JP2001083112A - Photoelectron spectroscopic device - Google Patents

Photoelectron spectroscopic device

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JP2001083112A
JP2001083112A JP26046999A JP26046999A JP2001083112A JP 2001083112 A JP2001083112 A JP 2001083112A JP 26046999 A JP26046999 A JP 26046999A JP 26046999 A JP26046999 A JP 26046999A JP 2001083112 A JP2001083112 A JP 2001083112A
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JP
Japan
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ray
sample
capillary
rays
ray source
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Withdrawn
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JP26046999A
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Japanese (ja)
Inventor
Toyohiko Tazawa
澤 豊 彦 田
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Jeol Ltd
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Jeol Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a photoelectron spectroscopic device which can set the incident angle of X-rays at the critical total reflection angle in a short time. SOLUTION: The operator of a photoelectron spectroscopic device inputs the wavelength λ (nm) of exciting X-rays and the density ρ(kg/m3) of a sample to be measured by using an inputting means 18. These input signals λ and ρare sent to a central control means 17 which sends the signals λ and ρ to a piezoelectric element control means 14. The control means 14 finds the critical total reflection angle θc from the expression: θc=0.51λ√ρ. Upon finding the critical angle θc, the control means 14 elongates the body 12 of a piezoelectric element in the direction A and, at the same time, contracts the body 13 of another piezoelectric element 13 in the direction -A so that the angle between the center axis of a multi-capillary 15 and the surface of the sample may become θc.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】 本発明は、光電子分光装置
に関する。
The present invention relates to a photoelectron spectroscopy device.

【0002】[0002]

【従来の技術】 表面分析装置として光電子分光装置が
あるが、この光電子分光装置は、X線(MgKα線また
はAlKα線などの特性X線)を試料表面に照射し、そ
の照射により試料から放出される光電子の運動エネルギ
ーを測定し、その測定結果から表面元素の定性分析や定
量分析、さらに化学結合状態の分析を行う装置である。
2. Description of the Related Art A photoelectron spectroscopy device is known as a surface analysis device. This photoelectron spectroscopy device irradiates an X-ray (characteristic X-ray such as MgKα ray or AlKα ray) onto a sample surface, and is emitted from the sample by the irradiation. This device measures the kinetic energy of photoelectrons and performs qualitative and quantitative analysis of surface elements from the measurement results, as well as analysis of the state of chemical bonding.

【0003】光電子分光装置で検出される光電子の運動
エネルギーは0〜3keV程度と低く、これらの電子の
脱出深さはせいぜい数nmである。このため、光電子分
光装置を用いれば、試料表面から数nmという試料極表
面のみの情報を得ることができる。
The kinetic energy of photoelectrons detected by a photoelectron spectrometer is as low as about 0 to 3 keV, and the escape depth of these electrons is at most several nm. For this reason, if a photoelectron spectroscopy device is used, it is possible to obtain information only on the sample pole surface, which is several nm from the sample surface.

【0004】ところで、最近では、光電子分光装置にお
ける検出感度を向上させるために、励起X線を、その波
長と試料物質で決まる全反射臨界角以下で試料に入射さ
せて、光電子の強度を最高にしてP/B比を上げる全反
射光電子分光法が多く利用されている。
Recently, in order to improve the detection sensitivity in a photoelectron spectrometer, excited X-rays are incident on a sample at a critical angle of total reflection or less determined by the wavelength and the sample material to maximize the photoelectron intensity. Total reflection photoelectron spectroscopy, which increases the P / B ratio, is often used.

【0005】このように試料へのX線の入射角が全反射
臨界角以下になると、励起X線の試料に対する侵入深さ
は非常に小さいものとなり、光電子の発生領域は試料表
面層近傍に限られる。その結果、発生した光電子が試料
中で走行する距離、すなわち光電子発生点から試料表面
までの距離が短くなって、非弾性散乱電子によるバック
グランド信号量はかなり少なくなり、試料表面に存在す
る汚染元素の特定や、その化学状態に対して高感度な測
定が可能となる。
As described above, when the incident angle of X-rays on the sample is less than the critical angle for total reflection, the penetration depth of the excited X-rays into the sample becomes very small, and the photoelectron generation region is limited to the vicinity of the sample surface layer. Can be As a result, the distance traveled by the generated photoelectrons in the sample, that is, the distance from the point where the photoelectrons are generated to the sample surface is shortened, the background signal amount due to inelastic scattered electrons is considerably reduced, and contaminant elements existing on the sample surface are reduced. And measurement with high sensitivity to the chemical state thereof can be performed.

【0006】このような全反射光電子分光法は、鏡面状
の試料面を有する試料に対して有効であり、半導体ウエ
ハなどの表面汚染物質の分析に特に有用である。
[0006] Such total reflection photoelectron spectroscopy is effective for a sample having a mirror-like sample surface, and is particularly useful for analyzing surface contaminants such as semiconductor wafers.

【0007】この全反射光電子分光法による分析時に
は、オペレータは、検出スペクトルを見ながら、光電子
ピークが出現しているところのP/B比が最良となるよ
うに、試料傾斜ステージを傾斜させてX線入射角を設定
している。
At the time of analysis by this total reflection photoelectron spectroscopy, the operator tilts the sample tilt stage while observing the detected spectrum so that the P / B ratio where the photoelectron peak appears becomes the best. Line incident angle is set.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】 しかしながら、この
ように、検出スペクトルからX線入射角を全反射臨界角
に設定するには長時間を要し、オペレータの負担はかな
り大きなものとなる。また、再現性良くX線入射角を全
反射臨界角に設定するのは困難である。
However, it takes a long time to set the X-ray incident angle to the critical angle of total reflection from the detected spectrum, and the burden on the operator becomes considerably large. Also, it is difficult to set the X-ray incident angle to the total reflection critical angle with good reproducibility.

【0009】本発明はこのような点に鑑みて成されたも
ので、その目的は、短時間でX線入射角を全反射臨界角
に設定することができる光電子分光装置を提供すること
にある。
The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a photoelectron spectroscopy apparatus capable of setting an X-ray incident angle to a critical angle for total reflection in a short time. .

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】 この目的を達成する本
発明の光電子分光装置は、X線源と、試料ステージと、
該試料ステージに取り付けられた傾斜手段と、該傾斜手
段に取り付けられた、複数のキャピラリがほぼ同じ向き
に束ねられて構成されたマルチキャピラリとを備え、前
記X線源からのX線をマルチキャピラリを介して試料に
照射するようにしたことを特徴とする。
Means for Solving the Problems A photoelectron spectroscopy apparatus according to the present invention that achieves this object includes an X-ray source, a sample stage,
A tilting means attached to the sample stage; and a multi-capillary attached to the tilting means and configured by bundling a plurality of capillaries in substantially the same direction. And irradiating the sample via the.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】 以下、本発明の実施の形態につ
いて説明する。
Embodiments of the present invention will be described below.

【0012】図1は、本発明の光電子分光装置の一例を
示した図である。まず、図1の装置の構成について説明
する。
FIG. 1 is a diagram showing an example of the photoelectron spectroscopy apparatus of the present invention. First, the configuration of the apparatus shown in FIG. 1 will be described.

【0013】図1において、1はチャンバである。2
は、チャンバ1内に配置されたX線源であり、X線源2
は、フィラメント3、フォーカス調整電極4、ターゲッ
ト5を備えている。ターゲット5はAlで構成されてい
る。
In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a chamber. 2
Is an X-ray source arranged in the chamber 1;
Includes a filament 3, a focus adjustment electrode 4, and a target 5. The target 5 is made of Al.

【0014】6は、二重集束型に湾曲したX線モノクロ
メータ分光結晶であり、X線モノクロメータ分光結晶6
は、前記X線源2に対向するようにチャンバ内に配置さ
れている。このX線モノクロメータ分光結晶6は、結晶
[α−SiO2]で形成されており、X線源2からのX
線は分光結晶6で分光されてAlkα線に単色化され
る。このような単色化したX線を試料に照射すれば、制
動放射による連続X線が除去され、非弾性散乱電子によ
るバックグランド信号が減少する。
Reference numeral 6 denotes an X-ray monochromator spectral crystal curved in a double focusing type.
Is disposed in the chamber so as to face the X-ray source 2. The X-ray monochromator spectral crystal 6 is formed of a crystal [α-SiO 2].
The rays are split by the dispersive crystal 6 and monochromated into Alkα rays. When the sample is irradiated with such monochromatic X-rays, continuous X-rays due to bremsstrahlung are removed, and the background signal due to inelastic scattered electrons is reduced.

【0015】7は、被測定試料である半導体ウエハであ
り、半導体ウエハ7は試料ホルダ8に保持されている。
この試料ホルダ8は、チャンバ内に配置された試料ステ
ージ9上に置かれており、試料ステージ9は、XYステ
ージ10と、図1に示すY軸に平行な軸(図示せず)を
中心として傾斜する傾斜ステージ11で構成されてい
る。
Reference numeral 7 denotes a semiconductor wafer as a sample to be measured. The semiconductor wafer 7 is held by a sample holder 8.
The sample holder 8 is placed on a sample stage 9 placed in a chamber. The sample stage 9 is centered on an XY stage 10 and an axis (not shown) parallel to the Y axis shown in FIG. It is composed of a tilt stage 11 that tilts.

【0016】傾斜ステージ11上には圧電素子体12、
13が配置されており、圧電素子体12と13は、前記
分光結晶6と試料ステージ9を結ぶ方向に沿って傾斜ス
テージ11上に配置されている。これらの圧電素子体1
2、13は、圧電素子制御手段14の制御により、傾斜
ステージ11の基準面Bに垂直方向(A−(−A)方
向)に伸縮するように構成されている。
On the tilt stage 11, a piezoelectric element body 12,
The piezoelectric element bodies 12 and 13 are arranged on the tilt stage 11 along the direction connecting the spectral crystal 6 and the sample stage 9. These piezoelectric element bodies 1
Reference numerals 2 and 13 are configured to expand and contract in a direction (A-(-A) direction) perpendicular to the reference plane B of the tilt stage 11 under the control of the piezoelectric element control means 14.

【0017】圧電子素子体12、13上にはマルチキャ
ピラリ15が取り付けられている。マルチキャピラリ1
5は、前記分光結晶6と試料ホルダ8間に位置してお
り、複数のガラス製キャピラリがほぼ同じ向きに束ねら
れて構成されている。マルチキャピラリ15のX線入射
口15aは前記分光結晶6の方を向いており、一方、マ
ルチキャピラリ15のX線出射口15bは試料7の方を
向いている。
A multi-capillary 15 is mounted on the piezoelectric elements 12 and 13. Multicapillary 1
Numeral 5 is located between the spectral crystal 6 and the sample holder 8, and is configured by bundling a plurality of glass capillaries in substantially the same direction. The X-ray entrance 15a of the multi-capillary 15 is directed toward the spectral crystal 6, while the X-ray exit 15b of the multi-capillary 15 is directed toward the sample 7.

【0018】図2は、マルチキャピラリ15をその長手
方向に沿って切断したときの断面図であり、図3は、マ
ルチキャピラリ15を分光結晶6側から見た図である。
図3から明らかなように、マルチキャピラリ15の断面
形状は四角形であり、各キャピラリの断面形状は円形で
ある。
FIG. 2 is a cross-sectional view when the multi-capillary 15 is cut along its longitudinal direction. FIG. 3 is a view of the multi-capillary 15 as viewed from the side of the spectral crystal 6.
As is apparent from FIG. 3, the cross-sectional shape of the multi-capillary 15 is quadrangular, and the cross-sectional shape of each capillary is circular.

【0019】また、各キャピラリの内面は、入射X線が
全反射しながら進むにように形成されており、さらに、
各キャピラリは、図2に示すようにX線集光部とX線平
行化部から構成されている。X線集光部は、試料上にX
線を集光させるためにテーパー状に形成されている。一
方、X線平行化部は、試料上に平行X線束を照射させる
ために、どの部分においてもその内径がほぼ同じにされ
ている。
The inner surface of each capillary is formed so that incident X-rays travel while being totally reflected.
Each capillary includes an X-ray focusing unit and an X-ray parallelizing unit as shown in FIG. The X-ray focusing unit
It is formed in a tapered shape to condense the lines. On the other hand, the inside diameter of the X-ray parallelizing portion is almost the same in any portion in order to irradiate the sample with a parallel X-ray flux.

【0020】また、図1において16はビームストッパ
であり、ビームストッパ16は、前記マルチキャピラリ
15のX線入射側に取り付けられている。このビームス
トッパ16は、マルチキャピラリ15のX線入射口を塞
がないようにマルチキャピラリに取り付けられており、
マルチキャピラリに入射しなかったX線が試料を照射す
るのを防ぐ役割を果たす。
In FIG. 1, reference numeral 16 denotes a beam stopper. The beam stopper 16 is mounted on the X-ray incidence side of the multi-capillary 15. The beam stopper 16 is attached to the multi-capillary so as not to block the X-ray entrance of the multi-capillary 15,
It serves to prevent X-rays that have not entered the multicapillary from irradiating the sample.

【0021】17は中央制御手段であり、中央制御手段
17は、圧電素子制御手段14、入力手段18およびス
テージ制御手段19にそれぞれ接続されている。なお、
ステージ制御手段19は、前記試料ステージ9を制御す
るものである。
Reference numeral 17 denotes central control means. The central control means 17 is connected to the piezoelectric element control means 14, the input means 18, and the stage control means 19, respectively. In addition,
The stage control means 19 controls the sample stage 9.

【0022】20は排気装置であり、チャンバ1内は排
気装置20により超高真空に排気される。
Reference numeral 20 denotes an exhaust device, and the inside of the chamber 1 is evacuated to an ultrahigh vacuum by the exhaust device 20.

【0023】また、試料7の上側には、試料から放出さ
れる光電子を検出する電子分光器が配置されており、こ
の電子分光器は、複数の静電レンズから成るインプット
レンズ(減速レンズ)21と、半球面型アナライザ22
と、検出器23で構成されている。前記インプットレン
ズ21は、その光軸が試料表面にほぼ直交するように配
置されている。
An electron spectroscope for detecting photoelectrons emitted from the sample is disposed above the sample 7, and the electron spectrometer is composed of an input lens (deceleration lens) 21 composed of a plurality of electrostatic lenses. And the hemispherical analyzer 22
And a detector 23. The input lens 21 is arranged so that its optical axis is substantially perpendicular to the sample surface.

【0024】以上、図1の装置の構成について説明した
が、以下にこの装置の動作について説明する。
The configuration of the apparatus shown in FIG. 1 has been described above. The operation of this apparatus will be described below.

【0025】まずオペレータは、試料分析に先立ち、入
力手段18により、励起X線の波長λ(nm)と被測定
試料の密度ρ(kg/m3)を入力する。この場合、オ
ペレータは、励起X線であるAlkα線の波長λと、被
測定試料であるSiウエハの密度ρを入力する。これら
の入力信号λ,ρは中央制御手段17に送られ、中央制
御手段17は、信号λ,ρを圧電素子制御手段14に送
る。
First, prior to sample analysis, the operator inputs the wavelength λ (nm) of the excited X-rays and the density ρ (kg / m 3 ) of the sample to be measured by the input means 18. In this case, the operator inputs the wavelength λ of the Alkα ray as the excitation X-ray and the density ρ of the Si wafer as the sample to be measured. These input signals λ, ρ are sent to the central control means 17, which sends the signals λ, ρ to the piezoelectric element control means 14.

【0026】これらの信号λ,ρを受けた圧電素子制御
手段14は、次式(1)から全反射臨界角θcを求め
る。
The piezoelectric element control means 14 receiving these signals λ and ρ obtains a critical angle for total reflection θc from the following equation (1).

【0027】θc=0.51λ√ρ ……(1) そして、圧電素子制御手段14は全反射臨界角θcを求
めると、前記マルチキャピラリ15の中心軸Oと試料面
との成す角度がθcとなるように、前記圧電素子体12
をA方向に伸ばすと共に前記圧電素子体13を−A方向
に縮める。すなわち、圧電素子制御手段14は、求めた
θcと圧電素子体間の距離Lから、マルチキャピラリ1
5の中心軸Oと試料面との成す角度がθcとなるよう
に、圧電素子体12、13の変位量を算出し、これに相
当する電圧を圧電素子体12、13へ供給する。
Θc = 0.51λ√ρ (1) When the piezoelectric element control means 14 determines the critical angle for total reflection θc, the angle formed between the central axis O of the multi-capillary 15 and the sample surface becomes θc. So that the piezoelectric element 12
Is extended in the A direction, and the piezoelectric element body 13 is contracted in the −A direction. That is, the piezoelectric element control means 14 calculates the multi-capillary 1 from the obtained θc and the distance L between the piezoelectric element bodies.
The amount of displacement of the piezoelectric elements 12 and 13 is calculated so that the angle formed between the central axis O of 5 and the sample surface becomes θc, and a voltage corresponding to this is supplied to the piezoelectric elements 12 and 13.

【0028】このようにして、マルチキャピラリ15が
傾斜されると、前記X線源2からX線が発生される。
When the multi-capillary 15 is tilted in this manner, the X-ray source 2 generates X-rays.

【0029】X線源2で発生したX線はX線モノクロメ
ータ分光結晶6で分光される。X線モノクロメータ分光
結晶6で分光されたAlkα線はマルチキャピラリ15
に入射し、まず、そのX線集光部の各キャピラリ内面で
全反射されると共に集光される。そして、集光されたX
線は、X線平行化部の各キャピラリ内面で全反射される
と共に平行化され、すべてのX線が試料7に全反射臨界
角θcで入射する。その結果、上述した理由により、非
弾性散乱電子によるバックグランド信号量はかなり少な
くなり、半導体ウエハ表面に存在する汚染元素の特定
や、その化学状態に対して高感度な測定が行える。
X-rays generated by the X-ray source 2 are separated by the X-ray monochromator crystal 6. The Alkα ray separated by the X-ray monochromator crystal 6 is a multi-capillary 15
And is first totally reflected and collected by the inner surface of each capillary of the X-ray collector. And the collected X
The rays are totally reflected and parallelized on the inner surfaces of the capillaries of the X-ray parallelizing section, and all X-rays are incident on the sample 7 at the critical angle for total reflection θc. As a result, the background signal amount due to the inelastic scattered electrons is considerably reduced for the above-described reason, so that a contaminant element existing on the semiconductor wafer surface can be specified and a measurement with high sensitivity to the chemical state can be performed.

【0030】以上、図1の装置の動作について説明した
が、この装置においては、マルチキャピラリと試料面と
の成す角度が全反射臨界角になるように、マルチキャピ
ラリを傾斜させる圧電素子が自動的に変位されるので、
短時間で試料へのX線入射角を全反射臨界角に設定する
ことができ、オペレータの負担は従来に比べて大幅に軽
減される。また、再現性良くX線入射角を全反射臨界角
に設定することができる。
The operation of the apparatus shown in FIG. 1 has been described above. In this apparatus, the piezoelectric element for tilting the multi-capillary is automatically set so that the angle formed between the multi-capillary and the sample surface becomes a critical angle for total reflection. Is displaced to
The X-ray incident angle on the sample can be set to the critical angle for total reflection in a short time, and the burden on the operator is greatly reduced as compared with the conventional case. Also, the X-ray incident angle can be set to the critical angle for total reflection with good reproducibility.

【0031】また、このようにテーパー状のマルチキャ
ピラリを使用すれば、各キャピラリ内面におけるX線の
全反射及びX線集光により、平行平板によるソーラース
リットを利用する方式に比べて、試料表面に照射される
X線束の輝度が向上する。
In addition, when the tapered multi-capillary is used as described above, the total reflection of X-rays and the X-ray condensing on the inner surface of each of the capillaries can be applied to the surface of the sample in comparison with the method using a parallel plate solar slit. The brightness of the irradiated X-ray flux is improved.

【0032】以上、図1の光電子分光装置を用いて本発
明の実施例を説明したが、本発明はこの例に限定される
ものではない。
Although the embodiment of the present invention has been described using the photoelectron spectroscopy apparatus of FIG. 1, the present invention is not limited to this example.

【0033】例えば、図1の装置においては、マルチキ
ャピラリの断面形状は四角形であるが、マルチキャピラ
リの断面形状は円形または楕円形でも良い。また、各キ
ャピラリ内面に金等をコーティングすれば、X線の反射
率を上げることができる。
For example, in the apparatus shown in FIG. 1, the cross-section of the multi-capillary is rectangular, but the cross-section of the multi-capillary may be circular or elliptical. If the inner surface of each capillary is coated with gold or the like, the reflectivity of X-rays can be increased.

【0034】また、1つの定まった試料(例えばSiウ
エハ)のみを繰り返し測定するような環境では、前記圧
電素子を制御して、予めマルチキャピラリの試料表面に
対する傾斜角度を被測定物質の全反射臨界角度に固定し
ておけばよい。
In an environment where only one fixed sample (for example, a Si wafer) is repeatedly measured, the piezoelectric element is controlled so that the inclination angle of the multi-capillary with respect to the sample surface is determined in advance by the total reflection criticality of the substance to be measured. It may be fixed at an angle.

【0035】また、上記例では、マルチキャピラリは試
料ステージ上に配置されたが、試料ステージ上に配置せ
ずに、マルチキャピラリをX線モノクロメータまたは非
単色化X線管球に近接して配置することも可能である。
なお、X線モノクロメータを使用せずに、非単色化X線
管球からのX線を直接マルチキャピラリで受けるように
した場合でも、マルチキャピラリによって制動放射によ
る連続X線はある程度除去される。
In the above example, the multi-capillary is placed on the sample stage. However, the multi-capillary is not placed on the sample stage, but placed near the X-ray monochromator or the non-monochromatic X-ray tube. It is also possible.
In addition, even when the X-rays from the non-monochromatic X-ray tube are directly received by the multi-capillary without using the X-ray monochromator, continuous X-rays due to bremsstrahlung are removed to some extent by the multi-capillary.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の光電子分光装置の一例を示した図で
ある。
FIG. 1 is a diagram showing an example of a photoelectron spectroscopy device of the present invention.

【図2】 マルチキャピラリをその長手方向に沿って切
断したときの断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view of the multi-capillary taken along its longitudinal direction.

【図3】 マルチキャピラリを分光結晶側から見た図で
ある。
FIG. 3 is a view of the multi-capillary as viewed from the side of the spectral crystal.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…チャンバ、2…X線源、3…フィラメント、4…フ
ォーカス調整電極、5…ターゲット、6…X線モノクロ
メータ分光結晶、7…被測定試料、8…試料ホルダ、9
…試料ステージ、10…XYステージ、11…傾斜ステ
ージ、12…圧電素子体、13…圧電素子体、14…圧
電素子制御手段、15…マルチキャピラリ、15a…X
線入射口、15b…X線出射口、16…ビームストッ
パ、17…中央制御手段、18…入力手段、19…ステ
ージ制御手段、20…排気装置、21…インプットレン
ズ、22…半球面型アナライザ、23…検出器
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Chamber, 2 ... X-ray source, 3 ... Filament, 4 ... Focus adjustment electrode, 5 ... Target, 6 ... X-ray monochromator spectral crystal, 7 ... Sample to be measured, 8 ... Sample holder, 9
... sample stage, 10 ... XY stage, 11 ... tilt stage, 12 ... piezoelectric element body, 13 ... piezoelectric element body, 14 ... piezoelectric element control means, 15 ... multicapillary, 15a ... X
Line entrance, 15b X-ray exit, 16 beam stopper, 17 central control unit, 18 input unit, 19 stage control unit, 20 exhaust unit, 21 input lens, 22 hemispherical analyzer, 23 Detector

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 X線源と、試料ステージと、該試料ステ
ージに取り付けられた傾斜手段と、該傾斜手段に取り付
けられた、複数のキャピラリがほぼ同じ向きに束ねられ
て構成されたマルチキャピラリとを備え、前記X線源か
らのX線をマルチキャピラリを介して試料に照射するよ
うにしたことを特徴とする光電子分光装置。
1. An X-ray source, a sample stage, a tilting means mounted on the sample stage, and a multi-capillary mounted on the tilting means and configured by bundling a plurality of capillaries in substantially the same direction. A photoelectron spectrometer, wherein the sample is irradiated with X-rays from the X-ray source via a multi-capillary.
【請求項2】 励起X線の波長と試料の密度に基づいて
前記傾斜手段を制御する手段を備えたことを特徴とする
請求項1記載の光電子分光装置。
2. The photoelectron spectroscopy apparatus according to claim 1, further comprising means for controlling said tilting means based on the wavelength of the excited X-rays and the density of the sample.
【請求項3】 前記傾斜手段は圧電素子で形成されるこ
とを特徴とする請求項1または2に記載の光電子分光装
置。
3. The photoelectron spectroscopy device according to claim 1, wherein the tilting unit is formed of a piezoelectric element.
【請求項4】 前記各キャピラリは、X線集光部とX線
平行化部から構成されており、前記X線集光部はテーパ
ー状に形成される一方、前記X線平行化部は、どの部分
においてもその内径がほぼ同じであることを特徴とする
請求項1から3の何れかに記載の光電子分光装置。
4. Each of the capillaries is composed of an X-ray focusing section and an X-ray parallelizing section, and the X-ray focusing section is formed in a tapered shape, while the X-ray parallelizing section is The photoelectron spectroscopy device according to any one of claims 1 to 3, wherein the inner diameter is substantially the same in any part.
【請求項5】 前記X線源とマルチキャピラリとの間
に、X線源から発生したX線を単色化するX線モノクロ
メータが配置されていることを特徴とする請求項1から
4の何れかに記載の光電子分光装置。
5. An X-ray monochromator for monochromaticizing X-rays generated from an X-ray source is arranged between the X-ray source and the multi-capillary. A photoelectron spectroscopy apparatus according to any one of the above.
【請求項6】 X線源と、試料ステージと、該試料ステ
ージと前記X線源間に配置された、複数のキャピラリが
ほぼ同じ向きに束ねられて構成されたマルチキャピラリ
とを備えた光電子分光装置であり、前記X線源からのX
線をマルチキャピラリを介して試料に照射するようにし
たことを特徴とする光電子分光装置。
6. A photoelectron spectrometer comprising an X-ray source, a sample stage, and a multi-capillary arranged between the sample stage and the X-ray source, the plurality of capillaries being bundled in substantially the same direction. An X-ray source from the X-ray source.
A photoelectron spectrometer characterized in that a sample is irradiated with a line through a multi-capillary.
【請求項7】 前記各キャピラリは、X線集光部とX線
平行化部から構成されており、前記X線集光部はテーパ
ー状に形成される一方、前記X線平行化部は、どの部分
においてもその内径がほぼ同じであることを特徴とする
請求項6に記載の光電子分光装置。
7. Each of the capillaries is composed of an X-ray focusing section and an X-ray parallelizing section, and the X-ray focusing section is formed in a tapered shape, while the X-ray parallelizing section is 7. The photoelectron spectroscopy device according to claim 6, wherein the inner diameter is substantially the same in any part.
【請求項8】 前記X線源とマルチキャピラリとの間
に、X線源から発生したX線を単色化するX線モノクロ
メータが配置されていることを特徴とする請求項6また
は7に記載の光電子分光装置。
8. An X-ray monochromator for monochromaticizing X-rays generated from the X-ray source is arranged between the X-ray source and the multi-capillary. Photoelectron spectrometer.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003087797A1 (en) * 2002-04-17 2003-10-23 Ebara Corporation Sample surface inspection apparatus and method
JP2010276423A (en) * 2009-05-27 2010-12-09 Shimadzu Corp X-ray focusing arrangement

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003087797A1 (en) * 2002-04-17 2003-10-23 Ebara Corporation Sample surface inspection apparatus and method
US7391036B2 (en) 2002-04-17 2008-06-24 Ebara Corporation Sample surface inspection apparatus and method
US8076654B2 (en) 2002-04-17 2011-12-13 Ebara Corporation Sample surface inspection apparatus and method
EP2557416A3 (en) * 2002-04-17 2013-02-27 Ebara Corporation Sample surface inspection apparatus and method
US8674317B2 (en) 2002-04-17 2014-03-18 Ebara Corporation Sample surface inspection apparatus and method
JP2010276423A (en) * 2009-05-27 2010-12-09 Shimadzu Corp X-ray focusing arrangement

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