同様の硬さの
材料で形成してもよい。
【0028】(第3の実施形態)本発明を適用してなる
イオン発生器の第3の実施形態を、図6を参照して説明
する。図6は、本発明を適用してなるイオン発生器の概
略構成を示す部分断面図である。なお、本実施形態で
は、第1、第2の実施形態と同一のものには同じ符号を
付して説明を省略し、第1の実施形態と相違する構成及
び特徴部などについて説明する。
イオン発生器の第3の実施形態を、図6を参照して説明
する。図6は、本発明を適用してなるイオン発生器の概
略構成を示す部分断面図である。なお、本実施形態で
は、第1、第2の実施形態と同一のものには同じ符号を
付して説明を省略し、第1の実施形態と相違する構成及
び特徴部などについて説明する。
【0029】本実施形態のイオン発生器67では、第1
の実施形態のような溝部19を有する保護層11を形成
しておらず、図4に示す従来のイオン発生器61と同様
に、イオン発生電極9全体を覆う保護層59が形成され
ている。そして、この保護層59上のイオン発生電極9
の中央部に対応する位置に、厚さ約10〜50μmで、
イオン発生電極9よりも幅が狭く、イオン発生電極9に
沿って延在する除電電極69が形成されている。この除
電電極69は、第2の実施形態の除電電極65と相違
し、イオン発生電極9と接していない。除電電極69
は、直流定電圧電源71に接続されており、除電電極6
9と制御電極15の裏面電極49との間の電位差をV3
に保持している。このとき、V3は、0以上でV1より
も低い電圧となっている。本実施形態では、イオン発生
電極9と制御電極15の裏面電極49との間の間隙は、
約0.8mmであるため、そのバイアス電圧V1は、約
800Vになっている。したがって、除電電極69と制
御電極15の裏面電極49との間の電圧V3は、800
Vよりも低い電圧となっている。
の実施形態のような溝部19を有する保護層11を形成
しておらず、図4に示す従来のイオン発生器61と同様
に、イオン発生電極9全体を覆う保護層59が形成され
ている。そして、この保護層59上のイオン発生電極9
の中央部に対応する位置に、厚さ約10〜50μmで、
イオン発生電極9よりも幅が狭く、イオン発生電極9に
沿って延在する除電電極69が形成されている。この除
電電極69は、第2の実施形態の除電電極65と相違
し、イオン発生電極9と接していない。除電電極69
は、直流定電圧電源71に接続されており、除電電極6
9と制御電極15の裏面電極49との間の電位差をV3
に保持している。このとき、V3は、0以上でV1より
も低い電圧となっている。本実施形態では、イオン発生
電極9と制御電極15の裏面電極49との間の間隙は、
約0.8mmであるため、そのバイアス電圧V1は、約
800Vになっている。したがって、除電電極69と制
御電極15の裏面電極49との間の電圧V3は、800
Vよりも低い電圧となっている。
【0030】このように、本実施形態のイオン発生器6
7では、生成された正イオンは、除電電極69と制御電
極15の裏面電極49との間の電界により、除電電極6
9表面に誘導されて吸着し、その電荷は、除電電極69
に流れてしまう。このように除電電極69に正イオンが
吸着されることにより、保護層11表面での帯電と電荷
の蓄積が起こらず、保護層の絶縁破壊を防止できる。し
たがって、第1、第2の実施形態と同様、最も高電界で
あり、生成されたイオンによる衝撃が強く、保護層11
がない状態でイオン発生電極9を構成する材料の飛散が
多いイオン発生電極9のコロナ放電部53は、保護層1
1により被覆された状態に保たれる。すなわち、コロナ
放電の継続によるイオン発生器67の電気的特性の変
化、特に、イオン発生電極9と誘導電極5との間の静電
容量の増加を防止でき、使用寿命を向上することができ
る。このように、本実施形態のイオン発生器67は、除
電電極69を形成するための工程と材料、さらに直流定
電圧電源71が増加するが、除電電極69と制御電極1
5の裏面電極49との間の電界により、生成されたイオ
ンを除電電極69表面に効率よく誘導するため、保護層
59の絶縁破壊を防ぐ効果が、第1、第2の実施形態よ
りも大きいので好ましい。
7では、生成された正イオンは、除電電極69と制御電
極15の裏面電極49との間の電界により、除電電極6
9表面に誘導されて吸着し、その電荷は、除電電極69
に流れてしまう。このように除電電極69に正イオンが
吸着されることにより、保護層11表面での帯電と電荷
の蓄積が起こらず、保護層の絶縁破壊を防止できる。し
たがって、第1、第2の実施形態と同様、最も高電界で
あり、生成されたイオンによる衝撃が強く、保護層11
がない状態でイオン発生電極9を構成する材料の飛散が
多いイオン発生電極9のコロナ放電部53は、保護層1
1により被覆された状態に保たれる。すなわち、コロナ
放電の継続によるイオン発生器67の電気的特性の変
化、特に、イオン発生電極9と誘導電極5との間の静電
容量の増加を防止でき、使用寿命を向上することができ
る。このように、本実施形態のイオン発生器67は、除
電電極69を形成するための工程と材料、さらに直流定
電圧電源71が増加するが、除電電極69と制御電極1
5の裏面電極49との間の電界により、生成されたイオ
ンを除電電極69表面に効率よく誘導するため、保護層
59の絶縁破壊を防ぐ効果が、第1、第2の実施形態よ
りも大きいので好ましい。
【0031】また、本実施形態の除電電極69は、直流
定電圧電源71の電圧を調整し、除電電極69と制御電
極15の裏面電極49との間の電界強度を、イオン発生
電極9と制御電極15の裏面電極49との間の電界強度
よりも小さくするようなバイアス電圧V3が印加されて
いる。このため、正イオンの衝突による電極の飛散が多
く起こる様な条件下でも、除電電極69へのイオンの衝
突速度を保護層がない場合のイオン発生電極9へのイオ
ンの衝突速度よりも遅くすることができ、除電電極69
の飛散が少ないため、使用寿命を向上することができ
る。ただし、電極の飛散が多く起こる様な条件下でない
場合には、除電電極69と制御電極15の裏面電極49
との間の電位差V3を、イオン発生電極9と制御電極1
5の裏面電極49との間の電位差V1とほぼ同じ値とし
てもよい。すなわち、除電電極69と制御電極15の裏
面電極49との間の電位差V3と、イオン発生電極9と
制御電極15の裏面電極49との間の電位差V1との関
係は、0≦V3≦V1の範囲で、使用条件などに応じて
適宜選択すればよい。
定電圧電源71の電圧を調整し、除電電極69と制御電
極15の裏面電極49との間の電界強度を、イオン発生
電極9と制御電極15の裏面電極49との間の電界強度
よりも小さくするようなバイアス電圧V3が印加されて
いる。このため、正イオンの衝突による電極の飛散が多
く起こる様な条件下でも、除電電極69へのイオンの衝
突速度を保護層がない場合のイオン発生電極9へのイオ
ンの衝突速度よりも遅くすることができ、除電電極69
の飛散が少ないため、使用寿命を向上することができ
る。ただし、電極の飛散が多く起こる様な条件下でない
場合には、除電電極69と制御電極15の裏面電極49
との間の電位差V3を、イオン発生電極9と制御電極1
5の裏面電極49との間の電位差V1とほぼ同じ値とし
てもよい。すなわち、除電電極69と制御電極15の裏
面電極49との間の電位差V3と、イオン発生電極9と
制御電極15の裏面電極49との間の電位差V1との関
係は、0≦V3≦V1の範囲で、使用条件などに応じて
適宜選択すればよい。
【0032】また、第1、第2、及び第3の実施形態で
は、誘電体層7の隣り合うイオン発生電極9間の表面上
にも保護層11、59を形成したが、誘電体層7の隣り
合うイオン発生電極9間の表面上に保護層を形成する必
要はなく、少なくともイオン発生電極9のコロナ放電部
53が保護層で覆われていればよい。
は、誘電体層7の隣り合うイオン発生電極9間の表面上
にも保護層11、59を形成したが、誘電体層7の隣り
合うイオン発生電極9間の表面上に保護層を形成する必
要はなく、少なくともイオン発生電極9のコロナ放電部
53が保護層で覆われていればよい。
【0033】また、第1、第2、及び第3の実施形態で
は、生成したイオンのうち、負イオンを記録媒体に照射
する場合について示したが、本発明はこれに限らず、極
性を替えれば、正イオンを記録媒体に照射する場合にも
適用できる。
は、生成したイオンのうち、負イオンを記録媒体に照射
する場合について示したが、本発明はこれに限らず、極
性を替えれば、正イオンを記録媒体に照射する場合にも
適用できる。
【0034】また、本発明は、第1、第2、及び第3の
実施形態で示した形状や構成のイオン発生器や静電記録
装置に限らず、様々な形状や構成のイオン発生器や静電
記録装置に適用できる。
実施形態で示した形状や構成のイオン発生器や静電記録
装置に限らず、様々な形状や構成のイオン発生器や静電
記録装置に適用できる。
【0035】
【発明の効果】本発明によれば、イオン発生器の使用寿
命を向上することができる。
命を向上することができる。
【図1】本発明を適用してなるイオン発生器の第1の実
施形態の概略構成を示す部分断面図である。
施形態の概略構成を示す部分断面図である。
【図2】(a)は、本発明を適用してなるイオン発生器
を備えた静電記録ヘッドの一実施形態の概略構成を示す
イオン発生面側からの斜視図、(b)は、(a)の反対
側の面からの斜視図である。
を備えた静電記録ヘッドの一実施形態の概略構成を示す
イオン発生面側からの斜視図、(b)は、(a)の反対
側の面からの斜視図である。
【図3】本発明を適用してなるイオン発生器を備えた静
電記録装置の一実施形態の概略構成を示す図である。
電記録装置の一実施形態の概略構成を示す図である。
【図4】従来のイオン発生器の保護層が絶縁破壊に至る
までのメカニズムを示す図である。
までのメカニズムを示す図である。
【図5】本発明を適用してなるイオン発生器の第2の実
施形態の概略構成を示す部分断面図である。
施形態の概略構成を示す部分断面図である。
【図6】本発明を適用してなるイオン発生器の第3の実
施形態の概略構成を示す部分断面図である。
施形態の概略構成を示す部分断面図である。
【符号の説明】 1,63,67 イオン発生器 3 基板 5 誘導電極 7 誘電体層 9 イオン発生電極 11,59 保護層 19 溝部 53 コロナ放電部 65,69 除電電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 神尾 恵司 茨城県日立市東多賀町一丁目1番1号 株 式会社日立製作所オフィス情報機器事業部 内 Fターム(参考) 2C162 AE10 AE12 AE21 AE29 AE47 AE69 AH57 DA02 DA10 2H029 DA04 DB04 DB05 DB06 DB08 5G067 AA65 DA19
Claims (6)
- 【請求項1】 絶縁体からなる基板上に形成された誘導
電極と、前記基板上に前記誘導電極を覆って形成された
誘電体層と、該誘電体層上に形成されたイオン発生電極
と、少なくとも該イオン発生電極を覆う保護層とを備え
てなり、前記保護層への前記イオン発生電極で発生した
イオンの帯電を防ぐ除電手段が前記保護層に形成された
イオン発生器。 - 【請求項2】 絶縁体からなる基板上に形成された誘導
電極と、前記基板上に前記誘導電極を覆って形成された
誘電体層と、該誘電体層上に形成されたイオン発生電極
と、少なくとも該イオン発生電極を覆う保護層とを備え
てなり、前記保護層に、前記イオン発生電極よりも幅が
狭く、前記イオン発生電極の表面中央部を底面とする溝
部が形成されたイオン発生器。 - 【請求項3】 絶縁体からなる基板上に形成された誘導
電極と、前記基板上に前記誘導電極を覆って形成された
誘電体層と、該誘電体層上に形成されたイオン発生電極
と、少なくとも該イオン発生電極を覆う保護層と、該保
護層の前記イオン発生電極の表面中央部に対応する位置
に、前記イオン発生電極よりも幅が狭く、前記イオン発
生電極の表面に接する除電電極とを備えてなるイオン発
生器。 - 【請求項4】 前記除電電極が、前記イオン発生電極よ
りも硬い材料により形成されていることを特徴とする請
求項3に記載のイオン発生器。 - 【請求項5】 絶縁体からなる基板上に延在する誘導電
極と、該誘導電極を覆う誘電体層と、該誘電体層上に前
記誘導電極と平行に延在するイオン発生電極と、前記イ
オン発生電極を覆う絶縁体からなる保護層と、該保護層
表面の前記イオン発生電極の中央部に対応する位置に除
電電極とを備えてなるイオン発生器。 - 【請求項6】 前記除電電極に前記イオン発生電極より
も低い電圧を印加したことを特徴とする請求項5に記載
のイオン発生器。 【請求請7】 イオンの照射を制御する静電記録ヘッド
と、該静電記録ヘッドから照射されたイオンにより静電
潜像が形成される記録媒体と、該記録媒体上の静電潜像
に対してトナーを付着させる現像手段とを備えてなり、
前記静電ヘッドがイオン源として請求項1乃至6のいず
れかに記載のイオン発生器を有している静電記録装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28512799A JP2001110547A (ja) | 1999-10-06 | 1999-10-06 | イオン発生器及びそのイオン発生器を備えた静電記録装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28512799A JP2001110547A (ja) | 1999-10-06 | 1999-10-06 | イオン発生器及びそのイオン発生器を備えた静電記録装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001110547A true JP2001110547A (ja) | 2001-04-20 |
Family
ID=17687472
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28512799A Pending JP2001110547A (ja) | 1999-10-06 | 1999-10-06 | イオン発生器及びそのイオン発生器を備えた静電記録装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001110547A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011086600A (ja) * | 2009-10-15 | 2011-04-28 | Samsung Electronics Co Ltd | イオン発生装置 |
JP2016537773A (ja) * | 2013-11-07 | 2016-12-01 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | イオン発生装置及びその製造方法 |
-
1999
- 1999-10-06 JP JP28512799A patent/JP2001110547A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011086600A (ja) * | 2009-10-15 | 2011-04-28 | Samsung Electronics Co Ltd | イオン発生装置 |
JP2016537773A (ja) * | 2013-11-07 | 2016-12-01 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | イオン発生装置及びその製造方法 |
US10116124B2 (en) | 2013-11-07 | 2018-10-30 | Lg Electronics Inc. | Ion generator and method of manufacturing the same |
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