JP2001033628A - ブラッグ格子の波長を安定化させ同調させるデバイス - Google Patents

ブラッグ格子の波長を安定化させ同調させるデバイス

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JP2001033628A
JP2001033628A JP2000188230A JP2000188230A JP2001033628A JP 2001033628 A JP2001033628 A JP 2001033628A JP 2000188230 A JP2000188230 A JP 2000188230A JP 2000188230 A JP2000188230 A JP 2000188230A JP 2001033628 A JP2001033628 A JP 2001033628A
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Lionel Quetel
リオネル、クテル
Laurent Lablonde
ローラン、ラブロンド
Claude Botton
クロード、ボトン
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Highwave Optical Technologies SA
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ブラッグ格子を利用するデバイスを提供す
る。 【解決手段】 本発明は、ブラッグ格子(112)が内
部で光刻設された光ファイバ(110)を含むデバイス
に関し、このデバイスは、光刻設されたブラッグ格子
(112)を含んでいるファイバの部分が、ブラッグ格
子(112)の波長に対する温度の影響を補償するよう
になっている能動素子またはそのスタック(100)に
固定されていることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はブラッグ格子を利用
するデバイスの分野に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、ブラッグ格子を使用することが一
般的になっている。この格子は反射または透過に用いら
れ、レーザーやデマルチプレクサや色散乱補償装置、セ
ンサーなどの多くの光機能体に含まれている。
【0003】ある種の応用分野、特に密波長分割マルチ
プレクシング(DWDM)の分野で使用されるようにな
ったために、この回折格子の特徴に関してある種の要件
が顕れるようになった。
【0004】ブラッグ格子の波長を安定化させる必要性
が当業者にとって非常に急速に明瞭となった。
【0005】従来のブラッグ格子の波長は温度によって
大幅に異なる。
【0006】温度に対するブラッグ格子の依存性は一般
的には100℃で1.1nmに等しい。場合によって
は、この依存性がブラッグ格子の動作を妨害しかねな
い。この格子を、一般的には−40℃から+80℃とい
う広い温度範囲にわたって動作することを要求される市
販の光伝送システムに埋め込む際にこの依存性が障害と
なる。
【0007】例えば、WDWMを用いると、光信号チャ
ネル同士間の間隔は0.8nmまたは0.4nmにまで
減少させることができる。
【0008】これが、光ファイバが波長という点で高度
に正確でなければならず、また、外部条件に対して非常
に安定でなければならない理由である。
【0009】色散乱補償装置は、性能を維持するために
外部環境にかかわらず比較的一定である中心波長を有す
る必要もある、いわゆる「さえずり」ブラッグ格子を用
いている。
【0010】ブラッグ格子は、圧力センサーや機械式応
力センサーにも組み込むことができる。
【0011】これらの様々な拘束によって、ブラッグ格
子が温度に対して反応しないことを保証する必要があ
る。すなわち、その温度依存性を減少させる必要があ
る。
【0012】温度依存性は、特にゲルマニウムをドープ
されたシリカ製のファイバの場合には、そのファイバの
熱膨張係数と熱・光係数の双方に原因がある。
【0013】様々な方法を用いてこの依存性を減少させ
ることができる。
【0014】第1の方法では、ブラッグ格子を空調され
たエンクロージャ中におくことによってまたはそれをペ
ルチエ効果素子に固着させることによってファイバの温
度を制御する。これらの技法は格子を一定温度に保つ効
果がある。
【0015】第2の方法では、受動デバイスを用いる。
【0016】ブラッグ波長のドリフトを受動的に安定化
させる方法では、機械膨脹差または膨張係数が負である
材料を含む構成を持つ。
【0017】図1に示す原理に基づいて動作する既知の
補償システム(フロイリー(V.Fleury)の「光
ファイバ内に光刻設されたブラッグ格子の温度安定化」
リル科学技術大学(Science and Tech
nology University of Lill
e)のレーザー光学科のコース報告に述べる、いわゆる
「テーブルトップ」デバイス)は、互いに異なった熱膨
張係数を持つ2つの材料、すなわち長さRの材料M
(α)製の棒と材料Mにネジ止めされた材料M
(α)製の2つのブラケットとを備える。ここで、α
≧αであり、αi>0である。
【0018】除去された後、光ファイバ10は、各M
ブラケットのあるポイントに固定され、これによって、
ブラッグ格子12がこれらの間の距離Lの中間に来るよ
うにする。このように固定される際に、ブラッグ格子に
初期牽引を印加して、その波長を小分量Δλだけずら
す。張力を印加されていないときの格子の波長がλ
=1550nmであるとすると、牽引がΔλ=+1n
mに等しい場合、ΔL/Lは約0.08%に等しい。
【0019】図2に別の既知のデバイス(リーブラン
(J. Rioublanc)らの論文「ブラッグ格子
の同調済み波長の温度によるドリフトを安定化させるた
めの受動システムの最適化」JNOG96、論文番号8
5に述べる「ハーフテーブルトップ」)の線図を示す。
これも同じような結果をもたらし得る。
【0020】図3に、ピタッシ(S. Pitass
i)らの論文「様々な包装用溶液を用いた狭帯域透過フ
ィルタの温度的感度と機械的感度」イタリア、シルティ
S.p.Aケーブル/光技術(Sirti S.p.
A Cables and Optical Tech
nologies)に述べる「バイメタル片」タイプの
さらに別の既知のデバイスを示す。このタイプのサポー
トは、同じ長さLと同じ厚さを持つが、互いに異なっ
た熱膨張係数α<α2を持った金属製の2つの棒を含
んでいる。これらの棒は一緒に固定されて1つのサポー
トを形成している。ファイバは膨張量の少ない方の材料
の両端に固着されている。波長を少しずらす初期牽引を
ブラッグ格子に印加する。温度が上昇すると、小さい膨
張係数を持つ方の材料M(α)と同じ側に凹面側が
ある状態で、金属片が一緒に湾曲する。したがって、L
だけ隔たって配設されている2つのポイントであって、
また、ファイバがそこで材料に固定されている2つのポ
イントが互いに接近する。このように、格子に印加され
る初期引き伸ばしが減少し、これによって、格子のブラ
ッグ波長λが減少する。
【0021】別の既知の方法では、(図4に示すよう
に)液晶ポリマ製のチューブのブラッグ格子を固定す
る。この技法は単純であり、数十ミリメートル長の格子
にも適用可能である。負の熱膨張係数を持つポリマにフ
ァイバを固定することによって温度依存性を減少できる
ことが知られている。この論題については、イワシマ
(T.Iwashima)らの論文「液晶ポリマを用い
たファイバブラッグ格子のための温度補償技法」電磁高
額レターオンライン、No.19970289およびグ
ラスベルク・ショット&ゲン(Jena ER Gla
swerk SCHOTT & Gen)の論文「ゼノ
デュア(Zenodur):その特性を合計すると、固
有ガラスセラミック」を参照されたい。この技法は、光
ファイバ内に光刻設された(photo-inscribed)ブラッ
グ格子に対して用いられてきた。温度と共に変化する波
長の分量が低下している。
【0022】それでもなお、ブラッグ格子の波長を安定
化させる既知のデバイスでは完全な満足は得られない。
【0023】ブラッグ格子に対して一定温度を維持する
目的で能動デバイスを用いることに基づく技法では、高
レベルのエネルギ消費が必要であり、したがって装置も
かさばる。
【0024】受動デバイスを利用する技法もまた様々な
欠点を持っている。
【0025】図1と図2に示すテーブルトップデバイス
とハーフテーブルトップデバイスでは、デバイスがかな
り長くなる。ブラッグ格子の両端が固定される材料によ
って、デバイスの全長がある程度(テーブルトップデバ
イスの場合は約2倍に)増加する。加えて、2つの材料
(MとM)を一緒に接合するのは、それらの膨張係
数が互いに異なるので非常にきわどい作業となりかねな
い。
【0026】図3に示す「バイメタル片」デバイスも上
述と同様の欠点を持っている。こられの2つの材料は膨
張係数が互いに異なっている。したがって、+40〜+
80℃の温度範囲にわたって良好な接着性を保証するの
は困難である。
【0027】図4に示すような結晶ポリマチューブを用
いるデバイスは、現在まで、温度依存性をたかだか10
分の1、一般的には0.13nm/100℃までにしか
減少していない。
【0028】ある応用分野では、ブラッグ格子の波長を
同調できるようにするのが望ましいことが分かってい
る。
【0029】DWDMシステムでは、小さいスペクトル
範囲(一般的にはナノメートル台)にわたってブラッグ
格子の波長を同調させることが可能であることがしばし
ば必要である。光信号チャネル同士間の間隔が0.8n
mから0.4nmほどに小さくなり得る波長のマルチプ
レクスまたはデマルチプレクス動作を実行する場合、様
々な格子のブラッグ波長を同調させて、光チャネルを欠
落させたり挿入したりできるようにすることが重要であ
る。この論題に関しては、ケテル(Lionel Qu
etel)らの論文「プログラマブルファイバ格子に基
づいた波長デマルチプレクサ」OFC‘96テクニカル
ダイジェスト、120〜121ページを参照されたい。
同調目的で必要とされるスペクトル範囲は、ブラッグ波
長の変位に対応し、また、2つの光チャネル間にあっ
て、その波長の直上と直下の波長(例えば、これらのチ
ャネルが0.8nm離隔している場合は0.4nm)に
まで延長する光チャネルに対応する。
【0030】ブラッグ格子の波長を同調させるいくつか
の方法が科学文献に述べられている。
【0031】同調という動作は、2つの基本的な特性に
基づいている。
【0032】第1の特性は、ブラッグ波長が温度によっ
て異なる(上述の)仕方である。したがって、ブラッグ
波長を変化させるには温度を変化させるだけで十分であ
る。
【0033】第2の特性は、ブラッグ波長が伸張または
圧縮によって異なる仕方である。光ファイバに対して長
手方向に力が印加されると、長さLのファイバは、弾性
であるためにΔLだけ伸縮化作用を受ける。ファイバの
素材である材料の指標は光弾性効果によって修正され
る。したがって、ファイバを引き伸ばすことによってそ
の波長が増し、短縮することによってその波長が短くな
る。
【0034】ブラッグ格子が内接している光ファイバは
1%だけ伸張され10%だけ圧縮される。様々な研究所
が、例えば、ブラッグ格子をフェルール中に置くことに
よってブラッグ格子を圧縮したり引っ張ることを可能と
するデバイスを設計してきた(例えば、ベイル(G.
A. Bail)らの論文「圧縮同調式単一周波数ブラ
ッグ格子ファイバレーザー」光学レター、1994年1
2月、第19号、No.23、1979〜1981ペー
ジを参照)。
【0035】ブラッグ波長を狭いスペクトル範囲(数n
m)にわたって同調可能とするために、1つの解決策
は、圧電素子などの能動素子のスタック(stack)に格
子を固着させることである。このスタックに印加される
電圧によって格子が引き伸ばされる。そのブラッグ波長
は長くなる。この論題に関しては、前述したケテル(L
ionel Quetel)らの論文「プログラマブル
ファイバ格子に基づいた波長デマルチプレクサ」OFC
‘96テクニカルダイジェスト、120〜121ページ
を参照することができる。
【0036】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、発明者
が知る限りでは、現時点では、ブラッグ格子の波長を同
調させることと安定化させることの両方を満足させるデ
バイスはいまだ提案されていない。
【0037】1つの解決策として、例えばペルチエ効果
素子にブラッグ格子を配設するなど、ファイバの温度を
変化させることができるデバイス内にブラッグ格子を配
設し、これにより、この温度を安定化させる方法もあ
る。しかしながら、上述したとおり、このような方法は
高エネルギ消費につながる。
【0038】上記の既知の技術水準に鑑みて、本発明の
目的は、ブラッグ格子の波長の同調化と安定化の双方を
可能とし、しかも容認可能な条件下でこれが発生する新
規な手段を提供することにある。
【0039】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、上記目
的は、ブラッグ格子が光刻設され、また、ブラッグ波長
を温度に依存しないようにする熱特性を有する能動素子
またはそのスタックに固定されているファイバの部分を
含むデバイスによって達成される。
【0040】本発明においては、「能動素子」という用
語は、電圧や電界や磁場を印加することによって変更す
ることが可能な幾何学的特徴を有するなんらかの材料ま
たはそのような材料のスタックを示す目的で用いられ
る。
【0041】本デバイスは、格子が固定される材料(例
えば、セラミック)を1つだけ用いることが好ましい。
【0042】本デバイスは、光ファイバ中にブラッグ格
子が光刻設されるいかなるタイプのブラッグ格子にも応
用可能である。
【0043】これによって、その波長は、上記能動素子
または上記能動素子のスタックに印加される制御信号、
例えば電圧の関数として線形に変化する。
【0044】得られた結果によれば、本発明によるデバ
イスは、ブラッグ波長の温度依存性を少なくとも20分
の1に改善し得ることが示されている。
【0045】本発明の他の特徴、目的および利点は、本
願発明を制限するものではない実施の形態で与えられた
添付図面を参照しながら以下の詳細な説明を読めばすぐ
に明らかになるであろう。
【0046】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態のいく
つかについて図面を参照しながら説明する。
【0047】上述したように、本発明にかかるデバイス
は、光刻設されたブラッグ格子を含む光ファイバを備え
ている。ブラッグ格子の一部は、能動素子またはそのス
タックに固定されている格子を有し、能動素子またはそ
のスタックは、ブラッグ格子の波長に対する温度の影響
を補償するようになっている。
【0048】より正確には、本発明者らは、能動素子ま
たはそのスタックを構成する材料は全体として−7.2
×10−6/℃のオーダーの熱膨張係数を有することが
より好ましいと判断した。
【0049】本発明において用いられる補償の原理と
は、ファイバ上での牽引を緩和することによって、温度
によるブラッグ波長のドリフトに対抗することである。
この緩和は、第1には材料の温度膨張係数が負の値であ
るとともにその材料が温度に依存して伸張することであ
り、この伸張はαelongationと呼ばれる係数
で示すことができる。補償を実現するためには、2つの
分布の和が次式の関係を満足しなければならない: αmaterial+αelongation=−7.
2×10−6/℃ 本発明は、上記関係式を満足し、したがって補償を可能
とするあらゆる能動材料をその範囲に収めている。
【0050】この材料は、石英や、例えば鉛の合金や、
ジルコニウム、チタン合金(一般にPZTとして知られ
ている)、バリウムの合金、タリウムの合金、酸素で構
成される圧電素子のセラミックのスタックなどの自然材
料で可能である。
【0051】また、この応用分野に適する様々な能動セ
ラミックも存在する。「磁歪」効果(すなわち、電界の
作用によって伸びる効果)を有し、鉛、マグネシウムお
よびニオブ酸塩(一般に、PMNとして知られている)
で製造されるセラミックは温度によって伸張する特性を
有している。
【0052】「磁歪」特性(磁場の作用によって伸張す
る特性)を有するセラミックで、テルビウムやジスプロ
ジウムや鉄(一般的にトレフェノールと呼ばれる)で製
造されるセラミックもまた、温度の関数として変化して
伸張し、また、本発明において用いることもできる。
【0053】一実施形態として、発明者らは、PZTセ
ラミックの積層体によって構成される圧電スタックをと
りわけ試験した。これらは、αelongation
−1.7×10−6/℃に等しい逆圧電効果係数を持つ
−20〜+120℃の温度範囲にわたってα
material=−5.5×10−6/℃に近い負の
温度膨張係数を有していた。
【0054】このデバイスの図を図5に示す。ブラッグ
格子112の両端114と116は、圧電スタック10
0に固定されている。この固定は接着剤や半田付けや機
械式の固定で実行できる。
【0055】スタック100に低アンペアの直流電流
(1mA未満)を与えると、ファイバが引っ張られ、こ
れによってブラッグ格子の波長を同調させることが可能
となる。加えて、ある電圧を超えると、ブラッグ格子は
安定する。ファイバは、約10mmを占有するブラッグ
格子112を有している。2つの固定ポイント114と
116は、ファイバ110の軸に沿って約2mmのサイ
ズを有し、ブラッグ格子112の互いに反対側に位置し
て、約16mmだけ離隔している。すなわち、これら2
つのポイントは、圧電セラミック100の両端に位置し
ている。
【0056】図5に示すデバイスに対して実行された試
験では、使用された圧電セラミック100は、18mm
×5mm×5mmの寸法を有していた。
【0057】圧電スタック100に印加された電圧の関
数としてのブラッグ波長の変動を図6に示す。
【0058】図7に、様々な印加電圧に対して、圧電ス
タック100に固定された際の格子112のブラッグ波
長の変動を示す。この変動は−20〜+70℃の範囲に
わたって測定された。
【0059】印加電圧が60V〜150V(すなわち、
0.7nmの同調)の範囲にある場合、ブラッグ格子1
12は温度に依存しない特性を有する。温度の対する波
長の依存性は−20〜+70℃の範囲にわたって50p
mでしかない。このように、ブラッグ波長の温度依存性
は約20分の1に減少した。
【0060】勿論、本発明は上述した特定の実施形態に
制限されるものではなく、本発明の精神の範囲内にある
いかなる変更例をも及ぶものである。
【0061】
【発明の効果】以上詳述したとおり、本発明は、以下の
効果を奏する。
【0062】即ち、本発明によれば、ブラッグ格子の波
長の同調化と安定化の双方を実現するデバイスが提供さ
れる。
【図面の簡単な説明】
【図1】ブラッグ格子の波長を安定化させる従来の構造
体の第1の例を示す図である。
【図2】ブラッグ格子の波長を安定化させる従来の構造
体の第2の例を示す図である。
【図3】ブラッグ格子の波長を安定化させる従来の構造
体の第3の例を示す図である。
【図4】ブラッグ格子の波長を安定化させる従来の構造
体の第4の例を示す図である。
【図5】本発明にかかるデバイスの実施の形態を示す図
である。
【図6】本発明にかかるデバイスにおいて圧電スタック
に印加される電圧の関数としてブラッグ波長の変動をプ
ロットしたグラフである。
【図7】本発明によるデバイスにおける圧電スタックに
印加される様々な電圧に対する温度(−20〜+70℃
の範囲にわたって)の関数としてブラッグ波長がどのよ
うに変化するかをプロットしたグラフである。
【符号の説明】 100 スタック 110 ファイバ 112 ブラッグ格子 114,116 固定ポイント
フロントページの続き (72)発明者 ローラン、ラブロンド フランス国ラ、ロシュ、ドリヤン、リュ、 ド、ピティエ、パサージュ、デュ、ミモザ (72)発明者 クロード、ボトン フランス国トレガステル、ルート、デュ、 カルベール、4

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】ブラッグ格子(112)が光刻設されてい
    る光ファイバ(110)を含むデバイスであって、 前記ファイバのうち、前記光刻設されているブラッグ格
    子(112)を包含している部分は、前記ブラッグ格子
    (112)の波長に対する温度の影響を補償するように
    適用された能動素子または能動素子のスタック(10
    0)に固定されていることを特徴とするデバイス。
  2. 【請求項2】前記能動素子または前記能動素子のスタッ
    ク(100)を含む材料は、−7.2×10−6/℃の
    オーダーの総合膨張係数(熱膨張係数と伸張の温度依存
    性の係数とを加算した値)を有することを特徴とする請
    求項1に記載のデバイス。
  3. 【請求項3】前記能動素子または前記能動素子のスタッ
    ク(100)は、電圧に感応する材料から作られている
    ことを特徴とする請求項1または2に記載のデバイス。
  4. 【請求項4】前記能動素子または前記能動素子のスタッ
    ク(100)は、電界に感応する材料から作られている
    ことを特徴とする請求項1または2に記載のデバイス。
  5. 【請求項5】前記能動素子または前記能動素子のスタッ
    クは、磁場に反応する材料から作られていることを特徴
    とする請求項1または2に記載のデバイス。
  6. 【請求項6】前記能動素子または前記能動素子のスタッ
    ク(100)は、セラミックを用いて作られていること
    を特徴とする請求項1ないし5のいずれかに記載のデバ
    イス。
  7. 【請求項7】前記能動素子または前記能動素子のスタッ
    ク(100)は、磁歪効果を現すセラミックに基づいて
    作られていることを特徴とする請求項1ないし6のいず
    れかに記載のデバイス。
  8. 【請求項8】前記能動素子または前記能動素子のスタッ
    ク(100)は、鉛、マグネシウムもしくはニオブ酸
    塩、または、鉛、マグネシウムおよびニオブ酸塩に基づ
    くセラミックで作られていることを特徴とする請求項1
    ないし7のいずれかに記載のデバイス。
  9. 【請求項9】前記能動素子または前記能動素子のスタッ
    ク(100)は、磁歪効果を示すセラミック系で作られ
    ていることを特徴とする請求項1ないし6のいずれかに
    記載のデバイス。
  10. 【請求項10】前記能動素子または前記能動素子のスタ
    ック(100)は、テルビウム、ジスプロジウムもしく
    は鉄、または、テルビウム、ジスプロジウムおよび鉄に
    基づくセラミックから作られていることを特徴とする請
    求項1ないし6および請求項9のいずれかに記載のデバ
    イス。
  11. 【請求項11】前記能動素子または前記能動素子のスタ
    ック(100)は、石英および圧電セラミックのスタッ
    クを含む群から選ばれることを特徴とする請求項1ない
    し6のいずれかに記載のデバイス。
  12. 【請求項12】前記圧電セラミックのスタック(10
    0)は、鉛、ジルコニウムおよびチタンのスタック、ま
    たはバリウム、タリウムおよび酸素のスタックから構成
    されていることを特徴とする請求項11に記載のデバイ
    ス。
  13. 【請求項13】前記能動素子のスタック(100)は、
    各々が−5.5×10−6/℃のオーダーの熱膨張係数
    を有するセラミック積層体のスタックから作られている
    ことを特徴とする請求項1ないし6、11および12の
    いずれかに記載のデバイス。
  14. 【請求項14】前記ブラッグ格子は、接着、半田付けま
    たは機械的固定によって前記能動素子または前記能動素
    子のスタックに固定されていることを特徴とする請求項
    1ないし13のいずれかに記載のデバイス。
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