JP2001035111A

JP2001035111A - ヘッドスライダ

Info

Publication number: JP2001035111A
Application number: JP11201194A
Authority: JP
Inventors: Kensuke Miyagawa; 健祐宮川
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1999-07-15
Filing date: 1999-07-15
Publication date: 2001-02-09
Also published as: US6507458B1

Abstract

(57)【要約】【課題】ディスクとの磨耗を軽減し、ディスク装置の
耐衝撃性を向上するヘッドスライダを提供することを課
題とする。【解決手段】ヘッドスライダ１のディスクと対向する
面１ａにおいて、レール３が形成され、更に、レール３
と側縁との間の領域に、面取りされたパッド４が形成さ
れる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ディスク媒体に対して
データの読取や書込を行うヘッド、特に、非動作時にデ
ィスク媒体上に接して停止し、記録再生時にディスク媒
体上を浮上しながらデータの記録および読取を行う浮上
型ヘッドの構造に関する。

【０００２】

【従来技術】ディスク媒体に対して情報の記録或いは再
生を行うディスク装置には、ヘッド素子が搭載されたヘ
ッドスライダとディスク表面の接触による磨耗を避ける
ため、停止時にはヘッドスライダがディスク表面に接触
し、記録および再生動作時には、回転するディスクの表
面を浮上するコンタクト・スタート・ストップ方式（Ｃ
ＳＳ方式）が採用されている。

【０００３】図１は従来のヘッドスライダを示す図であ
り、図１（ａ）は、ヘッドスライダのディスク対向面の
平面図、図１（ｂ）は、ヘッドスライダの空気流出側の
端面図である。

【０００４】ヘッドスライダ９０の基体１１におけるデ
ィスク５０に対向する面１ａには、一対のストライプ状
のレール３が突出して形成されている。レール３の浮上
面３ａには、レール３の浮上面３ａがディスク５０の表
面に吸着することを防止する吸着防止パッド５が形成さ
れている。浮上面３ａの空気流入端側には、ヘッドスラ
イダ９０に対する浮力を生じやすくするためテーパ６が
形成されている。ヘッドスライダ１の空気流出側の端面
には、インダクティブヘッド、磁気抵抗効果素子やスピ
ンバルブ磁気抵抗効果素子のような電磁トランスデュー
サ２が形成されている。

【０００５】ＣＳＳ方式のディスク装置においては、ヘ
ッドスライダ９０はバネ性を有するサスペンション（図
示せず）により支持されている。ヘッドスライダ９０
は、ディスク５０の回転中は、ディスク５０の回転によ
って発生する空気流を浮上面に受けて浮上し、ディスク
５０の回転が停止しているときは、図１（ｂ）に示され
るように、ディスク５０のＣＳＳゾーン５０ａに接して
いる。読み出しまたは書き込み動作時は、スヘッドライ
ダ９０は回転する磁気ディスク５０の表面を浮上しなが
ら移動し、ヘッドスライダ９０に搭載されたヘッド素子
２はディスク５０の所定のトラックに対して情報の読み
出しや書込を行う。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、近年の磁気
ディスク装置は小型化に伴ってノートパソコンのような
可搬性がある機器の記憶装置としても使用されるように
なってきた。そのような磁気ディスク装置は外部から衝
撃を受けやすい状態におかれることが多い。従って、衝
撃に対する高い耐久性も磁気ディスク装置に対して要求
されている性能の一つとなっている。

【０００７】ＣＳＳ方式を採用する磁気ディスク装置に
おいては、磁気ディスクの回転が停止している状態では
ヘッドスライダは磁気ディスク表面のＣＳＳゾーンに接
している。この状態において、運搬や落下等により磁気
ディスク装置が衝撃を受けると、ヘッドスライダが傾
き、図１（ａ）に示される基体１１のエッジ７と磁気デ
ィスク５０の表面とが擦れ合う。ヘッドスライダのエッ
ジは固くて先鋭である。そのため、エッジ７と磁気ディ
スク５０とが擦れ合うことによって磁気ディスク５０が
傷つけられ、データが破壊されたり、読み出しおよび書
き込みができないといった事態が発生し、磁気ディスク
装置の耐衝撃性を低下させる原因となっていた。

【０００８】磁気ディスクとヘッドスライダとの磨耗を
和らげるための構造として、ヘッドスライダの基体のエ
ッジを面取りすることが考えられている。しかし、面取
り量を大きくすることができず、あまり効果的ではな
い。また、浮上レールの幅をヘッドスライダの側縁まで
広げ、レールのエッジを面取りする手法も考えられる。
しかし、浮上レールの幅を広げることにより、浮上特性
が変化し、所望の浮上量が得られなくなる。

【０００９】上記問題を解決するため、本発明の第１の
目的は、磁気ディスク装置の対衝撃性を高めることであ
る。

【００１０】また、本発明の第２の目的は、ディスクと
の磨耗を軽減するヘッドスライダを提供することであ
る。

【００１１】更に、本発明の第３の目的は、浮上特性が
良好なヘッドスライダを提供することである。

【００１２】

【発明を解決する手段】本発明のヘッドスライダは、デ
ィスク対向面における側縁とレールとの間に、面取りさ
れたパッドが形成されることを特徴とする。この構造に
よると、パッドにより、ヘッドスライダの基体のエッジ
とディスクとの接触は回避される。パッドとディスクと
の接触は生じ得るが、パッドは面取りされているため、
ディスクに傷がつくにくくなる。また、基体やレールに
対する面取りと比較して、スライダの浮上特性に与える
影響が少ないため、面取り量を多くすることができる。
従って、ディスクへのダメージが大幅に軽減され、ディ
スク装置の耐衝撃性が向上する。

【００１３】また、本発明のヘッドスライダは、ディス
ク対向面の側縁において、高さがスライダレールの高さ
以下のパッドが形成されることを特徴とする。この構造
によると、ヘッドスライダの基体のエッジとディスク媒
体との接触が回避されるだけでなく、パッドはヘッドス
ライダの浮上量を規定しなくなる。従って、ディスク装
置の耐衝撃性が向上するだけでなく、ヘッドスライダの
浮上量が大きくなることが避けられ、ディスク装置の高
記録密度化が図れる。

【００１４】また、パッドの硬度が基体の硬度よりも低
いことが望ましい。この構造によると、パッドとディス
ク媒体との接触は生じ得るが、パッドの硬度を落とすこ
とによりディスクに傷がつきにくくなる。従って、ディ
スクへのダメージが軽減され、対衝撃性が一層向上す
る。

【００１５】更に、パッドの高さがスライダレールの高
さと等しく、パッドとスライダレールが同材料で形成さ
れること特徴とする。この構造によると、パッドとスラ
イダレールとを同一のプロセスで形成することができ
る。従って、工程の削減による製造コストの低減が図れ
る。

【００１６】

【発明の実施の形態】図２および図３は、発明の実施の
形態における磁気ディスクを示す図である。図２は、カ
バーが取り外された状態における磁気ディスク装置の平
面図であり、図３は、図２における線分Ａ−Ａに沿った
断面図である。

【００１７】磁気ディスク５０は、ベースプレート５１
上に設けられたスピンドルモータ５２によって駆動され
る。本実施形態においては、磁気ディスクは３枚備えら
れている。

【００１８】ヘッドスライダを支持する駆動するアクチ
ュエータ５３は、ベースプレート５１の上に回転可能に
支持される。アクチュエータ５３の一端には、磁気ディ
スク５０の記録面と平行な方向に延びる複数のヘッドア
ーム５４が形成されている。ヘッドアーム５４の一端に
は、サスペンション５５が取り付けられる。サスペンシ
ョン５５のフレクシャー部にヘッドスライダ１が図示さ
れない絶縁膜を介して取り付けられている。アクチュエ
ータ５３の他端には、コイル５７が取り付けられてい
る。

【００１９】ベースプレート５１上には、永久磁石及び
ヨークによって構成された磁気回路５８が設けられ、磁
気回路５８の磁気ギャップ内に、上記コイル５７が配置
される。そして、磁気回路５８とコイル５７とによって
ヴォイスコイルモータ（ＶＣＭ）が構成される。また、
ベースプレート５１の上部はカバー５９で覆われてい
る。

【００２０】以下に、上記磁気ディスク装置の動作を説
明する。磁気ディスク５０が停止しているときは、ヘッ
ドスライダ１は磁気ディスク５０の退避ゾーン（ＣＳＳ
ゾーン）５０ａに接触して停止している。なお、ＣＳＳ
ゾーン５０ａの位置はディスク５０の内周に限定され
ず、外周に設けられてもよい。次に、磁気ディスク装置
５０がスピンドルモータ５２によって回転されると、磁
気ディスク５０の回転に伴って発生する空気流によっ
て、ヘッドスライダはディスク面から僅かな隙間をもっ
て浮上する。ヘッドスライダが浮上している状態でコイ
ル５７に電流が流れると、コイル５７に推力が発生し、
アクチュエータ５３が回転する。そして、ヘッドスライ
ダが磁気ディスク５０の所定のトラック上に移動し、デ
ータの読み出しや書き込みを行う。

【００２１】図４は、前述の磁気ディスク装置に搭載さ
れる第１の実施の形態におけるヘッドスライダを示す図
である。図４において、（ａ）はヘッドスライダのディ
スク対向面を示し、（ｂ）は側面を示し、（ｃ）は空気
流出側端面を示す。

【００２２】本発明の第１の実施の形態におけるヘッド
スライダ１の基体１１は、アルミナチタンカーバイト
（Ａｌ₂Ｏ₃ＴｉＣ）、フェライト、あるいはチタン酸
カルシウム等の材料から形成される。ヘッドスライダ１
は、長さＬが０．６〜１．３ｍｍ、幅Ｗが０．５〜１．
０ｍｍ、高さＨが０．１〜０．４ｍｍである。ヘッドス
ライダ１は磁気ディスク装置に搭載され、回転する磁気
ディスク５０の表面を浮上する。

【００２３】基体１１の磁気ディスク５０に向かい合う
面１ａには、ヘッドスライダ１に所定の浮力を生じさせ
るためのストライプ状の２本のレール３が突出して形成
されている。レール３の対向面１ａからの高さｈは３０
μｍ以下、幅ｗは０．５ｍｍ以下である。

【００２４】レール３の浮上面３ａには吸着防止パッド
５が形成されている。吸着防止パッド５は、ヘッドスラ
イダ１の磁気ディスク５０との接触面積を低減し、浮上
面３ａが磁気ディスク５０に接触することを防止する。
浮上面３ａは空気軸受面として機能する。浮上面３ａの
うち空気流入端側にはテーパ６が形成されており、この
テーパ６によって空気流による浮力が生じ易くなってい
る。

【００２５】ヘッドスライダ１の空気流出側の端面に
は、インダクティブヘッド、磁気抵抗効果素子やスピン
バルブ磁気抵抗効果素子のような電磁トランスデューサ
２が形成されている。

【００２６】基体１１の各コーナーには緩衝パッド４が
形成されている。緩衝パッド４の表面はＲ面取りが施さ
れ、滑らかな曲面に加工されている。緩衝パッドの断面
の半径ｒは０．３ｍ〜０．５ｍｍが適切である。緩衝パ
ッパッド４の対向面１ａからの高さはレール３の高さと
同じである。

【００２７】コンタクト・スタート・ストップ方式を採
用する磁気ディスク装置では、磁気ディスク５０の回転
が停止しているとき、ヘッドスライダ１は磁気ディスク
５０のＣＳＳゾーンに接している。通常、磁気ディスク
５０の最上層は粘性を有する潤滑膜が形成されている。
潤滑膜とヘッドスライダとの接触面積が広ければ、潤滑
膜の表面張力によりヘッドスライダが引きつけられ、デ
ィスク媒体に吸着する。この状態では、磁気ディスク５
０を回転するスピンドルモータ５２の負荷が大きくなっ
たり、ヘッドスライダを支持するサスペンション５５が
変形したりする。しかし、本発明のヘッドスライダ１で
は、浮上面３ａに吸着防止パッド５が形成されている。
その結果、磁気ディスク５０との接触面積が縮小され、
ヘッドスライダ１の磁気ディスク５０への吸着が防止さ
れる。

【００２８】また、コンタクト・スタート・ストップ方
式を採用する磁気ディスク装置においては、磁気ディス
クの回転が停止しているときに衝撃を受けると、ヘッド
スライダと磁気ディスクの表面とが擦れ合う。しかし、
本発明のヘッドスライダ１においては、基体１１のコー
ナーに緩衝パッド４が形成されており、緩衝パッド４と
磁気ディスク５０とが接触する。緩衝パッド４は前述の
ように表面が曲面で覆われているため、緩衝パッド４と
磁気ディスク５０とが接触しても、磁気ディスク５０の
磨耗が軽減される。なお、緩衝パッド４は対向面１ａ上
に４つ形成されているが、少なくとも１つ存在していれ
ばよい。

【００２９】図４に示されるヘッドスライダ１の製造工
程を以下に述べる。

【００３０】まず、図５（ａ）に示されるように、アル
ミナチタンカーバイト（Ａｌ₂Ｏ₃ＴｉＣ）、フェライ
ト、あるいはチタン酸カルシウム等の材料からなるウエ
ハ（基体）１１の主面に電磁変換素子２が二次元的に複
数個形成される。電磁変換素子２は、磁気抵抗効果素
子、インダクタンス素子等からなり、各々、一対の端子
に接続されている。

【００３１】次に、ウエハ１１をダイシングソーによっ
て図５（ａ）の破線に沿って切断し、分割する。分割に
より、図５（ｂ）に示されるように、各々電磁変換素子
２が一列に並んだ複数の棒状体１２が得られる。後の工
程において、棒状体は３はさらに複数に分割され磁気ヘ
ッドスライダとなるので、浮上面３ａの空気流入端とな
る領域に予めテーパー６が形成される。なお、棒状体１
２の電磁変換素子２の磁極が露出する面が前述のスライ
ダの浮上面３ａとなる。

【００３２】続いて、図５（ｃ）に示されるように、複
数の棒状体１２がホルダ１４に固定される。棒状体１２
は、前述の浮上面３ａが上向きになり、切断面が向かい
合うようにホルダ４に固定される。ホルダ４の内部は棒
状体１２の自由な移動を規制する構造を有している。ホ
ルダ４に固定された棒状体１２は、下記に述べる工程を
経て所定の形状に加工される。

【００３３】図６（ａ）〜（ｈ）は棒状体１２の切断面
を示す。図６を用いて第１の実施の形態における棒状体
１２の加工の工程を説明する。

【００３４】図６（ａ）において、棒状体１２の基体１
１の上に膜厚５ｎｍのＳｉＣ膜２５、ＳｉＣ膜２５の上
にダイアモンドライクカーボン（ＤＬＣ）からなる膜厚
３０ｎｍの第１のＤＬＣ膜２６、第１のＤＬＣ膜２６の
上に膜厚３ｎｍのＳｉ膜２７、Ｓｉ膜２７の上にＤＬＣ
からなる膜厚３０ｎｍの第２のＤＬＣ膜８が成膜され
る。

【００３５】ＳｉＣ膜２５は、電磁変換素子２を絶縁す
るとともに、第１のＤＬＣ膜２６と基体１１との密着性
を高める。Ｓｉ膜２７は、第１のＤＬＣ膜２６と第２の
ＤＬＣ膜２８との密着性を高める。第１のＤＬＣ膜２６
は、浮上面３ａと電磁変換素子２を保護する。第２のＤ
ＬＣ膜２８は加工され、吸着防止パッド５となる。これ
らの膜は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、蒸着等の成膜
技術を用いて成膜される。

【００３６】図６（ｂ）において、ラミネータを用いて
第１のフィルムレジスト２９が第２のＤＬＣ膜２８の上
に積層される。

【００３７】図６（ｃ）において、第１のレジスト２９
にマスクパターンをかけられ、露光および現像される。
その結果、第２のＤＬＣ膜２８の特定の領域のみにレジ
スト２９が残る。

【００３８】図７は、棒状体の浮上面側の平面図であ
り、図７（ａ）は、棒状体が図６（ｃ）に示される状態
にあるときを示す。図７および図６における一点鎖線
は、棒状体１２を個別のヘッドスライダに分割するとき
の切断線である。

【００３９】図７（ａ）において、斜線が施された領域
が第１のフィルムレジスト２９が置かれた領域である。
それ以外の領域は、第２のＤＬＣ膜２８が露出してい
る。図７（ａ）に示されるように、第１のフィルムレジ
スト２９は、ストライプ状のパターンを持つフィルムレ
ジスト２９ａと、半円形のパターンを持つフィルムレジ
スト２９ｂに分けられる。前者は浮上面３ａの形状を規
定し、後者は緩衝パッド４の形状を規定する。なお、図
７（ａ）および図６（ｃ）においては、レジスト２９ｂ
が切断線を跨いでいるが、切断線上のレジスト２９が除
去されるようにパターニングしてもよい。これにより、
後のイオンミリングによって切断線上の層が削り取ら
れ、ヘッドスライダ単位に切り出しやすくなる。

【００４０】図６（ｄ）において、棒状体１２に対して
イオンミリングが施される。イオンミリングによって棒
状体１２は、第１のレジスト２９によって覆われていな
い領域が基体１１の上層まで削り取られる。イオンミリ
ングの結果、棒状体１２には２つのレールを区分する凹
部４１が形成されるとともに、パッドとスライダレール
を分割する溝５１が形成される。

【００４１】図６（ｅ）において、レジスト２９が除去
される。

【００４２】図６（ｆ）において、第２のＤＬＣ膜２８
上に第２のフィルムレジスト３０が積層され、マスク、
露光・現像を経て、吸着防止パッド５の形成予定面のみ
に第２のレジスト３０が残る。

【００４３】図７（ｂ）は、図６（ｆ）に示される状態
にある棒状体１２の浮上面側の平面図である。

【００４４】図７（ｂ）において、斜線が施された部分
が第２のレジスト３０である。第２のレジスト３０は、
浮上面３ａに形成される吸着防止パッド５の表面形状を
規定する。

【００４５】図６（ｇ）において、図６（ｆ）に示され
る棒状体１２が、酸素プラズマによりエッチングされ
る。その結果、第２のＤＬＣ膜２８が選択的にエッチン
グされ、第２のレジスト３０に覆われた領域が残る。残
ったＤＬＣ膜２８が吸着防止パッド５となる。この酸素
プラズマによるＳｉ膜２７に対するエッチングレートは
極めて小さいか０であり、Ｓｉ膜２７はエッチングスト
ッパーとして機能する。従って、イオンミリングほどエ
ッチング時間を精密に管理する必要が無く、複数の棒状
体間のエッチング量のバラツキが抑えられる。

【００４６】図６（ｈ）において、第２のフィルムレジ
スト１０は除去され、更に、露出するＳｉ膜２７が、Ｃ
Ｆ₄プラズマエッチングにより除去される。ＣＦ₄プラ
ズマエッチングでは、ＤＬＣ膜は殆どエッチングされな
いので、Ｓｉ膜２７のエッチング深さの制御が簡単にな
る。図中、第１のＤＬＣ膜２６のうち、符号２６ａで示
される領域がレール３となり、符号２６ｂで示される領
域が緩衝パッド４となる。

【００４７】所定の形状に整形された棒状体１２はホル
ダ１４から外される。棒状体１２は、ＤＬＣ膜２６ｂを
面取りするため研磨装置にて研磨処理が施される。

【００４８】図８は、研磨装置の外観図である。

【００４９】図８に示されるように、研磨装置は定盤６
１と錘６２を有する。定盤６１の研磨面６５は曲率を有
し、回転軸の周りを回転する。錘６２は研磨面６５と対
向する面に棒状体１２を保持し、この棒状体１２を定盤
面６１に押圧するとともに、研磨面６５の上を自転す
る。

【００５０】図９は、定盤６１の中心を通る直線に沿っ
た定盤６１の断面図である。

【００５１】定盤６１の研磨面６５は、図９（ａ）に示
されるような円錐面や図９（ｂ）に示されるな曲面であ
ってもよい。また、研磨面６５は、図９（ｃ）および図
９（ｄ）に示されるように、内周と外周で曲率が異なっ
ていてもよい。一般的には、円錐面を形成する方が曲面
を形成するより簡単であり、研磨面が図９（ａ）や図９
（ｃ）に示される形状を有する定盤のほうが安価であ
る。

【００５２】図１０は、棒状体１２に対する研磨処理を
示す図である。

【００５３】図１０（ａ）に示されるように、錘６２の
研磨面６５に対向する面には、弾性体からなるシート
（ゴム盤６３）が貼りつけられている。ゴム盤６３の上
には、棒状体１２が貼り付けられている。棒状体１２は
長手方向が円周方向に沿って配列される。

【００５４】錘６２に取り付けられた棒状体１２は、図
１０（ｂ）に示されるように、定盤６１の研磨面６５に
押し当てられる。定盤６１および錘６２はともに回転軸
を中心に回転し、棒状体１２を研磨する。棒状体１２を
曲率を有する研磨面６５上で回転させることにより、曲
率が棒状体の被研磨面（ディスク対向面）に転写され
る。その結果、棒状体１２の基体１１上に形成されたＤ
ＬＣ膜２６ｂのエッジが削り取られ、曲面に加工され
る。

【００５５】図４に示されたヘッドスライダには、吸着
防止パッド５が形成されているが、本発明においては、
吸着防止パッド５は必ずしも必要ではない。図４に示さ
れたヘッドスライダ１の吸着パッドを省略するには、図
６（ａ）に示される工程において、Ｓｉ膜２７及びＤＬ
Ｃ膜２８の成膜を省略し、図７（ａ）に示されるレジス
トパターンを用いて、イオンミリング或いは酸素プラズ
マにより第１のＤＬＣ膜２６を選択的にエッチングする
ことにより実現できる。

【００５６】図１１に本発明の第２の実施の形態におけ
るヘッドスライダを示す。

【００５７】図４に示されるヘッドスライダは、緩衝パ
ッド４が基体１１のコーナー上に形成されているが、第
２の実施の形態におけるヘッドスライダにおいては、緩
衝パッド４は、コーナーから離れた位置に形成されてい
る。緩衝パッドの高さはレールの高さと同じである。

【００５８】第２の実施の形態におけるヘッドスライダ
の製造工程は、第１の実施の形態におけるヘッドスライ
ダの製造工程とほとんど同じである。相違点は、図６
（ｃ）に示される工程（第１のフィルムレジスト２９の
パターニング）において、第１のフィルムレジスト２９
を図７（ｃ）に示されるようなパターンを形成する点で
ある。また、第２の実施の形態におけるヘッドスライダ
においても、図６（ａ）に示される工程において、Ｓｉ
膜２７および第２のＤＬＣ膜２８を省略することによ
り、吸着防止パッド５が省略される。

【００５９】図１１に示される第２の実施の形態におけ
るヘッドスライダの緩衝パッド４は円柱であるが、楕円
柱、四角柱でもよい。特に、円柱や楕円柱はエッジが曲
線のため、面取りされなくてもある程度の対衝撃性が確
保される。

【００６０】第１および第２の実施の形態におけるヘッ
ドスライダにおいては、スライダレール３と緩衝パッド
４の高さは互いに等しいが、緩衝パッド４の高さがスラ
イダレール３の高さよりも低くてもよい。そのような構
造を持つヘッドスライダの製造方法を図１２を用いて説
明する。なお、ウエハから切り出された棒状体１２をホ
ルダ１４に固定するまでの工程および棒状体に対する研
磨の工程は、先に述べた実施の形態と共通である。

【００６１】図１２（ａ）において、棒状体１２の基体
１１上に、膜厚５ｎｍのＳｉＣ膜２５、膜厚３０ｎｍの
第１のＤＬＣ膜２６、膜厚３ｎｍのＳｉ膜２７、膜厚３
０ｎｍの第２のＤＬＣ膜２８、膜厚３ｎｍの第２のＳｉ
膜２９、膜厚３０ｎｍの第３のＤＬＣ膜３０が順に積層
される。

【００６２】図１２（ｂ）において、第３のＤＬＣ膜３
０の上にフィルムレジスト３１が形成され、マスク、露
光・現像を経てフィルムレジスト３１を所定のパターン
に加工される。

【００６３】図１２（ｃ）において、棒状体１２が、基
体１１の上層部の深さまでイオンミリングによりエッチ
ングされる。

【００６４】図１２（ｄ）において、フィルムレジスト
３１が除去され、フィルムレジスト３２が棒状体１２の
表面に形成される。更に、レジスト３２は、マスク、露
光・現像を経て、レール形成予定面のみに残される。

【００６５】図１２（ｅ）において、酸素プラズマエッ
チングにより、緩衝パッド形成予定面上の第３のＤＬＣ
膜３０が除去される。

【００６６】図１２（ｆ）において、ＣＦ₄エッチング
により、表面に露出する第２のＳｉ膜２９が除去され
る。

【００６７】図１２（ｇ）において、レジスト３２が除
去され、棒状体１２の表面にフィルムレジスト３３が形
成される。更に、フィルムレジスト３３は、マスク、露
光・現像を経て、吸着防止パッド形成予定面のみに残さ
れる。

【００６８】図１２（ｈ）において、酸素プラズマエッ
チングにより、露出するＤＬＣ膜２８およびＤＬＣ膜３
０が除去される。

【００６９】図１２（ｉ）において、レジスト３２が除
去され、更に、露出するＳｉ膜２７および２９がＣＦ₄
エッチングにより除去される。

【００７０】以上、述べた各実施の形態のヘッドスライ
ダにおいては、レール３と緩衝パッド４が同じ材料で構
成されていたが、両者が異なる材料で構成されてもよ
い。

【００７１】以下に、レール２と緩衝パッド４の材料が
異なるヘッドスライダの製造工程について説明する。

【００７２】図１３（ａ）において、レール２６および
吸着防止パッド２８が既に形成された棒状体１２に、緩
衝パッド４の材料となるパッド層３５が成膜される。パ
ッド４の材料としては、Ｃ，Ｓｉ，ＳｉＣ，ＳｉＯ₂な
どが挙げられ、成膜法として、スパッタリング法、ＣＶ
Ｄ法、蒸着等のいずれかが選択される。なお、レールお
よび吸着防止パッドを形成するまでの工程は、従来から
用いられている種々の方法を利用することができる。

【００７３】図１３（ｂ）において、パッド層３５の上
にレジスト３６が形成される。

【００７４】図１３（ｃ）において、レジスト３６がパ
ターニングされ、露光・現像により、緩衝パッド形成予
定面のみにレジスト３６が残る。

【００７５】図１３（ｄ）において、イオンミリングや
プラズマエッチング等により、レジスト３６に覆われて
いないパッド層３５が除去される。特に、パッド層３５
がＳｉやＳｉＣのような材料でされていれば、エッチン
グ深さの管理の容易性の観点から、ＣＦ₄プラズマエッ
チングを用いるのが好ましい。

【００７６】図１３（ｅ）において、レジスト３６が除
去される。更に、露出するＳｉ膜２７がＣＦ₄エッチン
グにより除去される。なお、上記図１３（ｄ）に示され
るステップでＣＦ₄プラズマエッチングが用いられてい
れば、Ｓｉ膜２７の除去も兼ねるので、ここでは不要で
ある。或いは、Ｓｉ膜２７は、緩衝パッドの形成前に除
去されてもよい。

【００７７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明のヘッドス
ライダは、ディスクとの対向面の側縁にパッドが形成さ
れることを特徴とする。本発明のヘッドスライダを搭載
するディスク装置が衝撃を受けたとき、ディスクとパッ
ドとが接触し、ディスクとヘッドスライダの先鋭な角と
の接触は避けられる。つまり、本発明のヘッドスライダ
を搭載することにより、ディスクとヘッドスライダとの
磨耗が軽減される。その結果、ディスク装置の耐衝撃性
が向上し、高い信頼性が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来のヘッドスライダを示す図である。

【図２】本発明の磁気ディスク装置の平面図である。

【図３】本発明の磁気ディスク装置の断面図である。

【図４】本発明の第１の実施の形態におけるヘッドスラ
イダを示す図である。

【図５】ヘッド素子の製造工程を示す図である。

【図６】本発明の第１の実施の形態におけるヘッドスラ
イダの製造工程を示す図である。

【図７】棒状体の浮上面の平面図である。

【図８】研磨装置の外観図である。

【図９】定盤の断面図である。

【図１０】棒状体の研磨工程を示す図である。

【図１１】本発明の第２の実施の形態におけるヘッドス
ライダを示す図である。

【図１２】３段構造のヘッドスライダの製造工程を示す
図である。

【図１３】レールと緩衝バッドが異なる材料からなるヘ
ッドスライダの製造工程を示す図である。

【符号の説明】

１・・・ヘッドスライダ２・・・ヘッド素子３・・・レール４・・・緩衝パッド５・・・吸着防止パッド１１・・・基体１２・・・棒状体

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基体に、ディスクに対してデータの書き
込みまたは読み出しを行うヘッド素子が形成されてなる
ヘッドスライダであって、前記基体のディスクと向かい合う面から突出し、該基体
の長手方向に延びるスライダーレールと、前記ディスクと向かい合う面において、側縁と前記スラ
イダーレールとの間の領域から突出する面取りされたパ
ッドと、が形成されてなること特徴とするヘッドスライ
ダ。
【請求項２】基体上にディスク媒体にデータの書き込
みまたは読み出しを行うヘッド素子が形成されてなるヘ
ッドスライダであって、前記基体のディスクと向かい合う面から突出し、該基体
の長手方向に延びるスライダーレールと、前記ディスクと向かい合う面において、側縁と前記スラ
イダーレールとの間の領域から突出する高さが該スライ
ダレールの高さ以下のパッドと、が形成されてなること
特徴とするヘッドスライダ。
【請求項３】前記パッドは、前記基体よりも硬度が低
いこと特徴とする請求項１または請求項２に記載のヘッ
ドスライダ。
【請求項４】前記パッドは、前記ヘッドスライダと高
さが等しく、該ヘッドスライダと同じ材料で形成される
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のヘッ
ドスライダ。