JP2001056667A - Picture display device - Google Patents
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- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims abstract description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 21
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 4
- 230000002411 adverse Effects 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 31
- 239000010408 film Substances 0.000 description 22
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 9
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 7
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical class [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 101150010006 slmo gene Proteins 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
- G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
- G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
- G09G3/3233—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
- G09G3/3241—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element the current through the light-emitting element being set using a data current provided by the data driver, e.g. by using a two-transistor current mirror
- G09G3/325—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element the current through the light-emitting element being set using a data current provided by the data driver, e.g. by using a two-transistor current mirror the data current flowing through the driving transistor during a setting phase, e.g. by using a switch for connecting the driving transistor to the data driver
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- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
- G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
- G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は画像表示装置に関
し、特に有機エレクトロルミネセンス（ＥＬ）表示装置
に好適な、高画質の画像表示装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an image display device, and more particularly to a high quality image display device suitable for an organic electroluminescence (EL) display device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年において、有機ＥＬ素子を用いた表
示装置が開発されている。有機ＥＬ素子を多数使用した
有機ＥＬ素子装置をアクティブマトリックス回路により
駆動する場合、各ＥＬのピクセル（画素）には、このビ
クセルに対して供給する電流を制御するための薄膜トラ
ンジスタ（ＴＦＴ）の如きＦＥＴ（電界効果トランジス
タ）が一組ずつ接続されている。すなわち有機ＥＬ素子
に駆動電流を流すバイアス用のＴＦＴと、そのバイアス
用ＴＦＴを選択すべきかを示すスイッチ用のＴＦＴが一
組ずつ接続されている。2. Description of the Related Art In recent years, display devices using organic EL elements have been developed. When an organic EL device using a large number of organic EL devices is driven by an active matrix circuit, each EL pixel has an FET such as a thin film transistor (TFT) for controlling a current supplied to the pixel. (Field effect transistors) are connected one by one. That is, a pair of a bias TFT for passing a drive current to the organic EL element and a switch TFT for indicating whether the bias TFT should be selected are connected one by one.
【０００３】従来のアクティブマトリックス型の有機Ｅ
Ｌ表示装置の回路図の一例を図１７，１８に示す。この
有機ＥＬ表示装置は、Ｘ方向信号線Ｘ１，Ｘ２…、Ｙ方
向信号線Ｙ１，Ｙ２…、電源Ｖｄｄ線Ｖdd１，Ｖdd２
…、スイッチ用ＴＦＴトランジスタＴｙ１１，１２、Ｔ
ｙ２１，２２…、電流制御用ＴＦＴトランジスタＭ１
１，１２、Ｍ２１，２２…、有機ＥＬ素子ＥＬ１１０，
１２０、ＥＬ２１０，２２０…、コンデンサＣ１１，１
２、Ｃ２１，２２…、Ｘ方向周辺駆動回路１２，Ｙ方向
周辺駆動回路１３等により構成される。Conventional active matrix type organic E
An example of a circuit diagram of the L display device is shown in FIGS. The organic EL display device includes X-direction signal lines X1, X2,..., Y-direction signal lines Y1, Y2,.
..., Switching TFT transistors Ty11, T12, T
y21, 22..., current control TFT transistor M1
1, 12, M21, 22,..., Organic EL element EL110,
120, EL210, 220 ..., capacitors C11, 1
2, C21, 22,..., X-direction peripheral drive circuit 12, Y-direction peripheral drive circuit 13, and the like.
【０００４】Ｘ方向信号線Ｘ１，Ｘ２、Ｙ方向信号線Ｙ
１，Ｙ２により画素が特定され、その画素においてスイ
ッチ用ＴＦＴトランジスタＴｙ１１，１２、Ｔｙ２１，
２２がオンにされてその信号保持用コンデンサＣ１１，
１２、Ｃ２１，２２に画像データが保持される。これに
より、電流制御用のＴＦＴのＴＦＴトランジスタＭ１
１，１２、Ｍ２１，２２がオンにされ、電源線Ｖdd１、
Ｖdd２により有機ＥＬ素子ＥＬ１１０，１２０、ＥＬ２
１０，２２０に画像データに応じたバイアス用の電流が
流れ、これが発光される。[0004] X direction signal lines X1, X2, Y direction signal line Y
1, Y2, a pixel is specified, and the switching TFT transistors Ty11, Ty12, Ty21,
22 is turned on and its signal holding capacitor C11,
12, C21 and C22 hold image data. Thereby, the TFT transistor M1 of the current control TFT is used.
1,12, M21,22 are turned on, and the power supply lines Vdd1,
The organic EL elements EL110, 120, EL2
A bias current corresponding to the image data flows through 10, 220, which emits light.
【０００５】例えばｘ方向信号線Ｘ１に画像データに応
じた信号が出力され、Ｙ方向信号線Ｙ１にＹ方向走査信
号が出力されると、これにより特定された画素のスイッ
チ用ＴＦＴトランジスタＴｙ１１がオンになり、画像デ
ータに応じた信号により電流制御用ＴＦＴトランジスタ
Ｍ１１が導通されて有機ＥＬ素子Ｌ１１０に、この画像
データに応じた発光電流が流れ、発光制御される。この
ように、画素毎に、薄膜型のＥＬ素子と、前記ＥＬ素子
の発光制御用の電流制御用ＴＦＴトランジスタと、前記
電流制御用ＴＦＴトランジスタのゲート電極に接続され
た信号保持用のコンデンサと、前記キャパシタへのデー
タ書き込み用のスイッチ用のＴＦＴトランジスタ等を有
するアクティブマトリックス型ＥＬ画像表示装置におい
て、ＥＬ素子の発光強度は、信号保持用のキャパシタに
蓄積された電圧によって制御された発光電流制御用の非
線形素子であるＴＦＴトランジスタに流れる電流で決定
される(A66-in 201pi Electroluminescent Display T.
P.Brody、F.C.Luo、et.al、IEEE Trans ElectronI)evices、
Vol. ED-22、No. 9、Sep. 1975, P739~P749参照）。For example, when a signal corresponding to image data is output to the x-direction signal line X1 and a Y-direction scanning signal is output to the Y-direction signal line Y1, the switching TFT transistor Ty11 of the specified pixel is turned on. Then, the current controlling TFT transistor M11 is turned on by a signal corresponding to the image data, and a light-emitting current corresponding to the image data flows through the organic EL element L110 to control light emission. As described above, for each pixel, a thin-film EL element, a current control TFT transistor for emission control of the EL element, a signal holding capacitor connected to the gate electrode of the current control TFT transistor, In an active matrix EL image display apparatus having a TFT transistor for switching data for writing to the capacitor, the emission intensity of the EL element is controlled by a voltage stored in a capacitor for holding a signal. (A66-in 201pi Electroluminescent Display T.
P.Brody, FCLuo, et.al, IEEE Trans ElectronI) evices,
Vol. ED-22, No. 9, Sep. 1975, P739 to P749).
【０００６】このとき、使用される信号保持用のコンデ
ンサの容量は、微少な選択時間内で画素スイッチＴＦＴ
トランジスタが十分に電荷を充電できる容量以下であ
り、また、この画素スイッチＴＦＴトランジスタの非選
択時のリーク電流が次の書き込み時間まで失わせる電荷
により発生するコンデンサの保持電圧の低下が表示パネ
ルの画像に悪影響を与えない容量以上であることが求め
られる。At this time, the capacity of the used capacitor for holding the signal is changed within a very short selection time.
The capacity of the transistor is less than the capacity that can sufficiently charge the charge. Also, the decrease in the holding voltage of the capacitor caused by the charge that causes the leakage current when the pixel switch TFT transistor is not selected to be lost until the next writing time is due to the image on the display panel It is required that the capacity is not less than the capacity that does not adversely affect the performance.
【０００７】ところで、アクティブマトリックスの表示
装置は、その視認性から拡大投影を行う光学系を用いな
い場合は、４インチ以上の画角が要求される。By the way, an active matrix display device requires an angle of view of 4 inches or more in the case where an optical system for performing enlarged projection is not used due to its visibility.
【０００８】このサイズの表示面をシリコン単結晶基板
上に構成することは、現在の単結晶Ｓｉ基板の製作技術
では１枚の単結晶基板から得られる枚数が非常に少ない
ため大変コストがかかってしまう。To form a display surface of this size on a silicon single crystal substrate requires a great deal of cost because the current technology for manufacturing a single crystal Si substrate results in a very small number obtained from one single crystal substrate. I will.
【０００９】そこで、アクティブマトリックスの表示装
置では、ガラス基板等の平面基板上に作成した非単結晶
Ｓｉ等の半導体層を用いた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
を使用することが望ましい。Therefore, in an active matrix display device, a thin film transistor (TFT) using a semiconductor layer made of non-single-crystal Si or the like formed on a flat substrate such as a glass substrate.
It is desirable to use
【００１０】ところで、平面基板上に形成される半導体
層は大面積のものが比較的容易に成膜できることから、
アモルフアスＳｉ膜（以下ａ−Ｓｉ膜という）を用いる
ことが一般的である。By the way, a semiconductor layer formed on a flat substrate can be formed relatively easily with a large area.
It is common to use an amorphous Si film (hereinafter referred to as an a-Si film).
【００１１】しかし、ａ−Ｓｉ膜で形成されたＴＦＴ
は、一方向に定常的に電流を流し続けると、しきい値が
ドリフとして電流値が変わり、画質に変動が生ずる。し
かも、ａ−Ｓｉ膜では移動度が小さいため高速応答でド
ライブできる電流にも限界があり、またＰチヤネルの形
成が困難なところより、小規模なｃ−ＭＯＳ回路の構成
さえも困難である。However, a TFT formed of an a-Si film
In the case, when a current is continuously supplied in one direction, the threshold value becomes drift and the current value changes, and the image quality fluctuates. In addition, since the mobility of the a-Si film is small, the current that can be driven at a high speed response is limited, and it is more difficult to form a small-scale c-MOS circuit than to form a P-channel.
【００１２】そのため、アクティブマトリックス型有機
ＥＬ画像表示装置の半導体層としては、比較的大面積化
が容易でかつ高信頼性で移動度も高く、ＣＭＯＳ回路の
形成も可能なＰｏｌｙ−Ｓｉを用いることが望ましい。Therefore, as the semiconductor layer of the active matrix type organic EL image display device, Poly-Si which can be formed relatively easily, has high reliability, has high mobility, and can form a CMOS circuit is used. Is desirable.
【００１３】ところで、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ層を用いて形成
されたＴＦＴは、そのチャネル中に存在する結晶粒界の
数によりトラップ準位密度が変化し、これが特性に影響
を与える。そのためチャネル長、又はチャネル幅が結晶
の粒径に近づくにつれチャネル中に存在する粒界の数の
変動の割合が大きくなる。これはチャネル中のトラップ
準位密度の変動割合の増大、ひいてはＴＦＴの特性ばら
つきの増大を引き起こす。このＴＦＴの特性ばらつきの
増大は表示装置の画質の低下を引き起こすので望ましく
ない。By the way, in a TFT formed using a Poly-Si layer, the trap level density changes depending on the number of crystal grain boundaries existing in its channel, which affects the characteristics. Therefore, as the channel length or the channel width approaches the crystal grain size, the rate of change in the number of grain boundaries present in the channel increases. This causes an increase in the variation rate of the trap level density in the channel, and an increase in the variation in TFT characteristics. This increase in the variation in the characteristics of the TFTs is not desirable because it causes a decrease in the image quality of the display device.
【００１４】[0014]
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、Ｐｏ
ｌｙ−Ｓｉの粒径による特性のばらつきの影響をなく
し、表示面のばらつきを改善することである。SUMMARY OF THE INVENTION The object of the present invention is to
An object of the present invention is to eliminate the influence of the variation in characteristics due to the particle size of ly-Si and improve the variation in the display surface.
【００１５】[0015]
【課題を解決するための手段】すなわち、上記目的は以
下の構成により達成される。 （１） 表示素子と接続され、これを直接駆動する第２
のスイッチング素子と、選択信号により能動状態とな
り、前記第２のスイッチング素子の一方の被制御端子と
制御端子とを接続する第３のスイッチング素子と、選択
信号により能動状態となり、前記第２のスイッチング素
子の他方の被制御端子に駆動信号を与える導通路を形成
する第１のスイッチング素子とを有し、選択時に前記第
２のスイッチング素子と第３のスイッチング素子とでセ
ルフバイアス回路を形成し、かつこの第２のスイッチン
グ素子に駆動電流に対応した駆動信号を与え、非選択時
にこれを第２のスイッチング素子の特性に応じた第２の
スイッチング素子の動作電圧として保持して前記表示素
子を駆動する駆動電流記憶手段を有する画像表示装置。 （２） 前記表示素子は、電流駆動され、この駆動電流
に応じた発光を行う上記（１）の画像表示装置。 （３） 前記駆動信号は、駆動電流に応じた電流信号と
して与えられ、かつこれを第２のスイッチング素子の被
制御端子に与えることにより、そのＩ／Ｖ特性から得ら
れた電圧値を保持する上記（１）または（２）の画像表
示装置。 （４） 前記発光素子と接続され、選択信号により禁止
状態となり、非選択時に前記発光素子を電源と接続する
第４のスイッチング素子を有する上記（１）〜（３）の
いずれかの画像表示装置。 （５） 前記第１のスイッチング素子と第２のスイッチ
ング素子との間には駆動信号を電圧／電流変換するため
の容量成分を有し、前記駆動信号は駆動電流に対応した
電圧信号として与えられるとともに、前記容量成分によ
りこの駆動信号を電圧／電流変換して第２のスイッチン
グ素子に与える上記（１）〜（４）のいずれかの画像表
示装置。 （６） 前記駆動信号は、前記表示素子の駆動電流に対
応した増加率を有するのこぎり波状の形である上記
（５）の画像表示装置。 （７） 前記表示素子と電源との間に配置され、選択信
号により禁止状態となり、非選択時に表示素子と電源と
を接続する第４のスイッチング素子を有する上記（５）
または（６）のいずれかの画像表示装置。That is, the above object is achieved by the following constitutions. (1) A second device which is connected to the display element and directly drives the display element
And a third switching element for connecting one controlled terminal and the control terminal of the second switching element to an active state by the selection signal, and an active state by the selection signal to generate the second switching element. A first switching element forming a conduction path for supplying a drive signal to the other controlled terminal of the element, wherein a self-bias circuit is formed by the second switching element and the third switching element when selected; A driving signal corresponding to a driving current is supplied to the second switching element, and when the driving signal is not selected, the driving signal is held as an operating voltage of the second switching element according to the characteristics of the second switching element to drive the display element. An image display device having a driving current storage unit that performs the operation. (2) The image display device according to (1), wherein the display element is driven by current and emits light according to the drive current. (3) The drive signal is provided as a current signal corresponding to a drive current, and is supplied to a controlled terminal of the second switching element to maintain a voltage value obtained from its I / V characteristic. The image display device according to the above (1) or (2). (4) The image display device according to any one of (1) to (3), further including a fourth switching element connected to the light emitting element, disabled by a selection signal, and connecting the light emitting element to a power supply when not selected. . (5) Between the first switching element and the second switching element, there is a capacitance component for converting a drive signal into a voltage / current, and the drive signal is given as a voltage signal corresponding to a drive current. In addition, the image display device according to any one of (1) to (4) above, wherein the drive signal is converted into a voltage / current by the capacitance component and is provided to the second switching element. (6) The image display device according to (5), wherein the drive signal has a sawtooth waveform having an increasing rate corresponding to a drive current of the display element. (7) The device according to (5), further including a fourth switching element disposed between the display element and a power supply, disabled by a selection signal, and connecting the display element and the power supply when not selected.
Or the image display device according to any of (6).
【００１６】（８） その制御端子が選択線Ｓel に接
続されるとともに、被制御端子の一端が表示素子の一端
と、第３のスイッチング素子Ｍ３の被制御端子の他端
と、第２のスイッチング素子Ｍ２の被制御端子の一端と
に接続され、その被制御端子の他端が駆動信号を与える
ビデオ信号線Ｖid と接続されているている第１のスイ
ッチング素子Ｍ１と、その制御端子が選択線Ｓel と接
続され被制御端子の一端が第２のスイッチング素子Ｍ２
の制御端子と接続され、その被制御端子の他端が前記第
１のスイッチング素子Ｍ１の被制御端子の一端と、表示
素子Ｄ１の一端と、第２のスイッチング素子Ｍ２の被制
御端子の一端とに接続されている第３のスイッチング素
子Ｍ３と、その被制御端子の他端が、接地線Ｖcom に接
続され、その被制御端子の一端が、表示素子Ｄ１の一端
と、第３のスイッチング素子Ｍ３の被制御端子の他端
と、第１のスイッチング素子Ｍ１の被制御端子の一端と
に接続されている第２のスイッチング素子と、その制御
電極が選択線Ｓel と接続され、被制御端子の一端が表
示素子Ｄ１の他端と接続され、その他端は電源線ＶＤと
接続されている第４のスイッチング素子Ｍ４と、これら
のスイッチング素子Ｍ１〜Ｍ４により駆動される表示素
子Ｄ１とを有する画像表示装置。(8) The control terminal is connected to the selection line Sel, and one end of the controlled terminal is connected to one end of the display element, the other end of the controlled terminal of the third switching element M3, and the second switching element. A first switching element M1 connected to one end of a controlled terminal of the element M2 and the other end of the controlled terminal connected to a video signal line Vid for providing a drive signal; Sel and one end of the controlled terminal is connected to the second switching element M2.
The other end of the controlled terminal is connected to one end of the controlled terminal of the first switching element M1, one end of the display element D1, and one end of the controlled terminal of the second switching element M2. Is connected to the ground line Vcom, and one end of the controlled terminal is connected to one end of the display element D1 and the third switching element M3. , A second switching element connected to one end of the controlled terminal of the first switching element M1, and a control electrode connected to the selection line Sel, and one end of the controlled terminal Is connected to the other end of the display element D1, the other end is connected to the power supply line VD, a fourth switching element M4, and an image table having the display element D1 driven by these switching elements M1 to M4. Indicating device.
【００１７】（９） その制御端子が選択線Ｓel に接
続されるとともに、被制御端子の一端が容量Ｃ１の一端
に接続され、その被制御端子の他端は、駆動信号を与え
るビデオ信号線Ｖid と接続されている第１のスイッチ
ング素子Ｍ１と、その制御端子が、選択線Ｓel と接続
され、被制御端子の他端は、容量Ｃ１の他端と、第４の
スイッチング素子Ｍ４の被制御端子の他端と、第２のス
イッチング素子Ｍ２の被制御端子の一端と接続され、そ
の被制御端子の一端は、第２のスイッチング素子Ｍ２の
制御端子と接続されている第３のスイッチング素子Ｍ３
と、その被制御端子の他端は、電源線ＶＤと接続され、
その被制御端子の一端は、第３のスイッチング素子Ｍ３
の被制御端子の他端と、容量Ｃ１の他端と、第４のスイ
ッチング素子Ｍ４の被制御端子の他端と接続されている
第２のスイッチング素子Ｍ２と、その被制御端子の他端
は、第３のスイッチング素子Ｍ３の被制御端子の他端
と、容量Ｃ１の他端と、第２のスイッチング素子Ｍ２の
被制御端子の一端と接続され、その制御電極は、選択線
Ｓel と接続され、その被制御端子の一端は、表示素子
Ｄ１の他端と接続されている第４のスイッチング素子Ｍ
４と、その一端が、接地線Ｖcom と接続され、これらの
スイッチング素子により駆動される表示素子Ｄ１とを有
する画像表示装置。 （１０） 前記第１のスイッチング素子〜第３のスイッ
チング素子はポリシリコンＴＦＴである上記（１）ない
し（９）のいずれかの画像表示装置。 （１１） 前記表示素子は、有機ＥＬ素子である上記
（１）〜（１０）のいずれかの画像表示装置。 （１２） 前記選択線から選択信号を入力している期間
にビデオ信号線から駆動信号を入力し、非選択時に表示
素子を駆動する上記（１）〜（１１）のいずれかの画像
表示装置。(9) The control terminal is connected to the selection line Sel, one end of the controlled terminal is connected to one end of the capacitor C1, and the other end of the controlled terminal is connected to the video signal line Vid for supplying a drive signal. And the control terminal thereof is connected to the selection line Sel. The other end of the controlled terminal is connected to the other end of the capacitor C1 and the controlled terminal of the fourth switching element M4. Is connected to one end of a controlled terminal of the second switching element M2, and one end of the controlled terminal is connected to a third switching element M3 connected to the control terminal of the second switching element M2.
And the other end of the controlled terminal is connected to the power supply line VD,
One end of the controlled terminal is connected to a third switching element M3
, The other end of the capacitor C1, the second switching element M2 connected to the other end of the controlled terminal of the fourth switching element M4, and the other end of the controlled terminal. , The other end of the controlled terminal of the third switching element M3, the other end of the capacitor C1, and one end of the controlled terminal of the second switching element M2, and the control electrode thereof is connected to the selection line Sel. One end of the controlled terminal is connected to a fourth switching element M connected to the other end of the display element D1.
An image display device comprising: a display element D1 connected to a ground line Vcom at one end and driven by these switching elements. (10) The image display device according to any one of (1) to (9), wherein the first to third switching elements are polysilicon TFTs. (11) The image display device according to any one of (1) to (10), wherein the display element is an organic EL element. (12) The image display device according to any one of (1) to (11), wherein a drive signal is input from a video signal line during a period when the selection signal is being input from the selection line, and the display element is driven when not selected.
【００１８】なお、特開平１０−３１９９０８号公報に
は、アクティブマトリクス有機発光ダイオードを駆動す
るための回路が記載されている。しかしながら、同公報
で開示されている実施例の回路構成では、所望の電流を
流そうとした時に必要になるバイアスＴＦＴのゲート電
圧を画素外に設けた電流発生回路によってセンスおよび
反転増幅し、これを画素中の容量に再び蓄積している。
電流値のセンスにはソースフオロア回路を用いている
（請求項２）。Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-319908 discloses a circuit for driving an active matrix organic light emitting diode. However, in the circuit configuration of the embodiment disclosed in the publication, the gate voltage of the bias TFT required when trying to supply a desired current is sensed and inverted and amplified by a current generating circuit provided outside the pixel. Is stored again in the capacitance in the pixel.
A source follower circuit is used for sensing the current value.
【００１９】すなわち、上記公報ではこの画素外に設け
た電流発生回路によってセンスおよび反転増幅し、これ
を画素中の容量に蓄積しているため、書き込み非選択イ
ンターバル、書き込み選択インターバル、発光インター
バルという複雑なシーケンスが必要になり、そのための
タイミング回路が必要になる。また外部に必要なセンス
および反転増幅する回路が必要になり、これもコストを
上昇させてしまう。また非選択インターバルが必要なこ
とにより発光時間が短くなり、画質を低下させてしま
う。That is, in the above-mentioned publication, sense and inversion amplification are performed by a current generating circuit provided outside the pixel, and the amplified signal is stored in a capacitor in the pixel. A simple sequence is required, and a timing circuit therefor is required. Further, a circuit for externally necessary sense and inversion amplification is required, which also increases the cost. Further, since the non-selection interval is required, the light emission time is shortened, and the image quality is reduced.
【００２０】一方、本願発明では、バイアスＴＦＴのゲ
ートをドレインに接続し、これに所望の電流値を入力す
る自己バイアス回路を構成する事により、外部のセンス
および反転増幅回路を省く事が可能である。これによっ
て、実施例１，２、４、５のような構成の場合には、ご
くわずかな書き込み時間と非書き込み時間の２つの動作
で制御を行うことができる。このことにより、所望の輝
度での発光時間を長く取る事を可能にし、高輝度、高画
質の表示を可能にしている。On the other hand, in the present invention, by connecting the gate of the bias TFT to the drain and forming a self-bias circuit for inputting a desired current value to the drain, an external sense and inversion amplifier circuit can be omitted. is there. As a result, in the case of the configuration as in the first, second, fourth, and fifth embodiments, control can be performed by two operations of a very short writing time and a non-writing time. This makes it possible to increase the light emission time at a desired luminance, thereby enabling a display with high luminance and high image quality.
【００２１】また、複雑なシーケンスを発生するタイミ
ング回路も省くことを可能にしている。本願の実施例３
および６においては、上記公知例と同様な３つの動作態
様を必要とするが、センスおよび反転増幅回路を省くこ
とは可能である。Further, it is possible to omit a timing circuit for generating a complicated sequence. Example 3 of the present application
In (6) and (6), the same three operation modes as those in the above-mentioned known example are required, but the sense and inversion amplifier circuits can be omitted.
【００２２】[0022]
【発明の実施の形態】本発明の画像表示装置は、例えば
図１に示すように、表示素子Ｄ１と接続され、これを直
接駆動する第２のスイッチング素子Ｍ２と、選択信号Ｓ
el により能動状態となり、前記第２のスイッチング素
子Ｍ２の一方の被制御端子（ドレイン）と制御端子（ゲ
ート）とを接続する第３のスイッチング素子Ｍ３と、選
択信号Ｓel により能動状態となり、前記第２のスイッ
チング素子Ｍ２の他方の被制御端子（ドレイン）に駆動
信号を与える導通路を形成する第１のスイッチング素子
Ｍ１とを有し、選択時に前記第２のスイッチング素子Ｍ
２と第３のスイッチング素子Ｍ３とでセルフバイアス回
路を形成し、かつこの第２のスイッチング素子Ｍ２に駆
動電流に対応した駆動信号を与え、非選択時にこれを第
２のスイッチング素子Ｍ２の特性に応じた第２のスイッ
チング素子Ｍ２の動作電圧として保持して前記表示素子
Ｄ１を駆動する駆動電流記憶手段を有するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An image display apparatus according to the present invention, as shown in FIG. 1, for example, is connected to a display element D1 and directly drives a second switching element M2 and a selection signal S.
and the third switching element M3 connecting one controlled terminal (drain) and the control terminal (gate) of the second switching element M2 and the selection signal Sel. And a first switching element M1 forming a conduction path for supplying a drive signal to the other controlled terminal (drain) of the second switching element M2.
A self-bias circuit is formed by the second and third switching elements M3, and a drive signal corresponding to the drive current is supplied to the second switching element M2. A drive current storage means for driving the display element D1 while holding the corresponding operation voltage of the second switching element M2 as driving voltage.
【００２３】また、好ましくは前記第１のスイッチング
素子Ｍ１と第２のスイッチング素子Ｍ２との間には駆動
信号を保持する容量成分Ｃ１を有し、前記駆動信号は駆
動電流に対応した電圧信号として与えられるとともに、
前記容量成分Ｃ１によりこの駆動信号を電圧／電流変換
して第２のスイッチング素子Ｍ２に与える。Preferably, a capacitance component C1 for holding a driving signal is provided between the first switching element M1 and the second switching element M2, and the driving signal is a voltage signal corresponding to a driving current. Given,
The drive signal is subjected to voltage / current conversion by the capacitance component C1 and applied to the second switching element M2.
【００２４】また、好ましくは前記表示素子Ｄ１と電源
ＶＤとの間に配置され、選択信号Ｓel により禁止状態
となり、非選択時に表示素子Ｄ１と電源ＶＤとを接続す
る第４のスイッチング素子Ｍ４を有する。Also, preferably, there is provided a fourth switching element M4 arranged between the display element D1 and the power supply VD, disabled by the selection signal Sel, and connecting the display element D1 and the power supply VD when not selected. .
【００２５】このように、駆動電流に対応した電流信号
の駆動信号を、第２のスイッチング素子Ｍ２に与え、こ
れをそのＩ／Ｖ特性から得られた電圧値として保持し、
かつ非選択時に前記表示素子を駆動する駆動電流記憶手
段を有することにより、第２のスイッチング素子Ｍ２の
特性のバラツキに関係なく、一定の電流で表示素子を駆
動することができ、輝度ムラや表示ムラを防止し、高品
位で均一な表示が可能となる。As described above, the drive signal of the current signal corresponding to the drive current is supplied to the second switching element M2, and this is held as a voltage value obtained from its I / V characteristic,
In addition, by having the drive current storage means for driving the display element when the display element is not selected, the display element can be driven with a constant current irrespective of the variation in the characteristics of the second switching element M2. Unevenness is prevented, and high-quality and uniform display is possible.
【００２６】第２のスイッチング素子Ｍ２は、表示素子
（通常カソード側）と接地線との間に配置され、所定の
電流値で表示素子を駆動する。この第２のスイッチング
素子Ｍ２は、また第１のスイッチング素子Ｍ１と第３の
スイッチング素子Ｍ３が能動状態となることで、図７に
示すように、一方の被制御端子（ドレイン）と制御端子
（ゲート）とが接続されたセルフバイアス回路ないし定
電流回路が形成され、これに所望の電流ＩＬを流すと、
図８に示すようにＰ点にはスイッチング素子のＩ／Ｖ特
性に応じた電圧Ｖｐが現れる。ここで、図８に示すよう
にスイッチング素子の特性にバラツキがある場合、異な
る特性曲線によりＩＬに対応する電圧がＶｐ’のように
変動する。ところが保持される電圧は、その特性に応じ
たＶｐまたはＶｐ’であり、それぞれに対応する電流値
ＩＬは一定なので、保持されたＶｐまたはＶｐ’により
必ず所定の電流ＩＬが流れることになる。The second switching element M2 is arranged between the display element (usually on the cathode side) and the ground line, and drives the display element with a predetermined current value. The second switching element M2 has one controlled terminal (drain) and one control terminal (drain) as shown in FIG. 7 when the first switching element M1 and the third switching element M3 are activated. A self-bias circuit or a constant current circuit connected to the gate) is formed.
As shown in FIG. 8, a voltage Vp corresponding to the I / V characteristic of the switching element appears at a point P. Here, when the characteristics of the switching element vary as shown in FIG. 8, the voltage corresponding to IL fluctuates like Vp ′ due to different characteristic curves. However, the held voltage is Vp or Vp 'corresponding to the characteristic, and the current value IL corresponding to each is constant. Therefore, a predetermined current IL always flows by the held Vp or Vp'.
【００２７】すなわち、第２のスイッチング素子Ｍ２
は、第１のスイッチング素子Ｍ１と第３のスイッチング
素子Ｍ３とが禁止状態となることで、Ｐ点の電圧Ｖｐを
制御端子電圧として保持する。そして、このとき制御端
子電圧Ｖｐに応じた電流ＩＬを被制御端子に流そうとす
るので、表示素子Ｄ１は所望の電流ＩＬで駆動されるこ
とになる。That is, the second switching element M2
Holds the voltage Vp at the point P as the control terminal voltage when the first switching element M1 and the third switching element M3 are disabled. Then, at this time, since the current IL corresponding to the control terminal voltage Vp is to flow to the controlled terminal, the display element D1 is driven by the desired current IL.
【００２８】なお、図１に示す例では表示素子Ｄ１と電
源線ＶＤとの間に、制御端子が選択線Ｓelに接続された
第４のスイッチング素子Ｍ４が配置されているが、この
第４のスイッチング素子Ｍ４は非選択時にのみ表示素子
Ｄ１を駆動するために配置されたもので、選択時には禁
止状態となって、電源線ＶＤと表示素子Ｄ１とを遮断す
るものである。In the example shown in FIG. 1, a fourth switching element M4 having a control terminal connected to the selection line Sel is arranged between the display element D1 and the power supply line VD. The switching element M4 is arranged to drive the display element D1 only when it is not selected. When it is selected, the switching element M4 is in a disabled state and cuts off the power supply line VD and the display element D1.
【００２９】また、図示例では駆動信号はビデオ信号線
Ｖid から所定の電流信号として与えられる。In the illustrated example, the drive signal is given as a predetermined current signal from the video signal line Vid.
【００３０】スイッチング素子としては、一般に用いら
れているバイポーラトランジスタやＦＥＴ（電界効果ト
ランジスタ）も使用することができるが、特に薄膜トラ
ンジスタであって、ｃ−ＭＯＳタイプのものが好まし
い。As the switching element, a commonly used bipolar transistor or FET (field effect transistor) can be used, but a thin film transistor, in particular, a c-MOS type is preferable.
【００３１】以下に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の一形
態を図を参照しつつ説明する。図９〜１７は本発明の画
像表示装置を構成するＴＦＴ、特に有機ＥＬ素子の駆動
電流を流す発光電流駆動用ＴＦＴの製造工程図である。One embodiment of a thin film transistor (TFT) will be described below with reference to the drawings. 9 to 17 are manufacturing process diagrams of a TFT constituting the image display device of the present invention, in particular, a light emitting current driving TFT for passing a driving current of an organic EL element.
【００３２】（１）図９に示すように、基板１０１とし
て例えば石英基板を使用し、この基板１０１上にスパッ
タ法によりＳｉＯ2 膜１０２を約１００nmの厚さに成膜
する。(1) As shown in FIG. 9, for example, a quartz substrate is used as the substrate 101, and a SiO 2 film 102 is formed on the substrate 101 by sputtering to a thickness of about 100 nm.
【００３３】（２）次いで、図９に示すようにこのＳｉ
Ｏ2 膜１０２の上にアモルフアスＳｉ（ａ−Ｓｉ）層１
０３を約１００nmの厚さでＬＰＣＶＤ法により成膜す
る。このとき成膜条件は以下の通りである。 Ｓｉ2 Ｈ6 ガス １００〜５００ ＳＣＣＭ Ｈｅ ガス ５００ ＳＳＣＭ 圧力 ０．１〜１ Ｔｏｒｒ 加熱温度 ４３０〜５００ ℃(2) Next, as shown in FIG.
Amorphous Si (a-Si) layer 1 on the O 2 film 102
03 is formed to a thickness of about 100 nm by LPCVD. At this time, the film forming conditions are as follows. Si 2 H 6 gas 100 to 500 SCCM He gas 500 SSCM Pressure 0.1 to 1 Torr Heating temperature 430 to 500 ° C
【００３４】（３）次いで、加熱処理を行い、このａ−
Ｓｉ層１０３を固相成長させてポリシリコンにする。こ
の固相成長の条件は、例えば以下の通りである。 Ｎ2 １ ＳＬＭ 処理温度 ６００ ℃ 処理時間 ５〜２０ 時間 次に、 処理温度 ８５０ ℃ 処理時間 ０．５〜３ 時間 このようにしてａ−Ｓｉ層１０３を、図１０に示すよう
な活性Ｓｉ層１０３ａとすることができる。なお、必要
によりレーザーアニールを施してもよい。(3) Next, a heat treatment is performed, and this a-
The Si layer 103 is made into polysilicon by solid phase growth. The conditions for this solid phase growth are, for example, as follows. N 2 1 SLM Processing temperature 600 ° C. Processing time 5 to 20 hours Next, processing temperature 850 ° C. Processing time 0.5 to 3 hours In this way, the a-Si layer 103 is converted into the active Si layer 103a as shown in FIG. It can be. Note that laser annealing may be performed if necessary.
【００３５】（４）次に、図１１に示すように、前記
（３）により形成したポリシリコン層１０３ａをアイラ
ンドを形成するためバターニングする。(4) Next, as shown in FIG. 11, the polysilicon layer 103a formed by the above (3) is patterned to form islands.
【００３６】（５）さらに、図１２に示すように、この
バターニングしたポリシリコン層１０３ａ上にゲート酸
化膜１０４を形成する。このゲート酸化膜１０４の形成
条件は、例えば以下の通りである。 Ｈ2 ４ ＳＬＭ Ｏ2 １０ ＳＣＣＭ 処理温度 ８００ ℃ 処理時間 ５ 時間(5) Further, as shown in FIG. 12, a gate oxide film 104 is formed on the buttered polysilicon layer 103a. The conditions for forming the gate oxide film 104 are, for example, as follows. H 2 4 SLMO 2 10 SCCM Processing temperature 800 ° C Processing time 5 hours
【００３７】（６）次いで、図１３に示すように、ゲー
ト酸化膜１０４の上にゲート電極となるシリコン層１０
５を減圧ＣＶＤ法により、厚さ２５０nmに形成する。そ
の成膜条件は、例えば以下の通りである。 ０・１％のＰＨ3 が入ったＳｉＨ4 ガス ２００ＳＣＣＭ 処理温度 ６４０ ℃ 処理時間 ０．４ 時間(6) Next, as shown in FIG. 13, a silicon layer 10 serving as a gate electrode is formed on the gate oxide film 104.
5 is formed to a thickness of 250 nm by a low pressure CVD method. The film forming conditions are, for example, as follows. SiH 4 gas containing 0.1% PH 3 200 SCCM Processing temperature 640 ° C. Processing time 0.4 hour
【００３８】（７）次に、図１４に示すように、所定の
パターンに従ったエッチング工程により、ゲート電極１
０５とゲート酸化膜１０４とを形成する。(7) Next, as shown in FIG. 14, the gate electrode 1 is etched by an etching process according to a predetermined pattern.
05 and a gate oxide film 104 are formed.
【００３９】（８）さらに、図１４に示すように、この
ゲート電極１０５をマスクとして、ソース、ドレイン領
域となるべき部分にイオンドーピング法により、ドーパ
ント１０７、例えばリンをドービングしてゲート電極に
対してセルフアラインとなるようにソース、ドレイン領
域１０６、１０９を形成する。(8) Further, as shown in FIG. 14, using the gate electrode 105 as a mask, a dopant 107, for example, phosphorus is doped by ion doping into portions to be source and drain regions, and The source and drain regions 106 and 109 are formed so as to be self-aligned.
【００４０】（９）これらの素子を含む基板を窒素雰囲
気中に６００℃で６時間処理し、その後、更に８５０℃
で３０分間加熱し、ドーパントの活性化を行う。(9) The substrate containing these elements is treated in a nitrogen atmosphere at 600 ° C. for 6 hours, and then further at 850 ° C.
For 30 minutes to activate the dopant.
【００４１】（１０）さらに、図１５に示すように、こ
の基板全体にＴＥＯＳを出発材料として、ＳｉＯ2 膜を
層間絶縁膜１１２として厚さ４００nmに形成する。この
ＳｉＯ 2 膜の成膜条件は、例えば以下の通りである。 ＴＥＯＳガス １００ ＳＳＣＭ 加熱温度 ７００ ℃ またはプラズマＴＥＯＳ法により下記の条件でＳｌＯ2
膜を成膜する。 ＴＥＯＳガス １０〜５０ ＳＣＣＭ Ｏ2 ガス ５００ ＳＣＣＭ パワー ５０〜３００ Ｗ 処理温度 ６００ ℃ そして、このＳｉＯ2 膜を形成後、各電極の配線のた
め、必要とするパターンに従ってバターニングを行い、
層間絶縁膜１１２等を形成する。(10) Further, as shown in FIG.
Using TEOS as a starting material for the entire substrate ofTwo Membrane
The interlayer insulating film 112 is formed to a thickness of 400 nm. this
SiO Two The conditions for forming the film are, for example, as follows. TEOS gas 100 SSCM Heating temperature 700 ℃ or SLO under the following conditions by plasma TEOS methodTwo
A film is formed. TEOS gas 10-50 SCCM OTwo Gas 500 SCCM Power 50-300 W Processing temperature 600 ° C. And this SiOTwo After forming the film, the wiring
And perform buttering according to the required pattern,
An interlayer insulating film 112 and the like are formed.
【００４２】（１１）前記の如く形成した薄膜トランジ
スタをさらに水素雰囲気中で３５０℃で１時間加熱処理
し、水素化を行い、半導体層の欠陥準位密度を減少させ
る。(11) The thin film transistor formed as described above is further subjected to a heat treatment at 350 ° C. for 1 hour in a hydrogen atmosphere to perform hydrogenation, thereby reducing the density of defect states in the semiconductor layer.
【００４３】（１２）次いで、図１５に示すようにドレ
イン，ソースなどのコンタクトを形成する。コンタクト
は、絶縁膜１１２を開口した箇所で行う。先ず、常圧Ｃ
ＶＤ法により、層間絶縁層としてＳｉＯ2 膜を成膜す
る。次いで、層間絶縁層をエッチングしてコンタクトホ
ールを形成し、ドレイン、ソース接続部を開口する。(12) Next, as shown in FIG. 15, contacts such as a drain and a source are formed. The contact is made at a location where the insulating film 112 is opened. First, normal pressure C
An SiO 2 film is formed as an interlayer insulating layer by the VD method. Next, the interlayer insulating layer is etched to form a contact hole, and a drain / source connection portion is opened.
【００４４】開口したドレイン、ソース接続部に、それ
ぞれドレイン配線電極１１３、ソース配線電極１１４を
成膜して、ドレイン、ソース電極と接続する。この場
合、ドレイン、ソース電極のいずれか一方が、表示素子
（有機ＥＬ素子）の第１の電極、または第２の電極とし
て機能するか、これと接続される。図示例ではホール注
入電極であるＩＴＯ（１１６）と接続される。さらに、
ドレイン配線電極１１３上に絶縁膜１１５を形成し、同
時に画素部分以外を覆うエッジカバーを形成して図１５
に示すようなスイッチング素子を得る。A drain wiring electrode 113 and a source wiring electrode 114 are formed on the opened drain and source connection portions, respectively, and connected to the drain and source electrodes. In this case, one of the drain and source electrodes functions as or is connected to the first electrode or the second electrode of the display element (organic EL element). In the illustrated example, it is connected to ITO (116) which is a hole injection electrode. further,
An insulating film 115 is formed on the drain wiring electrode 113, and at the same time, an edge cover covering portions other than the pixel portion is formed.
A switching element as shown in FIG.
【００４５】なお、ホール注入電極等、表示素子（有機
ＥＬ素子）の電極との接続には、例えば図１６に示すよ
うに配線電極１１４と、ホール注入電極１１６との間に
両者の接続性を向上させるために、ＴｉＮ等の接続金属
層１１７を形成するとよい。In connection with an electrode of a display element (organic EL element) such as a hole injection electrode, for example, as shown in FIG. 16, the connection between the wiring electrode 114 and the hole injection electrode 116 is established. In order to improve the quality, a connection metal layer 117 such as TiN may be formed.
【００４６】この方法によって得られたＴＦＴを用いて
実施例１に示す回路を、各画素毎にに構成した。The circuit shown in Example 1 was constructed for each pixel using the TFT obtained by this method.
【００４７】この時、各ＴＦＴのチャネル長、チャネル
幅は以下に示すように設計する。 At this time, the channel length and channel width of each TFT are designed as shown below.
【００４８】Ｍｌ、Ｍ２、Ｍ４は十分なＯＮ／ＯＦＦ比
が得られると共にスイッチング時のノイズを低減させる
ためにもそのゲート容量は小さい事が望ましい。It is desirable that M1, M2, and M4 have a small gate capacitance in order to obtain a sufficient ON / OFF ratio and reduce noise at the time of switching.
【００４９】一方、Ｍ３は、ＥＬに十分な電圧を加
え、かつＶDS耐圧を持たせるため、素子特性のばらつ
きを軽減させるため、Ｍｌ、Ｍ２、Ｍ４のスイッチン
グノイズの影響を小さくするために大きなＬ／Ｗを持た
せると共にゲート容量を大きくする事が望ましい。On the other hand, M3 has a large L to apply a sufficient voltage to EL and to have a VDS breakdown voltage, to reduce variations in device characteristics, and to reduce the influence of switching noise of M1, M2 and M4. / W and increasing the gate capacitance.
【００５０】このようにして形成されたＴＦＴを用い
て、以下の各実施例に示す駆動回路を構成した。Using the TFTs formed in this way, drive circuits shown in the following embodiments were constructed.
【００５１】＜実施例１＞図１は、本発明の画像表示装
置の第１の態様を示した回路図である。図において、第
１のスイッチング素子Ｍ１は、その制御端子（ゲート）
が選択線Ｓel に接続されるとともに、被制御端子の一
端（ドレイン）が表示素子の一端（カソード）と、第３
のスイッチング素子Ｍ３の被制御端子の他端（ソース）
と、第２のスイッチング素子Ｍ２の被制御端子の一端
（ドレイン）とに接続されている。また、その被制御端
子の他端（ソース）は、駆動信号を与えるビデオ信号線
Ｖidと接続されている。<Embodiment 1> FIG. 1 is a circuit diagram showing a first embodiment of the image display device of the present invention. In the figure, a first switching element M1 has a control terminal (gate).
Is connected to the selection line Sel, and one end (drain) of the controlled terminal is connected to one end (cathode) of the display element,
Other end (source) of the controlled terminal of the switching element M3
And one end (drain) of the controlled terminal of the second switching element M2. The other end (source) of the controlled terminal is connected to a video signal line Vid for providing a drive signal.
【００５２】また、第３のスイッチング素子Ｍ３の制御
端子（ゲート）は、選択線Ｓel と接続され、被制御端
子の一端（ドレイン）は第２のスイッチング素子Ｍ２の
制御端子（ゲート）と接続されている。また、その被制
御端子の他端（ソース）は、前記第１のスイッチング素
子Ｍ１の被制御端子の一端（ドレイン）と同様である。
前記第２のスイッチング素子の被制御端子の他端（ソー
ス）は、接地線Ｖcomに接続されている。また、その被
制御端子の一端（ドレイン）側は、前記第１のスイッチ
ング素子Ｍ１の被制御端子の一端（ドレイン）と同様で
ある。The control terminal (gate) of the third switching element M3 is connected to the selection line Sel, and one end (drain) of the controlled terminal is connected to the control terminal (gate) of the second switching element M2. ing. The other end (source) of the controlled terminal is similar to one end (drain) of the controlled terminal of the first switching element M1.
The other end (source) of the controlled terminal of the second switching element is connected to a ground line Vcom. One end (drain) of the controlled terminal is the same as one end (drain) of the controlled terminal of the first switching element M1.
【００５３】また、第４のスイッチング素子Ｍ４の制御
電極（ゲート）は、選択線Ｓel と接続され、被制御端
子の一端（ドレイン）は、表示素子Ｄ１の他端（アノー
ド）と接続され、その他端（ソース）は電源線ＶＤと接
続されている。The control electrode (gate) of the fourth switching element M4 is connected to the selection line Sel, one end (drain) of the controlled terminal is connected to the other end (anode) of the display element D1, and the other. The end (source) is connected to the power supply line VD.
【００５４】なお、この例では、第１〜第４のスイッチ
ング素子は、ｃ−ＭＯＳタイプのＴＦＴにより構成し、
それぞれ第１のスイッチング素子Ｍ１がＮチャンネル、
第２のスイッチング素子Ｍ２がＮチャンネル、第３のス
イッチング素子Ｍ３がＮチャンネル、第４のスイッチン
グ素子Ｍ４がＰチャンネルとなっている。In this example, the first to fourth switching elements are constituted by c-MOS type TFTs,
Each of the first switching elements M1 has N channels,
The second switching element M2 has N channels, the third switching element M3 has N channels, and the fourth switching element M4 has P channels.
【００５５】また、電源線ＶＤ、および接地線Ｖcom は
表示素子を駆動するために十分な電流を供給しうるもの
であって、図示しない他の画素（表示素子）や、電源回
路と接続されている。選択線Ｓel からは、表示素子
（画素）を選択するための信号が与えられる。この例で
は、画素選択後に表示素子Ｄ１が発光する。ビデオ信号
線Ｖid からは、表示素子を駆動するための駆動信号が
与えられる。この駆動信号は、表示画素を所望の輝度で
発光させるための駆動電流に相当する電流信号として与
えられる。この駆動信号により画素が発光し、階調制御
や表示色制御が行われる。The power supply line VD and the ground line Vcom can supply a sufficient current for driving the display element, and are connected to another pixel (display element) (not shown) or a power supply circuit. I have. A signal for selecting a display element (pixel) is supplied from the selection line Sel. In this example, the display element D1 emits light after selecting a pixel. A drive signal for driving the display element is provided from the video signal line Vid. This drive signal is provided as a current signal corresponding to a drive current for causing a display pixel to emit light at a desired luminance. The pixel emits light by this drive signal, and gradation control and display color control are performed.
【００５６】次に、このような構成の回路の動作につい
て説明する。いま、選択線Sel をＨ（ハイレベル）にす
る事により第１のスイッチング素子Ｍｌ、第３のスイッ
チング素子Ｍ３をＯＮに、第４のスイッチング素子Ｍ４
をＯＦＦにする。同時にビデオ信号線Ｖid より、駆動
信号として表示素子（有機ＥＬ素子）Ｄｌに流したい電
流を定電流源によって入力する。Next, the operation of the circuit having such a configuration will be described. Now, by setting the selection line Sel to H (high level), the first switching element Ml and the third switching element M3 are turned on, and the fourth switching element M4 is turned on.
To OFF. At the same time, a current to be supplied to the display element (organic EL element) Dl is input from the video signal line Vid as a drive signal by a constant current source.
【００５７】この時、電源線ＶＤ、選択線Sel 、接地線
Ｖcom の各ラインには第１および第３のスイッチング素
子Ｍｌ，Ｍ３が十分なＩonが得られ、第４のスイッチン
グ素子Ｍ４に十分なＩoff が得られる電位を入力しなけ
ればならない。ただし、ビデオ信号線Ｖid は、いま定
電流入力であり、第２のスイッチング素子Ｍ２の素子特
性によって電位は定まる。本実施例では各電位が以下の
様になる。 選択線Ｓel １０Ｖ ビデオ信号線Ｖid 最大５Ｖ 電源線ＶＤ １０Ｖ 接地線Ｖcom −５ＶAt this time, the first and third switching elements M1 and M3 have sufficient Ion on each of the power supply line VD, the selection line Sel, and the ground line Vcom, and have sufficient Ion on the fourth switching element M4. The potential at which Ioff is obtained must be entered. However, the video signal line Vid is a constant current input, and the potential is determined by the element characteristics of the second switching element M2. In this embodiment, each potential is as follows. Select line Sel 10V Video signal line Vid Max 5V Power line VD 10V Ground line Vcom -5V
【００５８】この時、第２のスイッチング素子Ｍ２と定
電流源の負荷特性は図８のａのようになりＰの電位はＶ
ｐになる。この時ＴＦＴの素子のばらつきより第３のス
イッチング素子Ｍ３の負荷特性が図８のｂとなった時は
Ｐの電位はＶｐ’となる。At this time, the load characteristics of the second switching element M2 and the constant current source are as shown in FIG.
becomes p. At this time, when the load characteristic of the third switching element M3 becomes b in FIG. 8 due to the variation of the TFT elements, the potential of P becomes Vp '.
【００５９】本実施例で１μＡの電流を流そうとした
時、Ｐの電位は〜−１Ｖ近辺になり素子の特性によって
異なる値をもつ。In this embodiment, when a current of 1 .mu.A is to flow, the potential of P becomes about .about.-1 V and has a different value depending on the characteristics of the element.
【００６０】次に、選択線Ｓel をＬ（ロウレベル）に
する事により第１のスイッチング素子Ｍｌ、第３のスイ
ッチング素子Ｍ３をＯＦＦに、第４のスイッチング素子
Ｍ４をＯＮにする。Next, by setting the selection line Sel to L (low level), the first switching element Ml and the third switching element M3 are turned off, and the fourth switching element M4 is turned on.
【００６１】この時、電源線ＶＤ、選択線Sel 、接地線
Ｖcom の各ラインには第１および第３のスイッチング素
子Ｍｌ，Ｍ３に十分なＩoff が得られ、第４のスイッチ
ング素子Ｍ４に十分なＩonが得られる電位を入力しなけ
ればならない。本実施例では選択線Ｓel を−５Ｖに変
化させた。At this time, sufficient Ioff is obtained for the first and third switching elements M1 and M3 on the power supply line VD, the selection line Sel, and the ground line Vcom, and sufficient for the fourth switching element M4. The potential at which Ion is obtained must be entered. In this embodiment, the selection line Sel is changed to -5V.
【００６２】第３のスイッチング素子Ｍ３がＯＦＦされ
ることにより、第２のスイッチング素子Ｍ２のゲート電
位は上記のＶｐが保持される。この時の表示素子Ｄｌ
と、第２のスイッチング素子Ｍ２の負荷特性から、第２
のスイッチング素子Ｍ２が飽和領域で動作することとな
り、上記で入力された駆動信号の電流値とほぼ同じ電流
値が表示素子Ｄｌに流れることになる。なおこの時、第
４のスイッチング素子Ｍ４の抵抗は、表示素子Ｄｌ、第
２のスイッチング素子Ｍ２に比べて十分低いので無視す
ることができる。When the third switching element M3 is turned off, the gate potential of the second switching element M2 is maintained at Vp. The display element Dl at this time
From the load characteristic of the second switching element M2,
The switching element M2 operates in the saturation region, and a current value substantially equal to the current value of the drive signal input as described above flows through the display element Dl. At this time, the resistance of the fourth switching element M4 can be ignored because it is sufficiently lower than the display element Dl and the second switching element M2.
【００６３】このときに流れる電流を決定するのは、上
記Ｐ点に現れたＶｐであり、これは素子のばらつきによ
って変化はするが必ず上記で入力した駆動信号の電流を
第２のスイッチング素子Ｍ２に流そうとする。これによ
り、第２のスイッチング素子Ｍ２の特性のばらつきに関
係なく一定量の電流値を流すことが可能になり、画質を
向上させることができる。The current flowing at this time is determined by Vp appearing at the point P, which varies depending on the variation of the elements, but always changes the current of the drive signal input as described above to the second switching element M2. Try to flush. This allows a constant amount of current to flow regardless of the variation in the characteristics of the second switching element M2, thereby improving image quality.
【００６４】＜実施例２＞実施例２は実施例１を発展さ
せたものである。対角が４インチ以上の直視型ディスプ
レイを実現する場合、ビデオ信号線Ｖid を引き回すこ
ととなるが、これにより寄生容量が付加されてしまう。
いまパネルが高解像度になるにつれ、一画素あたりの書
き込み時間が短くなる。そして、前述の寄生容量の影響
により、各表示素子に流したい電流値をそのまま対象と
する表示素子に供給することが困難になる。<Embodiment 2> Embodiment 2 is an extension of Embodiment 1. In the case of realizing a direct-view display having a diagonal of 4 inches or more, the video signal line Vid is routed, but this adds parasitic capacitance.
Now, as the resolution of the panel becomes higher, the writing time per pixel becomes shorter. Then, due to the influence of the parasitic capacitance described above, it becomes difficult to supply a current value to be passed to each display element to the target display element as it is.
【００６５】そこで、図２に示すように、容量Ｃ１を第
１のスイッチング素子Ｍ１の被制御端子の一端と、第２
のスイッチング素子Ｍ２の被制御端子の一端との間に直
列に配置する。また、供給する駆動信号も電圧信号と
し、これをこの容量Ｃ１により電圧／電流変換して電流
信号とし、第２のスイッチング素子Ｍ２に供給する。こ
の電圧信号は、駆動電流に対応した電圧信号として与え
られるが、通常のこぎり波形を発生する電圧源から供給
する。なお、電圧／電流変換は、一般にＩ＝ΔＶ×Ｃと
して与えられる。Therefore, as shown in FIG. 2, the capacitor C1 is connected to one end of the controlled terminal of the first switching element M1 and to the second
And one end of the controlled terminal of the switching element M2. The drive signal to be supplied is also a voltage signal, which is converted into a current signal by voltage / current conversion by the capacitor C1 and supplied to the second switching element M2. This voltage signal is provided as a voltage signal corresponding to the drive current, and is supplied from a voltage source that generates a normal sawtooth waveform. The voltage / current conversion is generally given as I = ΔV × C.
【００６６】いま、のこぎり波形の電圧の上昇する傾き
を△Ｖｒ（単位Ｖ／Ｓ）とすると選択時間にＣ１を介し
て第２のスイッチング素子Ｍ２に流れる電流は、Ｃ１×
△Ｖｒとなる。Now, assuming that the rising slope of the voltage of the sawtooth waveform is ΔVr (unit: V / S), the current flowing through the second switching element M2 via C1 during the selection time is C1 ×
ΔVr.
【００６７】その他の構成要素は実施例１と同様であ
り、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略す
る。The other components are the same as those in the first embodiment, and the same components are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
【００６８】このようにして構成した回路と駆動方法を
用いた時、前述の電流値は、電圧波形、好ましくは時間
変化により増大する波形であって、具体的にはのこぎり
状の波形となるので、ビデオ信号線Ｖid の寄生容量の
影響を受けることなく、第２のスイッチング素子Ｍ２に
駆動電流を流すことができる。これによってパネルサイ
ズを大きくすることができ、大画面のディスプレイにも
対応することができるとともに、高解像度になっても求
める電流値を各表示素子に入力することができる。When the circuit and the driving method thus configured are used, the above-mentioned current value is a voltage waveform, preferably a waveform that increases with time, and more specifically, becomes a saw-tooth waveform. The drive current can flow through the second switching element M2 without being affected by the parasitic capacitance of the video signal line Vid. As a result, the panel size can be increased, a large-screen display can be supported, and a desired current value can be input to each display element even at a high resolution.
【００６９】＜実施例３＞実施例３は実施例２を発展さ
せたものである。高解像度になるほど各画素の面積は小
さくなり画素中に占めるＴＦＴ等の回路部品の割合が大
きくなってしまう。そこで、図３に示すように、表示素
子側に配した選択ＴＦＴ、すなわち第４のスイッチング
素子Ｍ４を廃し、表示素子Ｄ１の他端（アノード）を直
接電源線ＶＤに接続する。そして、選択時間の間、電源
ＶＤの電位をP点の電位より低く保ち、これによって表
示素子、特に有機ＥＬ素子の有するダイオード特性によ
り実施例１の第４のスイッチング素子Ｍ４のＯＦＦ状態
と同じ状態を作る。つまり、表示素子、特に有機ＥＬ素
子には逆バイアスがかかっているので、電流を流さない
状態をつくりＰ点の電位を実施例１の選択時と同様に決
定する事ができる。<Embodiment 3> Embodiment 3 is an extension of Embodiment 2. As the resolution increases, the area of each pixel decreases, and the proportion of circuit components such as TFTs in the pixel increases. Therefore, as shown in FIG. 3, the selection TFT disposed on the display element side, that is, the fourth switching element M4 is omitted, and the other end (anode) of the display element D1 is directly connected to the power supply line VD. Then, during the selection time, the potential of the power supply VD is kept lower than the potential of the point P, whereby the same state as the OFF state of the fourth switching element M4 of the first embodiment due to the diode characteristics of the display element, especially the organic EL element. make. That is, since a reverse bias is applied to the display element, particularly the organic EL element, a state in which no current flows is created, and the potential at the point P can be determined in the same manner as when the first embodiment is selected.
【００７０】その他の構成要素は実施例２と同様であ
り、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略す
る。The other components are the same as those of the second embodiment, and the same components are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
【００７１】＜実施例４＞実施例４は実施例２を発展さ
せたものである。高解像度になる程、第１のスイッチン
グ素子M１、第４のスイッチング素子M４、第３のスイッ
チング素子M３は高速でスイッチングする必要が生じ
る。そして、それによるスイッチングノイズの影響が大
きくなる。そこで、図４に示すように、第２のスイッチ
ング素子M２の制御電極と被制御電極の他端間（ゲート
−ソース間）に容量Ｃ２を付加し、スイッチングノイズ
の影響を小さくさせる。これによって高解像度でも正確
に求める電流を表示素子（有機ＥＬ素子）に流すことが
できるようになる。<Embodiment 4> Embodiment 4 is an extension of Embodiment 2. As the resolution increases, the first switching element M1, the fourth switching element M4, and the third switching element M3 need to switch at a higher speed. Then, the influence of the switching noise thereby increases. Therefore, as shown in FIG. 4, a capacitor C2 is added between the control electrode of the second switching element M2 and the other end (between the gate and the source) of the controlled electrode to reduce the influence of switching noise. As a result, it is possible to accurately supply a desired current to a display element (organic EL element) even at a high resolution.
【００７２】なお、スイッチングノイズの低減には第１
のスイッチング素子M１、第４のスイッチング素子M４、
第３のスイッチング素子M３のＴＦＴスイッチをｃ−Ｍ
ＯＳで形成された、トランスファーゲートに変更するこ
とも有効である。この場合、スイッチとしての供給能力
を高めることができると同時に、相反する制御信号がト
ランスファーゲートを構成するスイッチング素子（ＴＦ
Ｔ）に供給されるため、スイッチングノイズを打ち消し
合うことができる。In order to reduce the switching noise, first,
Switching element M1, fourth switching element M4,
The TFT switch of the third switching element M3 is set to c-M
It is also effective to change to a transfer gate formed by the OS. In this case, the supply capability as a switch can be increased, and at the same time, a contradictory control signal is generated by a switching element (TF) constituting a transfer gate.
T), the switching noise can be canceled out.
【００７３】その他の構成要素は実施例２と同様であ
り、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略す
る。Other components are the same as those of the second embodiment, and the same components are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
【００７４】＜実施例５＞実施例５は実施例２を発展さ
せたものである。表示素子として好ましく用いられる有
機ＥＬ素子は、陰極に用いられる材料がフォトリソ等ウ
ェットプロセスに晒されると劣化し効率が低下しやす
い。そこで、図５に示すように、回路の構成を本実施例
に示すように変更することにより、有機ＥＬ素子の陰電
極を共通化し、分離を不要にしてウェットプロセスによ
るダメージを与えないようにする。これにより、高効率
の有機ＥＬ素子を有効に利用することができる。<Embodiment 5> Embodiment 5 is an extension of Embodiment 2. The organic EL element preferably used as a display element is deteriorated when the material used for the cathode is exposed to a wet process such as photolithography, and the efficiency is apt to be lowered. Therefore, as shown in FIG. 5, by changing the circuit configuration as shown in the present embodiment, the negative electrode of the organic EL element is made common, so that separation is not required and damage due to the wet process is prevented. . Thereby, a highly efficient organic EL element can be effectively used.
【００７５】図において、第１のスイッチング素子Ｍ１
は、その制御端子（ゲート）が選択線Ｓel に接続され
るとともに、被制御端子の一端（ドレイン）は容量Ｃ１
の一端に接続され、その被制御端子の他端（ソース）
は、駆動信号を与えるビデオ信号線Ｖid と接続されて
いる。In the figure, the first switching element M1
Has a control terminal (gate) connected to the select line Sel and one end (drain) of the controlled terminal connected to the capacitor C1.
And the other end of the controlled terminal (source)
Are connected to a video signal line Vid that supplies a drive signal.
【００７６】また、第３のスイッチング素子Ｍ３の制御
端子（ゲート）は、選択線Ｓel と接続され、被制御端
子の他端（ソース）は、容量Ｃ１の他端と、第４のスイ
ッチング素子Ｍ４の被制御端子の他端（ソース）と、第
２のスイッチング素子Ｍ２の被制御端子の一端（ドレイ
ン）と接続されている。また、その被制御端子の一端
（ドレイン）は、第２のスイッチング素子Ｍ２の制御端
子（ゲート）と接続されている。The control terminal (gate) of the third switching element M3 is connected to the selection line Sel. The other end (source) of the controlled terminal is connected to the other end of the capacitor C1 and the fourth switching element M4. And the other end (source) of the controlled terminal of the second switching element M2. One end (drain) of the controlled terminal is connected to the control terminal (gate) of the second switching element M2.
【００７７】前記第２のスイッチング素子Ｍ２の被制御
端子の他端（ソース）は、電源線ＶＤと接続され、その
被制御端子の一端（ドレイン）は、前記第３のスイッチ
ング素子Ｍ３の被制御端子の他端（ソース）と同様であ
る。The other end (source) of the controlled terminal of the second switching element M2 is connected to the power supply line VD, and one end (drain) of the controlled terminal is controlled by the third switching element M3. This is the same as the other end (source) of the terminal.
【００７８】また、第４のスイッチング素子Ｍ４の制御
電極（ゲート）は、選択線Ｓel と接続され、被制御端
子の一端（ドレイン）は、表示素子Ｄ１の他端（アノー
ド）と接続され、その他端（ソース）は、前記第３のス
イッチング素子Ｍ３の被制御端子の他端（ソース）と同
様である。そして、表示素子Ｄ１の一端（カソード）
は、接地線Ｖcom と接続されている。The control electrode (gate) of the fourth switching element M4 is connected to the selection line Sel, one end (drain) of the controlled terminal is connected to the other end (anode) of the display element D1, and the other. The end (source) is the same as the other end (source) of the controlled terminal of the third switching element M3. Then, one end (cathode) of the display element D1
Are connected to a ground line Vcom.
【００７９】次に、このような構成の回路の動作につい
て説明する。いま、選択線Sel をＨにする事により第１
のスイッチング素子Ｍｌ、第３のスイッチング素子Ｍ３
をＯＮに、第４のスイッチング素子Ｍ４をＯＦＦにす
る。同時にビデオ信号線Ｖid より、駆動信号として表
示素子（有機ＥＬ素子）Ｄｌに流したい電流をに対応し
た電圧信号を、実施例２と同様に入力する。この場合、
信号の向きは上記実施例２とは逆、すなわちマイナス側
となる。Next, the operation of the circuit having such a configuration will be described. Now, by setting the selection line Sel to H,
Switching element Ml, third switching element M3
Is turned on, and the fourth switching element M4 is turned off. At the same time, a voltage signal corresponding to a current to be supplied to the display element (organic EL element) Dl is input as a drive signal from the video signal line Vid in the same manner as in the second embodiment. in this case,
The direction of the signal is opposite to that of the second embodiment, that is, on the minus side.
【００８０】この時、電源線ＶＤ、選択線Sel 、接地線
Ｖcom の各ラインには第１および第３のスイッチング素
子Ｍｌ，Ｍ３が十分なＩonが得られ、第４のスイッチン
グ素子Ｍ４に十分なＩoff が得られる電位を入力しなけ
ればならない。ただし、ビデオ信号線Ｖid は、いま定
電流入力であり、第２のスイッチング素子Ｍ２の素子特
性によって電位は定まる。本実施例では各電位が以下の
様になる。 選択線Ｓel １０Ｖ ビデオ信号線Ｖid 最小０Ｖ 電源線ＶＤ １０Ｖ 接地線Ｖcom −５ＶAt this time, the first and third switching elements M1 and M3 have sufficient Ion on each of the power supply line VD, the selection line Sel, and the ground line Vcom, and have a sufficient Ion on the fourth switching element M4. The potential at which Ioff is obtained must be entered. However, the video signal line Vid is a constant current input, and the potential is determined by the element characteristics of the second switching element M2. In this embodiment, each potential is as follows. Select line Sel 10V Video signal line Vid Minimum 0V Power line VD 10V Ground line Vcom -5V
【００８１】次に、選択線Ｓel をＬにする事により第
１のスイッチング素子Ｍｌ、第３のスイッチング素子Ｍ
３をＯＦＦに、第４のスイッチング素子Ｍ４をＯＮにす
る。Next, by setting the selection line Sel to L, the first switching element Ml and the third switching element M
3 is turned off, and the fourth switching element M4 is turned on.
【００８２】この時、電源線ＶＤ、選択線Sel 、接地線
Ｖcom の各ラインには第１および第３のスイッチング素
子Ｍｌ，Ｍ３に十分なＩoff が得られ、第４のスイッチ
ング素子Ｍ４に十分なＩonが得られる電位を入力しなけ
ればならない。本実施例では選択線Ｓel を０Ｖに変化
させた。At this time, sufficient Ioff is obtained for the first and third switching elements M1 and M3 on each of the power supply line VD, the selection line Sel, and the ground line Vcom, and sufficient for the fourth switching element M4. The potential at which Ion is obtained must be entered. In this embodiment, the selection line Sel is changed to 0V.
【００８３】第３のスイッチング素子Ｍ３がＯＦＦされ
ることにより、第２のスイッチング素子Ｍ２のゲート電
位は実施例２と同様にＶｐが保持される。この時の表示
素子Ｄｌと、第２のスイッチング素子Ｍ２の負荷特性か
ら、第２のスイッチング素子Ｍ２が飽和領域で動作する
こととなり、上記で入力された駆動信号に対応した電流
値とほぼ同じ電流値が表示素子Ｄｌに流れることにな
る。When the third switching element M3 is turned off, the gate potential of the second switching element M2 is maintained at Vp as in the second embodiment. From the load characteristics of the display element D1 and the second switching element M2 at this time, the second switching element M2 operates in the saturation region, and the current substantially equal to the current value corresponding to the drive signal input above. The value will flow to the display element Dl.
【００８４】＜実施例６＞実施例６は実施例５を発展さ
せたものである。図６に示すように、実施例３と同様に
第４のスイッチング素子Ｍ４、つまりＴＦＴを１つ減ら
すことにより回路部品が画素に占める面積を減らすこと
ができる。この時、実施例３と同様に、選択間Ｖcom の
値を制御し、表示素子、特に有機ＥＬ素子を逆バイアス
状態にする。<Sixth Embodiment> A sixth embodiment is a development of the fifth embodiment. As shown in FIG. 6, the area occupied by the circuit components in the pixel can be reduced by reducing the number of the fourth switching element M4, that is, one TFT as in the third embodiment. At this time, as in the third embodiment, the value of Vcom during the selection is controlled, and the display element, particularly, the organic EL element is brought into a reverse bias state.
【００８５】その他の構成要素は実施例５と同様であ
り、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略す
る。The other components are the same as those of the fifth embodiment, and the same components are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
【００８６】[0086]
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、Ｐｏｌ
ｙ−Ｓｉの粒径による特性のばらつきの影響をなくし、
表示面のばらつきを改善することができる。As described above, according to the present invention, Pol
Eliminate the effect of variation in characteristics due to the particle size of y-Si,
Variations in the display surface can be improved.
【図１】本発明の画像表示装置の第１の態様を示した回
路図である。FIG. 1 is a circuit diagram showing a first embodiment of the image display device of the present invention.
【図２】本発明の画像表示装置の第２の態様を示した回
路図である。FIG. 2 is a circuit diagram showing a second embodiment of the image display device of the present invention.
【図３】本発明の画像表示装置の第３の態様を示した回
路図である。FIG. 3 is a circuit diagram showing a third mode of the image display device of the present invention.
【図４】本発明の画像表示装置の第４の態様を示した回
路図である。FIG. 4 is a circuit diagram showing a fourth embodiment of the image display device of the present invention.
【図５】本発明の画像表示装置の第５の態様を示した回
路図である。FIG. 5 is a circuit diagram showing a fifth mode of the image display device of the present invention.
【図６】本発明の画像表示装置の第６の態様を示した回
路図である。FIG. 6 is a circuit diagram showing a sixth embodiment of the image display device of the present invention.
【図７】第３のスイッチング素子の動作を説明する等価
回路図である。FIG. 7 is an equivalent circuit diagram illustrating an operation of a third switching element.
【図８】第３のスイッチング素子のＩ／Ｖ特性を示した
グラフである。FIG. 8 is a graph showing I / V characteristics of a third switching element.
【図９】本発明の画像表示装置を構成するＴＦＴの、一
製造工程を示した概略断面図である。FIG. 9 is a schematic cross-sectional view showing one manufacturing process of a TFT constituting the image display device of the present invention.
【図１０】本発明の画像表示装置を構成するＴＦＴの、
一製造工程を示した概略断面図である。FIG. 10 shows the structure of the TFT constituting the image display device of the present invention.
It is the schematic sectional drawing which showed one manufacturing process.
【図１１】本発明の画像表示装置を構成するＴＦＴの、
一製造工程を示した概略断面図である。FIG. 11 is a view showing a TFT constituting an image display device of the present invention;
It is the schematic sectional drawing which showed one manufacturing process.
【図１２】本発明の画像表示装置を構成するＴＦＴの、
一製造工程を示した概略断面図である。FIG. 12 is a diagram illustrating a TFT constituting an image display device according to the present invention.
It is the schematic sectional drawing which showed one manufacturing process.
【図１３】本発明の画像表示装置を構成するＴＦＴの、
一製造工程を示した概略断面図である。FIG. 13 shows TFTs constituting the image display device of the present invention.
It is the schematic sectional drawing which showed one manufacturing process.
【図１４】本発明の画像表示装置を構成するＴＦＴの、
一製造工程を示した概略断面図である。FIG. 14 shows TFTs constituting the image display device of the present invention.
It is the schematic sectional drawing which showed one manufacturing process.
【図１５】本発明の画像表示装置を構成するＴＦＴの、
一製造工程を示した概略断面図である。FIG. 15 shows TFTs constituting the image display device of the present invention.
It is the schematic sectional drawing which showed one manufacturing process.
【図１６】本発明の画像表示装置を構成するＴＦＴの、
一製造工程を示した概略断面図である。FIG. 16 shows a diagram illustrating a TFT constituting an image display device according to the present invention.
It is the schematic sectional drawing which showed one manufacturing process.
【図１７】従来のアクティブマトリックス型の有機ＥＬ
表示装置の一例を示したブロック構成図である。FIG. 17 shows a conventional active matrix type organic EL.
FIG. 2 is a block diagram illustrating an example of a display device.
【図１８】図１７のＡ部を拡大した回路図である。FIG. 18 is an enlarged circuit diagram of a portion A in FIG. 17;
Ｍ１ 第１のスイッチング素子 Ｍ２ 第２のスイッチング素子 Ｍ３ 第３のスイッチング素子 Ｍ４ 第４のスイッチング素子 Ｄ１ 表示素子 Ｃ１，Ｃ２ 容量 Ｖid ビデオ信号線 Ｓel 選択線 ＶＤ 電源線 Ｖcom 接地線 １０１ 基板 １０２ シリコン酸化膜 １０３ アモルファスシリコン層 １０３ａ 活性層 １０４ ゲート酸化膜 １０５ ゲート電極 M1 first switching element M2 second switching element M3 third switching element M4 fourth switching element D1 display element C1, C2 capacitance Vid video signal line Sel selection line VD power supply line Vcom ground line 101 substrate 102 silicon oxide film 103 Amorphous silicon layer 103a Active layer 104 Gate oxide film 105 Gate electrode
Claims (12)
る第２のスイッチング素子と、 選択信号により能動状態となり、前記第２のスイッチン
グ素子の一方の被制御端子と制御端子とを接続する第３
のスイッチング素子と、 選択信号により能動状態となり、前記第２のスイッチン
グ素子の他方の被制御端子に駆動信号を与える導通路を
形成する第１のスイッチング素子とを有し、 選択時に前記第２のスイッチング素子と第３のスイッチ
ング素子とでセルフバイアス回路を形成し、かつこの第
２のスイッチング素子に駆動電流に対応した駆動信号を
与え、 非選択時にこれを第２のスイッチング素子の特性に応じ
た第２のスイッチング素子の動作電圧として保持して前
記表示素子を駆動する駆動電流記憶手段を有する画像表
示装置。A second switching element connected to a display element and directly driving the second switching element; and a second switching element which is activated by a selection signal and connects one controlled terminal of the second switching element to a control terminal. 3
And a first switching element which is activated by a selection signal and forms a conduction path for supplying a drive signal to the other controlled terminal of the second switching element. A self-bias circuit is formed by the switching element and the third switching element, and a drive signal corresponding to the drive current is supplied to the second switching element. An image display device comprising a drive current storage means for driving the display element while holding it as an operating voltage of a second switching element.
動電流に応じた発光を行う請求項１の画像表示装置。2. The image display device according to claim 1, wherein the display element is driven by a current, and emits light according to the drive current.
信号として与えられ、かつこれを第２のスイッチング素
子の被制御端子に与えることにより、そのＩ／Ｖ特性か
ら得られた電圧値を保持する請求項１または２の画像表
示装置。3. The driving signal is supplied as a current signal corresponding to a driving current, and is supplied to a controlled terminal of a second switching element, so that a voltage value obtained from the I / V characteristic is obtained. The image display device according to claim 1, wherein the image display device holds the image.
り禁止状態となり、非選択時に前記発光素子を電源と接
続する第４のスイッチング素子を有する請求項１〜３の
いずれかの画像表示装置。4. The image display device according to claim 1, further comprising a fourth switching element connected to said light emitting element, disabled by a selection signal, and connecting said light emitting element to a power supply when not selected.
イッチング素子との間には駆動信号を電圧／電流変換す
るための容量成分を有し、 前記駆動信号は駆動電流に対応した電圧信号として与え
られるとともに、前記容量成分によりこの駆動信号を電
圧／電流変換して第２のスイッチング素子に与える請求
項１〜４のいずれかの画像表示装置。5. A driving circuit comprising a capacitance component for converting a drive signal into a voltage / current between the first switching element and the second switching element, wherein the drive signal is a voltage signal corresponding to a drive current. The image display device according to any one of claims 1 to 4, wherein said drive signal is supplied to said second switching element by voltage / current conversion by said capacitance component.
流に対応した増加率を有するのこぎり波状の形である請
求項５の画像表示装置。6. The image display device according to claim 5, wherein the drive signal has a sawtooth shape having an increasing rate corresponding to a drive current of the display element.
選択信号により禁止状態となり、非選択時に表示素子と
電源とを接続する第４のスイッチング素子を有する請求
項５または６のいずれかの画像表示装置。7. A power supply, disposed between the display element and a power supply,
7. The image display device according to claim 5, further comprising a fourth switching element which is disabled by a selection signal and connects the display element and a power supply when the display element is not selected.
るとともに、被制御端子の一端が表示素子の一端と、第
３のスイッチング素子の被制御端子の他端と、第２のス
イッチング素子の被制御端子の一端とに接続され、その
被制御端子の他端が駆動信号を与えるビデオ信号線と接
続されているている第１のスイッチング素子と、 その制御端子が選択線と接続され被制御端子の一端が第
２のスイッチング素子の制御端子と接続され、その被制
御端子の他端が前記第１のスイッチング素子の被制御端
子の一端と、表示素子の一端と、第２のスイッチング素
子の被制御端子の一端とに接続されている第３のスイッ
チング素子と、 その被制御端子の他端が、接地線に接続され、その被制
御端子の一端が、表示素子の一端と、第３のスイッチン
グ素子の被制御端子の他端と、第１のスイッチング素子
の被制御端子の一端とに接続されている第２のスイッチ
ング素子と、 その制御電極が選択線と接続され、被制御端子の一端が
表示素子の他端と接続され、その他端は電源線と接続さ
れている第４のスイッチング素子と、 これらのスイッチング素子により駆動される表示素子と
を有する画像表示装置。8. A control terminal connected to the selection line Sel, one end of the controlled terminal is connected to one end of the display element, the other end of the controlled terminal of the third switching element, and the other end of the second switching element. A first switching element connected to one end of the controlled terminal and the other end of the controlled terminal connected to a video signal line for providing a drive signal; One end of the terminal is connected to the control terminal of the second switching element, and the other end of the controlled terminal is connected to one end of the controlled terminal of the first switching element, one end of the display element, and one end of the second switching element. A third switching element connected to one end of the controlled terminal; the other end of the controlled terminal is connected to the ground line; one end of the controlled terminal is connected to one end of the display element; The switching element A second switching element connected to the other end of the control terminal and one end of a controlled terminal of the first switching element; a control electrode connected to the selection line; An image display device comprising: a fourth switching element connected to the other end and a power supply line at the other end; and a display element driven by the switching element.
もに、被制御端子の一端が容量の一端に接続され、その
被制御端子の他端は、駆動信号を与えるビデオ信号線と
接続されている第１のスイッチング素子と、 その制御端子が、選択線と接続され、被制御端子の他端
は、容量の他端と、第４のスイッチング素子の被制御端
子の他端と、第２のスイッチング素子の被制御端子の一
端と接続され、その被制御端子の一端は、第２のスイッ
チング素子の制御端子と接続されている第３のスイッチ
ング素子と、 その被制御端子の他端は、電源線と接続され、その被制
御端子の一端は、第３のスイッチング素子の被制御端子
の他端と、容量の他端と、第４のスイッチング素子の被
制御端子の他端と接続されている第２のスイッチング素
子と、 その被制御端子の他端は、第３のスイッチング素子の被
制御端子の他端と、容量の他端と、第２のスイッチング
素子の被制御端子の一端と接続され、その制御電極は、
選択線と接続され、その被制御端子の一端は、表示素子
の他端と接続されている第４のスイッチング素子と、 その一端が、接地線と接続され、これらのスイッチング
素子により駆動される表示素子とを有する画像表示装
置。9. The control terminal is connected to a selection line, one end of a controlled terminal is connected to one end of a capacitor, and the other end of the controlled terminal is connected to a video signal line for providing a drive signal. A first switching element, the control terminal of which is connected to the selection line, the other end of the controlled terminal, the other end of the capacitor, the other end of the controlled terminal of the fourth switching element, and the second One end of the controlled terminal of the switching element is connected to one end of the controlled terminal, one end of the controlled terminal is connected to the control terminal of the second switching element, and the other end of the controlled terminal is connected to the power supply. One end of the controlled terminal is connected to the other end of the controlled terminal of the third switching element, the other end of the capacitor, and the other end of the controlled terminal of the fourth switching element. The second switching element and its control The other end of the control terminal is connected to the other end of the controlled terminal of the third switching element, the other end of the capacitor, and one end of the controlled terminal of the second switching element.
One end of the controlled terminal is connected to the selection line, one end of the controlled terminal is connected to the other end of the display element, and one end of the fourth switching element is connected to the ground line, and the display is driven by these switching elements. An image display device having an element.
スイッチング素子はポリシリコンＴＦＴである請求項１
ないし９のいずれかの画像表示装置。10. The switching device according to claim 1, wherein the first to third switching elements are polysilicon TFTs.
Any one of the image display devices according to any one of claims 9 to 9.
請求項１〜１０のいずれかの画像表示装置。11. The image display device according to claim 1, wherein said display element is an organic EL element.
る期間にビデオ信号線から駆動信号を入力し、非選択時
に表示素子を駆動する請求項１〜１１のいずれかの画像
表示装置。12. The image display device according to claim 1, wherein a drive signal is input from a video signal line during a period when the selection signal is being input from the selection line, and the display element is driven when the selection signal is not selected.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP11231493A JP2001056667A (en) | 1999-08-18 | 1999-08-18 | Picture display device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001056667A true JP2001056667A (en) | 2001-02-27 |
Family
ID=16924363
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11231493A Withdrawn JP2001056667A (en) | 1999-08-18 | 1999-08-18 | Picture display device |
Country Status (1)
| Country | Link |
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