JP2001033970A - 感放射線性樹脂組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＰＥＤによりレジストパターンが線幅の変化
を生じたりＴ型形状になったりすることがなく、反射率
の高い基板上でも定在波を発生することがなく、解像性
能に優れた化学増幅型レジストとして有用な感放射線性
樹脂組成物を提供する。 【解決手段】 （Ａ）下記式（１）で表される繰返し単
位を含む共重合体、並びに（Ｂ）感放射線性酸発生剤を
含有することを特徴とする感放射線性樹脂組成物。 【化１】 〔式（１）において、Ｒ¹ は水素原子またはメチル基を
示し、Ｒ² は置換されていてもよい炭素数６〜２０の脂
環族基または置換されていてもよい炭素数６〜２０の芳
香族基を示す。〕

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、特にＫｒＦエキシ
マレーザーあるいはＡｒＦエキシマレーザー等に代表さ
れる遠紫外線のほか、電子線等の荷電粒子線、シンクロ
トロン放射線等のＸ線の如き各種の放射線を用いる微細
加工に有用な感放射線性樹脂組成物に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＫｒＦエキシマレーザー等の遠紫外線、
電子線等の荷電粒子線およびシンクロトロン放射線等の
Ｘ線に適したレジストとして、放射線の照射（以下、
「露光」という。）により酸を発生する感放射線性酸発
生剤を使用し、その酸の触媒作用によりレジストの感度
を向上させた「化学増幅型レジスト」が提案されてい
る。従来、このような化学増幅型レジストに特有の問題
として、露光から露光後の加熱処理までの引き置き時間
（以下、「ＰＥＤ」という。）により、レジストパター
ンの線幅が変化したりあるいはＴ型形状になったりする
などの点が指摘されていたが、近年に至り、ヒドロキシ
スチレン系繰返し単位、（メタ）アクリル酸ｔ−ブチル
からなる繰返し単位および露光後のアルカリ現像液に対
する重合体の溶解性を低下させる繰返し単位からなる重
合体を用いた化学増幅型感放射線性樹脂組成物（特開平
７―２０９８６８号公報参照）を始めとして、デバイス
製造への適用に耐え得る化学増幅型レジストが種々提案
されてきた。しかしながら、これらの化学増幅型レジス
トの場合、反射率の高い基板上に適用すると、基板表面
からの反射光に起因して定在波が発生して、レジストパ
ターン側壁に凹凸が形成され、それにより解像性能が著
しく低下するという問題がある。このような定在波によ
るレジストパターン側壁の凹凸は、今日におけるデバイ
スの微細化および要求性能の高度化に伴なって無視でき
なくなってきており、反射率の高い基板上でも定在波を
発生することのない化学増幅型レジストの開発が強く求
められている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、従来
技術における前記状況に鑑み、ＰＥＤによりレジストパ
ターンが線幅の変化を生じたりＴ型形状になったりする
ことがなく、しかも反射率の高い基板上でも定在波を発
生することがなく、解像性能に優れた化学増幅型レジス
トとして有用な感放射線性樹脂組成物を提供することに
ある。さらに、本発明の他の課題は、ＫｒＦエキシマレ
ーザーあるいはＡｒＦエキシマレーザー等の遠紫外線、
電子線等の荷電粒子線、シンクロトロン放射線等のＸ線
の如き各種の放射線に対して、高感度（低露光エネルギ
ー量）である感放射線性樹脂組成物を提供することにあ
る。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明によると、前記課
題は、（Ａ）下記式（１）で表される繰返し単位を含む
共重合体、並びに（Ｂ）感放射線性酸発生剤を含有する
ことを特徴とする感放射線性樹脂組成物、

【０００５】

【化２】 〔式（１）において、Ｒ¹ は水素原子またはメチル基を
示し、Ｒ² は置換されていてもよい炭素数６〜２０の脂
環族基または置換されていてもよい炭素数６〜２０の芳
香族基を示す。〕によって達成される。

【０００６】以下、本発明を詳細に説明する。（Ａ）共重合体 本発明における（Ａ）成分は、前記式（１）で表される
繰返し単位（以下、「繰返し単位（１）」という。）を
含む共重合体（以下、「（Ａ）共重合体」という。）か
らなる。式（１）において、Ｒ² の置換されていてもよ
い炭素数６〜２０の脂環族基は、単環式でも多環式でも
よく、多環式脂環族基の場合非縮合環式でも縮合環式で
もよい。前記脂環族基の例としては、シクロヘキシル
基、２−メチルシクロヘキシル基、３−メチルシクロヘ
キシル基、４−メチルシクロヘキシル基、２，３−ジメ
チルシクロヘキシル基、２，４−ジメチルシクロヘキシ
ル基、２，５−ジメチルシクロヘキシル基、２，６−ジ
メチルシクロヘキシル基、３，４−ジメチルシクロヘキ
シル基、３，５−ジメチルシクロヘキシル基、３，４，
５−トリメチルシクロヘキシル基、２−エチルシクロヘ
キシル基、３−エチルシクロヘキシル基、４−エチルシ
クロヘキシル基、４−ｎ−プロピルシクロヘキシル基、
４−ｉ−プロピルシクロヘキシル基、４−ｎ−ブチルシ
クロヘキシル基、４−ｔ−ブチルシクロヘキシル基、２
−メトキシシクロヘキシル基、３−メトキシシクロヘキ
シル基、４−メトキシシクロヘキシル基、２，４−ジメ
トキシシクロヘキシル基、２，５−ジメトキシシクロヘ
キシル基、２，６−ジメトキシシクロヘキシル基、３，
４−ジメトキシシクロヘキシル基、３，５−ジメトキシ
シクロヘキシル基、２−フルオロシクロヘキシル基、３
−フルオロシクロヘキシル基、４−フルオロシクロヘキ
シル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等の（置
換）シクロアルキル基や、１−ノルボルニル基、４−ボ
ルニル基、４−イソボルニル基、１−ビシクロ[ ２．
２．２ ]オクチル基、２−ビシクロ[ ４．３．０ ]ノニ
ル基、２−ビシクロ[ ４．４．０ ]デカニル基、９−ビ
シクロ[ ５．３．０ ]デカニル基、１０−カンファニル
基、４−ビシクロヘキシル基、１−アダマンチル基、ト
リシクロデカニル基等を挙げることができる。

【０００７】また、Ｒ² の置換されていてもよい炭素数
６〜２０の芳香族基は、単環式でも多環式でもよく、多
環式芳香族基の場合非縮合環式でも縮合環式でもよい。
前記芳香族基の例としては、フェニル基、ｏ−トリル
基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、２，３−ジメチルフ
ェニル基、２，４−ジメチルフェニル基、２，５−ジメ
チルフェニル基、２，６−ジメチルフェニル基、３，４
−ジメチルフェニル基、３，５−ジメチルフェニル基、
３，４，５−トリメチルフェニル基、２−エチルフェニ
ル基、３−エチルフェニル基、４−エチルフェニル基、
４−ｎ−プロピルフェニル基、４−ｉ−プロピルフェニ
ル基、４−ｎ−ブチルフェニル基、４−ｔ−ブチルフェ
ニル基、２−メトキシフェニル基、３−メトキシフェニ
ル基、４−メトキシフェニル基、２，４−ジメトキシフ
ェニル基、２，５−ジメトキシフェニル基、２，６−ジ
メトキシフェニル基、３，４−ジメトキシフェニル基、
３，５−ジメトキシフェニル基、２−フルオロフェニル
基、３−フルオロフェニル基、４−フルオロフェニル基
等の（置換）フェニル基や、１−ナフチル基、４−メチ
ル−１−ナフチル基、４−メトキシ−１−ナフチル基、
１−アントリル基、９−アントリル基、４−ビフェニル
基等を挙げることができる。

【０００８】式（１）におけるＲ² としては、置換され
ていてもよい炭素数６〜１４の脂環族基および置換され
ていてもよい炭素数６〜１４の芳香族基が好ましく、さ
らに好ましくは（置換）シクロヘキシル基および（置
換）フェニル基であり、特に、シクロヘキシル基、フェ
ニル基等が好ましい。

【０００９】繰返し単位（１）を与える単量体として
は、例えば、２−シクロヘキシルメチル−２−プロピル
（メタ）アクリレート、２−（２’−メチルシクロヘキ
シルメチル）−２−プロピル（メタ）アクリレート、２
−（３’−メチルシクロヘキシルメチル）−２−プロピ
ル（メタ）アクリレート、２−（４’−メチルシクロヘ
キシルメチル）−２−プロピル（メタ）アクリレート、
２−（２’−エチルシクロヘキシルメチル）−２−プロ
ピル（メタ）アクリレート、２−（３’−エチルシクロ
ヘキシルメチル）−２−プロピル（メタ）アクリレー
ト、２−（４’−エチルシクロヘキシルメチル）−２−
プロピル（メタ）アクリレート、２−（２’−メトキシ
シクロヘキシルメチル）−２−プロピル（メタ）アクリ
レート、２−（３’−メトキシシクロヘキシルメチル）
−２−プロピル（メタ）アクリレート、２−（４’−メ
トキシシクロヘキシルメチル）−２−プロピル（メタ）
アクリレート、２−（１’−ノルボルニルメチル）−２
−プロピル（メタ）アクリレート、２−（１’−アダマ
ンチルメチル）−２−プロピル（メタ）アクリレート、
２−（トリシクロデカニルメチル）−２−プロピル（メ
タ）アクリレート、

【００１０】２−ベンジル−２−プロピル（メタ）アク
リレート、２−（２’−メチルベンジル）−２−プロピ
ル（メタ）アクリレート、２−（３’−メチルベンジ
ル）−２−プロピル（メタ）アクリレート、２−（４’
−メチルベンジル）−２−プロピル（メタ）アクリレー
ト、２−（２’−エチルベンジル）−２−プロピル（メ
タ）アクリレート、２−（３’−エチルベンジル）−２
−プロピル（メタ）アクリレート、２−（４’−エチル
ベンジル）−２−プロピル（メタ）アクリレート、２−
（２’−メトキシベンジル）−２−プロピル（メタ）ア
クリレート、２−（３’−メトキシベンジル）−２−プ
ロピル（メタ）アクリレート、２−（４’−メトキシベ
ンジル）−２−プロピル（メタ）アクリレート、２−
（１’−ナフチルメチル）−２−プロピル（メタ）アク
リレート等を挙げることができる。

【００１１】（Ａ）共重合体において、繰返し単位
（１）は単独でまたは２種以上が存在することができ
る。（Ａ）共重合体中の繰返し単位（１）の含有量は、
全繰返し単位に対して、通常、５〜６０重量％、好まし
くは５〜５０重量％、さらに好ましくは５〜４５重量％
である。この場合、繰返し単位（１）の含有量が５重量
％以下では、特に、定在波発生に対する抑制効果が低下
する傾向があり、一方６０重量％を超えると、レジスト
としての感度が低下する傾向がある。

【００１２】（Ａ）共重合体の好ましい例としては、以
下に示す共重合体（Ａ１）〜共重合体（Ａ３）等を挙げ
ることができる。 共重合体（Ａ１）：共重合体（Ａ１）は、前記繰返し単
位（１）と下記式（２）で表される繰り返し単位（以
下、「繰返し単位（２）」という。）とを含む共重合体
からなる。

【００１３】

【化３】 〔式（２）において、Ｒ³ は水素原子またはメチル基を
示す。〕

【００１４】繰返し単位（２）としては、特に、ｐ−ヒ
ドロキシスチレン等に由来する単位が好ましい。共重合
体（Ａ１）において、繰返し単位（２）は単独でまたは
２種以上が存在することができる。共重合体（Ａ１）中
の繰返し単位（２）の含有量は、全繰返し単位に対し
て、通常、９０重量％以下、好ましくは８５重量％以
下、さらに好ましくは４０〜８０重量％である。

【００１５】共重合体（Ａ２）：共重合体（Ａ２）は、
前記繰返し単位（１）と下記式（３）に示す繰返し単位
（３−１）および繰返し単位（３−２）とを有する共重
合体からなる。

【００１６】

【化４】 〔式（３）において、ＡおよびＢは相互に独立に水素原
子または酸の存在下で解離して酸性官能基を生じる炭素
数１〜２０の酸解離性有機基（以下、「酸解離性有機
基」という。）を示し、且つＡおよびＢの少なくとも一
方が酸解離性有機基であり、ＸおよびＹは相互に独立に
水素原子または炭素数１〜４のアルキル基を示し、ｎは
０〜３の整数である。〕

【００１７】繰返し単位（３−１）における酸解離性有
機基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキ
シカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、ｉ−プ
ロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、２
―メチルプロポキシカルボニル基、１―メチルプロポキ
シカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、ｎ−ペン
チルオキシカルボニル基、ｎ−ヘキシルオキシカルボニ
ル基、ｎ−ヘプチルオキシカルボニル基、ｎ−オクチル
オキシカルボニル基、ｎ−デシルオキシカルボニル基、
シクロペンチルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオ
キシカルボニル基、４―ｔ−ブチルシクロヘキシルオキ
シカルボニル基、シクロヘプチルオキシカルボニル基、
シクロオクチルオキシカルボニル基等の（シクロ）アル
コキシカルボニル基；フェノキシカルボニル基、４―ｔ
−ブチルフェノキシカルボニル基、１―ナフチルオキシ
カルボニル基等のアリーロキシカルボニル基；ベンジル
オキシカルボニル基、４―ｔ−ブチルベンジルオキシカ
ルボニル基、フェネチルオキシカルボニル基、４―ｔ−
ブチルフェネチルオキシカルボニル基等のアラルキルオ
キシカルボニル基；１―メトキシエトキシカルボニル
基、１―エトキシエトキシカルボニル基、１―ｎ−プロ
ポキシエトキシカルボニル基、１―ｉ−プロポキシエト
キシカルボニル基、１―ｎ−ブトキシエトキシカルボニ
ル基、１―（２’―メチルプロポキシ）エトキシカルボ
ニル基、１―（１’―メチルプロポキシ）エトキシカル
ボニル基、１―ｔ−ブトキシエトキシカルボニル基、１
―シクロヘキシルオキシエトキシカルボニル基、１―
（４’―ｔ−ブチルシクロヘキシルオキシ）エトキシカ
ルボニル基等の１―（シクロ）アルキルオキシエトキシ
カルボニル基；

【００１８】１―フェノキシエトキシカルボニル基、１
―（４’―ｔ−ブチルフェノキシ）エトキシカルボニル
基、１―（１’―ナフチルオキシ）エトキシカルボニル
基等の１―アリーロキシエトキシカルボニル基；１―ベ
ンジルオキシエトキシカルボニル基、１―（４’―ｔ−
ブチルベンジルオキシ）エトキシカルボニル基、１―フ
ェネチルオキシエトキシカルボニル基、１―（４’―ｔ
−ブチルフェネチルオキシ）エトキシカルボニル基等の
１―アラルキルオキシエトキシカルボニル基；メトキシ
カルボニルメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル
メトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニルメト
キシカルボニル基、ｉ−プロポキシカルボニルメトキシ
カルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニルメトキシカルボ
ニル基、２−メチルプロポキシカルボニルメトキシカル
ボニル基、１―メチルプロポキシカルボニルメトキシカ
ルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニルメトキシカルボニ
ル基、シクロヘキシルオキシカルボニルメトキシカルボ
ニル基、４―ｔ−ブチルシクロヘキシルオキシカルボニ
ルメトキシカルボニル基等の（シクロ）アルコキシカル
ボニルメトキシカルボニル基；メトキシカルボニルメチ
ル基、エトキシカルボニルメチル基、ｎ−プロポキシカ
ルボニルメチル基、ｉ−プロポキシカルボニルメチル
基、ｎ−ブトキシカルボニルメチル基、２―メチルプロ
ポキシカルボニルメチル基、１―メチルプロポキシカル
ボニルメチル基、ｔ−ブトキシカルボニルメチル基、シ
クロヘキシルオキシカルボニルメチル基、４―ｔ−ブチ
ルシクロヘキシルオキシカルボニルメチル基等の（シク
ロ）アルコキシカルボニルメチル基；

【００１９】フェノキシカルボニルメチル基、４―ｔ−
ブチルフェノキシカルボニルメチル基、１―ナフチルオ
キシカルボニルメチル基等のアリーロキシカルボニルメ
チル基；ベンジルオキシカルボニルメチル基、４−ｔ−
ブチルベンジルオキシカルボニルメチル基、フェネチル
オキシカルボニルメチル基、４―ｔ−ブチルフェネチル
オキシカルボニルメチル基等のアラルキルオキシカルボ
ニルメチル基；２―メトキシカルボニルエチル基、２―
エトキシカルボニルエチル基、２―ｎ−プロポキシカル
ボニルエチル基、２―ｉ−プロポキシカルボニルエチル
基、２―ｎ−ブトキシカルボニルエチル基、２―（２’
―メチルプロポキシ）カルボニルエチル基、２―（１’
―メチルプロポキシ）カルボニルエチル基、２―ｔ−ブ
トキシカルボニルエチル基、２―シクロヘキシルオキシ
カルボニルエチル基、２―（４’―ｔ−ブチルシクロヘ
キシルオキシカルボニル）エチル基等の２―（シクロ）
アルコキシカルボニルエチル基；２―フェノキシカルボ
ニルエチル基、２―（４’―ｔ−ブチルフェノキシカル
ボニル）エチル基、２―（１’―ナフチルオキシカルボ
ニル）エチル基等の２―アリーロキシカルボニルエチル
基；２―ベンジルオキシカルボニルエチル基、２―
（４’―ｔ−ブチルベンジルオキシカルボニル）エチル
基、２―フェネチルオキシカルボニルエチル基、２―
（４’―ｔ−ブチルフェネチルオキシカルボニル）エチ
ル基等の２―アラルキルオキシカルボニルエチル基や、
テトラヒドロフラニルオキシカルボニル基、テトラヒド
ロピラニルオキシカルボニル基等を挙げることができ
る。これらの酸解離性有機基のうち特に好ましくは、１
―メチルプロポキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボ
ニル基、ｔ−ブトキシカルボニルメトキシカルボニル基
である。

【００２０】また、繰返し単位（３―１）におけるＸお
よびＹの炭素数１〜４のアルキル基としては、例えば、
メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル
基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、
ｔ−ブチル基等を挙げることが出来る。また、繰返し単
位（３―１）におけるｎとしては、０または１が好まし
い。

【００２１】繰返し単位（３―１）を与える単量体の具
体例としては、５―メトキシカルボニルビシクロ［２．
２．１］ヘプト−２−エン、５―ｎ−プロポキシカルボ
ニルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン５―ｔ−
ブトキシカルボニルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２
−エン、５―ｔ−ブトキシカルボニルメトキシカルボニ
ルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、５―テト
ラヒドロピラニルオキシカルボニルビシクロ［２．２．
１］ヘプト−２−エン、５―メチル−５−エトキシカル
ボニルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、５―
メチル−５−ｔ−ブトキシカルボニルビシクロ［２．
２．１］ヘプト−２−エン、５―メチル−５−ｔ−ブト
キシカルボニルメトキシカルボニルビシクロ［２．２．
１］ヘプト−２−エン、５―メチル−５−テトラヒドロ
ピラニルオキシカルボニルビシクロ［２．２．１］ヘプ
ト−２−エン、５，６−ジ（メトキシカルボニル）ビシ
クロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、５，６−ジ（ｔ
−ブトキシカルボニル）ビシクロ［２．２．１］ヘプト
−２−エン、５，６−ジ（シクロヘキシルオキシカルボ
ニル）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、５，
６−ジ（ｔ−ブトキシカルボニルメトキシカルボニル）
ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、５，６−ジ
（テトラヒドロピラニルオキシカルボニル）ビシクロ
［２．２．１］ヘプト−２−エン、

【００２２】８―ｔ−ブトキシカルボニルテトラシクロ
［４．４．０．１^2,5．１^7,10］ドデカ−３−エン、８
―ｔ−ブトキシカルボニルメトキシカルボニルテトラシ
クロ［４．４．０．１ ^2,5．１^7,10］ドデカ−３−エ
ン、８―テトラヒドロピラニルオキシカルボニルテトラ
シクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］ドデカ−３−エ
ン、８―メチル―８―ｔ−ブトキシカルボニルテトラシ
クロ［４．４．０．１^2,5 ．１^7,10］ドデカ−３−エ
ン、８―メチル―８―ｔ−ブトキシカルボニルメトキシ
カルボニルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．
１^7,10］ドデカ−３−エン、８―メチル―８―テトラヒ
ドロピラニルオキシカルボニルテトラシクロ［４．４．
０．１^2,5 ．１^7,10］ドデカ−３−エン、８，９−ジ
（ｔ−ブトキシカルボニル）テトラシクロ［４．４．
０．１^2,5 ．１^7,10］ドデカ−３−エン、８，９−ジ
（ｔ−ブトキシカルボニルメトキシカルボニル）テトラ
シクロ［４．４．０．１^2,5 ．１^7,10］ドデカ−３−エ
ン、８，９−ジ（テトラヒドロピラニルオキシカルボニ
ル）テトラシクロ［４．４．０．１^2,5 ．１^7,10］ドデ
カ−３−エン、等を挙げることができる。これらの単量
体のうち、５―ｔ−ブトキシカルボニルビシクロ［２．
２．１］ヘプト−２−エン、８―ｔ−ブトキシカルボニ
ルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5 ．１^7,10］ドデカ
−３−エン等が好ましい。共重合体（Ａ２）において、
繰返し単位（３―１）は単独でまたは２種以上が存在す
ることができる。また、繰返し単位（３―２）は、無水
マレイン酸に由来する単位である。

【００２３】共重合体（Ａ２）中の繰返し単位（３―
１）の含有量は、全繰返し単位に対して、通常、２０〜
７０重量％、好ましくは２０〜６０重量％、さらに好ま
しくは２５〜６０重量％であり、また繰返し単位（３―
２）の含有量は、全繰返し単位に対して、通常、５〜７
０重量％、好ましくは１０〜５０重量％、さらに好まし
くは１０〜４５重量％である。

【００２４】共重合体（Ａ３）：共重合体（Ａ３）は、
前記繰返し単位（１）と下記式（４）で表される繰返し
単位（但し、繰返し単位（１）を除く。）（以下、「繰
返し単位（４）」という。）とを有する共重合体からな
る。

【００２５】

【化５】 〔式（４）において、Ｒ⁴ は水素原子、メチル基または
ヒドロキシメチル基を示し、Ｒ⁵ は水素原子または炭素
数１〜２０の有機基を示す。〕

【００２６】繰返し単位（４）を与える単量体として
は、例えば、（メタ）アクリル酸、（メタ）アクリル酸
ノルボルニル、（メタ）アクリル酸イソボルニル、（メ
タ）アクリル酸トリシクロデカニル、（メタ）アクリル
酸テトラシクロデカニル、（メタ）アクリル酸ジシクロ
ペンテニル、（メタ）アクリル酸アダマンチル、（メ
タ）アクリル酸アダマンチルメチル、（メタ）アクリル
酸１−メチルアダマンチル、（メタ）アクリル酸メチ
ル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ｎ
−プロピル、（メタ）アクリル酸ｉ−プロピル、（メ
タ）アクリル酸ｎ−ブチル、（メタ）アクリル酸ｉ−ブ
チル、（メタ）アクリル酸ｓｅｃ−ブチル、（メタ）ア
クリル酸ｔ−ブチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキ
シエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピ
ル、（メタ）アクリル酸３−ヒドロキシプロピル、（メ
タ）アクリル酸シクロプロピル、（メタ）アクリル酸シ
クロペンチル、（メタ）アクリル酸シクロヘキシル、
（メタ）アクリル酸シクロヘキセニル、（メタ）アクリ
ル酸４−メトキシシクロヘキシル、（メタ）アクリル酸
２−シクロプロピルオキシカルボニルエチル、（メタ）
アクリル酸２−シクロペンチルオキシカルボニルエチ
ル、（メタ）アクリル酸２−シクロヘキシルオキシカル
ボニルエチル、（メタ）アクリル酸２−シクロヘキセニ
ルオキシカルボニルエチル、（メタ）アクリル酸２−
（４’−メトキシシクロヘキシル）オキシカルボニルエ
チル、（メタ）アクリル酸２−カルボキシエチル、（メ
タ）アクリル酸２−カルボキシプロピル、（メタ）アク
リル酸３−カルボキシプロピル、（メタ）アクリル酸４
−カルボキシブチル、（メタ）アクリル酸４−カルボキ
シシクロヘキシル、（メタ）アクリル酸カルボキシトリ
シクロデカニル、（メタ）アクリル酸カルボキシテトラ
シクロデカニル等の（メタ）アクリル酸エステル類；α
−ヒドロキシメチルアクリル酸メチル、α−ヒドロキシ
メチルアクリル酸エチル、α−ヒドロキシメチルアクリ
ル酸ｎ−プロピル、α−ヒドロキシメチルアクリル酸ｎ
−ブチル等のα−ヒドロキシメチルアクリル酸エステル
類を挙げることができる。共重合体（Ａ３）において、
繰返し単位（４）は単独でまたは２種以上が存在するこ
とができる。

【００２７】また、前記共重合体（Ａ１）、共重合体
（Ａ２）および共重合体（Ａ３）はそれぞれ、前述した
各繰返し単位以外の繰返し単位（以下、「他の繰返し単
位（α）」という）を１種以上有することもできる。他
の繰返し単位（α）を与える単量体としては、例えば、
スチレン、α−メチルスチレン、ｏ−メチルスチレン、
ｍ−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン、ｏ−メトキ
シスチレン、ｍ−メトキシスチレン、ｐ−メトキシスチ
レン、ｏ−ｔ−ブトキシスチレン、ｍ−ｔ−ブトキシス
チレン、ｐ−ｔ−ブトキシスチレン、ｐ−（１−メトキ
シエトキシ）スチレン、ｐ−（１−エトキシエトキシ）
スチレン、ｐ−（１−ｎ−プロポキシエトキシ）スチレ
ン、ｐ−（１−ｉ−プロポキシエトキシ）スチレン、ｐ
−（１−ｎ−ブトキシエトキシ）スチレン、ｐ−（１−
ｔ−ブトキシエトキシ）スチレン、ｐ−（１−ｎ−ペン
チルオキシエトキシ）スチレン、ｐ−（１−ｎ−ヘキシ
ルオキシエトキシ）スチレン、ｐ−（１−シクロペンチ
ルオキシエトキシ）スチレン、ｐ−（１−シクロヘキシ
ルオキシエトキシ）スチレン、ｐ−（１−ベンジルオキ
シエトキシ）スチレン、ｐ−｛１−（１’−ナフチルメ
トキシ）エトキシ｝スチレン、

【００２８】ｐ−（１−メトキシプロポキシ）スチレ
ン、ｐ−（１−エトキシプロポキシ）スチレン、ｐ−
（１−ｎ−プロポキシプロポキシ）スチレン、ｐ−（１
−ｉ−プロポキシプロポキシ）スチレン、ｐ−（１−ｎ
−ブトキシプロポキシ）スチレン、ｐ−（１−ｔ−ブト
キシプロポキシ）スチレン、ｐ−（１−ｎ−ペンチルオ
キシプロポキシ）スチレン、ｐ−（１−ｎ−ヘキシルオ
キシプロポキシ）スチレン、ｐ−（１−シクロペンチル
オキシプロポキシ）スチレン、ｐ−（１−シクロヘキシ
ルオキシプロポキシ）スチレン、ｐ−（１−ベンジルオ
キシプロポキシ）スチレン、ｐ−｛１−（１’−ナフチ
ルメトキシ）プロポキシ｝スチレン、ｐ−（１−メトキ
シブトキシ）スチレン、ｐ−（１−エトキシブトキシ）
スチレン、ｐ−（１−ｎ−プロポキシブトキシ）スチレ
ン、ｐ−（１−ｉ−プロポキシブトキシ）スチレン、ｐ
−（１−ｎ−ブトキシブトキシ）スチレン、ｐ−（１−
ｔ−ブトキシブトキシ）スチレン、ｐ−（１−ｎ−ペン
チルオキシブトキシ）スチレン、ｐ−（１−ｎ−ヘキシ
ルオキシブトキシ）スチレン、ｐ−（１−シクロペンチ
ルオキシブトキシ）スチレン、ｐ−（１−シクロヘキシ
ルオキシブトキシ）スチレン、ｐ−（１−ベンジルオキ
シブトキシ）スチレン、ｐ−｛１−（１’−ナフチルメ
トキシ）ブトキシ｝スチレン、

【００２９】ｐ−（１−メトキシ−２−メチルプロポキ
シ）スチレン、ｐ−（１−エトキシ−２−メチルプロポ
キシ）スチレン、ｐ−（１−ｎ−プロポキシ−２−メチ
ルプロポキシ）スチレン、ｐ−（１−ｉ−プロポキシ−
２−メチルプロポキシ）スチレン、ｐ−（１−ｎ−ブト
キシ−２−メチルプロポキシ）スチレン、ｐ−（１−ｔ
−ブトキシ−２−メチルプロポキシ）スチレン、ｐ−
（１−ｎ−ペンチルオキシ−２−メチルプロポキシ）ス
チレン、ｐ−（１−ｎ−ヘキシルオキシ−２−メチルプ
ロポキシ）スチレン、ｐ−（１−シクロペンチルオキシ
−２−メチルプロポキシ）スチレン、ｐ−（１−シクロ
ヘキシルオキシ−２−メチルプロポキシ）スチレン、ｐ
−（１−ベンジルオキシ−２−メチルプロポキシ）スチ
レン、ｐ−｛１−（１’−ナフチルメトキシ）−２−メ
チルプロポキシ｝スチレン、ｐ−（１−メトキシペンチ
ルオキシ）スチレン、ｐ−（１−エトキシペンチルオキ
シ）スチレン、ｐ−（１−ｎ−プロポキシペンチルオキ
シ）スチレン、ｐ−（１−ｉ−プロポキシペンチルオキ
シ）スチレン、ｐ−（１−ｎ−ブトキシペンチルオキ
シ）スチレン、ｐ−（１−ｔ−ブトキシペンチルオキ
シ）スチレン、ｐ−（１−ｎ−ペンチルオキシペンチル
オキシ）スチレン、ｐ−（１−ｎ−ヘキシルオキシペン
チルオキシ）スチレン、ｐ−（１−シクロペンチルオキ
シペンチルオキシ）スチレン、ｐ−（１−シクロヘキシ
ルオキシペンチルオキシ）スチレン、ｐ−（１−ベンジ
ルオキシペンチルオキシ）スチレン、ｐ−｛１−（１’
−ナフチルメトキシ）ペンチルオキシ｝スチレン、

【００３０】ｐ−（１−メトキシ−２，２−ジメチルプ
ロポキシ）スチレン、ｐ−（１−エトキシ−２，２−ジ
メチルプロポキシ）スチレン、ｐ−（１−ｎ−プロポキ
シ−２，２−ジメチルプロポキシ）スチレン、ｐ−（１
−ｉ−プロポキシ−２，２−ジメチルプロポキシ）スチ
レン、ｐ−（１−ｎ−ブトキシ−２，２−ジメチルプロ
ポキシ）スチレン、ｐ−（１−ｔ−ブトキシ−２，２−
ジメチルプロポキシ）スチレン、ｐ−（１−ｎ−ペンチ
ルオキシ−２，２−ジメチルプロポキシ）スチレン、ｐ
−（１−ｎ−ヘキシルオキシ−２，２−ジメチルプロポ
キシ）スチレン、ｐ−（１−シクロペンチルオキシ−
２，２−ジメチルプロポキシ）スチレン、ｐ−（１−シ
クロヘキシルオキシ−２，２−ジメチルプロポキシ）ス
チレン、ｐ−（１−ベンジルオキシ−２，２−ジメチル
プロポキシ）スチレン、ｐ−｛１−（１’−ナフチルメ
トキシ）−２，２−ジメチルプロポキシ｝スチレン、ｐ
−（１−メチル−１−メトキシエトキシ）スチレン、ｐ
−（１−メチル−１−エトキシエトキシ）スチレン、ｐ
−（１−メチル−１−ｎ−プロポキシエトキシ）スチレ
ン、ｐ−（１−メチル−１−ｉ−プロポキシエトキシ）
スチレン、ｐ−（１−メチル−１−ｎ−ブトキシエトキ
シ）スチレン、ｐ−（１−メチル−１−ｔ−ブトキシエ
トキシ）スチレン、ｐ−（１−メチル−１−ｎ−ペンチ
ルオキシエトキシ）スチレン、ｐ−（１−メチル−１−
ｎ−ヘキシルオキシエトキシ）スチレン、ｐ−（１−メ
チル−１−シクロペンチルオキシエトキシ）スチレン、
ｐ−（１−メチル−１−シクロヘキシルオキシエトキ
シ）スチレン、ｐ−（１−メチル−１−ベンジルオキシ
エトキシ）スチレン、ｐ−｛１−メチル−１−（１’−
ナフチルメトキシ）エトキシ｝スチレン、

【００３１】ｐ−（１−メチル−１−メトキシプロポキ
シ）スチレン、ｐ−（１−メチル−１−エトキシプロポ
キシ）スチレン、ｐ−（１−メチル−１−ｎ−プロポキ
シプロポキシ）スチレン、ｐ−（１−メチル−１−ｉ−
プロポキシプロポキシ）スチレン、ｐ−（１−メチル−
１−ｎ−ブトキシプロポキシ）スチレン、ｐ−（１−メ
チル−１−ｔ−ブトキシプロポキシ）スチレン、ｐ−
（１−メチル−１−ｎ−ペンチルオキシプロポキシ）ス
チレン、ｐ−（１−メチル−１−ｎ−ヘキシルオキシプ
ロポキシ）スチレン、ｐ−（１−メチル−１−シクロペ
ンチルオキシプロポキシ）スチレン、ｐ−（１−メチル
−１−シクロヘキシルオキシプロポキシ）スチレン、ｐ
−（１−メチル−１−ベンジルオキシプロポキシ）スチ
レン、ｐ−｛１−メチル−１−（１’−ナフチルメトキ
シ）プロポキシ｝スチレン、ｐ−（１−メチル−１−メ
トキシブトキシ）スチレン、ｐ−（１−メチル−１−エ
トキシブトキシ）スチレン、ｐ−（１−メチル−１−ｎ
−プロポキシブトキシ）スチレン、ｐ−（１−メチル−
１−ｉ−プロポキシブトキシ）スチレン、ｐ−（１−メ
チル−１−ｎ−ブトキシブトキシ）スチレン、ｐ−（１
−メチル−１−ｔ−ブトキシブトキシ）スチレン、ｐ−
（１−メチル−１−ｎ−ペンチルオキシブトキシ）スチ
レン、ｐ−（１−メチル−１−ｎ−ヘキシルオキシブト
キシ）スチレン、ｐ−（１−メチル−１−シクロペンチ
ルオキシブトキシ）スチレン、ｐ−（１−メチル−１−
シクロヘキシルオキシブトキシ）スチレン、ｐ−（１−
メチル−１−ベンジルオキシブトキシ）スチレン、ｐ−
｛１−メチル−１−（１’−ナフチルメトキシ）ブトキ
シ｝スチレン、

【００３２】ｐ−（１−メチル−１−メトキシ−２−メ
チルプロポキシ）スチレン、ｐ−（１−メチル−１−エ
トキシ−２−メチルプロポキシ）スチレン、ｐ−（１−
メチル−１−ｎ−プロポキシ−２−メチルプロポキシ）
スチレン、ｐ−（１−メチル−１−ｉ−プロポキシ−２
−メチルプロポキシ）スチレン、ｐ−（１−メチル−１
−ｎ−ブトキシ−２−メチルプロポキシ）スチレン、ｐ
−（１−メチル−１−ｔ−ブトキシ−２−メチルプロポ
キシ）スチレン、ｐ−（１−メチル−１−ｎ−ペンチル
オキシ−２−メチルプロポキシ）スチレン、ｐ−（１−
メチル−１−ｎ−ヘキシルオキシ−２−メチルプロポキ
シ）スチレン、ｐ−（１−メチル−１−シクロペンチル
オキシ−２−メチルプロポキシ）スチレン、ｐ−（１−
メチル−１−シクロヘキシルオキシ−２−メチルプロポ
キシ）スチレン、ｐ−（１−メチル−１−ベンジルオキ
シ−２−メチルプロポキシ）スチレン、ｐ−｛１−メチ
ル−１−（１’−ナフチルメトキシ）−２−メチルプロ
ポキシ｝スチレン、ｐ−（１−メチル−１−メトキシペ
ンチルオキシ）スチレン、ｐ−（１−メチル−１−エト
キシペンチルオキシ）スチレン、ｐ−（１−メチル−１
−ｎ−プロポキシペンチルオキシ）スチレン、ｐ−（１
−メチル−１−ｉ−プロポキシペンチルオキシ）スチレ
ン、ｐ−（１−メチル−１−ｎ−ブトキシペンチルオキ
シ）スチレン、ｐ−（１−メチル−１−ｔ−ブトキシペ
ンチルオキシ）スチレン、ｐ−（１−メチル−１−ｎ−
ペンチルオキシペンチルオキシ）スチレン、ｐ−（１−
メチル−１−ｎ−ヘキシルオキシペンチルオキシ）スチ
レン、ｐ−（１−メチル−１−シクロペンチルオキシペ
ンチルオキシ）スチレン、ｐ−（１−メチル−１−シク
ロヘキシルオキシペンチルオキシ）スチレン、ｐ−（１
−メチル−１−ベンジルオキシペンチルオキシ）スチレ
ン、ｐ−｛１−メチル−１−（１’−ナフチルメトキ
シ）ペンチルオキシ｝スチレン、

【００３３】ｐ−（１−メチル−１−メトキシ−２,２
−ジメチルプロポキシ）スチレン、ｐ−（１−メチル−
１−エトキシ−２,２−ジメチルプロポキシ）スチレ
ン、ｐ−（１−メチル−１−ｎ−プロポキシ−２,２−
ジメチルプロポキシ）スチレン、ｐ−（１−メチル−１
−ｉ−プロポキシ−２,２−ジメチルプロポキシ）スチ
レン、ｐ−（１−メチル−１−ｎ−ブトキシ−２,２−
ジメチルプロポキシ）スチレン、ｐ−（１−メチル−１
−ｔ−ブトキシ−２,２−ジメチルプロポキシ）スチレ
ン、ｐ−（１−メチル−１−ｎ−ペンチルオキシ−２,
２−ジメチルプロポキシ）スチレン、ｐ−（１−メチル
−１−ｎ−ヘキシルオキシ−２,２−ジメチルプロポキ
シ）スチレン、ｐ−（１−メチル−１−シクロペンチル
オキシ−２,２−ジメチルプロポキシ）スチレン、ｐ−
（１−メチル−１−シクロヘキシルオキシ−２,２−ジ
メチルプロポキシ）スチレン、ｐ−（１−メチル−１−
ベンジルオキシ−２,２−ジメチルプロポキシ）スチレ
ン、ｐ−｛１−メチル−１−（１’−ナフチルメトキ
シ）−２,２−ジメチルプロポキシ｝スチレン、ｐ−メ
トキシカルボニルオキシスチレン、ｐ−エトキシカルボ
ニルオキシスチレン、ｐ−ｎ−プロピルオキシカルボニ
ルオキシスチレン、ｐ−ｉ−プロピルオキシカルボニル
オキシスチレン、ｐ−ｎ−ブトキシカルボニルオキシス
チレン、ｐ−ｉ−ブトキシカルボニルオキシスチレン、
ｐ−ｓｅｃ−ブトキシカルボニルオキシスチレン、ｐ−
ｔ−ブトキシカルボニルオキシスチレン、ｐ−シクロヘ
キシルオキシカルボニルオキシスチレン、ｐ−メトキシ
カルボニルメトキシスチレン、ｐ−エトキシカルボニル
メトキシスチレン、ｐ−ｎ−プロピルオキシカルボニル
メトキシスチレン、ｐ−ｉ−プロピルオキシカルボニル
メトキシスチレン、ｐ−ｎ−ブトキシカルボニルメトキ
シスチレン、ｐ−ｉ−ブトキシカルボニルメトキシスチ
レン、ｐ−ｓｅｃ−ブトキシカルボニルメトキシスチレ
ン、ｐ−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシスチレン、ｐ
−シクロヘキシルオキシカルボニルメトキシスチレン等
のビニル芳香族化合物；

【００３４】マレイン酸、フマル酸、クロトン酸、メサ
コン酸、シトラコン酸、イタコン酸、無水マレイン酸、
無水シトラコン酸等の不飽和カルボン酸あるいはそれら
の酸無水物類；前記不飽和カルボン酸のメチルエステ
ル、エチルエステル、ｎ−プロピルエステル、ｉ−プロ
ピルエステル、ｎ−ブチルエステル、ｉ−ブチルエステ
ル、ｓｅｃ−ブチルエステル、ｔ−ブチルエステル、ｎ
−アミルエステル、ｎ−ヘキシルエステル、シクロヘキ
シルエステル、２−ヒドロキシエチルエステル、２−ヒ
ドロキシプロピルエステル、３−ヒドロキシプロピルエ
ステル、２，２−ジメチル−３−ヒドロキシプロピルエ
ステル、ベンジルエステル、イソボルニルエステル、ト
リシクロデカニルエステル、１−アダマンチルエステル
等のエステル類；（メタ）アクリロニトリル、マレイン
ニトリル、フマロニトリル、メサコンニトリル、シトラ
コンニトリル、イタコンニトリル等の不飽和ニトリル
類；（メタ）アクリルアミド、クロトンアミド、マレイ
ンアミド、フマルアミド、メサコンアミド、シトラコン
アミド、イタコンアミド等の不飽和アミド類；マレイミ
ド、Ｎ−フェニルマレイミド、Ｎ−シクロヘキシルマレ
イミド等の不飽和イミド類；（メタ）アリルアルコール
等の不飽和アルコール類や、Ｎ−ビニルアニリン、ビニ
ルピリジン類、Ｎ−ビニル−ε−カプロラクタム、Ｎ−
ビニルピロリドン、Ｎ−ビニルイミダゾール、Ｎ−ビニ
ルカルバゾール等を挙げることができる。

【００３５】これらの単量体のうち、スチレン、ｐ−ｔ
−ブトキシスチレン、ｐ−（１−メトキシエトキシ）ス
チレン、ｐ−（１−エトキシエトキシ）スチレン、ｐ−
（１−シクロヘキシルオキシエトキシ）スチレン、ｐ−
（１−ベンジルオキシエトキシ）スチレン、ｐ−｛１−
（１’−ナフチルメトキシ）エトキシ）｝スチレン、ｐ
−（１−メトキシプロポキシ）スチレン、ｐ−（１−エ
トキシプロポキシ）スチレン、ｐ−（１−ベンジルオキ
シプロポキシ）スチレン、ｐ−｛１−（１’−ナフチル
メトキシ）プロポキシ｝スチレン、ｐ−（１−メチル−
１−メトキシエトキシ）スチレン等が好ましい。

【００３６】共重合体（Ａ１）、共重合体（Ａ２）およ
び共重合体（Ａ３）中の他の繰返し単位（α）の含有量
は、全繰返し単位に対して、通常、４０重量％以下、好
ましくは３５重量％以下である。また、共重合体（Ａ
１）および共重合体（Ａ２）はそれぞれ、他の繰返し単
位（α）として、さらに前記繰返し単位（４）を１種以
上有することもできる。これらの場合における繰返し単
位（４）を与える好ましい単量体としては、（メタ）ア
クリル酸ｔ−ブチルを挙げることができる。

【００３７】さらに、前記共重合体（Ａ１）、共重合体
（Ａ２）および共重合体（Ａ３）はそれぞれ、前述した
各繰返し単位以外に、分子中に２個以上の重合性不飽和
基を有する多官能性単量体に由来する繰返し単位（以
下、「他の繰返し単位（β）」という。）を１種以上有
することができる。他の繰返し単位（β）を与える多官
能性単量体としては、例えば、２価以上の多価アルコー
ル、ポリエーテルジオール、ポリエステルジオール等の
分子中に２個以上の水酸基を有する化合物と（メタ）ア
クリル酸とのエステル類；エポキシ樹脂に代表される分
子中に２個以上のエポキシ基を有する化合物と（メタ）
アクリル酸との付加物類；分子中に２個以上のアミノ基
を有する化合物と（メタ）アクリル酸との縮合物類等を
挙げることができ、具体的には、エチレングリコールジ
（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールジ（メ
タ）アクリレート、トリエチレングリコールジ（メタ）
アクリレート、プロピレングリコールジ（メタ）アクリ
レート、ジプロピレングリコールジ（メタ）アクリレー
ト、トリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレー
ト、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、
トリメチロールプロパンジ（メタ）アクリレート、トリ
メチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタ
エリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリ
スリトールテトラ（メタ）アクリレート、トリシクロデ
カンジメタノールジ（メタ）アクリレート、２，５−ジ
メチル−２，５−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレ
ート、Ｎ，Ｎ’−メチレンビス（メタ）アクリルアミド
のほか、ビスフェノールＡのエチレングリコール付加物
のジ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡのプロピ
ルグリコール付加物のジ（メタ）アクリレート等の（ポ
リ）アルキレングリコール誘導体のジ（メタ）アクリレ
ート類や、ビスフェノールＡジグリシジルエーテルの
（メタ）アクリル酸二付加物等のエポキシ（メタ）アク
リレート類等を挙げることができる。

【００３８】これらの多官能性単量体のうち、特に、エ
チレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリシクロ
デカンジメタノールジ（メタ）アクリレート、２，５−
ジメチル−２，５−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリ
レート、ビスフェノールＡジグリシジルエーテルの（メ
タ）アクリル酸二付加物等が好ましい。共重合体（Ａ
１）、共重合体（Ａ２）および共重合体（Ａ３）が他の
繰返し単位（β）を有することにより、これらの共重合
体中に適度の架橋構造が導入されて、重合体分子鎖の運
動性を低下させ、それにより熱変形を抑制して、耐熱性
などを改良することができる。また、他の繰返し単位
（β）に基づく架橋構造が酸解離性を有する場合は、他
の繰返し単位（β）をもたない直鎖状樹脂の場合や架橋
構造が酸解離性をもたない場合と比べて、露光による分
子量低下が大きくなり、露光部と未露光部との現像液に
対する溶解速度差が増大する結果、解像度をより向上さ
せることもできる。共重合体（Ａ１）、共重合体（Ａ
２）および共重合体（Ａ３）中の他の繰返し単位（β）
の含有量は、全繰返し単位に対して、通常、１０重量％
以下、好ましくは１〜７重量％である。

【００３９】共重合体（Ａ１）、共重合体（Ａ２）およ
び共重合体（Ａ３）は、例えば、下記（イ）〜（ホ）等
の方法により製造することが出来る。 （イ） アセトキシスチレン類と繰返し単位（１）を与
える単量体とを、場合により他の繰返し単位を与える単
量体と共に、例えばラジカル重合開始剤を適宜に選定し
て、塊状重合、溶液重合、沈殿重合、乳化重合、懸濁重
合、塊状−懸濁重合等の適宜の方法により共重合したの
ち、塩基性触媒を用いて、共重合体中のアセチル基を選
択的に加水分解および／または加溶媒分解して共重合体
（Ａ１）を製造する方法。 （ロ） ｔ−ブトキシスチレン類と繰り返し単位（１）
を与える単量体とを、場合により他の繰返し単位を与え
る単量体と共に、例えばラジカル重合開始剤を適宜に選
定して、塊状重合、溶液重合、沈殿重合、乳化重合、懸
濁重合、塊状−懸濁重合等の適宜の方法により共重合す
るか、あるいは適当な溶媒中でリビングアニオン重合法
により共重合したのち、酸性触媒を用いて、共重合体中
のｔ−ブチル基の少なくとも一部を、選択的に加水分解
および／または加溶媒分解して共重合体（Ａ１）製造す
る方法。 （ハ） 繰返し単位（１）を与える単量体と繰返し単位
（２）を与える単量体とを、場合により他の繰返し単位
を与える単量体と共に、例えばラジカル重合開始剤を適
宜に選定して、塊状重合、溶液重合、沈殿重合、乳化重
合、懸濁重合、塊状−懸濁重合等の適宜の方法により共
重合することによって、共重合体（Ａ１）を製造する方
法。 （ニ）繰返し単位（１）を与える単量体と繰返し単位
（３−１）を与える単量体および繰り返し単位（３−
２）を与える単量体とを、場合により他の繰返し単位を
与える単量体と共に、例えばラジカル重合開始剤を適宜
に選定して、塊状重合、溶液重合、沈殿重合、乳化重
合、懸濁重合、塊状−懸濁重合等の適宜の方法により共
重合することによって、共重合体（Ａ２）を製造する方
法。 （ホ）繰返し単位（１）を与える単量体と繰返し単位
（４）を与える単量体とを、場合により他の繰返し単位
を与える単量体と共に、例えばラジカル重合開始剤を適
宜に選定して、塊状重合、溶液重合、沈殿重合、乳化重
合、懸濁重合、塊状−懸濁重合等の適宜の方法により共
重合することによって、共重合体（Ａ３）を製造する方
法。

【００４０】（Ａ）共重合体のゲルパーミエーションク
ロマトグラフィ（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算重量
平均分子量（以下、「Ｍｗ」という。）は、次のとおり
である。他の繰返し単位（β）に基づく架橋構造をもた
ない（Ａ）共重合体のＭｗは、通常、１，０００〜１０
０，０００、好ましくは３，０００〜４０，０００、さ
らに好ましくは３，０００〜３０，０００である。この
場合、（Ａ）共重合体のＭｗが１，０００未満である
と、レジストとしての感度および耐熱性が低下する傾向
があり、一方１００，０００を超えると、レジストとし
て現像液に対する溶解性が低下する傾向がある。他の繰
返し単位（β）に基づく架橋構造をもたない（Ａ）共重
合体のＭｗとゲルパーミエーションクロマトグラフィ
（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算数平均分子量（以
下、「Ｍｎ」という。）との比（Ｍｗ／Ｍｎ）は、通
常、１．０〜５．０、好ましくは１．０〜４．０、さら
に好ましくは１．０〜３．０である。また、他の繰返し
単位（β）に基づく架橋構造を有する（Ａ）共重合体の
Ｍｗは、通常、３，０００〜５００，０００、好ましく
は５，０００〜４００，０００、さらに好ましくは８，
０００〜３００，０００である。この場合、（Ａ）共重
合体のＭｗが３，０００未満であると、レジストとして
の感度および耐熱性が低下する傾向があり、一方５０
０，０００を超えると、レジストとして現像性が低下し
て、現像欠陥が生じやすくなる傾向がある。他の繰返し
単位（β）に基づく架橋構造を有する（Ａ）共重合体の
Ｍｗ／Ｍｎは、通常、１．５〜２０．０、好ましくは
１．５〜１５．０である。

【００４１】（Ｂ）感放射線性酸発生剤 本発明における（Ｂ）成分は、露光により酸を発生する
感放射線性酸発生剤（以下、「（Ｂ）酸発生剤」とい
う。）からなる。（Ｂ）酸発生剤としては、例えば、
オニウム塩、スルホン化合物、スルホン酸エステル
化合物、スルホンイミド化合物、ジスルフォニルジ
アゾメタン化合物、ジスルフォニルメタン化合物等を
挙げることができる。これらの（Ｂ）酸発生剤の例を以
下に示す。

【００４２】オニウム塩：オニウム塩としては、例え
ば、ヨードニウム塩、スルホニウム塩、ホスホニウム
塩、ジアゾニウム塩、アンモニウム塩、ピリジニウム塩
等を挙げることができる。オニウム塩化合物の具体例と
しては、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム
ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ビス（４−ｔ
−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンス
ルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニ
ウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、ビス
（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムピレンスルホ
ネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム
ｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブ
チルフェニル）ヨードニウムｐ−トルエンスルホネー
ト、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムベン
ゼンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨ
ードニウム１０−カンファースルホネート、ビス（４−
ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムｎ−オクタンスルホ
ネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム
２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ビス
（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム４−トリフル
オロメチルベンゼンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチ
ルフェニル）ヨードニウムパーフルオロベンゼンスルホ
ネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロ−ｎ−ブ
タンスルホネート、ジフェニルヨードニウムトリフルオ
ロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムパーフ
ルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、ジフェニルヨード
ニウムピレンスルホネート、ジフェニルヨードニウムｎ
−ドデシルベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニ
ウムｐ−トルエンスルホネート、ジフェニルヨードニウ
ムベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウム１０
−カンファースルホネート、ジフェニルヨードニウムｎ
−オクタンスルホネート、ジフェニルヨードニウム２−
トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジフェニル
ヨードニウム４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネ
ート、ジフェニルヨードニウムパーフルオロベンゼンス
ルホネート、

【００４３】ジ（ｐ−トリル）ヨードニウムノナフルオ
ロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジ（ｐ−トリル）ヨード
ニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジ（ｐ−トリ
ル）ヨードニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネ
ート、ジ（ｐ−トリル）ヨードニウムピレンスルホネー
ト、ジ（ｐ−トリル）ヨードニウムｎ−ドデシルベンゼ
ンスルホネート、ジ（ｐ−トリル）ヨードニウムｐ−ト
ルエンスルホネート、ジ（ｐ−トリル）ヨードニウムベ
ンゼンスルホネート、ジ（ｐ−トリル）ヨードニウム１
０−カンファースルホネート、ジ（ｐ−トリル）ヨード
ニウムｎ−オクタンスルホネート、ジ（ｐ−トリル）ヨ
ードニウム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネー
ト、ジ（ｐ−トリル）ヨードニウム４−トリフルオロメ
チルベンゼンスルホネート、ジ（ｐ−トリル）ヨードニ
ウムパーフルオロベンゼンスルホネート、ジ（３，４−
ジメチルフェニル）ヨードニウムノナフルオロ−ｎ−ブ
タンスルホネート、ジ（３，４−ジメチルフェニル）ヨ
ードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジ（３，
４−ジメチルフェニル）ヨードニウムパーフルオロ−ｎ
−オクタンスルホネート、ジ（３，４−ジメチルフェニ
ル）ヨードニウムピレンスルホネート、ジ（３，４−ジ
メチルフェニル）ヨードニウムｎ−ドデシルベンゼンス
ルホネート、ジ（３，４−ジメチルフェニル）ヨードニ
ウムｐ−トルエンスルホネート、ジ（３，４−ジメチル
フェニル）ヨードニウムベンゼンスルホネート、ジ
（３，４−ジメチルフェニル）ヨードニウム１０−カン
ファースルホネート、ジ（３，４−ジメチルフェニル）
ヨードニウムｎ−オクタンスルホネート、ジ（３，４−
ジメチルフェニル）ヨードニウム２−トリフルオロメチ
ルベンゼンスルホネート、ジ（３，４−ジメチルフェニ
ル）ヨードニウム４−トリフルオロメチルベンゼンスル
ホネート、ジ（３，４−ジメチルフェニル）ヨードニウ
ムパーフルオロベンゼンスルホネート、

【００４４】４−ニトロフェニル・フェニルヨードニウ
ムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、４−ニトロ
フェニル・フェニルヨードニウムトリフルオロメタンス
ルホネート、４−ニトロフェニル・フェニルヨードニウ
ムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、４−ニト
ロフェニル・フェニルヨードニウムピレンスルホネー
ト、４−ニトロフェニル・フェニルヨードニウムｎ−ド
デシルベンゼンスルホネート、４−ニトロフェニル・フ
ェニルヨードニウムｐ−トルエンスルホネート、４−ニ
トロフェニル・フェニルヨードニウムベンゼンスルホネ
ート、４−ニトロフェニル・フェニルヨードニウム１０
−カンファースルホネート、４−ニトロフェニル・フェ
ニルヨードニウムｎ−オクタンスルホネート、４−ニト
ロフェニル・フェニルヨードニウム２−トリフルオロメ
チルベンゼンスルホネート、４−ニトロフェニル・フェ
ニルヨードニウム４−トリフルオロメチルベンゼンスル
ホネート、４−ニトロフェニル・フェニルヨードニウム
パーフルオロベンゼンスルホネート、ジ（３−ニトロフ
ェニル）ヨードニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホ
ネート、ジ（３−ニトロフェニル）ヨードニウムトリフ
ルオロメタンスルホネート、ジ（３−ニトロフェニル）
ヨードニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネー
ト、ジ（３−ニトロフェニル）ヨードニウムピレンスル
ホネート、ジ（３−ニトロフェニル）ヨードニウムｎ−
ドデシルベンゼンスルホネート、ジ（３−ニトロフェニ
ル）ヨードニウムｐ−トルエンスルホネート、ジ（３−
ニトロフェニル）ヨードニウムベンゼンスルホネート、
ジ（３−ニトロフェニル）ヨードニウム１０−カンファ
ースルホネート、ジ（３−ニトロフェニル）ヨードニウ
ムｎ−オクタンスルホネート、ジ（３−ニトロフェニ
ル）ヨードニウム２−トリフルオロメチルベンゼンスル
ホネート、ジ（３−ニトロフェニル）ヨードニウム４−
トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジ（３−ニ
トロフェニル）ヨードニウムパーフルオロベンゼンスル
ホネート、

【００４５】４−メトキシフェニル・フェニルヨードニ
ウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、４−メト
キシフェニル・フェニルヨードニウムトリフルオロメタ
ンスルホネート、４−メトキシフェニル・フェニルヨー
ドニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、４
−メトキシフェニル・フェニルヨードニウムピレンスル
ホネート、４−メトキシフェニル・フェニルヨードニウ
ムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、４−メトキシフ
ェニル・フェニルヨードニウムｐ−トルエンスルホネー
ト、４−メトキシフェニル・フェニルヨードニウムベン
ゼンスルホネート、４−メトキシフェニル・フェニルヨ
ードニウム１０−カンファースルホネート、４−メトキ
シフェニル・フェニルヨードニウムｎ−オクタンスルホ
ネート、４−メトキシフェニル・フェニルヨードニウム
２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、４−メ
トキシフェニル・フェニルヨードニウム４−トリフルオ
ロメチルベンゼンスルホネート、４−メトキシフェニル
・フェニルヨードニウムパーフルオロベンゼンスルホネ
ート、ジ（４−クロロフェニル）ヨードニウムノナフル
オロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジ（４−クロロフェニ
ル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジ
（４−クロロフェニル）ヨードニウムパーフルオロ−ｎ
−オクタンスルホネート、ジ（４−クロロフェニル）ヨ
ードニウムピレンスルホネート、ジ（４−クロロフェニ
ル）ヨードニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、
ジ（４−クロロフェニル）ヨードニウムｐ−トルエンス
ルホネート、ジ（４−クロロフェニル）ヨードニウムベ
ンゼンスルホネート、ジ（４−クロロフェニル）ヨード
ニウム１０−カンファースルホネート、ジ（４−クロロ
フェニル）ヨードニウムｎ−オクタンスルホネート、ジ
（４−クロロフェニル）ヨードニウム２−トリフルオロ
メチルベンゼンスルホネート、ジ（４−クロロフェニ
ル）ヨードニウム４−トリフルオロメチルベンゼンスル
ホネート、ジ（４−クロロフェニル）ヨードニウムパー
フルオロベンゼンスルホネート、

【００４６】ジ（４−トリフルオロメチルフェニル）ヨ
ードニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジ
（４−トリフルオロメチルフェニル）ヨードニウムトリ
フルオロメタンスルホネート、ジ（４−トリフルオロメ
チルフェニル）ヨードニウムパーフルオロ−ｎ−オクタ
ンスルホネート、ジ（４−トリフルオロメチルフェニ
ル）ヨードニウムピレンスルホネート、ジ（４−トリフ
ルオロメチルフェニル）ヨードニウムｎ−ドデシルベン
ゼンスルホネート、ジ（４−トリフルオロメチルフェニ
ル）ヨードニウムｐ−トルエンスルホネート、ジ（４−
トリフルオロメチルフェニル）ヨードニウムベンゼンス
ルホネート、ジ（４−トリフルオロメチルフェニル）ヨ
ードニウム１０−カンファースルホネート、ジ（４−ト
リフルオロメチルフェニル）ヨードニウムｎ−オクタン
スルホネート、ジ（４−トリフルオロメチルフェニル）
ヨードニウム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネ
ート、ジ（４−トリフルオロメチルフェニル）ヨードニ
ウム４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジ
（４−トリフルオロメチルフェニル）ヨードニウムパー
フルオロベンゼンスルホネート、ジ（１−ナフチル）ヨ
ードニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジ
（１−ナフチル）ヨードニウムトリフルオロメタンスル
ホネート、ジ（１−ナフチル）ヨードニウムパーフルオ
ロｎ−オクタンスルホネート、ジ（１−ナフチル）ヨー
ドニウムピレンスルホネート、ジ（１−ナフチル）ヨー
ドニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、ジ（１−
ナフチル）ヨードニウムｐ−トルエンスルホネート、ジ
（１−ナフチル）ヨードニウムベンゼンスルホネート、
ジ（１−ナフチル）ヨードニウム１０−カンファースル
ホネート、ジ（１−ナフチル）ヨードニウムｎ−オクタ
ンスルホネート、ジ（１−ナフチル）ヨードニウム２−
トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジ（１−ナ
フチル）ヨードニウム４−トリフルオロメチルベンゼン
スルホネート、ジ（１−ナフチル）ヨードニウムパーフ
ルオロベンゼンスルホネート、

【００４７】ビフェニレンヨードニウムノナフルオロ−
ｎ−ブタンスルホネート、ビフェニレンヨードニウムト
リフルオロメタンスルホネート、ビフェニレンヨードニ
ウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、ビフェ
ニレンヨードニウムピレンスルホネート、ビフェニレン
ヨードニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、ビフ
ェニレンヨードニウムｐ−トルエンスルホネート、ビフ
ェニレンヨードニウムベンゼンスルホネート、ビフェニ
レンヨードニウム１０−カンファースルホネート、ビフ
ェニレンヨードニウムｎ−オクタンスルホネート、ビフ
ェニレンヨードニウム２−トリフルオロメチルベンゼン
スルホネート、ビフェニレンヨードニウム４−トリフル
オロメチルベンゼンスルホネート、ビフェニレンヨード
ニウムパーフルオロベンゼンスルホネート、２−クロロ
ビフェニレンヨードニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンス
ルホネート、２−クロロビフェニレンヨードニウムトリ
フルオロメタンスルホネート、２−クロロビフェニレン
ヨードニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネー
ト、２−クロロビフェニレンヨードニウムピレンスルホ
ネート、２−クロロビフェニレンヨードニウムｎ−ドデ
シルベンゼンスルホネート、２−クロロビフェニレンヨ
ードニウムｐ−トルエンスルホネート、２−クロロビフ
ェニレンヨードニウムベンゼンスルホネート、２−クロ
ロビフェニレンヨードニウム１０−カンファースルホネ
ート、２−クロロビフェニレンヨードニウムｎ−オクタ
ンスルホネート、２−クロロビフェニレンヨードニウム
２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、２−ク
ロロビフェニレンヨードニウム４−トリフルオロメチル
ベンゼンスルホネート、２−クロロビフェニレンヨード
ニウムパーフルオロベンゼンスルホネート、

【００４８】トリフェニルスルホニウムノナフルオロ−
ｎ−ブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムト
リフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニ
ウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、トリフ
ェニルスルホニウムピレンスルホネート、トリフェニル
スルホニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、トリ
フェニルスルホニウムｐ−トルエンスルホネート、トリ
フェニルスルホニウムベンゼンスルホネート、トリフェ
ニルスルホニウム１０−カンファースルホネート、トリ
フェニルスルホニウムｎ−オクタンスルホネート、トリ
フェニルスルホニウム２−トリフルオロメチルベンゼン
スルホネート、トリフェニルスルホニウム４−トリフル
オロメチルベンゼンスルホネート、トリフェニルスルホ
ニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリフェニルス
ルホニウム１−ナフタレンスルホネート、トリフェニル
スルホニウムパーフルオロベンゼンスルホネート、４−
ｔ−ブチルフェニル・ジフェニルスルホニウムノナフル
オロ−ｎ−ブタンスルホネート、４−ｔ−ブチルフェニ
ル・ジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホ
ネート、４−ｔ−ブチルフェニル・ジフェニルスルホニ
ウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、４−ｔ
−ブチルフェニル・ジフェニルスルホニウムピレンスル
ホネート、４−ｔ−ブチルフェニル・ジフェニルスルホ
ニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、４−ｔ−ブ
チルフェニル・ジフェニルスルホニウムｐ−トルエンス
ルホネート、４−ｔ−ブチルフェニル・ジフェニルスル
ホニウムベンゼンスルホネート、４−ｔ−ブチルフェニ
ル・ジフェニルスルホニウム１０−カンファースルホネ
ート、４−ｔ−ブチルフェニル・ジフェニルスルホニウ
ムｎ−オクタンスルホネート、４−ｔ−ブチルフェニル
・ジフェニルスルホニウム２−トリフルオロメチルベン
ゼンスルホネート、４−ｔ−ブチルフェニル・ジフェニ
ルスルホニウム４−トリフルオロメタンベンゼンスルホ
ネート、４−ｔ−ブチルフェニル・ジフェニルスルホニ
ウムパーフルオロベンゼンスルホネート、

【００４９】４−ｔ−ブトキシフェニル・ジフェニルス
ルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、４
−ｔ−ブトキシフェニル・ジフェニルスルホニウムトリ
フルオロメタンスルホネート、４−ｔ−ブトキシフェニ
ル・ジフェニルスルホニウムパーフルオロ−ｎ−オクタ
ンスルホネート、４−ｔ−ブトキシフェニル・ジフェニ
ルスルホニウムピレンスルホネート、４−ｔ−ブトキシ
フェニル・ジフェニルスルホニウムｎ−ドデシルベンゼ
ンスルホネート、４−ｔ−ブトキシフェニル・ジフェニ
ルスルホニウムｐ−トルエンスルホネート、４−ｔ−ブ
トキシフェニル・ジフェニルスルホニウムベンゼンスル
ホネート、４−ｔ−ブトキシフェニル・ジフェニルスル
ホニウム１０−カンファースルホネート、４−ｔ−ブト
キシフェニル・ジフェニルスルホニウムｎ−オクタンス
ルホネート、４−ｔ−ブトキシフェニル・ジフェニルス
ルホニウム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネー
ト、４−ｔ−ブトキシフェニル・ジフェニルスルホニウ
ム４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、４−
ｔ−ブトキシフェニル・ジフェニルスルホニウムパーフ
ルオロベンゼンスルホネート、４−ヒドロキシフェニル
・ジフェニルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンス
ルホネート、４−ヒドロキシフェニル・ジフェニルスル
ホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−ヒドロ
キシフェニル・ジフェニルスルホニウムパーフルオロ−
ｎ−オクタンスルホネート、４−ヒドロキシフェニル・
ジフェニルスルホニウムピレンスルホネート、４−ヒド
ロキシフェニル・ジフェニルスルホニウｎ−ドデシルベ
ンゼンスルホネート、４−ヒドロキシフェニル・ジフェ
ニルスルホニウムｐ−トルエンスルホネート、４−ヒド
ロキシフェニル・ジフェニルスルホニウムベンゼンスル
ホネート、４−ヒドロキシフェニル・ジフェニルスルホ
ニウム１０−カンファースルホネート、４−ヒドロキシ
フェニル・ジフェニルスルホニウムｎ−オクタンスルホ
ネート、４−ヒドロキシフェニル・ジフェニルスルホニ
ウム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、４
−ヒドロキシフェニル・ジフェニルスルホニウム４−ト
リフルオロメチルベンゼンスルホネート、４−ヒドロキ
シフェニル・ジフェニルスルホニウムパーフルオロベン
ゼンスルホネート、

【００５０】トリ（４−メトキシフェニル）スルホニウ
ムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、トリ（４−
メトキシフェニル）スルホニウムトリフルオロメタンス
ルホネート、トリ（４−メトキシフェニル）スルホニウ
ムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、トリ（４
−メトキシフェニル）スルホニウムピレンスルホネー
ト、トリ（４−メトキシフェニル）スルホニウムｎ−ド
デシルベンゼンスルホネート、トリ（４−メトキシフェ
ニル）スルホニウムｐ−トルエンスルホネート、トリ
（４−メトキシフェニル）スルホニウムベンゼンスルホ
ネート、トリ（４−メトキシフェニル）スルホニウム１
０−カンファースルホネート、トリ（４−メトキシフェ
ニル）スルホニウムｎ−オクタンスルホネート、トリ
（４−メトキシフェニル）スルホニウム２−トリフルオ
ロメチルベンゼンスルホネート、トリ（４−メトキシフ
ェニル）スルホニウム４−トリフルオロメチルベンゼン
スルホネート、トリ（４−メトキシフェニル）スルホニ
ウムパーフルオロベンゼンスルホネート、ジ（４−メト
キシフェニル）・ｐ−トルイルスルホニウムノナフルオ
ロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジ（４−メトキシフェニ
ル）・ｐ−トルイルスルホニウムトリフルオロメタンス
ルホネート、ジ（４−メトキシフェニル）・ｐ−トルイ
ルスルホニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネー
ト、ジ（４−メトキシフェニル）・ｐ−トルイルスルホ
ニウムピレンスルホネート、ジ（４−メトキシフェニ
ル）・ｐ−トルイルスルホニウムｎ−ドデシルベンゼン
スルホネート、ジ（４−メトキシフェニル）・ｐ−トル
イルスルホニウムｐ−トルエンスルホネート、ジ（４−
メトキシフェニル）・ｐ−トルイルスルホニウムベンゼ
ンスルホネート、ジ（４−メトキシフェニル）・ｐ−ト
ルイルスルホニウム１０−カンファースルホネート、ジ
（４−メトキシフェニル）・ｐ−トルイルスルホニウム
ｎ−オクタンスルホネート、ジ（４−メトキシフェニ
ル）・ｐ−トルイルスルホニウム２−トリフルオロメチ
ルベンゼンスルホネート、ジ（４−メトキシフェニル）
・ｐ−トルイルスルホニウム４−トリフルオロメチルベ
ンゼンスルホネート、ジ（４−メトキシフェニル）・ｐ
−トルイルスルホニウムパーフルオロベンゼンスルホネ
ート、

【００５１】フェニル・テトラメチレンスルホニウムノ
ナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、フェニル・テト
ラメチレンスルホニウムトリフルオロメタンスルホネー
ト、フェニル・テトラメチレンスルホニウムパーフルオ
ロ−ｎ−オクタンスルホネート、フェニル・テトラメチ
レンスルホニウムピレンスルホネート、フェニル・テト
ラメチレンスルホニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネ
ート、フェニル・テトラメチレンスルホニウムｐ−トル
エンスルホネート、フェニル・テトラメチレンスルホニ
ウムベンゼンスルホネート、フェニル・テトラメチレン
スルホニウム１０−カンファースルホネート、フェニル
・テトラメチレンスルホニウムｎ−オクタンスルホネー
ト、フェニル・テトラメチレンスルホニウム２−トリフ
ルオロメチルベンゼンスルホネート、フェニル・テトラ
メチレンスルホニウム４−トリフルオロメチルベンゼン
スルホネート、フェニル・テトラメチレンスルホニウム
パーフルオロベンゼンスルホネート、４−ヒドロキシフ
ェニル・テトラメチレンスルホニウムノナフルオロ−ｎ
−ブタンスルホネート、４−ヒドロキシフェニル・テト
ラメチレンスルホニウムトリフルオロメタンスルホネー
ト、４−ヒドロキシフェニル・テトラメチレンスルホニ
ウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、４−ヒ
ドロキシフェニル・テトラメチレンスルホニウムピレン
スルホネート、４−ヒドロキシフェニル・テトラメチレ
ンスルホニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、４
−ヒドロキシフェニル・テトラメチレンスルホニウムｐ
−トルエンスルホネート、４−ヒドロキシフェニル・テ
トラメチレンスルホニウムベンゼンスルホネート、４−
ヒドロキシフェニル・テトラメチレンスルホニウム１０
−カンファースルホネート、４−ヒドロキシフェニル・
テトラメチレンスルホニウムｎ−オクタンスルホネー
ト、４−ヒドロキシフェニル・テトラメチレンスルホニ
ウム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、４
−ヒドロキシフェニル・テトラメチレンスルホニウム４
−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、４−ヒド
ロキシフェニル・テトラメチレンスルホニウムパーフル
オロベンゼンスルホネート、

【００５２】フェニル・ビフェニレンスルホニウムノナ
フルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、フェニル・ビフェ
ニレンスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、
フェニル・ビフェニレンスルホニウムパーフルオロ−ｎ
−オクタンスルホネート、フェニル・ビフェニレンスル
ホニウムピレンスルホネート、フェニル・ビフェニレン
スルホニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、フェ
ニル・ビフェニレンスルホニウムｐ−トルエンスルホネ
ート、フェニル・ビフェニレンスルホニウムベンゼンス
ルホネート、フェニル・ビフェニレンスルホニウム１０
−カンファースルホネート、フェニル・ビフェニレンス
ルホニウムｎ−オクタンスルホネート、フェニル・ビフ
ェニレンスルホニウム２−トリフルオロメチルベンゼン
スルホネート、フェニル・ビフェニレンスルホニウム４
−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、フェニル
・ビフェニレンスルホニウムパーフルオロベンゼンスル
ホネート、４−フェニルチオフェニル・ジフェニルスル
ホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、４−
フェニルチオフェニル・ジフェニルスルホニウムトリフ
ルオロメタンスルホネート、４−フェニルチオフェニル
・ジフェニルスルホニウムパーフルオロ−ｎ−オクタン
スルホネート、４−フェニルチオフェニル・ジフェニル
スルホニウムピレンスルホネート、４−フェニルチオフ
ェニル・ジフェニルスルホニウムｎ−ドデシルベンゼン
スルホネート、４−フェニルチオフェニル・ジフェニル
スルホニウムｐ−トルエンスルホネート、４−フェニル
チオフェニル・ジフェニルスルホニウムベンゼンスルホ
ネート、４−フェニルチオフェニル・ジフェニルスルホ
ニウム１０−カンファースルホネート、４−フェニルチ
オフェニル・ジフェニルスルホニウムｎ−オクタンスル
ホネート、４−フェニルチオフェニル・ジフェニルスル
ホニウム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネー
ト、４−フェニルチオフェニル・ジフェニルスルホニウ
ム４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、４−
フェニルチオフェニル・ジフェニルスルホニウムパーフ
ルオロベンゼンスルホネート、

【００５３】４，４’−ビス（ジフェニルスルホニオフ
ェニル）スルフィドジ（ノナフルオロ−ｎ−ブタンスル
ホネート）、４，４’−ビス（ジフェニルスルホニオフ
ェニル）スルフィドジ（トリフルオロメタンスルホネー
ト）、４，４’−ビス（ジフェニルスルホニオフェニ
ル）スルフィドジ（パーフルオロ−ｎ−オクタンスルホ
ネート）、４，４’−ビス（ジフェニルスルホニオフェ
ニル）スルフィドジ（ピレンスルホネート）、４，４’
−ビス（ジフェニルスルホニオフェニル）スルフィドジ
（ｎ−ドデシルベンゼンスルホネート）、４，４’−ビ
ス（ジフェニルスルホニオフェニル）スルフィドジ（ｐ
−トルエンスルホネート）、４，４’−ビス（ジフェニ
ルスルホニオフェニル）スルフィドジ（ベンゼンスルホ
ネート）、４，４’−ビス（ジフェニルスルホニオフェ
ニル）スルフィドジ（１０−カンファースルホネー
ト）、４，４’−ビス（ジフェニルスルホニオフェニ
ル）スルフィドジ（ｎ−オクタンスルホネート）、４，
４’−ビス（ジフェニルスルホニオフェニル）スルフィ
ドジ（２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネー
ト）、４，４’−ビス（ジフェニルスルホニオフェニ
ル）スルフィドジ（４−トリフルオロメチルベンゼンス
ルホネート）、４，４’−ビス（ジフェニルスルホニオ
フェニル）スルフィドジパーフルオロベンゼンスルホネ
ート等を挙げることができる。

【００５４】スルホン化合物：スルホン化合物として
は、例えば、β−ケトスルホン、β−スルホニルスルホ
ンや、これらのα−ジアゾ化合物等を挙げることができ
る。スルホン化合物の具体例としては、フェナシルフェ
ニルスルホン、メシチルフェナシルスルホン、ビス（フ
ェニルスルホニル）メタン、４−トリスフェナシルスル
ホン等を挙げることができる。 スルホン酸エステル化合物：スルホン酸エステル化合
物としては、例えば、アルキルスルホン酸エステル、ハ
ロアルキルスルホン酸エステル、アリールスルホン酸エ
ステル、イミノスルホネート等を挙げることができる。
スルホン酸エステル化合物の具体例としては、ベンゾイ
ントシレート、ピロガロールトリストリフルオロメタン
スルホネート、ピロガロールトリスノナフルオロ−ｎ−
ブタンスルホネート、ピロガロールのメタンスルホン酸
トリエステル、ニトロベンジル−９，１０−ジエトキシ
アントラセン−２−スルホネート、α−メチロールベン
ゾイントシレート、α−メチロールベンゾインｎ−オク
タンスルホネート、α−メチロールベンゾイントリフル
オロメタンスルホネート、α−メチロールベンゾインｎ
−ドデシルスルホネート等を挙げることができる。 スルホンイミド化合物：スルホンイミド化合物として
は、例えば、下記式（５）

【００５５】

【化６】 〔式（５）において、Ｒ⁶ はアルキレン基、アリーレン
基、アルコキシレン基等の２価の基を示し、Ｒ⁷ はアル
キル基、アリール基、ハロゲン置換アルキル基、ハロゲ
ン置換アリール基等の１価の基を示す。〕

【００５６】で表される化合物を挙げることができる。
スルホンイミド化合物の具体例としては、Ｎ−（トリフ
ルオロメチルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−
（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）フタルイミ
ド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ジフ
ェニルマレイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニ
ルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−
２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（トリフルオロメチ
ルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．
１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ビシクロ
［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジ
カルボキシイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニ
ルオキシ）ナフチルイミド、Ｎ−（１０−カンファース
ルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（１０−カンフ
ァースルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（１０−カ
ンファースルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ
−（１０−カンファースルホニルオキシ）ビシクロ
［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキ
シイミド、Ｎ−（１０−カンファースルホニルオキシ）
−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン
−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（１０−カンファ
ースルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン
−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−
（１０−カンファースルホニルオキシ）ナフチルイミ
ド、

【００５７】Ｎ−（ｎ−オクタンスルホニルオキシ）ス
クシンイミド、Ｎ−（ｎ−オクタンスルホニルオキシ）
フタルイミド、Ｎ−（ｎ−オクタンスルホニルオキシ）
ジフェニルマレイミド、Ｎ−（ｎ−オクタンスルホニル
オキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−
２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ｎ−オクタンスル
ホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘ
プト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−
（ｎ−オクタンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．
１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシ
イミド、Ｎ−（ｎ−オクタンスルホニルオキシ）ナフチ
ルイミド、Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）スク
シンイミド、Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）フ
タルイミド、Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）ジ
フェニルマレイミド、Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニルオ
キシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，
３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニ
ルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト
−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ｐ−
トルエンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘ
プタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシイミ
ド、Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）ナフチルイ
ミド、

【００５８】Ｎ−（２−トリフルオロメチルベンゼンス
ルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（２−トリフル
オロメチルベンゼンスルホニルオキシ）フタルイミド、
Ｎ−（２−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキ
シ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメ
チルベンゼンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．
１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−（２−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキ
シ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−
エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（２ートリフ
ルオロメチルベンゼンスルホニルオキシ）ビシクロ
［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジ
カルボキシイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルベン
ゼンスルホニルオキシ）ナフチルイミド、Ｎ−（４−ト
リフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシ）スクシン
イミド、Ｎ−（４−トリフルオロメチルベンゼンスルホ
ニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（４−トリフルオロメ
チルベンゼンスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミ
ド、Ｎ−（４−トリフルオロメチルベンゼンスルホニル
オキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−
２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−トリフルオロ
メチルベンゼンスルホニルオキシ）−７−オキサビシク
ロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボ
キシイミド、Ｎ−（４ートリフルオロメチルベンゼンス
ルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−
５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−
（４−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシ）
ナフチルイミド、

【００５９】Ｎ−（パーフルオロベンゼンスルホニルオ
キシ）スクシンイミド、Ｎ−（パーフルオロベンゼンス
ルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（パーフルオロベ
ンゼンスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−
（パーフルオロベンゼンスルホニルオキシ）ビシクロ
［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキ
シイミド、Ｎ−（パーフルオロベンゼンスルホニルオキ
シ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−
エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（パーフルオ
ロベンゼンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］
ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシイミ
ド、Ｎ−（パーフルオロベンゼンスルホニルオキシ）ナ
フチルイミド、Ｎ−（１−ナフタレンスルホニルオキ
シ）スクシンイミド、Ｎ−（１−ナフタレンスルホニル
オキシ）フタルイミド、Ｎ−（１−ナフタレンスルホニ
ルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（１−ナフタレ
ンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−
５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（１−ナ
フタレンスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ
［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキ
シイミド、Ｎ−（１−ナフタレンスルホニルオキシ）ビ
シクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，
３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（１−ナフタレンスルホ
ニルオキシ）ナフチルイミド、

【００６０】Ｎ−（ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホニ
ルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（ノナフルオロ−ｎ−
ブタンスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（ノナフ
ルオロ−ｎ−ブタンスルホニルオキシ）ジフェニルマレ
イミド、Ｎ−（ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホニルオ
キシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，
３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ノナフルオロ−ｎ−ブ
タンスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．
２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミ
ド、Ｎ−（ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホニルオキ
シ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ
−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ノナフルオロ−
ｎ−ブタンスルホニルオキシ）ナフチルイミドＮ−（パ
ーフルオロ−ｎ−オクタンスルホニルオキシ）スクシン
イミド、Ｎ−（パーフルオロ−ｎ−オクタンスルホニル
オキシ）フタルイミド、Ｎ−（パーフルオロ−ｎ−オク
タンスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−
（パーフルオロ−ｎ−オクタンスルホニルオキシ）ビシ
クロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカル
ボキシイミド、Ｎ−（パーフルオロ−ｎ−オクタンスル
ホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘ
プト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−
（パーフルオロ−ｎ−オクタンスルホニルオキシ）ビシ
クロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３
−ジカルボキシイミド、Ｎ−（パーフルオロ−ｎ−オク
タンスルホニルオキシ）ナフチルイミド

【００６１】Ｎ−（ベンゼンスルホニルオキシ）スクシ
ンイミド、Ｎ−（ベンゼンスルホニルオキシ）フタルイ
ミド、Ｎ−（ベンゼンスルホニルオキシ）ジフェニルマ
レイミド、Ｎ−（ベンゼンスルホニルオキシ）ビシクロ
［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキ
シイミド、Ｎ−（ベンゼンスルホニルオキシ）−７−オ
キサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３
−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ベンゼンスルホニルオキ
シ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ
−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ベンゼンスルホ
ニルオキシ）ナフチルイミド等を挙げることができる。 ジアゾメタン化合物：ジアゾメタン化合物としては、
例えば、下記式（６）

【００６２】

【化７】 〔式（６）において、Ｒ⁸ およびＲ⁹ は相互に独立にア
ルキル基、アリール基、ハロゲン置換アルキル基、ハロ
ゲン置換アリール基等の１価の基を示す。〕

【００６３】で表される化合物を挙げることができる。
ジアゾメタン化合物の具体例としては、ビス（トリフル
オロメチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘ
キシルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（フェニルスル
ホニル）ジアゾメタン、ビス（４−トルエンスルホニ
ル）ジアゾメタン、ビス（２，４−ジメチルベンゼンス
ルホニル）ジアゾメタン、メチルスルホニル・ｐ−トル
エンスルホニルジアゾメタン、ビス（４−ｔ−ブチルフ
ェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（４−クロロベ
ンゼンスルホニル）ジアゾメタン、シクロヘキシルスル
ホニル・ｐ−トルエンスルホニルジアゾメタン、１−シ
クロヘキシルスルホニル・１，１−ジメチルエチルスル
ホニルジアゾメタン、ビス（１，１−ジメチルエチルス
ルホニル）ジアゾメタン、ビス（１−メチルエチルスル
ホニル）ジアゾメタン、ビス（３，３−ジメチル−１，
５−ジオキサスピロ [５．５] ドデカン−８−スルホニ
ル）ジアゾメタン、ビス（１，４−ジオキサスピロ
[４. ５] デカン−７−スルホニル）ジアゾメタン等を
挙げることができる。 ジスルフォニルメタン化合物：ジスルフォニルメタン
化合物としては、例えば、下記式（７）

【００６４】

【化８】

【００６５】〔式（７）において、Ｒ¹⁰およびＲ¹¹は相
互に独立に１価の直鎖状もしくは分岐状の脂肪族炭化水
素基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基ま
たはヘテロ原子を有する１価の他の有機基を示し、Ｖお
よびＷは相互に独立にアリール基、水素原子、１価の直
鎖状もしくは分岐状の脂肪族炭化水素基またはヘテロ原
子を有する１価の他の有機基を示し、かつＶおよびＷの
少なくとも一方がアリール基であるか、あるいはＶとＷ
が相互に連結して少なくとも１個の不飽和結合を有する
炭素単環構造または炭素多環構造を形成しているか、あ
るいはＶとＷが相互に連結して下記式

【００６６】

【化９】

【００６７】（但し、Ｖ’およびＷ’は相互に独立に水
素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル
基、アリール基またはアラルキル基を示すか、あるいは
同一のもしくは異なる炭素原子に結合したＶ’とＷ’が
相互に連結して炭素単環構造を形成しており、ｍは２〜
１０の整数である。）で表される基を形成している。〕

【００６８】前記（Ｂ）酸発生剤は、単独でまたは２種
以上を混合して使用することができる。本発明におい
て、（Ｂ）酸発生剤の使用量は、（Ａ）共重合体１００
重量部当り、通常、０．１〜２０重量部、好ましくは
０．５〜１５重量部である。

【００６９】酸拡散制御剤 本発明においては、さらに、露光により（Ｂ）酸発生剤
から生じた酸のレジスト被膜中における拡散現象を制御
し、非露光領域での好ましくない化学反応を抑制する作
用を有する酸拡散制御剤を配合することが好ましい。こ
のような酸拡散制御剤を使用することにより、組成物の
貯蔵安定性が向上し、またレジストとして解像度が向上
するとともに、ＰＥＤの変動によるレジストパターンの
線幅変化を抑えることができ、プロセス安定性に極めて
優れたものとなる。酸拡散制御剤としては、レジストパ
ターンの形成工程中の露光や加熱処理により塩基性が変
化しない含窒素有機化合物が好ましい。このような含窒
素有機化合物としては、例えば、下記式（８）

【００７０】

【化１０】 〔式（８）において、Ｒ¹²、Ｒ¹³およびＲ¹⁴は相互に独
立に水素原子、アルキル基、アリール基またはアラルキ
ル基を示し、該アルキル基、アリール基およびアラルキ
ル基はヒドロキシ基等の官能基で置換されていてもよ
い。〕

【００７１】で表される化合物（以下、「含窒素化合物
（Ｉ）」という。）、同一分子内に窒素原子を２個有す
るジアミノ化合物（以下、「含窒素化合物（II）」とい
う。）、窒素原子を３個以上有するジアミノ重合体（以
下、「含窒素化合物（III)」という。）、アミド基含有
化合物、ウレア化合物、含窒素複素環化合物等を挙げる
ことができる。

【００７２】含窒素化合物（Ｉ）としては、例えば、ｎ
−ヘキシルアミン、ｎ−ヘプチルアミン、ｎ−オクチル
アミン、ｎ−ノニルアミン、ｎ−デシルアミン等のモノ
アルキルアミン類；ジ−ｎ−ブチルアミン、ジ−ｎ−ペ
ンチルアミン、ジ−ｎ−ヘキシルアミン、ジ−ｎ−ヘプ
チルアミン、ジ−ｎ−オクチルアミン、ジ−ｎ−ノニル
アミン、ジ−ｎ−デシルアミン等のジアルキルアミン
類；トリエチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、ト
リ−ｎ−ブチルアミン、トリ−ｎ−ペンチルアミン、ト
リ−ｎ−ヘキシルアミン、トリ−ｎ−ヘプチルアミン、
トリ−ｎ−オクチルアミン、トリ−ｎ−ノニルアミン、
トリ−ｎ−デシルアミン等のトリアルキルアミン類；ア
ニリン、Ｎ−メチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリ
ン、２−メチルアニリン、３−メチルアニリン、４−メ
チルアニリン、４−ニトロアニリン、ジフェニルアミ
ン、トリフェニルアミン、１−ナフチルアミン等の芳香
族アミン類等を挙げることができる。含窒素化合物（I
I）としては、例えば、エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，
Ｎ',Ｎ'−テトラメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，
Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（２−ヒドロキシプロピル）エ
チレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチ
レンジアミン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、
４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジ
アミノベンゾフェノン、４，４’−ジアミノジフェニル
アミン、２，２−ビス（４’−アミノフェニル）プロパ
ン、２−（３’−アミノフェニル）−２−（４’−アミ
ノフェニル）プロパン、２−（４’−アミノフェニル）
−２−（３’−ヒドロキシフェニル）プロパン、２−
（４’−アミノフェニル）−２−（４’−ヒドロキシフ
ェニル）プロパン、１，４−ビス［１’−（４''−アミ
ノフェニル）−１’−メチルエチル］ベンゼン、１，３
−ビス［１’−（４''−アミノフェニル）−１’−メチ
ルエチル］ベンゼン等を挙げることができる。含窒素化
合物（III)としては、例えば、ポリエチレンイミン、ポ
リアリルアミン、ジメチルアミノエチルアクリルアミド
の重合体等を挙げることができる。

【００７３】前記アミド基含有化合物としては、例え
ば、ホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−
ジメチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ−メチルアセ
トアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、プロピオン
アミド、ベンズアミド、ピロリドン、Ｎ−メチルピロリ
ドン等を挙げることができる。前記ウレア化合物として
は、例えば、尿素、メチルウレア、１，１−ジメチルウ
レア、１，３−ジメチルウレア、１，１，３，３−テト
ラメチルウレア、１，３−ジフェニルウレア、トリ−ｎ
−ブチルチオウレア等を挙げることができる。前記含窒
素複素環化合物としては、例えば、イミダゾール、ベン
ズイミダゾール、４−メチルイミダゾール、４−メチル
−２−フェニルイミダゾール、２−フェニルベンズイミ
ダゾール等のイミダゾール類；ピリジン、２−メチルピ
リジン、４−メチルピリジン、２−エチルピリジン、４
−エチルピリジン、２−フェニルピリジン、４−フェニ
ルピリジン、２−メチル−４−フェニルピリジン、ニコ
チン、ニコチン酸、ニコチン酸アミド、キノリン、８−
オキシキノリン、アクリジン等のピリジン類のほか、ピ
ラジン、ピラゾール、ピリダジン、キノザリン、プリ
ン、ピロリジン、ピペリジン、モルホリン、４−メチル
モルホリン、ピペラジン、１，４−ジメチルピペラジ
ン、１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン等
を挙げることができる。

【００７４】これらの含窒素有機化合物のうち、含窒素
化合物（Ｉ）、含窒素複素環化合物等が好ましい。ま
た、含窒素化合物（Ｉ）の中では、トリアルキルアミン
類が特に好ましく、含窒素複素環化合物の中では、ピリ
ジン類が特に好ましい。前記酸拡散制御剤は、単独でま
たは２種以上を混合して使用することができる。酸拡散
制御剤の配合量は、（Ａ）共重合体１００重量部当り、
通常、１５重量部以下、好ましくは０．００１〜１０重
量部、さらに好ましくは０．００５〜５重量部である。
この場合、酸拡散制御剤の配合量が１５重量部を超える
と、レジストとしての感度や露光部の現像性が低下する
傾向がある。なお、酸拡散制御剤の配合量が０．００１
重量部未満では、プロセス条件によっては、レジストと
してのパターン形状や寸法忠実度が低下するおそれがあ
る。

【００７５】他の添加剤 本発明の感放射線性樹脂組成物には、組成物の塗布性や
ストリエーション、レジストとしての現像性等を改良す
る作用を示す界面活性剤を配合することができる。この
ような界面活性剤としては、ポリオキシエチレンラウリ
ルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、
ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチ
レンｎ−オクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレ
ンｎ−ノニルフェニルエーテル、ポリエチレングリコー
ルジラウレート、ポリエチレングリコールジステアレー
ト等を挙げることができ、また市販品としては、例え
ば、エフトップＥＦ３０１、ＥＦ３０３，ＥＦ３５２
（トーケムプロダクツ社製）、メガファックス Ｆ１７
１、Ｆ１７３（大日本インキ化学工業（株）製）、フロ
ラードＦＣ４３０、ＦＣ４３１（住友スリーエム（株）
製）、アサヒガードＡＧ７１０、サーフロンＳ−３８
２、ＳＣ１０１、ＳＣ１０２、ＳＣ１０３、ＳＣ１０
４、ＳＣ１０５、ＳＣ１０６（旭硝子（株）製）、ＫＰ
３４１（信越化学工業（株）製）、ポリフローＮｏ．７
５、Ｎｏ．９５（共栄社化学（株）製）等を挙げること
ができる。界面活性剤の配合量は、（Ａ）共重合体１０
０重量部当り、通常、２重量部以下である。また、本発
明の感放射線性樹脂組成物には、放射線のエネルギーを
吸収して、そのエネルギーを（Ｂ）酸発生剤に伝達し、
それにより酸の生成量を増加させる作用を示し、レジス
トの見掛けの感度を向上させる効果を有する増感剤を配
合することができる。好ましい増感剤の例としては、ベ
ンゾフェノン類、ローズベンガル類、アントラセン類等
を挙げることができる。増感剤の配合量は、（Ａ）共重
合体１００重量部当り、通常、５０重量部以下である。
また、染料および／または顔料を配合することにより、
露光部の潜像を可視化させて、露光時のハレーションの
影響を緩和でき、接着助剤を配合することにより、基板
との接着性をさらに改善することができる。さらに、前
記以外の添加剤として、４−ヒドロキシ−４'−メチル
カルコン等のハレーション防止剤、形状改良剤、保存安
定剤、消泡剤等を配合することもできる。

【００７６】溶剤 本発明の感放射線性樹脂組成物は、その使用に際して、
全固形分の濃度が、通常、１〜５０重量％、好ましくは
５〜４０重量％になるように、溶剤に均一に溶解したの
ち、例えば孔径０．２μｍ程度のフィルターでろ過する
ことにより、組成物溶液として調製される。前記組成物
溶液の調製に使用される溶剤としては、例えば、エチレ
ングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレン
グリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレング
リコールモノ−ｎ−プロピルエーテルアセテート、エチ
レングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテルアセテート等
のエチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート
類；プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピ
レングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコ
ールモノ−ｎ−プロピルエーテル、プロピレングリコー
ルモノ−ｎ−ブチルエーテル等のプロピレングリコール
モノアルキルエーテル類；プロピレングリコールジメチ
ルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、
プロピレングリコールジ−ｎ−プロピルエーテル、プロ
ピレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル等のプロピレ
ングリコールジアルキルエーテル類；プロピレングリコ
ールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコ
ールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコ
ールモノ−ｎ−プロピルエーテルアセテート、プロピレ
ングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテルアセテート等の
プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート
類；乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ｎ−プロピル、乳酸
ｉ−プロピル等の乳酸エステル類；ぎ酸ｎ−アミル、ぎ
酸ｉ−アミル、酢酸エチル、酢酸ｎ−プロピル、酢酸ｉ
−プロピル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸ｉ−ブチル、酢酸ｎ
−アミル、酢酸ｉ−アミル、プロピオン酸ｉ−プロピ
ル、プロピオン酸ｎ−ブチル、プロピオン酸ｉ−ブチル
等の脂肪族カルボン酸エステル類；ヒドロキシ酢酸エチ
ル、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸エチル、
２−ヒドロキシ−３−メチル酪酸メチル、メトキシ酢酸
エチル、エトキシ酢酸エチル、３−メトキシプロピオン
酸メチル、３−メトキシプロピオン酸エチル、３−エト
キシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エ
チル、３−メトキシブチルアセテート、３−メチル−３
−メトキシブチルアセテート、３−メチル−３−メトキ
シブチルプロピオネート、３−メチル−３−メトキシブ
チルブチレート、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチ
ル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル等の他のエス
テル類；トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類；メ
チルエチルケトン、メチルｎ−プロピルケトン、メチル
ｎ−ブチルケトン、２−ヘプタノン、３−ヘプタノン、
４−ヘプタノン、シクロヘキサノン等のケトン類；Ｎ−
メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、
Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミ
ド、Ｎ−メチルピロリドン等のアミド類；γ−ブチロラ
クン等のラクトン類を挙げることができる。これらの溶
剤は、単独でまたは２種以上を混合して使用することが
できる。

【００７７】レジストパターンの形成 本発明の感放射線性樹脂組成物からレジストパターンを
形成する際には、前述したようにして調製された組成物
溶液を、回転塗布、流延塗布、ロール塗布等の適宜の塗
布手段によって、例えば、シリコンウェハー、アルミニ
ウムで被覆されたウェハー等の基板上に塗布することに
より、レジスト被膜を形成し、場合により予め７０℃〜
１６０℃程度の温度で加熱処理（以下、「ＰＢ」とい
う。）を行ったのち、所定のマスクパターンを介して露
光する。その際に使用される放射線としては、（Ｂ）酸
発生剤の種類に応じて、例えば、ＡｒＦエキシマレーザ
ー（波長１９３ｎｍ）あるいはＫｒＦエキシマレーザー
（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外線、電子線等の荷電粒子
線、シンクロトロン放射線等のＸ線等を適宜選択して使
用する。また、露光量等の露光条件は、感放射線性樹脂
組成物の配合組成、各添加剤の種類等に応じて、適宜選
定される。本発明においては、高精度の微細パターンを
安定して形成するために、露光後に、７０〜１６０℃の
温度で３０秒以上加熱処理（以下、「ＰＥＢ」とい
う。）を行なうことが好ましい。この場合、露光後ベー
クの温度が７０℃未満では、基板の種類による感度のば
らつきが大きくなるおそれがある。その後、アルカリ現
像液を用い、通常、１０〜５０℃で１０〜２００秒、好
ましくは１５〜３０℃で１５〜１００秒、特に好ましく
は２０〜２５℃で１５〜９０秒の条件にて現像すること
により、所定のレジストパターンを形成させる。前記ア
ルカリ現像液としては、例えば、アルカリ金属水酸化
物、アンモニア水、モノ−、ジ−あるいはトリ−アルキ
ルアミン類、モノ−、ジ−あるいはトリ−アルカノール
アミン類、複素環式アミン類、テトラアルキルアンモニ
ウムヒドロキシド類、コリン、１，８−ジアザビシクロ
−［５．４．０］−７−ウンデセン、１，５−ジアザビ
シクロ−［４．３．０］−５−ノネン等のアルカリ性化
合物を、通常、１〜１０重量％、好ましくは１〜５重量
％、特に好ましくは１〜３重量％の濃度となるように溶
解したアルカリ性水溶液が使用される。また、前記アル
カリ性水溶液からなる現像液には、例えばメタノール、
エタノール等の水溶性有機溶剤や界面活性剤を適宜添加
することもできる。なお、レジストパターンの形成に際
しては、環境雰囲気中に含まれる塩基性不純物等の影響
を防止するため、レジスト被膜上に保護膜を設けること
もできる。

【００７８】

【発明の実施の形態】以下、実施例を挙げて、本発明の
実施の形態をさらに具体的に説明する。但し、本発明
は、これらの実施例に何ら制約されるものではない。

【実施例】実施例１〜１１、比較例１ 表１（但し、部は重量に基づく。）に示す各成分を混合
して均一溶液としたのち、孔径０．２μｍのテフロン製
メンブレンフィルターでろ過して、組成物溶液を調製し
た。次いで、各組成物溶液を、シリコンウエハー上に回
転塗布したのち、表２に示す温度と時間にてＰＢを行っ
て、膜厚０．５μｍのレジスト被膜を形成した。その
後、このレジスト被膜に、（株）ニコン製ＫｒＦエキシ
マレーザー照射装置（商品名ＮＳＲ−２２０５ ＥＸ１
２Ａ）を用い、ＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎ
ｍ）をマスクパターンを介し露光量を変えて露光した。
また一部の実施例では、ＫｒＦエキシマレーザーに代え
て、（株）ニコン製ＡｒＦエキシマレーザー照射装置
（ＮＡ＝０．５５）あるいは簡易型の電子線直描装置
（５０ＫｅＶ）を用い、ＡｒＦエキシマレーザー（波長
１９３ｎｍ）あるいは電子線をマスクパターンを介し露
光量を変えて露光した。露光後、表２に示す温度と時間
にてＰＥＢを行った。次いで、テトラメチルアンモニウ
ムヒドロキシド水溶液を用いて現像したのち、水で３０
秒間洗浄し、乾燥して、レジストパターンを形成させ
た。各実施例および比較例の評価結果を、表３に示す。

【００７９】ここで、ＭｗとＭｗ／Ｍｎの測定および各
レジストの評価はレジストの評価は、下記の要領で実施
した。ＭｗおよびＭｗ／Ｍｎ 東ソー（株）製ＧＰＣカラム（Ｇ２０００ＨＸＬ ２
本、Ｇ３０００ＨＸＬ１本、Ｇ４０００ＨＸＬ １本）
を用い、流量１．０ミリリットル／分、溶出溶媒テトラ
ヒドロフラン、カラム温度４０°Ｃの分析条件で、単分
散ポリスチレンを標準とするゲルパーミエーションクロ
マトグラフィ（ＧＰＣ）により測定した。感度 設計線幅０．２２μｍのライン・アンド・スペースパタ
ーン（１Ｌ１Ｓ）を形成したとき、１対１の線幅に形成
する露光量を、最適露光量とし、この最適露光量により
評価した。解像度 設計線幅０．２２μｍのライン・アンド・スペースパタ
ーン（１Ｌ１Ｓ）を形成したとき、最適露光量で露光し
たときに解像されるレジストパターンの最小寸法（μ
ｍ）を、解像度とした。定在波の影響 設計線幅０．２２μｍのライン・アンド・スペースパタ
ーン（１Ｌ１Ｓ）を形成したとき、レジストパターン側
壁における定在波による凹凸の有無および程度を走査型
電子顕微鏡により観察して評価した。ＰＥＤ安定性 露光直後にＰＥＢを行って現像した場合の最適露光量で
露光した試料を、雰囲気中のアンモニア濃度を５ｐｐｂ
に制御したチャンバー内に２時間引き置いたのち、ＰＥ
Ｂを行い、現像して、設計線幅０．２２μｍのライン・
アンド・スペースパターン（１Ｌ１Ｓ）を形成したと
き、パターン上部の線幅（Ｌtop)を走査型電子顕微鏡に
より測定して、下記基準で評価した。 ０．２２×０．８５＜Ｌtop ＜０．２２×１．１：良好 ０．２２×０．８５≧Ｌtop ：細り不良 ０．２２×１．１ ≦Ｌtop ：太り不良

【００８０】各実施例および比較例で用いた各成分は、
下記の通りである。（Ａ）共重合体 Ａ−１： ｐ−ヒドロキシスチレン／２−ベンジル−２
−プロピルアクリレート共重合体（共重合重量比＝７５
／２５、Ｍｗ＝１４，０００） Ａ−２： ｐ−ヒドロキシスチレン／２−ベンジル−２
−プロピルアクリレート／２，５−ジメチル−２，５−
ヘキサンジオールジアクリレート共重合体（共重合重量
比＝８５／１５／３、Ｍｗ＝３２，０００） Ａ−３： ｐ−ヒドロキシスチレン／２−ベンジル−２
−プロピルアクリレート／ｐ−ｔ−ブトキシスチレン共
重合体（共重合重量比＝７０／１０／２０、Ｍｗ＝１
５，０００） Ａ−４： ｐ−ヒドロキシスチレン／２−ベンジル−２
−プロピルアクリレート／アクリル酸ｔ−ブチル共重合
体（共重合重量比＝７０／１０／２０、Ｍｗ＝１３，０
００） Ａ−５： ｐ−ヒドロキシスチレン／２−ベンジル−２
−プロピルアクリレート／ｐ−ｔ−ブトキシスチレン／
２，５−ジメチル−２，５−ヘキサンジオールジアクリ
レート共重合体（共重合重量比＝８０／５／１５／３、
Ｍｗ＝３３，０００） Ａ−６： ｐ−ヒドロキシスチレン／２−ベンジル−２
−プロピルアクリレート／アクリル酸ｔ−ブチル／２，
５−ジメチル−２，５−ヘキサンジオールジアクリレー
ト共重合体（共重合重量比＝８０／５／１５／３、Ｍｗ
＝３１，０００） Ａ−７： ５−ｔ−ブトキシカルボニルビシクロ［２．
２．１］ヘプト−２−エン／無水マレイン酸／２−ベン
ジル−２−プロピルアクリレート／２，５−ジメチル−
２，５−ヘキサンジオールジアクリレート共重合体（共
重合重量比＝４５／４０／１５／５、Ｍｗ＝４０，００
０） Ａ−８： メタクリル酸メチル／メタクリル酸／２−シ
クロヘキシルメチル−２−プロピルメタクリレート共重
合体（共重合重量比＝６０／１０／３０、Ｍｗ＝１３，
０００）

【００８１】他の共重合体 ａ−１： ｐ−ヒドロキシスチレン／スチレン／アクリ
ル酸ｔ−ブチル共重合体（共重合重量比＝６０／２０／
２０：Ｍｗ＝１３，０００）（Ｂ）酸発生剤 Ｂ−１： トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタ
ンスルホネート Ｂ−２： Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキ
シ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３
−ジカルボキシイミド Ｂ−３： ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウ
ム１０−カンファースルホネート Ｂ−４： ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウ
ムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート酸拡散制御剤 Ｃ−１： Ｎ，Ｎ，Ｎ‘，Ｎ’−テトラキス（２−ヒド
ロキシプロピル）エチレンジアミン Ｃ−２： ２−フェニルベンズイミダゾール Ｃ−３： トリ−ｎ−オクチルアミン Ｃ−４： トリ−ｎ−ブチルアミン Ｃ−５： ４−フェニルピリジン溶剤 Ｄ−１： 乳酸エチル Ｄ−２： ３−エトキシプロピオン酸エチル Ｄ−３： プロピレングリコールモノメチルエーテルア
セテート Ｄ−４： ２−ヘプタノン

【００８２】

【表１】

【００８３】

【表２】

【００８４】

【表３】

【００８５】

【発明の効果】本発明の感放射線性樹脂組成物は、ＰＥ
Ｄによりレジストパターンが線幅の変化を生じたりＴ型
形状になったりすることがなく、しかも反射率の高い基
板上でも定在波を発生することなく、解像性能に優れて
おり、またＫｒＦエキシマレーザーあるいはＡｒＦエキ
シマレーザー等の遠紫外線、電子線等の荷電粒子線、シ
ンクロトロン放射線等のＸ線の如き各種の放射線に対し
て、高感度（低露光エネルギー量）である。したがっ
て、本発明の感放射線性樹脂組成物は、今後さらに微細
化が進行すると予想される半導体デバイス用の化学増幅
型レジストとして極めて好適に使用することができる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 塩谷 健夫 東京都中央区築地二丁目11番24号 ジェイ エスアール株式会社内 Ｆターム(参考） 2H025 AA01 AA02 AA03 AB16 AC04 AC05 AC06 AC07 AC08 BE00 CB14

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （Ａ）下記式（１）で表される繰返し単
   位を含む共重合体、並びに（Ｂ）感放射線性酸発生剤を
   含有することを特徴とする感放射線性樹脂組成物。 【化１】 〔式（１）において、Ｒ¹ は水素原子またはメチル基を
   示し、Ｒ² は置換されていてもよい炭素数６〜２０の脂
   環族基または置換されていてもよい炭素数６〜２０の芳
   香族基を示す。〕