JP2001032095A - カップ式めっき装置 - Google Patents
カップ式めっき装置Info
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- 238000007747 plating Methods 0.000 title claims abstract description 243
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims abstract description 39
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 8
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 abstract description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 abstract description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 17
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 3
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 3
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003204 osmotic effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 めっき槽に隔膜を備えたカップ式めっき
装置において、可溶性アノードを使用しても、アノード
の溶解によるめっき液濃度の変化に対応して、めっき液
濃度を安定的に維持してめっき処理が可能な技術の提供
を目的とする。 【解決手段】 めっき槽１に載置したウェーハ２とアノ
ード１０とを通電してめっきを行うもので、めっき槽１
内に設けた隔膜９により、ウェーハ側隔離室１１とアノ
ード側隔離室１２を形成し、ウェーハ側隔離室１１への
めっき液の供給・排出をする主めっき液循環路（M1〜M
2）と、アノード側隔離室１２へのめっき液の供給・排
出をする補助めっき液循環路（S1〜S2）とを別々に備え
たカップ式めっき装置において、主めっき液貯槽１６
と、補助めっき液貯槽１７とを設け、両貯槽（１６、１
７）に保有されるめっき液を相互に送液できる送液手段
（１８、１９）を設けたものとした。
装置において、可溶性アノードを使用しても、アノード
の溶解によるめっき液濃度の変化に対応して、めっき液
濃度を安定的に維持してめっき処理が可能な技術の提供
を目的とする。 【解決手段】 めっき槽１に載置したウェーハ２とアノ
ード１０とを通電してめっきを行うもので、めっき槽１
内に設けた隔膜９により、ウェーハ側隔離室１１とアノ
ード側隔離室１２を形成し、ウェーハ側隔離室１１への
めっき液の供給・排出をする主めっき液循環路（M1〜M
2）と、アノード側隔離室１２へのめっき液の供給・排
出をする補助めっき液循環路（S1〜S2）とを別々に備え
たカップ式めっき装置において、主めっき液貯槽１６
と、補助めっき液貯槽１７とを設け、両貯槽（１６、１
７）に保有されるめっき液を相互に送液できる送液手段
（１８、１９）を設けたものとした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体用のウェーハ
にめっきを行うカップ式めっき装置に関するものであ
り、特にカップ式めっき装置のめっき液濃度制御に関す
るものである。
にめっきを行うカップ式めっき装置に関するものであ
り、特にカップ式めっき装置のめっき液濃度制御に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体用のウェーハにめっきを施す装置
として、カップ式めっき装置が知られている。このカッ
プ式めっき装置は、一般的に、めっき槽上部開口に載置
したウェーハに対して、めっき槽内に設けられたアノー
ドと、カソードに接続したウェーハとを通電することに
よりウェーハへめっきを行うようになっている。
として、カップ式めっき装置が知られている。このカッ
プ式めっき装置は、一般的に、めっき槽上部開口に載置
したウェーハに対して、めっき槽内に設けられたアノー
ドと、カソードに接続したウェーハとを通電することに
よりウェーハへめっきを行うようになっている。
【０００３】そして、このカップ式めっき装置では、ア
ノード側で生じる現象によるめっき不良、例えば、アノ
ード表面に形成されるブラックフィルムの剥離によって
生じる不良や、めっき性状をコントロールする添加剤の
過剰分解によって生じる不良などを防止するため、アノ
ードとウェーハとを隔離するために、めっき槽内へ隔膜
を設けたものがある。例えば、特許番号第２９０８７９
０号公報に開示されている。
ノード側で生じる現象によるめっき不良、例えば、アノ
ード表面に形成されるブラックフィルムの剥離によって
生じる不良や、めっき性状をコントロールする添加剤の
過剰分解によって生じる不良などを防止するため、アノ
ードとウェーハとを隔離するために、めっき槽内へ隔膜
を設けたものがある。例えば、特許番号第２９０８７９
０号公報に開示されている。
【０００４】この隔膜を備えるカップ式めっき装置は、
隔膜上方にウェーハ側隔離室を、隔膜下方にアノード側
隔離室とを区画して形成するもので、両隔離室にはめっ
き液を供給、排出できるようなめっき液循環路を備え、
それぞれの隔離室のめっき液を循環できるようにされて
いる。ここで本明細書においては、カソード側隔離室へ
めっき液を供給・排出するものを主めっき液循環路と、
アノード側隔離室へめっき液を供給・排出するものを補
助めっき液循環路というものとする。
隔膜上方にウェーハ側隔離室を、隔膜下方にアノード側
隔離室とを区画して形成するもので、両隔離室にはめっ
き液を供給、排出できるようなめっき液循環路を備え、
それぞれの隔離室のめっき液を循環できるようにされて
いる。ここで本明細書においては、カソード側隔離室へ
めっき液を供給・排出するものを主めっき液循環路と、
アノード側隔離室へめっき液を供給・排出するものを補
助めっき液循環路というものとする。
【０００５】このように別々のめっき液循環路を設けて
あるのは、例えば、アノードに形成され剥離したブラッ
クフィルムやアノードによってめっき液中の添加剤が分
解されて生じる不純物等が、ウェーハ側隔離室内に供給
されるめっき液に混入しないようにするためである。従
って、このように隔膜を備えたカップ式めっき装置を用
いると、均一且つ精密なめっき性状を要求されるウェー
ハのめっき処理において、めっき不良の発生を著しく減
少できるものである。
あるのは、例えば、アノードに形成され剥離したブラッ
クフィルムやアノードによってめっき液中の添加剤が分
解されて生じる不純物等が、ウェーハ側隔離室内に供給
されるめっき液に混入しないようにするためである。従
って、このように隔膜を備えたカップ式めっき装置を用
いると、均一且つ精密なめっき性状を要求されるウェー
ハのめっき処理において、めっき不良の発生を著しく減
少できるものである。
【０００６】しかしながら、この隔膜を備えるカップ式
めっき装置により、めっき処理を行うと次のような好ま
しくない状態が生じることが判明した。例えば、硫酸銅
めっき液を用いウェーハにＣｕのめっき処理を施す場
合、可溶性アノードとしてＣｕ材を使用してめっき処理
を行うと、アノード側隔離室のめっき液中のＣｕ濃度が
上昇し、ウェーハ側隔離室内のめっき濃度とアノード側
隔離室内のめっき液濃度のバランスがとれなくなるので
ある。アノード側隔離室内のめっき液は、浸透圧により
若干量カソード側隔離室へ浸入するが、アノードである
Ｃｕ材の溶解によるＣｕ濃度の上昇の方が迅速に進行す
るため、アノード側隔離室とカソード隔離室とのＣｕ濃
度差が大きなものとなる。この現象が生じると、めっき
電流効率の低下やそれに伴うめっき性状の変化が生じ、
安定しためっき処理が行えなくなるのである。
めっき装置により、めっき処理を行うと次のような好ま
しくない状態が生じることが判明した。例えば、硫酸銅
めっき液を用いウェーハにＣｕのめっき処理を施す場
合、可溶性アノードとしてＣｕ材を使用してめっき処理
を行うと、アノード側隔離室のめっき液中のＣｕ濃度が
上昇し、ウェーハ側隔離室内のめっき濃度とアノード側
隔離室内のめっき液濃度のバランスがとれなくなるので
ある。アノード側隔離室内のめっき液は、浸透圧により
若干量カソード側隔離室へ浸入するが、アノードである
Ｃｕ材の溶解によるＣｕ濃度の上昇の方が迅速に進行す
るため、アノード側隔離室とカソード隔離室とのＣｕ濃
度差が大きなものとなる。この現象が生じると、めっき
電流効率の低下やそれに伴うめっき性状の変化が生じ、
安定しためっき処理が行えなくなるのである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明は、め
っき槽内部を隔膜で区画され、隔膜によりめっき槽内に
形成されるアノード側隔離室とウェーハ側隔離室とに別
々のめっき液循環路を備えたカップ式めっき装置におい
て、可溶性アノードを使用しても、アノードの溶解によ
って生じるめっき液濃度の変化に対応でき、めっき液濃
度を安定的に維持してめっき処理を行えることができる
カップ式めっき装置を提供せんとするものである。
っき槽内部を隔膜で区画され、隔膜によりめっき槽内に
形成されるアノード側隔離室とウェーハ側隔離室とに別
々のめっき液循環路を備えたカップ式めっき装置におい
て、可溶性アノードを使用しても、アノードの溶解によ
って生じるめっき液濃度の変化に対応でき、めっき液濃
度を安定的に維持してめっき処理を行えることができる
カップ式めっき装置を提供せんとするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、めっき槽上部開口に載置したウェーハに
対して、めっき槽内に設けられたアノードと、カソード
に接続したウェーハとを通電してウェーハにめっきを行
うようになっており、且つアノードとウェーハとを、め
っき槽内に設けられた隔膜により互いに隔離し、隔膜上
方にウェーハ側隔離室を、隔膜下方にアノード側隔離室
を各々形成し、ウェーハ側隔離室へのめっき液の供給・
排出をする主めっき液循環路と、アノード側隔離室への
めっき液の供給・排出をする補助めっき液循環路とを別
々に備えているカップ式めっき装置において、主めっき
液循環路のめっき液を保有するための主めっき液貯槽
と、補助めっき液循環路のめっき液を保有するための補
助めっき液貯槽とを設け、主めっき液貯槽と補助めっき
液貯槽とにそれぞれに保有されるめっき液を相互に送液
できるような送液手段を設けたものとした。
に、本発明は、めっき槽上部開口に載置したウェーハに
対して、めっき槽内に設けられたアノードと、カソード
に接続したウェーハとを通電してウェーハにめっきを行
うようになっており、且つアノードとウェーハとを、め
っき槽内に設けられた隔膜により互いに隔離し、隔膜上
方にウェーハ側隔離室を、隔膜下方にアノード側隔離室
を各々形成し、ウェーハ側隔離室へのめっき液の供給・
排出をする主めっき液循環路と、アノード側隔離室への
めっき液の供給・排出をする補助めっき液循環路とを別
々に備えているカップ式めっき装置において、主めっき
液循環路のめっき液を保有するための主めっき液貯槽
と、補助めっき液循環路のめっき液を保有するための補
助めっき液貯槽とを設け、主めっき液貯槽と補助めっき
液貯槽とにそれぞれに保有されるめっき液を相互に送液
できるような送液手段を設けたものとした。
【０００９】本発明のカップ式めっき装置によると、ア
ノード側隔離室のめっき液濃度が、アノードの溶解によ
って変化した場合であっても、主めっき液貯槽内のめっ
き液と補助めっき液貯槽内のめっき液とを相互に混ぜ合
わせることができるので、アノード側隔離室とカソード
側隔離室とへ、ほぼ同じ濃度のめっき液を供給すること
ができる。また、アノードの溶解によって補助めっき液
濃度が上昇した場合、濃度の上昇した補助めっき液を主
めっき液貯槽に送液し、めっきされる金属イオンを主め
っき液に補給することや、逆に主めっき液を補助めっき
液貯槽へ送液して補助めっき液濃度の低下を行うことが
できる。即ち、両めっき貯槽のめっき濃度を任意に調整
することが可能となり、めっき液の効率的な使用が可能
となる。
ノード側隔離室のめっき液濃度が、アノードの溶解によ
って変化した場合であっても、主めっき液貯槽内のめっ
き液と補助めっき液貯槽内のめっき液とを相互に混ぜ合
わせることができるので、アノード側隔離室とカソード
側隔離室とへ、ほぼ同じ濃度のめっき液を供給すること
ができる。また、アノードの溶解によって補助めっき液
濃度が上昇した場合、濃度の上昇した補助めっき液を主
めっき液貯槽に送液し、めっきされる金属イオンを主め
っき液に補給することや、逆に主めっき液を補助めっき
液貯槽へ送液して補助めっき液濃度の低下を行うことが
できる。即ち、両めっき貯槽のめっき濃度を任意に調整
することが可能となり、めっき液の効率的な使用が可能
となる。
【００１０】この主めっき液貯槽と補助めっき液貯槽と
へ相互に送液できる送液手段には、フィルター等の濾過
手段を備えることが好ましい。このようにすれば、アノ
ードに形成され剥離するブラックフィルムやアノードに
よってめっき液中の添加剤を分解して生じる不純物等
を、補助めっき液貯槽及び主めっき液貯槽のめっき液中
から除去できるからである。
へ相互に送液できる送液手段には、フィルター等の濾過
手段を備えることが好ましい。このようにすれば、アノ
ードに形成され剥離するブラックフィルムやアノードに
よってめっき液中の添加剤を分解して生じる不純物等
を、補助めっき液貯槽及び主めっき液貯槽のめっき液中
から除去できるからである。
【００１１】また、本発明のカップ式めっき装置を採用
する場合、主めっき液貯槽と補助めっき液貯槽とにめっ
き液濃度の検出手段を設け、両貯槽のめっき液濃度を検
出して、主めっき液貯槽と補助めっき液貯槽とのめっき
液濃度を調整するように送液手段を制御するようにして
おくことが好ましい。このようにすると、両貯槽のめっ
き液濃度を、それぞれ所定の範囲濃度なるようコントロ
ールでき、安定しためっき処理を長時間連続的に行うこ
とが可能となる。
する場合、主めっき液貯槽と補助めっき液貯槽とにめっ
き液濃度の検出手段を設け、両貯槽のめっき液濃度を検
出して、主めっき液貯槽と補助めっき液貯槽とのめっき
液濃度を調整するように送液手段を制御するようにして
おくことが好ましい。このようにすると、両貯槽のめっ
き液濃度を、それぞれ所定の範囲濃度なるようコントロ
ールでき、安定しためっき処理を長時間連続的に行うこ
とが可能となる。
【００１２】上記した本発明のカップ式めっき装置は、
可溶性アノードを用いた場合に限らず、不溶性アノード
を使用した場合でも用いることも可能である。不溶性ア
ノードを使用して、主めっき液と補助めっき液とに異な
る組成のものを供給する場合、両めっき液は混合されな
いことが原則となる。この不溶性アノードを使用する場
合は、本発明における両貯槽に設けられた送液手段の使
用を行わないことで対応できるものである。
可溶性アノードを用いた場合に限らず、不溶性アノード
を使用した場合でも用いることも可能である。不溶性ア
ノードを使用して、主めっき液と補助めっき液とに異な
る組成のものを供給する場合、両めっき液は混合されな
いことが原則となる。この不溶性アノードを使用する場
合は、本発明における両貯槽に設けられた送液手段の使
用を行わないことで対応できるものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係るカップ式めっ
き装置の好ましい一実施形態について説明する。本実施
形態では、硫酸銅めっき液を用い、Ｃｕシード付きウェ
ーハにＣｕめっき処理を行う場合を例として解説する。
き装置の好ましい一実施形態について説明する。本実施
形態では、硫酸銅めっき液を用い、Ｃｕシード付きウェ
ーハにＣｕめっき処理を行う場合を例として解説する。
【００１４】図１は本実施形態におけるカップ式めっき
装置のめっき槽断面概略を表したものである。図１で示
すように、本実施形態によるカップ式めっき装置Ｃは、
めっき槽１の上部開口に沿ってウェーハ２を載置し、こ
の状態でウェーハ２下方側ののめっき対象面３に対して
めっきを行えるようにしたものである。めっき槽１の開
口には、図示を省略するカソードが設けられており、載
置したウェーハ２は、このカソードと接触しているもの
である。
装置のめっき槽断面概略を表したものである。図１で示
すように、本実施形態によるカップ式めっき装置Ｃは、
めっき槽１の上部開口に沿ってウェーハ２を載置し、こ
の状態でウェーハ２下方側ののめっき対象面３に対して
めっきを行えるようにしたものである。めっき槽１の開
口には、図示を省略するカソードが設けられており、載
置したウェーハ２は、このカソードと接触しているもの
である。
【００１５】また、めっき槽１の底部中央には、主めっ
き液供給管４が設けられており、めっき槽１上端側に
は、めっき対象面３の中心付近に到達するめっき液（硫
酸銅溶液）がウェーハ２の外周に向かう方向に広がる流
れを形成するように外部に溢出させるための主めっき液
排出口５が設けられている。
き液供給管４が設けられており、めっき槽１上端側に
は、めっき対象面３の中心付近に到達するめっき液（硫
酸銅溶液）がウェーハ２の外周に向かう方向に広がる流
れを形成するように外部に溢出させるための主めっき液
排出口５が設けられている。
【００１６】めっき槽１内には隔壁６が配置されてい
る。この隔壁６は、めっき槽１の横断面形状に一致する
円盤状に形成され、その中心に穿設された主めっき液供
給管差込口７に主めっき液供給管４を差し込んだ状態で
めっき槽１内に固定している。そして、この隔壁６に
は、多数の開口８、８、８・・を穿設しており、各開口
８、８、８・・・には、各開口８を覆うように隔膜９を
配している。ここで各開口８は、主めっき液供給管差込
口７を中心とした同心円上に等間隔に配置されている。
この隔膜９は、めっき液に対して耐薬品性を有し、絶縁
性の材料で形成された多孔性の膜であり、めっき液中の
イオンを介してアノードとウェーハとの電導が行える特
性を有したものである。
る。この隔壁６は、めっき槽１の横断面形状に一致する
円盤状に形成され、その中心に穿設された主めっき液供
給管差込口７に主めっき液供給管４を差し込んだ状態で
めっき槽１内に固定している。そして、この隔壁６に
は、多数の開口８、８、８・・を穿設しており、各開口
８、８、８・・・には、各開口８を覆うように隔膜９を
配している。ここで各開口８は、主めっき液供給管差込
口７を中心とした同心円上に等間隔に配置されている。
この隔膜９は、めっき液に対して耐薬品性を有し、絶縁
性の材料で形成された多孔性の膜であり、めっき液中の
イオンを介してアノードとウェーハとの電導が行える特
性を有したものである。
【００１７】そして、隔壁６下方には、主めっき液供給
管４の周囲に配置できるように、円盤状に形成された可
溶性のＣｕアノード１０が設けられている。めっき槽１
内は、隔膜９を備えた隔壁６によって、上方にウェーハ
側隔離室１１を、下方にアノード側隔離室１２を形成す
ることになる。
管４の周囲に配置できるように、円盤状に形成された可
溶性のＣｕアノード１０が設けられている。めっき槽１
内は、隔膜９を備えた隔壁６によって、上方にウェーハ
側隔離室１１を、下方にアノード側隔離室１２を形成す
ることになる。
【００１８】このアノード側隔離室１２には、めっき槽
１底側より、めっき液を供給する補助めっき液供給管１
３が設けられ、アノード側隔離室１２の外側に、アノー
ド側隔離室１２に供給されためっき液を排出する補助め
っき液貯留室１４が設けられている。そして、補助めっ
き液貯留室１４には、補助めっき液を排出する補助めっ
き液排出管１５が設けられている。
１底側より、めっき液を供給する補助めっき液供給管１
３が設けられ、アノード側隔離室１２の外側に、アノー
ド側隔離室１２に供給されためっき液を排出する補助め
っき液貯留室１４が設けられている。そして、補助めっ
き液貯留室１４には、補助めっき液を排出する補助めっ
き液排出管１５が設けられている。
【００１９】図２は、主めっき液と補助めっき液との循
環経路を表す概略図を示したものである。図２では、図
１で示したカップ式めっき装置Ｃの３台（Ｃ１、Ｃ２、
Ｃ３）を同時に使用する場合を示している。本実施形態
では、このように複数のカップ式めっき装置を使用する
場合で説明しているが、１台のカップ式めっき装置の場
合であっても同様に使用できるものである。
環経路を表す概略図を示したものである。図２では、図
１で示したカップ式めっき装置Ｃの３台（Ｃ１、Ｃ２、
Ｃ３）を同時に使用する場合を示している。本実施形態
では、このように複数のカップ式めっき装置を使用する
場合で説明しているが、１台のカップ式めっき装置の場
合であっても同様に使用できるものである。
【００２０】各カップ式めっき装置（Ｃ１、Ｃ２、Ｃ
３）の主めっき液供給管４と主めっき液排出口５とは、
主めっき液貯槽１６につながるよう配管されており、主
めっき液循環路（Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３）をそれぞれ形成し
ている。同様に各カップ式めっき装置（Ｃ１、Ｃ２、Ｃ
３）の補助めっき液供給管１３と補助めっき液排出管１
５とは、補助めっき液貯槽１７につながるよう配管され
ており、補助めっき液循環路（Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３）をそ
れぞれ形成している。
３）の主めっき液供給管４と主めっき液排出口５とは、
主めっき液貯槽１６につながるよう配管されており、主
めっき液循環路（Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３）をそれぞれ形成し
ている。同様に各カップ式めっき装置（Ｃ１、Ｃ２、Ｃ
３）の補助めっき液供給管１３と補助めっき液排出管１
５とは、補助めっき液貯槽１７につながるよう配管され
ており、補助めっき液循環路（Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３）をそ
れぞれ形成している。
【００２１】主めっき液貯槽１６及び補助めっき液貯槽
１７のそれぞれには、両貯槽内１６、１７のめっき液を
相互に送液できるように、濾過フィルター（ｆ１、ｆ
２）及び送液ポンプ（ｐ１、ｐ２）とからなる送液機構
１８、１９が設けられている。この送液ポンプ（ｐ１、
ｐ２）は、主めっき液貯槽１６及び補助めっき液貯槽１
７に取り付けている銅濃度センサー（図示せぬ）の検知
する銅濃度に応答して起動するように制御されている。
１７のそれぞれには、両貯槽内１６、１７のめっき液を
相互に送液できるように、濾過フィルター（ｆ１、ｆ
２）及び送液ポンプ（ｐ１、ｐ２）とからなる送液機構
１８、１９が設けられている。この送液ポンプ（ｐ１、
ｐ２）は、主めっき液貯槽１６及び補助めっき液貯槽１
７に取り付けている銅濃度センサー（図示せぬ）の検知
する銅濃度に応答して起動するように制御されている。
【００２２】めっき液濃度の調整は次のようにして行わ
れる。めっき処理を連続して行うと、補助めっき液貯槽
１７のＣｕ濃度が上昇するため、銅濃度センサーの検知
により送液ポンプｐ２が起動され、補助めっき液貯槽１
７のめっき液が主めっき液貯槽１６に送られる。これに
よって、主めっき液貯槽１６内のめっき液へＣｕの補給
が行われることになる。また、補助めっき液のＣｕ濃度
上昇が著しい場合、送液ポンプｐ１の起動により、主め
っき液貯槽１６のめっき液が補助めっき液貯槽１７に送
られ、補助めっき液のＣｕ濃度が低減されることにな
る。
れる。めっき処理を連続して行うと、補助めっき液貯槽
１７のＣｕ濃度が上昇するため、銅濃度センサーの検知
により送液ポンプｐ２が起動され、補助めっき液貯槽１
７のめっき液が主めっき液貯槽１６に送られる。これに
よって、主めっき液貯槽１６内のめっき液へＣｕの補給
が行われることになる。また、補助めっき液のＣｕ濃度
上昇が著しい場合、送液ポンプｐ１の起動により、主め
っき液貯槽１６のめっき液が補助めっき液貯槽１７に送
られ、補助めっき液のＣｕ濃度が低減されることにな
る。
【００２３】
【発明の効果】本発明のカップ式めっき装置によると、
めっき槽内を隔膜により、アノード側隔離室とウェーハ
側隔離室とに区画し、両隔離室に別々のめっき液循環路
を備えたもので、可溶性アノードを使用しても、アノー
ドの溶解によって生じるめっき液濃度の変化に対応で
き、供給するめっき液濃度を安定維持してしてめっき処
理を行えるものとなる。
めっき槽内を隔膜により、アノード側隔離室とウェーハ
側隔離室とに区画し、両隔離室に別々のめっき液循環路
を備えたもので、可溶性アノードを使用しても、アノー
ドの溶解によって生じるめっき液濃度の変化に対応で
き、供給するめっき液濃度を安定維持してしてめっき処
理を行えるものとなる。
【図１】本実施形態におけるカップ式めっき装置の断面
概略図。
概略図。
【図２】主めっき液と補助めっき液との循環経路を示す
概略図。
概略図。
１ めっき槽 ２ ウェーハ ３ めっき対象面 ４ 主めっき液供給管 ５ 主めっき液排出口 ６ 隔壁 ７ 主めっき液供給管差込口 ８ 開口 ９ 隔膜 １０ Ｃｕアノード １１ ウェーハ側隔離室 １２ アノード側隔離室 １３ 補助めっき液供給管 １４ 補助めっき液貯留室 １５ 補助めっき液排出管 １６ 主めっき液貯槽 １７ 補助めっき液貯槽 １８、１９ 送液機構 Ｃ、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３ カップ式めっき装置 ｆ１、ｆ２ 濾過フィルター ｐ１、ｐ２ 送液ポンプ Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３ 主めっき液循環路 Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３ 補助めっき液循環路
Claims (2)
- 【請求項１】 めっき槽上部開口に載置したウェーハに
対して、めっき槽内に設けられたアノードと、カソード
に接続したウェーハとを通電してウェーハにめっきを行
うようになっており、 且つアノードとウェーハとを、めっき槽内に設けられた
隔膜により互いに隔離し、隔膜上方にウェーハ側隔離室
を、隔膜下方にアノード側隔離室を各々形成し、 ウェーハ側隔離室へのめっき液の供給・排出をする主め
っき液循環路と、アノード側隔離室へのめっき液の供給
・排出をする補助めっき液循環路とを別々に備えている
カップ式めっき装置において、 主めっき液循環路のめっき液を保有するための主めっき
液貯槽と、補助めっき液循環路のめっき液を保有するた
めの補助めっき液貯槽とが設けられ、主めっき液貯槽と
補助めっき液貯槽とのそれぞれに保有されるめっき液を
相互に送液できるような送液手段が設けられていること
を特徴とするカップ式めっき装置。 - 【請求項２】 主めっき液貯槽と補助めっき液貯槽とに
めっき液濃度の検出手段を設け、両貯槽のめっき液濃度
を検出し、主めっき液貯槽と補助めっき液貯槽とのめっ
き液濃度を調整するように送液手段が制御されるもので
ある請求項１に記載のカップ式めっき装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20523499A JP4060012B2 (ja) | 1999-07-19 | 1999-07-19 | カップ式めっき装置 |
| US09/516,788 US6454918B1 (en) | 1999-03-23 | 2000-03-01 | Cup type plating apparatus |
| US09/779,526 US6482300B2 (en) | 1999-03-23 | 2001-02-09 | Cup shaped plating apparatus with a disc shaped stirring device having an opening in the center thereof |
| US10/087,845 US6991711B2 (en) | 1999-03-23 | 2002-03-05 | Cup type plating apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20523499A JP4060012B2 (ja) | 1999-07-19 | 1999-07-19 | カップ式めっき装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001032095A true JP2001032095A (ja) | 2001-02-06 |
| JP4060012B2 JP4060012B2 (ja) | 2008-03-12 |
Family
ID=16503638
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20523499A Expired - Fee Related JP4060012B2 (ja) | 1999-03-23 | 1999-07-19 | カップ式めっき装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4060012B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008539329A (ja) * | 2005-04-26 | 2008-11-13 | アトテック・ドイチュラント・ゲーエムベーハー | ろ過膜を備えたアルカリ電気めっき浴 |
-
1999
- 1999-07-19 JP JP20523499A patent/JP4060012B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008539329A (ja) * | 2005-04-26 | 2008-11-13 | アトテック・ドイチュラント・ゲーエムベーハー | ろ過膜を備えたアルカリ電気めっき浴 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4060012B2 (ja) | 2008-03-12 |
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