JP2001095241A - Synchronous rectifying circuit for power supply - Google Patents

Synchronous rectifying circuit for power supply

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JP2001095241A
JP2001095241A JP26570999A JP26570999A JP2001095241A JP 2001095241 A JP2001095241 A JP 2001095241A JP 26570999 A JP26570999 A JP 26570999A JP 26570999 A JP26570999 A JP 26570999A JP 2001095241 A JP2001095241 A JP 2001095241A
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JP
Japan
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fet
voltage
gate
commutation
choke coil
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Kiyohiko Watanabe
清彦 渡辺
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NEC Miyagi Ltd
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NEC Miyagi Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce exchange loss of power supply which results from commutating FET. SOLUTION: This synchronous rectifying circuit is provided with an FET for supplying the DC power source 1 to the coil P of a transformer 4, when a rectangular waveform is impressed to the gate and the source-to-drain is conductive, an FET7 in the rectifying side which becomes conductive with a forward bias voltage induced in a coil S of the transformer 4 and charges a capacitor 11 via a choke coil 10, an FET8 in the commutation side for making nonconductive the FET7 on the rectifying side with an inverse bias of the flyback voltage generated in the coil S of the transformer 4, when the FET3 is non conductive and charging the capacitor 11 with an reverse electromotive force from the choke coil 10, moreover, an FET9 for auxiliary switch for connecting the gate to the input side of the choke coil 10 and also connecting the drain and source between the gate and source of the FET8 for commutation, and a drive circuit 14 for supplying a DC voltage to the FET9 of the auxiliary switch.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は電源の同期整流回路
に関し、特に直流−直流変換を行うための電源の同期整
流回路に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a power supply synchronous rectifier circuit, and more particularly to a power supply synchronous rectifier circuit for performing DC-DC conversion.

【0002】[0002]

【従来の技術】図3は従来の電源の同期回路の一例を示
す回路図である。
2. Description of the Related Art FIG. 3 is a circuit diagram showing an example of a conventional power supply synchronization circuit.

【0003】従来例は、1次側巻線Pおよび2次側巻線
Sを有するトランス4と、ゲートに矩形波が印加されソ
ースとドレイン間の導通時に直流電源1をトランス4の
1次側巻線Pに供給する1次側メインスイッチのFET
3と、トランス4の2次側巻線Sに誘起された順バイア
スの電圧が抵抗5を介してゲートに印加されて導通しチ
ョークコイル10を経て平滑用のコンデンサ11を充電
させる整流側のFET7と、1次側メインスイッチのF
ET3が非導通時にトランス4の2次側巻線Sに発生し
たフライバック電圧の逆バイアスで整流側FETの7が
非導通となり、このとき順バイアスの電圧が抵抗15を
介してゲートに印加されチョークコイル10からの逆起
電力を通過させコンデンサ11に充電させる転流側のF
ET16とを有して構成される。
In a conventional example, a transformer 4 having a primary winding P and a secondary winding S, and a DC power supply 1 which is connected to the primary side of the transformer 4 when a rectangular wave is applied to the gate and the source and the drain conduct. FET of primary side main switch supplied to winding P
And a rectifying-side FET 7 for applying a forward bias voltage induced in the secondary winding S of the transformer 4 to the gate via the resistor 5 to conduct and charge the smoothing capacitor 11 via the choke coil 10. And the primary side main switch F
When the ET3 is non-conductive, the rectifying FET 7 becomes non-conductive due to the reverse bias of the flyback voltage generated in the secondary winding S of the transformer 4, and at this time, a forward bias voltage is applied to the gate via the resistor 15. The commutation-side F for passing back electromotive force from the choke coil 10 and charging the capacitor 11
ET16.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】上述した従来の電源の
同期整流回路において、転流側のFETのゲートに印加
される電圧は図4に示すようにトランスの2次側巻線S
からのフライバック電圧を利用している。
In the above-mentioned conventional synchronous rectifier circuit of a power supply, the voltage applied to the gate of the FET on the commutation side is, as shown in FIG.
Utilizes the flyback voltage from

【0005】図4に示す電圧波形は矩形波でないため転
流側のFETを導通させるべき区間で必要とするゲート
スレッショルト電圧VGに対してドライブ電圧不足の領
域TAおよび過剰ドライブの領域TBが発生する。
Since the voltage waveform shown in FIG. 4 is not a rectangular wave, an area TA having an insufficient drive voltage and an area TB having an excessive drive are required for a gate threshold voltage VG required in a section in which the FET on the commutation side is to be conducted. appear.

【0006】このため、転流側のFETの導通区間が短
くなり電源の変換損失が大きいものとなっていた。
For this reason, the conduction section of the FET on the commutation side is shortened, and the conversion loss of the power supply is increased.

【0007】また、フライバック電圧のピーク値が高い
ためFETの低耐圧化の妨げとなっていた。
Further, the high peak value of the flyback voltage hinders the reduction of the breakdown voltage of the FET.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明の電源の同期整流
回路は、電源装置に使用され、直流電源からの直流電圧
をスイッチ素子でスイッチングしてトランスの1次側巻
線に供給し、前記トランスの2次側巻線に直列に接続さ
れた整流用のFETを前記スイッチ素子の導通区間に同
期して駆動し、前記2次側巻線に誘起された電圧がチョ
ークコイルを経て平滑用のコンデンサを充電し、前記ス
イッチ素子の非導通区間に同期して前記チョークコイル
の入力側に接続された転流用のFETを駆動して前記チ
ョークコイルからの逆起電力が前記コンデンサを充電す
る同期整流回路であって、前記転流用のFETのゲート
に印加する電圧を矩形波に整形することを特徴とする。
A synchronous rectifier circuit of a power supply according to the present invention is used in a power supply device, and switches a DC voltage from a DC power supply with a switch element to supply the DC voltage to a primary winding of a transformer. A rectifying FET connected in series to a secondary winding of a transformer is driven in synchronization with a conduction section of the switch element, and a voltage induced in the secondary winding is passed through a choke coil for smoothing. Synchronous rectification that charges a capacitor, drives a commutation FET connected to the input side of the choke coil in synchronization with the non-conducting section of the switch element, and back electromotive force from the choke coil charges the capacitor. The circuit is characterized in that a voltage applied to a gate of the commutation FET is shaped into a rectangular wave.

【0009】また、前記転流用のFETのゲートとソー
ス間に前記矩形波に整形する補助スイッチのFETを接
続することを特徴とする。
Further, an auxiliary switch FET for shaping into the rectangular wave is connected between the gate and the source of the commutation FET.

【0010】また、本発明の電源の同期整流回路は、1
次側巻線および2次側巻線を有するトランスと、ゲート
に矩形波が印加されソースとドレイン間の導通時に直流
電源を前記1次側巻線に供給する1次側メインスイッチ
のFETと、前記2次側巻線に誘起された順バイアスの
電圧により導通しチョークコイルを経て平滑用のコンデ
ンサを充電させる整流側のFETと、前記一次側メイン
スイッチのFETが非導通時に前記2次側巻線に発生し
たフライバック電圧の逆バイアスで前記整流側のFET
を非導通とし、チョークコイルからの逆起電力を通過さ
せ前記コンデンサに充電させる転流側のFETとを有
し、前記チョークコイルの入力側にゲートを接続し、前
記転流用のFETのゲートとソース間にドレインとソー
スを接続する補助スイッチのFETと、前記補助スイッ
チのFETに直流電圧を供給するドライブ回路とを有す
ることを特徴とする。
Further, the synchronous rectifier circuit of the power supply of the present invention has the following features.
A transformer having a secondary winding and a secondary winding, an FET of a primary main switch for supplying a DC power to the primary winding when a rectangular wave is applied to a gate and conduction between a source and a drain is provided, A rectifying-side FET that conducts by a forward bias voltage induced in the secondary winding and charges a smoothing capacitor via a choke coil; and a secondary winding when the FET of the primary main switch is non-conductive. FET on the rectification side by reverse bias of flyback voltage generated in the line
A non-conducting, a commutation-side FET for passing back electromotive force from the choke coil and charging the capacitor, a gate connected to the input side of the choke coil, and a gate of the commutation FET. An auxiliary switch FET for connecting a drain and a source between sources is provided, and a drive circuit for supplying a DC voltage to the auxiliary switch FET is provided.

【0011】また、前記ドライブ回路の前記補助スイッ
チのFETのゲートが抵抗を介して前記チョークコイル
の入力側に接続し、前記補助スイッチのFETのドレイ
ンと前記転流用のFETゲートとの接続点に抵抗を介し
て前記チョークコイルの出力側からの前記直流電圧を供
給し、前記補助スイッチのFETと前記転流用のFET
のソース同士を接続することを特徴とする。
Further, a gate of the FET of the auxiliary switch of the drive circuit is connected to an input side of the choke coil via a resistor, and a connection point between a drain of the FET of the auxiliary switch and the gate of the commutation FET is provided. The DC voltage is supplied from the output side of the choke coil via a resistor, and the auxiliary switch FET and the commutation FET
Are connected to each other.

【0012】また、前記ドライブ回路の前記補助スイッ
チのFETに供給する直流電圧を調整する分圧抵抗を有
することを特徴とする。
[0012] Further, the invention is characterized in that it has a voltage dividing resistor for adjusting a DC voltage supplied to the FET of the auxiliary switch of the drive circuit.

【0013】また、前記転流用のFETとして低耐圧の
MOSFETを使用することを特徴とする。
Further, a low breakdown voltage MOSFET is used as the commutation FET.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態について
図面を参照して説明する。図1は本発明の一実施例の回
路である。
Embodiments of the present invention will now be described with reference to the drawings. FIG. 1 shows a circuit according to an embodiment of the present invention.

【0015】本実施例は、1次側巻線Pおよび2次側巻
線Sを有するトランス4と、ゲートに矩形波が印加され
ソースとドレイン間の導通時に直流電源1をトランス4
の1次側巻線Pに供給する1次側メインスイッチのFE
T3と、トランス4の2次側巻線Sに誘起された順バイ
アスの電圧により導通しチョークコイル10を経て平滑
用のコンデンサ11を充電させる整流側のFET7と、
1次側メインスイッチのFET3が非導通時にトランス
4の2次側巻線Sに発生したフライバック電圧の逆バイ
アスで整流側のFET7を非導通とし、チョークコイル
10からの逆起電力を通過させコンデンサ11に充電さ
せる転流側のFET8とを有し、チョークコイル10の
入力側にゲートを接続し、転流用のFET8のゲートと
ソース間にドレインとソースを接続する補助スイッチの
FET9と、補助スイッチのFET9に直流電圧を供給
するドライブ回路14とを有する。
In this embodiment, a transformer 4 having a primary winding P and a secondary winding S, and a DC power supply 1 which is connected to a square wave when a rectangular wave is applied to a gate and a source and a drain are connected to each other.
Of the primary side main switch to be supplied to the primary side winding P
T3, a rectifying-side FET 7 which conducts by a forward bias voltage induced in the secondary winding S of the transformer 4 and charges the smoothing capacitor 11 via the choke coil 10;
When the FET 3 of the primary side main switch is non-conductive, the rectifying side FET 7 is made non-conductive by the reverse bias of the flyback voltage generated in the secondary winding S of the transformer 4 and the back electromotive force from the choke coil 10 is passed. A commutation-side FET 8 for charging the capacitor 11; a gate connected to the input side of the choke coil 10; an auxiliary switch FET 9 connecting a drain and a source between the gate and the source of the commutation FET 8; And a drive circuit 14 for supplying a DC voltage to the FET 9 of the switch.

【0016】また、ドライブ回路14の補助スイッチの
FET9のゲートを抵抗6を介してチョークコイル10
の入力側に接続し、補助スイッチのFET9のドレイン
と転流用のFET8のゲートとの接続点に抵抗12を介
してチョークコイル10の出力側の直流電圧に接続し、
補助スイッチのFET9と転流用のFET8のソース同
士を接続する。
The gate of the FET 9 of the auxiliary switch of the drive circuit 14 is connected via the resistor 6 to the choke coil 10.
Connected to the connection point between the drain of the FET 9 of the auxiliary switch and the gate of the FET 8 for commutation via the resistor 12 to the DC voltage on the output side of the choke coil 10,
The sources of the auxiliary switch FET 9 and the commutation FET 8 are connected.

【0017】次に本実施例の動作について図1により説
明する。スイッチング用の直流電源1には平滑用のコン
デンサ2が並列に接続されている。FET3はゲートに
矩形波が印加され、直流電源1がトランス4の一時巻線
Pを介して供給されている。
Next, the operation of this embodiment will be described with reference to FIG. A smoothing capacitor 2 is connected in parallel to the switching DC power supply 1. In the FET 3, a rectangular wave is applied to the gate, and the DC power supply 1 is supplied via the temporary winding P of the transformer 4.

【0018】一次側メインスイッチのFET3が導通
(ON)時には一次巻線Pに直流電源1が印加され、ト
ランス4の変成比に応じた交流電圧VSがトランス4の
2次側巻線Sに発生する。
When the FET 3 of the primary side main switch is conducting (ON), the DC power supply 1 is applied to the primary winding P, and an AC voltage VS corresponding to the transformation ratio of the transformer 4 is generated in the secondary winding S of the transformer 4. I do.

【0019】整流側のFET7は交流電圧VSにより抵
抗R5を介してゲートが順バイアスされ導通(ON)
し、チョークコイル10及びコンデンサ11が並列に接
続された負荷13に出力電流が流れる。また同時に補助
スイッチのFET9のゲートも順バイアスされてON
し、転流側のFET8のゲートとソース間を短絡してF
ET8のソースとドレイン間を非導通(OFF)とす
る。
The gate of the rectifying-side FET 7 is forward-biased by the AC voltage VS via the resistor R5, and is turned on (ON).
Then, an output current flows through the load 13 in which the choke coil 10 and the capacitor 11 are connected in parallel. At the same time, the gate of the auxiliary switch FET 9 is also forward biased and turned on.
Then, the gate and the source of the FET 8 on the commutation side are short-circuited to
The source and the drain of ET8 are made non-conductive (OFF).

【0020】次に、一次側メインスイッチのFET3が
非導通(OFF)時にトランス4の2次側巻線Sにはフ
ライバック電圧が発生し、整流側のFET7のゲートが
逆バイアスされソースとドレイン間が非導通(OFF)
となる。
Next, when the FET 3 of the primary side main switch is non-conductive (OFF), a flyback voltage is generated in the secondary winding S of the transformer 4, the gate of the rectifying side FET 7 is reverse-biased, and the source and drain are switched. Non-conduction (OFF)
Becomes

【0021】また、同時に補助スイッチのFET9のゲ
ートも逆バイアスされ、ソースとドレイン間が非導通
(OFF)し、転流側のFET8のゲートには負荷13
側の直流電圧が抵抗12を介して印加され、FET8の
ソースとドレイン間が導通(ON)する。
At the same time, the gate of the auxiliary switch FET 9 is also reverse-biased, so that the source and the drain are non-conductive (OFF), and the load 13
The DC voltage on the side is applied via the resistor 12, and the source and the drain of the FET 8 conduct (ON).

【0022】FET8のONによりチョークコイル10
に蓄積されていた逆起電力(エネルギー)はコンデンサ
11の充電電流として転流側のFET8を通り回生され
る。
When the FET 8 is turned on, the choke coil 10 is turned on.
The back electromotive force (energy) stored in the power supply is regenerated as a charging current for the capacitor 11 through the FET 8 on the commutation side.

【0023】このような動作が一次側のメインスイッチ
のFETに印加される矩形波の一周期ごとに繰返して行
われ出力の直流電圧が負荷13に供給される。
Such an operation is repeatedly performed for each period of the rectangular wave applied to the FET of the primary side main switch, and the output DC voltage is supplied to the load 13.

【0024】次に本発明の他の実施例について図2を参
照して説明する。本実施例のドライブ回路18は、転流
側のFET8のゲートとソース間に分圧抵抗17が設け
られ、抵抗12と抵抗17とによりFET8のゲート電
圧を任意に設定でき、FET8のゲートドライブ電圧を
最適にすることができる。
Next, another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In the drive circuit 18 of the present embodiment, a voltage dividing resistor 17 is provided between the gate and the source of the FET 8 on the commutation side, and the gate voltage of the FET 8 can be arbitrarily set by the resistors 12 and 17. Can be optimized.

【0025】このようにすると、転流側のFET8のゲ
ート電圧を安定した矩形波に整形することにより、FE
T8の導通時の抵抗を下げることができる。また、過剰
なドライブ電圧の印加を防止して、導通時の損失および
ドライブ損失を低減することができる。
By doing so, the gate voltage of the FET 8 on the commutation side is shaped into a stable rectangular wave, and
The resistance at the time of conduction of T8 can be reduced. Further, application of an excessive drive voltage can be prevented, so that loss during conduction and drive loss can be reduced.

【0026】また、FET8のゲートドライブ電圧を最
適値に設定できるので、低耐圧タイプのMOSFETが
使用できる。
Since the gate drive voltage of the FET 8 can be set to an optimum value, a low breakdown voltage type MOSFET can be used.

【0027】[0027]

【発明の効果】以上説明したように本発明において、第
一の効果は、転流側のFETの導通損失及びドライブ損
失を低減できる。
As described above, in the present invention, the first effect is that the conduction loss and the drive loss of the commutation side FET can be reduced.

【0028】その理由は、ゲート電圧を安定した矩形波
にすることにより、転流側のFETのON抵抗を全域に
わたり下げることができる。また、過剰なドライブ電圧
の印加を防げるためドライブ損失が低減できるためであ
る。
The reason is that by setting the gate voltage to a stable rectangular wave, the ON resistance of the commutation side FET can be reduced over the entire region. Another reason is that drive loss can be reduced because application of an excessive drive voltage can be prevented.

【0029】第二の効果は、転流側のFETのゲートド
ライブ電圧を容易に設定できるので低耐圧タイプのMO
S FETが使用でき損失を低減できる。
The second effect is that the gate drive voltage of the FET on the commutation side can be easily set, so that the low breakdown voltage type MO is used.
An SFET can be used and the loss can be reduced.

【0030】その理由は、一般的にON抵抗を下げるに
はFETの耐圧を下げる必要があるが、そのためゲート
スレッショルド電圧も低下する。従来のフライバック電
圧を利用するドライブ方法ではピーク電圧が高いためF
ETの低耐圧化のネックとなっていた。
The reason for this is that generally, it is necessary to lower the breakdown voltage of the FET in order to lower the ON resistance, but the gate threshold voltage also decreases. In the drive method using the conventional flyback voltage, since the peak voltage is high, F
This was a bottleneck in lowering the withstand voltage of ET.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施例の回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram of one embodiment of the present invention.

【図2】本発明の他の実施例の回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram of another embodiment of the present invention.

【図3】従来の電源の同期整流回路の一例の回路図であ
る。
FIG. 3 is a circuit diagram of an example of a conventional synchronous rectifier circuit of a power supply.

【図4】従来例の動作を説明するための図である。FIG. 4 is a diagram for explaining the operation of the conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 直流電源 2,11 コンデンサ 3,7,8,9,16 FET 4 トランス 5,6,12,17 抵抗 10 チョークコイル 13 負荷 14,18 ドライブ回路 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 DC power supply 2,11 Capacitor 3,7,8,9,16 FET 4 Transformer 5,6,12,17 Resistance 10 Choke coil 13 Load 14,18 Drive circuit

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 電源装置に使用され、直流電源からの直
流電圧をスイッチ素子でスイッチングしてトランスの1
次側巻線に供給し、前記トランスの2次側巻線に直列に
接続された整流用のFETを前記スイッチ素子の導通区
間に同期して駆動し、前記2次側巻線に誘起された電圧
がチョークコイルを経て平滑用のコンデンサを充電し、
前記スイッチ素子の非導通区間に同期して前記チョーク
コイルの入力側に接続された転流用のFETを駆動して
前記チョークコイルからの逆起電力が前記コンデンサを
充電する同期整流回路であって、前記転流用のFETの
ゲートに印加する電圧を矩形波に整形することを特徴と
する電源の同期整流回路。
A DC voltage from a DC power supply is switched by a switch element and used in a power supply device.
The rectifying FET, which is supplied to the secondary winding and is connected in series with the secondary winding of the transformer, is driven in synchronization with the conduction section of the switch element, and is induced in the secondary winding. The voltage charges the smoothing capacitor via the choke coil,
A synchronous rectifier circuit that drives a commutation FET connected to an input side of the choke coil in synchronization with a non-conducting section of the switch element, and back electromotive force from the choke coil charges the capacitor, A synchronous rectifier circuit for a power supply, wherein a voltage applied to the gate of the commutation FET is shaped into a rectangular wave.
【請求項2】 前記転流用のFETのゲートとソース間
に前記矩形波に整形する補助スイッチのFETを接続す
ることを特徴とする請求項1記載の電源の同期整流回
路。
2. The synchronous rectifier circuit of a power supply according to claim 1, wherein an auxiliary switch FET for shaping the rectangular wave is connected between the gate and the source of the commutation FET.
【請求項3】 1次側巻線および2次側巻線を有するト
ランスと、ゲートに矩形波が印加されソースとドレイン
間の導通時に直流電源を前記1次側巻線に供給する1次
側メインスイッチのFETと、前記2次側巻線に誘起さ
れた順バイアスの電圧により導通しチョークコイルを経
て平滑用のコンデンサを充電させる整流側のFETと、
前記一次側メインスイッチのFETが非導通時に前記2
次側巻線に発生したフライバック電圧の逆バイアスで前
記整流側のFETを非導通とし、チョークコイルからの
逆起電力を通過させ前記コンデンサに充電させる転流側
のFETとを有し、前記チョークコイルの入力側にゲー
トを接続し、前記転流用のFETのゲートとソース間に
ドレインとソースを接続する補助スイッチのFETと、
前記補助スイッチのFETに直流電圧を供給するドライ
ブ回路とを有することを特徴とする電源の同期整流回
路。
3. A transformer having a primary side winding and a secondary side winding, and a primary side supplying a DC power to the primary side winding when a rectangular wave is applied to a gate and conduction between a source and a drain occurs. A rectifying-side FET that conducts by a forward bias voltage induced in the secondary winding and charges a smoothing capacitor through a choke coil;
When the FET of the primary side main switch is off,
A commutation-side FET that makes the rectification-side FET non-conductive with a reverse bias of a flyback voltage generated in a secondary winding and passes back-electromotive force from a choke coil to charge the capacitor; An auxiliary switch FET that connects a gate to the input side of the choke coil and connects a drain and a source between the gate and the source of the commutation FET;
And a drive circuit for supplying a DC voltage to the FET of the auxiliary switch.
【請求項4】 前記ドライブ回路の前記補助スイッチの
FETのゲートが抵抗を介して前記チョークコイルの入
力側に接続し、前記補助スイッチのFETのドレインと
前記転流用のFETのゲートとの接続点に抵抗を介して
前記チョークコイルの出力側からの前記直流電圧を供給
し、前記補助スイッチのFETと前記転流用のFETの
ソース同士を接続することを特徴とする請求項3記載の
電源の同期整流回路。
4. The drive circuit, wherein the gate of the FET of the auxiliary switch is connected via a resistor to the input side of the choke coil, and the connection point between the drain of the FET of the auxiliary switch and the gate of the FET for commutation. 4. The power supply synchronization according to claim 3, wherein the DC voltage is supplied from an output side of the choke coil via a resistor to a source of the FET of the auxiliary switch and a source of the FET for commutation. Rectifier circuit.
【請求項5】 前記補助スイッチのFETに供給する直
流電圧を調整する分圧抵抗を有することを特徴とする請
求項3または4記載の電源の同期整流回路。
5. The synchronous rectifier circuit of a power supply according to claim 3, further comprising a voltage dividing resistor for adjusting a DC voltage supplied to the FET of the auxiliary switch.
【請求項6】 前記転流用のFETとして低耐圧のMO
SFETを使用することを特徴とする請求項3記載の電
源の同期整流回路。
6. A low breakdown voltage MO as the commutation FET.
The synchronous rectifier circuit of a power supply according to claim 3, wherein an SFET is used.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2006120842A1 (en) * 2005-05-09 2006-11-16 Rohm Co., Ltd. Switching regulator and electronic device having same
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