JP2001085461A - 半導体装置の製造方法及びその装置 - Google Patents

半導体装置の製造方法及びその装置

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wire
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和巳 大谷
Mutsumi Suematsu
睦 末松
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Abstract

(57)【要約】 【課題】高速でのスクラブ動作を実現し、短時間で接合
面の汚れや酸化膜等を除去して、半導体装置の製造の歩
留まりと生産性を向上する。 【解決手段】キャピラリ５を下降させてボール２３を電
極パッド８又はインナーリード９に接触させたとき、切
替え接続器２２によってサーボ制御系１００の速度制御
系に発振部２１を接続し、サーボ制御系１００を不安定
にしてＸＹテーブル１を微振動させてキャピラリ５をス
クラブ動作させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
工程に係わり、例えば半導体チップの電極パッドとリー
ドフレームのインナーリードとを金属ワイヤにより接続
する半導体装置の製造方法及びその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図９はワイヤボンディング装置の概略構
成図である。ＸＹテーブル１上には、ヘッド部２が搭載
されている。このヘッド部２は、超音波ホーン３を矢印
イに示す上下方向（ｚ方向）に移動させるものである。
この超音波ホーン３の先端部には、金属のワイヤ４が挿
通されたキャピラリ５を保持するものとなっている。
【０００３】サーボ制御系６は、目標位置指令を受けて
ＸＹテーブル１を移動制御し、キャピラリ５をワークと
して例えば半導体チップ７の電極パッド８とリードフレ
ームのインナーリード９とに位置決めしている。
【０００４】ワイヤボンディングでは、ワークとして半
導体チップ７又は基板の表面の接合部分は、汚れが付着
したり酸化することが多く、その結果として接合面での
合金形成が阻害され、ワイヤボンディング強度が低下
し、歩留まりが悪くなる。特に近年は、低温の雰囲気に
おける接合も多く、接合性への影響が深刻になってきて
いる。このようなことから以下の方法で接合面における
汚れや酸化膜等を取り除いてワイヤボンディングを行っ
ている。
【０００５】一旦、キャピラリ５の先端からワイヤ４を
引き込み、キャピラリ５の先端をワークの接合面、例え
ば半導体チップ７の電極パッド８に押圧し、これと同時
にキャピラリ５を移動させる。これにより、キャピラリ
５の先端と電極パッド８とが超音波振動に比べて極めて
小さな振動数で擦り合わされて（以下、スクラブ動作と
称する）電極パッド８の接合面の汚れや酸化膜が除去さ
れる。
【０００６】このスクラブ動作は、ＸＹテーブル１を駆
動することで行っており、図１０に示すようにサーボ制
御系６に与える目標位置指令に基づいてＸＹテーブル１
を位置制御している。このスクラブ動作時のキャピラリ
５は、移動量数ｍｍで、数十Ｈｚ程度の周期の目標位置
指令（２〜５周期程度）によって移動する。なお、図１
０にはサーボ制御系６内の速度制御ループに対する速度
指令及びキャピラリ５の実速度も示されている。
【０００７】このようなスクラブ動作により電極パッド
８の接合面の汚れや酸化膜を除去した後、キャピラリ５
を上昇させて、キャピラリ５の先端に付着している異物
を砥石等で除去する。
【０００８】次に、キャピラリ５の先端からワイヤ４を
突出させてボールを形成する。再び、キャピラリ５を下
降させてキャピラリ５の先端のボールを電極パッド８の
接合面に押圧し、これと同時に超音波ホーン３に超音波
を印加し、ボールと電極パッド８の接合面との間に合金
層を形成してワイヤ４を電極パッド８の接合面に接続す
る。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】以上のようにＸＹテー
ブル１の位置を制御しながらスクラブ動作を行っている
が、位置制御の応答周波数は数十Ｈｚであり、高速での
スクラブ動作が困難となっている。このため、スクラブ
動作に時間がかかり、生産性が低下する。
【００１０】そこで本発明は、高速でのスクラブ動作を
実現でき、短時間で接合面の汚れ等を除去できる半導体
装置の製造方法及びその装置を提供することを目的とす
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
ワイヤを送るキャピラリを被加工物に対して相対的に接
離方向に駆動しワイヤに超音波振動を付与することによ
ってワイヤを被加工物に対して接着する工程を有する半
導体装置の製造方法であって、ワイヤを被加工物に接触
させた状態のとき制御手段を超音波振動の振動数未満で
発振させる工程を有する半導体装置の製造方法である。
【００１２】請求項２記載の発明は、請求項１記載の半
導体装置の製造方法において、キャピラリ先端に突出し
たワイヤの先端にボールを形成した後、キャピラリを下
降させてボールが接合面に接触すると同時又は前後にテ
ーブルを微振動させるものとなっている。
【００１３】請求項３記載の発明は、ワイヤを送るキャ
ピラリと、このキャピラリを超音波振動て振動させる超
音波ホーンと、キャピラリを被加工物に対して相対的に
接離方向に駆動する駆動手段とを備え、ワイヤを超音波
ホーンによる超音波振動で振動させて被加工物に対して
接着する半導体装置の製造方法であって、駆動手段を制
御する制御手段は、少なくとも被加工物に並行な方向に
ついて、少なくともワイヤを被加工物に接触させた状態
のとき発振可能に設けられる半導体装置の製造装置であ
る。
【００１４】請求項４記載の発明は、請求項３記載の半
導体装置の製造装置において、キャピラリ先端に突出し
たワイヤの先端に形成されたボールが接合面に接触した
ことを検出する接触検出手段と、この接触検出手段によ
りボールが接合面に接触したことが検出されたときに発
振手段をサーボ制御系に接続する接続手段とを備えたも
のである。
【００１５】請求項５記載の発明は、請求項３又は４記
載の半導体装置の製造装置において、発振手段は、位相
遅れ補償要素を有するものである。
【００１６】請求項６記載の発明は、請求項３又は４記
載の半導体装置の製造装置において、発振手段は、サー
ボ制御系おける速度制御系又は加速度制御系に接続され
るものである。
【００１７】請求項７記載の発明は、ワイヤを挿通させ
たキャピラリを保持する超音波ホーンを上下方向に移動
させるヘッド部をテーブル上に搭載し、キャピラリに超
音波ホーンを介して超音波振動を印加してワイヤを半導
体チップの電極パッドとリードとの間にワイヤボンディ
ングする半導体装置の製造方法において、キャピラリ先
端に突出したワイヤの先端にボールを形成した後、キャ
ピラリを下降させてボールが電極パッド又はリードに接
触すると同時又は前後に、テーブルを移動制御するサー
ボ制御系を発振させてテーブルを微振動させる工程を有
する半導体装置の製造方法である。
【００１８】請求項８記載の発明は、ワイヤを挿通させ
たキャピラリを保持する超音波ホーンを上下方向に移動
させるヘッド部をテーブル上に搭載し、キャピラリに超
音波ホーンを介して超音波振動を印加してワイヤを半導
体チップの電極パッドとリードとの間にワイヤボンディ
ングする半導体装置の製造装置において、テーブルを移
動制御するサーボ制御系と、キャピラリ先端に突出した
ワイヤの先端に形成されたボールが電極パッド又はリー
ドに接触したことを検出する接触検出手段と、サーボ制
御系を発振させてテーブルを微振動させる発振手段と、
接触検出手段によりボールが電極パッド又はリードに接
触したことが検出されたときに発振手段をサーボ制御系
に接続する接続手段とを備えた半導体装置の製造装置で
ある。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態につ
いて図面を参照して説明する。
【００２０】図１は半導体装置の製造装置の構成図であ
る。ＸＹテーブル１上には、ヘッド部２が搭載されてい
る。このヘッド部２は、超音波ホーン３を矢印イに示す
上下方向（ｚ方向）に移動させるものである。この超音
波ホーン３の先端部には、金属のワイヤ４が挿通された
キャピラリ５を保持するものとなっている。
【００２１】サーボ制御系６は、目標位置指令を受けて
ＸＹテーブル１を移動制御し、キャピラリ５をワークと
して例えば半導体チップ７の電極パッド８とリードフレ
ームのインナーリード９とに位置決めする機能を有して
いる。
【００２２】サーボ制御系１００には、テーブル目標位
置導出部１０が設けられている。このテーブル目標位置
導出部１０は、キャピラリ５を位置制御するための目標
位置指令を送出する機能を有している。このテーブル目
標位置導出部１０の出力端には、第１の偏差器１１、第
１の増幅器１２、第２の偏差器１３、第２の増幅器１
４、第３の偏差器１５及び第３の増幅器１６が直列に接
続され、この第３の増幅器１６の出力端にＸＹテーブル
１を駆動するためのＸ又はＹ方向のモータ１７が接続さ
れている。
【００２３】なお、ＸＹテーブル１は、ＸテーブルとＹ
テーブルとのそれぞれ駆動用のモータが設けられるもの
であり、モータ１７は、Ｘテーブル又はＹテーブルのい
ずれか一方を駆動するものとなる。従って、サーボ制御
系１００もＹテーブル又はＸテーブルを駆動するための
ものがもう１系統設けられている。
【００２４】モータ１７には、エンコーダ等の位置セン
サ１８が取り付けられている。この位置センサ１８は、
モータ１７の回転を検出することによりキャピラリ５の
位置に応じた位置信号を出力する機能を有している。
【００２５】この位置センサ１８から出力される位置信
号は、第１の偏差器１１にフィードバックされると共に
微分回路（ＦＶ回路）１９を介して第２の偏差器１３に
フィードバックされている。このようなフィードバック
の形成によりサーボ制御系１００には、位置センサ１８
から第１の偏差器１１へのフィードバックにより位置制
御系が形成され、位置センサ１８から微分回路１９を介
して第２の偏差器１３へのフィードバックにより速度制
御系が形成されている。
【００２６】又、サーボ制御系１００には、第３の増幅
器１６の出力が第３の偏差器１５にフィードバックされ
て加速度制御系が形成されている。
【００２７】このようなサーボ制御系１００によるＸＹ
テーブルの制御方法を説明すると、テーブル目標位置導
出部１０から送出されたキャピラリ５を位置制御するた
めの目標位置指令は、第１の偏差器１１、第１の増幅器
１２、第２の偏差器１３、第２の増幅器１４、第３の偏
差器１５及び第３の増幅器１６を通してモータ１７に与
えられる。
【００２８】このモータ１７が駆動してＸＹテーブル１
が移動すると、位置センサ１８は、位置センサ１８は、
モータ１７の回転を検出することによりキャピラリ５の
位置に応じた位置信号を出力する。この位置信号は、第
１の偏差器１１にフィードバックされると共に、微分回
路１９を介して第２の偏差器１３にフィードバックされ
る。
【００２９】これらフィードバックにより第１の偏差器
１１からは、目標位置指令と位置フィードバックとの差
である位置偏差信号が出力され、第２の偏差器１３から
は、目標速度指令と速度フィードバックとの差である速
度偏差信号が出力される。さらに、第３の偏差器１５か
らは、目標加速度指令と加速度フィードバックとの差で
ある加速度偏差信号が出力される。
【００３０】従って、ＸＹテーブル１は、位置・速度・
加速度（電流）のフィードバック制御（閉ループ）を行
いながら駆動する。図２はサーボ制御系１００の開ルー
プの周波数特性を示す図であり、図３はサーボ制御系１
００の閉ループの周波数特性を示す図である。
【００３１】通常、ＸＹテーブル１は、図３に示すよう
な速度応答をもって駆動する。閉ループの周波数特性の
低周波数帯域ではゲインは一定（フラット）であり、高
周波数帯域ではゲインは低下し、位相も遅れている。ゲ
インがフラットな周波数帯域を応答周波数と称する。こ
の応答周波数は、位置・速度・加速度の順に高く、その
値は概略、位置制御系で２０〜５０Ｈｚ、速度制御系で
１００〜４００Ｈｚ、加速度制御系で３０００〜５００
０Ｈｚである。
【００３２】又、ＸＹテーブル１の制御は、サーボ制御
系１００を安定させ（発振しない）、かつ高い応答周波
数を得るためにサーボ制御系１００のパラメータ最適化
と機械振動等の除去を行っている。
【００３３】よって、ＸＹテーブル１の制御は、発振・
振動等のない、高速駆動、高精度位置決めを実現するも
のとなっている。
【００３４】一方、接触検出部２０は、キャピラリ５の
先端に突出したワイヤ４の先端に形成されたボールが半
導体チップ７の電極パッド８又はリードフレームのイン
ナーリード９に接触したことを検出する機能を有してい
る。
【００３５】発振部２１は、サーボ制御系１００を不安
定にしてＸＹテーブル１を微振動させるもので、図４に
示すような高周波数領域で位相が遅れる周波数特性の位
相遅れ補償要素を有している。この発振部２１の伝達関
数は、 Ｇ(s)＝ｋ｛（Ｔｓ＋１）／（（Ｔ／α）ｓ＋１）｝ …(1) ０＜α＜１により表わされる。
【００３６】サーボ制御系１００の速度制御系における
第２の増幅器１４の入出力端には、切替え接続器２２が
設けられている。この切替え接続器２２は、第２の増幅
器１４の入出力端にそれぞれ接続される各接続器２２
ａ、２２ｂから構成されるもので、接触検出部２０から
の検出信号を受けたときに第２の増幅器１４側から発振
部２１側に切り替わり、サーボ制御系１００の速度制御
系に発振部２１を接続する機能を有している。
【００３７】次に、上記の如く構成された装置の作用に
ついて図５に示すワイヤボンディング工程を参照して説
明する。
【００３８】通常、ワイヤボンディング工程において、
ＸＹテーブル１は、サーボ制御系１００の制御により発
振・振動等がなく、高速駆動、高精度位置決めでキャピ
ラリ５を移動している。
【００３９】先ず、図５(a)に示すようにキャピラリ５
の先端に突出するワイヤ４の先端にボール２３が形成さ
れる。この後、キャピラリ５が下降されてボール２３を
図５(b)に示すように半導体チップ７の電極パッド８に
接触させる。
【００４０】このとき接触検出部２０は、キャピラリ５
の先端に形成されたボール２３が電極パッド８に接触し
たことを検出すると、その検出信号が切替え接続器２２
に送出される。
【００４１】この切替え接続器２２は、接触検出部２０
からの検出信号を受けたときに第２の増幅器１４側から
発振部２１側に切り替わり、サーボ制御系１００の速度
制御系に発振部２１を接続する。
【００４２】この発振部２１は、サーボ制御系１００を
不安定にしてＸＹテーブル１を微振動させるもので、キ
ャピラリ５をスクラブ動作させる。
【００４３】スクラブの軌道を円形に近付けるために好
ましくはＸ軸Ｙ軸双方の制御系を発振状態にする。
【００４４】このスクラブ動作について説明すると、発
振部２１は、上記図４に示すような高周波数領域で位相
が遅れる周波数特性の位相遅れ補償要素を有している。
ここで、サーボ制御系１００の安定、不安定は、上記図
２に示す開ループのボード線図における位相余裕Ｑによ
り判断できる。経験的にサーボ制御系１００では、位相
余裕Ｑが４０〜６０度であり、これよりも小さいとサー
ボ制御系１００の安定度が悪くなり発振する。つまり、
発振部２１の位相遅れ補償要素をサーボ制御系１００の
速度制御系に挿入することにより、図６に示すようにサ
ーボ制御系１００の位相余裕Ｑａを低下させ、サーボ制
御系１００を発振状態にする。
【００４５】これを図７に示すサーボ制御系の閉ループ
の周波数特性で見てみると、ゲインのピークの発生が確
認される。つまり、ＸＹテーブル１は、このゲインピー
クの周波数で振動し、これがワイヤが電極に当接した状
態で行われたときは、スクラブ動作する。
【００４６】図８はＸＹテーブル１の微振動の特性を示
す。このスクラブ動作のとき目標位置指令は、零であ
り、ボール２３の電極パッド８への接合位置の位置ずれ
を防止している。そのうえ、応答周波数の高い速度制御
系内で発振しているので、ＸＹテーブル１は高速で微振
動する。
【００４７】すなわち、従来の位置制御系を用いてのス
クラブ動作に比較して、高速（高周波数）で動作し、ス
クラブ動作が短時間で完了する。そのうえ、高速である
ので、微小な振幅でスクラブ効果があり、接合前のボー
ル２３の変形を最小限に抑えることができ、接続タクト
も短縮できる。
【００４８】このようなスクラブ動作によりボール２３
の底面と電極パッド８とが擦り合わされ、電極パッド８
の接合面の汚れ、酸化膜等が除去される。
【００４９】この後、切替え接続器２２は、スクラブ動
作に必要な所定時間が経過すると、各接続器２２ａ、２
２ｂが第２の増幅器１４側に切り替えられる。
【００５０】次に、キャピラリ５の電極パッド８に押圧
する荷重量が変化され、これと同時に図５(c)に示すよ
うに超音波ホーン３に超音波が印加され、ボール２３と
電極パッド８の接合面との間に合金層を形成してワイヤ
４を電極パッド８の接合面に接続する。
【００５１】この後、図５(d)に示すようにキャピラリ
５がインナーリード９側に移行され、図５(e)に示すよ
うにキャピラリ５を下降させてボール２３をインナーリ
ード９に接触させる。このとき接触検出部２０は、キャ
ピラリ５の先端のワイヤ４がインナーリード９に接触し
たことを検出する。
【００５２】リード側の接続については、スクラブ動作
を要しない場合が多いが、汚れが大きいときなどは、キ
ャピラリ５をスクラブ動作させる。
【００５３】その後、キャピラリ５のインナーリード９
に押圧する荷重量が変化され、これと同時に超音波ホー
ン３に超音波が印加され、ワイヤ４をインナーリード９
に接続する。
【００５４】最後に、図５(f)に示すようにワイヤ４が
切断される。
【００５５】このように上記一実施の形態においては、
キャピラリ５を下降させてボール２３を電極パッド８又
はインナーリード９に接触させたとき、切替え接続器２
２によってサーボ制御系１００の速度制御系に発振部２
１を接続し、サーボ制御系１００を不安定にしてＸＹテ
ーブル１を微振動させてキャピラリ５をスクラブ動作さ
せるので、半導体装置の製造工程において、高速でのス
クラブ動作を実現でき、短時間で接合面の汚れや酸化膜
等を除去でき、半導体装置の製造の歩留まりと生産性を
向上できる。
【００５６】又、スクラブ動作において微振動の振幅と
発振周波数とは、速度制御系中のゲインと位相遅れ補償
要素を挿入する周波数により設定できる。
【００５７】なお、本発明は、上記一実施の形態に限定
されるものでなく次の通りに変形してもよい。
【００５８】例えば、上記一実施の形態では、スクラブ
動作後に、超音波振動を印加して接合しているが、接合
時の状況に応じてスクラブ動作中に超音波振動を印加し
て接合してもよい。
【００５９】又、発振手段としては、位相遅れ補償要素
を用いたが、サーボ制御系１００を不安定にさせる要素
であれば同様な効果を得ることができ、例えばゲインの
増加させたり、クォーツ発振器やノッチフィルタ等を用
いてもよい。又、速度制御フィードバック部への発振部
２１の挿入、又は発振周波数での指令を新規に速度制御
系に入力することでも同様の効果を得ることができる。
【００６０】ＸＹテーブル１の微振動の発振周波数と振
幅とは、指令の周波数と振幅、及びサーボ制御系１００
のゲイン等で可変設定ができる。
【００６１】又、発振部２１は、加速度制御系に挿入す
れば、より高速でのスクラブ動作を実現でき、短時間で
接合面の汚れや酸化膜等を除去できるので、リードの接
合を高速化できる。
【００６２】
【発明の効果】以上詳記したように本発明によれば、高
速でのスクラブ動作を実現でき、短時間で接合できる半
導体装置の製造方法及びその装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係わる半導体装置の製造装置の一実施
の形態を示す構成図。
【図２】本発明に係わる半導体装置の製造装置の一実施
の形態におけるサーボ制御系の開ループの周波数特性を
示す図。
【図３】本発明に係わる半導体装置の製造装置の一実施
の形態におけるサーボ制御系の閉ループの周波数特性を
示す図。
【図４】本発明に係わる半導体装置の製造装置の一実施
の形態における発振部の周波数特性を示す図。
【図５】本発明に係わる半導体装置の製造装置の一実施
の形態におけるワイヤボンディング工程を示す図。
【図６】本発明に係わる半導体装置の製造装置の一実施
の形態におけるスクラブ動作時のサーボ制御系の開ルー
プの周波数特性を示す図。
【図７】本発明に係わる半導体装置の製造装置の一実施
の形態におけるスクラブ動作時のサーボ制御系の閉ルー
プの周波数特性を示す図。
【図８】本発明に係わる半導体装置の製造装置の一実施
の形態におけるＸＹテーブルの微振動の特性を示す図。
【図９】従来のワイヤボンディング装置の概略構成図。
【図１０】同装置に与えられる目標位置指令を示す図。
【符号の説明】
１：ＸＹテーブル、 ２：ヘッド部、 ３：超音波ホーン、 ４：ワイヤ、 ５：キャピラリ、 ６：サーボ制御系、 ７：半導体チップ、 ８：電極パッド、 ９：インナーリード、 １０：テーブル目標位置導出部、 １１：第１の偏差器、 １２：第１の増幅器、 １３：第２の偏差器、 １４：第２の増幅器、 １５：第３の偏差器、 １６：第３の増幅器、 １７：モータ、 １８：位置センサ、 １９：微分回路（ＦＶ回路）、 ２０：接触検出部、 ２１：発振部、 ２２：切替え接続器、 １００：サーボ制御系。

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ワイヤを送るキャピラリを被加工物に対
    して相対的に接離方向に駆動し前記ワイヤに超音波振動
    を付与することによって前記ワイヤを被加工物に対して
    接着する工程を有する半導体装置の製造方法であって、 前記ワイヤを前記被加工物に接触させた状態のとき制御
    手段を前記超音波振動の振動数未満で発振させる工程を
    有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  2. 【請求項２】 前記キャピラリ先端に突出した前記ワイ
    ヤの先端にボールを形成した後、前記キャピラリを下降
    させて前記ボールが接合面に接触すると同時又は前後に
    テーブルを微振動させることを特徴とする請求項１記載
    の半導体装置の製造方法。
  3. 【請求項３】 ワイヤを送るキャピラリと、このキャピ
    ラリを超音波振動て振動させる超音波ホーンと、前記キ
    ャピラリを被加工物に対して相対的に接離方向に駆動す
    る駆動手段とを備え、前記ワイヤを前記超音波ホーンに
    よる超音波振動で振動させて前記被加工物に対して接着
    する半導体装置の製造方法であって、 前記駆動手段を制御する制御手段は、少なくとも前記被
    加工物に並行な方向について、少なくとも前記ワイヤを
    前記被加工物に接触させた状態のとき発振可能に設けら
    れることを特徴とする半導体装置の製造装置。
  4. 【請求項４】 前記キャピラリ先端に突出した前記ワイ
    ヤの先端に形成されたボールが前記接合面に接触したこ
    とを検出する接触検出手段と、 この接触検出手段により前記ボールが前記接合面に接触
    したことが検出されたときに前記発振手段を前記サーボ
    制御系に接続する接続手段と、を備えたことを特徴とす
    る請求項３記載の半導体装置の製造装置。
  5. 【請求項５】 前記発振手段は、位相遅れ補償要素を有
    することを特徴とする請求項３又は４記載の半導体装置
    の製造装置。
  6. 【請求項６】 前記発振手段は、前記サーボ制御系おけ
    る速度制御系又は加速度制御系に接続されることを特徴
    とする請求項３又は４記載の半導体装置の製造装置。
  7. 【請求項７】 ワイヤを挿通させたキャピラリを保持す
    る超音波ホーンを上下方向に移動させるヘッド部をテー
    ブル上に搭載し、前記キャピラリに前記超音波ホーンを
    介して超音波振動を印加して前記ワイヤを半導体チップ
    の電極パッドとリードとの間にワイヤボンディングする
    半導体装置の製造方法において、 前記キャピラリ先端に突出した前記ワイヤの先端にボー
    ルを形成した後、前記キャピラリを下降させて前記ボー
    ルが前記電極パッド又は前記リードに接触すると同時又
    は前後に、前記テーブルを移動制御するサーボ制御系を
    発振させて前記テーブルを微振動させる工程、を有する
    ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  8. 【請求項８】 ワイヤを挿通させたキャピラリを保持す
    る超音波ホーンを上下方向に移動させるヘッド部をテー
    ブル上に搭載し、前記キャピラリに前記超音波ホーンを
    介して超音波振動を印加して前記ワイヤを半導体チップ
    の電極パッドとリードとの間にワイヤボンディングする
    半導体装置の製造装置において、 前記テーブルを移動制御するサーボ制御系と、 前記キャピラリ先端に突出した前記ワイヤの先端に形成
    されたボールが前記電極パッド又は前記リードに接触し
    たことを検出する接触検出手段と、 前記サーボ制御系を発振させて前記テーブルを微振動さ
    せる発振手段と、 前記接触検出手段により前記ボールが前記電極パッド又
    は前記リードに接触したことが検出されたときに前記発
    振手段を前記サーボ制御系に接続する接続手段と、を具
    備したことを特徴とする半導体装置の製造装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009004672A (ja) * 2007-06-25 2009-01-08 Denso Corp ワイヤボンディング方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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