JP2001094159A - マイクロタイプサーモパイル素子における熱隔離形成方法と構造 - Google Patents

マイクロタイプサーモパイル素子における熱隔離形成方法と構造

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 マイクロタイプサーモパイル素子における熱
隔離形成方法と構造の提供。 【解決手段】 表面に一層或いは多層構造の薄膜層を形
成したシリコン基板を具備するマイクロタイプサーモパ
イル素子における熱隔離を形成する方法であって、該薄
膜層に細長のエッチングウインドウを開設し並びに該エ
ッチングウインドウを跨ぐマイクロ連結構造を形成して
該マイクロ連結構造により該エッチングウインドウの両
側の薄膜層の辺縁を連接し、該エッチングウインドウを
透過して該シリコン基板に対してエッチングを進行して
該シリコン基板と該薄膜層の間にピットを形成し、薄膜
層をフローティング薄膜となすと共に該シリコン基板と
の間に熱隔離を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はマイクロタイプサー
モパイル(thermopile)素子に関し、特にそ
の熱隔離(thermal isolation)方法
及び構造に関する。
【0002】
【従来の技術】マイクロタイプサーモパイル素子におけ
る熱隔離形成方法は、正面エッチング工程(front
side etching process)と、背面
エッチング工程(backside etching
process)とに大きく分けられる。そのうち前者
により製造されたマイクロタイプサーモパイル素子は、
図1、図2に示されるようである。マイクロタイプサー
モパイル素子10の製造フロー以下のようである。即
ち、シリコンの基板12の表面に、一層或いは多層の薄
膜層14を形成し、並びにこの薄膜層14に黒体13と
サーモパイル15を製造し、続いて薄膜層14に多数の
エッチングウインドウ16を開設し、このエッチングウ
インドウ16を透過してシリコン基板12に対して異方
性エッチングを進行してシリコン基板12と薄膜層14
の間に一つのピットを形成し、こうして薄膜層14をフ
ローティング薄膜18(floating membr
ane)として、それとシリコン基板12の間に熱隔離
を形成する。
【0003】しかし、このように多数のエッチングウイ
ンドウ16を設ける設計方式により形成したフローティ
ング薄膜18の面積は小さい。これは、各エッチングウ
インドウ16を透過してシリコン基板12に対して行う
異方性エッチング後の面積を重畳させる必要があるた
め、フローティング薄膜18の面積を大きくすることが
できないためであり、且つフローティング薄膜18の中
心の下のシリコン基板12に対するエッチングに相当の
時間がかかり、フローティング薄膜18が破裂しやすく
なった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、一種のマイ
クロタイプサーモパイル素子における熱隔離形成方法と
構造を提供することを主要な課題とし、それは、フロー
ティング薄膜の面積を増大でき、且つフローティング薄
膜の受ける応力を減少可能な方法と構造であるものとす
る。
【0005】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、基板
と、該基板の表面に形成されたフローティング薄膜と、
該フローティング薄膜を分割するエッチングウインドウ
と、該エッチングウインドウを跨いで該エッチングウイ
ンドウの両側の該フローティング薄膜の辺縁を連接する
複数のマイクロ連結構造と、該基板と該フローティング
薄膜との間に介在するピットとを具備したことを特徴と
する、マイクロタイプサーモパイル素子における熱隔離
形成構造としている。請求項2の発明は、前記基板がシ
リコンとされたことを特徴とする、請求項1に記載のマ
イクロタイプサーモパイル素子における熱隔離形成構造
としている。請求項3の発明は、前記フローティング薄
膜が一つ或いは複数のシングルアームを具えたことを特
徴とする、請求項1に記載のマイクロタイプサーモパイ
ル素子における熱隔離形成構造としている。請求項4の
発明は、前記エッチングウインドウが細溝とされたこと
を特徴とする、請求項1に記載のマイクロタイプサーモ
パイル素子における熱隔離形成構造としている。請求項
5の発明は、前記エッチングウインドウが交錯する細溝
とされたことを特徴とする、請求項1に記載のマイクロ
タイプサーモパイル素子における熱隔離形成構造として
いる。請求項6の発明は、前記エッチングウインドウが
折れ曲がった細溝とされたことを特徴とする、請求項1
に記載のマイクロタイプサーモパイル素子における熱隔
離形成構造としている。請求項7の発明は、前記マイク
ロ連結構造が交錯する細条とされたことを特徴とする、
請求項1に記載のマイクロタイプサーモパイル素子にお
ける熱隔離形成構造としている。請求項8の発明は、表
面に一層或いは多層構造の薄膜層が形成されたシリコン
基板を具備するマイクロタイプサーモパイル素子におけ
る熱隔離を形成する方法であって、該薄膜層に細長のエ
ッチングウインドウを開設し並びに該エッチングウイン
ドウを跨ぐマイクロ連結構造を形成して該マイクロ連結
構造により該エッチングウインドウの両側の薄膜層の辺
縁を連接し、該エッチングウインドウを透過して該シリ
コン基板に対してエッチングを進行して該シリコン基板
と該薄膜層の間にピットを形成することにより、薄膜層
をフローティング薄膜となすと共に該シリコン基板との
間に熱隔離を形成することを特徴とする、マイクロタイ
プサーモパイル素子における熱隔離形成方法としてい
る。請求項9の発明は、前記エッチングウインドウを開
設するステップにおいて、前記薄膜層に交錯する細長パ
ターンを画定し、このパターンに基づき一部の薄膜層を
除去することを特徴とする、請求項8に記載のマイクロ
タイプサーモパイル素子における熱隔離形成方法として
いる。請求項10の発明は、前記エッチングウインドウ
を開設するステップにおいて、前記薄膜層に折れ曲がっ
た細長パターンを画定し、このパターンに基づき一部の
薄膜層を除去することを特徴とする、請求項8に記載の
マイクロタイプサーモパイル素子における熱隔離形成方
法としている。
【0006】
【発明の実施の形態】本発明の方法は、基板の表面の薄
膜層に細長のエッチングウインドウを設けると共に、エ
ッチングウインドウを跨過してエッチングウインドウの
両側の薄膜層の辺縁に連接するマイクロ連結構造を形成
し、その後、エッチングウインドウを透過して基板に対
してエッチングを進行して、基板と薄膜層の間にピット
を形成して薄膜層をこれによりフローティング薄膜とな
し、フローティング薄膜と基板との間に熱隔離を形成す
ることを特徴としている。
【0007】
【実施例】図3の平面図及び図4の断面図に示されるよ
うに、本発明のマイクロタイプサーモパイル素子20
は、基板22の表面にある一つのフローティング薄膜2
4を具備し、該フローティング薄膜24と基板22の間
に一つのピット29があり、フローティング薄膜24に
は黒体23とサーモパイル25が形成されている。一つ
のエッチングウインドウ26は交錯する細溝とされて、
フローティング薄膜24を分割して複数のシングルアー
ム242となし、並びに複数のマイクロ連結構造28が
エッチングウインドウ26を跨いでエッチングウインド
ウ26両側のシングルアーム242を連接している。マ
イクロ連結構造28は交錯する細条とされて二つの隣り
合うシングルアーム242を連接して支持作用を提供す
る。
【0008】マイクロタイプサーモパイル素子20の製
造フローは以下のようである。まず一つの基板22を提
供する。該基板22は例えば、シリコンで組成し、その
表面に一層或いは多層の薄膜層を形成し、並びにこの薄
膜層に黒体23及びサーモパイル25を形成する。続い
てこの薄膜層14にエッチングウインドウ26を開設し
て基板22を露出させる。エッチングウインドウ26開
設のステップは、薄膜層に交錯する細長のパターンを画
定し、並びにこのパターンに基づき一部の薄膜層を除去
して薄膜層を複数の部分に分割し、マイクロ連結構造2
8をエッチングウインドウ26を跨いで形成してエッチ
ングウインドウ26の両側の薄膜層の辺縁を連接させ
る。その後、エッチングウインドウ26を透過して基板
22に対するエッチングを進行し、基板22と薄膜層の
間にピット29を形成する。これにより薄膜層をフロー
ティング薄膜24となす。このフローティング薄膜24
は、複数のシングルアーム242を具え、フローティン
グ薄膜24と基板22間に熱隔離、即ちピット29が形
成される。
【0009】交錯する細長のエッチングウインドウ26
の配置と形状により、比較的大きな面積のフローティン
グ薄膜が得られる。また一方で、エッチングウインドウ
26のエッチング面積が相当簡単にオーバラップし、十
分に基板22のエッチング速度を増加することができ、
これにより長時間のエッチングによりフローティング薄
膜が破裂する事態を防止できる。
【0010】エッチングウインドウは異なる配置及び形
状が可能であり、例えば、図5に示される本発明のもう
一つの実施例では、サーモパイル素子30が一つのフロ
ーティング薄膜32を有し、それに開設されたエッチン
グウインドウ34は折り曲げられた細溝とされてフロー
ティング薄膜32を分割し一つのシングルアーム38を
形成している。シングルアーム38には黒体23とサー
モパイル35が形成されている。マイクロ連結構造36
がエッチングウインドウ34を跨いでエッチングウイン
ドウ34両側のフローティング薄膜34の辺縁を連接
し、支持作用を提供している。
【0011】以上の実施例は本発明の特徴を説明するた
めに提示されたものであり、本発明の請求範囲を限定す
るものではなく、本発明に基づき容易になしうる細部の
修飾或いは改変はいずれも本発明の請求範囲に属するも
のとする。
【0012】
【発明の効果】本発明のマイクロタイプサーモパイル素
子における熱隔離形成方法と構造は、フローティング薄
膜の面積を増大でき、且つフローティング薄膜の受ける
応力を減少可能な方法と構造である。
【図面の簡単な説明】
【図1】周知のマイクロタイプサーモパイルの外観図で
ある。
【図2】周知のマイクロタイプサーモパイルの平面図で
ある。
【図3】本考案のマイクロタイプサーモパイルの平面図
である。
【図4】本考案のマイクロタイプサーモパイルの断面図
である。
【図5】本考案のマイクロタイプサーモパイルのもう一
つの実施例の平面図である。
【符号の説明】
10 マイクロタイプサーモパイル素子 12 シ
リコン基板 13 黒体 14 薄
膜層 15 サーモパイル 16 エ
ッチングウインドウ 18 フローティング薄膜 20 サ
ーモパイル素子 22 基板 23 黒
体 24 フローティング薄膜 25 サ
ーモパイル 242 シングルアーム 26 エ
ッチングウインドウ 28 マイクロ連結構造 29 ピ
ット 30 サーモパイル素子 32 フ
ローティング薄膜 33 黒体 34 エ
ッチングウインドウ 35 サーモパイル 36 マ
イクロ連結構造 38 シングルアーム

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板と、該基板の表面に形成されたフロ
    ーティング薄膜と、該フローティング薄膜を分割するエ
    ッチングウインドウと、該エッチングウインドウを跨い
    で該エッチングウインドウの両側の該フローティング薄
    膜の辺縁を連接する複数のマイクロ連結構造と、該基板
    と該フローティング薄膜との間に介在するピットとを具
    備したことを特徴とする、マイクロタイプサーモパイル
    素子における熱隔離形成構造。
  2. 【請求項2】 前記基板がシリコンとされたことを特徴
    とする、請求項1に記載のマイクロタイプサーモパイル
    素子における熱隔離形成構造。
  3. 【請求項3】 前記フローティング薄膜が一つ或いは複
    数のシングルアームを具えたことを特徴とする、請求項
    1に記載のマイクロタイプサーモパイル素子における熱
    隔離形成構造。
  4. 【請求項4】 前記エッチングウインドウが細溝とされ
    たことを特徴とする、請求項1に記載のマイクロタイプ
    サーモパイル素子における熱隔離形成構造。
  5. 【請求項5】 前記エッチングウインドウが交錯する細
    溝とされたことを特徴とする、請求項1に記載のマイク
    ロタイプサーモパイル素子における熱隔離形成構造。
  6. 【請求項6】 前記エッチングウインドウが折れ曲がっ
    た細溝とされたことを特徴とする、請求項1に記載のマ
    イクロタイプサーモパイル素子における熱隔離形成構
    造。
  7. 【請求項7】 前記マイクロ連結構造が交錯する細条と
    されたことを特徴とする、請求項1に記載のマイクロタ
    イプサーモパイル素子における熱隔離形成構造。
  8. 【請求項8】 表面に一層或いは多層構造の薄膜層が形
    成されたシリコン基板を具備するマイクロタイプサーモ
    パイル素子における熱隔離を形成する方法であって、該
    薄膜層に細長のエッチングウインドウを開設し並びに該
    エッチングウインドウを跨ぐマイクロ連結構造を形成し
    て該マイクロ連結構造により該エッチングウインドウの
    両側の薄膜層の辺縁を連接し、該エッチングウインドウ
    を透過して該シリコン基板に対してエッチングを進行し
    て該シリコン基板と該薄膜層の間にピットを形成するこ
    とにより、薄膜層をフローティング薄膜となすと共に該
    シリコン基板との間に熱隔離を形成することを特徴とす
    る、マイクロタイプサーモパイル素子における熱隔離形
    成方法。
  9. 【請求項9】 前記エッチングウインドウを開設するス
    テップにおいて、前記薄膜層に交錯する細長パターンを
    画定し、このパターンに基づき一部の薄膜層を除去する
    ことを特徴とする、請求項8に記載のマイクロタイプサ
    ーモパイル素子における熱隔離形成方法。
  10. 【請求項10】 前記エッチングウインドウを開設する
    ステップにおいて、前記薄膜層に折れ曲がった細長パタ
    ーンを画定し、このパターンに基づき一部の薄膜層を除
    去することを特徴とする、請求項8に記載のマイクロタ
    イプサーモパイル素子における熱隔離形成方法。
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6828560B2 (en) * 2002-01-31 2004-12-07 Delphi Technologies, Inc. Integrated light concentrator
WO2008113015A1 (en) 2007-03-14 2008-09-18 Entegris, Inc. System and method for non-intrusive thermal monitor
DE102007046451B4 (de) * 2007-09-28 2011-08-25 Pyreos Ltd. Vorrichtung zur Detektion von Wärmestrahlung mit hoher Auflösung, Verfahren zum Herstellen und Verwendung der Vorrichtung
JP5645240B2 (ja) * 2009-03-31 2014-12-24 パナソニックIpマネジメント株式会社 赤外線アレイセンサ
JP2010237118A (ja) * 2009-03-31 2010-10-21 Panasonic Electric Works Co Ltd 赤外線アレイセンサ
US20100258726A1 (en) * 2009-04-08 2010-10-14 Honeywell International Inc. Radiation power detector
DE102010042108B4 (de) 2010-01-18 2013-10-17 Heimann Sensor Gmbh Thermopile-Infrarot-Sensor in monolithischer Si-Mikromechanik
US8552380B1 (en) 2012-05-08 2013-10-08 Cambridge Cmos Sensors Limited IR detector
GB2521475A (en) 2013-12-22 2015-06-24 Melexis Technologies Nv Infrared thermal sensor with beam without thermocouple
JP2019518960A (ja) 2016-06-21 2019-07-04 ハイマン・ゼンゾル・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング 温度測定又はガス検出のためのサーモパイル赤外線単一センサ
TWI664396B (zh) * 2018-01-02 2019-07-01 國立高雄科技大學 熱型氣壓高度計

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS613842A (ja) * 1984-06-19 1986-01-09 Nippon Steel Corp 高強度レ−ルの製造法
US5534111A (en) * 1988-02-29 1996-07-09 Honeywell Inc. Thermal isolation microstructure
JPH02205729A (ja) * 1989-02-03 1990-08-15 Nec Corp 赤外線センサ
GB9009117D0 (en) * 1990-04-24 1990-08-08 Emi Plc Thorn Pyroelectric detector and method of manufacturing the same
JPH046424A (ja) * 1990-04-24 1992-01-10 Nec Corp 赤外線センサ
EP0611443B1 (en) * 1991-11-04 1996-05-29 Honeywell Inc. Thin film pyroelectric imaging array
WO1994007115A1 (en) * 1992-09-17 1994-03-31 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Infrared detector array and production method therefor
DE19710946A1 (de) * 1997-03-15 1998-09-24 Braun Ag Thermopile-Sensor und Strahlungsthermometer mit einem Thermopile-Sensor

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