JP2001033526A - 半導体集積回路の不良解析方法および装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体集積回路の画像とレイアウト図の画像
とを容易に照合することができ、半導体集積回路におけ
る発光箇所を容易に特定して、半導体集積回路の不良解
析も容易に行うことができる半導体集積回路の不良解析
方法および装置を提供する。 【解決手段】 半導体集積回路１０４は、露出した裏面
を顕微鏡１０２側に向けてステージ１０３に設置され、
反対側の表面に赤外レーザー１１０から出力された赤外
光が照射され、赤外レーザー１１０から半導体集積回路
１０４を透過した赤外光は顕微鏡１０２を通じてカメラ
１０５によって撮影され、その画像は画像処理装置１０
６によりレイアウト図と合成し画像表示装置１０７上で
照合する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路に
対して、その表面側あるいは裏面側からのエミッション
顕微鏡装置による観測結果から、不良状態を解析する半
導体集積回路の不良解析方法および装置に関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】従来から、半導体集積回路の不良箇所を
特定する半導体不良解析方法として、半導体集積回路に
対して、その表面側あるいは裏面側からエミッション顕
微鏡装置を用いて観測し、その観測結果から半導体集積
回路中の不良箇所を特定する方法が広く利用されてい
る。

【０００３】この方法では、半導体素子に漏れ電流が流
れる時の電子と正孔の再結合による発光や金属配線の短
絡による熱幅射による赤外線を観測し、半導体集積回路
上の発光箇所を特定することで、不良箇所の特定を行っ
ている。このように不良箇所を特定するために光を観測
しているが、半導体集積回路の集積化に伴い金属配線層
の多層化が進んでおり、金属配線は光を透過しないた
め、金属配線層下にある半導体素子での発光を表面から
観測することは困難となってきている。そこで、シリコ
ンが赤外光を透過することに着目して、シリコン基板裏
面側からの観測が行われている。

【０００４】まず、従来の技術における半導体集積回路
の表面側から発光箇所を特定する方法について説明す
る。図１２は従来の半導体集積回路の不良解析方法によ
るエミッション顕微鏡装置での表面側観察の説明図であ
り、半導体集積回路上の微少発光箇所の特定方法を説明
するためのエミッション顕微鏡装置の概略図である。半
導体集積回路１０４は露出した表面を顕微鏡側に向けて
ステージ１０３に設置されており、ランプ１０１から出
力された光は半導体集積回路１０４の表面に照射され
る。半導体集積回路の金属配線層に反射した光は顕微鏡
１０２を通過して、カメラ１０５によって撮影される。
撮影された画像は画像処理装置１０６によりレイアウト
図と合成され、画像表示装置１０７上で表示される。

【０００５】図４は半導体集積回路の金属配線の一般的
なレイアウト図であり、２００はトランジスタのポリシ
リコンゲート層、２１０、２１１、２１２、２１３は基
板より一層目の金属配線、２２０、２２１、２２２は基
板より二層目の金属配線、２３０はトランジスタ領域を
示す図形である。図５は半導体集積回路の金属配線の層
構造を示す断面図であり、３００はトランジスタのポリ
シリコンゲート層、３１０は基板より一層目の金属配
線、３２０は基板より二層目の金属配線、３３０は絶縁
膜、３４０はシリコン基板、３５０はシリコンを酸化さ
せたシリコン酸化膜である。トランジスタ領域の形成は
シリコン基板３４０上にシリコンを酸化させた絶縁領域
と酸化されない領域を形成することで行われ、図４のト
ランジスタ領域２３０は半導体集積回路ではシリコン酸
化膜３５０に覆われていない部分にあたる。

【０００６】図６は半導体集積回路のレイアウト上の不
良箇所を示す表面図であり、４００はトランジスタのポ
リシリコンゲート層、４１０、４１１は基板より一層目
の金属配線、４２０、４２１、４２２は基板より二層目
の金属配線、４３０はトランジスタ領域、４４０は発光
点である。半導体集積回路中の微少発光箇所をレイアウ
ト図上で特定する方法はレイアウト図と半導体集積回路
の図形の照合を行ない座標値を合わせ、その後、レイア
ウト図上に対応する半導体集積回路の発光点の位置を特
定し座標を読み取ることで行う。具体的に図６の発光点
４４０の座標を特定する方法を説明する。

【０００７】図４の図形２１０、２１１は図５の図形３
１０の層に相当し、図形２２０、２２１は図５の図形３
２０の層に相当する。最上層にあたる基板より二層目の
金属配線のレイアウト図と同形の図形を半導体集積回路
の中から選択する。例えば図４では、基板より二層目の
金属配線２２１の形状に注目し、図形２２０、２２２の
形状を見て図形２２１の形状と図形２２０、２２２の形
状と位置関係が、金属配線４２１と４２０、４２２の形
状と位置関係と一致するかどうかで、図形２２１と金属
配線４２１の座標の対応を決定し、レイアウト図と半導
体集積回路の座標を合わせることで、位置情報を照合す
る。

【０００８】これにより、レイアウト図上での発光点４
４０の位置の対応を取ることで、発光点４４０の座標を
確定できる。図形２２０は図形２１０の上部に位置する
ため図形２２０は図形２１０の上部を覆っており、図形
２１０の形状の全てを確認できない。このように下層に
ある基板より一層目の金属配線が認識しにくい場合があ
るため、最上層の金属配線を目印に使用する。

【０００９】次に、裏面側から微少発光箇所を特定する
方法を説明する。図７は従来の半導体集積回路の不良解
析方法における裏面側反射像の説明図である。図８は同
従来例における半導体集積回路の左右反転した裏面側反
射像の説明図である。図１３は従来の半導体集積回路の
不良解析方法によるエミッション顕微鏡装置での裏面側
観察の説明図であり、半導体集積回路における裏面側か
らの微少発光箇所の特定方法を説明するためのエミッシ
ョン顕微鏡装置の概略図である。

【００１０】図１３において、半導体集積回路１０４は
露出した裏面を顕微鏡側に向けてステージ１０３に設置
されており、赤外ランプ１０８から出力された赤外光は
半導体集回路１０４の裏面に照射される。半導体集積回
路の金属配線層に反射した赤外光は顕微鏡１０２を通過
してカメラ１０５によって撮影される。撮影された画像
は図７のように表面から観測した場合と比べて左右が反
対になっているため、画像処理装置１０６により画像を
図８のように左右反転させ、レイアウト図と合成し、画
像表示装置１０７上で表示する。

【００１１】半導体集積回路中の微少発光箇所をレイア
ウト図上で特定する方法は表面側と同様に、レイアウト
図上に対応する半導体集積回路の発光点の位置を特定し
座標を読み取ることで行う。しかし裏面から観測した場
合、基板より一層目の金属配線が最上層となるため、例
えば図８では図形２１１のレイアウト図と同形の図形を
半導体集積回路の中から選択する。金属配線４１１の形
状に注目し、金属配線４１１と図形２１１の形状と位置
関係、さらに周辺の金属配線４１０、４１２、４１３と
図形２１０、２１１、２１３の形状と位置関係が一致す
るかどうかで金属配線４１１と図形２１１の座標の対応
を決定し、レイアウト図と半導体集積回路の座標を合わ
せる。これにより、発光点４４０の半導体回路上の位置
と図４のレイアウト図上での位置の対応を取ることがで
き、発光点４４０の座標を確定できる。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな従来の半導体集積回路の不良解析方法では、裏面側
からの観測の場合、赤外光は可視光より波長が長いため
観察像の分解能は可視光より低くなる。また、さらにシ
リコン基板は半導体集積回路表面の絶縁膜が数μｍの厚
みであるのに対して数百μｍの厚みがあり、表面側より
光を照射した場合より光は減衰・散乱しやすく、半導体
集積回路の観察像の分解能が低下するため、基板より一
層目の金属配線層は観測できるが、それより上層の金属
配線層の観測は困難となる。

【００１３】そのため、半導体集積回路の画像とレイア
ウト図の画像とが照合させにくくなり、半導体集積回路
における発光箇所の特定がむずかしく、半導体集積回路
の不良解析も容易でなくなるという問題点を有してい
た。本発明は、上記従来の問題点を解決するもので、観
測画像の分解能を向上することができるとともに、赤外
光を透過させることにより上層の金属配線層も観測し
て、半導体集積回路の画像とレイアウト図の画像とを容
易に照合することができ、半導体集積回路における発光
箇所を容易に特定して、半導体集積回路の不良解析も容
易に行うことができる半導体集積回路の不良解析方法お
よび装置を提供する。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに本発明の半導体集積回路の不良解析方法および装置
は、照射光の減衰および散乱を抑え、観測画像の分解能
を向上させるとともに、赤外光を透過させることにより
上層の金属配線層の観測を可能とすることを特徴とす
る。

【００１５】以上により、観測画像の分解能を向上する
ことができるとともに、赤外光を透過させることにより
上層の金属配線層も観測して、半導体集積回路の画像と
レイアウト図の画像とを容易に照合することができ、半
導体集積回路における発光箇所を容易に特定して、半導
体集積回路の不良解析も容易に行うことができる。

【００１６】

【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の半導体
集積回路の不良解析方法は、半導体集積回路に対して、
エミッション顕微鏡装置による観測結果から、不良状態
を解析する半導体集積回路の不良解析方法であって、前
記半導体集積回路の裏面側から赤外レーザーを照射して
得られる赤外反射像と前記半導体集積回路のレイアウト
位置情報とを照合し、その照合結果に基づいて前記半導
体集積回路の発光箇所を特定して前記不良状態を解析す
る方法とする。

【００１７】請求項４に記載の半導体集積回路の不良解
析装置は、半導体集積回路に対して、エミッション顕微
鏡装置による観測結果から、不良状態を解析するよう構
成した半導体集積回路の不良解析装置において、前記半
導体集積回路の裏面側から赤外レーザーを照射して得ら
れる赤外反射像と前記半導体集積回路のレイアウト位置
情報とを照合する手段と、その照合結果に基づいて前記
半導体集積回路の発光箇所を特定して前記不良状態を解
析する手段とを有する構成とする。

【００１８】これらの方法および構成によると、単一波
長の赤外レーザーを用いることにより、シリコン基板へ
の入射時の屈折や金属配線層での反射時の散乱量を低下
し、赤外光反射像の分解能を向上させ、上層の金属配線
層の観測を可能とする。請求項２に記載の半導体集積回
路の不良解析方法は、半導体集積回路に対して、エミッ
ション顕微鏡装置による観測結果から、不良状態を解析
する半導体集積回路の不良解析方法であって、前記半導
体集積回路の表面側から赤外光を透過させて裏面側から
得られる赤外透過像と前記半導体集積回路のレイアウト
位置情報とを照合し、その照合結果に基づいて前記半導
体集積回路の発光箇所を特定して前記不良状態を解析す
る方法とする。

【００１９】請求項５に記載の半導体集積回路の不良解
析装置は、半導体集積回路に対して、エミッション顕微
鏡装置による観測結果から、不良状態を解析するよう構
成した半導体集積回路の不良解析装置において、前記半
導体集積回路の表面側から赤外光を透過させて裏面側か
ら得られる赤外透過像と前記半導体集積回路のレイアウ
ト位置情報とを照合する手段と、その照合結果に基づい
て前記半導体集積回路の発光箇所を特定して前記不良状
態を解析する手段とを有する構成とする。

【００２０】これらの方法および構成によると、シリコ
ン基板表面から赤外光を透過することにより、赤外光が
シリコン基板を通過する距離が従来に比べて半分にな
り、光の減衰量は低下して赤外光反射像の分解能を向上
するとともに、透過像は、上層から下層の金属配線層を
重ね合わせた影が図形となり半導体集積回路の各座標に
おいて特徴のある図形が得られる。

【００２１】請求項３に記載の半導体集積回路の不良解
析方法は、半導体集積回路に対して、エミッション顕微
鏡装置による観測結果から、不良状態を解析する半導体
集積回路の不良解析方法であって、前記半導体集積回路
の表面側から赤外レーザーを透過させて裏面側から得ら
れる赤外透過像と前記半導体集積回路のレイアウト位置
情報とを照合し、その照合結果に基づいて前記半導体集
積回路の発光箇所を特定して前記不良状態を解析する方
法とする。

【００２２】請求項６に記載の半導体集積回路の不良解
析装置は、半導体集積回路に対して、エミッション顕微
鏡装置による観測結果から、不良状態を解析するよう構
成した半導体集積回路の不良解析装置において、前記半
導体集積回路の表面側から赤外レーザーを透過させて裏
面側から得られる赤外透過像と前記半導体集積回路のレ
イアウト位置情報とを照合する手段と、その照合結果に
基づいて前記半導体集積回路の発光箇所を特定して前記
不良状態を解析する手段とを有する構成とする。

【００２３】これらの方法および構成によると、赤外レ
ーザーによる赤外光をシリコン基板表面から透過するこ
とにより、赤外光の減衰量を抑え、赤外光反射像の分解
能を向上するとともに、透過することにより、上層から
下層の金属配線層を重ね合わせた影が図形となり半導体
集積回路の各座標において特徴のある図形が得られる。

【００２４】以下、本発明の実施の形態を示す半導体集
積回路の不良解析方法および装置について、図面を参照
しながら具体的に説明する。 （実施の形態１）本発明の実施の形態１の半導体集積回
路の不良解析方法および装置を説明する。

【００２５】図１は本実施の形態１の半導体集積回路の
不良解析装置の一例を示す構成図である。図１におい
て、１０９はハーフミラー、１１０は赤外レーザー、１
０２は顕微鏡、１０３はステージ、１０４は不良解析対
象である半導体集積回路、１０６は画像処理装置、１０
７は画像表示装置であり、従来の技術で説明した図１
２、図１３に示す赤外ランプ１０８を赤外レーザー１１
０に置き換えている。

【００２６】以下に本実施の形態１の半導体集積回路の
不良解析方法を説明する。図９は本実施の形態１の半導
体集積回路の不良解析方法における裏面側から観測した
画像の反射像の説明図であり、裏面側から観測した画像
を左右反転させた図である。図９において、４１０、４
１１、４１２、４１３は、それぞれ図５に示すシリコン
基板３４０より一層目の金属配線に対応している。

【００２７】半導体集積回路１０４は露出した裏面を顕
微鏡１０２側に向けてステージ１０３に設置されてお
り、赤外レーザー１１０から出力された赤外光はハーフ
ミラー１０９と顕微鏡１０２を通過して半導体集積回路
１０４の裏面に照射される。半導体集積回路の金属配線
層に反射した赤外光は顕微鏡１０２を通過してカメラ１
０５によって撮影される。この画像を画像処理装置１０
６により左右反転させ、この左右反転により得られた図
９に示す図形とレイアウト図とを合成することにより、
画像表示装置１０７上で照合する。

【００２８】以上のように、図１２、図１３に示す赤外
ランプ１０８から赤外レーザー１１０に置き換えたこと
により、反射像の分解能が向上する。以上の作用によ
り、図９に示すように、その反射像は、図８の反射像と
比べてより鮮明となり、レイアウト図との図形の照合が
容易になる。 （実施の形態２）本発明の実施の形態２の半導体集積回
路の不良解析方法および装置を説明する。

【００２９】図２は本実施の形態２の半導体集積回路の
不良解析装置の一例を示す構成図である。図２におい
て、１０８は赤外ランプ、１０２は顕微鏡、１０３はス
テージ、１０４は不良解析対象である半導体集積回路、
１０６は画像処理装置、１０７は画像表示装置であり、
従来の技術では、例えば図１３に示す構成により図８に
示すような反射像が得られるのに対して、赤外ランプ１
０８で照射された半導体集積回路１０４の透過像が、顕
微鏡１０２およびカメラ１０５を通じて撮影できるよう
に変更する。

【００３０】次に本実施の形態２の半導体集積回路の不
良解析方法を説明する。図１０は本実施の形態２の半導
体集積回路の不良解析方法における裏面側透過像の説明
図であり、裏面側から観測した画像を左右反転させた図
である。図１０において、４１０、４１１、４１２、４
１３は、それぞれ図５に示すシリコン基板３４０より一
層目の金属配線に対応し、４２１、４２２は、それぞれ
図５に示すシリコン基板３４０より二層目の金属配線に
対応している。

【００３１】半導体集積回路１０４は、露出した裏面を
顕微鏡１０２側に向けてステージ１０３に設置されてお
り、反対側の表面に赤外ランプ１０８から出力された赤
外光が照射される。赤外ランプ１０８から半導体集積回
路１０４を透過した赤外光は顕微鏡１０２を通じてカメ
ラ１０５によって撮影される。撮影された画像は、画像
処理装置１０６によりレイアウト図と合成することで画
像表示装置１０７上で照合する。撮影された画像として
は、図１０に示すように、基板より二層目の金属配線４
２１、４２２と、基板より一層目の金属配線４１０、４
１１、４１２、４１３との各図形を重ね合わせた影が写
る。

【００３２】以上のように、図８の反射像では、光の減
衰と散乱のため、半導体集積回路の観察像の分解能は低
下し、シリコン基板より二層目の金属配線層は観測しに
くいが、本実施の形態２では、半導体集積回路１０４が
赤外ランプ１０８からの赤外光を透過することで、その
赤外光がシリコン基板を通過する距離は反射に比べ半分
となるため、光の減衰量は減少し像の分解能は向上す
る。さらに、図１０に示すように、シリコン基板より一
層目の金属配線４１０、４１１、４１２、４１３に対応
する図形のみならず、シリコン基板より二層目以上の金
属配線４２１、４２２に対応する図形までも写る。

【００３３】以上の作用により、図１０に示すように、
その透過像は、図８の反射像と比べてより分解能が高
く、かつ特徴の多い図形が得られ、レイアウト図との図
形の照合が容易になる。 （実施の形態３）本発明の実施の形態３の半導体集積回
路の不良解析方法および装置を説明する。

【００３４】図３は本実施の形態３の半導体集積回路の
不良解析装置の一例を示す構成図である。図３におい
て、１１０は赤外レーザー、１０２は顕微鏡、１０３は
ステージ、１０４は不良解析対象である半導体集積回
路、１０６は画像処理装置、１０７は画像表示装置であ
り、上記の実施の形態１と実施の形態２で説明した不良
解析方法を併用する。

【００３５】次に本実施の形態３の半導体集積回路の不
良解析方法を説明する。図１１は本実施の形態３の半導
体集積回路の不良解析方法における裏面側透過像の説明
図であり、裏面側から観測した画像を左右反転させた図
である。なお、図１１には特に符号を付していないが、
各図形に対応する金属配線は、図１０の場合と同様とす
る。

【００３６】半導体集積回路１０４は、露出した裏面を
顕微鏡１０２側に向けてステージ１０３に設置されてお
り、反対側の表面に赤外レーザー１１０から出力された
赤外光が照射される。赤外レーザー１１０から半導体集
積回路１０４を透過した赤外光は、顕微鏡１０２を通じ
てカメラ１０５によって撮影される。撮影された画像
は、画像処理装置１０６により、レイアウト図と合成し
て画像表示装置１０７上で照合する。

【００３７】以上のように、実施の形態２の場合のよう
な赤外ランプ１０８で半導体集積回路１０４を照射する
方法から、赤外レーザー１１０からの赤外光の半導体集
積回路１０４での透過に変更したことにより、赤外光の
減衰量が減少し像の分解能が上がる。また、透過するこ
とにより基板より一層目の金属配線の図形のみならず、
基板より二層目以上の金属配線の影までも写る。

【００３８】以上の作用により、図１１に示すように、
その透過像は、図１０の場合より分解能の良い像が得ら
れ、かつ図９の反射像より特徴の多い図形を得ることが
でき、レイアウト図との図形の照合が容易となる。以上
の結果、半導体集積回路における発光箇所を容易に特定
して、半導体集積回路の不良解析も容易に行うことがで
きる。

【００３９】

【発明の効果】以上のように、請求項１または請求項４
に記載の発明によれば、単一波長の赤外レーザーを用い
ることにより、シリコン基板への入射時の屈折や金属配
線層での反射時の散乱量を低下し、赤外光反射像の分解
能を向上させ、上層の金属配線層をも観測することがで
きる。

【００４０】また、請求項２または請求項５に記載の発
明によれば、シリコン基板表面から赤外光を透過するこ
とにより、赤外光がシリコン基板を通過する距離が従来
に比べて半分になり、光の減衰量は低下して赤外光反射
像の分解能を向上するとともに、透過像は、上層から下
層の金属配線層を重ね合わせた影が図形となり半導体集
積回路の各座標において特徴のある図形を得ることがで
きる。

【００４１】また、請求項３または請求項６に記載の発
明によれば、赤外レーザーによる赤外光をシリコン基板
表面から透過することにより、赤外光の減衰量を抑え、
赤外光反射像の分解能を向上するとともに、透過するこ
とにより、上層から下層の金属配線層を重ね合わせた影
が図形となり半導体集積回路の各座標において特徴のあ
る図形を得ることができる。

【００４２】以上により、観測画像の分解能を向上する
ことができるとともに、その分解能向上により上層の金
属配線層も観測して、半導体集積回路の画像とレイアウ
ト図の画像とを容易に照合することができ、半導体集積
回路における発光箇所を容易に特定して、半導体集積回
路の不良解析も容易に行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１の半導体集積回路の不良
解析装置の一例を示す構成図

【図２】本発明の実施の形態２の半導体集積回路の不良
解析装置の一例を示す構成図

【図３】本発明の実施の形態３の半導体集積回路の不良
解析装置の一例を示す構成図

【図４】半導体集積回路の金属配線の一般的なレイアウ
ト図

【図５】半導体集積回路の金属配線の層構造を示す断面
図

【図６】半導体集積回路のレイアウト上の不良箇所を示
す表面図

【図７】従来の半導体集積回路の不良解析方法における
裏面側反射像の説明図

【図８】同従来例における半導体集積回路の左右反転し
た裏面側反射像の説明図

【図９】本発明の実施の形態１の半導体集積回路の不良
解析方法における裏面側反射像の説明図

【図１０】本発明の実施の形態２の半導体集積回路の不
良解析方法における裏面側透過像の説明図

【図１１】本発明の実施の形態３の半導体集積回路の不
良解析方法における裏面側透過像の説明図

【図１２】従来の半導体集積回路の不良解析方法による
エミッション顕微鏡装置での表面側観察の説明図

【図１３】従来の半導体集積回路の不良解析方法による
エミッション顕微鏡装置での裏面側観察の説明図

【符号の説明】

１０１ ランプ １０２ 顕微鏡 １０３ ステージ １０４ 半導体集積回路 １０５ カメラ １０６ 画像処理装置 １０７ 画像表示装置 １０８ 赤外ランプ １０９ ハーフミラー １１０ 赤外レーザー ２００ ポリシリコンゲート層 ２１０、２１１、２１２、２１３ 基板より一層目の
金属配線 ２２０、２２１、２２２ 基板より二層目の金属配線 ２３０ トランジスタ領域を示す図形 ３００ ポリシリコンゲート層 ４００ ポリシリコンゲート層 ３１０、４１０、４１１、４１２、４１３ 基板より
一層目の金属配線 ３２０、４２０、４２１、４２２ 基板より二層目の
金属配線 ３３０ 絶縁膜 ３４０ シリコン基板 ３５０ シリコン酸化膜 ４３０ トランジスタ領域 ４４０ 発光点

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体集積回路に対して、エミッション
   顕微鏡装置による観測結果から、不良状態を解析する半
   導体集積回路の不良解析方法であって、前記半導体集積
   回路の裏面側から赤外レーザーを照射して得られる赤外
   反射像と前記半導体集積回路のレイアウト位置情報とを
   照合し、その照合結果に基づいて前記半導体集積回路の
   発光箇所を特定して前記不良状態を解析する半導体集積
   回路の不良解析方法。
2. 【請求項２】 半導体集積回路に対して、エミッション
   顕微鏡装置による観測結果から、不良状態を解析する半
   導体集積回路の不良解析方法であって、前記半導体集積
   回路の表面側から赤外光を透過させて裏面側から得られ
   る赤外透過像と前記半導体集積回路のレイアウト位置情
   報とを照合し、その照合結果に基づいて前記半導体集積
   回路の発光箇所を特定して前記不良状態を解析する半導
   体集積回路の不良解析方法。
3. 【請求項３】 半導体集積回路に対して、エミッション
   顕微鏡装置による観測結果から、不良状態を解析する半
   導体集積回路の不良解析方法であって、前記半導体集積
   回路の表面側から赤外レーザーを透過させて裏面側から
   得られる赤外透過像と前記半導体集積回路のレイアウト
   位置情報とを照合し、その照合結果に基づいて前記半導
   体集積回路の発光箇所を特定して前記不良状態を解析す
   る半導体集積回路の不良解析方法。
4. 【請求項４】 半導体集積回路に対して、エミッション
   顕微鏡装置による観測結果から、不良状態を解析するよ
   う構成した半導体集積回路の不良解析装置において、前
   記半導体集積回路の裏面側から赤外レーザーを照射して
   得られる赤外反射像と前記半導体集積回路のレイアウト
   位置情報とを照合する手段と、その照合結果に基づいて
   前記半導体集積回路の発光箇所を特定して前記不良状態
   を解析する手段とを有する半導体集積回路の不良解析装
   置。
5. 【請求項５】 半導体集積回路に対して、エミッション
   顕微鏡装置による観測結果から、不良状態を解析するよ
   う構成した半導体集積回路の不良解析装置において、前
   記半導体集積回路の表面側から赤外光を透過させて裏面
   側から得られる赤外透過像と前記半導体集積回路のレイ
   アウト位置情報とを照合する手段と、その照合結果に基
   づいて前記半導体集積回路の発光箇所を特定して前記不
   良状態を解析する手段とを有する半導体集積回路の不良
   解析装置。
6. 【請求項６】 半導体集積回路に対して、エミッション
   顕微鏡装置による観測結果から、不良状態を解析するよ
   う構成した半導体集積回路の不良解析装置において、前
   記半導体集積回路の表面側から赤外レーザーを透過させ
   て裏面側から得られる赤外透過像と前記半導体集積回路
   のレイアウト位置情報とを照合する手段と、その照合結
   果に基づいて前記半導体集積回路の発光箇所を特定して
   前記不良状態を解析する手段とを有する半導体集積回路
   の不良解析装置。