JP2000328256A - Electroless plating liquid and production of printed wiring board using the same - Google Patents

Electroless plating liquid and production of printed wiring board using the same

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JP2000328256A
JP2000328256A JP2000034005A JP2000034005A JP2000328256A JP 2000328256 A JP2000328256 A JP 2000328256A JP 2000034005 A JP2000034005 A JP 2000034005A JP 2000034005 A JP2000034005 A JP 2000034005A JP 2000328256 A JP2000328256 A JP 2000328256A
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resin
layer
electroless plating
conductor circuit
forming
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JP2000034005A
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Honchin En
本鎮 袁
Toru Nakai
通 中井
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Ibiden Co Ltd
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Ibiden Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electroless plating liquid capable of forming a covering layer so as to keep a ruggedness of a roughened surface as it is, without short- circuiting conductor circuits to each other due to the occurrence of abnormal precipitation and whiskers between the conductor circuits at the time of covering the conductor circuit on which the roughened surface is formed. SOLUTION: This electroless plating liquid is used after (1) forming the conductor circuit 4 on an insulating substrate, executing roughening treatment to the conductor circuit and forming the roughened surface thereon, or after (2) forming the conductor circuit of plural layers with interposed interlayer insulating layers on the insulating substrate, executing roughening treatment to the conductor circuit formed on the uppermost layer and forming the roughened surface thereon in order to form the covering layer 4b on the roughened surface which is formed in (1) of (2). In such a case, at least metallic salt, complex salt, reducing agent and surfactant are compounded in the electroless plating liquid.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、粗化面が形成され
た導体回路の表面を、平坦化することなく被覆層を形成
することが可能な無電解めっき液、および、該無電解め
っき液を用いて導体回路を被覆する工程を含むプリント
配線板の製造方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electroless plating solution capable of forming a coating layer without flattening the surface of a conductor circuit having a roughened surface, and the electroless plating solution. And a method of manufacturing a printed wiring board including a step of coating a conductive circuit using the method.

【0002】[0002]

【従来の技術】いわゆる多層ビルドアップ配線基板と呼
ばれる多層プリント配線板は、セミアディティブ法等に
より製造されており、コアと呼ばれる0.5〜1.5m
m程度のガラスクロス等で補強された樹脂基板の上に、
銅等による導体回路と層間樹脂絶縁層とを交互に積層す
ることにより作製される。この多層プリント配線板の層
間樹脂絶縁層を介した導体回路間の接続は、バイアホー
ルにより行われている。
2. Description of the Related Art A multilayer printed wiring board called a so-called multilayer build-up wiring board is manufactured by a semi-additive method or the like.
m on a resin substrate reinforced with glass cloth, etc.
It is manufactured by alternately laminating a conductor circuit made of copper or the like and an interlayer resin insulating layer. The connection between the conductor circuits via the interlayer resin insulation layer of the multilayer printed wiring board is performed by via holes.

【0003】従来、ビルドアップ多層プリント配線板
は、例えば、特開平9−130050号公報等に開示さ
れた方法により製造されている。すなわち、まず、銅箔
が貼り付けられた銅張積層板に貫通孔を形成し、続いて
無電解銅めっき処理を施すことによりスルーホールを形
成する。続いて、基板の表面をフォトリソグラフィーの
手法を用いて導体パターン状にエッチング処理して導体
回路を形成する。次に、形成された導体回路の表面に、
無電解めっきやエッチング等により粗化面を形成し、そ
の粗化面を有する導体回路上に絶縁樹脂層を形成した
後、露光、現像処理を行ってバイアホール用開口を形成
し、その後、UV硬化、本硬化を経て層間樹脂絶縁層を
形成する。さらに、層間樹脂絶縁層に酸や酸化剤などに
より粗化形成処理を施した後、薄い無電解めっき膜を形
成し、この無電解めっき膜上にめっきレジストを形成し
た後、電解めっきにより厚付けを行い、めっきレジスト
剥離後にエッチングを行って、下層の導体回路とバイア
ホールにより接続された導体回路を形成する。これを繰
り返した後、最後に導体回路を保護するためのソルダー
レジスト層を形成し、導体回路との接続のために開口を
露出させた部分に、半田ペーストを印刷して半田バンプ
を形成することにより、ビルドアップ多層プリント配線
板が得られる。
Conventionally, build-up multilayer printed wiring boards have been manufactured by a method disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-130050. That is, first, a through hole is formed in the copper-clad laminate to which the copper foil is attached, and then a through hole is formed by performing an electroless copper plating process. Subsequently, the surface of the substrate is etched into a conductor pattern using a photolithography technique to form a conductor circuit. Next, on the surface of the formed conductor circuit,
After forming a roughened surface by electroless plating or etching, forming an insulating resin layer on the conductor circuit having the roughened surface, performing exposure and development processing to form a via hole opening, and then UV After curing and main curing, an interlayer resin insulating layer is formed. Furthermore, after performing a roughening formation process on the interlayer resin insulation layer with an acid or an oxidizing agent, a thin electroless plating film is formed, a plating resist is formed on the electroless plating film, and then a thick film is formed by electrolytic plating. After the plating resist is removed, etching is performed to form a conductor circuit connected to the lower conductor circuit by via holes. After repeating this, finally form a solder resist layer to protect the conductor circuit, print solder paste on the part where the opening is exposed for connection with the conductor circuit, and form solder bumps Thereby, a build-up multilayer printed wiring board is obtained.

【0004】また、このような多層プリント配線板の製
造工程において、導体回路の表面に、無電解めっきやエ
ッチング等により粗化面を形成した後、粗化面が形成さ
れた導体回路が酸化剤等により溶解するのを防止するた
めに、例えば、スズ塩を含む無電解めっき液を用いて保
護膜を形成している。
In the process of manufacturing such a multilayer printed wiring board, a roughened surface is formed on the surface of the conductive circuit by electroless plating, etching, or the like, and then the conductive circuit having the roughened surface is oxidized. For example, in order to prevent the dissolution of the protective film, a protective film is formed using an electroless plating solution containing a tin salt.

【0005】例えば、特開平9−130050号公報に
よれば、Cu−Ni−P合金からなる粗化層が形成され
た下層導体回路表面を、イオン化傾向が銅より大きくチ
タン以下である金属の1種類以上で被覆することによ
り、この工程の後に形成した開口を有する層間樹脂絶縁
層の粗化工程で用いるクロム酸、過マンガン酸等の粗化
液やソフトエッチング液から保護して、下層導体回路の
変色や溶解による層間樹脂絶縁層のハロー(剥がれ)現
象を防止する。
For example, according to Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 9-130050, the surface of a lower conductive circuit on which a roughened layer made of a Cu—Ni—P alloy is formed is made of a metal having a higher ionization tendency than titanium and less than titanium. By covering with a kind or more, the lower conductive circuit is protected from a roughening liquid such as chromic acid and permanganic acid and a soft etching liquid used in the roughening step of the interlayer resin insulating layer having an opening formed after this step. To prevent halo (peeling) of the interlayer resin insulating layer due to discoloration or dissolution of the resin.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、粗化面
を有する導体回路を無電解めっき液を用いて被覆する際
に、従来の無電解めっき液を使用すると、形成された凹
凸の形状によっては、以下のような不都合が発生する。
すなわち、エッチング等により凹凸が形成された場合、
または、その高さが1μm前後と余り高くない凹凸形状
の粗化面が形成された場合、図17に示したように、凹
凸形状の導体回路21上に形成された被覆層21aが、
凹部を埋め尽くして凹凸の高さを殆どなくしてしまった
り、図18(a)に示したように、凸部に形成された被
覆層同士が連結されてブリッジ状の被覆層21aが形成
され、導体回路上に形成する層間絶縁層の密着性が低下
するという問題があった。
However, when a conventional electroless plating solution is used to cover a conductor circuit having a roughened surface with an electroless plating solution, depending on the shape of the formed unevenness, The following inconveniences occur.
That is, when irregularities are formed by etching or the like,
Alternatively, when a roughened surface having an uneven shape whose height is not so high as about 1 μm is formed, as shown in FIG. 17, the coating layer 21a formed on the conductive circuit 21 having the uneven shape is
The height of the unevenness is almost completely eliminated by filling the concave portion, or as shown in FIG. 18A, the coating layers formed on the convex portion are connected to each other to form a bridge-shaped coating layer 21a. There is a problem that the adhesion of the interlayer insulating layer formed on the conductor circuit is reduced.

【0007】また、図18(b)に示したように、ブリ
ッジ状の被覆層21aが形成されると、凹部に隙間22
が形成されてしまうため、層間絶縁層23の粗化工程で
用いる粗化液やエッチング液が隙間22に入り込み、導
体回路21の一部を溶解させたり、密着性の低い層間絶
縁層23と導体回路21との間にエッチング液が浸透
し、層間絶縁層23の剥がれが発生するという問題もあ
った。
Further, as shown in FIG. 18B, when the bridge-like coating layer 21a is formed, the gap 22 is formed in the concave portion.
Is formed, so that a roughening solution or an etching solution used in the step of roughening the interlayer insulating layer 23 enters the gaps 22 to dissolve a part of the conductor circuit 21 or to form a conductor with the interlayer insulating layer 23 having low adhesion. There is also a problem that the etchant penetrates into the circuit 21 and the interlayer insulating layer 23 is peeled off.

【0008】さらに、導体回路間の樹脂表面に存在する
金属等の不純物に起因して、図19に示したように樹脂
表面上に異常析出24が発生したり、図20に示したよ
うに、被覆層にウィスカー(ヒゲ状析出体)25が成長
し、導体回路21同士が短絡されてしまうという問題も
あった。
Further, due to impurities such as metals existing on the resin surface between the conductor circuits, abnormal precipitation 24 occurs on the resin surface as shown in FIG. 19, or as shown in FIG. There was also a problem that whiskers (whisker-like precipitates) 25 grew on the coating layer and the conductor circuits 21 were short-circuited.

【0009】本発明は、上述の問題を解決するためにな
されたものであり、その目的は、粗化面が形成された導
体回路を被覆する際に、導体回路間の異常析出やウィス
カーの発生により導体回路同士を短絡させることがな
く、粗化面の凹凸形状をそのまま維持するように被覆層
を形成することが可能な無電解めっき液、および、該無
電解めっき液を使用して導体回路上に被覆層を形成する
ことにより、その上に形成される層間絶縁層との密着性
に優れたプリント配線板の製造が可能なプリント配線板
の製造方法を提案することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to provide a method for coating a conductor circuit having a roughened surface with the occurrence of abnormal deposition or whisker between the conductor circuits. An electroless plating solution capable of forming a coating layer so as to maintain the uneven shape of the roughened surface without causing a short circuit between the conductor circuits, and a conductor circuit using the electroless plating solution. An object of the present invention is to propose a method of manufacturing a printed wiring board that can form a printed wiring board having excellent adhesion to an interlayer insulating layer formed thereon by forming a coating layer thereon.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記目的
の実現に向け鋭意研究した結果、以下に示す内容を要旨
構成とする発明に到達した。すなわち、本発明の無電解
めっき液は、(1) 絶縁性基板上に導体回路を形成し、上
記導体回路にめっき処理を行うかあるいはエッチング処
理を行うことにより粗化形成処理を施して粗化面を形成
した後、または、(2) 絶縁性基板上に層間絶縁層を挟ん
で複数層の導体回路を形成し、最上層に形成した導体回
路にめっき処理を行うかあるいはエッチング処理を行う
ことにより粗化形成処理を施して粗化面を形成した後、
上記(1) または(2) において形成した粗化面に被覆層を
形成するために使用する無電解めっき液であって、少な
くとも金属塩と、錯化剤と、還元剤と、界面活性剤とが
配合されていることを特徴とする。
Means for Solving the Problems The inventors of the present invention have made intensive studies for realizing the above object, and as a result, have arrived at an invention having the following content as a gist configuration. That is, the electroless plating solution of the present invention is obtained by (1) forming a conductor circuit on an insulating substrate and subjecting the conductor circuit to a plating treatment or an etching treatment to perform a roughening formation treatment, After forming the surface, or (2) forming a conductor circuit of multiple layers with an interlayer insulating layer interposed on the insulating substrate, and plating or etching the conductor circuit formed on the uppermost layer After forming a roughened surface by performing a roughening forming process by
An electroless plating solution used for forming a coating layer on the roughened surface formed in (1) or (2) above, wherein at least a metal salt, a complexing agent, a reducing agent, a surfactant and Is blended.

【0011】本発明の無電解めっき液に含まれる上記金
属塩は、スズ塩、亜鉛塩、ニッケル塩、コバルト塩、タ
リウム塩および鉛塩からなる群から選択される少なくと
も1種であることが好ましい。また、上記界面活性剤
は、ポリエチレングリコール、ポリプロピレンオキシド
およびポリエチレンオキシドからなる群から選択される
少なくとも1種であることが好ましい。
The metal salt contained in the electroless plating solution of the present invention is preferably at least one selected from the group consisting of tin salts, zinc salts, nickel salts, cobalt salts, thallium salts and lead salts. . Further, the surfactant is preferably at least one selected from the group consisting of polyethylene glycol, polypropylene oxide and polyethylene oxide.

【0012】また、上記無電解めっき液において、上記
金属塩の濃度は0.01〜3mol/lであり、上記錯
化剤の濃度は0.1〜2mol/lであり、上記還元剤
の濃度は1〜80g/lであり、上記界面活性剤の濃度
は0.1〜10g/lであることが好ましい。
In the electroless plating solution, the concentration of the metal salt is 0.01 to 3 mol / l, the concentration of the complexing agent is 0.1 to 2 mol / l, and the concentration of the reducing agent is 0.1 to 2 mol / l. Is preferably 1 to 80 g / l, and the concentration of the surfactant is preferably 0.1 to 10 g / l.

【0013】また、上記無電解めっき液は、上記金属塩
等のほかに、さらに、ゼラチンが配合されていることが
好ましく、その濃度は、100〜2000mg/lが好
ましい。
It is preferable that the electroless plating solution further contains gelatin in addition to the metal salt and the like, and the concentration thereof is preferably 100 to 2000 mg / l.

【0014】また、本発明のプリント配線板の製造方法
は、絶縁性基板上に層間絶縁層を挟んだ複数層からなる
導体回路を形成するプリント配線板の製造方法であっ
て、上記導体回路に粗化形成処理を施して粗化面を形成
し、上記粗化面に上記した無電解めっき液を用いて被覆
層を形成した後、上記被覆層が形成された導体回路を含
む基板面を層間絶縁材料で被覆することを特徴とする。
The method of manufacturing a printed wiring board according to the present invention is a method of manufacturing a printed wiring board in which a conductor circuit comprising a plurality of layers with an interlayer insulating layer interposed therebetween is formed on an insulating substrate. After performing a roughening formation process to form a roughened surface and forming a coating layer on the roughened surface using the above-described electroless plating solution, the substrate surface including the conductor circuit on which the coating layer is formed is interlayer-bonded. It is characterized by being coated with an insulating material.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】本発明の無電解めっき液は、(1)
絶縁性基板上に導体回路を形成し、上記導体回路にめっ
き処理を行うかあるいはエッチング処理を行うことによ
り粗化形成処理を施して粗化面を形成した後、または、
(2) 絶縁性基板上に層間絶縁層を挟んで複数層の導体回
路を形成し、最上層に形成した導体回路にめっき処理を
行うかあるいはエッチング処理を行うことにより粗化形
成処理を施して粗化面を形成した後、上記(1) または
(2) において形成した粗化面に被覆層を形成するために
使用する無電解めっき液であって、少なくとも金属塩
と、錯化剤と、還元剤と、界面活性剤とが配合されてい
ることを特徴とする。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The electroless plating solution of the present invention comprises (1)
After forming a roughened surface by forming a conductive circuit on the insulating substrate, performing a roughening process by performing a plating process or an etching process on the conductive circuit, or
(2) Forming a plurality of conductive circuits on an insulating substrate with an interlayer insulating layer interposed therebetween, and subjecting the conductive circuit formed on the uppermost layer to plating or etching to perform a roughening process. After forming the roughened surface, (1) or
(2) An electroless plating solution used for forming a coating layer on the roughened surface formed in (2), wherein at least a metal salt, a complexing agent, a reducing agent, and a surfactant are blended. It is characterized by the following.

【0016】上記無電解めっき液は、上述した配合物を
含んでいるので、粗化面の形状に対する追従性に優れ、
図1に示したように、例えば、下層導体回路4に形成さ
れた粗化面に沿ってほぼ均一に被覆膜4bが形成される
ため、被覆前の粗化面の凹凸の形状がそのまま維持され
る。そのため、層間絶縁層と導体回路との密着性に優れ
る。また、導体回路間での異常析出やウィスカーの発生
等を引き起こさないため、導体回路間が短絡するのを防
止することができる。
Since the above-mentioned electroless plating solution contains the above-mentioned compound, it has excellent followability to the shape of the roughened surface,
As shown in FIG. 1, for example, since the coating film 4b is formed almost uniformly along the roughened surface formed in the lower conductive circuit 4, the shape of the unevenness of the roughened surface before coating is maintained as it is. Is done. Therefore, the adhesion between the interlayer insulating layer and the conductor circuit is excellent. Further, since no abnormal deposition or whisker is generated between the conductor circuits, a short circuit between the conductor circuits can be prevented.

【0017】また、上記無電解めっき液が、さらにゼラ
チンを含んでいる場合には、めっき膜の析出反応が適度
に抑制されるため、下層導体回路4に形成された粗化面
に沿ってより均一な被覆膜が形成され、被覆前の粗化面
の凹凸の形状がそのまま維持される。
Further, when the electroless plating solution further contains gelatin, the deposition reaction of the plating film is appropriately suppressed, so that the electroless plating solution is formed along the roughened surface formed in the lower conductor circuit 4. A uniform coating film is formed, and the shape of the irregularities on the roughened surface before coating is maintained as it is.

【0018】また、めっき条件やめっきの対象となる基
材の条件によっては、多少異常析出が発生することもあ
るが、その場合でも、導体回路からはみ出す導体層の幅
は、せいぜい1μm程度であるので、導体回路(配線)
同士が短絡することはない。ウィスカーが発生する場合
も、その長さはせいぜい1μm程度であり、導体回路
(配線)同士が短絡することはない。
Depending on the plating conditions and the conditions of the substrate to be plated, some abnormal deposition may occur, but even in such a case, the width of the conductor layer protruding from the conductor circuit is at most about 1 μm. So the conductor circuit (wiring)
There is no short circuit between them. Even when whiskers are generated, their length is at most about 1 μm, and there is no short circuit between the conductor circuits (wirings).

【0019】本発明のプリント配線板の製造方法は、絶
縁性基板上に層間絶縁層を挟んだ複数層からなる導体回
路を形成するプリント配線板の製造方法であって、上記
導体回路に粗化形成処理を施して粗化面を形成し、上記
粗化面に上記無電解めっき液を用いて被覆層を形成した
後、上記被覆層が形成された導体回路を含む基板面を層
間絶縁材料で被覆することを特徴とする。
The method of manufacturing a printed wiring board according to the present invention is a method of manufacturing a printed wiring board for forming a conductive circuit comprising a plurality of layers with an interlayer insulating layer interposed therebetween on an insulating substrate. After performing a forming treatment to form a roughened surface and forming a coating layer on the roughened surface using the electroless plating solution, the substrate surface including the conductor circuit on which the coating layer is formed is formed of an interlayer insulating material. It is characterized by coating.

【0020】本発明のプリント配線板の製造方法におい
ては、上記無電解めっき液を用いて粗化面に被覆層を形
成するので、粗化面に沿ってほぼ均一に被覆膜を形成す
ることができ、被覆前の粗化面の凹凸形状をそのまま維
持することができ、導体回路とその上に形成する層間絶
縁層との密着性に優れたプリント配線板を製造すること
ができる。
In the method for manufacturing a printed wiring board of the present invention, since the coating layer is formed on the roughened surface using the above electroless plating solution, the coating film is formed almost uniformly along the roughened surface. As a result, it is possible to maintain the uneven shape of the roughened surface before coating as it is, and to manufacture a printed wiring board having excellent adhesion between the conductor circuit and the interlayer insulating layer formed thereon.

【0021】まず、本発明の無電解めっき液について説
明する。本発明の無電解めっき液は、少なくとも金属塩
と、錯化剤と、還元剤と、界面活性剤とが配合されてい
る。
First, the electroless plating solution of the present invention will be described. The electroless plating solution of the present invention contains at least a metal salt, a complexing agent, a reducing agent, and a surfactant.

【0022】前記金属塩としては特に限定されず、例え
ば、スズ塩、亜鉛塩、ニッケル塩、コバルト塩、タリウ
ム塩、鉛塩などが挙げられる。これらの塩は、単独で用
いてもよく、2種以上を併用してもよい。上記スズ塩と
しては、例えば、ホウフッ化スズ、塩化スズ、スズ酸カ
リウム(スズ酸ナトリウム)、硫酸スズなどが挙げられ
る。
The metal salt is not particularly restricted but includes, for example, tin salts, zinc salts, nickel salts, cobalt salts, thallium salts, lead salts and the like. These salts may be used alone or in combination of two or more. Examples of the tin salt include tin borofluoride, tin chloride, potassium stannate (sodium stannate), tin sulfate and the like.

【0023】上記亜鉛塩としては、例えば、塩化亜鉛、
臭化亜鉛、ヨウ化亜鉛などが挙げられ、上記ニッケル塩
としては、塩化ニッケル、硫酸ニッケルなどが挙げら
れ、コバルト塩としては、塩化コバルトなどが挙げられ
る。上記タリウム塩としては、例えば、塩化タリウムな
どが挙げられ、上記鉛塩としては、例えば、塩化鉛、硝
酸鉛などが挙げられる。
Examples of the zinc salt include zinc chloride,
Examples include zinc bromide and zinc iodide. Examples of the nickel salt include nickel chloride and nickel sulfate. Examples of the cobalt salt include cobalt chloride. Examples of the thallium salt include thallium chloride, and examples of the lead salt include lead chloride and lead nitrate.

【0024】上記金属塩の濃度は特に限定されないが、
0.01〜3mol/lが望ましい。上記金属塩の濃度
が、0.01mol/l未満では、被覆層が形成されな
い部分が生じることがあり、3mol/lを超えると均
一な被覆層が形成されないことがある。より望ましい濃
度は、0.03〜0.1mol/lである。
The concentration of the metal salt is not particularly limited.
0.01 to 3 mol / l is desirable. When the concentration of the metal salt is less than 0.01 mol / l, a portion where the coating layer is not formed may occur, and when it exceeds 3 mol / l, a uniform coating layer may not be formed. A more desirable concentration is from 0.03 to 0.1 mol / l.

【0025】上記錯化剤としては、例えば、チオ尿素、
チオリンゴ酸、チオ尿素誘導体などが挙げられる。上記
錯化剤の濃度としては特に限定されないが、0.1〜2
mol/lが望ましい。上記錯化剤の濃度が、0.1m
ol/l未満では、めっきの析出速度が遅すぎるため、
粗化面の凹部が埋められてしまい粗化面が平坦化されて
しまうことがあり、2mol/lを超えると、めっきの
析出速度が速すぎるため、粗化面の凹部に被覆層が形成
されず、被覆層が不均一になることがある。より望まし
い濃度は、0.3〜1mol/lである。
Examples of the complexing agent include thiourea,
Thiomalic acid, thiourea derivatives and the like. The concentration of the complexing agent is not particularly limited, but may be 0.1 to 2
mol / l is desirable. The concentration of the complexing agent is 0.1 m
If it is less than ol / l, the deposition rate of the plating is too slow.
The recesses on the roughened surface may be buried and the roughened surface may be flattened. If it exceeds 2 mol / l, the deposition rate of the plating is too fast, so that a coating layer is formed on the recessed portions on the roughened surface. And the coating layer may be non-uniform. A more desirable concentration is 0.3 to 1 mol / l.

【0026】上記還元剤としては、例えば、次亜リン酸
ナトリウム、ホルムアルデヒド、水素化ホウ素ナトリウ
ム、ヒドラジン、ジメチルアミンボランなどが挙げられ
る。上記還元剤が配合されていることにより、めっき液
によって導体回路が酸化されることを防止することがで
きる。そのため、めっき時に、導体層に含まれる銅等が
めっき液中に溶出することを防止することができる。上
記還元剤の濃度としては特に限定されないが、通常、1
〜80g/lが望ましい。上記還元剤の濃度が1g/l
未満では、導体回路の酸化を防止することができず、銅
等が溶出してしまうことがあり、80g/lを超えても
導体回路の酸化を防止する効果はほとんど変わらない。
より望ましい濃度は、10〜40g/lである。
Examples of the reducing agent include sodium hypophosphite, formaldehyde, sodium borohydride, hydrazine, dimethylamine borane and the like. By incorporating the reducing agent, it is possible to prevent the conductor circuit from being oxidized by the plating solution. Therefore, it is possible to prevent copper and the like contained in the conductor layer from being eluted into the plating solution during plating. The concentration of the reducing agent is not particularly limited.
~ 80 g / l is desirable. The concentration of the reducing agent is 1 g / l
If it is less than 10, the oxidation of the conductor circuit cannot be prevented, and copper or the like may be eluted. Even if it exceeds 80 g / l, the effect of preventing the oxidation of the conductor circuit hardly changes.
A more desirable concentration is 10 to 40 g / l.

【0027】上記界面活性剤としては、例えば、ポリエ
チレングリコール(PEG)、ポリプロピレンオキシ
ド、ポリエチレンオキシド等が挙げられるが、これらの
なかでは、ポリエチレングリコールが好ましく、その分
子量が♯600〜♯10000であるものがより好まし
い。上記界面活性剤が配合されることにより粗化面の形
状に対する追従性に優れた無電解めっき液となる。ま
た、水溶性であるポリエチレングリコールは、めっき析
出反応を遅くさせ、また、形成された無電解めっき膜と
しての光沢性を向上させることができる。なお、上記し
た界面活性剤は、単独で用いてもよいし、2種以上併用
してもよい。
The surfactant includes, for example, polyethylene glycol (PEG), polypropylene oxide, polyethylene oxide and the like. Of these, polyethylene glycol is preferred, and those having a molecular weight of ♯600 to ♯10,000 are preferred. Is more preferred. By blending the above surfactant, an electroless plating solution having excellent followability to the shape of the roughened surface can be obtained. In addition, water-soluble polyethylene glycol can slow down the plating deposition reaction and improve the gloss of the formed electroless plating film. The above-mentioned surfactants may be used alone or in combination of two or more.

【0028】上記界面活性剤の濃度としては特に限定さ
れないが、0.1〜10g/lが望ましい。界面活性剤
の配合量が0.1g/1未満であると、つき回り性が悪
くなり、めっき被膜の厚みに場所により差が生じてしま
うことがあり、一方、10g/1を超えると、導体回路
の場所により光沢度に差が出てしまうために、新たに被
覆層が形成された導体回路が後工程で劣化するという問
題が起きることがある。より望ましい濃度は、0.5〜
2g/lである。
The concentration of the surfactant is not particularly limited, but is preferably 0.1 to 10 g / l. If the amount of the surfactant is less than 0.1 g / 1, the throwing power becomes poor and the thickness of the plating film may vary depending on the location. Since the glossiness differs depending on the location of the circuit, a problem may occur in which the conductor circuit on which the new coating layer is formed is deteriorated in a later step. A more desirable concentration is 0.5 to
2 g / l.

【0029】上記無電解めっき液に配合される配合物の
それぞれの濃度が上記した範囲にある場合、上記無電解
めっき液は、特に、有機酸と第二銅錯体とを含む混合液
や、硫酸と過酸化水素とを含む混合液や、硫酸と過酸化
水素とハロゲンとを含む混合液を用いたエッチング処理
によって形成された粗化面上に被覆層を形成する際に用
いる無電解めっき液として適している。通常、上記エッ
チング液により形成される粗化面の凹凸はあまり大きく
ないが、配合物の濃度が上記範囲にある無電解めっき液
では、粗化面の凹凸に沿って、より均一で薄い被覆層を
形成することができるからである。
When the concentration of each of the components to be mixed with the electroless plating solution is within the above range, the electroless plating solution is preferably a mixed solution containing an organic acid and a cupric complex, or sulfuric acid. Electroless plating solution used when forming a coating layer on a roughened surface formed by an etching process using a mixed solution containing hydrogen and hydrogen peroxide or a mixed solution containing sulfuric acid, hydrogen peroxide and halogen. Are suitable. Usually, the roughness of the roughened surface formed by the etching solution is not so large, but in the electroless plating solution in which the concentration of the compound is in the above range, a more uniform and thin coating layer is formed along the unevenness of the roughened surface. Is formed.

【0030】本発明の無電解めっき液は、ゼラチンが配
合されていてもよい。上記ゼラチンとしては、コラーゲ
ンを水で煮沸して不可逆的に水溶性に変えたタンパク質
であり、ペプチド連鎖間の塩類結合や水素結合の開裂の
ために、コラーゲン分子の2次構造が壊れることにより
変性されたものが好ましい。このゼラチンは、その水溶
液を長時間煮沸することによりペプチド鎖が短くなった
ものであり、冷やしてもゲル化しなくなり、温水には溶
けて粘性の高いゾルになる。また、製法によって、酸性
のものやアルカリ性のものができる。このゼラチンでゾ
ル状になったものは、めっき液中に添加することによ
り、めっきの析出状態を調整することができる。
The electroless plating solution of the present invention may contain gelatin. The above-mentioned gelatin is a protein in which collagen is irreversibly converted to water-soluble by boiling in water, and denatured by breaking the secondary structure of collagen molecules due to cleavage of salt bonds and hydrogen bonds between peptide chains. Is preferred. This gelatin is obtained by boiling the aqueous solution for a long time to shorten the peptide chain, does not gel even when cooled, and dissolves in warm water to form a highly viscous sol. Further, depending on the production method, an acidic or alkaline product can be obtained. The gelatinous sol can be added to the plating solution to adjust the plating deposition state.

【0031】また、上記ゼラチンと上記界面活性剤との
種類やその量(濃度)を選択することにより、無電解め
っき膜の析出状態をより容易に制御することができ、導
体回路間の異常析出やウィスカーの発生などをより防止
することができ、導体回路の凹凸形状に沿って均一に被
覆層を形成することができる。
Further, by selecting the types and amounts (concentrations) of the gelatin and the surfactant, the deposition state of the electroless plating film can be more easily controlled, and abnormal deposition between the conductor circuits can be achieved. And whiskers can be further prevented, and the coating layer can be formed uniformly along the uneven shape of the conductor circuit.

【0032】上記ゼラチンの濃度としては特に限定され
ないが、100〜2000mg/lが好ましい。ゼラチ
ンの濃度が100mg/l未満であると、析出速度制御
ができないためにウィスカーの発生等前述の問題を引き
起こすことがあり、2000mg/lを超えると、反応
性が低下しすぎて粗化面に被覆されていない部分が発生
したり、めっきの析出が止まってしまったりすることが
ある。
The concentration of the gelatin is not particularly limited, but is preferably 100 to 2000 mg / l. If the concentration of gelatin is less than 100 mg / l, the above-mentioned problems such as generation of whiskers may be caused due to the inability to control the precipitation rate. In some cases, an uncoated portion may occur, or the deposition of plating may stop.

【0033】本発明の無電解めっき液に、上記ゼラチン
を配合する場合、上記ゼラチンと上記界面活性剤との配
合割合は、重量比で0.5〜2.0:0.5〜2.0が
好ましく、1:1がより好ましい。上記ゼラチンと上記
界面活性剤とを約1:1の割合で添加することにより、
析出の速度を制御することが容易になり、めっき液の安
定性を保ち易く、上述した不都合の発生を防止すること
ができる。
When the above-mentioned gelatin is mixed with the electroless plating solution of the present invention, the mixing ratio of the above-mentioned gelatin and the above-mentioned surfactant is 0.5-2.0: 0.5-2.0 by weight ratio. Is preferable, and 1: 1 is more preferable. By adding the gelatin and the surfactant in a ratio of about 1: 1,
It is easy to control the rate of deposition, it is easy to maintain the stability of the plating solution, and it is possible to prevent the above-mentioned disadvantages from occurring.

【0034】本発明で用いる無電解めっき液としては、
特に、スズ塩または亜鉛塩を含むものが好ましく、これ
らの金属塩を用いることにより置換めっきを行うことが
できる。また、これらのめっき液は、無電解めっきによ
って導体回路に粗化層を形成するのにも有効である。
The electroless plating solution used in the present invention includes:
In particular, those containing a tin salt or a zinc salt are preferable, and displacement plating can be performed by using these metal salts. These plating solutions are also effective for forming a roughened layer on a conductor circuit by electroless plating.

【0035】具体的には、上記スズ塩を含む無電解めっ
き液としては、ホウフッ化スズとチオ尿素または塩化ス
ズとチオ尿素とに上記した次亜リン酸ナトリウム等の還
元剤、ポリエチレングリコール等の界面活性剤を含有さ
せ、さらに、必要に応じてゼラチンを含有させたものが
挙げられる。
Specifically, examples of the electroless plating solution containing a tin salt include tin borofluoride and thiourea or tin chloride and thiourea with the above-mentioned reducing agent such as sodium hypophosphite, polyethylene glycol and the like. Those containing a surfactant and, if necessary, gelatin.

【0036】また、上記亜鉛塩を含む無電解めっき液と
しては、塩化亜鉛、臭化亜鉛、ヨウ化亜鉛などの金属塩
と、チオ尿素に代表される錯化剤と、その他の種々の添
加剤を配合したものが挙げられる。亜鉛塩を含む無電解
めっき液を用いる場合には、亜鉛塩単独では、ウィスカ
ーが発生してしまう場合があるので、鉛塩、銅塩、アン
チモン塩などを含んだめっき液を調製し、合金として析
出させることが望ましい。
Examples of the electroless plating solution containing the zinc salt include metal salts such as zinc chloride, zinc bromide and zinc iodide, a complexing agent represented by thiourea, and various other additives. Are blended. When using an electroless plating solution containing a zinc salt, whiskers may be generated with the zinc salt alone.Therefore, a plating solution containing a lead salt, a copper salt, an antimony salt or the like is prepared, and as an alloy. It is desirable to precipitate.

【0037】めっき処理を行う際の温度が20℃以下で
は、反応性が抑えられているために析出速度が遅くなり
すぎてしまう。従って、めっき処理を行う際の温度は、
25〜60℃が望ましく、25〜50℃がより望まし
く、25〜40℃の間が更に望ましい。25〜60℃の
範囲の温度であれば、析出速度、析出状態、めっき被膜
の特性に問題を起こさず、安定してめっき被膜を形成す
ることができるからでもある。60℃を超えると、析出
速度の安定性に欠け、界面活性剤の熱による変質、劣化
が起きたりする場合がある。
If the temperature at the time of performing the plating treatment is 20 ° C. or lower, the deposition rate becomes too slow because the reactivity is suppressed. Therefore, the temperature when performing the plating process is
The temperature is preferably from 25 to 60C, more preferably from 25 to 50C, even more preferably from 25 to 40C. If the temperature is in the range of 25 to 60 ° C., there is no problem in the deposition rate, the deposition state, and the characteristics of the plating film, and the plating film can be formed stably. If the temperature exceeds 60 ° C., the stability of the deposition rate is lacking, and the surfactant may be deteriorated or deteriorated by heat in some cases.

【0038】また、めっき処理を行う際の処理時間は特
に限定されないが、30秒〜5分が望ましい。上記処理
時間が30秒未満では、被覆層の形成されない部分が生
じることがあり、一方、5分を超えると均一な被覆層が
形成されないことがあったり、粗化面の凹部が埋められ
てしまうことがある。なお、めっきの析出速度は無電解
めっき液の配合物の濃度によって調整可能であるため、
上記処理時間は、配合物の濃度を考慮して最適な時間を
選択すればよい。
The processing time for performing the plating process is not particularly limited, but is preferably 30 seconds to 5 minutes. If the above treatment time is less than 30 seconds, a portion where the coating layer is not formed may occur. On the other hand, if it exceeds 5 minutes, a uniform coating layer may not be formed or the concave portion of the roughened surface may be filled. Sometimes. In addition, since the deposition rate of plating can be adjusted by the concentration of the composition of the electroless plating solution,
The above processing time may be selected in consideration of the concentration of the compound.

【0039】また、粗化層が銅(例えば、Cu−Ni−
P合金)等により形成されている場合、無電解めっき液
の濡れ性を向上させるために、前処理液として、還元剤
あるいは酸化剤を10重量%程度含有する液や、10v
ol%程度の濃度の硫酸、ホウフッ酸、ピロリン酸の水
溶液などを用い、この前処理液に粗化層が形成された基
板を浸漬した後、無電解めっき液で処理すると、未反応
による被覆層の欠損を防止することができる。
The roughened layer is made of copper (for example, Cu-Ni-
(P alloy) or the like, in order to improve the wettability of the electroless plating solution, a solution containing about 10% by weight of a reducing agent or an oxidizing agent as a pretreatment solution, or 10 v
ol% concentration of sulfuric acid, borofluoric acid, pyrophosphoric acid, etc., and immersing the substrate with the roughened layer in this pretreatment liquid, and then treating it with an electroless plating solution, the coating layer due to unreacted Loss can be prevented.

【0040】本発明の無電解めっき液は、導体回路上に
Cu−Ni−P合金からなる多孔質の粗化層を形成した
り、有機酸と第二銅錯体とを含むエッチング液や、硫酸
と過酸化水素とを含むエッチング液や、硫酸と過酸化水
素とハロゲンとを含むエッチング液を用いて導体回路に
粗化面を形成した場合に、特に有効である。
The electroless plating solution of the present invention can be used to form a porous roughened layer made of a Cu—Ni—P alloy on a conductor circuit, an etching solution containing an organic acid and a cupric complex, or sulfuric acid. This is particularly effective when a roughened surface is formed on a conductor circuit using an etching solution containing hydrogen and hydrogen peroxide or an etching solution containing sulfuric acid, hydrogen peroxide and halogen.

【0041】次に、本発明の無電解めっき液を用いたプ
リント配線板の製造方法について、説明する。 (1) 本発明のプリント配線板の製造方法においては、ま
ず、絶縁性基板の表面に導体回路が形成された基板を作
製する。
Next, a method for manufacturing a printed wiring board using the electroless plating solution of the present invention will be described. (1) In the method for manufacturing a printed wiring board of the present invention, first, a substrate having a conductive circuit formed on a surface of an insulating substrate is prepared.

【0042】絶縁性基板としては、樹脂基板が望まし
く、具体的には、例えば、ガラスエポキシ基板、ポリエ
ステル基板、ポリイミド基板、ビスマレイミド−トリア
ジン樹脂基板、フッ素樹脂基板、セラミック基板、銅張
積層板などが挙げられる。このとき、この絶縁性基板に
ドリル、レーザ等で貫通孔を設け、該貫通孔の壁面およ
び銅箔表面に無電解めっきを施して表面導電膜およびス
ルーホールを形成してもよい。無電解めっきとしては銅
めっきが好ましい。
As the insulating substrate, a resin substrate is desirable. Specifically, for example, a glass epoxy substrate, a polyester substrate, a polyimide substrate, a bismaleimide-triazine resin substrate, a fluororesin substrate, a ceramic substrate, a copper-clad laminate, etc. Is mentioned. At this time, a through hole may be formed in the insulating substrate by a drill, a laser, or the like, and the surface conductive film and the through hole may be formed by performing electroless plating on the wall surface of the through hole and the surface of the copper foil. Copper plating is preferred as the electroless plating.

【0043】この無電解めっきの後、通常、スルーホー
ル内壁および電解めっき膜表面の粗化形成処理を行う。
粗化形成処理方法としては、例えば、黒化(酸化)−還
元処理、有機酸と第二銅錯体との混合水溶液や、硫酸と
過酸化水素とを含む混合水溶液や、硫酸と過酸化水素と
ハロゲンとを含む混合水溶液によるスプレー処理、Cu
−Ni−P針状合金めっきによる処理などが挙げられ
る。なお、場合によっては、粗化面を形成した基板の余
分な成分(水分、溶剤分など)を除去するための熱処理
を行ってもよい。
After this electroless plating, a roughening treatment is usually performed on the inner wall of the through hole and the surface of the electrolytic plating film.
Examples of the roughening forming treatment method include blackening (oxidation) -reduction treatment, a mixed aqueous solution of an organic acid and a cupric complex, a mixed aqueous solution containing sulfuric acid and hydrogen peroxide, and a mixed aqueous solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide. Spray treatment with mixed aqueous solution containing halogen, Cu
-Ni-P needle-like alloy plating. In some cases, heat treatment for removing extra components (moisture, solvent, and the like) of the substrate having the roughened surface may be performed.

【0044】上記有機酸と第二銅錯体との混合水溶液に
おける有機酸としては、例えば、蟻酸、酢酸、プロピオ
ン酸、酪酸、吉草酸、カプロン酸、アクリル酸、クロト
ン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、マ
レイン酸、安息香酸、グリコール酸、乳酸、リンゴ酸、
スルファミン酸等が挙げられる。これらは、単独で用い
てもよく、2種以上併用してもよい。上記混合水溶液に
おいて、上記有機酸の含有量は、0.1〜30重量%が
望ましい。酸化された銅の溶解性を維持し、かつ触媒安
定性を確保することができるからである。
Examples of the organic acid in the mixed aqueous solution of the above organic acid and the cupric complex include formic acid, acetic acid, propionic acid, butyric acid, valeric acid, caproic acid, acrylic acid, crotonic acid, oxalic acid, malonic acid, Succinic acid, glutaric acid, maleic acid, benzoic acid, glycolic acid, lactic acid, malic acid,
Sulfamic acid and the like. These may be used alone or in combination of two or more. In the mixed aqueous solution, the content of the organic acid is desirably 0.1 to 30% by weight. This is because the solubility of the oxidized copper can be maintained and the stability of the catalyst can be ensured.

【0045】また、上記第二銅錯体としては、アゾール
類の第二銅錯体が望ましい。このアゾール類の第二銅錯
体は、金属銅等を酸化する酸化剤として作用する。アゾ
ール類としては、例えば、ジアゾール、トリアゾール、
テトラゾール等が挙げられる。これらのなかでも、イミ
ダゾール、2−メチルイミダゾール、2−エチルイミダ
ゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、2−フ
ェニルイミダゾール、2−ウンデシルイミダゾールが望
ましい。上記混合水溶液において、上記第二銅錯体の含
有量は、1〜15重量%が望ましい。溶解性および安定
性に優れ、また、触媒核を構成するPd等の貴金属をも
溶解させることができるからである。
The cupric complex is preferably an azole cupric complex. This cupric complex of azoles acts as an oxidizing agent for oxidizing metallic copper and the like. As the azoles, for example, diazole, triazole,
Tetrazole and the like. Among these, imidazole, 2-methylimidazole, 2-ethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, and 2-undecylimidazole are desirable. In the mixed aqueous solution, the content of the cupric complex is desirably 1 to 15% by weight. This is because it is excellent in solubility and stability, and can also dissolve noble metals such as Pd constituting the catalyst core.

【0046】Cu−Ni−P針状合金めっきによる処理
としては、例えば、以下のような方法が挙げられる。す
なわち、硫酸銅(1〜40g/l)、硫酸ニッケル
(0.1〜6.0g/l)、クエン酸(10〜20g/
l)、次亜リン酸ナトリウム(10〜100g/l)、
ホウ酸(10〜40g/l)および界面活性剤(日信化
学工業社製、サーフィノール465)(0.01〜10
g/l)を含むPH=9の無電解めっき浴にて無電解め
っきを施す方法等が挙げられる。なお、上記無電解めっ
き浴には、上記化合物に加えて錯化剤や添加剤を加えて
もよい。
The treatment by the Cu—Ni—P needle-like alloy plating includes, for example, the following method. That is, copper sulfate (1 to 40 g / l), nickel sulfate (0.1 to 6.0 g / l), citric acid (10 to 20 g / l)
l), sodium hypophosphite (10-100 g / l),
Boric acid (10 to 40 g / l) and a surfactant (Surfynol 465 manufactured by Nissin Chemical Industry Co., Ltd.) (0.01 to 10
g / l) and a method of performing electroless plating in an electroless plating bath with PH = 9. In addition, you may add a complexing agent and an additive to the said electroless plating bath in addition to the said compound.

【0047】(2) 次に、無電解めっきが施された基板上
に導体回路形状のエッチングレジストを形成し、エッチ
ングを行うことにより導体回路を形成する。次に、この
導体回路が形成された基板表面に樹脂充填剤を塗布、乾
燥させて半硬化状態とした後、研摩を行い、樹脂充填材
の層を研削するとともに、導体回路の上部も研削し、基
板の両主面を平坦化する。この後、樹脂充填材の層を完
全硬化する。
(2) Next, an etching resist having a conductor circuit shape is formed on the substrate subjected to the electroless plating, and the conductor circuit is formed by performing etching. Next, a resin filler is applied to the surface of the substrate on which the conductive circuit is formed, dried to a semi-cured state, then polished, the resin filler layer is ground, and the upper part of the conductive circuit is also ground. Then, both main surfaces of the substrate are flattened. Thereafter, the layer of the resin filler is completely cured.

【0048】(3) 次に、導体回路の粗化形成処理を行
う。粗化形成処理方法としては、例えば、無電解めっき
により導体回路上にCu−Ni−P合金からなる針状ま
たは多孔質状の粗化層を形成する方法、黒化(酸化)−
還元処理方法、有機酸と第二銅錯体との混合水溶液、硫
酸と過酸化水素とを含む混合水溶液、硫酸と過酸化水素
とハロゲンとを含む混合水溶液等のエッチング液を用い
る方法など導体回路をエッチングすることにより粗化面
を形成する方法などが挙げられる。
(3) Next, a roughening process of the conductor circuit is performed. Examples of the roughening forming method include a method of forming a needle-like or porous roughening layer made of a Cu—Ni—P alloy on a conductive circuit by electroless plating, and a method of blackening (oxidizing).
Conductive circuits such as a reduction treatment method, a mixed aqueous solution of an organic acid and a cupric complex, an aqueous mixed solution containing sulfuric acid and hydrogen peroxide, and a mixed aqueous solution containing sulfuric acid, hydrogen peroxide and halogen are used. There is a method of forming a roughened surface by etching.

【0049】(4) ついで、導体回路上への粗化層の形成
または導体回路のエッチングにより形成された粗化面
に、少なくともスズ塩または亜鉛塩などの金属塩と、錯
化剤と、還元剤と、界面活性剤とを含む本発明の無電解
めっき液を用いて、被覆層を形成する。被覆層の厚さ
は、0.01〜2μmが好ましい。被覆層の厚さが0.
01μm未満であると、被覆層が薄すぎるため、導体回
路表面にめっき膜が形成されていない部分が発生し、一
方、被覆層の厚さが2μmを超えると、均一な被覆層を
形成するのが困難になり、粗化面の凹凸の差が小さくな
り、導体回路上に密着性に優れた層間樹脂絶縁層を形成
するのが困難になる。より好ましい被覆層の厚さは0.
01〜1μmであり、更に好ましい被覆層の厚さは0.
03〜0.5μmである。
(4) Then, at least a metal salt such as a tin salt or a zinc salt, a complexing agent, and a reducing agent are formed on the roughened surface formed by forming a roughened layer on the conductor circuit or etching the conductor circuit. A coating layer is formed by using the electroless plating solution of the present invention containing an agent and a surfactant. The thickness of the coating layer is preferably 0.01 to 2 μm. When the thickness of the coating layer is 0.
When the thickness is less than 01 μm, the coating layer is too thin, and a portion where the plating film is not formed occurs on the surface of the conductor circuit. On the other hand, when the thickness of the coating layer exceeds 2 μm, a uniform coating layer is formed. This makes it difficult to form the interlayer resin insulating layer having excellent adhesion on the conductor circuit. More preferably, the thickness of the coating layer is 0.1.
01 to 1 μm, and more preferably the thickness of the coating layer is 0.1 μm.
03 to 0.5 μm.

【0050】(5) この後、粗化形成処理がされた導体回
路上に層間樹脂絶縁層を設ける。層間樹脂絶縁層の材料
としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂
の一部を感光化した樹脂またはこれらの複合樹脂を使用
することができる。層間絶縁層は、未硬化の樹脂を塗布
して形成してもよく、また、未硬化の樹脂フィルムを熱
圧着して形成してもよい。さらに、未硬化の樹脂フィル
ムの片面に銅箔などの金属層が形成された樹脂フィルム
を貼付してもよい。このような樹脂フィルムを使用する
場合は、バイアホール形成部分の金属層をエッチングし
た後、レーザ光を照射して開口を設ける。金属層が形成
された樹脂フィルムとしては、樹脂付き銅箔などを使用
することができる。
(5) Thereafter, an interlayer resin insulating layer is provided on the roughened conductor circuit. As a material of the interlayer resin insulating layer, a thermosetting resin, a thermoplastic resin, a resin obtained by sensitizing a part of the thermosetting resin, or a composite resin thereof can be used. The interlayer insulating layer may be formed by applying an uncured resin, or may be formed by thermocompression bonding an uncured resin film. Further, a resin film in which a metal layer such as a copper foil is formed on one surface of an uncured resin film may be attached. When such a resin film is used, an opening is formed by irradiating a laser beam after etching a metal layer in a via hole forming portion. As the resin film having the metal layer formed thereon, a resin-coated copper foil or the like can be used.

【0051】上記層間絶縁層を形成する際に、無電解め
っき用接着剤を使用することができる。この無電解めっ
き用接着剤は、硬化処理された酸あるいは酸化剤に可溶
性の耐熱性樹脂粒子が、酸あるいは酸化剤に難溶性の未
硬化の耐熱性樹脂中に分散されてなるものが最適であ
る。酸、酸化剤で処理することにより、耐熱性樹脂粒子
が溶解除去されて、表面に蛸つぼ状のアンカーからなる
粗化面を形成することができるからである。
When forming the interlayer insulating layer, an adhesive for electroless plating can be used. The most suitable adhesive for electroless plating is one in which heat-resistant resin particles soluble in a cured acid or oxidizing agent are dispersed in an uncured heat-resistant resin hardly soluble in an acid or oxidizing agent. is there. By treating with an acid or an oxidizing agent, the heat-resistant resin particles are dissolved and removed, and a roughened surface composed of an octopus pot-shaped anchor can be formed on the surface.

【0052】上記無電解めっき用接着剤において、特に
硬化処理された上記耐熱性樹脂粒子としては、(a) 平均
粒径が10μm以下の耐熱性樹脂粉末、(b) 平均粒径が
2μm以下の耐熱性樹脂粉末を凝集させた凝集粒子、
(c) 平均粒径が2〜10μmの耐熱性樹脂粉末と平均粒
径が2μm以下の耐熱性樹脂粉末との混合物、(d) 平均
粒径が2〜10μmの耐熱性樹脂粉末の表面に平均粒径が
2μm以下の耐熱性樹脂粉末または無機粉末のいずれか
少なくとも1種を付着させてなる疑似粒子、(e) 平均粒
径が0.1〜0.8μmの耐熱性樹脂粉末と平均粒径が
0.8μmを超え、2μm未満の耐熱性樹脂粉末との混
合物、(f) 平均粒径が0.1〜1.0μmの耐熱性樹脂
粉末を用いることが望ましい。これらは、より複雑なア
ンカーを形成することができるからである。
In the above-mentioned adhesive for electroless plating, particularly as the heat-resistant resin particles cured, (a) a heat-resistant resin powder having an average particle size of 10 μm or less, and (b) an average particle size of 2 μm or less. Aggregated particles obtained by aggregating heat-resistant resin powder,
(c) a mixture of a heat-resistant resin powder having an average particle diameter of 2 to 10 μm and a heat-resistant resin powder having an average particle diameter of 2 μm or less, (d) an average particle diameter of 2 to 10 μm on the surface of the heat-resistant resin powder. Pseudo particles obtained by adhering at least one of a heat-resistant resin powder or an inorganic powder having a particle diameter of 2 μm or less, (e) a heat-resistant resin powder having an average particle diameter of 0.1 to 0.8 μm and an average particle diameter It is desirable to use a mixture with a heat-resistant resin powder having a particle size of more than 0.8 μm and less than 2 μm, and (f) a heat-resistant resin powder having an average particle size of 0.1 to 1.0 μm. This is because these can form a more complicated anchor.

【0053】酸処理等により形成する粗化面の高さは、
Rmax=0.01〜20μmが望ましい。導体回路と
の密着性を確保するためである。特にセミアディティブ
法では、0.1〜5μmが望ましい。密着性を確保しつ
つ、無電解めっき膜を除去することができるからであ
る。上記酸あるいは酸化剤に難溶性の耐熱性樹脂として
は、「熱硬化性樹脂および熱可塑性樹脂からなる樹脂複
合体」または「感光性樹脂および熱可塑性樹脂からなる
樹脂複合体」などが望ましい。前者については耐熱性が
高く、後者についてはバイアホール用の開口をフォトリ
ソグラフィーにより形成できるからである。
The height of the roughened surface formed by acid treatment or the like is as follows:
Rmax = 0.01 to 20 μm is desirable. This is for ensuring adhesion to the conductor circuit. In particular, in the semi-additive method, 0.1 to 5 μm is desirable. This is because the electroless plating film can be removed while ensuring adhesion. As the heat-resistant resin hardly soluble in an acid or an oxidizing agent, a “resin composite composed of a thermosetting resin and a thermoplastic resin” or a “resin composite composed of a photosensitive resin and a thermoplastic resin” is desirable. This is because the former has high heat resistance, and the latter can form an opening for a via hole by photolithography.

【0054】上記熱硬化性樹脂としては、例えば、エポ
キシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂などを使用
することができる。また、感光化した樹脂としては、メ
タクリル酸やアクリル酸などと熱硬化基をアクリル化反
応させたものが挙げられる。特にエポキシ樹脂をアクリ
レート化したものが最適である。エポキシ樹脂として
は、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック
型、などのノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタ
ジエン変成した脂環式エポキシ樹脂などを使用すること
ができる。
As the thermosetting resin, for example, epoxy resin, phenol resin, polyimide resin and the like can be used. Examples of the photosensitized resin include those obtained by subjecting a thermosetting group to methacrylic acid or acrylic acid to undergo an acrylation reaction. In particular, an acrylated epoxy resin is most suitable. As the epoxy resin, a novolak type epoxy resin such as a phenol novolak type and a cresol novolak type, and an alicyclic epoxy resin modified with dicyclopentadiene can be used.

【0055】熱可塑性樹脂としては、ポリエーテルスル
フォン(PES)、ポリスルフォン(PSF)、ポリフ
ェニレンスルフォン(PPS)、ポリフェニレンサルフ
ァイド(PPES)、ポリフェニルエーテル(PP
E)、ポリエーテルイミド(PI)、フッ素樹脂、フェ
ノキシ樹脂などを使用することができる。熱硬化性樹脂
(感光性樹脂)と熱可塑性樹脂の混合割合は、熱硬化性
樹脂(感光性樹脂)/熱可塑性樹脂=95/5〜50/
50が望ましい。耐熱性を損なうことなく、高い靱性値
を確保できるからである。
As the thermoplastic resin, polyether sulfone (PES), polysulfone (PSF), polyphenylene sulfone (PPS), polyphenylene sulfide (PPES), polyphenyl ether (PP
E), polyetherimide (PI), fluororesin, phenoxy resin and the like can be used. The mixing ratio of the thermosetting resin (photosensitive resin) and the thermoplastic resin is as follows: thermosetting resin (photosensitive resin) / thermoplastic resin = 95/5 to 50 /
50 is desirable. This is because a high toughness value can be secured without impairing the heat resistance.

【0056】上記耐熱性樹脂粒子の混合重量比は、耐熱
性樹脂マトリックスの固形分に対して5〜50重量%が
望ましく、10〜40重量%がさらに望ましい。耐熱性
樹脂粒子は、アミノ樹脂(メラミン樹脂、尿素樹脂、グ
アナミン樹脂)、エポキシ樹脂などが望ましい。
The mixing weight ratio of the heat-resistant resin particles is preferably from 5 to 50% by weight, more preferably from 10 to 40% by weight, based on the solid content of the heat-resistant resin matrix. As the heat-resistant resin particles, an amino resin (a melamine resin, a urea resin, a guanamine resin), an epoxy resin, or the like is desirable.

【0057】また、上記層間樹脂絶縁層は、上記無電解
めっき用接着剤以外に、ポリフェニレンエーテル樹脂、
熱可塑性エラストマー樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ
素樹脂、トリアジン樹脂等を用いて形成することもでき
る。上記ポリフェニレンエーテル樹脂としては、例え
ば、下記化学式(1)で表される繰り返し単位を有する
熱可塑性ポリフェニレンエーテル樹脂や下記化学式
(2)で表される繰り返し単位を有する熱硬化性ポリフ
ェニレンエーテル樹脂等が挙げられる。
The interlayer resin insulating layer is made of a polyphenylene ether resin, in addition to the adhesive for electroless plating.
It can also be formed using a thermoplastic elastomer resin, a polyolefin resin, a fluorine resin, a triazine resin, or the like. Examples of the polyphenylene ether resin include a thermoplastic polyphenylene ether resin having a repeating unit represented by the following chemical formula (1) and a thermosetting polyphenylene ether resin having a repeating unit represented by the following chemical formula (2). Can be

【0058】[0058]

【化1】 Embedded image

【0059】(式中、nは、2以上の整数を表す。)(In the formula, n represents an integer of 2 or more.)

【0060】[0060]

【化2】 Embedded image

【0061】(式中、mは、2以上の整数を表す。ま
た、R1 、R2 は、メチレン基、エチレン基または−C
2 −O−CH2 −を表し、両者は同一であってもよい
し、異なっていてもよい。)
(Wherein, m represents an integer of 2 or more. R 1 and R 2 represent a methylene group, an ethylene group or a —C
Represents H 2 —O—CH 2 —, both of which may be the same or different. )

【0062】また、上記化学式(1)で表される繰り返
し単位を有する熱可塑性ポリフェニレンエーテル樹脂
は、ベンゼン環にメチル基が結合した構造を有している
が、本発明で用いることのできるポリフェニレンエーテ
ル樹脂としては、上記メチル基が、エチル基等の他のア
ルキル基等で置換された誘導体や、メチル基の水素がフ
ッ素で置換された誘導体等であってもよい。
The thermoplastic polyphenylene ether resin having a repeating unit represented by the above chemical formula (1) has a structure in which a methyl group is bonded to a benzene ring, but the polyphenylene ether which can be used in the present invention. The resin may be a derivative in which the above-mentioned methyl group is substituted with another alkyl group such as an ethyl group, or a derivative in which hydrogen of a methyl group is substituted with fluorine.

【0063】上記熱可塑性エラストマー樹脂としては特
に限定されず、例えば、スチレン系熱可塑性エラストマ
ー、オレフィン系熱可塑性エラストマー、ウレタン系熱
可塑性エラストマー、ポリエステル系熱可塑性エラスト
マー、ポリアミド系熱可塑性エラストマー、1,2−ポ
リブタジエン系熱可塑性エラストマー、塩ビ系熱可塑性
エラストマー、フッ素系熱可塑性エラストマー等が挙げ
られる。これらのなかでは、電気特性に優れる点からオ
レフィン系熱可塑性エラストマーやフッ素系熱可塑性エ
ラストマーが望ましい。
The thermoplastic elastomer resin is not particularly restricted but includes, for example, styrene-based thermoplastic elastomers, olefin-based thermoplastic elastomers, urethane-based thermoplastic elastomers, polyester-based thermoplastic elastomers, polyamide-based thermoplastic elastomers, -Polybutadiene-based thermoplastic elastomers, PVC-based thermoplastic elastomers, fluorine-based thermoplastic elastomers, and the like. Among these, olefin-based thermoplastic elastomers and fluorine-based thermoplastic elastomers are desirable from the viewpoint of excellent electrical properties.

【0064】上記ポリオレフィン系樹脂としては特に限
定されず、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポ
リイソブチレン、ポリブタジエン、ポリイソプレン、シ
クロオレフィン系樹脂、これらの樹脂の共重合体等が挙
げられる。
The above-mentioned polyolefin resin is not particularly restricted but includes, for example, polyethylene, polypropylene, polyisobutylene, polybutadiene, polyisoprene, cycloolefin resin and copolymers of these resins.

【0065】上記ポリオレフィン系樹脂の市販品として
は、例えば、住友スリーエム社製の商品名:1592等
が挙げられる。また、融点が200℃以上の熱可塑型ポ
リオレフィン系樹脂の市販品としては、例えば、三井石
油化学工業社製の商品名:TPX(融点240℃)、出
光石油化学社製の商品名:SPS(融点270℃)等が
挙げられる。これらのなかでは、誘電率および誘電正接
が低く、GHz帯域の高周波信号を用いた場合でも信号
遅延や信号エラーが発生しにくく、さらには、剛性等の
機械的特性にも優れている点からシクロオレフィン系樹
脂が望ましい。
Examples of commercially available products of the polyolefin resin include, for example, 1592 (trade name, manufactured by Sumitomo 3M Limited). Commercially available thermoplastic polyolefin resins having a melting point of 200 ° C. or higher include, for example, TPX (trade name: 240 ° C., manufactured by Mitsui Petrochemical Co., Ltd.) and SPS (trade name, manufactured by Idemitsu Petrochemical Co., Ltd.) Melting point 270 ° C.). Among them, cyclo-dielectric materials have low dielectric constant and dielectric loss tangent, are unlikely to cause signal delay and signal error even when a high-frequency signal in the GHz band is used, and are excellent in mechanical characteristics such as rigidity. Olefin resins are desirable.

【0066】上記シクロオレフィン系樹脂としては、2
−ノルボルネン、5−エチリデン−2−ノルボルネンま
たはこれらの誘導体からなる単量体の単独重合体または
共重合体等が望ましい。上記誘導体としては、上記2−
ノルボルネン等のシクロオレフィンに、架橋を形成する
ためのアミノ基や無水マレイン酸残基あるいはマレイン
酸変性したもの等が結合したもの等が挙げられる。上記
共重合体を合成する場合の単量体としては、例えば、エ
チレン、プロピレン等が挙げられる。
As the above cycloolefin resin, 2
Homopolymers or copolymers of monomers comprising -norbornene, 5-ethylidene-2-norbornene or derivatives thereof are desirable. As the above derivative, the above 2-
Examples include those in which an amino group for forming a crosslink, a maleic anhydride residue, or a maleic acid-modified one is bonded to a cycloolefin such as norbornene. Examples of monomers for synthesizing the copolymer include ethylene and propylene.

【0067】上記シクロオレフィン系樹脂は、上記した
樹脂の2種以上の混合物であってもよく、シクロオレフ
ィン系樹脂以外の樹脂を含むものであってもよい。ま
た、上記シクロオレフィン系樹脂が共重合体である場合
には、ブロック共重合体であってもよく、ランダム共重
合体であってもよい。
The cycloolefin resin may be a mixture of two or more of the above resins, or may contain a resin other than the cycloolefin resin. When the cycloolefin resin is a copolymer, it may be a block copolymer or a random copolymer.

【0068】また、上記シクロオレフィン系樹脂は、熱
硬化性シクロオレフィン系樹脂であることが望ましい。
加熱を行って架橋を形成させることにより、より剛性が
高くなり、機械的特性が向上するからである。上記シク
ロオレフィン系樹脂のガラス転移温度(Tg)は、13
0〜200℃であることが望ましい。
The cycloolefin resin is desirably a thermosetting cycloolefin resin.
This is because by performing the heating to form the crosslinks, the rigidity is further increased and the mechanical properties are improved. The glass transition temperature (Tg) of the cycloolefin resin is 13
Desirably, the temperature is 0 to 200 ° C.

【0069】上記シクロオレフィン系樹脂は、既に樹脂
シート(フィルム)として成形されたものを使用しても
よく、単量体もしくは一定の分子量を有する低分子量の
重合体が、キシレン、シクロヘキサン等の溶剤に分散し
た未硬化溶液の状態であってもよい。また、樹脂シート
の場合には、いわゆるRCC(RESIN COATE
D COPPER:樹脂付銅箔)を用いてもよい。
As the above cycloolefin resin, those already formed as a resin sheet (film) may be used, and a monomer or a low molecular weight polymer having a constant molecular weight may be used as a solvent such as xylene or cyclohexane. It may be in the state of an uncured solution dispersed in. In the case of a resin sheet, a so-called RCC (RESIN COATE
D COPER: resin-coated copper foil).

【0070】上記シクロオレフィン系樹脂は、フィラー
等を含まないものであってもよく、水酸化アルミニウ
ム、水酸化マグネシウム、リン酸エステル等の難燃剤を
含むものであってもよい。
The cycloolefin resin may not contain a filler or the like, or may contain a flame retardant such as aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, or a phosphate.

【0071】また、上記ポリオレフィン樹脂を用いる場
合、該ポリオレフィン樹脂に、メラミン、フェノール樹
脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、PP
O、PPE等の有機フィラーを配合してもよい。上記有
機フィラーを配合することにより、例えば、層間樹脂絶
縁層にレーザ光を照射することによりバイアホール用開
口を形成する際に、所望の形状のバイアホール用開口を
良好に形成することができる。
When the above polyolefin resin is used, melamine, phenol resin, epoxy resin, polyimide resin, fluororesin, PP
Organic fillers such as O and PPE may be blended. By blending the organic filler, for example, when forming the via hole opening by irradiating the interlayer resin insulating layer with a laser beam, the via hole opening having a desired shape can be favorably formed.

【0072】上記有機フィラーの含有量は、5〜60重
量%が好ましい。上記有機フィラーの含有量が5重量%
未満であると、有機フィラーの含有量が少なすぎるた
め、レーザ光照射の際に上記した役割を果たすことがで
きず、目的とする形状の非貫通孔等を形成することがで
きない場合がある。一方、有機フィラーの含有量が60
重量%を超えると、ポリオレフィン系樹脂の特性が失わ
れ、例えば、誘電率が高くなりすぎること等があるため
好ましくない。より好ましい有機フィラーの配合量は、
14〜60重量%である。
The content of the organic filler is preferably 5 to 60% by weight. The content of the organic filler is 5% by weight
When the content is less than the above, the content of the organic filler is too small, so that the above-mentioned role cannot be performed at the time of laser beam irradiation, and a non-through hole or the like having a desired shape may not be formed. On the other hand, when the content of the organic filler is 60
If the content is more than 10% by weight, the properties of the polyolefin resin are lost, and, for example, the dielectric constant may be too high. More preferred amount of the organic filler,
14 to 60% by weight.

【0073】上記フッ素樹脂としては、例えば、エチル
/テトラフルオロエチレン共重合樹脂(ETFE)、ポ
リクロロトリフルオロエチレン(PCTFE)等が挙げ
られる。
Examples of the fluororesin include ethyl / tetrafluoroethylene copolymer resin (ETFE) and polychlorotrifluoroethylene (PCTFE).

【0074】上記樹脂フィルムを貼り付けることにより
層間樹脂絶縁層を形成する場合、該層間樹脂絶縁層の形
成は、真空ラミネーター等の装置を用い、減圧下または
真空下において、2.0〜10kgf/cm2 の圧力、
60〜120℃の温度で圧着し、その後、樹脂フィルム
を熱硬化することにより行うことが望ましい。なお、上
記熱硬化は、後述するバイアホール用開口および貫通孔
を形成した後に行ってもよい。
When the interlayer resin insulating layer is formed by attaching the above-mentioned resin film, the interlayer resin insulating layer is formed using a device such as a vacuum laminator under reduced pressure or vacuum under a pressure of 2.0 to 10 kgf / kg. pressure of cm 2,
It is desirable to perform pressure bonding at a temperature of 60 to 120 ° C., and then heat-curing the resin film. The heat curing may be performed after forming a via hole opening and a through hole described later.

【0075】本発明の製造方法を用いて形成される層間
樹脂絶縁層の厚さとしては特に限定されないが、5〜5
0μmが望ましい。上記厚さが5μm未満であると、上
下に隣合う導体回路間の絶縁性が維持できない場合があ
り、一方、50μmを超えると、非貫通孔等を形成した
際に、その底部に樹脂残りが発生したり、その非貫通孔
等の形状が底部に向かって先細り形状になることがあ
る。
The thickness of the interlayer resin insulating layer formed by using the manufacturing method of the present invention is not particularly limited.
0 μm is desirable. When the thickness is less than 5 μm, insulation between the vertically adjacent conductor circuits may not be maintained. On the other hand, when the thickness is more than 50 μm, when a non-through hole or the like is formed, resin residue may remain on the bottom thereof. It may be generated or the shape of the non-through hole or the like may be tapered toward the bottom.

【0076】上記層間樹脂絶縁層は、その1GHzにお
ける誘電率が3.0以下であり、誘電正接が0.01以
下であることが望ましい。上記誘電率は、2.4〜2.
7がより好ましい。このような誘電率を有する樹脂とし
ては、例えば、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリオレ
フィン樹脂等が挙げられる。このような低誘電率のもの
を使用することにより、信号伝搬の遅延や信号の電送損
失等に起因する信号エラーを防止することができる。
The interlayer resin insulation layer desirably has a dielectric constant at 1 GHz of 3.0 or less and a dielectric loss tangent of 0.01 or less. The dielectric constant is 2.4 to 2.
7 is more preferred. Examples of the resin having such a dielectric constant include a polyphenylene ether resin and a polyolefin resin. By using such a material having a low dielectric constant, it is possible to prevent a signal error due to a delay in signal propagation, a signal transmission loss, and the like.

【0077】(6) 次に、層間絶縁樹脂層を硬化する一方
で、その層間樹脂樹脂層にはバイアホ−ル形成用の開口
(以下、バイアホール用開口ともいう)を設ける。層間
絶縁樹脂層の開口は、レーザ処理、プラズマ処理、露光
現像処理等により行うことができる。具体的には、例え
ば、無電解めっき用接着剤の樹脂マトリックスが熱硬化
樹脂である場合は、レ−ザ−光や酸素プラズマ等を用い
て行い、感光性樹脂である場合には、露光現像処理にて
行う。なお、露光現像処理は、バイアホ−ル形成のため
の円パタ−ンが描画されたフォトマスク(ガラス基板が
よい)を、円パタ−ン側を感光性の層間樹脂絶縁層の上
に密着させて載置した後、露光し、現像処理液に浸漬す
るか、現像処理液をスプレーすることにより行う。充分
な凹凸形状の粗化面を有する導体回路上に形成された層
間樹脂絶縁層を硬化させることにより、導体回路との密
着性に優れた層間樹脂絶縁層を形成することができる。
(6) Next, while the interlayer insulating resin layer is cured, an opening for forming a via hole (hereinafter also referred to as a via hole opening) is provided in the interlayer resin resin layer. Opening of the interlayer insulating resin layer can be performed by laser processing, plasma processing, exposure and development processing, or the like. Specifically, for example, when the resin matrix of the adhesive for electroless plating is a thermosetting resin, it is performed using laser light or oxygen plasma, and when the resin matrix is a photosensitive resin, it is exposed and developed. Performed by processing. In the exposure and development process, a photomask (preferably a glass substrate) on which a circular pattern for forming a via hole is drawn is brought into close contact with the photosensitive interlayer resin insulating layer on the circular pattern side. After mounting, the substrate is exposed and immersed in a developing solution or sprayed with the developing solution. By curing the interlayer resin insulating layer formed on the conductor circuit having a roughened surface with a sufficient unevenness, an interlayer resin insulating layer having excellent adhesion to the conductor circuit can be formed.

【0078】上記レーザ処理を行う際に用いるレーザと
しては、例えば、炭酸ガスレーザ、エキシマレーザ、U
Vレーザ、YAGレーザ等が挙げられる。これらのレー
ザは、層間樹脂絶縁層の材質やバイアホ−ル用開口の形
状等を考慮して使いわければよい。なお、上記レーザ処
理は、バイアホール用開口を形成する部分に相当する部
分に貫通孔の設けられたマスクを介してレーザ光を照射
することにより行うことが好ましい。
As the laser used for performing the laser processing, for example, a carbon dioxide gas laser, an excimer laser,
V laser, YAG laser and the like can be mentioned. These lasers may be used in consideration of the material of the interlayer resin insulating layer, the shape of the via hole opening, and the like. Note that the laser treatment is preferably performed by irradiating a portion corresponding to a portion for forming a via hole opening with a laser beam through a mask provided with a through hole.

【0079】また、上記バイアホール用開口を形成する
場合、マスクを介して、ホログラム方式のエキシマレー
ザによるレーザ光照射することにより、一度に多数のバ
イアホール用開口を形成することができる。また、短パ
ルスの炭酸ガスレーザを用いて、バイアホール用開口を
形成すると、開口内の樹脂残りが少なく、開口周縁の樹
脂に対するダメージが小さい。
When forming the via hole openings, a large number of via hole openings can be formed at once by irradiating laser light with a hologram type excimer laser through a mask. Further, when the via hole opening is formed using a short-pulse carbon dioxide laser, the amount of resin remaining in the opening is small, and the damage to the resin at the periphery of the opening is small.

【0080】また、光学系レンズとマスクとを介してレ
ーザ光を照射することにより、一度に多数のバイアホー
ル用開口を形成することができる。光学系レンズとマス
クとを介することにより、同一強度で、かつ、照射角度
が同一のレーザ光を複数の部分に同時に照射することが
できるからである。
By irradiating a laser beam through an optical lens and a mask, a large number of via hole openings can be formed at once. This is because a plurality of portions can be simultaneously irradiated with laser light having the same intensity and the same irradiation angle through the optical lens and the mask.

【0081】上記マスクに形成された貫通孔は、レーザ
光のスポット形状を真円にするために、真円であること
が望ましく、上記貫通孔の径は、0.1〜2mm程度が
望ましい。また、上記炭酸ガスレーザを用いる場合、そ
のパルス間隔は、10-4〜10-8秒であることが望まし
い。また、開口を形成するためのレーザを照射する時間
は、10〜500μ秒であることが望ましい。
The through hole formed in the mask is desirably a perfect circle in order to make the spot shape of the laser beam a perfect circle, and the diameter of the through hole is desirably about 0.1 to 2 mm. When the carbon dioxide laser is used, the pulse interval is desirably 10 −4 to 10 −8 seconds. The time for irradiating the laser for forming the opening is preferably 10 to 500 μsec.

【0082】レーザ光にてバイアホール用開口を形成し
た場合、特に炭酸ガスレーザを用いた場合には、デスミ
ア処理を行うことが望ましい。上記デスミア処理は、ク
ロム酸、過マンガン酸塩等の水溶液からなる酸化剤を使
用して行うことができる。また、酸素プラズマ、CF4
と酸素の混合プラズマやコロナ放電等で処理してもよ
い。また、低圧水銀ランプを用いて紫外線を照射するこ
とにより、表面改質することもできる。また、層間樹脂
絶縁層を形成した基板に、貫通孔を形成する場合には、
直径50〜300μmのドリル、レーザ光等を用いて貫
通孔を形成する。
When the opening for the via hole is formed by the laser beam, particularly when a carbon dioxide gas laser is used, desmearing is desirably performed. The desmear treatment can be performed using an oxidizing agent composed of an aqueous solution such as chromic acid and permanganate. In addition, oxygen plasma, CF 4
It may be treated by a mixed plasma of oxygen and oxygen, corona discharge, or the like. The surface can also be modified by irradiating ultraviolet rays using a low-pressure mercury lamp. When a through hole is formed in a substrate on which an interlayer resin insulating layer is formed,
A through hole is formed using a drill having a diameter of 50 to 300 μm, a laser beam, or the like.

【0083】(7) 次に、必要に応じて、バイアホ−ル用
開口を設けた層間樹脂絶縁層(無電解めっき用接着剤
層)の表面を粗化する。通常、粗化は、無電解めっき用
接着剤層の表面に存在する耐熱性樹脂粒子を酸または酸
化剤で溶解除去することにより行う。上記酸処理を行う
際には、リン酸、塩酸、硫酸、または、蟻酸や酢酸など
の有機酸を用いることができ、特に有機酸を用いるのが
望ましい。粗化形成処理した場合に、バイアホ−ルから
露出する金属導体層を腐食させにくいからである。上記
酸化処理は、クロム酸、過マンガン酸塩(過マンガン酸
カリウム等)を用いることが望ましい。また、上記無電
解めっき用接着剤以外の材料を用いて層間樹脂絶縁層を
形成した場合も、上記酸や酸化剤を用いて粗化面を形成
することができる。また、プラズマ処理等を施すことに
より粗化面を形成してもよい。
(7) Next, if necessary, the surface of the interlayer resin insulation layer (the adhesive layer for electroless plating) having the via hole opening is roughened. Usually, the roughening is performed by dissolving and removing the heat-resistant resin particles present on the surface of the adhesive layer for electroless plating with an acid or an oxidizing agent. When performing the above acid treatment, phosphoric acid, hydrochloric acid, sulfuric acid, or an organic acid such as formic acid or acetic acid can be used, and it is particularly preferable to use an organic acid. This is because the metal conductor layer exposed from the via hole is hardly corroded when the roughening treatment is performed. For the above oxidation treatment, it is desirable to use chromic acid or permanganate (such as potassium permanganate). Also, when the interlayer resin insulating layer is formed using a material other than the above-mentioned adhesive for electroless plating, a roughened surface can be formed using the above-mentioned acid or oxidizing agent. Further, a roughened surface may be formed by performing a plasma treatment or the like.

【0084】また、上記層間樹脂絶縁層表面の粗化処理
の後、酸を用いて粗化面を形成した場合にはアルカリ等
の水溶液を用い、酸化剤を用いて粗化面を形成した場合
には中和液を用いて、バイアホール用開口内等を中和す
ることが好ましい。この操作により酸や酸化剤を除去
し、次工程に影響を与えないようにすることができる。
When the roughened surface is formed by using an acid after the roughening treatment of the surface of the interlayer resin insulating layer, the roughened surface is formed by using an aqueous solution such as an alkali and an oxidizing agent. It is preferable to neutralize the inside of the via hole opening or the like by using a neutralizing solution. By this operation, the acid and the oxidizing agent can be removed so that the next step is not affected.

【0085】また、バイアホール用開口を形成した後、
必要に応じて、上記バイアホール用開口から露出した被
覆層の少なくとも一部を除去してもよい。これは、スズ
等の金属からなる被覆層を有する導体回路上にバイアホ
ールを形成する場合、被覆層を形成する金属とバイアホ
ールを形成する金属とが異種の金属であるため、それぞ
れの金属における電気伝達速度が異なり、被覆層部分で
信号遅延や信号エラーが発生する場合があるからであ
る。
After forming the via hole opening,
If necessary, at least a part of the coating layer exposed from the via hole opening may be removed. This is because when a via hole is formed on a conductor circuit having a coating layer made of a metal such as tin, the metal forming the coating layer and the metal forming the via hole are different types of metal. This is because the electric transmission speed is different and a signal delay or a signal error may occur in the covering layer portion.

【0086】また、被覆層を形成する金属とバイアホー
ルを形成する金属とが異種の金属であると、加熱時やヒ
ートサイクル時に、被覆層を形成する金属とバイアホー
ルを形成する金属との熱膨張係数が異なることに起因し
て応力が発生し、この応力が緩和されない場合には、バ
イアホールとその下の導体回路との接触部分に剥離が発
生し、バイアホールの接続信頼性、電気的接続性が低下
してしまう場合があるからである。
Further, if the metal forming the coating layer and the metal forming the via hole are different metals, the heat between the metal forming the coating layer and the metal forming the via hole during heating or heat cycle. If stress is generated due to the difference in expansion coefficient and this stress is not relieved, peeling occurs at the contact between the via hole and the conductor circuit underneath, and the connection reliability of the via hole and the electrical This is because the connectivity may be reduced.

【0087】上記バイアホール用開口から露出した被覆
層を除去する方法としては、例えば、10〜40重量%
の酸、酸化剤を含むアルカリ性溶液、10〜40重量%
の酸と過酸化物とからなる混合液等を用いたエッチング
処理等が挙げられる。
As a method for removing the coating layer exposed from the via hole opening, for example, 10 to 40% by weight
Alkaline solution containing acid and oxidizing agent, 10 to 40% by weight
And an etching treatment using a mixed solution of an acid and a peroxide.

【0088】上記酸としては、例えば、塩酸、硝酸、硫
酸、リン酸、フッ酸、蟻酸等が挙げられる。これらは、
単独で用いてもよいし、2種以上併用してもよい。ま
た、上記過酸化物としては、過酸化水素、過酸化カリウ
ム等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよいし、
2種以上併用してもよい。なお、本発明の無電解めっき
液を用いて形成した被覆層は、上記酸、酸化剤を含むア
ルカリ性溶液、または、酸と過酸化物とからなる混合液
を用いたエッチング処理により、容易に剥離させること
ができる。
Examples of the acid include hydrochloric acid, nitric acid, sulfuric acid, phosphoric acid, hydrofluoric acid, formic acid and the like. They are,
They may be used alone or in combination of two or more. Examples of the peroxide include hydrogen peroxide and potassium peroxide. These may be used alone,
Two or more kinds may be used in combination. Note that the coating layer formed using the electroless plating solution of the present invention is easily peeled off by an etching treatment using the above-mentioned acid, an alkaline solution containing an oxidizing agent, or a mixed solution containing an acid and a peroxide. Can be done.

【0089】(8) 次に、粗化した層間絶縁樹脂上の全面
に無電解めっき、スパッタリング、蒸着等により、ス
ズ、亜鉛、銅、ニッケル、コバルト、タリウム、鉛等か
らなる薄膜導体層を形成する。上記薄膜導体層は単層で
あってもよいし、2層以上からなるものであってもよ
い。これらのなかでは、電気特性、経済性等を考慮する
と銅や銅およびニッケルからなる薄膜導体層が望まし
い。また、その厚みは、該薄膜導体層を無電解めっきに
より形成する場合には、0.3〜5μmが好ましく、
0.5〜1.2μmがより好ましい。また、上記層間樹
脂絶縁層上に粗化面を形成しなかった場合は、上記薄膜
導体層をスパッタリングにより形成することが好まし
い。なお、スパッタリングや蒸着により薄膜導体層を形
成する場合、その厚さは、0.1〜1.0μmが好まし
い。
(8) Next, a thin film conductor layer made of tin, zinc, copper, nickel, cobalt, thallium, lead, etc. is formed on the entire surface of the roughened interlayer insulating resin by electroless plating, sputtering, vapor deposition, or the like. I do. The thin film conductor layer may be a single layer or may be composed of two or more layers. Among these, a thin film conductor layer made of copper, copper, and nickel is desirable in consideration of electrical characteristics, economy, and the like. When the thin film conductor layer is formed by electroless plating, the thickness is preferably 0.3 to 5 μm,
0.5 to 1.2 μm is more preferable. When a roughened surface is not formed on the interlayer resin insulating layer, the thin film conductor layer is preferably formed by sputtering. In addition, when forming a thin film conductor layer by sputtering or vapor deposition, the thickness is preferably 0.1 to 1.0 μm.

【0090】(9) さらに、この薄膜導体層上の一部にめ
っきレジストを形成する。めっきレジストとしては、市
販の感光性ドライフィルムや液状レジストを使用するこ
とができる。そして、感光性ドライフィルムを貼り付け
たり、液状レジストを塗布した後、紫外線等による露光
処理を行い、アルカリ水溶液で現像処理する。
(9) Further, a plating resist is formed on a part of the thin film conductor layer. As the plating resist, a commercially available photosensitive dry film or liquid resist can be used. Then, after a photosensitive dry film is attached or a liquid resist is applied, an exposure process using ultraviolet light or the like is performed, and a development process is performed using an alkaline aqueous solution.

【0091】(10)ついで、上記処理を行った基板を電気
めっき液に浸漬した後、上記薄膜導体層をカソードと
し、めっき被着金属をアノードとして直流電気めっきを
行い、バイアホール用開口をめっき充填するとともに、
めっきレジスト非形成部に上層導体回路を形成する。
(10) Then, after the substrate subjected to the above treatment is immersed in an electroplating solution, direct current electroplating is performed using the thin film conductor layer as a cathode and the metal to be plated as an anode, and the opening for the via hole is plated. While filling
An upper conductor circuit is formed in a portion where the plating resist is not formed.

【0092】(11)ついで、めっきレジストを強アリカリ
水溶液で剥離した後にエッチングを行い、薄膜導体層を
除去することにより、上層導体回路およびバイアホール
を独立パターンとする。上記エッチング液としては、硫
酸/過酸化水素水溶液、過硫酸アンモニウム、過硫酸ナ
トリウム、過硫酸カリウム等の過硫酸塩水溶液、塩化第
二鉄や塩化第二銅の水溶液、塩酸、硝酸、熱希硫酸等が
使用される。また、前述した第二銅錯体と有機酸とを含
有するエッチング液を用いて、導体回路間のエッチング
と同時に粗化面を形成してもよい。
(11) Then, the plating resist is peeled off with a strong aqueous alkali solution and then etched to remove the thin film conductor layer, thereby forming the upper conductor circuit and the via hole into independent patterns. Examples of the etching solution include a sulfuric acid / hydrogen peroxide aqueous solution, an aqueous solution of persulfate such as ammonium persulfate, sodium persulfate, and potassium persulfate, an aqueous solution of ferric chloride and cupric chloride, hydrochloric acid, nitric acid, and hot dilute sulfuric acid. Is used. Alternatively, a roughened surface may be formed simultaneously with etching between conductor circuits using an etching solution containing the above-described cupric complex and an organic acid.

【0093】(12)この後、必要により、(3) 〜(11)の工
程を繰り返すことにより、導体回路と層間樹脂絶縁層と
が順次積層された基板を作成する。
(12) Thereafter, if necessary, the steps (3) to (11) are repeated to produce a substrate on which the conductor circuit and the interlayer resin insulating layer are sequentially laminated.

【0094】(13)次に、最上層の導体回路を含む基板面
にソルダーレジスト層を形成し、さらに、該ソルダーレ
ジスト層を開口して半田パッドを形成した後、上記半田
パッドに半田ペーストを充填し、リフローすることによ
り半田バンプを形成する。その後、外部基板接続面に、
ピンを配設したり、半田ボールを形成したりすることに
より、PGA(Pin Grid Array)やBGA(Ball Grid Arr
ay) とする。
(13) Next, a solder resist layer is formed on the surface of the substrate including the uppermost conductive circuit, a solder pad is formed by opening the solder resist layer, and a solder paste is applied to the solder pad. Filling and reflowing form solder bumps. Then, on the external board connection surface,
By arranging pins and forming solder balls, PGA (Pin Grid Array) and BGA (Ball Grid Arr
ay).

【0095】上記ソルダーレジスト層は、例えば、ポリ
フェニレンエーテル樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素
樹脂、熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、ポリイミ
ド樹脂等からなるソルダーレジスト組成物を用いて形成
することができ、これらの樹脂の具体例としては、例え
ば、層間樹脂絶縁層を形成する際に用いた樹脂と同様の
樹脂等が挙げられる。
The above-mentioned solder resist layer can be formed by using, for example, a solder resist composition comprising a polyphenylene ether resin, a polyolefin resin, a fluororesin, a thermoplastic elastomer, an epoxy resin, a polyimide resin, and the like. As a specific example, for example, the same resin as the resin used when forming the interlayer resin insulating layer and the like can be mentioned.

【0096】また、上記以外のソルダーレジスト組成物
としては、例えば、ノボラック型エポキシ樹脂の(メ
タ)アクリレート、イミダゾール硬化剤、2官能性(メ
タ)アクリル酸エステルモノマー、分子量500〜50
00程度の(メタ)アクリル酸エステルの重合体、ビス
フェノール型エポキシ樹脂等からなる熱硬化性樹脂、多
価アクリル系モノマー等の感光性モノマー、グリコール
エーテル系溶剤などを含むペースト状の流動体が挙げら
れ、その粘度は25℃で1〜10Pa・sに調整されて
いることが望ましい。
Examples of the solder resist composition other than those described above include, for example, a novolak-type epoxy resin (meth) acrylate, an imidazole curing agent, a bifunctional (meth) acrylate monomer, and a molecular weight of 500 to 50.
A paste-like fluid containing a polymer of about 00 (meth) acrylate, a thermosetting resin such as a bisphenol-type epoxy resin, a photosensitive monomer such as a polyvalent acrylic monomer, a glycol ether-based solvent, and the like. It is desirable that the viscosity is adjusted to 1 to 10 Pa · s at 25 ° C.

【0097】上記ノボラック型エポキシ樹脂の(メタ)
アクリレートとしては、例えば、フェノールノボラック
やクレゾールノボラックのグリシジルエーテルをアクリ
ル酸やメタクリル酸等と反応させたエポキシ樹脂等が挙
げられる。
(Meth) of the novolak type epoxy resin
Examples of the acrylate include an epoxy resin obtained by reacting glycidyl ether of phenol novolak or cresol novolak with acrylic acid, methacrylic acid, or the like.

【0098】上記2官能性(メタ)アクリル酸エステル
モノマーとしては特に限定されず、例えば、各種ジオー
ル類のアクリル酸やメタクリル酸のエステル等が挙げら
れ、市販品としては、日本化薬社製のR−604、PM
2、PM21等が挙げられる。
The bifunctional (meth) acrylic acid ester monomer is not particularly limited, and includes, for example, acrylic acid and methacrylic acid esters of various diols, and commercially available products manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd. R-604, PM
2, PM21 and the like.

【0099】また、上記ソルダーレジスト組成物はエラ
ストマーや無機フィラーが配合されていてもよい。エラ
ストマーが配合されていることにより、形成されるソル
ダーレジスト層は、エラストマーの有する柔軟性および
反発弾性により、ソルダーレジスト層に応力が作用した
場合でも、該応力を吸収したり緩和したりすることがで
き、その結果、多層プリント配線板の製造工程や製造し
た多層プリント配線板にICチップ等の電子部品を搭載
した後のソルダーレジスト層にクラックや剥離が発生す
ることを抑制でき、さらに、クラックが発生した場合で
も該クラックが大きく成長することがない。
The solder resist composition may contain an elastomer or an inorganic filler. By being blended with the elastomer, the formed solder resist layer can absorb or reduce the stress even when a stress acts on the solder resist layer due to the flexibility and rebound resilience of the elastomer. As a result, cracks and peeling can be suppressed from occurring in the manufacturing process of the multilayer printed wiring board and in the solder resist layer after mounting electronic components such as IC chips on the manufactured multilayer printed wiring board. Even when it occurs, the crack does not grow large.

【0100】上記ソルダーレジスト層を開口する方法と
しては、例えば、バイアホール用開口を形成する方法と
同様に、レーザ光を照射する方法や露光現像処理する方
法等が挙げられる。
The method of opening the solder resist layer includes, for example, a method of irradiating a laser beam and a method of exposure and development as in the method of forming an opening for a via hole.

【0101】また、ソルダーレジスト組成物として、感
光性のソルダーレジスト組成物を使用した場合には、ソ
ルダーレジスト層を形成した後、該ソルダーレジスト層
上にフォトレジストを載置し、露光、現像処理を施すこ
とにより、ソルダーレジスト層を開口することができ
る。
When a photosensitive solder resist composition is used as the solder resist composition, after a solder resist layer is formed, a photoresist is placed on the solder resist layer, and exposed and developed. By performing the above, the solder resist layer can be opened.

【0102】上記ソルダーレジスト層を開口することに
より露出した導体回路部分は、通常、ニッケル、パラジ
ウム、金、銀、白金等の耐食性金属により被覆すること
が望ましい。具体的には、ニッケル−金、ニッケル−
銀、ニッケル−パラジウム、ニッケル−パラジウム−金
等の金属により被覆層を形成することが望ましい。上記
被覆層は、例えば、めっき、蒸着、電着等により形成す
ることができるが、これらのなかでは、被覆層の均一性
に優れるという点からめっきが望ましい。
The conductor circuit portion exposed by opening the solder resist layer is usually desirably covered with a corrosion-resistant metal such as nickel, palladium, gold, silver, and platinum. Specifically, nickel-gold, nickel-
It is desirable to form the coating layer with a metal such as silver, nickel-palladium, nickel-palladium-gold, and the like. The coating layer can be formed by, for example, plating, vapor deposition, electrodeposition, and the like, and among these, plating is preferable because of excellent uniformity of the coating layer.

【0103】なお、製品認識文字などを形成するための
文字印刷工程やソルダーレジスト層の改質のために、酸
素や四塩化炭素などのプラズマ処理を適時行ってもよ
い。以上の方法は、セミアディティブ法によるものであ
るが、フルアディティブ法を採用してもよい。
Incidentally, a plasma treatment with oxygen, carbon tetrachloride, or the like may be performed as needed for a character printing step for forming product recognition characters or the like or for modifying the solder resist layer. Although the above method is based on the semi-additive method, a full additive method may be employed.

【0104】[0104]

【実施例】以下、本発明をさらに詳細に説明する。 (実施例1) A.無電解めっき用接着剤の調製(上層用接着剤) (i) クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(日本化薬社
製、分子量:2500)の25%アクリル化物を80重
量%の濃度でジエチレングリコールジメチルエーテル
(DMDG)に溶解させた樹脂液35重量部、感光性モ
ノマー(東亜合成社製、アロニックスM315)3.1
5重量部、消泡剤(サンノプコ社製 S−65)0.5
重量部およびN−メチルピロリドン(NMP)3.6重
量部を容器にとり、攪拌混合することにより混合組成物
を調製した。
The present invention will be described in more detail below. Example 1 A. Preparation of adhesive for electroless plating (adhesive for upper layer) (i) 25% acrylate of cresol novolac type epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., molecular weight: 2500) at a concentration of 80% by weight of diethylene glycol dimethyl ether (DMDG) 35 parts by weight of a resin solution dissolved in water, photosensitive monomer (Aronix M315, manufactured by Toa Gosei Co., Ltd.) 3.1
5 parts by weight, antifoaming agent (S-65, manufactured by San Nopco) 0.5
Parts by weight and 3.6 parts by weight of N-methylpyrrolidone (NMP) were placed in a container and mixed by stirring to prepare a mixed composition.

【0105】(ii)ポリエーテルスルフォン(PES)1
2重量部、エポキシ樹脂粒子(三洋化成社製、ポリマー
ポール)の平均粒径1.0μmのもの7.2重量部およ
び平均粒径0.5μmのもの3.09重量部を別の容器
にとり、攪拌混合した後、さらにNMP30重量部を添
加し、ビーズミルで攪拌混合し、別の混合組成物を調製
した。
(Ii) Polyether sulfone (PES) 1
2 parts by weight, 7.2 parts by weight of an epoxy resin particle (manufactured by Sanyo Kasei Co., polymer pole) having an average particle diameter of 1.0 μm and 3.09 parts by weight of an epoxy resin particle having an average particle diameter of 0.5 μm were placed in another container, After stirring and mixing, 30 parts by weight of NMP was further added and stirred and mixed with a bead mill to prepare another mixed composition.

【0106】(iii) イミダゾール硬化剤(四国化成社
製、2E4MZ−CN)2重量部、光重合開始剤(チバ
ガイギー社製、イルガキュアー I−907)2重量
部、光増感剤(日本化薬社製、DETX−S)0.2重
量部およびNMP1.5重量部をさらに別の容器にと
り、攪拌混合することにより混合組成物を調製した。そ
して、(i) 、(ii)および(iii) で調製した混合組成物を
混合することにより無電解めっき用接着剤を得た。
(Iii) 2 parts by weight of an imidazole curing agent (2E4MZ-CN, manufactured by Shikoku Chemicals), 2 parts by weight of a photopolymerization initiator (Irgacure I-907, manufactured by Ciba-Geigy), a photosensitizer (Nippon Kayaku) 0.2 parts by weight of DETX-S) and 1.5 parts by weight of NMP were placed in another container and mixed by stirring to prepare a mixed composition. Then, an adhesive for electroless plating was obtained by mixing the mixed compositions prepared in (i), (ii) and (iii).

【0107】B.無電解めっき用接着剤の調製(下層用
接着剤) (i) クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(日本化薬社
製、分子量:2500)の25%アクリル化物を80重
量%の濃度でジエチレングリコールジメチルエーテル
(DMDG)に溶解させた樹脂液35重量部、感光性モ
ノマー(東亜合成社製、アロニックスM315)4重量
部、消泡剤(サンノプコ社製 S−65)0.5重量部
およびN−メチルピロリドン(NMP)3.6重量部を
容器にとり、攪拌混合することにより混合組成物を調製
した。
B. Preparation of adhesive for electroless plating (adhesive for lower layer) (i) 25% acrylate of cresol novolac type epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., molecular weight: 2500) at a concentration of 80% by weight of diethylene glycol dimethyl ether (DMDG) 35 parts by weight of a resin solution, 4 parts by weight of a photosensitive monomer (manufactured by Toagosei Co., Aronix M315), 0.5 parts by weight of an antifoaming agent (S-65 manufactured by Sannopco) and N-methylpyrrolidone (NMP) 3.6 parts by weight were placed in a container and mixed by stirring to prepare a mixed composition.

【0108】(ii)ポリエーテルスルフォン(PES)1
2重量部、および、エポキシ樹脂粒子(三洋化成社製、
ポリマーポール)の平均粒径0.5μmのもの14.4
9重量部を別の容器にとり、攪拌混合した後、さらにN
MP30重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合し、別
の混合組成物を調製した。
(Ii) Polyether sulfone (PES) 1
2 parts by weight and epoxy resin particles (manufactured by Sanyo Chemical Industries,
14.4 having an average particle size of 0.5 μm
9 parts by weight were placed in another container and mixed with stirring.
30 parts by weight of MP was added and mixed by stirring with a bead mill to prepare another mixed composition.

【0109】(iii) イミダゾール硬化剤(四国化成社
製、2E4MZ−CN)2重量部、光重合開始剤(チバ
ガイギー社製、イルガキュアー I−907)2重量
部、光増感剤(日本化薬社製、DETX−S)0.2重
量部およびNMP1.5重量部をさらに別の容器にと
り、攪拌混合することにより混合組成物を調製した。そ
して、(i) 、(ii)および(iii) で調製した混合組成物を
混合することにより無電解めっき用接着剤を得た。
(Iii) 2 parts by weight of an imidazole curing agent (2E4MZ-CN, manufactured by Shikoku Chemicals), 2 parts by weight of a photopolymerization initiator (Irgacure I-907, manufactured by Ciba Geigy), a photosensitizer (Nippon Kayaku) 0.2 parts by weight of DETX-S) and 1.5 parts by weight of NMP were placed in another container and mixed by stirring to prepare a mixed composition. Then, an adhesive for electroless plating was obtained by mixing the mixed compositions prepared in (i), (ii) and (iii).

【0110】C.樹脂充填材の調製 (i) ビスフェノールF型エポキシモノマー(油化シェル
社製、分子量:310、YL983U)100重量部、
表面にシランカップリング剤がコーティングされた平均
粒径が1.6μmで、最大粒子の直径が15μm以下の
SiO2 球状粒子(アドテック社製、CRS 1101
−CE)170重量部およびレベリング剤(サンノプコ
社製 ペレノールS4)1.5重量部を容器にとり、攪
拌混合することにより、その粘度が23±1℃で40〜
50Pa・sの樹脂充填材を調製した。なお、硬化剤と
して、イミダゾール硬化剤(四国化成社製、2E4MZ
−CN)6.5重量部を用いた。
C. Preparation of resin filler (i) 100 parts by weight of bisphenol F type epoxy monomer (manufactured by Yuka Shell Co., molecular weight: 310, YL983U),
SiO 2 spherical particles having an average particle diameter of 1.6 μm and a maximum particle diameter of 15 μm or less (CRS 1101 manufactured by Adtec Co., Ltd.) having a surface coated with a silane coupling agent.
-CE) 170 parts by weight and 1.5 parts by weight of a leveling agent (Perenol S4 manufactured by San Nopco Co.) are placed in a container, and the mixture is stirred and mixed to have a viscosity of 40 to 40 at 23 ± 1 ° C.
A resin filler of 50 Pa · s was prepared. As the curing agent, an imidazole curing agent (2E4MZ manufactured by Shikoku Chemicals Co., Ltd.)
-CN) 6.5 parts by weight.

【0111】D.プリント配線板の製造方法 (1) 厚さ1mmのガラスエポキシ樹脂またはBT(ビス
マレイミドトリアジン)樹脂からなる基板1の両面に1
8μmの銅箔8がラミネートされている銅張積層板を出
発材料とした(図2(a)参照)。まず、この銅張積層
板をドリル削孔し、無電解めっき処理を施し、パターン
状にエッチングすることにより、基板1の両面に下層導
体回路4とスルーホール9を形成した。
D. Manufacturing method of printed wiring board (1) 1 mm thick glass epoxy resin or BT (bismaleimide triazine) resin
A copper-clad laminate on which an 8 μm copper foil 8 was laminated was used as a starting material (see FIG. 2A). First, the copper-clad laminate was drilled, subjected to an electroless plating treatment, and etched in a pattern to form a lower conductor circuit 4 and a through hole 9 on both surfaces of the substrate 1.

【0112】(2) スルーホール9および下層導体回路4
を形成した基板を水洗いし、乾燥した後、NaOH(1
0g/l)、NaClO2 (40g/l)、Na3 PO
4 (6g/l)を含む水溶液を黒化浴(酸化浴)とする
黒化処理、および、NaOH(10g/l)、NaBH
4 (6g/l)を含む水溶液を還元浴とする還元処理を
行い、そのスルーホール9を含む下層導体回路4の全表
面に粗化面4a、9aを形成した(図2(b)参照)。
(2) Through-hole 9 and lower conductor circuit 4
After the substrate on which was formed was washed with water and dried, NaOH (1
0 g / l), NaClO 2 (40 g / l), Na 3 PO
4 A blackening treatment using an aqueous solution containing (6 g / l) as a blackening bath (oxidizing bath), NaOH (10 g / l), NaBH
4 A reduction treatment was performed using an aqueous solution containing (6 g / l) as a reducing bath, and roughened surfaces 4a and 9a were formed on the entire surface of the lower conductor circuit 4 including the through holes 9 (see FIG. 2 (b)). .

【0113】(3) 上記Cに記載した樹脂充填材を調製し
た後、下記の方法により調製後24時間以内に、スルー
ホール9内、および、下層導体回路4間に樹脂充填材1
0を塗布することにより充填した(図2(c)参照)。
この際、塗布方法としては、スキージを用いた印刷法を
採用し、1回目の印刷塗布においては、主にスルーホー
ル9を充填し、100℃で20分間乾燥させた。また、
2回目の印刷塗布では、主に下層導体回路4の形成で生
じた凹部を充填し、100℃で20分間乾燥させた。
(3) After preparing the resin filler described in C above, within 24 hours after the preparation by the following method, the resin filler 1 in the through hole 9 and between the lower conductor circuits 4 is prepared.
0 (see FIG. 2 (c)).
At this time, as a coating method, a printing method using a squeegee was adopted. In the first printing coating, the through holes 9 were mainly filled and dried at 100 ° C. for 20 minutes. Also,
In the second printing application, the recesses mainly formed by the formation of the lower conductive circuit 4 were filled and dried at 100 ° C. for 20 minutes.

【0114】(4) 上記(3) の処理を終えた基板の片面
を、#600のベルト研磨紙(三共理化学社製)を用い
たベルトサンダー研磨により、下層導体回路4の表面や
スルーホール9のランド表面に樹脂充填材が残らないよ
うに研磨し、ついで、上記ベルトサンダー研磨による傷
を取り除くためのバフ研磨を行った。このような一連の
研磨を基板の他方の面についても同様に行った。この
後、100℃で1時間、150℃で1時間の加熱処理を
行い、樹脂充填材の層を完全に硬化させた。
(4) One surface of the substrate after the treatment of the above (3) is subjected to belt sanding using # 600 belt abrasive paper (manufactured by Sankyo Rikagaku Co., Ltd.) to form the surface of the lower conductor circuit 4 and the through holes 9. Was polished so that the resin filler did not remain on the land surface, and then buffed to remove the scratches caused by the belt sander polishing. Such a series of polishing was similarly performed on the other surface of the substrate. Thereafter, a heat treatment was performed at 100 ° C. for 1 hour and at 150 ° C. for 1 hour to completely cure the resin filler layer.

【0115】このようにして、スルーホール9や導体回
路非形成部に形成された樹脂充填材10の表層部および
下層導体回路4の表面を平坦化し、樹脂充填材10と下
層導体回路4の側面4aとが粗化面を介して強固に密着
し、またスルーホール9の内壁面9aと樹脂充填材10
とが粗化面を介して強固に密着した絶縁性基板を得た
(図2(d)参照)。
In this way, the surface layer of the resin filler 10 and the surface of the lower conductor circuit 4 formed in the through holes 9 and the portions where the conductor circuit is not formed are flattened, and the resin filler 10 and the side surfaces of the lower conductor circuit 4 are flattened. 4a is firmly adhered through the roughened surface, and the inner wall surface 9a of the through hole 9 and the resin filler 10
Was firmly adhered through the roughened surface to obtain an insulating substrate (see FIG. 2D).

【0116】(5) 次に、基板をアルカリ脱脂してソフト
エッチングし、次いで、塩化パラジウムと有機酸とから
なる触媒溶液で処理して、Pd触媒を付与し、この触媒
を活性化した。
(5) Next, the substrate was alkali-degreased and soft-etched, and then treated with a catalyst solution comprising palladium chloride and an organic acid to provide a Pd catalyst and activate the catalyst.

【0117】次に、硫酸銅(3.9×10-2mol/
l)、硫酸ニッケル(3.8×10-3mol/l)、ク
エン酸ナトリウム(7.8×10-3mol/l)、次亜
リン酸ナトリウム(2.3×10-1 mol/l)、界
面活性剤(日信化学工業社製、サーフィノール465)
(1.0g/l)を含む水溶液からなるpH=9の無電
解銅めっき浴に基板を浸漬し、浸漬1分後に、4秒あた
りに1回の割合で縦および横方向に振動させて、下層導
体回路およびスルーホールのランドの表面に、Cu−N
i−Pからなる針状合金の粗化層11を設けた(図3
(a)参照)。
Next, copper sulfate (3.9 × 10 -2 mol /
l), nickel sulfate (3.8 × 10 -3 mol / l), sodium citrate (7.8 × 10 -3 mol / l), sodium hypophosphite (2.3 × 10 -1 mol / l) ), Surfactant (Sufinol 465, manufactured by Nissin Chemical Industry Co., Ltd.)
(1.0 g / l), the substrate was immersed in an electroless copper plating bath of pH = 9 consisting of an aqueous solution containing 1 g of an aqueous solution, and after 1 minute of immersion, vibrated in the vertical and horizontal directions at a rate of once per 4 seconds. Cu-N on the surface of the land of the lower conductor circuit and the through hole
A roughened layer 11 of a needle-shaped alloy made of iP was provided (FIG. 3).
(See (a)).

【0118】(6) さらに、ホウフッ化スズ(0.1mo
l/l)、チオ尿素(1.0mol/l)、ゼラチン
(1000mg/l)、界面活性剤として、ポリエチレ
ングリコール(1000mg/l)を含む温度35℃、
pH=1.2のスズ置換めっき液を用い、Cu−Sn置
換反応させ、粗化層の表面に厚さ0.3μmのSn層を
設けた。ただし、このSn層については、図示しない。
(6) Further, tin borofluoride (0.1 mol
l / l), thiourea (1.0 mol / l), gelatin (1000 mg / l), polyethylene glycol (1000 mg / l) as a surfactant at a temperature of 35 ° C,
Using a tin-substituted plating solution having a pH of 1.2, a Cu-Sn substitution reaction was performed, and a 0.3 μm-thick Sn layer was provided on the surface of the roughened layer. However, this Sn layer is not shown.

【0119】(7) 基板の両面に、上記Bにおいて記載し
た下層用の無電解めっき用接着剤(粘度:1.5Pa・
s)を調製後24時間以内にロールコータを用いて塗布
し、水平状態で20分間放置してから、60℃で30分
の乾燥を行った。次いで、上記Aにおいて記載した上層
用の無電解めっき用接着剤(粘度:7Pa・s)を調製
後24時間以内にロールコータを用いて塗布し、同様に
水平状態で20分間放置してから、60℃で30分の乾
燥を行い、厚さ35μmの無電解めっき用接着剤の層2
a、2bを形成した(図3(b)参照)。
(7) The lower layer electroless plating adhesive (viscosity: 1.5 Pa ·
s) was applied using a roll coater within 24 hours after preparation, allowed to stand in a horizontal state for 20 minutes, and then dried at 60 ° C. for 30 minutes. Next, the adhesive for electroless plating (viscosity: 7 Pa · s) for the upper layer described in the above A was applied using a roll coater within 24 hours after preparation, and similarly left for 20 minutes in a horizontal state, After drying at 60 ° C. for 30 minutes, a 35 μm-thick electroless plating adhesive layer 2
a and 2b were formed (see FIG. 3B).

【0120】(8) 上記(7) で無電解めっき用接着剤の層
を形成した基板の両面に、直径85μmの黒円が印刷さ
れたフォトマスクフィルムを密着させ、超高圧水銀灯に
より500mJ/cm2 強度で露光した後、DMDG溶
液でスプレー現像した。この後、さらに、この基板を超
高圧水銀灯により3000mJ/cm2 強度で露光し、
100℃で1時間、120℃で1時間、150℃で3時
間の加熱処理を施し、フォトマスクフィルムに相当する
寸法精度に優れた直径85μmのバイアホール用開口6
を有する厚さ35μmの層間樹脂絶縁層2を形成した
(図3(c)参照)。なお、バイアホールとなる開口に
は、スズめっき層を部分的に露出させた。
(8) A photomask film on which a black circle having a diameter of 85 μm is printed is adhered to both surfaces of the substrate on which the layer of the adhesive for electroless plating is formed in the above (7), and is 500 mJ / cm by an ultra-high pressure mercury lamp. After exposure at two intensities, it was spray-developed with a DMDG solution. Thereafter, the substrate was further exposed at 3000 mJ / cm 2 intensity using an ultra-high pressure mercury lamp,
A heat treatment at 100 ° C. for 1 hour, 120 ° C. for 1 hour, and 150 ° C. for 3 hours is performed.
(See FIG. 3 (c)). Note that the tin plating layer was partially exposed in the opening serving as the via hole.

【0121】(9) バイアホール用開口6を形成した基板
を、クロム酸水溶液(7500g/l)に19分間浸漬
し、層間樹脂絶縁層の表面に存在するエポキシ樹脂粒子
を溶解除去してその表面を粗化し、粗化面を得た。その
後、中和溶液(シプレイ社製)に浸漬してから水洗いし
た(図3(d)参照)。さらに、粗面化処理した該基板
の表面に、パラジウム触媒(アトテック社製)を付与す
ることにより、層間絶縁材層の表面およびバイアホール
用開口の内壁面に触媒核を付着させた。
(9) The substrate having the via hole opening 6 formed thereon was immersed in a chromic acid aqueous solution (7500 g / l) for 19 minutes to dissolve and remove the epoxy resin particles present on the surface of the interlayer resin insulating layer. Was roughened to obtain a roughened surface. Then, it was immersed in a neutralizing solution (manufactured by Shipley) and washed with water (see FIG. 3D). Further, by applying a palladium catalyst (manufactured by Atotech) to the surface of the substrate subjected to the surface roughening treatment, catalyst nuclei were attached to the surface of the interlayer insulating material layer and the inner wall surface of the via hole opening.

【0122】(10)次に、以下の組成の無電解銅めっき水
溶液中に基板を浸漬して、粗面全体に厚さ0.6〜1.
2μmの無電解銅めっき膜12を形成した(図4(a)
参照)。 〔無電解めっき水溶液〕 EDTA 0.08 mol/l 硫酸銅 0.03 mol/l HCHO 0.05 mol/l NaOH 0.05 mol/l α、α′−ビピリジル 80 mg/l PEG 0.10 g/l (ポリエチレングリコール) 〔無電解めっき条件〕 65℃の液温度で20分
(10) Next, the substrate was immersed in an electroless copper plating aqueous solution having the following composition, and the thickness was 0.6 to 1.
An electroless copper plating film 12 of 2 μm was formed (FIG. 4A)
reference). [Electroless plating aqueous solution] EDTA 0.08 mol / l Copper sulfate 0.03 mol / l HCHO 0.05 mol / l NaOH 0.05 mol / l α, α'-bipyridyl 80 mg / l PEG 0.10 g / L (polyethylene glycol) [Electroless plating conditions] 20 minutes at a liquid temperature of 65 ° C

【0123】(11)市販の感光性ドライフィルムを無電解
銅めっき膜12に貼り付け、マスクを載置して、100
mJ/cm2 で露光し、0.8%炭酸ナトリウム水溶液
で現像処理することにより、厚さ15μmのめっきレジ
スト3を設けた(図4(b)参照)。
(11) A commercially available photosensitive dry film was stuck on the electroless copper plating film 12, and a mask was placed on the film.
Exposure at mJ / cm 2 and development treatment with a 0.8% aqueous solution of sodium carbonate provided a plating resist 3 having a thickness of 15 μm (see FIG. 4B).

【0124】(12)ついで、レジスト非形成部に以下の条
件で電気めっきを施し、厚さ15μmの電気めっき膜1
3を形成した(図4(c)参照)。 〔電気めっき水溶液〕 硫酸 2.24 mol/l 硫酸銅 0.26 mol/l 添加剤 19.5 ml/l (アトテックジャパン社製、カパラシドHL) 〔電気めっき条件〕 電流密度 1 A/dm2 時間 65 分 温度 22±2 ℃
(12) Then, electroplating was performed on the non-resist-formed portion under the following conditions to form an electroplated film 1 having a thickness of 15 μm.
No. 3 was formed (see FIG. 4C). [Electroplating aqueous solution] sulfuric acid 2.24 mol / l copper sulfate 0.26 mol / l additive 19.5 ml / l (manufactured by Atotech Japan, capparaside HL) [electroplating conditions] current density 1 A / dm 2 hours 65 minutes Temperature 22 ± 2 ℃

【0125】(13)さらにめっきレジストを5%KOH水
溶液で剥離除去した後、そのめっきレジスト下の無電解
めっき膜を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング処理
して溶解除去し、独立の上層導体回路5(バイアホール
7を含む)とした(図4(d)参照)。
(13) Further, after the plating resist is peeled and removed with a 5% KOH aqueous solution, the electroless plating film under the plating resist is dissolved and removed by etching with a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide to form an independent upper layer. The conductor circuit 5 (including the via hole 7) was used (see FIG. 4D).

【0126】(14)導体回路を形成した基板に対し、上記
(5) と同様の処理を行い、導体回路の表面に厚さ2μm
のCu−Ni−Pからなる合金粗化層11を形成した
(図5(a)参照)。 (15)上記 (6)〜(14)の工程を、繰り返すことにより、さ
らに上層の導体回路を形成し、この後、ソルダーレジス
ト層およびハンダバンプを形成することにより多層プリ
ント配線板を得た(図5(b)〜図6(c)参照)。
(14) With respect to the substrate on which the conductor circuit is formed,
Perform the same treatment as in (5), and apply a 2 μm thick
An alloy roughened layer 11 made of Cu—Ni—P was formed (see FIG. 5A). (15) By repeating the above steps (6) to (14), a conductor circuit of an upper layer is further formed, and thereafter, a solder resist layer and a solder bump are formed to obtain a multilayer printed wiring board (FIG. 5 (b) to FIG. 6 (c)).

【0127】(実施例2)(5) の工程において、エッチ
ング液として、イミダゾール銅(II)錯体10重量部、
グリコール酸7重量部、塩化カリウム5重量部およびイ
オン交換水78重量部を混合したものを使用し、導体回
路をエッチングすることにより、凹凸の高さ(Rj)が
1.5μmの粗化面を形成したほかは、実施例1と同様
にして、プリント配線板を得た。
(Example 2) In the step of (5), 10 parts by weight of an imidazole copper (II) complex was used as an etching solution.
Using a mixture of 7 parts by weight of glycolic acid, 5 parts by weight of potassium chloride, and 78 parts by weight of ion-exchanged water, the conductor circuit is etched to form a roughened surface having a height (Rj) of 1.5 μm. A printed wiring board was obtained in the same manner as in Example 1 except for the formation.

【0128】(実施例3)(6) の工程において、スズ置
換めっき液の代わりに亜鉛めっき液を使用して被覆層を
形成したほかは、実施例1と同様にして、プリント配線
板を得た。このとき、塩化亜鉛(2mol/l)、チオ
尿素(0.5mol/l)、次亜リン酸ナトリウム
(0.5mol/l)、ゼラチン(1200mg/
l)、界面活性剤(PEG)(1200mg/l)を含
む45℃の亜鉛めっき液に、粗化形成処理を終えた基板
を12分間浸漬することにより、粗化層上に0.25μ
mの亜鉛被覆層を形成した。
(Example 3) A printed wiring board was obtained in the same manner as in Example 1 except that in step (6), a coating layer was formed using a zinc plating solution instead of a tin displacement plating solution. Was. At this time, zinc chloride (2 mol / l), thiourea (0.5 mol / l), sodium hypophosphite (0.5 mol / l), gelatin (1200 mg / l)
l) The substrate after the roughening treatment was immersed in a zinc plating solution at 45 ° C. containing a surfactant (PEG) (1200 mg / l) for 12 minutes to form 0.25 μm on the roughened layer.
m of a zinc coating layer was formed.

【0129】(実施例4)実施例1の被覆層を形成する
工程(すなわち、 (6)の工程)において、ホウフッ化ス
ズ(0.5mol/l)、チオ尿素(0.375mol
/l)、還元剤として次亜リン酸ナトリウム(20g/
l)、界面活性剤としてポリエチレングリコール(10
00mg/l)を含む温度25℃のスズ置換めっき液を
用い、60秒間Cu−Sn置換反応させ、粗化層の表面
に厚さ0.04μmのSn層を設けた以外は、実施例1
と同様にしてプリント配線板を得た。
(Example 4) In the step of forming the coating layer in Example 1 (ie, the step (6)), tin borofluoride (0.5 mol / l) and thiourea (0.375 mol / l) were used.
/ L), sodium hypophosphite (20 g /
l), polyethylene glycol (10
Example 1 except that a Cu-Sn substitution reaction was carried out for 60 seconds using a tin-substitution plating solution at a temperature of 25 ° C. containing 200 mg / l) and a 0.04 μm-thick Sn layer was provided on the surface of the roughened layer.
A printed wiring board was obtained in the same manner as described above.

【0130】(実施例5)実施例2の被覆層を形成する
工程において、ホウフッ化スズ(0.5mol/l)、
チオ尿素(0.375mol/l)、還元剤として次亜
リン酸ナトリウム(20g/l)、界面活性剤としてポ
リエチレングリコール(1000mg/l)を含む温度
25℃のスズ置換めっき液を用い、60秒間Cu−Sn
置換反応させ、粗化層の表面に厚さ0.03μmのSn
層を設けた以外は、実施例2と同様にしてプリント配線
板を得た。
Example 5 In the step of forming the coating layer of Example 2, tin borofluoride (0.5 mol / l)
A tin displacement plating solution containing thiourea (0.375 mol / l), sodium hypophosphite (20 g / l) as a reducing agent, and polyethylene glycol (1000 mg / l) as a surfactant at a temperature of 25 ° C. is used for 60 seconds. Cu-Sn
After the substitution reaction, the surface of the roughened layer was coated with Sn having a thickness of 0.03 μm.
A printed wiring board was obtained in the same manner as in Example 2 except that a layer was provided.

【0131】(実施例6)実施例1の導体回路に粗化面
を形成する工程(すなわち、 (5)の工程)において、エ
ッチング液として、硫酸と過酸化水素水とを含む混合水
溶液を使用して導体回路をエッチングすることにより、
凹凸の高さ(Rj)が3μmの粗化面を形成し、さら
に、被覆層を形成する工程(すなわち、 (6)の工程)に
おいて、ホウフッ化スズ(0.5mol/l)、チオ尿
素(0.375mol/l)、還元剤として次亜リン酸
ナトリウム(20g/l)、界面活性剤としてポリエチ
レングリコール(1000mg/l)を含む温度25℃
のスズ置換めっき液を用い、60秒間Cu−Sn置換反
応させ、粗化層の表面に厚さ0.04μmのSn層を設
けた以外は、実施例1と同様にしてプリント配線板を得
た。
(Embodiment 6) In the step of forming a roughened surface on the conductor circuit of Embodiment 1 (ie, the step (5)), a mixed aqueous solution containing sulfuric acid and hydrogen peroxide solution was used as an etching solution. By etching the conductor circuit
In the step of forming a roughened surface having a height of irregularities (Rj) of 3 μm and forming a coating layer (ie, step (6)), tin borofluoride (0.5 mol / l) and thiourea ( 0.375 mol / l), sodium hypophosphite (20 g / l) as a reducing agent, and polyethylene glycol (1000 mg / l) as a surfactant.
A Cu-Sn substitution reaction was carried out for 60 seconds using a tin-substituted plating solution of No. 1, and a printed wiring board was obtained in the same manner as in Example 1 except that a Sn layer having a thickness of 0.04 μm was provided on the surface of the roughened layer. .

【0132】(実施例7) A.層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムの作製 ビスフェノールA型エポキシ樹脂(エポキシ当量46
9、油化シェルエポキシ社製 エピコート1001)3
0重量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(エポ
キシ当量215、大日本インキ化学工業社製 エピクロ
ンN−673)40重量部、トリアジン構造含有フェノ
ールノボラック樹脂(フェノール性水酸基当量120、
大日本インキ化学工業社製 フェノライトKA−705
2)30重量部をエチルジグリコールアセテート20重
量部、ソルベントナフサ20重量部に攪拌しながら加熱
溶解させ、そこへ末端エポキシ化ポリブタジエンゴム
(ナガセ化成工業社製 デナレックスR−45EPT)
15重量部と2−フェニル−4、5−ビス(ヒドロキシ
メチル)イミダゾール粉砕品1.5重量部、微粉砕シリ
カ2重量部、シリコン系消泡剤0.5重量部を添加しエ
ポキシ樹脂組成物を調製した。得られたエポキシ樹脂組
成物を厚さ38μmのPETフィルム上に乾燥後の厚さ
が50μmとなるようにロールコーターを用いて塗布し
た後、80〜120℃で10分間乾燥させることによ
り、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを作製した。
(Embodiment 7) A. Preparation of Resin Film for Interlayer Resin Insulation Layer Bisphenol A type epoxy resin (Epoxy equivalent 46
9. Yuka Shell Epoxy Epicoat 1001) 3
0 parts by weight, 40 parts by weight of a cresol novolak type epoxy resin (epoxy equivalent: 215, Epichron N-673 manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc.), a triazine structure-containing phenol novolak resin (phenolic hydroxyl group equivalent: 120,
FENOLITE KA-705 manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc.
2) 30 parts by weight were dissolved by heating in 20 parts by weight of ethyl diglycol acetate and 20 parts by weight of solvent naphtha while stirring, and epoxidized polybutadiene rubber (Denalex R-45EPT manufactured by Nagase Kasei Kogyo Co., Ltd.) was added thereto.
15 parts by weight, 1.5 parts by weight of a crushed product of 2-phenyl-4,5-bis (hydroxymethyl) imidazole, 2 parts by weight of finely divided silica, and 0.5 part by weight of a silicon-based antifoaming agent are added to the epoxy resin composition. Was prepared. The resulting epoxy resin composition is applied on a 38 μm-thick PET film using a roll coater so that the thickness after drying becomes 50 μm, and then dried at 80 to 120 ° C. for 10 minutes to form an interlayer resin. A resin film for an insulating layer was produced.

【0133】B.樹脂充填剤の調製 実施例1と同様にして樹脂充填剤を調製した。B. Preparation of resin filler A resin filler was prepared in the same manner as in Example 1.

【0134】C.プリント配線板の製造方法 (1) 厚さ0.8mmのガラスエポキシ樹脂またはBT
(ビスマレイミドトリアジン)樹脂からなる基板1の両
面に18μmの銅箔8がラミネートされている銅張積層
板を出発材料とした(図7(a)参照)。まず、この銅
張積層板をドリル削孔し、無電解めっき処理を施し、パ
ターン状にエッチングすることにより、基板1の両面に
下層導体回路4とスルーホール9を形成した。
C. Manufacturing method of printed wiring board (1) Glass epoxy resin or BT with a thickness of 0.8 mm
A starting material was a copper-clad laminate in which 18 μm copper foils 8 were laminated on both sides of a substrate 1 made of (bismaleimide triazine) resin (see FIG. 7A). First, the copper-clad laminate was drilled, subjected to an electroless plating treatment, and etched in a pattern to form a lower conductor circuit 4 and a through hole 9 on both surfaces of the substrate 1.

【0135】(2) スルーホール9および下層導体回路4
を形成した基板を水洗いし、乾燥した後、NaOH(1
0g/l)、NaClO2 (40g/l)、Na3 PO
4 (6g/l)を含む水溶液を黒化浴(酸化浴)とする
黒化処理、および、NaOH(10g/l)、NaBH
4 (6g/l)を含む水溶液を還元浴とする還元処理を
行い、そのスルーホール9を含む下層導体回路4の全表
面に粗化面4a、9aを形成した(図7(b)参照)。
(2) Through hole 9 and lower conductor circuit 4
After the substrate on which was formed was washed with water and dried, NaOH (1
0 g / l), NaClO 2 (40 g / l), Na 3 PO
4 A blackening treatment using an aqueous solution containing (6 g / l) as a blackening bath (oxidizing bath), NaOH (10 g / l), NaBH
4 A reduction treatment was performed using an aqueous solution containing (6 g / l) as a reduction bath, and roughened surfaces 4a and 9a were formed on the entire surface of the lower conductor circuit 4 including the through holes 9 (see FIG. 7B). .

【0136】(3) 上記Bに記載した樹脂充填剤を調製し
た後、下記の方法により調製後24時間以内に、スルー
ホール9内、および、基板1の片面の導体回路非形成部
と導体回路4の外縁部とに樹脂充填剤10の層を形成し
た。すなわち、まず、スキージを用いてスルーホール内
に樹脂充填剤を押し込んだ後、100℃、20分の条件
で乾燥させた。次に、導体回路非形成部に相当する部分
が開口したマスクを基板上に載置し、スキージを用いて
凹部となっている導体回路非形成部に樹脂充填剤10の
層を形成し、100℃、20分の条件で乾燥させた(図
7(c)参照)。
(3) After preparing the resin filler described in the above B, within 24 hours after preparation by the following method, the conductive circuit non-formed portion and the conductive circuit in the through hole 9 and on one side of the substrate 1 A layer of the resin filler 10 was formed on the outer edge portion of No. 4. That is, first, the resin filler was pushed into the through holes using a squeegee, and then dried at 100 ° C. for 20 minutes. Next, a mask having an opening corresponding to the conductive circuit non-forming portion is placed on the substrate, and a layer of the resin filler 10 is formed in the conductive circuit non-forming portion having a concave portion using a squeegee. Drying was performed at 20 ° C. for 20 minutes (see FIG. 7C).

【0137】(4) 上記(3) の処理を終えた基板の片面
を、#600のベルト研磨紙(三共理化学製)を用いた
ベルトサンダー研磨により、内層銅パターン4の表面や
スルーホール9のランド表面に樹脂充填剤10が残らな
いように研磨し、次いで、上記ベルトサンダー研磨によ
る傷を取り除くためのバフ研磨を行った。このような一
連の研磨を基板の他方の面についても同様に行った。次
いで、100℃で1時間、150℃で1時間の加熱処理
を行って樹脂充填剤10を硬化した。
(4) One surface of the substrate after the treatment of the above (3) is subjected to belt sander polishing using # 600 belt abrasive paper (manufactured by Sankyo Rikagaku) to form the surface of the inner layer copper pattern 4 and the through holes 9. Polishing was performed so that the resin filler 10 did not remain on the land surface, and then buffing was performed to remove scratches caused by the belt sander polishing. Such a series of polishing was similarly performed on the other surface of the substrate. Next, a heat treatment was performed at 100 ° C. for 1 hour and at 150 ° C. for 1 hour to cure the resin filler 10.

【0138】このようにして、スルーホール9や導体回
路非形成部に形成された樹脂充填材10の表層部および
下層導体回路4の表面を平坦化し、樹脂充填材10と下
層導体回路4の側面4aとが粗化面を介して強固に密着
し、またスルーホール9の内壁面9aと樹脂充填材10
とが粗化面を介して強固に密着した絶縁性基板を得た
(図7(d)参照)。すなわち、この工程により、樹脂
充填剤10の表面と下層導体回路4の表面とが同一平面
となる。
In this way, the surface portion of the resin filler 10 formed in the through-hole 9 and the portion where the conductor circuit is not formed and the surface of the lower conductor circuit 4 are flattened, and the resin filler 10 and the side surface of the lower conductor circuit 4 are flattened. 4a is firmly adhered through the roughened surface, and the inner wall surface 9a of the through hole 9 and the resin filler 10
Was firmly adhered through the roughened surface to obtain an insulating substrate (see FIG. 7D). That is, by this step, the surface of the resin filler 10 and the surface of the lower conductive circuit 4 become flush with each other.

【0139】(5) 次に、下層導体回路4の形成された基
板1の両面をアルカリ脱脂してソフトエッチングした
後、エッチング液として、イミダゾール銅(II)錯体1
0重量部、グリコール酸7重量部、塩化カリウム5重量
部およびイオン交換水78重量部を混合したものを使用
し、導体回路をエッチングすることにより、凹凸の高さ
(Rj)が3μmの粗化面を形成した(図8(a)参
照)。
(5) Next, both surfaces of the substrate 1 on which the lower conductor circuit 4 is formed are alkali-degreased and soft-etched, and then imidazole copper (II) complex 1 is used as an etching solution.
Using a mixture of 0 parts by weight, 7 parts by weight of glycolic acid, 5 parts by weight of potassium chloride and 78 parts by weight of ion-exchanged water, the conductor circuit is etched to roughen the unevenness height (Rj) to 3 μm. A surface was formed (see FIG. 8A).

【0140】(6) その後、ホウフッ化スズ(0.5mo
l/l)、チオ尿素(0.375mol/l)、還元剤
として次亜リン酸ナトリウム(20g/l)、界面活性
剤としてポリエチレングリコール(1000mg/l)
を含む温度25℃のスズ置換めっき液を用い、60秒間
Cu−Sn置換反応させ、粗化層の表面に厚さ0.03
μmのSn層を設けた。なお、このSn層については、
図示しない。
(6) Then, tin borofluoride (0.5 mol
l / l), thiourea (0.375 mol / l), sodium hypophosphite (20 g / l) as a reducing agent, polyethylene glycol (1000 mg / l) as a surfactant
And a Cu-Sn substitution reaction for 60 seconds using a tin-substitution plating solution having a temperature of 25 ° C. and a thickness of 0.03 mm on the surface of the roughened layer.
A μm Sn layer was provided. In addition, about this Sn layer,
Not shown.

【0141】(7) 次に、基板の両面に、上記Aで作製し
た層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを、以下の方法により
真空ラミネーター装置を用いて貼り付けることにより層
間樹脂絶縁層を形成した(図8(b)参照)。すなわ
ち、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを基板上に載置し、
真空度0.5Torr、圧力4kgf/cm2 、温度8
0℃、圧着時間60秒の条件で貼り付け、その後、17
0℃で30分間熱硬化させた。
(7) Next, on both surfaces of the substrate, the interlayer resin insulating layer was formed by attaching the resin film for the interlayer resin insulating layer prepared in the above A by using a vacuum laminator apparatus by the following method ( FIG. 8B). That is, the resin film for the interlayer resin insulation layer is placed on the substrate,
Vacuum degree 0.5 Torr, pressure 4 kgf / cm 2 , temperature 8
Paste under the condition of 0 ° C. and crimping time of 60 seconds.
Heat cured at 0 ° C. for 30 minutes.

【0142】(8) 次に、層間樹脂絶縁層2上に、厚さ
1.2mmの貫通孔が形成されたマスクを介して、波長
10.4μmのCO2 ガスレーザにて、ビーム径4.0
mm、トップハットモード、パルス幅8.0μ秒、マス
クの貫通孔の径1.0mm、1ショットの条件で層間樹
脂絶縁層2に、直径80μmのバイアホール用開口6を
形成した(図8(c)参照)。
(8) Next, a CO 2 gas laser having a wavelength of 10.4 μm is used to form a beam diameter of 4.0 through a mask having a through hole having a thickness of 1.2 mm formed on the interlayer resin insulating layer 2.
8 mm, a top hat mode, a pulse width of 8.0 μsec, a diameter of a through hole of the mask of 1.0 mm, and a one-shot condition, a via hole opening 6 of 80 μm in diameter was formed in the interlayer resin insulating layer 2 (FIG. c)).

【0143】(9) バイアホール用開口6を形成した基板
を、60g/lの過マンガン酸を含む80℃の溶液に1
0分間浸漬し、層間樹脂絶縁層2の表面に存在するエポ
キシ樹脂粒子を溶解除去することにより、バイアホール
用開口6の内壁を含む層間樹脂絶縁層2の表面を粗面と
した(図8(d)参照)。
(9) The substrate in which the via hole opening 6 was formed was placed in a 80 ° C. solution containing 60 g / l of permanganate.
The surface of the interlayer resin insulating layer 2 including the inner wall of the via hole opening 6 was roughened by dissolving and removing the epoxy resin particles present on the surface of the interlayer resin insulating layer 2 by immersing for 0 minutes (FIG. 8 ( d)).

【0144】(10)次に、上記処理を終えた基板を、中和
溶液(シプレイ社製)に浸漬してから水洗いした。さら
に、粗面化処理した該基板の表面に、パラジウム触媒
(アトテック社製)を付与することにより、層間樹脂絶
縁層2の表面およびバイアホール用開口6の内壁面に触
媒核を付着させた。
(10) Next, the substrate after the above treatment was immersed in a neutralizing solution (manufactured by Shipley) and washed with water. Further, by applying a palladium catalyst (manufactured by Atotech) to the surface of the substrate subjected to the surface roughening treatment, catalyst nuclei were attached to the surface of the interlayer resin insulating layer 2 and the inner wall surface of the via hole opening 6.

【0145】(11)次に、以下の組成の無電解銅めっき水
溶液中に基板を浸漬して、粗面全体に厚さ0.6〜3.
0μmの無電解銅めっき層12を形成した(図9(a)
参照)。 〔無電解めっき水溶液〕 NiSO4 0.003 mol/l 酒石酸 0.200 mol/l 硫酸銅 0.030 mol/l HCHO 0.050 mol/l NaOH 0.100 mol/l α、α′−ビピリジル 40 mg/l ポリエチレングリコール(PEG) 0.10 g/l 〔無電解めっき条件〕 35℃の液温度で40分
(11) Next, the substrate is immersed in an electroless copper plating aqueous solution having the following composition, and has a thickness of 0.6 to 3.
An electroless copper plating layer 12 of 0 μm was formed (FIG. 9A)
reference). [Electroless plating aqueous solution] NiSO 4 0.003 mol / l tartaric acid 0.200 mol / l copper sulfate 0.030 mol / l HCHO 0.050 mol / l NaOH 0.100 mol / l α, α'-bipyridyl 40 mg / l Polyethylene glycol (PEG) 0.10 g / l [Electroless plating conditions] 40 minutes at a liquid temperature of 35 ° C

【0146】(12)市販の感光性ドライフィルムを無電解
銅めっき層12に貼り付け、マスクを載置して、100
mJ/cm2 で露光し、0.8%炭酸ナトリウム水溶液
で現像処理することにより、厚さ30μmのめっきレジ
スト3を設けた(図9(b)参照)。
(12) A commercially available photosensitive dry film was stuck on the electroless copper plating layer 12, a mask was placed thereon, and
Exposure was performed at mJ / cm 2 , and a development treatment was performed with a 0.8% aqueous sodium carbonate solution to provide a plating resist 3 having a thickness of 30 μm (see FIG. 9B).

【0147】(13)ついで、基板を50℃の水で洗浄して
脱脂し、25℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄してか
ら、以下の条件で電解銅めっきを施し、電解銅めっき層
13を形成した(図9(c)参照)。 〔電解めっき水溶液〕 硫酸 2.24 mol/l 硫酸銅 0.26 mol/l 添加剤 19.5 ml/l (アトテックジャパン社製、カパラシドHL) 〔電解めっき条件〕 電流密度 1 A/dm2 時間 65 分 温度 22±2 ℃
(13) Subsequently, the substrate was washed with water at 50 ° C., degreased, washed with water at 25 ° C., further washed with sulfuric acid, and then subjected to electrolytic copper plating under the following conditions. The layer 13 was formed (see FIG. 9C). [Electroplating aqueous solution] sulfuric acid 2.24 mol / l copper sulfate 0.26 mol / l additive 19.5 ml / l (manufactured by Atotech Japan, Capparaside HL) [electroplating conditions] current density 1 A / dm 2 hours 65 minutes Temperature 22 ± 2 ℃

【0148】(14)さらに、めっきレジスト3を5%Na
OH水溶液で剥離除去した後、そのめっきレジスト3下
の無電解めっき膜12を硫酸と過酸化水素の混合液でエ
ッチング処理して溶解除去し、無電解銅めっき膜12と
電解めっき膜13からなる厚さ20μmの独立の上層導
体回路5(バイアホール7を含む)とした(図9(d)
参照)。
(14) Further, the plating resist 3 was changed to 5% Na
After stripping off with an OH aqueous solution, the electroless plating film 12 under the plating resist 3 is dissolved and removed by etching with a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide, and is composed of an electroless copper plating film 12 and an electrolytic plating film 13. An independent upper-layer conductor circuit 5 (including via holes 7) having a thickness of 20 μm was formed (FIG. 9D).
reference).

【0149】(15)上記(5) 〜(14)の工程を繰り返すこと
により、さらに上層の導体回路を形成し、多層配線板を
得た(図10(a)〜図11(b)参照)。
(15) By repeating the above steps (5) to (14), a further upper layer conductive circuit was formed, and a multilayer wiring board was obtained (see FIGS. 10 (a) to 11 (b)). .

【0150】(16)次に、ジエチレングリコールジメチル
エーテル(DMDG)に60重量%の濃度になるように
溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(日
本化薬社製)のエポキシ基50%をアクリル化した感光
性付与のオリゴマー(分子量:4000)46.67重
量部、メチルエチルケトンに溶解させた80重量%のビ
スフェノールA型エポキシ樹脂(油化シェル社製、商品
名:エピコート1001)15.0重量部、イミダゾー
ル硬化剤(四国化成社製、商品名:2E4MZ−CN)
1.6重量部、感光性モノマーである多価アクリルモノ
マー(日本化薬社製、商品名:R604)3.0重量
部、同じく多価アクリルモノマー(共栄化学社製、商品
名:DPE6A)1.5重量部、分散系消泡剤(サンノ
プコ社製、S−65)0.71重量部を容器にとり、攪
拌、混合して混合組成物を調製し、この混合組成物に対
して光重合開始剤としてベンゾフェノン(関東化学社
製)2.0重量部、光増感剤としてのミヒラーケトン
(関東化学社製)0.2重量部を加え、粘度を25℃で
1.4±0.3Pa・sに調整したソルダーレジスト組
成物を得た。なお、粘度測定は、B型粘度計(東京計器
社製、DVL−B型)で60rpmの場合はローターN
o.4、6rpmの場合はローターNo.3によった。
(16) Next, a cresol novolak type epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) dissolved in diethylene glycol dimethyl ether (DMDG) so as to have a concentration of 60% by weight was used. 46.67 parts by weight of an oligomer for imparting properties (molecular weight: 4000), 15.0 parts by weight of a bisphenol A type epoxy resin (trade name: Epicoat 1001 manufactured by Yuka Shell Co., Ltd.) dissolved in methyl ethyl ketone, and imidazole cured Agent (Shikoku Chemicals, trade name: 2E4MZ-CN)
1.6 parts by weight, 3.0 parts by weight of a polyvalent acrylic monomer (trade name: R604, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), which is a photosensitive monomer, and similarly polyvalent acrylic monomer (trade name: DPE6A, manufactured by Kyoei Chemical Co., Ltd.) 1 0.5 part by weight and 0.71 part by weight of a dispersion defoaming agent (manufactured by San Nopco Co., Ltd., S-65) are placed in a container, stirred and mixed to prepare a mixed composition, and photopolymerization of the mixed composition is started. 2.0 parts by weight of benzophenone (manufactured by Kanto Kagaku) and 0.2 parts by weight of Michler's ketone (manufactured by Kanto Kagaku) as a photosensitizer were added, and the viscosity was 1.4 ± 0.3 Pa · s at 25 ° C. A solder resist composition adjusted to the above was obtained. The viscosity was measured using a B-type viscometer (DVL-B type, manufactured by Tokyo Keiki Co., Ltd.) at 60 rpm with rotor N.
o. In the case of 4, 6 rpm, the rotor No. According to 3.

【0151】(17)次に、多層配線基板の両面に、上記ソ
ルダーレジスト組成物を20μmの厚さで塗布し、70
℃で20分間、70℃で30分間の条件で乾燥処理を行
った後、半田パッドのパターンが描画された厚さ5mm
のフォトマスクをソルダーレジスト層に密着させて10
00mJ/cm2 の紫外線で露光し、DMTG溶液で現
像処理し、直径200μmの開口を形成した。そして、
さらに、80℃で1時間、100℃で1時間、120℃
で1時間、150℃で3時間の条件でそれぞれ加熱処理
を行ってソルダーレジスト層を硬化させ、開口を有し、
その厚さが20μmのソルダーレジスト層14を形成し
た。なお、上記ソルダーレジスト組成物としては、市販
のソルダーレジスト組成物を使用することもできる。
(17) Next, the above-mentioned solder resist composition is applied to both surfaces of the multilayer wiring board in a thickness of 20 μm,
After drying at 20 ° C. for 20 minutes and at 70 ° C. for 30 minutes, the solder pad pattern is drawn to a thickness of 5 mm.
The photomask of 10
It was exposed to ultraviolet light of 00 mJ / cm 2 and developed with a DMTG solution to form an opening having a diameter of 200 μm. And
Further, at 80 ° C. for 1 hour, at 100 ° C. for 1 hour, at 120 ° C.
For 1 hour and at 150 ° C. for 3 hours to cure the solder resist layer by heating, and have an opening,
A solder resist layer 14 having a thickness of 20 μm was formed. In addition, a commercially available solder resist composition can also be used as the solder resist composition.

【0152】(18)次に、過硫酸ナトリウムを主成分とす
るエッチング液を、そのエッチング能が毎分2μm程度
になるように調製し、このエッチング液中にソルダーレ
ジスト層14が形成された基板を1分間浸漬し、導体回
路表面に平均粗度(Ra)が1μm以下の粗化面を形成
した。さらに、この基板を、塩化ニッケル(2.3×1
-1mol/l)、次亜リン酸ナトリウム(2.8×1
-1mol/l)、クエン酸ナトリウム(1.6×10
-1mol/l)を含むpH=4.5の無電解ニッケルめ
っき液に20分間浸漬して、開口部に厚さ5μmのニッ
ケルめっき層15を形成した。さらに、その基板をシア
ン化金カリウム(7.6×10-3mol/l)、塩化ア
ンモニウム(1.9×10-1mol/l)、クエン酸ナ
トリウム(1.2×10-1mol/l)、次亜リン酸ナ
トリウム(1.7×10-1mol/l)を含む無電解金
めっき液に80℃の条件で7.5分間浸漬して、ニッケ
ルめっき層15上に、厚さ0.03μmの金めっき層1
6を形成し、半田パッドとした。
(18) Next, sodium persulfate is used as a main component.
Etching solution with an etching ability of about 2 μm per minute
In the etching solution.
The substrate on which the dist layer 14 is formed is immersed for one minute,
Roughened surface with average roughness (Ra) of 1 μm or less is formed on the road surface
did. Further, this substrate was coated with nickel chloride (2.3 × 1).
0-1mol / l), sodium hypophosphite (2.8 × 1
0-1mol / l), sodium citrate (1.6 × 10
-1mol / l) electroless nickel with pH = 4.5
Immerse in a plating solution for 20 minutes, and place a 5 μm
A Kel plating layer 15 was formed. In addition, shear the substrate
Potassium gold (7.6 × 10-3mol / l), chloride
Nmonium (1.9 × 10-1mol / l), sodium citrate
Thorium (1.2 × 10-1mol / l), sodium hypophosphite
Thorium (1.7 × 10-1mol / l)
Immerse in plating solution at 80 ° C for 7.5 minutes,
Gold plating layer 1 having a thickness of 0.03 μm
6 was formed as a solder pad.

【0153】(19)この後、ソルダーレジスト層14の開
口に半田ペーストを印刷して、200℃でリフローする
ことにより半田バンプ17を形成し、半田バンプ17を
有する多層プリント配線板を製造した(図11(c)参
照)。
(19) Thereafter, a solder paste was printed in the openings of the solder resist layer 14 and reflowed at 200 ° C. to form the solder bumps 17, thereby manufacturing a multilayer printed wiring board having the solder bumps 17 ( FIG. 11C).

【0154】(実施例8)実施例7の導体回路に粗化面
を形成する工程(すなわち、 (5)の工程)において、エ
ッチング液として、硫酸と過酸化水素水とを含む混合液
を使用して導体回路をエッチングすることにより、凹凸
の高さ(Rj)が2.5μmの粗化面を形成した以外
は、実施例7と同様にしてプリント配線板を得た。
(Embodiment 8) In the step of forming a roughened surface on the conductor circuit of Embodiment 7 (ie, the step (5)), a mixed solution containing sulfuric acid and hydrogen peroxide solution was used as an etching solution. The printed circuit board was obtained in the same manner as in Example 7 except that a roughened surface having a height (Rj) of 2.5 μm was formed by etching the conductive circuit.

【0155】(実施例9) (1) 厚さ0.8mmのガラスエポキシ樹脂またはBT
(ビスマレイミド−トリアジン)樹脂からなる基板1の
両面に18μmの銅箔8がラミネートされている銅貼積
層板を出発材料とした(図12(a)参照)。まず、こ
の銅貼積層板をドリル削孔し、続いてめっきレジストを
形成した後、この基板に無電解銅めっき処理を施してス
ルーホール9を形成し、さらに、銅箔を常法に従いパタ
ーン状にエッチングすることにより、基板の両面に内層
銅パターン(下層導体回路)4を形成した。
Example 9 (1) Glass epoxy resin or BT having a thickness of 0.8 mm
A starting material was a copper-clad laminate in which 18 μm copper foils 8 were laminated on both sides of a substrate 1 made of (bismaleimide-triazine) resin (see FIG. 12A). First, the copper-clad laminate is drilled, and then a plating resist is formed. Then, the substrate is subjected to an electroless copper plating process to form through holes 9, and the copper foil is patterned in a conventional manner. Then, an inner copper pattern (lower conductive circuit) 4 was formed on both surfaces of the substrate.

【0156】(2) 下層導体回路4を形成した基板を水洗
いし、乾燥した後、エッチング液を基板の両面にスプレ
イで吹きつけて、下層導体回路4の表面とスルーホール
9のランド表面と内壁とをエッチングすることにより、
下層導体回路4の全表面に粗化面4a、9aを形成した
(図12(b)参照)。エッチング液として、イミダゾ
ール銅(II)錯体10重量部、グリコール酸7重量部、
塩化カリウム5重量部およびイオン交換水78重量部を
混合したものを使用した。
(2) The substrate on which the lower conductor circuit 4 is formed is washed with water and dried, and then an etching solution is sprayed on both surfaces of the substrate by spraying, so that the surface of the lower conductor circuit 4, the land surface of the through hole 9, and the inner wall are formed. And by etching
Roughened surfaces 4a and 9a were formed on the entire surface of the lower conductor circuit 4 (see FIG. 12B). As an etching solution, 10 parts by weight of an imidazole copper (II) complex, 7 parts by weight of glycolic acid,
A mixture of 5 parts by weight of potassium chloride and 78 parts by weight of ion-exchanged water was used.

【0157】(3) シクロオレフィン系樹脂を主成分とす
る樹脂充填剤10を、下記の方法によりスルーホール9
内、および、基板1の片面の導体回路非形成部と導体回
路4の外縁部とに樹脂充填剤10の層を形成した。すな
わち、まず、スキージを用いてスルーホール内に樹脂充
填剤を押し込んだ後、加熱乾燥させた。次に、導体回路
非形成部に相当する部分が開口したマスクを基板上に載
置し、スキージを用いて凹部となっている導体回路非形
成部に樹脂充填剤10の層を形成し、加熱乾燥させた
(図12(c)参照)。
(3) The resin filler 10 containing a cycloolefin resin as a main component is mixed with the through hole 9 by the following method.
A layer of the resin filler 10 was formed inside and on the one-side surface of the substrate 1 where no conductive circuit was formed and on the outer edge of the conductive circuit 4. That is, first, the resin filler was pushed into the through holes using a squeegee, and then heated and dried. Next, a mask having an opening corresponding to the conductive circuit non-forming portion is placed on the substrate, and a layer of the resin filler 10 is formed in the conductive circuit non-forming portion having a concave portion using a squeegee. It was dried (see FIG. 12 (c)).

【0158】(4) 上記(3) の処理を終えた基板の片面
を、ベルト研磨紙(三共理化学社製)を用いたベルトサ
ンダー研磨により、下層導体回路4の表面やスルーホー
ル9のランド表面に樹脂充填剤10が残らないように研
磨し、ついで、上記ベルトサンダー研磨による傷を取り
除くためのバフ研磨を行った。このような一連の研磨を
基板の他方の面についても同様に行った。そして、充填
した樹脂充填剤10を加熱硬化させた(図12(d)参
照)。
(4) One surface of the substrate after the treatment of the above (3) is subjected to belt sanding using a belt polishing paper (manufactured by Sankyo Rikagaku Co., Ltd.) to form a surface of the lower conductive circuit 4 and a land surface of the through hole 9. Was polished so that the resin filler 10 did not remain, and then buffed to remove the scratches caused by the belt sander polishing. Such a series of polishing was similarly performed on the other surface of the substrate. Then, the filled resin filler 10 was cured by heating (see FIG. 12D).

【0159】このようにして、スルーホール9等に充填
された樹脂充填剤10の表層部および下層導体回路4上
面の粗化層4aを除去して基板両面を平坦化し、樹脂充
填剤10と下層導体回路4の側面とが粗化面4aを介し
て強固に密着し、またスルーホール9の内壁面と樹脂充
填剤10とが粗化面9aを介して強固に密着した配線基
板を得た。
In this way, the surface layer of the resin filler 10 filled in the through holes 9 and the like and the roughened layer 4a on the upper surface of the lower conductor circuit 4 are removed to flatten both surfaces of the substrate, and the resin filler 10 and the lower layer are removed. A wiring board was obtained in which the side surfaces of the conductive circuit 4 were firmly adhered through the roughened surface 4a, and the inner wall surface of the through hole 9 was tightly adhered to the resin filler 10 through the roughened surface 9a.

【0160】(5) 次に、下層導体回路4の形成された基
板1の両面をアルカリ脱脂してソフトエッチングした
後、上記(2) で用いたエッチング液と同じエッチング液
をスプレイで吹きつけ、一旦平坦化された下層導体回路
4の表面とスルーホール9のランド表面とをエッチング
することにより、下層導体回路4の全表面に粗化面4
a、9aを形成した(図13(a)参照)。
(5) Next, after the both surfaces of the substrate 1 on which the lower conductor circuit 4 is formed are alkali-degreased and soft-etched, the same etching solution as the etching solution used in the above (2) is sprayed, and sprayed. By etching the surface of the lower conductive circuit 4 once flattened and the land surface of the through hole 9, the roughened surface 4 is formed on the entire surface of the lower conductive circuit 4.
a and 9a were formed (see FIG. 13A).

【0161】(6) その後、ホウフッ化スズ(0.5mo
l/l)、チオ尿素(0.375mol/l)、還元剤
として次亜リン酸ナトリウム(20g/l)、界面活性
剤としてポリエチレングリコール(1000mg/l)
を含む温度25℃のスズ置換めっき液を用い、60秒間
Cu−Sn置換反応させ、粗化層の表面に厚さ0.02
μmのSn層を設けた。なお、このSn層については、
図示しない。
(6) Then, tin borofluoride (0.5 mol
l / l), thiourea (0.375 mol / l), sodium hypophosphite (20 g / l) as a reducing agent, polyethylene glycol (1000 mg / l) as a surfactant
And a Cu-Sn substitution reaction for 60 seconds using a tin-substitution plating solution at a temperature of 25 ° C. and a thickness of 0.02 mm on the surface of the roughened layer.
A μm Sn layer was provided. In addition, about this Sn layer,
Not shown.

【0162】(7) 次に、上記工程を経た基板の両面に、
厚さ50μmの熱硬化型シクロオレフィン系樹脂シート
を温度50〜150℃まで昇温しながら圧力5kg/c
2 で真空圧着ラミネートし、シクロオレフィン系樹脂
からなる層間樹脂絶縁層2を設けた(図13(b)参
照)。真空圧着時の真空度は、10mmHgであった。
(7) Next, on both surfaces of the substrate having undergone the above steps,
A pressure of 5 kg / c while heating a thermosetting type cycloolefin resin sheet having a thickness of 50 μm to a temperature of 50 to 150 ° C.
Vacuum compression lamination was performed at m 2 to provide an interlayer resin insulating layer 2 made of a cycloolefin-based resin (see FIG. 13B). The degree of vacuum during vacuum compression was 10 mmHg.

【0163】(8) 次に、波長10.4μmのCO2 ガス
レーザにて、ビーム径5mm、トップハットモード、パ
ルス幅50μ秒、マスクの穴径0.5mm、3ショット
の条件でシクロオレフィン系樹脂からなる層間樹脂絶縁
層2に直径80μmのバイアホール用開口6を設けた
(図13(c)参照)。この後、酸素プラズマを用いて
デスミア処理を行った。
(8) Next, a CO 2 gas laser having a wavelength of 10.4 μm was used to obtain a cycloolefin resin under the conditions of a beam diameter of 5 mm, a top hat mode, a pulse width of 50 μsec, a mask hole diameter of 0.5 mm, and three shots. A via hole opening 6 having a diameter of 80 μm was provided in the interlayer resin insulating layer 2 made of (see FIG. 13C). Thereafter, a desmear treatment was performed using oxygen plasma.

【0164】(9) 次に、日本真空技術株式会社製のSV
−4540を用いてプラズマ処理を行い、層間樹脂絶縁
層2の表面を粗化した(図13(d)参照)。この際、
不活性ガスとしてはアルゴンガスを使用し、電力200
W、ガス圧0.6Pa、温度70℃の条件で、2分間プ
ラズマ処理を実施した。
(9) Next, SV manufactured by Japan Vacuum Engineering Co., Ltd.
The surface of the interlayer resin insulating layer 2 was roughened by performing a plasma treatment using −4540 (see FIG. 13D). On this occasion,
Argon gas is used as the inert gas, and power 200
Plasma treatment was performed for 2 minutes under the conditions of W, gas pressure 0.6 Pa, and temperature 70 ° C.

【0165】(10)次に、同じ装置を用い、内部のアルゴ
ンガスを交換した後、Ni−Cu合金をターゲットにし
たスパッタリングを、気圧0.6Pa、温度80℃、電
力200W、時間5分間の条件で行い、Ni−Cu合金
層12をポリオレフィン系層間樹脂絶縁層2の表面に形
成した。このとき、形成されたNi−Cu合金層12の
厚さは0.2μmであった(図14(a)参照)。
(10) Next, using the same apparatus, after replacing the internal argon gas, sputtering using a Ni—Cu alloy as a target was performed at a pressure of 0.6 Pa, a temperature of 80 ° C., a power of 200 W, and a time of 5 minutes. Under the conditions, the Ni—Cu alloy layer 12 was formed on the surface of the polyolefin-based interlayer resin insulating layer 2. At this time, the thickness of the formed Ni—Cu alloy layer 12 was 0.2 μm (see FIG. 14A).

【0166】(11)上記処理を終えた基板の両面に、市販
の感光性ドライフィルムを貼り付け、フォトマスクフィ
ルムを載置して、100mJ/cm2 で露光した後、
0.8%炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ20μmの
めっきレジスト3のパターンを形成した(図14(b)
参照)。
(11) A commercially available photosensitive dry film was stuck on both surfaces of the substrate after the above treatment, a photomask film was placed thereon, and after exposure at 100 mJ / cm 2 ,
Development was performed with 0.8% sodium carbonate to form a pattern of the plating resist 3 having a thickness of 20 μm (FIG. 14B).
reference).

【0167】(12)次に、以下の条件で電解銅めっきを施
して、厚さ15μmの電解銅めっき膜13を形成した
(図14(c)参照)。なお、この電解銅めっき膜13
により、後述する工程で導体回路5となる部分の厚付け
およびバイアホール7となる部分のめっき充填等が行わ
れたことになる。なお、電気めっき水溶液中の添加剤
は、アトテックジャパン社製のカパラシドHLである。
(12) Next, electrolytic copper plating was performed under the following conditions to form an electrolytic copper plating film 13 having a thickness of 15 μm (see FIG. 14C). The electrolytic copper plating film 13
As a result, in the steps described later, the portion to be the conductor circuit 5 is thickened, and the portion to be the via hole 7 is filled with plating. The additive in the electroplating aqueous solution is Capparaside HL manufactured by Atotech Japan.

【0168】〔電気めっき水溶液〕 硫酸 2.24 mol/l 硫酸銅 0.26 mol/l 添加剤 19.5 ml/l 〔電気めっき条件〕 電流密度 1 A/dm2 時間 65 分 温度 22±2 ℃[Electroplating aqueous solution] sulfuric acid 2.24 mol / l copper sulfate 0.26 mol / l additive 19.5 ml / l [electroplating conditions] current density 1 A / dm 2 hours 65 minutes temperature 22 ± 2 ° C

【0169】(13)ついで、めっきレジスト3を5%Na
OHで剥離除去した後、そのめっきレジスト3の下に存
在していたNi−Cu合金層12を硝酸および硫酸と過
酸化水素との混合液を用いるエッチング処理にて溶解除
去し、電気銅めっき膜13等からなる厚さ16μmの導
体回路5(バイアホール7を含む)を形成した(図14
(d)参照)。
(13) Next, the plating resist 3 is made of 5% Na
After stripping and removing with OH, the Ni-Cu alloy layer 12 existing under the plating resist 3 is dissolved and removed by an etching process using a mixed solution of nitric acid, sulfuric acid and hydrogen peroxide to form an electrolytic copper plating film. A conductor circuit 5 (including a via hole 7) having a thickness of 16 μm and comprising 13 or the like was formed (FIG. 14).
(D)).

【0170】(14)続いて、上記(5) 〜(13)の工程を、繰
り返すことにより、さらに上層の導体回路を形成した。
(図15(a)〜図16(b)参照)。
(14) Subsequently, the above steps (5) to (13) were repeated to form a further upper layer conductive circuit.
(See FIG. 15A to FIG. 16B).

【0171】(15)次に、実施例7と同様にして粘度を2
5℃で1.4±0.3Pa・sに調整したソルダーレジ
スト組成物を得、さらに、実施例7と同様にして、開口
を有し、その厚さが20μmのソルダーレジスト層14
を形成した。
(15) Next, the viscosity was adjusted to 2 in the same manner as in Example 7.
A solder resist composition adjusted to 1.4 ± 0.3 Pa · s at 5 ° C. was obtained, and a solder resist layer 14 having an opening and a thickness of 20 μm was obtained in the same manner as in Example 7.
Was formed.

【0172】(16)次に、ソルダーレジスト層14を形成
した基板を、塩化ニッケル(2.3×10-1mol/
l)、次亜リン酸ナトリウム(2.8×10-1mol/
l)、クエン酸ナトリウム(1.6×10-1mol/
l)を含むpH=4.5の無電解ニッケルめっき液に2
0分間浸漬して、開口部に厚さ5μmのニッケルめっき
層15を形成した。さらに、その基板をシアン化金カリ
ウム(7.6×10-3mol/l)、塩化アンモニウム
(1.9×10-1mol/l)、クエン酸ナトリウム
(1.2×10-1mol/l)、次亜リン酸ナトリウム
(1.7×10-1mol/l)を含む無電解めっき液に
80℃の条件で7.5秒間浸漬して、ニッケルめっき層
15上に、厚さ0.03μmの金めっき層16を形成
し、半田パッドとした。
(16) Next, the substrate on which the solder resist layer 14 was formed was coated with nickel chloride (2.3 × 10 -1 mol / mol).
l), sodium hypophosphite (2.8 × 10 −1 mol /
l), sodium citrate (1.6 × 10 −1 mol /
2) in the electroless nickel plating solution having pH = 4.5 containing l)
This was immersed for 0 minutes to form a nickel plating layer 15 having a thickness of 5 μm in the opening. Furthermore, the substrate gold potassium cyanide (7.6 × 10 -3 mol / l ), ammonium chloride (1.9 × 10 -1 mol / l ), sodium citrate (1.2 × 10 -1 mol / l), immersed in an electroless plating solution containing sodium hypophosphite (1.7 × 10 -1 mol / l) at 80 ° C. for 7.5 seconds to form a layer having a thickness of 0 A 0.03 μm gold plating layer 16 was formed to form a solder pad.

【0173】(17)この後、ソルダーレジスト層14の開
口に半田ペーストを印刷して、200℃でリフローする
ことにより半田バンプ17を形成し、半田バンプ17を
有する多層プリント配線板を製造した(図16(c)参
照)。
(17) Thereafter, a solder paste is printed on the openings of the solder resist layer 14 and reflowed at 200 ° C. to form the solder bumps 17, thereby manufacturing a multilayer printed wiring board having the solder bumps 17 ( FIG. 16 (c)).

【0174】(実施例10)実施例9の導体回路に粗化
面を形成する工程(すなわち、 (5)の工程)において、
エッチング液として、硫酸と過酸化水素水とを含む混合
液を使用して導体回路をエッチングすることにより、凹
凸の高さ(Rj)が2.5μmの粗化面を形成した以外
は、実施例9と同様にしてプリント配線板を得た。
(Embodiment 10) In the step of forming a roughened surface on the conductor circuit of Embodiment 9 (ie, the step of (5))
Except that a roughened surface having a height (Rj) of 2.5 μm was formed by etching a conductor circuit using a mixed solution containing sulfuric acid and a hydrogen peroxide solution as an etchant. In the same manner as in No. 9, a printed wiring board was obtained.

【0175】(比較例1)実施例1の被覆層を形成する
工程(すなわち、(6) の工程)において、スズ置換めっ
き液として、ゼラチンおよび界面活性剤を含まないめっ
き液を用い、被覆層を形成した以外は、実施例1と同様
にして、プリント配線板を得た。
(Comparative Example 1) In the step of forming the coating layer in Example 1 (ie, the step (6)), a plating solution containing neither gelatin nor a surfactant was used as the tin-substituted plating solution. A printed wiring board was obtained in the same manner as in Example 1 except that was formed.

【0176】(比較例2)実施例5の被覆層を形成する
工程において、スズ置換めっき液として、ホウフッ化ス
ズ(1mol/l)とチオ尿素(1mol/l)とを含
む温度35℃のめっき液を用い、450秒間Cu−Sn
置換反応を行うことにより、被覆層を形成した以外は、
実施例5と同様にして、プリント配線板を得た。
(Comparative Example 2) In the step of forming a coating layer of Example 5, plating at a temperature of 35 ° C containing tin borofluoride (1 mol / l) and thiourea (1 mol / l) as a tin displacement plating solution. Using liquid, Cu-Sn for 450 seconds
Except for forming a coating layer by performing a substitution reaction,
A printed wiring board was obtained in the same manner as in Example 5.

【0177】(比較例3)実施例7の被覆層を形成する
工程(すなわち、(6) の工程)において、スズ置換めっ
き液として、ホウフッ化スズ(1mol/l)とチオ尿
素(1mol/l)とを含む温度35℃のめっき液を用
い、450秒間Cu−Sn置換反応を行うことにより、
被覆層を形成した以外は、実施例7と同様にして、プリ
ント配線板を得た。
(Comparative Example 3) In the step of forming the coating layer in Example 7 (that is, the step (6)), tin borofluoride (1 mol / l) and thiourea (1 mol / l) were used as the tin displacement plating solutions. ) By performing a Cu-Sn substitution reaction for 450 seconds using a plating solution having a temperature of 35 ° C.
A printed wiring board was obtained in the same manner as in Example 7 except that the coating layer was formed.

【0178】(比較例4)実施例9の被覆層を形成する
工程(すなわち、(6) の工程)において、スズ置換めっ
き液として、ホウフッ化スズ(1mol/l)とチオ尿
素(1mol/l)とを含む温度35℃のめっき液を用
い、450秒間Cu−Sn置換反応を行うことにより、
被覆層を形成した以外は、実施例9と同様にして、プリ
ント配線板を得た。
(Comparative Example 4) In the step of forming the coating layer of Example 9 (ie, the step (6)), tin borofluoride (1 mol / l) and thiourea (1 mol / l) were used as the tin displacement plating solutions. ) By performing a Cu-Sn substitution reaction for 450 seconds using a plating solution having a temperature of 35 ° C.
Except having formed the coating layer, it carried out similarly to Example 9, and obtained the printed wiring board.

【0179】以上、実施例1〜10および比較例1〜4
で得られた多層プリント配線板について、被覆層形成前
後の粗化層の平均粗さ(Ra)、被覆層の状態、粗化後
の下層導体回路の変色、溶解の有無、層間樹脂絶縁層の
ハロー(剥がれ)の有無、信頼性試験後の層間樹脂絶縁
層の剥がれ、導体回路の断線、導通試験の結果の計5項
目について比較評価を行った。その結果を下記の表1に
示した。
Examples 1 to 10 and Comparative Examples 1 to 4
The average roughness (Ra) of the roughened layer before and after the formation of the coating layer, the state of the coating layer, discoloration of the lower conductive circuit after the roughening, the presence or absence of dissolution, Comparative evaluation was performed on a total of five items including the presence or absence of halos (peeling), the peeling of the interlayer resin insulating layer after the reliability test, the disconnection of the conductor circuit, and the results of the continuity test. The results are shown in Table 1 below.

【0180】評価方法 (1)表面粗さ 東京精密社製の表面粗さ形状測定機 サーコム 130
A/480Aにより測定した。
[0180]Evaluation method  (1) Surface roughness Surface roughness profile measuring machine manufactured by Tokyo Seimitsu Co., Ltd.
A / 480A.

【0181】(2)被覆層の状態 めっき後の配線の状態を顕微鏡により観察し、以下の変
色、異常析出、ウィスカーの有無を下記の基準により評
価した。 (a) 変色:黒変や酸化状態にあるものを有、それ以外の
ものを無とした。 (b) 異常析出:配線間に析出があったものを有、それ以
外のものを無とした。 (c) ウィスカー:ひげ状のものが確認されたものを有、
それ以外のものを無とした。
(2) State of coating layer The state of the wiring after plating was observed with a microscope, and the following discoloration, abnormal deposition, and the presence or absence of whiskers were evaluated according to the following criteria. (a) Discoloration: Some were blackened or oxidized, and others were not. (b) Abnormal deposition: Some were deposited between wirings, others were not. (c) Whisker: Some have whiskers,
Others were ignored.

【0182】(3)粗化後の下層導体回路の状態 クロム酸溶液で層間樹脂絶縁層を粗化した後、開口部よ
り露出したバイアホール部分を顕微鏡により観察し、そ
の変色、溶解が発生しているか否かを下記の評価基準に
より判断した。 (a) 変色:黒変、白変など他の部分と色が異なるものを
有、それ以外のものを無とした。 (b) 溶解:バイアホールの断面をカットし、溶解の有無
を確認した。
(3) State of Lower Layer Conductor Circuit after Roughening After roughening the interlayer resin insulating layer with a chromic acid solution, the via holes exposed from the openings are observed with a microscope, and discoloration and dissolution of the via holes occur. Was determined according to the following evaluation criteria. (a) Discoloration: Some parts differed in color from other parts, such as blackening and whitening, and others were not. (b) Dissolution: The cross section of the via hole was cut to confirm the presence or absence of dissolution.

【0183】(4)層間樹脂絶縁層の剥がれの有無 半田バンプを形成後に、プリント配線板をカットして断
面を形成し、顕微鏡で観察することにより、層間樹脂絶
縁層の剥がれの有無を判断した。
(4) Presence or Absence of Peeling of Interlayer Resin Insulating Layer After the formation of the solder bumps, the printed wiring board was cut to form a cross section, and the presence or absence of peeling of the interlayer resin insulating layer was determined by observing with a microscope. .

【0184】(5)信頼性試験後の断線等 温度:85℃、相対湿度:85%の条件下に1.2Vの
電圧を200時間印加して通電を行う信頼性試験の後、
プリント配線板をカットして断面を形成し、顕微鏡で観
察することにより、配線の断線、層間樹脂絶縁層の剥が
れの有無を判断した。また、導通試験を行い、モニター
に表示された結果から導通状態を判断した。導通があっ
たものを○、なかったものを×としている。
(5) Disconnection after Reliability Test After a reliability test in which a voltage of 1.2 V is applied for 200 hours under a condition of temperature: 85 ° C. and relative humidity: 85%, current is applied.
The printed wiring board was cut to form a cross section, and the presence or absence of disconnection of the wiring and peeling of the interlayer resin insulating layer was determined by observation with a microscope. In addition, a continuity test was performed, and the continuity state was determined from the results displayed on the monitor.も の indicates that there was continuity, and X indicates that there was no continuity.

【0185】[0185]

【表1】 [Table 1]

【0186】上記表1に示した結果より明らかなよう
に、実施例1〜10においては、いずれの評価項目も良
好であるのに対し、比較例1〜4では、被覆層の変色や
ウィスカーの発生があり、絶縁層の剥がれや導体回路の
断線等も発生している。
As is clear from the results shown in Table 1 above, in Examples 1 to 10, all the evaluation items were good, while in Comparative Examples 1 to 4, discoloration of the coating layer and whisker In some cases, peeling of the insulating layer and disconnection of the conductor circuit have occurred.

【0187】[0187]

【発明の効果】以上説明してきたように、本発明の無電
解めっき液によれば、粗化面が形成された導体回路を被
覆する際に、導体回路間の異常析出やウィスカーの発生
により導体回路同士を短絡させることがなく、粗化面の
形状をほぼ維持するように被覆層を形成することがで
き、被覆層が形成された導体回路上に該導体回路との密
着性に優れる層間樹脂絶縁層を形成することができる。
また、本発明のプリント配線板の製造方法によれば、上
記無電解めっき液を使用して導体回路上に被覆層を形成
するので、その上に形成される層間絶縁層との密着性に
優れたプリント配線板を製造することができる。
As described above, according to the electroless plating solution of the present invention, when a conductor circuit having a roughened surface is coated, abnormal conductors between the conductor circuits and whiskers are generated due to abnormal deposition between the conductor circuits. An interlayer resin capable of forming a covering layer so as to substantially maintain the shape of the roughened surface without short-circuiting the circuits, and having excellent adhesion to the conductor circuit on the conductor circuit on which the covering layer is formed. An insulating layer can be formed.
Further, according to the method for manufacturing a printed wiring board of the present invention, since the coating layer is formed on the conductor circuit using the electroless plating solution, the adhesiveness with the interlayer insulating layer formed thereon is excellent. Printed wiring boards can be manufactured.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の無電解めっき液を使用して下層導体回
路に被覆層を形成した後の下層導体回路を示す断面図で
ある。
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a lower conductor circuit after a coating layer is formed on the lower conductor circuit using the electroless plating solution of the present invention.

【図2】(a)〜(d)は、本発明のプリント配線板の
製造工程の一部を示す断面図である。
FIGS. 2A to 2D are cross-sectional views showing a part of the manufacturing process of the printed wiring board of the present invention.

【図3】(a)〜(d)は、本発明のプリント配線板の
製造工程の一部を示す断面図である。
FIGS. 3A to 3D are cross-sectional views showing a part of the manufacturing process of the printed wiring board of the present invention.

【図4】(a)〜(d)は、本発明のプリント配線板の
製造工程の一部を示す断面図である。
FIGS. 4A to 4D are cross-sectional views showing a part of the manufacturing process of the printed wiring board of the present invention.

【図5】(a)〜(c)は、本発明のプリント配線板の
製造工程の一部を示す断面図である。
FIGS. 5A to 5C are cross-sectional views showing a part of the manufacturing process of the printed wiring board of the present invention.

【図6】(a)〜(c)は、本発明のプリント配線板の
製造工程の一部を示す断面図である。
FIGS. 6A to 6C are cross-sectional views showing a part of the manufacturing process of the printed wiring board of the present invention.

【図7】(a)〜(d)は、本発明のプリント配線板の
製造工程の一部を示す断面図である。
FIGS. 7A to 7D are cross-sectional views showing a part of the manufacturing process of the printed wiring board of the present invention.

【図8】(a)〜(d)は、本発明のプリント配線板の
製造工程の一部を示す断面図である。
FIGS. 8A to 8D are cross-sectional views illustrating a part of the manufacturing process of the printed wiring board of the present invention.

【図9】(a)〜(d)は、本発明のプリント配線板の
製造工程の一部を示す断面図である。
FIGS. 9A to 9D are cross-sectional views illustrating a part of the manufacturing process of the printed wiring board of the present invention.

【図10】(a)〜(c)は、本発明のプリント配線板
の製造工程の一部を示す断面図である。
FIGS. 10A to 10C are cross-sectional views illustrating a part of the manufacturing process of the printed wiring board of the present invention.

【図11】(a)〜(c)は、本発明のプリント配線板
の製造工程の一部を示す断面図である。
FIGS. 11A to 11C are cross-sectional views illustrating a part of the manufacturing process of the printed wiring board of the present invention.

【図12】(a)〜(d)は、本発明のプリント配線板
の製造工程の一部を示す断面図である。
FIGS. 12A to 12D are cross-sectional views illustrating a part of the manufacturing process of the printed wiring board of the present invention.

【図13】(a)〜(d)は、本発明のプリント配線板
の製造工程の一部を示す断面図である。
FIGS. 13A to 13D are cross-sectional views illustrating a part of the manufacturing process of the printed wiring board of the present invention.

【図14】(a)〜(d)は、本発明のプリント配線板
の製造工程の一部を示す断面図である。
FIGS. 14A to 14D are cross-sectional views illustrating a part of the manufacturing process of the printed wiring board of the present invention.

【図15】(a)〜(c)は、本発明のプリント配線板
の製造工程の一部を示す断面図である。
FIGS. 15A to 15C are cross-sectional views illustrating a part of the manufacturing process of the printed wiring board of the present invention.

【図16】(a)〜(c)は、本発明のプリント配線板
の製造工程の一部を示す断面図である。
16 (a) to (c) are cross-sectional views showing a part of the manufacturing process of the printed wiring board of the present invention.

【図17】導体回路上に形成された粗化層を被覆する
際、被覆層が粗化面を埋めた場合を模式的に示す断面図
である。
FIG. 17 is a cross-sectional view schematically illustrating a case where a roughening layer formed on a conductor circuit is covered by a coating layer when the roughening layer is coated.

【図18】(a)及び(b)は、導体回路上に形成され
た粗化層を被覆する際、ブリッジ状の被覆層が形成され
た場合を模式的に示す断面図である。
FIGS. 18 (a) and (b) are cross-sectional views schematically showing a case where a bridge-like coating layer is formed when coating a roughened layer formed on a conductor circuit.

【図19】導体回路上に形成された粗化層を被覆する
際、導体回路間に異常析出が発生した例を模式的に示す
斜視図である。
FIG. 19 is a perspective view schematically showing an example in which abnormal deposition occurs between the conductor circuits when covering the roughened layer formed on the conductor circuits.

【図20】導体回路上に形成された粗化層を被覆する
際、被覆層にウィスカーが発生した例を模式的に示す斜
視図である。
FIG. 20 is a perspective view schematically showing an example in which whiskers are generated in a coating layer when coating a roughened layer formed on a conductor circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板 2(2a、2b) 層間樹脂絶縁層(無電解めっき用接
着剤層) 4 下層導体回路 4a 粗化面 4b 被覆層 5 上層導体回路 7 バイアホール 8 銅箔 9 スルーホール 9a 粗化面 10 樹脂充填材 11 粗化層 14 ソルダーレジスト層 15 ニッケルめっき膜 16 金めっき膜 17 ハンダバンプ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 (2a, 2b) Interlayer resin insulation layer (adhesive layer for electroless plating) 4 Lower-layer conductor circuit 4a Roughened surface 4b Coating layer 5 Upper-layer conductor circuit 7 Via hole 8 Copper foil 9 Through hole 9a Roughened surface 10 Resin filler 11 Roughened layer 14 Solder resist layer 15 Nickel plated film 16 Gold plated film 17 Solder bump

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 (1) 絶縁性基板上に導体回路を形成し、
前記導体回路に粗化形成処理を施して粗化面を形成した
後、または、(2) 絶縁性基板上に層間絶縁層を挟んで複
数層の導体回路を形成し、最上層に形成した導体回路に
粗化形成処理を施して粗化面を形成した後、前記(1) ま
たは(2) において形成した粗化面に被覆層を形成するた
めに使用する無電解めっき液であって、少なくとも金属
塩と、錯化剤と、還元剤と、界面活性剤とが配合されて
いることを特徴とする無電解めっき液。
(1) A conductor circuit is formed on an insulating substrate,
After forming a roughened surface by subjecting the conductor circuit to a roughening process, or (2) a conductor formed in a plurality of layers of conductor circuits on an insulating substrate with an interlayer insulating layer interposed therebetween, and formed on the uppermost layer An electroless plating solution used for forming a coating layer on the roughened surface formed in (1) or (2) after forming a roughened surface by performing a roughening forming process on the circuit, at least An electroless plating solution comprising a metal salt, a complexing agent, a reducing agent, and a surfactant.
【請求項2】 前記金属塩は、スズ塩、亜鉛塩、ニッケ
ル塩、コバルト塩、タリウム塩および鉛塩からなる群か
ら選択される少なくとも1種である請求項1に記載の無
電解めっき液。
2. The electroless plating solution according to claim 1, wherein the metal salt is at least one selected from the group consisting of tin salts, zinc salts, nickel salts, cobalt salts, thallium salts, and lead salts.
【請求項3】 前記界面活性剤は、ポリエチレングリコ
ール、ポリプロピレンオキシドおよびポリエチレンオキ
シドからなる群から選択される少なくとも1種である請
求項1または2に記載の無電解めっき液。
3. The electroless plating solution according to claim 1, wherein the surfactant is at least one selected from the group consisting of polyethylene glycol, polypropylene oxide, and polyethylene oxide.
【請求項4】 前記金属塩の濃度は0.01〜3mol
/lであり、前記錯化剤の濃度は0.1〜2mol/l
であり、前記還元剤の濃度は1〜80g/lであり、前
記界面活性剤の濃度は0.1〜10g/lである請求項
1〜3のいずれか1に記載の無電解めっき液。
4. The concentration of the metal salt is 0.01 to 3 mol.
/ L, and the concentration of the complexing agent is 0.1 to 2 mol / l.
The electroless plating solution according to any one of claims 1 to 3, wherein the concentration of the reducing agent is 1 to 80 g / l, and the concentration of the surfactant is 0.1 to 10 g / l.
【請求項5】 さらに、ゼラチンが配合されている請求
項1〜4のいずれか1に記載の無電解めっき液。
5. The electroless plating solution according to claim 1, further comprising gelatin.
【請求項6】 前記ゼラチンの濃度は、100〜200
0mg/lである請求項5に記載の無電解めっき液。
6. The concentration of the gelatin is from 100 to 200.
The electroless plating solution according to claim 5, wherein the amount is 0 mg / l.
【請求項7】 絶縁性基板上に層間絶縁層を挟んだ複数
層からなる導体回路を形成するプリント配線板の製造方
法であって、前記導体回路に粗化形成処理を施して粗化
面を形成し、前記粗化面に請求項1〜6のいずれか1に
記載の無電解めっき液を用いて被覆層を形成した後、前
記被覆層が形成された導体回路を含む基板面を層間絶縁
材料で被覆することを特徴とするプリント配線板の製造
方法。
7. A method for manufacturing a printed wiring board, wherein a conductor circuit comprising a plurality of layers with an interlayer insulating layer interposed therebetween is formed on an insulating substrate, wherein the conductor circuit is subjected to a roughening process to reduce a roughened surface. After forming and forming a coating layer on the roughened surface using the electroless plating solution according to any one of claims 1 to 6, the substrate surface including the conductor circuit on which the coating layer is formed is subjected to interlayer insulation. A method for manufacturing a printed wiring board, comprising coating with a material.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002271040A (en) * 2001-03-07 2002-09-20 Ibiden Co Ltd Method for manufacturing multilayer printed wiring board
JP2007270298A (en) * 2006-03-31 2007-10-18 Tdk Corp Electroless plating solution, and ceramic electronic component manufacturing method
WO2008001698A1 (en) * 2006-06-26 2008-01-03 Tokyo Electron Limited Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP5789375B2 (en) * 2008-08-08 2015-10-07 上村工業株式会社 Pre-plating method

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002271040A (en) * 2001-03-07 2002-09-20 Ibiden Co Ltd Method for manufacturing multilayer printed wiring board
JP2007270298A (en) * 2006-03-31 2007-10-18 Tdk Corp Electroless plating solution, and ceramic electronic component manufacturing method
JP4582044B2 (en) * 2006-03-31 2010-11-17 Tdk株式会社 Electroless plating solution and method for manufacturing ceramic electronic component
WO2008001698A1 (en) * 2006-06-26 2008-01-03 Tokyo Electron Limited Substrate processing method and substrate processing apparatus
JPWO2008001698A1 (en) * 2006-06-26 2009-11-26 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP4740330B2 (en) * 2006-06-26 2011-08-03 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing method and substrate processing apparatus
US8062955B2 (en) 2006-06-26 2011-11-22 Tokyo Electron Limited Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP5789375B2 (en) * 2008-08-08 2015-10-07 上村工業株式会社 Pre-plating method

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