JP2001042006A - Semiconductor integrated circuit test apparatus and method of restoration from its failure - Google Patents

Semiconductor integrated circuit test apparatus and method of restoration from its failure

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JP2001042006A
JP2001042006A JP11214637A JP21463799A JP2001042006A JP 2001042006 A JP2001042006 A JP 2001042006A JP 11214637 A JP11214637 A JP 11214637A JP 21463799 A JP21463799 A JP 21463799A JP 2001042006 A JP2001042006 A JP 2001042006A
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failure
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress a decrease in availability due to a failure by shortening a warming up execution time after the failure is restored. SOLUTION: Temperature detection parts 17, 27 and 37 are installed in spare substrates 15, 25 and 35 for failure restoration. The spare substrates are preheated before mounting. When a substrate 13 fails, the spare substrate 15 is mounted in place of the failing substrate 13, and the failure is restored. A temperature of the mounted spare substrate 15 is detected by the temperature detecting part 17 during warming up after the failure is restored. The execution of the warming up is stopped based on the detected temperature of the spare substrate 15.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は半導体集積回路の電
気的特性を試験する試験装置およびその故障時の復旧方
法に関し、さらに言えば、起動時に動作安定化のためウ
ォームアップが実行される半導体集積回路試験装置およ
びその故障時の復旧方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a test apparatus for testing the electrical characteristics of a semiconductor integrated circuit and a method for restoring the same in the event of a failure. 1. Field of the Invention The present invention relates to a circuit test apparatus and a method for restoring the circuit test apparatus when it fails.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、半導体集積回路(以下、IC
(Integrated Circuit)と呼ぶ)試験装置では、被試験
ICに所定の電源電圧および試験信号を供給し、供給さ
れた試験信号に対する被試験ICの出力信号を所定の期
待値と比較することにより、被試験ICの電気的特性の
試験(以下、IC試験という)がなされる。
2. Description of the Related Art Generally, a semiconductor integrated circuit (hereinafter, IC)
In the test apparatus, a predetermined power supply voltage and a test signal are supplied to the IC under test, and an output signal of the IC under test with respect to the supplied test signal is compared with a predetermined expected value, thereby obtaining a test target. A test of the electrical characteristics of the test IC (hereinafter referred to as an IC test) is performed.

【0003】このようなIC試験装置において必要な試
験精度を得るためには、試験信号を高いタイミング精度
および高い振幅精度で被試験ICに供給しなければなら
ない。さらには、被試験ICに供給する電源電圧の値に
も高い精度が要求される。そして、これらの精度は、I
C試験装置を構成する集積回路素子などの電子部品の温
度特性の影響を強く受ける。
In order to obtain the required test accuracy in such an IC test apparatus, a test signal must be supplied to the IC under test with high timing accuracy and high amplitude accuracy. Furthermore, the power supply voltage supplied to the IC under test also requires high accuracy. And their accuracy is I
It is strongly affected by the temperature characteristics of electronic components such as integrated circuit elements that constitute the C test apparatus.

【0004】このため、通常、IC試験装置の起動(す
なわち、IC試験装置の主電源を投入)した直後にウォ
ームアップが実行される。このウォームアップにより電
子部品を熱的に十分安定させた後、被試験ICに供給す
る試験信号および電源電圧の自動較正(いわゆる、シス
テムキャリブレーション)を行うことで、必要な試験精
度を確保している。
[0004] Therefore, usually, warm-up is performed immediately after the IC test apparatus is started (ie, the main power of the IC test apparatus is turned on). After the electronic components have been thermally stabilized sufficiently by this warm-up, the necessary test accuracy is ensured by performing automatic calibration (so-called system calibration) of the test signal and the power supply voltage supplied to the IC under test. I have.

【0005】従来のIC試験装置では、ウォームアップ
の実行時間は予め設定されており、常に一定時間のウォ
ームアップが行われる。ウォームアップの実行時間は、
IC試験装置を構成する全ての電子部品が熱的に安定す
るように、通常、30分程度に設定される。
[0005] In the conventional IC test apparatus, the execution time of the warm-up is set in advance, and the warm-up is always performed for a fixed time. The warm-up execution time is
Usually, it is set to about 30 minutes so that all the electronic components constituting the IC test apparatus are thermally stable.

【0006】図6は、従来のIC試験装置における起動
からIC試験の実行までの動作を示すフローチャートで
ある。従来のIC試験装置は、以下のように動作する。
FIG. 6 is a flowchart showing the operation of the conventional IC test apparatus from startup to execution of an IC test. A conventional IC test apparatus operates as follows.

【0007】まず最初に、IC試験装置の主電源が手動
で投入され、IC試験装置が起動する(ステップS10
1)。
First, the main power of the IC test apparatus is manually turned on, and the IC test apparatus is started (step S10).
1).

【0008】起動直後に、ウォームアップの実行を開始
する(ステップS102)。
Immediately after startup, execution of warm-up is started (step S102).

【0009】ウォームアップの実行は所定の時間を経過
するまで継続され(ステップS103)、所定の時間が
経過した時点でウォームアップの実行を停止する(ステ
ップS104)。
The execution of the warm-up is continued until a predetermined time has elapsed (step S103), and when the predetermined time has elapsed, the execution of the warm-up is stopped (step S104).

【0010】さらに、システムキャリブレーションを実
行(ステップS105)した後、IC試験を実行する
(ステップS106)。
Further, after performing system calibration (step S105), an IC test is performed (step S106).

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】近年、IC試験装置の
高機能化および高速化に伴い、IC試験装置の製作コス
トがますます高くなっており、IC試験装置の稼働率の
向上が望まれている。
In recent years, the cost of manufacturing an IC test apparatus has been increasing with the increase in functions and speed of the IC test apparatus, and it has been desired to improve the operation rate of the IC test apparatus. I have.

【0012】一般に、IC試験装置の故障時には、IC
試験装置の主電源を切断して一旦停止し、故障個所を修
復する。修復は故障した回路を基板単位で交換して行わ
れため、修復に要する時間は数分程度である。修復が終
わると、電源が再度投入されて、ウォームアップおよび
システムキャリブレーションをその順で実行した後、I
C試験が再開される。こうして、IC試験装置の復旧が
なされる。
Generally, when a failure occurs in an IC test apparatus, an IC
Turn off the main power supply of the test equipment, temporarily stop, and repair the faulty part. Since the repair is performed by replacing the failed circuit for each board, the time required for the repair is about several minutes. When the repair is completed, the power is turned on again, warm-up and system calibration are performed in that order, and then I
The C test is restarted. Thus, the IC test apparatus is restored.

【0013】本来、故障修復後に必要なウォームアップ
の実行時間は修復に要する時間(すなわち、IC試験装
置の停止時間)に対応して増減するため、修復に要する
時間が短かければ、ウォームアップの実行時間を短縮す
ることが可能である。しかしながら、従来のIC試験装
置では、故障修復の後でも、図6のフローチャートに従
って一定時間のウォームアップが実行される。このた
め、不要な時間がウォームアップに費やされることにな
り、故障時の復旧に要する時間を短縮できない。よっ
て、故障に起因する稼働率の低下が大きいという問題が
ある。
Originally, the execution time of the warm-up required after the repair of the failure increases or decreases in accordance with the time required for the repair (ie, the stop time of the IC test apparatus). Execution time can be reduced. However, in the conventional IC test apparatus, even after the failure is repaired, the warm-up for a certain time is executed according to the flowchart of FIG. For this reason, unnecessary time is spent for warm-up, and the time required for recovery from a failure cannot be reduced. Therefore, there is a problem that the operation rate is greatly reduced due to the failure.

【0014】そこで、本発明の目的は、故障修復後のウ
ォームアップの実行時間を短縮できる半導体集積回路試
験装置およびその故障時の復旧方法を提供することにあ
る。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a semiconductor integrated circuit test apparatus capable of shortening the execution time of warm-up after repairing a failure, and a method of restoring the semiconductor integrated circuit when the failure occurs.

【0015】本発明の他の目的は、故障に起因する稼働
率の低下を抑制できる半導体集積回路試験装置およびそ
の故障時の復旧方法を提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a semiconductor integrated circuit test apparatus capable of suppressing a decrease in the operation rate due to a failure, and a method for restoring the same upon failure.

【0016】[0016]

【課題を解決するための手段】(1) 本発明の半導体
集積回路試験装置は、起動時に動作安定化のためウォー
ムアップが実行される半導体集積回路試験装置であっ
て、故障時に故障発生基板に換えて実装可能な予備基板
と、前記予備基板が実装された時に前記予備基板の温度
を検出する温度検出手段とを備えてなり、前記予備基板
は、実装前に予め加熱されており、しかも、前記予備基
板の実装により前記故障を修復した時に、再起動により
実行される前記ウォームアップを、検出された前記予備
基板の温度に基づき停止することを特徴とする。
(1) A semiconductor integrated circuit test apparatus according to the present invention is a semiconductor integrated circuit test apparatus in which warm-up is performed at the time of start-up to stabilize the operation, and a failure-producing substrate is provided when a failure occurs. A spare board that can be mounted instead, and a temperature detection unit that detects the temperature of the spare board when the spare board is mounted, the spare board is pre-heated before mounting, and When the failure is repaired by mounting the spare board, the warm-up executed by restart is stopped based on the detected temperature of the spare board.

【0017】(2) 本発明の半導体集積回路試験装置
では、前記温度検出手段が、前記故障の修復のために実
装された前記予備基板の温度を検出する。そして、検出
された前記予備基板の温度に基づいて、前記故障の修復
後に実行されるウォームアップが停止される。しかも、
前記予備基板は実装前に予め加熱(すなわち、予備加
熱)されている。
(2) In the semiconductor integrated circuit test device of the present invention, the temperature detecting means detects a temperature of the spare board mounted for repairing the failure. Then, based on the detected temperature of the spare substrate, the warm-up executed after the repair of the failure is stopped. Moreover,
The preliminary board is preheated (ie, preheated) before mounting.

【0018】このため、動作の安定化がなされた直後に
ウォームアップの実行を確実に停止でき、ウォームアッ
プに不要な時間が費やされることがない。さらに、前記
予備基板の予備加熱により、動作の安定化に必要な時間
が短縮される。よって、故障修復後のウォームアップの
実行時間を短縮でき、ひいては、故障に起因する稼働率
の低下が抑制される。
Therefore, the execution of the warm-up can be stopped immediately after the operation is stabilized, and unnecessary time is not spent for the warm-up. Furthermore, the time required for stabilizing the operation is reduced by the preheating of the preliminary substrate. Therefore, the execution time of the warm-up after the repair of the failure can be reduced, and the reduction in the operation rate due to the failure can be suppressed.

【0019】好ましくは、前記予備基板の温度を直接検
出できるように、前記温度検出手段が前記予備基板に設
けられている。
Preferably, the temperature detection means is provided on the spare substrate so that the temperature of the spare substrate can be directly detected.

【0020】(3) なお、特開平9−61503号公
報には、温度変化検出手段により装置内温度を検出する
半導体試験装置が開示されている。しかし、特開平9−
61503号公報の半導体試験装置では、温度変化検出
手段による装置内温度の検出は、装置内の温度変化に応
じて試験信号の遅延時間を調整することによりスキュー
誤差を抑制することを目的として行われるものである。
(3) Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 9-61503 discloses a semiconductor test apparatus in which a temperature change detecting means detects an internal temperature of the apparatus. However, Japanese Patent Application Laid-Open
In the semiconductor test apparatus disclosed in Japanese Patent No. 61503, the detection of the temperature in the apparatus by the temperature change detecting means is performed for the purpose of suppressing the skew error by adjusting the delay time of the test signal according to the temperature change in the apparatus. Things.

【0021】他方、特開平10−170603号公報に
は、温度検出手段によりICテスタ内の雰囲気温度を検
出するICテスタのキャリブレーション方法が開示され
ている。しかし、特開平10−170603号公報のI
Cテスタのキャリブレーション方法では、温度検出手段
によるICテスタ内の雰囲気温度の検出は、キャリブレ
ーションを行うか否かを判断するためのものであり、キ
ャリブレーション時間の短縮を目的として行われるもの
である。
On the other hand, Japanese Patent Laying-Open No. 10-170603 discloses a method of calibrating an IC tester in which an ambient temperature in the IC tester is detected by a temperature detecting means. However, Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-170603 discloses I
In the calibration method of the C tester, the detection of the ambient temperature in the IC tester by the temperature detection means is for determining whether or not to perform the calibration, and is performed for the purpose of shortening the calibration time. is there.

【0022】さらに、特開昭63−163290号公報
や特開平4−190175号公報にも温度センサを有す
るIC検査装置が開示されている。しかし、これらの公
報のIC検査装置においても、温度センサによる温度の
検出は、試験信号のタイミングを調整してスキュー精度
を向上させることを目的とするものである。
Further, Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 63-163290 and 4-190175 also disclose an IC inspection apparatus having a temperature sensor. However, even in the IC inspection apparatuses disclosed in these publications, the temperature detection by the temperature sensor is intended to improve the skew accuracy by adjusting the timing of the test signal.

【0023】したがって、検出された予備基板の温度に
基づいてウォームアップを停止することによって故障修
復後のウォームアップの実行時間を短縮し、故障に起因
する稼働率の低下を抑制することを目的とする本発明と
上記特開平9−61503号公報、特開平10−170
603号公報、特開昭63−163290号公報および
特開平4−190175号公報とは明らかに異なる。
Therefore, the purpose of the present invention is to stop the warm-up based on the detected temperature of the spare substrate, thereby shortening the execution time of the warm-up after the repair of the failure and suppressing the decrease in the operation rate caused by the failure. Of the present invention and the above-mentioned JP-A-9-61503 and JP-A-10-170
603, JP-A-63-163290 and JP-A-4-190175 are clearly different.

【0024】(4) 本発明の半導体集積回路試験装置
の好ましい例では、前記予備基板に複数の前記温度検出
手段が設けられており、それらの複数の前記温度検出手
段のそれぞれが検出した温度の最小値を前記予備基板の
温度とする。この場合、前記予備基板に温度分布が生じ
ても、その温度分布の影響を受け難くなる利点がある。
(4) In a preferred example of the semiconductor integrated circuit testing apparatus of the present invention, the spare substrate is provided with a plurality of the temperature detecting means, and the temperature detected by each of the plurality of the temperature detecting means is determined. Let the minimum value be the temperature of the spare substrate. In this case, even if a temperature distribution occurs in the spare substrate, there is an advantage that the temperature distribution is less likely to be affected.

【0025】本発明の半導体集積回路試験装置の他の好
ましい例では、前記温度検出手段が前記予備基板の接地
配線領域に密着して設けられている。この場合、接地配
線領域が比較的大きい比熱を持つため、前記接地配線領
域では急激な温度の変動が抑制される。また、前記接地
配線領域に密着させることにより、前記温度検出手段へ
の熱伝導が促進される。したがって、外乱の影響を受け
難くなり、前記予備基板の温度をより正確に検出できる
利点がある。
In another preferred embodiment of the semiconductor integrated circuit testing apparatus according to the present invention, the temperature detecting means is provided in close contact with a ground wiring region of the spare substrate. In this case, since the ground wiring region has a relatively large specific heat, a rapid change in temperature is suppressed in the ground wiring region. In addition, by closely adhering to the ground wiring region, heat conduction to the temperature detecting means is promoted. Therefore, there is an advantage that the temperature of the spare substrate can be detected more accurately because the influence of disturbance is less.

【0026】本発明の半導体集積回路試験装置のさらに
他の好ましい例では、前記温度検出手段が、縦続接続さ
れた複数の位相反転器と、初段の前記位相反転器への入
力信号と最終段の前記位相比較器の出力信号との位相差
を検出する位相比較器とを有しており、前記位相比較手
段が、実装された前記予備基板の温度に対応する信号を
前記制御手段に出力する。
In still another preferred embodiment of the semiconductor integrated circuit test apparatus according to the present invention, the temperature detecting means includes a plurality of phase inverters connected in cascade, an input signal to the first-stage phase inverter, and a final-stage A phase comparator for detecting a phase difference from an output signal of the phase comparator. The phase comparator outputs a signal corresponding to a temperature of the mounted spare board to the controller.

【0027】本発明の半導体集積回路試験装置のさらに
他の好ましい例では、前記予備基板の実装予定位置に隣
接して設けられた予備基板保持手段をさらに備えてお
り、実装前の前記予備基板が前記予備基板保持手段に保
持されており、もって前記予備基板が実装前に予め加熱
される。
In still another preferred embodiment of the semiconductor integrated circuit test apparatus of the present invention, the apparatus further comprises a spare board holding means provided adjacent to a mounting position of the spare board, wherein the spare board before mounting is provided. The preliminary substrate is held by the preliminary substrate holding means, so that the preliminary substrate is heated in advance before mounting.

【0028】本発明の半導体集積回路試験装置のさらに
他の好ましい例では、収納された実装前の前記予備基板
を加熱可能な予備基板保管手段をさらに備えている。
In still another preferred embodiment of the semiconductor integrated circuit testing apparatus according to the present invention, the semiconductor integrated circuit testing apparatus further includes a spare board storage means capable of heating the accommodated spare board before mounting.

【0029】(5) 本発明の半導体集積回路試験装置
の故障時の復旧方法は、起動時に動作安定化のためウォ
ームアップが実行される半導体集積回路試験装置の故障
時の復旧方法であって、故障時に故障発生基板に換えて
予め加熱された予備基板を実装し、前記故障を修復する
ステップと、前記故障を修復した後、再起動して前記ウ
ォームアップを実行するステップと、前記ウォームアッ
プの実行中に、実装された前記予備基板の温度を検出す
るステップと、検出された前記予備基板の温度に基づき
前記ウォームアップを停止するステップとを備えること
を特徴とする。
(5) The method for restoring a failure of a semiconductor integrated circuit test apparatus according to the present invention is a method for restoring a failure of a semiconductor integrated circuit test apparatus in which a warm-up is performed for stabilizing operation at startup. Mounting a pre-heated spare board in place of the faulty board when a fault occurs, repairing the fault, repairing the fault, restarting and executing the warm-up, During execution, the method includes a step of detecting a temperature of the mounted spare board and a step of stopping the warm-up based on the detected temperature of the spare board.

【0030】(6) 本発明の半導体集積回路試験装置
の故障時の復旧方法では、故障発生基板に換えて予め加
熱された予備基板を実装して前記故障を修復した後、再
起動して前記ウォームアップを実行し、前記ウォームア
ップを実行中に検出された前記予備基板の温度に基づき
前記ウォームアップを停止する。
(6) In the method for restoring a failure of a semiconductor integrated circuit test apparatus according to the present invention, a spare board which has been heated in advance is mounted in place of the failed board, and the failure is repaired. Warm-up is performed, and the warm-up is stopped based on the temperature of the spare substrate detected during the warm-up.

【0031】このため、本発明の半導体集積回路試験装
置で述べたと同じ理由で、故障修復後のウォームアップ
の実行時間を短縮でき、ひいては、故障に起因する稼働
率の低下が抑制される。
Therefore, for the same reason as described in the semiconductor integrated circuit test apparatus of the present invention, the execution time of the warm-up after the repair of the failure can be shortened, and the reduction of the operation rate caused by the failure can be suppressed.

【0032】(7) 本発明の半導体集積回路試験装置
の故障時の復旧方法の好ましい例では、前記予備基板の
複数の部位の温度を検出し、複数の部位の温の最小値を
前記予備基板の温度とする。この場合、前記予備基板に
温度分布が生じても、その温度分布の影響を受け難くな
る利点がある。
(7) In a preferred example of the method for restoring a failure of the semiconductor integrated circuit test apparatus of the present invention, the temperatures of a plurality of parts of the spare board are detected, and the minimum values of the temperatures of the plurality of parts are determined by the spare board. Temperature. In this case, even if a temperature distribution occurs in the spare substrate, there is an advantage that the temperature distribution is less likely to be affected.

【0033】[0033]

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
を添付図面を参照しながら具体的に説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be specifically described below with reference to the accompanying drawings.

【0034】図1は、本発明の一実施形態のIC試験装
置の構成を示す。
FIG. 1 shows the configuration of an IC test apparatus according to one embodiment of the present invention.

【0035】図1に示すように、当該IC試験装置は、
CPU(Central Processing Unit、中央演算処理装
置)1と、メモリ2と、タイミング制御部10と、デバ
イス電源部20と、ピンエレクトロニクス部30と、故
障修復用予備基板15、25、35とを備えている。
As shown in FIG. 1, the IC test apparatus is
A CPU (Central Processing Unit) 1, a memory 2, a timing control unit 10, a device power supply unit 20, a pin electronics unit 30, and a failure repair spare board 15, 25, 35 are provided. I have.

【0036】CPU1は、所定の制御プログラムに基づ
いて当該IC試験装置の全体の制御を行うものであり、
バスライン3に電気的に接続されている。当該IC試験
装置の故障時には、CPU1は、制御プログラムの一部
分である故障診断プログラムを実行して、故障箇所の特
定を行う。
The CPU 1 controls the entire IC test apparatus based on a predetermined control program.
It is electrically connected to the bus line 3. When the IC test apparatus fails, the CPU 1 executes a failure diagnosis program, which is a part of the control program, to specify a failure location.

【0037】メモリ2は、制御プログラムおよび所定の
データを格納するものであり、バスライン3に電気的に
接続されている。
The memory 2 stores a control program and predetermined data, and is electrically connected to the bus line 3.

【0038】タイミング制御部10は、バスライン3に
電気的に接続されたインターフェース11と、タイミン
グ制御回路16および温度検出部17がそれぞれ設けら
れた複数の基板とを有している。実際には、被試験IC
(図示せず)の入出力ピン数に対応した数の基板を有し
ているが、ここでは、図面を簡略化するため2つの基板
13、14を図示している。以下、タイミング制御部1
0が基板13、14のみを有するとして説明する。
The timing control section 10 has an interface 11 electrically connected to the bus line 3 and a plurality of substrates provided with a timing control circuit 16 and a temperature detection section 17, respectively. Actually, the IC under test
Although the number of substrates corresponds to the number of input / output pins (not shown), two substrates 13 and 14 are shown here to simplify the drawing. Hereinafter, the timing control unit 1
It is assumed that 0 has only the substrates 13 and 14.

【0039】基板13、14のタイミング制御回路16
は、クロックパルスや判定ストローブなどのタイミング
信号を生成するものである。基板13、14の温度検出
部17は、基板13、14の温度を検出するものであ
る。
The timing control circuit 16 for the substrates 13 and 14
Generates a timing signal such as a clock pulse and a determination strobe. The temperature detector 17 of the substrates 13 and 14 detects the temperature of the substrates 13 and 14.

【0040】基板13、14は、対応する実装用ソケッ
ト18にそれぞれ装着されてタイミング制御部10に実
装されている。実装用ソケット18はフレーム7にそれ
ぞれ固定されており、実装用ソケット18にはバスライ
ン12との電気的な接続がそれぞれなされている。この
ため、基板13、14のタイミング制御回路16および
温度検出部17は、対応する実装用ソケット18を介し
てインターフェース11にそれぞれ電気的に接続されて
いる。基板13、14の温度検出部17は、検出した温
度に基づく温度データ信号TD1、TD2をバスライン
12にそれぞれ出力する。
The boards 13 and 14 are mounted on the timing control section 10 by being mounted on corresponding mounting sockets 18, respectively. The mounting sockets 18 are fixed to the frame 7, respectively, and the mounting sockets 18 are electrically connected to the bus lines 12, respectively. For this reason, the timing control circuit 16 and the temperature detection unit 17 of the substrates 13 and 14 are electrically connected to the interface 11 via the corresponding mounting sockets 18, respectively. The temperature detectors 17 of the substrates 13 and 14 output temperature data signals TD1 and TD2 based on the detected temperatures to the bus lines 12, respectively.

【0041】図2は、基板13の温度検出部17の構成
を示す。
FIG. 2 shows the structure of the temperature detecting section 17 of the substrate 13.

【0042】図2の温度検出部17は、基板13の上に
設けられた2つの温度センサ41a、41bと、温度デ
ータ生成部43とを有している。温度センサ41a、4
1bは、基板13の所定部分の温度をそれぞれ検出し、
検出した温度に対応した出力信号TS1、TS2を温度
データ生成部43にそれぞれ供給する。温度データ生成
部43は、温度センサ41a、41bの出力信号TS
1、TS2に基づいて温度データ信号TD1を生成し、
バスライン12に出力する。
The temperature detector 17 in FIG. 2 has two temperature sensors 41 a and 41 b provided on the substrate 13 and a temperature data generator 43. Temperature sensors 41a, 4
1b detects the temperature of a predetermined portion of the substrate 13 respectively,
Output signals TS1 and TS2 corresponding to the detected temperature are supplied to the temperature data generator 43, respectively. The temperature data generator 43 outputs the output signals TS of the temperature sensors 41a and 41b.
1. Generate a temperature data signal TD1 based on TS2,
Output to the bus line 12.

【0043】温度センサ41a、41bは、基板13の
表面に形成された2つのアース・プレーン(すなわち、
接地配線領域)42a、42bにそれぞれ密着して設け
られている。アース・プレーン42a、42bは、通
常、基体としての銅材に金メッキやはんだメッキが施さ
れたものが使用されており、エポキシ材などからなる基
板13本体に比べて大きな熱容量を持つ。このため、ア
ース・プレーン42a、42bでは、急激な熱変動が起
こり難く、温度が安定している。こうした特性を持つア
ース・プレーン42a、42bに温度センサ41a、4
1bを密着させることにより、熱の外乱に対する耐性が
高まり、安定した出力信号TS1、TS2を得ることが
できる。すなわち、基板13の温度をより正確に検出で
きる。
The temperature sensors 41a and 41b are connected to two ground planes (ie, two ground planes) formed on the surface of the substrate 13.
Ground wiring areas) 42a and 42b are provided in close contact with each other. The ground planes 42a and 42b are generally made of a copper material as a base, which is plated with gold or solder, and has a larger heat capacity than the substrate 13 made of an epoxy material or the like. For this reason, in the ground planes 42a and 42b, rapid heat fluctuation hardly occurs, and the temperature is stable. The temperature sensors 41a, 4b are attached to the ground planes 42a, 42b having these characteristics.
By adhering 1b, resistance to heat disturbance is increased, and stable output signals TS1 and TS2 can be obtained. That is, the temperature of the substrate 13 can be detected more accurately.

【0044】なお、図2の温度検出部17は、2つの温
度センサ41a、41bを有しているが、これは基板1
3に温度分布が生じた場合を考慮しているからである。
すなわち、温度センサ41a、41bの検出した温度の
低い方を基板13の温度とすればよい。そうすれば、温
度分布の影響を受け難くなる。温度分布の程度によって
は、温度センサ41a、41bの他にさらに多数の温度
センサを設けることも有効である。
The temperature detecting section 17 shown in FIG. 2 has two temperature sensors 41a and 41b.
This is because consideration is given to the case where a temperature distribution occurs in No. 3.
That is, the lower one of the temperatures detected by the temperature sensors 41a and 41b may be set as the temperature of the substrate 13. Then, it is less likely to be affected by the temperature distribution. Depending on the degree of the temperature distribution, it is effective to provide more temperature sensors in addition to the temperature sensors 41a and 41b.

【0045】逆に、温度センサ41a、41bのいずれ
か一方だけを設けてもよい。その場合には、後述するウ
ォームアップ停止の判定条件の温度範囲を高く設定す
る。そうすれば、温度分布の影響を受け難くなる。
Conversely, only one of the temperature sensors 41a and 41b may be provided. In that case, the temperature range of the determination condition of the warm-up stop described later is set high. Then, it is less likely to be affected by the temperature distribution.

【0046】図3は、温度センサ41aの具体例を示
す。
FIG. 3 shows a specific example of the temperature sensor 41a.

【0047】図3の温度センサ41aは、縦続接続され
た7つの位相反転器(インバータ)61a、61b、6
1c、61d、61e、61f、61gと、位相比較器
62とを備えたICからなる。
The temperature sensor 41a shown in FIG. 3 comprises seven cascaded phase inverters (inverters) 61a, 61b, 6
It comprises an IC having 1c, 61d, 61e, 61f, 61g and a phase comparator 62.

【0048】第1段の位相反転器61aには基準信号B
Sが入力され、基準信号BSの位相を反転した信号が位
相反転器61aから出力される。基準信号BSとして
は、例えば、タイミング制御回路16で生成されるクロ
ックパルスを使用する。
The reference signal B is supplied to the first-stage phase inverter 61a.
S is input, and a signal obtained by inverting the phase of the reference signal BS is output from the phase inverter 61a. As the reference signal BS, for example, a clock pulse generated by the timing control circuit 16 is used.

【0049】第2段〜第7段の位相反転器61b、61
c、61d、61e、61f、61gには第1段〜第6
段の位相反転器61a、61b、61c、61d、61
e、61fの出力信号がそれぞれ入力され、位相反転器
61a、61b、61c、61d、61e、61fの出
力信号の位相を反転した信号が位相反転器61b、61
c、61d、61e、61f、61gからそれぞれ出力
される。位相反転器61gの出力信号PSは、位相比較
器62の一方の入力端子に供給される。
The second to seventh stage phase inverters 61b, 61
c, 61d, 61e, 61f, and 61g have the first to sixth stages.
Stage phase inverters 61a, 61b, 61c, 61d, 61
e and 61f are input, and the signals obtained by inverting the phases of the output signals of the phase inverters 61a, 61b, 61c, 61d, 61e and 61f are phase inverters 61b and 61f.
c, 61d, 61e, 61f, and 61g. The output signal PS of the phase inverter 61g is supplied to one input terminal of the phase comparator 62.

【0050】位相比較器62の他方の入力端子には、基
準信号BSが供給される。位相比較器62は、基準信号
BSと位相反転器61gの出力信号PSの位相差に対応
する信号TS1を出力する。
A reference signal BS is supplied to the other input terminal of the phase comparator 62. The phase comparator 62 outputs a signal TS1 corresponding to the phase difference between the reference signal BS and the output signal PS of the phase inverter 61g.

【0051】上記の構成からなる温度センサ41aは、
位相反転器61a、61b、61c、61d、61e、
61f、61gの出力信号の位相が動作温度に対応して
変化することを利用したものである。すなわち、動作温
度が高くなるに従い、位相反転器61gの出力信号PS
の位相ずれが大きくなり、位相比較器62の出力信号T
S1も大きくなる。こうして、動作温度(すなわち、基
板13の温度)に対応した信号が得られるのである。
The temperature sensor 41a having the above configuration is
Phase inverters 61a, 61b, 61c, 61d, 61e,
This is based on the fact that the phases of the output signals 61f and 61g change according to the operating temperature. That is, as the operating temperature increases, the output signal PS of the phase inverter 61g increases.
Becomes larger, and the output signal T of the phase comparator 62 becomes larger.
S1 also increases. Thus, a signal corresponding to the operating temperature (that is, the temperature of the substrate 13) is obtained.

【0052】なお、温度センサ41bも上記の温度セン
サ41aと同一の構成を持つ。
The temperature sensor 41b has the same configuration as the above-mentioned temperature sensor 41a.

【0053】ここからは、再び図1の説明に戻る。From here, the description returns to FIG.

【0054】デバイス電源部20は、バスライン3に電
気的に接続されたインターフェース21と、デバイス電
源回路26および温度検出部27がそれぞれ設けられた
複数の基板とを有している。実際には、タイミング制御
部10と同様に、被試験ICの入出力ピン数に対応した
数の基板を有しているが、ここでは、図面を簡略化する
ため2つの基板23、24を示している。以下、デバイ
ス電源部20が基板23、24のみを有するとして説明
する。
The device power supply section 20 has an interface 21 electrically connected to the bus line 3 and a plurality of substrates provided with a device power supply circuit 26 and a temperature detection section 27, respectively. Actually, as in the case of the timing control unit 10, the number of substrates corresponds to the number of input / output pins of the IC under test. However, here, two substrates 23 and 24 are shown to simplify the drawing. ing. Hereinafter, a description will be given assuming that the device power supply unit 20 has only the substrates 23 and 24.

【0055】基板23、24のデバイス電源回路26
は、被試験ICに電源電圧を供給するものである。基板
23、24の温度検出部27は、基板23、24の温度
を検出するものであり、温度検出部17と実質的に同じ
構成を持つ。
The device power supply circuit 26 of the substrates 23 and 24
Supplies a power supply voltage to the IC under test. The temperature detectors 27 of the substrates 23 and 24 detect the temperatures of the substrates 23 and 24 and have substantially the same configuration as the temperature detector 17.

【0056】基板23、24は、対応する実装用ソケッ
ト28にそれぞれ装着されてデバイス電源部20に実装
されている。実装用ソケット28はフレーム8にそれぞ
れ固定されており、実装用ソケット28にはバスライン
22との電気的な接続がそれぞれなされている。このた
め、基板23、24のデバイス電源回路26および温度
検出部27は対応する実装用ソケット28を介してイン
ターフェース21にそれぞれ電気的に接続される。基板
23、24の温度検出部27は、検出した温度に基づく
温度データ信号TD3、TD4をバスライン22にそれ
ぞれ出力する。
The substrates 23 and 24 are mounted on the device power supply unit 20 by being mounted on corresponding mounting sockets 28, respectively. The mounting sockets 28 are fixed to the frame 8, respectively, and the mounting sockets 28 are electrically connected to the bus lines 22, respectively. Therefore, the device power supply circuit 26 and the temperature detection unit 27 of the substrates 23 and 24 are electrically connected to the interface 21 via the corresponding mounting sockets 28, respectively. The temperature detectors 27 of the substrates 23 and 24 output temperature data signals TD3 and TD4 based on the detected temperatures to the bus lines 22, respectively.

【0057】ピンエレクトロニクス部30は、バスライ
ン3に電気的に接続されたインターフェース31と、ピ
ンエレクトロニクス回路36および温度検出部37がそ
れぞれ設けられた複数の基板とを備えている。実際に
は、タイミング制御部10と同様に、被試験ICの入出
力ピン数に対応した数の基板を有しているが、ここで
は、図面を簡略化するため2つの基板33、34を図示
している。以下、ピンエレクトロニクス部30が基板3
3、34のみを有するとして説明する。
The pin electronics section 30 includes an interface 31 electrically connected to the bus line 3 and a plurality of substrates provided with the pin electronics circuit 36 and the temperature detection section 37, respectively. Actually, similarly to the timing control unit 10, the number of substrates corresponds to the number of input / output pins of the IC under test. However, here, two substrates 33 and 34 are illustrated in order to simplify the drawing. Is shown. Hereinafter, the pin electronics section 30 is
Description will be made assuming that only three and 34 are provided.

【0058】基板33、34のピンエレクトロニクス回
路36は、被試験ICに試験用信号を供給すると共に被
試験ICからの出力信号とメモリ2に予め格納された所
定の期待値との比較を行うものである。基板33、34
の温度検出部37は、基板33、34の温度を検出する
ものであり、温度検出部17と実質的に同じ構成を持
つ。
The pin electronics circuits 36 of the substrates 33 and 34 supply a test signal to the IC under test and compare the output signal from the IC under test with a predetermined expected value stored in the memory 2 in advance. It is. Substrates 33, 34
The temperature detecting section 37 detects the temperature of the substrates 33 and 34 and has substantially the same configuration as the temperature detecting section 17.

【0059】基板33、34は、対応する実装用ソケッ
ト38にそれぞれ装着されてピンエレクトロニクス部3
0に実装されている。実装用ソケット38はフレーム9
にそれぞれ固定されており、実装用ソケット38にはバ
スライン32との電気的な接続がそれぞれなされてい
る。このため、基板33、34のピンエレクトロニクス
回路36および温度検出部37は対応する実装用ソケッ
ト38を介してインターフェース31にそれぞれ電気的
に接続される。基板33、34の温度検出部37は、検
出した温度に基づく温度データ信号TD5、TD6をバ
スライン32にそれぞれ出力する。
The boards 33 and 34 are mounted on the corresponding mounting sockets 38, respectively.
0 is implemented. The mounting socket 38 is the frame 9
The mounting socket 38 is electrically connected to the bus line 32. For this reason, the pin electronics circuit 36 and the temperature detecting section 37 of the boards 33 and 34 are electrically connected to the interface 31 via the corresponding mounting sockets 38, respectively. The temperature detectors 37 of the substrates 33 and 34 output temperature data signals TD5 and TD6 based on the detected temperatures to the bus lines 32, respectively.

【0060】上記のCPU1、メモリ2、タイミング制
御部10、デバイス電源部20およびピンエレクトロニ
クス部30により、IC試験が実行される。
An IC test is executed by the CPU 1, the memory 2, the timing control section 10, the device power supply section 20, and the pin electronics section 30.

【0061】予備基板15は、基板13、14と同じの
タイミング制御回路16および温度検出部17を有して
おり、ダミー・ソケット19に装着されている。ダミー
・ソケット19は実装用ソケット18と同様にフレーム
7に固定されているが、ダミー・ソケット19にはバス
ライン12との電気的な接続はなされていない。このた
め、予備基板15のタイミング制御回路16および温度
検出部17は、インターフェース11に電気的に接続さ
れていない。
The spare board 15 has the same timing control circuit 16 and temperature detecting section 17 as the boards 13 and 14, and is mounted on the dummy socket 19. The dummy socket 19 is fixed to the frame 7 like the mounting socket 18, but the dummy socket 19 is not electrically connected to the bus line 12. For this reason, the timing control circuit 16 and the temperature detection unit 17 of the spare board 15 are not electrically connected to the interface 11.

【0062】予備基板25は、基板23、24と同じの
デバイス電源回路26および温度検出部27を有してお
り、ダミー・ソケット29に装着されている。ダミー・
ソケット29は実装用ソケット28と同様にフレーム8
に固定されているが、ダミー・ソケット29にはバスラ
イン22との電気的な接続はなされていない。このた
め、予備基板25のデバイス電源回路26および温度検
出部27は、インターフェース21に電気的に接続され
ていない。
The spare board 25 has the same device power supply circuit 26 and temperature detecting section 27 as the boards 23 and 24, and is mounted on the dummy socket 29. dummy·
The socket 29 is the same as the mounting socket 28 for the frame 8.
However, the dummy socket 29 is not electrically connected to the bus line 22. Therefore, the device power supply circuit 26 and the temperature detection unit 27 of the spare board 25 are not electrically connected to the interface 21.

【0063】予備基板35は、基板33、34と同じの
ピンエレクトロニクス回路36および温度検出部37を
有しており、ダミー・ソケット39に装着されている。
ダミー・ソケット39は実装用ソケット38と同様にフ
レーム9に固定されているが、ダミー・ソケット39に
はバスライン32との電気的な接続はなされていない。
このため、予備基板35のピンエレクトロニクス回路3
6および温度検出部37は、インターフェース31に電
気的に接続されていない。
The spare board 35 has the same pin electronics circuit 36 and temperature detecting section 37 as the boards 33 and 34, and is mounted on the dummy socket 39.
The dummy socket 39 is fixed to the frame 9 similarly to the mounting socket 38, but the dummy socket 39 is not electrically connected to the bus line 32.
For this reason, the pin electronics circuit 3 of the spare board 35
6 and the temperature detector 37 are not electrically connected to the interface 31.

【0064】図1のIC試験装置では、基板13、14
のいずれか一方を実装用ソケット18から取り外し、予
備基板15を実装用ソケット18のいずれか一方に装着
することにより、タイミング制御回路16に故障が生じ
た際に、基板単位で交換できる。デバイス電源回路26
とピンエレクトロニクス回路36についても同様に、基
板単位での交換が可能である。
In the IC test apparatus shown in FIG.
Is removed from the mounting socket 18, and the spare board 15 is mounted on one of the mounting sockets 18, so that when a failure occurs in the timing control circuit 16, the board can be replaced in units of boards. Device power supply circuit 26
Similarly, the pin electronics circuit 36 can be replaced on a board basis.

【0065】図4は、基板13、14および予備基板1
5が実装用ソケット18およびダミー・ソケット19に
装着された状態を示す。
FIG. 4 shows the substrates 13 and 14 and the spare substrate 1
5 shows a state of being mounted on the mounting socket 18 and the dummy socket 19.

【0066】図4に示すように、実装用ソケット18お
よびダミー・ソケット19は、装着された基板13、1
4および基板15のそれぞれの表面が所定の間隔で対向
するように、隣接して配置されている。このため、基板
13、14のタイミング制御回路16が動作中に熱を発
生すると、輻射または対流によって予備基板15が実装
前に予め加熱(すなわち、予備加熱)される。この予備
加熱が十分に行われた場合、予備基板15は基板13と
ほぼ同等の温度(例えば、約50℃)になる。
As shown in FIG. 4, the mounting socket 18 and the dummy socket 19 are
4 and the substrate 15 are arranged adjacent to each other such that their respective surfaces face each other at a predetermined interval. For this reason, when the timing control circuit 16 of the boards 13 and 14 generates heat during operation, the spare board 15 is preheated (that is, preheated) by radiation or convection before mounting. When the preliminary heating is sufficiently performed, the temperature of the preliminary substrate 15 becomes substantially equal to that of the substrate 13 (for example, about 50 ° C.).

【0067】基板23、24および予備基板25が実装
用ソケット28およびダミー・ソケット29に装着され
た状態は、基板13、14および予備基板15の場合と
同様である。また、基板33、34および予備基板35
が実装用ソケット38およびダミー・ソケット39に装
着された状態も、基板13、14および予備基板15の
場合と同様である。したがって、基板23、24のデバ
イス電源回路26の動作中に、予備基板25は基板2
3、24とほぼ同等の温度になるまで予備加熱される。
基板33、34のピンエレクトロニクス回路36の動作
中に、予備基板35は基板33、34とほぼ同等の温度
になるまで予備加熱される。
The state in which the boards 23 and 24 and the spare board 25 are mounted on the mounting socket 28 and the dummy socket 29 is the same as in the case of the boards 13 and 14 and the spare board 15. Further, the substrates 33 and 34 and the spare substrate 35
Is mounted on the mounting socket 38 and the dummy socket 39 in the same manner as in the case of the boards 13, 14 and the spare board 15. Therefore, during the operation of the device power supply circuit 26 of the substrates 23 and 24, the spare substrate 25
Preheating is performed until the temperature becomes substantially equal to that of 3, 24.
During the operation of the pin electronics circuit 36 on the substrates 33, 34, the preliminary substrate 35 is preheated to a temperature substantially equal to that of the substrates 33, 34.

【0068】次に、温度検出部17、27、37による
温度の検出と、CPU1によるウォームアップの制御に
関する動作を図1および図2を用いて説明する。
Next, the operation of detecting the temperature by the temperature detectors 17, 27 and 37 and controlling the warm-up by the CPU 1 will be described with reference to FIGS.

【0069】図1のIC試験装置が起動すると、タイミ
ング制御部10、デバイス電源部20およびピンエレク
トロニクス部30にそれぞれ通電がなされてウォームア
ップの実行が開始される。
When the IC test apparatus shown in FIG. 1 is started, power is supplied to the timing control unit 10, the device power supply unit 20, and the pin electronics unit 30, and the warm-up is started.

【0070】このウォームアップの開始直後から、基板
13、14の温度検出部17は、基板13、14の温度
をそれぞれ検出し、温度データ信号TD1、TD2をバ
スライン12にそれぞれ出力する。同様に、基板23、
24の温度検出部27は、基板23、24の温度をそれ
ぞれ検出し、温度データ信号TD3、TD4をバスライ
ン22にそれぞれ出力する。また、基板33、34の温
度検出部37は、基板33、34の温度をそれぞれ検出
し、温度データ信号TD5、TD6をバスライン32に
それぞれ出力する。バスライン12、22、32にそれ
ぞれ出力された温度データ信号TD1、TD2、温度デ
ータ信号TD3、TD4、および温度データ信号TD
5、TD6は、インターフェース11、21、31を介
してバスライン3にそれぞれ供給される。
Immediately after the start of the warm-up, the temperature detectors 17 of the substrates 13 and 14 detect the temperatures of the substrates 13 and 14, respectively, and output the temperature data signals TD1 and TD2 to the bus line 12, respectively. Similarly, the substrate 23,
The 24 temperature detectors 27 detect the temperatures of the substrates 23 and 24, respectively, and output the temperature data signals TD3 and TD4 to the bus line 22, respectively. The temperature detectors 37 of the boards 33 and 34 detect the temperatures of the boards 33 and 34, respectively, and output the temperature data signals TD5 and TD6 to the bus line 32, respectively. Temperature data signals TD1, TD2, temperature data signals TD3, TD4, and temperature data signal TD output to bus lines 12, 22, 32, respectively.
5 and TD6 are supplied to the bus line 3 via the interfaces 11, 21, and 31, respectively.

【0071】CPU1は、ウォームアップの経過時間を
計測(タイムカウント)すると共に、メモリ2に格納さ
れた制御プログラムを実行して基板13、14、23、
24、33、34のうち予め指定された基板の温度を監
視する。基板の指定は、作業者のCPU1に対する指令
によりなされる。以下、基板13が指定されたと仮定し
て説明する。
The CPU 1 measures the elapsed time of the warm-up (time count) and executes the control program stored in the memory 2 to execute the board 13, 14, 23,
The temperature of the substrate designated in advance among 24, 33, and 34 is monitored. The designation of the board is performed by a command from the operator to the CPU 1. Hereinafter, the description will be made assuming that the substrate 13 is specified.

【0072】CPU1は、バスライン3から供給された
温度データ信号TD1、TD2、TD3、TD4、TD
5、TD6の中から、基板13の温度に対応する温度デ
ータ信号TD1のみを抽出する。そして、基板13の温
度が所定の条件を満たしているか否かをCPU1が判定
する。判定に使用される条件は、タイミング制御回路1
6、デバイス電源回路26およびピンエレクトロニクス
回路36の動作が安定するように、基板13、14、2
3、24、33、34のそれぞれについて設定されてお
り、メモリ2に予め格納されている。ここでは、指定さ
れた基板13の判定条件が適用される。
The CPU 1 receives the temperature data signals TD1, TD2, TD3, TD4, TD supplied from the bus line 3.
5. Only the temperature data signal TD1 corresponding to the temperature of the substrate 13 is extracted from TD6. Then, the CPU 1 determines whether the temperature of the substrate 13 satisfies a predetermined condition. The condition used for the determination is the timing control circuit 1
6, so that the operation of the device power supply circuit 26 and the pin electronics circuit 36 is stabilized,
3, 24, 33, and 34 are set and stored in the memory 2 in advance. Here, the specified determination condition of the substrate 13 is applied.

【0073】基板13の場合、温度データ信号TD1は
図2の温度センサ41a、41bによりそれぞれ検出さ
れた温度を示しており、より低い方の温度が基板13の
温度とされる。そして、その基板13の温度が所定の温
度範囲内にある否かをCPU1が判定する。
In the case of the substrate 13, the temperature data signal TD 1 indicates the temperatures detected by the temperature sensors 41 a and 41 b in FIG. 2, respectively, and the lower temperature is the temperature of the substrate 13. Then, the CPU 1 determines whether or not the temperature of the substrate 13 is within a predetermined temperature range.

【0074】基板13の温度が所定の温度範囲内にある
場合、CPU1は制御データ信号CD1、CD2、CD
3、CD4、CD5、CD6をバスライン3にそれぞれ
出力する。
When the temperature of substrate 13 is within a predetermined temperature range, CPU 1 transmits control data signals CD1, CD2, CD
3, CD4, CD5, and CD6 are output to the bus line 3, respectively.

【0075】基板13の温度が所定の温度範囲外の場
合、CPU1は計測したウォームアップの経過時間が所
定の制限時間を超過しているか否かを判定する。制限時
間を超えない場合、そのままウォームアップを継続す
る。制限時間を超えた場合、警報を発するなどのエラー
処理を行う。
If the temperature of the substrate 13 is out of the predetermined temperature range, the CPU 1 determines whether or not the measured warm-up elapsed time exceeds a predetermined time limit. If the time limit is not exceeded, warm-up is continued. If the time limit is exceeded, error processing such as issuing an alarm is performed.

【0076】CPU1から出力された制御データ信号C
D1、CD2は、インターフェース11およびバスライ
ン12を介して、基板13、14のタイミング制御回路
16にそれぞれ供給される。制御データ信号CD3、C
D4は、インターフェース21およびバスライン22を
介して、基板23、24のデバイス電源回路26にそれ
ぞれ供給される。制御データ信号CD5、CD6は、イ
ンターフェース31およびバスライン32を介して、基
板33、34のピンエレクトロニクス回路36にそれぞ
れ供給される。
Control data signal C output from CPU 1
D1 and CD2 are supplied to the timing control circuit 16 of the substrates 13 and 14 via the interface 11 and the bus line 12, respectively. Control data signals CD3, C
D4 is supplied to the device power supply circuits 26 of the substrates 23 and 24 via the interface 21 and the bus line 22, respectively. The control data signals CD5 and CD6 are supplied to the pin electronics circuits 36 of the substrates 33 and 34 via the interface 31 and the bus line 32, respectively.

【0077】基板13、14のタイミング制御回路16
は、供給された制御データ信号CD1、CD2に基づい
て、ウォームアップの実行をそれぞれ停止すると共に、
システムキャリブレーションをそれぞれ実行する。基板
23、24のデバイス電源回路26は、供給された制御
データ信号CD3、CD4に基づいて、ウォームアップ
の実行をそれぞれ停止すると共に、システムキャリブレ
ーションをそれぞれ実行する。基板33、34のピンエ
レクトロニクス回路36は、供給された制御データ信号
CD5、CD6に基づいて、ウォームアップの実行をそ
れぞれ停止すると共に、システムキャリブレーションを
それぞれ実行する。
The timing control circuit 16 of the substrates 13 and 14
Stops the execution of the warm-up based on the supplied control data signals CD1 and CD2,
Perform each system calibration. The device power supply circuits 26 of the substrates 23 and 24 stop executing the warm-up based on the supplied control data signals CD3 and CD4, and execute the system calibration, respectively. The pin electronics circuits 36 of the substrates 33 and 34 respectively stop executing warm-up and execute system calibration based on the supplied control data signals CD5 and CD6.

【0078】次に、図1のIC試験装置の故障時の復旧
方法について説明する。
Next, a method of restoring the IC test apparatus shown in FIG. 1 when a failure occurs will be described.

【0079】図5は、図1のIC試験装置における故障
時の復旧方法を示すフローチャートである。
FIG. 5 is a flowchart showing a method of recovering from a failure in the IC test apparatus of FIG.

【0080】当該IC試験装置に故障が発生すると、メ
モリ2に格納された故障診断プログラムがCPU1によ
り自動的に実行され、故障個所の特定がなされる(ステ
ップS1)。
When a failure occurs in the IC test apparatus, the failure diagnosis program stored in the memory 2 is automatically executed by the CPU 1 to specify the location of the failure (step S1).

【0081】ここでは、図1の基板13のタイミング制
御回路16が故障したものと仮定する。
Here, it is assumed that the timing control circuit 16 of the substrate 13 in FIG. 1 has failed.

【0082】次に、手動で主電源を切断して、当該IC
試験装置を停止する(ステップS2)。
Next, the main power supply is manually turned off, and the IC
The test device is stopped (Step S2).

【0083】続いて、基板13を予備基板15に交換す
る作業を行い、予備基板15をタイミング制御部10に
実装する(ステップS3)。この時、再度の故障に備え
るため、予備基板15と同じ構成を持つ他の基板を、ダ
ミー・ソケット19に装着する。
Subsequently, the operation of replacing the board 13 with the spare board 15 is performed, and the spare board 15 is mounted on the timing controller 10 (step S3). At this time, another board having the same configuration as the spare board 15 is mounted in the dummy socket 19 in order to prepare for a failure again.

【0084】交換作業に要する時間は数分程度であり、
交換作業に伴う基板14、23、24、33、34の温
度の低下はいずれも小さい。さらに、前述したように、
予備基板15は既に予備加熱されており、交換の作業が
終了した時点の予備基板15の温度は基板14とほぼ同
等である。
The time required for the replacement work is about several minutes,
The reduction in the temperature of the substrates 14, 23, 24, 33, 34 accompanying the replacement operation is small. Further, as mentioned above,
The spare board 15 has already been preheated, and the temperature of the spare board 15 at the time when the replacement operation has been completed is almost equal to that of the board 14.

【0085】なお、以下の説明では、図1において、ス
テップS3で実装された予備基板15が基板13である
ものとする。
In the following description, it is assumed that the spare board 15 mounted in step S3 is the board 13 in FIG.

【0086】次に、手動で主電源を投入し、当該IC試
験装置を再起動する(ステップS4)。その直後に、ウ
ォームアップの実行が自動的に開始される(ステップS
5)。
Next, the main power supply is manually turned on, and the IC test apparatus is restarted (step S4). Immediately after that, the execution of the warm-up is automatically started (step S
5).

【0087】ウォームアップの実行中、基板13、14
の温度検出部17、基板23、24の温度検出部27、
および基板33、34の温度検出部37は、基板13、
14、基板23、24、および基板33、34の温度を
それぞれ検出する(ステップS6)。基板13、14の
温度検出部17は温度データ信号TD1、TD2をそれ
ぞれ出力し、基板23、24の温度検出部27は温度デ
ータ信号TD3、TD4をそれぞれ出力し、基板33、
34の温度検出部37は温度データ信号TD5、TD6
をそれぞれ出力する。
During the warm-up, the substrates 13, 14
Temperature detection unit 17, the temperature detection unit 27 of the substrates 23 and 24,
And the temperature detector 37 of the substrates 33 and 34
14, the temperatures of the substrates 23 and 24 and the substrates 33 and 34 are detected (step S6). The temperature detectors 17 of the substrates 13 and 14 output temperature data signals TD1 and TD2, respectively, and the temperature detectors 27 of the substrates 23 and 24 output temperature data signals TD3 and TD4, respectively.
The temperature detection unit 37 of the temperature data TD5, TD6
Are output.

【0088】CPU1は、温度データ信号TD1、TD
2、TD3、TD4、TD5、TD6の中から、作業者
により指定された基板13の温度データ信号TD1を抽
出し、基板13の温度が所定の条件を満たしているか否
かを判定する(ステップS7)。そして、基板13の温
度が所定の温度範囲内にある場合、CPU1はウォーム
アップの停止を決定して、制御データ信号CD1、CD
2、CD3、CD4、CD5、CD6を出力する。
The CPU 1 outputs the temperature data signals TD1, TD
2, a temperature data signal TD1 of the board 13 specified by the operator is extracted from among TD3, TD4, TD5, and TD6, and it is determined whether the temperature of the board 13 satisfies a predetermined condition (step S7). ). When the temperature of the substrate 13 is within the predetermined temperature range, the CPU 1 determines to stop warm-up, and outputs the control data signals CD1, CD1.
2. Output CD3, CD4, CD5, CD6.

【0089】CPU1から出力された制御データ信号C
D1、CD2、制御データ信号CD3、CD4、および
制御データ信号CD5、CD6に基づいて、基板13、
14のタイミング制御回路16、基板23、24のデバ
イス電源回路26、および基板33、34のピンエレク
トロニクス回路36は、ウォームアップの実行をそれぞ
れ停止し(ステップS8)、システムキャリブレーショ
ンをそれぞれ実行する(ステップS9)。
Control data signal C output from CPU 1
Based on D1, CD2, control data signals CD3, CD4, and control data signals CD5, CD6,
The timing control circuit 16 of 14, the device power supply circuit 26 of the substrates 23 and 24, and the pin electronics circuit 36 of the substrates 33 and 34 respectively stop executing the warm-up (step S8) and execute the system calibration (step S8). Step S9).

【0090】システムキャリブレーションの後、IC試
験が実行されて(ステップS10)、当該IC試験装置
が復旧する。
After the system calibration, an IC test is executed (step S10), and the IC test apparatus is restored.

【0091】ステップS7において、基板13の温度が
所定の温度範囲外の場合、CPU1はウォームアップの
制限時間を超過しているか否かを判定する(ステップS
11)。制限時間を超えない場合、そのままウォームア
ップを継続する。制限時間を超えた場合、エラー処理を
行う(ステップS12)。
If the temperature of the substrate 13 is out of the predetermined temperature range in step S7, the CPU 1 determines whether or not the warm-up time limit has been exceeded (step S7).
11). If the time limit is not exceeded, warm-up is continued. If the time limit has been exceeded, error processing is performed (step S12).

【0092】上記の復旧方法では、予備加熱された予備
基板15を用いて故障の修復を行い、しかも、実装され
た予備基板15の温度に基づいてウォームアップの停止
を判定している。このため、ウォームアップに要する時
間は数分(例えば、5分程度)である。
In the above-described recovery method, the failure is repaired by using the pre-heated spare board 15, and the stop of the warm-up is determined based on the temperature of the mounted spare board 15. Therefore, the time required for warm-up is several minutes (for example, about 5 minutes).

【0093】上述した通り、本発明の実施形態では、実
装された基板13、14に換えて実装可能な予備基板1
5と、実装された基板23、24に換えて実装可能な予
備基板25と、実装された基板33、34に換えて実装
可能な予備基板35とを備えている。しかも、それらの
予備基板15、25、35は、温度検出部17、27、
37をそれぞれ有すると共に、実装前に予備加熱されて
いる。そして、当該IC試験装置の故障時には、予備加
熱された予備基板15、25または35を故障基板に換
えて実装することで修復がなされる。実装された予備基
板15の温度検出部17、予備基板25の温度検出部2
7、または予備基板35の温度検出部37がウォームア
ップ中に予備基板15、25または35の温度を検出
し、検出された温度に基づいてウォームアップの実行が
停止される。このため、ウォームアップの実行時間を従
来の約1/6程度に短縮することができ、故障に起因す
る稼働率の低下が抑制される。
As described above, in the embodiment of the present invention, the spare board 1 that can be mounted in place of the mounted boards 13 and 14 is used.
5, a spare board 25 that can be mounted in place of the mounted boards 23 and 24, and a spare board 35 that can be mounted in place of the mounted boards 33 and 34. Moreover, those spare substrates 15, 25, 35 are used as temperature detecting units 17, 27,
37 and are preheated before mounting. When the IC test apparatus fails, the pre-heated spare board 15, 25, or 35 is replaced with the failed board and mounted to perform repair. Temperature detector 17 of mounted spare board 15 and temperature detector 2 of spare board 25
7, or the temperature detector 37 of the spare board 35 detects the temperature of the spare board 15, 25, or 35 during the warm-up, and execution of the warm-up is stopped based on the detected temperature. For this reason, the warm-up execution time can be reduced to about 1/6 of the conventional one, and a decrease in the operation rate due to a failure is suppressed.

【0094】なお、上述した実施形態では、当該IC試
験装置に設けられたダミー・ソケットに予備基板を装着
し、動作中の基板の発する熱を伝達させることにより、
予備基板を予備加熱している。しかし、本発明はこれに
限定されるものではなく、温度制御が可能な保管手段
(例えば、恒温漕など)を設け、その保管手段に実装前
の予備基板を収納しておくことにより、予備基板を予備
加熱することもできる。
In the above-described embodiment, the spare board is mounted on the dummy socket provided in the IC test apparatus, and the heat generated by the board in operation is transmitted.
The preliminary substrate is being preheated. However, the present invention is not limited to this. By providing a storage means capable of controlling the temperature (for example, a constant temperature bath or the like) and storing the spare board before mounting in the storage means, Can be preheated.

【0095】また、温度センサとしては、バイメタルや
サーミスタなどを応用したものも使用可能である。
As the temperature sensor, a sensor using a bimetal, a thermistor, or the like can be used.

【0096】[0096]

【発明の効果】以上説明した通り、本発明の半導体集積
回路試験装置およびその故障時の復旧方法によれば、故
障修復後のウォームアップの実行時間を短縮できる。こ
のため、故障に起因する稼働率の低下を抑制できる。
As described above, according to the semiconductor integrated circuit test apparatus and the method for restoring the failure of the semiconductor integrated circuit of the present invention, the execution time of the warm-up after the restoration of the failure can be shortened. Therefore, it is possible to suppress a decrease in the operation rate due to the failure.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施形態の半導体集積回路試験装置
の構成を示す図である。
FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration of a semiconductor integrated circuit test apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1の半導体集積回路試験装置の温度検出部を
示す斜視図である。
FIG. 2 is a perspective view showing a temperature detection unit of the semiconductor integrated circuit test device of FIG.

【図3】図2の温度検出部の温度センサを示すブロック
図である。
FIG. 3 is a block diagram illustrating a temperature sensor of a temperature detection unit in FIG. 2;

【図4】図1の半導体集積回路試験装置の基板および予
備基板の装着状態を示す斜視図である。
FIG. 4 is a perspective view showing a mounted state of a substrate and a spare substrate of the semiconductor integrated circuit test device of FIG. 1;

【図5】図1の半導体集積回路試験装置における故障時
の復旧方法を示すフローチャートである。
FIG. 5 is a flowchart showing a recovery method when a failure occurs in the semiconductor integrated circuit test apparatus of FIG. 1;

【図6】従来の半導体集積回路試験装置の動作を示すフ
ローチャートである。
FIG. 6 is a flowchart showing the operation of a conventional semiconductor integrated circuit test device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 CPU 2 メモリ 3 バスライン 7、8、9 フレーム 10 タイミング制御部 11 インターフェース 12 バスライン 13、14 実装された基板 15 予備基板 16 タイミング制御回路 17 温度検出部 18 実装用ソケット 19 ダミー・ソケット 20 デバイス電源部 21 インターフェース 22 バスライン 23、24 実装された基板 25 予備基板 26 デバイス電源回路 27 温度検出部 28 実装用ソケット 29 ダミー・ソケット 30 ピンエレクトロニクス部 31 インターフェース 32 バスライン 33、34 実装された基板 35 予備基板 36 ピンエレクトロニクス回路 37 温度検出部 38 実装用ソケット 39 ダミー・ソケット 41a、41b 温度センサ 42a、42b アース・プレーン 43 温度データ生成部 61a、61b、61c、61d、61e 位相反転器 61f、61g 位相反転器 62 位相比較器 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 CPU 2 Memory 3 Bus line 7, 8, 9 Frame 10 Timing control unit 11 Interface 12 Bus line 13, 14 Mounted board 15 Spare board 16 Timing control circuit 17 Temperature detecting unit 18 Mounting socket 19 Dummy socket 20 Device Power supply unit 21 Interface 22 Bus line 23, 24 Mounted board 25 Spare board 26 Device power supply circuit 27 Temperature detection unit 28 Mounting socket 29 Dummy socket 30 Pin electronics unit 31 Interface 32 Bus line 33, 34 Mounted board 35 Spare board 36-pin electronics circuit 37 Temperature detector 38 Mounting socket 39 Dummy socket 41a, 41b Temperature sensor 42a, 42b Ground plane 43 Temperature data generator 1a, 61b, 61c, 61d, 61e phase inverter 61f, 61 g phase inverter 62 phase comparator

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 起動時に動作安定化のためウォームアッ
プが実行される半導体集積回路試験装置であって、 故障時に故障発生基板に換えて実装可能な予備基板と、 前記予備基板が実装された時に前記予備基板の温度を検
出する温度検出手段とを備えてなり、 前記予備基板は、実装前に予め加熱されており、 しかも、前記予備基板の実装により前記故障を修復した
時に、再起動により実行される前記ウォームアップを、
検出された前記予備基板の温度に基づき停止することを
特徴とする半導体集積回路試験装置。
1. A semiconductor integrated circuit test apparatus in which warm-up is performed at the time of start-up for stabilizing operation, a spare board that can be mounted in place of a faulty board when a fault occurs, and a spare board that is mounted when the spare board is mounted. Temperature detection means for detecting the temperature of the spare board, wherein the spare board is pre-heated before mounting, and is executed by restarting when the failure is repaired by mounting the spare board. Said warm-up,
A semiconductor integrated circuit test apparatus for stopping the operation based on the detected temperature of the spare substrate.
【請求項2】 前記温度検出手段が前記予備基板に設け
られてなる請求項1に記載の半導体集積回路試験装置。
2. The semiconductor integrated circuit test apparatus according to claim 1, wherein said temperature detecting means is provided on said spare substrate.
【請求項3】 前記予備基板に複数の前記温度検出手段
が設けられており、それらの複数の前記温度検出手段の
それぞれが検出した温度の最小値を前記予備基板の温度
とする請求項1に記載の半導体集積回路試験装置。
3. The spare board is provided with a plurality of the temperature detecting means, and a minimum value of the temperature detected by each of the plurality of temperature detecting means is set as a temperature of the spare board. The semiconductor integrated circuit test apparatus according to the above.
【請求項4】 前記温度検出手段が前記予備基板の接地
配線領域に密着して設けられてなる請求項2または3に
記載の半導体集積回路試験装置。
4. The semiconductor integrated circuit testing device according to claim 2, wherein said temperature detecting means is provided in close contact with a ground wiring region of said spare substrate.
【請求項5】 前記温度検出手段が、縦続接続された複
数の位相反転器と、初段の前記位相反転器への入力信号
と最終段の前記位相比較器の出力信号との位相差を検出
する位相比較器とを有しており、前記位相比較手段が、
実装された前記予備基板の温度に対応する信号を前記制
御手段に出力する請求項2〜4のいずれかに記載の半導
体集積回路試験装置。
5. The temperature detecting means detects a phase difference between a plurality of phase inverters connected in cascade and an input signal to the first-stage phase inverter and an output signal from the last-stage phase comparator. And a phase comparator, wherein the phase comparing means comprises:
5. The semiconductor integrated circuit test apparatus according to claim 2, wherein a signal corresponding to a temperature of the mounted spare substrate is output to the control unit.
【請求項6】 前記予備基板の実装予定位置に隣接して
設けられた予備基板保持手段をさらに備えており、実装
前の前記予備基板が前記予備基板保持手段に保持されて
おり、もって前記予備基板が実装前に予め加熱される請
求項1〜5のいずれかに記載の半導体集積回路試験装
置。
6. A spare board holding means provided adjacent to a position where the spare board is to be mounted, wherein the spare board before mounting is held by the spare board holding means. 6. The semiconductor integrated circuit test apparatus according to claim 1, wherein the substrate is heated before mounting.
【請求項7】 収納された実装前の前記予備基板を加熱
可能な予備基板保管手段をさらに備えている請求項1〜
5のいずれかに記載の半導体集積回路試験装置。
7. A spare board storage means capable of heating the accommodated spare board before mounting.
6. The semiconductor integrated circuit test apparatus according to any one of 5.
【請求項8】 起動時に動作安定化のためウォームアッ
プが実行される半導体集積回路試験装置の故障時の復旧
方法であって、 故障時に故障発生基板に換えて予め加熱された予備基板
を実装し、前記故障を修復するステップと、 前記故障を修復した後、再起動して前記ウォームアップ
を実行するステップと、 前記ウォームアップの実行中に、実装された前記予備基
板の温度を検出するステップと、 検出された前記予備基板の温度に基づき前記ウォームア
ップを停止するステップとを備えることを特徴とする半
導体集積回路試験装置の復旧方法。
8. A method for restoring a failure of a semiconductor integrated circuit test apparatus in which a warm-up operation is performed for stabilizing operation at the time of starting, wherein a pre-heated spare board is mounted in place of the failure board at the time of failure. Repairing the failure, after repairing the failure, restarting and executing the warm-up, and detecting the temperature of the mounted spare board during the execution of the warm-up. Stopping the warm-up based on the detected temperature of the spare substrate.
【請求項9】 前記予備基板の複数の部位の温度を検出
し、複数の部位の温の最小値を前記予備基板の温度とす
る請求項8に記載の半導体集積回路試験装置の復旧方
法。
9. The recovery method for a semiconductor integrated circuit test apparatus according to claim 8, wherein temperatures of a plurality of portions of the spare substrate are detected, and a minimum value of the temperatures of the plurality of portions is set as the temperature of the spare substrate.
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