JP2001089656A - ポリイミド系絶縁膜用組成物、絶縁膜および絶縁膜の形成法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 貯蔵安定性（比較的低粘度が一定に保たれ
る）および印刷性が良好で、絶縁膜（硬化膜）が耐メッ
キ性（耐スズ性、耐スズ潜り性）、耐熱性と柔軟性とい
う相反する特性を併せ持ち、必要であれば一色塗りを可
能とするコ−ト材、およびその絶縁膜を提供する。 【解決手段】 (1)末端ハ−フエステル化イミドシロキ
サンオリゴマ−、(2)ジアミン化合物、(3)エポキシ化合
物、(4)触媒、(5)微細無機フィラ−および(6)高沸点溶
媒からなり、各成分の割合が、(1)末端ハ−フエステル
化イミドシロキサンオリゴマ−１００重量部に対して、
(2)ジアミン化合物０．０１〜１０重量部、(3)エポキシ
化合物１〜３０重量部、(3)触媒０．１〜１０重量部、
(4)微細無機フィラ−２０〜１５０重量部および(5)高沸
点溶媒６０〜２００重量部であるポリイミド系絶縁膜用
組成物、ポリイミド系絶縁膜、およびポリイミド系絶縁
膜の形成法に関する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、ポリイミド系絶
縁膜用組成物、絶縁膜および絶縁膜の形成法に関し、さ
らに詳しくは(1)末端ハ−フエステル化イミドシロキサ
ンオリゴマ−、(2)ジアミン化合物、(3)エポキシ化合
物、(4)触媒、(5)無機充填剤および(6)有機溶媒からな
る一色塗りタイプにも適用できるポリイミド系絶縁膜用
組成物、絶縁膜および絶縁膜の形成法に係わるものであ
る。この発明のポリイミド系絶縁膜用組成物は、貯蔵安
定性（比較的低粘度が長期間ほぼ一定に保たれる）およ
び印刷性が良好で、硬化膜が良好な耐メッキ性（例え
ば、耐スズ性、耐スズ潜り性）を有しており、一色塗り
が可能である。また、この発明の絶縁膜（硬化膜）は、
好適には基材との密着性、耐屈曲性、耐熱性（例えば、
バンプ接続時耐熱性や半田耐熱性）、電気特性を有する
とともに耐メッキ特性（例えば、耐スズ性、耐スズ潜り
性）を有しており、電気絶縁保護膜として利用できる。

【０００２】この明細書において、前記の一色塗りと
は、ＴＡＢ（テ−プ オ−トメイティッドボンディン
グ）などの電子部品のＩＬ（インナ− リ−ド）および
ＯＬ（アウタ− リ−ド ）の配線パタ−ンを保護する
ために適用されている耐メッキ性のエポキシダム（エポ
キダムを形成するために長時間の処理を必要とする。）
と保護絶縁膜としてのポリイミド系コ−ト材との２種類
の絶縁材料からなる２色塗りコ−ト材を、１種類のみの
絶縁材料であるコ−ト材で保護するシステムを意味する
ものである。従って、一色塗りであれば、従来の二色塗
りの場合に比べ１工程を省略でき、しかも同等以上の機
能を得ることができるのである。

【０００３】

【従来の技術】従来、芳香族ポリイミド、エポキシ樹脂
などを電気絶縁性の保護膜として利用することは、例え
ば、固体素子への絶縁膜、半導体集積回路、フレキシブ
ル配線板などの絶縁膜の用途において知られている。エ
ポキシ樹脂は耐メッキ性および基板との良好な密着性を
有しているためエポキシダムなどに使用されているが、
反面、硬化剤などの併用が必要であり、その硬化剤に係
わる保存安定性、二液調製のための作業性などの種々の
問題があったり、また前述の絶縁膜として使用した場合
に、熱硬化によって形成される絶縁膜が剛直であり、柔
軟性が小さく、屈曲性に劣る。

【０００４】また、一般に芳香族ポリイミドは、有機溶
媒に溶解し難いために、芳香族ポリイミドの前駆体（芳
香族ポリアミック酸）の溶液として使用して、塗布膜を
形成し、次いで乾燥とイミド化とを高温で長時間加熱処
理することによって芳香族ポリイミドの保護膜を形成す
る必要があり、保護すべき電気または電子部材自体が熱
劣化するという問題があった。

【０００５】一方、有機溶媒に可溶性の芳香族ポリイミ
ドは、例えば、特公昭５７−４１４９１号公報に記載さ
れているようにビフェニルテトラカルボン酸成分とジア
ミン化合物とを有機極性溶媒中で重合及びイミド化した
芳香族ポリイミドが知られているが、そのポリイミド
は、シリコンウエハ−、ガラス板、フレキシブル基板な
どとの密着性（接着性）が充分でなかったので予め基板
などを密着促進剤で処理しておく必要があった。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】この発明の目的は、貯
蔵安定性（比較的低粘度が一定に保たれる）および印刷
性が良好で、絶縁膜（硬化膜）が耐メッキ性（耐スズ
性、耐スズ潜り性）、耐熱性と柔軟性という相反する特
性を併せ持ち、必要であれば一色塗りを可能とするコ−
ト材、およびその絶縁膜を提供することである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】すなわち、この発明は、
(1)末端ハ−フエステル化イミドシロキサンオリゴマ
−、(2)ジアミン化合物、(3)エポキシ化合物、(4)触
媒、(5)微細無機フィラ−および(6)高沸点溶媒からな
り、各成分の割合が、(1)末端ハ−フエステル化イミド
シロキサンオリゴマ−１００重量部に対して、、(2)ジ
アミン化合物０．０１〜１０重量部、(3)エポキシ化合
物１〜３０重量部、(3)触媒０．１〜１０重量部、(4)微
細無機フィラ−２０〜１５０重量部および(5)高沸点溶
媒２０〜２００重量部であるポリイミド系絶縁膜用組成
物に関する。また、この発明は、前記のポリイミド系絶
縁膜用組成物を基材に塗布後、加熱処理して得られるポ
リイミド系絶縁膜に関する。さらに、この発明は、前記
のポリイミド系絶縁膜用組成物を基材に塗布後、６０〜
２００℃で加熱処理するポリイミド系絶縁膜の形成法に
関する。

【０００８】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を次に示す。 １）(1)末端ハ−フエステル化イミドシロキサンオリゴ
マ−が、テトラカルボン酸二無水物、芳香族ジアミン中
０〜９０モル％の式 Ｈ₂Ｎ−Ｂｚ（Ｒ₁）_m−Ａ−（Ｒ₂）_mＢｚ−ＮＨ₂ （ただし、式中、Ｂｚはベンゼン環で、Ｒ₁またはＲ
₂は、水素、低級アルキル、低級アルコキシなどの置換
基で、ＡはＯ、Ｓ、ＣＯ、ＳＯ₂、ＳＯ、ＣＨ₂、Ｃ（Ｃ
Ｈ₃）₂、ＯＢｚＯ、Ｂｚ、ＯＢｚＣ（ＣＨ₃）₂ＯＢｚな
どの二価の基であり、ｍは１〜４の整数である。）で示
される複数のベンゼン環を有する芳香族ジアミン化合
物、および芳香族ジアミン中１０〜１００モル％の式 Ｈ₂Ｎ−Ｂｚ（Ｒ₃）_n（Ｘ）_y−ＮＨ₂ または式 Ｈ₂Ｎ−Ｂｚ（Ｒ₃）_n（Ｘ）_y−Ａ−（Ｘ）_y（Ｒ₄）_nＢ
ｚ−ＮＨ₂ （ただし、式中、Ｂｚはベンゼン環で、Ｒ₃およびＲ₄は
水素原子で、Ａは直接結合、Ｏ、Ｓ、ＣＯ、ＳＯ₂、Ｓ
Ｏ、ＣＨ₂、Ｃ（ＣＨ₃）₂、ＯＢｚＯ、Ｂｚ、ＯＢｚＣ
（ＣＨ₃）₂ＢｚＯなどの二価の基であり、Ｘはカルボキ
シル基または水酸基でｎは２または３で、ｙは１または
２で、ｎ＋ｙ＝４である。）で示される極性基を有する
芳香族ジアミン化合物、および式 Ｈ₂Ｎ−Ｒ₅−［−Ｓｉ（Ｒ₆）₂−Ｏ−］_l−Ｓｉ（Ｒ₅）
₂−Ｒ₅−ＮＨ₂ （ただし、式中、Ｒ₅は２価の炭化水素残基を示し、Ｒ₆
は独立に炭素数１−３のアルキル基またはフェニル基を
示し、lは３〜５０を示す。）で示されるジアミノポリ
シロキサンを、ジアミン成分合計量に対してテトラカル
ボン酸二無水物が過剰、特にジアミン成分合計量１モル
に対してテトラカルボン酸二無水物が１．０５〜２とな
り、更に好ましくはジアミン成分中の前記ジアミノポリ
シロキサンが４０〜９５モル％となる割合で反応させて
得られる酸無水物末端イミドシロキサンオリゴマ−をエ
ステル化剤を加えてさらに反応させて得られるものであ
る上記のポリイミド系絶縁膜用組成物。

【０００９】２）(1)成分の末端ハ−フエステル化イミ
ドシロキサンオリゴマ−の末端酸成分と(2)ジアミン化
合物のアミノ基とが実質的に当量である上記のポリイミ
ド系絶縁膜用組成物。 ３）さらに(6)シランカッブリング剤を含有する上記の
ポリイミド系絶縁膜用組成物。 ４）各成分の割合が、(1)末端ハ−フエステル化イミド
シロキサンオリゴマ−１００重量部に対して、(2)ジア
ミン化合物０．０１〜１０重量部、特に０．１〜１０重
量部、(3)エポキシ化合物１〜３０重量部、特に２〜３
０重量部(4)触媒０．１〜１０重量部、(5)微細無機フィ
ラ−２０〜１５０重量部、(6)高沸点溶媒６０〜２００
重量部および(7)シランカッブリング剤０．０１〜１０
重量部、特に０．１〜１０重量部からなる上記のポリイ
ミド系絶縁膜用組成物。 ５）粘度が２０−６００ポイズである上記のポリイミド
系絶縁膜用組成物。

【００１０】この発明における末端ハ−フエステル化イ
ミドシロキサンオリゴマ−は、例えばテトラカルボン酸
二無水物とそれより少ないモル量のジアミンとしてのジ
アミノポリシロキサンおよび芳香族ジアミンとを反応さ
せてアミック酸オリゴマ−としさらにイミド化し、次い
で得られたイミドオリゴマ−の酸無水物末端をエステル
化剤でハ−フエステル化することによって得ることがで
きる。あるいは、アミック酸とする工程を省略して比較
的高温で一段でイミドオリゴマ−とした後、ハ−フエス
テル化してもよい。前記のテトラカルボン酸二無水物と
ジアミンとの反応は、ランダム、ブロックあるいは２種
反応液の混合−再結合反応のいずれにより行ってもよ
い。また、前記のイミドオリゴマ−およびハ−フエステ
ル化反応生成物は溶液から単離することなくそのまま使
用することもできる。

【００１１】前記のテトラカルボン二無水物としては、
３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無
水物、２，２’，３，３’−ビフェニルテトラカルボン
酸二無水物、２，３，３’，４’−ビフェニルテトラカ
ルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノ
ンテトラカルボン酸二無水物、ビス（３，４−ジカルボ
キシフェニル）エ−テル二無水物、ピロメリット酸二無
水物、２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸二
無水物、１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸
二無水物、１，２，４，５−ナフタレンテトラカルボン
酸二無水物、１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボ
ン酸二無水物、２，２−ビス（２，５−ジカルボキシフ
ェニル）プロパン二無水物、１，１−ビス（２，３−ジ
カルボキシフェニル）エタン二無水物、１，１−ビス
（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物な
どの芳香族テトラカルボン酸二無水物が挙げられる。ま
た、脂肪族あるいは脂環族系のテトラカルボン酸二無水
物として、ブタンテトラカルボン酸二無水物、シクロブ
タンテトラカルボン酸二無水物、シクロペンタンテトラ
カルボン酸二無水物、シクロヘキサンテトラカルボン酸
二無水物、メチルシクロヘキセンテトラカルボン酸二無
水物などが挙げられる。前記のテトラカルボン酸二無水
物は１種を単独で使用してもよくあるいは２種以上を組
み合わせて使用してもよい。特に、高濃度のアミド酸エ
ステルを得るために溶媒への溶解性が高く、得られるイ
ミド絶縁膜の耐熱性も高いテトラカルボン酸二無水物と
して、２，３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン
酸二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテト
ラカルボン酸二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフ
ェニル）エ−テル二無水物などが好ましい。

【００１２】前記のジアミンの１成分である複数のベン
ゼン環を有する芳香族ジアミン化合物としては、式 Ｈ₂Ｎ−Ｂｚ（Ｒ₁）_m−Ａ−（Ｒ₂）_mＢｚ−ＮＨ₂ （ただし、式中、Ｂｚはベンゼン環で、Ｒ₁またはＲ
₂は、水素、低級アルキル、低級アルコキシなどの置換
基で、ＡはＯ、Ｓ、ＣＯ、ＳＯ₂、ＳＯ、ＣＨ₂、Ｃ（Ｃ
Ｈ₃）₂、ＯＢｚＯ、Ｂｚ、ＯＢｚＣ（ＣＨ₃）₂ＯＢｚな
どの二価の基であり、ｍは１〜４の整数である。）で示
される化合物、好適には４，４’−ジアミノジフェニル
エ−テル、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，
４’−ジアミノジフェニルスルホン、ｏ−トリジンなど
のベンゼン環を２個有する芳香族ジアミン、１，４−ビ
ス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス
（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（４
−アミノフェニル）ベンゼンなどのベンゼン環を３個有
する芳香族ジアミン、あるいはビス［４−（４−アミノ
フェノキシ）フェニル］スルホン、２，２−ビス［４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパンなどのベ
ンゼン環を４個有する芳香族ジアミンなどが挙げられ
る。

【００１３】また、ジアミンの１成分である極性基を有
する芳香族ジアミン化合物は、式 Ｈ₂Ｎ−Ｂｚ（Ｒ₃）_n（Ｘ）_y−ＮＨ₂ または式 Ｈ₂Ｎ−Ｂｚ（Ｒ₃）_n（Ｘ）_y−Ａ−（Ｘ）_y（Ｒ₄）_nＢ
ｚ−ＮＨ₂ （ただし、式中、Ｂｚはベンゼン環で、Ｒ₃およびＲ₄は
水素原子で、Ａは直接結合、Ｏ、Ｓ、ＣＯ、ＳＯ₂、Ｓ
Ｏ、ＣＨ₂、Ｃ（ＣＨ₃）₂、ＯＢｚＯ、Ｂｚ、ＯＢｚＣ
（ＣＨ₃）₂ＢｚＯなどの二価の基であり、Ｘはカルボキ
シル基または水酸基でｎは２または３で、ｙは１または
２で、ｎ＋ｙ＝４である。）で示される化合物である。

【００１４】前記の極性基を有する芳香族ジアミン化合
物としては、２，４−ジアミノフェノ−ルなどのジアミ
ノフェノ−ル化合物類、３，３’−ジアミノ，４，４’
−ジハイドロキシビフェニル、４，４’−ジアミノ，
３，３’−ジハイドロキシビフェニル、４，４’−ジア
ミノ，２，２’−ジハイドロキシビフェニル、４，４’
−ジアミノ，２，２’，５，５’−テトラハイドロキシ
ビフェニルなどのヒドロキシビフェニル化合物類、３，
３’−ジアミノ，４，４’−ジハイドロキシジフェニル
メタン、４，４’−ジアミノ，３，３’−ジハイドロキ
シジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ，２，２’−
ジハイドロキシジフェニルメタン、２，２−ビス〔３−
アミノ，４−ハイドロキシフェニル〕プロパン、２，２
−ビス〔４−アミノ，３−ハイドロキシフェニル〕プロ
パン、２，２−ビス〔３−アミノ，４−ハイドロキシフ
ェニル〕ヘキサフルオロプロパン、４，４’−ジアミ
ノ，２，２’，５，５’−テトラハイドロキシジフェニ
ルメタンなどのヒドロキシジフェニルアルカン化合物
類、３，３’−ジアミノ，４，４’−ジハイドロキシジ
フェニルエ−テル、４，４’−ジアミノ，３，３’−ジ
ハイドロキシジフェニルエ−テル、４，４’−ジアミ
ノ，２，２’−ジハイドロキシジフェニルエ−テル、
４，４’−ジアミノ，２，２’，５，５’−テトラハイ
ドロキシジフェニルエ−テルなどのヒドロキシジフェニ
ルエ−テル化合物類、３，３’−ジアミノ，４，４’−
ジハイドロキシジフェニルスルホン、４，４’−ジアミ
ノ，３，３’−ジハイドロキシジフェニルスルホン、
４，４’−ジアミノ，２，２’−ジハイドロキシジフェ
ニルスルホン、４，４’−ジアミノ、２，２’，５，
５’−テトラハイドロキシジフェニルスルホンなどのヒ
ドロキシジフェニルスルホン化合物類、２，２−ビス
〔４−（４−アミノ，３−ハイドロキシフェノキシ）フ
ェニル〕プロパンなどのビス（ハイドロキシフェニキシ
フェニル）アルカン化合物類、４，４’−ビス（４−ア
ミノ，３−ハイドロキシフェノキシ）ビフェニルなどの
ビス（ハイドロキシフェノキシ）ビフェニル化合物類、
２，２−ビス〔４−（４−アミノ，３−ハイドロキシフ
ェノキシ）フェニル〕スルホンなどのビス（ハイドロキ
シフェニキシフェニル）スルホン化合物類などのＯＨ基
を有するジアミン化合物を挙げることができる。

【００１５】また、前記の極性基を有する芳香族ジアミ
ン化合物としては、３，５−ジアミノ安息香酸、２，４
−ジアミノ安息香酸などのベンゼンカルボン酸類、３，
３’−ジアミノ，４，４’−ジカルボキシビフェニル、
４，４’−ジアミノ，３，３’−ジカルボキシビフェニ
ル、４，４’−ジアミノ，２，２’−ジカルボキシビフ
ェニル、４，４’−ジアミノ，２，２’，５，５’−テ
トラカルボキシビフェニルなどのカルボキシビフェニル
化合物類、３，３’−ジアミノ，４，４’−ジカルボキ
シジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ，３，３’−
ジカルボキシジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ，
２，２’−ジカルボキシジフェニルメタン、２，２−ビ
ス〔３−アミノ，４，−カルボキシフェニル〕プロパ
ン、２，２−ビス〔４−アミノ，３−カルボキシフェニ
ル〕プロパン、２，２−ビス〔３−アミノ，４−カルボ
キシフェニル〕ヘキサフルオロプロパン、４，４’−ジ
アミノ，２，２’，５，５’−テトラカルボキシビフェ
ニルなどのカルボキシジフェニルアルカン化合物類、
３，３’−ジアミノ，４，４’−ジカルボキシジフェニ
ルエ−テル、４，４’−ジアミノ，３，３’−ジカルボ
キシジフェニルエ−テル、４，４’−ジアミノ，２，
２’−ジカルボキシジフェニルエ−テル、４，４’−ジ
アミノ，２，２’，５，５’−テトラカルボキシジフェ
ニルエ−テルなどのカルボキシジフェニルエ−テル化合
物類、３，３’−ジアミノ，４，４’−ジカルボキシジ
フェニルスルホン、４，４’−ジアミノ，３，３’−ジ
カルボキシジフェニルスルホン、４，４’−ジアミノ，
２，２’，５，５’−テトラカルボキシジフェニルスル
ホンなどのカルボキシジフェニルスルホン化合物類、
２，２−ビス〔４−（４−アミノ，３−カルボキシフェ
ノキシ）フェニル〕プロパンなどのビス（カルボキシフ
ェノキシフェニル）アルカン化合物類、４，４’−ビス
（４−アミノ，３−カルボキシフェノキシ）ビフェニル
などのビス（カルボキシフェノキシ）ビフェニル化合物
類、２，２−ビス〔４−（４−アミノ，３−カルボキシ
フェノキシ）フェニル〕スルホンなどのビス（カルボキ
シフェノキシフェニル）スルホン化合物類などのＣＯＯ
Ｈ基を有するジアミン化合物を挙げることができる。

【００１６】また、前記のジアミンの他の１成分である
ジアミノポリシロキサンは、式：Ｈ₂Ｎ−Ｒ₅−［−Ｓｉ
（Ｒ₆）₂−Ｏ−］_l−Ｓｉ（Ｒ₅）₂−Ｒ₅−ＮＨ₂（ただ
し、式中、Ｒ₅は２価の炭化水素残基を示し、Ｒ₆は独立
に炭素数１−３のアルキル基またはフェニル基を示し、
lは３〜５０を示す。）で示される化合物、好ましくは
前記式中Ｒ₅およびＲ₆が炭素数２−６、特に炭素数３−
５の複数のメチレン基またはフェニレン基であるものが
好ましい。また、前記式においてlが４〜３０、特に４
〜２０であることが好ましい。また、前記式においてl
が３〜５０であれば均一の化合物であってもよく、lの
異なる化合物の混合物であってもよい。混合物である場
合には、アミノ当量から計算される平均値のlが３〜５
０、特に４〜３０、その中でも４〜２０の範囲内である
ことが好ましい。

【００１７】前記ジアミノポリシロキサンの具体的化合
物の例としてはα，ω−ビス（２−アミノエチル) ポリ
ジメチルシロキサン、α，ω−ビス（３−アミノプロピ
ル)ポリジメチルシロキサン、α，ω−ビス（４−アミ
ノフェニル) ポリジメチルシロキサン、α，ω−ビス
（４−アミノ−３−メチルフェニル) ポリジメチルシロ
キサン、α，ω−ビス（３−アミノプロピル) ポリジフ
ェニルシロキサン、α，ω−ビス（４−アミノブチル)
ポリジメチルシロキサンなどが挙げられる。

【００１８】前記のイミドオリゴマ−の酸無水物末端を
ハ−フエステル化するエステル化剤としては、アルコ−
ル性ＯＨ基を１個有する化合物、例えば、メタノ−ル、
エタノ−ル、イソプロパノ−ル、ブタノ−ル、エチルセ
ロソルブ、ブチルセロソルブ、プロピレングリコ−ルエ
チルエ−テル、エチルカルビト−ルなどの脂肪族アルコ
−ルや、ベンジルアルコ−ル、シクロヘキサノ−ルなど
の環状アルコ−ルが挙げられる。

【００１９】この発明における前記の末端ハ−フエステ
ル化イミドシロキサンオリゴマ−を製造する際に、各成
分の反応割合は、ジアミン全量に対してテトラカルボン
酸二無水物が過剰量となる量、好適にはジアミン１当量
に対してテトラカルボン酸二無水物が１．０５−２当
量、特に１．０５−１．５当量程度の当量比が好まし
い。テトラカルボン酸二無水物の割合が前記よりも少な
くなると分子量が大きくなり、ポリイミド系絶縁組成物
の貯蔵安定性が低下するので好ましくない。また、テト
ラカルボン酸二無水物の割合が前記よりも多くなるとポ
リイミド系絶縁組成物の粘度が小さくなり過ぎ印刷性が
低下するので好ましくない。また、過剰な未反応無水環
を開環ハ−フエステル化するためのエステル化剤である
アルコ−ル類の使用量は、過剰なジ酸無水物の１．１〜
２０倍当量、特に１．５〜５倍当量であることが好まし
い。アルコ−ル類の割合が少ないと、未反応の無水環が
残り貯蔵安定性が劣るものとなり、あまり過剰のアルコ
−ル類は貧溶媒なり固形分濃度が低下し印刷などによる
塗膜形成が容易でなくなるので好ましくない。また、反
応物はそのまま用いてもよいし、過剰のアルコ−ル類を
加熱や減圧下留去し使用することもできる。

【００２０】この発明における前記の末端ハ−フエステ
ル化イミドシロキサンオリゴマ−は好適には次のように
して得ることができる。すなわち、先ず、テトラカルボ
ン酸二無水物を溶媒に溶解し、得られた溶液にジアミノ
ポリシロキサンおよび芳香族ジアミンを加えて常法によ
って反応させる。得られたイミドシロキサンオリゴマ−
溶液を冷却して前記のエステル化剤を加え、８０℃以
下、好ましくは１０−６０℃の温度で１時間−７日間程
度混合してハ−フエステル化することにより得られる。

【００２１】上記の反応における溶媒としては、含窒素
系溶媒、例えばＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ
−ジエチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミ
ド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、Ｎ−メチル−２−
ピロリドン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノ
ン、Ｎ−メチルカプロラクタムなど、含硫黄原子溶媒、
例えばジメチルスルホキシド、ジエチルスルホキシド、
ジメチルスルホン、ジエチルスルホン、ヘキサメチルス
ルホルアミドなど、含酸素溶媒、例えばフェノ−ル系溶
媒、例えばクレゾ−ル、フェノ−ル、キシレノ−ルな
ど、ジグライム系溶媒例えばジエチレングリコ−ルジメ
チルエ−テル（ジグライム）、トリエチレングリコ−ル
ジメチルエ−テル（トリグライム）、テトラグライムな
ど、アセトン、エチレングリコール、ジオキサン、テト
ラヒドロフランなどを挙げることができる。好適には、
Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ,Ｎ−ジメチルスルホ
キシド、Ｎ,Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエ
チルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、
Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、γ−ブチロラクトン、
トリエチレングリコ−ルジメチルエ−テル、ジエチレン
グリコ−ルジメチルエ−テルなどを使用することができ
る。また、テトラカルボン酸二無水物の開環触媒として
イミダゾ−ル類などを使用することもできる。また必要
に応じてベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭
化水素系溶媒やソルベントナフサ、ベンゾニトリルなど
他の有機溶媒を併用してもよい。また、テトラカルボン
酸二無水物の開環触媒としてイミダゾ−ル類などを添加
することもできる。

【００２２】この発明のポリイミド系絶縁組成物は、
(1)前記ハ−フエステル化イミドシロキサンオリゴマ−
１００重量部に対して、(2)ジアミン化合物０．１〜１
０重量部、(3)エポキシ化合物１〜３０重量部、好適に
は２〜３０重量部、(4)触媒０．１〜１０重量部、(5)微
細無機フィラ−２０〜１５０重量部、(6)高沸点溶媒６
０−１４０重量部および(7)シランカップリング剤０〜
１０重量部、好適には０．０１〜１０重量部からなり、
好適には粘度が２０−６００ポイズである。この発明の
ポリイミド系絶縁組成物は、一色塗りポリイミド系コ−
ト材としても好適に使用することができる。

【００２３】また、この発明のポリイミド系絶縁組成物
は、印刷可能で、加熱乾燥した硬化膜が低弾性率を有
し、好適にはすず潜りが１００μｍ以下である一色塗り
ポリイミド系コ−ト材を与えることができる。また、こ
の発明のポリイミド系絶縁組成物は、例えば絶縁性フィ
ルムとその上に導体で形成されたパタ−ンを有する電子
部品のパタ−ン面に塗布した後加熱し乾燥して、好適に
は弾性率が０．１−６０ｋｇ／ｍｍ²程度であり、すず
潜りが１００μｍ以下、特に１０−１００μｍである硬
化膜を与えることができる。

【００２４】この発明において、末端ハ−フエステル化
ポリイミドオリゴマ−成分中の、ジアミン成分中のジア
ミノポリシロキサン成分の割合が４０〜９５モル％、芳
香族ジアミン成分中の極性基を有する芳香族ジアミン成
分の割合が１０〜１００モル％、及び複数のベンゼン環
を有する芳香族ジアミン成分の割合が残部である。いず
れかの成分が多すぎたり、少な過ぎたりしてこれらの範
囲をはずれると、配線基板上に形成した保護膜の曲率半
径が小さくなり耐屈曲性が低下したり、密着性あるいは
耐熱性が低下したり、耐メッキ性が低下するので好まし
くない。

【００２５】この発明において使用するエポキシ化合物
として、はエポキシ基を有するものであればどのような
ものでもよいが、特にエポキシ当量が１００〜１０００
程度であって、分子量が３００〜５０００程度である液
状又は固体状のエポキシ樹脂が好ましい。例えば、ビス
フェノ−ルＡ型やビスフェノ−ルＦ型のエポキシ樹脂
（油化シェル社製：エピコ−ト８０６、エピコ−ト８２
５など）、３官能以上のエポキシ樹脂（油化シェル社
製：エピコ−ト１５２、エピコ−ト１５４、エピコ−ト
１８０シリ−ズ、エピコ−ト１５７シリ−ズ、エピコ−
ト１０３２シリ−ズ、チバガイギ−社製：ＭＴ０１６３
など）などを挙げることができる。

【００２６】この発明において、エポキシ化合物の使用
量は、ハ−フエステル化イミドシロキサンオリゴマ−１
００重量部に対して、１〜３０重量部、好ましくは２〜
３０重量部、特に３〜２５重量部である。使用量が余り
多すぎたりあるいは少なすぎると接着性が低下したり、
硬化後に耐熱性、耐薬品性が悪くなるので上記範囲が適
当である。

【００２７】エポキシ化合物と共にヒドラジド類、イミ
ダゾ−ル類などのエポキシ樹脂の硬化を促進する触媒成
分を使用する。この触媒はハ−フエステル化イミドシロ
キサンオリゴマ−とジアミン化合物とを加熱反応してイ
ミド化する際のイミド化触媒としても機能する。前記触
媒の使用量は、ハ−フエステル化イミドシロキサンオリ
ゴマ−１００重量部に対して、０．１〜１０重量部程度
が適当である。また、別途に水酸基を有するフェノ−ル
ノボラック型硬化剤を、ハ−フエステル化イミドシロキ
サンオリゴマ−１００重量部に対して、０〜６０重量部
程度使用してもよい。

【００２８】この発明においてはアエロジル、タルク、
マイカ、硫酸バリウムなどの微細無機フィラ−を使用す
ることが必要であり、この微細無機フィラ−としては、
どのような大きさ、形態のものでもよいが、平均粒子径
が０．００１〜１５μｍ、特に０．００５〜１０μｍの
ものが好ましい。この範囲外のものを使用すると得られ
る塗膜が屈曲したときに亀裂が発生したり、折り曲げ部
が白化したりするので好ましくない。この発明におい
て、特にアエロジル（微粉上シリカ）とタルク、マイカ
あるいは硫酸バリウムの少なくとも１種とを組み合わせ
て使用することが好ましい。

【００２９】この発明において、微細無機フィラ−の使
用量は、ハ−フエステル化イミドシロキサンオリゴマ−
１００重量部に対して、合計で２０〜１５０重量部、好
ましくは４０〜１２５重量部である。使用量が、余り多
すぎたり、余り少なすぎると塗膜の折り曲げによりクラ
ックが発生したり、半田耐熱性、銅箔変色性が悪くなる
ので上記範囲が必要である。また、アエロジルとタル
ク、マイカあるいは硫酸バリウムの少なくとも１種とを
組み合わせて使用する場合、アエロジルをハ−フエステ
ル化イミドシロキサンオリゴマ−１００重量部に対して
１〜５０重量部、特に５〜４０重量部、タルク、マイカ
あるいは硫酸バリウムの少なくとも１種をハ−フエステ
ル化イミドシロキサンオリゴマ−１００重量部に対し
て、１０〜１３０重量部使用することが好ましい。

【００３０】この発明のポリイミド系絶縁膜用溶液組成
物は、ハ−フエステル化イミドシロキサンオリゴマ−、
ジアミン化合物、エポキシ化合物、触媒、微細無機フィ
ラ−および高沸点溶媒の所定量を均一に、攪拌・混合す
ることによって容易に得ることができる。混合する際、
高沸点溶媒中で混合し、ハ−フエステル化イミドシロキ
サンオリゴマ−の溶液組成物にすることができる。溶媒
に混合させて溶液組成物にするにあたっては、ハ−フエ
ステル化イミドシロキサンオリゴマ−の反応溶液をその
ままでも、又その反応溶液を適当な有機溶媒で希釈した
ものを使用してもよい。高沸点溶媒としては、前記ハ−
フエステル化イミドシロキサンオリゴマ−を得る際に使
用できる有機極性溶媒を挙げることができるが、沸点１
４０℃以上で２１０℃以下のものを使用することが好ま
しい。特に沸点１８０℃以上、特に２００℃以上である
有機溶媒（例えばメチルトリグライムなど）を使用する
と、溶媒の蒸発による散逸が極めて減少するので、又そ
の印刷インクを使用してスクリ−ン印刷などで印刷を支
障なく好適に行うことができるので最適である。高沸点
溶媒は、ハ−フエステル化イミドシロキサンオリゴマ−
１００重量部に対して６０〜２００重量程度使用する。

【００３１】上記ポリイミド系絶縁膜用溶液組成物は、
室温で溶液粘度が１００〜６００ポイズであることが作
業性や溶液物性、その保護膜特性上などから適当であ
る。

【００３２】この発明のポリイミド系絶縁膜用溶液組成
物は、前記の組成からなり粘度を有しているため、絶縁
性フィルムとその上に導体で形成されたパタ−ンを有す
る電子部品のパタ−ン面に、乾燥膜の厚さが１０〜６０
μｍ程度となるようにスクリ−ン印刷などによって印刷
して塗布した後、５０〜１２０℃程度の温度で５−６０
分間程度、ついで１２０〜２００℃程度の温度で５〜１
２０分間程度の２段階で加熱し乾燥して、弾性率が０．
１〜２０ｋｇ／ｍｍ² の絶縁膜を形成することが好まし
い。

【００３３】前記の絶縁膜は、基材（パタ−ン、ポリイ
ミドフィルムなどの絶縁フィルム）との密着性、耐屈曲
性、耐熱性、電気特性と共に良好な耐メッキ性：すず潜
りが１００μｍ以下、特に１０〜１００μｍであり、耐
溶剤性（例えば、アセトン、イソプロパノ−ル）を有し
ているため、耐メッキ性が良好なエポキシダムを設ける
ことなく保護膜として機能するのである。この絶縁膜を
形成した後、通常はスズメッキし、バンプを形成後、Ｉ
Ｃを接続し、エポキシ系封止剤で封止する。

【００３４】

【実施例】以下、実施例及び比較例を示し、この発明を
説明する。各例において測定、評価は次の方法で行っ
た。

【００３５】以下の各例で使用した化合物をその略号と
共に以下に示す。 ａ−ＢＰＤＡ：２，３，３’，４’−ビフェニルテトラ
カルボン酸二無水物 ｓ−ＢＰＤＡ：３，３’，４，４’−ビフェニルテトラ
カルボン酸二無水物 ＤＡＰＳｉ：α，ω−ビス（３−アミノプロピル）ポリ
ジメチルシロキサン ＤＡＢＡ：３，５−ジアミノ安息香酸 ＭＢＡＡ：ビス（３−カルボキシ，４−アミノフェニ
ル）メタン ＢＡＰＰ：２，２−ビス〔４−（４−アミノフェノキ
シ）フェニル〕プロパン ＴＧ：トリグライム

【００３６】以下の各例において、物性の評価は次のよ
うにして行った・ 粘度：Ｅ型粘度計（東京計器社製）、２５℃、ＳＴロ−
タ−使用にて測定。 粘度安定性：貯蔵１日後の粘度に対する９０日貯蔵後の
粘度比で示す。 印刷性：スクリ−ン印刷可能で形成された膜にピンホ−
ルがなく、端部の流れ出出しがない場合を○、スクリ−
ン印刷が不可能かまたは膜にピンホ−ルの発生がある
か、あるいは端部の流れ出しがある場合を×で表示。 反り：曲率半径を次のようにして測定した。ＪＩＳ Ｃ
−６４８１に準拠し、ユ−ピレックス−７５Ｓ（宇部興
産社製）に３５μｍ厚の絶縁膜を形成して測定。弾性
率、引張弾性率、伸度：ＡＳＴＭ Ｄ８８２によって測
定した。 錫潜り：無電解スズメッキ液（シプレイファ−イ−スト
社製、ＬＴ−３４）を使使用し、温度７０℃で４分スズ
メッキし、すずが浸透した距離を測定しその距離で評価
した。１００μｍ以下であれば良好と評価した。 電気特性：表面抵抗および体積抵抗から評価した。 表面抵抗：ＪＩＳ Ｃ−２１０３によって測定した。 体積抵抗：ＪＩＳ Ｃ−２１０３によって測定した。 耐溶剤性：アセトン（２５℃）に３０分間漬析した後、
アセトン可溶分２％未満の場合を○、２％以上の場合を
×で示した。 耐熱性：半田耐熱性を２６０℃、１０秒で評価した。異
常が生じない場合を○、ふくれなどの異常が生じた場合
を×で示した。 密着性：目視観察によって、ふくれやはがれが生じてい
ない場合を良好、ふくれやはがれが発生した場合を不良
と評価した。 ○：良好 ×：不良

【００３７】〔ハ−フエステル化イミドシロキサンオリ
ゴマ−の製造〕 参考例１ 容量５００ｍｌのガラス製フラスコに、ａ−ＢＰＤＡ４
８．５ｇ（１６５．０ミリモル）、メチルトリグライム
（ＴＧ）８０ｇを仕込み、窒素雰囲気下、１８０℃で加
熱攪拌した。α，ω−ビス（３−アミノプロピル）ポリ
ジメチルシロキサン（ＤＡＰＳｉ、アミノ当量４６０、
ｎ＝１０）１１７．３ｇ（１２７．５ミリモル）、ＴＧ
４０ｇを加え、１８０℃で６０分加熱攪拌した。さらに
この反応溶液にＭＢＡＡ６．４ｇ（２２．５ミリモル）
及びＴＧ２０ｇを加え、１８０℃で６時間加熱攪拌し
た。 ［各成分の割合］酸成分：ａ−ＢＰＤＡ１００ｍｏｌ
％、ジアミン成分：ＤＡＰＳｉ８５ｍｏｌ％、ＢＡＰＰ
０ｍｏｌ％、ＭＢＡＡ１５ｍｏｌ％、酸成分／ジアミン
成分＝１．１０であった。次に、この反応液を６０℃ま
で冷却した後、メタノ−ル１．０ｇ（３１．５ミリモ
ル）加え還流させながら２時間加熱攪拌してエステル化
した後、濾過を行った。得られたハ−フエステル化イミ
ドシロキサンオリゴマ−反応液は固形分濃度５１重量
％、ηｉｎｈ０．１０、溶液粘度５００センチポイズの
溶液であった。

【００３８】〔ハ−フエステル化イミドシロキサンオリ
ゴマ−の製造〕 参考例２ 各成分の量を次のように変えた他は参考例１と同様にし
てハ−フエステル化イミドシロキサンオリゴマ−を得
た。 ［各成分の割合］酸成分：ａ−ＢＰＤＡ１００ｍｏｌ
％、ジアミン成分：ＤＡＰＳｉ７５ｍｏｌ％、ＢＡＰＰ
０ｍｏｌ％、ＭＢＡＡ２５ｍｏｌ％、酸成分／ジアミン
成分＝１．１０であった。

【００３９】〔ハ−フエステル化イミドシロキサンオリ
ゴマ−の製造〕 参考例３ 各成分の量を次のように変えた他は参考例１と同様にし
てハ−フエステル化イミドシロキサンオリゴマ−を得
た。 ［各成分の割合］酸成分：ａ−ＢＰＤＡ１００ｍｏｌ
％、ジアミン成分：ＤＡＰＳｉ７０ｍｏｌ％、ＢＡＰＰ
２０ｍｏｌ％、ＭＢＡＡ１０ｍｏｌ％、酸成分／ジアミ
ン成分＝１．１４であった。

【００４０】〔ハ−フエステル化していないポリイミド
シロキサンの製造〕 参考例４ 各成分の量を次のように変えた他は参考例１と同様にし
てハ−フエステル化していないイポリミドシロキサンを
得た。 ［各成分の割合］酸成分：ａ−ＢＰＤＡ１００ｍｏｌ
％、ジアミン成分：ＤＡＰＳｉ７０ｍｏｌ％、ＢＡＰＰ
１５ｍｏｌ％、ＤＡＢＡ１５ｍｏｌ％、酸成分／ジアミ
ン成分＝１．０２であった。

【００４１】実施例１ ガラス製容器に、参考例１で得たハ−フエステル化イミ
ドシロキサンオリゴマ−溶液にＴＧを添加しオリゴマ−
固形分濃度を５０重量％に調整した溶液１００ｇに、エ
ポキシ樹脂（油化シェル社製、エピコート１５７Ｓ７
０）４ｇ、顔料としてフタロシアニングリ−ン１ｇ、触
媒として２−エチル，４−メチルイミダゾ−ル０．０４
ｇ、ジアミン化合物として２，２−ビス［４−（４−ア
ミノフェノキシ）フェニル］プロパン１．９ｇ、シラン
カップリング剤０．６ｇおよびアエロジル（平均粒径：
０．０１μｍ）８．４ｇ、硫酸バリウム（平均粒径：
０．３μｍ）２１．１ｇ、タルク（平均粒径：１．８μ
ｍ）１０．５ｇ、シリコン系消泡剤０．５ｇを仕込み、
室温（２５℃）で２時間攪拌した後、一晩放置し、その
後三本ロ−ルにより均一に混合して、ポリイミド系絶縁
膜用溶液組成物（溶液粘度：２６０ポイズ）を得た。こ
の組成物の種類、成分、性質を次に示す。

【００４２】［組成物の種類、成分、性質］ ハ−フエステル化イミドシロキサンオリゴマ−の種類：
参考例１ ハ−フエステル化イミドシロキサンオリゴマ−：１００
重量部 ＢＡＰＰ：３．８重量部 エポキシ樹脂：１５７Ｓ７０ ８重量部 カップリング剤：ＫＢＭ４０３ １．２重量部 アエロジル：１６．８重量部 硫酸バリウム：４２．２重量部タルク：２１重量部 溶媒：ＴＧ １００重量部 粘度安定性：１．１ この溶液組成物は、冷蔵庫中約５℃で９０日間放置して
も、粘度変化は少なくスクリ−ン印刷可能であった。こ
の溶液組成物をスクリ−ン印刷機を用いて銅箔上に印刷
し、８０℃で３０分間、更に１６０℃で６０分間加熱乾
燥して、厚み２０μｍの硬化膜を形成した。この硬化膜
である絶縁膜について評価した。また、別途に厚み１０
０μｍの絶縁フィルムを作製し弾性率を測定した。この
溶液組成物および絶縁膜についての評価結果を次に示
す。

【００４３】［組成物および硬化膜の評価結果］ 組成物の粘度：２６０ポイズ 印刷性（９０日放置後）：○ 弾性率：２６ｋｇ／ｍｍ² 反り：＞３００ｍｍ 錫潜り：７０μｍ 密着性：○ 耐溶剤性：○ 半田耐熱性：○ 電気特性：○

【００４４】実施例２ 次に示す種類と量の配合した以外は実施例１と同様にし
て、均一のポリイミド絶縁膜用溶液組成物を得た。これ
らの溶液組成物は、実施例１と同様の貯蔵安定性を示し
た。この組成物の種類、成分、性質を次に示す。

【００４５】［組成物の種類、成分、性質］ ハ−フエステル化イミドシロキサンオリゴマ−の種類：
参考例２ ハ−フエステル化イミドシロキサンオリゴマ−：１００
重量部 ＢＡＰＰ：３．８重量部 エポキシ樹脂：１５７Ｓ７０ １０重量部 カップリング剤：ＫＢＭ４０３ １．２重量部 アエロジル：１６．８重量部 タルク：２１重量部 溶媒：ＴＧ １００重量部 粘度安定性：１．１ この溶液組成物および硬化膜についての評価結果を次に
示す。

【００４６】［組成物および硬化膜の評価結果］ 組成物の粘度：４３０ポイズ 印刷性（９０日放置後）：○ 弾性率：３０ｋｇ／ｍｍ² 反り：＞３００ｍｍ 錫潜り：８０μｍ 密着性：○ 耐溶剤性：○ 半田耐熱性：○電気特性：○

【００４７】実施例３ 次に示す種類と量の配合した以外は実施例１と同様にし
て、均一のポリイミド絶縁膜用溶液組成物を得た。これ
らの溶液組成物は、実施例１と同様の貯蔵安定性を示し
た。この組成物の種類、成分、性質を次に示す。

【００４８】［組成物の種類、成分、性質］ハ−フエス
テル化イミドシロキサンオリゴマ−の種類：参考例３ ハ−フエステル化イミドシロキサンオリゴマ−：１００
重量部 ＢＡＰＰ：３．８重量部 エポキシ樹脂：１５２ ５重量部 カップリング剤：ＫＢＥ９０３ ０．５重量部 アエロジル：１６．８重量部 タルク：２１重量部 溶媒：ＴＧ １００重量部 粘度安定性：１．１ この溶液組成物および硬化膜についての評価結果を次に
示す。

【００４９】［組成物および硬化膜の評価結果］ 組成物の粘度：２５０ポイズ 印刷性（９０日放置後）：○ 弾性率：２５ｋｇ／ｍｍ² 反り：＞３００ｍｍ 錫潜り：８０μｍ 密着性：○ 耐溶剤性：○ 半田耐熱性：○ 電気特性：○

【００５０】比較例１ 次に示す種類と量の配合した以外は実施例１と同様にし
て、均一のポリイミド絶縁膜用溶液組成物を得た。これ
らの溶液組成物は、貯蔵後に粘度が測定不可能なほど高
粘度になってしまった。この組成物の種類、成分、性質
を次に示す。

【００５１】［組成物の種類、成分、性質］ ポリイミドシロキサンの種類：参考例４ ポリイミドシロキサン：１００重量部 エポキシ樹脂：１５７Ｓ７０ １８重量部 カップリング剤：ＫＢＭ４０３ ０重量部 アエロジル：１７．５重量部 溶媒：ＴＧ １５０重量部 粘度安定性：＞５

【００５２】

【発明の効果】この発明のポリイミド系絶縁膜用組成物
および絶縁膜は、以上のような構成を有しているため、
次のような効果を奏する。

【００５３】この発明のポリイミド系絶縁膜用組成物
は、良好な貯蔵安定性を有しているとともに、塗布によ
り形成された膜にピンホ−ルの発生がなく、端部の流れ
だしが少なく印刷特性が優れている。

【００５４】この発明の絶縁膜は、優れた電気特性、耐
熱性、耐屈曲性、非そり性、密着性および耐メッキ特性
を併せ有しており、そのため従来必要であったエポキシ
樹脂系のダム印刷が不要となり、液晶ドライバ−に使用
されているＴＡＢ等のコストダウンが可能になる。さら
にエポキシ樹脂印刷不要のためＬＣＤの狭額縁に必要な
小さいサイズのＴＡＢを可能とする。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田口 三津志 千葉県市原市五井南海岸８番の１ 宇部興 産株式会社高分子研究所内 Ｆターム(参考） 4J002 CD002 CM041 DG048 DJ018 DJ048 DJ058 EN076 EQ027 EU117 EX039 FD018 FD147 FD206 FD209 GQ01 5G305 AA11 AB17 AB24 AB36 AB40 BA09 BA18 BA26 CA25 CA56 CB12 CB16 CD01 CD06 CD07 CD12 DA22

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】(1)末端ハ−フエステル化イミドシロキサ
   ンオリゴマ−、(2)ジアミン化合物、(3)エポキシ化合
   物、(4)触媒、(5)微細無機フィラ−および(6)高沸点溶
   媒からなり、各成分の割合が、(1)末端ハ−フエステル
   化イミドシロキサンオリゴマ−１００重量部に対して、
   (2)ジアミン化合物０．０１〜１０重量部、(3)エポキシ
   化合物１〜３０重量部、(3)触媒０．１〜１０重量部、
   (4)微細無機フィラ−２０〜１５０重量部および(5)高沸
   点溶媒６０〜２００重量部であるポリイミド系絶縁膜用
   組成物。
2. 【請求項２】(1)末端ハ−フエステル化イミドシロキサ
   ンオリゴマ−が、テトラカルボン酸二無水物、芳香族ジ
   アミン中０〜９０モル％の式 Ｈ₂Ｎ−Ｂｚ（Ｒ₁）_m−Ａ−（Ｒ₂）_mＢｚ−ＮＨ₂ （ただし、式中、Ｂｚはベンゼン環で、Ｒ₁またはＲ
   ₂は、水素、低級アルキル、低級アルコキシなどの置換
   基で、Ａは、Ｏ、Ｓ、ＣＯ、ＳＯ₂、ＳＯ、ＣＨ₂、Ｃ
   （ＣＨ₃）₂、ＯＢｚＯ、Ｂｚ、ＯＢｚＣ（ＣＨ₃）₂ＯＢ
   ｚなどの二価の基であり、ｍは１〜４の整数である。）
   で示される複数のベンゼン環を有する芳香族ジアミン化
   合物、および芳香族ジアミン中１０〜１００モル％の式 Ｈ₂Ｎ−Ｂｚ（Ｒ₃）_n（Ｘ）_y−ＮＨ₂ または式 Ｈ₂Ｎ−Ｂｚ（Ｒ₃）_n（Ｘ）_y−Ａ−（Ｘ）_y（Ｒ₄）_nＢ
   ｚ−ＮＨ₂ （ただし、式中、Ｂｚはベンゼン環で、Ｒ₃およびＲ₄は
   水素原子で、Ａは直接結合、Ｏ、Ｓ、ＣＯ、ＳＯ₂、Ｓ
   Ｏ、ＣＨ₂、Ｃ（ＣＨ₃）₂、ＯＢｚＯ、Ｂｚ、ＯＢｚＣ
   （ＣＨ₃）₂ＢｚＯなどの二価の基であり、Ｘはカルボキ
   シル基または水酸基でｎは２または３で、ｙは１または
   ２で、ｎ＋ｙ＝４である。）で示される極性基を有する
   芳香族ジアミン化合物、および式 Ｈ₂Ｎ−Ｒ₅−［−Ｓｉ（Ｒ₆）₂−Ｏ−］_l−Ｓｉ（Ｒ₅）
   ₂−Ｒ₅−ＮＨ₂ （ただし、式中、Ｒ₅は２価の炭化水素残基を示し、Ｒ₆
   は独立に炭素数１−３のアルキル基またはフェニル基を
   示し、lは３〜５０を示す。）で示されるジアミノポリ
   シロキサンを、ジアミン成分合計量に対してテトラカル
   ボン酸二無水物が過剰となる割合で反応させて得られる
   酸無水物末端イミドシロキサンオリゴマ−をエステル化
   剤を加えてさらに反応させて得られるものである請求項
   １記載のポリイミド系絶縁膜用組成物。
3. 【請求項３】(1)末端ハ−フエステル化イミドシロキサ
   ンオリゴマ−の末端酸成分と(2)ジアミン化合物のアミ
   ノ基とが実質的に当量である請求項１記載のポリイミド
   系絶縁膜用組成物。
4. 【請求項４】さらに(7)シランカッブリング剤を含有す
   る請求項１記載のポリイミド系絶縁膜用組成物。
5. 【請求項５】各成分の割合が、(1)末端ハ−フエステル
   化イミドシロキサンオリゴマ−１００重量部に対して、
   (2)ジアミン化合物０．０１〜１０重量部、(3)エポキシ
   化合物１〜３０重量部、(4)触媒０．１〜１０重量部、
   (5)微細無機フィラ−２０〜１５０重量部、(6)高沸点溶
   媒６０〜２００重量部および(7)シランカッブリング剤
   ０．０１〜１０重量部である請求項１記載のポリイミド
   系絶縁膜用組成物。
6. 【請求項６】粘度が２０−６００ポイズである請求項１
   記載のポリイミド系絶縁膜用組成物。
7. 【請求項７】請求項１〜６のいずれかに記載のポリイミ
   ド系絶縁膜用組成物を基材に塗布後、加熱処理して得ら
   れるポリイミド系絶縁膜。
8. 【請求項８】請求項１〜６のいずれかに記載のポリイミ
   ド系絶縁膜用組成物を基材に塗布後、６０〜２００℃で
   加熱処理するポリイミド系絶縁膜の形成法。