JP2001050987A - 電流測定装置および電流測定方法 - Google Patents
電流測定装置および電流測定方法Info
- Publication number
- JP2001050987A JP2001050987A JP11226506A JP22650699A JP2001050987A JP 2001050987 A JP2001050987 A JP 2001050987A JP 11226506 A JP11226506 A JP 11226506A JP 22650699 A JP22650699 A JP 22650699A JP 2001050987 A JP2001050987 A JP 2001050987A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- current
- magnetoresistive element
- detection unit
- electric
- measuring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R15/00—Details of measuring arrangements of the types provided for in groups G01R17/00 - G01R29/00, G01R33/00 - G01R33/26 or G01R35/00
- G01R15/14—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks
- G01R15/20—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using galvano-magnetic devices, e.g. Hall-effect devices, i.e. measuring a magnetic field via the interaction between a current and a magnetic field, e.g. magneto resistive or Hall effect devices
- G01R15/205—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using galvano-magnetic devices, e.g. Hall-effect devices, i.e. measuring a magnetic field via the interaction between a current and a magnetic field, e.g. magneto resistive or Hall effect devices using magneto-resistance devices, e.g. field plates
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Instrument Details And Bridges, And Automatic Balancing Devices (AREA)
- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 負荷に流れる電流の交流および直流成分を非
接触で正確に測定したい。 【解決手段】 電流測定装置２００は、検出ユニット１
２と測定ユニット１８をもつ。検出ユニット１２の中空
部１４に電気配線２２を通す。電気配線２２には電源装
置１０から負荷１６に電流が流れる。検出ユニット１２
には磁気抵抗素子が埋め込まれている。電流が流れると
磁場が生じ、磁気抵抗素子の電気抵抗値が変化する。
接触で正確に測定したい。 【解決手段】 電流測定装置２００は、検出ユニット１
２と測定ユニット１８をもつ。検出ユニット１２の中空
部１４に電気配線２２を通す。電気配線２２には電源装
置１０から負荷１６に電流が流れる。検出ユニット１２
には磁気抵抗素子が埋め込まれている。電流が流れると
磁場が生じ、磁気抵抗素子の電気抵抗値が変化する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電流測定装置およ
び電流測定方法に関する。本発明はとくに、電気配線に
流れる電流を測定する装置と方法に関する。
び電流測定方法に関する。本発明はとくに、電気配線に
流れる電流を測定する装置と方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に電流の測定は、電流供給配線等の
電気配線を切断して電流計を接続することによって行わ
れる。しかし、負荷に流れる微小電流などを測定する場
合、電気配線の切断が困難であったり、切断の影響で電
流値が微妙に変化することがある。そうした場合、電気
配線に流れる電流に起因する磁界の強さを測定して電流
を間接的に測定する方法が利用されている。
電気配線を切断して電流計を接続することによって行わ
れる。しかし、負荷に流れる微小電流などを測定する場
合、電気配線の切断が困難であったり、切断の影響で電
流値が微妙に変化することがある。そうした場合、電気
配線に流れる電流に起因する磁界の強さを測定して電流
を間接的に測定する方法が利用されている。
【０００３】特開平８−１４６０６１号公報は、そうし
た電流測定装置を開示する。この装置は、ループ状に成
形された導電部材による磁気コイルをもち、被測定配線
のケーブル（以下単に「配線」という）がそのコイルに
通される。配線に流れる電流がδI変化したとき、この
配線からr離れた位置における磁界の変化δＨは、
た電流測定装置を開示する。この装置は、ループ状に成
形された導電部材による磁気コイルをもち、被測定配線
のケーブル（以下単に「配線」という）がそのコイルに
通される。配線に流れる電流がδI変化したとき、この
配線からr離れた位置における磁界の変化δＨは、
【０００４】δＨ＝δＩ／２πｒ で与えられる。したがって、 δＩ＝２πｒδＨ であり、この電流変化がδｔの時間で生じたとすれば、
コイルには、 δＩ／δｔ＝２πｒδＨ／δｔ （式１） に比例した誘導起電力が発生する。この誘導起電力を測
定すれば電流の変化が判明する。式１のごとく、誘導起
電力はループの面積に比例する。
コイルには、 δＩ／δｔ＝２πｒδＨ／δｔ （式１） に比例した誘導起電力が発生する。この誘導起電力を測
定すれば電流の変化が判明する。式１のごとく、誘導起
電力はループの面積に比例する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】電流測定をより正確に
行うには、前記誘導起電力を大きくとる必要がある。そ
のため一般にループを大きくするか、トロイダルコアと
呼ばれる補助部材を使用して磁界検出効率が改善され
る。しかし、そのいずれの方法を採っても電流測定装置
は全体に大きくなり、測定のために配線は一般に長くせ
ざるをえない。しかし、そのことで配線のインダクタン
スは当然増加し、配線を流れる電流の高周波成分が落と
されるため、正確な測定に支障が生じる。
行うには、前記誘導起電力を大きくとる必要がある。そ
のため一般にループを大きくするか、トロイダルコアと
呼ばれる補助部材を使用して磁界検出効率が改善され
る。しかし、そのいずれの方法を採っても電流測定装置
は全体に大きくなり、測定のために配線は一般に長くせ
ざるをえない。しかし、そのことで配線のインダクタン
スは当然増加し、配線を流れる電流の高周波成分が落と
されるため、正確な測定に支障が生じる。
【０００６】別の課題として、上述の電流測定装置はそ
の原理上当然ながら電流の直流成分を測定することがで
きない。
の原理上当然ながら電流の直流成分を測定することがで
きない。
【０００７】本発明は以上の課題に鑑みてなされたもの
で、その目的は、装置全体を小型化してより正確な電流
測定を可能とする技術、および電流の直流成分の測定を
可能とする技術の提供にある。この目的は特許請求の範
囲における独立項に記載の特徴の組み合わせにより達成
される。また従属項は、本発明の具体的かつ有用な形態
を規定する。
で、その目的は、装置全体を小型化してより正確な電流
測定を可能とする技術、および電流の直流成分の測定を
可能とする技術の提供にある。この目的は特許請求の範
囲における独立項に記載の特徴の組み合わせにより達成
される。また従属項は、本発明の具体的かつ有用な形態
を規定する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の電流測定装置
は、電気配線に流れる電流を測定するものであり、磁気
抵抗素子を有する検出ユニットと、その磁気抵抗素子の
電気抵抗値を観測して前記電流を測定する測定ユニット
を含む。電気配線に電流が流れると、そのまわりに磁界
が生じる。磁気抵抗素子は磁界の中に置かれるとその電
気抵抗が変化する性質を有する。このため、磁気抵抗素
子の電気抵抗値を調べれば、前記磁界の大きさを把握す
ることができる。この磁界の大きさから逆に前記電流の
大きさが判明する。なお、「電気配線」はなんらかの形
で電流が流れる部材をいい、プリント基板上に形成され
たストリップライン、プリント基板に定着されないケー
ブル線、大電流を流す電線など、電流が流れる任意の部
材をいう。
は、電気配線に流れる電流を測定するものであり、磁気
抵抗素子を有する検出ユニットと、その磁気抵抗素子の
電気抵抗値を観測して前記電流を測定する測定ユニット
を含む。電気配線に電流が流れると、そのまわりに磁界
が生じる。磁気抵抗素子は磁界の中に置かれるとその電
気抵抗が変化する性質を有する。このため、磁気抵抗素
子の電気抵抗値を調べれば、前記磁界の大きさを把握す
ることができる。この磁界の大きさから逆に前記電流の
大きさが判明する。なお、「電気配線」はなんらかの形
で電流が流れる部材をいい、プリント基板上に形成され
たストリップライン、プリント基板に定着されないケー
ブル線、大電流を流す電線など、電流が流れる任意の部
材をいう。
【０００９】磁気抵抗素子の例として、巨大磁気抵抗効
果（Giant Magnetoresistance：ＧＭＲ）によってその
電気抵抗が変化する素子（以下単に「ＧＭＲ素子」とよ
ぶ）、異方性磁気抵抗効果（Anisotropic Magnetoresis
tance：ＡＭＲ）によってその電気抵抗が変化する素子
（以下単に「ＭＲ素子」とよぶ）がある。
果（Giant Magnetoresistance：ＧＭＲ）によってその
電気抵抗が変化する素子（以下単に「ＧＭＲ素子」とよ
ぶ）、異方性磁気抵抗効果（Anisotropic Magnetoresis
tance：ＡＭＲ）によってその電気抵抗が変化する素子
（以下単に「ＭＲ素子」とよぶ）がある。
【００１０】一方、本発明の電流測定方法は、磁気抵抗
素子を電気配線に対応させて設置する段階と、その電気
配線を被測定状態におく段階と、その被測定状態におい
て前記磁気抵抗素子の電気抵抗値を観測する段階と、そ
の電気抵抗値をもとに前記電流を算出する段階を含む。
素子を電気配線に対応させて設置する段階と、その電気
配線を被測定状態におく段階と、その被測定状態におい
て前記磁気抵抗素子の電気抵抗値を観測する段階と、そ
の電気抵抗値をもとに前記電流を算出する段階を含む。
【００１１】ここで、前記電流を算出する段階は、電気
抵抗値から磁気抵抗素子に作用する磁場を算出し、その
磁場を生むために電気配線に流れるべき電流の大きさを
算出してもよい。また、磁気抵抗素子の雰囲気温度を測
定する段階をさらに設け、その雰囲気温度をもとに電気
抵抗値を補償してもよい。また、一本の電気配線に対し
て複数の磁気抵抗素子を設置し、それらの電気抵抗値の
変化の時間的なずれをもとに電流の時間微分を求めても
よい。
抵抗値から磁気抵抗素子に作用する磁場を算出し、その
磁場を生むために電気配線に流れるべき電流の大きさを
算出してもよい。また、磁気抵抗素子の雰囲気温度を測
定する段階をさらに設け、その雰囲気温度をもとに電気
抵抗値を補償してもよい。また、一本の電気配線に対し
て複数の磁気抵抗素子を設置し、それらの電気抵抗値の
変化の時間的なずれをもとに電流の時間微分を求めても
よい。
【００１２】なお以上の発明の概要は、本発明に必要な
すべての特徴を列挙したものではなく、当然ながら、こ
れらの特徴群のサブコンビネーションもまた発明となり
うる。
すべての特徴を列挙したものではなく、当然ながら、こ
れらの特徴群のサブコンビネーションもまた発明となり
うる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、発明の実施の形態を通じて
本発明を説明する。ただし、以下の実施の形態は特許請
求の範囲に記載された発明を限定するものではなく、ま
た実施の形態の中で説明されている特徴の組み合わせの
すべてが発明の解決手段に必須であるとは限らない。
本発明を説明する。ただし、以下の実施の形態は特許請
求の範囲に記載された発明を限定するものではなく、ま
た実施の形態の中で説明されている特徴の組み合わせの
すべてが発明の解決手段に必須であるとは限らない。
【００１４】実施の形態１．図１は実施の形態１に係る
電流測定装置２００の構成およびその使用状態を示す。
電流測定装置２００は、検出ユニット１２と測定ユニッ
ト１８を含む。電源装置１０は測定すべき電気配線２２
（以下単に電気配線２２とよぶ）を介して電子回路など
の負荷１６に電流を供給している。この電流が測定の対
象である。検出ユニット１２は円筒状の中空部１４をも
ち、そこに電気配線２２が通される。検出ユニット１２
と測定ユニット１８は信号バス２４で連絡する。
電流測定装置２００の構成およびその使用状態を示す。
電流測定装置２００は、検出ユニット１２と測定ユニッ
ト１８を含む。電源装置１０は測定すべき電気配線２２
（以下単に電気配線２２とよぶ）を介して電子回路など
の負荷１６に電流を供給している。この電流が測定の対
象である。検出ユニット１２は円筒状の中空部１４をも
ち、そこに電気配線２２が通される。検出ユニット１２
と測定ユニット１８は信号バス２４で連絡する。
【００１５】図２は検出ユニット１２の構成を示す。検
出ユニット１２は、中空部１４の中心から距離ｒ離れた
箇所に薄板状または膜状の磁気抵抗素子３０をもつ。磁
気抵抗素子３０の上、下面にはそれぞれ電極３２、３４
が設けられ、それぞれ第一抵抗観測線３８、第二抵抗観
測線４０が結線されている。磁気抵抗素子３０には熱電
対３６が固着され、そこに熱観測線４２が結線されてい
る。第一抵抗観測線３８、第二抵抗観測線４０および熱
観測線４２が信号バス２４を構成する。検出ユニット１
２全体は、金属などによる磁気シールド９０によって外
部磁場から遮蔽されている。
出ユニット１２は、中空部１４の中心から距離ｒ離れた
箇所に薄板状または膜状の磁気抵抗素子３０をもつ。磁
気抵抗素子３０の上、下面にはそれぞれ電極３２、３４
が設けられ、それぞれ第一抵抗観測線３８、第二抵抗観
測線４０が結線されている。磁気抵抗素子３０には熱電
対３６が固着され、そこに熱観測線４２が結線されてい
る。第一抵抗観測線３８、第二抵抗観測線４０および熱
観測線４２が信号バス２４を構成する。検出ユニット１
２全体は、金属などによる磁気シールド９０によって外
部磁場から遮蔽されている。
【００１６】磁気抵抗素子３０はＭＲ素子でもＧＭＲ素
子でもよい。ＭＲ素子は一般に、ＮｉＦｅ合金のような
強磁性体である。ＭＲ素子では、磁場による電気抵抗の
変化分が当該素子の磁化方向と電流方向のなす角度の余
弦の二乗に比例する。一方、ＧＭＲ素子は巨大磁気抵抗
効果によって電気抵抗が変化する。以下、磁気抵抗素子
３０の電気抵抗値をＲｍと表記する。
子でもよい。ＭＲ素子は一般に、ＮｉＦｅ合金のような
強磁性体である。ＭＲ素子では、磁場による電気抵抗の
変化分が当該素子の磁化方向と電流方向のなす角度の余
弦の二乗に比例する。一方、ＧＭＲ素子は巨大磁気抵抗
効果によって電気抵抗が変化する。以下、磁気抵抗素子
３０の電気抵抗値をＲｍと表記する。
【００１７】図３、図４はＧＭＲ素子の内部構成を示
す。図３は磁場がかかっていない状態、図４はかかって
いる状態である。これらの図に示すごとく、ＧＭＲ素子
では、複数の強磁性層５０が非磁性金属層５２に分離さ
れる形で存在する。図３のごとく、外部磁場がないと
き、各強磁性層５０の相対的磁化方向は互い違いにな
る。ある程度強い外部磁場がかかると、図４のごとく、
外部磁場に従って各強磁性層５０の相対的磁化方向が一
致する。その結果、スピン散乱抵抗が変化し、素子全体
としての電気抵抗値が変化する。なお、ＧＭＲ素子の例
として、ＦｅとＣｒを交互に積層させたものや、Ｃｕ
（５０Å）／Ｃｏ（３０Å）／Ｃｕ（５０Å）／ＮｉＦ
ｅ（３０Å）の４層を繰り返し積層させたものがある。
す。図３は磁場がかかっていない状態、図４はかかって
いる状態である。これらの図に示すごとく、ＧＭＲ素子
では、複数の強磁性層５０が非磁性金属層５２に分離さ
れる形で存在する。図３のごとく、外部磁場がないと
き、各強磁性層５０の相対的磁化方向は互い違いにな
る。ある程度強い外部磁場がかかると、図４のごとく、
外部磁場に従って各強磁性層５０の相対的磁化方向が一
致する。その結果、スピン散乱抵抗が変化し、素子全体
としての電気抵抗値が変化する。なお、ＧＭＲ素子の例
として、ＦｅとＣｒを交互に積層させたものや、Ｃｕ
（５０Å）／Ｃｏ（３０Å）／Ｃｕ（５０Å）／ＮｉＦ
ｅ（３０Å）の４層を繰り返し積層させたものがある。
【００１８】一般に磁気抵抗素子は膜状をしており、本
実施の形態に好適である。また、磁場によるＲｍの変化
率は、磁気抵抗素子がＭＲ素子またはＧＭＲ素子として
の性質をもつ面積範囲において、その面積に依存しな
い。したがって、従来の磁気コイル測定法に比べ、一般
に小型化に向く。このため電流測定のために電気配線を
長くとる必要性も低くなり、電気配線のインダクタンス
を無用に増加させなくてすむ。その結果、電流の高周波
成分もより正確に測定することができる。
実施の形態に好適である。また、磁場によるＲｍの変化
率は、磁気抵抗素子がＭＲ素子またはＧＭＲ素子として
の性質をもつ面積範囲において、その面積に依存しな
い。したがって、従来の磁気コイル測定法に比べ、一般
に小型化に向く。このため電流測定のために電気配線を
長くとる必要性も低くなり、電気配線のインダクタンス
を無用に増加させなくてすむ。その結果、電流の高周波
成分もより正確に測定することができる。
【００１９】図５は測定ユニット１８の構成を示す。測
定ユニット１８はおもに、電気抵抗値測定部６０と抵抗
・電流変換部６６を含む。電気抵抗値測定部６０は３個
の抵抗Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３および磁気抵抗素子３０を第４
の抵抗とするホイーストンブリッジと、ホイーストンブ
リッジの両端電位差を測定する電圧計６２と、前記両端
電位差をもとにＲｍを計算する電気抵抗値算出部６４を
含む。ホイーストンブリッジは電源電圧ＶＤＤと接地電
圧の間に置かれている。抵抗Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３の電気抵
抗値、および磁気抵抗素子３０が外部磁場ゼロの状態に
て呈する電気抵抗値（これを「Ｒｍ０」と表記する）が
すべて等しくなるよう予め抵抗を選んでおく。この構成
により、外部磁場がかかったとき、すなわち電気配線２
２に電流が流れたときであっても、Ｒｍを正確に算出す
ることができる。
定ユニット１８はおもに、電気抵抗値測定部６０と抵抗
・電流変換部６６を含む。電気抵抗値測定部６０は３個
の抵抗Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３および磁気抵抗素子３０を第４
の抵抗とするホイーストンブリッジと、ホイーストンブ
リッジの両端電位差を測定する電圧計６２と、前記両端
電位差をもとにＲｍを計算する電気抵抗値算出部６４を
含む。ホイーストンブリッジは電源電圧ＶＤＤと接地電
圧の間に置かれている。抵抗Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３の電気抵
抗値、および磁気抵抗素子３０が外部磁場ゼロの状態に
て呈する電気抵抗値（これを「Ｒｍ０」と表記する）が
すべて等しくなるよう予め抵抗を選んでおく。この構成
により、外部磁場がかかったとき、すなわち電気配線２
２に電流が流れたときであっても、Ｒｍを正確に算出す
ることができる。
【００２０】抵抗・電流変換部６６は、ＲＴテーブル６
８、ＲＨテーブル７０およびＨＩテーブル７２を含む。
熱観測線４２は抵抗・電流変換部６６に入力される。Ｒ
Ｔテーブル６８は、Ｒｍと磁気抵抗素子３０の雰囲気温
度Ｔの関係を記述する。一般に、Ｔが大きくなるとＲｍ
も大きくなる。ＲＴテーブル６８は、予備実験にて検出
ユニット１２の温度を変えながらＲｍを測定することで
作成できる。温度は熱観測線４２によって伝達される。
ＲＴテーブル６８はＲｍから電気配線２２に流れる電流
（以下「Ｉ」と表記する）を計算する際、温度補償に利
用する。
８、ＲＨテーブル７０およびＨＩテーブル７２を含む。
熱観測線４２は抵抗・電流変換部６６に入力される。Ｒ
Ｔテーブル６８は、Ｒｍと磁気抵抗素子３０の雰囲気温
度Ｔの関係を記述する。一般に、Ｔが大きくなるとＲｍ
も大きくなる。ＲＴテーブル６８は、予備実験にて検出
ユニット１２の温度を変えながらＲｍを測定することで
作成できる。温度は熱観測線４２によって伝達される。
ＲＴテーブル６８はＲｍから電気配線２２に流れる電流
（以下「Ｉ」と表記する）を計算する際、温度補償に利
用する。
【００２１】ＲＨテーブル７０は、Ｒｍと磁気抵抗素子
３０に作用する外部磁場Ｈの関係を記述する。ＲＨテー
ブル７０も、予備実験にて外部磁場を変えながらＲｍを
測定することで作成できる。実験は、磁気抵抗素子３０
の雰囲気温度を一定値Ｔ０にして行うものとする。
３０に作用する外部磁場Ｈの関係を記述する。ＲＨテー
ブル７０も、予備実験にて外部磁場を変えながらＲｍを
測定することで作成できる。実験は、磁気抵抗素子３０
の雰囲気温度を一定値Ｔ０にして行うものとする。
【００２２】ＨＩテーブル７２は、電流Ｉと外部磁場Ｈ
の関係を記述する。ただし、Ｈ＝Ｉ／２πｒなる関係は
実験を待たずに既知であるから、このテーブルの代わり
にこの式を保持していてもよい。
の関係を記述する。ただし、Ｈ＝Ｉ／２πｒなる関係は
実験を待たずに既知であるから、このテーブルの代わり
にこの式を保持していてもよい。
【００２３】図６は以上の構成による電流の測定手順を
示す。まず、図１のように電気配線２２を検出ユニット
１２の中空部１４に通し、電流測定装置２００を初期状
態に設置する（Ｓ１０）。つづいて、電源装置１０から
負荷１６への電流の供給を開始する。負荷１６の動作モ
ードも所望のモードに設定する。これで被測定状態が実
現する（Ｓ１２）。図２において電流は紙面垂直方向に
流れるため、磁界Ｈは図４に示す方向、またはその反対
方向に生じる。磁気抵抗素子３０の電気抵抗値に関与す
る磁場は、磁気抵抗素子の膜面方向の成分であり、磁気
抵抗素子３０を図２のように配置することで効率的な測
定が実現する。
示す。まず、図１のように電気配線２２を検出ユニット
１２の中空部１４に通し、電流測定装置２００を初期状
態に設置する（Ｓ１０）。つづいて、電源装置１０から
負荷１６への電流の供給を開始する。負荷１６の動作モ
ードも所望のモードに設定する。これで被測定状態が実
現する（Ｓ１２）。図２において電流は紙面垂直方向に
流れるため、磁界Ｈは図４に示す方向、またはその反対
方向に生じる。磁気抵抗素子３０の電気抵抗値に関与す
る磁場は、磁気抵抗素子の膜面方向の成分であり、磁気
抵抗素子３０を図２のように配置することで効率的な測
定が実現する。
【００２４】つぎに、測定ユニット１８の電気抵抗値測
定部６０にて磁気抵抗素子３０の電気抵抗値Ｒｍを測定
する（Ｓ１４）。測定されたＲｍは抵抗・電流変換部６
６へ伝達される。
定部６０にて磁気抵抗素子３０の電気抵抗値Ｒｍを測定
する（Ｓ１４）。測定されたＲｍは抵抗・電流変換部６
６へ伝達される。
【００２５】抵抗・電流変換部６６では、熱観測線４２
にて送られた磁気抵抗素子３０の雰囲気温度Ｔを取得
し、つづいてＲＴテーブル６８を参照することによって
磁気抵抗素子３０の電気抵抗値Ｒｍを雰囲気温度Ｔ０の
ときの対応値（これをＲｍ０と表記する）に変換し、温
度補償を実現する（Ｓ１６）。
にて送られた磁気抵抗素子３０の雰囲気温度Ｔを取得
し、つづいてＲＴテーブル６８を参照することによって
磁気抵抗素子３０の電気抵抗値Ｒｍを雰囲気温度Ｔ０の
ときの対応値（これをＲｍ０と表記する）に変換し、温
度補償を実現する（Ｓ１６）。
【００２６】ＲＨテーブルは温度Ｔ０において作成され
ているため、Ｒｍ０をもとに磁気抵抗素子３０の外部磁
場Ｈが正しく求まる。その後、ＨＩテーブル７２によ
り、電気配線２２に流れる電流Ｉが正しく求まる（Ｓ１
８）。
ているため、Ｒｍ０をもとに磁気抵抗素子３０の外部磁
場Ｈが正しく求まる。その後、ＨＩテーブル７２によ
り、電気配線２２に流れる電流Ｉが正しく求まる（Ｓ１
８）。
【００２７】本実施の形態によれば、電気配線２２に流
れる電流Ｉの直流成分と交流成分の両方を測定すること
ができる。従来の磁気コイルによる測定では直流成分の
測定が不可能なため、本実施の形態の有用性が理解され
る。
れる電流Ｉの直流成分と交流成分の両方を測定すること
ができる。従来の磁気コイルによる測定では直流成分の
測定が不可能なため、本実施の形態の有用性が理解され
る。
【００２８】本実施の形態では、電気抵抗値の測定にホ
イーストンブリッジを用いたが、これは四端子抵抗法、
電圧降下法、ケルビンブリッジ法、電流比較ブリッジ法
などでもよい。また、磁気抵抗素子３０の雰囲気温度の
測定は、熱電対に限る必要はなく、ガラス製温度計、圧
力式温度センサ、バイメタル温度センサ、サーミスタな
どの測定手段によってもよい。
イーストンブリッジを用いたが、これは四端子抵抗法、
電圧降下法、ケルビンブリッジ法、電流比較ブリッジ法
などでもよい。また、磁気抵抗素子３０の雰囲気温度の
測定は、熱電対に限る必要はなく、ガラス製温度計、圧
力式温度センサ、バイメタル温度センサ、サーミスタな
どの測定手段によってもよい。
【００２９】本実施の形態のひとつの具体的なスケール
は以下のとおりである。磁気抵抗素子３０の磁場感度を
１０ｅ程度、電流Iを数十ｍＡとする。この電流を磁気
抵抗素子３０で測定するには、磁気抵抗素子３０と電気
配線２２の距離rを数十μｍにする必要がある。この距
離は実現可能な範囲であり、とくに以下述べる実施の形
態２においてより実現が容易である。より大きな電流を
測る場合、距離の制約は弱くなる。本実施の形態は原理
上いくらでも大きな電流を測定することができる。
は以下のとおりである。磁気抵抗素子３０の磁場感度を
１０ｅ程度、電流Iを数十ｍＡとする。この電流を磁気
抵抗素子３０で測定するには、磁気抵抗素子３０と電気
配線２２の距離rを数十μｍにする必要がある。この距
離は実現可能な範囲であり、とくに以下述べる実施の形
態２においてより実現が容易である。より大きな電流を
測る場合、距離の制約は弱くなる。本実施の形態は原理
上いくらでも大きな電流を測定することができる。
【００３０】実施の形態２．実施の形態２では、検出ユ
ニット１２を基板状とし、電流測定の対象物であるデバ
イスを搭載するマウンタをその基板に設ける。図７は実
施の形態２に係る電流測定装置３００の構成を示す。同
図において図１同等の構成には同一の符号を与え、その
説明を省略する。
ニット１２を基板状とし、電流測定の対象物であるデバ
イスを搭載するマウンタをその基板に設ける。図７は実
施の形態２に係る電流測定装置３００の構成を示す。同
図において図１同等の構成には同一の符号を与え、その
説明を省略する。
【００３１】検出ユニット１２は、負荷１６を搭載する
マウンタ８２を有する。負荷１６はＩＣ、アドオンカー
ド、データストレージなどの所定機能をもつユニット装
置のほか、任意の電気機器または電子機器である。ここ
では負荷１６を仮にＩＣと考え、マウンタ８２をＩＣソ
ケットと考える。電気配線２２は電源装置１０とマウン
タ８２の電源ピンを接続する。電気配線２２上のある箇
所に磁気抵抗素子３０を含む磁気抵抗形成部８０が設け
られ、ここから信号バス２４が測定ユニット１８へ結線
されている。なお、電源装置１０、測定ユニット１８も
検出ユニット１２上に搭載してもよい。
マウンタ８２を有する。負荷１６はＩＣ、アドオンカー
ド、データストレージなどの所定機能をもつユニット装
置のほか、任意の電気機器または電子機器である。ここ
では負荷１６を仮にＩＣと考え、マウンタ８２をＩＣソ
ケットと考える。電気配線２２は電源装置１０とマウン
タ８２の電源ピンを接続する。電気配線２２上のある箇
所に磁気抵抗素子３０を含む磁気抵抗形成部８０が設け
られ、ここから信号バス２４が測定ユニット１８へ結線
されている。なお、電源装置１０、測定ユニット１８も
検出ユニット１２上に搭載してもよい。
【００３２】図８は、図７の磁気抵抗形成部８０のＡ−
Ａ断面を示す。磁気抵抗形成部８０内には、磁気抵抗素
子３０を電気配線２２の直下に距離ｒで形成され、それ
らが４枚の磁気シールド９０によって取り囲まれてい
る。これらの構成は、プリント基板作製技術を用いて検
出ユニット１２の基板上に形成されてもよいし、半導体
デバイスを作製する技術によって形成されてもよい。
Ａ断面を示す。磁気抵抗形成部８０内には、磁気抵抗素
子３０を電気配線２２の直下に距離ｒで形成され、それ
らが４枚の磁気シールド９０によって取り囲まれてい
る。これらの構成は、プリント基板作製技術を用いて検
出ユニット１２の基板上に形成されてもよいし、半導体
デバイスを作製する技術によって形成されてもよい。
【００３３】図９は磁気抵抗形成部８０の別の構成を示
す。ここではふたつの電気配線２２、２２ａのそれぞれ
に対応する磁気抵抗素子３０、３０ａを設けることによ
り、これらふたつの電気配線２２、２２ａに流れる電流
の同時測定が可能とされている。磁気シールドは、一方
の電気配線２２とそれに対応する磁気抵抗素子３０の
組、および他方の電気配線２２ａとそれに対応する磁気
抵抗素子３０ａの組のそれぞれを四方から取り囲むよう
形成されている。以上の構成による電流測定の手順は実
施の形態１同様である。
す。ここではふたつの電気配線２２、２２ａのそれぞれ
に対応する磁気抵抗素子３０、３０ａを設けることによ
り、これらふたつの電気配線２２、２２ａに流れる電流
の同時測定が可能とされている。磁気シールドは、一方
の電気配線２２とそれに対応する磁気抵抗素子３０の
組、および他方の電気配線２２ａとそれに対応する磁気
抵抗素子３０ａの組のそれぞれを四方から取り囲むよう
形成されている。以上の構成による電流測定の手順は実
施の形態１同様である。
【００３４】図９の構成の場合、例えば多数ピンを有す
るＩＣの電源電流を測るとき、電源ピンの可能性のある
箇所に予め磁気抵抗形成部８０を設けておくことで測定
の効率化が実現する。ただし、測定対象ピンは電源ピン
に限る必要はなく、本実施の形態でいずれのピンの電流
についても測定が可能である。
るＩＣの電源電流を測るとき、電源ピンの可能性のある
箇所に予め磁気抵抗形成部８０を設けておくことで測定
の効率化が実現する。ただし、測定対象ピンは電源ピン
に限る必要はなく、本実施の形態でいずれのピンの電流
についても測定が可能である。
【００３５】実施の形態２によれば、電気配線２２と磁
気抵抗素子３０が同一基板上に形成されるため、それら
の距離を小さくすることができる。また、それらは固定
されているため、相対距離が変わることはなく、測定誤
差を減らすことができる。電気配線２２を測定のために
長くする必要もない。実施の形態２の電流測定装置３０
０は、たとえばＩＣの出荷試験のためのデバイス試験装
置として利用できる。
気抵抗素子３０が同一基板上に形成されるため、それら
の距離を小さくすることができる。また、それらは固定
されているため、相対距離が変わることはなく、測定誤
差を減らすことができる。電気配線２２を測定のために
長くする必要もない。実施の形態２の電流測定装置３０
０は、たとえばＩＣの出荷試験のためのデバイス試験装
置として利用できる。
【００３６】実施の形態３．実施の形態３は、電流の時
間微分という新しいパラメータが導出可能である。
間微分という新しいパラメータが導出可能である。
【００３７】図１０、図１１はそれぞれ測定ユニット、
磁気抵抗形成部８０付近の別の実施の形態を示す。図１
１のごとく、電気配線２２の線方向にふたつの磁気抵抗
形成部８０ａ、８０ｂが距離Ｌだけ離れて形成される。
ふたつの磁気抵抗形成部８０ａ、８０ｂにそれぞれ含ま
れる磁気抵抗素子３０ａ、３０ｂは、同じ外部磁場の中
で同じ電気抵抗値をもつとする。
磁気抵抗形成部８０付近の別の実施の形態を示す。図１
１のごとく、電気配線２２の線方向にふたつの磁気抵抗
形成部８０ａ、８０ｂが距離Ｌだけ離れて形成される。
ふたつの磁気抵抗形成部８０ａ、８０ｂにそれぞれ含ま
れる磁気抵抗素子３０ａ、３０ｂは、同じ外部磁場の中
で同じ電気抵抗値をもつとする。
【００３８】ふたつの磁気抵抗素子３０ａ、３０ｂから
はそれぞれ第一抵抗観測線３８ａ、３８ｂおよび第二抵
抗観測線４０ａ、４０ｂが測定ユニット１８へ出力され
ている。ふたつの磁気抵抗形成部８０ａ、８０ｂの距離
Ｌは十分小さく両者の雰囲気温度はほぼ同じとする。そ
のため、ただひとつの熱電対３６が両者の間に設置さ
れ、熱観測線４２が測定ユニット１８へ結線されてい
る。
はそれぞれ第一抵抗観測線３８ａ、３８ｂおよび第二抵
抗観測線４０ａ、４０ｂが測定ユニット１８へ出力され
ている。ふたつの磁気抵抗形成部８０ａ、８０ｂの距離
Ｌは十分小さく両者の雰囲気温度はほぼ同じとする。そ
のため、ただひとつの熱電対３６が両者の間に設置さ
れ、熱観測線４２が測定ユニット１８へ結線されてい
る。
【００３９】図１１のごとく、測定ユニット１８は電圧
測定部１００と微分値算出部１０２を含む。電圧測定部
１００は２個の抵抗Ｒ１、Ｒ２およびふたつの磁気抵抗
素子３０ａ、３０ｂを第３、第４の抵抗とするホイース
トンブリッジと、ホイーストンブリッジの両端電位差１
０６を測定する電圧計６２を含む。ホイーストンブリッ
ジは電源電圧ＶＤＤと接地電圧の間に置かれている。抵
抗Ｒ１、Ｒ２の電気抵抗値は外部磁場がないときの磁気
抵抗素子３０ａ、３０ｂの電気抵抗値に合わされてい
る。微分値算出部１０２は、ＲＴテーブル６８、ＲＨテ
ーブル７０およびＨＩテーブル７２を含む。熱観測線４
２は微分値算出部１０２に入力される。
測定部１００と微分値算出部１０２を含む。電圧測定部
１００は２個の抵抗Ｒ１、Ｒ２およびふたつの磁気抵抗
素子３０ａ、３０ｂを第３、第４の抵抗とするホイース
トンブリッジと、ホイーストンブリッジの両端電位差１
０６を測定する電圧計６２を含む。ホイーストンブリッ
ジは電源電圧ＶＤＤと接地電圧の間に置かれている。抵
抗Ｒ１、Ｒ２の電気抵抗値は外部磁場がないときの磁気
抵抗素子３０ａ、３０ｂの電気抵抗値に合わされてい
る。微分値算出部１０２は、ＲＴテーブル６８、ＲＨテ
ーブル７０およびＨＩテーブル７２を含む。熱観測線４
２は微分値算出部１０２に入力される。
【００４０】電気配線２２に流れる電流Iが一定のと
き、ふたつの磁気抵抗素子３０ａ、３０ｂは同じ外部磁
場の中にあるので同じ電気抵抗値をもつ。したがって、
両端電位差１０６はゼロである。
き、ふたつの磁気抵抗素子３０ａ、３０ｂは同じ外部磁
場の中にあるので同じ電気抵抗値をもつ。したがって、
両端電位差１０６はゼロである。
【００４１】一方の磁気抵抗素子３０ａの直上を流れる
電流が時刻tにおいてＩ＋ΔＩに変化したとする。これ
に応じて磁気抵抗素子３０ａの電気抵抗値（これをＲと
する）はＲからＲ＋ΔＲに変化する。電気抵抗値の変化
量ΔＲは電流の変化量ΔIに比例するため、ΔＲ＝ｋ１
ΔＩとなる。ただし、ｋ１は定数であり、その値は実施
の形態１で述べたごとく、ＲＴテーブル６８、ＲＨテー
ブル７０、ＨＩテーブル７２から温度補償も考慮して求
められる。
電流が時刻tにおいてＩ＋ΔＩに変化したとする。これ
に応じて磁気抵抗素子３０ａの電気抵抗値（これをＲと
する）はＲからＲ＋ΔＲに変化する。電気抵抗値の変化
量ΔＲは電流の変化量ΔIに比例するため、ΔＲ＝ｋ１
ΔＩとなる。ただし、ｋ１は定数であり、その値は実施
の形態１で述べたごとく、ＲＴテーブル６８、ＲＨテー
ブル７０、ＨＩテーブル７２から温度補償も考慮して求
められる。
【００４２】他方、距離Ｌ離れた磁気抵抗素子３０ｂに
流れる電流がＩ＋ΔＩとなるのは時刻ｔ＋Δｔである。
Δtは距離Ｌに比例するのでΔｔ＝ｋ２Ｌとなる。ｋ２
は検出ユニット１２の基板としての成分、電気配線２２
の成分等から定まる定数で、これも予備実験から求めら
れる。時刻ｔにおいて磁気抵抗素子３０ａ、３０ｂの電
気抵抗値は異なるので、両端電位差１０６をＶとすれ
ば、
流れる電流がＩ＋ΔＩとなるのは時刻ｔ＋Δｔである。
Δtは距離Ｌに比例するのでΔｔ＝ｋ２Ｌとなる。ｋ２
は検出ユニット１２の基板としての成分、電気配線２２
の成分等から定まる定数で、これも予備実験から求めら
れる。時刻ｔにおいて磁気抵抗素子３０ａ、３０ｂの電
気抵抗値は異なるので、両端電位差１０６をＶとすれ
ば、
【００４３】 Ｖ＝ΔＲ・ＶＤＤ／（４Ｒ＋２ΔＲ） ＝ｋ１ΔＩ・ＶＤＤ／（４Ｒ＋２ｋ１ΔＩ） となる。これをΔＩについてとくと、 ΔＩ＝４ＲＶ／ｋ１（ＶＤＤ−２Ｖ） となる。したがって、電流の時間微分ΔＩ／Δｔは、
【００４４】 ΔＩ／Δｔ＝４ＲＶ／ｋ１ｋ２Ｌ（ＶＤＤ−２Ｖ） となり、電流の時間微分を求めることができる。なお、
図１０の測定ユニット１８と図５の測定ユニット１８の
両方を有する測定ユニットを設けることも当然可能で、
その場合、電流の直流成分、交流成分および時間微分を
求めることができる。
図１０の測定ユニット１８と図５の測定ユニット１８の
両方を有する測定ユニットを設けることも当然可能で、
その場合、電流の直流成分、交流成分および時間微分を
求めることができる。
【００４５】以上、実施の形態を説明したが、本発明の
技術的な範囲はこれらの記載には限定されない。これら
の実施の形態に多様な変更または改良を加えうることは
当業者には理解されるところである。そうした変更また
は改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得る
ことが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
技術的な範囲はこれらの記載には限定されない。これら
の実施の形態に多様な変更または改良を加えうることは
当業者には理解されるところである。そうした変更また
は改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得る
ことが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
【００４６】
【発明の効果】本発明の電流測定技術により、電気配線
に流れる電流を比較的小さな構成で、比較的高い精度
で、交流、直流の両成分にわたって測定することができ
る。
に流れる電流を比較的小さな構成で、比較的高い精度
で、交流、直流の両成分にわたって測定することができ
る。
【図１】実施の形態１に係る電流測定装置の構成図であ
る。
る。
【図２】図１の検出ユニットの構成図である。
【図３】外部磁場がないときの図２の磁気抵抗素子の一
例の構成図である。
例の構成図である。
【図４】外部磁場があるときの図２の磁気抵抗素子の一
例の構成図である。
例の構成図である。
【図５】図１の測定ユニットの構成図である。
【図６】実施の形態１の処理手順を示すフローチャート
である。
である。
【図７】実施の形態２に係る電流測定装置の構成図であ
る。
る。
【図８】図７の磁気抵抗形成部の構成図である。
【図９】図７の磁気抵抗形成部の別の構成図である。
【図１０】実施の形態３の測定ユニットの構成図であ
る。
る。
【図１１】実施の形態３の磁気抵抗形成部付近の構成図
である。
である。
１０ 電源装置 １２ 検出ユニット １４ 中空部 １６ 負荷 １８ 測定ユニット ２２ 電気配線 ３０，３０ａ，３０ｂ 磁気抵抗素子 ３２，３４ 電極 ３６ 熱電対 ３８，３８ａ，３８ 第一抵抗観測線 ４０，４０ａ，４０ｂ 第二抵抗観測線 ４２ 熱観測線 ６０ 電気抵抗値測定部 ６６ 抵抗・電流変換部 ６４ 電気抵抗値算出部 ８０，８０ａ，８０ｂ 磁気抵抗形成部 ８２ マウンタ ９０ 磁気シールド １００ 電圧測定部 １０２ 微分値算出部 ２００，３００ 電流測定装置
Claims (16)
- 【請求項１】 電気配線に流れる電流を測定する装置で
あって、 前記電流に起因する磁場に応じて電気抵抗値が変化する
磁気抵抗素子を有する検出ユニットと、 前記電気抵抗値を観測することによって前記電流を測定
する測定ユニットと、 を含むことを特徴とする電流測定装置。 - 【請求項２】 前記検出ユニットは、前記電気配線を通
すための中空部を有することを特徴とする請求項１に記
載の電流測定回路。 - 【請求項３】 前記検出ユニットは、前記電気配線およ
び前記磁気抵抗素子が実装された基板を含むことを特徴
とする請求項１に記載の電流測定装置。 - 【請求項４】 前記検出ユニットはさらに、電流測定の
対象となるデバイスを搭載するマウンタを含み、前記電
気配線は前記マウンタと電源装置の間で結線されること
を特徴とする請求項３に記載の電流測定装置。 - 【請求項５】 前記磁気抵抗素子は、巨大磁気抵抗効果
により電気抵抗が変化することを特徴とする請求項1か
ら４のいずれかに記載の電流測定装置。 - 【請求項６】 前記磁気抵抗素子は、異方性磁気抵抗効
果により電気抵抗が変化することを特徴とする請求項1
から４のいずれかに記載の電流測定装置。 - 【請求項７】 前記検出ユニットは、複数の前記電気配
線にそれぞれ対応する複数の前記磁気抵抗素子を備える
ことを特徴とする請求項1から６のいずれかに記載の電
流測定装置。 - 【請求項８】 前記検出ユニットは、一本の前記電気配
線の異なる箇所に対応する複数の前記磁気抵抗素子を備
えることを特徴とする請求項1から６のいずれかに記載
の電流測定装置。 - 【請求項９】 前記測定ユニットは、前記複数の磁気抵
抗素子の電気抵抗値の変化の時間差をもとに前記電流の
時間微分を算出する微分値算出部をさらに含むことを特
徴とする請求項８に記載の電流測定装置。 - 【請求項１０】 前記検出ユニットはさらに、前記磁気
抵抗素子を前記電流による磁場以外の磁場から遮蔽する
磁気シールドを備える請求項１から９のいずれかに記載
の電流測定装置。 - 【請求項１１】 前記検出ユニットはさらに，前記磁気
抵抗素子の雰囲気温度を検出する温度検出部を含む請求
項１から１０のいずれかに記載の電流測定装置。 - 【請求項１２】 前記測定ユニットは、前記雰囲気温度
をもとに前記電気抵抗値を補償して前記電流を求めるこ
とを特徴とする請求項に記載の電流測定装置。 - 【請求項１３】 電気配線に流れる電流を測定する方法
であって、 磁気抵抗素子を前記電気配線に対応させて設置する段階
と、 前記電気配線を被測定状態におく段階と、 前記被測定状態において前記磁気抵抗素子の電気抵抗値
を観測する段階と、 前記電気抵抗値をもとに前記電流を算出する段階と、 を含むことを特徴とする電流測定方法。 - 【請求項１４】 前記電流を算出する段階は、 前記電気抵抗値から前記磁気抵抗素子に作用する磁場を
算出する段階と、 前記磁場を生むために前記電気配線に流れるべき前記電
流の大きさを算出する段階と、 を含むことを特徴とする請求項１３に記載の電流測定方
法。 - 【請求項１５】 該電流測定方法はさらに、前記磁気抵
抗素子の雰囲気温度を測定する段階を含み、 前記電流を算出する段階はさらに、前記雰囲気温度をも
とに前記電気抵抗値を補償する段階を含むことを特徴と
する請求項１３、１４のいずれかに記載の電流測定方
法。 - 【請求項１６】 前記設置する段階は、一本の前記電気
配線の異なる箇所に対応する複数の前記磁気抵抗素子を
設置し、 該電流測定方法はさらに、前記複数の前記磁気抵抗素子
の前記電気抵抗値の変化の時間差をもとに前記電流の時
間微分を求める段階を含むことを特徴とする請求項１３
から１５のいずれかに記載の電流測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11226506A JP2001050987A (ja) | 1999-08-10 | 1999-08-10 | 電流測定装置および電流測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11226506A JP2001050987A (ja) | 1999-08-10 | 1999-08-10 | 電流測定装置および電流測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001050987A true JP2001050987A (ja) | 2001-02-23 |
Family
ID=16846199
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11226506A Pending JP2001050987A (ja) | 1999-08-10 | 1999-08-10 | 電流測定装置および電流測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001050987A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2124067A1 (en) * | 2007-03-14 | 2009-11-25 | Tamura Corporation | Current detector |
| KR101308710B1 (ko) | 2012-08-21 | 2013-09-13 | 한국단자공업 주식회사 | 전류센서에서의 전류 검출방법 |
| JP2013200251A (ja) * | 2012-03-26 | 2013-10-03 | Panasonic Corp | 電力計測装置 |
| JP2020139899A (ja) * | 2019-03-01 | 2020-09-03 | 国立大学法人信州大学 | 電流センサ |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5975158A (ja) * | 1982-10-22 | 1984-04-27 | Mitsubishi Electric Corp | 電流測定装置 |
| JPS63253264A (ja) * | 1987-04-09 | 1988-10-20 | Fujitsu Ltd | 電流検出器 |
| JPH0650995A (ja) * | 1992-07-30 | 1994-02-25 | Ngk Insulators Ltd | 零相電圧検出装置 |
| JPH0792199A (ja) * | 1993-07-28 | 1995-04-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電流センサ |
| JPH1026639A (ja) * | 1996-07-11 | 1998-01-27 | Hitachi Ltd | 電流センサ及びこれを内蔵した電気装置 |
-
1999
- 1999-08-10 JP JP11226506A patent/JP2001050987A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5975158A (ja) * | 1982-10-22 | 1984-04-27 | Mitsubishi Electric Corp | 電流測定装置 |
| JPS63253264A (ja) * | 1987-04-09 | 1988-10-20 | Fujitsu Ltd | 電流検出器 |
| JPH0650995A (ja) * | 1992-07-30 | 1994-02-25 | Ngk Insulators Ltd | 零相電圧検出装置 |
| JPH0792199A (ja) * | 1993-07-28 | 1995-04-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電流センサ |
| JPH1026639A (ja) * | 1996-07-11 | 1998-01-27 | Hitachi Ltd | 電流センサ及びこれを内蔵した電気装置 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2124067A1 (en) * | 2007-03-14 | 2009-11-25 | Tamura Corporation | Current detector |
| EP2124067A4 (en) * | 2007-03-14 | 2013-07-10 | Tamura Seisakusho Kk | CURRENT DETECTOR |
| JP2013200251A (ja) * | 2012-03-26 | 2013-10-03 | Panasonic Corp | 電力計測装置 |
| KR101308710B1 (ko) | 2012-08-21 | 2013-09-13 | 한국단자공업 주식회사 | 전류센서에서의 전류 검출방법 |
| JP2020139899A (ja) * | 2019-03-01 | 2020-09-03 | 国立大学法人信州大学 | 電流センサ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4930627B2 (ja) | 磁気センサ | |
| US7495541B2 (en) | Current sensor | |
| US7589612B2 (en) | Current sensor | |
| US7504927B2 (en) | Current sensor | |
| US8593134B2 (en) | Current sensor | |
| US7868613B2 (en) | Magnetic sensor and manufacturing method thereof | |
| JP6420665B2 (ja) | 磁場を測定する磁気抵抗センサ | |
| US7737678B2 (en) | Magnetic sensor and current sensor | |
| CN111308153A (zh) | 具有集成电流导体的电流传感器 | |
| US20130278251A1 (en) | Current sensor | |
| US20080316655A1 (en) | Current sensor and method of manufacturing current sensor | |
| JP2003202365A (ja) | 磁気センサ | |
| JP5888402B2 (ja) | 磁気センサ素子 | |
| KR20040078654A (ko) | 이중목적센서로서 자기저항센서를 이용한 시스템 및 장치 | |
| JP2011064653A (ja) | 磁気センサおよびその製造方法 | |
| US9207264B2 (en) | Current sensor | |
| JP5447616B2 (ja) | 磁気センサの製造方法 | |
| US9116197B2 (en) | Integrated interconnect and magnetic-field detector for current sensing | |
| JP2001050987A (ja) | 電流測定装置および電流測定方法 | |
| JP2011027633A (ja) | 磁気センサおよびその製造方法 | |
| JP2001194391A (ja) | 電流測定装置 | |
| JP5793681B2 (ja) | 電力計測装置 | |
| WO2011155526A1 (ja) | フラックスゲートセンサおよびそれを利用した電子方位計ならびに電流計 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060421 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080410 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080415 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080609 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080805 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20081202 |