JP2001094263A - Multilayer printed board and semiconductor device - Google Patents

Multilayer printed board and semiconductor device

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JP2001094263A
JP2001094263A JP26693299A JP26693299A JP2001094263A JP 2001094263 A JP2001094263 A JP 2001094263A JP 26693299 A JP26693299 A JP 26693299A JP 26693299 A JP26693299 A JP 26693299A JP 2001094263 A JP2001094263 A JP 2001094263A
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JP
Japan
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resin
wiring board
printed wiring
solder resist
multilayer printed
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Japanese (ja)
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Motoo Asai
元雄 浅井
Touto O
東冬 王
Koji Sekine
浩司 関根
Kenichi Shimada
憲一 島田
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Ibiden Co Ltd
Original Assignee
Ibiden Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a multilayer printed wiring board having a solder resist layer which has a low dielectric constant or dielectric tangent and hardly causes the signal delay or signal errors, even if using high frequency signals at GHz bands. SOLUTION: The multilayer printed board has conductor circuits and layer insulation resin layers laminated one above the other on a board and a solder resist layer formed on the uppermost layer, and the solder resist layer has a dielectric constant of 3.0 or less at 1 GHz.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ポリオレフィン系
樹脂からなるソルダーレジスト層を有する多層プリント
配線板および半導体装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a multilayer printed wiring board having a solder resist layer made of a polyolefin resin and a semiconductor device.

【0002】[0002]

【従来の技術】いわゆる多層ビルドアップ配線基板と呼
ばれる多層プリント配線板は、セミアディティブ法等に
より製造されており、コアと呼ばれる0.6〜1.5m
m程度のガラスクロス等で補強された樹脂基板の上に、
銅等による導体回路と層間樹脂絶縁層とを交互に積層す
ることにより作製される。この多層プリント配線板の層
間樹脂絶縁層を介した導体回路間の接続は、バイアホー
ルにより行われている。
2. Description of the Related Art A multilayer printed wiring board called a so-called multilayer build-up wiring board is manufactured by a semi-additive method or the like.
m on a resin substrate reinforced with glass cloth, etc.
It is manufactured by alternately laminating a conductor circuit made of copper or the like and an interlayer resin insulating layer. The connection between the conductor circuits via the interlayer resin insulation layer of the multilayer printed wiring board is performed by via holes.

【0003】従来、ビルドアップ多層プリント配線板
は、例えば、特開平9−130050号公報等に開示さ
れた方法により製造されている。すなわち、まず、銅箔
が貼り付けられた銅貼積層板に貫通孔を形成し、続いて
無電解銅めっき処理を施すことによりスルーホールを形
成する。続いて、基板の表面を導体パターン状にエッチ
ング処理して導体回路を形成し、この導体回路の表面に
無電解めっきやエッチング等により粗化面を形成し、そ
の粗化面を有する導体回路上に層間樹脂絶縁層を形成し
た後、露光、現像処理を行うか、レーザ処理によりバイ
アホール用開口を形成し、その後、UV硬化、本硬化を
経て層間樹脂絶縁層を形成する。
Conventionally, build-up multilayer printed wiring boards have been manufactured by a method disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-130050. That is, first, a through-hole is formed in the copper-clad laminate on which the copper foil is stuck, and then a through-hole is formed by performing an electroless copper plating process. Subsequently, the surface of the substrate is etched into a conductor pattern to form a conductor circuit, and a roughened surface is formed on the surface of the conductor circuit by electroless plating, etching, or the like. After forming an interlayer resin insulation layer, an exposure and development process is performed, or a via hole opening is formed by laser processing, and then the interlayer resin insulation layer is formed through UV curing and main curing.

【0004】さらに、層間樹脂絶縁層に粗化形成処理を
施した後、形成された粗化面に薄い無電解めっき膜を形
成し、この無電解めっき膜上にめっきレジストを形成し
た後、電解めっきにより厚付けを行い、めっきレジスト
剥離後にエッチングを行って、下層の導体回路とバイア
ホールにより接続された導体回路を形成する。
Further, after a roughening treatment is performed on the interlayer resin insulating layer, a thin electroless plating film is formed on the formed roughened surface, a plating resist is formed on the electroless plating film, and then an electrolytic plating film is formed. Thickening is performed by plating, and etching is performed after the plating resist is stripped to form a conductive circuit connected to the lower conductive circuit by a via hole.

【0005】これを繰り返した後、最外層として導体回
路を保護するためのソルダーレジスト層を形成し、ソル
ダーレジスト層に開口を形成し、開口部分の導体層にめ
っき等を施してパッドとした後、半田バンプを形成する
ことにより、ビルドアップ多層プリント配線板を製造す
る。
After repeating this, a solder resist layer for protecting the conductor circuit is formed as an outermost layer, an opening is formed in the solder resist layer, and the conductor layer in the opening is plated or the like to form a pad. Then, a build-up multilayer printed wiring board is manufactured by forming solder bumps.

【0006】このようにして製造した従来の多層プリン
ト配線板では、層間樹脂絶縁層にエポキシ樹脂、アクリ
ル樹脂等の混合物等が使用されているため、GHz帯域
における誘電率が3.5以上と高く、GHz帯域の高周
波数信号を用いたLSIチップ等を搭載すると、層間樹
脂絶縁層が高誘電率であることに起因して、信号遅延や
信号エラーが発生しやすくなってしまうという問題があ
った。
In the conventional multilayer printed wiring board manufactured as described above, since a mixture of an epoxy resin, an acrylic resin or the like is used for the interlayer resin insulating layer, the dielectric constant in the GHz band is as high as 3.5 or more. When an LSI chip or the like using a high-frequency signal in the GHz band is mounted, there is a problem that a signal delay or a signal error is likely to occur due to the high dielectric constant of the interlayer resin insulating layer. .

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】そこで、このような問
題を解決するために、誘電率の低いポリオレフィン系樹
脂を層間樹脂絶縁層として用いたプリント配線板が提案
されている。このようなプリント配線板では、導体回路
の大部分が層間樹脂絶縁層中に形成されているため、あ
る程度、信号遅延や信号エラーが発生するという問題を
解決することができた。
In order to solve such a problem, there has been proposed a printed wiring board using a polyolefin resin having a low dielectric constant as an interlayer resin insulating layer. In such a printed wiring board, since most of the conductor circuits are formed in the interlayer resin insulating layer, it was possible to solve the problem that signal delay and signal error occur to some extent.

【0008】しかしながら、近年、ICチップの周波数
が高周波化するとともに、ICチップの配線が高密度に
なり、配線幅も狭くなっていており、それに伴って、I
Cチップと接続するプリント配線基板の外部端子用パッ
ドの間隔も狭くすることが要求されており、また、単位
面積あたりの外部端子用パッドの数も多く、高密度とな
ってきている。そのため、ソルダーレジスト層の誘電率
が高いと、配線間の電磁的相互作用やその周囲に存在す
る絶縁層の高誘電性に起因して、ソルダーレジスト層の
外部端子用バンプ内や配線間においても信号遅延等が発
生するという問題が起こるようになってきた。
However, in recent years, the frequency of the IC chip has been increased, and the wiring of the IC chip has become denser and the wiring width has become narrower.
It is required that the distance between the external terminal pads of the printed wiring board connected to the C chip is also reduced, and the number of external terminal pads per unit area is large, and the density is increasing. Therefore, if the dielectric constant of the solder resist layer is high, due to the electromagnetic interaction between the wirings and the high dielectric property of the insulating layer existing around the wiring, the solder resist layer may also be in the bumps for external terminals of the solder resist layer and between the wirings. The problem that a signal delay or the like occurs has arisen.

【0009】また、上述したような信号遅延や信号エラ
ーが発生しにくい低誘電率のポリオレフィン系樹脂を層
間樹脂絶縁層として用いた多層プリント配線基板であっ
ても、ソルダーレジスト層の誘電率が高い場合にはその
効果が相殺されてしまい、信号遅延や信号エラーが発生
する場合があった。
Further, even in the case of a multilayer printed wiring board using a low dielectric constant polyolefin resin as an interlayer resin insulating layer in which the above-mentioned signal delay and signal error hardly occur, the dielectric constant of the solder resist layer is high. In such a case, the effect is canceled, and a signal delay or a signal error may occur.

【0010】本発明は、このような従来技術の問題点を
解決するためになされたものであり、その目的は、GH
z帯域の高周波信号を用いた場合にも信号遅延や信号エ
ラーが発生しにくいソルダーレジスト層を有する多層プ
リント配線板、および、半導体装置を提供することにあ
る。
The present invention has been made to solve such problems of the prior art, and has as its object the purpose of GH.
It is an object of the present invention to provide a multilayer printed wiring board having a solder resist layer in which a signal delay and a signal error hardly occur even when a z-band high-frequency signal is used, and a semiconductor device.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記目的
の実現に向け鋭意研究した結果、1GHzにおける誘電
率が3.0以下であるソルダーレジスト層を用いること
により、GHz帯域の高周波数信号を用いたLSIチッ
プ等を搭載した場合にも、信号遅延や信号エラーが発生
しにくいことを見出した。
Means for Solving the Problems The inventors of the present invention have conducted intensive studies for realizing the above object, and as a result, by using a solder resist layer having a dielectric constant of 1 or less at 1 GHz, a high frequency in a GHz band has been obtained. It has been found that even when an LSI chip or the like using a signal is mounted, a signal delay and a signal error hardly occur.

【0012】また、ソルダーレジスト層にポリオレフィ
ン系樹脂を用いることにより、GHz帯域の高周波数信
号を用いたLSIチップ等を搭載した場合にも、信号遅
延や信号エラーが発生しにくいことを見出した。
It has also been found that by using a polyolefin-based resin for the solder resist layer, signal delay and signal error hardly occur even when an LSI chip or the like using a high frequency signal in the GHz band is mounted.

【0013】本発明者らは、このような知見に基づい
て、以下の内容を要旨構成とする本発明に想到した。
The present inventors have arrived at the present invention based on the above findings and having the following content as a summary.

【0014】すなわち、第一の本発明の多層プリント配
線板は、基板上に導体回路と樹脂絶縁層とが順次形成さ
れ、最上層にソルダーレジスト層が形成された多層プリ
ント配線板において、上記ソルダーレジスト層の1GH
zにおける誘電率は、3.0以下であることを特徴とす
る。
That is, the multilayer printed wiring board according to the first aspect of the present invention is a multilayer printed wiring board in which a conductive circuit and a resin insulating layer are sequentially formed on a substrate, and a solder resist layer is formed on an uppermost layer. 1GH of resist layer
The dielectric constant at z is not more than 3.0.

【0015】また、第二の本発明の多層プリント配線板
は、基板上に導体回路と樹脂絶縁層とが順次形成され、
最上層にソルダーレジスト層が形成された多層プリント
配線板において、上記ソルダーレジスト層は、ポリオレ
フィン系樹脂からなることを特徴とする。
Further, in the multilayer printed wiring board according to the second aspect of the present invention, a conductive circuit and a resin insulating layer are sequentially formed on a substrate,
In a multilayer printed wiring board having a solder resist layer formed on the uppermost layer, the solder resist layer is made of a polyolefin resin.

【0016】上記第二の本発明の多層プリント配線板に
おいて、上記ソルダーレジスト層の1GHzにおける誘
電率は、3.0以下であることが望ましい。
In the multilayer printed wiring board according to the second aspect of the present invention, it is desirable that the dielectric constant of the solder resist layer at 1 GHz is 3.0 or less.

【0017】上記第一および第二の本発明の多層プリン
ト配線板において、上記ソルダーレジスト層の1GHz
における誘電正接は、0.01以下であることが望まし
い。また、第一および第二の本発明の多層プリント配線
板において、上記ソルダーレジスト層は、オレフィン系
樹脂からなるものであることが望ましい。
In the first and second multi-layer printed wiring boards of the present invention, the solder resist layer may have a frequency of 1 GHz.
Is desirably 0.01 or less. In the first and second multilayer printed wiring boards of the present invention, the solder resist layer is preferably made of an olefin-based resin.

【0018】また、第一および第二の本発明の多層プリ
ント配線板において、上記ソルダーレジスト層は、シク
ロオレフィン系樹脂からなるものであることが望まし
い。上記シクロオレフィン系樹脂は、2−ノルボルネ
ン、5−エチリデン−2−ノルボルネンまたはこれらの
誘導体からなる単量体の単独重合体または共重合体であ
ることが望ましい。また、上記シクロオレフィン系樹脂
は、熱硬化性シクロオレフィン系樹脂であることが望ま
しい。
In the first and second multilayer printed wiring boards of the present invention, the solder resist layer is preferably made of a cycloolefin resin. The cycloolefin-based resin is desirably a homopolymer or a copolymer of monomers composed of 2-norbornene, 5-ethylidene-2-norbornene or derivatives thereof. Further, the cycloolefin resin is desirably a thermosetting cycloolefin resin.

【0019】さらに、第一および第二の本発明の多層プ
リント配線板において、上記樹脂絶縁層は、ポリオレフ
ィン系樹脂またはポリフェニレン系樹脂からなるもので
あることが望ましい。
Further, in the first and second multilayer printed wiring boards of the present invention, it is preferable that the resin insulating layer is made of a polyolefin resin or a polyphenylene resin.

【0020】第三の本発明の半導体装置は、基板上に導
体回路と樹脂絶縁層とが順次形成され、さらに最上層
に、開口部を有するとともに上記開口部に半田バンプを
有するソルダーレジスト層が形成された多層プリント配
線板に、上記半田バンプを介してICチップが接続され
た半導体装置において、上記ソルダーレジスト層は、ポ
リオレフィン系樹脂からなり、上記樹脂絶縁層は、ポリ
オレフィン系樹脂、ポリフェニレン系樹脂またはフッ素
系樹脂からなることを特徴とする。
A third aspect of the present invention provides a semiconductor device in which a conductive circuit and a resin insulating layer are sequentially formed on a substrate, and a solder resist layer having an opening and a solder bump in the opening is formed on the uppermost layer. In a semiconductor device in which an IC chip is connected to the formed multilayer printed wiring board via the solder bumps, the solder resist layer is made of a polyolefin resin, and the resin insulating layer is made of a polyolefin resin, a polyphenylene resin. Alternatively, it is characterized by being made of a fluorine-based resin.

【0021】[0021]

【発明の実施の形態】第一の本発明の多層プリント配線
板は、基板上に導体回路と樹脂絶縁層とが順次形成さ
れ、最上層にソルダーレジスト層が形成された多層プリ
ント配線板において、上記ソルダーレジスト層の1GH
zにおける誘電率は3.0以下であることを特徴とす
る。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION A multilayer printed wiring board according to a first aspect of the present invention is a multilayer printed wiring board in which a conductive circuit and a resin insulating layer are sequentially formed on a substrate, and a solder resist layer is formed on an uppermost layer. 1GH of the above solder resist layer
The dielectric constant at z is not more than 3.0.

【0022】このような第一の本発明の多層プリント配
線板によれば、上記ソルダーレジスト層の誘電率が3.
0以下と低いため、GHz帯域の高周波信号を用いた場
合であっても、該ソルダーレジスト層で発生する信号伝
搬の遅延や信号の電送損失等に起因する信号エラーを防
止することができる。
According to the first multilayer printed wiring board of the present invention, the solder resist layer has a dielectric constant of 3.
Since it is as low as 0 or less, even when a high-frequency signal in the GHz band is used, it is possible to prevent a signal error caused by signal propagation delay or signal transmission loss occurring in the solder resist layer.

【0023】また、誘電正接が低いソルダーレジスト層
を用いた場合には、上記特性に加えて、半田バンプ間の
距離を狭くした場合でも、外部端子用パッドの数に関係
なく、上記ソルダーレジスト層で発生する信号の電送損
失等に起因する信号エラーを防止することができる。
When a solder resist layer having a low dielectric loss tangent is used, in addition to the above characteristics, even when the distance between the solder bumps is reduced, the solder resist layer can be formed regardless of the number of external terminal pads. In this case, it is possible to prevent a signal error caused by a transmission loss of a signal generated in the step (1).

【0024】さらに、上記多層プリント配線基板におい
て、層間樹脂絶縁層としてポリオレフィン系樹脂やポリ
フェニレン系樹脂等を用いた場合には、ソルダーレジス
ト層と層間樹脂絶縁層との熱膨張率の差が小さいため、
クラックや剥離の発生を防止することができる。
Further, when a polyolefin resin, a polyphenylene resin, or the like is used as the interlayer resin insulating layer in the multilayer printed wiring board, the difference in the coefficient of thermal expansion between the solder resist layer and the interlayer resin insulating layer is small. ,
Cracks and peeling can be prevented.

【0025】第一の本発明の多層プリント配線板におい
て、ソルダーレジスト層の1GHzにおける誘電率は、
3.0以下である。このような低誘電率のものを使用す
ることにより、信号伝搬の遅延や信号の電送損失等に起
因する信号エラーを防止することができる。上記誘電率
は、2.4〜2.7が望ましい。
In the multilayer printed wiring board of the first invention, the dielectric constant of the solder resist layer at 1 GHz is as follows:
3.0 or less. By using such a material having a low dielectric constant, it is possible to prevent a signal error due to a delay in signal propagation, a signal transmission loss, and the like. The dielectric constant is desirably 2.4 to 2.7.

【0026】第一の本発明の多層プリント配線板におい
て、ソルダーレジスト層の1GHzにおける誘電正接
は、0.01以下であることが望ましい。このような低
誘電正接のものを使用することにより、信号伝搬の遅延
や信号の電送損失等に起因する信号エラーを防止するこ
とができる。
In the multilayer printed wiring board according to the first aspect of the present invention, the dielectric loss tangent of the solder resist layer at 1 GHz is desirably 0.01 or less. By using such a low dielectric loss tangent, it is possible to prevent signal errors due to signal propagation delay, signal transmission loss and the like.

【0027】第一の本発明の多層プリント配線板におい
て、上記したような低誘電率および低誘電正接を有する
ソルダーレジスト層は、ポリオレフィン系樹脂、ポリフ
ェニレンエーテルおよびフッ素系樹脂からなる群より選
択される少なくとも一種を含有するものからなることが
望ましい。
In the multilayer printed wiring board according to the first aspect of the present invention, the solder resist layer having a low dielectric constant and a low dielectric loss tangent as described above is selected from the group consisting of a polyolefin resin, polyphenylene ether and a fluorine resin. It is desirable that the material contains at least one kind.

【0028】上記ポリオレフィン系樹脂の具体例として
は、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリイソ
ブチレン、ポリブタジエン、ポリイソプレン、シクロオ
レフィン系樹脂、これらの樹脂の共重合体等が挙げられ
る。上記ポリオレフィン系樹脂の市販品としては、例え
ば、住友スリーエム社製の商品名:1592等が挙げら
れる。また、融点が200℃以上の熱可塑型ポリオレフ
ィン系樹脂の市販品としては、例えば、三井石油化学工
業社製の商品名:TPX(融点240℃)、出光石油化
学社製の商品名:SPS(融点270℃)等が挙げられ
る。これらのなかでは、誘電率および誘電正接が低く、
GHz帯域の高周波信号を用いた場合でも信号遅延や信
号エラーが起きにくく、さらには、剛性等の機械的特性
にも優れている点からシクロオレフィン系樹脂が望まし
い。
Specific examples of the above-mentioned polyolefin resin include polyethylene, polypropylene, polyisobutylene, polybutadiene, polyisoprene, cycloolefin resin, and copolymers of these resins. Examples of commercially available products of the polyolefin-based resin include, for example, trade name: 1592 manufactured by Sumitomo 3M Limited. Commercially available thermoplastic polyolefin resins having a melting point of 200 ° C. or higher include, for example, TPX (trade name: 240 ° C., manufactured by Mitsui Petrochemical Co., Ltd.) and SPS (trade name, manufactured by Idemitsu Petrochemical Co., Ltd.) Melting point 270 ° C.). Among these, the dielectric constant and dielectric loss tangent are low,
Even when a high-frequency signal in the GHz band is used, a cycloolefin-based resin is desirable because signal delay and signal error hardly occur, and further, mechanical properties such as rigidity are excellent.

【0029】上記シクロオレフィン系樹脂としては、2
−ノルボルネン、5−エチリデン−2−ノルボルネンま
たはこれらの誘導体からなる単量体の単独重合体または
共重合体であることが望ましい。上記誘導体としては、
上記2−ノルボルネン等のシクロオレフィンに、架橋を
形成するためのアミノ基や無水マレイン酸残基あるいは
マレイン酸変性したもの等が結合したもの等が挙げられ
る。上記共重合体を合成する場合の単量体としては、例
えば、エチレン、プロピレン等が挙げられる。
As the above cycloolefin resin, 2
It is preferably a homopolymer or a copolymer of monomers composed of -norbornene, 5-ethylidene-2-norbornene or a derivative thereof. As the above derivatives,
Examples thereof include those in which an amino group for forming a crosslink, a maleic anhydride residue, or a maleic acid-modified one is bonded to the cycloolefin such as 2-norbornene. Examples of monomers for synthesizing the copolymer include ethylene and propylene.

【0030】上記シクロオレフィン系樹脂は、上記した
樹脂の2種以上の混合物であってもよく、シクロオレフ
ィン系樹脂以外の樹脂を含むものであってもよい。ま
た、上記シクロオレフィン系樹脂が共重合体でなる場合
には、ブロック共重合体であってもよく、ランダム共重
合体であってもよい。
The cycloolefin resin may be a mixture of two or more of the above resins, or may contain a resin other than the cycloolefin resin. When the cycloolefin-based resin is a copolymer, it may be a block copolymer or a random copolymer.

【0031】また、上記シクロオレフィン系樹脂は、熱
硬化性シクロオレフィン系樹脂であることが望ましい。
加熱を行って架橋を形成させることにより、より剛性が
高くなり、機械的特性が向上するからである。上記シク
ロオレフィン系樹脂のガラス転移温度(Tg)は、13
0〜200℃であることが望ましい。
The cycloolefin resin is preferably a thermosetting cycloolefin resin.
This is because by performing the heating to form the crosslinks, the rigidity is further increased and the mechanical properties are improved. The glass transition temperature (Tg) of the cycloolefin resin is 13
Desirably, the temperature is 0 to 200 ° C.

【0032】上記シクロオレフィン系樹脂は、既に樹脂
シート(フィルム)として成形されたものを使用しても
よく、単量体もしくは一定の分子量を有する低分子量の
重合体が、キシレン、シクロヘキサン等の溶剤に分散し
た未硬化溶液の状態であってもよい。また、樹脂シート
の場合には、いわゆるRCC(RESIN COATE
D COPPER:樹脂付銅箔)を用いてもよい。
The cycloolefin-based resin may be one already molded as a resin sheet (film), and a monomer or a low-molecular-weight polymer having a certain molecular weight may be used in a solvent such as xylene or cyclohexane. It may be in the state of an uncured solution dispersed in. In the case of a resin sheet, a so-called RCC (RESIN COATE
D COPER: resin-coated copper foil).

【0033】上記シクロオレフィン系樹脂は、フィラー
等を含まないものであってもよく、水酸化アルミニウ
ム、水酸化マグネシウム、リン酸エステル等の難燃剤を
含むものであってもよい。上記ソルダーレジスト層に用
いるポリオレフィン系樹脂は、通常、透明である。その
ため、樹脂ポリオレフィン樹脂をそのままソルダーレジ
スト層に使用した場合には、内層の導体回路やターゲッ
トマークを実装時や個片への切断時に誤って読み込んで
しまう可能性があることから、ソルダーレジスト層を形
成するポリオレフィン系樹脂を緑色や紺色に着色してお
くことが望ましい。こうすることにより、多層プリント
配線板の内層と表層のアライメントマークを判別するこ
とができる。
The cycloolefin resin may not contain a filler or the like, or may contain a flame retardant such as aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, or a phosphate. The polyolefin resin used for the solder resist layer is usually transparent. Therefore, if the resin polyolefin resin is used for the solder resist layer as it is, the conductor circuit or target mark of the inner layer may be read by mistake when mounting or cutting into individual pieces. It is desirable that the polyolefin resin to be formed be colored green or dark blue. By doing so, the alignment marks on the inner layer and the surface layer of the multilayer printed wiring board can be determined.

【0034】第一の本発明の多層プリント配線板の層間
樹脂絶縁層を構成する樹脂としては、ポリオレフィン系
樹脂、ポリフェニレン系樹脂(PPE、PPO等)、フ
ッ素系樹脂等が望ましい。ポリオレフィン系樹脂として
は、例えば、上記ポリエチレン、ポリプロピレン等が挙
げられ、フッ素系樹脂としては、例えば、エチル/テト
ラフルオロエチレン共重合樹脂(ETFE)、ポリクロ
ロトリフルオロエチレン(PCTFE)等が挙げられ
る。
The resin constituting the interlayer resin insulating layer of the multilayer printed wiring board of the first invention is preferably a polyolefin resin, a polyphenylene resin (PPE, PPO, etc.), a fluorine resin, or the like. Examples of the polyolefin resin include the above-mentioned polyethylene and polypropylene, and examples of the fluorine resin include an ethyl / tetrafluoroethylene copolymer resin (ETFE) and polychlorotrifluoroethylene (PCTFE).

【0035】このような樹脂を用いることにより、多層
プリント配線板全体の誘電率および誘電正接を低下させ
ることができ、GHz帯域の高周波信号を用いた場合で
も信号遅延や信号エラーが起きにくい。また、上記した
樹脂絶縁層に用いる樹脂の熱膨張率は、ソルダーレジス
ト層に用いるポリオレフィン系樹脂等の熱膨張率と大き
な差がないため、剥離やクラック等が発生しにくい。
By using such a resin, the dielectric constant and the dielectric loss tangent of the entire multilayer printed wiring board can be reduced, and signal delay and signal error hardly occur even when a high-frequency signal in the GHz band is used. Further, since the coefficient of thermal expansion of the resin used for the resin insulating layer does not greatly differ from the coefficient of thermal expansion of the polyolefin resin or the like used for the solder resist layer, peeling, cracks, and the like hardly occur.

【0036】第二の本発明の多層プリント配線板は、基
板上に導体回路と樹脂絶縁層とが順次形成され、最上層
にソルダーレジスト層が形成された多層プリント配線板
において、上記ソルダーレジスト層は、ポリオレフィン
系樹脂からなることを特徴とする。
A multilayer printed wiring board according to a second aspect of the present invention is a multilayer printed wiring board in which a conductive circuit and a resin insulating layer are sequentially formed on a substrate, and a solder resist layer is formed on an uppermost layer. Is characterized by comprising a polyolefin resin.

【0037】このような第二の本発明の多層プリント配
線板によれば、上記ソルダーレジスト層にポリオレフィ
ン系樹脂を用いているため、GHz帯域の高周波信号を
用いた場合であっても、該ソルダーレジスト層で発生す
る信号伝搬の遅延や信号の電送損失等に起因する信号エ
ラーを防止することができる。
According to the second multilayer printed wiring board of the present invention, since the polyolefin resin is used for the solder resist layer, even when a high frequency signal in a GHz band is used, the solder resist It is possible to prevent a signal error due to a signal propagation delay or a signal transmission loss occurring in the resist layer.

【0038】また、誘電率が低いソルダーレジスト層を
用いた場合には、GHz帯域の高周波信号を用いた場合
であっても、該ソルダーレジスト層で発生する信号伝搬
の遅延や信号の電送損失等に起因する信号エラーをさら
に防止することができる。
Further, when a solder resist layer having a low dielectric constant is used, even when a high frequency signal in a GHz band is used, signal propagation delay or signal transmission loss generated in the solder resist layer is reduced. Can be further prevented.

【0039】また、誘電正接が低いソルダーレジスト層
を用いた場合には、上記特性に加えて、半田バンプ間の
距離を狭くした場合でも、外部端子用パッドの数に関係
なく、上記ソルダーレジスト層で発生する信号の電送損
失等に起因する信号エラーを防止することができる。
When a solder resist layer having a low dielectric loss tangent is used, in addition to the above characteristics, even when the distance between the solder bumps is reduced, the solder resist layer can be formed regardless of the number of external terminal pads. In this case, it is possible to prevent a signal error caused by a transmission loss of a signal generated in the step (1).

【0040】さらに、上記多層プリント配線基板におい
て、層間樹脂絶縁層としてポリオレフィン系樹脂やポリ
フェニレン系樹脂等を用いた場合には、ソルダーレジス
ト層と層間樹脂絶縁層との熱膨張率の差が小さいため、
クラックや剥離の発生を防止することができる。
Further, when a polyolefin resin, a polyphenylene resin, or the like is used as the interlayer resin insulating layer in the multilayer printed wiring board, the difference in thermal expansion coefficient between the solder resist layer and the interlayer resin insulating layer is small. ,
Cracks and peeling can be prevented.

【0041】第二の本発明の多層プリント配線板におい
て、ソルダーレジスト層に用いるポリオレフィン系樹脂
としては特に限定されないが、1GHzにおける誘電率
が、3.0以下であるものが望ましい。このような低誘
電率のものを使用することにより、信号伝搬の遅延や信
号の電送損失等に起因する信号エラーを防止することが
できる。上記誘電率は、2.4〜2.7が望ましい。
In the multilayer printed wiring board according to the second aspect of the present invention, the polyolefin resin used for the solder resist layer is not particularly limited, but preferably has a dielectric constant at 1 GHz of 3.0 or less. By using such a material having a low dielectric constant, it is possible to prevent a signal error due to a delay in signal propagation, a signal transmission loss, and the like. The dielectric constant is desirably 2.4 to 2.7.

【0042】第二の本発明の多層プリント配線板におい
て、ソルダーレジスト層に用いるポリオレフィン系樹脂
の1GHzにおける誘電正接は、0.01以下であるこ
とが望ましい。このような低誘電正接のものを使用する
ことにより、信号伝搬の遅延や信号の電送損失等に起因
する信号エラーを防止することができる。
In the multilayer printed wiring board according to the second aspect of the present invention, the dielectric loss tangent at 1 GHz of the polyolefin resin used for the solder resist layer is desirably 0.01 or less. By using such a low dielectric loss tangent, it is possible to prevent signal errors due to signal propagation delay, signal transmission loss and the like.

【0043】上記ポリオレフィン系樹脂の具体例として
は、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリイソ
ブチレン、ポリブタジエン、ポリイソプレン、シクロオ
レフィン系樹脂、これらの樹脂の共重合体等が挙げられ
る。上記ポリオレフィン系樹脂の市販品としては、例え
ば、第一の本発明で用いるものと同様のものが挙げられ
る。これらのなかでは、誘電率および誘電正接が低く、
GHz帯域の高周波信号を用いた場合でも信号遅延や信
号エラーが起きにくく、さらには、剛性等の機械的特性
にも優れている点からシクロオレフィン系樹脂が望まし
い。
Specific examples of the polyolefin-based resin include polyethylene, polypropylene, polyisobutylene, polybutadiene, polyisoprene, cycloolefin-based resins, and copolymers of these resins. Examples of the commercially available polyolefin-based resin include the same ones as those used in the first invention. Among these, the dielectric constant and dielectric loss tangent are low,
Even when a high-frequency signal in the GHz band is used, a cycloolefin-based resin is desirable because signal delay and signal error hardly occur, and further, mechanical properties such as rigidity are excellent.

【0044】上記シクロオレフィン系樹脂としては、例
えば、第一の本発明で用いるシクロオレフィン系樹脂と
同様のものが挙げられる。
Examples of the cycloolefin resin include those similar to the cycloolefin resin used in the first invention.

【0045】第二の本発明の多層プリント配線板の層間
樹脂絶縁層を構成する樹脂としては、第一の本発明で用
いるものと同様のものが望ましい。このような樹脂を用
いることにより、第一の本発明の多層プリント配線板と
同様、多層プリント配線板全体の誘電率および誘電正接
を低下させることができ、GHz帯域の高周波信号を用
いた場合でも信号遅延や信号エラーが起きにくい。ま
た、上記した樹脂絶縁層に用いる樹脂の熱膨張率は、ソ
ルダーレジスト層に用いるポリオレフィン系樹脂の熱膨
張率と大きな差がないため、剥離やクラック等が発生し
にくい。
The resin constituting the interlayer resin insulating layer of the multilayer printed wiring board of the second invention is preferably the same as that used in the first invention. By using such a resin, the dielectric constant and the dielectric loss tangent of the entire multilayer printed wiring board can be reduced as in the case of the multilayer printed wiring board of the first aspect of the present invention, and even when a high frequency signal in the GHz band is used. Signal delay and signal error hardly occur. Further, since the coefficient of thermal expansion of the resin used for the resin insulating layer does not greatly differ from the coefficient of thermal expansion of the polyolefin-based resin used for the solder resist layer, peeling, cracking, and the like hardly occur.

【0046】次に、上述したような第一および第二の本
発明の多層プリント配線板の製造方法について説明す
る。
Next, a method for manufacturing the above-described first and second multilayer printed wiring boards of the present invention will be described.

【0047】(1) まず、樹脂基板の表面に下層導体回路
を有する配線基板を作製する。樹脂基板としては、無機
繊維を有する樹脂基板が望ましく、具体的には、例え
ば、ガラス布エポキシ基板、ガラス布ポリイミド基板、
ガラス布ビスマレイミド−トリアジン樹脂基板、ガラス
布フッ素樹脂基板等が挙げられる。また、上記樹脂基板
の両面に銅箔を貼った銅貼積層板を用いてもよい。
(1) First, a wiring board having a lower conductive circuit on the surface of a resin substrate is manufactured. As the resin substrate, a resin substrate having inorganic fibers is desirable, specifically, for example, a glass cloth epoxy substrate, a glass cloth polyimide substrate,
A glass cloth bismaleimide-triazine resin substrate, a glass cloth fluororesin substrate, and the like can be given. Further, a copper-clad laminate in which copper foil is stuck on both surfaces of the resin substrate may be used.

【0048】通常、この樹脂基板にドリルで貫通孔を設
け、該貫通孔の壁面および銅箔表面に無電解めっきを施
してスルーホールを形成する。無電解めっきとしては銅
めっきが好ましい。さらに、銅箔の厚付けのために電気
めっきを行ってもよい。この電気めっきとしては銅めっ
きが好ましい。この後、スルーホール内壁等に粗化処理
を施し、スルーホールを樹脂ペースト等で充填し、その
表面を覆う導電層を無電解めっきもしくは電気めっきに
て形成してもよい。
Usually, a through hole is formed in the resin substrate by a drill, and a through hole is formed by applying electroless plating to the wall surface of the through hole and the surface of the copper foil. Copper plating is preferred as the electroless plating. Further, electroplating may be performed for thickening the copper foil. Copper plating is preferred as the electroplating. Thereafter, the inner wall of the through-hole may be subjected to a roughening treatment, the through-hole may be filled with a resin paste or the like, and the conductive layer covering the surface may be formed by electroless plating or electroplating.

【0049】上記粗化処理の方法としては、例えば、黒
化(酸化)−還元処理、有機酸と第二銅錯体の混合水溶
液によるスプレー処理、Cu−Ni−P針状合金めっき
による処理等が挙げられる。上記工程を経て、基板上の
全面に形成された銅のベタパターン上にフォトリソグラ
フィーの手法を用いてエッチングレジストを形成し、続
いて、エッチングを行うことにより、下層導体回路を形
成する。この後、必要により、導体回路の形成により、
エッチングされ、凹部となった部分に樹脂等を充填して
もよい。
Examples of the method of the roughening treatment include blackening (oxidation) -reduction treatment, spray treatment with a mixed aqueous solution of an organic acid and a cupric complex, and treatment with a Cu-Ni-P needle-like alloy plating. No. Through the above steps, an etching resist is formed on the solid copper pattern formed on the entire surface of the substrate by using a photolithography technique, and then etching is performed to form a lower conductive circuit. Thereafter, if necessary, by forming a conductor circuit,
A portion which has been etched and becomes a concave portion may be filled with a resin or the like.

【0050】(2) 次に、形成された下層導体回路に、必
要により粗化処理を施す。粗化処理の方法としては、上
記した方法、すなわち、黒化(酸化)−還元処理、有機
酸と第二銅錯体の混合水溶液によるスプレー処理、Cu
−Ni−P針状合金めっきによる処理等が挙げられる。
また、下層導体回路に粗化処理を施さず、下層導体回路
が形成された基板を樹脂成分を溶解した溶液に浸漬する
ことにより、下層導体回路の表面に樹脂からなる層を形
成し、その上に形成する層間樹脂絶縁層との密着性を確
保してもよい。
(2) Next, the formed lower conductor circuit is subjected to a roughening treatment if necessary. As the method of the roughening treatment, the above-mentioned methods, that is, blackening (oxidation) -reduction treatment, spray treatment with a mixed aqueous solution of an organic acid and a cupric complex, Cu
-Ni-P needle-like alloy plating.
In addition, without subjecting the lower conductor circuit to a roughening treatment, the substrate on which the lower conductor circuit is formed is immersed in a solution in which a resin component is dissolved to form a resin layer on the surface of the lower conductor circuit. The adhesion to the interlayer resin insulating layer formed on the substrate may be ensured.

【0051】(3) 次に、上記(2) で作製した下層導体回
路を有する配線基板の両面に、層間樹脂絶縁層を形成す
る。この層間樹脂絶縁層は、例えば、シクロオレフィン
系樹脂形成用の未硬化液を塗布した後、加熱等により硬
化させる方法や、シクロオレフィン系樹脂シートを加熱
下に真空圧着ラミネートする方法により形成することが
できる。取扱いが簡単なことから、樹脂シートをラミネ
ートする方法が好ましい。この場合の加熱条件として
は、100〜180℃、0.5〜20分が好ましい。
(3) Next, an interlayer resin insulating layer is formed on both surfaces of the wiring board having the lower conductive circuit manufactured in the above (2). The interlayer resin insulating layer is formed by, for example, applying an uncured liquid for forming a cycloolefin-based resin and then curing it by heating or the like, or a method of vacuum-press laminating a cycloolefin-based resin sheet under heating. Can be. A method of laminating a resin sheet is preferred because handling is simple. The heating conditions in this case are preferably 100 to 180 ° C. and 0.5 to 20 minutes.

【0052】(4) 次に、層間樹脂絶縁層にレーザ光を照
射することにより、バイアホール用開口を設ける。この
とき、使用されるレーザ光としては、例えば、炭酸ガス
(CO 2 )レーザ、紫外線レーザ、エキシマレーザ等が
挙げられるが、これらのなかでは、エキシマレーザや短
パルスの炭酸ガスレーザが好ましい。
(4) Next, the interlayer resin insulation layer is irradiated with laser light.
By irradiation, a via hole opening is provided. this
When the laser light used is, for example, carbon dioxide
(CO Two ) Laser, ultraviolet laser, excimer laser, etc.
Of these, excimer lasers and short
A pulsed carbon dioxide laser is preferred.

【0053】エキシマレーザは、後述するように、バイ
ヤホール用開口を形成する部分に貫通光が形成されたマ
スク等を用いることにより、一度に多数のバイヤホール
用開口を形成することができ、また、短パルスの炭酸ガ
スレーザは、開口内の樹脂残りが少なく、開口周縁の樹
脂に対するダメージが小さいからである。
As will be described later, the excimer laser can form a large number of via hole openings at a time by using a mask or the like in which penetrating light is formed at a portion where the via hole opening is formed. This is because the short-pulse carbon dioxide laser has less resin residue in the opening and less damage to the resin around the opening.

【0054】また、エキシマレーザのなかでも、ホログ
ラム方式のエキシマレーザを用いることが望ましい。ホ
ログラム方式とは、レーザ光をホログラム、集光レン
ズ、レーザマスク、転写レンズ等を介して目的物に照射
する方式であり、この方式を用いることにより、一度の
照射で層間樹脂絶縁層に多数の開口を効率的に形成する
ことができる。
It is desirable to use a hologram type excimer laser among the excimer lasers. The hologram method is a method of irradiating a laser beam to a target object through a hologram, a condensing lens, a laser mask, a transfer lens, and the like. The opening can be formed efficiently.

【0055】また、炭酸ガスレーザを用いる場合、その
パルス間隔は、10-4〜10-8秒であることが望まし
い。また、開口を形成するためのレーザを照射する時間
は、10〜500μ秒であることが望ましい。エキシマ
レーザは、バイアホール用開孔を形成する部分に貫通孔
が形成されたマスクの貫通孔は、レーザ光のスポット形
状を真円にするために、真円である必要があり、上記貫
通孔の径は、0.1〜2mm程度が望ましい。
When a carbon dioxide laser is used, the pulse interval is desirably 10 −4 to 10 −8 seconds. The time for irradiating the laser for forming the opening is preferably 10 to 500 μsec. In the excimer laser, the through hole of the mask in which the through hole is formed in the portion where the opening for the via hole is formed needs to be a perfect circle in order to make the spot shape of the laser beam a perfect circle. Is desirably about 0.1 to 2 mm.

【0056】レーザ光にて開口を形成した場合、特に炭
酸ガスレーザを用いた場合には、デスミア処理を行うこ
とが望ましい。上記デスミア処理は、クロム酸、過マン
ガン酸塩等の水溶液からなる酸化剤を使用して行うこと
ができる。また、酸素プラズマ、CF4 と酸素の混合プ
ラズマやコロナ放電等で処理してもよい。また、低圧水
銀ランプを用いて紫外線を照射することにより、表面改
質することもできる。
When the opening is formed by a laser beam, particularly when a carbon dioxide laser is used, desmearing is preferably performed. The desmear treatment can be performed using an oxidizing agent composed of an aqueous solution such as chromic acid and permanganate. Alternatively, the treatment may be performed using oxygen plasma, a mixed plasma of CF 4 and oxygen, corona discharge, or the like. The surface can also be modified by irradiating ultraviolet rays using a low-pressure mercury lamp.

【0057】(5) 層間樹脂絶縁層は、特に粗化処理等を
行うことなく、その上に金属層を形成してもよく、プラ
ズマ処理するか、または、酸等で処理することにより、
その表面を粗化した後、金属層を形成してもよい。プラ
ズマ処理を行った場合には、上層として形成する導体回
路と層間樹脂絶縁層との密着性を確保するために、層間
樹脂絶縁層との密着性に優れたNi、Ti、Pd等の金
属を中間層として形成してもよい。上記金属からなる中
間層は、スパッタリング等の物理的蒸着法(PVD)に
より形成することが望ましく、その厚さは、0.1〜
2.0μm程度であることが望ましい。
(5) The interlayer resin insulation layer may be formed with a metal layer thereon without performing any particular roughening treatment, etc., by plasma treatment or treatment with an acid or the like.
After roughening the surface, a metal layer may be formed. When the plasma treatment is performed, a metal such as Ni, Ti, Pd, etc. having excellent adhesion to the interlayer resin insulation layer is used to secure the adhesion between the conductor circuit formed as the upper layer and the interlayer resin insulation layer. It may be formed as an intermediate layer. The intermediate layer made of the metal is desirably formed by physical vapor deposition (PVD) such as sputtering.
It is desirable to be about 2.0 μm.

【0058】(6) 上記工程の後、金属からなる薄膜層を
形成する。この薄膜層の材質は、銅または銅−ニッケル
合金が好ましい。この薄膜層は、物理的蒸着法(PVD
法)や化学蒸着法(CVD法)により形成することもで
き、無電解めっきを施すことにより形成することもでき
る。上記PVD法としては、例えば、スパッタリング、
イオンビームスパッタリング等が挙げられ、上記CVD
法としては、有機金属を供給材料とするPE−CVD
(Plasma Enhanced CVD)法等が挙
げられる。
(6) After the above steps, a thin film layer made of metal is formed. The material of the thin film layer is preferably copper or a copper-nickel alloy. This thin film layer is formed by physical vapor deposition (PVD).
Method), a chemical vapor deposition method (CVD method), or an electroless plating. As the PVD method, for example, sputtering,
Ion beam sputtering, etc .;
The method is PE-CVD using organic metal as a feed material.
(Plasma Enhanced CVD) method.

【0059】この薄膜の膜厚は、0.1〜5μmが好ま
しい。このような膜厚とするのは、後に行う電気めっき
の導電層としての機能を損なうことなく、エッチング除
去できるようにするためである。なお、この薄膜の形成
工程は必須ではなく、省略することもできる。
The thickness of this thin film is preferably from 0.1 to 5 μm. The thickness is set so that the film can be removed by etching without impairing the function as a conductive layer in electroplating performed later. The step of forming the thin film is not essential and can be omitted.

【0060】(7) 上記(6) で形成した無電解めっき膜上
にめっきレジストを形成する。このめっきレジストは、
感光性ドライフィルムをラミネートした後、露光、現像
処理を行うことにより形成される。
(7) A plating resist is formed on the electroless plating film formed in (6). This plating resist
After laminating a photosensitive dry film, it is formed by performing exposure and development processing.

【0061】(8) 次に、層間樹脂絶縁層上に形成された
金属薄膜をめっきリードとして電気めっきを行い、導体
回路を厚付けする。電気めっき膜の膜厚は、5〜30μ
mが好ましい。この時、バイアホール用開口を電気めっ
きで充填してフィルドビア構造としてもよい。
(8) Next, electroplating is performed using the thin metal film formed on the interlayer resin insulating layer as a plating lead to thicken the conductor circuit. Electroplating film thickness is 5-30μ
m is preferred. At this time, the via hole opening may be filled with electroplating to form a filled via structure.

【0062】(9) 電気めっき膜を形成した後、めっきレ
ジストを剥離し、めっきレジストの下に存在していた無
電解めっき膜と上記中間層とをエッチングにより除去
し、独立した導体回路とする。上記電気めっきとして
は、銅めっきを用いることが望ましい。エッチング液と
しては、例えば、硫酸−過酸化水素水溶液、過硫酸アン
モニウム、過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウム等の過硫
酸塩水溶液、塩化第二鉄、塩化第二銅の水溶液、塩酸、
硝酸、熱希硫酸等が挙げられる。また、前述した第二銅
錯体と有機酸とを含有するエッチング液を用いて、導体
回路間のエッチングと同時に粗化面を形成してもよい。
(9) After forming the electroplating film, the plating resist is peeled off, and the electroless plating film existing under the plating resist and the intermediate layer are removed by etching to form an independent conductor circuit. . It is desirable to use copper plating as the electroplating. Examples of the etchant include sulfuric acid-hydrogen peroxide aqueous solution, ammonium persulfate, sodium persulfate, persulfate aqueous solution such as potassium persulfate, ferric chloride, aqueous solution of cupric chloride, hydrochloric acid,
Nitric acid, hot dilute sulfuric acid and the like can be mentioned. Alternatively, a roughened surface may be formed simultaneously with etching between conductor circuits using an etching solution containing the above-described cupric complex and an organic acid.

【0063】(10)この後、上記(2) 〜(9) の工程を繰り
返して上層の上層導体回路を設け、最上層にソルダーレ
ジスト層を設け、該ソルダーレジスト層に開口部を形成
してハンダバンプを設けることにより、例えば、片面3
層の6層両面多層プリント配線板を得る。
(10) Thereafter, the above steps (2) to (9) are repeated to provide an upper conductor circuit, an upper layer, a solder resist layer, and an opening in the solder resist layer. By providing solder bumps, for example, one side 3
A six-layer double-sided multilayer printed wiring board having six layers is obtained.

【0064】上記ソルダーレジスト層に開口部を形成す
る際には、レーザ光を所定の位置に照射する方法を用い
ることができる。このとき、使用するレーザ光として
は、上述したバイアホールの形成の際に使用したレーザ
光と同様のものを用いることができる。また、この工程
でレーザ光を照射することにより、ソルダーレジスト層
にアライメントマークを形成することが望ましい。
When forming an opening in the solder resist layer, a method of irradiating a predetermined position with a laser beam can be used. At this time, as the laser light used, the same laser light as that used in forming the above-described via hole can be used. In addition, it is desirable to form an alignment mark on the solder resist layer by irradiating a laser beam in this step.

【0065】次に、第三の本発明の半導体装置について
説明する。第三の本発明の半導体装置は、基板上に導体
回路と樹脂絶縁層とが順次形成され、さらに最上層に、
開口部を有するとともに上記開口部に半田バンプを有す
るソルダーレジスト層が形成された多層プリント配線板
に、上記半田バンプを介してICチップが接続された半
導体装置において、上記ソルダーレジスト層は、ポリオ
レフィン系樹脂からなり、上記樹脂絶縁層は、ポリオレ
フィン系樹脂、ポリフェニレン系樹脂またはフッ素系樹
脂からなることを特徴とする。
Next, a third semiconductor device according to the present invention will be described. In the semiconductor device according to the third aspect of the present invention, the conductor circuit and the resin insulating layer are sequentially formed on the substrate, and further,
In a semiconductor device in which an IC chip is connected through a solder bump to a multilayer printed wiring board having an opening and a solder resist layer having a solder bump in the opening, the solder resist layer is made of a polyolefin-based material. It is made of resin, and the resin insulating layer is made of polyolefin resin, polyphenylene resin or fluorine resin.

【0066】上記半導体装置のソルダーレジスト層に用
いられるポリオレフィン系樹脂としては、上述したポリ
オレフィン系樹脂と同様のもの等が挙げられる。上記ポ
リオレフィン系樹脂は、シクロオレフィン系樹脂が望ま
しい。誘電率および誘電正接が低く、機械的特性に優れ
るからである。
Examples of the polyolefin resin used for the solder resist layer of the semiconductor device include those similar to the above-mentioned polyolefin resins. The polyolefin resin is preferably a cycloolefin resin. This is because the dielectric constant and the dielectric loss tangent are low and the mechanical properties are excellent.

【0067】上記半導体装置の樹脂絶縁層は、ポリオレ
フィン系樹脂、ポリフェニレン系樹脂またはフッ素系樹
脂からなる。このような樹脂を用いることにより、多層
プリント配線板全体の誘電率および誘電正接を低下させ
ることができ、GHz帯域の高周波信号を用いた場合で
も信号遅延や信号エラーが起きにくい。また、上記樹脂
絶縁層に用いる樹脂の熱膨張率は、ソルダーレジスト層
に用いるポリオレフィン系樹脂の熱膨張率と大きな差が
ないため、剥離やクラック等が発生しにくい。
The resin insulating layer of the semiconductor device is made of a polyolefin resin, a polyphenylene resin or a fluorine resin. By using such a resin, the dielectric constant and the dielectric loss tangent of the entire multilayer printed wiring board can be reduced, and signal delay and signal error hardly occur even when a high-frequency signal in the GHz band is used. In addition, since the coefficient of thermal expansion of the resin used for the resin insulating layer does not greatly differ from the coefficient of thermal expansion of the polyolefin-based resin used for the solder resist layer, peeling, cracks, and the like hardly occur.

【0068】第三の本発明の半導体装置を製造する際に
は、上述した方法により、半田バンプを有する多層プリ
ント配線板を製造した後、半田バンプを有するソルダー
レジスト層上の所定の位置にICチップを載置し、加熱
により半田をリフローさせ、プリント配線板の配線とI
Cチップとを接続する。続いて、ICチップが接続され
たプリント配線板にアンダーフィルを充填し、樹脂封止
を行うことにより、半導体装置の製造を終了する。第三
の本発明の半導体装置によれば、ICチップの周波数
が、1GHz以上の高周波の信号領域であっても、信号
伝搬の遅延や信号の電送損失等に起因する信号エラーが
発生することがない。以下、実施例をもとに説明する。
In manufacturing the semiconductor device according to the third aspect of the present invention, after manufacturing a multilayer printed wiring board having solder bumps by the above-described method, an IC is placed at a predetermined position on a solder resist layer having solder bumps. The chip is placed, the solder is reflowed by heating, and the wiring of the printed wiring board and I
Connect to C chip. Subsequently, the printed wiring board to which the IC chip is connected is filled with an underfill, and resin sealing is performed, thereby completing the manufacture of the semiconductor device. According to the semiconductor device of the third aspect of the present invention, even if the frequency of the IC chip is a high-frequency signal region of 1 GHz or more, a signal error due to signal propagation delay, signal transmission loss, or the like may occur. Absent. Hereinafter, description will be made based on embodiments.

【0069】[0069]

【実施例】(実施例1) A.樹脂充填材の調製 ビスフェノールF型エポキシモノマー(油化シェル社
製、分子量:310、YL983U)100重量部、表
面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒
径が1.6μmで、最大粒子の直径が15μm以下のS
iO2 球状粒子(アドマテックス社製、CRS 110
1−CE)170重量部およびレベリング剤(サンノプ
コ社製 ペレノールS4)1.5重量部を容器にとり、
攪拌混合することにより、その粘度が23±1℃で40
〜50Pa・sの樹脂充填材を調製した。なお、硬化剤
として、イミダゾール硬化剤(四国化成社製、2E4M
Z−CN)6.5重量部を用いた。
Example (Example 1) A. Preparation of resin filler 100 parts by weight of bisphenol F type epoxy monomer (manufactured by Yuka Shell Co., molecular weight: 310, YL983U), the average particle diameter of which is coated with a silane coupling agent on the surface is 1.6 μm, and the diameter of the largest particle Is less than 15 μm
iO 2 spherical particles (manufactured by Admatechs, CRS 110)
1-CE) 170 parts by weight and 1.5 parts by weight of a leveling agent (Perenol S4 manufactured by San Nopco) are placed in a container,
By stirring and mixing, the viscosity becomes 40 at 23 ± 1 ° C.
A resin filler of 5050 Pa · s was prepared. As a curing agent, an imidazole curing agent (2E4M manufactured by Shikoku Chemicals Co., Ltd.)
(Z-CN) 6.5 parts by weight.

【0070】B.プリント配線板の製造 (1) 厚さ0.8mmのガラスエポキシ樹脂またはBT
(ビスマレイミド−トリアジン)樹脂からなる基板1の
両面に18μmの銅箔8がラミネートされている銅貼積
層板を出発材料とした(図1(a)参照)。まず、この
銅貼積層板をドリル削孔し、続いてめっきレジストを形
成した後、この基板に無電解銅めっき処理を施してスル
ーホール9を形成し、さらに、銅箔を常法に従いパター
ン状にエッチングすることにより、基板の両面に内層銅
パターン(下層導体回路)4を形成した。
B. Production of printed wiring board (1) 0.8mm thick glass epoxy resin or BT
A copper-clad laminate in which 18 μm copper foils 8 were laminated on both surfaces of a substrate 1 made of (bismaleimide-triazine) resin was used as a starting material (see FIG. 1A). First, the copper-clad laminate is drilled, and then a plating resist is formed. Then, the substrate is subjected to an electroless copper plating process to form through holes 9, and the copper foil is patterned in a conventional manner. Then, an inner copper pattern (lower conductive circuit) 4 was formed on both surfaces of the substrate.

【0071】(2) 下層導体回路4を形成した基板を水洗
いし、乾燥した後、エッチング液を基板の両面にスプレ
イで吹きつけて、下層導体回路4の表面とスルーホール
9のランド表面と内壁とをエッチングすることにより、
下層導体回路4の全表面に粗化面4a、9aを形成した
(図1(b)参照)。エッチング液として、イミダゾー
ル銅(II)錯体10重量部、グリコール酸7重量部、塩
化カリウム5重量部およびイオン交換水78重量部を混
合したものを使用した。
(2) The substrate on which the lower conductive circuit 4 has been formed is washed with water and dried, and then an etching solution is sprayed on both surfaces of the substrate by spraying, so that the surface of the lower conductive circuit 4 and the land surface of the through hole 9 and the inner wall are formed. And by etching
The roughened surfaces 4a and 9a were formed on the entire surface of the lower conductor circuit 4 (see FIG. 1B). A mixture of 10 parts by weight of an imidazole copper (II) complex, 7 parts by weight of glycolic acid, 5 parts by weight of potassium chloride, and 78 parts by weight of ion-exchanged water was used as an etching solution.

【0072】(3) 上記Aに記載した樹脂充填材を調製し
た後、調製後24時間以内に樹脂充填材10を、基板の
両面に印刷機を用いて塗布することにより、下層導体回
路4間またはスルーホール9内に充填し、加熱乾燥を行
った。すなわち、この工程により、樹脂充填材10が下
層導体回路4の間あるいはスルーホール9内に充填され
る(図1(c)参照)。
(3) After the resin filler described in the above A is prepared, the resin filler 10 is applied to both sides of the substrate using a printing machine within 24 hours after the preparation, whereby the lower conductor circuit 4 Alternatively, it was filled in the through hole 9 and dried by heating. That is, in this step, the resin filler 10 is filled between the lower conductor circuits 4 or in the through holes 9 (see FIG. 1C).

【0073】(4) 上記(3) の処理を終えた基板の片面
を、ベルト研磨紙(三共理化学社製)を用いたベルトサ
ンダー研磨により、下層導体回路4の表面やスルーホー
ル9のランド表面に樹脂充填材10が残らないように研
磨し、ついで、上記ベルトサンダー研磨による傷を取り
除くためのバフ研磨を行った。このような一連の研磨を
基板の他方の面についても同様に行った。そして、充填
した樹脂充填材10を加熱硬化させた(図1(d)参
照)。
(4) One surface of the substrate after the treatment of the above (3) is subjected to belt sanding using a belt abrasive paper (manufactured by Sankyo Rikagaku Co., Ltd.) to form a surface of the lower conductive circuit 4 and a land surface of the through hole 9. Was polished so that the resin filler 10 did not remain, and then buffed to remove the scratches caused by the belt sander polishing. Such a series of polishing was similarly performed on the other surface of the substrate. Then, the filled resin filler 10 was cured by heating (see FIG. 1D).

【0074】このようにして、スルーホール9等に充填
された樹脂充填材10の表層部および下層導体回路4上
面の粗化層4aを除去して基板両面を平滑化し、樹脂充
填材10と下層導体回路4の側面とが粗化面4aを介し
て強固に密着し、またスルーホール9の内壁面と樹脂充
填材10とが粗化面9aを介して強固に密着した配線基
板を得た。
In this manner, the surface layer of the resin filler 10 filled in the through holes 9 and the like and the roughened layer 4a on the upper surface of the lower conductor circuit 4 are removed to smooth both surfaces of the substrate, and the resin filler 10 and the lower layer are removed. A wiring board was obtained in which the side surface of the conductive circuit 4 was firmly adhered through the roughened surface 4a, and the inner wall surface of the through hole 9 and the resin filler 10 were firmly adhered through the roughened surface 9a.

【0075】(5) 次に、上記工程を経た基板の両面に、
厚さ50μmの熱硬化型シクロオレフィン系樹脂シート
を温度50〜150℃まで昇温しながら圧力5kg/c
2 で真空圧着ラミネートし、シクロオレフィン系樹脂
からなる層間樹脂絶縁層2を設けた(図2(a)参
照)。真空圧着時の真空度は、10mmHgであった。
(5) Next, on both surfaces of the substrate having undergone the above steps,
A pressure of 5 kg / c while heating a thermosetting type cycloolefin resin sheet having a thickness of 50 μm to a temperature of 50 to 150 ° C.
Vacuum compression lamination was performed at m 2 to provide an interlayer resin insulation layer 2 made of a cycloolefin-based resin (see FIG. 2A). The degree of vacuum during vacuum compression was 10 mmHg.

【0076】(6) 次に、波長0.248μmのエキシマ
レーザにて、熱硬化型シクロオレフィン系樹脂からなる
層間樹脂絶縁層2に直径80μmのバイアホール用開口
6を設けた(図2(b)参照)。この後、酸素プラズマ
を用いてデスミア処理を行った。
(6) Next, a via hole opening 6 having a diameter of 80 μm was formed in the interlayer resin insulating layer 2 made of a thermosetting cycloolefin resin using an excimer laser having a wavelength of 0.248 μm (FIG. 2B). )reference). Thereafter, a desmear treatment was performed using oxygen plasma.

【0077】(7) 次に、日本真空技術株式会社製のSV
−4540を用い、Niをターゲットにしたスパッタリ
ングを、ガス圧0.6Pa、温度80℃、電力200
W、時間5分間の条件で行い、Ni金属層12aを層間
樹脂絶縁層2の表面に形成した(図2(c)参照)。こ
のとき、形成されたNi金属層12aの厚さ0.1μm
であった。
(7) Next, SV manufactured by Japan Vacuum Engineering Co., Ltd.
Using −4540, sputtering with Ni as the target was performed at a gas pressure of 0.6 Pa, a temperature of 80 ° C., and a power of 200.
This was performed under the conditions of W for 5 minutes, and a Ni metal layer 12a was formed on the surface of the interlayer resin insulating layer 2 (see FIG. 2C). At this time, the thickness of the formed Ni metal layer 12a is 0.1 μm.
Met.

【0078】(8) 次に、以下の組成の無電界銅めっき水
溶液中に基板を浸漬して、Ni金属層12aの表面全体
に厚さ0.6〜1.2μmの無電界銅めっき膜12bを
形成した(図2(d)参照)。 〔無電界銅めっき水溶液〕 EDTA 0.08 mol/l 硫酸銅 0.03 mol/l HCHO 0.05 mol/l NaOH 0.05 mol/l α、α′−ビピリジル 80 mg/l PEG 0.10 g/l (ポリエチレングリコール) 〔無電解めっき条件〕65℃の液温度で20分
(8) Next, the substrate is immersed in an electroless copper plating aqueous solution having the following composition to form a 0.6 to 1.2 μm thick electroless copper plating film 12b on the entire surface of the Ni metal layer 12a. Was formed (see FIG. 2D). [Electroless electroless copper plating aqueous solution] EDTA 0.08 mol / l Copper sulfate 0.03 mol / l HCHO 0.05 mol / l NaOH 0.05 mol / l α, α'-bipyridyl 80 mg / l PEG 0.10 g / l (polyethylene glycol) [Electroless plating conditions] 20 minutes at a liquid temperature of 65 ° C

【0079】(9) 上記処理を終えた基板の両面に、市販
の感光性ドライフィルムを無電界銅めっき膜12に熱圧
着することにより貼り付け、フォトマスクフィルムを載
置して、100mJ/cm2 で露光した後、0.8%炭
酸ナトリウムで現像処理し、厚さ15μmのめっきレジ
スト3のパターンを形成した(図3(a)参照)。
(9) A commercially available photosensitive dry film is bonded to both surfaces of the substrate after the above-mentioned treatment by thermocompression bonding to the electroless copper plating film 12, and a photomask film is placed on the substrate. After exposure in step 2 , the resist was developed with 0.8% sodium carbonate to form a pattern of a plating resist 3 having a thickness of 15 μm (see FIG. 3A).

【0080】(10)次に、以下の条件で電気めっきを施し
て、厚さ15μmの電気めっき膜13を形成した(図3
(b)参照)。なお、この電気めっき膜13により、後
述する工程で導体回路5となる部分の厚付けおよびバイ
アホール7となる部分のめっき充填等が行われたことに
なる。なお、電気めっき水溶液中の添加剤は、アトテッ
クジャパン社製のカパラシドHLである。
(10) Next, electroplating was performed under the following conditions to form an electroplating film 13 having a thickness of 15 μm (FIG. 3).
(B)). This means that the electroplating film 13 has been used to thicken the portion that will be the conductor circuit 5 and fill the portion that will be the via hole 7 with plating in the steps described later. The additive in the electroplating aqueous solution is Capparaside HL manufactured by Atotech Japan.

【0081】〔電気めっき水溶液〕 硫酸 2.24 mol/l 硫酸銅 0.26 mol/l 添加剤 19.5 ml/l 〔電気めっき条件〕 電流密度 1 A/dm2 時間 65 分 温度 22±2 ℃[Electroplating aqueous solution] sulfuric acid 2.24 mol / l copper sulfate 0.26 mol / l additive 19.5 ml / l [electroplating conditions] current density 1 A / dm 2 hours 65 minutes temperature 22 ± 2 ° C

【0082】(11)さらに、めっきレジスト3を5%KO
Hで剥離除去した後、そのめっきレジスト3下の無電解
めっき膜を硫酸と過酸化水素との混合液でエッチング処
理して溶解除去し、独立の上層導体回路5(バイアホー
ル7を含む)とした(図3(c)参照)。
(11) Further, the plating resist 3 is coated with 5% KO
After stripping and removing with H, the electroless plating film under the plating resist 3 is dissolved and removed by etching with a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide to form an independent upper conductor circuit 5 (including the via hole 7). (See FIG. 3C).

【0083】(12)続いて、上記(5) 〜(11)の工程を、繰
り返すことにより、さらに上層の導体回路を形成した。
(図4(a)〜図5(a)参照)。
(12) Subsequently, the above steps (5) to (11) were repeated to form a further upper layer conductive circuit.
(See FIGS. 4A to 5A).

【0084】(13)次に、上層導体回路が形成された多層
配線基板の両面に厚さ20μmの熱硬化型ポリオレフィ
ン系樹脂シート(住友3M社製、商品名:1592)を
温度50℃〜150℃まで昇温しながら圧力5kg/c
2 で真空圧着ラミネートし、ポリオレフィン系樹脂か
らなるソルダーレジスト層14を設けた。真空圧着時の
真空度は、10mmHgであった。
(13) Next, a thermosetting polyolefin resin sheet (trade name: 1592, manufactured by Sumitomo 3M) having a thickness of 20 μm is provided on both surfaces of the multilayer wiring board having the upper conductor circuit formed thereon, at a temperature of 50 ° C. to 150 ° C. 5kg / c pressure while heating up to ℃
Vacuum compression bonding was performed at m 2 to provide a solder resist layer 14 made of a polyolefin resin. The degree of vacuum during vacuum compression was 10 mmHg.

【0085】(14)次に、波長、248μmのエキシマレ
ーザにて、熱硬化型ポリオレフィン系樹脂からなるソル
ダーレジスト層14に直径200μmの開口を形成し
た。この後、酸素プラズマを用いてデスミア処理を行
い、半田パッド部分が開口した、その厚さが20μmの
ソルダーレジスト層(有機樹脂絶縁層)14を形成し
た。
(14) Next, an opening having a diameter of 200 μm was formed in the solder resist layer 14 made of a thermosetting polyolefin resin using an excimer laser having a wavelength of 248 μm. Thereafter, desmearing treatment was performed using oxygen plasma to form a solder resist layer (organic resin insulating layer) 14 having a thickness of 20 μm and an opening in the solder pad portion.

【0086】(15)次に、ソルダーレジスト層(有機樹脂
絶縁層)14を形成した基板を、塩化ニッケル(2.3
×10-1mol/l)、次亜リン酸ナトリウム(2.8
×10 -1mol/l)、クエン酸ナトリウム(1.6×
10-1mol/l)を含むpH=4.5の無電解ニッケ
ルめっき液に20分間浸漬して、開口部に厚さ5μmの
ニッケルめっき層15を形成した。さらに、その基板を
シアン化金カリウム(7.6×10-3mol/l)、塩
化アンモニウム(1.9×10-1mol/l)、クエン
酸ナトリウム(1.2×10-1mol/l)、次亜リン
酸ナトリウム(1.7×10-1mol/l)を含む無電
解めっき液に80℃の条件で7.5分間浸漬して、ニッ
ケルめっき層15上に、厚さ0.03μmの金めっき層
16を形成した。
(15) Next, a solder resist layer (organic resin
The substrate on which the insulating layer (14) was formed was coated with nickel chloride (2.3).
× 10-1mol / l), sodium hypophosphite (2.8
× 10 -1mol / l), sodium citrate (1.6 ×
10-1mol / l) and pH = 4.5
Immersion in a plating solution for 20 minutes, and a 5 μm thick
A nickel plating layer 15 was formed. In addition, the board
Potassium gold cyanide (7.6 × 10-3mol / l), salt
Ammonium iodide (1.9 × 10-1mol / l), quenched
Sodium acid (1.2 × 10-1mol / l), phosphorus hypophosphite
Sodium acid (1.7 × 10-1mol / l)
Immerse in a plating solution at 80 ° C for 7.5 minutes,
0.03 μm thick gold plating layer on the Kell plating layer 15
No. 16 was formed.

【0087】(16)この後、ソルダーレジスト層14の開
口に半田ペーストを印刷して、200℃でリフローする
ことにより半田バンプ(半田体)17を形成し、半田バ
ンプ17を有する多層配線プリント基板を製造した(図
5(b)参照)。
(16) After that, a solder paste is printed on the opening of the solder resist layer 14 and reflowed at 200 ° C. to form a solder bump (solder body) 17, and a multilayer wiring printed board having the solder bump 17 Was manufactured (see FIG. 5B).

【0088】(17)上記方法により製造したプリント配線
板の他の一部を用い、ICチップとの接合を行った。す
なわち、所定の取り付け装置を用い、フラックス洗浄
後、ターゲットマークを基準として、プリント配線板の
半田バンプとICチップに設けられたバンプとの位置合
わせを行い、半田をリフローさせることによりプリント
配線板の半田バンプとICチップのバンプとを接合させ
た。そして、フラックス洗浄を行い、該ICチップと多
層プリント配線板との間にアンダーフィルを充填し、こ
れによりICチップが接続されたプリント配線板(半導
体装置)を得た。
(17) Using another part of the printed wiring board manufactured by the above method, bonding to an IC chip was performed. That is, using a predetermined mounting device, after the flux cleaning, the solder bumps of the printed wiring board are aligned with the bumps provided on the IC chip with reference to the target mark, and the solder is reflowed. The solder bump and the bump of the IC chip were joined. Then, flux washing was performed, and an underfill was filled between the IC chip and the multilayer printed wiring board, whereby a printed wiring board (semiconductor device) to which the IC chip was connected was obtained.

【0089】(実施例2)実施例1の工程(13)におい
て、熱硬化型ポリオレフィン系樹脂シートに代えて、厚
さ20μmの熱硬化型シクロオレフィン系樹脂シートを
用い、熱硬化型シクロオレフィン系樹脂からなるソルダ
ーレジスト層を形成した以外は、実施例1と同様にして
多層配線プリント基板を製造し、これを用いてICチッ
プが接続されたプリント配線板(半導体装置)を得た。
(Example 2) In step (13) of Example 1, a thermosetting cycloolefin resin sheet having a thickness of 20 µm was used instead of the thermosetting polyolefin resin sheet. A multilayer wiring printed board was manufactured in the same manner as in Example 1 except that a solder resist layer made of a resin was formed, and a printed wiring board (semiconductor device) to which an IC chip was connected was obtained using the same.

【0090】(実施例3) A.無電解めっき用接着剤の調製(上層用接着剤) (i) クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(日本化薬社
製、分子量:2500)の25%アクリル化物を80重
量%の濃度でジエチレングリコールジメチルエーテル
(DMDG)に溶解させた樹脂液35重量部、感光性モ
ノマー(東亜合成社製、アロニックスM315)3.1
5重量部、消泡剤(サンノプコ社製 S−65)0.5
重量部およびN−メチルピロリドン(NMP)3.6重
量部を容器にとり、攪拌混合することにより混合組成物
を調製した。
Example 3 A. Preparation of adhesive for electroless plating (adhesive for upper layer) (i) 25% acrylate of cresol novolac type epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., molecular weight: 2500) at a concentration of 80% by weight of diethylene glycol dimethyl ether (DMDG) 35 parts by weight of a resin solution dissolved in water, photosensitive monomer (Aronix M315, manufactured by Toa Gosei Co., Ltd.) 3.1
5 parts by weight, antifoaming agent (S-65, manufactured by San Nopco) 0.5
Parts by weight and 3.6 parts by weight of N-methylpyrrolidone (NMP) were placed in a container and mixed by stirring to prepare a mixed composition.

【0091】(ii)ポリエーテルスルフォン(PES)1
2重量部、エポキシ樹脂粒子(三洋化成社製、ポリマー
ポール)の平均粒径1.0μmのもの7.2重量部およ
び平均粒径0.5μmのもの3.09重量部を別の容器
にとり、攪拌混合した後、さらにNMP30重量部を添
加し、ビーズミルで攪拌混合し、別の混合組成物を調製
した。
(Ii) Polyether sulfone (PES) 1
2 parts by weight, 7.2 parts by weight of an epoxy resin particle (manufactured by Sanyo Kasei Co., polymer pole) having an average particle diameter of 1.0 μm and 3.09 parts by weight of an epoxy resin particle having an average particle diameter of 0.5 μm were placed in another container, After stirring and mixing, 30 parts by weight of NMP was further added and stirred and mixed with a bead mill to prepare another mixed composition.

【0092】(iii) イミダゾール硬化剤(四国化成社
製、2E4MZ−CN)2重量部、光重合開始剤(チバ
・スペシャリティ・ケミカルズ社製、イルガキュアー
I−907)2重量部、光増感剤(日本化薬社製、DE
TX−S)0.2重量部およびNMP1.5重量部をさ
らに別の容器にとり、攪拌混合することにより混合組成
物を調製した。そして、(i) 、(ii)および(iii) で調製
した混合組成物を混合することにより無電解めっき用接
着剤を得た。
(Iii) 2 parts by weight of an imidazole curing agent (2E4MZ-CN, manufactured by Shikoku Chemicals) and a photopolymerization initiator (Irgacure, manufactured by Ciba Specialty Chemicals)
I-907) 2 parts by weight, photosensitizer (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., DE
TX-S) 0.2 part by weight and 1.5 parts by weight of NMP were further placed in another container, and mixed by stirring to prepare a mixed composition. Then, an adhesive for electroless plating was obtained by mixing the mixed compositions prepared in (i), (ii) and (iii).

【0093】B.無電解めっき用接着剤の調製(下層用
接着剤) (i) クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(日本化薬社
製、分子量:2500)の25%アクリル化物を80重
量%の濃度でジエチレングリコールジメチルエーテル
(DMDG)に溶解させた樹脂液35重量部、感光性モ
ノマー(東亜合成社製、アロニックスM315)4重量
部、消泡剤(サンノプコ社製 S−65)0.5重量部
およびN−メチルピロリドン(NMP)3.6重量部を
容器にとり、攪拌混合することにより混合組成物を調製
した。
B. Preparation of adhesive for electroless plating (adhesive for lower layer) (i) 25% acrylate of cresol novolac type epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., molecular weight: 2500) at a concentration of 80% by weight of diethylene glycol dimethyl ether (DMDG) 35 parts by weight of a resin solution, 4 parts by weight of a photosensitive monomer (manufactured by Toagosei Co., Aronix M315), 0.5 parts by weight of an antifoaming agent (S-65 manufactured by Sannopco) and N-methylpyrrolidone (NMP) 3.6 parts by weight were placed in a container and mixed by stirring to prepare a mixed composition.

【0094】(ii)ポリエーテルスルフォン(PES)1
2重量部、および、エポキシ樹脂粒子(三洋化成社製、
ポリマーポール)の平均粒径0.5μmのもの14.4
9重量部を別の容器にとり、攪拌混合した後、さらにN
MP30重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合し、別
の混合組成物を調製した。
(Ii) Polyether sulfone (PES) 1
2 parts by weight and epoxy resin particles (manufactured by Sanyo Chemical Industries,
14.4 having an average particle size of 0.5 μm
9 parts by weight were placed in another container and mixed with stirring.
30 parts by weight of MP was added and mixed by stirring with a bead mill to prepare another mixed composition.

【0095】(iii) イミダゾール硬化剤(四国化成社
製、2E4MZ−CN)2重量部、光重合開始剤(チバ
・スペシャリティ・ケミカルズ社製、イルガキュアー
I−907)2重量部、光増感剤(日本化薬社製、DE
TX−S)0.2重量部およびNMP1.5重量部をさ
らに別の容器にとり、攪拌混合することにより混合組成
物を調製した。そして、(i) 、(ii)および(iii) で調製
した混合組成物を混合することにより無電解めっき用接
着剤を得た。
(Iii) 2 parts by weight of an imidazole curing agent (2E4MZ-CN, manufactured by Shikoku Chemicals) and a photopolymerization initiator (Irgacure, manufactured by Ciba Specialty Chemicals)
I-907) 2 parts by weight, photosensitizer (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., DE
TX-S) 0.2 part by weight and 1.5 parts by weight of NMP were further placed in another container, and mixed by stirring to prepare a mixed composition. Then, an adhesive for electroless plating was obtained by mixing the mixed compositions prepared in (i), (ii) and (iii).

【0096】C.樹脂充填材の調製 実施例1と同様にして樹脂充填材を調製した。C. Preparation of Resin Filler A resin filler was prepared in the same manner as in Example 1.

【0097】D.プリント配線板の製造方法 (1) 厚さ0.8mmのガラスエポキシ樹脂またはBT
(ビスマレイミドトリアジン)樹脂からなる基板1の両
面に18μmの銅箔8がラミネートされている銅貼積層
板を出発材料とした(図6(a)参照)。まず、この銅
貼積層板をドリル削孔し、無電解めっき処理を施し、パ
ターン状にエッチングすることにより、基板1の両面に
下層導体回路4とスルーホール9を形成した。
D. Manufacturing method of printed wiring board (1) Glass epoxy resin or BT with a thickness of 0.8 mm
A copper-clad laminate in which 18 μm copper foils 8 were laminated on both sides of a substrate 1 made of (bismaleimide triazine) resin was used as a starting material (see FIG. 6A). First, the copper-clad laminate was drilled, subjected to electroless plating, and etched in a pattern to form a lower conductor circuit 4 and through holes 9 on both surfaces of the substrate 1.

【0098】(2) スルーホール9および下層導体回路4
を形成した基板を水洗いし、乾燥した後、NaOH(1
0g/l)、NaClO2 (40g/l)、Na3 PO
4 (6g/l)を含む水溶液を黒化浴(酸化浴)とする
黒化処理、および、NaOH(10g/l)、NaBH
4 (6g/l)を含む水溶液を還元浴とする還元処理を
行い、そのスルーホール9を含む下層導体回路4の全表
面に粗化面4a、9aを形成した(図6(b)参照)。
(2) Through-hole 9 and lower conductor circuit 4
After the substrate on which was formed was washed with water and dried, NaOH (1
0 g / l), NaClO 2 (40 g / l), Na 3 PO
4 A blackening treatment using an aqueous solution containing (6 g / l) as a blackening bath (oxidizing bath), NaOH (10 g / l), NaBH
4 A reduction treatment was performed using an aqueous solution containing (6 g / l) as a reduction bath, and roughened surfaces 4a and 9a were formed on the entire surface of the lower conductor circuit 4 including the through holes 9 (see FIG. 6B). .

【0099】(3) 上記Cに記載した樹脂充填材を調製し
た後、調製後24時間以内に樹脂充填材10を、基板の
両面に印刷機を用いて塗布することにより、下層導体回
路4間またはスルーホール9内に充填し、加熱乾燥を行
った。すなわち、この工程により、樹脂充填材10が下
層導体回路4の間あるいはスルーホール9内に充填され
る(図6(c)参照)。
(3) After preparing the resin filler described in C above, the resin filler 10 is applied to both sides of the substrate using a printing machine within 24 hours after the preparation, so that the lower conductor circuit 4 Alternatively, it was filled in the through hole 9 and dried by heating. That is, in this step, the resin filler 10 is filled between the lower conductor circuits 4 or in the through holes 9 (see FIG. 6C).

【0100】(4) 上記(3) の処理を終えた基板の片面
を、#600のベルト研磨紙(三共理化学製)を用いた
ベルトサンダー研磨により、内層銅パターン4の表面や
スルーホール9のランド表面に樹脂充填材10が残らな
いように研磨し、次いで、上記ベルトサンダー研磨によ
る傷を取り除くためのバフ研磨を行った。このような一
連の研磨を基板の他方の面についても同様に行った。次
いで、100℃で1時間、120℃で3時間、150℃
で1時間、180℃で7時間の加熱処理を行って樹脂充
填材10を硬化した。
(4) One surface of the substrate after the processing of the above (3) is subjected to belt sander polishing using # 600 belt polishing paper (manufactured by Sankyo Rikagaku) to form the surface of the inner layer copper pattern 4 and the through holes 9. Polishing was performed so that the resin filler 10 did not remain on the land surface, and then buffing was performed to remove scratches caused by the belt sander polishing. Such a series of polishing was similarly performed on the other surface of the substrate. Then, at 100 ° C for 1 hour, at 120 ° C for 3 hours, at 150 ° C
For 1 hour and a heat treatment at 180 ° C. for 7 hours to cure the resin filler 10.

【0101】このようにして、スルーホール9や導体回
路非形成部に形成された樹脂充填材10の表層部および
下層導体回路4の表面を平坦化し、樹脂充填材10と下
層導体回路4の側面4aとが粗化面を介して強固に密着
し、またスルーホール9の内壁面9aと樹脂充填材10
とが粗化面を介して強固に密着した絶縁性基板を得た
(図6(d)参照)。
In this way, the surface layer of the resin filler 10 formed in the through-hole 9 and the portion where the conductor circuit is not formed and the surface of the lower conductor circuit 4 are flattened, and the resin filler 10 and the side surface of the lower conductor circuit 4 are flattened. 4a is firmly adhered through the roughened surface, and the inner wall surface 9a of the through hole 9 and the resin filler 10
Was firmly adhered via the roughened surface to obtain an insulating substrate (see FIG. 6D).

【0102】(5) 上記基板を水洗、酸性脱脂した後、ソ
フトエッチングし、次いで、エッチング液を基板の両面
にスプレイで吹きつけて、下層導体回路4の表面とスル
ーホール9のランド表面と内壁とをエッチングすること
により、下層導体回路4の全表面に粗化面4a、9aを
形成した(図7(a)参照)。エッチング液として、イ
ミダゾール銅 (II)錯体10重量部、グリコール酸7重
量部、塩化カリウム5重量部からなるエッチング液(メ
ック社製、メックエッチボンド)を使用した。
(5) After the above substrate is washed with water and acid degreased, it is soft-etched, and then an etching solution is sprayed on both surfaces of the substrate by spraying, so that the surface of the lower conductor circuit 4 and the land surface of the through hole 9 and the inner wall are formed. Thus, roughened surfaces 4a and 9a were formed on the entire surface of the lower conductive circuit 4 (see FIG. 7A). As an etching solution, an etching solution (Mec etch bond, manufactured by Mec Co.) comprising 10 parts by weight of an imidazole copper (II) complex, 7 parts by weight of glycolic acid, and 5 parts by weight of potassium chloride was used.

【0103】(6) 基板の両面に、下層用の無電解めっき
用接着剤(粘度:1.5Pa・s)を調製後24時間以
内にロールコータを用いて塗布し、水平状態で20分間
放置してから、60℃で30分の乾燥を行った。次い
で、上層用の無電解めっき用接着剤(粘度:7Pa・
s)を調製後24時間以内にロールコータを用いて塗布
し、同様に水平状態で20分間放置してから、60℃で
30分の乾燥を行い、厚さ35μmの無電解めっき用接
着剤の層2a、2bを形成した(図7(b)参照)。
(6) An adhesive for electroless plating for the lower layer (viscosity: 1.5 Pa · s) is applied to both sides of the substrate using a roll coater within 24 hours after preparation, and left in a horizontal state for 20 minutes After that, drying was performed at 60 ° C. for 30 minutes. Next, an adhesive for electroless plating for the upper layer (viscosity: 7 Pa ·
s) was applied using a roll coater within 24 hours after preparation, and was similarly left standing in a horizontal state for 20 minutes, followed by drying at 60 ° C. for 30 minutes to obtain a 35 μm thick adhesive for electroless plating. The layers 2a and 2b were formed (see FIG. 7B).

【0104】(7) 上記(6) で無電解めっき用接着剤の層
2a、2bを形成した基板1の両面に、遮光インクによ
って直径85μmの黒円が描画されたフォトマスクフィ
ルムを密着させ、超高圧水銀灯により3000mJ/c
2 強度で露光した。この後、100℃で1時間、12
0℃で1時間、150℃で3時間の加熱処理を施し、フ
ォトマスクフィルムに相当する寸法精度に優れた直径8
5μmのバイアホール用開口6を有する厚さ35μmの
層間樹脂絶縁層2を形成した(図7(c)参照)。な
お、バイアホールとなる開口には、スズめっき層を部分
的に露出させた。
(7) A photomask film in which a black circle having a diameter of 85 μm is drawn with light-shielding ink is adhered to both surfaces of the substrate 1 on which the adhesive layers 2a and 2b for electroless plating are formed in (6) above, 3000mJ / c by ultra-high pressure mercury lamp
Exposure at m 2 intensity. Then, at 100 ° C. for 1 hour, 12
A heat treatment of 1 hour at 0 ° C. and 3 hours at 150 ° C. has a diameter of 8 with excellent dimensional accuracy equivalent to a photomask film.
An interlayer resin insulating layer 2 having a thickness of 35 μm and having a via hole opening 6 of 5 μm was formed (see FIG. 7C). Note that the tin plating layer was partially exposed in the opening serving as the via hole.

【0105】(8) バイアホール用開口6を形成した基板
を、クロム酸を含む溶液に19分間浸漬し、層間樹脂絶
縁層2の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去す
ることにより、層間樹脂絶縁層2の表面を粗面(深さ6
μm)とし、その後、中和溶液(シプレイ社製)に浸漬
してから水洗いした(図7(d)参照)。さらに、粗面
化処理した該基板の表面に、パラジウム触媒(アトテッ
ク製)を付与することにより、層間樹脂絶縁層2の表面
およびバイアホール用開口6の内壁面に触媒核を付着さ
せた。
(8) The substrate in which the via hole opening 6 is formed is immersed in a solution containing chromic acid for 19 minutes to dissolve and remove the epoxy resin particles present on the surface of the interlayer resin insulating layer 2, thereby obtaining the interlayer resin. The surface of the insulating layer 2 is made rough (depth 6
μm), and then immersed in a neutralizing solution (manufactured by Shipley) and washed with water (see FIG. 7D). Further, by applying a palladium catalyst (manufactured by Atotech) to the surface of the substrate subjected to the surface roughening treatment, catalyst nuclei were attached to the surface of the interlayer resin insulating layer 2 and the inner wall surface of the via hole opening 6.

【0106】(9) 次に、以下の組成の無電解銅めっき水
溶液中に基板を浸漬して、粗面全体に厚さ0.6〜1.
2μmの無電解銅めっき膜12を形成した(図8(a)
参照)。 〔無電解めっき水溶液〕 NiSO4 0.003 mol/l 酒石酸 0.200 mol/l 硫酸銅 0.030 mol/l HCHO 0.050 mol/l NaOH 0.100 mol/l α、α′−ビピリジル 40 mg/l ポリエチレングリコール(PEG) 0.10 g/l 〔無電解めっき条件〕35℃の液温で40分
(9) Next, the substrate was immersed in an electroless copper plating aqueous solution having the following composition, and the thickness was 0.6 to 1.
An electroless copper plating film 12 of 2 μm was formed (FIG. 8A).
reference). [Electroless plating aqueous solution] NiSO 4 0.003 mol / l tartaric acid 0.200 mol / l copper sulfate 0.030 mol / l HCHO 0.050 mol / l NaOH 0.100 mol / l α, α'-bipyridyl 40 mg / l Polyethylene glycol (PEG) 0.10 g / l [Electroless plating conditions] 40 minutes at a liquid temperature of 35 ° C

【0107】(10)市販の感光性ドライフィルムを無電解
銅めっき膜12に熱圧着することにより貼り付け、マス
クを載置して、100mJ/cm2 で露光した後、0.
8%炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ15μmのめっ
きレジスト3を設けた(図8(b)参照)。
(10) A commercially available photosensitive dry film is bonded to the electroless copper plating film 12 by thermocompression bonding, a mask is placed on the film, and exposure is performed at 100 mJ / cm 2 .
It was developed with 8% sodium carbonate to provide a plating resist 3 having a thickness of 15 μm (see FIG. 8B).

【0108】(11)ついで、以下の条件で電解銅めっきを
施し、厚さ15μmの電解銅めっき膜13を形成した
(図8(c)参照)。 〔電解めっき水溶液〕 硫酸 2.24 mol/l 硫酸銅 0.26 mol/l 添加剤 19.5 ml/l (アトテックジャパン社製、カパラシドHL) 〔電解めっき条件〕 電流密度 1 A/dm2 時間 65 分 温度 22±2 ℃
(11) Then, electrolytic copper plating was performed under the following conditions to form an electrolytic copper plating film 13 having a thickness of 15 μm (see FIG. 8C). [Electroplating aqueous solution] sulfuric acid 2.24 mol / l copper sulfate 0.26 mol / l additive 19.5 ml / l (manufactured by Atotech Japan, Capparaside HL) [electroplating conditions] current density 1 A / dm 2 hours 65 minutes Temperature 22 ± 2 ℃

【0109】(12)めっきレジスト3を5%KOHで剥離
除去した後、そのめっきレジスト3下の無電解めっき膜
12を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング処理して
溶解除去し、無電解銅めっき膜12と電解銅めっき膜1
3からなる厚さ18μmの導体回路(バイアホール7を
含む)5を形成した(図8(d)参照)。
(12) After the plating resist 3 is peeled off with 5% KOH, the electroless plating film 12 under the plating resist 3 is dissolved and removed by etching with a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide. Copper plating film 12 and electrolytic copper plating film 1
A conductor circuit (including the via hole 7) 5 made of 3 and having a thickness of 18 μm was formed (see FIG. 8D).

【0110】(13)続いて、上記(5) 〜(12)の工程を、繰
り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層と導体
回路とを形成し、多層配線板を得た。(図9(a)〜図
10(b)参照)。
(13) Subsequently, the above steps (5) to (12) were repeated to form a further upper interlayer resin insulating layer and a conductor circuit, thereby obtaining a multilayer wiring board. (See FIGS. 9A to 10B).

【0111】(14)次に、上層導体回路が形成された多層
配線板の両面に実施例2と同様にして、熱硬化型シクロ
オレフィン系樹脂からなるソルダーレジスト層を形成
し、さらに、実施例1の(14)〜(16)の工程と同様にして
多層配線プリント基板を製造し、これを用いてICチッ
プが接続されたプリント配線板(半導体装置)を得た。
(14) Next, a solder resist layer made of a thermosetting cycloolefin resin was formed on both surfaces of the multilayer wiring board having the upper conductor circuit formed thereon in the same manner as in Example 2. A multilayer wiring printed board was manufactured in the same manner as in the steps (14) to (16), and a printed wiring board (semiconductor device) to which an IC chip was connected was obtained using this.

【0112】(比較例1) (1) 実施例3の(1) 〜(13)の工程と同様にして、多層配
線板を得た(図11(a)参照)。 (2) 次に、実施例3の工程(5) で用いたエッチング液と
同様のエッチング液を用いて、導体回路(バイアホール
7を含む)5の表面をエッチングすることにより、導体
回路(バイアホール7を含む)5の表面に粗化面を形成
した(図11(b)参照)。
Comparative Example 1 (1) A multilayer wiring board was obtained in the same manner as in the steps (1) to (13) of Example 3 (see FIG. 11A). (2) Next, the surface of the conductor circuit (including the via hole 7) 5 is etched using an etching solution similar to the etching solution used in the step (5) of the third embodiment, thereby forming the conductor circuit (via). A roughened surface was formed on the surface of the hole 5 (including the hole 7) (see FIG. 11B).

【0113】(3) 次に、ジエチレングリコールジメチル
エーテル(DMDG)に60重量%の濃度になるように
溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(日
本火薬社製)のエポキシ基50%をアクリル化した感光
性付与のオリゴマー(分子量:4000)46.67重
量部、メチルエチルケトンに溶解させた80重量%のビ
スフェノールA型エポキシ樹脂(油化シェル社製、商品
名:エピコート1001)15重量部、イミダゾール硬
化剤(四国化成社製、商品名:2E4MZ−CN)1.
6重量部、感光性モノマーである多官能アクリルモノマ
ー(日本火薬社製、商品名:R604)3重量部、同じ
く多価アクリルモノマー(共栄社製化学社製、商品名:
DPE6A)1.5重量部、分散系消泡剤(サンノプコ
社製、商品名:S−65)0.71重量部を容器にと
り、攪拌、混合して混合組成物を調製し、この混合組成
物に対して光重合開始剤としてベンゾフェノン(関東化
学社製)2.0重量部、光増感剤としてのミヒラーケト
ン(関東化学社製)0.2重量部を加えて、粘度を25
℃で2.0Pa・sに調整したソルダーレジスト組成物
(有機樹脂絶縁材料)を得た。なお、粘度測定は、B型
粘度計(東京計器社製、DVL−B型)で60rpmの
場合はローターNo.4、6rpmの場合はローターN
o.3によった。
(3) Next, a cresol novolak-type epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) dissolved in diethylene glycol dimethyl ether (DMDG) so as to have a concentration of 60% by weight was used. 46.67 parts by weight of an oligomer (molecular weight: 4000) provided, 15 parts by weight of a bisphenol A type epoxy resin (trade name: Epicoat 1001 manufactured by Yuka Shell Co., Ltd.) dissolved in methyl ethyl ketone, and 15 parts by weight of an imidazole curing agent (Shikoku) (Product name: 2E4MZ-CN, manufactured by Kasei Co., Ltd.)
6 parts by weight, 3 parts by weight of a polyfunctional acrylic monomer (trade name: R604, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), which is a photosensitive monomer, and also a polyvalent acrylic monomer (trade name, manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.)
1.5 parts by weight of DPE6A) and 0.71 part by weight of a dispersion antifoaming agent (manufactured by San Nopco, trade name: S-65) are placed in a container, stirred and mixed to prepare a mixed composition, and this mixed composition is prepared. To the mixture were added 2.0 parts by weight of benzophenone (manufactured by Kanto Kagaku) as a photopolymerization initiator and 0.2 parts by weight of Michler's ketone (manufactured by Kanto Kagaku) as a photosensitizer to give a viscosity of 25
A solder resist composition (organic resin insulating material) adjusted to 2.0 Pa · s at ° C was obtained. The viscosity was measured with a B-type viscometer (DVL-B type, manufactured by Tokyo Keiki Co., Ltd.) when the rotor No. was 60 rpm. Rotor N at 4,6 rpm
o. According to 3.

【0114】(4) 次に、多層配線基板の両面に、上記ソ
ルダーレジスト組成物を20μmの厚さで塗布し、70
℃で20分間、70℃で30分間の条件で乾燥処理を行
った後、ソルダーレジスト開口部のパターンが描画され
た厚さ5mmのフォトマスクをソルダーレジスト層に密
着させて1000mJ/cm2 の紫外線で露光し、DM
TG溶液で現像処理し、200μmの直径の開口を形成
した。そして、さらに、80℃で1時間、100℃で1
時間、120℃で1時間、150℃で3時間の条件でそ
れぞれ加熱処理を行ってソルダーレジスト層を硬化さ
せ、半田パッド部分が開口した、その厚さが20μmの
ソルダーレジスト層(有機樹脂絶縁層)14を形成し
た。
(4) Next, the above-mentioned solder resist composition is applied to both sides of the multilayer wiring board in a thickness of 20 μm,
After performing a drying process under the conditions of 20 ° C. for 20 minutes and 70 ° C. for 30 minutes, a 5 mm-thick photomask on which a pattern of the opening of the solder resist is drawn is brought into close contact with the solder resist layer, and an ultraviolet ray of 1000 mJ / cm 2 is applied. Exposure with DM
Development was performed with a TG solution to form an opening having a diameter of 200 μm. Then, at 80 ° C. for 1 hour, and at 100 ° C. for 1 hour.
The solder resist layer was cured by performing heat treatment under the conditions of 1 hour at 120 ° C. for 1 hour and 3 hours at 150 ° C., and a solder resist layer (organic resin insulating layer) having an opening in the solder pad portion and having a thickness of 20 μm. 14) was formed.

【0115】(5) 次に、ソルダーレジスト層(有機樹脂
絶縁層)14を形成した基板を、塩化ニッケル(2.3
×10-1mol/l)、次亜リン酸ナトリウム(2.8
×10 -1mol/l)、クエン酸ナトリウム(1.6×
10-1mol/l)を含むpH=4.5の無電解ニッケ
ルめっき液に20分間浸漬して、開口部に厚さ5μmの
ニッケルめっき層15を形成した。さらに、その基板を
シアン化金カリウム(7.6×10-3mol/l)、塩
化アンモニウム(1.9×10-1mol/l)、クエン
酸ナトリウム(1.2×10-1mol/l)、次亜リン
酸ナトリウム(1.7×10-1mol/l)を含む無電
解めっき液に80℃の条件で7.5分間浸漬して、ニッ
ケルめっき層15上に、厚さ0.03μmの金めっき層
16を形成した。
(5) Next, a solder resist layer (organic resin
The substrate on which the insulating layer (14) was formed was coated with nickel chloride (2.3).
× 10-1mol / l), sodium hypophosphite (2.8
× 10 -1mol / l), sodium citrate (1.6 ×
10-1mol / l) and pH = 4.5
Immersion in a plating solution for 20 minutes, and a 5 μm thick
A nickel plating layer 15 was formed. In addition, the board
Potassium gold cyanide (7.6 × 10-3mol / l), salt
Ammonium iodide (1.9 × 10-1mol / l), quenched
Sodium acid (1.2 × 10-1mol / l), phosphorus hypophosphite
Sodium acid (1.7 × 10-1mol / l)
Immerse in a plating solution at 80 ° C for 7.5 minutes,
0.03 μm thick gold plating layer on the Kell plating layer 15
No. 16 was formed.

【0116】(6) この後、ソルダーレジスト層14の開
口に半田ペーストを印刷して、200℃でリフローする
ことにより半田バンプ(半田体)17を形成し、半田バ
ンプ17を有する多層配線プリント基板を製造した(図
11(c)参照)。この後、この多層配線プリント基板
を用いてICチップが接続されたプリント配線板(半導
体装置)を得た。
(6) After that, a solder paste is printed on the opening of the solder resist layer 14 and reflowed at 200 ° C. to form a solder bump (solder body) 17, and a multilayer wiring printed board having the solder bump 17 Was manufactured (see FIG. 11C). Thereafter, a printed wiring board (semiconductor device) to which an IC chip was connected was obtained using the multilayer wiring printed board.

【0117】実施例1〜3および比較例1で得られた多
層プリント配線板について、誘電率および誘電正接を測
定し、さらに、製造した半導体装置を用いて信号遅延お
よび信号エラーが発生するか否かを評価した。結果を下
記の表1に示した。
The dielectric constant and the dielectric loss tangent of the multilayer printed wiring boards obtained in Examples 1 to 3 and Comparative Example 1 were measured, and further, whether or not a signal delay and a signal error occurred using the manufactured semiconductor device was determined. Was evaluated. The results are shown in Table 1 below.

【0118】[0118]

【表1】 [Table 1]

【0119】上記表1の結果より明らかなように、実施
例の多層プリント配線板では、多層プリント配線板全体
の誘電率および誘電正接が低く、この多層プリント配線
板を用いて製造した半導体装置では、信号遅延も信号エ
ラーも発生しなかったのに対し、比較例の多層プリント
配線板を用いた半導体装置では、信号遅延および信号エ
ラーが発生した。
As is clear from the results shown in Table 1, in the multilayer printed wiring board of the embodiment, the dielectric constant and the dielectric loss tangent of the entire multilayer printed wiring board are low, and the semiconductor device manufactured using this multilayer printed wiring board has Neither signal delay nor signal error occurred, but in the semiconductor device using the multilayer printed wiring board of the comparative example, signal delay and signal error occurred.

【0120】[0120]

【発明の効果】以上説明したように本発明の多層プリン
ト配線板は、ソルダーレジスト層1GHzにおける誘電
率が3.0以下と低いため、GHz帯域の高周波信号を
用いた場合にも、信号遅延や信号エラーが発生しにく
い。
As described above, the multilayer printed wiring board of the present invention has a low dielectric constant of 1 GHz or less at a solder resist layer of 1 GHz. Signal error is less likely to occur.

【0121】また、本発明の半導体装置は、ソルダーレ
ジスト層としてポリオレフィン系樹脂を使用し、層間樹
脂絶縁層としてポリオレフィン系樹脂等を使用している
ので、誘電率や誘電正接が小さく、そのためにGHz帯
域の高周波信号を用いたICチップ等を搭載した半導体
装置においても、信号遅延や信号エラーが発生しにく
い。
Further, since the semiconductor device of the present invention uses a polyolefin resin as the solder resist layer and a polyolefin resin as the interlayer resin insulating layer, the dielectric constant and the dielectric loss tangent are small. Even in a semiconductor device mounted with an IC chip or the like using a high-frequency signal in a band, signal delay and signal error hardly occur.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】(a)〜(d)は、本発明の多層プリント配線
板の製造工程の一部を示す縦断面図である。
FIGS. 1A to 1D are longitudinal sectional views showing a part of a manufacturing process of a multilayer printed wiring board according to the present invention.

【図2】(a)〜(d)は、本発明の多層プリント配線
板の製造工程の一部を示す縦断面図である。
FIGS. 2A to 2D are longitudinal sectional views showing a part of a manufacturing process of the multilayer printed wiring board of the present invention.

【図3】(a)〜(c)は、本発明の多層プリント配線
板の製造工程の一部を示す縦断面図である。
FIGS. 3A to 3C are longitudinal sectional views showing a part of a manufacturing process of the multilayer printed wiring board of the present invention.

【図4】(a)〜(c)は、本発明の多層プリント配線
板の製造工程の一部を示す縦断面図である。
FIGS. 4A to 4C are longitudinal sectional views showing a part of a manufacturing process of the multilayer printed wiring board of the present invention.

【図5】(a)、(b)は、本発明の多層プリント配線
板の製造工程の一部を示す縦断面図である。
FIGS. 5A and 5B are longitudinal sectional views showing a part of a manufacturing process of the multilayer printed wiring board of the present invention.

【図6】(a)〜(d)は、本発明の多層プリント配線
板の製造工程の一部を示す縦断面図である。
FIGS. 6A to 6D are longitudinal sectional views showing a part of a manufacturing process of the multilayer printed wiring board of the present invention.

【図7】(a)〜(d)は、本発明の多層プリント配線
板の製造工程の一部を示す縦断面図である。
FIGS. 7A to 7D are longitudinal sectional views showing a part of the manufacturing process of the multilayer printed wiring board of the present invention.

【図8】(a)〜(d)は、本発明の多層プリント配線
板の製造工程の一部を示す縦断面図である。
FIGS. 8A to 8D are longitudinal sectional views showing a part of the manufacturing process of the multilayer printed wiring board of the present invention.

【図9】(a)〜(c)は、本発明の多層プリント配線
板の製造工程の一部を示す縦断面図である。
FIGS. 9A to 9C are longitudinal sectional views showing a part of the manufacturing process of the multilayer printed wiring board of the present invention.

【図10】(a)、(b)は、本発明の多層プリント配
線板の製造工程の一部を示す縦断面図である。
FIGS. 10A and 10B are longitudinal sectional views showing a part of the manufacturing process of the multilayer printed wiring board of the present invention.

【図11】(a)〜(c)は、従来の多層プリント配線
板の製造工程の一部を示す縦断面図である。
FIGS. 11A to 11C are longitudinal sectional views showing a part of a manufacturing process of a conventional multilayer printed wiring board.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板 2 層間樹脂絶縁層 3 めっきレジスト 4 下層導体回路 4a 粗化面 5 上層導体回路 6 バイアホール用開口 7 バイアホール 8 銅箔 9 スルーホール 9a 粗化面 10 樹脂充填材 12a Ni金属層 12b 無電解銅めっき膜 13 電気めっき膜 14 ソルダーレジスト層 15 ニッケルめっき膜 16 金めっき膜 17 半田バンプ Reference Signs List 1 substrate 2 interlayer resin insulating layer 3 plating resist 4 lower layer conductor circuit 4a roughened surface 5 upper layer conductor circuit 6 via hole opening 7 via hole 8 copper foil 9 through hole 9a roughened surface 10 resin filler 12a Ni metal layer 12b none Electrolytic copper plating film 13 Electroplating film 14 Solder resist layer 15 Nickel plating film 16 Gold plating film 17 Solder bump

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 関根 浩司 岐阜県揖斐郡揖斐川町北方1−1 イビデ ン株式会社大垣北工場内 (72)発明者 島田 憲一 岐阜県揖斐郡揖斐川町北方1−1 イビデ ン株式会社大垣北工場内 Fターム(参考) 5E314 AA25 AA27 BB13 CC15 DD07 FF05 FF19 GG12 GG26 5E346 AA33 AA43 CC08 CC21 CC52 DD46 FF24 HH05 HH08  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Koji Sekine, Inventor 1-1, Ibigawa-cho, Ibi-gun, Gifu Prefecture Ibiden Corporation Ogaki-Kita Plant (72) Inventor Kenichi Shimada 1-1, Ibigawa-cho, Ibi-gun, Gifu Prefecture Ibid F-term in Ogaki Kita Plant (reference) 5E314 AA25 AA27 BB13 CC15 DD07 FF05 FF19 GG12 GG26 5E346 AA33 AA43 CC08 CC21 CC52 DD46 FF24 HH05 HH08

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板上に導体回路と樹脂絶縁層とが順次
形成され、最上層にソルダーレジスト層が形成された多
層プリント配線板において、前記ソルダーレジスト層の
1GHzにおける誘電率は、3.0以下であることを特
徴とする多層プリント配線板。
1. A multilayer printed wiring board in which a conductive circuit and a resin insulating layer are sequentially formed on a substrate and a solder resist layer is formed on an uppermost layer, the dielectric constant of the solder resist layer at 1 GHz is 3.0. A multilayer printed wiring board characterized by the following.
【請求項2】 基板上に導体回路と樹脂絶縁層とが順次
形成され、最上層にソルダーレジスト層が形成された多
層プリント配線板において、前記ソルダーレジスト層
は、ポリオレフィン系樹脂からなることを特徴とする多
層プリント配線板。
2. A multilayer printed wiring board in which a conductive circuit and a resin insulating layer are sequentially formed on a substrate and a solder resist layer is formed on an uppermost layer, wherein the solder resist layer is made of a polyolefin resin. Multilayer printed wiring board.
【請求項3】 前記ソルダーレジスト層の1GHzにお
ける誘電率は、3.0以下である請求項2に記載の多層
プリント配線板。
3. The multilayer printed wiring board according to claim 2, wherein the dielectric constant of the solder resist layer at 1 GHz is 3.0 or less.
【請求項4】 前記ソルダーレジスト層の1GHzにお
ける誘電正接は、0.01以下である請求項1、2また
は3に記載の多層プリント配線板。
4. The multilayer printed wiring board according to claim 1, wherein a dielectric loss tangent of the solder resist layer at 1 GHz is 0.01 or less.
【請求項5】 前記ソルダーレジスト層は、シクロオレ
フィン系樹脂からなる請求項1〜4のいずれかに記載の
多層プリント配線板。
5. The multilayer printed wiring board according to claim 1, wherein said solder resist layer is made of a cycloolefin resin.
【請求項6】 前記シクロオレフィン系樹脂は、2−ノ
ルボルネン、5−エチリデン−2−ノルボルネンまたは
これらの誘導体からなる単量体の単独重合体または共重
合体である請求項5に記載の多層プリント配線板。
6. The multilayer print according to claim 5, wherein the cycloolefin-based resin is a homopolymer or a copolymer of a monomer comprising 2-norbornene, 5-ethylidene-2-norbornene, or a derivative thereof. Wiring board.
【請求項7】 前記シクロオレフィン系樹脂は、熱硬化
性シクロオレフィン系樹脂である請求項5または6に記
載の多層プリント配線板。
7. The multilayer printed wiring board according to claim 5, wherein the cycloolefin resin is a thermosetting cycloolefin resin.
【請求項8】 前記樹脂絶縁層は、ポリオレフィン系樹
脂またはポリフェニレン系樹脂からなる請求項1〜7の
いずれかに記載の多層プリント配線板。
8. The multilayer printed wiring board according to claim 1, wherein the resin insulating layer is made of a polyolefin resin or a polyphenylene resin.
【請求項9】 基板上に導体回路と樹脂絶縁層とが順次
形成され、さらに最上層に、開口部を有するとともに前
記開口部に半田バンプを有するソルダーレジスト層が形
成された多層プリント配線板に、前記半田バンプを介し
てICチップが接続された半導体装置において、前記ソ
ルダーレジスト層は、ポリオレフィン系樹脂からなり、
前記樹脂絶縁層は、ポリオレフィン系樹脂、ポリフェニ
レン系樹脂またはフッ素系樹脂からなることを特徴とす
る半導体装置。
9. A multilayer printed wiring board in which a conductive circuit and a resin insulating layer are sequentially formed on a substrate, and a solder resist layer having an opening and a solder bump in the opening is formed on the uppermost layer. In a semiconductor device in which an IC chip is connected via the solder bumps, the solder resist layer is made of a polyolefin resin,
The semiconductor device according to claim 1, wherein the resin insulating layer is made of a polyolefin resin, a polyphenylene resin, or a fluorine resin.
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JP2016134395A (en) * 2015-01-15 2016-07-25 イビデン株式会社 Manufacturing method of printed wiring board

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