JP2001089300A - 半絶縁性ＧａＡｓ単結晶基板 - Google Patents
半絶縁性ＧａＡｓ単結晶基板Info
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- JP2001089300A JP2001089300A JP27377399A JP27377399A JP2001089300A JP 2001089300 A JP2001089300 A JP 2001089300A JP 27377399 A JP27377399 A JP 27377399A JP 27377399 A JP27377399 A JP 27377399A JP 2001089300 A JP2001089300 A JP 2001089300A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】高い比抵抗と高い活性化率とを兼ね備えた、半
絶縁性ＧａＡｓ単結晶基板を提供する。 【解決手段】炭素濃度を２×１０15ｃｍ-3以上、硼素濃
度を１×１０16ｃｍ-3以下、ＥＬ２濃度を２×１０16ｃ
ｍ-3以上とする。
絶縁性ＧａＡｓ単結晶基板を提供する。 【解決手段】炭素濃度を２×１０15ｃｍ-3以上、硼素濃
度を１×１０16ｃｍ-3以下、ＥＬ２濃度を２×１０16ｃ
ｍ-3以上とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＦＥＴ、ＩＣ等の
電子デバイスの製造に供される半絶縁性ＧａＡｓ単結晶
基板に関し、更に詳しくは、高い活性化率と高い絶縁性
を有する半絶縁性ＧａＡｓ単結晶基板に関する。
電子デバイスの製造に供される半絶縁性ＧａＡｓ単結晶
基板に関し、更に詳しくは、高い活性化率と高い絶縁性
を有する半絶縁性ＧａＡｓ単結晶基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＦＥＴ、ＩＣ等の電子デバイスをイオン
注入法により製造する際に、その製造に供される半絶縁
性ＧａＡｓ単結晶基板には、高い活性化率と高い絶縁性
が要求される。すなわち、電子デバイスにおけるリーク
電流を抑制するためには、ＧａＡｓ基板の比抵抗はある
値以上（一般的には１×１０7Ωcm以上）必要である。
注入法により製造する際に、その製造に供される半絶縁
性ＧａＡｓ単結晶基板には、高い活性化率と高い絶縁性
が要求される。すなわち、電子デバイスにおけるリーク
電流を抑制するためには、ＧａＡｓ基板の比抵抗はある
値以上（一般的には１×１０7Ωcm以上）必要である。
【０００３】また、高性能のデバイスを実現するために
は、能動層中のキャリアの移動度が高いことが必要であ
る。そのためには、注入したイオンを効率良く活性化さ
せる必要があり、活性化率の高いＧａＡｓ単結晶基板が
求められている。
は、能動層中のキャリアの移動度が高いことが必要であ
る。そのためには、注入したイオンを効率良く活性化さ
せる必要があり、活性化率の高いＧａＡｓ単結晶基板が
求められている。
【０００４】ＧａＡｓ結晶中で炭素は浅いアクセプター
準位を形成し、炭素濃度が高くなればＧａＡｓの比抵抗
は高くなる。一方ＧａＡｓ中にはＥＬ２と呼ばれる、結
晶欠陥が形成する深いドナー準位が存在し、ＥＬ２濃度
が高くなればＧａＡｓの比抵抗は低下する。ＧａＡｓ結
晶の比抵抗は（１）〜（３）式で近似できる。つまりＧ
ａＡｓ結晶の比抵抗は、炭素濃度とＥＬ２濃度の比で決
まっている。
準位を形成し、炭素濃度が高くなればＧａＡｓの比抵抗
は高くなる。一方ＧａＡｓ中にはＥＬ２と呼ばれる、結
晶欠陥が形成する深いドナー準位が存在し、ＥＬ２濃度
が高くなればＧａＡｓの比抵抗は低下する。ＧａＡｓ結
晶の比抵抗は（１）〜（３）式で近似できる。つまりＧ
ａＡｓ結晶の比抵抗は、炭素濃度とＥＬ２濃度の比で決
まっている。
【０００５】 ρ＝１／ｅ（ｎμn＋ｐμp） （１） ｎ≒（［ＥＬ２］／［Ｃ］−１）Ｃ1 （２） ｎｐ＝Ｃ2 （３） ρ：比抵抗 ｅ：単位電荷 ｎ：電子濃度 ｐ：正孔濃度 μn：電子移動度 μp：正孔移動度 ［ＥＬ２］：ＥＬ２濃度 ［Ｃ］：炭素濃度 Ｃ1，Ｃ2：定数 そこで、特開昭６４−５４７２４には、活性化率を上げ
るために炭素濃度を下げ、それによって起こる比抵抗の
低下を防ぐためにＥＬ２濃度を下げた半絶縁性ＧａＡｓ
単結晶が記載されている。
るために炭素濃度を下げ、それによって起こる比抵抗の
低下を防ぐためにＥＬ２濃度を下げた半絶縁性ＧａＡｓ
単結晶が記載されている。
【０００６】すなわち特開昭６４−５４７２４には、炭
素濃度を２×１０15ｃｍー 3以下とすると共に深いドナー
準位ＥＬ２の濃度を１×１０16ｃｍ-3以下とすることに
より、高い活性化率と高い絶縁性を兼ね備えたＧａＡｓ
単結晶が記載されている。
素濃度を２×１０15ｃｍー 3以下とすると共に深いドナー
準位ＥＬ２の濃度を１×１０16ｃｍ-3以下とすることに
より、高い活性化率と高い絶縁性を兼ね備えたＧａＡｓ
単結晶が記載されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし上述の発明の様
にＥＬ２濃度を低くすると、特性が安定しなくなるとい
う問題を生じる。つまり、イオン注入法により基板にＳ
ｉイオンを注入した後には、Ｓｉを電気的に活性化させ
るために高温で熱処理をする必要がある。この熱処理の
間に基板表面近傍のＥＬ２は外部に拡散し、濃度が低下
することが一般的に知られている。そのためＥＬ２濃度
と炭素濃度の比率が変化し、基板の比抵抗が変化する。
そしてＥＬ２濃度の低下が激しく、［ＥＬ２］≦［Ｃ］
になるとＧａＡｓはｐ型伝導を示し、もはや半絶縁性で
はなくなってしまう。もともとのＥＬ２濃度が低い場合
は、ＥＬ２の外部拡散によるＥＬ２濃度低下の影響は大
きくなり、その結果製作されたデバイスの特性が安定し
ないという問題を生ずるのである。
にＥＬ２濃度を低くすると、特性が安定しなくなるとい
う問題を生じる。つまり、イオン注入法により基板にＳ
ｉイオンを注入した後には、Ｓｉを電気的に活性化させ
るために高温で熱処理をする必要がある。この熱処理の
間に基板表面近傍のＥＬ２は外部に拡散し、濃度が低下
することが一般的に知られている。そのためＥＬ２濃度
と炭素濃度の比率が変化し、基板の比抵抗が変化する。
そしてＥＬ２濃度の低下が激しく、［ＥＬ２］≦［Ｃ］
になるとＧａＡｓはｐ型伝導を示し、もはや半絶縁性で
はなくなってしまう。もともとのＥＬ２濃度が低い場合
は、ＥＬ２の外部拡散によるＥＬ２濃度低下の影響は大
きくなり、その結果製作されたデバイスの特性が安定し
ないという問題を生ずるのである。
【０００８】一方、従来の電子デバイスに使われる半絶
縁性ＧａＡｓ基板の比抵抗は１〜３×１０7Ωｃｍが一
般的であった。ところが、近年デバイスの高性能化のた
めに、比抵抗が５×１０7 Ωｃｍ以上である高い比抵抗
を有するＧａＡｓ基板に対する需要が高まっている。す
なわち、マイクロ波通信の高周波数化で要求される、浅
くて急峻な注入プロファイルを得るために、炭素濃度の
高い基板即ち比抵抗の高い基板に、低いエネルギーでイ
オン注入するようになって来ている。
縁性ＧａＡｓ基板の比抵抗は１〜３×１０7Ωｃｍが一
般的であった。ところが、近年デバイスの高性能化のた
めに、比抵抗が５×１０7 Ωｃｍ以上である高い比抵抗
を有するＧａＡｓ基板に対する需要が高まっている。す
なわち、マイクロ波通信の高周波数化で要求される、浅
くて急峻な注入プロファイルを得るために、炭素濃度の
高い基板即ち比抵抗の高い基板に、低いエネルギーでイ
オン注入するようになって来ている。
【０００９】注入されたＳｉはドナー準位を形成する
が、注入プロファイルの裾野を急峻化させるためにはア
クセプター準位を形成する炭素で補償する必要がある。
つまり、高炭素濃度がＧａＡｓ基板に必要な条件になっ
て来たのである。しかし炭素濃度を高くした場合、注入
されたＳｉの活性化率が低下し、デバイスが設計通りの
性能を発揮できないという問題を生じる。さらに熱処理
中に［ＥＬ２］≦［Ｃ］になってしまう可能性が高ま
り、基板の電気伝導がｐ型に変化しデバイスの特性が安
定しないという問題が起きる。
が、注入プロファイルの裾野を急峻化させるためにはア
クセプター準位を形成する炭素で補償する必要がある。
つまり、高炭素濃度がＧａＡｓ基板に必要な条件になっ
て来たのである。しかし炭素濃度を高くした場合、注入
されたＳｉの活性化率が低下し、デバイスが設計通りの
性能を発揮できないという問題を生じる。さらに熱処理
中に［ＥＬ２］≦［Ｃ］になってしまう可能性が高ま
り、基板の電気伝導がｐ型に変化しデバイスの特性が安
定しないという問題が起きる。
【００１０】そこで本発明の目的は、上記問題点を解消
し比抵抗が５×１０7 Ωｃｍ以上の高い比抵抗と高い活
性化率とを兼ね備えた、半絶縁性ＧａＡｓ単結晶基板を
提供することにある。
し比抵抗が５×１０7 Ωｃｍ以上の高い比抵抗と高い活
性化率とを兼ね備えた、半絶縁性ＧａＡｓ単結晶基板を
提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の課
題を解決すべく鋭意努力検討した結果、ＧａＡｓ単結晶
基板中の硼素濃度やＥＬ２濃度が活性化率と密接に関わ
り合いがあることを見出し本発明に到達した。即ち本発
明は、［１］炭素濃度が２×１０15ｃｍ-3以上であり、
硼素濃度が１×１０16ｃｍ-3以下であり、ＥＬ２濃度が
２×１０16ｃｍ-3以上であり、炭素濃度がＥＬ２濃度以
下であることを特徴とする半絶縁性ＧａＡｓ単結晶基
板、［２］比抵抗が５×１０7Ωｃｍ以上であることを
特徴とする請求項１記載の半絶縁性ＧａＡｓ単結晶基
板、に関する。
題を解決すべく鋭意努力検討した結果、ＧａＡｓ単結晶
基板中の硼素濃度やＥＬ２濃度が活性化率と密接に関わ
り合いがあることを見出し本発明に到達した。即ち本発
明は、［１］炭素濃度が２×１０15ｃｍ-3以上であり、
硼素濃度が１×１０16ｃｍ-3以下であり、ＥＬ２濃度が
２×１０16ｃｍ-3以上であり、炭素濃度がＥＬ２濃度以
下であることを特徴とする半絶縁性ＧａＡｓ単結晶基
板、［２］比抵抗が５×１０7Ωｃｍ以上であることを
特徴とする請求項１記載の半絶縁性ＧａＡｓ単結晶基
板、に関する。
【００１２】
【発明の実施の形態】半絶縁性、好ましくは比抵抗が５
×１０7Ωｃｍ以上、のＧａＡｓ単結晶基板を得るため
には、ＧａＡｓ単結晶中の炭素濃度を２×１０15ｃｍ-3
以上とする必要がある。
×１０7Ωｃｍ以上、のＧａＡｓ単結晶基板を得るため
には、ＧａＡｓ単結晶中の炭素濃度を２×１０15ｃｍ-3
以上とする必要がある。
【００１３】本発明者らは、炭素濃度が２×１０15ｃｍ
-3以上のＧａＡｓ単結晶において、その高炭素濃度化に
伴う活性化率低下の改善を試みた。
-3以上のＧａＡｓ単結晶において、その高炭素濃度化に
伴う活性化率低下の改善を試みた。
【００１４】ＧａＡｓ結晶中の硼素は電気的に中性であ
り、比抵抗には影響しない。同様に活性化率にも影響し
ないと従来は考えられていた。
り、比抵抗には影響しない。同様に活性化率にも影響し
ないと従来は考えられていた。
【００１５】しかし本発明者らは、同一の比抵抗のＧａ
Ａｓ結晶において硼素濃度と活性化率の関係を鋭意調査
した結果、ＧａＡｓ中の硼素濃度を一定値以下にするこ
とにより、活性化率を改善することができることを見い
だした。
Ａｓ結晶において硼素濃度と活性化率の関係を鋭意調査
した結果、ＧａＡｓ中の硼素濃度を一定値以下にするこ
とにより、活性化率を改善することができることを見い
だした。
【００１６】活性化率の評価は、表面をミラー状に研磨
したＧａＡｓ基板にＳｉイオンを注入し、熱処理を行っ
た後、渦電流による非接触・非破壊法でシート抵抗を測
定した。このシート抵抗が低い方が活性化率が高いこと
になる。
したＧａＡｓ基板にＳｉイオンを注入し、熱処理を行っ
た後、渦電流による非接触・非破壊法でシート抵抗を測
定した。このシート抵抗が低い方が活性化率が高いこと
になる。
【００１７】イオン注入条件はＳｉ29を５０ｋｅＶの加
速電圧で６×１０12ｃｍ-2のドーズ量を注入した。また
熱処理は、アルシン雰囲気中で８００℃、３０分行っ
た。
速電圧で６×１０12ｃｍ-2のドーズ量を注入した。また
熱処理は、アルシン雰囲気中で８００℃、３０分行っ
た。
【００１８】図１は硼素濃度とシート抵抗の関係を示し
た図である。図１より、ＧａＡｓ中の硼素濃度を１×１
０16ｃｍ-3を上限として、この値以下とすることによ
り、シート抵抗を低くする（活性化率高める）ことがで
きることがわかる。
た図である。図１より、ＧａＡｓ中の硼素濃度を１×１
０16ｃｍ-3を上限として、この値以下とすることによ
り、シート抵抗を低くする（活性化率高める）ことがで
きることがわかる。
【００１９】さらに本発明者らは、炭素濃度が２×１０
15ｃｍ-3以上で硼素濃度が１×１０ 16ｃｍ-3以下のＧａ
Ａｓ結晶において、ＥＬ２濃度を制御することにより、
ＧａＡｓ単結晶の活性化率をさらに改善できることを見
出した。
15ｃｍ-3以上で硼素濃度が１×１０ 16ｃｍ-3以下のＧａ
Ａｓ結晶において、ＥＬ２濃度を制御することにより、
ＧａＡｓ単結晶の活性化率をさらに改善できることを見
出した。
【００２０】図２にＥＬ２濃度とシート抵抗との関係を
示す。この図より、ＥＬ２濃度を２×１０16ｃｍ-3以
上、好ましくは２．１×１０16ｃｍ-3以上にすることに
よりシート抵抗を低くする（活性化率を高める）ことが
できることがわかる。またこれ以上の濃度ではシート抵
抗はほぼ一定であることから、熱処理中のＥＬ２濃度変
化に対して活性化率は安定していることを示している。
なお、ＥＬ２濃度の上限は３．０×１０16ｃｍ-3であ
り、これより高くすると、かえってシート抵抗値にばら
つきを生ずることが明らかになった。
示す。この図より、ＥＬ２濃度を２×１０16ｃｍ-3以
上、好ましくは２．１×１０16ｃｍ-3以上にすることに
よりシート抵抗を低くする（活性化率を高める）ことが
できることがわかる。またこれ以上の濃度ではシート抵
抗はほぼ一定であることから、熱処理中のＥＬ２濃度変
化に対して活性化率は安定していることを示している。
なお、ＥＬ２濃度の上限は３．０×１０16ｃｍ-3であ
り、これより高くすると、かえってシート抵抗値にばら
つきを生ずることが明らかになった。
【００２１】以上のように、ＧａＡｓ単結晶基板におい
て、結晶中の炭素濃度を２×１０15ｃｍ-3以上とし、か
つ硼素濃度を１×１０16ｃｍ-3以下とし、かつＥＬ２濃
度を２×１０16ｃｍ-3以上にすることにより、比抵抗が
５×１０7Ωｃｍ以上で、かつ活性化率の高いＧａＡｓ
基板を得ることができた。
て、結晶中の炭素濃度を２×１０15ｃｍ-3以上とし、か
つ硼素濃度を１×１０16ｃｍ-3以下とし、かつＥＬ２濃
度を２×１０16ｃｍ-3以上にすることにより、比抵抗が
５×１０7Ωｃｍ以上で、かつ活性化率の高いＧａＡｓ
基板を得ることができた。
【００２２】なお、炭素濃度の上限はＥＬ２濃度と同濃
度で、炭素濃度がＥＬ２濃度より高くなると単結晶にｐ
型反転が生じ、半絶縁性結晶でなくなってしまう。ま
た、ＧａＡｓ単結晶の比抵抗の上限は、理論的には８×
１０8Ωｃｍであるが、デバイスプロセスでの安定性を
考慮すると，好ましくは６×１０8Ωｃｍ以下である。
度で、炭素濃度がＥＬ２濃度より高くなると単結晶にｐ
型反転が生じ、半絶縁性結晶でなくなってしまう。ま
た、ＧａＡｓ単結晶の比抵抗の上限は、理論的には８×
１０8Ωｃｍであるが、デバイスプロセスでの安定性を
考慮すると，好ましくは６×１０8Ωｃｍ以下である。
【００２３】ＧａＡｓ単結晶中の硼素濃度は、封止剤と
して含有水分１０００ｐｐｍ以上のＢ2Ｏ3を使用すれば
１×１０16ｃｍ-3以下に制御することができる。ＧａＡ
ｓ結晶中の炭素濃度は引き上げ炉内の一酸化炭素濃度を
６０００ｐｐｍ以上にして単結晶育成を行えば２×１０
15ｃｍ-3以上に制御することができる。また、ＧａＡｓ
結晶中のＥＬ２濃度は引き上げた結晶を７００℃以下の
温度で２０時間熱処理(アニール)すれば２×１０16ｃｍ
-3以上に制御することができる。
して含有水分１０００ｐｐｍ以上のＢ2Ｏ3を使用すれば
１×１０16ｃｍ-3以下に制御することができる。ＧａＡ
ｓ結晶中の炭素濃度は引き上げ炉内の一酸化炭素濃度を
６０００ｐｐｍ以上にして単結晶育成を行えば２×１０
15ｃｍ-3以上に制御することができる。また、ＧａＡｓ
結晶中のＥＬ２濃度は引き上げた結晶を７００℃以下の
温度で２０時間熱処理(アニール)すれば２×１０16ｃｍ
-3以上に制御することができる。
【００２４】
【実施例】（実施例）原料であるＧａを約５．８ｋｇと
Ａｓを約６．５ｋｇおよび封止剤として水分濃度が１５
００ｐｐｍのＢ2Ｏ3７５０ｇをＰＢＮのるつぼに入れ
て、引き上げ炉内に設置した。これを、アルゴンガス５
０ｋｇ／ｃｍ2の雰囲気下で黒鉛ヒ−ターを用いて融解
した。引き上げ炉内一酸化炭素濃度を約６０００ｐｐｍ
に制御し、１０本の４インチＧａＡｓ単結晶を育成し
た。得られた単結晶の長さは全て２００ｍｍ前後であっ
た。
Ａｓを約６．５ｋｇおよび封止剤として水分濃度が１５
００ｐｐｍのＢ2Ｏ3７５０ｇをＰＢＮのるつぼに入れ
て、引き上げ炉内に設置した。これを、アルゴンガス５
０ｋｇ／ｃｍ2の雰囲気下で黒鉛ヒ−ターを用いて融解
した。引き上げ炉内一酸化炭素濃度を約６０００ｐｐｍ
に制御し、１０本の４インチＧａＡｓ単結晶を育成し
た。得られた単結晶の長さは全て２００ｍｍ前後であっ
た。
【００２５】その後、インゴット状でＡｓ粉末と一緒に
石英アンプル内に封入して熱処理を行った。１０回の育
成で得られた単結晶のうち５本のインゴットについては
この熱処理条件の保持温度を６５０℃として、残りの５
本のインゴットについては７００℃とした。また、保持
時間は全て２０時間とした。
石英アンプル内に封入して熱処理を行った。１０回の育
成で得られた単結晶のうち５本のインゴットについては
この熱処理条件の保持温度を６５０℃として、残りの５
本のインゴットについては７００℃とした。また、保持
時間は全て２０時間とした。
【００２６】（比較例）比較例では上記実施例と同一条
件で１０本の４インチＧａＡｓ単結晶を引き上げ、その
後同様の手順で熱処理を行った。ただし、５本のインゴ
ットについては熱処理条件の保持温度を７５０℃とし
て、残りの５本のインゴットについては８００℃とし
た。また、保持時間は全て２０時間とした。
件で１０本の４インチＧａＡｓ単結晶を引き上げ、その
後同様の手順で熱処理を行った。ただし、５本のインゴ
ットについては熱処理条件の保持温度を７５０℃とし
て、残りの５本のインゴットについては８００℃とし
た。また、保持時間は全て２０時間とした。
【００２７】上記実施例および比較例の合計２０本の単
結晶のシードとテールの部分から、厚さ５ｍｍのブロッ
クを切り出し両面をミラー状に研磨し、炭素濃度とＥＬ
２濃度を測定した。結晶の中間部分はウェーハ状にスラ
イスし、厚さ６２５μｍの両面ミラーウェーハに仕上
げ、比抵抗測定、硼素濃度測定、およびシート抵抗（活
性化率）の評価を行った。
結晶のシードとテールの部分から、厚さ５ｍｍのブロッ
クを切り出し両面をミラー状に研磨し、炭素濃度とＥＬ
２濃度を測定した。結晶の中間部分はウェーハ状にスラ
イスし、厚さ６２５μｍの両面ミラーウェーハに仕上
げ、比抵抗測定、硼素濃度測定、およびシート抵抗（活
性化率）の評価を行った。
【００２８】表１に評価結果を示す。比抵抗はシードと
テールに最も近いウェーハのホール効果測定により求め
たが、何れのサンプルも比抵抗は５×１０7Ωｃｍ以上
であった。
テールに最も近いウェーハのホール効果測定により求め
たが、何れのサンプルも比抵抗は５×１０7Ωｃｍ以上
であった。
【００２９】炭素濃度はＦＴＩＲ（フーリエ変換赤外分
光分析）により測定した。何れのサンプルも炭素濃度は
２×１０15ｃｍ-3以上であった。
光分析）により測定した。何れのサンプルも炭素濃度は
２×１０15ｃｍ-3以上であった。
【００３０】硼素濃度は、ＧＤＭＳ（グロー放電質量分
析）により分析した。結果は何れのサンプルも１×１０
16ｃｍ-3以下であった。
析）により分析した。結果は何れのサンプルも１×１０
16ｃｍ-3以下であった。
【００３１】ＥＬ２濃度は近赤外吸収により測定した。
アニールでの保持温度が高くなるにつれ、ＥＬ２濃度は
低下した。アニール温度とＥＬ２濃度の関係を図３に示
す。
アニールでの保持温度が高くなるにつれ、ＥＬ２濃度は
低下した。アニール温度とＥＬ２濃度の関係を図３に示
す。
【００３２】活性化率の評価はシート抵抗の測定によっ
て行った。具体的には、シードとテールに近いウェーハ
を用い、Ｓｉ29を５０ｋｅＶ、ドーズ量６×１０12ｃｍ
-2でイオン注入した後、アルシンを含むアルゴン雰囲気
中において、８００℃の温度で３０分間のアニールを実
施し、シート抵抗を測定した。
て行った。具体的には、シードとテールに近いウェーハ
を用い、Ｓｉ29を５０ｋｅＶ、ドーズ量６×１０12ｃｍ
-2でイオン注入した後、アルシンを含むアルゴン雰囲気
中において、８００℃の温度で３０分間のアニールを実
施し、シート抵抗を測定した。
【００３３】この結果、表１に示すようにＥＬ２濃度が
２×１０16ｃｍ-3以上のウェーハでは、シート抵抗が低
く、高い活性化率が得られることが明らかになった。
２×１０16ｃｍ-3以上のウェーハでは、シート抵抗が低
く、高い活性化率が得られることが明らかになった。
【００３４】
【表１】
【発明の効果】本発明によれば、高炭素濃度（２×１０
15ｃｍ-3以上）及び高い比抵抗（５×１０7 Ωｃｍ以
上）を有しながらも、ＥＬ２濃度が２×１０16ｃｍ-3以
上で、活性化率の高い、半絶縁性ＧａＡｓ単結晶基板が
提供できる。
15ｃｍ-3以上）及び高い比抵抗（５×１０7 Ωｃｍ以
上）を有しながらも、ＥＬ２濃度が２×１０16ｃｍ-3以
上で、活性化率の高い、半絶縁性ＧａＡｓ単結晶基板が
提供できる。
【図１】硼素濃度とシート抵抗との関係を示す。
【図２】ＥＬ２濃度とシート抵抗との関係を示す。
【図３】熱処理の保持温度とＥＬ２濃度との関係を示
す。
す。
Claims (2)
- 【請求項１】炭素濃度が２×１０15ｃｍ-3以上であり、
硼素濃度が１×１０16ｃｍ-3以下であり、ＥＬ２濃度が
２×１０16ｃｍ-3以上であり、炭素濃度がＥＬ２濃度以
下であることを特徴とする半絶縁性ＧａＡｓ単結晶基
板。 - 【請求項２】比抵抗が５×１０7Ωｃｍ以上であること
を特徴とする請求項１記載の半絶縁性ＧａＡｓ単結晶基
板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27377399A JP2001089300A (ja) | 1999-09-28 | 1999-09-28 | 半絶縁性ＧａＡｓ単結晶基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27377399A JP2001089300A (ja) | 1999-09-28 | 1999-09-28 | 半絶縁性ＧａＡｓ単結晶基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001089300A true JP2001089300A (ja) | 2001-04-03 |
Family
ID=17532384
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27377399A Pending JP2001089300A (ja) | 1999-09-28 | 1999-09-28 | 半絶縁性ＧａＡｓ単結晶基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001089300A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107195772A (zh) * | 2014-06-17 | 2017-09-22 | 旭化成微电子株式会社 | 霍尔传感器 |
| WO2019053856A1 (ja) * | 2017-09-14 | 2019-03-21 | 住友電気工業株式会社 | ヒ化ガリウム系化合物半導体結晶およびウエハ群 |
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1999
- 1999-09-28 JP JP27377399A patent/JP2001089300A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107195772A (zh) * | 2014-06-17 | 2017-09-22 | 旭化成微电子株式会社 | 霍尔传感器 |
| CN107195772B (zh) * | 2014-06-17 | 2019-06-25 | 旭化成微电子株式会社 | 霍尔传感器 |
| WO2019053856A1 (ja) * | 2017-09-14 | 2019-03-21 | 住友電気工業株式会社 | ヒ化ガリウム系化合物半導体結晶およびウエハ群 |
| EP3572562A4 (en) * | 2017-09-14 | 2020-08-19 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | SEMICONDUCTOR CRYSTAL COMPOSED OF GALLIUM ARSENIDE AND GROUP OF SLICES |
| US10815586B2 (en) | 2017-09-14 | 2020-10-27 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Gallium-arsenide-based compound semiconductor crystal and wafer group |
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