JP2001091901A - 可変光減衰器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明は、光通信システムに用いられる可変光
減衰器に関し、小型、低コストで、かつ高性能な可変光
減衰器を提供することを目的とする。 【解決手段】入射光を常光線の第１光と異常光線の第２
光とに分離する光分離素子１と、第１光と第２光とが入
射するファラデー回転子２と、ファラデー回転子２に磁
界を印加する磁界印加手段５、６と、ファラデー回転子
２から射出した第１光と第２光の偏光方位を回転させる
旋光子３と、旋光子３を通過した第１光と第２光を合成
する光合成素子４とを有するように構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光通信システムに
用いられる可変光減衰器に関し、特に光波長多重通信シ
ステムに用いられる可変光減衰器に関する。

【０００２】

【従来の技術】今後の大容量光通信を実現する手段とし
て、１本の光ファイバーで波長の異なる複数の光信号を
同時に伝送する光波長多重通信システム（以下、ＷＤＭ
システムという）が提案されている。ＷＤＭシステムに
用いられている光増幅器はエルビウム・ドープ・ファイ
バーを増幅媒体として光信号を直接増幅する。ＷＤＭシ
ステムの場合、例えば１５５０ｎｍ±２０ｎｍの波長帯
域内で波長の異なる１６本の光信号を伝送するが、多段
増幅後に一定レベルの光信号を取り出すためには、各光
増幅器通過後の各光信号を一定レベルにする必要があ
る。

【０００３】しかしながら光増幅器の増幅特性は入射光
の波長に依存して変動する波長依存性を有するため、波
長の異なる光信号間で信号レベルに差が生じてしまう。
この信号レベル差をなくすために光減衰器を用いる必要
が生じている。光減衰器としては、光強度をモニタしな
がら信号レベルを一定に保つフイードバック制御が可能
な可変光減衰器が用いられる。可変光減衰器のうち、印
加した磁界の強度によりファラデー回転角を変化させて
光の減衰量を制御するいわゆる磁気光学型可変光減衰器
が有望である。磁気光学型可変光減衰器は、機械的な稼
動部がないため信頼性が高くまた小型化し易いという利
点を有している。磁気光学型可変光減衰器は、ファラデ
ー回転子と、ファラデー回転子に磁界を印加する電磁石
とを有している。電磁石に流す電流量を変化させてファ
ラデー回転子に印加する磁界の強度を制御することによ
りファラデー回転子の磁化の強さを変化させて、ファラ
デー回転角を制御できるようになっている。

【０００４】従来、いくつかの可変光減衰器が提案され
ており、例えば、特開平７−１２０７１１号公報には図
５に示すような可変光減衰器が開示されている。図５に
おいて、光可変減衰器ＡＮ１は、光ファイバ１１０の光
路上に設置されている。光可変減衰器ＡＮ１は光ファイ
バ１１０の出力面に対向して設けられたレンズ１１１
と、このレンズ１１１を通過する光の光路上に順次設け
られた複屈折結晶１１２、磁気光学結晶１１３、補償板
１１４、複屈折結晶１１５、レンズ１１６と磁気光学結
晶１１３の周囲に設けられた磁気コイル１１７とから構
成されている。磁気コイル１１７に供給する電流を変化
させることにより、光可変減衰器ＡＮ１から出力される
光の強度を変調することができる。このように２つの偏
光素子（１１２、１１５）の間にファラデー回転子（１
１３）と旋光子（１１４）が挿入されている構成となっ
ているが、この光可変減衰器ＡＮ１は、複屈折結晶１１
２で分離された２つの偏光のうちの１つの偏光に対して
のみ動作するいわゆる偏波依存型の可変光減衰器であ
る。

【０００５】また、特開平９−２８８２５６号公報には
図６に示すような可変光減衰器が開示されている。この
可変光減衰器の光学系の構成は、偏光分離方向が同じ方
向または反対方向である２枚のルチル偏光分離合成素子
１０１、１０２とその間にファラデー回転子１０３が配
置されている三層構造となっている。そして磁気回路１
０４によりファラデー回転子１０３に磁界を印加してフ
ァラデー回転角を制御することで出力光の強度を可変で
きるようにしている。この構成はルチル偏光分離合成素
子１０１で分離された２つの偏光の双方を用いるいわゆ
る偏波無依存型の可変光減衰器である。

【０００６】この構成の可変光減衰器が最大特性を発揮
するように動作させるには、ファラデー回転角は絶対値
の０°から９０°の回転角度範囲９０°で使用しなけれ
ばならない。ところが、一般的に、可変光減衰器に用い
られるファラデー回転子のファラデー回転角の絶対値０
°付近を使用することは以下の理由により好ましくな
い。まず、ファラデー回転角はファラデー回転子に印加
される磁界の垂直磁界成分に感応して生じるので、磁気
光学型可変光減衰器では垂直磁界成分を変化させること
によりファラデー回転角を制御している。従って、垂直
磁界制御の方法によって可変光減衰器の性能は大きく左
右されることになる。ファラデー回転子に印加する垂直
磁界を制御する方法は二通りある。一つは、電磁石をフ
ァラデー回転子に対して垂直方向、つまり光軸に沿って
ファラデー回転子を挟み込むようにして配置し、当該電
磁石により直接垂直磁界を印加する方法である。この方
法の場合、ファラデー回転角を０°で使用することは可
能だが、ファラデー回転子の未飽和磁化領域を使用する
ことになる。そのため、ファラデー回転角０°すなわち
印加磁界が０Ｇ（ガウス）のときファラデー回転子内に
は磁区構造が残っており、これが入射光に対する回折損
失を生じさせ、ひいては可変光減衰器の特性劣化を引き
起こしてしまう。

【０００７】ファラデー回転子に印加する垂直磁界を制
御する別の方法は、特許番号第２８１５５０９号特許公
報に開示されており図７を用いて説明する。図７におい
て、番号２０２、２０５はファラデー回転子結晶内の磁
化方向とその大きさを表すベクトルであり、２０１、２
０４、２０３は外部から印加される印加磁界の方向と大
きさを表すベクトルである。図中Ｚ方向はファラデー回
転子中の光の伝播方向であり、Ｘ方向はＺ方向に直交し
ている。フアラデー回転子は、外部永久磁石による垂直
磁界２０１により飽和磁化２０２の状態となる。次に電
磁石による水平磁界２０３を印加すると外部磁界は合成
磁界２０４となり、ファラデー回転子は磁化２０５の状
態になる。この磁化２０５の大きさは飽和磁化２０２の
大きさと同じであり従ってファラデー回転子は飽和磁化
の状態にある。

【０００８】このように、永久磁石によりファラデー回
転子に垂直磁界を予め印加してファラデー回転子を飽和
磁化の状態にしておいて、さらにファラデー回転子の面
内方向に配置した電磁石で水平磁界を印加する。そし
て、２つの磁界の合成磁界２０４によりファラデー回転
子の磁化の方向を磁化２０２から磁化２０５まで角度θ
だけ回転させてＺ方向の磁化成分２０６の大きさを制御
している。この磁化成分２０６の大きさに依存してファ
ラデー回転角は変化する。この方法の場合は、ファラデ
ー回転子は常に飽和磁化領域で使用されるため回折損失
が生じることはない。しかしこの方法では、電磁石によ
り印加する面内方向磁界をいくら強くしても合成磁界２
０４の垂直磁界成分を０Ｇにすることはできない。つま
りファラデー回転角を０°にすることができず、少なく
とも約５°程度の回転角になってしまう。さらに図７か
らも明らかなように、ファラデー回転角をできるだけ０
°に近づけるには面内方向磁界２０３を極めて大きくし
なければならず、そのためには電磁石に大電流を流す必
要が生じるが省電力化の観点から好ましくない。一方、
低電流駆動ではファラデー回転角の下限側角度が大きく
なってしまう。

【０００９】また、特許番号第２８１５５０９号特許公
報にはファラデー回転子に対して磁石を斜めに配置して
ファラデー回転角０°を得ることができる可変光減衰器
が示されている。しかし、実際に装置を設計し組み立て
る際、２つの磁石（永久磁石と電磁石）をファラデー回
転子に対して斜めに配置するのは困難であり、また、２
つの磁石が垂直及び水平に配置されている構成と比較し
て装置を小型化するのが困難であるという問題が生じ
る。以上の理由により、ファラデー回転角として絶対値
０°付近を使用するのは困難であり、回転角度範囲の９
０°は絶対値が５°以上の領域から選ばれることが好ま
しい。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】仮に、図６に示した特
開平９−２８８２５６号公報に記載された可変光減衰器
に対して、ファラデー回転角が絶対値５°以上の領域で
回転角度範囲が９０°となるようにしたとすると、挿入
損失が大きくなってしまうという問題が生じる。また、
ルチル偏光分離合成素子１０１、１０２の光学軸の向き
によっては最大減衰量が小さくなってしまう等の問題が
生じる。また別の課題として、可変光減衰器の偏光分離
合成素子に関する問題がある。偏光分離合成素子として
２枚の楔型ルチルを用い、楔型ルチルの光学軸を適当に
設計することにより、ファラデー回転角が絶対値５°以
上で角度範囲９０°の領域を使って最大特性が得られる
可変光減衰器を構成できる。しかし、楔型ルチルは平行
平板ルチルに比べ作製上のコストが高く、かつ量産性が
低いという欠点を有している。

【００１１】本発明の目的は、小型、低コストで、かつ
高性能な可変光減衰器を提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記目的は、入射光を常
光線の第１光と異常光線の第２光とに分離する光分離素
子と、前記第１光と前記第２光とが入射するファラデー
回転子と、前記ファラデー回転子に磁界を印加する磁界
印加手段と、前記ファラデー回転子から射出した前記第
１光と前記第２光の偏光方位を回転させる旋光子と、前
記旋光子を通過した前記第１光と前記第２光を合成する
光合成素子とを有することを特徴とする偏波無依存型の
可変光減衰器によって達成される。

【００１３】本発明によれば、ファラデー回転角の絶対
値が５°以上である任意の９０°範囲で最大光学特性を
得ることができるようになる。また、構成している光学
素子を全て平行平板にすることができる。このような構
成にすることにより、小型、低コストで、高性能な可変
光減衰器を実現できる。

【００１４】

【発明の実施の形態】本発明の一実施の形態による可変
光減衰器を図１乃至図４を用いて説明する。まず、本実
施の形態による可変光減衰器の概略の構成を図１を用い
て説明する。図１において、図中左方から右方に向かう
方向を光の伝播方向としてＺ軸で表し、Ｚ軸に垂直で図
中上下方向をＸ軸とし、Ｘ軸、Ｚ軸に直交する方向をＹ
軸とする。本実施の形態における可変光減衰器は、＋Ｚ
軸方向に向かって順に、入射光を常光線の第１光と異常
光線の第２光とに分離する光分離素子１と、第１光と第
２光とが入射するファラデー回転子２と、ファラデー回
転子２に水平磁界を印加する水平磁界印加手段である電
磁石５、６と、ファラデー回転子２から射出した第１光
と第２光の偏光方位を回転させる旋光子３と、旋光子３
を通過した第１光と第２光を合成する光合成素子４とを
有している。また、図示は省略したが、Ｚ軸に沿ってフ
ァラデー回転子２の両側にリング状の永久磁石が配置さ
れている。さらに、図示は省略したが、光分離素子１よ
り−（マイナス）Ｚ方向には光ファイバーの光射出端部
と、当該ファイバー端部から射出した光をコリメートし
て光分離素子１に入射させる光学系（凸レンズ）とが配
置されている。また、光合成素子４の＋Ｚ方向側には光
ファイバーの光入射端部と、光合成素子４を射出した光
を当該ファイバーの光入射端部へ集光する集光光学系
（凸レンズ）とが配置されている。これらの光はＺ軸に
沿って設けられたリング状永久磁石の開口部を通過する
ようになっている。

【００１５】＋Ｚ方向に伝播する光信号の対象光波長は
例えば１５５０ｎｍに設定されている。光分離素子１及
び光合成素子４には例えば平行平板ルチルが用いられ
る。また、光分離素子１及び光合成素子４は、Ｚ軸方向
の厚さ（例えば、３ｍｍ）と光学軸の方向は等しくなる
ようにしている。そのため、信号光が光分離素子１に入
射して常光線の第１光と異常光線の第２光とに分離され
た際、光分離素子１から光合成素子４に至り光合成素子
４を射出する場合の光学的距離は第１光と第２光とでほ
ぼ同一になる。従って、偏波モード分散（ＰＭＤ）はほ
ぼゼロにすることができる。

【００１６】ファラデー回転子２としては、ビスマス・
イットリウム・鉄・ガーネットの低飽和磁化ファラデー
回転子を用いており、ファラデー回転角の回転角度範囲
が９０°以上になるようにＺ軸方向の厚さを調整してあ
る。単板厚膜ファラデー回転子が作製できない場合は、
当該回転子を複数枚重ねて使用してももちろんよい。本
実施の形態では単板厚み約０．３ｍｍの回転子を３枚重
ねて使用している。旋光子３を用いるのは、ファラデー
回転角の回転角度範囲９０°を絶対値に対して自由に設
定できるようにするためである。旋光子３としては、例
えば、水晶１／２波長板１次単板を用いている。板厚は
約０．０９ｍｍである。光学軸は面内にある。光学軸の
向きについては後述する。

【００１７】本実施の形態の磁界印加手段は、先に説明
した特許番号第２８１５５０９号特許公報に記載された
方法と同様の磁界印加方法を採用しているが、本実施の
形態において磁界印加手段は特徴的構成要素ではないの
でこれに限定する必要はもちろんない。

【００１８】Ｚ軸に沿ってファラデー回転子２の両側に
配置されたリング状永久磁石（図示せず）は、ファラデ
ー回転子２に垂直磁界を印加してファラデー回転子２に
飽和磁化を生じさせる。リング状永久磁石によりファラ
デー回転子２に印加される垂直磁界は約１５０Ｇであ
る。電磁石５、６によりファラデー回転子２に水平磁界
を印加することにより、ファラデー回転子２のＸ−Ｚ面
内で垂直磁界との合成磁界が生じる。

【００１９】リング状永久磁石と電磁石５、６とを有す
る磁界印加手段による面内磁界の強さとファラデー回転
角との関係を図２に示す。図２は、上述のようにファラ
デー回転子２に垂直磁界を約１５０Ｇ印加した状態で、
電磁石５、６に流す電流を変化させて、水平磁界を徐々
に増加させた場合のファラデー回転角の変化を示してい
る。図２に示すように、水平磁界の強さを１００Ｇから
４００Ｇまで変化させると、ファラデー回転角は、絶対
値が１１５°から１５°まで９０°の範囲内でほぼ線形
に変化する。一方、水平磁界の強さを０Ｇから１００Ｇ
まで変化させてもファラデー回転角は１２０°から１１
５°程度までしか変化せず、水平磁界が１００Ｇから４
００Ｇまでの範囲における線形性が失われる。また、水
平磁界を４００Ｇから１０００Ｇ程度に強めてもファラ
デー回転角は１５°から５°程度までしか回転せず、回
転角を０°にすることはできない。

【００２０】図２に示したファラデー回転角と水平磁界
との関係から、電磁石５、６で発生させる水平磁界が１
００Ｇ〜４００Ｇで、ファラデー回転子２の絶対値が１
５°〜１０５°の回転角範囲９０°の領域を用いるよう
にすれば、電磁石５、６に供給する電流を抑えることが
できるので都合がよい。従って、本実施の形態では、フ
ァラデー回転角として絶対値１５°から１０５°で回転
角範囲９０°となるように電磁石５、６を制御するよう
にしている。

【００２１】次に、旋光子３として用いている１／２波
長板の光学軸の向きについて説明する。本実施の形態で
は光分離素子１と光合成素子４光学軸の向きが等しく、
且つファラデー回転角として１５°〜１０５°を採用し
ているので、ファラデー回転子２を通過した第１光及び
第２光の偏光面を旋光子３によりそれぞれ１５°回転さ
せて光合成素子４に入射させるようにする。このため旋
光子３の光学軸の向きは、ファラデー回転角の回転方向
が光信号伝播方向に対して左回りの場合には、光分離素
子１と光合成素子４の光学軸に対して右回りに８２．５
°回転させて配置すればよい。

【００２２】次に、本実施の形態による可変光減衰器の
動作について図３を用いて説明する。図３（Ａ）は、フ
ァラデー回転角を１０５°としたときの可変光減衰器の
動作を示し、図３（Ｂ）は、ファラデー回転角を１５°
としたときの可変光減衰器の動作を示している。また、
図３（ａ）〜（ｅ）は、本可変光減衰器に入射した光を
図１に示した＋Ｚ方向に向かって見た状態を示し、各素
子を通過した後の光の偏光方位及び位置を示している。

【００２３】まず、図３（Ａ）において、光分離素子１
より−Ｚ方向に配置された光ファイバーのファイバー光
射出端１０から射出した光は図示しない整形光学系でコ
リメートされて平行光となって光分離素子１に入射す
る。図３（ａ）は、光分離素子１に入射した光が、常光
線である第１光１２と異常光線である第２光１４とに分
離した状態を示している。光分離素子１の光学軸は図３
においてＸ軸に平行であり、また光の伝播方向は紙面に
垂直であるため、主断面はＸ−Ｚ面に平行である。従っ
て、常光線の第１光１２は主断面に垂直な方向のＹ軸に
平行な偏光方位をとり、異常光線の第２光１４は主断面
の面内に含まれてＸ軸に平行な偏光方位をとる。

【００２４】次いで図３（ｂ）に示すように、常光線で
ある第１光１２は光分離素子１を通過しても光路が変わ
らずそのままファラデー回転子２に入射する。一方、異
常光線である第２光１４は、光分離素子１を通過する際
に＋Ｘ方向に光路が曲げられて、光分離素子１の通過後
第１光１２と所定間隔を有して平行にファラデー回転子
２に入射する。

【００２５】第１光１２及び第２光１４は図３（ｃ）に
示すように、電磁石５、６により所定の水平磁界が印加
されたファラデー回転子２で偏光方位を共に左回りに１
０５°回転させられる。

【００２６】次に、ファラデー回転子２を通過した第１
光１２及び第２光１４は、図３（ｄ）に示すように旋光
子３に入射し、旋光子３により偏光方位を右回りに１５
°回転させられて第１光１２はＸ軸に平行な偏光方位
に、第２光１４はＹ軸に平行な偏光方位にされる。

【００２７】次いで、第１光１２及び第２光１４は光合
成素子４に入射する。光合成素子４の光学軸はＸ軸に平
行であり、且つ光分離素子１の光学軸と同じ方向を有し
ている。従って、図３（ｅ）に示すように、光合成素子
４において常光線となる第２光１４は光路を変えずにそ
のまま直進する。一方、第１光１２は、光分合成子４内
で異常光線として＋Ｘ方向に光路が曲げられて、光合成
素子４を射出する際には第２光１４と同軸になる。光合
成素子４を通過して同軸になった第１光１２及び第２光
１４は、光合成素子４の＋Ｚ方向側に設けられた集光光
学系を介してファイバー光入射端１６に入射する。この
ように、ファラデー回転子の回転角が１０５°である場
合には、第１光１２及び第２光１４が同軸になって出力
されるため、最大の光結合を得ることができる。

【００２８】次に、図３（Ｂ）を用いてファラデー回転
子の回転角が１５°の場合について説明する。図３
（Ａ）のときと同様にしてファイバー光射出端１０から
射出した光は図示しない整形光学系でコリメートされて
平行光となって光分離素子１に入射し、図３（ａ）に示
すように、常光線の第１光１２は主断面に垂直な方向の
Ｙ軸と平行な偏光方位をとり、異常光線の第２光１４は
主断面の面内に含まれてＸ軸に平行な偏光方位をとる。

【００２９】次いで図３（ｂ）に示すように、第１光１
２は光分離素子１を通過しても光路が変わらずにそのま
まファラデー回転子２に入射する。一方、第２光１４
は、光分離素子１を通過する際に＋Ｘ方向に光路が曲げ
られて、光分離素子１の通過後第１光１２と所定間隔を
有して平行にファラデー回転子２に入射する。第１光１
２及び第２光１４は図３（ｃ）に示すように、電磁石
５、６により所定の水平磁界が印加されたファラデー回
転子２で偏光方位を共に左回りに１５°回転させられ
る。

【００３０】次に、ファラデー回転子２を通過した第１
光１２及び第２位光１４は、図３（ｄ）に示すように旋
光子３に入射し、旋光子３により偏光方位を右回りに１
５°回転させられて第１光１２はＹ軸に平行な偏光方位
に、第２光１４はＸ軸に平行な偏光方位に変換される。

【００３１】次いで、第１光１２及び第２光１４は光合
成素子４に入射して、図３（ｅ）に示すように、光合成
素子４において常光線となる第１光１２は光路を変えず
にそのまま直進する。一方、第２光１４は、光分合成子
４内で異常光線として＋Ｘ方向に光路が曲げられて、光
合成素子４を通過する際には第１光１２に対してさらに
＋Ｘ方向に離れた位置から射出する。光合成素子４を通
過した第１光１２及び第２光１４は、光合成素子４の＋
Ｚ方向側に設けられた集光光学系に入射するが、第１光
１２はファイバー光入射端１６より−Ｘ方向に集光し、
第２光１４はファイバー光入射端１６より＋Ｘ方向に集
光して、両光ともファイバー光入射端１６には入射しな
い。このように、ファラデー回転子の回転角が１５°で
ある場合には、第１光１２及び第２光１４がファイバー
光入射端１６には入射しないため、最小の光結合を得る
ことができる。

【００３２】このように、ファラデー回転子２を１５°
〜１０５°のファラデー回転角で制御することにより、
旋光子３を通過した後の第１光１２及び第２光１４のフ
ァイバー光入射端１６への入射光量を連続的に最大減衰
量から最小減衰量まで変化することができるようにな
る。

【００３３】本実施の形態における減衰量の理論計算の
結果を図４に示す。図４において、横軸はファラデー回
転角（ｄｅｇ）を表し、縦軸は減衰量（ｄＢ）を表して
いる。減衰量の理論計算は以下の式を用いている。 減衰量（ｄＢ）＝−１０・Ｌｏｇ₁₀［ＳＩＮ²（θ）］ … 式（１） θ＝θ_F−１５ … 式（２） ここで、θは旋光子３を通過した後の偏光面と光合成素
子４の光学軸方向との相対角度（ｄｅｇ）であり、θ_F
はファラデー回転角（ｄｅｇ）であり、式（２）右辺の
−１５（ｄｅｇ）は旋光子３による偏光方位の回転角で
ある。理論的にはθ＝０°のとき減衰量は無限大に発散
するが、ここでは５０ｄＢに止めた。

【００３４】図４の実線（α）に示すように、本実施の
形態の可変光減衰器ではファラデー回転角１５°で最大
減衰量５０ｄＢ、同１０５°で最小減衰量（挿入損失）
０ｄＢを得ることができる。一方、比較のため従来技術
の特開平９−２８８２５６号公報に記載された可変光減
衰器の特性を図中破線（β）で示す。この破線（β）の
特性を有する可変光減衰器をファラデー回転角の絶対値
１５°から１０５°の回転角度範囲９０°で使用しても
最大減衰量は１２ｄＢ程度しか得ることができない。

【００３５】このように本実施の形態によれば、旋光子
３を導入しその旋光子３の光学軸を適切に設定すること
により、ファラデー回転角のいずれの９０°範囲でも最
大性能を発揮する可変光減衰器を作製することができる
ようになる。

【００３６】

【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、ファラデ
ー回転子の材料特性に由来する制約を旋光子の導入によ
って克服し、小型、低コストで、高性能な可変光減衰器
を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態による偏波無依存型の可
変光減衰器の概略の構成を示す図である。

【図２】本発明の一実施の形態による偏波無依存型の可
変光減衰器における電磁石により発生させる水平磁界と
ファラデー回転角との関係を表す図である。

【図３】本発明の一実施の形態による偏波無依存型の可
変光減衰器の動作を示す図である。

【図４】本発明の一実施の形態による偏波無依存型の可
変光減衰器の動作特性を示す図である。

【図５】従来の偏波依存型の可変光減衰器を示す図であ
る。

【図６】従来の偏波無依存型の可変光減衰器を示す図で
ある。

【図７】従来の偏波無依存型の可変光減衰器の動作を示
す図である。

【符号の説明】

１ 光分離素子 ２ ファラデー回転子 ３ 旋光子 ４ 光合成素子 ５、６ 電磁石 １０ ファイバー光射出端 １２ 第１光 １４ 第２光 １６ ファイバー光入射端

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】入射光を常光線の第１光と異常光線の第２
   光とに分離する光分離素子と、 前記第１光と前記第２光とが入射するファラデー回転子
   と、 前記ファラデー回転子に磁界を印加する磁界印加手段
   と、 前記ファラデー回転子から射出した前記第１光と前記第
   ２光の偏光方位を回転させる旋光子と、 前記旋光子を通過した前記第１光と前記第２光を合成す
   る光合成素子とを有することを特徴とする偏波無依存型
   の可変光減衰器。