JP2001051623A - ディスプレイ装置 - Google Patents
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
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- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 製造工程を簡易化し製造コストの削減が可能
で、常に歪みのない高品質の画像の表示が可能なディス
プレイ装置を提供する。 【解決手段】 実装基板１に分離部１１で分離された複
数の青色ＬＥＤ５Ａｂ、緑色ＬＥＤ５Ａｇ、赤色ＬＥＤ
５Ａｒがそれぞれ搭載された複数のモノリシック発光デ
バイス３が、実装基板１に形成された第１電極配線パタ
ン２上に配列され、ＬＥＤ５Ａの第２電極１０と第１電
極間に電圧が印加され、マトリクス配列のＬＥＤ５Ａが
選択発光され、発光スペクトルの半値幅が狭く、色別特
性と色合がよく視覚感触のよい色画像表示が行われ、分
離部１１の長さｔが、帯状基板７の両端不発光部の長さ
ｓの２倍以上に設定され、実装基板１上で、モノリシッ
ク発光デバイス３を縦方向に連結しても、ＬＥＤ５Ａの
中心発光点間の距離を連結部と他の部分とで等しくし、
歪みのない高品質の画像表示が可能になる。
で、常に歪みのない高品質の画像の表示が可能なディス
プレイ装置を提供する。 【解決手段】 実装基板１に分離部１１で分離された複
数の青色ＬＥＤ５Ａｂ、緑色ＬＥＤ５Ａｇ、赤色ＬＥＤ
５Ａｒがそれぞれ搭載された複数のモノリシック発光デ
バイス３が、実装基板１に形成された第１電極配線パタ
ン２上に配列され、ＬＥＤ５Ａの第２電極１０と第１電
極間に電圧が印加され、マトリクス配列のＬＥＤ５Ａが
選択発光され、発光スペクトルの半値幅が狭く、色別特
性と色合がよく視覚感触のよい色画像表示が行われ、分
離部１１の長さｔが、帯状基板７の両端不発光部の長さ
ｓの２倍以上に設定され、実装基板１上で、モノリシッ
ク発光デバイス３を縦方向に連結しても、ＬＥＤ５Ａの
中心発光点間の距離を連結部と他の部分とで等しくし、
歪みのない高品質の画像表示が可能になる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、各種の表示や照明
を行うディスプレイ装置に関する。
を行うディスプレイ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年のマイクロエレクトロニクスの進歩
と応用分野の拡大、これに伴う情報システムの普及によ
って、これに対応するディスプレイ装置には、大画面
化、薄型化、平面化などの各種の条件が要求されてい
る。従来ディスプレイ装置としては、殆どがＣＲＴに限
られていたが、近年のディスプレイ装置に対する要求に
は、ＣＲＴのみでは形態的に或いは機能的に対応するこ
とができず、プラズマディスプレイや液晶ディスプレイ
などの発光素子を使用したディスプレイ装置が利用され
ている。これらの発光素子を使用するディスプレイ装置
とＣＲＴを使用するディスプレイ装置とでの基本的な差
異は、その駆動回路にあり、ＣＲＴではほぼ１０ｋＶの
高電圧が必要であるが、変調電圧は数Ｖ以下であり、駆
動に必要な電極は数本でよいが、各種の発光素子を使用
するディスプレイでは、マトリクスディスプレイ方式が
採用され、マトリクス駆動回路が必要となり、電極数が
多くなり回路規模が複雑になる。
と応用分野の拡大、これに伴う情報システムの普及によ
って、これに対応するディスプレイ装置には、大画面
化、薄型化、平面化などの各種の条件が要求されてい
る。従来ディスプレイ装置としては、殆どがＣＲＴに限
られていたが、近年のディスプレイ装置に対する要求に
は、ＣＲＴのみでは形態的に或いは機能的に対応するこ
とができず、プラズマディスプレイや液晶ディスプレイ
などの発光素子を使用したディスプレイ装置が利用され
ている。これらの発光素子を使用するディスプレイ装置
とＣＲＴを使用するディスプレイ装置とでの基本的な差
異は、その駆動回路にあり、ＣＲＴではほぼ１０ｋＶの
高電圧が必要であるが、変調電圧は数Ｖ以下であり、駆
動に必要な電極は数本でよいが、各種の発光素子を使用
するディスプレイでは、マトリクスディスプレイ方式が
採用され、マトリクス駆動回路が必要となり、電極数が
多くなり回路規模が複雑になる。
【０００３】例えば、従来のＣＲＴによる標準的なディ
スプレイの表示画像でも、その画素数は６４０×４８０
＝３０７２００あり、これに発光素子のディスプレイを
適用すると、個々の発光素子の駆動には、第１極性電極
と第２極性電極への駆動電圧の印加に２本の配線が必要
で、配線数は６１４４００本必要となる。また解像度が
ＸＧＡやＳＸＧＡの場合には、画素数はそれぞれ１０２
４×７６８＝７８６４３２、１２８０×１０２４＝１３
１０７２０となり、マトリクス駆動回路に対する配線数
はそれぞれ１５７２８６４本、２６２１４４０本必要に
なり、回路規模が複雑になる。
スプレイの表示画像でも、その画素数は６４０×４８０
＝３０７２００あり、これに発光素子のディスプレイを
適用すると、個々の発光素子の駆動には、第１極性電極
と第２極性電極への駆動電圧の印加に２本の配線が必要
で、配線数は６１４４００本必要となる。また解像度が
ＸＧＡやＳＸＧＡの場合には、画素数はそれぞれ１０２
４×７６８＝７８６４３２、１２８０×１０２４＝１３
１０７２０となり、マトリクス駆動回路に対する配線数
はそれぞれ１５７２８６４本、２６２１４４０本必要に
なり、回路規模が複雑になる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】一方、実装基板に多数
の発光素子を、所定位置に配列装着する工程は煩雑であ
り、マトリクス駆動回路の複雑化と相俟って、発光素子
を使用するディスプレイ装置は、製造工程が煩雑で製造
コスト上でも問題が生じる。これらの問題を解決するた
めに、図１５に示すように、複数の発光素子８を一枚の
基板１２上に形成し、この基板１２を配列して構成され
るモノリシック型のディスプレイ装置が提案されてい
る。しかし、この提案に係るディスプレイ装置では、図
１５に示すように、線Ｌ位置で基板１２を長手方向に連
続配列する場合に、線Ｌを挟んで隣接配列される発光素
子８の発光中心点間の距離ｂが、隣接配列される他の発
光素子８の発光中心点間距離ａとは異なるものとなり、
ディスプレイ装置の表示画像に歪みを生じ、表示画像の
品質を低下させる。また、従来のＣＲＴを使用するディ
スプレイ、プラズマディスプレイ、液晶ディスプレイな
どでは、発光スペクトルの半値幅が広いために、色合の
面で満足するものが得られないという問題がある。
の発光素子を、所定位置に配列装着する工程は煩雑であ
り、マトリクス駆動回路の複雑化と相俟って、発光素子
を使用するディスプレイ装置は、製造工程が煩雑で製造
コスト上でも問題が生じる。これらの問題を解決するた
めに、図１５に示すように、複数の発光素子８を一枚の
基板１２上に形成し、この基板１２を配列して構成され
るモノリシック型のディスプレイ装置が提案されてい
る。しかし、この提案に係るディスプレイ装置では、図
１５に示すように、線Ｌ位置で基板１２を長手方向に連
続配列する場合に、線Ｌを挟んで隣接配列される発光素
子８の発光中心点間の距離ｂが、隣接配列される他の発
光素子８の発光中心点間距離ａとは異なるものとなり、
ディスプレイ装置の表示画像に歪みを生じ、表示画像の
品質を低下させる。また、従来のＣＲＴを使用するディ
スプレイ、プラズマディスプレイ、液晶ディスプレイな
どでは、発光スペクトルの半値幅が広いために、色合の
面で満足するものが得られないという問題がある。
【０００５】本発明は、前述したようなディスプレイ装
置の製造及び動作の現状に鑑みてなされたものであり、
その目的は、製造工程を簡易化し製造コストを削減する
ことが可能であると共に、表示画像に歪みが発生せず、
常に高品質の画像の表示が可能なディスプレイ装置を提
供することにある。
置の製造及び動作の現状に鑑みてなされたものであり、
その目的は、製造工程を簡易化し製造コストを削減する
ことが可能であると共に、表示画像に歪みが発生せず、
常に高品質の画像の表示が可能なディスプレイ装置を提
供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、請求項１記載の発明は、第１極性電極が一面側に、
発光面となる第２極性電極が他面側に設けられ、色発光
を行うチップ形状の複数の発光素子が、実装基板に対し
て互いに直交する第１の配列方向と第２の配列方向と
に、前記第２極性電極を表面にしてマトリクス状に配列
され、選択された発光素子の前記第１極性電極及び前記
第２極性電極への駆動電圧の印加によって、前記選択さ
れた発光素子が発光するディスプレイ装置であり、前記
第１の配列方向に前記実装基板のほぼ全長にわたって延
長され、前記第２の配列方向に複数個が互いに並設され
て、前記実装基板上に形成される第１極性電極配線と、
前記発光素子の複数個が、前記第２極性電極を表面にし
て、互いに分離絶縁間隙を保って一列に配列形成され、
前記第１極性電極が導出された底面を、前記第１極性電
極配線と接続状態にして、前記第１の配列方向に延長さ
れ、前記第２の配列方向に並設されて、前記実装基板上
に配設される帯状に形成された複数のモノリシック発光
デバイスと、前記第２の配列方向に並設される複数のモ
ノリシック発光デバイスにおいて、各モノリシック発光
デバイスに形成される複数の発光素子に対して、前記第
２の配列方向で互いに隣接する各発光素子の第２極性電
極を、順次前記第２の配列方向にそれぞれ接続する第２
極性電極配線と、選択された発光素子の前記第１極性電
極と前記第２極性電極間に、前記発光素子を発光させる
駆動電圧を印加する駆動電圧印加手段とを有することを
特徴とするものでる。
に、請求項１記載の発明は、第１極性電極が一面側に、
発光面となる第２極性電極が他面側に設けられ、色発光
を行うチップ形状の複数の発光素子が、実装基板に対し
て互いに直交する第１の配列方向と第２の配列方向と
に、前記第２極性電極を表面にしてマトリクス状に配列
され、選択された発光素子の前記第１極性電極及び前記
第２極性電極への駆動電圧の印加によって、前記選択さ
れた発光素子が発光するディスプレイ装置であり、前記
第１の配列方向に前記実装基板のほぼ全長にわたって延
長され、前記第２の配列方向に複数個が互いに並設され
て、前記実装基板上に形成される第１極性電極配線と、
前記発光素子の複数個が、前記第２極性電極を表面にし
て、互いに分離絶縁間隙を保って一列に配列形成され、
前記第１極性電極が導出された底面を、前記第１極性電
極配線と接続状態にして、前記第１の配列方向に延長さ
れ、前記第２の配列方向に並設されて、前記実装基板上
に配設される帯状に形成された複数のモノリシック発光
デバイスと、前記第２の配列方向に並設される複数のモ
ノリシック発光デバイスにおいて、各モノリシック発光
デバイスに形成される複数の発光素子に対して、前記第
２の配列方向で互いに隣接する各発光素子の第２極性電
極を、順次前記第２の配列方向にそれぞれ接続する第２
極性電極配線と、選択された発光素子の前記第１極性電
極と前記第２極性電極間に、前記発光素子を発光させる
駆動電圧を印加する駆動電圧印加手段とを有することを
特徴とするものでる。
【０００７】このような手段によると、モノリシック発
光デバイスによって、各発光素子の発光点間隔を高精度
で等間隔に維持して、歪みのない高品質の色画像表示が
行われ、ディスプレイ装置の製造工程での配線過程の簡
易化と製造時間の短縮により製造コストが低減される。
光デバイスによって、各発光素子の発光点間隔を高精度
で等間隔に維持して、歪みのない高品質の色画像表示が
行われ、ディスプレイ装置の製造工程での配線過程の簡
易化と製造時間の短縮により製造コストが低減される。
【０００８】同様に前記目的を達成するために、請求項
２記載の発明は、請求項１記載の発明において、前記第
１極性電極及び前記第２極性電極は、前記モノリシック
発光デバイスにエピタキシャル成長により形成された発
光素子にエピキシャル層として設けられていることを特
徴とするものである。このような手段によると、請求項
１記載の発明での作用に加えて、エピタキシャル成長に
より、それぞれ高純度且つ高形状精度に形成される発光
素子、第１極性電極、第２極性電極により、高品質の色
画像表示が安定に行われる。
２記載の発明は、請求項１記載の発明において、前記第
１極性電極及び前記第２極性電極は、前記モノリシック
発光デバイスにエピタキシャル成長により形成された発
光素子にエピキシャル層として設けられていることを特
徴とするものである。このような手段によると、請求項
１記載の発明での作用に加えて、エピタキシャル成長に
より、それぞれ高純度且つ高形状精度に形成される発光
素子、第１極性電極、第２極性電極により、高品質の色
画像表示が安定に行われる。
【０００９】同様に前記目的を達成するために、請求項
３記載の発明は、請求項１記載の発明において、前記モ
ノリシック発光デバイスの両端の不発光部の長さが、前
記分離絶縁間隙の１／２以下に設定されていることを特
徴とするものである。このような手段によると、請求項
１記載の発明での作用に加えて、モノリシック発光デバ
イスの両端の不発光部の長さが、分離絶縁間隙の１／２
以下に設定されているので、モノリシック発光デバイス
を、長手方向に連続して配置する場合でも、各発光素子
の発光中心点間隔が常に等間隔に設定される。
３記載の発明は、請求項１記載の発明において、前記モ
ノリシック発光デバイスの両端の不発光部の長さが、前
記分離絶縁間隙の１／２以下に設定されていることを特
徴とするものである。このような手段によると、請求項
１記載の発明での作用に加えて、モノリシック発光デバ
イスの両端の不発光部の長さが、分離絶縁間隙の１／２
以下に設定されているので、モノリシック発光デバイス
を、長手方向に連続して配置する場合でも、各発光素子
の発光中心点間隔が常に等間隔に設定される。
【００１０】同様に前記目的を達成するために、請求項
４記載の発明は、請求項１記載の発明において、前記モ
ノリシック発光デバイスには、前記発光素子として、そ
れぞれ赤色、緑色、青色を発光するＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ
Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ；発光ダイオード）が
配列されていることを特徴とするものである。このよう
な手段によると、請求項１記載の発明での作用に加え
て、モノリシック発光デバイスには、発光素子として、
それぞれ赤色、緑色、青色を発光するＬＥＤが配列され
ているので、発光素子部分が製造コストを低減して製造
され、発光スペクトルの半値幅の狭い赤色、緑色及び青
色の発光に基づくより高品質の色画像表示が行われる。
４記載の発明は、請求項１記載の発明において、前記モ
ノリシック発光デバイスには、前記発光素子として、そ
れぞれ赤色、緑色、青色を発光するＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ
Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ；発光ダイオード）が
配列されていることを特徴とするものである。このよう
な手段によると、請求項１記載の発明での作用に加え
て、モノリシック発光デバイスには、発光素子として、
それぞれ赤色、緑色、青色を発光するＬＥＤが配列され
ているので、発光素子部分が製造コストを低減して製造
され、発光スペクトルの半値幅の狭い赤色、緑色及び青
色の発光に基づくより高品質の色画像表示が行われる。
【００１１】同様に前記目的を達成するために、請求項
５記載の発明は、請求項１記載の発明において、前記モ
ノリシック発光デバイスには、前記発光素子として、そ
れぞれ赤色、緑色、青色を発光するＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒ
ｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ；エレクトロ・ルミネッ
センス）が配列されていることを特徴とするものであ
る。このような手段によると、請求項１記載の発明での
作用に加えて、モノリシック発光デバイスには、発光素
子として、それぞれ赤色、緑色、青色を発光するＥＬが
配列されているので、より鮮明で視覚的により見易い色
画像表示が行われる。
５記載の発明は、請求項１記載の発明において、前記モ
ノリシック発光デバイスには、前記発光素子として、そ
れぞれ赤色、緑色、青色を発光するＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒ
ｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ；エレクトロ・ルミネッ
センス）が配列されていることを特徴とするものであ
る。このような手段によると、請求項１記載の発明での
作用に加えて、モノリシック発光デバイスには、発光素
子として、それぞれ赤色、緑色、青色を発光するＥＬが
配列されているので、より鮮明で視覚的により見易い色
画像表示が行われる。
【００１２】同様に前記目的を達成するために、請求項
６記載の発明は、請求項１記載の発明において、前記モ
ノリシック発光デバイスには、前記発光素子として、そ
れぞれ赤色、緑色、青色を発光するＬＤ（Ｌａｓｅｒ
Ｄｉｏｄｅ；レーザダイオード）が配列されていること
を特徴とするものである。このような手段によると、請
求項１記載の発明での作用に加えて、モノリシック発光
デバイスには、発光素子として、それぞれ赤色、緑色、
青色を発光するＬＤが配列されているので、発光スペク
トルの半値幅の狭い赤色、緑色及び青色の発光に基づ
く、より高品質で高輝度の色画像の表示が行われる。
６記載の発明は、請求項１記載の発明において、前記モ
ノリシック発光デバイスには、前記発光素子として、そ
れぞれ赤色、緑色、青色を発光するＬＤ（Ｌａｓｅｒ
Ｄｉｏｄｅ；レーザダイオード）が配列されていること
を特徴とするものである。このような手段によると、請
求項１記載の発明での作用に加えて、モノリシック発光
デバイスには、発光素子として、それぞれ赤色、緑色、
青色を発光するＬＤが配列されているので、発光スペク
トルの半値幅の狭い赤色、緑色及び青色の発光に基づ
く、より高品質で高輝度の色画像の表示が行われる。
【００１３】同様に前記目的を達成するために、請求項
７記載の発明は、請求項４記載の発明において、前記赤
色を発光するＬＥＤには、ＡｌＧａＩｎＰ系材料が、前
記緑色を発光するＬＥＤには、ＺｎＣｄＭｇＳｅＳ系材
料が、前記青色を発光するＬＥＤには、ＺｎＣｄＭｇＳ
ｅＳ系材料が使用されていることを特徴とするものであ
る。このような手段によると、赤色を発光するＬＥＤに
は、ＡｌＧａＩｎＰ系材料を、緑色を発光するＬＥＤに
は、ＺｎＣｄＭｇＳｅＳ系材料を、青色を発光するＬＥ
Ｄには、ＺｎＣｄＭｇＳｅＳ系材料を使用することによ
り、請求項４記載の発明での作用が得られる。
７記載の発明は、請求項４記載の発明において、前記赤
色を発光するＬＥＤには、ＡｌＧａＩｎＰ系材料が、前
記緑色を発光するＬＥＤには、ＺｎＣｄＭｇＳｅＳ系材
料が、前記青色を発光するＬＥＤには、ＺｎＣｄＭｇＳ
ｅＳ系材料が使用されていることを特徴とするものであ
る。このような手段によると、赤色を発光するＬＥＤに
は、ＡｌＧａＩｎＰ系材料を、緑色を発光するＬＥＤに
は、ＺｎＣｄＭｇＳｅＳ系材料を、青色を発光するＬＥ
Ｄには、ＺｎＣｄＭｇＳｅＳ系材料を使用することによ
り、請求項４記載の発明での作用が得られる。
【００１４】同様に前記目的を達成するために、請求項
８記載の発明は、請求項５記載の発明において、前記赤
色を発光するＥＬには、ＡｌＧａＩｎＰ系材料が、前記
緑色を発光するＥＬには、ＺｎＣｄＭｇＳｅＳ系材料
が、前記青色を発光するＥＬには、ＺｎＣｄＭｇＳｅＳ
系材料が使用されていることを特徴とするものである。
このような手段によると、赤色を発光するＬＥＤまたは
ＥＬには、ＡｌＧａＩｎＰ系材料を、緑色を発光するＬ
ＥＤまたはＥＬには、ＺｎＣｄＭｇＳｅＳ系材料を、青
色を発光するＬＥＤまたはＥＬには、ＺｎＣｄＭｇＳｅ
Ｓ系材料を使用することにより、請求項４または請求項
５記載の発明での作用が得られる。
８記載の発明は、請求項５記載の発明において、前記赤
色を発光するＥＬには、ＡｌＧａＩｎＰ系材料が、前記
緑色を発光するＥＬには、ＺｎＣｄＭｇＳｅＳ系材料
が、前記青色を発光するＥＬには、ＺｎＣｄＭｇＳｅＳ
系材料が使用されていることを特徴とするものである。
このような手段によると、赤色を発光するＬＥＤまたは
ＥＬには、ＡｌＧａＩｎＰ系材料を、緑色を発光するＬ
ＥＤまたはＥＬには、ＺｎＣｄＭｇＳｅＳ系材料を、青
色を発光するＬＥＤまたはＥＬには、ＺｎＣｄＭｇＳｅ
Ｓ系材料を使用することにより、請求項４または請求項
５記載の発明での作用が得られる。
【００１５】同様に前記目的を達成するために、請求項
９記載の発明は、請求項６記載の発明において、前記赤
色を発光するＬＤには、ＡｌＧａＩｎＰ系材料が、前記
緑色を発光するＬＤには、ＭｇＺｎＣｄＳＳｅ系材料
が、前記青色を発光するＬＤには、ＭｇＺｎＣｄＳＳｅ
系材料が使用されていることを特徴とするものである。
このような手段によると、赤色を発光するＬＤには、Ａ
ｌＧａＩｎＰ系材料を、緑色を発光するＬＤには、Ｍｇ
ＺｎＣｄＳＳｅ系材料を、青色を発光するＬＤには、Ｍ
ｇＺｎＣｄＳＳｅ系材料を使用することにより、請求項
６記載の発明での作用が得られる。
９記載の発明は、請求項６記載の発明において、前記赤
色を発光するＬＤには、ＡｌＧａＩｎＰ系材料が、前記
緑色を発光するＬＤには、ＭｇＺｎＣｄＳＳｅ系材料
が、前記青色を発光するＬＤには、ＭｇＺｎＣｄＳＳｅ
系材料が使用されていることを特徴とするものである。
このような手段によると、赤色を発光するＬＤには、Ａ
ｌＧａＩｎＰ系材料を、緑色を発光するＬＤには、Ｍｇ
ＺｎＣｄＳＳｅ系材料を、青色を発光するＬＤには、Ｍ
ｇＺｎＣｄＳＳｅ系材料を使用することにより、請求項
６記載の発明での作用が得られる。
【００１６】
【発明の実施の形態】［第１の実施の形態］本発明の第
１の実施の形態を図面を参照して説明する。図１は本実
施の形態の基本構成を示す斜視図、図２は本実施の形態
のモノリシック発光デバイスの構成を示す説明図、図３
は本実施の形態のモノリシック発光デバイスの発光素子
の配列の説明図、図４は本実施の形態の発光素子の全体
配列を示す説明図である。
１の実施の形態を図面を参照して説明する。図１は本実
施の形態の基本構成を示す斜視図、図２は本実施の形態
のモノリシック発光デバイスの構成を示す説明図、図３
は本実施の形態のモノリシック発光デバイスの発光素子
の配列の説明図、図４は本実施の形態の発光素子の全体
配列を示す説明図である。
【００１７】本実施の形態では、ガラスエキシポの実装
基板１上において、図１に矢印Ｘで示す第１の配列方向
に、実装基板１のほぼ全長にわたって、第１電極配線パ
タン２が延長され、この第１電極配線パタン２は、矢印
Ｘに直角方向の矢印Ｙで示す第２の配列方向に、等間隔
で互いに隣接して８本形成されている。これらの第１電
極配線パタン２上に、１０個のＬＥＤ５Ａが等間隔で形
成された帯状のモノリシック発光デバイス３が、それぞ
れ配設されている。このモノリシック発光デバイス３
は、図２に示すような構成となっていて、帯状基板７上
に、分離部１１で隣接するＬＥＤ５Ａが、互いに分離絶
縁された状態で、複数のＬＥＤ５Ａがエピタキシャル成
長により一列に形成されており、ＬＥＤ５Ａの表面に
は、発光面となる透明で厚みが５０ｎｍ以下のＰ型側の
第２電極１０が設けられ、第２電極１０の一端側に、厚
みが５０ｎｍを越えて第２電極１０の表面から突出し
て、配線が施される電極パッド１０ａが設けられてい
る。また、帯状基板７上に互いに分離部１１で分離絶縁
されて配列されるＬＥＤ５Ａに対しては、図３及び図４
に示すように、ＬＥＤ５Ａの分離部１１の帯状基板７の
長手方向の長さをｔとして、帯状基板７の長手方向の両
端の不発光部の長さｓは、ｓ＜ｔ／２となるように設定
されて、帯状基板７上にＬＥＤ５Ａが配列されている。
基板１上において、図１に矢印Ｘで示す第１の配列方向
に、実装基板１のほぼ全長にわたって、第１電極配線パ
タン２が延長され、この第１電極配線パタン２は、矢印
Ｘに直角方向の矢印Ｙで示す第２の配列方向に、等間隔
で互いに隣接して８本形成されている。これらの第１電
極配線パタン２上に、１０個のＬＥＤ５Ａが等間隔で形
成された帯状のモノリシック発光デバイス３が、それぞ
れ配設されている。このモノリシック発光デバイス３
は、図２に示すような構成となっていて、帯状基板７上
に、分離部１１で隣接するＬＥＤ５Ａが、互いに分離絶
縁された状態で、複数のＬＥＤ５Ａがエピタキシャル成
長により一列に形成されており、ＬＥＤ５Ａの表面に
は、発光面となる透明で厚みが５０ｎｍ以下のＰ型側の
第２電極１０が設けられ、第２電極１０の一端側に、厚
みが５０ｎｍを越えて第２電極１０の表面から突出し
て、配線が施される電極パッド１０ａが設けられてい
る。また、帯状基板７上に互いに分離部１１で分離絶縁
されて配列されるＬＥＤ５Ａに対しては、図３及び図４
に示すように、ＬＥＤ５Ａの分離部１１の帯状基板７の
長手方向の長さをｔとして、帯状基板７の長手方向の両
端の不発光部の長さｓは、ｓ＜ｔ／２となるように設定
されて、帯状基板７上にＬＥＤ５Ａが配列されている。
【００１８】図５は本実施の形態の構成を示す斜視図、
図６は本実施の形態の緑色・青色発光素子の構成を示す
断面説明図、図７は本実施の形態の赤色発光素子の構成
を示す断面説明図、図８は本実施の形態の駆動電圧印加
の説明図、図９は本実施の形態の発光特性を示す特性図
である。
図６は本実施の形態の緑色・青色発光素子の構成を示す
断面説明図、図７は本実施の形態の赤色発光素子の構成
を示す断面説明図、図８は本実施の形態の駆動電圧印加
の説明図、図９は本実施の形態の発光特性を示す特性図
である。
【００１９】本実施の形態では、図１及び図５に示すよ
うに、矢印Ｙで示す第２の配列方向に、８個のモノリシ
ック発光デバイス３が、互いに平行に並設されており、
並設される各モノリシック発光デバイス３は、青色ＬＥ
Ｄ５Ａｂが配列されたモノリシック発光デバイス３ｂ、
緑色ＬＥＤ５Ａｇが配列されたモノリシック発光デバイ
ス３ｇ、赤色ＬＥＤ５Ａｒが配列されたモノリシック発
光デバイス３ｒの順に繰り返し配置されている。そし
て、隣接して配置されるモノリシック発光デバイス３
ｂ、３ｇ、３ｒ・・・の図５に矢印Ｙで示す第２の配列
方向において、互いに隣接するＬＥＤ５Ａが、第２電極
取出線６によって、電極パッド１０ａ位置で、それぞれ
順次ボンディングされている。
うに、矢印Ｙで示す第２の配列方向に、８個のモノリシ
ック発光デバイス３が、互いに平行に並設されており、
並設される各モノリシック発光デバイス３は、青色ＬＥ
Ｄ５Ａｂが配列されたモノリシック発光デバイス３ｂ、
緑色ＬＥＤ５Ａｇが配列されたモノリシック発光デバイ
ス３ｇ、赤色ＬＥＤ５Ａｒが配列されたモノリシック発
光デバイス３ｒの順に繰り返し配置されている。そし
て、隣接して配置されるモノリシック発光デバイス３
ｂ、３ｇ、３ｒ・・・の図５に矢印Ｙで示す第２の配列
方向において、互いに隣接するＬＥＤ５Ａが、第２電極
取出線６によって、電極パッド１０ａ位置で、それぞれ
順次ボンディングされている。
【００２０】本実施の形態において、ｎ型ＧａＡｓの共
通の帯状基板７上に、分子線エピタキシー法（ＭＢＥ；
Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）や、
有機金属化合物気相エピタキシャル法（ＭＯＣＶＤ；Ｍ
ｅｔａｌＯｒｇａｎｉｃＣｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によって、エピタキシャル成
長で形成される青色ＬＥＤ５Ａｂ、または緑色ＬＥＤ５
Ａｇは、図６に示すように、帯状基板７上に、ｎ型Ｚｎ
Ｓｅ層２１、ｎ型ＺｎＳＳｅ層１７ｂ、ｎ型ＺｎＭｇＳ
Ｓｅ層１９、ｎ型ＺｎＭｇＳＳｅ層１７ａが順次形成さ
れ、ｎ型ＺｎＳＳｅ層１７ａの上に、ＺｎＣｄＳｅの発
光層１５ａが形成されている。そして、この発光層１５
ａの上に、ｐ型ＺｎＳＳｅ層１６ａ、ｐ型ＺｎＭｇＳＳ
ｅ層１８、ｐ型ＺｎＳＳｅ層１６ｂ、ｐ型ＺｎＳｅ層２
０、ｐ型ＺｎＴｅ層２２が順次形成され、ｐ型ＺｎＴｅ
層２２上に、ｐ電極となる第１電極１０が形成され、帯
状基板７の底面には、ｎ電極となる第２電極７ａが形成
されている。
通の帯状基板７上に、分子線エピタキシー法（ＭＢＥ；
Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）や、
有機金属化合物気相エピタキシャル法（ＭＯＣＶＤ；Ｍ
ｅｔａｌＯｒｇａｎｉｃＣｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によって、エピタキシャル成
長で形成される青色ＬＥＤ５Ａｂ、または緑色ＬＥＤ５
Ａｇは、図６に示すように、帯状基板７上に、ｎ型Ｚｎ
Ｓｅ層２１、ｎ型ＺｎＳＳｅ層１７ｂ、ｎ型ＺｎＭｇＳ
Ｓｅ層１９、ｎ型ＺｎＭｇＳＳｅ層１７ａが順次形成さ
れ、ｎ型ＺｎＳＳｅ層１７ａの上に、ＺｎＣｄＳｅの発
光層１５ａが形成されている。そして、この発光層１５
ａの上に、ｐ型ＺｎＳＳｅ層１６ａ、ｐ型ＺｎＭｇＳＳ
ｅ層１８、ｐ型ＺｎＳＳｅ層１６ｂ、ｐ型ＺｎＳｅ層２
０、ｐ型ＺｎＴｅ層２２が順次形成され、ｐ型ＺｎＴｅ
層２２上に、ｐ電極となる第１電極１０が形成され、帯
状基板７の底面には、ｎ電極となる第２電極７ａが形成
されている。
【００２１】この場合、ＺｎＣｄＳｅの発光層１５ａの
Ｃｄの組成を変化させることにより、発光波長を異なら
せて青色または緑色の発光を行うようになっている。こ
のようにして、帯状基板７上に互いに隣接して配置され
る青色ＬＥＤ５Ａｂ、または緑色ＬＥＤ５Ａｇ間には、
化学的エッチングやイオンエッチングによって分離部１
１が形成され、この分離部１１によって、隣接して配置
される青色ＬＥＤ５Ａｂ、または緑色ＬＥＤ５Ａｇは互
いに分離され、さらに、分離部１１の表面にはＳｉＯ2
絶縁膜２３が形成されている。
Ｃｄの組成を変化させることにより、発光波長を異なら
せて青色または緑色の発光を行うようになっている。こ
のようにして、帯状基板７上に互いに隣接して配置され
る青色ＬＥＤ５Ａｂ、または緑色ＬＥＤ５Ａｇ間には、
化学的エッチングやイオンエッチングによって分離部１
１が形成され、この分離部１１によって、隣接して配置
される青色ＬＥＤ５Ａｂ、または緑色ＬＥＤ５Ａｇは互
いに分離され、さらに、分離部１１の表面にはＳｉＯ2
絶縁膜２３が形成されている。
【００２２】本実施の形態の帯状基板７上にエピタキシ
ャル成長で形成される赤色ＬＥＤ５Ａｒは、図７に示す
ように、ｎ型ＧａＡｓの帯状基板７上に、ｎ型ＧａＩｎ
Ｐ層２７、ｎ型ＡｌｘＧａ１−ｘＩｎＰ層２５ｂ、ｎ型
ＡｌｙＧａ１−ｙＩｎＰ層２５ａが順次形成され、ｎ型
ＡｌｙＧａ１−ｙＩｎＰ層２５ａ上に、ＧａＩｎＰの発
光層１５ｂが形成されている。そして、発光層１５ｂ上
に、ｐ型ＡｌｙＧａ１−ｙＩｎＰ層２４ａ、ｐ型Ａｌｘ
Ｇａ１−ｘＩｎＰ層２４ｂ、ｐ型ＧａＩｎＰ層２６、Ｐ
型ＧａＡｓ層２８が順次形成され、ｐ型ＧａＡｓ層２８
上に第２電極１０が形成されている。赤色ＬＥＤ５Ａｒ
のその他の部分の構成は、すでに説明した青色ＬＥＤ５
Ａｂ、或いは緑色ＬＥＤ５Ａｇと同一なので、重複する
説明は行わない。
ャル成長で形成される赤色ＬＥＤ５Ａｒは、図７に示す
ように、ｎ型ＧａＡｓの帯状基板７上に、ｎ型ＧａＩｎ
Ｐ層２７、ｎ型ＡｌｘＧａ１−ｘＩｎＰ層２５ｂ、ｎ型
ＡｌｙＧａ１−ｙＩｎＰ層２５ａが順次形成され、ｎ型
ＡｌｙＧａ１−ｙＩｎＰ層２５ａ上に、ＧａＩｎＰの発
光層１５ｂが形成されている。そして、発光層１５ｂ上
に、ｐ型ＡｌｙＧａ１−ｙＩｎＰ層２４ａ、ｐ型Ａｌｘ
Ｇａ１−ｘＩｎＰ層２４ｂ、ｐ型ＧａＩｎＰ層２６、Ｐ
型ＧａＡｓ層２８が順次形成され、ｐ型ＧａＡｓ層２８
上に第２電極１０が形成されている。赤色ＬＥＤ５Ａｒ
のその他の部分の構成は、すでに説明した青色ＬＥＤ５
Ａｂ、或いは緑色ＬＥＤ５Ａｇと同一なので、重複する
説明は行わない。
【００２３】本実施の形態では、第２電極１０は透光性
で膜厚１０ｎｍに形成され、第２電極取出線６がボンデ
ィングされる第２電極パッド１０ａは、１５０ｎｍの厚
みに形成されており、複数の第２電極取出線６の選択に
よって、各モノリシック発光デバイス３で第２電極１０
に電圧が印加されるＬＥＤ５Ａが指定され、複数の第１
電極２の選択によって、第１電極２に電圧が印加される
モノリシック発光デバイス３ｂ、３ｇ、３ｒが指定さ
れ、マトリクス状に配置される複数のＬＥＤ５Ａから選
択されたＬＥＤ５Ａに駆動電圧が印加されて発光動作が
行われる。この場合、図８に示すように、ＬＥＤ５Ａの
閾値電圧をＶｔｈとすると、第１電極２には電圧−Ｖ１
＜Ｖｔｈが印加され、第２電極１０には電圧＋Ｖ２＜Ｖ
ｔｈが印加されるが、Ｖ２−（−Ｖ１）＞Ｖｔｈに設定
されているので、マトリクスの交点に位置するＬＥＤ５
Ａが選択されて発光する。
で膜厚１０ｎｍに形成され、第２電極取出線６がボンデ
ィングされる第２電極パッド１０ａは、１５０ｎｍの厚
みに形成されており、複数の第２電極取出線６の選択に
よって、各モノリシック発光デバイス３で第２電極１０
に電圧が印加されるＬＥＤ５Ａが指定され、複数の第１
電極２の選択によって、第１電極２に電圧が印加される
モノリシック発光デバイス３ｂ、３ｇ、３ｒが指定さ
れ、マトリクス状に配置される複数のＬＥＤ５Ａから選
択されたＬＥＤ５Ａに駆動電圧が印加されて発光動作が
行われる。この場合、図８に示すように、ＬＥＤ５Ａの
閾値電圧をＶｔｈとすると、第１電極２には電圧−Ｖ１
＜Ｖｔｈが印加され、第２電極１０には電圧＋Ｖ２＜Ｖ
ｔｈが印加されるが、Ｖ２−（−Ｖ１）＞Ｖｔｈに設定
されているので、マトリクスの交点に位置するＬＥＤ５
Ａが選択されて発光する。
【００２４】本実施の形態のＬＥＤ５Ａによる発光は、
帯間遷移による発光なので、プラズマディスプレイやＣ
ＲＴなどの発光中心の遷移による蛍光体発光や、液晶デ
ィスプレイのバックライトからの光の透過フィルムによ
る色識別による発光とは異なり、図９に示すように、発
光スペクトルの半値幅が２０ｎｍ以下と狭く、優れた色
別特性の色合の視覚感触のよい画像が表示される。さら
に、ＬＥＤ５Ａは、他の発光素子に比して、比較的簡単
に低製造コストで製造することが可能である。
帯間遷移による発光なので、プラズマディスプレイやＣ
ＲＴなどの発光中心の遷移による蛍光体発光や、液晶デ
ィスプレイのバックライトからの光の透過フィルムによ
る色識別による発光とは異なり、図９に示すように、発
光スペクトルの半値幅が２０ｎｍ以下と狭く、優れた色
別特性の色合の視覚感触のよい画像が表示される。さら
に、ＬＥＤ５Ａは、他の発光素子に比して、比較的簡単
に低製造コストで製造することが可能である。
【００２５】また、すでに説明したように、帯状基板７
上で隣接するＬＥＤ５Ａ間の分離部１１の長さｔが、帯
状基板７の両端の不発光部の長さｓの２倍以上に設定さ
れているので、図４に示すように、実装基板１上で、モ
ノリシック発光デバイス３を、縦方向に連結して配設定
する場合でも、隣接するＬＥＤ５Ａの中心発光点間の距
離を連結部においても、他の中心発光点間距離に等しく
することが可能で、歪みのない高品質の画像表示を行う
ことが可能になる。
上で隣接するＬＥＤ５Ａ間の分離部１１の長さｔが、帯
状基板７の両端の不発光部の長さｓの２倍以上に設定さ
れているので、図４に示すように、実装基板１上で、モ
ノリシック発光デバイス３を、縦方向に連結して配設定
する場合でも、隣接するＬＥＤ５Ａの中心発光点間の距
離を連結部においても、他の中心発光点間距離に等しく
することが可能で、歪みのない高品質の画像表示を行う
ことが可能になる。
【００２６】［第２の実施の形態］本発明の第２の実施
の形態を、図１０ないし図１２を参照して説明する。図
１０は本実施の形態の構成を示す斜視図、図１１は本実
施の形態の緑色・青色発光素子の構成を示す断面説明
図、図１２は本実施の形態の赤色発光素子の構成を示す
断面説明図である。
の形態を、図１０ないし図１２を参照して説明する。図
１０は本実施の形態の構成を示す斜視図、図１１は本実
施の形態の緑色・青色発光素子の構成を示す断面説明
図、図１２は本実施の形態の赤色発光素子の構成を示す
断面説明図である。
【００２７】本実施の形態は、発光素子としてＬＤ（レ
ーザダイオード）５Ｂを使用した場合であり、図１０に
示すように、実装基板１上には、矢印Ｙで示す第２配列
方向に、青色ＬＤ５Ｂｂ、緑色ＬＤ５Ｂｇ、赤色ＬＤ５
Ｂｒが、この順に繰り返して形成されている。本実施の
形態のｎ型ＧａＡｓ帯状基板７上にエピタキシャル成長
で形成される緑色・青色ＬＤ５Ｂｇ、５Ｂｂは、図１１
に示すように、帯状基板７上にｎ型ＺｎＳｅ層２１、ｎ
型ＺｎＳＳｅ層１７ｂが順次形成され、ｎ型ＺｎＳＳｅ
層１７ｂ上に、ｎ型ＺｎＭｇＳＳｅまたはＺｎＳＳｅの
超格子３１が形成され、超格子３１上にｎ型ＺｎＳＳｅ
層１７ａが形成され、ｎ型ＺｎＳＳｅ層１７ａ上に、Ｚ
ｎＣｄＳｅの発光層１５ａが形成されている。そして、
この発光層１５ａのＣｄ組成を変化させることにより、
発光波長を異ならせて青色または緑色の発光を行うよう
になっている。
ーザダイオード）５Ｂを使用した場合であり、図１０に
示すように、実装基板１上には、矢印Ｙで示す第２配列
方向に、青色ＬＤ５Ｂｂ、緑色ＬＤ５Ｂｇ、赤色ＬＤ５
Ｂｒが、この順に繰り返して形成されている。本実施の
形態のｎ型ＧａＡｓ帯状基板７上にエピタキシャル成長
で形成される緑色・青色ＬＤ５Ｂｇ、５Ｂｂは、図１１
に示すように、帯状基板７上にｎ型ＺｎＳｅ層２１、ｎ
型ＺｎＳＳｅ層１７ｂが順次形成され、ｎ型ＺｎＳＳｅ
層１７ｂ上に、ｎ型ＺｎＭｇＳＳｅまたはＺｎＳＳｅの
超格子３１が形成され、超格子３１上にｎ型ＺｎＳＳｅ
層１７ａが形成され、ｎ型ＺｎＳＳｅ層１７ａ上に、Ｚ
ｎＣｄＳｅの発光層１５ａが形成されている。そして、
この発光層１５ａのＣｄ組成を変化させることにより、
発光波長を異ならせて青色または緑色の発光を行うよう
になっている。
【００２８】また、発光層１５ａの上にｐ型ＺｎＳＳｅ
層１６ａが形成され、ｐ型ＺｎＳＳｅ層１６ａ上に、ｐ
型ＺｎＭｇＳＳｅまたはＺｎＳＳｅの超格子３０が形成
され、超格子３０上にｐ型ＺｎＳＳｅ層１６ｂが形成さ
れ、ｐ型ＺｎＳＳｅ層１６ｂ上に、ｐ型ＺｎＳｅ層２
０、ｐ型ＺｎＴｅ層２２が順次形成され、ｐ型ＺｎＴｅ
層２２上に第２電極１０が形成されている。このよう
に、発光層１５ａを挟んで、超格子３０、３１が設けら
れ、これらの超格子３０、３１が、光に対してそれぞれ
ＢｒａｇｇＲｅｆｌｅｃｔｏｒとなり、鏡の機能を果た
すことにより面発光レーザが構成されている。
層１６ａが形成され、ｐ型ＺｎＳＳｅ層１６ａ上に、ｐ
型ＺｎＭｇＳＳｅまたはＺｎＳＳｅの超格子３０が形成
され、超格子３０上にｐ型ＺｎＳＳｅ層１６ｂが形成さ
れ、ｐ型ＺｎＳＳｅ層１６ｂ上に、ｐ型ＺｎＳｅ層２
０、ｐ型ＺｎＴｅ層２２が順次形成され、ｐ型ＺｎＴｅ
層２２上に第２電極１０が形成されている。このよう
に、発光層１５ａを挟んで、超格子３０、３１が設けら
れ、これらの超格子３０、３１が、光に対してそれぞれ
ＢｒａｇｇＲｅｆｌｅｃｔｏｒとなり、鏡の機能を果た
すことにより面発光レーザが構成されている。
【００２９】本実施の形態のｎ型ＧａＡｓ帯状基板７上
にエピタキシャル成長で形成される赤色ＬＤ５Ｂｒは、
図１２に示すように、ｎ型ＧａＡｓの帯状基板７上にｎ
型ＧａＩｎＰ層２７が形成され、このｎ型ＧａＩｎＰ層
２７の上に、ｎ型ＡｌｘＧａ１−ｘＩｎＰまたはＧａＩ
ｎＰの超格子３３が形成され、この超格子３３上にＧａ
ＩｎＰの発光層１５ｂが形成されている。そして、発光
層１５ｂの上に、ｐ型ＡｌｙＧａ１−ｙＩｎＰ層２４ａ
が形成され、ｐ型ＡｌｙＧａ１−ｙＩｎＰ層２４ａの上
に、ｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＩｎＰまたはＧａＩｎＰの超
格子３２が形成され、この超格子３２上にｐ型ＧａＩｎ
Ｐ層２６、Ｐ型ＧａＡｓ層２８が順次形成され、ｐ型Ｇ
ａＡｓ層２８の上に第２電極１０が形成されている。本
実施の形態のその他の部分の構成は、すでに説明した第
１の実施の形態と同一なので、重複する説明は行わな
い。
にエピタキシャル成長で形成される赤色ＬＤ５Ｂｒは、
図１２に示すように、ｎ型ＧａＡｓの帯状基板７上にｎ
型ＧａＩｎＰ層２７が形成され、このｎ型ＧａＩｎＰ層
２７の上に、ｎ型ＡｌｘＧａ１−ｘＩｎＰまたはＧａＩ
ｎＰの超格子３３が形成され、この超格子３３上にＧａ
ＩｎＰの発光層１５ｂが形成されている。そして、発光
層１５ｂの上に、ｐ型ＡｌｙＧａ１−ｙＩｎＰ層２４ａ
が形成され、ｐ型ＡｌｙＧａ１−ｙＩｎＰ層２４ａの上
に、ｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＩｎＰまたはＧａＩｎＰの超
格子３２が形成され、この超格子３２上にｐ型ＧａＩｎ
Ｐ層２６、Ｐ型ＧａＡｓ層２８が順次形成され、ｐ型Ｇ
ａＡｓ層２８の上に第２電極１０が形成されている。本
実施の形態のその他の部分の構成は、すでに説明した第
１の実施の形態と同一なので、重複する説明は行わな
い。
【００３０】本実施の形態でも、すでに第１の実施の形
態で説明したように、マトリクス状に配置されるＬＤ５
Ｂに対して駆動電圧の選択印加が行われ、ＬＤ５Ｂの発
光動作が行われる。本実施の形態では、発光素子にＬＤ
５Ｂｇ、ＬＤ５Ｂｂ、ＬＤ５Ｂｒが使用されるので、発
光スペクトルの半値幅の狭い赤色、緑色及び青色の発光
に基づく、より高品質で高輝度の色画像の表示を行うこ
とが可能になる。本実施の形態のその他の動作及び効果
は、すでに説明した第１の実施の形態と同一なので、重
複する説明は行わない。
態で説明したように、マトリクス状に配置されるＬＤ５
Ｂに対して駆動電圧の選択印加が行われ、ＬＤ５Ｂの発
光動作が行われる。本実施の形態では、発光素子にＬＤ
５Ｂｇ、ＬＤ５Ｂｂ、ＬＤ５Ｂｒが使用されるので、発
光スペクトルの半値幅の狭い赤色、緑色及び青色の発光
に基づく、より高品質で高輝度の色画像の表示を行うこ
とが可能になる。本実施の形態のその他の動作及び効果
は、すでに説明した第１の実施の形態と同一なので、重
複する説明は行わない。
【００３１】［第３の実施の形態］本発明の第３の実施
の形態を、図１３及び図１４を参照して説明する。図１
３は本実施の形態の構成を示す斜視図、図１４は本実施
の形態の赤色・緑色・青色発光素子の構成を示す断面説
明図である。
の形態を、図１３及び図１４を参照して説明する。図１
３は本実施の形態の構成を示す斜視図、図１４は本実施
の形態の赤色・緑色・青色発光素子の構成を示す断面説
明図である。
【００３２】本実施の形態は、発光素子としてＥＬ素子
（以下ＥＬと略称する）を使用した場合であり、図１３
に示すように、実装基板１上には、矢印Ｙで示す第２配
列方向に、青色ＥＬ５Ｃｂ、緑色ＥＬ５Ｃｇ、赤色ＥＬ
５Ｃｒが、この順に繰り返して形成されている。本実施
の形態のｎ型ＧａＡｓ帯状基板７上にエピタキシャル成
長で形成される緑色・青色・赤色ＥＬ５Ｃｇ、５Ｃｂ、
５Ｃｒは、図１４に示すように、帯状基板７上にｎ型Ｚ
ｎＳＳｅ層１７ａが形成され、ｎ型ＺｎＳＳｅ層１７ａ
上には、Ｓｍ、またはＴｂ、またはＴｍがドーピングさ
れるＺｎＳ層３５が形成され、ＺｎＳ層３５上に第２電
極１０が形成されている。
（以下ＥＬと略称する）を使用した場合であり、図１３
に示すように、実装基板１上には、矢印Ｙで示す第２配
列方向に、青色ＥＬ５Ｃｂ、緑色ＥＬ５Ｃｇ、赤色ＥＬ
５Ｃｒが、この順に繰り返して形成されている。本実施
の形態のｎ型ＧａＡｓ帯状基板７上にエピタキシャル成
長で形成される緑色・青色・赤色ＥＬ５Ｃｇ、５Ｃｂ、
５Ｃｒは、図１４に示すように、帯状基板７上にｎ型Ｚ
ｎＳＳｅ層１７ａが形成され、ｎ型ＺｎＳＳｅ層１７ａ
上には、Ｓｍ、またはＴｂ、またはＴｍがドーピングさ
れるＺｎＳ層３５が形成され、ＺｎＳ層３５上に第２電
極１０が形成されている。
【００３３】この場合、赤色ＥＬ５Ｃｒでは、ＺｎＳ層
３５にＳｍがドーピングされ、緑色ＥＬ５ＣｇではＺｎ
Ｓ層３５にＴｂがドーピングされ、青色ＥＬ５Ｃｂで
は、ＺｎＳ層３５にＴｍがドーピングされている。本実
施の形態のその他の部分の構成は、すでに説明した第１
の実施の形態と同一なので、重複する説明は行わない。
３５にＳｍがドーピングされ、緑色ＥＬ５ＣｇではＺｎ
Ｓ層３５にＴｂがドーピングされ、青色ＥＬ５Ｃｂで
は、ＺｎＳ層３５にＴｍがドーピングされている。本実
施の形態のその他の部分の構成は、すでに説明した第１
の実施の形態と同一なので、重複する説明は行わない。
【００３４】本実施の形態でも、すでに第１の実施の形
態で説明したように、マトリクス状に配置されるＥＬ５
Ｃに対して駆動電圧の選択印加が行われ、ＥＬ５Ｃの発
光動作が行われる。本実施の形態では、発光素子にＥＬ
５Ｃｇ、ＥＬ５Ｃｂ、ＥＬ５Ｃｒが使用されるので、鮮
明で視覚的により見易い色画像表示を行うことが可能に
なる。本実施の形態のその他の動作及び効果は、すでに
説明した第１の実施の形態と同一なので、重複する説明
は行わない。
態で説明したように、マトリクス状に配置されるＥＬ５
Ｃに対して駆動電圧の選択印加が行われ、ＥＬ５Ｃの発
光動作が行われる。本実施の形態では、発光素子にＥＬ
５Ｃｇ、ＥＬ５Ｃｂ、ＥＬ５Ｃｒが使用されるので、鮮
明で視覚的により見易い色画像表示を行うことが可能に
なる。本実施の形態のその他の動作及び効果は、すでに
説明した第１の実施の形態と同一なので、重複する説明
は行わない。
【００３５】なお、以上の各実施の形態では、実装基板
としてガラスエポキシを使用した場合を説明したが、本
発明は、これらの実施の形態に限定されるものではな
く、実装基板としてアクリル、テフロン、セラミックな
どを使用してもよい。また、以上の実施の形態では、第
２電極取出線を第２電極パッドにボンディングする場合
を説明したが、ボンディング以外にも半田や銀ペースト
により接続してもよい。
としてガラスエポキシを使用した場合を説明したが、本
発明は、これらの実施の形態に限定されるものではな
く、実装基板としてアクリル、テフロン、セラミックな
どを使用してもよい。また、以上の実施の形態では、第
２電極取出線を第２電極パッドにボンディングする場合
を説明したが、ボンディング以外にも半田や銀ペースト
により接続してもよい。
【００３６】
【発明の効果】請求項１記載の発明によると、実装基板
に対して、第１の配列方向に実装基板のほぼ全長にわた
って延長され、第２の配列方向に互いに並設されて、第
１極性電極配線が形成されており、複数の発光素子が、
第２極性電極を表面にして、互いに分離絶縁間隙を保っ
て、一列に配列形成された帯状のモノリシック発光デバ
イスが、底面に導出された発光素子の第１極性電極を、
第１極性電極配線に接続させて、第１の配列方向に延長
され、第２の配列方向に複数個が並設されて実装基板上
に配設され、第２極性電極配線によって、第２の配列方
向に並設される複数のモノリシック発光デバイスの複数
の発光素子に対して、第２の配列方向で隣接する発光素
子が、順次それぞれ接続配設され、駆動電圧印加手段に
よって、選択された発光素子の第１極性電極配線と第２
極性電極配線間に、閾値以上の電圧が印加され、実装基
板に対してマトリクス状に配列されたチップ形状の複数
の発光素子が、選択されて色発光することにより色画像
表示が行われるので、モノリシック発光デバイスによっ
て、各発光素子の発光点間隔を高精度で等間隔に維持し
て、歪みのない高品質の色画像表示を行うことが可能な
ディスプレイ装置を、少ない配線過程の簡易化された製
造工程と短縮された製造時間により、製造コストを低減
して製造することが可能になる。
に対して、第１の配列方向に実装基板のほぼ全長にわた
って延長され、第２の配列方向に互いに並設されて、第
１極性電極配線が形成されており、複数の発光素子が、
第２極性電極を表面にして、互いに分離絶縁間隙を保っ
て、一列に配列形成された帯状のモノリシック発光デバ
イスが、底面に導出された発光素子の第１極性電極を、
第１極性電極配線に接続させて、第１の配列方向に延長
され、第２の配列方向に複数個が並設されて実装基板上
に配設され、第２極性電極配線によって、第２の配列方
向に並設される複数のモノリシック発光デバイスの複数
の発光素子に対して、第２の配列方向で隣接する発光素
子が、順次それぞれ接続配設され、駆動電圧印加手段に
よって、選択された発光素子の第１極性電極配線と第２
極性電極配線間に、閾値以上の電圧が印加され、実装基
板に対してマトリクス状に配列されたチップ形状の複数
の発光素子が、選択されて色発光することにより色画像
表示が行われるので、モノリシック発光デバイスによっ
て、各発光素子の発光点間隔を高精度で等間隔に維持し
て、歪みのない高品質の色画像表示を行うことが可能な
ディスプレイ装置を、少ない配線過程の簡易化された製
造工程と短縮された製造時間により、製造コストを低減
して製造することが可能になる。
【００３７】請求項２記載の発明によると、請求項１記
載の発明で得られる効果に加えて、第１極性電極及び第
２極性電極は、モノリシック発光デバイスにエピタキシ
ャル成長により形成された発光素子に、エピキシャル層
として設けられているので、発光素子、第１極性電極、
第２極性電極を、高純度で且つ高形状精度で形成し、高
品質の色画像表示を安定に行わせることが可能になる。
載の発明で得られる効果に加えて、第１極性電極及び第
２極性電極は、モノリシック発光デバイスにエピタキシ
ャル成長により形成された発光素子に、エピキシャル層
として設けられているので、発光素子、第１極性電極、
第２極性電極を、高純度で且つ高形状精度で形成し、高
品質の色画像表示を安定に行わせることが可能になる。
【００３８】請求項３記載の発明によると、請求項１記
載の発明で得られる効果に加えて、モノリシック発光デ
バイスの両端の不発光部の長さが、分離絶縁間隙の１／
２以下に設定されているので、モノリシック発光デバイ
スを、長手方向に連続して配置する場合でも、各発光素
子の発光点間隔を、常に等間隔に設定することが可能に
なる。
載の発明で得られる効果に加えて、モノリシック発光デ
バイスの両端の不発光部の長さが、分離絶縁間隙の１／
２以下に設定されているので、モノリシック発光デバイ
スを、長手方向に連続して配置する場合でも、各発光素
子の発光点間隔を、常に等間隔に設定することが可能に
なる。
【００３９】請求項４記載の発明によると、請求項１記
載の発明で得られる効果に加えて、モノリシック発光デ
バイスには、発光素子として、それぞれ赤色、緑色、青
色を発光するＬＥＤが配列されているので、発光素子部
分の製造コストを低減することが可能になり、発光スペ
クトルの半値幅の狭い赤色、緑色及び青色の発光に基づ
くより高品質の色画像表示を、より低コストで実現する
ことが可能になる。
載の発明で得られる効果に加えて、モノリシック発光デ
バイスには、発光素子として、それぞれ赤色、緑色、青
色を発光するＬＥＤが配列されているので、発光素子部
分の製造コストを低減することが可能になり、発光スペ
クトルの半値幅の狭い赤色、緑色及び青色の発光に基づ
くより高品質の色画像表示を、より低コストで実現する
ことが可能になる。
【００４０】請求項５記載の発明によると、請求項１記
載の発明で得られる効果に加えて、モノリシック発光デ
バイスには、発光素子として、それぞれ赤色、緑色、青
色を発光するＥＬが配列されているので、より鮮明で視
覚的により見易い色画像表示を行うことが可能になる。
載の発明で得られる効果に加えて、モノリシック発光デ
バイスには、発光素子として、それぞれ赤色、緑色、青
色を発光するＥＬが配列されているので、より鮮明で視
覚的により見易い色画像表示を行うことが可能になる。
【００４１】請求項６記載の発明によると、請求項１記
載の発明で得られる効果に加えて、モノリシック発光デ
バイスには、発光素子として、それぞれ赤色、緑色、青
色を発光するＬＤが配列されているので、発光スペクト
ルの半値幅の狭い赤色、緑色及び青色の発光に基づく、
より高品質で高輝度の色画像の表示を行うことが可能に
なる。
載の発明で得られる効果に加えて、モノリシック発光デ
バイスには、発光素子として、それぞれ赤色、緑色、青
色を発光するＬＤが配列されているので、発光スペクト
ルの半値幅の狭い赤色、緑色及び青色の発光に基づく、
より高品質で高輝度の色画像の表示を行うことが可能に
なる。
【００４２】請求項７記載の発明によると、請求項４記
載の発明の効果が、赤色を発光するＬＥＤには、ＡｌＧ
ａＩｎＰ系材料を、緑色を発光するＬＥＤには、ＺｎＣ
ｄＭｇＳｅＳ系材料を、青色を発光するＬＥＤには、Ｚ
ｎＣｄＭｇＳｅＳ系材料を使用することにより得られ
る。
載の発明の効果が、赤色を発光するＬＥＤには、ＡｌＧ
ａＩｎＰ系材料を、緑色を発光するＬＥＤには、ＺｎＣ
ｄＭｇＳｅＳ系材料を、青色を発光するＬＥＤには、Ｚ
ｎＣｄＭｇＳｅＳ系材料を使用することにより得られ
る。
【００４３】請求項８記載の発明によると、請求項５記
載の発明の効果が、赤色を発光するＥＬには、ＡｌＧａ
ＩｎＰ系材料を、緑色を発光するＥＬには、ＺｎＣｄＭ
ｇＳｅＳ系材料を、青色を発光するＥＬには、ＺｎＣｄ
ＭｇＳｅＳ系材料を使用することにより得られる。
載の発明の効果が、赤色を発光するＥＬには、ＡｌＧａ
ＩｎＰ系材料を、緑色を発光するＥＬには、ＺｎＣｄＭ
ｇＳｅＳ系材料を、青色を発光するＥＬには、ＺｎＣｄ
ＭｇＳｅＳ系材料を使用することにより得られる。
【００４４】請求項９記載の発明によると、請求項６記
載の発明の効果が、赤色を発光するＬＤには、ＡｌＧａ
ＩｎＰ系材料を、緑色を発光するＬＤには、ＭｇＺｎＣ
ｄＳＳｅ系材料を、青色を発光するＬＤには、ＭｇＺｎ
ＣｄＳＳｅ系材料を使用することにより得られる。
載の発明の効果が、赤色を発光するＬＤには、ＡｌＧａ
ＩｎＰ系材料を、緑色を発光するＬＤには、ＭｇＺｎＣ
ｄＳＳｅ系材料を、青色を発光するＬＤには、ＭｇＺｎ
ＣｄＳＳｅ系材料を使用することにより得られる。
【図１】本発明の第１の実施の形態の基本構成を示す斜
視図である。
視図である。
【図２】同実施の形態のモノリシック発光デバイスの構
成を示す説明図である。
成を示す説明図である。
【図３】同実施の形態のモノリシック発光デバイスの発
光素子の配列の説明図である。
光素子の配列の説明図である。
【図４】同実施の形態の発光素子の全体配列を示す説明
図である。
図である。
【図５】同実施の形態の構成を示す斜視図である。
【図６】同実施の形態の緑色・青色発光素子の構成を示
す断面説明図である。
す断面説明図である。
【図７】同実施の形態の赤色発光素子の構成を示す断面
説明図である。
説明図である。
【図８】同実施の形態の駆動電圧印加の説明図である。
【図９】同実施の形態の発光特性を示す特性図である。
【図１０】本発明の第２の実施の形態の構成を示す斜視
図である。
図である。
【図１１】同実施の形態の緑色・青色発光素子の構成を
示す断面説明図である。
示す断面説明図である。
【図１２】同実施の形態の赤色発光素子の構成を示す断
面説明図である。
面説明図である。
【図１３】本発明の第３の実施の形態の構成を示す斜視
図である。
図である。
【図１４】同実施の形態の赤色・緑色・青色発光素子の
構成を示す断面説明図である。
構成を示す断面説明図である。
【図１５】従来のディスプレイ装置での発光素子配列の
説明図である。
説明図である。
１・・実装基板、２・・第１電極配線パタン、３・・モ
ノリシック発光デバイス、５Ａ・・ＬＥＤ、５Ａｂ・・
青色ＬＥＤ、５Ａｇ・・緑色ＬＥＤ、５Ａｒ・・赤色Ｌ
ＥＤ、５Ｂ・・ＬＤ、５Ｂｂ・・青色ＬＤ、５Ｂｇ・・
緑色ＬＤ、５Ｂｒ・・赤色ＬＤ、５Ｃ・・ＥＬ、５Ｃｂ
・・青色ＥＬ、５Ｃｇ・・緑色ＥＬ、５Ｃｒ・・赤色Ｅ
Ｌ、６・・第２電極取出線、７・・帯状基板、７ａ・・
第１電極、１０・・第２電極。
ノリシック発光デバイス、５Ａ・・ＬＥＤ、５Ａｂ・・
青色ＬＥＤ、５Ａｇ・・緑色ＬＥＤ、５Ａｒ・・赤色Ｌ
ＥＤ、５Ｂ・・ＬＤ、５Ｂｂ・・青色ＬＤ、５Ｂｇ・・
緑色ＬＤ、５Ｂｒ・・赤色ＬＤ、５Ｃ・・ＥＬ、５Ｃｂ
・・青色ＥＬ、５Ｃｇ・・緑色ＥＬ、５Ｃｒ・・赤色Ｅ
Ｌ、６・・第２電極取出線、７・・帯状基板、７ａ・・
第１電極、１０・・第２電極。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 奥山 浩之 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 小島 繁 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 Ｆターム(参考） 5C094 AA43 BA01 BA25 BA29 CA19 DB01 5G435 AA17 BB04 BB05 CC09 EE34 KK09
Claims (9)
- 【請求項１】 第１極性電極が一面側に、発光面となる
第２極性電極が他面側に設けられ、色発光を行うチップ
形状の複数の発光素子が、実装基板に対して互いに直交
する第１の配列方向と第２の配列方向とに、前記第２極
性電極を表面にしてマトリクス状に配列され、選択され
た発光素子の前記第１極性電極及び前記第２極性電極へ
の駆動電圧の印加によって、前記選択された発光素子が
発光するディスプレイ装置であり、 前記第１の配列方向に前記実装基板のほぼ全長にわたっ
て延長され、前記第２の配列方向に複数個が互いに並設
されて、前記実装基板上に形成される第１極性電極配線
と、 前記発光素子の複数個が、前記第２極性電極を表面にし
て、互いに分離絶縁間隙を保って一列に配列形成され、
前記第１極性電極が導出された底面を、前記第１極性電
極配線と接続状態にして、前記第１の配列方向に延長さ
れ、前記第２の配列方向に並設されて、前記実装基板上
に配設される帯状に形成された複数のモノリシック発光
デバイスと、 前記第２の配列方向に並設される複数のモノリシック発
光デバイスにおいて、各モノリシック発光デバイスに形
成される複数の発光素子に対して、前記第２の配列方向
で互いに隣接する各発光素子の第２極性電極を、順次前
記第２の配列方向にそれぞれ接続する第２極性電極配線
と、 選択された発光素子の前記第１極性電極と前記第２極性
電極間に、前記発光素子を発光させる駆動電圧を印加す
る駆動電圧印加手段とを有することを特徴とするディス
プレイ装置。 - 【請求項２】 前記第１極性電極及び前記第２極性電極
は、前記モノリシック発光デバイスにエピタキシャル成
長により形成された発光素子に、エピキシャル層として
設けられていることを特徴とする請求項１記載のディス
プレイ装置。 - 【請求項３】 前記モノリシック発光デバイスの両端の
不発光部の長さが、前記分離絶縁間隙の１／２以下に設
定されていることを特徴とする請求項１記載のディスプ
レイ装置。 - 【請求項４】 前記モノリシック発光デバイスには、前
記発光素子として、それぞれ赤色、緑色、青色を発光す
る発光ダイオードが配列されていることを特徴とする請
求項１記載のディスプレイ装置。 - 【請求項５】 前記モノリシック発光デバイスには、前
記発光素子として、それぞれ赤色、緑色、青色を発光す
るエレクトロ・ルミネッセンスが配列されていることを
特徴とする請求項１記載のディスプレイ装置。 - 【請求項６】 前記モノリシック発光デバイスには、前
記発光素子として、それぞれ赤色、緑色、青色を発光す
るレーザダイオードが配列されていることを特徴とする
請求項１記載のディスプレイ装置。 - 【請求項７】 前記赤色を発光する発光ダイオードに
は、ＡｌＧａＩｎＰ系材料が、前記緑色を発光する発光
ダイオードには、ＺｎＣｄＭｇＳｅＳ系材料が、前記青
色を発光する発光ダイオードには、ＺｎＣｄＭｇＳｅＳ
系材料が使用されていることを特徴とする請求項４記載
のディスプレイ装置。 - 【請求項８】 前記赤色を発光するエレクトロ・ルミネ
ッセンスには、ＡｌＧａＩｎＰ系材料が、前記緑色を発
光するエレクトロ・ルミネッセンスには、ＺｎＣｄＭｇ
ＳｅＳ系材料が、前記青色を発光するエレクトロ・ルミ
ネッセンスには、ＺｎＣｄＭｇＳｅＳ系材料が使用され
ていることを特徴とする請求項５記載のディスプレイ装
置。 - 【請求項９】 前記赤色を発光するレーザダイオードに
は、ＡｌＧａＩｎＰ系材料が、前記緑色を発光するレー
ザダイオードには、ＭｇＺｎＣｄＳＳｅ系材料が、前記
青色を発光するレーザダイオードには、ＭｇＺｎＣｄＳ
Ｓｅ系材料が使用されていることを特徴とする請求項６
記載のディスプレイ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11221956A JP2001051623A (ja) | 1999-08-05 | 1999-08-05 | ディスプレイ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11221956A JP2001051623A (ja) | 1999-08-05 | 1999-08-05 | ディスプレイ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001051623A true JP2001051623A (ja) | 2001-02-23 |
Family
ID=16774804
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11221956A Pending JP2001051623A (ja) | 1999-08-05 | 1999-08-05 | ディスプレイ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001051623A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003012884A1 (en) * | 2001-08-01 | 2003-02-13 | Nam-Young Kim | Display system |
| KR20030017686A (ko) * | 2001-08-21 | 2003-03-04 | 남 영 김 | Ｌｅｄ 램프 |
| KR100523740B1 (ko) * | 2002-01-22 | 2005-10-27 | 남 영 김 | 발광다이오드를 이용한 램프 |
| JP2006301650A (ja) * | 2005-04-21 | 2006-11-02 | Crf Soc Consortile Per Azioni | 透明なｌｅｄディスプレイ及びその製造方法 |
| KR100696445B1 (ko) | 2005-06-13 | 2007-03-19 | 주식회사 비첼 | 발광다이오드 디스플레이소자 및 그 제조 방법 |
| US7724749B2 (en) | 2002-05-10 | 2010-05-25 | Interdigital Technology Corporation | System and method for prioritization of retransmission of protocol data units to assist radio-link-control retransmission |
| WO2020100449A1 (ja) * | 2018-11-16 | 2020-05-22 | 株式会社ブイ・テクノロジー | マイクロｌｅｄ表示装置及びマイクロｌｅｄ表示装置の配線方法 |
-
1999
- 1999-08-05 JP JP11221956A patent/JP2001051623A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2003012884A1 (en) * | 2001-08-01 | 2003-02-13 | Nam-Young Kim | Display system |
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| KR100523740B1 (ko) * | 2002-01-22 | 2005-10-27 | 남 영 김 | 발광다이오드를 이용한 램프 |
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| KR100696445B1 (ko) | 2005-06-13 | 2007-03-19 | 주식회사 비첼 | 발광다이오드 디스플레이소자 및 그 제조 방법 |
| WO2020100449A1 (ja) * | 2018-11-16 | 2020-05-22 | 株式会社ブイ・テクノロジー | マイクロｌｅｄ表示装置及びマイクロｌｅｄ表示装置の配線方法 |
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