JP2001077153A - 基板及びその接続構造並びに基板の製造方法 - Google Patents
基板及びその接続構造並びに基板の製造方法Info
- Publication number
- JP2001077153A JP2001077153A JP24895899A JP24895899A JP2001077153A JP 2001077153 A JP2001077153 A JP 2001077153A JP 24895899 A JP24895899 A JP 24895899A JP 24895899 A JP24895899 A JP 24895899A JP 2001077153 A JP2001077153 A JP 2001077153A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- bump
- wire
- connection structure
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L24/80 - H01L24/90
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
- H01L2224/113—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector
- H01L2224/1133—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector in solid form
- H01L2224/1134—Stud bumping, i.e. using a wire-bonding apparatus
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/13099—Material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/17—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of a plurality of bump connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/4813—Connecting within a semiconductor or solid-state body, i.e. fly wire, bridge wire
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78301—Capillary
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/8512—Aligning
- H01L2224/85148—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01004—Beryllium [Be]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01014—Silicon [Si]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01019—Potassium [K]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01028—Nickel [Ni]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0105—Tin [Sn]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01075—Rhenium [Re]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/014—Solder alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
Abstract
(57)【要約】
【課題】 回路特性の変動を防止しつつ、パッド部の再
配置をチップレベルで実行可能としたＩＣチップの配線
基板への接続構造を提供する。 【解決手段】 一面１ａに複数個のパッド部４が形成さ
れたＩＣチップ１と、一面１０ａに複数個の基板ランド
１３が形成された配線基板１０とを、それぞれの一面１
ａ、１０ａが対向するように配置し、ＩＣチップ１の一
面１ａより突出して形成された金属製の複数個のバンプ
５、６を介してパッド部４と基板ランド１３とが接続さ
れている。バンプ５、６のうち少なくとも１つは、ＩＣ
チップ１における一面１ａ側のうちパッド部４とは別部
位の保護膜３上に形成された別部位バンプ６として構成
されており、この別部位バンプ６及びワイヤボンディン
グにより形成されたワイヤ７を介して相対位置の異なる
パッド部４ｂと基板ランド１３ｂとが電気的に接続され
ている。
配置をチップレベルで実行可能としたＩＣチップの配線
基板への接続構造を提供する。 【解決手段】 一面１ａに複数個のパッド部４が形成さ
れたＩＣチップ１と、一面１０ａに複数個の基板ランド
１３が形成された配線基板１０とを、それぞれの一面１
ａ、１０ａが対向するように配置し、ＩＣチップ１の一
面１ａより突出して形成された金属製の複数個のバンプ
５、６を介してパッド部４と基板ランド１３とが接続さ
れている。バンプ５、６のうち少なくとも１つは、ＩＣ
チップ１における一面１ａ側のうちパッド部４とは別部
位の保護膜３上に形成された別部位バンプ６として構成
されており、この別部位バンプ６及びワイヤボンディン
グにより形成されたワイヤ７を介して相対位置の異なる
パッド部４ｂと基板ランド１３ｂとが電気的に接続され
ている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一面に形成された
電極パッドを相手側部材の電極部に対して金属製のバン
プを介して接続するようにした基板、及びそのような基
板の製造方法、並びに、そのような基板と相手側部材と
の接続構造に関する。
電極パッドを相手側部材の電極部に対して金属製のバン
プを介して接続するようにした基板、及びそのような基
板の製造方法、並びに、そのような基板と相手側部材と
の接続構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の基板の接続方法として
は、例えば、基板（第１の基板）として一面側に設けら
れた電極パッド（第１の電極）にバンプを形成してなる
ＩＣチップを用意し、このバンプを介して相手側部材
（第２の基板）としての配線基板（プリント基板等）の
一面に形成されたランド（電極部、第２の電極）にＩＣ
チップを実装するもの、いわゆるフリップチップ法によ
るベアチップ実装がある。
は、例えば、基板（第１の基板）として一面側に設けら
れた電極パッド（第１の電極）にバンプを形成してなる
ＩＣチップを用意し、このバンプを介して相手側部材
（第２の基板）としての配線基板（プリント基板等）の
一面に形成されたランド（電極部、第２の電極）にＩＣ
チップを実装するもの、いわゆるフリップチップ法によ
るベアチップ実装がある。
【０００３】ここで、ＩＣチップの電極パッド上へのバ
ンプ形成方法としては、例えば、特開平７−１８３３０
３号公報に記載のような、ボンディングワイヤを加熱、
加圧してバンプを形成するスタッドバンプ技術を用いる
ことができる。
ンプ形成方法としては、例えば、特開平７−１８３３０
３号公報に記載のような、ボンディングワイヤを加熱、
加圧してバンプを形成するスタッドバンプ技術を用いる
ことができる。
【０００４】ところで、上記ベアチップ実装において
は、ＩＣチップ一面上に形成したバンプと配線基板一面
上のランドとの位置を一致させる必要があるのである
が、ＩＣチップは、内部のトランジスタパターンの微細
化が進み、それに伴って電極パッド上のバンプのピッチ
も微細化されており、現在では、例えばＩＣチップのパ
ッドピッチが８０μｍを要求されている。
は、ＩＣチップ一面上に形成したバンプと配線基板一面
上のランドとの位置を一致させる必要があるのである
が、ＩＣチップは、内部のトランジスタパターンの微細
化が進み、それに伴って電極パッド上のバンプのピッチ
も微細化されており、現在では、例えばＩＣチップのパ
ッドピッチが８０μｍを要求されている。
【０００５】このような状況に対して、配線基板として
サブトラクティブ法等により製造された低コストな基板
を用いる場合、その加工精度（エッチング精度等）か
ら、配線基板のランドピッチは２００〜１５０μｍ程度
が限界と考えられている。そのため、微細化されたバン
プに対してランドの位置を一致させることが困難であ
る。
サブトラクティブ法等により製造された低コストな基板
を用いる場合、その加工精度（エッチング精度等）か
ら、配線基板のランドピッチは２００〜１５０μｍ程度
が限界と考えられている。そのため、微細化されたバン
プに対してランドの位置を一致させることが困難であ
る。
【０００６】また、配線基板として、ＢＧＡ（ボールグ
リッドアレイ）のように、ビルドアップ法等にて製造さ
れた高密度基板を用いている例もあるが、基板にかかる
コストが著しく高価なものとなってしまう。逆に、配線
基板のランドに合わせて、ＩＣチップ側にバンプ形成用
のパッドを形成しても、チップサイズが大きくなってし
まい、コスト増大を招いてしまう。
リッドアレイ）のように、ビルドアップ法等にて製造さ
れた高密度基板を用いている例もあるが、基板にかかる
コストが著しく高価なものとなってしまう。逆に、配線
基板のランドに合わせて、ＩＣチップ側にバンプ形成用
のパッドを形成しても、チップサイズが大きくなってし
まい、コスト増大を招いてしまう。
【０００７】上記問題を解決する目的で、特開平９−９
７７９５号公報のように、ＩＣチップ上に、スパッタ、
真空蒸着、めっき等にて配線（バリアメタル層）を形成
し、この配線によって、電極パッドを、位置関係が一致
しない（相対位置の異なる）配線基板のランド（電極
部）と接続可能とする方法（つまり、電極パッドを再配
置させる方法）が提案されている。
７７９５号公報のように、ＩＣチップ上に、スパッタ、
真空蒸着、めっき等にて配線（バリアメタル層）を形成
し、この配線によって、電極パッドを、位置関係が一致
しない（相対位置の異なる）配線基板のランド（電極
部）と接続可能とする方法（つまり、電極パッドを再配
置させる方法）が提案されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来公報に記載の方法では、各ＩＣチップに専用の配線を
形成する必要があり、コストの低減は少ない。加えて、
配線形成のための追加工程においてスパッタや蒸着等を
行うことで、それによって発生する紫外線やＸ線等によ
りＩＣチップの回路特性の変動が考えられるため、特に
市販のＩＣチップに対しては、上記の配線形成を実施す
ることは困難である。また、上記の配線形成のためのス
パッタ等を行うにあたっては、通常、製造対象がウェハ
レベルに限定されているため、チップレベルで入手した
もの（市販品）についてはいっさい対応がとれないとい
った問題もある。
来公報に記載の方法では、各ＩＣチップに専用の配線を
形成する必要があり、コストの低減は少ない。加えて、
配線形成のための追加工程においてスパッタや蒸着等を
行うことで、それによって発生する紫外線やＸ線等によ
りＩＣチップの回路特性の変動が考えられるため、特に
市販のＩＣチップに対しては、上記の配線形成を実施す
ることは困難である。また、上記の配線形成のためのス
パッタ等を行うにあたっては、通常、製造対象がウェハ
レベルに限定されているため、チップレベルで入手した
もの（市販品）についてはいっさい対応がとれないとい
った問題もある。
【０００９】このように、一面に形成された電極パッド
を相手側部材の電極部に対して金属製のバンプを介して
接続するようにした基板においては、基板の電極パッド
を再配置する場合、コストが増大したり、基板の回路特
性の変動を招く、といった問題が発生する。
を相手側部材の電極部に対して金属製のバンプを介して
接続するようにした基板においては、基板の電極パッド
を再配置する場合、コストが増大したり、基板の回路特
性の変動を招く、といった問題が発生する。
【００１０】そこで、上記問題に鑑み、本発明の目的
は、基板の回路特性の変動を防止しつつ、電極パッドの
再配置をチップレベルで実行可能とした基板、及び、そ
のような基板と相手側部材との接続構造を提供するこ
と、また、そのような基板を適切に製造する方法を提供
することにある。
は、基板の回路特性の変動を防止しつつ、電極パッドの
再配置をチップレベルで実行可能とした基板、及び、そ
のような基板と相手側部材との接続構造を提供するこ
と、また、そのような基板を適切に製造する方法を提供
することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】請求項１〜請求項１１記
載の発明は、一面（１ａ）に複数個の第１の電極（４）
が形成された第１の基板（１）と、一面（１０ａ）に複
数個の第２の電極（１３）が形成された第２の基板（１
０）と、該第１の基板の該一面より突出して形成された
金属製の複数個のバンプ（５、６）とを備え、該第１及
び第２の基板を、それぞれの該一面が対向するように配
置し、該バンプを介して該第１の電極と該第２の電極と
を電気的に接続するようにした基板の接続構造につい
て、成されたものである。
載の発明は、一面（１ａ）に複数個の第１の電極（４）
が形成された第１の基板（１）と、一面（１０ａ）に複
数個の第２の電極（１３）が形成された第２の基板（１
０）と、該第１の基板の該一面より突出して形成された
金属製の複数個のバンプ（５、６）とを備え、該第１及
び第２の基板を、それぞれの該一面が対向するように配
置し、該バンプを介して該第１の電極と該第２の電極と
を電気的に接続するようにした基板の接続構造につい
て、成されたものである。
【００１２】この接続構造中、上記課題との関係におい
て、第１の基板（１）が再配置されるべき電極パッドを
有する基板に相当し、該第１の基板における第１の電極
（４）が電極パッドに相当し、第２の基板（１０）が相
手側部材に相当し、第２の電極（１３）が相手側部材の
電極部に相当する。
て、第１の基板（１）が再配置されるべき電極パッドを
有する基板に相当し、該第１の基板における第１の電極
（４）が電極パッドに相当し、第２の基板（１０）が相
手側部材に相当し、第２の電極（１３）が相手側部材の
電極部に相当する。
【００１３】即ち、請求項１〜請求項１１の発明では、
バンプ（５、６）のうち少なくとも１つを、第１の基板
（１）における一面（１ａ）側のうち第１の電極（４）
とは別部位（３）に形成された別部位バンプ（６）とし
て構成し、この別部位バンプを介して相対位置の異なる
第１の電極（４ｂ）と第２の電極（１３ｂ）とを電気的
に接続するようにしたことを特徴としている。
バンプ（５、６）のうち少なくとも１つを、第１の基板
（１）における一面（１ａ）側のうち第１の電極（４）
とは別部位（３）に形成された別部位バンプ（６）とし
て構成し、この別部位バンプを介して相対位置の異なる
第１の電極（４ｂ）と第２の電極（１３ｂ）とを電気的
に接続するようにしたことを特徴としている。
【００１４】それによって、別部位バンプ（６）と第１
の電極（４ｂ）との間を、ワイヤボンディングやはんだ
付け等により形成された金属製の線材（７）で結線する
ことにより、相対位置の異なる第１及び第２の電極同士
を、容易に接続することができる。そのため、スパッタ
や蒸着等、回路特性に変動を与えるようなウェハレベル
での工程を行うことなく、該第１の電極の再配置をチッ
プレベルにて行うことができる。よって、本発明によれ
ば、基板の回路特性の変動を防止しつつ、電極パッドの
再配置をチップレベルで実行可能とした基板と相手側部
材との接続構造を提供することができる。
の電極（４ｂ）との間を、ワイヤボンディングやはんだ
付け等により形成された金属製の線材（７）で結線する
ことにより、相対位置の異なる第１及び第２の電極同士
を、容易に接続することができる。そのため、スパッタ
や蒸着等、回路特性に変動を与えるようなウェハレベル
での工程を行うことなく、該第１の電極の再配置をチッ
プレベルにて行うことができる。よって、本発明によれ
ば、基板の回路特性の変動を防止しつつ、電極パッドの
再配置をチップレベルで実行可能とした基板と相手側部
材との接続構造を提供することができる。
【００１５】また、請求項５の発明では、別部位バンプ
（６）と第１の電極（４ｂ）とを結線する線材（７）
を、第１の基板（１）の一面（１ａ）からみて複数個の
バンプ（５、６）の突出方向の高さよりも低い位置に配
置しているから、該線材（７）が第２の基板（１０）に
接触することを防止できる。
（６）と第１の電極（４ｂ）とを結線する線材（７）
を、第１の基板（１）の一面（１ａ）からみて複数個の
バンプ（５、６）の突出方向の高さよりも低い位置に配
置しているから、該線材（７）が第２の基板（１０）に
接触することを防止できる。
【００１６】また、別部位バンプ（６）は、請求項６の
発明のように、ワイヤボンディング用のワイヤを加熱、
加圧、並びに超音波により摺動することにより成形され
たものを採用することができる。特に、請求項３の発明
との組合せにおいては、別部位バンプ（６）及び線材
（７）共に、ワイヤボンディング装置を用いて容易に形
成することができる。
発明のように、ワイヤボンディング用のワイヤを加熱、
加圧、並びに超音波により摺動することにより成形され
たものを採用することができる。特に、請求項３の発明
との組合せにおいては、別部位バンプ（６）及び線材
（７）共に、ワイヤボンディング装置を用いて容易に形
成することができる。
【００１７】また、第１の電極（４）は、第１の基板
（１）に形成された回路の一部として構成されるが、請
求項７の発明のように、別部位バンプ（６）を、第１の
基板（１）の一面（１ａ）側のうち第１の電極（４）と
は電気的に絶縁された部位である絶縁部（３）に形成す
れば、該回路に電気的な影響を与えることが無く好まし
い。
（１）に形成された回路の一部として構成されるが、請
求項７の発明のように、別部位バンプ（６）を、第１の
基板（１）の一面（１ａ）側のうち第１の電極（４）と
は電気的に絶縁された部位である絶縁部（３）に形成す
れば、該回路に電気的な影響を与えることが無く好まし
い。
【００１８】ここで、絶縁部は、請求項８の発明のよう
に、第１の基板（１）の一面（１ａ）を被覆して保護す
る絶縁性の保護膜（３）とすることができる。この保護
膜（３）はＳｉＮ、ＳｉＯ等より構成することができる
が、このような保護膜と金属製の別部位バンプ（６）と
をシランカップリング剤（１２１）や熱硬化性樹脂より
なる接着剤（１３２）で接着することにより、該別部位
バンプの接着性をより向上させることができる。
に、第１の基板（１）の一面（１ａ）を被覆して保護す
る絶縁性の保護膜（３）とすることができる。この保護
膜（３）はＳｉＮ、ＳｉＯ等より構成することができる
が、このような保護膜と金属製の別部位バンプ（６）と
をシランカップリング剤（１２１）や熱硬化性樹脂より
なる接着剤（１３２）で接着することにより、該別部位
バンプの接着性をより向上させることができる。
【００１９】ここで、請求項４及び請求項１１の発明の
ように、線材（７）及び別部位バンプ（６）は、Ａｕ、
Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｂ、Ｓｎ及びこれらのうちの少なくとも
１つを主成分とした合金のうちのいずれか１つより構成
することができる。なお、線材（７）と別部位バンプ
（６）とは同一の金属で構成しても良いし、互いに異な
る金属より構成しても良い。
ように、線材（７）及び別部位バンプ（６）は、Ａｕ、
Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｂ、Ｓｎ及びこれらのうちの少なくとも
１つを主成分とした合金のうちのいずれか１つより構成
することができる。なお、線材（７）と別部位バンプ
（６）とは同一の金属で構成しても良いし、互いに異な
る金属より構成しても良い。
【００２０】また、請求項１２記載の発明では、一面
（１ａ）に形成された電極パッド（４）を、相手側部材
（１０）の電極部（１３）に対して金属製のバンプ
（５、６）を介して接続するようにした基板において、
該一面のうち該電極パッドとは別部位（３）に金属製の
バンプ（６）を形成したことを特徴としている。
（１ａ）に形成された電極パッド（４）を、相手側部材
（１０）の電極部（１３）に対して金属製のバンプ
（５、６）を介して接続するようにした基板において、
該一面のうち該電極パッドとは別部位（３）に金属製の
バンプ（６）を形成したことを特徴としている。
【００２１】本発明の基板によれば、電極パッド（４）
とは別部位に形成したバンプ（６）が、上記請求項１等
の接続構造における別部位バンプと同様の作用効果を奏
するため、基板の回路特性の変動を防止しつつ、電極パ
ッドの再配置をチップレベルで実行可能とした基板を提
供することが出来る。
とは別部位に形成したバンプ（６）が、上記請求項１等
の接続構造における別部位バンプと同様の作用効果を奏
するため、基板の回路特性の変動を防止しつつ、電極パ
ッドの再配置をチップレベルで実行可能とした基板を提
供することが出来る。
【００２２】ここで、請求項１３の発明のように、請求
項１２記載の基板において、バンプ（６）を、ワイヤボ
ンディング用のワイヤを加熱、加圧することにより成形
されたものとし、バンプ（６）と電極パッド（４ｂ）と
を、ワイヤボンディングにより形成された線材（７）に
より結線したものとできる。なお、該バンプと該線材と
は同一のワイヤで構成されてもよいし、材質等が異なる
ワイヤで構成されても良い。
項１２記載の基板において、バンプ（６）を、ワイヤボ
ンディング用のワイヤを加熱、加圧することにより成形
されたものとし、バンプ（６）と電極パッド（４ｂ）と
を、ワイヤボンディングにより形成された線材（７）に
より結線したものとできる。なお、該バンプと該線材と
は同一のワイヤで構成されてもよいし、材質等が異なる
ワイヤで構成されても良い。
【００２３】そして、請求項１４〜請求項１６記載の発
明は、請求項１３記載の基板の製造方法に関するもので
ある。即ち、請求項１４の製造方法では、キャピラリ
（１００）の内部に挿入された金属ワイヤ（１０１）に
おいて該キャピラリの先端から導出された部分の先端に
膨頭部（１０２）を形成した後、この膨頭部を、基板
（１）の一面（１ａ）におけるバンプ（６）を形成すべ
き部位に押し当てることにより押しつぶし、押しつぶさ
れた膨頭部により該バンプを形成する。
明は、請求項１３記載の基板の製造方法に関するもので
ある。即ち、請求項１４の製造方法では、キャピラリ
（１００）の内部に挿入された金属ワイヤ（１０１）に
おいて該キャピラリの先端から導出された部分の先端に
膨頭部（１０２）を形成した後、この膨頭部を、基板
（１）の一面（１ａ）におけるバンプ（６）を形成すべ
き部位に押し当てることにより押しつぶし、押しつぶさ
れた膨頭部により該バンプを形成する。
【００２４】続いて、同製造方法では、該金属ワイヤを
該バンプから伸びるように、該キャピラリの先端から繰
り出し、電極パッド（４ｂ）まで引き回し、次に、引き
回された金属ワイヤを該電極パッドに押しつけ、圧着さ
せるようにする。本製造方法によれば、請求項１３記載
の基板を適切に製造することができる。
該バンプから伸びるように、該キャピラリの先端から繰
り出し、電極パッド（４ｂ）まで引き回し、次に、引き
回された金属ワイヤを該電極パッドに押しつけ、圧着さ
せるようにする。本製造方法によれば、請求項１３記載
の基板を適切に製造することができる。
【００２５】さらに、請求項１５の製造方法では、請求
項１４記載の引き回し工程において、キャピラリ（１０
０）の先端をバンプ（６）の側方部まで移動させて金属
ワイヤ（１０１）を該側方部に圧着し、この圧着部を起
点として該キャピラリから該金属ワイヤを繰り出し、電
極パッド（４ｂ）まで水平に引き回すようにすることを
特徴としている。それによって、請求項１３記載の基板
において、線材（７）を、基板（１）の一面（１ａ）か
らみてバンプ（６）の突出方向の高さよりも低い位置に
配置したものを適切に製造することが出来る。
項１４記載の引き回し工程において、キャピラリ（１０
０）の先端をバンプ（６）の側方部まで移動させて金属
ワイヤ（１０１）を該側方部に圧着し、この圧着部を起
点として該キャピラリから該金属ワイヤを繰り出し、電
極パッド（４ｂ）まで水平に引き回すようにすることを
特徴としている。それによって、請求項１３記載の基板
において、線材（７）を、基板（１）の一面（１ａ）か
らみてバンプ（６）の突出方向の高さよりも低い位置に
配置したものを適切に製造することが出来る。
【００２６】また、請求項１６の製造方法では、まず、
請求項１４の製造方法と同様に膨頭部形成工程を行った
後、金属ワイヤ（１０１）をキャピラリ（１００）の先
端から繰り出し、繰り出した部分にて該金属ワイヤを繰
り出し方向と交差する方向に曲げ変形させ、この金属ワ
イヤにおける曲げられた部分を、電極パッド（４ｂ）に
押し付け、圧着するとともに、膨頭部（１０１）を基板
（１）の一面（１ａ）におけるバンプ（６）を形成すべ
き部位に密着させることを特徴としている。本製造方法
によっても、請求項１３記載の基板を適切に製造するこ
とができる。
請求項１４の製造方法と同様に膨頭部形成工程を行った
後、金属ワイヤ（１０１）をキャピラリ（１００）の先
端から繰り出し、繰り出した部分にて該金属ワイヤを繰
り出し方向と交差する方向に曲げ変形させ、この金属ワ
イヤにおける曲げられた部分を、電極パッド（４ｂ）に
押し付け、圧着するとともに、膨頭部（１０１）を基板
（１）の一面（１ａ）におけるバンプ（６）を形成すべ
き部位に密着させることを特徴としている。本製造方法
によっても、請求項１３記載の基板を適切に製造するこ
とができる。
【００２７】なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述
する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一
例である。
する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一
例である。
【００２８】
【発明の実施の形態】（第１実施形態）図１は、本発明
の第１実施形態に係る第１の基板としてのＩＣチップ１
を示す概略断面図であり、図２は、ＩＣチップ１と第２
の基板としての配線基板（本発明でいう相手側部材）１
０との接続構造を示す概略断面図である。また、図３に
おいて左図及び右図は、それぞれ、ＩＣチップ１及び配
線基板１０を、接続される一面（接続面）１ａ、１０ａ
からみた概略平面図である。なお、図３において、後述
するバンプ５、６、ワイヤ７及びソルダレジスト１２に
は便宜上斜線ハッチングを施してあるが断面を示すもの
ではない。
の第１実施形態に係る第１の基板としてのＩＣチップ１
を示す概略断面図であり、図２は、ＩＣチップ１と第２
の基板としての配線基板（本発明でいう相手側部材）１
０との接続構造を示す概略断面図である。また、図３に
おいて左図及び右図は、それぞれ、ＩＣチップ１及び配
線基板１０を、接続される一面（接続面）１ａ、１０ａ
からみた概略平面図である。なお、図３において、後述
するバンプ５、６、ワイヤ７及びソルダレジスト１２に
は便宜上斜線ハッチングを施してあるが断面を示すもの
ではない。
【００２９】ＩＣチップ１は、例えばシリコン基板等の
半導体基板に不純物拡散を行うことにより、トランジス
タや抵抗等の素子（図示せず）を形成してなる。ＩＣチ
ップ１の一面１ａには、蒸着等により形成されアルミニ
ウム（Ａｌ）を主成分とする合金よりなる複数個の配線
２が設けられており、これら配線２は上記トランジスタ
や抵抗等の素子間を電気的に接続し、ＩＣチップ１内に
て回路（図示せず）を構成している。
半導体基板に不純物拡散を行うことにより、トランジス
タや抵抗等の素子（図示せず）を形成してなる。ＩＣチ
ップ１の一面１ａには、蒸着等により形成されアルミニ
ウム（Ａｌ）を主成分とする合金よりなる複数個の配線
２が設けられており、これら配線２は上記トランジスタ
や抵抗等の素子間を電気的に接続し、ＩＣチップ１内に
て回路（図示せず）を構成している。
【００３０】また、ＩＣチップ１の一面１ａには、この
一面１ａを被覆して外部環境より保護する保護膜３が設
けられている。この保護膜３は、ＣＶＤ（化学的気相成
長法）等により形成されたＳｉＮやＳｉＯ等よりなる絶
縁性の膜である。また、保護膜３における各配線２上の
一部が除去されて各配線２の一部が開口しており、この
開口した各配線２の部分（図１中、Ｌで示す範囲）が、
外部導通用のパッド部（本発明でいう第１の電極、電極
パッド）４として構成されている。また、保護膜３は、
ＩＣチップ１の一面１ａ側のうちパッド部４と電気的に
絶縁された部位、即ち本発明でいう絶縁部として構成さ
れている。
一面１ａを被覆して外部環境より保護する保護膜３が設
けられている。この保護膜３は、ＣＶＤ（化学的気相成
長法）等により形成されたＳｉＮやＳｉＯ等よりなる絶
縁性の膜である。また、保護膜３における各配線２上の
一部が除去されて各配線２の一部が開口しており、この
開口した各配線２の部分（図１中、Ｌで示す範囲）が、
外部導通用のパッド部（本発明でいう第１の電極、電極
パッド）４として構成されている。また、保護膜３は、
ＩＣチップ１の一面１ａ側のうちパッド部４と電気的に
絶縁された部位、即ち本発明でいう絶縁部として構成さ
れている。
【００３１】パッド部４は、図３に示す様に、ＩＣチッ
プ１の周縁部に位置して複数個形成されている。これら
パッド部４は、その表面に金属製のバンプ５が形成され
ているバンプ形成パッド部４ａと、バンプ５が形成され
ていない非形成パッド部４ｂとからなる。
プ１の周縁部に位置して複数個形成されている。これら
パッド部４は、その表面に金属製のバンプ５が形成され
ているバンプ形成パッド部４ａと、バンプ５が形成され
ていない非形成パッド部４ｂとからなる。
【００３２】また、配線基板１０との接続用としてＩＣ
チップ１の一面１ａより突出して設けられた複数個のバ
ンプ５、６は、バンプ形成パッド部４ａ表面に密着して
形成された上記バンプ５と、ＩＣチップ１の一面１ａ側
のうちパッド部４とは別部位に形成された別部位バンプ
６とからなる。
チップ１の一面１ａより突出して設けられた複数個のバ
ンプ５、６は、バンプ形成パッド部４ａ表面に密着して
形成された上記バンプ５と、ＩＣチップ１の一面１ａ側
のうちパッド部４とは別部位に形成された別部位バンプ
６とからなる。
【００３３】ここで、別部位バンプ６は、図１及び図３
に示す様に、ＩＣチップ１におけるパッド部４よりも内
周側の部位に位置する保護膜（絶縁部）３の表面に、密
着固定されている。詳細は後述するが、本例では、これ
らバンプ５、６は、ボンディングワイヤ（ワイヤボンデ
ィング用のワイヤ）を加熱、加圧並びに超音波により摺
動することにより成形するスタッドバンプ法により形成
されている。
に示す様に、ＩＣチップ１におけるパッド部４よりも内
周側の部位に位置する保護膜（絶縁部）３の表面に、密
着固定されている。詳細は後述するが、本例では、これ
らバンプ５、６は、ボンディングワイヤ（ワイヤボンデ
ィング用のワイヤ）を加熱、加圧並びに超音波により摺
動することにより成形するスタッドバンプ法により形成
されている。
【００３４】また、これらバンプ５、６は、Ａｕ、Ａ
ｌ、Ｃｕ、Ｐｂ、Ｓｎ及びこれらのうちの少なくとも１
つを主成分とした合金等から選択した金属により構成す
ることができ、各バンプ５、６は同一金属でも、互いに
異なる金属でもよい。
ｌ、Ｃｕ、Ｐｂ、Ｓｎ及びこれらのうちの少なくとも１
つを主成分とした合金等から選択した金属により構成す
ることができ、各バンプ５、６は同一金属でも、互いに
異なる金属でもよい。
【００３５】また、別部位バンプ６と非形成パッド部４
ｂとは、金属製のワイヤ（本発明でいう線材）７により
電気的に接続されており、このワイヤ７は、ＩＣチップ
１の一面１ａからみて複数個の各バンプ５、６の突出方
向の高さよりも低い位置（バンプ５、６の突出方向の先
端部よりもＩＣチップ１の一面１ａに近い位置）に配置
されている。
ｂとは、金属製のワイヤ（本発明でいう線材）７により
電気的に接続されており、このワイヤ７は、ＩＣチップ
１の一面１ａからみて複数個の各バンプ５、６の突出方
向の高さよりも低い位置（バンプ５、６の突出方向の先
端部よりもＩＣチップ１の一面１ａに近い位置）に配置
されている。
【００３６】やはり、詳細は後述するが、本例では、ワ
イヤ７はワイヤボンディングにより形成されており、バ
ンプ５、６と同様の金属材料により構成することができ
る。そのため、本例では、ワイヤ７における別部位バン
プ６側の端部は、別部位バンプ６と一体になっており、
ワイヤ７は別部位バンプ６の一部が突出した形となって
いる。そして、ワイヤ７と非形成パッド部４ｂとはウェ
ッジボンディングにより接合されている。
イヤ７はワイヤボンディングにより形成されており、バ
ンプ５、６と同様の金属材料により構成することができ
る。そのため、本例では、ワイヤ７における別部位バン
プ６側の端部は、別部位バンプ６と一体になっており、
ワイヤ７は別部位バンプ６の一部が突出した形となって
いる。そして、ワイヤ７と非形成パッド部４ｂとはウェ
ッジボンディングにより接合されている。
【００３７】また、配線基板（第２の基板、相手側部
材）１０は、例えばプリント配線基板より構成され、そ
の一面１０ａには、図２及び図３に示す様に、例えばＣ
ｕ、Ｎｉ、Ａｕやはんだ材料等よりなる配線１１が複数
個形成されている。また、各配線１１は、配線基板１０
の一面１０ａに形成されたソルダレジスト１２により、
一部が開口するように被覆されている。なお、図３中の
右図における矩形の破線Ｋは、搭載されるべきＩＣチッ
プ１の外周形状に対応したものである。
材）１０は、例えばプリント配線基板より構成され、そ
の一面１０ａには、図２及び図３に示す様に、例えばＣ
ｕ、Ｎｉ、Ａｕやはんだ材料等よりなる配線１１が複数
個形成されている。また、各配線１１は、配線基板１０
の一面１０ａに形成されたソルダレジスト１２により、
一部が開口するように被覆されている。なお、図３中の
右図における矩形の破線Ｋは、搭載されるべきＩＣチッ
プ１の外周形状に対応したものである。
【００３８】各配線１１におけるソルダレジスト１２か
ら開口した部分は、基板ランド（本発明でいう第２の電
極、相手側部材の電極部）１３として構成されており、
各基板ランド１３はＩＣチップ１のバンプ５、６に対応
した位置に位置する。そのため、複数個の基板ランド１
３は、バンプ形成パッド部４ａ及びバンプ５に対応した
位置に形成されたパッド対応ランド１３ａと、別部位バ
ンプ６に対応した位置に形成された非対応ランド１３ｂ
とよりなる。
ら開口した部分は、基板ランド（本発明でいう第２の電
極、相手側部材の電極部）１３として構成されており、
各基板ランド１３はＩＣチップ１のバンプ５、６に対応
した位置に位置する。そのため、複数個の基板ランド１
３は、バンプ形成パッド部４ａ及びバンプ５に対応した
位置に形成されたパッド対応ランド１３ａと、別部位バ
ンプ６に対応した位置に形成された非対応ランド１３ｂ
とよりなる。
【００３９】相対位置が同じであるパッド対応ランド１
３ａとバンプ形成パッド部４ａとは、バンプ５により電
気的に接続され、相対位置の異なる非対応ランド１３ｂ
と非形成パッド部４ｂとは、別部位バンプ６及びワイヤ
７を介して電気的に接続されている。図３中、ＩＣチッ
プ１搭載時に互いに接続される別部位バンプ６と非形成
パッド部４ｂとは、破線矢印にて対応づけている。ここ
で、基板ランド１３（ランド１３ａ、１３ｂ）とバンプ
５、６との接続は、はんだや導電性接着剤等よりなる接
続材１４を介して行われている。
３ａとバンプ形成パッド部４ａとは、バンプ５により電
気的に接続され、相対位置の異なる非対応ランド１３ｂ
と非形成パッド部４ｂとは、別部位バンプ６及びワイヤ
７を介して電気的に接続されている。図３中、ＩＣチッ
プ１搭載時に互いに接続される別部位バンプ６と非形成
パッド部４ｂとは、破線矢印にて対応づけている。ここ
で、基板ランド１３（ランド１３ａ、１３ｂ）とバンプ
５、６との接続は、はんだや導電性接着剤等よりなる接
続材１４を介して行われている。
【００４０】また、非対応ランド１３ｂには、配線基板
１０の一面１０ａから内部に向かってビアホール（図３
中、丸中に×の印にて図示）１５が形成され、このビア
ホール１５を介して、非対応ランド１３ｂからの信号が
配線基板１０の一面１０ａとは反対の他面（図示せず）
側へ取り出し可能となっている。
１０の一面１０ａから内部に向かってビアホール（図３
中、丸中に×の印にて図示）１５が形成され、このビア
ホール１５を介して、非対応ランド１３ｂからの信号が
配線基板１０の一面１０ａとは反対の他面（図示せず）
側へ取り出し可能となっている。
【００４１】また、それぞれの一面１ａ、１０ａが対向
するように配置されたＩＣチップ１と配線基板１０との
間には、エポキシ樹脂等よりなるアンダーフィル１６が
充填され、各接合部を保護している。
するように配置されたＩＣチップ１と配線基板１０との
間には、エポキシ樹脂等よりなるアンダーフィル１６が
充填され、各接合部を保護している。
【００４２】ここで、本実施形態では、上記各部材２〜
７を備えたＩＣチップ１が、本発明の基板に相当するも
のである。すなわち、本発明の基板としてのＩＣチップ
１は、一面１ａに形成された複数個のパッド部４（４
ａ、４ｂ）を、配線基板１０の基板ランド１３（１３
ａ、１３ｂ）に対してバンプ５、６を介して接続するも
のであって、一面１ａ側において複数個のパッド部４の
うち非形成パッド部４ｂとは別部位に、バンプ（別部位
バンプ）６が形成されたものである。
７を備えたＩＣチップ１が、本発明の基板に相当するも
のである。すなわち、本発明の基板としてのＩＣチップ
１は、一面１ａに形成された複数個のパッド部４（４
ａ、４ｂ）を、配線基板１０の基板ランド１３（１３
ａ、１３ｂ）に対してバンプ５、６を介して接続するも
のであって、一面１ａ側において複数個のパッド部４の
うち非形成パッド部４ｂとは別部位に、バンプ（別部位
バンプ）６が形成されたものである。
【００４３】次に、上記基板の接続構造を実現するため
の接続方法について述べるが、まず、図１に示した各部
材２〜７を備えたＩＣチップ１の製造方法について述
べ、続いて、このＩＣチップ１と配線基板１０との接続
方法について述べることとする。
の接続方法について述べるが、まず、図１に示した各部
材２〜７を備えたＩＣチップ１の製造方法について述
べ、続いて、このＩＣチップ１と配線基板１０との接続
方法について述べることとする。
【００４４】まず、シリコン基板等に素子を形成してな
るＩＣチップ１に、上述した様な手法にて、配線２及び
保護膜３を形成したワークを用意する。ここで、図４は
各部材２〜７を備えたＩＣチップ１の製造工程を示す概
略断面図であり、上記ワークに、別部位バンプ６及びワ
イヤ７を形成する工程を示すものである。
るＩＣチップ１に、上述した様な手法にて、配線２及び
保護膜３を形成したワークを用意する。ここで、図４は
各部材２〜７を備えたＩＣチップ１の製造工程を示す概
略断面図であり、上記ワークに、別部位バンプ６及びワ
イヤ７を形成する工程を示すものである。
【００４５】この別部位バンプ６及びワイヤ７の形成
は、上記した特開平７−１８３３０３号公報に記載のよ
うなスタッドバンプ技術を応用した方法を用いる。本実
施形態では、バンプを形成するための装置として、従来
いわゆるネールヘッドボンディングに用いてきたワイヤ
ボンダを採用することができる。ここで、ボンディング
キャピラリとしては、従来、金ワイヤによるネールヘッ
ドボンディングに用いているセラミック製のものを使用
できる。
は、上記した特開平７−１８３３０３号公報に記載のよ
うなスタッドバンプ技術を応用した方法を用いる。本実
施形態では、バンプを形成するための装置として、従来
いわゆるネールヘッドボンディングに用いてきたワイヤ
ボンダを採用することができる。ここで、ボンディング
キャピラリとしては、従来、金ワイヤによるネールヘッ
ドボンディングに用いているセラミック製のものを使用
できる。
【００４６】図４（ａ）に示す様に、キャピラリ１００
の内部に挿入された金ワイヤ（金属ワイヤ）１０１にお
いて、キャピラリ１００の先端のワイヤ導出口から金ワ
イヤ１０１を出し、スパークによって金ワイヤ１０１の
先端を溶融（加熱溶融）し、ボール（膨頭部）１０２を
形成する（膨頭部形成工程）。
の内部に挿入された金ワイヤ（金属ワイヤ）１０１にお
いて、キャピラリ１００の先端のワイヤ導出口から金ワ
イヤ１０１を出し、スパークによって金ワイヤ１０１の
先端を溶融（加熱溶融）し、ボール（膨頭部）１０２を
形成する（膨頭部形成工程）。
【００４７】次に、図４（ｂ）に示す様に、用意された
上記ワークに対して別部位バンプ６を形成する。即ち、
ボール１０２をキャピラリ１００の先端で、ＩＣチップ
１の一面１ａ側の保護膜３上に押し当てることにより押
しつぶして圧着する。この押しつぶされ圧着されたボー
ル１０２は、別部位バンプ６となる（バンプ形成工
程）。このバンプ形成工程では、ＩＣチップ１を加熱す
ることで、ボール１０２を加熱しつつ押しつぶしてもよ
い。このように、別部位バンプ６はボンディングワイヤ
である金ワイヤ１０１を加熱、加圧並びに超音波により
摺動することにより形成される。
上記ワークに対して別部位バンプ６を形成する。即ち、
ボール１０２をキャピラリ１００の先端で、ＩＣチップ
１の一面１ａ側の保護膜３上に押し当てることにより押
しつぶして圧着する。この押しつぶされ圧着されたボー
ル１０２は、別部位バンプ６となる（バンプ形成工
程）。このバンプ形成工程では、ＩＣチップ１を加熱す
ることで、ボール１０２を加熱しつつ押しつぶしてもよ
い。このように、別部位バンプ６はボンディングワイヤ
である金ワイヤ１０１を加熱、加圧並びに超音波により
摺動することにより形成される。
【００４８】次に、図４（ｃ）に示す様に、キャピラリ
１００を別部位バンプ６の上方でループ状に動かして、
キャピラリ１００の先端を別部位バンプ６の側方部まで
移動させて金ワイヤ１０１を別部位バンプ６の側方部に
圧着する。そして、図４（ｄ）中の矢印に示す様にキャ
ピラリ１００を動かし、この圧着部を起点として金ワイ
ヤ１０１を別部位バンプ６から伸びるように、キャピラ
リ１００の先端から金ワイヤ１０１を繰り出し、非形成
パッド部４ｂまで水平に引き回す（引き回し工程）。
１００を別部位バンプ６の上方でループ状に動かして、
キャピラリ１００の先端を別部位バンプ６の側方部まで
移動させて金ワイヤ１０１を別部位バンプ６の側方部に
圧着する。そして、図４（ｄ）中の矢印に示す様にキャ
ピラリ１００を動かし、この圧着部を起点として金ワイ
ヤ１０１を別部位バンプ６から伸びるように、キャピラ
リ１００の先端から金ワイヤ１０１を繰り出し、非形成
パッド部４ｂまで水平に引き回す（引き回し工程）。
【００４９】そして、図４（ｅ）に示す様に、キャピラ
リ１００の先端を非形成パッド部４ｂに押しつけるよう
に移動させることにより、引き回された金ワイヤ１０１
を超音波接合等を用いて非形成パッド部４ｂに圧着する
（圧着工程）。
リ１００の先端を非形成パッド部４ｂに押しつけるよう
に移動させることにより、引き回された金ワイヤ１０１
を超音波接合等を用いて非形成パッド部４ｂに圧着する
（圧着工程）。
【００５０】その後、キャピラリ１００を非形成パッド
部４ｂから遠ざけ、金ワイヤ１０１を切断することによ
り、ワイヤ７が形成される（ワイヤ形成工程）。なお、
バンプ形成パッド部４ａへのバンプ５の形成は、上記し
た特開平７−１８３３０３号公報に記載のスタッドバン
プ技術を用い、金ワイヤ１０１を加熱、加圧並びに超音
波により摺動することで行うことができる。こうして、
上記各部材２〜７を備えたＩＣチップ１を適切に製造す
ることができる。
部４ｂから遠ざけ、金ワイヤ１０１を切断することによ
り、ワイヤ７が形成される（ワイヤ形成工程）。なお、
バンプ形成パッド部４ａへのバンプ５の形成は、上記し
た特開平７−１８３３０３号公報に記載のスタッドバン
プ技術を用い、金ワイヤ１０１を加熱、加圧並びに超音
波により摺動することで行うことができる。こうして、
上記各部材２〜７を備えたＩＣチップ１を適切に製造す
ることができる。
【００５１】この各部材２〜７を備えたＩＣチップ１
を、配線基板１０に対して、各々の一面１ａ、１０ａが
対向するように配置する。ここで、アンダーフィル１６
を、ＩＣチップ１及び配線基板１０のどちらか一方の一
面にポッティングした後、上記対向配置を行う。その
後、両者１、１０の対向間隔が狭まるように加圧して、
各バンプ５、６を配線基板１０の基板ランド１３に密着
させ、上記接続材１４及びアンダーフィル１６の硬化を
行うことで、図２に示す接続構造が完成する。
を、配線基板１０に対して、各々の一面１ａ、１０ａが
対向するように配置する。ここで、アンダーフィル１６
を、ＩＣチップ１及び配線基板１０のどちらか一方の一
面にポッティングした後、上記対向配置を行う。その
後、両者１、１０の対向間隔が狭まるように加圧して、
各バンプ５、６を配線基板１０の基板ランド１３に密着
させ、上記接続材１４及びアンダーフィル１６の硬化を
行うことで、図２に示す接続構造が完成する。
【００５２】ところで、本実施形態によれば、ＩＣチッ
プ１の一面１ａ側において、非形成パッド部４ｂとは別
部位に別部位バンプ６を形成し、別部位バンプ６と非形
成パッド部４ｂとの間をワイヤボンディングにより形成
されたワイヤ７で結線することにより、相対位置の異な
る非形成パッド部４ｂと非対応ランド１３ｂとを、容易
に電気的に接続することができる。
プ１の一面１ａ側において、非形成パッド部４ｂとは別
部位に別部位バンプ６を形成し、別部位バンプ６と非形
成パッド部４ｂとの間をワイヤボンディングにより形成
されたワイヤ７で結線することにより、相対位置の異な
る非形成パッド部４ｂと非対応ランド１３ｂとを、容易
に電気的に接続することができる。
【００５３】そのため、スパッタや蒸着等、回路特性に
変動を与えるようなウェハレベルでの工程を行うことな
く、ＩＣチップレベルで非形成パッド部（第１の電極、
電極パッド）４ｂの再配置を行うことができる。よっ
て、本実施形態によれば、基板の回路特性の変動を防止
しつつ、電極パッドの再配置をチップレベルで実行可能
とした基板と相手側部材との接続構造を提供することが
できる。
変動を与えるようなウェハレベルでの工程を行うことな
く、ＩＣチップレベルで非形成パッド部（第１の電極、
電極パッド）４ｂの再配置を行うことができる。よっ
て、本実施形態によれば、基板の回路特性の変動を防止
しつつ、電極パッドの再配置をチップレベルで実行可能
とした基板と相手側部材との接続構造を提供することが
できる。
【００５４】また、本実施形態によれば、別部位バンプ
６と非形成パッド部４ｂとを結線するワイヤ７を、ＩＣ
チップ１の一面１ａからみて複数個のバンプ５、６の突
出方向の高さよりも低い位置に配置しているから、ワイ
ヤ７が配線基板１０に接触することを防止できる。
６と非形成パッド部４ｂとを結線するワイヤ７を、ＩＣ
チップ１の一面１ａからみて複数個のバンプ５、６の突
出方向の高さよりも低い位置に配置しているから、ワイ
ヤ７が配線基板１０に接触することを防止できる。
【００５５】また、パッド部４は、ＩＣチップ１に形成
された回路の一部として構成されるが、別部位バンプ６
を、ＩＣチップ１の一面１ａ側のうちパッド部４とは電
気的に絶縁された部位である保護膜（絶縁部）３に形成
しているため、該回路に電気的な影響を与えることが無
く好ましい。
された回路の一部として構成されるが、別部位バンプ６
を、ＩＣチップ１の一面１ａ側のうちパッド部４とは電
気的に絶縁された部位である保護膜（絶縁部）３に形成
しているため、該回路に電気的な影響を与えることが無
く好ましい。
【００５６】また、本発明の基板としてのＩＣチップ１
によれば、パッド部（電極パッド）４とは別部位に別部
位バンプ６を形成しているため、基板の回路特性の変動
を防止しつつ、電極パッドの再配置をチップレベルで安
価に実行可能とした基板を提供することが出来る。
によれば、パッド部（電極パッド）４とは別部位に別部
位バンプ６を形成しているため、基板の回路特性の変動
を防止しつつ、電極パッドの再配置をチップレベルで安
価に実行可能とした基板を提供することが出来る。
【００５７】また、ＩＣチップ１のバンプ５及び６を、
ワイヤボンディング用のワイヤ１０１を加熱、加圧する
ことにより成形されたものとし、別部位バンプ６と非形
成パッド部４ｂとを結線するワイヤ７をワイヤボンディ
ングにより形成されたものとしているから、上記図４の
製造方法に示したように、ワイヤボンディング装置を用
いて、容易に製造できる。
ワイヤボンディング用のワイヤ１０１を加熱、加圧する
ことにより成形されたものとし、別部位バンプ６と非形
成パッド部４ｂとを結線するワイヤ７をワイヤボンディ
ングにより形成されたものとしているから、上記図４の
製造方法に示したように、ワイヤボンディング装置を用
いて、容易に製造できる。
【００５８】（第２実施形態）なお、本発明の基板とし
てのＩＣチップ１は、図５の工程図（概略断面図）に示
す方法によって製造しても良い。図５に示す本実施形態
の製造方法は、別部位バンプ６をスタッドバンプ法によ
らない方法で形成するものである。まず、図５（ａ）に
示す様に、上記第１実施形態と同様に膨頭部形成工程を
行い、ボール１０２を形成する。
てのＩＣチップ１は、図５の工程図（概略断面図）に示
す方法によって製造しても良い。図５に示す本実施形態
の製造方法は、別部位バンプ６をスタッドバンプ法によ
らない方法で形成するものである。まず、図５（ａ）に
示す様に、上記第１実施形態と同様に膨頭部形成工程を
行い、ボール１０２を形成する。
【００５９】次に、図５（ｂ）の矢印に示す様に、金ワ
イヤ１０１をキャピラリ１００の先端から繰り出し、キ
ャピラリ１００の先端を支点として、金ワイヤ１０１を
繰り出し方向と交差する方向に曲げ変形させる（ワイヤ
曲げ工程）。
イヤ１０１をキャピラリ１００の先端から繰り出し、キ
ャピラリ１００の先端を支点として、金ワイヤ１０１を
繰り出し方向と交差する方向に曲げ変形させる（ワイヤ
曲げ工程）。
【００６０】そして、図５（ｃ）に示す様に、金ワイヤ
１０１における曲げられた部分を、非形成バッド部４ｂ
に押し付け、圧着する。その後、キャピラリ１００を非
形成パッド部４ｂから遠ざけ、金ワイヤ１０１を切断す
ることにより、ワイヤ７が形成される。次に、バンプ形
成パッド部４ａに対して、上記第１実施形態と同様にし
てバンプ５を形成する。
１０１における曲げられた部分を、非形成バッド部４ｂ
に押し付け、圧着する。その後、キャピラリ１００を非
形成パッド部４ｂから遠ざけ、金ワイヤ１０１を切断す
ることにより、ワイヤ７が形成される。次に、バンプ形
成パッド部４ａに対して、上記第１実施形態と同様にし
てバンプ５を形成する。
【００６１】次に、図５（ｄ）に示す様に、加圧治具１
１０を用いて、ボール１０２をＩＣチップ１の一面１ａ
側の保護膜３に押しつけ、密着させると、押しつぶされ
たボール１０２により別部位バンプ６が形成される。こ
のとき、図に示すように、ＩＣチップ１の一面１ａ上の
全てのバンプ５、６を同時に加圧することにより、各バ
ンプ５、６の高さを均一に制御できる。
１０を用いて、ボール１０２をＩＣチップ１の一面１ａ
側の保護膜３に押しつけ、密着させると、押しつぶされ
たボール１０２により別部位バンプ６が形成される。こ
のとき、図に示すように、ＩＣチップ１の一面１ａ上の
全てのバンプ５、６を同時に加圧することにより、各バ
ンプ５、６の高さを均一に制御できる。
【００６２】ここで、図５（ｄ）に示す工程において、
図中の１１１はＩＣチップ１の一面１ａ上にポッティン
グして加熱することにより濡れ広げられた接着剤であ
る。この接着剤１１１は、バンプ５、６の接合部やワイ
ヤ７を封止して保護するもので、アンダーフィル１６に
用いられるエポキシ樹脂等より構成できる。これら図５
（ｃ）及び（ｄ）に示す工程が密着工程である。
図中の１１１はＩＣチップ１の一面１ａ上にポッティン
グして加熱することにより濡れ広げられた接着剤であ
る。この接着剤１１１は、バンプ５、６の接合部やワイ
ヤ７を封止して保護するもので、アンダーフィル１６に
用いられるエポキシ樹脂等より構成できる。これら図５
（ｃ）及び（ｄ）に示す工程が密着工程である。
【００６３】なお、例えば、加圧治具１１０をボール１
０２のみ加圧するものとすれば、金ワイヤ１０１におけ
る曲げられた部分の圧着とボール１０２の密着による別
部位バンプ６の形成とを同時に行うことも可能である。
また、図４及び図５に示した製造方法は、上記のスタッ
ドバンプ技術を応用したものであり、ボンディングワイ
ヤとしては、金ワイヤ以外にもスタッドバンプ技術に用
いられるものであれば何でも良い。
０２のみ加圧するものとすれば、金ワイヤ１０１におけ
る曲げられた部分の圧着とボール１０２の密着による別
部位バンプ６の形成とを同時に行うことも可能である。
また、図４及び図５に示した製造方法は、上記のスタッ
ドバンプ技術を応用したものであり、ボンディングワイ
ヤとしては、金ワイヤ以外にもスタッドバンプ技術に用
いられるものであれば何でも良い。
【００６４】（第３実施形態）なお、保護膜３上に別部
位バンプ６を供給するに当たり、バンプ６の密着強度が
必要な場合には、保護膜３上にシランカップリング剤を
予め塗布、加熱乾燥させた上に、バンプ形成する方法も
ある。図６は、シランカップリング剤を用いた別部位バ
ンプ６の形成方法を示す工程図（概略断面図）である。
位バンプ６を供給するに当たり、バンプ６の密着強度が
必要な場合には、保護膜３上にシランカップリング剤を
予め塗布、加熱乾燥させた上に、バンプ形成する方法も
ある。図６は、シランカップリング剤を用いた別部位バ
ンプ６の形成方法を示す工程図（概略断面図）である。
【００６５】図６（ａ）に示す様に、例えば硬質ゴム等
よりなるスタンプ治具１２０を用いて、ＩＣチップ１の
保護膜３上の別部位バンプ６形成部位にシランカップリ
ング剤１２１を塗布する。次に、図６（ｂ）に示す様
に、ＩＣチップ１を加熱ヒータ１２２上に載せ、加熱す
ることで、塗布されたシランカップリング剤１２１を加
熱乾燥させる。
よりなるスタンプ治具１２０を用いて、ＩＣチップ１の
保護膜３上の別部位バンプ６形成部位にシランカップリ
ング剤１２１を塗布する。次に、図６（ｂ）に示す様
に、ＩＣチップ１を加熱ヒータ１２２上に載せ、加熱す
ることで、塗布されたシランカップリング剤１２１を加
熱乾燥させる。
【００６６】この後、上記第１実施形態に述べた膨頭部
形成、バンプ形成、引き回し、圧着、及びワイヤ形成の
各工程を行い、図６（ｃ）に示す状態のものが得られ
る。そして、他のバンプ５を形成した後、上記図５
（ｄ）にて述べたのと同様に、加圧治具１１０を用い
て、各バンプ５、６の高さ制御を行う。こうして、各部
材２〜７を備えたＩＣチップ１が出来上がる。本実施形
態においても、上記第１実施形態と同様の効果が得られ
るとともに、別部位バンプ６と保護膜３との密着強度を
より向上させることができる。
形成、バンプ形成、引き回し、圧着、及びワイヤ形成の
各工程を行い、図６（ｃ）に示す状態のものが得られ
る。そして、他のバンプ５を形成した後、上記図５
（ｄ）にて述べたのと同様に、加圧治具１１０を用い
て、各バンプ５、６の高さ制御を行う。こうして、各部
材２〜７を備えたＩＣチップ１が出来上がる。本実施形
態においても、上記第１実施形態と同様の効果が得られ
るとともに、別部位バンプ６と保護膜３との密着強度を
より向上させることができる。
【００６７】（第４実施形態）また、別部位バンプ６の
形成時に保護膜３が割れる場合や、別部位バンプ６の形
成部位がポリイミド樹脂等で構成され、バンプ形成には
柔らかすぎる場合には、別のガラス基板上でバンプ６を
形成し、熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂等）等の接着剤で
貼り付ける様にしても良い。図７はこの接着剤を用いた
別部位バンプ６の形成方法を示す工程図（概略断面図）
である。
形成時に保護膜３が割れる場合や、別部位バンプ６の形
成部位がポリイミド樹脂等で構成され、バンプ形成には
柔らかすぎる場合には、別のガラス基板上でバンプ６を
形成し、熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂等）等の接着剤で
貼り付ける様にしても良い。図７はこの接着剤を用いた
別部位バンプ６の形成方法を示す工程図（概略断面図）
である。
【００６８】上記の膨頭部形成工程を行い、図７（ａ）
に示す様に、別のガラス基板１３０の一面１３０ａに対
して、上記図４（ｂ）及び（ｃ）に示す工程と同様の加
圧処理を行い、側方部に金ワイヤ１０１が圧着された別
部位バンプ６を形成する。次に、図７（ｂ）に示す様
に、トレイ１３１に置かれた接着剤１３２までキャピラ
リ１００を移動させ、別部位バンプ６の圧着面に接着剤
１３２を付着させる。
に示す様に、別のガラス基板１３０の一面１３０ａに対
して、上記図４（ｂ）及び（ｃ）に示す工程と同様の加
圧処理を行い、側方部に金ワイヤ１０１が圧着された別
部位バンプ６を形成する。次に、図７（ｂ）に示す様
に、トレイ１３１に置かれた接着剤１３２までキャピラ
リ１００を移動させ、別部位バンプ６の圧着面に接着剤
１３２を付着させる。
【００６９】次に、図７（ｃ）に示す様に、キャピラリ
１００を移動して、接着剤１３２が付着した別部位バン
プ６を保護膜３上に配置させ、接着剤１３２を介して別
部位バンプ６を保護膜３に接触させる。そして、加熱ヒ
ータ１３３により接着剤１３２を加熱硬化させ、別部位
バンプ６を保護膜３に接着する。なお、接着剤１３２
は、例えば数秒〜１０秒程度で熱硬化する即硬化性の接
着剤を用いることが好ましい。
１００を移動して、接着剤１３２が付着した別部位バン
プ６を保護膜３上に配置させ、接着剤１３２を介して別
部位バンプ６を保護膜３に接触させる。そして、加熱ヒ
ータ１３３により接着剤１３２を加熱硬化させ、別部位
バンプ６を保護膜３に接着する。なお、接着剤１３２
は、例えば数秒〜１０秒程度で熱硬化する即硬化性の接
着剤を用いることが好ましい。
【００７０】さらに、ワイヤ７及び他のバンプ５を形成
した後、上記図５（ｄ）にて述べたのと同様に、加圧治
具１１０を用いて、各バンプ５、６の高さ制御を行う。
こうして、各部材２〜７を備えたＩＣチップ１が出来上
がる。本実施形態においても、上記第１実施形態と同様
の効果が得られるとともに、別部位バンプ６の形成部が
柔らかすぎる場合に、バンプ形成を良好に行うことが出
来る。
した後、上記図５（ｄ）にて述べたのと同様に、加圧治
具１１０を用いて、各バンプ５、６の高さ制御を行う。
こうして、各部材２〜７を備えたＩＣチップ１が出来上
がる。本実施形態においても、上記第１実施形態と同様
の効果が得られるとともに、別部位バンプ６の形成部が
柔らかすぎる場合に、バンプ形成を良好に行うことが出
来る。
【００７１】（他の実施形態）なお、上記実施形態にお
いては、ワイヤ７を別部位バンプ６と同一の金属より形
成したが、例えば、別部位バンプ６のみをスタッドバン
プ法により形成しておき、その後、ワイヤ７の両端を別
部位バンプ６とパッド部４とにはんだ付けするように結
線してもよい。この場合、ワイヤ７と別部位バンプ６と
は同一金属でも、互いに異なる金属であってもよい。
いては、ワイヤ７を別部位バンプ６と同一の金属より形
成したが、例えば、別部位バンプ６のみをスタッドバン
プ法により形成しておき、その後、ワイヤ７の両端を別
部位バンプ６とパッド部４とにはんだ付けするように結
線してもよい。この場合、ワイヤ７と別部位バンプ６と
は同一金属でも、互いに異なる金属であってもよい。
【００７２】また、別部位バンプ６が形成されるＩＣチ
ップ１の一面１ａ側の絶縁部としては、保護膜３以外に
も、ＩＣチップ１の一面１ａ側における不導体部分、あ
るいは、該一面１ａ上にＩＣチップ１の回路と独立して
形成された金属膜等であっても良い。
ップ１の一面１ａ側の絶縁部としては、保護膜３以外に
も、ＩＣチップ１の一面１ａ側における不導体部分、あ
るいは、該一面１ａ上にＩＣチップ１の回路と独立して
形成された金属膜等であっても良い。
【００７３】また、上記実施形態では、別部位バンプ６
と非形成パッド部４ｂとがワイヤ７により結線されてい
るが、ＩＣチップ１の回路構成上、別部位バンプ６とバ
ンプ形成パッド部４ａとを結線しても良い。
と非形成パッド部４ｂとがワイヤ７により結線されてい
るが、ＩＣチップ１の回路構成上、別部位バンプ６とバ
ンプ形成パッド部４ａとを結線しても良い。
【００７４】さらに言うならば、１つの別部位バンプ６
と複数個のパッド部４とをワイヤ７により結線しても良
い。この場合、結線される複数個のパッド部４は、バン
プ形成パッド部４ａのみでも、非形成パッド部４ｂのみ
でも良く、また、その両方が混在していてもよい。ま
た、ＩＣチップ１と配線基板１０とを接続する複数個の
バンプのうち、少なくとも１個が別部位バンプ６であれ
ばよく、また、全てが別部位バンプ６であってもよい。
と複数個のパッド部４とをワイヤ７により結線しても良
い。この場合、結線される複数個のパッド部４は、バン
プ形成パッド部４ａのみでも、非形成パッド部４ｂのみ
でも良く、また、その両方が混在していてもよい。ま
た、ＩＣチップ１と配線基板１０とを接続する複数個の
バンプのうち、少なくとも１個が別部位バンプ６であれ
ばよく、また、全てが別部位バンプ６であってもよい。
【００７５】以上述べてきたように、本発明は、別部位
バンプの形成を要部としており、上記ＩＣチップ以外に
も、一面に形成された電極パッドを相手側部材の電極部
に対して金属製のバンプを介して接続するようにした基
板ならば、どのような基板にも適用可能であり、また、
相手側部材もプリント配線基板だけでなく、セラミック
の配線基板にも適用可能である。
バンプの形成を要部としており、上記ＩＣチップ以外に
も、一面に形成された電極パッドを相手側部材の電極部
に対して金属製のバンプを介して接続するようにした基
板ならば、どのような基板にも適用可能であり、また、
相手側部材もプリント配線基板だけでなく、セラミック
の配線基板にも適用可能である。
【図１】本発明の第１実施形態に係るＩＣチップを示す
概略断面図である。
概略断面図である。
【図２】図１に示すＩＣチップと配線基板との接続構造
を示す概略断面図である。
を示す概略断面図である。
【図３】図１に示すＩＣチップ及び配線基板の概略平面
図である。
図である。
【図４】図１に示すＩＣチップの製造方法を示す工程図
である。
である。
【図５】本発明の第２実施形態に係るＩＣチップの製造
方法を示す工程図である。
方法を示す工程図である。
【図６】本発明の第３実施形態に係るＩＣチップの製造
方法を示す工程図である。
方法を示す工程図である。
【図７】本発明の第４実施形態に係るＩＣチップの製造
方法を示す工程図である。
方法を示す工程図である。
１…ＩＣチップ、１ａ…ＩＣチップの一面、３…保護
膜、４…パッド部、４ｂ…非形成パッド部、５…バン
プ、６…別部位バンプ、７…ワイヤ、１０…配線基板、
１０ａ…配線基板の一面、１３…基板ランド、１３ｂ…
非対応ランド、１００…キャピラリ、１０１…金ワイ
ヤ、１０２…ボール、１２１…シランカップリング剤、
１３２…接着剤。
膜、４…パッド部、４ｂ…非形成パッド部、５…バン
プ、６…別部位バンプ、７…ワイヤ、１０…配線基板、
１０ａ…配線基板の一面、１３…基板ランド、１３ｂ…
非対応ランド、１００…キャピラリ、１０１…金ワイ
ヤ、１０２…ボール、１２１…シランカップリング剤、
１３２…接着剤。
Claims (16)
- 【請求項１】 一面（１ａ）に複数個の第１の電極
（４）が形成された第１の基板（１）と、 一面（１０ａ）に複数個の第２の電極（１３）が形成さ
れた第２の基板（１０）と、 前記第１の基板の前記一面より突出して形成された金属
製の複数個のバンプ（５、６）とを備え、 前記第１及び第２の基板は、それぞれの前記一面が対向
するように配置されており、前記バンプを介して前記第
１の電極と前記第２の電極とが電気的に接続されている
基板の接続構造において、 前記バンプのうち少なくとも１つは、前記第１の基板に
おける前記一面側のうち前記第１の電極とは別部位
（３）に形成された別部位バンプ（６）として構成され
ており、 この別部位バンプを介して相対位置の異なる前記第１の
電極（４ｂ）と前記第２の電極（１３ｂ）とが電気的に
接続されていることを特徴とする基板の接続構造。 - 【請求項２】 前記別部位バンプ（６）と前記第１の電
極（４ｂ）との間は、金属製の線材（７）によりつなが
れていることを特徴とする請求項１に記載の基板の接続
構造。 - 【請求項３】 前記線材（７）は、ワイヤボンディング
により形成されたものであることを特徴とする請求項２
に記載の基板の接続構造。 - 【請求項４】 前記線材（７）は、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ、
Ｐｂ、Ｓｎ及びこれらのうちの少なくとも１つを主成分
とした合金のうちのいずれか１つよりなることを特徴と
する請求項２または３に記載の基板の接続構造。 - 【請求項５】 前記線材（７）は、前記第１の基板
（１）の前記一面（１ａ）からみて前記複数個のバンプ
（５、６）の突出方向の高さよりも低い位置に配置され
ていることを特徴とする請求項２ないし４のいずれか１
つに記載の基板の接続構造。 - 【請求項６】 前記別部位バンプ（６）は、ワイヤボン
ディング用のワイヤを加熱、加圧、並びに超音波による
摺動することにより成形されたものであることを特徴と
する請求項１ないし５のいずれか１つに記載の基板の接
続構造。 - 【請求項７】 前記別部位バンプ（６）は、前記第１の
基板（１）における前記一面（１ａ）側のうち前記第１
の電極（４）と電気的に絶縁された絶縁部（３）に形成
されていることを特徴とする請求項１ないし６のいずれ
か１つに記載の基板の接続構造。 - 【請求項８】 前記第１の基板（１）における前記絶縁
部は、前記第１の基板の前記一面（１ａ）を被覆して保
護する絶縁性の保護膜（３）であることを特徴とする請
求項７に記載の基板の接続構造。 - 【請求項９】 前記保護膜（３）と前記別部位バンプ
（６）とはシランカップリング剤（１２１）により接着
されていることを特徴とする請求項８に記載の基板の接
続構造。 - 【請求項１０】 前記保護膜（３）と前記別部位バンプ
（６）とは熱硬化性樹脂よりなる接着剤（１３２）によ
り接着されていることを特徴とする請求項８に記載の基
板の接続構造。 - 【請求項１１】 前記別部位バンプ（６）は、Ａｕ、Ａ
ｌ、Ｃｕ、Ｐｂ、Ｓｎ及びこれらのうちの少なくとも１
つを主成分とした合金のうちのいずれか１つよりなるこ
とを特徴とする請求項１ないし１０のいずれか１つに記
載の基板の接続構造。 - 【請求項１２】 一面（１ａ）に形成された電極パッド
（４）を、相手側部材（１０）の電極部（１３）に対し
て金属製のバンプ（５、６）を介して接続するようにし
た基板において、 前記一面側のうち前記電極パッドとは別部位（３）に金
属製のバンプ（６）が形成されていることを特徴とする
基板。 - 【請求項１３】 前記バンプ（６）は、ワイヤボンディ
ング用のワイヤを加熱、加圧することにより成形された
ものであり、 前記バンプ（６）と前記電極パッド（４ｂ）とは、ワイ
ヤボンディングにより形成された線材（７）により結線
されていることを特徴とする請求項１２に記載の基板。 - 【請求項１４】 請求項１３に記載の基板を製造する方
法であって、 キャピラリ（１００）の内部に挿入された金属ワイヤ
（１０１）において前記キャピラリの先端から導出され
た部分の先端に膨頭部（１０２）を形成する膨頭部形成
工程と、 前記キャピラリに挿入された前記金属ワイヤの前記膨頭
部を、前記基板（１）の前記一面（１ａ）側における前
記バンプ（６）を形成すべき部位に押し当てることによ
り押しつぶし、押しつぶされた膨頭部により前記バンプ
を形成するバンプ形成工程と、 前記金属ワイヤを前記バンプから伸びるように、前記キ
ャピラリの先端から繰り出し、前記電極パッド（４ｂ）
まで引き回す引き回し工程と、 引き回された金属ワイヤを前記電極パッドに押しつけ、
圧着させる圧着工程と、を備えることを特徴とする基板
の製造方法。 - 【請求項１５】 前記引き回し工程では、前記キャピラ
リ（１００）の先端を前記バンプ（６）の側方部まで移
動させて前記金属ワイヤ（１０１）を前記バンプの側方
部に圧着し、この圧着部を起点として前記キャピラリか
ら前記金属ワイヤを繰り出し、前記電極パッド（４ｂ）
まで水平に引き回すようにすることを特徴とする請求項
１４に記載の基板の製造方法。 - 【請求項１６】 請求項１３に記載の基板を製造する方
法であって、 キャピラリ（１００）の内部に挿入された金属ワイヤ
（１０１）において前記キャピラリの先端から導出され
た部分の先端に膨頭部（１０２）を形成する膨頭部形成
工程と、 前記金属ワイヤを前記キャピラリの先端から繰り出し、
繰り出した部分にて前記金属ワイヤを繰り出し方向と交
差する方向に曲げ変形させるワイヤ曲げ工程と、 前記金属ワイヤにおける曲げられた部分を、前記電極パ
ッド（４ｂ）に押し付け、圧着するとともに、前記膨頭
部を前記基板（１）の前記一面（１ａ）側における前記
バンプ（６）を形成すべき部位に密着させる密着工程
と、を備えることを特徴とする基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24895899A JP4006900B2 (ja) | 1999-09-02 | 1999-09-02 | 基板及びその接続構造並びに基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24895899A JP4006900B2 (ja) | 1999-09-02 | 1999-09-02 | 基板及びその接続構造並びに基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001077153A true JP2001077153A (ja) | 2001-03-23 |
| JP4006900B2 JP4006900B2 (ja) | 2007-11-14 |
Family
ID=17185941
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24895899A Expired - Fee Related JP4006900B2 (ja) | 1999-09-02 | 1999-09-02 | 基板及びその接続構造並びに基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4006900B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20230268312A1 (en) * | 2022-02-18 | 2023-08-24 | Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. | Soft touch eutectic solder pressure pad |
-
1999
- 1999-09-02 JP JP24895899A patent/JP4006900B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4006900B2 (ja) | 2007-11-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3297254B2 (ja) | 半導体パッケージおよびその製造方法 | |
| JP3233535B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| US6214642B1 (en) | Area array stud bump flip chip device and assembly process | |
| JP6408986B2 (ja) | Ｂｖａインタポーザ | |
| US6515357B2 (en) | Semiconductor package and semiconductor package fabrication method | |
| TW501208B (en) | Semiconductor device and manufacturing method of the same | |
| JP3176542B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| KR101643332B1 (ko) | 초음파 웰딩을 이용한 클립 본딩 반도체 칩 패키지 및 그 제조 방법 | |
| US6717252B2 (en) | Semiconductor device | |
| JPH08510358A (ja) | 集積回路チップと基板との相互接続 | |
| JPH02123685A (ja) | 金を含むワイヤを半田に接着する方法 | |
| KR20020005471A (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 | |
| JPH09162230A (ja) | 電子回路装置及びその製造方法 | |
| JP2000022300A (ja) | 配線基板および電子ユニット | |
| KR940027134A (ko) | 반도체집적회로장치의 제조방법 | |
| JP4006900B2 (ja) | 基板及びその接続構造並びに基板の製造方法 | |
| JP3529507B2 (ja) | 半導体装置 | |
| TW200536131A (en) | Semiconductor chip package | |
| JPH10233417A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPS63284831A (ja) | 混成集積回路の製造方法 | |
| JPH10189655A (ja) | 配線基板、半導体装置及び電子部品の実装方法 | |
| JPS6313337A (ja) | 半導体素子の実装方法 | |
| JP3745106B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP4175339B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2785441B2 (ja) | 半導体装置とその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051027 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060210 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070320 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070507 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070529 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070713 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070807 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070820 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100907 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100907 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110907 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110907 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120907 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120907 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130907 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |