JP2001044567A

JP2001044567A - 窒化物系半導体素子、窒化物系発光素子及び窒化物系半導体層の形成方法

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Publication number: JP2001044567A
Application number: JP21996699A
Authority: JP
Inventors: Nobuhiko Hayashi; 伸彦林; Masayuki Hata; 雅幸畑
Original assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Current assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Priority date: 1999-08-03
Filing date: 1999-08-03
Publication date: 2001-02-16
Anticipated expiration: 2019-08-03
Also published as: JP3505442B2

Abstract

(57)【要約】【課題】また、本発明によれば、半導体層に発生す
る欠陥が少なく、良好に発光し、長寿命化に適した窒化
物系発光素子を提供する。【解決手段】窒化物系半導体材料からなるｎ型クラッ
ド層５、活性層６及びｐ型クラッド層７が順に積層さ
れ、該ｐ型クラッド層７の上部にはストライプ状のリッ
ジ部９が設けられ、該リッジ部９の両側に電流ブロック
層３４が設けられたリッジ導波路型構造の半導体レーザ
素子において、リッジ部９と電流ブロック層との界面
に、酸素又は炭素を含有する第１ブロック層３４Ａを形
成したことを特徴とする

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体レーザ、発光
ダイオード等の窒化物系の半導体材料からなる発光素子
及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、高密度・大容量の光ディスクシス
テムに用いられる記録或いは再生用の光源として、青色
又は紫色の光を発するＧａＮ系半導体レーザ素子の研究
開発が行われている。

【０００３】このＧａＮ系半導体レーザ素子等の窒化物
系の半導体発光素子は、ＧａＮ基板等の窒化物基板の製
造が困難であるため、通常、サファイアやＳｉＣ等より
なる窒化物とは異なる材料よりなる基板が用いられてい
る。しかしながら、このような窒化物とは異なる材料よ
りなる基板に窒化物系の半導体層を成長させた場合、該
半導体層に格子欠陥が多く発生するという問題がある。

【０００４】また、半導体レーザ素子には、リッジ導波
型構造の半導体レーザ素子と、セルフアライン構造の半
導体レーザ素子がある。

【０００５】図１８はリッジ導波型構造の半導体レーザ
素子の構成を示す断面図である。リッジ導波型構造の半
導体レーザ素子は、図１８に示すように、サファイア基
板１のｃ面上に、ＭＯＣＶＤ法により、アンドープのｉ
型Ａｌ_0.5Ｇａ_0.5Ｎからなる厚さ２５０Åのバッファ層
２、厚さ２μｍのアンドープのｉ型ＧａＮ層３、厚さ３
μｍのＳｉドープのｎ型ＧａＮ層４、Ｓｉドープのｎ型
Ａｌ_0.07Ｇａ_0.93Ｎからなる厚さ１．０μｍのｎ型クラ
ッド層５、Ｓｉドープのｉ型ＩｎＧａＮからなる量子井
戸構造の活性層６、Ｍｇドープのｐ型Ａｌ_0.07Ｇａ_0.93
Ｎからなる厚さ０．５μｍのｐ型クラッド層７、Ｍｇド
ープのｐ型ＧａＮからなる厚さ０．０５μｍのｐ型キャ
ップ層８が順に積層されている。

【０００６】これらの層が積層された半導体ウエハは、
反応性イオンエッチング又は反応性イオンビームエッチ
ングによりｐ型クラッド層７の所定の深さまで除去され
てストライプ状のリッジ部９が形成されている。

【０００７】ｐ型クラッド層７のエッチング除去された
部分の上面からリッジ部９の側面に亘ってＳｉドープの
ｎ型Ａｌ_0.1Ｇａ_0.9Ｎからなる厚さ０．５μｍの電流ブ
ロック層１０が形成されており、その上にはＭｇドープ
のｐ型ＧａＮからなる厚さ０．５μｍのｐ型コンタクト
層１１が形成されている。

【０００８】また、ｐ型コンタクト層１１から電流ブロ
ック層１０、ｐ型クラッド層７、活性層６、ｎ型クラッ
ド層５、及びｎ型ＧａＮ層４の途中までを、反応性イオ
ンエッチング又は反応性イオンビームエッチングにより
除去することにより、電極形成面１２が形成されてい
る。そして、ｐ型コンタクト層１１の上面にはｐ型電極
１３が形成され、ｎ型ＧａＮ層４の電極形成面１２には
ｎ型電極１４が形成されている。

【０００９】尚、活性層６は、ＧａＮからなる厚さ０．
１μｍの一対の光ガイド層の間に、Ｉｎ_0.02Ｇａ_0.98Ｎ
からなる厚さ６０Åの障壁層とＩｎ_0.10Ｇａ_0.90Ｎから
なる厚さ３０Åの井戸層とが交互に形成された多重量子
井戸構造である。

【００１０】しかしながら、上述した従来のリッジ導波
型構造の半導体レーザ素子では、ｐ型クラッド層７、ｐ
型キャップ層８を形成した後、エッチングによりリッジ
部９を形成し、次いで電流ブロック層１０を再成長させ
ている。このため、リッジ部９の側面には、エッチング
による微小な欠陥が表面に発生した状態で電流ブロック
層１０が形成されておおり、電流ブロック層１０のリッ
ジ部９周辺、即ち導波路の周辺は結晶性が劣化する。そ
して、この結晶性の劣化により、電流ブロック層１０の
導波路周辺部分、更にはその上方に位置するｐ型コンタ
クト層１１の導波路部分及びその周辺部分に、ｐ型電極
１３側に向かって延びる格子欠陥が発生する。このた
め、半導体レーザ素子の寿命が短くなり、信頼性が低下
するという問題がある。

【００１１】図１９はセルフアライン型構造の半導体レ
ーザ素子の構成を示す断面図である。セルフアライン型
構造の半導体レーザ素子は、図１９に示すように、サフ
ァイア基板２１のｃ面上には、ＭＯＣＶＤ法により、Ｓ
ｉドープのｎ型Ａｌ_0.5Ｇａ₀ _.5Ｎからなる厚さ２５０Å
のバッファ層２２、厚さ２μｍのアンドープのｉ型Ｇａ
Ｎ層２３、厚さ３μｍのＳｉドープのｎ型ＧａＮ層２
４、Ｓｉドープのｎ型Ａｌ_0.07Ｇａ_0.93Ｎからなる厚さ
１．０μｍのｎ型クラッド層２５、ｉ型ＩｎＧａＮから
なる量子井戸構造の活性層２６、Ｍｇドープのｐ型Ａｌ
_0.07Ｇａ_0.93Ｎからなる厚さ０．１μｍの第１ｐ型クラ
ッド層２７、Ｓｉドープのｎ型Ａｌ_0.1Ｇａ_0.9Ｎからな
る厚さ０．５μｍの電流ブロック層２８が形成されてい
る。電流ブロック層２８は、電流通路となる部分が第１
ｐ型クラッド層２７が露出するまでエッチングにより除
去されている。

【００１２】電流ブロック層２８及び第１ｐ型クラッド
層２７の電流通路上には、Ｍｇドープのｐ型Ａｌ_0.07Ｇ
ａ_0.93Ｎからなる厚さ０．５μｍの第２ｐ型クラッド層
２９が形成され、その上には、Ｍｇドープのｐ型ＧａＮ
からなる厚さ０．０５μｍのｐ型コンタクト層３０が形
成されている。

【００１３】これらの層が積層された半導体ウエハは、
反応性イオンエッチング又は反応性イオンビームエッチ
ングによりｎ型ＧａＮ層２４の所定の深さまで除去され
て電極形成面３１が形成されている。ｐ型コンタクト層
３０の上面にはｐ型電極３２が形成され、ｎ型クラッド
層２４の電極形成面３１にはｎ型電極３３が形成されて
いる。

【００１４】尚、活性層２６は、ＧａＮからなる厚さ
０．１μｍの一対の光ガイド層の間に、Ｉｎ_0.02Ｇａ
_0.98Ｎからなる厚さ６０Åの障壁層とＩｎ_0.10Ｇａ_0.90
Ｎからなる厚さ３０Åの井戸層とが交互に形成された多
重量子井戸構造である。

【００１５】しかしながら、上述した従来のセルフアラ
イン型構造の半導体レーザ素子においても、第１ｐ型ク
ラッド層２７、電流ブロック層２８を形成した後、電流
通路となる部分の電流ブロック層をエッチングにより除
去し、次いで第２ｐ型クラッド層２９を再成長させてい
る。このため、電流ブロック層２８の電流通路側の面
は、エッチングによる微小な欠陥が表面に発生した状態
で第２ｐ型クラッド層２９が形成されており、第２ｐ型
クラッド層２９の導波路部分は結晶性が劣化する。そし
て、この結晶性の劣化により、ｐ型第２クラッド層２９
の導波路部分、更にはその上方に位置するｐ型コンタク
ト層３０の導波路部分に、ｐ型電極１３側に向かって延
びる格子欠陥が発生する。このため、半導体レーザ素子
の寿命が短くなり、信頼性が低下するという問題があ
る。

【００１６】特に、このセルフアライン型構造の半導体
レーザ素子では、電流ブロック層２８の微小な欠陥の部
分に第２ｐ型クラッド層２９が形成されるため、リッジ
導波型構造の半導体レーザ素子とは異なり、ｐ型のクラ
ッド層自体の導波路部分に直接、格子欠陥が発生する。
このため、格子欠陥による悪影響は非常に大きい。

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来例の
欠点に鑑み為されたものであり、第１の窒化物系半導体
層上に、エッチング、フォトリソグラフィ、マスク形成
等の為に成長を中断した後に再成長により第２の窒化物
系半導体層が形成されている窒化物系半導体素子におい
て、前記第１の窒化物系半導体層と前記第２の半導体層
窒化物系半導体層との界面から発生する欠陥が少ない窒
化物系半導体素子を提供することを目的とするものであ
る。

【００１８】また、本発明は、クラッド層と電流ブロッ
ク層との界面より発生する欠陥が少ない窒化物系半導体
素子を提供することを目的とするものである。

【００１９】また、本発明は、第１の窒化物系半導体層
を成長により形成した後、成長工程を中断し、その後前
記第２の窒化物系半導体層を再成長により形成する窒化
物系半導体層の形成方法において、前記第１の窒化物系
半導体層と前記第２の半導体層窒化物系半導体層との界
面から発生する欠陥が少ない窒化物系半導体層の成長方
法を提供することを目的とするものである。

【００２０】

【課題を解決するための手段】第１の発明の窒化物系半
導体素子は、第１の窒化物系半導体層上に、成長を中断
した後の再成長により形成された第２の窒化物系半導体
層を有する窒化物系半導体素子において、前記第１の窒
化物系半導体層と前記第２の窒化物系半導体層との界面
に、酸素又は炭素を含有する領域を形成したことを特徴
とする。

【００２１】このような構成の第１の発明の窒化物系半
導体素子では、前記界面で発生する格子欠陥が減少し、
それにより前記界面上に形成された第２の窒化物系半導
体層、更にその上に形成された半導体層、特に窒化物系
半導体層に生じる欠陥が減少する。

【００２２】第２の発明の窒化物系発光素子は、窒化物
系の半導体材料からなる第１導電型クラッド層、活性層
及び第２導電型クラッド層が順に積層され、該第２導電
型クラッド層の上部の両側に電流ブロック層が設けられ
た窒化物系発光素子において、前記第２導電型クラッド
層と前記電流ブロック層との界面に酸素又は炭素を含有
する領域を形成したことを特徴とする。

【００２３】このような構成の第２の発明の窒化物系発
光素子では、前記界面で発生する格子欠陥が減少し、そ
れにより前記界面の上に形成された半導体層、特に窒化
物系半導体層に生じる欠陥が減少する。

【００２４】第３の発明の窒化物系発光素子は、窒化物
系半導体材料からなる第１導電型クラッド層、活性層及
び第２導電型クラッド層が順に積層され、該第２導電型
クラッド層の上部にはストライプ状のリッジ部が設けら
れ、該リッジ部の両側に電流ブロック層が設けられた窒
化物系発光素子において、前記リッジ部と前記電流ブロ
ック層との界面に酸素又は炭素を含有する領域を形成し
たことを特徴とする。

【００２５】このような構成の第３の発明の窒化物系発
光素子では、前記界面で発生する格子欠陥が減少し、そ
れにより前記界面の上に形成された半導体層、特に窒化
物系半導体層に生じる欠陥が減少する。

【００２６】更に、第３の発明の窒化物系発光素子で
は、酸素又は炭素を含有する領域が、前記リッジ部の側
面に設けられていることを特徴とする。

【００２７】この場合、前記リッジ部の上方の部分、即
ち、導波路部分或いはその周辺部分の欠陥が減少する。

【００２８】また、第３の発明の窒化物系発光素子で
は、前記リッジ部のストライプ方向が＜１０−１０＞方
向であり、且つ前記リッジ部の周りに形成されている前
記電流ブロック層の上面と、前記リッジ部の側面に形成
されている前記電流ブロック層の上面との為す角度θ１
が９０°±１０°の範囲である場合、前述の欠陥の減少
は大きく、更に前記角度θ１が９０°±５°の範囲であ
る場合、前述の欠陥の減少は一層大きい。

【００２９】また、第３の発明の窒化物系発光素子で
は、前記リッジ部のストライプ方向が＜１１−２０＞方
向であり、且つ前記リッジ部の周りに形成されている前
記電流ブロック層の上面と、前記リッジ部の側面に形成
されている前記電流ブロック層の上面との為す角度θ１
が１２０°±１０°の範囲である場合、前述の欠陥の減
少は大きく、更に前記角度θ１が１２０°±５°の範囲
である場合、前述の欠陥の減少は一層大きい。

【００３０】また、第３の発明の窒化物系発光素子で
は、第２導電型クラッド層の前記リッジ部の周りの上面
が、ｃ面に対して０．０３°以上傾斜している場合、前
述の欠陥の減少は大きく、更に前記上面がｃ面に対して
０．１°以上、１０°以下の範囲で傾斜している場合、
前述の欠陥の減少が顕著である。

【００３１】第４の発明の窒化物系発光素子は、窒化物
系の半導体材料からなる第１導電型クラッド層及び活性
層が順に積層され、該活性層上には電流ブロック層が形
成され、電流ブロック層を介して窒化物系の半導体材料
からなる第２導電型クラッド層が形成された窒化物系発
光素子において、前記電流ブロック層と前記第２導電型
クラッド層との界面に酸素又は炭素を含有する領域を形
成したことを特徴とする。

【００３２】このような構成の第４の発明の窒化物系発
光素子では、前記界面で発生する格子欠陥が減少し、そ
れにより前記界面の上に形成された半導体層、特に窒化
物系半導体層に生じる欠陥が減少する。

【００３３】第５の発明の窒化物系発光素子は、窒化物
系の半導体材料からなる第１導電型クラッド層、活性層
及び第１の第２導電型クラッド層が順に積層され、該第
１の第２導電型クラッド層上にはストライプ状の電流通
路部の両側に電流ブロック層が形成され、前記第１の第
２導電型クラッド層の電流通路部上及び前記電流ブロッ
ク層上に窒化物系の半導体材料からなる第２の第２導電
型クラッド層が形成された窒化物系発光素子において、
前記電流ブロック層と前記第２の第２導電型クラッド層
との界面の酸素又は炭素を含有する領域を形成したこと
を特徴とする。

【００３４】このような構成の第５の発明の窒化物系発
光素子では、前記界面で発生する格子欠陥が減少し、そ
れにより前記界面の上に形成された半導体層、特に窒化
物系半導体層における導波路部分或いはその周辺部分に
生じる欠陥が減少する。

【００３５】また、第５の発明の窒化物系発光素子で
は、前記酸素又は炭素を含有する領域が、前記電流通路
部の側方に位置する電流ブロック層の側面に設けられて
いることを特徴とする。

【００３６】この場合、前記電流通路の上方の部分、即
ち、導波路部分或いはその周辺部分の欠陥が減少する。

【００３７】また、第５の発明の窒化物系発光素子で
は、前記電流通路部のストライプ方向が＜１０−１０＞
方向であり、且つ前記第２の第２導電型クラッド層の電
流通路部上の凹部の底面と、その側方に位置する斜面と
の為す角度θ３が９０°±１０°の範囲である場合、前
述の欠陥の減少は大きく、更に前記角度θ３が９０°±
５°の範囲である場合、前述の欠陥の減少は一層大き
い。

【００３８】また、第５の発明の窒化物系発光素子で
は、前記電流通路部のストライプ方向が＜１１−２０＞
方向であり、且つ前記第２の第２導電型クラッド層の前
記電流通路部上の凹部の底面と、その側方に位置する斜
面との為す角度θ３が１２０°±１０°の範囲である場
合、前述の欠陥の減少は大きく、更に前記角度θ３が１
２０°±５°の範囲である場合、前述の欠陥の減少は一
層大きい。

【００３９】また、第５の発明の窒化物系発光素子で
は、前記電流ブロック層の上面が、ｃ面に対して０．０
３°以上傾斜している場合、前述の欠陥の減少は大き
く、更に前記上面がｃ面に対して０．１°以上、１０°
以下の範囲で傾斜している場合、前述の欠陥の減少が顕
著である。

【００４０】また、第２〜第５の発明の窒化物系発光素
子では、前記界面における酸素又は炭素の濃度が１×１
０¹⁶ｃｍ^-3以上で上述の欠陥の減少は明らかであり、更
に、酸素の濃度が１×１０¹⁷ｃｍ^-3以上であれば、上述
の欠陥の減少は一層顕著である。

【００４１】また、第６の発明の窒化物系半導体層の成
長方法は、第１の窒化物系半導体層を成長により形成し
た後、成長工程を中断し、その後前記第２の窒化物系半
導体層を再成長により形成する窒化物系半導体層の形成
方法において、前記第１の窒化物系半導体層と前記第２
の窒化物系半導体層との界面となる部分に、酸素又は炭
素を含有する領域を形成する工程を有することを特徴と
する。

【００４２】このような第６の発明の窒化物系半導体層
の成長方法では、前記界面で発生する格子欠陥が減少
し、それにより欠陥の少ない第２の窒化物系半導体層を
形成することが出来る。

【００４３】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態について詳細に説明する。

【００４４】図１は本発明をリッジ導波型構造の半導体
レーザ素子に用いた第１実施例の半導体レーザ素子の構
成を示す断面図、図２は第１実施例の半導体レーザ素子
におけるリッジ部の構成を示す斜視図であり、図１８と
同一部分には同一符号を付し、その説明は割愛する。

【００４５】この第１実施例の半導体レーザ素子では、
ｐ型クラッド層７のリッジ部９の周りの上面７ａは、リ
ッジ部９のストライプ方向と直交する方向に、ｐ型クラ
ッド層７のｃ面に対して所定の角度θ２だけ傾斜してい
る。

【００４６】ｐ型クラッド層７のリッジ部９の周りの上
面７ａ及びリッジ部９の両側面には電流ブロック層１５
が形成されている。電流ブロック層１５は、ｐ型クラッ
ド層７のリッジ部９の周りの上面７ａ及びリッジ部９の
両側面に形成されている厚さ５０Åの第１ブロック層１
５Ａと、該第１ブロック層１５Ａ上に形成されている厚
さ０．５μｍの第２ブロック層１５Ｂとにより構成され
ている。第１ブロック層１５Ａ及び第２ブロック層１５
Ｂは、ｎ型若しくはｉ型又はＺｎドープの高抵抗のＡｌ
ＧａＮ、或いはｎ型若しくはｉ型又はＺｎドープの高抵
抗のＩｎＧａＮからなり、第１実施例ではｎ型のＡｌ
_0.1Ｇａ_0.9Ｎからなる。また、第１ブロック層１５Ａに
は酸素又は炭素がドープされている。

【００４７】また、電流ブロック層１５Ａのうち、ｐ型
クラッド層７のリッジ部９の周りの上面７ａに形成され
ている部分の上面と、リッジ部９の側面に形成されてい
る部分との為す角度はθ１である。

【００４８】ｐ型クラッド層７のリッジ部９の周りの上
面７ａを所定の角度θ２だけ傾斜させる方法としては、
例えば、ＲＩＥ（リアクテイブ・イオン・エッチング）
やＲＩＢＥ（リアクテイブ・イオンビーム・エッチン
グ）等のドライエッチング装置を用いる方法がある。

【００４９】具体的には、先ず、図２（ａ）に示すよう
に、サファイア基板１上に、バッファ層２、ｉ型ＧａＮ
層３、厚さ３μｍのＳｉドープのｎ型ＧａＮ層４、ｎ型
クラッド層５、活性層６、ｐ型クラッド層７、ｐ型キャ
ップ層８を積層して半導体ウエハを形成した後、ｐ型キ
ャップ層８の上面の所定部分に、エッチングされやすい
材料よりなる第１マスク層４１Ａ、第１マスク層よりも
エッチングされにくい材料よりなる第２マスク層４１Ｂ
が下方から順に積層されている２層構造のマスク層４１
を形成する。例えば、第１マスク層４１Ａとしては、Ｔ
ｉを２０００Å厚形成し、第２マスク層４１Ｂとして
は、Ｎｉを５０００Å厚形成する。

【００５０】次に、ＣＦ４ガスとＯ２ガスを用いたＲＩ
Ｅにより、マスク層４１をマスクとしてｐ型キャップ層
８を所定の厚みだけエッチング行う。これにより、図２
（ｂ）に示すように、第１マスク層４１Ａは第２マスク
層４１Ｂに比べ大幅に外周が除去され、その第１マスク
層４１Ａが除去された部分におけるｐ型キャップ層８の
上面は所定の角度θ２だけ自然に傾斜する。

【００５１】尚、上述の角度θ１は、第１マスク層４１
Ａ、第２マスク層４１Ｂの厚み、エッチングレートによ
り調整できる。

【００５２】また、第１ブロック層１５Ａへの炭素又は
酸素のドープは、第１ブロック層１５Ａを成長させる際
に、原料ガスとして酸素又は炭素を供給すればよい。例
えば、炭素をドープする場合は、プロパンガスを所定の
流量で反応管に供給すればよく、酸素の場合は、酸素ガ
スを所定の流量で反応管に供給すればよい。尚、酸素を
ドープする場合は、ＭＢＥ法による成長が望ましい。

【００５３】次に、第１実施例の半導体レーザ素子にお
いて、リッジ９のストライプ方向（図１において紙面と
直交する方向）が、＜１０−１０＞方向である半導体レ
ーザ素子と、＜１１−２０＞方向である半導体レーザ素
子とを夫々形成し、角度θ１を変化させた時の欠陥密
度、及び角度θ２を変化させた時の欠陥密度を調べた。
また、比較例として、電流ブロック層が炭素も酸素もド
ープされていない単層構造である半導体レーザ素子につ
いても、リッジ９のストライプ方向（図１において紙面
と直交する方向）が、＜１０−１０＞方向である半導体
レーザ素子と、＜１１−２０＞方向である半導体レーザ
素子とを夫々形成し、角度θ１を変化させた時の欠陥密
度、及び角度θ２を変化させた時の欠陥密度を調べた。
尚、欠陥密度は、ｐ型コンタクト層１１のリッジ部９の
上方部分で測定した。

【００５４】図３は、第１ブロック層１５Ａに炭素を１
×１０¹⁷ｃｍ^-3ドープした第１実施例の半導体レーザ素
子と、第１ブロック層１５Ａに炭素を１×１０¹⁶ｃｍ^-3
ドープした第１実施例の半導体レーザ素子と、比較例の
半導体レーザ素子とにおける欠陥密度と角度θ１との関
係を示す図である。

【００５５】図３から判るように、第１実施例の半導体
レーザでは、リッジ９のストライプ方向が＜１０−１０
＞方向である場合、角度θ１が９０°±１０°の範囲で
は、欠陥密度が低く、特に角度θ１が９０°±５°の範
囲では、欠陥密度の低下が著しい。

【００５６】また、比較例の半導体レーザにおいても、
リッジ９のストライプ方向が＜１０−１０＞方向である
場合、角度θ１が９０°を中心に欠陥密度が低下する傾
向が見られるが、その傾向は小さい。これに対して、第
１実施例のように、リッジ部９の周囲である第１ブロッ
ク層１５Ａ、即ちｐ型クラッド層７と再成長層である電
流ブロック層１５との界面に炭素をドープした場合、上
述の欠陥密度の低下が大きくなる。特に、炭素の濃度が
１×１０¹⁶ｃｍ^-3以上であれば、上述の欠陥密度の低下
は明らかであり、更に、炭素の濃度が１×１０¹⁷ｃｍ^-3
以上であれば、上述の欠陥密度の低下は一層明らかであ
る。

【００５７】また、図３から判るように、第１実施例の
半導体レーザでは、リッジ９のストライプ方向が＜１１
−２０＞方向である場合、角度θ１が１２０°±１０°
の範囲では、欠陥密度が低く、特に角度θ１が１２０°
±５°の範囲では、欠陥密度の低下が著しい。

【００５８】また、比較例の半導体レーザにおいても、
リッジ９のストライプ方向が＜１１−２０＞方向である
場合、角度θ１が１２０°を中心に欠陥密度が低下する
傾向が見られるが、その傾向は小さい。これに対して、
第１実施例のように、リッジ部９の周囲である第１ブロ
ック層１５Ａ、即ちｐ型クラッド層７と再成長層である
電流ブロック層１５との界面に炭素をドープした場合、
上述の欠陥密度の低下が大きくなる。特に、炭素の濃度
が１×１０¹⁶ｃｍ^-3以上であれば、上述の欠陥密度の低
下は明らかであり、更に、炭素の濃度が１×１０¹⁷ｃｍ
^-3以上であれば、上述の欠陥密度の低下は一層明らかで
ある。

【００５９】図４は、第１ブロック層１５Ａに酸素を１
×１０¹⁷ｃｍ^-3ドープした第１実施例の半導体レーザ素
子と、第１ブロック層１５Ａに酸素を１×１０¹⁶ｃｍ^-3
ドープした第１実施例の半導体レーザ素子と、比較例の
半導体レーザ素子とにおける欠陥密度と角度θ１との関
係を示す図である。

【００６０】図４から判るように、第１実施例の半導体
レーザでは、リッジ９のストライプ方向が＜１０−１０
＞方向である場合、角度θ１が９０°±１０°の範囲で
は、欠陥密度が低く、特に角度θ１が９０°±５°の範
囲では、欠陥密度の低下が著しい。

【００６１】また、比較例の半導体レーザにおいても、
リッジ９のストライプ方向が＜１０−１０＞方向である
場合、角度θ１が９０°を中心に欠陥密度が低下する傾
向が見られるが、その傾向は小さい。これに対して、第
１実施例のように、リッジ部９の周囲である第１ブロッ
ク層１５Ａ、即ちｐ型クラッド層７と再成長層である電
流ブロック層１５との界面に酸素をドープした場合、上
述の欠陥密度の低下が大きくなる。特に、酸素の濃度が
１×１０¹⁶ｃｍ^-3以上であれば、上述の欠陥密度の低下
は明らかであり、更に、酸素の濃度が１×１０¹⁷ｃｍ^-3
以上であれば、上述の欠陥密度の低下は一層明らかであ
る。

【００６２】また、図４から判るように、第１実施例の
半導体レーザでは、リッジ９のストライプ方向が＜１１
−２０＞方向である場合、角度θ１が１２０°±１０°
の範囲では、欠陥密度が低く、特に角度θ１が１２０°
±５°の範囲では、欠陥密度の低下が著しい。

【００６３】また、比較例の半導体レーザにおいても、
リッジ９のストライプ方向が＜１１−２０＞方向である
場合、角度θ１が１２０°を中心に欠陥密度が低下する
傾向が見られるが、その傾向は小さい。これに対して、
第１実施例のように、リッジ部９の周囲である第１ブロ
ック層１５Ａ、即ちｐ型クラッド層７と再成長層である
電流ブロック層１５との界面に酸素をドープした場合、
上述の欠陥密度の低下が大きくなる。特に、酸素の濃度
が１×１０¹⁶ｃｍ^-3以上であれば、上述の欠陥密度の低
下は明らかであり、更に、酸素の濃度が１×１０¹⁷ｃｍ
^-3以上であれば、上述の欠陥密度の低下は一層明らかで
ある。

【００６４】図５は、第１ブロック層１５Ａに炭素を１
×１０¹⁷ｃｍ^-3ドープした第１実施例の半導体レーザ素
子と、第１ブロック層１５Ａに炭素を１×１０¹⁶ｃｍ^-3
ドープした第１実施例の半導体レーザ素子と、比較例の
半導体レーザ素子とにおける欠陥密度と角度θ２との関
係を示す図である。

【００６５】図６は、第１ブロック層１５Ａに酸素を１
×１０¹⁷ｃｍ^-3ドープした第１実施例の半導体レーザ素
子と、第１ブロック層１５Ａに酸素を１×１０¹⁶ｃｍ^-3
ドープした第１実施例の半導体レーザ素子と、比較例の
半導体レーザ素子とにおける欠陥密度と角度θ２との関
係を示す図である。

【００６６】図５及び図６から判るように、第１実施例
の半導体レーザ素子では、リッジ９のストライプ方向が
＜１０−１０＞方向である場合、＜１１−２０＞方向で
ある場合の両方において、角度θ２が０．０３°以上の
範囲では、欠陥密度の低下が大きく、特に角度θ２が
０．１°以上、１０°以下の範囲で、欠陥密度が最も低
くなることが確認できた。尚、比較例の半導体レーザ素
子では、格子欠陥が角度θ２に依存しないことが判る。

【００６７】上述の第１実施例では、電流ブロック層１
５に炭素或いは酸素をドープした第１ブロック層１５Ａ
を形成することにより、ｐ型クラッド層７と再成長層で
ある電流ブロック層１５との界面に炭素或いは酸素をド
ープした領域を形成したが、それ以外の構成でもよい。

【００６８】例えば、図７に示すように、ｐ型クラッド
層７のリッジ部９の周りの上面７ａ及びリッジ部９の両
側面に、イオン注入若しくは拡散によって炭素又は酸素
がドープされている層１６を形成することにより、ｐ型
クラッド層７と再成長層である電流ブロック層１０との
界面に炭素或いは酸素をドープした層を形成してもよ
い。この場合においても、上述の第１実施例と同様の結
果が得られる。

【００６９】また、ｐ型クラッド層７のリッジ部９の周
りの上面７ａの傾斜は、図８に示すように、図１と反対
方向に傾斜しても良く、また、図９に示すように、上り
斜面と下り斜面とが交互に現れるような傾斜でもよい。

【００７０】図１０は本発明をセルフアライン型構造の
半導体レーザ素子に用いた第２実施例の半導体レーザ素
子の構成を示す断面図であり、図１８と同一部分には同
一符号を付し、その説明は割愛する。

【００７１】この第２実施例の半導体レーザ素子では、
電流ブロック層３４が、第１ｐ型クラッド層２７の電流
通路部の両側に形成された厚さ０．５μｍの第２ブロッ
ク層３４Ｂと、該第２ブロック層３４Ｂ上に形成された
厚さ５０Åの第１ブロック層３４Ａとにより構成されて
いる。尚、第１ブロック層３４Ａ及び第２ブロック層３
４Ｂは、ｎ型若しくはｉ型又はＺｎドープの高抵抗のＡ
ｌＧａＮ、或いはｎ型若しくはｉ型又はＺｎドープの高
抵抗のＩｎＧａＮからなり、第２実施例では、ｎ型のＡ
ｌ_0.1Ｇａ_0.9Ｎからなる。また、第１ブロック層３４Ａ
には酸素又は炭素がドープされている。

【００７２】電流ブロック層３４の上面は、電流通路部
のストライプ方向と直交する方向にｃ面に対して所定の
角度θ４だけ傾斜している。

【００７３】また、第２ｐ型クラッド層２９の電流通路
部上の凹部の底面２９ａと、その両側の斜面２９ｂとの
為す角度はθ３である。

【００７４】尚、電流ブロック層３４の上面を所定の角
度θ４だけ傾斜させる方法は、例えば、第１実施例と同
様に、ＲＩＥ（リアクテイブ・イオン・エッチング）や
ＲＩＢＥ（リアクテイブ・イオンビーム・エッチング）
等のドライエッチング装置を用いる方法がある。また、
角度θ３の調整も第１実施例と同様の方法により可能で
ある。

【００７５】また、第１ブロック層３４Ａへの炭素又は
酸素のドープは、第１ブロック層３４Ａを成長させる際
に、原料ガスとして酸素又は炭素を供給すればよい。例
えば、炭素をドープする場合は、プロパンガスを所定の
流量で反応管に供給すればよく、酸素の場合は、酸素ガ
スを所定の流量で反応管に供給すればよい。尚、酸素ド
ープの場合はＭＢＥ法により成長させることが望まし
い。

【００７６】次に、第２実施例の半導体レーザ素子にお
いて、電流ブロック層３４の間の電流通路部のストライ
プ方向（図１０において紙面と直交する方向）が、＜１
０−１０＞方向である半導体レーザ素子と、＜１１−２
０＞方向である半導体レーザ素子とを夫々形成し、角度
θ３を変化させた時の欠陥密度、及び角度θ４を変化さ
せた時の欠陥密度を調べた。また、比較例として、電流
ブロック層が炭素も酸素もドープされていない単層構造
である半導体レーザ素子についても、電流通路部のスト
ライプ方向（図１０において紙面と直交する方向）が、
＜１０−１０＞方向である半導体レーザ素子と、＜１１
−２０＞方向である半導体レーザ素子とを夫々形成し、
角度θ３を変化させた時の欠陥密度、及び角度θ４を変
化させた時の欠陥密度を調べた。尚、欠陥密度は、ｐ型
コンタクト層３０の上面の電流通路部の上方部分で調べ
た。

【００７７】図１１は、第１ブロック層１５Ａに炭素を
１×１０¹⁷ｃｍ^-3ドープした第２実施例の半導体レーザ
素子と、第１ブロック層１５Ａに炭素を１×１０¹⁶ｃｍ
^-3ドープした第２実施例の半導体レーザ素子と、比較例
の半導体レーザ素子とにおける欠陥密度と角度θ３との
関係を示す図である。

【００７８】図１１から判るように、第２実施例の半導
体レーザでは、電流通路部のストライプ方向が＜１０−
１０＞方向である場合、角度θ１が９０°±１０°の範
囲では、欠陥密度が低く、特に角度θ３が９０°±５°
の範囲では、欠陥密度の低下が著しい。

【００７９】また、比較例の半導体レーザにおいても、
電流通路部のストライプ方向が＜１０−１０＞方向であ
る場合、角度θ３が９０°を中心に欠陥密度が低下する
傾向が見られるが、その傾向は小さい。これに対して、
第２実施例のように、電流通路部の周囲である第１ブロ
ック層３４Ａ、即ち電流ブロック層３４と再成長層であ
る第２ｐ型クラッド層２９との界面に炭素をドープした
場合、上述の欠陥密度の低下が大きくなる。特に、炭素
の濃度が１×１０¹⁶ｃｍ^-3以上であれば、上述の欠陥密
度の低下は明らかであり、更に、炭素の濃度が１×１０
¹⁷ｃｍ^-3以上であれば、上述の欠陥密度の低下は一層明
らかである。

【００８０】また、図１１から判るように、第１実施例
の半導体レーザでは、電流通路部のストライプ方向が＜
１１−２０＞方向である場合、角度θ１が１２０°±１
０°の範囲では、欠陥密度が低く、特に角度θ３が１２
０°±５°の範囲では、欠陥密度の低下が著しい。

【００８１】また、比較例の半導体レーザにおいても、
電流通路部のストライプ方向が＜１１−２０＞方向であ
る場合、角度θ３が１２０°を中心に欠陥密度が低下す
る傾向が見られるが、その傾向は小さい。これに対し
て、第２実施例のように、電流通路部の周囲である第１
ブロック層３４Ａ、即ち電流ブロック層３４と再成長層
である第２ｐ型クラッド層２９との界面に炭素をドープ
した場合、上述の欠陥密度の低下が大きくなる。特に、
炭素の濃度が１×１０¹⁶ｃｍ^-3以上であれば、上述の欠
陥密度の低下は明らかであり、更に、炭素の濃度が１×
１０¹⁷ｃｍ^-3以上であれば、上述の欠陥密度の低下は一
層明らかである。

【００８２】図１２は、第１ブロック層３４Ａに酸素を
１×１０¹⁷ｃｍ^-3ドープした第２実施例の半導体レーザ
素子と、第１ブロック層３４Ａに酸素を１×１０¹⁶ｃｍ
^-3ドープした第２実施例の半導体レーザ素子と、比較例
の半導体レーザ素子とにおける欠陥密度と角度θ３との
関係を示す図である。

【００８３】図１２から判るように、第２実施例の半導
体レーザでは、電流通路部のストライプ方向が＜１０−
１０＞方向である場合、角度θ３が９０°±１０°の範
囲では、欠陥密度が低く、特に角度θ３が９０°±５°
の範囲では、欠陥密度の低下が著しい。

【００８４】また、比較例の半導体レーザにおいても、
電流通路部のストライプ方向が＜１０−１０＞方向であ
る場合、角度θ３が９０°を中心に欠陥密度が低下する
傾向が見られるが、その傾向は小さい。これに対して、
第３実施例のように、電流通路部の周囲である第１ブロ
ック層３４Ａ、即ち電流ブロック層３４と再成長層であ
る第２ｐ型クラッド層２９との界面に酸素をドープした
場合、上述の欠陥密度の低下が大きくなる。特に、酸素
の濃度が１×１０¹⁶ｃｍ^-3以上であれば、上述の欠陥密
度の低下は明らかであり、更に、酸素の濃度が１×１０
¹⁷ｃｍ^-3以上であれば、上述の欠陥密度の低下は一層明
らかである。

【００８５】また、図１２から判るように、第２実施例
の半導体レーザでは、電流通路部のストライプ方向が＜
１１−２０＞方向である場合、角度θ３が１２０°±１
０°の範囲では、欠陥密度が低く、特に角度θ３が１２
０°±５°の範囲では、欠陥密度の低下が著しい。

【００８６】また、比較例の半導体レーザにおいても、
電流通路部のストライプ方向が＜１１−２０＞方向であ
る場合、角度θ３が１２０°を中心に欠陥密度が低下す
る傾向が見られるが、その傾向は小さい。これに対し
て、第２実施例のように、電流通路部の周囲である第１
ブロック層３４Ａ、即ち電流ブロック層３４と再成長層
である第２ｐ型クラッド層２９との界面に酸素をドープ
した場合、上述の欠陥密度の低下が大きくなる。特に、
酸素の濃度が１×１０¹⁶ｃｍ^-3以上であれば、上述の欠
陥密度の低下は明らかであり、更に、酸素の濃度が１×
１０¹⁷ｃｍ^-3以上であれば、上述の欠陥密度の低下は一
層明らかである。

【００８７】図１３は、第１ブロック層３４Ａに炭素を
１×１０¹⁷ｃｍ^-3ドープした第２実施例の半導体レーザ
素子と、第１ブロック層３４Ａに炭素を１×１０¹⁶ｃｍ
^-3ドープした第２実施例の半導体レーザ素子と、比較例
の半導体レーザ素子とにおける欠陥密度と角度θ４との
関係を示す図である。

【００８８】図１４は、第１ブロック層３４Ａに酸素を
１×１０¹⁷ｃｍ^-3ドープした第２実施例の半導体レーザ
素子と、第１ブロック層３４Ａに酸素を１×１０¹⁶ｃｍ
^-3ドープした第２実施例の半導体レーザ素子と、比較例
の半導体レーザ素子とにおける欠陥密度と角度θ４との
関係を示す図である。

【００８９】図１３及び図１４から判るように、第２実
施例の半導体レーザ素子では、電流通路部のストライプ
方向が＜１０−１０＞方向である場合、＜１１−２０＞
方向である場合の両方において、角度θ４が０．０３°
以上の範囲では、欠陥密度の低下が大きく、特に角度θ
４が０．１°以上、１０°以下の範囲で、欠陥密度が最
も低くなることが確認できた。尚、比較例の半導体レー
ザ素子では、格子欠陥が角度θ４に依存しないことが判
る。

【００９０】上述の第２実施例では、電流ブロック層３
４に炭素或いは酸素をドープした第１ブロック層３４Ａ
を形成することにより電流ブロック層３４と再成長層で
ある第２ｐ型クラッド層２９との界面に炭素或いは酸素
をドープした領域を形成したが、それ以外の構成でもよ
い。

【００９１】例えば、図１５に示すように、電流ブロッ
ク層２８の表面、特に導波路或いはその近傍となる電流
通路部の両側の斜面に、イオン注入若しくは拡散によっ
て炭素又は酸素がドープされている層３５を形成するこ
とにより、第２ｐ型クラッド層２９と再成長層である電
流ブロック層２８との界面に炭素或いは酸素をドープし
た層を形成してもよい。この場合においても、上述の第
２実施例と同様の結果が得られる。

【００９２】また、電流ブロック層３４の上面３４ａの
傾斜は、図１６に示すように、図１０と反対方向に傾斜
してもよく、また図１７に示すように、上り斜面と下り
斜面とが交互に現れるような傾斜でもよい。

【００９３】

【発明の効果】本発明によれば、半導体層に発生する欠
陥が少なく、長寿命化に適した窒化物系半導体素子を提
供し得る。

【００９４】また、本発明によれば、半導体層に発生す
る欠陥が少なく、良好に発光し、長寿命化に適した窒化
物系発光素子を提供し得る。

【００９５】また、本発明によれば、欠陥の少ない窒化
物系半導体層を形成することが出来る窒化物系半導体層
の形成方法を提供し得る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例のリッジ導波型の半導体レ
ーザ素子の構成を示す断面図である。

【図２】本発明の第１実施例の半導体レーザ素子の製造
工程の一部を示す図である。

【図３】本発明の第１実施例の半導体レーザ素子におけ
る欠陥密度と角度θ１との関係を示す図である。

【図４】本発明の第１実施例の半導体レーザ素子におけ
る欠陥密度と角度θ１との関係を示す図である。

【図５】本発明の第１実施例の半導体レーザ素子におけ
る欠陥密度と角度θ２との関係を示す図である。

【図６】本発明の第１実施例の半導体レーザ素子におけ
る欠陥密度と角度θ２との関係を示す図である。

【図７】本発明の他の実施例のリッジ導波型構造の半導
体レーザ素子の構成を示す断面図である。

【図８】本発明の他の実施例のリッジ導波型構造の半導
体レーザ素子の構成を示す断面図である。

【図９】本発明の他の実施例のリッジ導波型構造の半導
体レーザ素子の構成を示す断面図である。

【図１０】本発明の第２実施例のセルフアライン型構造
の半導体レーザ素子の構成を示す断面図である。

【図１１】本発明の第２実施例の半導体レーザ素子にお
ける欠陥密度と角度θ３との関係を示す図である。

【図１２】本発明の第２実施例の半導体レーザ素子にお
ける欠陥密度と角度θ３との関係を示す図である。

【図１３】本発明の第２実施例の半導体レーザ素子にお
ける欠陥密度と角度θ４との関係を示す図である。

【図１４】本発明の第２実施例の半導体レーザ素子にお
ける欠陥密度と角度θ４との関係を示す図である。

【図１５】本発明の他の実施例のセルフアライン型構造
の半導体レーザ素子の構成を示す断面図である。

【図１６】本発明の他の実施例のセルフアライン型構造
の半導体レーザ素子の構成を示す断面図である。

【図１７】本発明の他の実施例のセルフアライン型構造
の半導体レーザ素子の構成を示す断面図である。

【図１８】従来のリッジ導波路型構造の半導体レーザ素
子の構成を示す断面図である。

【図１９】従来のセルフアライン型構造の半導体レーザ
素子の構成を示す断面図である。

【符合の説明】

５ｎ型クラッド層（第１導電型クラッド層）６活性層７ｐ型クラッド層（第２導電型クラッド層）７ａ上面９リッジ部１０電流ブロック層（再成長層）１５電流ブロック層（再成長層）１５Ａ第１ブロック層（酸素又は炭素を含有する領
域）１５Ｂ第２ブロック層１６層（酸素又は炭素を含有する領域）２５ｎ型クラッド層（第１導電型クラッド層）２６活性層２７第１ｐ型クラッド層（第１の第２導電型クラッド
層）２８電流ブロック層２９第２ｐ型クラッド層（第２の第２導電型クラッド
層：再成長層）２９ａ底面２９ｂ斜面３４電流ブロック層３４Ａ第１ブロック層（酸素又は炭素を含有する領
域）３４Ｂ第２ブロック層３５層（酸素又は炭素を含有する領域）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 5F041 AA40 CA22 CA40 CA48 CA54 CA57 CA61 5F073 AA09 AA13 AA20 AA51 AA74 CA07 CB05 CB07 CB19 DA05 DA25 EA28 EA29

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】第１の窒化物系半導体層上に、成長を中
断した後の再成長により形成された第２の窒化物系半導
体層を有する窒化物系半導体素子において、前記第１の
窒化物系半導体層と前記第２の窒化物系半導体層との界
面に、酸素又は炭素を含有する領域を形成したことを特
徴とする窒化物系半導体素子。
【請求項２】窒化物系の半導体材料からなる第１導電
型クラッド層、活性層及び第２導電型クラッド層が順に
積層され、該第２導電型クラッド層の上部の両側に電流
ブロック層が設けられた窒化物系発光素子において、前
記第２導電型クラッド層と前記電流ブロック層との界面
に、酸素又は炭素を含有する領域を形成したことを特徴
とする窒化物系発光素子。
【請求項３】窒化物系半導体材料からなる第１導電型
クラッド層、活性層及び第２導電型クラッド層が順に積
層され、該第２導電型クラッド層の上部にはストライプ
状のリッジ部が設けられ、該リッジ部の両側に電流ブロ
ック層が設けられた窒化物系発光素子において、前記リ
ッジ部と前記電流ブロック層との界面に、酸素又は炭素
を含有する領域を形成したことを特徴とする窒化物系発
光素子。
【請求項４】前記酸素又は炭素を含有する領域が、前
記リッジ部の側面に設けられていることを特徴とする請
求項３記載の窒化物系発光素子。
【請求項５】前記リッジ部のストライプ方向が＜１０
−１０＞方向であり、且つ前記リッジ部の周りに形成さ
れている前記電流ブロック層の上面と、前記リッジ部の
側面に形成されている前記電流ブロック層の上面との為
す角度θ１が９０°±１０°の範囲であることを特徴と
する請求項３又は４記載の窒化物系発光素子。
【請求項６】前記リッジ部のストライプ方向が＜１１
−２０＞方向であり、且つ前記リッジ部の周りに形成さ
れている前記電流ブロック層の上面と、前記リッジ部の
側面に形成されている前記電流ブロック層の上面との為
す角度θ１が１２０°±１０°の範囲であることを特徴
とする請求項３又は４記載の窒化物系発光素子。
【請求項７】第２導電型クラッド層の前記リッジ部の
周りの上面が、該第２導電型クラッド層のｃ面に対して
０．０３°以上傾斜していることを特徴とする請求項
３、４、５又は６記載の窒化物系発光素子。
【請求項８】窒化物系の半導体材料からなる第１導電
型クラッド層及び活性層が順に積層され、該活性層上に
は電流ブロック層が形成され、電流ブロック層を介して
窒化物系の半導体材料からなる第２導電型クラッド層が
形成された窒化物系発光素子において、前記電流ブロッ
ク層と前記第２導電型クラッド層との界面に、酸素又は
炭素を含有する領域を形成したことを特徴とする窒化物
系発光素子。
【請求項９】窒化物系の半導体材料からなる第１導電
型クラッド層、活性層及び第１の第２導電型クラッド層
が順に積層され、該第１の第２導電型クラッド層上には
ストライプ状の電流通路部の両側に電流ブロック層が形
成され、前記第１の第２導電型クラッド層の電流通路部
上及び前記電流ブロック層上に窒化物系の半導体材料か
らなる第２の第２導電型クラッド層が形成された窒化物
系発光素子において、前記電流ブロック層と前記第２の
第２導電型クラッド層との界面に、酸素又は炭素を含有
する領域を形成したことを特徴とする窒化物系発光素
子。
【請求項１０】前記酸素又は炭素を含有する領域が、
前記電流通路部の側方に位置する電流ブロック層の側面
に設けられていることを特徴とする請求項９記載の窒化
物系発光素子。
【請求項１１】前記電流通路部のストライプ方向が＜
１０−１０＞方向であり、且つ前記第２の第２導電型ク
ラッド層の電流通路部上の凹部の底面と、その側方に位
置する斜面との為す角度θ３が９０°±１０°の範囲で
あることを特徴とする請求項９又は１０記載の窒化物系
発光素子。
【請求項１２】前記電流通路部のストライプ方向が＜
１１−２０＞方向であり、且つ前記第２の第２導電型ク
ラッド層の電流通路部上の凹部の底面と、その側方に位
置する斜面との為す角度θ３が１２０°±１０°の範囲
であることを特徴とする請求項９又は１０記載の窒化物
系発光素子。
【請求項１３】前記電流ブロック層の上面が、該電流
ブロック層のｃ面に対して０．０３°以上傾斜している
ことを特徴とする請求項９、１０、１１又は１２記載の
窒化物系発光素子。
【請求項１４】前記界面における酸素又は炭素の濃度
が１×１０¹⁶ｃｍ^-3以上であることを特徴とする請求項
２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２又
は１３記載の窒化物系発光素子。
【請求項１５】第１の窒化物系半導体層を成長により
形成した後、成長工程を中断し、その後前記第２の窒化
物系半導体層を再成長により形成する窒化物系半導体層
の形成方法において、前記第１の窒化物系半導体層と前
記第２の窒化物系半導体層との界面となる部分に、酸素
又は炭素を含有する領域を形成する工程を有することを
特徴とする窒化物系半導体層の形成方法。