JP2001053379A - 光送信装置 - Google Patents

光送信装置

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JP2001053379A JP11225894A JP22589499A JP2001053379A JP 2001053379 A JP2001053379 A JP 2001053379A JP 11225894 A JP11225894 A JP 11225894A JP 22589499 A JP22589499 A JP 22589499A JP 2001053379 A JP2001053379 A JP 2001053379A
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optical
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optical transmission
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雅博 青木
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Abstract

(57)【要約】 【課題】容易な手法で波長標準チャンネルに適合可能な
波長多重通信用光源を用い、波長多重光送信装置を低コ
ストで再現性良く実現する。 【解決手段】波長可変光源101の出力光の一部は波長
安定化素子104に導かれ、所定の波長からの差分を受
光素子105及び演算回路107で検出し、制御回路1
08、109を介してを光源に帰還する。特に制御回路
108は、波長制御性に優れる分布帰還型半導体レーザ
の上部電極の直上に薄膜ヒータを搭載したヒータ集積波
長可変レーザの上部電極に制御回路の出力を広範囲に可
変すると共に、演算回路の出力によって所定周波数のず
れを補正する。 【効果】高密度波長多重光通信に好適な光伝送装置が実
現可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は光送信装置に係り、
更に詳しくいえば、波長の異なる複数の信号光を用いた
波長多重光伝通信システム等に適用される光送信装置に
関する。
【0002】
【従来の技術】複数の波長の光信号を同一の光伝送線路
で伝える波長多重光通信は通信技術、光情報処理技術の
さらなる高性能化、低コスト化に向け重要である。
【0003】波長多重光通信では、複数チャンネルの光
源の波長を所定の値に安定して保つことが重要ある。現
在、波長多重光通信で使用する各チャンネルの波長又は
周波数は、国際標準化(ITU)により50乃至100
GHz間隔(約0.4乃至は0.8nm間隔)で詳細に
決められている。このため光源となる半導体レーザの波
長をいかにして、標準値(ITUグリッド)に安定して
設定するかが大きな課題のひとつである。従来、高度の
信頼性が要求される波長多重光通信装置では、各チャン
ネル毎に波長モニタとフィードバック回路を設けて光源
の波長安定化を行うと共に、故障時に備えた予備の光源
を各チャンネルに設けている。また、個々の光源である
分布帰還型(DFB)レーザの発振波長を所定の狭い波
長域内に作り込む必要がある。このため、半導体レーザ
の作製歩留まりに大きな課題が残る。これらの課題は、
送信装置の小型化、低コスト化の大きな障害であり、今
後、チャンネル間隔の低減、チャンネル数増大に伴って
大きな問題となる。
【0004】一方、発振波長を変えることができる半導
体レーザを光源とし、複数のチャンネルの所要波長帶域
にわたって波長を変えることができる光源が検討されて
いる。しかし、この場合、効率良く、簡易、かつ連続的
に波長を掃引可能な波長可変半導体レーザの実現に加
え、波長をITUグリッド上に固定する波長安定化技術
が要求される。この要求に対し、温度調節素子(ペルチ
ェ)による波長可変機構と薄膜エタロンフィルタとを組
み合わせた波長可変/安定化光源が実現されているが消
費電力が大きいことに加え構成や作製が複雑である問題
がある。尚、この種の波長多重通信光源としてアイトリ
プルイー・フォトニクス・テクノロジ・レタース第4
冊、321頁、1992年が挙げられる。
【0005】一方、現在、長距離幹線系の光通信システ
ムでは、信号の伝送速度は2.5〜10Gb/sが主流
であり、外部変調方式が必須ある。このため、半導体レ
ーザと外部光変調器をモノリシック集積した変調器集積
光源の形態が望ましい。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の主な
目的は、製造が容易で上記波長標準チャンネルにチュー
ニング可能な波長多重通信用光送信装置を提供すること
である。特に外部変調器をモノリシック集積した半導体
レーザを用いた長距離伝送に好適な光送信装置を提供す
ることである。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の光送信装置は、単一波長の光を発光する半
導体レーザと、上記単一波長を広範囲に可変するととも
に、可変した単一波長を特定の波長に安定化する制御回
路と、上記半導体レーザの光を光電変換し上記制御回路
に加える光学手段を有して構成される。
【0008】本発明の好ましい実施形態では、上記半導
体レーザと上記光学手段は単一の基板上にモノリシック
集積化又はハイブリッド集積化される。また、上記半導
体レーザは、波長制御性に優れる分布帰還型又は分布反
射型半導体レーザの上部電極の直上に薄膜ヒータを搭載
したヒータ集積波長可変構造で構成さる。また、上記光
学手段は複数の離散的周波数に対して類似の単峰の周波
数特性を持つ光学素子からなり、上記制御回路が上記単
一波長を可変する波長制御変部と上記半導体レーザの駆
動電流を制御する駆動電流制御部を持ち、上記波長制御
変部及び上記駆動電流制御部の入力部にそれぞれの上記
離散的周波数の相隣る周波数の信号成分の差信号及び和
信号を加えるように構成される。
【0009】本発明の他の目的、特徴は実施形態の中で
説明する。
【0010】
【発明の実施の形態】<実施形態1>図1は本発明によ
る光送信装置を構成する光源部の一実施形態の構成を示
す。
【0011】本実施形態は、単一波長でその単一波長が
可変でされた光を放出する半導体レーザ101と、上記
単一波長を可変し、かつ可変された単一波長を特定の波
長に安定化する制御回路(108、109)と、半導体
レーザ101の光を光電変換し上記制御回路に加える光
学手段(103、104、106)を有して構成され
る。
【0012】波長可変半導体レーザ部101の出力光
は、光結合部102を介して、光分波器103に導かれ
る。光分波器103では、入力光の一部が所要光として
外部変調器(図示されていない)に加えられる。上記出
力光の一部は分波され、アレイ導波路格子フィルタ10
4を通過した後、上記出力光の波長に応じて、アレイ導
波路格子104の各出力導波路106に導かれる。出力
導波路106に導かれた導波光は各出力導波路106の
出力端に対応して設けられた受光素子アレイ105によ
って光電変換される。光電変換された光電流は、演算回
路107(詳細は後で図3で説明する)で変換され、一
部は波長制御回路108を介してヒータ集積型波長可変
レーザである波長可変半導体レーザ部101の上部電極
近傍に設けられた加熱電極に加えられ、他の一部はレー
ザ駆動電流制御回路109を介して、半導体レーザ部1
01の駆動電極に加えられる。
【0013】図2は、図1の受光素子アレイ105及び
演算回路107部の詳細を示す回路図である。受光素子
アレイ105中、相隣なる各受光素子をi番目、i+1
番目、i+21番目・・・のように番号を付している。
演算回路107のそれぞれは、相隣なる受光素子からの
光電流を2入力とする差動増幅器で構成されている。各
差動増幅器106の和出力は共通に線路111で接続さ
れ、レーザ駆動電流制御回路109に接続され、各差動
増幅器の差出力は共通に線路110で接続され、波長制
御回路108に加えられる。
【0014】図3は、受光素子アレイ105部及び演算
回路107部の特性図であり、(a)及び(b)はそれ
ぞれ受光素子アレイ105の光電流量の入力光波長依存
性及び演算回路107部の出力の波長依存性を示す。各
受光素子105の光電流量は、(a)の入力光波長依存
性に示すように、アレイ導波路格子フィルタ104の透
過波長に応じ光電流が変化する。この場合、アレイ導波
路格子フィルタ104の透過波長の間隔、半値全幅を共
に50GHzに設定している。アレイ導波路格子フィル
タ104及び各受光素子105の総合特性は、複数の離
散的周波数fi、fi+1,fi+2・・・に対して類似の単
峰の周波数特性を持つ。
【0015】受光素子アレイ105中i番目及びi+1
番目の受光素子の出力電流をそれぞれIph,i、Iph,i+1
とし、これらの和成分(Iph,i+Iph,i+1)及び差成分
(Iph,i−Iph,i+1)を演算増幅器107を用いて抽出
する。
【0016】図(b)に示すように、差成分(Iph,i
ph,i+1)は、周波数fiでゼロ点を横切る。また、各
離散周波数fi(i=1,2,..)は、ほぼ50GH
zの等間隔に配置される。図に示す例は、191.0±
0.5i(THz)の場合である。一方、和成分(I
ph,i+Iph,i+1)はほぼ一定の値となる。この差成分を
線路110介して波長制御回路108に加え、波長制御
電流にフィードバックすることにより波長可変レーザ1
01の発振波長を所定の波長値λiに安定化する。即
ち、前もって定められて波長制御電流に上記差成分を加
えることにより、波長可変レーザ101の発振波長λi
に対応する周波数fiが、図3(b)の光電流がゼロと
なるようにレーザ101の加熱電極に加える電流が制御
される。一方、和成分を線路111介してレーザ駆動電
流制御回路109に加え、波長可変レーザ101の駆動
電流にフィードバックすることにより波長可変レーザ1
01の光出力を所定の値に制御する。
【0017】本実施形態の特長は、一つの導波炉型デバ
イス(アレイ導波路格子フィルタ104)を用いて複数
の波長を安定化することである。従って、特に波長可変
光源の発振波長を所定の離散的な波長で安定化させる。
【0018】以上、本実施形態ではヒータ集積型波長可
変レーザについて示したが、波長を広範囲で可変でき、
かつ上記広範囲の中の離散的周波数に設定する必要のあ
る形態の波長可変レーザにおける波長安定化に対しても
同様な構成で適用できる。
【0019】<実施形態2>図4は本発明による光送信
装置を構成する光源部の第2の実施形態の構成を示す。
本実施形態は図1に示した構成部品を同一基板上にハイ
ブリッド集積化したものである。
【0020】シリコン基板213上に、石英系光導波路
からなるアレイ導波路格子フィルタ212を形成する。
シリコン基板216上に、波長可変分布帰還型半導体レ
ーザ201を集積化するレーザ搭載部214、受光素子
アレイ205を集積化する搭載部215が設けられる。
なお、201ないし211は、それぞれ図1の101な
いし111に対応する。
【0021】半導体レーザ201は、図5の断面図に示
すように、多重量子井戸活性層を有する発振波長約15
50nmの分布帰還型半導体レーザ201の素子表面電
極217直上に、表面電極217と電気的に絶縁された
白金薄膜ヒータ218を形成する。本構造では白金薄膜
ヒータ218に通電することにより、レーザ活性層部を
加熱し、屈折率変化を生じさせる。これにより、分布帰
還型レーザ201の発振波長を変化させる。また、分布
帰還型半導体レーザ201の前後端面にはスポット拡大
導波路219がモノリシック集積されている。上記実施
形態では白金薄膜ヒータ218は表面電極217直上に
設けた場合を示したが、半導体レーザを構成する導波路
の近傍の1〜30μmの領域に設けてもよい。
【0022】波長可変分布帰還型半導体レーザ201の
後方出力光は、アレイ導波路格子フィルタ212を通過
した後、出力光の波長に応じて、アレイ導波路格子21
2の各出力導波路206導かれる。この導波光は各出力
導波路206の出力端部に設けられた受光素子アレイ2
05で光電流に変換される。アレイ導波路格子フィルタ
212の透過波長に応じ光電流が変化するため、実施形
態1と同様に隣り合う受光素子の光電流の差成分及び和
成分を抽出し、それぞれ波長制御回路208、レーザ駆
動電流制御回路209を介してヒータ電流、レーザ駆動
電流にフィードバックすることにより波長可変レーザ2
01の光出力及び波長を所定の波長値に安定化する。
【0023】<実施形態3>図6は本発明による光送信
装置を構成する光源部の第3の実施形態の構成を示す。
本実施形態は、実施形態1の構成部品(101、10
5、106、112)を単一のInP基板304上にモ
ノリシック集積化した点で実施形態1と異なり、各構成
部品301、305、306、308、309及び31
2はそれぞれ図1の101、105、106、108、
109及び112に対応し、その構成動作は実施形態1
と同様である。多重量子井戸活性層を有する発振波長約
1550nmの分布帰還型半導体レーザ301の素子表
面電極317上部に、表面電極317と電気的に絶縁さ
れた白金薄膜ヒータ318を公知の手法により形成す
る。
【0024】本実施形態では、白金薄膜ヒータ318に
通電することにより、レーザ活性層部を加熱し、屈折率
変化を生じさせ、従って分布帰還型レーザ301の発振
波長を変化させる。分布帰還型半導体レーザ301の後
方側には、InGaAsP導波路からなるアレイ導波路
格子フィルタ312がモノリシック集積化されている。
アレイ導波路格子フィルタ312は組成波長1.15μ
mのInGaAsPから構成され、ハイメサ構造に加工
されている。アレイ導波路格子フィルタ312の出力側
には導波路型受光素子アレイ306がモノリシック集積
化されている。
【0025】本実施形態においても、実施形態1、2と
同様に隣り合う受光素子の光電流の差成分及び和成分を
抽出し、それぞれヒータ電流、レーザ駆動電流にフィー
ドバックすることにより波長可変レーザの光出力及び波
長を所定の波長値に安定化する。また、本実施形態の更
なる特徴は該モノリシック集積素子の温度を制御するこ
とにより安定化する波長を国際標準値(ITU)の波長
に適合することが容易にできる点である。これは、半導
体導波路の動作波長の温度係数が+0.1nm/deg
(−12GHz/deg)と大きいことに起因する。
【0026】<実施形態4>図7は本発明による光送信
装置を構成する光源部の第4の実施形態の構成を示す。
この実施形態では、実施形態3に示した構成と同様の動
作原理の波長可変分布帰還型レーザ401に電界吸収型
光変調器420及びアレイ導波路格子フィルタ412が
モノリシック集積化されている。半導体レーザ401と
電界吸収型光変調器420の距離は150μm以上間隔
が設けられており、波長可変時にレーザ内部に印加され
る熱が光変調器417に到達しない設計になっている。
なお、構成部品401、404、405、406、40
7、408、409、412、417及び418はそれ
ぞれ図3の301、301、304、305、306、
307、308、309、312、317及び318に
対応する。
【0027】本実施形態においても実施形態1〜3と同
様に隣り合う受光素子の光電流の差成分及び和成分を抽
出し、それぞれ波長制御回路408及びレーザ駆動電流
制御回路409を介してヒータ電流、レーザ駆動電流に
フィードバックすることにより波長可変レーザの光出力
及び波長を所定の波長値に安定化する。また、本実施形
態による実施例によれば、波長を変化させた場合、4n
mの波長操引レンジに於いて安定な毎秒10ギガビット
での長距離伝送特性を実現できた。これは、4nm程度
の波長範囲内であれば、電界吸収型光変調器のチャーピ
ング特性の変化は僅かであることに起因する。
【0028】<実施形態5>図8は本発明による光送信
装置の要部の第5の実施形態を示す図である。本実施形
態は、実施形態1の波長フィルタ部のアレイ導波路格子
112を誘電体多層膜フィルタにより構成されるファブ
リペロエタロン522に置き換えた構成である。他の図
1と同一機能部分には図1と同じ番号を付して説明を省
く。ファブリペロエタロン522は入射光に対し、45
°の斜め配置され透過光及び反射光を生じるように設定
されている。透過光、反射光はそれぞれに設けられた受
光素子523、受光素子524により光電流に変換され
る点は実施形態1と同様である。 本実施形態5では、
ファブリペロエタロン504を光フィルタとして用いた
が、誘電体多層膜を用いた複数の透過波長を有するバン
ドパスフィルタを用いても同様な効果が得られる。
【0029】図9は図8の受光素子523、524及び
演算回路521部の特性図であり、(a)及び(b)は
それぞれ光電流量の入力光波長依存性及び出力波長依存
性を示す。それぞれ受光素子5235及び524の光電
流の差成分及び和成分を抽出し、それぞれヒータ電流、
レーザ駆動電流にフィードバックすることにより波長可
変レーザ101の光出力及び波長を所定の波長値に安定
化する。これらの特性は、図3で説明したものと実質的
に同じであるので詳細な説明を省く。
【0030】<実施形態6>図10は本発明による光送
信装置を組み込んだ波長多重伝送装置の一実施形態の構
成を示す図である。波長多重伝送装置601は、相互に
異なる固定の単一周波数の光を出射する64個の光送信
装置605と、4個の実施形態4の光送信装置606
と、上記光送信装置605及び606の出力光を合波す
る合波器607と、合波器607から波長多重された合
波光を外部に出力する光導波路608を有する。4個の
光送信装置606の予備A,B,・・Dは、それぞれ光
送信装置605である16チャンネル群ch.1,c
h.2・・・・ch.16の波長領域、ch.17、c
h.8・・・・ch.32の波長領域、・・及びch.
49,ch.50・・・ch.64の波長領域をカバー
するの波長可変領域を持つ。4個の光送信装置606は
全チャネルch.1,ch.2・・・・ch.64の全
波長帯1532〜1558nmを全てカバーできる。チ
ャネルch.1,ch.2・・・・ch.64の波長間
隔は50GHzである。初期の設定波長が6nmづつ異
なる。64チャンネルの主光源605の何れかに故障が
生じた場合、その故障が生じたチャネル群に対応する予
備光送信装置606の可変の単一波長の波長を故障光送
信装置のそ波長とに設定することにより、高速に復旧可
能である。本構成では、4台の予備光送信装置で全ての
64チャンネルをバックアップ可能である。このため、
従来全てのチャンネルに対してスペア部品を装備してい
た従来構成に比べ、装置の小型化、経済化を大幅に改善
される。
【0031】<実施形態7>図10は本発明による光送
信装置を組み込んだ波長多重伝送システムの一実施形態
の構成を示す図である。
【0032】複数の通信ノード702が、ループ状光伝
送路701で結合されている。ネットワークで使用され
る全64チャンネルの波長は1532〜1558nm、
50GHz間隔である。各通信ノード702は、ブロッ
ク702−Aに示すように、各波長信号を引き落とすた
めの波長選択型光スイッチ703、スイッチ703を介
して光伝送路701に結合された送信機704及び受信
機705を持つ。
【0033】送信機704は上記各実施形態で説明した
光送信装置、即ち波長が選択され、かつ安定化された光
源と、光源からの光を伝送すべき信号によって変調する
外部変調器を持つ。また、送信機704は上記全64チ
ャンネルの内、16チャンネル分をカバーする構成であ
る。本実施形態では、各ノード702で新たに加えるべ
き波長信号の波長をITUにて指定された所望の値に安
定に制御可能であり、本発明による光送信装置の実現に
より初めて実現可能となった。
【0034】
【発明の効果】本発明に係る光送信装置によれば、容易
な手法で高信頼・高品質な波長多重伝送装置が実現でき
る。さらに、特に送信信号の波長を連続的に可変であり
且つ可変波長の安定化が可能な高信頼の光送信装置を低
コストで容易に実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による光送信装置を構成する光源部の一
実施形態の構成を示す図である。
【図2】図1の受光素子アレイ105及び演算回路10
7部の詳細を示す回路図である。
【図3】図1の受光素子アレイ105及び演算回路10
7部の特性図である。
【図4】本発明による光送信装置を構成する光源部の第
2の実施形態の構成を示す図である。
【図5】図4の半導体レーザ201の断面図である。
【図6】本発明による光送信装置を構成する光源部の第
3の実施形態の構成を示す図である。
【図7】本発明による光送信装置を構成する光源部の第
4の実施形態の構成を示す図である。
【図8】本発明による光送信装置の要部の第5の実施形
態を示す図である。
【図9】本発明による光送信装置の要部の第5の実施形
態を示す図である。
【図10】本発明による光送信装置を組み込んだ波長多
重伝送装置の一実施形態の構成を示す図である。
【図11】本発明による光送信装置を組み込んだ波長多
重ネットワークの一実施形態の構成を示す図である。
【符号の説明】
101…波長可変半導体レーザ部、102…光結合部、
103…光分波器、104…アレイ導波路格子フィル
タ、105…受光素子アレイ、106…出力導波路、1
07…演算増幅器、108…波長制御回路、109…レ
ーザ駆動電流制御回路、110…、111…、112…
線路、201…分布帰還型半導体レーザ、205…受光
素子アレイ、206…出力導波路、207…演算増幅
器、208…波長制御回路、209…レーザ駆動電流制
御回路、212…アレイ導波路格子フィルタ、213…
シリコン基板、214…レーザ搭載部、215…受光素
子アレイ搭載部、217…素子表面電極、218…白金
薄膜ヒータ、219…スポット拡大導波路、301…分
布帰還型半導体レーザ、304…InP基板、305…
導波路型受光素子アレイ、307…演算増幅器、308
…波長制御回路、309…レーザ駆動電流制御回路、3
12…アレイ導波路格子フィルタ、317…素子表面電
極、318…白金薄膜ヒータ、401…波長可変分布帰
還型レーザ、404…InP基板、405…受光素子ア
レイ、407…演算増幅器、408…波長制御回路、4
09…レーザ駆動電流制御回路、412…アレイ導波路
格子フィルタ、417…素子表面電極、418…白金薄
膜ヒータ、420…電界吸収型光変調器、522…ファ
ブリペロエタロンフィルタ、523…受光素子、524
…受光素子、521…演算増幅器、601…送信機、6
05…主光源、606…予備光源、607…合波器、7
01…波長多重ネットワーク、702…ノード、703
…光スイッチ、704…送信機、705…受信器。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01S 5/12 G02B 6/28 D H04J 14/00 H04B 9/00 E 14/02 Fターム(参考) 2H047 KA12 LA19 MA07 5F073 AA64 AA74 AB12 AB15 BA02 CB02 EA13 EA15 GA13 5K002 AA01 AA05 BA02 BA04 BA05 BA06 BA13 CA05 DA02 DA11 FA01

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】単一波長の光を放出する半導体レーザと、
    上記半導体レーザの光を光電変換し光電流を得る光学手
    段と、上記単一波長を変化させ、かつ変化した単一波長
    を上記光電流の入力により特定の波長に安定化する制御
    回路とを持つ光源を有することを特徴とする光送信装
    置。
  2. 【請求項2】上記半導体レーザと上記光学手段が集積体
    で構成され、上記制御回路が上記集積体の外部に設けら
    れたことを特徴とする請求項1記載の光送信装置。
  3. 【請求項3】上記半導体レーザは分布帰還型又は分布反
    射型レーザであることを特徴とする請求項1又は2記載
    の光伝送装置。
  4. 【請求項4】上記光学手段が複数の離散的周波数に対し
    て類似の単峰の周波数特性を持つ光学素子からなり、上
    記制御回路が上記単一波長を可変にする波長制御と上記
    半導体レーザの駆動電流を制御する駆動電流制御部を持
    ち、上記波長制御部及び上記駆動電流制御部のそれぞれ
    の入力部に上記離散的周波数の相隣る周波数の信号成分
    の和信号及び差信号を加えるように構成されたことを特
    徴とする請求項1、2又は3記載の光送信装置。
  5. 【請求項5】上記光学手段が導波路型光学素子及び導波
    路型光学素子の出力を光電変換する受光素子からなるこ
    とを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載の光
    送信装置。
  6. 【請求項6】上記導波路型光学素子が伝播波長が異なる
    複数の光導波路を配列したアレイ導波路格子であること
    を特徴とする請求項5記載の光送信装置。
  7. 【請求項7】上記半導体レーザと上記アレイ導波路格子
    が同一基板上にハイブリッド集積化されたことを特徴と
    する請求項6記載の光送信装置。
  8. 【請求項8】上記半導体レーザと上記アレイ導波路格子
    が同一半導体基板上にモノリシック集積化されたことを
    特徴とする請求項6に記載の光送信装置。
  9. 【請求項9】上記半導体レーザの出力光を変調する光変
    調器をさらに有し、上記半導体レーザと光変調器及び上
    記アレイ導波路格子が同一半導体基板上にモノリシック
    集積化されたことを特徴とする請求範囲8に記載の光送
    信装置。
  10. 【請求項10】上記光学手段が導波路型ファブリペロエ
    タロンであり、上記ファブリペロエタロンの共振器長Lc
    と活性導波路の有効屈折率neffとの間に以下の関係式が
    成り立つことを特徴とする請求項1ないし4のいずれか
    に記載の光送信装置。 2Lcneff /c0=〓fsp 但し、c0は真空中の光速、〓fspは50×N×109(Nは整数)
    で与えられる定数である。
  11. 【請求項11】上記半導体レーザと上記導波路型ファブ
    リペロエタロンが同一基板上にハイブリッド集積化され
    たことことを特徴とする請求項10記載の光送信装置。
  12. 【請求項12】上記半導体レーザと上記導波路型ファブ
    リペロエタロンが同一半導体基板上にモノリシック集積
    化されたことを特徴とする請求項10に記載の光送信装
    置。
  13. 【請求項13】上記半導体レーザの出力光を変調する光
    変調器をさらに有し、上記半導体レーザと光変調器及び
    上記導波路型ファブリペロエタロンが同一半導体基板上
    にモノリシック集積化されたことを特徴とする請求範囲
    10に記載の光送信装置。
  14. 【請求項14】上記半導体レーザの上部電極の直上又は
    導波路の脇の1〜30μmの領域に薄膜ヒータを搭載し
    たヒータ集積波長可変半導体レーザを用いることを特徴
    とする請求項1ないし13のいずれかに記載の光送信装
    置。
  15. 【請求項15】請求項1ないし12のいずれかに記載の
    光送信装置を備え、異なる2波長以上の光波信号を同一
    の光伝送線路上に伝搬させることを特徴とすること波長
    多重光通信装置。
  16. 【請求項16】上記異なる2波長以上の光波信号が隣合
    うチャンネル間隔が50乃至100GHzであることを特徴とす
    る請求項15記載の波長多重光通信装置。
  17. 【請求項17】請求項15又は16記載の波長多重光通
    信装置の複数個をノードとし、光伝送線路で結合したこ
    とを特徴とする光伝送システム。
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