JP2001083346A - Electric/optic mixed loading wiring board, electricity- light mixed loading module and method for its production - Google Patents

Electric/optic mixed loading wiring board, electricity- light mixed loading module and method for its production

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JP2001083346A
JP2001083346A JP25746299A JP25746299A JP2001083346A JP 2001083346 A JP2001083346 A JP 2001083346A JP 25746299 A JP25746299 A JP 25746299A JP 25746299 A JP25746299 A JP 25746299A JP 2001083346 A JP2001083346 A JP 2001083346A
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JP
Japan
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optical waveguide
layer
optical
conductor
mask
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JP25746299A
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Japanese (ja)
Inventor
Hideyuki Takahara
秀行 高原
Nobutake Koshobu
信建 小勝負
Hideki Tsunetsugu
秀起 恒次
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Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To promote the confinement of a light signal in a core layer of an optical waveguide and to suppress light propagation loss. SOLUTION: The electric/optic mixed loading wiring board 10 has a groove 13 with a side wall 13c perpendicular to a light propagation direction in front of an end of the optical waveguide 14, a 1st conductor 13a parallel to the waveguide 14 on the bottom of the groove 13, a solder layer 13b parallel to the conductor 13a on the conductor 13a and columnar conductors 18 which connect the conductor 13a to a substrate 11. High density electric wiring is attained by using the wiring board 10 obtained by laminating and integrating copper-polyimide multiplayer wiring 11a and the polymeric optical waveguide 14. Since it is made unnecessary to reduce the thickness of a lower clad 17 of the optical waveguide by disposing the 1st conductor 13a in the clad 17, the confinement of the light signal in the core 16 of the optical waveguide is promoted and the light propagation loss is suppressed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、光通信装置等に用
いる電気光混載配線板及び電気光混載モジュール並びに
その製造方法に関し、より詳細には、光導波路と端面型
光素子とを光結合してなる電気光混載配線板及び電気光
混載モジュール並びにその製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electro-optical hybrid wiring board, an electro-optical hybrid module, and a method of manufacturing the same for use in an optical communication device and the like, and more particularly, to optically coupling an optical waveguide with an end face optical element. The present invention relates to an electro-optical hybrid wiring board, an electro-optical hybrid module, and a method of manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】図6は、端面型光素子として一般的な発
光素子を対象にした従来の電気光混載モジュールの断面
図である。
2. Description of the Related Art FIG. 6 is a cross-sectional view of a conventional electro-optical hybrid module for a general light emitting element as an end face type optical element.

【0003】図中符号、40は電気光混載配線板で、こ
の電気光混載配線板40は、多層セラミック基板41
と、銅ポリイミド多層配線41aと、ポリマ光導波路4
4とから構成されている。銅ポリイミド多層配線41a
には、ヴィア41bが収納されている。また、ポリマ光
導波路44は、上部光導波路クラッド45、光導波路コ
ア46、下部光導波路クラッド47で構成されている。
In the figure, reference numeral 40 denotes an electric / light mixed wiring board, and this electric / light mixed wiring board 40 is a multilayer ceramic substrate 41.
, Copper-polyimide multilayer wiring 41a, and polymer optical waveguide 4
And 4. Copper polyimide multilayer wiring 41a
Accommodates a via 41b. Further, the polymer optical waveguide 44 includes an upper optical waveguide clad 45, an optical waveguide core 46, and a lower optical waveguide clad 47.

【0004】符号43は、銅ポリイミド多層配線41a
上に設けられた溝で、溝43底面上には、第1の導体4
3aとはんだ層43bが積層されていて、はんだ層43
b上には、溝43の側壁43cに接するように、かつ活
性層42aの中心が光導波路コア46の中心と一致する
ように端面型光素子42が搭載されている。
Reference numeral 43 denotes a copper-polyimide multilayer wiring 41a.
The first conductor 4
3a and the solder layer 43b are laminated, and the solder layer 43
The end-face type optical element 42 is mounted on “b” so as to be in contact with the side wall 43 c of the groove 43 and so that the center of the active layer 42 a coincides with the center of the optical waveguide core 46.

【0005】本実施例の電気光混載モジュールを実現す
る場合、銅ポリイミド多層配線41a上に、例えば、4
00℃以下の熱処理により、フッ素化ポリイミドからな
る下部光導波路クラッド層および光導波路コア層(光導
波路コアとクラッド間の屈折率差は、例えば0.3%で
ある)を形成した後に、光導波路コア層の上面に光導波
路コア形成用のエッチングマスク(図示していない)を
形成し、光導波路コアの上面から反応性イオンエッチン
グを行って光導波路コア46を形成し、さらに、同様に
して、400℃以下の温度で上部光導波路クラッド層を
形成する。
When the electro-optical hybrid module of the present embodiment is realized, for example, 4
After forming a lower optical waveguide cladding layer and an optical waveguide core layer (a difference in refractive index between the optical waveguide core and the cladding is, for example, 0.3%) made of fluorinated polyimide by a heat treatment of 00 ° C. or less, the optical waveguide is formed. An etching mask (not shown) for forming an optical waveguide core is formed on the upper surface of the core layer, and reactive ion etching is performed from the upper surface of the optical waveguide core to form an optical waveguide core 46. An upper optical waveguide cladding layer is formed at a temperature of 400 ° C. or less.

【0006】その後に、上部光導波路クラッド層の上面
に溝形成用のエッチングマスク(図示していない)を形
成して、上部光導波路クラッド層の上面から反応性イオ
ンエッチングを行い、溝43の底面を形成する。溝43
の底面上には、第1の導体43a(例えば、Au/Ni
/Cu)を形成する。さらに、第1の導体43a上に薄
膜はんだ層43b(例えば、Au/Sn共晶はんだ)を
形成した後に、図示していない位置合わせ装置を用い
て、溝43の底面と平行な面内における端面型光素子4
2の光軸と光導波路44の光軸を一致させ、端面型光素
子42の底面をはんだ層43bに接触させ、はんだ層4
3bを加熱・溶融することにより固定させて、電気光混
載モジュールを完成させる。この点については、例えば
「H.Takahara et al.,"Optical waveguide interconnec
tions for opto-electronic multichip modules,"SPIE
Optoelectronic Interconnecs,Vol.1849,pp.70-78,199
3」に記載されている。
Thereafter, an etching mask (not shown) for forming a groove is formed on the upper surface of the upper optical waveguide cladding layer, and reactive ion etching is performed from the upper surface of the upper optical waveguide cladding layer. To form Groove 43
A first conductor 43a (for example, Au / Ni)
/ Cu). Further, after a thin-film solder layer 43b (for example, Au / Sn eutectic solder) is formed on the first conductor 43a, an end surface in a plane parallel to the bottom surface of the groove 43 is formed using a positioning device (not shown). Type optical element 4
2 and the optical axis of the optical waveguide 44, and the bottom surface of the end surface type optical element 42 is brought into contact with the solder layer 43b.
3b is fixed by heating and melting to complete the electro-optical hybrid module. Regarding this point, for example, “H. Takahara et al.,” Optical waveguide interconnec
tions for opto-electronic multichip modules, "SPIE
Optoelectronic Interconnecs, Vol.1849, pp.70-78,199
3 ".

【0007】この方法では、高密度電気配線である銅ポ
リイミド多層配線に光導波路を積層一体化するため、電
気光混載配線板上で多数のLSIや光素子と電気的ある
いは光学的に接続することができるといった利点があ
る。
In this method, an optical waveguide is laminated and integrated on a copper-polyimide multilayer wiring, which is a high-density electrical wiring, so that a large number of LSIs and optical elements are electrically or optically connected on an electro-optical hybrid wiring board. There is an advantage that can be.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図6に
示したような従来の電気光混載モジュールでは、端面型
光素子42の活性層42aの中心と光導波路コア46の
光軸中心との位置あわせにおいて、銅ポリイミド多層配
線41aの上面を高さ方向の基準とすると、下部光導波
路クラッド47の厚さを調整する必要があり、特に光素
子をフェイスダウンで搭載する場合には、下部光導波路
クラッド層の厚を薄くするために光信号が光導波路コア
46内で閉じ込めきれず、銅ポリイミド多層配線41a
内に漏れ出すために、光伝搬損失が大きくなるといった
問題がある。
However, in the conventional electro-optical hybrid module as shown in FIG. 6, the center of the active layer 42a of the end face type optical element 42 and the center of the optical axis of the optical waveguide core 46 are aligned. In the case where the upper surface of the copper-polyimide multilayer wiring 41a is used as a reference in the height direction, it is necessary to adjust the thickness of the lower optical waveguide clad 47. In particular, when the optical element is mounted face-down, the lower optical waveguide clad 47 is required. The optical signal cannot be confined in the optical waveguide core 46 because the thickness of the layer is reduced, and the copper polyimide multilayer wiring 41a
There is a problem that the light propagation loss increases due to leakage into the inside.

【0009】また、光導波路44を高精度に制御しなが
ら反応性イオンエッチングして溝43を形成する場合、
所望の深さ以上に光導波路44をオーバーエッチングさ
れると、銅ポリイミド多層配線41a上の電気配線や導
体パッド、あるいは銅ポリイミド多層配線41a内が侵
食される可能性もある。さらに、端面型光素子42は熱
伝導性の劣る銅ポリイミド多層配線41a上に搭載され
るため、放熱性が悪く光信号特性を劣化させるといった
問題がある。
In the case where the groove 43 is formed by reactive ion etching while controlling the optical waveguide 44 with high precision,
If the optical waveguide 44 is over-etched to a desired depth or more, there is a possibility that electric wiring and conductive pads on the copper polyimide multilayer wiring 41a or the inside of the copper polyimide multilayer wiring 41a is eroded. Further, since the end facet type optical element 42 is mounted on the copper polyimide multilayer wiring 41a having poor thermal conductivity, there is a problem that heat dissipation is poor and optical signal characteristics are deteriorated.

【0010】本発明は、このような問題に鑑みてなされ
たもので、その目的とするところは、光導波路コア層内
の光信号閉じ込めを強化し、光伝搬損失を抑制すること
のでできる電気光混載配線板及び電気光混載モジュール
並びにその製造方法を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and has as its object to enhance the confinement of an optical signal in an optical waveguide core layer and to suppress the electric propagation loss of an optical signal. An object of the present invention is to provide an embedded wiring board, an electro-optical hybrid module, and a method of manufacturing the same.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明は、このような課
題を達成するために、本発明の電気光混載配線板は、基
板上に積層された電気配線層上に、光導波路コアを挟ん
で、該光導波路コアよりも屈折率の低い上部光導波路ク
ラッドと下部光導波路クラッドを設けた光導波路を積層
してなる電気光混載配線板において、前記光導波路の端
部前方に光伝搬方向に対して垂直な側壁を有する溝と、
該溝の底面で、かつ前記光導波路に平行に形成された第
1の導体と、該第1の導体上で、かつ該第1の導体に平
行に形成されたはんだ層と、前記第1の導体と前記基板
とを接続する柱状導体とを備えたことを特徴とするもの
である。
According to the present invention, in order to achieve the above object, an electro-optical hybrid wiring board according to the present invention has an optical waveguide core sandwiched on an electric wiring layer laminated on a substrate. In an electro-optical hybrid wiring board obtained by laminating an optical waveguide provided with an upper optical waveguide clad and a lower optical waveguide clad having a lower refractive index than the optical waveguide core, in the light propagation direction in front of the end of the optical waveguide. A groove having a side wall perpendicular to the groove,
A first conductor formed on the bottom surface of the groove and parallel to the optical waveguide; a solder layer formed on the first conductor and parallel to the first conductor; And a columnar conductor connecting the conductor and the substrate.

【0012】また、本発明の電気光混載モジュールは、
基板上に積層された電気配線層上に、光導波路コアを挟
んで、該光導波路コアよりも屈折率の低い上部光導波路
クラッドと下部光導波路クラッドを設けた光導波路を積
層してなる電気光混載配線板と、前記光導波路と光結合
する端面型光素子とを備えた電気光混載モジュールにお
いて、前記電気光混載配線板は、前記光導波路の端部前
方に光伝搬方向に対して垂直な側壁を有する溝と、該溝
の底面で、かつ前記光導波路に平行に形成された第1の
導体と、該第1の導体上で、かつ該第1の導体に平行に
形成されたはんだ層とを備え、前記はんだ層の表面から
前記光導波路コアの光軸までの距離が、該はんだ層に搭
載される前記端面型光素子の底面から該端面型光素子の
活性層の中心までの距離と等しく設定されており、前記
端面型光素子は、該活性層の中心を通る光軸が前記光導
波路コアの光軸と一致する位置で前記電気光混載配線板
上の前記はんだ層に固定されていることを特徴とするも
のである。
Further, the electro-optical hybrid module according to the present invention comprises:
An electric light formed by laminating an optical waveguide provided with an upper optical waveguide clad and a lower optical waveguide clad having a lower refractive index than the optical waveguide core, with an optical waveguide core interposed therebetween, on an electric wiring layer laminated on the substrate. In the electro-optical hybrid module including the mixed wiring board and an end face optical element optically coupled to the optical waveguide, the electro-optical hybrid wiring board is perpendicular to a light propagation direction in front of an end of the optical waveguide. A groove having a side wall, a first conductor formed on the bottom surface of the groove and parallel to the optical waveguide, and a solder layer formed on the first conductor and parallel to the first conductor Wherein the distance from the surface of the solder layer to the optical axis of the optical waveguide core is the distance from the bottom surface of the edge-type optical element mounted on the solder layer to the center of the active layer of the edge-type optical element. Is set equal to, the end face type optical element, It is characterized in that the optical axis passing through the center of the active layer is fixed to the solder layer on the electro-optical hybrid circuit board in a position which is coincident with the optical axis of the optical waveguide core.

【0013】さらに、本発明の電気光混載モジュール
は、前記第1の導体は、前記基板と柱状導体により接続
されていることを特徴とするものである。
Further, in the electro-optical hybrid module according to the present invention, the first conductor is connected to the substrate by a columnar conductor.

【0014】つまり、電気光混載配線板の電気光混載配
線層内に、光導波路面に平行に第1の導体を形成して予
め溝の底面となる部分を内蔵することとし、しかも、第
1の導体上に形成するはんだ層の表面から光導波路コア
の光軸までの距離が、はんだ層に搭載される端面型光素
子面から該端面型光素子の活性層の中心までの距離と等
しくなるように設定して、端面型光素子は溝の底面のは
んだ面に固定するだけで、高さ方向の活性層の中心を通
る光軸が該光導波路コアの光軸と一致するように構成し
たものである。しかも、第1の導体の裏面と多層セラミ
ック基板を柱状導体で接続し、溝の底面に搭載した端面
型光素子の放熱特性を向上させるようにしたものであ
る。
That is, the first conductor is formed in the electric / light mixed wiring layer of the electric / light mixed wiring board in parallel with the optical waveguide surface, and a portion to be the bottom surface of the groove is built in advance. The distance from the surface of the solder layer formed on the conductor to the optical axis of the optical waveguide core is equal to the distance from the end face optical element surface mounted on the solder layer to the center of the active layer of the end face optical element. By setting as above, the end-face type optical element was configured such that the optical axis passing through the center of the active layer in the height direction coincided with the optical axis of the optical waveguide core only by fixing to the solder surface at the bottom of the groove. Things. In addition, the back surface of the first conductor and the multilayer ceramic substrate are connected by a columnar conductor to improve the heat radiation characteristics of the end face optical element mounted on the bottom of the groove.

【0015】また、本発明の電気光混載配線板の製造方
法は、基板上に積層された電気配線層上に、光導波路コ
アを挟んで、該光導波路コアよりも屈折率の低い上部光
導波路クラッドと下部光導波路クラッドを設けた光導波
路を積層する電気光混載配線板の製造方法において、前
記基板上に、下部光導波路クラッドを構成するポリマか
らなる下部光導波路クラッド層と、前記光導波路コアを
構成するポリマからなる光導波路コア層と、前記上部光
導波路クラッドを構成するポリマからなる上部光導波路
クラッド層とを前記電気配線層の上面に平行に積層して
光導波路層を形成する工程と、該電気配線層と該光導波
路層を積層した電気光混載配線層内に、金属からなる第
1の導体を前記光導波路層に平行に形成し、さらに該第
1の導体と同一寸法以上で平行に、該第1の導体と異な
る材料でかつ前記光導波路層の材料に比べて反応性イオ
ンエッチング速度の小さい第1のマスクを形成する工程
と、前記光導波路コア層の上面であって、前記光導波路
の材料に比べて反応性イオンエッチング速度の小さい第
2のマスクを形成し、前記光導波路コア層の上面に対し
て垂直に反応性イオンエッチングを行い、前記第2のマ
スクを除去して前記光導波路コアを形成する工程と、該
光導波路コアに前記上部光導波路クラッド層を積層し、
さらに該上部光導波路クラッド層上面に、前記第1のマ
スクの反転パターンを有し、かつ前記光導波路の材料に
比べて反応性イオンエッチング速度の小さい第3のマス
クを、前記第1のマスクと平行に形成する工程と、前記
上部光導波路クラッド層に対して垂直に反応性イオンエ
ッチングを行い、前記第3のマスクが形成されていない
該上部光導波路クラッド層、およびこれを投影する前記
光導波路コアと前記下部光導波路クラッド層とをエッチ
ングして溝を形成し、前記第3のマスクを除去する工程
と、前記第1のマスクを除去する工程と、前記溝の底面
で、かつ前記第1の導体上に該第1の導体と平行に前記
はんだ層を形成する工程とを有することを特徴とするも
のである。
Further, according to the method of manufacturing an electric / optical hybrid wiring board of the present invention, an upper optical waveguide having a lower refractive index than the optical waveguide core is provided on an electric wiring layer laminated on the substrate with the optical waveguide core interposed therebetween. In a method of manufacturing an electro-optical hybrid wiring board in which an optical waveguide provided with a clad and a lower optical waveguide clad is laminated, a lower optical waveguide clad layer made of a polymer constituting the lower optical waveguide clad is provided on the substrate; Forming an optical waveguide layer by laminating an optical waveguide core layer made of a polymer constituting the above, and an upper optical waveguide cladding layer made of a polymer constituting the upper optical waveguide clad in parallel with the upper surface of the electric wiring layer. Forming a first conductor made of metal in parallel with the optical waveguide layer in an electric / light mixed wiring layer in which the electric wiring layer and the optical waveguide layer are laminated, and further having the same dimension as the first conductor; In parallel, a step of forming a first mask made of a material different from that of the first conductor and having a lower reactive ion etching rate than the material of the optical waveguide layer, and an upper surface of the optical waveguide core layer. Forming a second mask having a reactive ion etching rate smaller than that of the material of the optical waveguide, performing reactive ion etching perpendicular to the upper surface of the optical waveguide core layer, and setting the second mask Removing and forming the optical waveguide core, laminating the upper optical waveguide cladding layer on the optical waveguide core,
Further, a third mask having an inverted pattern of the first mask on the upper surface of the upper optical waveguide cladding layer and having a lower reactive ion etching rate than the material of the optical waveguide is referred to as the first mask. Forming the upper optical waveguide clad layer in parallel with the upper optical waveguide clad layer, and performing the reactive ion etching on the upper optical waveguide clad layer perpendicularly to the upper optical waveguide clad layer, and the optical waveguide for projecting the upper mask. Etching a core and the lower optical waveguide cladding layer to form a groove, removing the third mask, removing the first mask, and removing the first mask from the bottom surface of the groove; Forming the solder layer on the conductor in parallel with the first conductor.

【0016】また、本発明の電気光混載モジュールの製
造方法は、基板上に積層された電気配線層上に、光導波
路コアを挟んで、該光導波路コアよりも屈折率の低い上
部光導波路クラッドと下部光導波路クラッドを設けた光
導波路を積層して電気光混載配線板を形成し、該電気光
混載配線板に、前記光導波路と光結合する端面型光素子
を搭載してなる電気光混載モジュールの製造方法におい
て、前記基板上に、下部光導波路クラッドを構成するポ
リマからなる下部光導波路クラッド層と、前記光導波路
コアを構成するポリマからなる光導波路コア層と、前記
上部光導波路クラッドを構成するポリマからなる上部光
導波路クラッド層とを前記電気配線層の上面に平行に積
層して光導波路層を形成する工程と、該電気配線層と該
光導波路層を積層した電気光混載配線層内に、金属から
なる第1の導体を前記光導波路層に平行に形成し、さら
に該第1の導体と同一寸法以上で平行に、該第1の導体
と異なる材料でかつ前記光導波路層の材料に比べて反応
性イオンエッチング速度の小さい第1のマスクを形成す
る工程とを含み、しかも、前記光導波路コア層の光軸中
心と前記第1の導体に形成するはんだ層の表面との間の
距離が、該はんだ層に搭載する前記端面型光素子の底面
から該端面型光素子の活性層の中心までの距離と等しく
なるように前記光導波路層および前記第1の導体を形成
する工程と、前記光導波路コア層の上面であって、前記
光導波路の材料に比べて反応性イオンエッチング速度の
小さい第2のマスクを形成し、前記光導波路コア層の上
面に対して垂直に反応性イオンエッチングを行い、前記
第2のマスクを除去して前記光導波路コアを形成する工
程と、該光導波路コアに前記上部光導波路クラッド層を
積層し、さらに該上部光導波路クラッド層上面に、前記
第1のマスクの反転パターンを有し、かつ前記光導波路
の材料に比べて反応性イオンエッチング速度の小さい第
3のマスクを、前記第1のマスクと平行に形成する工程
と、前記上部光導波路クラッド層に対して垂直に反応性
イオンエッチングを行い、前記第3のマスクが形成され
ていない該上部光導波路クラッド層、およびこれを投影
する前記光導波路コアと前記下部光導波路クラッド層と
をエッチングして溝を形成し、前記第3のマスクを除去
する工程と、前記第1のマスクを除去する工程と、前記
溝の底面で、かつ前記第1の導体上に該第1の導体と平
行に前記はんだ層を形成する工程と、前記光導波路と光
結合する端面型光素子を搭載する工程とを有することを
特徴とするものである。
Further, according to the method of manufacturing an electro-optical hybrid module of the present invention, an upper optical waveguide clad having a lower refractive index than the optical waveguide core is provided on an electric wiring layer laminated on a substrate with the optical waveguide core interposed therebetween. And an optical waveguide provided with a lower optical waveguide clad are laminated to form an electro-optical hybrid wiring board, and an electro-optical hybrid mounting the end face type optical element optically coupled to the optical waveguide on the electro-optical hybrid wiring board. In the method for manufacturing a module, a lower optical waveguide clad layer made of a polymer constituting a lower optical waveguide clad, an optical waveguide core layer made of a polymer constituting the optical waveguide core, and the upper optical waveguide clad are formed on the substrate. Forming an optical waveguide layer by laminating an upper optical waveguide cladding layer made of a constituent polymer in parallel with the upper surface of the electric wiring layer, and laminating the electric wiring layer and the optical waveguide layer A first conductor made of metal is formed in the electric / light mixed wiring layer in parallel with the optical waveguide layer, and is made of a material different from the first conductor in a size equal to or more than the same dimension as the first conductor. Forming a first mask having a lower reactive ion etching rate than the material of the optical waveguide layer, and further comprising forming a solder on the optical axis center of the optical waveguide core layer and the first conductor. The optical waveguide layer and the first layer so that a distance between the surface of the layer and the center of the active layer of the end surface type optical element is equal to a distance from a bottom surface of the end surface type optical element mounted on the solder layer. Forming a conductor, and forming a second mask on the upper surface of the optical waveguide core layer, the reactive ion etching rate being smaller than the material of the optical waveguide, and forming the second mask on the upper surface of the optical waveguide core layer. Perpendicular to the reactive ion Forming the optical waveguide core by removing the second mask, laminating the upper optical waveguide clad layer on the optical waveguide core, and further forming the second optical mask on the upper surface of the upper optical waveguide clad layer. Forming a third mask having a reverse pattern of the first mask and having a lower reactive ion etching rate than the material of the optical waveguide in parallel with the first mask; Performing reactive ion etching perpendicular to the layer to etch the upper optical waveguide cladding layer where the third mask is not formed, and the optical waveguide core and the lower optical waveguide cladding layer that project the upper optical waveguide cladding layer. Forming a groove in the groove, removing the third mask, removing the first mask, and flattening the first conductor on the bottom surface of the groove and on the first conductor. Forming a solder layer in a row; and mounting an end face type optical element optically coupled to the optical waveguide.

【0017】さらに、本発明の電気光混載モジュールの
製造方法は、前記端面型光素子の活性層側の側面を前記
光導波路の端部側にある前記溝の側壁に平行に接触さ
せ、しかも該溝の底面に平行な面に投影した前記光導波
路の光軸と前記端面型光素子の活性層の中心を通る光軸
を一致させ、前記端面型光素子の底面を前記はんだ層の
表面に平行に接触させて該はんだ層と前記端面型光素子
を加熱し、前記はんだ層を溶融することにより前記電気
光混載配線板に前記端面型光素子を固定することを特徴
とするものである。
Further, in the method for manufacturing an electro-optical hybrid module according to the present invention, the side surface on the active layer side of the end surface type optical element is brought into parallel contact with the side wall of the groove on the end side of the optical waveguide. The optical axis of the optical waveguide projected on a plane parallel to the bottom surface of the groove coincides with the optical axis passing through the center of the active layer of the edge type optical element, and the bottom surface of the edge type optical element is parallel to the surface of the solder layer. And heating the solder layer and the end-face type optical element and melting the solder layer to fix the end-face type optical element to the electro-optical hybrid wiring board.

【0018】このように、本発明による電気光混載配線
板及び電気光混載モジュール並びにその製造方法によれ
ば、下部光導波路クラッド内に第1の導体を設けること
によりクラッド厚を薄くする必要がなくなり、光導波路
コア内の光信号閉じこめが強くなるので、光伝搬損失を
抑制することができる。また、端面型光素子を搭載する
溝の底面となる第1の導体上に、エッチングストップ層
となる第1のマスク(ポリマ光導波路材料よりも反応性
イオンエッチングに対するエッチング速度の小さい材料
からなる)を形成するために、溝のエッチング深さを高
精度に制御できることに加えて、オーバーエッチングの
問題が解決できる。従って、端面型光素子の底面を溝の
底面上に形成したはんだ層に接触させるだけで、高さ方
向の光軸位置合わせが容易に行える光結合構造が実現で
きる。さらに、溝の底面上に形成した第1の導体の裏面
と多層セラミック基板が柱状導体により接続されている
ので、溝の底面と多層セラミック基板の間の層の熱抵抗
が低減し、搭載した端面型光素子の放熱特性を向上させ
ることができる。
As described above, according to the electro-optical hybrid wiring board, the electro-optical hybrid module and the method of manufacturing the same according to the present invention, it is not necessary to reduce the clad thickness by providing the first conductor in the lower optical waveguide clad. Since the optical signal confinement in the optical waveguide core becomes strong, the light propagation loss can be suppressed. In addition, a first mask serving as an etching stop layer (made of a material having a lower etching rate for reactive ion etching than a polymer optical waveguide material) is provided on a first conductor serving as a bottom surface of a groove for mounting an end face type optical element. In addition to controlling the etching depth of the groove with high accuracy, the problem of over-etching can be solved. Therefore, it is possible to realize an optical coupling structure in which the alignment of the optical axis in the height direction can be easily performed only by bringing the bottom surface of the end face type optical element into contact with the solder layer formed on the bottom surface of the groove. Furthermore, since the back surface of the first conductor formed on the bottom surface of the groove and the multilayer ceramic substrate are connected by the columnar conductor, the thermal resistance of the layer between the bottom surface of the groove and the multilayer ceramic substrate is reduced, and the mounted end surface is reduced. The heat radiation characteristics of the optical device can be improved.

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施例について説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0020】図1は、本発明の電気光混載モジュールの
一実施例を示す断面図で、図中符号10は、電気光混載
配線板で、この電気光混載配線板10は、多層セラミッ
ク基板41と、銅ポリイミド多層配線11aと、ポリマ
光導波路14とから構成されている。銅ポリイミド多層
配線11aには、ヴィア11bが収納されている。ま
た、ポリマ光導波路14は、上部光導波路クラッド1
5、光導波路コア16、下部光導波路クラッド17で構
成されている。
FIG. 1 is a cross-sectional view showing an embodiment of an electro-optical hybrid module according to the present invention. In the drawing, reference numeral 10 denotes an electro-optical hybrid wiring board. , A copper-polyimide multilayer wiring 11 a, and a polymer optical waveguide 14. Vias 11b are housed in the copper-polyimide multilayer wiring 11a. Further, the polymer optical waveguide 14 is formed of the upper optical waveguide clad 1.
5, an optical waveguide core 16 and a lower optical waveguide clad 17.

【0021】符号13は、銅ポリイミド多層配線11a
上に設けられた溝で、溝13底面上には、第1の導体1
3aとはんだ層13bが積層されていて、はんだ層13
b上には、溝13の側壁13cに接するように、かつ活
性層12aの中心が光導波路コア16の中心と一致する
ように端面型光素子12が搭載されている。
Reference numeral 13 denotes a copper-polyimide multilayer wiring 11a.
The first conductor 1
3a and the solder layer 13b are laminated, and the solder layer 13
The end-face type optical element 12 is mounted on “b” so as to be in contact with the side wall 13 c of the groove 13 and to make the center of the active layer 12 a coincide with the center of the optical waveguide core 16.

【0022】つまり、電気光混載配線板10は、光導波
路14の端部前方に光伝搬方向に対して垂直な側壁13
cを有する溝13が形成され、しかも、溝13の底面
は、光導波路14に平行に第1の導体13aが形成さ
れ、かつ、第1の導体上13aには、第1の導体13a
に平行にはんだ層13bが形成され、さらに、図2に示
したように、はんだ層13bの表面から光導波路コア1
6の光軸Mまでの距離Aが、はんだ層13bに搭載され
る端面型光素子12の底面から端面型光素子12の活性
層12aの中心Nまでの距離Bと等しく設定されるよう
に構成されている。
That is, the electro-optical hybrid wiring board 10 is provided on the side wall 13 perpendicular to the light propagation direction in front of the end of the optical waveguide 14.
The first conductor 13a is formed on the bottom surface of the groove 13 in parallel with the optical waveguide 14, and the first conductor 13a is formed on the first conductor 13a.
A solder layer 13b is formed in parallel with the optical waveguide core 1 from the surface of the solder layer 13b as shown in FIG.
6, so that the distance A from the bottom surface of the edge type optical element 12 mounted on the solder layer 13b to the center N of the active layer 12a of the edge type optical element 12 is set to be equal to the distance B to the optical axis M. Have been.

【0023】また、端面型光素子12は、活性層12a
の中心を通る光軸が光導波路コア16の光軸と一致する
位置で電気光混載配線板10上のはんだ層13bに固定
されている。さらに、第1の導体13aは、基板11と
柱状導体18により接続されている。
The end facet type optical element 12 includes an active layer 12a.
Are fixed to the solder layer 13b on the electro-optical hybrid wiring board 10 at a position where the optical axis passing through the center of the optical waveguide coincides with the optical axis of the optical waveguide core 16. Further, the first conductor 13a is connected to the substrate 11 by a columnar conductor 18.

【0024】端面型光素子12には、例えば、厚さ90
μmで活性層12aの中心が表面から5μmの位置にあ
る5chレーザアレイ(ch間ピッチは、例えば250
μm)を用い、同じch間ピッチで光導波路コア16を
アレイ状に整列したポリマ光導波路14は、銅ポリイミ
ド多層配線11aとの親和性が高く光透過率の高いポリ
マ(例えば、フッ素化ポリイミド)で構成し、光導波路
コア16は、例えば、厚さ、幅とも8μm、上部および
下部の光導波路クラッド15、17は、例えば、厚さ2
0μmである。第1の導体13a(例えば、Au/Ni
/Cu)上に形成された、例えば、厚さ5μmのはんだ
層13b(例えば、Au/Sn共晶はんだ)の上面は、
銅ポリイミド多層配線11aの上面から19μmのとこ
ろに、光導波路14面に平行に設定する。
The end surface type optical element 12 has, for example, a thickness of 90
5 μm laser array in which the center of the active layer 12a is 5 μm from the surface in μm
μm), and the polymer optical waveguides 14 in which the optical waveguide cores 16 are arranged in an array at the same pitch between channels are a polymer having a high affinity for the copper-polyimide multilayer wiring 11a and a high light transmittance (for example, fluorinated polyimide). The optical waveguide core 16 has a thickness and a width of 8 μm, for example. The upper and lower optical waveguide clads 15 and 17 have a thickness of 2 μm, for example.
0 μm. The first conductor 13a (for example, Au / Ni
/ Cu), the upper surface of a solder layer 13b (for example, Au / Sn eutectic solder) having a thickness of 5 μm, for example,
It is set parallel to the surface of the optical waveguide 14 at a position of 19 μm from the upper surface of the copper polyimide multilayer wiring 11a.

【0025】また、溝13側にあるアレイ状に配列した
光導波路コア16の端部を銅ポリイミド多層配線11a
の上面と平行に結ぶ線は、溝13の側壁13c に平行
であり、かつ溝13の側壁13cは、はんだ層13bの
上面に垂直である。
The ends of the optical waveguide cores 16 arranged in an array on the groove 13 side are connected to the copper-polyimide multilayer wiring 11a.
Is parallel to the side wall 13c of the groove 13, and the side wall 13c of the groove 13 is perpendicular to the upper surface of the solder layer 13b.

【0026】ここで、端面型光素子12の活性層12a
側の側面は、溝13の側壁13cに対して平行にしてあ
り、さらに、第1の導体13aの裏面は、例えば、銅か
らなる直径100μmの柱状導体18により多層セラミ
ック基板11と接続されている。なお、アレイ状に配列
した光導波路コア16間の端部を銅ポリイミド多層配線
11aの上面と平行に結ぶ線は、溝13の側壁13cと
必ずしも同一平面内になくても良い。
Here, the active layer 12a of the edge type optical element 12
The side surface is parallel to the side wall 13c of the groove 13, and the back surface of the first conductor 13a is connected to the multilayer ceramic substrate 11 by, for example, a columnar conductor 18 made of copper and having a diameter of 100 μm. . The line connecting the end between the optical waveguide cores 16 arranged in an array in parallel with the upper surface of the copper-polyimide multilayer wiring 11a does not necessarily have to be on the same plane as the side wall 13c of the groove 13.

【0027】また、アレイ状に配列した光導波路コア1
6間の端部を結ぶ面は、溝13の側壁13c と平行で
なくても良く、特にアレイ状に配列した光導波路コア1
6の端部と端面型光素子12の活性層12a側の側面と
の間で共振を発生させないためには、アレイ状に配列し
た光導波路コア16間の端部を結ぶ面が、溝の側壁13
cに対してわずかに(例えば、8°〜9°)傾いている
と良い。
The optical waveguide cores 1 arranged in an array
6 may not be parallel to the side wall 13c of the groove 13, and in particular, the optical waveguide cores 1 may be arranged in an array.
In order not to cause resonance between the end of the optical waveguide core 6 and the side surface on the active layer 12a side of the end surface type optical element 12, the surface connecting the ends between the optical waveguide cores 16 arranged in an array is formed by the side wall of the groove. 13
It is good to be slightly inclined (for example, 8 ° to 9 °) with respect to c.

【0028】端面型光素子12の底面と活性層12aの
中心との間の距離(=5μm)がはんだ層13bの上面
とポリマ光導波路コア16の中心までの距離と等しいこ
とから、端面型光素子12の底面をはんだ層13bの上
面に接触させるだけで、高さ方向のポリマ光導波路14
の光軸と端面型光素子12の光軸を一致させることがで
きる。
Since the distance (= 5 μm) between the bottom surface of the edge-type optical element 12 and the center of the active layer 12a is equal to the distance between the upper surface of the solder layer 13b and the center of the polymer optical waveguide core 16, the edge-type light source is used. By simply bringing the bottom surface of the element 12 into contact with the upper surface of the solder layer 13b, the polymer optical waveguide 14
And the optical axis of the end surface type optical element 12 can be matched.

【0029】また、溝13の底面上に形成した第1の導
体13aと多層セラミック基板11を柱状導体18で接
続することにより、溝13の底面と多層セラミック基板
11との間の層の熱抵抗を2/3以下に低減できるた
め、はんだ層13bに固定した端面型光素子12の放熱
特性を向上させることができる。
Further, by connecting the first conductor 13a formed on the bottom surface of the groove 13 and the multilayer ceramic substrate 11 by the columnar conductor 18, the thermal resistance of the layer between the bottom surface of the groove 13 and the multilayer ceramic substrate 11 is increased. Can be reduced to 2/3 or less, so that the heat radiation characteristics of the end surface type optical element 12 fixed to the solder layer 13b can be improved.

【0030】なお、本実施例では端面型光素子12とし
てフェイスダウン実装した発光素子の場合について述べ
たが、フェイスアップ実装した場合はもちろんのこと、
発光素子以外に導波路型受光素子や光スイッチ等の光I
Cでも良い。また、光導波路層を積層する基板として、
銅ポリイミド多層配線板の例について述べたが、多層あ
るいは単層のセラミック配線板やSi基板、さらに、は
んだ耐熱性のあるプリント板であってもよい。また、光
導波路材料はフッ素化ポリイミドの他に、エポキシ系樹
脂やシリコーン系樹脂であっても良い。また、はんだ材
料もAu/Snに限らずSn/Pb、導電性接着剤等で
あっても良い。
In this embodiment, the light emitting element mounted face-down as the facet type optical element 12 has been described.
In addition to light emitting elements, light I such as waveguide type light receiving elements and optical switches
C is fine. Also, as a substrate for laminating the optical waveguide layer,
Although an example of a copper-polyimide multilayer wiring board has been described, a multilayer or single-layer ceramic wiring board, a Si substrate, or a printed board having solder heat resistance may be used. The optical waveguide material may be an epoxy resin or a silicone resin in addition to the fluorinated polyimide. The solder material is not limited to Au / Sn, but may be Sn / Pb, a conductive adhesive, or the like.

【0031】図3(a)〜(d)及び図4(e)〜
(g)は、本発明における電気光混載モジュールの製造
方法の一例を示す工程図である。図中符号、20は本発
明の電気光混載配線板、21は多層セラミック基板、2
1aは銅ポリイミド多層配線、21bはヴィア、23は
溝、23a、23bはそれぞれ溝23の底面上に形成し
た第1の導体とはんだ層、23cは溝23の側壁、24
はポリマ光導波路、25aは上部光導波路クラッド層、
26は光導波路コア、26aは光導波路コア層、27a
は第1の下部光導波路クラッド層、27bは第2の下部
光導波路クラッド層、28は柱状導体、29は第1のマ
スク、29aは第2マスク、29bは第3のマスクであ
る。
FIGS. 3A to 3D and 4E to 4E.
(G) is a process drawing showing an example of a method for manufacturing an electro-optical hybrid module according to the present invention. In the figure, reference numeral 20 denotes an electro-optical hybrid wiring board of the present invention, 21 denotes a multilayer ceramic substrate,
1a is a copper-polyimide multilayer wiring, 21b is a via, 23 is a groove, 23a and 23b are first conductors and solder layers formed on the bottom surface of the groove 23, 23c is a side wall of the groove 23, 24
Is a polymer optical waveguide, 25a is an upper optical waveguide cladding layer,
26 is an optical waveguide core, 26a is an optical waveguide core layer, 27a
Is a first lower optical waveguide cladding layer, 27b is a second lower optical waveguide cladding layer, 28 is a columnar conductor, 29 is a first mask, 29a is a second mask, and 29b is a third mask.

【0032】まず、例えばアルミナから成る多層セラミ
ック基板21上に、スピンコートとキュアにより感光性
ポリイミド層を形成し、その上に電解および無電解メッ
キにより銅配線を形成し、これを繰り返して銅ポリイミ
ド多層配線21aを形成する。なお、層間の銅配線は、
電解および無電解メッキにより形成した銅から成るヴィ
ア21bで接続してある。
First, a photosensitive polyimide layer is formed by spin coating and curing on a multilayer ceramic substrate 21 made of, for example, alumina, and copper wiring is formed thereon by electrolytic and electroless plating. The multilayer wiring 21a is formed. The copper wiring between the layers
They are connected by vias 21b made of copper formed by electrolytic and electroless plating.

【0033】次に、銅ポリイミド多層配線21aの表面
に、フッ素化ポリイミドより成る厚さ14μmの第1の
下部光導波路クラッド層27aをスピンコート・キュア
(例えば、400℃以下)して積層した後、上面に例え
ばAu/Ni/Cuから成り、所望のパターンにパター
ニングした第1の導体23aを、さらに、第1の導体2
3a上には、例えば、Tiから成る第1のマスク29
を、例えば、4000A程度、電解および無電解メッ
キ、あるいは蒸着により形成する。また、第1の導体2
3aの裏面と多層セラミック基板21の間に、銅から成
る柱状導体28を電解および無電解メッキにより形成す
る(図3(a))。
Next, a 14 μm-thick first lower optical waveguide clad layer 27a made of fluorinated polyimide is formed on the surface of the copper-polyimide multilayer wiring 21a by spin coating and curing (for example, 400 ° C. or lower). The first conductor 23a made of, for example, Au / Ni / Cu on the upper surface and patterned into a desired pattern is further provided with a first conductor 2a.
A first mask 29 made of, for example, Ti is formed on 3a.
Is formed by, for example, electrolytic and electroless plating or vapor deposition at about 4000 A. Also, the first conductor 2
A columnar conductor 28 made of copper is formed between the back surface of 3a and the multilayer ceramic substrate 21 by electrolytic and electroless plating (FIG. 3A).

【0034】さらに、上記と同じ材料からなる第2の下
部光導波路クラッド層27bを、6μmスピンコート・
キュアして形成する(図3(b))。
Further, a second lower optical waveguide cladding layer 27b made of the same material as described above is spin-coated by 6 μm.
It is formed by curing (FIG. 3B).

【0035】次に、厚さ8μmのポリマ光導波路コア層
26a(光導波路コアとクラッド間の比屈折率は、例え
ば、0.3%である)を、スピンコート・キュア(例え
ば、400℃以下)して、ポリマ光導波路24を形成す
る位置に、例えば、Tiから成る第2のマスク29b
を、例えば、4000A程度、蒸着により形成する(図
3(c))。
Next, a polymer optical waveguide core layer 26a having a thickness of 8 μm (the relative refractive index between the optical waveguide core and the clad is, for example, 0.3%) is applied by spin coating and curing (for example, 400 ° C. or lower). Then, a second mask 29b made of, for example, Ti is formed at a position where the polymer optical waveguide 24 is to be formed.
Is formed by vapor deposition, for example, at about 4000 A (FIG. 3C).

【0036】次に、上部光導波路コア層26aの表面か
ら反応性イオンエッチングを行い、光導波路コア26を
形成した後に、第2のマスク29bをフッ酸で除去する
(図3(d))。
Next, reactive ion etching is performed from the surface of the upper optical waveguide core layer 26a to form the optical waveguide core 26, and then the second mask 29b is removed with hydrofluoric acid (FIG. 3D).

【0037】その後に、下部光導波路クラッド27a、
27bと同じ組成の上部光導波路クラッド層25aを2
0μm、スピンコート・キュア(例えば、400℃以
下)して形成した後に、上部光導波路クラッド層25a
表面に、投影面が第1のマスク29と反転形状の第3の
マスク29cを、例えば、4000A程度、蒸着により
形成する(図4(e))。
Thereafter, the lower optical waveguide clad 27a,
The upper optical waveguide cladding layer 25a having the same composition as
After being formed by spin coating and curing (for example, 400 ° C. or lower), the upper optical waveguide cladding layer 25a is formed.
On the front surface, a third mask 29c whose projection surface is the inverse of the first mask 29 is formed by vapor deposition, for example, at about 4000A (FIG. 4E).

【0038】その後、第1のマスク23aが現れるまで
第3のマスク29cの開口部にある上部光導波路クラッ
ド層25a、光導波路コア26、第2の下部光導波路ク
ラッド層27bを反応性イオンエッチングし、第1のマ
スク29をフッ酸等で除去して溝を形成する(図4
(f))。
Thereafter, the upper optical waveguide clad layer 25a, the optical waveguide core 26, and the second lower optical waveguide clad layer 27b in the openings of the third mask 29c are subjected to reactive ion etching until the first mask 23a appears. Then, the first mask 29 is removed with hydrofluoric acid or the like to form a groove (FIG. 4).
(F)).

【0039】さらに、第1の導体23a上に、例えば、
Au/Sn共晶はんだからなる薄膜はんだ層23bを、
蒸着により、例えば、5μm形成して、本発明の電気光
混載配線板が完成する(図4(g))。
Further, on the first conductor 23a, for example,
The thin film solder layer 23b made of Au / Sn eutectic solder is
By forming, for example, 5 μm by vapor deposition, the electro-optical hybrid wiring board of the present invention is completed (FIG. 4G).

【0040】なお、アレイ状に整列した光導波路コア2
6の端部を銅ポリイミド多層配線21aの上面と平行に
結ぶ線は、溝23の側壁23cと同一平面内でなくても
良い。また、アレイ状に整列した光導波路コア26の端
部を結ぶ面は、溝23の側壁23cと必ずしも平行でな
くても良く、特に、ポリマ光導波路24の端部と端面型
光素子の活性層側の側面との間で共振を発生させないた
めには、アレイ状に整列した光導波路コア26の端部を
結ぶ面が溝23の側壁23cに対してわずかに(例え
ば、8°〜9°)傾いていても良い。また、第1、2、
3のマスク29,29a、29bとして、Ti以外の金
属(Alなど)やSPPレジスト等を用いても良い。
The optical waveguide cores 2 arranged in an array
The line connecting the end of the groove 6 in parallel with the upper surface of the copper-polyimide multilayer wiring 21a may not be in the same plane as the side wall 23c of the groove 23. The surface connecting the ends of the optical waveguide cores 26 arranged in an array may not necessarily be parallel to the side wall 23c of the groove 23. In particular, the end of the polymer optical waveguide 24 and the active layer of the end surface type optical element may be used. In order not to cause resonance with the side surface, the surface connecting the ends of the optical waveguide cores 26 arranged in an array is slightly (for example, 8 ° to 9 °) with respect to the side wall 23c of the groove 23. It may be inclined. Also, the first, second,
As the third mask 29, 29a, 29b, a metal (such as Al) other than Ti, an SPP resist, or the like may be used.

【0041】また、光導波路層を積層する基板として、
銅ポリイミド多層配線板の例について述べたが、多層あ
るいは単層のセラミック配線板やSi基板、さらに、は
んだ耐熱性のあるプリント板であってもよい。また、光
導波路材料はフッ素化ポリイミドの他に、エポキシ系樹
脂やシリコーン系樹脂であっても良い。また、はんだ材
料もAu/Snに限らずSn/Pb、導電性接着剤等で
あっても良い。
As a substrate for laminating the optical waveguide layer,
Although an example of a copper-polyimide multilayer wiring board has been described, a multilayer or single-layer ceramic wiring board, a Si substrate, or a printed board having solder heat resistance may be used. The optical waveguide material may be an epoxy resin or a silicone resin in addition to the fluorinated polyimide. The solder material is not limited to Au / Sn, but may be Sn / Pb, a conductive adhesive, or the like.

【0042】図5(a)〜(c)は、本発明の電気光混
載モジュールにおける端面型光素子の搭載方法の一例を
示した図である。図中符号、30は電気光混載配線板、
31は多層セラミック基板、31aは銅ポリイミド多層
配線、31bはヴィア、32は端面型光素子、32aは
端面型光素子32の活性層の中心、32bは端面型光素
子32の活性層32a側の側面、33は溝、33aは第
1の導体、33bははんだ層、33cは溝33の側壁、
34はポリマ光導波路、35は上部光導波路クラッド、
36は光導波路コア、37は下部光導波路クラッド、3
8は柱状導体である。
FIGS. 5A to 5C are views showing an example of a method of mounting an end face type optical element in the electro-optical hybrid module according to the present invention. In the figure, reference numeral 30 denotes an electro-optical mixed wiring board,
31 is a multilayer ceramic substrate, 31a is a copper-polyimide multilayer wiring, 31b is a via, 32 is an end-face optical element, 32a is the center of the active layer of the end-face optical element 32, and 32b is the active layer 32a side of the end-face optical element 32. Side surface, 33 is a groove, 33a is a first conductor, 33b is a solder layer, 33c is a side wall of the groove 33,
34 is a polymer optical waveguide, 35 is an upper optical waveguide clad,
36 is an optical waveguide core, 37 is a lower optical waveguide clad, 3
Reference numeral 8 denotes a columnar conductor.

【0043】図1で説明したように、端面型光素子32
の底面と活性層32aの中心との間の距離は、はんだ層
33bの上面とポリマ光導波路34の光軸までの距離と
等しい。また、溝33側にあるアレイ状に整列した光導
波路コア36の端部を銅ポリイミド多層配線31aの上
面と平行に結ぶ線は溝33の側壁33cと平行であり、
かつ溝33の側壁33cは、はんだ層33bの上面に対
して垂直である。
As described with reference to FIG.
Is equal to the distance between the upper surface of the solder layer 33b and the optical axis of the polymer optical waveguide 34. Further, a line connecting the end of the optical waveguide core 36 arranged in an array on the groove 33 side in parallel with the upper surface of the copper-polyimide multilayer wiring 31a is parallel to the side wall 33c of the groove 33,
The side wall 33c of the groove 33 is perpendicular to the upper surface of the solder layer 33b.

【0044】なお、アレイ状に整列した光導波路コア3
6の端部を銅ポリイミド多層配線31aの上面と平行に
結ぶ線は、溝33の側壁33cと同一平面内になくても
良い。また、アレイ状に整列した光導波路コア36の端
部を結ぶ面は、溝33の側壁33cと平行でなくても良
く、特にポリマ光導波路34の端部と端面型光素子32
の活性層32a側の側面32bとの間で共振を発生させ
ないためには、アレイ状に整列した光導波路コア36の
端部を結ぶ面が溝の側壁33cに対してわずかに(例え
ば、8°〜9°)傾いていても良い。
The optical waveguide cores 3 arranged in an array
The line connecting the end of the groove 6 in parallel with the upper surface of the copper-polyimide multilayer wiring 31 a may not be in the same plane as the side wall 33 c of the groove 33. The surface connecting the ends of the optical waveguide cores 36 arranged in an array need not be parallel to the side wall 33c of the groove 33. In particular, the end of the polymer optical waveguide 34 and the end surface type optical element 32
In order not to generate resonance with the side surface 32b on the active layer 32a side, the surface connecting the ends of the optical waveguide cores 36 arranged in an array is slightly (for example, 8 °) with respect to the side wall 33c of the groove. 99 °) may be inclined.

【0045】まず、端面型光素子32の活性層32aの
中心の長手方向を、ポリマ光導波路34の幅の中心と一
致するように、例えば、図示していない位置合わせ装置
を用いて調整しながら、活性層32a側の側面を溝33
の側壁33cに平行に押し付ける(図5(a))。次
に、端面型光素子32の底面をはんだ層33bの上面に
押し付ける(図5(b))。最後に、加熱によりはんだ
層33bを溶融させて、端面型光素子32を固定させる
ことにより、端面型光素子が搭載される(図5
(c))。
First, while adjusting the longitudinal direction of the center of the active layer 32a of the end surface type optical element 32 so as to coincide with the center of the width of the polymer optical waveguide 34, for example, by using a positioning device (not shown). The side surface on the side of the active layer 32a is
(FIG. 5A). Next, the bottom surface of the end surface type optical element 32 is pressed against the upper surface of the solder layer 33b (FIG. 5B). Finally, the solder layer 33b is melted by heating to fix the end face optical element 32, thereby mounting the end face optical element (FIG. 5).
(C)).

【0046】なお、本実施例では端面型光素子32とし
てフェイスダウン実装した発光素子を用いた場合につい
て説明したが、フェイスアップ実装の場合はもちろんの
こと、光素子は導波路型受光素子や光スイッチ等の光I
Cでも良い。
In this embodiment, the case where a face-down mounted light emitting element is used as the end face type optical element 32 has been described. However, not only the face-up mounting but also a waveguide type light receiving element or an optical element may be used. Light I for switches, etc.
C is fine.

【0047】[0047]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、電
気光混載配線板は、光導波路の端部前方に光伝搬方向に
対して垂直な側壁を有する溝と、溝の底面で、かつ光導
波路に平行に形成された第1の導体と、第1の導体上
で、かつ第1の導体に平行に形成されたはんだ層と、第
1の導体と基板とを接続する柱状導体とを備えているの
で、銅ポリイミド多層配線にポリマ光導波路を積層一体
化した電気光混載配線板を用いて高密度電気配線を実現
するとともに、下部光導波路クラッド内に第1の導体を
設けることによりクラッド厚を薄くする必要がなくな
り、光導波路コア内の光信号閉じ込めが強くなるので、
光伝搬損失を抑制することができる。
As described above, according to the present invention, the electric-optical hybrid wiring board has a groove having a side wall perpendicular to the light propagation direction in front of the end of the optical waveguide, a bottom surface of the groove, and A first conductor formed parallel to the optical waveguide, a solder layer formed on the first conductor and parallel to the first conductor, and a columnar conductor connecting the first conductor to the substrate. The high-density electrical wiring is realized by using an electro-optical hybrid wiring board in which a polymer optical waveguide is laminated and integrated on a copper-polyimide multilayer wiring, and the first conductor is provided in the lower optical waveguide cladding. It is not necessary to reduce the thickness, and the optical signal confinement in the optical waveguide core becomes stronger.
Light propagation loss can be suppressed.

【0048】また、はんだ層の表面から光導波路コアの
光軸までの距離が、はんだ層に搭載される端面型光素子
の底面から端面型光素子の活性層の中心までの距離と等
しく設定されており、また、端面型光素子は、活性層の
中心を通る光軸が光導波路コアの光軸と一致する位置で
電気光混載配線板上のはんだ層に固定されており、さら
に、端面型光素子を搭載する溝の底面となる第1の導体
上に、エッチングストップ層となる第1のマスク(ポリ
マ光導波路材料よりも反応性イオンエッチングに対する
エッチング速度の小さい材料からなる)を形成したの
で、溝のエッチング深さを高精度に制御できることに加
えて、オーバーエッチングの問題が解決できる。従っ
て、端面型光素子の底面を溝の底面上に形成したはんだ
層に接触させるだけで、高さ方向の光軸位置合わせが容
易に行える光結合構造が実現できる。
The distance from the surface of the solder layer to the optical axis of the optical waveguide core is set to be equal to the distance from the bottom surface of the edge type optical element mounted on the solder layer to the center of the active layer of the edge type optical element. In addition, the end-face type optical element is fixed to the solder layer on the electro-optical hybrid wiring board at a position where the optical axis passing through the center of the active layer coincides with the optical axis of the optical waveguide core. Since the first mask (which is made of a material having a lower etching rate for reactive ion etching than the polymer optical waveguide material) is formed as an etching stop layer on the first conductor which is the bottom surface of the groove for mounting the optical element. In addition to being able to control the etching depth of the groove with high accuracy, the problem of over-etching can be solved. Therefore, it is possible to realize an optical coupling structure in which the alignment of the optical axis in the height direction can be easily performed only by bringing the bottom surface of the end face type optical element into contact with the solder layer formed on the bottom surface of the groove.

【0049】さらに、溝の底面上に形成した第1の導体
の裏面と多層セラミック基板が柱状導体により接続され
ているので、溝の底面と多層セラミック基板の間の層の
熱抵抗が低減し、搭載した端面型光素子の放熱特性を向
上させることができる。
Furthermore, since the back surface of the first conductor formed on the bottom surface of the groove and the multilayer ceramic substrate are connected by the columnar conductor, the thermal resistance of the layer between the bottom surface of the groove and the multilayer ceramic substrate is reduced. The heat radiation characteristics of the mounted end face type optical element can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の電気光混載モジュールの一実施例を示
した断面図である。
FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of an electro-optical hybrid module according to the present invention.

【図2】図1の部分拡大図である。FIG. 2 is a partially enlarged view of FIG.

【図3】(a)〜(d)は、本発明における電気光混載
モジュールの製造方法の一例を示した図(その1)であ
る。
FIGS. 3A to 3D are diagrams (part 1) illustrating an example of a method for manufacturing an electro-optical hybrid module according to the present invention.

【図4】(e)〜(g)は、本発明における電気光混載
モジュールの製造方法の一例を示した図(その2)であ
る。
4 (e) to 4 (g) are views (part 2) illustrating an example of a method for manufacturing an electro-optical hybrid module according to the present invention.

【図5】本発明の電気光混載モジュールにおける端面型
光素子と光導波路との光結合方法の一例を示した図であ
る。
FIG. 5 is a diagram showing an example of a method of optically coupling an end face type optical element and an optical waveguide in the hybrid electro-optical module of the present invention.

【図6】従来の電気光混載モジュールを示した図であ
る。
FIG. 6 is a view showing a conventional electro-optical hybrid module.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10,20,30 電気光混載配線板 11、21、31、多層セラミック基板 11a、21a、31a 銅ポリイミド多層配線 11b、21b、31b ヴィア 12、32 端面型光素子 12a、32a 活性層 32b 端面型光素子の活性層側の側面 13、23、33 溝 13a、23a、33a 第1の導体 13b、23b、33b はんだ層 13c、23c、33c 溝の側壁 14、24、34 ポリマ光導波路 15、25、35 ポリマ上部光導波路クラッド 25a 上部光導波路クラッド層 16、26、36 光導波路コア 26a 光導波路コア層 17、27、37 下部光導波路クラッド 27a 第1の下部光導波路クラッド層 27b 第2の下部光導波路クラッド層 18、28、38 柱状導体 29、29a、29b 第1、第2、第3のマスク 10, 20, 30 Electric / optical hybrid wiring board 11, 21, 31, Multilayer ceramic substrate 11a, 21a, 31a Copper / polyimide multilayer wiring 11b, 21b, 31b Via 12, 32 Edge type optical element 12a, 32a Active layer 32b Edge type light Side surface on active layer side of device 13, 23, 33 Groove 13a, 23a, 33a First conductor 13b, 23b, 33b Solder layer 13c, 23c, 33c Side wall of groove 14, 24, 34 Polymer optical waveguide 15, 25, 35 Polymer upper optical waveguide clad 25a Upper optical waveguide clad layer 16, 26, 36 Optical waveguide core 26a Optical waveguide core layer 17, 27, 37 Lower optical waveguide clad 27a First lower optical waveguide clad layer 27b Second lower optical waveguide clad Layers 18, 28, 38 Columnar conductors 29, 29a, 29b First, second, third mats School

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 恒次 秀起 東京都千代田区大手町二丁目3番1号 日 本電信電話株式会社内 Fターム(参考) 2H047 KA04 MA07 PA21 PA24 PA28 QA05 TA36  ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing on the front page (72) Inventor Hideki Tsuneji 2-3-1 Otemachi, Chiyoda-ku, Tokyo F-term (reference) 2H047 KA04 MA07 PA21 PA24 PA28 QA05 TA36

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板上に積層された電気配線層上に、光
導波路コアを挟んで、該光導波路コアよりも屈折率の低
い上部光導波路クラッドと下部光導波路クラッドを設け
た光導波路を積層してなる電気光混載配線板において、 前記光導波路の端部前方に光伝搬方向に対して垂直な側
壁を有する溝と、 該溝の底面で、かつ前記光導波路に平行に形成された第
1の導体と、 該第1の導体上で、かつ該第1の導体に平行に形成され
たはんだ層と、 前記第1の導体と前記基板とを接続する柱状導体とを備
えたことを特徴とする電気光混載配線板。
An optical waveguide having an upper optical waveguide clad and a lower optical waveguide clad having a lower refractive index than an optical waveguide core is laminated on an electric wiring layer laminated on a substrate with the optical waveguide core interposed therebetween. A groove having a side wall perpendicular to a light propagation direction in front of an end of the optical waveguide; and a first groove formed at a bottom surface of the groove and parallel to the optical waveguide. And a solder layer formed on and parallel to the first conductor, and a columnar conductor connecting the first conductor and the substrate. Mixed light and light wiring board.
【請求項2】 基板上に積層された電気配線層上に、光
導波路コアを挟んで、該光導波路コアよりも屈折率の低
い上部光導波路クラッドと下部光導波路クラッドを設け
た光導波路を積層してなる電気光混載配線板と、前記光
導波路と光結合する端面型光素子とを備えた電気光混載
モジュールにおいて、 前記電気光混載配線板は、 前記光導波路の端部前方に光伝搬方向に対して垂直な側
壁を有する溝と、 該溝の底面で、かつ前記光導波路に平行に形成された第
1の導体と、 該第1の導体上で、かつ該第1の導体に平行に形成され
たはんだ層とを備え、 前記はんだ層の表面から前記光導波路コアの光軸までの
距離が、該はんだ層に搭載される前記端面型光素子の底
面から該端面型光素子の活性層の中心までの距離と等し
く設定されており、 前記端面型光素子は、該活性層の中心を通る光軸が前記
光導波路コアの光軸と一致する位置で前記電気光混載配
線板上の前記はんだ層に固定されていることを特徴とす
る電気光混載モジュール。
2. An optical waveguide having an upper optical waveguide clad and a lower optical waveguide clad having a lower refractive index than the optical waveguide core, with the optical waveguide core interposed therebetween, on an electric wiring layer laminated on the substrate. An electro-optical hybrid module comprising: an electro-optical hybrid wiring board formed as described above; and an end face type optical element optically coupled to the optical waveguide, wherein the electro-optical hybrid wiring board has a light propagation direction in front of an end of the optical waveguide. A groove having a side wall perpendicular to the first conductor, a first conductor formed at the bottom of the groove and parallel to the optical waveguide, and on the first conductor and parallel to the first conductor. And a distance from a surface of the solder layer to an optical axis of the optical waveguide core is determined from a bottom surface of the end face type optical element mounted on the solder layer to an active layer of the end face type optical element. Is set equal to the distance to the center of the The end face type optical element is fixed to the solder layer on the electro-optical hybrid wiring board at a position where an optical axis passing through the center of the active layer coincides with an optical axis of the optical waveguide core. Optical mixed module.
【請求項3】 前記第1の導体は、前記基板と柱状導体
により接続されていることを特徴とする請求項2に記載
の電気光混載モジュール。
3. The electro-optical hybrid module according to claim 2, wherein the first conductor is connected to the substrate by a columnar conductor.
【請求項4】 基板上に積層された電気配線層上に、光
導波路コアを挟んで、該光導波路コアよりも屈折率の低
い上部光導波路クラッドと下部光導波路クラッドを設け
た光導波路を積層する電気光混載配線板の製造方法にお
いて、 前記基板上に、下部光導波路クラッドを構成するポリマ
からなる下部光導波路クラッド層と、前記光導波路コア
を構成するポリマからなる光導波路コア層と、前記上部
光導波路クラッドを構成するポリマからなる上部光導波
路クラッド層とを前記電気配線層の上面に平行に積層し
て光導波路層を形成する工程と、 該電気配線層と該光導波路層を積層した電気光混載配線
層内に、金属からなる第1の導体を前記光導波路層に平
行に形成し、さらに該第1の導体と同一寸法以上で平行
に、該第1の導体と異なる材料でかつ前記光導波路層の
材料に比べて反応性イオンエッチング速度の小さい第1
のマスクを形成する工程と、 前記光導波路コア層の上面であって、前記光導波路の材
料に比べて反応性イオンエッチング速度の小さい第2の
マスクを形成し、前記光導波路コア層の上面に対して垂
直に反応性イオンエッチングを行い、前記第2のマスク
を除去して前記光導波路コアを形成する工程と、 該光導波路コアに前記上部光導波路クラッド層を積層
し、さらに該上部光導波路クラッド層上面に、前記第1
のマスクの反転パターンを有し、かつ前記光導波路の材
料に比べて反応性イオンエッチング速度の小さい第3の
マスクを、前記第1のマスクと平行に形成する工程と、 前記上部光導波路クラッド層に対して垂直に反応性イオ
ンエッチングを行い、前記第3のマスクが形成されてい
ない該上部光導波路クラッド層、およびこれを投影する
前記光導波路コアと前記下部光導波路クラッド層とをエ
ッチングして溝を形成し、前記第3のマスクを除去する
工程と、 前記第1のマスクを除去する工程と、 前記溝の底面で、かつ前記第1の導体上に該第1の導体
と平行に前記はんだ層を形成する工程と、 を有することを特徴とする電気光混載配線板の製造方
法。
4. An optical waveguide having an upper optical waveguide clad and a lower optical waveguide clad having a lower refractive index than the optical waveguide core, with the optical waveguide core interposed therebetween, on an electric wiring layer laminated on the substrate. In the method for manufacturing an electro-optical hybrid wiring board, a lower optical waveguide clad layer made of a polymer constituting a lower optical waveguide clad, an optical waveguide core layer made of a polymer constituting the optical waveguide core, on the substrate, Forming an optical waveguide layer by laminating an upper optical waveguide cladding layer made of a polymer constituting the upper optical waveguide cladding in parallel with the upper surface of the electric wiring layer; and laminating the electric wiring layer and the optical waveguide layer. A first conductor made of a metal is formed in the electro-optical hybrid wiring layer in parallel with the optical waveguide layer, and is made of a material different from the first conductor in a size equal to or more than the same dimension as the first conductor. One the optical waveguide material reactive than a of the layer ion etching rate smaller first
Forming a mask, and forming a second mask on the upper surface of the optical waveguide core layer, the reactive ion etching rate being smaller than the material of the optical waveguide, and forming the second mask on the upper surface of the optical waveguide core layer. Vertical reactive ion etching to remove the second mask to form the optical waveguide core; laminating the upper optical waveguide clad layer on the optical waveguide core; On the upper surface of the cladding layer, the first
Forming a third mask in parallel with the first mask, the third mask having a reverse pattern of the mask and having a lower reactive ion etching rate than the material of the optical waveguide; By performing reactive ion etching perpendicular to the upper optical waveguide clad layer where the third mask is not formed, and etching the optical waveguide core and the lower optical waveguide clad layer that project the upper optical waveguide clad layer. Forming a groove and removing the third mask; removing the first mask; and forming a groove on the bottom surface of the groove and on the first conductor in parallel with the first conductor. A method for manufacturing an electro-optical hybrid wiring board, comprising: a step of forming a solder layer.
【請求項5】 基板上に積層された電気配線層上に、光
導波路コアを挟んで、該光導波路コアよりも屈折率の低
い上部光導波路クラッドと下部光導波路クラッドを設け
た光導波路を積層して電気光混載配線板を形成し、該電
気光混載配線板に、前記光導波路と光結合する端面型光
素子を搭載してなる電気光混載モジュールの製造方法に
おいて、 前記基板上に、下部光導波路クラッドを構成するポリマ
からなる下部光導波路クラッド層と、前記光導波路コア
を構成するポリマからなる光導波路コア層と、前記上部
光導波路クラッドを構成するポリマからなる上部光導波
路クラッド層とを前記電気配線層の上面に平行に積層し
て光導波路層を形成する工程と、 該電気配線層と該光導波路層を積層した電気光混載配線
層内に、金属からなる第1の導体を前記光導波路層に平
行に形成し、さらに該第1の導体と同一寸法以上で平行
に、該第1の導体と異なる材料でかつ前記光導波路層の
材料に比べて反応性イオンエッチング速度の小さい第1
のマスクを形成する工程とを含み、しかも、前記光導波
路コア層の光軸中心と前記第1の導体に形成するはんだ
層の表面との間の距離が、該はんだ層に搭載する前記端
面型光素子の底面から該端面型光素子の活性層の中心ま
での距離と等しくなるように前記光導波路層および前記
第1の導体を形成する工程と、 前記光導波路コア層の上面であって、前記光導波路の材
料に比べて反応性イオンエッチング速度の小さい第2の
マスクを形成し、前記光導波路コア層の上面に対して垂
直に反応性イオンエッチングを行い、前記第2のマスク
を除去して前記光導波路コアを形成する工程と、 該光導波路コアに前記上部光導波路クラッド層を積層
し、さらに該上部光導波路クラッド層上面に、前記第1
のマスクの反転パターンを有し、かつ前記光導波路の材
料に比べて反応性イオンエッチング速度の小さい第3の
マスクを、前記第1のマスクと平行に形成する工程と、 前記上部光導波路クラッド層に対して垂直に反応性イオ
ンエッチングを行い、前記第3のマスクが形成されてい
ない該上部光導波路クラッド層、およびこれを投影する
前記光導波路コアと前記下部光導波路クラッド層とをエ
ッチングして溝を形成し、前記第3のマスクを除去する
工程と、 前記第1のマスクを除去する工程と、 前記溝の底面で、かつ前記第1の導体上に該第1の導体
と平行に前記はんだ層を形成する工程と、 前記光導波路と光結合する端面型光素子を搭載する工程
と、 を有することを特徴とする電気光混載モジュールの製造
方法。
5. An optical waveguide having an upper optical waveguide clad and a lower optical waveguide clad having a lower refractive index than the optical waveguide core, with the optical waveguide core interposed therebetween, on an electric wiring layer laminated on the substrate. Forming an electro-optical hybrid wiring board, and mounting the end face type optical element that optically couples with the optical waveguide on the electro-optical hybrid wiring board. A lower optical waveguide clad layer made of a polymer constituting the optical waveguide clad, an optical waveguide core layer made of a polymer constituting the optical waveguide core, and an upper optical waveguide clad layer made of a polymer constituting the upper optical waveguide clad. Forming an optical waveguide layer by laminating in parallel with the upper surface of the electric wiring layer; and forming a first conductive layer made of metal in an electric / optical hybrid wiring layer in which the electric wiring layer and the optical waveguide layer are laminated. Is formed in parallel with the optical waveguide layer, and is made of a material different from that of the first conductor and in parallel with the first conductor at a dimension equal to or larger than that of the first conductor, and has a reactive ion etching rate lower than that of the material of the optical waveguide layer. Small first
Forming a mask, wherein the distance between the center of the optical axis of the optical waveguide core layer and the surface of the solder layer formed on the first conductor is the same as that of the end face mold mounted on the solder layer. Forming the optical waveguide layer and the first conductor so as to be equal to the distance from the bottom surface of the optical element to the center of the active layer of the end surface type optical element; and Forming a second mask having a smaller reactive ion etching rate than the material of the optical waveguide, performing reactive ion etching perpendicular to the upper surface of the optical waveguide core layer, and removing the second mask; Forming the optical waveguide core by performing the above steps; laminating the upper optical waveguide cladding layer on the optical waveguide core; and forming the first optical waveguide cladding layer on the upper surface of the upper optical waveguide cladding layer.
Forming a third mask in parallel with the first mask, the third mask having a reverse pattern of the mask and having a lower reactive ion etching rate than the material of the optical waveguide; By performing reactive ion etching perpendicular to the upper optical waveguide clad layer where the third mask is not formed, and etching the optical waveguide core and the lower optical waveguide clad layer that project the upper optical waveguide clad layer. Forming a groove and removing the third mask; removing the first mask; and forming a groove on the bottom surface of the groove and on the first conductor in parallel with the first conductor. A method for manufacturing an electro-optical hybrid module, comprising: a step of forming a solder layer; and a step of mounting an end face type optical element that optically couples with the optical waveguide.
【請求項6】 前記端面型光素子の活性層側の側面を前
記光導波路の端部側にある前記溝の側壁に平行に接触さ
せ、しかも該溝の底面に平行な面に投影した前記光導波
路の光軸と前記端面型光素子の活性層の中心を通る光軸
を一致させ、前記端面型光素子の底面を前記はんだ層の
表面に平行に接触させて該はんだ層と前記端面型光素子
を加熱し、前記はんだ層を溶融することにより前記電気
光混載配線板に前記端面型光素子を固定することを特徴
とする請求項5に記載の電気光混載モジュールの製造方
法。
6. The light guide projected on a plane parallel to a bottom surface of the groove, wherein a side surface on the active layer side of the end surface type optical element is brought into parallel contact with a side wall of the groove on the end side of the optical waveguide. The optical axis of the wave path is aligned with the optical axis passing through the center of the active layer of the end face type optical element, and the bottom surface of the end face type optical element is brought into parallel contact with the surface of the solder layer, so that the solder layer and the end face type light The method for manufacturing an electro-optical hybrid module according to claim 5, wherein the end face type optical element is fixed to the electro-optical hybrid wiring board by heating the element and melting the solder layer.
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