JP2001056569A - レーザ露光装置 - Google Patents
レーザ露光装置Info
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
させることで露光するレーザ露光装置において、アブレ
ーションにより発生するガス状粒子によって集光レンズ
が汚染されることがないレーザ露光装置を提供するこ
と。 【解決手段】 レーザ光Lを射出するレーザ光源2と集
光レンズ3とを備えてなり、レーザ光源2から射出され
たレーザ光Lを集光レンズ3によって集光させて感光材
料を露光するレーザ露光装置1である。レーザ露光装置
1は、レーザ光Lの光路に影響を与えることなく露光面
に対して集光レンズ3を覆うことが可能な遮蔽部材7
が、集光レンズ3と前記感光材料との間に設置されるこ
とを特徴とする。
Description
ザ露光装置に関し、好ましくは平版印刷版用の原板を露
光するためのレーザ露光装置に関する。
ら、親水性支持体上に親油性の感光材料を設けたPS版
が広く用いられている。その製版方法として、リスフイ
ルムなどの画像を通して露光を行った後に非画像部を現
像液によって溶解除去する方法があり、この方法により
所望の印刷版を得ている。
報をコンピュータを用いて電子的に処理、蓄積、出力す
る、ディジタル化技術が広く普及してきており、このよ
うな、ディジタル化技術に対応した、新しい画像出力方
式が種々実用化されるようになってきている。これに伴
い、レーザ光のような高収斂性の輻射線にディジタル化
された画像情報を担持して、このレーザ光によって原板
を走査露光し、リスフィルムを介することなく、直接印
刷版を製造するコンピュータ・トゥ・プレート(以下、
CTPと記載する)技術が注目されている。
による印刷版の製造方法として、最近、半導体レーザ、
YAGレーザ等の固体レーザで高出力のものが安価に入
手できるようになってきたことから、特に、これらのレ
ーザ光を画像記録手段として用いる製版方法が有望視さ
れるようになっている。高出力レーザ光を用いた高パワ
ー密度の露光を用いる方法では、露光領域に対して、瞬
間的に大量の光エネルギーが集中照射して、光エネルギ
ーを効率的に熱エネルギーに変換し、その熱により化学
変化、相変化、形態や構造の変化などの熱変化を起こさ
せ、その変化を画像記録に利用する。つまり、画像情報
はレーザ光などの光エネルギーによって入力されるが、
画像記録は熱エネルギーによる反応によって記録され
る。通常、このような高パワー密度露光による発熱を利
用した記録方式はヒートモード記録と呼び、光エネルギ
ーを熱エネルギーに変えることを光熱変換と呼んでい
る。
大きな長所は、室内照明のような通常の照度レベルの光
では感光材料が感光せず、また高照度露光によって記録
された画像は定着が必須ではないことにある。つまり、
画像記録にヒートモード感光材料を利用すると、露光前
には、室内光に対して安全であり、露光後にも画像の定
着は必須ではない。したがって、例えば、ヒートモード
露光により不溶化若しくは可溶化する画像記録層を用
い、露光した画像記録層を像様に除去して印刷版とする
製版工程を印刷機上現像方式で行えば、現像(非画像部
の除去)は、画像露光後ある時間、たとえ室内の環境光
に暴露されても、画像が影響を受けないような印刷シス
テムが可能となる。したがってヒートモード記録を利用
すれば、印刷機上現像方式に望ましい平版印刷版用の原
板を得ることも可能となると期待されている。
ド記録を行なう場合においては、レーザ光を集光させる
ための集光レンズに比較的短焦点のものを使用すること
が多い。これは露光手段としてインコヒーレントなレー
ザ光を用いても、短焦点レンズを使用すれば当該レーザ
光を細く絞ることができるので、露光の解像度を高くす
ることができるからである。
は、露光されている感光材料がアブレーションを起こす
ことによって画像形成を行なう場合がある。このとき、
前記集光レンズが短焦点であるということは、集光レン
ズとアブレーション発生点との距離が短いということに
等しい。アブレーションとは、レーザ光を目標点に集光
する事によって、この目標点の感光材料を急激に高温に
し、よって、その表面から爆発的にガス状粒子が放出さ
れる現象である。したがって、アブレーションによる露
光に焦点距離の短い集光レンズを用いた場合、この集光
レンズは前記アブレーション発生点付近に配置されるの
で、当然のごとく前記ガス状粒子(以下、アブレーショ
ンカスと記載)に曝されることになる。
前記アブレーションカスが前記集光レンズに次々と付着
することとなり、前記集光レンズの表面は次第に汚染さ
れる。そして、大きく汚染されたレンズはその集光性お
よび透過率が劣化してしまうので、良好な露光を行なえ
なくなる。更に、前記集光レンズに対してレーザ光が与
える負荷が増大してしまうので、前記集光レンズの寿命
も劣化する。その結果、不測の事態が生じる可能性も高
くなる。
感光材料露光用レーザ露光装置を提供することであり、
アブレーションカスによって集光レンズが汚染されるこ
とがないレーザ露光装置を提供することである。
ーザ光を射出するレーザ光源と集光レンズとを備えてな
り、前記レーザ光源から射出された前記レーザ光を前記
集光レンズによって集光させて感光材料を露光するレー
ザ露光装置において、前記レーザ光の光路に影響を与え
ることなく露光面に対して前記集光レンズを覆うことが
可能な遮蔽部材が、前記集光レンズと前記感光材料との
間に設置されることを特徴とするレーザ露光装置によっ
て達成される。
光材料がアブレーションすることによって発生するガス
状粒子(アブレーションカス)のほとんどは、集光レン
ズにたどり着く前に遮蔽部材に付着する。その結果、前
記アブレーションカスによって集光レンズが汚染される
ことは防止される。したがって、この汚染によって発生
する露光不良および前記集光レンズの寿命劣化を防ぎ、
安定な露光状態を保つことができる。
本発明の実施形態を説明する。
装置の一実施形態である。ただし、図示されるのは装置
のモデルであり、本発明にかかる部分の機構のみが示さ
れる。このレーザ露光装置1は、基板に感光材料を塗布
した平版印刷版用の原板を露光するための装置である。
レーザ発振器2によって発振されたレーザ光Lはコリメ
ータレンズ8によって整形されて集光レンズ3に入る機
構となっている。また、この実施形態において、レーザ
発振器2は半導体レーザであり、かつこのレーザ発振器
2によって発振されるレーザ光Lは高パワーを有する。
集光レンズ3の焦点において集束する。露光の解像度を
高くするために、この焦点距離は短距離である。一方、
ドラム4上には基板に感光材料を塗布した原板6が装着
されており、そして、レーザ光Lの焦点(集光レンズ3
の集束点)が常に原板6の表面にくるように、レーザ発
振器2、集光レンズ3およびコリメータレンズ8は配置
されている。すなわち、原板6の露光は集光レンズ3の
焦点において行われる。また、原板6に塗布されている
のはヒートモード記録用の感光層であり、かつレーザ光
によりアブレーションするタイプである。加えて、ドラ
ム4は回転可能であり、この回転は制御装置5によって
制御されている。この制御装置5はまた、レーザ発振器
2の発振のON/OFFをも制御している。更にこれら
の光学系はドラム4の回転軸に沿って移動することがで
き、その移動も制御装置5によって制御される。すなわ
ち、レーザ露光装置1はCTP方式の露光装置として設
計されている。
分であるカバー7について説明する。このカバー7は中
空円錐型形状であり、その先端付近にレーザ光通過用の
孔9を有している。カバー7はレーザ光Lがこの孔9を
通過するように配置されており、かつ、カバー7は集光
レンズ3と、この集光レンズ3の焦点との間において、
少なくともその最大径の部分で集光レンズ3のレンズ面
全体を覆うことが可能なように配置されている。また、
集光レンズ3とカバー7との間にはある程度の隙間が存
在していてもよい。
と、原板6上の感光材料がアブレーションし、ガス状粒
子が放出される。レーザ露光装置1においては、カバー
7が集光レンズ3と、この集光レンズ3の焦点との間に
配置されているため、前記ガス粒子はカバー7に付着
し、その結果、前記ガス状粒子が集光レンズ3に付着す
ることが妨げられる。よって、集光レンズ3の汚染が妨
げられ、その結果、良好な露光を保つことができ、かつ
集光レンズ3の寿命の低下を防止することができる。
カバー7の内側を加圧し、その外側よりも高圧な状態に
保つことができる手段を設けることで、図2の矢印に示
されるような流れが空気に生じ、よって孔9から空気の
噴射が生じる。その結果、前記ガス状粒子が孔9から侵
入することを妨げ、集光レンズ3への付着が更に妨げら
れる。この手段としては、例えば、カバー7内に圧縮ガ
スを供給するためのコンプレッサ(図示せず)を設ける
ことが考えられる。この実施形態においては前記コンプ
レッサが吸入口10に接続される。
ー7とは異なる構成のカバー17である。カバー17は
中空円錐型形状の内側部材17aと、同じく中空円錐型
形状の外側部材17bとからなる。内側部材17aおよ
び外側部材17bは、その先端にそれぞれ孔19aおよ
び孔19bを有する。内側部材17aは外側部材17b
の内部に配置され、これら部材間には隙間Gが存在す
る。
ラム周囲の雰囲気の気圧をP1、隙間G内の気圧をP
2、内側部材17a内の気圧をP3としたとき、P1>
P2かつP3>P2という状態に保つ手段を設ける。こ
の手段を設けることによって、図3の矢印で示されるよ
うな空気の流れが生じ、その結果、ガス状粒子が孔19
aから進入することを妨げ、かつ隙間Gを通って露光面
近傍から排除され、よって集光レンズ3への付着が更に
妨げられる。この手段としては、例えば、内側部材17
aの内部に圧縮ガスを供給するためのコンプレッサ(図
示せず)を設けると共に、隙間G内のガスを吸引する吸
引器(図示せず)を設けることが考えられる。この実施
形態においては、内側部材17aに連通する吸入口10
aがコンプレッサに接続され、外側部材17bに連通す
る排出口10bが吸引器に接続される。
する。原板6は、基板の上に感光材料が塗布されること
によって成る。
る。本実施形態においては、基板はアルミニウム支持体
として提供される。 (1) 99.5重量%アルミニウムに、銅を0.01
重量%、チタンを0.03重量%、鉄を0.3重量%、
ケイ素を0.1重量%含有するJISA1050アルミ
ニウム材の厚み0.24mm圧延板を、400メッシュ
のパミストン(共立窯業製)の20重量%水性懸濁液
と、回転ナイロンブラシ(6,10−ナイロン)とを用
いてその表面を砂目立てした後、よく水で洗浄する。 (2) これを15重量%水酸化ナトリウム水溶液(ア
ルミニウム4.5重量%含有)に浸漬してアルミニウム
の溶解量が5g/m2になるようにエッチングした後、
流水で水洗する。 (3) 更に、1重量%硝酸で中和し、次に0.7重量
%硝酸水溶液(アルミニウム0.5重量%含有)中で、
陽極時電圧10.5ボルト、陰極時電圧9.3ボルトの
矩形波交番波形電圧(電流比r=0.90、特公昭58
−5796号公報実施例に記載されている電流波形)を
用いて160クーロン/dm2の陽極時電気量で電解粗
面化処理を行う。 (4) 水洗後、35℃の10重量%水酸化ナトリウム
水溶液中に浸漬して、アルミニウム溶解量が1g/m2
になるようにエッチングした後、水洗した。次に、50
℃、30重量%の硫酸水溶液中に浸漬し、デスマットし
た後、水洗する。 (5) 更に、35℃の硫酸20重量%水溶液(アルミ
ニウム0.8重量%含有)中で直流電流を用いて、多孔
性陽極酸化皮膜形成処理を行う。すなわち、電流密度1
3A/dm2で電解を行い、電解時間の調節により陽極
酸化皮膜重量2.7g/m2とする。 (6) この支持体を水洗後、70℃のケイ酸ナトリウ
ムの3重量%水溶液に30秒間浸漬処理し、水洗乾燥す
る。 以上のようにして得られたアルミニウム支持体は、マク
ベスRD920反射濃度計で測定した反射濃度は0.3
0で、中心線平均粗さは0.58μmであった。
程を述べる。 <2> 感光材料の塗布 <テトラメトキシシラン分散液の調製>ゾルゲル変換性
の成分としてテトラメトキシシランを含んだ下記の処方
(A)の分散液(ゾルゲル液(A)と呼ぶ)を調製す
る。調製方法としては、シリコンテトラエトキシド、エ
タノール、純水、硝酸の順に混合してゆき、室温で1時
間攪拌してゾルゲル液(A)を作成する。 ゾルゲル液(A)処方 シリコンテトラエトキシド 18.37g エタノール(95%) 32.56g 純水 32.56g 硝酸 0.02g 感光材料として上記のゾルゲル液(A)と表1に記載の
試料1〜8の光熱変換性の微粒子を含んだ合計8種類の
分散液を調製する。調製は、各成分を下記処方のように
含んだ混合物にガラスビーズ10gを添加してペイント
シェーカーで10分間攪拌して分散液とする。
製〕(10%水溶液) 3.50g コロイダルシリカ〔スノーテックスC、日産化学(株)
製〕(20%水溶液) 6.0g 純水 7.49g 表1の試料2、4および7の各光熱変換性微粒子のシリ
ケート処理は、70℃のけい酸ナトリウム(30%)水
溶液に30秒浸漬して行う。試料5のカーボンブラック
は、カーボンブラック粒子(10g)を0.01Tor
rの減圧下で脱気したのち、出力20Wのプラズマ照射
のもとで水蒸気を流して粒子表面に水酸基を導入し、こ
れを水に分散させ、その中にテトラエトキシシラン20
mLを滴下して2時間攪拌して得る。
ーコートによって前記したアルミニウム基板上に乾燥厚
み2.0μmになるように塗布したのち、空気オーブン
に入れて100°Cで10分間乾燥して画像記録層を形
成させる。このようにして、原板が作製される。
バー7を備えたレーザ露光装置1によって上述の原板の
露光を行なったところ、どの試料についても原板上に塗
布された感光材料がアブレーションを起こしたとき、集
光レンズ3にアブレーションカスが付着することはなか
った。
発明はこの実施形態に限定されることなく実施される。
また、本発明に有効な感光材料は必ずしもアブレーショ
ンするタイプである必要はなく、本発明はアブレーショ
ンしない感光材料の露光装置としても使用されてもよ
い。アブレーションしないタイプの感光材料を露光する
場合においても本発明の要旨が変化することはなく、不
測のアブレーションが起こったときに、集光レンズへの
ガス状粒子の付着が防止される。また、カバー7、17
は必ずしも円錐型である必要はなく、例えば、四角錐
型、三角錐型、底面楕円の円錐型、直方体型、または単
なる平板型でもよい。
光の光路に影響を与えることなく露光面に対して集光レ
ンズを覆うことが可能な遮蔽部材が、前記集光レンズと
感光材料との間に設置されることにより、当該遮蔽部材
がアブレーションによって発生するガス状粒子を前記集
光レンズに到達させないので、当該ガス状粒子によって
集光レンズが汚染されることがない。したがって、当該
汚染によって生じる露光、前記集光レンズの寿命低下等
が防止される。
である。
蔽部材)の傾斜図である。
蔽部材)の傾斜図である。
Claims (2)
- 【請求項1】 レーザ光を射出するレーザ光源と集光レ
ンズとを備えてなり、前記レーザ光源から射出された前
記レーザ光を前記集光レンズによって集光させて感光材
料を露光するレーザ露光装置において、前記レーザ光の
光路に影響を与えることなく露光面に対して前記集光レ
ンズを覆うことが可能な遮蔽部材が、前記集光レンズと
前記感光材料との間に設置されることを特徴とするレー
ザ露光装置。 - 【請求項2】 前記遮蔽部材が前記集光レンズを通過し
た前記レーザ光の光路を囲繞して略閉空間を形成し、更
に、当該光路を含む前記遮蔽部材の内部が加圧されるこ
とを特徴とする、請求項1に記載のレーザ露光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23274699A JP3890429B2 (ja) | 1999-08-19 | 1999-08-19 | レーザ露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23274699A JP3890429B2 (ja) | 1999-08-19 | 1999-08-19 | レーザ露光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001056569A true JP2001056569A (ja) | 2001-02-27 |
JP3890429B2 JP3890429B2 (ja) | 2007-03-07 |
Family
ID=16944121
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23274699A Expired - Fee Related JP3890429B2 (ja) | 1999-08-19 | 1999-08-19 | レーザ露光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3890429B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7867695B2 (en) | 2003-09-11 | 2011-01-11 | Bright View Technologies Corporation | Methods for mastering microstructures through a substrate using negative photoresist |
JP2018159909A (ja) * | 2017-03-22 | 2018-10-11 | 株式会社Screenホールディングス | 描画装置、及び描画装置の汚染防止方法 |
-
1999
- 1999-08-19 JP JP23274699A patent/JP3890429B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US7867695B2 (en) | 2003-09-11 | 2011-01-11 | Bright View Technologies Corporation | Methods for mastering microstructures through a substrate using negative photoresist |
US8263318B2 (en) | 2003-09-11 | 2012-09-11 | Bright View Technologies Corporation | Methods for mastering microstructures through a substrate using negative photoresist |
JP2018159909A (ja) * | 2017-03-22 | 2018-10-11 | 株式会社Screenホールディングス | 描画装置、及び描画装置の汚染防止方法 |
JP7004381B2 (ja) | 2017-03-22 | 2022-01-21 | 株式会社Screenホールディングス | 描画装置、及び描画装置の汚染防止方法 |
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---|---|
JP3890429B2 (ja) | 2007-03-07 |
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