JP2001068362A - 特に陰極線管に動力を供給するためのトランス - Google Patents
特に陰極線管に動力を供給するためのトランスInfo
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
- H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
- H01F27/30—Fastening or clamping coils, windings, or parts thereof together; Fastening or mounting coils or windings on core, casing, or other support
- H01F27/306—Fastening or mounting coils or windings on core, casing or other support
-
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-
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- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F38/00—Adaptations of transformers or inductances for specific applications or functions
- H01F38/42—Flyback transformers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 電気アークの発生の危険性なしに、トランス
の寸法、ひいては２つの切欠きの間の距離を低減する。 【解決手段】 本発明は、第１支持部２０と第２支持部
３０とを有するトランスに関する。第１支持部２０は、
少なくとも１つの一次巻線を有しており、第２支持部３
０は、導電線によって電気ユニット５２，５４に電気的
に接続された少なくとも１つの部分的な二次巻線を支持
している。第２支持部のフランジ３６は、導電線を収容
するための少なくとも２つの切欠き４８を有しており、
これらの切欠き４８は、絶縁材料で充填される凹所５０
によって分離させられている。
の寸法、ひいては２つの切欠きの間の距離を低減する。 【解決手段】 本発明は、第１支持部２０と第２支持部
３０とを有するトランスに関する。第１支持部２０は、
少なくとも１つの一次巻線を有しており、第２支持部３
０は、導電線によって電気ユニット５２，５４に電気的
に接続された少なくとも１つの部分的な二次巻線を支持
している。第２支持部のフランジ３６は、導電線を収容
するための少なくとも２つの切欠き４８を有しており、
これらの切欠き４８は、絶縁材料で充填される凹所５０
によって分離させられている。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、特に陰極線管に動
力を供給するためのトランスに関する。
力を供給するためのトランスに関する。
【０００２】
【従来の技術】一般的に、トランスは、第１支持部に取
り付けられた少なくとも１つの一次巻線と、第２支持部
に取り付けられた少なくとも１つの二次巻線とを有して
いる。
り付けられた少なくとも１つの一次巻線と、第２支持部
に取り付けられた少なくとも１つの二次巻線とを有して
いる。
【０００３】高圧トランスを構成する公知の形式は、ダ
イオードによって連続して連結された部分的な二次巻線
を提供することにある。巻線の軸線に対してほぼ平行な
方向の導電線は、部分的な二次巻線をダイオード、電気
接続端子又はその他のあらゆる電気的ユニットに接続し
ている。
イオードによって連続して連結された部分的な二次巻線
を提供することにある。巻線の軸線に対してほぼ平行な
方向の導電線は、部分的な二次巻線をダイオード、電気
接続端子又はその他のあらゆる電気的ユニットに接続し
ている。
【０００４】これらの導電線は、第２支持部のフランジ
に形成された切欠きによってガイドされている。電気ア
ークの発生を回避するために２つの切欠きの間には十分
な距離を提供することが必要であると一般的に考えられ
ている。
に形成された切欠きによってガイドされている。電気ア
ークの発生を回避するために２つの切欠きの間には十分
な距離を提供することが必要であると一般的に考えられ
ている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、電気アーク
の発生の危険性なしに、トランスの寸法、ひいては２つ
の切欠きの間の距離を低減しようとしている。
の発生の危険性なしに、トランスの寸法、ひいては２つ
の切欠きの間の距離を低減しようとしている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】このような目的を実現す
るために、本発明は、絶縁材料が充填された凹所によっ
て切欠きを分離させることを提案している。
るために、本発明は、絶縁材料が充填された凹所によっ
て切欠きを分離させることを提案している。
【０００７】絶縁材料が充填された凹所が設けられてい
ることにより、２つの導電線は、案内切欠きのレベルに
おいてさえも絶縁される。したがって、第２支持体の円
周に沿って放電が生じない。
ることにより、２つの導電線は、案内切欠きのレベルに
おいてさえも絶縁される。したがって、第２支持体の円
周に沿って放電が生じない。
【０００８】本発明は、国際公開第９９／０３１１８号
パンフレットに記載されているように、第２支持部が第
１支持部の内部に位置している場合に特に注目される。
パンフレットに記載されているように、第２支持部が第
１支持部の内部に位置している場合に特に注目される。
【０００９】トランスの寸法をさらに減じるために、本
発明は有利な解決手段を提案しており、この場合、第１
支持部が、第１支持部の円周の第１の部分において第２
支持部からほぼ一定の第１の距離を、第１支持部の円周
の第２の部分において第１の距離よりも大きな距離を有
しており、導電線が第２の部分に隣接して配置されてい
る。
発明は有利な解決手段を提案しており、この場合、第１
支持部が、第１支持部の円周の第１の部分において第２
支持部からほぼ一定の第１の距離を、第１支持部の円周
の第２の部分において第１の距離よりも大きな距離を有
しており、導電線が第２の部分に隣接して配置されてい
る。
【００１０】別の有利な特徴によれば、少なくとも１つ
のダイオードが、第２支持部と部分的な二次巻線との間
に収容されており；磁気回路が、前記第１の部分のレベ
ルにおいて第１支持部と第２支持部とによって横切られ
た窓を形成しており；電気ユニットのアセンブリが磁気
回路の外側に配置されており；ケーブルを収容するため
の第１のダクトが、第２のダクトに関連したケーブルを
保持するための少なくとも１つのクリップを有してお
り；第１支持部と第２支持部とが、前記絶縁材料で充填
された容器に収容されており；前記絶縁材料が樹脂であ
り；トランスが、陰極線管に動力を供給するために使用
される。
のダイオードが、第２支持部と部分的な二次巻線との間
に収容されており；磁気回路が、前記第１の部分のレベ
ルにおいて第１支持部と第２支持部とによって横切られ
た窓を形成しており；電気ユニットのアセンブリが磁気
回路の外側に配置されており；ケーブルを収容するため
の第１のダクトが、第２のダクトに関連したケーブルを
保持するための少なくとも１つのクリップを有してお
り；第１支持部と第２支持部とが、前記絶縁材料で充填
された容器に収容されており；前記絶縁材料が樹脂であ
り；トランスが、陰極線管に動力を供給するために使用
される。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を図面
につきさらに詳しく説明する。
につきさらに詳しく説明する。
【００１２】図１は高圧トランス２を示している。この
ようなトランス２は例えば、テレビジョン又はモニタに
おいて使用されるような陰極線管の電気的動力の供給の
ために使用される。これらのトランスは、２０〜３０ｋ
Ｖのオーダの電圧を（二次巻線において）出力しなけれ
ばならない。
ようなトランス２は例えば、テレビジョン又はモニタに
おいて使用されるような陰極線管の電気的動力の供給の
ために使用される。これらのトランスは、２０〜３０ｋ
Ｖのオーダの電圧を（二次巻線において）出力しなけれ
ばならない。
【００１３】トランス２は、容器（又はケーシング）４
を有しており、この容器４は、電気素子を収容しており
かつ磁気回路６によって横切られている。容器は、陰極
線管に動力を供給するための高圧ケーブルを収容するた
めのダクト８を有している。容器は、陰極線管のグリッ
ドをバイアスするためのケーブルを収容するための減じ
られたサイズの２つのダクト１０，１２をも有してい
る。減じられたサイズのダクトの一方１０は、減じられ
たサイズのダクトの他方１２に収容されなければならな
いケーブルを保持するためのクリップ１１を有してい
る。トランス２は、グリッドバイアシング電圧を調整す
るための２つのポテンショメータ１４，１６をも有して
いる。さらに、トランスは、トランスが取り付けられる
プリント回路へ接続のための突起１８をも有している。
を有しており、この容器４は、電気素子を収容しており
かつ磁気回路６によって横切られている。容器は、陰極
線管に動力を供給するための高圧ケーブルを収容するた
めのダクト８を有している。容器は、陰極線管のグリッ
ドをバイアスするためのケーブルを収容するための減じ
られたサイズの２つのダクト１０，１２をも有してい
る。減じられたサイズのダクトの一方１０は、減じられ
たサイズのダクトの他方１２に収容されなければならな
いケーブルを保持するためのクリップ１１を有してい
る。トランス２は、グリッドバイアシング電圧を調整す
るための２つのポテンショメータ１４，１６をも有して
いる。さらに、トランスは、トランスが取り付けられる
プリント回路へ接続のための突起１８をも有している。
【００１４】図２には、図１のトランスの分解図が示さ
れている。トランス２は、第１支持部２０と第２支持部
３０とを有している。第１支持部２０と第２支持部３０
とはほぼ円筒状であり、巻線の軸線Ｘを規定している。
れている。トランス２は、第１支持部２０と第２支持部
３０とを有している。第１支持部２０と第２支持部３０
とはほぼ円筒状であり、巻線の軸線Ｘを規定している。
【００１５】第１支持部２０は、トランス２の一次巻線
を支持している。第２支持部３０は、部分的な二次巻線
のアセンブリ（図示せず）を支持している。部分的な二
次巻線は第１支持部の内部に位置しており、すなわち、
部分的な二次巻線のレベルにおけるＸ軸に対して垂直な
平面で見た断面において、第２支持部３０の円周は、第
１支持部２０の円周の内側に収容されている。
を支持している。第２支持部３０は、部分的な二次巻線
のアセンブリ（図示せず）を支持している。部分的な二
次巻線は第１支持部の内部に位置しており、すなわち、
部分的な二次巻線のレベルにおけるＸ軸に対して垂直な
平面で見た断面において、第２支持部３０の円周は、第
１支持部２０の円周の内側に収容されている。
【００１６】第２支持部３０（図３）は、部分的な二次
巻線３２を収容する上部３２と、クリップ１９によって
接続突起１８を支持した下部３４とを有している。上部
３２は、ほぼ回転円筒体状を有している。
巻線３２を収容する上部３２と、クリップ１９によって
接続突起１８を支持した下部３４とを有している。上部
３２は、ほぼ回転円筒体状を有している。
【００１７】１つの側（すなわち円周の一部のみ、通常
Ｘ軸を中心にして円周の６０゜〜１２０゜、図示した場
合にはほぼ９０゜において）、第２支持部３０の上部３
２は、フランジ３６を有しており、このフランジ３６
は、Ｘ軸に対して垂直に、回転円筒体から外方へ延びて
いる。
Ｘ軸を中心にして円周の６０゜〜１２０゜、図示した場
合にはほぼ９０゜において）、第２支持部３０の上部３
２は、フランジ３６を有しており、このフランジ３６
は、Ｘ軸に対して垂直に、回転円筒体から外方へ延びて
いる。
【００１８】部分的な二次巻線は、ダイオード３８と抵
抗４０とによって連続して連結されている。図示した実
施例は、６つのダイオード３８と１つの抵抗４０とを有
している。ダイオード３８のいくつか（ここでは５つ）
が、この目的のために設けられたハウジング４２に設け
られた２つの隣接するフランジ３６の間に収容されてい
る（図４）。
抗４０とによって連続して連結されている。図示した実
施例は、６つのダイオード３８と１つの抵抗４０とを有
している。ダイオード３８のいくつか（ここでは５つ）
が、この目的のために設けられたハウジング４２に設け
られた２つの隣接するフランジ３６の間に収容されてい
る（図４）。
【００１９】図示した実施例では、全てのダイオード３
８及び抵抗４０は、第２支持部３０に、同じ側（既に前
述した側）において、互いに平行に、Ｘ軸に対して垂直
に、第２支持部３０の上部３２に対して接線方向に、磁
気回路６（実際には２つの半回路を形成している）によ
って形成された窓の外側において収容されており、これ
により、磁気回路のサイズを減じることを可能にしてい
る。
８及び抵抗４０は、第２支持部３０に、同じ側（既に前
述した側）において、互いに平行に、Ｘ軸に対して垂直
に、第２支持部３０の上部３２に対して接線方向に、磁
気回路６（実際には２つの半回路を形成している）によ
って形成された窓の外側において収容されており、これ
により、磁気回路のサイズを減じることを可能にしてい
る。
【００２０】第２支持部３０は、周囲に、ダイオード３
８のための後方へ折り曲げられた結合クリップ４６を収
容するための溝４４を有している。結合クリップ４６
は、溝４４のレベルにおいて上部３２によって形成され
た円筒体に対して接線方向になるように後方へ折り曲げ
られている。
８のための後方へ折り曲げられた結合クリップ４６を収
容するための溝４４を有している。結合クリップ４６
は、溝４４のレベルにおいて上部３２によって形成され
た円筒体に対して接線方向になるように後方へ折り曲げ
られている。
【００２１】部分的な二次巻線は、第２支持部３０と、
ダイオード３８と、抵抗４０とから成るアセンブリ上に
形成されている。したがって、あるダイオード３８は、
第２支持部３０と二次巻線との間に収容されている。
ダイオード３８と、抵抗４０とから成るアセンブリ上に
形成されている。したがって、あるダイオード３８は、
第２支持部３０と二次巻線との間に収容されている。
【００２２】特定の部分的な二次巻線のレベルにおい
て、第２支持部３０は、ダイオード３８の代わりに金属
製の連結ロッド３９を有している。
て、第２支持部３０は、ダイオード３８の代わりに金属
製の連結ロッド３９を有している。
【００２３】フランジ３６は、導電線を収容しかつガイ
ドするための切欠き４８を有しており、前記導電線は、
Ｘ軸に対して平行に延びており、かつ部分的な二次巻線
をダイオード３８（及び抵抗４０）又は接続突起１８に
結合させている。
ドするための切欠き４８を有しており、前記導電線は、
Ｘ軸に対して平行に延びており、かつ部分的な二次巻線
をダイオード３８（及び抵抗４０）又は接続突起１８に
結合させている。
【００２４】少なくとも２つの切欠き４８を有するフラ
ンジは、これらの２つの切欠き４８の間に配置された凹
所５０をも有している。容器４は前記素子の外側におい
て樹脂で充填されており、この樹脂は、絶縁材料を形成
している。特に、フランジ３６の凹所５０はこの同じ絶
縁材料で充填されており、これにより２つの切欠き４８
の導電線の間の絶縁を改善することができる。したがっ
て、かなりの数の電線を減じられた容積内に配置するこ
とができる。
ンジは、これらの２つの切欠き４８の間に配置された凹
所５０をも有している。容器４は前記素子の外側におい
て樹脂で充填されており、この樹脂は、絶縁材料を形成
している。特に、フランジ３６の凹所５０はこの同じ絶
縁材料で充填されており、これにより２つの切欠き４８
の導電線の間の絶縁を改善することができる。したがっ
て、かなりの数の電線を減じられた容積内に配置するこ
とができる。
【００２５】図５に明確に示したように、第１支持部２
０は、円周の第１の部分２２においては第２支持部３０
からのほぼ一定の第１の距離ｄを、円周の第２の部分２
４においては第１の距離ｄよりも大きな距離を有してい
る。したがって、第１支持部２０及び第２支持部３０
（すなわち一次支持部及び二次支持部）から成るアセン
ブリの据付面積は最少限に減じられる。
０は、円周の第１の部分２２においては第２支持部３０
からのほぼ一定の第１の距離ｄを、円周の第２の部分２
４においては第１の距離ｄよりも大きな距離を有してい
る。したがって、第１支持部２０及び第２支持部３０
（すなわち一次支持部及び二次支持部）から成るアセン
ブリの据付面積は最少限に減じられる。
【００２６】第１支持部２０の円周の第２の部分２４
は、（Ｘ軸に対する角度で見て）第２支持部３０がフラ
ンジ３６を有する側に対応している。したがって、フラ
ンジ３６は、第２支持部３０の円筒状部分（上部３２）
と第１支持部２０の第２の部分２４との間に延びてい
る。
は、（Ｘ軸に対する角度で見て）第２支持部３０がフラ
ンジ３６を有する側に対応している。したがって、フラ
ンジ３６は、第２支持部３０の円筒状部分（上部３２）
と第１支持部２０の第２の部分２４との間に延びてい
る。
【００２７】したがって、Ｘ軸に対してほぼ平行であり
かつフランジ３６の切欠き４８においてガイドされた導
電線のアセンブリは、第２支持部３０の上部３２と第１
支持部２０の第２の部分２４との間に、すなわちＸ軸に
対して垂直な方向で見て第２の部分２４に隣接して配置
されている。導電線のこの密度は、前記凹所５０の使用
により可能になる。
かつフランジ３６の切欠き４８においてガイドされた導
電線のアセンブリは、第２支持部３０の上部３２と第１
支持部２０の第２の部分２４との間に、すなわちＸ軸に
対して垂直な方向で見て第２の部分２４に隣接して配置
されている。導電線のこの密度は、前記凹所５０の使用
により可能になる。
【００２８】本発明の別の実施例が図６〜図９に示され
ている。この実施例と図１〜図５の実施例とに共通の素
子は再度説明しない。
ている。この実施例と図１〜図５の実施例とに共通の素
子は再度説明しない。
【００２９】この実施例では、ダイオード５２，５４
（図示した実施例では３つ）は、第１支持部２０の外側
に位置している、より正確に言えば、Ｘ軸に対して第１
支持部２０をまたいでいる。
（図示した実施例では３つ）は、第１支持部２０の外側
に位置している、より正確に言えば、Ｘ軸に対して第１
支持部２０をまたいでいる。
【００３０】前記のように、ダイオード５２，５４は、
Ｘ軸に対して垂直に、磁気回路６の窓の外側に配置され
ている。より正確に言えば、ダイオード５２は、Ｘ軸方
向で見て第１支持部２０の上方に、この同じＸ軸に対し
て磁気回路６から離れて配置されており、ダイオード５
４は、Ｘ軸方向で見て第１支持部２０の下方に配置され
ており、磁気回路６をまたいでいる。
Ｘ軸に対して垂直に、磁気回路６の窓の外側に配置され
ている。より正確に言えば、ダイオード５２は、Ｘ軸方
向で見て第１支持部２０の上方に、この同じＸ軸に対し
て磁気回路６から離れて配置されており、ダイオード５
４は、Ｘ軸方向で見て第１支持部２０の下方に配置され
ており、磁気回路６をまたいでいる。
【００３１】さらに、第１支持部２０は２つの一次巻線
を支持している（２つの一次巻線の一方のみが電気的意
味において一次的役割を果たすとしてもこのように呼
ぶ）。
を支持している（２つの一次巻線の一方のみが電気的意
味において一次的役割を果たすとしてもこのように呼
ぶ）。
【００３２】前記実施例の場合のように、図８に明確に
示したように、第２支持部３０は、ほぼ円筒形状の上部
３２のレベルにおいて少なくとも１つのフランジ３６を
有しており、このフランジ３６は、導電線を収容するた
めの２つの切欠き４８を有しており、これらの切欠き
は、凹所５０によって分離させられている。凹所５０
は、容器を充填する絶縁材料で充填されている。
示したように、第２支持部３０は、ほぼ円筒形状の上部
３２のレベルにおいて少なくとも１つのフランジ３６を
有しており、このフランジ３６は、導電線を収容するた
めの２つの切欠き４８を有しており、これらの切欠き
は、凹所５０によって分離させられている。凹所５０
は、容器を充填する絶縁材料で充填されている。
【００３３】第１支持部２０の円周の第１の部分２２に
亘って、第２支持部３０の上部３２は、第１支持部２０
の内壁２１から極めて小さな距離を有しており、これを
第１の距離と呼ぶ。すなわち、円周の第１の部分２２に
亘って、第１支持部２０は第２支持部３０とほぼ接触し
ている。図示した実施例では、第１の部分２２は、第１
支持部２０の円周の１８０゜に亘って延びている。
亘って、第２支持部３０の上部３２は、第１支持部２０
の内壁２１から極めて小さな距離を有しており、これを
第１の距離と呼ぶ。すなわち、円周の第１の部分２２に
亘って、第１支持部２０は第２支持部３０とほぼ接触し
ている。図示した実施例では、第１の部分２２は、第１
支持部２０の円周の１８０゜に亘って延びている。
【００３４】第１支持部は楕円形を有しているので、第
２の部分２４と呼ばれる、円周の残りの部分において
は、第１支持部２０と第２支持部３０との間の距離は、
第１の距離よりも大きい。したがって、第１支持部２０
の内壁２１と第２支持部の上部３２との間において、空
間５６が第２の部分２４と隣接して形成されている。空
間５６は、フランジ３６と、Ｘ軸に対して平行な導電線
とを収容し、これらの導電線は、二次巻線をダイオード
５２，５４及び接続突起に接続させている。
２の部分２４と呼ばれる、円周の残りの部分において
は、第１支持部２０と第２支持部３０との間の距離は、
第１の距離よりも大きい。したがって、第１支持部２０
の内壁２１と第２支持部の上部３２との間において、空
間５６が第２の部分２４と隣接して形成されている。空
間５６は、フランジ３６と、Ｘ軸に対して平行な導電線
とを収容し、これらの導電線は、二次巻線をダイオード
５２，５４及び接続突起に接続させている。
【００３５】さらに、磁気回路６はＸ軸に対して空間５
６から離れて延びている。
６から離れて延びている。
【図１】本発明の第１実施例によるトランスを示す斜視
図である。
図である。
【図２】図１のトランスを示す分解図である。
【図３】図１のトランスの幾つかの素子を示す斜視図で
ある。
ある。
【図４】図１のトランスの幾つかの素子を示す縦断面図
である。
である。
【図５】図４の素子の上面図である。
【図６】本発明の第２実施例によるトランスの重要な素
子を示す斜視図である。
子を示す斜視図である。
【図７】図６の素子を示す分解図である。
【図８】図６のトランスの素子を示す図である。
【図９】図６のトランスの素子を示す上面図である。
２ トランス、 ４ 容器、 ６ 磁気回路、 ８，１
０，１２ ダクト、１１ クリップ、 １４，１６ ポ
テンショメータ、 １８ 接続突起、 １９クリップ、
２０ 第１支持部、 ３０ 第２支持部、 ３２ 上
部、 ３４下部、 ３６ フランジ、 ３８ ダイオー
ド、 ３９ 連結ロッド、 ４０抵抗、 ４２ ハウジ
ング、 ４４ 溝、 ４６ クリップ、 ４６ 結合ク
リップ、 ４８ 切欠き、 ５０ 凹所、 ５２，５４
ダイオード、 ５６空間
０，１２ ダクト、１１ クリップ、 １４，１６ ポ
テンショメータ、 １８ 接続突起、 １９クリップ、
２０ 第１支持部、 ３０ 第２支持部、 ３２ 上
部、 ３４下部、 ３６ フランジ、 ３８ ダイオー
ド、 ３９ 連結ロッド、 ４０抵抗、 ４２ ハウジ
ング、 ４４ 溝、 ４６ クリップ、 ４６ 結合ク
リップ、 ４８ 切欠き、 ５０ 凹所、 ５２，５４
ダイオード、 ５６空間
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 フィリップ フュエンテ フランス国 ディジョン アヴニュー ド ゥ ドラポー 75ア (72)発明者 ダニエル グウディ フランス国 グレー アヴェニュー ジャ ン ジョレス 20
Claims (10)
- 【請求項１】 トランスにおいて、 少なくとも１つの一次巻線を支持する第１支持部（２
０）と、 導電線によって電気ユニット（１８，３８，４０，５
２，５４）に電気的に接続された少なくとも１つの部分
的な二次巻線を支持する第２支持部（３０）とが設けら
れており、該第２支持部（３０）が、少なくとも１つの
フランジ（３６）を有しており、該フランジが、導電線
を収容するための少なくとも２つの切欠き（４８）を有
している形式のものにおいて、 前記２つの切欠き（４８）が、絶縁材料で充填された凹
所（５０）によって分離させられていることを特徴とす
る、トランス。 - 【請求項２】 前記第２支持部（３０）が、前記第１支
持部（２０）の内部に配置されている、請求項１記載の
トランス。 - 【請求項３】 前記第１支持部が円周を規定しており、
前記第１支持部（２０）が、前記円周の第１の部分（２
２）に亘って、第２支持部（３０）からほぼ一定の第１
の距離（ｄ）を、前記円周の第２の部分（２４）に亘っ
て、前記第１の距離（ｄ）よりも大きな距離を有してお
り、前記導電線が、前記第２の部分（２４）に隣接して
配置されている、請求項２記載のトランス。 - 【請求項４】 前記第２支持部（３０）と部分的な二次
巻線との間に少なくとも１つのダイオード（３８）が収
容されている、請求項１から３までのいずれか１項記載
のトランス。 - 【請求項５】 磁気回路（６）が、前記第１の部分（２
２）のレベルにおいて、第１支持部（２０）と第２支持
部（３０）とによって横切られた窓を形成している、請
求項３記載のトランス。 - 【請求項６】 電気ユニット（３８，４０；５２，５
４）のアセンブリが、磁気回路（６）の外側に配置され
ている、請求項５記載のトランス。 - 【請求項７】 ケーブルを収容するための第１のダクト
（１０）が、第２のダクト（１２）に関連したケーブル
を保持するための少なくとも１つのクリップ（１１）を
支持している、請求項１から６までのいずれか１項記載
のトランス。 - 【請求項８】 第１支持部（２０）と第２支持部（３
０）とが、、前記絶縁材料で充填された容器（４）に収
容されている、請求項１から７までのいずれか１項記載
のトランス。 - 【請求項９】 前記絶縁材料が樹脂である、請求項８記
載のトランス。 - 【請求項１０】 陰極線管に動力を供給するための、請
求項１から９までのいずれか１項記載のトランスの使
用。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9909728 | 1999-07-27 | ||
| FR9909728 | 1999-07-27 |
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|---|---|
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|---|---|---|---|
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| EP (1) | EP1073073A1 (ja) |
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-
2000
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