JP2001052984A

JP2001052984A - 周辺露光装置、周辺露光方法および露光システム

Info

Publication number: JP2001052984A
Application number: JP11225271A
Authority: JP
Inventors: Satoyuki Watanabe; 智行渡辺; Masamitsu Yanagihara; 政光柳原
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1999-08-09
Filing date: 1999-08-09
Publication date: 2001-02-23

Abstract

(57)【要約】【課題】スループットを低下させずに感光性基板の周辺
領域に所定値以上の露光量を与えることのできる周辺露
光装置を提供する。【解決手段】感光性基板Ｇには、パターンが露光される
パターン領域５ａとパターンが露光されない非パターン
領域５ｂとが規定される。非パターン領域５ｂは、感光
性基板Ｇに塗布される感光剤の厚さに応じて区画された
少なくとも２つの周辺領域５１，５２を有する。感光剤
が厚く塗布された周辺領域５２では移動機構２１を１０
０ｍｍ／ｓｅｃで移動させ、感光剤が薄く塗布された周
辺領域５１では移動機構２１を２００ｍｍ／ｓｅｃで移
動させる。周辺領域５２の露光量は周辺領域５１の露光
量よりも多くなり、感光剤に所定の露光量が与えられて
後工程で感光剤の剥離が容易となる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示パネルな
どの感光性基板の回路パターンが形成されない非パター
ン領域を露光する周辺露光装置、周辺露光方法および露
光システムに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、液晶表示パネルが大型化してきて
いる。たとえば図１４は８００ｍｍ×９５０ｍｍのガラ
スプレート基板（以下、感光性基板と呼ぶ）を使用する
一例を示す図である。（ａ）は１５インチのパネルを６
枚作成する場合、（ｂ）は１４インチのパネルを９枚作
成する場合、（ｃ）は３０インチのパネルを２枚作成す
る場合をそれぞれ示している。

【０００３】図１４に示すように、感光性基板にはそれ
ぞれ個々のパネルを形成する領域Ｒ１と、この領域Ｒ１
を取り囲む領域Ｒ２とがそれぞれ設定されている。領域
Ｒ１は、回路パターンが露光されるのでパターン領域と
呼ばれる。領域Ｒ２はパターンが露光されないので非パ
ターン領域と呼ばれる。

【０００４】感光性基板に回路パターンを焼き付ける
際、大型基板の全面に感光剤を塗布する。そして、走査
型露光装置により投影光学系に対してマスクと基板とを
同期移動しながパターン領域Ｒ１にパターンを露光す
る。さらに、後工程において非パターン領域Ｒ２の感光
剤を除去するため、非パターン領域を周辺露光装置で露
光する。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】感光剤はフォトレジス
トと呼ばれ、たとえばスピンコータやロールコータなど
の感光剤塗布装置で基板全面に塗布される。上述したス
ピンコータのように基板を回転させて感光剤を塗布する
場合には、感光剤の膜厚が基板の周辺部で厚くなる。周
辺領域を周辺露光装置により露光するとき、厚い領域で
の露光量が不十分であると、周辺領域のフォトレジスト
が十分に除去しきれなくなり、表示パネル製造の後工程
で支障をきたすおそれがある。そこで、周辺露光に際し
て非パターン領域に十分な露光量を与えるために２重露
光したり、周辺露光光と基板との相対速度を遅くする
と、スループット低下の原因となる。

【０００６】本発明の目的は、スループットを低下させ
ずに感光性基板の周辺領域に所定値以上の露光量を与え
ることのできる周辺露光装置、周辺露光方法、および露
光システムを提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】実施の形態の図１〜図１
３に対応づけて説明する。（１）請求項１の発明は、パターンが露光されるパター
ン領域５ａとパターンが露光されない非パターン領域５
ｂとを有する感光性基板Ｇの非パターン領域５ｂを露光
する露光部１０と、露光部１０と感光性基板Ｇとを相対
移動させる移動機構２１と、非パターン領域５ｂを露光
する際に移動機構２１により移動速度を変更する速度制
御回路２６とを備えることにより、上述した目的を達成
する。（２）請求項２の発明は、請求項１に記載の周辺露光装
置において、非パターン領域５ｂは、感光性基板Ｇに塗
布される感光剤の厚さに応じて区画された少なくとも２
区画５１，５２を有し、速度制御回路２６は、感光剤が
厚く塗布された第１の区画５２では移動機構２１を第１
の移動速度で移動させ、感光剤が薄く塗布された第２の
区画５１では移動機構２１を第１の移動速度よりも速い
第２の移動速度で移動させることを特徴とする。（３）請求項３の発明は、請求項１または２に記載の周
辺露光装置において、感光性基板Ｇを保持するトレイ８
０を収納して、感光性基板Ｇをステージ４上に受け渡す
収納部をステージ４設けたことを特徴とする。（４）請求項４の発明は、パターンが露光されるパター
ン領域５ａとパターンが露光されない非パターン領域５
ｂとを有する感光性基板Ｇの非パターン領域５ｂを露光
光で露光する周辺露光方法に適用される。そして、露光
光と感光性基板Ｇとを相対移動させる移動工程と、非パ
ターン領域５ｂを露光する際に相対移動の速度を変更す
る速度変更工程とを備えることにより、上記目的を達成
する。（５）請求項５の発明は、請求項４に記載の周辺露光方
法において、非パターン領域５ｂは、感光性基板Ｇに塗
布される感光剤の厚さに応じて区画された少なくとも２
区画５１，５２を有し、感光剤が厚く塗布された第１の
区画５２では相対移動の速度を第１の移動速度に設定
し、感光剤が薄く塗布された第２の区画５１では相対移
動の速度を第１の移動速度よりも速い第２の移動速度に
設定することを特徴とする。（６）請求項６の発明は、マスクＭと感光性基板Ｇとを
同期移動して、マスクＭに形成されているパターンを感
光性基板Ｇ上に露光する走査型露光装置４０と、感光性
基板Ｇ上のパターンが露光されない非パターン領域５ｂ
を周辺露光光と感光性基板Ｇとを相対移動して露光する
周辺露光装置６０とを備え、走査型露光装置４０と周辺
露光装置６０とを同一のチャンバ３０に収容したことを
特徴とする。（７）請求項７の発明は、請求項６に記載の露光システ
ムにおいて、非パターン領域５ｂは、感光性基板Ｇに塗
布される感光剤の厚さに応じて区画された少なくとも２
区画５１，５２を有し、周辺露光装置６０は、感光剤が
厚く塗布された第１の区画５２では相対移動を第１の移
動速度で行い、感光剤が薄く塗布された第２の区画５１
では相対移動を第１の移動速度よりも速い第２の移動速
度で行うことを特徴とする。（８）請求項８の発明は、請求項６または７に記載の露
光システムにおいて、周辺露光装置６０の第２の移動速
度を走査型露光装置４０の走査速度よりも遅く設定した
ことを特徴とする。（９）請求項９の発明は、請求項６に記載の露光システ
ムにおいて、周辺露光装置６０は、非パターン領域５ｂ
を露光する際に、同期方向とほぼ直交する方向に沿って
相対移動を行うことを特徴とする。（１０）請求項１０の発明は、請求項６に記載の露光シ
ステムにおいて、感光性基板Ｇを保持するトレイ８０を
介して感光性基板Ｇは走査型露光装置４０のステージ４
と周辺露光装置６０のステージ４４との間で搬送され、
走査型露光装置４０のステージ４と周辺露光装置６０の
ステージ４４との少なくとも一方には、感光性基板Ｇを
保持するトレイ８０を収納して感光性基板Ｇをステージ
（４または４４）上に受け渡す収納部（４４１ａ）を設
けたことを特徴とする

【０００８】なお、以上の課題を解決するための手段の
項では説明を容易にするために実施の形態の図面と符号
を使用したが、これにより本発明が実施の形態に限定さ
れるものではない。

【０００９】

【発明の実施の形態】−周辺露光装置について− 図１は本発明による周辺露光装置の一実施の形態を示す
図である。超高圧水銀灯１からの露光光はシャッタ２を
介して光ファイバ３に入射する。光ファイバ３に入射し
た光は２つの分岐ファイバ３ａ、３ｂを進み、投射部３
ｃ、３ｄから矩形の露光光として出射される。ステージ
４上に保持されるガラスプレート基板（以下、感光性基
板）Ｇの大きさ、周辺領域の幅などに応じて、投射部３
ｃ、３ｄの間隔は矢印方向に調節される。図１（ｂ）に
示すように、投射部３ｃ、３ｄは矢印方向に移動可能と
され、感光性基板Ｇに対して周辺露光光が相対移動す
る。一般的には、感光性基板Ｇを固定した状態で超高圧
水銀灯１、光ファイバ３および投射部３ｃ、３ｄで構成
される周辺露光用照明系１０を走査機構で移動させ、こ
れにより、周辺露光光を感光性基板Ｇに対して相対移
動、すなわち走査する。

【００１０】図２は、この実施の形態による周辺露光装
置の制御系の概略構成を示す図である。走査機構２１は
上述した周辺露光用照明系を感光性基板Ｇに対して相対
移動する。走査機構２１は周辺露光用照明系の走査方向
（Ｘ方向）の移動量を検出する位置検出装置を含んでい
る。間隔調節機構２２は投射部３ｃ、３ｄの間隔を調節
する駆動装置と、その間隔を検出する位置検出装置とを
含んでいる。ステージ駆動機構２３は基板ステージ４を
Ｘ，Ｙ方向に移動させるとともに、Ｘ，Ｙ軸と直交する
Ｚ軸回りにθ回転させる。このステージ駆動機構２３
は、Ｘ，Ｙ軸方向の位置検出装置を含んでいる。ランプ
駆動回路２４は超高圧水銀灯１に高電圧を印加して点灯
する。シャッタ駆動機構２５はシャッタ２を開閉駆動
し、超高圧水銀灯１から出射される周辺露光光の通過、
遮断を制御する。これらの走査機構２１、調節間隔機構
２２、ステージ駆動機構２３、ランプ駆動回路２４、シ
ャッタ駆動機構２５はそれぞれ制御回路２６により制御
される。制御回路２６はＣＰＵ、メモリ、その他の周辺
回路から構成され、ホストコンピュータ２７からの指令
に従って、各機構、回路の駆動を制御する。ホストコン
ピュータ２７は感光性基板Ｇに回路パターンを露光する
走査型露光装置４０や、不図示の液晶パネル製造システ
ム全体を制御するものである。

【００１１】この実施の形態では、図３に示すように、
感光性基板Ｇには、回路パターンが露光されるパターン
領域５ａと、この露光パターン領域５ａを取り囲む周辺
領域５ｂが規定されている。図３（ｂ）から分かるよう
に、露光パターン領域５ａの感光剤ＰＲの厚さはほぼ均
一であるが、周辺領域５ｂの感光剤ＰＲの厚さは周縁に
いくほど厚い。これは上述したように、スピンコータで
感光剤を塗布する際、遠心力で感光剤が基板周縁に集ま
るためである。なお、図３（ｂ）において、ＧＳはガラ
スプレートそのものであり、感光性基板Ｇは、ガラスプ
レートＧＳに感光剤ＰＲを塗布したものである。

【００１２】本実施の形態では、このように感光剤の厚
さが異なる周辺領域を次のように露光する。周辺領域５
ｂを、図３に示すようにパターン領域５ａを取り囲む周
辺領域５１と、この周辺領域５１を取り囲む周辺領域５
２に区分する。すなわち、感光剤の厚さに応じて、感光
剤が薄く塗布された周辺領域５１と、感光剤が厚く塗布
された周辺領域５２とに区分する。そして、周辺領域５
２の露光量を周辺領域５１の露光量に比べて大きくす
る。

【００１３】以下、図１４（ａ）に示すように８００ｍ
ｍ×９５０ｍｍの感光性基板Ｇに６枚の表示パネル（２
５０ｍｍ×３１０ｍｍ）を製造する場合について説明す
る。各条件は次の通りとする。超高圧水銀灯１の露光パワー：１０００ｍＷ／ｃｍ² 光ファイバ投射部３ｃ，３ｄで形成されるスポット
幅：５０ｍｍ（非走査方向×５ｍｍ（走査方向）回路パターン領域５ａで要求される露光量：２５ｍＪ
／ｃｍ² 周辺領域５１で要求される露光量：２５ｍＪ／ｃｍ² 周辺領域５２で要求される露光量：５０ｍＪ／ｃｍ² したがって、周辺領域５１の走査速度を２００ｍｍ／ｓ
ｅｃ、周辺領域５２の走査速度を１００ｍｍ／ｓｅｃと
すれば、周辺領域５１では２５ｍＪ／ｃｍ²、周辺領域
５２では５０ｍＪ／ｃｍ²の露光量となる。

【００１４】図４〜図７にしたがって周辺露光（非パタ
ーン領域の露光）の手順を詳細に説明する。以下に説明
する手順は制御回路２６ないしはホストコンピュータ２
７に格納したプログラムにしたがって順次行われる。（１）図４に示すように、図２に示した間隔調節機構２
２により投射部３ｃ、３ｄの間隔を７５０ｍｍとし、投
射部３ｃ、３ｄからのスポット光が左側短辺に接する露
光開始位置に設定されるように、投射部３ｃ，３ｄを走
査機構２１により移動する。なお図４では、この位置に
ある投射部を３ｃ（Ｓ）、３ｄ（Ｓ）と表示する。露光
開始位置３ｃ（Ｓ）、３ｄ（Ｓ）から周辺領域５２の一
対の長辺に沿って投射部３ｃ、３ｄを、すなわちスポッ
ト光を速度１００ｍｍ／ｓｅｃで露光終了位置３ｃ
（Ｅ）、３ｄ（Ｅ）まで移動する。露光パワーが１００
０ｍＷ／ｃｍ²であるので、周辺領域５２は５０ｍＪ／
ｃｍ²の露光量で露光される。このとき、スポット光の
移動距離が９５５ｍｍ（＝長辺長さ９５０ｍｍ＋スポッ
ト幅５ｍｍ）であり、周辺領域５２の長辺を走査する時
間は９．５５ｓｅｃとなる。

【００１５】（２）間隔調節機構２２により投射部３
ｃ、３ｄの間隔を狭め、図５に示すように、右側短辺か
ら内側５０ｍｍの露光開始位置３ｃ（Ｓ）、３ｄ（Ｓ）
となるように投射部３ｃ，３ｄを走査機構２１により移
動する。露光開始位置３ｃ（Ｓ）、３ｄ（Ｓ）から周辺
領域５１の一対の長辺に沿って投射部３ｃ、３ｄを、す
なわちスポット光を速度２００ｍｍ／ｓｅｃで露光終了
位置３ｃ（Ｅ）、３ｄ（Ｅ）まで移動する。露光パワー
が１０００ｍＷ／ｃｍ²であるので、周辺領域５１は２
５ｍＪ／ｃｍ²の露光量で露光される。このとき、スポ
ット光の移動距離が８５５ｍｍ（＝長辺長さ９５０ｍｍ
−スポット幅５０ｍｍ×２＋５ｍｍ）であり、周辺領域
５１の長辺を走査する時間は４．２７５ｓｅｃとなる。

【００１６】（３）ステージ駆動機構２３によりステー
ジ４を９０度回転する。間隔調節機構２２により投射部
３ｃ、３ｄの間隔を８５０ｍｍとし、図６に示すよう
に、左側長辺から内側５０ｍｍの露光開始位置３ｃ
（Ｓ）、３ｄ（Ｓ）となるように投射部３ａ，３ｄを走
査機構２１により移動する。露光開始位置３ｃ（Ｓ）、
３ｄ（Ｓ）から周辺領域５２の一対の短辺に沿って投射
部３ｃ、３ｄを、すなわちスポット光を速度１００ｍｍ
／ｓｅｃで露光終了位置３ｃ（Ｅ）、３ｄ（Ｅ）まで移
動する。露光パワーが１０００ｍＷ／ｃｍ²であるの
で、周辺領域５２は５０ｍＪ／ｃｍ²の露光量で露光さ
れる。このとき、スポット光の移動距離が７０５ｍｍ
（＝短辺長さ８００ｍｍ−スポット幅５０ｍｍ×２＋５
ｍｍ）であり、周辺領域５２の長辺を走査する時間は
７．０５ｓｅｃとなる。

【００１７】（４）間隔調節機構２２により投射部３
ｃ、３ｄの間隔を狭め、図７に示すように、右側長辺か
ら内側９０ｍｍの露光開始位置３ｃ（Ｓ）、３ｄ（Ｓ）
となるように投射部３ａ，３ｄを走査機構２１により移
動する。露光開始位置３ｃ（Ｓ）、３ｄ（Ｓ）から周辺
領域５１の一対の短辺に沿って投射部３ｃ、３ｄを、す
なわちスポット光を速度２００ｍｍ／ｓｅｃで露光終了
位置３ｃ（Ｅ）、３ｄ（Ｅ）まで移動する。露光パワー
が１０００ｍＷ／ｃｍ²であるので、周辺領域５１は２
５ｍＪ／ｃｍ²の露光量で露光される。このとき、スポ
ット光の移動距離が６０５ｍｍ（＝短辺長さ８００ｍｍ
−スポット幅５０ｍｍ×４＋５ｍｍ）であり、周辺領域
５１の長辺を走査する時間は３．０２５ｓｅｃとなる。

【００１８】以上のように周辺露光光による露光合計時
間は２３．９ｓｅｃとなる。この露光時間を従来の走査
速度一定方式による露光時間と比較検討する。従来は走
査速度を一定としているから、周辺領域５ｂは周辺領域
５１も周辺領域５２も露光量５０ｍＪ／ｃｍ²で露光す
る必要があり、合計露光時間は３１．２ｓｅｃとなる。
したがって、このような従来方式に比べると、本実施の
形態方式では、７．１ｓｅｃの改善がなされる。

【００１９】次に、スポット光の長辺×短辺を１００ｍ
ｍ×５ｍｍとして周辺領域５ｂを１回の走査で露光する
方式と対比検討する。この場合、スポット幅の長辺を２
倍に広げたので露光パワーは半分の５００ｍＷ／ｃｍ²
となる。したがって、必要な露光量５０ｍＪ／ｃｍ²を
確保するため周辺露光光の移動速度は１００ｍ／ｓｅｃ
となる。長辺方向の走査距離は９５５ｍｍであり、走査
時間は１９．１ｓｅｃとなる。一方、短辺方向の走査距
離は６０５ｍｍであり、走査時間は１２．１ｓｅｃとな
る。したがって、合計露光時間は３１．２ｓｅｃとな
る。この方式では長辺と短辺がそれぞれ１回づつの走査
で済むので、折り返し時にスポットを移動する時間が２
回分短縮される。この時間を１ｓｅｃと見積もると、周
辺領域の全露光時間は２９．２ｓｅｃとなる。したがっ
て、上記実施の形態に比べると５．２ｓｅｃ長くなる。

【００２０】以上のように、周辺領域５ｂを、感光剤が
薄い周辺領域５１と、感光剤が厚い周辺領域５２に区画
し、露光パワーを一定とした上で、感光剤が薄い領域を
速い速度で露光し、感光剤が厚い領域を遅い速度で露光
することにより、タクトタイムを短縮することができ、
スループットを向上することができる。

【００２１】−露光システムについて− 図８に示す露光システムは、共通のチャンバ３０内に上
述した走査型露光装置４０と周辺露光装置６０とを設置
し、チャンバ３０に隣接してコータデベロッパ６５をイ
ンライン接続したものである。コータデベロッパ６５か
らチャンバ３０に搬送された感光性基板Ｇは、チャンバ
３０内に配置されたプレートローダ７０により走査型露
光装置４０と周辺露光装置６０との間を搬送される。

【００２２】走査型露光装置４０は図９に示すように、
走査方向（Ｘ方向）に幅が狭く非走査方向（Ｙ方向）に
細長いスリット照明光を照射する照明光学系４１と、露
光パターン（たとえば液晶表示パターン）が形成されて
いるマスクＭを保持するマスクステージ４２と、５つの
光学モジュール４３ａ〜４３ｅから構成され、スリット
照明光により露光パターンを等倍の正立像として感光性
基板Ｇに投影する投影光学系４３と、露光パターンが投
影される感光性基板Ｇを保持する基板ステージ４４と備
える。図９において、投影光学系４３の光軸方向をＺ
軸、Ｚ軸に直交する面内でマスクＭと感光性基板Ｇの走
査方向をＸ軸、Ｘ軸およびＺ軸と直交する非走査方向を
Ｙ軸とする。以下の図でも同様とする。

【００２３】このように構成された走査型露光装置で
は、マスクステージ４２と基板ステージ４４を同一方向
（Ｘ方向）に同期移動しながら、照明光学系４１のスリ
ット照明光により露光パターンを感光性基板Ｇ上に投影
露光する。感光性基板Ｇはガラス基板上にフォトレジス
トを塗布したものであり、照明光が照射された部分と照
射されない部分とにより後工程にてフォトレジストの除
去、非除去が制御される。各光学モジュール４３ａ〜４
３ｅの視野絞りはそれぞれ台形形状であり、図９および
図１０に示すように、隣り合う投影領域の端部の三角形
領域が互いに重ね合わされた台形パターンＴａ〜Ｔｅと
して投影される。重ね合わせられる各台形パターンＴａ
〜Ｔｅにおける三角形領域の走査方向（Ｘ方向）の開口
幅の合計は等しく設定されている。重ね合わせ領域は２
つの光学モジュールで投影される継ぎ部となって２重露
光される。また、感光性基板Ｇの長手方向が主走査Ｘ方
向に設定するのが好ましい。これは、走査露光長を大き
くすることにより、投影光学系４３による投影面積を小
さくしてその光学性能を確保するためである。

【００２４】図８に示すように、周辺露光照明系１０
は、周辺露光を開始する前にプレートローダ７０による
感光性基板Ｇの搬入位置とは反対側（図８の＋Ｙ側）に
位置しており、走査型露光装置４０の同期移動方向（Ｘ
方向）とは直交するＹ方向を２回の往復走査（図４から
図７参照）により非パターン部の露光を行っている。こ
のため、周辺露光照明系１０は、周辺露光終了後もプレ
ートローダ７０による感光性基板Ｇの搬入位置とは反対
側（図８の＋Ｙ側）に位置している。その結果、感光性
基板Ｇを交換する際にプレートローダ７０と周辺露光照
明系１０とが干渉する恐れがなく、ひいては、周辺露光
装置６０をコンパクトにすることができる。

【００２５】また、走査型露光装置４０と周辺露光装置
６０を同一のチャンバ３０内に配置しているので、装置
の小型化および簡素化を図ることができる。さらに、周
辺露光装置６０の最大同期速度は２００ｃｍ／ｓｅｃで
あるが、走査型露光装置４０の走査速度は２００ｃｍ／
ｓｅｃを超えた速度とするのが好ましい。走査型露光装
置４０と周辺露光装置６０は並行して露光処理を実行す
るので、周辺露光装置６０の走査速度が走査型露光装置
４０の走査速度よりも大きいと、周辺露光照明系１０の
起動、停止時の振動が大きくなって走査型露光装置４０
での露光に悪影響を与える。そのため、周辺露光装置６
０の走査速度を走査型露光装置４０の走査速度よりも遅
くするのが好ましい。

【００２６】上述したように感光性基板Ｇは８００ｍｍ
×９５０ｍｍの大きさで厚さが０．７ｍｍ程度のガラス
プレートである。そこで、プレートローダ７０で搬送し
て走査型露光装置４０のステージ４４に移送する際、お
よび周辺露光装置６０のステージ４へ移送する際に、図
１１〜図１３で説明するようなトレイ８０を使用するの
が好ましい。プレートローダ７０により走査型露光装置
４０へ感光性基板Ｇを搬送し、搬出する場合について図
１１〜図１３により説明する。

【００２７】図１１において、プレートローダ７０は、
垂直軸を介して連結されたアーム７２と、アーム７２の
先端に設けられた搬送アーム７３と、アーム７２を駆動
する駆動装置７５とを備えている。搬送アーム７３は図
１２に示すように一対の腕部７３ａを有し、この腕部７
３ａによりトレイ８０の４つのつば８１ａを下方から保
持することにより感光性基板Ｇを保持する。

【００２８】トレイ８０は図１３に示すように、感光性
基板Ｇよりも大きな矩形の外枠８１と、この外枠８１の
内部に所定間隔で格子状に設けられた複数本の横桟８２
ａと縦桟８２ｂとを備えている。桟８２ａ，８２ｂには
感光性基板Ｇの外周部が係合する段差８３が設けられ、
この段差８３により桟８２ａ、８２ｂ上に基板支持部８
４が形成されている。感光性基板Ｇは基板支持部８４に
よりトレイ８０に位置決めされて載置される。一方、図
１１に示すように、基板ステージ４４上に設けられたホ
ルダ４４１の上面には、桟８２ａ、８２ｂで構成される
格子と相補形状の格子溝、すなわち収納部４４１ａが設
けられている。ホルダ４４１の上面は感光性基板Ｇが載
置されたときに感光性基板Ｇの撓みが発生しないような
平面度に仕上げられている。またこのホルダ４４１の上
面には真空吸着用の多数の吸気孔が設けられている。

【００２９】プレートローダ７０の搬送アーム７３によ
りトレイ８０で保持された感光性基板Ｇをステージ４４
のホルダ４４１上に搬送する。このとき、ホルダ４４１
と搬送アーム７３の位置関係を調節し、トレイ８０の格
子状の桟８２ａ，８２ｂをホルダ４４１上の格子状溝４
４１ａに嵌め込ませる。これにより、感光性基板Ｇがホ
ルダ４４１の上面に受け渡される。そして、ホルダ４４
１の上面の多数の吸気孔から真空吸着する。

【００３０】このようにトレイ８０を用いて感光性基板
Ｇを各装置間で授受することにより、大面積で薄い感光
性基板Ｇの撓みや破損を防止することができる。

【００３１】周辺露光装置６０の基板ステージ４上に
も、走査型露光装置４０と同様に、トレイ８０の桟８２
ａ，８２ｂで構成される格子と相補形状の格子溝が設け
られたホルダが設けられる。そして、ホルダの上面は感
光性基板Ｇが載置されたときに感光性基板Ｇの撓みが発
生しないような平面度に仕上げられるとともに、真空吸
着用の吸気孔が多数設けられている。したがって、走査
型露光装置４０と同様に、トレイ８０で保持された感光
性基板Ｇをホルダ上に搬送して、トレイ８０の格子状の
桟がホルダ上の格子状溝に填り込むと、感光性基板Ｇが
ホルダに受け渡される。

【００３２】以上では大型液晶表示パネル用の基板の周
辺露光に際して、感光剤が厚く塗布された周辺領域５２
と薄く塗布された周辺領域５１の２つに区分した場合に
ついて説明した。しかしながら本発明は、感光剤の厚み
が領域に応じて異なる非パターン領域を有する各種の感
光性基板に対する周辺露光に適用できる。また、レチク
ルを作成する際に非パターン領域に対して行われる周辺
露光に際しても同様に適用することができる。

【００３３】さらに以上では、基板の中央部に露光パタ
ーン領域が形成され、露光パターン領域の周囲を取り囲
むように非パターン領域が形成された基板について説明
した。しかしながら、いわゆる日の字形状にパターン領
域と非パターン領域が規定されるような基板でも、非パ
ターン領域における感光剤の厚みが異なる場合には、上
述したと同様に感光剤の厚みに応じて周辺露光光と基板
との相対移動速度を変更して、周辺露光に要する時間を
短縮することができる。

【００３４】なお、本実施の形態の周辺露光装置６０で
は、１つの超高圧水銀灯１からの光ファイバ３により２
つの光束に分岐したが、これに代えて、超高圧水銀灯１
を２つ設け光ファイバ３を省略してもよい。また、本実
施の形態の走査型露光装置４０は、マスクＭに形成され
た液晶表示パターンを感光性基板Ｇに露光する液晶用露
光装置としたが、たとえば、感光性基板Ｇとしてマスク
Ｍ自身を用い、マスクＭのパターンを露光するマスク製
造用の露光装置として用いてもよい。この場合、マスク
Ｍに露光されるパターンは液晶表示パターンのみならず
半導体回路パターンなどにも適用できる。

【００３５】なお、本実施の形態においては、走査型露
光装置４０のパターン露光に引き続き、周辺露光装置６
０による非パターン露光を行ったが、これに限定される
ことなく、周辺露光装置６０による非パターン部の露光
の後に、走査型露光装置４０のパターン露光を行っても
よい。

【００３６】以上の実施の形態と特許請求の範囲との対
応において、超高圧水銀灯１や光ファイバ３などで構成
される周辺光露光用照明系１０が露光部を、走査機構２
１が移動機構を、制御回路２６が速度制御回路を、周辺
領域５１が第２の区画を、周辺領域５２が第１の区画を
それぞれ構成する。

【００３７】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、非パター
ン領域の感光剤を露光する際に露光光と基板との相対的
な移動速度を変更するようにしたので、感光剤が薄い領
域を速い速度で露光し、感光剤が厚い領域を遅い速度で
露光することができ、タクトタイムを短縮することがで
き、スループットを向上することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による周辺露光装置の一実施の形態を示
し、（ａ）が正面概略図、（ｂ）が上方から周辺露光領
域を見た図

【図２】周辺露光装置の制御系の一例を示す図

【図３】基板上のパターン領域と非パターン領域を説明
する図

【図４】本発明による周辺露光方法を具体的に説明する
図

【図５】図４に引き続く周辺露光方法を具体的に説明す
る図

【図６】図５に引き続く周辺露光方法を具体的に説明す
る図

【図７】図６に引き続く周辺露光方法を具体的に説明す
る図

【図８】同一のチャンバに収容された走査型露光装置と
周辺露光装置の配置図

【図９】走査型露光装置の概略構成を示す斜視図

【図１０】走査型露光装置の投影領域を説明する図

【図１１】基板を搬送する基板支持装置の詳細を示す斜
視図

【図１２】図１１の基板支持装置により走査型露光装置
に基板を搬送する様子を説明する斜視図

【図１３】図１１の基板支持装置の詳細を示す斜視図

【図１４】大型液晶パネルを製造する大型ガラスプレー
トの説明図

【符号の説明】

１：超高圧水銀灯３：光ファイバ４：ステージ５ａ：パターン領域５ｂ：非パターン領域１０：周辺露光用照明系２１：走査機構２３：ステージ駆動機構２６：制御回路３０：チャンバ４０：走査型露光装置４４：ステージ５１，５２：周辺領域６０：周辺露光装置７０：プレートローダ８０：トレイ４４１ａ：収納部Ｇ：基板Ｍ：マスク

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】パターンが露光されるパターン領域と前記
パターンが露光されない非パターン領域とを有する感光
性基板の前記非パターン領域を露光する露光部と、前記露光部と前記感光性基板とを相対移動させる移動機
構と、前記非パターン領域を露光する際に前記移動機構により
移動速度を変更する速度制御回路とを備えることを特徴
とする周辺露光装置。
【請求項２】請求項１に記載の周辺露光装置において、
前記非パターン領域は、前記感光性基板に塗布される感
光剤の厚さに応じて区画された少なくとも２区画を有
し、前記速度制御回路は、前記感光剤が厚く塗布された第１
の区画では前記移動機構を第１の移動速度で移動させ、
前記感光剤が薄く塗布された第２の区画では前記移動機
構を第１の移動速度よりも速い第２の移動速度で移動さ
せることを特徴とする周辺露光装置。
【請求項３】請求項１または２に記載の周辺露光装置に
おいて、前記感光性基板を保持するトレイを介して前記感光性基
板は前記周辺露光装置のステージに搬送され、前記感光性基板を保持する前記トレイを収納して前記感
光性基板を前記ステージ上に受け渡す収納部を前記ステ
ージに設けたことを特徴とする周辺露光装置。
【請求項４】パターンが露光されるパターン領域と前記
パターンが露光されない非パターン領域とを有する感光
性基板の前記非パターン領域を露光光で露光する周辺露
光方法において、前記露光光と前記感光性基板とを相対移動させる移動工
程と、前記非パターン領域を露光する際に前記相対移動の速度
を変更する速度変更工程とを備えることを特徴とする周
辺露光方法。
【請求項５】請求項４に記載の周辺露光方法において、
前記非パターン領域は、前記感光性基板に塗布される感
光剤の厚さに応じて区画された少なくとも２区画を有
し、前記感光剤が厚く塗布された第１の区画では前記相対移
動の速度を第１の移動速度に設定し、前記感光剤が薄く
塗布された第２の区画では前記相対移動の速度を第１の
移動速度よりも速い第２の移動速度に設定することを特
徴とする周辺露光方法。
【請求項６】マスクと感光性基板とを同期移動して、前
記マスクに形成されているパターンを前記感光性基板上
に露光する走査型露光装置と、前記感光性基板上の前記パターンが露光されない非パタ
ーン領域を周辺露光光と前記感光性基板とを相対移動し
て露光する周辺露光装置とを備え、前記走査型露光装置と前記周辺露光装置とを同一のチャ
ンバに収容したことを特徴とする露光システム。
【請求項７】請求項６に記載の露光システムにおいて、
前記非パターン領域は、前記感光性基板に塗布される感
光剤の厚さに応じて区画された少なくとも２区画を有
し、前記周辺露光装置は、前記感光剤が厚く塗布された第１
の区画では前記相対移動を第１の移動速度で行い、前記
感光剤が薄く塗布された第２の区画では前記相対移動を
第１の移動速度よりも速い第２の移動速度で行うことを
特徴とする露光システム。
【請求項８】請求項６または７に記載の露光システムに
おいて、前記周辺露光装置の前記第２の移動速度を前記走査型露
光装置の走査速度よりも遅く設定したことを特徴とする
露光システム。
【請求項９】請求項６に記載の露光システムにおいて、前記周辺露光装置は、前記非パターン領域を露光する際
に、前記同期方向とほぼ直交する方向に沿って前記相対
移動を行うことを特徴とする露光システム。
【請求項１０】請求項６に記載の露光システムにおい
て、前記感光性基板を保持するトレイを介して前記感光性基
板は前記走査型露光装置のステージと前記周辺露光装置
のステージとの間で搬送され、前記走査型露光装置のステージと前記周辺露光装置のス
テージとの少なくとも一方には、前記感光性基板を保持
する前記トレイを収納して前記感光性基板を前記ステー
ジ上に受け渡す収納部を設けたことを特徴とする露光シ
ステム。