JP2001044571A

JP2001044571A - 半導体光素子およびその製造方法

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Publication number: JP2001044571A
Application number: JP21562499A
Authority: JP
Inventors: Kazuo Mori; 一男森
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1999-07-29
Filing date: 1999-07-29
Publication date: 2001-02-16

Abstract

(57)【要約】【目的】選択成長法により均一な組成を有する混晶バ
ルク層、または各井戸層の組成と層厚がそろった多重量
子井戸構造を有する高品質半導体光素子、およびその製
造方法を実現する。【構成】（１００）面方位のｎ−ＩｎＰ基板１上の＜
０１１＞方向に、幅０．６μｍの成長領域２を挟んで設
けた一対のストライプ状誘電体マスク３を用いて、ｎ−
ＩｎＰクラッド層４、ノンドープＩｎＧａＡｓＰ混晶バ
ルク活性層５、及び、ｐ−ＩｎＰクラッド層６を順次選
択成長する。ＩｎＧａＡｓＰ混晶バルク活性層５の成長
中のＩＩＩ族原料ガス流量比を連続的に変化させて、高
い成長位置でのＩｎ取り込み比率の増加を相殺すること
で均一な組成分布が得られ、ＰＬ特性および素子特性が
向上する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、選択成長法による
半導体光素子、及び、その製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】有機金属気相成長法(ＭＯＶＰＥ)など気
相成長法によるストライプ状誘電体マスクを用いた選択
成長は、誘電体マスクの幅を変えることによって、半導
体結晶の組成および層厚を変化させることができる。そ
のため、マスク配置の設計により、１度の選択成長で基
板面内に複数の組成および層厚を有する領域を形成する
ことも可能である。例えば図４(a)は、選択成長で一般
に用いられる誘電体マスクパターンを示す平面図であ
る。ＩｎＰ等の化合物半導体基板４１上に、幅１．５μ
ｍの成長領域２を挟んで対向する一対のストライプ状誘
電体マスク３を形成し、ＭＯＶＰＥを用いて、ＩｎＧａ
ＡｓＰ等の四元混晶を成長領域２に選択的に成長させ
る。このとき成長する混晶の組成および層厚は、誘電体
マスク３の幅を変えることによって制御できる。この性
質を利用することで、半導体レーザ、光変調器、光増幅
器等の光素子を集積した光集積素子を一括形成できるた
め、光集積素子の作製法として非常に有望である。

【０００３】ところが、図４(b)に示すように、上記
１．５μmの幅の狭い成長領域２に選択成長で光集積素
子の活性層である多重量子井戸(ＭＱＷ)構造を成長する
場合には、上層の量子井戸ほどフォトルミネッセンス
(ＰＬ)ピーク波長が長波長側へシフトするという問題が
あった。この場合、活性層全体としてのＰＬスペクトル
の半値幅を十分に狭くすることができず、半導体レーザ
活性層の単位注入電流あたり利得の低下を招き、十分な
特性を得ることができなかった。

【０００４】そこで、上述の問題を解決するために、多
重量子井戸構造の各量子井戸層の成長時間、又は、原料
ガス流量を変調させることで各量子井戸の層厚を調整
し、全量子井戸のＰＬクトルピーク波長を一致させる方
法が提案されている（例えば、特開平９−３３１１０６
号公報）。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】半導体レーザ、光変調
器、光増幅器等の光素子の一括集積法として有望な選択
成長技術を改良するために提案された上記公報の方法に
も、以下のような問題があった。

【０００６】上記公報では、各量子井戸層の成長時間、
又は、原料ガス流量を変調させることで各量子井戸の層
厚を調整している。これは、各量子井戸層の層厚が上層
になるにしたがって厚くなることが、各量子井戸層から
のフォトルミネッセンス(ＰＬ)ピーク波長が異なる原因
であると考えたためである。ところが、実際には膜厚の
みならず各量子井戸層の組成も上層になるにしたがって
変化している。つまり、成長時間、又は、原料ガス流量
の変調による層厚の調整のみでは、全量子井戸層を均一
な構造にすることは困難である。

【０００７】さらに、上述のような成長高さによる組成
の変化は、成長領域２の幅が狭いほど顕著となる。その
ため、例えば図５（ａ）に示すように、上下をｐ−Ｉｎ
Ｐクラッド層６とｎ−ＩｎＰクラッド層４とで挟まれた
厚いＩｎＧａＡｓＰ混晶バルク活性層５を、０．６μｍ
幅の非常に狭い成長領域２に成長する必要がある半導体
光増幅器用活性層の選択成長においては、ＩｎＧａＡｓ
Ｐ混晶バルク活性層５内の組成が下端部から上端部にか
けて大きく分布するため、ＰＬスペクトルの半値幅が広
く、本来の高い利得が得られないという問題があった。

【０００８】本発明の目的は、上述のような従来技術に
おける欠点を克服し、選択成長法による積層方向で均質
な多重量子井戸構造、あるいは混晶バルク層を有する半
導体光素子、およびその製造方法を実現することにあ
る。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、その第
１の視点において、半導体基板上に形成されたストライ
プ状誘電体マスクに挟まれた領域に半導体層構造を選択
的に形成する工程を有する半導体光素子の製造方法にお
いて、前記半導体層構造を構成する少なくとも一部層内
の厚み方向の組成分布を、原料ガス流量比を変調するこ
とによって均一化することを特徴とする半導体光素子の
製造方法が提供される。ここで、上記本発明の第１の視
点の発明では、前記半導体層構造が半導体多重量子井戸
構造を含み、原料ガス流量比を変調することによって、
前記半導体多重量子井戸構造内の各量子井戸層の組成を
厚み方向に均一化することが好ましい。上記第１の視点
の発明では、原料ガス流量比は、膜厚方向に連続的に変
化させ、これによって、半導体層構造における組成を膜
厚方向に均一化する。また、本発明によれば、その第２
の視点において、半導体基板上に形成されたストライプ
状誘電体マスクに挟まれた領域に半導体多重量子井戸構
造を選択的に形成する工程を有する半導体光素子の製造
方法において、前記半導体多重量子井戸構造を構成する
各量子井戸層の平均組成を、原料ガス流量比を変調する
ことによって均一化することを特徴とする半導体光素子
の製造方法が提供される。上記本発明の第２の視点の発
明では、量子井戸層を活性層として有する半導体光素子
では、例えば、各量子井戸層内では原料ガス流量比を一
定に保ち、量子井戸層が異なる毎に原料ガス流量比を変
化させて、各量子井戸層毎の平均組成を均一化する。量
子井戸層では、膜厚が極めて小さいので、実質的には膜
厚方向に均一な組成の半導体層構造が得られる。上記本
発明の第１及び第２の視点の半導体光素子の製造方法で
は、前記半導体基板上に形成されたストライプ状誘電体
マスクに挟まれた領域の幅が１０μm以下であることが
好ましく、この場合、特に均一化された組成の半導体層
構造が得られる。ここで、前記半導体多重量子井戸構造
の各量子井戸層の成長時間、又は、総原料流量、又は、
前記成長時間及び前記総原料流量の双方を変調すること
により、前記半導体多重量子井戸構造内の各量子井戸層
厚を均一化することが好ましい。更に、前記各量子井戸
層の成長時間を、前記半導体基板に最も近い最下層で最
も長く、上層ほど短くなるように制御することが好まし
い。また、前記各量子井戸層の総原料ガス流量を、前記
半導体基板に最も近い最下層で最も多く、上層ほど少な
くなるように制御することが好ましい。

【００１０】本発明者は、図５（ａ）に示すような半導
体光増幅器用活性層の選択成長において、広いＰＬスペ
クトル半値幅を有する原因を調べるため、図５（ｂ），
（ｃ）に示すように高さが３００ｎｍ異なる成長位置に
同じ成長条件で薄いＩｎＧａＡｓＰ混晶バルク活性層５
を成長した二つの試料を作製し、ＰＬ強度および走査電
子顕微鏡(ＳＥＭ)による評価で比較を行った。その結
果、図５（ｄ）に示すように、上部に成長した混晶バル
ク層からのＰＬピークの方が約８０nm長波長であり、成
長方向で組成が変化していることが判明した。また上部
の混晶バルク層の方が厚みも増しており、すなわち成長
速度の増加も認められた。

【００１１】ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体のＭＯＶＰＥ成
長では、通常、Ｖ族元素の過剰条件下で成長するため、
全面成長と選択成長とで、Ｖ族元素の取り込みの違いは
ほとんど生じない。従って組成の違いは主にＩＩＩ族元
素の取り込まれの違いによるものと考えられる。ＩｎＧ
ａＡｓＰ混晶の場合には、Ｉｎの取り込み比率が増える
ほどそのバンドギャップ波長は長波長にシフトする。従
って上記高い成長位置ほど長波長化する結果は、高い位
置ほどＩｎの取り込み比率が増えることを示している。
以上から、ＩｎＧａＡｓＰ混晶の選択成長においては、
成長高さに応じてＩｎ原料に対するＧａ原料の供給比率
を増加させることで、均一な組成分布を実現することが
できる。この場合、膜厚が特に小さな量子井戸層を活性
層として有する半導体層構造では、組成が膜厚方向に均
一化するように原料ガス比を調整することも、或いは、
各量子井戸層毎に原料ガス比を変えて量子井戸層毎の組
成を均一化することも出来る。

【００１２】一方、組成の変化とともに、全体の成長速
度は高い位置ほど増加する。これは、選択成長したＩｎ
ＧａＡｓＰ層の断面が台形状であるため、成長位置が高
くなるにつれて実質的な成長領域幅が狭くなるためと考
えられる。従って、成長速度を一定に保つためには高い
位置ほどＩＩＩ族総流量を減らす必要がある。あるい
は、供給ＩＩＩ族流量と成長高さとで決まる成長速度を
考慮して成長時間を調整することで、必要な層厚に精度
良く制御することが可能である。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照し、本発明の実
施形態例に基づいて本発明を更に詳細に説明する。

【００１４】（実施形態例１）図１（ａ）〜（ｂ）およ
び図２（ａ）〜（ｃ）は、本発明を半導体光増幅素子の
選択成長に適用した本発明の第１の実施形態例に係る製
造方法を示す、光増幅素子の断面図である。

【００１５】図１（ａ）に示すよう、にまず（１００）
面方位を持つｎ-ＩｎＰ基板１上に熱ＣＶＤ法でＳｉＯ₂
膜を形成し、ホトリソグラフィーでパターニングするこ
とで、＜０１１＞方向に０．６μｍの間隔を開けた一対
のストライプ状誘電体マスク３を形成する。次に、この
ストライプ状誘電体マスク３に挟まれた幅０．６μｍの
成長領域２に、厚さ５０ｎｍのｎ−ＩｎＰクラッド層
４、厚さ３００ｎｍのノンドープＩｎＧａＡｓＰ混晶バ
ルク活性層５、及び、厚さ１００ｎｍのｐ−ＩｎＰクラ
ッド層６を順次選択成長する。この選択成長には、例え
ばＶ族原料としてアルシン(ＡｓＨ₃)およびホスフィン
(ＰＨ₃)を、ＩＩＩ族原料としてはトリメチルインジウ
ム(ＴＭＩ)およびトリメチルガリウム(ＴＭＧ)を用いた
ＭＯＶＰＥ法を用いることができる。

【００１６】ここで、ＩｎＧａＡｓＰ混晶バルク活性層
５の選択成長において、サンプル（１）：本発明を適用
して成長高さ方向の組成を均一化したものと、サンプル
（２）：従来の方法によるものとを作製して比較した。
サンプル（１）では、高い成長位置でのＩｎ取り込み比
率の増加を相殺するため、ＩＩＩ族原料ガス流量比ＴＭ
Ｇ／III=ＴＭＧ／(ＴＭＩ+ＴＭＧ)をＩｎＧａＡｓＰ混
晶バルク活性層５の選択成長初期におけるＴＭＧ／III
=０．６４１から終了時の０．６８２まで連続的に変化
させた。一方、サンプル（２）では、ＩｎＧａＡｓＰ活
性層４の選択成長中のＴＭＧ／III =０．６６１に固定
した。

【００１７】図１（ｂ）に、図１（ａ）の選択成長試料
を顕微ＰＬで評価した結果を示す。ＴＭＧ／III比を固
定した従来方法（サンプル（２））では半値幅が８０〜
９０ｍｅＶと広いのに対して、ＴＭＧ／III比を調整し
た本発明の方法（サンプル（１））では５０〜６０ｍｅ
Ｖと狭く、ＰＬ強度も３割程度改善された。

【００１８】図１（ａ）の活性層を含む一回目の選択成
長の後に、さらに図２（ａ）〜（ｃ）に示す埋め込み成
長およびプロセスを行って素子化した。まず図２（ａ）
に示すように、一対のストライプ状誘電体マスク３の内
側をエッチングして、間隔を６μｍに広げ、上記一回目
の選択成長層部分を覆う二回目の選択成長により、ｐ−
ＩｎＰ埋め込み層２１およびｐ⁺−ＩｎＧａＡｓキャッ
プ層２２を成長する。次に図２（ｂ）に示すように、一
旦ストライプ状のマスクを除去した後に、全面をＳｉＯ
₂絶縁膜２３で被覆する。次に、図２（ｃ）に示すよう
に、ｐ⁺−ＩｎＧａＡｓキャップ層２２の上面の絶縁膜
をホトリソグラフィーによるパターニングで除去した後
に、Ａｕ／Ｔｉ上部電極２４を形成する。最後に、裏面
研磨およびＡｕ／Ｔｉ下部電極２５の形成を行った後
に、へき開により長さ３５０μｍの素子に切り出し、両
端面に無反射コーティングを施した。

【００１９】以上の手順により作製した半導体光増幅素
子の特性を評価した。その結果、注入電流３５ｍＡにお
いて、波長１．５５μｍのレーザ光を上記素子に入射さ
せたところ、従来の方法で活性層を成長した素子（サン
プル（２））の内部利得は１５ｄＢであったのに対し
て、本発明の方法で形成した素子（サンプル（１））で
は２０ｄＢが得られた。

【００２０】（実施形態例２）図３（ａ）〜（ｃ）は夫
々、本発明を分布帰還型（ＤＦＢ）半導体レーザ／光変
調器集積化光源に適用した第２の実施形態例に係る製造
方法における平面図、断面図、及び、特性グラフであ
る。

【００２１】図３（ａ）に示すように、まずｎ−ＩｎＰ
基板１上の活性領域に、干渉露光法を用いて深さ３０ｎ
ｍの回折格子３１を形成する。次に＜０１１＞方向に
１．５μｍの間隔を開けた一対のストライプ状誘電体マ
スク３を、マスク幅が活性領域で１０μｍ、受動領域で
６μｍとなるように形成する。

【００２２】次に、図３（ｂ）に示すように、ストライ
プ状誘電体マスク３に挟まれた幅１．５μｍの成長領域
２に、厚さ１００ｎｍのｎ−ＩｎＧａＡｓＰ光閉じ込め
層３２（活性領域での波長組成１．２μｍ）、ノンドー
プのＩｎＧａＡｓＰウエル／ＩｎＧａＡｓＰバリアの７
層多重量子井戸層３３、厚さ１００ｎｍのノンドープＩ
ｎＧａＡｓＰ光閉じ込め層３４、及び、厚さ１００ｎｍ
のｐ−ＩｎＰクラッド層６を順次選択成長する。このと
き、多重量子井戸層３３のＰＬピーク波長は、活性領域
で１．５５μｍ、受動領域で１．４９μｍとなるように
設定される。この選択成長には、例えばＶ族原料として
アルシン(ＡｓＨ３)およびホスフィン(ＰＨ３)を、III
族原料としてはトリメチルインジウム(ＴＭＩ)およびト
リメチルガリウム(ＴＭＧ)を用いたＭＯＶＰＥ法を用い
ることができる。

【００２３】ここで、多重量子井戸層３３の選択成長に
おいて、サンプル（１）：本発明を適用して各量子井戸
層の組成および層厚を均一化したものと、サンプル
（２）：従来の方法によるものとを作製して比較した。
サンプル（１）では高い成長位置でのＩｎ取り込み比率
の増加を相殺するため、III族原料ガス流量比ＴＭＧ／I
II=ＴＭＧ／(ＴＭＩ+ＴＭＧ)を最も下の井戸層の成長開
始時におけるＴＭＧ／III=０．４３０４から最上層の成
長終了時における０．４４２３まで各井戸層成長中に連
続的に変化させた。さらに各井戸層厚を揃えるため、成
長時間を最下層の４７秒から最上層の４３秒まで変化さ
せた。一方、サンプル（２）では、多重量子井戸層３３
における各井戸層の選択成長中のＴＭＧ／III =０．４
３６４に、成長時間は４５秒に全て固定した。

【００２４】図３（ｃ）に、上記埋め込み成長前の選択
成長試料を顕微ＰＬで評価した結果を示す。ＴＭＧ／II
I比を固定した従来方法の素子（サンプル（２））では
半値幅が４５ｍｅＶ程度と広いのに対して、ＴＭＧ／II
I比と成長時間とを調整した本発明の方法の素子（サン
プル（１））では２６ｍｅＶと狭く、ＰＬ強度も増加し
た。

【００２５】さらに、成長領域２の幅を６μｍに広げ、
ストライプ状誘電体マスク３の幅が全領域で４μｍにな
るように再形成した後に、実施形態例１の図２（ａ）〜
（ｃ）と同様の埋め込みおよび電極形成プロセスを行い
素子化した。なおＳｉＯ₂絶縁膜２３に開ける電流注入
のための窓およびＡｕ／Ｔｉ上部電極２４は、活性領域
および受動領域にそれぞれ独立に形成する。最後に、へ
き開により長さ６００μｍの素子に切り出し、両端面に
無反射コーティングを施した。

【００２６】以上の手順により作製したＤＦＢレーザ／
光変調器集積化光源（ＤＦＢレーザ部３００μｍ、光変
調器部３００μｍ）の特性を評価した。その結果、従来
方法のサンプル（２）に比べて、本発明によるサンプル
（１）では、量子井戸層の組成および層厚を均一化した
ことにより、発振しきい値電流で約１／２となり、効率
は３０％向上した。

【００２７】実施形態例２では、成長中も連続的にＴＭ
Ｇ／ＩＩＩ比を変化させることで各量子井戸層の組成を
均一化した例を示した。しかし、各量子井戸層が薄いた
め、簡易的にはバリア層の成長中に井戸層用のＴＭＧ／
ＩＩＩ比を変化させ、各井戸層成長中は固定したままに
しても十分な改善効果が期待できる。

【００２８】また、実施形態例２では、ＴＭＧ／III比
を変化させたのは、発光波長に直接に関係する量子井戸
層のみとしたが、各井戸層の量子準位の位置と井戸層と
の間の相互作用に係わるバリア層についても同様の方法
で均一化することで、一層の特性の向上が期待できる。
さらに、他のＩｎＧａＡｓＰ光閉じ込め層など混晶層の
成長にも適用すれば、原理的には、全面成長と同様な自
由な組成分布制御が可能になる。

【００２９】上記実施ｌ形態例１及び２では、ＭＯＶＰ
Ｅによる選択成長について説明したが、選択成長が可能
であれば、他の例えばハロゲン輸送法や有機金属分子線
エピタキシー（ＭＯ−ＭＢＥ）法などを用いても良く、
また成長圧力の変化に対しても状況に応じて本発明を適
用することができる。

【００３０】また、実施形態例１及び２では、成長領域
の幅が０．６μｍまたは１．５μｍの場合について述べ
たが、さらに狭い場合、または広い場合にも本発明は有
効である。但し、成長領域の幅が１０μｍを越えると、
高さ方向での組成変化は軽減されていくため、本発明
は、選択成長領域幅が１０μｍ以下のときに特に有効で
ある。

【００３１】また、実施形態例１及び２では、ＩｎＧａ
ＡｓＰ混晶系について説明したが、選択成長で組成の変
化する混晶系であれば本発明は有効である。例えば、他
のＩｎＡｌＧａＡｓ系、ＡｌＧａＡｓ系、ＩｎＧａＡｌ
Ｐ系、ＩｎＧａＡｓＮ系、ＡｌＧａＰＳｂ系などにも適
用することができる。更に、化合物半導体基板について
も、ＩｎＰに限らず他のＧａＡｓやＧａＰ、その他、Ｓ
ｉやサファイアなどを必要に応じて使用することができ
る。

【００３２】また、以上ではＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
混晶を例にして説明したが、他のＺｎＣｄＳＳｅなどＩ
Ｉ−ＶＩ族混晶やカルコパイライト、ＩＶ族のＳｉ(x)
Ｇｅ(1-x)混晶など、選択成長が可能な混晶系の場合に
は広く本発明を適用することができる。

【００３３】また、（１００）面方位を持つ基板上に、
＜０１１＞方向にストライプ状誘電体マスクを形成する
場合について説明したが、これは（１１１）Ｂ側壁を有
する台形形状が得られやすいためである。高さ方向に組
成が変化する場合には、外形には関係無く本発明を適用
することができ、従って誘電体マスクの形成方位は上記
に限ったものではなく、さらに例えばドーナツ状マスク
の内側、円形領域への選択成長でも本発明を適用するこ
とができる。

【００３４】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、選択成
長法により均一な組成を有する混晶バルク層、または各
井戸層の組成と層厚がそろった多重量子井戸構造を有す
る高品質半導体光素子を製造できる効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）は、本発明の第１の実施形態例における
半導体光素子活性層の製造方法を示す断面図、（ｂ）は
そのサンプルの発光強度の測定結果を示すグラフ。

【図２】（ａ）〜（ｃ）は夫々、本発明の第１の実施形
態に係る半導体光素子の図１（ａ）の後の各製造段階に
おける断面図。

【図３】（ａ）は、本発明の第２の実施形態例に係る半
導体光素子の製造方法を示す平面図、同図（ｂ）は次の
工程段階の断面図、（ｃ）は、その特性の測定結果を示
すグラフ。

【図４】（ａ）及び（ｂ）は夫々、従来技術の半導体光
素子の各製造段階における平面図、及び、断面図。

【図５】従来技術による別の半導体光素子の製造方法と
その問題点を示す断面図である。

【符号の説明】

１ n−ＩｎＰ基板２成長領域３ストライプ状誘電体マスク４ｎ−ＩｎＰクラッド層５ＩｎＧａＡｓＰ混晶バルク活性層６ｐ−ＩｎＰクラッド層２１ｐ−ＩｎＰ埋め込み層２２ｐ+−ＩｎＧａＡｓキャップ層２３ＳｉＯ₂絶縁膜２４Ａｕ／Ｔｉ上部電極２５Ａｕ／Ｔｉ下部電極３１回折格子３２ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ光閉じ込め層３３多重量子井戸層３４ノンドープＩｎＧａＡｓＰ光閉じ込め層４１化合物半導体基板

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体基板上に形成されたストライプ状
誘電体マスクに挟まれた領域に半導体層構造を選択的に
形成する工程を有する半導体光素子の製造方法におい
て、前記半導体層構造を構成する少なくとも一部層内の厚み
方向の組成分布を、原料ガス流量比を変調することによ
って均一化することを特徴とする半導体光素子の製造方
法。
【請求項２】前記半導体層構造が半導体多重量子井戸
構造を含み、原料ガス流量比を変調することによって、
前記半導体多重量子井戸構造内の各量子井戸層の組成を
厚み方向に均一化することを特徴とする、請求項１に記
載の半導体光素子の製造方法。
【請求項３】半導体基板上に形成されたストライプ状
誘電体マスクに挟まれた領域に半導体多重量子井戸構造
を選択的に形成する工程を有する半導体光素子の製造方
法において、前記半導体多重量子井戸構造を構成する各量子井戸層の
平均組成を、原料ガス流量比を変調することによって均
一化することを特徴とする半導体光素子の製造方法。
【請求項４】前記半導体基板上に形成されたストライ
プ状誘電体マスクに挟まれた領域の幅が１０μm以下で
あることを特徴とする、請求項１乃至３の何れかに記載
の半導体光素子の製造方法。
【請求項５】前記半導体多重量子井戸構造の各量子井
戸層の成長時間及び総原料流量の少なくとも一方を変調
することにより、前記半導体多重量子井戸構造の全量子
井戸層厚を均一化することを特徴とする、請求項２乃至
４の何れかに記載の半導体光素子の製造方法。
【請求項６】前記各量子井戸層の成長時間は、前記半
導体基板に最も近い最下層で最も長く、上層ほど短くな
ることを特徴とする、請求項５に記載の半導体光素子の
製造方法。
【請求項７】前記各量子井戸層の総原料ガス流量は、
前記半導体基板に最も近い最下層で最も多く、上層ほど
少なくなることを特徴とする、請求項５に記載の半導体
光素子の製造方法。
【請求項８】請求項１乃至７の何れか１項に記載の方
法によって、組成又は層厚分布が均一化された活性層を
有することを特徴とする半導体光素子。