JP2001031954A - Separated abrasive grain slurry composition - Google Patents

Separated abrasive grain slurry composition

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JP2001031954A JP20612099A JP20612099A JP2001031954A JP 2001031954 A JP2001031954 A JP 2001031954A JP 20612099 A JP20612099 A JP 20612099A JP 20612099 A JP20612099 A JP 20612099A JP 2001031954 A JP2001031954 A JP 2001031954A
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正雄 山口
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a separated abrasive grain slurry composition which can uniformly polish a composite material comprising a mixture of materials different in hardness without causing selective polishing by incorporating abrasive grains, a dispersion medium, an alcoholic-OH-containing compound, and optionally a dispersant into the same. SOLUTION: Preferably, the alcoholic-OH-containing compound is a prim. to tert. alcohol of the formula: R1-OH, a polyoxyalkylene monoether compound of the formula: P2O-(CnH2nO)mH or a polyoxyalkylene monoester compound of the formula: R3COO-(CnH2nO)mH. In the formulas, R1 is 4-18C alkyl, alkenyl, alkynyl, alkaryl, or aryl; R2 is 1-18C alkyl, alkenyl, alkynyl, alkaryl, or aryl; R3 is 1-18C alkyl; n is 2-4; and m is 1-4. The composition is suitable for processing a composite material comprising a plurality of materials different in hardness without causing the difference in the amount of polishing between soft materials and hard materials otherwise caused by lapping and polishing.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、硬度の異なる複数
の異硬度材料から構成される複合材料のラッピングおよ
びポリッシング加工で発生する軟質材料と硬質材料の研
磨量差、即ち選択研磨を生じることなく均一に加工する
工程で使用するのに適した遊離砥粒スラリー組成物に関
するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a polishing method for producing a composite material composed of a plurality of different hardness materials having different hardnesses. The present invention relates to a free abrasive slurry composition suitable for use in a step of uniformly processing.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、光学部品、電子部品や精密機械部
品などに対して、益々高性能化、高機能化が要求されて
きており、使用される材料も金属結晶材料、セラミック
ス、ガラス、プラスチックと非常に多岐にわたってい
る。この様な部品の製造工程の一つとして、硬度の異な
る複数の材料から構成される複合材料の研磨が増加して
きている。複合材料の研磨加工の一例として、電子部品
に関してはハードディスク基板のNi−Pメッキ層のテ
クスチャリング加工やLSIの多層配線工程における配
線金属と層間絶縁膜との均一加工、光学部品ではフェル
ールと呼ばれるジルコニア系セラミックスとファイバー
部のコアと呼ばれる石英ガラス、グラッドと呼ばれるフ
ッ素系樹脂との複合材料である光ファイバーコネクタ端
面研磨などが挙げられる。
2. Description of the Related Art In recent years, optical parts, electronic parts, precision mechanical parts, and the like have been increasingly required to have higher performance and higher functions. Materials used are metal crystal materials, ceramics, glass, and plastics. And it is very diverse. As one of the manufacturing processes of such components, polishing of a composite material composed of a plurality of materials having different hardnesses has been increasing. Examples of polishing of composite materials include texturing of Ni-P plating layers on hard disk substrates for electronic components, uniform processing of wiring metal and interlayer insulating films in the multilayer wiring process of LSI, and zirconia called ferrule for optical components. Polishing of an end face of an optical fiber connector which is a composite material of a system ceramic and a quartz glass called a core of a fiber portion and a fluororesin called a glad.

【0003】コンピューターの記録媒体であるハードデ
ィスクドライブは年々その記録密度の向上が図られてい
る。高記録密度を達成する手段の一つとして、ハードデ
ィスクと磁気ヘッドの浮上隙間を狭め、ディスクとヘッ
ド間のスペーシングを低減させる、つまりヘッドの低浮
上化が試みられている。ハードディスクドライブに搭載
されている磁気ヘッドは、薄膜型磁気ヘッドが主流であ
り、インダクティブ型、記録再生素子にMR(Magn
et Resistance:磁気抵抗素子)を用いた
MR−インダクティブ複合型、さらにはGMR(Gia
nt MR:巨大磁気抵抗素子)を用いたものなどがあ
る。これら薄膜型磁気ヘッドは、アルチック(Al23
−TiC)などの基材と、アルミナ(Al23)などの
保護/絶縁膜なるセラミックスおよびパーマロイ(Fe
−Ni)、センダスト(Fe−Al−Si)などの磁性
材料である金属膜等による複合材料で構成されている。
The recording density of a hard disk drive, which is a recording medium of a computer, is being improved year by year. As one of means for achieving a high recording density, an attempt has been made to reduce the spacing between the hard disk and the magnetic head and reduce the spacing between the disk and the head, that is, to lower the flying height of the head. The magnetic head mounted on the hard disk drive is mainly a thin film magnetic head, and is inductive, and has an MR (Magn) as a recording / reproducing element.
et Resistance: MR-inductive hybrid type using a magnetoresistive element, and further GMR (Gia
nt MR (giant magnetoresistive element). These thin-film magnetic heads are made of AlTiC (Al 2 O 3
-TiC) a base material such as alumina (Al 2 O 3) protection, such as / insulating film made ceramics and permalloy (Fe
-Ni), a composite material of a metal film or the like which is a magnetic material such as sendust (Fe-Al-Si).

【0004】従来の遊離砥粒スラリーを用いて薄膜型磁
気ヘッドのABS(Air Bearing Surf
ace:ABS(空気浮上面))の研磨加工を行う場
合、材料間の硬度の違いにより、軟質材料であるパーマ
ロイやセンダストなどの金属膜が選択的に加工され、段
差や面粗れが発生するものがほとんどであった。そのた
め、セラミックスからなるABSより磁極部などの金属
膜を後退させることになり、記録媒体との磁気間隔を増
大させるポールチップリセッション(PoleTip
Recession:PTR)が発生し、実質的なヘッ
ドの浮上量を増加させてしまうと言った問題点があっ
た。
[0004] An ABS (Air Bearing Surf) of a thin film type magnetic head is manufactured using a conventional loose abrasive slurry.
When performing ace: ABS (air floating surface) polishing, a metal film such as permalloy or sendust which is a soft material is selectively processed due to a difference in hardness between materials, and a step and a surface roughness are generated. Things were mostly. Therefore, the metal film such as the magnetic pole portion is retreated from the ABS made of ceramics, and the pole tip recession (PoleTip) which increases the magnetic distance from the recording medium is increased.
(Recession: PTR), which causes a substantial increase in the flying height of the head.

【0005】そこで、この様な選択研磨やダメージを回
避するために、遊離砥粒スラリーに選択研磨防止剤を入
れて高精度の研磨面を達成することが例えば、特開平1
0−113327や特開平10−255022によって
提案されている。特開平10−113327では、分子
量が300〜20000のプロピレンオキシドおよび任
意にエチレンオキシドの付加反応によって得られた水酸
基の官能基数が1〜6であるポリエーテルを選択研磨防
止剤として遊離砥粒スラリーに添加することによって、
薄膜型磁気ヘッドのABSのラッピング加工により生じ
る選択研磨の回避と研磨面状態の向上を図っている。
Therefore, in order to avoid such selective polishing and damage, it is necessary to add a selective polishing inhibitor to the free abrasive slurry to achieve a highly accurate polished surface.
0-113327 and JP-A-10-255022. JP-A-10-113327 discloses that a propylene oxide having a molecular weight of 300 to 20,000 and optionally a polyether having a functional group of a hydroxyl group of 1 to 6 obtained by an addition reaction of ethylene oxide are added to a free abrasive slurry as a selective polishing inhibitor. By,
An attempt is made to avoid selective polishing caused by lapping of the ABS of the thin-film magnetic head and to improve the polished surface condition.

【0006】また、特開平10−255022では選択
研磨防止剤として、含硫黄有機モリブデン化合物を用い
ている。これは、研磨加工時に発生する摩擦熱によって
分解し、金属表面と反応することなく皮膜を形成し、そ
の層間が分子間力の弱いファンデルワールス力で結合し
ている二硫化モリブデン(MoS2)を主体とする層状構
造を形成し、接触面での摩擦は二硫化モリブデン内部の
層間の摩擦に置き換えられ低摩擦となるために、異硬度
材料間の研磨量差をなくし、軟質材料の選択研磨を有効
に防止させている。
In Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 10-255022, a sulfur-containing organic molybdenum compound is used as a selective polishing inhibitor. Molybdenum disulfide (MoS 2 ), which is decomposed by frictional heat generated during polishing and forms a film without reacting with the metal surface, and the layers are bonded by van der Waals' force with weak intermolecular force A layered structure mainly composed of a molybdenum disulfide, and the friction at the contact surface is replaced by the friction between the layers inside the molybdenum disulfide. Is effectively prevented.

【0007】アルコール性水酸基を有する化合物を用い
た遊離砥粒スラリー組成物も様々に考案されてきた。ア
ルコールが添加されている従来の遊離砥粒スラリー組成
物は、水系分散媒を用いた系が主であり、特開昭61−
261386では、使用時における潤滑剤成分の蒸発に
よる組成変化によるラッピング・ポリッシング性能の低
下の防止を目的として潤滑剤が多価アルコール、多価ア
ルコールのアルキルエーテル、多価アルコールのアリル
エーテルおよびそれらの水溶液からなる群から選ばれる
基材に砥粒を混合・分散させてなる砥粒分散型スラリー
状ラッピング・ポリッシング潤滑剤が考案されている。
また、特開平9−256171では、Ni系メッキ基板
上への表面加工、即ち、平面研磨加工又はテクスチャ加
工の加工性、砥粒を分散させた加工液における砥粒分散
性、加工時又は加工後における切り屑の下地膜上への非
付着性(加工後の洗浄性)、更に磁性膜を成膜した後の
良好なエラー特性を同時に満足させる加工用水溶性油剤
組成物、該組成物を含む加工液が報告されている。更
に、特開平8−41443、特開平10−20441
9、特開平10−249713などでは、遊離砥粒スラ
リー組成物において砥粒分散剤としてアルコール性水酸
基を有する化合物であるポリオキシアルキレンモノアル
キルエーテル、ポリオキシアルキレンモノアルキルフェ
ニルエーテルおよびポリオキシアルキレンモノ脂肪酸エ
ステルのような非イオン界面活性剤を用いている。しか
しこれらは本発明の異種硬度材料の研磨加工時に発生す
る軟質材料の選択研磨防止と研磨レートの向上を目的と
したものではない。
Various free abrasive slurry compositions using compounds having an alcoholic hydroxyl group have been devised in various ways. The conventional free abrasive slurry composition to which alcohol is added is mainly a system using an aqueous dispersion medium.
In 261386, a lubricant is used as a polyhydric alcohol, an alkyl ether of a polyhydric alcohol, an allyl ether of a polyhydric alcohol, and an aqueous solution thereof for the purpose of preventing a decrease in lapping / polishing performance due to a composition change due to evaporation of a lubricant component during use. A slurry-type slurry-type lapping / polishing lubricant obtained by mixing and dispersing abrasive grains in a substrate selected from the group consisting of:
In Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-256171, surface processing on a Ni-based plated substrate, that is, workability of plane polishing processing or texture processing, dispersibility of abrasive grains in a processing liquid in which abrasive grains are dispersed, during or after processing Water-soluble oil composition for processing that simultaneously satisfies the non-adhesiveness of the chips on the underlying film (cleanability after processing) and the good error characteristics after the formation of the magnetic film, and the processing including the composition Fluid has been reported. Further, Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 8-41443 and 10-20441
9, JP-A-10-249713 and the like, polyoxyalkylene monoalkyl ethers, polyoxyalkylene monoalkyl phenyl ethers and polyoxyalkylene mono fatty acids which are compounds having an alcoholic hydroxyl group as an abrasive dispersant in a free abrasive slurry composition Nonionic surfactants such as esters are used. However, these are not intended to prevent selective polishing of a soft material generated during polishing of a material of different hardness according to the present invention and to improve the polishing rate.

【0008】しかしながら、従来の遊離砥粒スラリー組
成物では、その選択研磨防止が主に金属膜に作用し、選
択研磨を防止するに留まっていたが益々ヘッドの低浮上
化が要求されつつあり、PTR値を更に低下させなけれ
ばならず、金属膜の選択研磨を防止すると同時に、遊離
砥粒スラリーを用いた研磨加工において基材であるアル
チックと絶縁膜であるアルミナとの境界部分に発生する
肩段差と呼ばれる段差を小さくしなければならないとい
う問題がある。更に、遊離砥粒スラリーの加工能力を考
慮すると、余りに潤滑特性を上げると摩擦特性も低下す
るために遊離砥粒スラリーの研磨レートが低下するとい
う問題もある。
However, in the conventional free-abrasive slurry composition, the selective polishing prevention mainly acts on the metal film, and only the selective polishing is prevented. However, it is increasingly required to lower the flying height of the head. The PTR value must be further reduced to prevent selective polishing of the metal film, and at the same time, in the polishing process using free abrasive slurry, a shoulder generated at the boundary between the base material Altic and the insulating film alumina. There is a problem that a step called a step must be reduced. Further, considering the processing ability of the free abrasive grain slurry, there is a problem that if the lubricating property is excessively increased, the frictional property is also reduced, so that the polishing rate of the free abrasive grain slurry is reduced.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、特に薄膜型
磁気ヘッドの研磨加工時において、異種材料間における
研磨量の差、即ち選択研磨を生じることなく均一に加工
するのに適した遊離砥粒スラリー組成物であって、尚且
つ高い研磨レートを維持しつつ、高研磨面品位を得るこ
とを目的とした遊離砥粒スラリー組成物を提供する。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention relates to a free grinding method suitable for uniform processing without causing a difference in the amount of polishing between different kinds of materials, that is, selective polishing, particularly when polishing a thin film magnetic head. Provided is a free-abrasive slurry composition for obtaining a high polished surface quality while maintaining a high polishing rate.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明は、異硬度材料が
混在する複合材料を研磨するための遊離砥粒スラリー組
成物であって、研磨材粒子、分散媒及び少なくとも一種
のアルコール性水酸基を有する化合物並びに任意に分散
剤を含む遊離砥粒スラリー組成物である。また本発明
は、前記アルコール性水酸基を有する化合物が構造式
(I)
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention relates to a free abrasive slurry composition for polishing a composite material in which different hardness materials are mixed, comprising a polishing material particle, a dispersion medium and at least one alcoholic hydroxyl group. A free abrasive slurry composition comprising a compound having the compound and optionally a dispersant. In addition, the present invention provides the compound having an alcoholic hydroxyl group represented by the structural formula (I):

【0011】[0011]

【化4】R1−OH (I) (R1は炭素数が4〜18のアルキル基、アルケニル
基、アルキニル基、アルキルアリール基又はアリール基
を表す。)で表される1〜3級アルコールである上記の
遊離砥粒スラリー組成物、前記アルコール性水酸基を有
する化合物が構造式(II)
Embedded image embedded image R 1 —OH (I) (where R 1 represents an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an alkylaryl group or an aryl group having 4 to 18 carbon atoms) The free abrasive slurry composition described above, wherein the compound having an alcoholic hydroxyl group has a structural formula (II)

【0012】[0012]

【化5】R2O−(Cn2n+1O)mH (II) (R2は炭素数が1〜18のアルキル基、アルケニル
基、アルキニル基、アルキルアリール基又はアリール
基、nは2〜4、mは1〜4を表す。)で表されるポリ
オキシアルキレンモノエーテル化合物である上記の遊離
砥粒スラリー組成物、又は前記アルコール性水酸基を有
する化合物が構造式(III)
Embedded image R 2 O— (C n H 2n + 1 O) m H (II) (R 2 is an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, an alkenyl group, an alkynyl group, an alkylaryl group or an aryl group, n Represents 2 to 4, m represents 1 to 4.) The free abrasive slurry composition described above, which is a polyoxyalkylene monoether compound represented by the formula (III):

【0013】[0013]

【化6】R3COO−(Cn2n+1O)mH (III) (R3は炭素数が1〜18のアルキル基、nは2〜4、
mは1〜4を表す。)で表されるポリオキシアルキレン
モノエステル化合物である上記の遊離砥粒スラリー組成
物であり、薄膜型磁気ヘッドのエアベアリング面となる
面の研磨加工を行う工程を含む薄膜型磁気へッドの製造
方法であって、前記研磨加工がこれらのいずれかの遊離
砥粒スラリー組成物を用いる薄膜型磁気へッドの研磨方
法である。この様な遊離砥粒スラリー組成物を使用する
ことによって、薄膜型磁気ヘッドを研磨加工する際に発
生する金属膜の選択研磨とアルチック/アルミナ間の肩
段差発生を防止することを特徴とする。
Embedded image R 3 COO— (C n H 2n + 1 O) m H (III) (R 3 is an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, n is 2 to 4,
m represents 1-4. The above-mentioned free abrasive slurry composition, which is a polyoxyalkylene monoester compound represented by the formula (1), comprising a step of polishing a surface serving as an air bearing surface of the thin-film magnetic head. In a manufacturing method, the polishing is a method of polishing a thin-film magnetic head using any of these free abrasive slurry compositions. By using such a free abrasive slurry composition, it is characterized in that selective polishing of a metal film which occurs when polishing a thin film type magnetic head and occurrence of a shoulder difference between Altic / Alumina are prevented.

【0014】本発明の選択研磨防止剤としてアルコール
性水酸基を有する化合物を使用した場合、分子中に存在
する極性基であるアルコール性水酸基が金属表面に選択
吸着することにより、金属膜に対する選択研磨は低くな
ると考えられる。一方、金属と比較してアルコール性水
酸基を有する化合物との相互作用の低い基材のアルチッ
ク、絶縁膜および保護膜であるアルミナに対してはアル
コール性水酸基を有する化合物の吸着量に大きな差はな
く、アルチック/アルミナ間の選択研磨を防止する能力
に優れていると考えられる。また、カルボキシル基と比
較してアルコール性水酸基は固体表面に対して比較的弱
い吸着であるため、高い研磨レートを維持したままの研
磨加工が可能になると予想される。従って、複合材料の
研磨加工を行う際に発生する異硬度間の研磨量の差を無
くして均一に研磨し、尚且つ遊離砥粒スラリーの研磨加
工能率、即ち研磨レートを維持するために、遊離砥粒ス
ラリー組成物中にアルコール性水酸基を有する化合物を
少なくとも一種類以上添加することが有効な手段であ
る。
When a compound having an alcoholic hydroxyl group is used as the selective polishing inhibitor of the present invention, the alcoholic hydroxyl group, which is a polar group present in the molecule, is selectively adsorbed on the metal surface. It is thought to be lower. On the other hand, there is no significant difference in the adsorption amount of the compound having an alcoholic hydroxyl group with respect to alumina, which is a base material having a low interaction with the compound having an alcoholic hydroxyl group as compared with the metal, alumina which is an insulating film and a protective film. It is considered to be excellent in the ability to prevent selective polishing between Altic / Alumina. Further, since the alcoholic hydroxyl group is relatively weakly adsorbed on the solid surface as compared with the carboxyl group, it is expected that polishing can be performed while maintaining a high polishing rate. Therefore, in order to eliminate the difference in the amount of polishing between different hardnesses generated when performing the polishing process of the composite material and to uniformly polish, and to maintain the polishing efficiency of the free abrasive slurry, that is, the polishing rate, It is an effective means to add at least one compound having an alcoholic hydroxyl group to the abrasive slurry composition.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】本発明は、選択研磨防止剤として
のアルコール性水酸基を有する化合物、分散媒及び研磨
材粒子並びに任意に界面活性剤等の分散剤によって構成
される遊離砥粒研磨スラリー組成物であり、低PTR値
が要求される薄膜型磁気ヘッドを研磨加工する際に発生
するアルチック/アルミナ/金属膜間の選択研磨の問題
を克服し、低PTR値を達成するために本発明者らは、
鋭意研究を重ねた結果、選択研磨防止剤としてアルコー
ル性水酸基を有する化合物を少なくとも一種類以上を含
有する遊離砥粒スラリー組成物を用いることによりラッ
ピング加工で発生する選択研磨を防止し、尚且つ高い研
磨速度を維持しつつ低PTR値を達成出来ることを見出
した。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention provides a free abrasive polishing slurry composition comprising a compound having an alcoholic hydroxyl group as a selective polishing inhibitor, a dispersion medium and abrasive particles, and optionally a dispersant such as a surfactant. In order to overcome the problem of selective polishing between an AlTiC / alumina / metal film that occurs when polishing a thin-film magnetic head that requires a low PTR value and achieve a low PTR value, the present inventors Are
As a result of intensive studies, the use of a free abrasive slurry composition containing at least one or more compounds having an alcoholic hydroxyl group as a selective polishing inhibitor prevents selective polishing caused by lapping, and is still high. It has been found that a low PTR value can be achieved while maintaining the polishing rate.

【0016】本発明に使用するアルコール性水酸基を有
する化合物には、アルコール、ポリオキシアルキレンモ
ノエーテル化合物及びポリオキシアルキレンモノエステ
ル化合物等がある。
The compounds having an alcoholic hydroxyl group used in the present invention include alcohols, polyoxyalkylene monoether compounds and polyoxyalkylene monoester compounds.

【0017】本発明に用いられるアルコールは下式The alcohol used in the present invention has the following formula

【化7】R1−OH (I) (R1は炭素数が4〜18、好ましくは10〜18、よ
り好ましくは10〜14のアルキル基、アルケニル基、
アルキニル基、アルキルアリール基又はアリール基、好
ましくはアルキル基を表す。)で表される1〜3級、好
ましくは1級アルコールである。これらの例として1−
ブタノール、イソブタノール、2−ブタノール、ter
t−ブタノール、1−ブテン−3−オール、3−ブテン
−1−オール、2−ブテン−1−オール、1−ブチン−
3−オール、2−ブチン−1−オール、3−ブチン−1
−オール、1−ペンタノール、2−ペンタノール、3−
ペンタノール、tert−アミルアルコール、3−メチ
ル−1−ブタノール、1−ペンテン−3−オール、2−
ペンテン−1−オール、4−ペンテン−1−オール、2
−メチル−3−ブテン−2−オール、3−メチル−2−
ブテン−1−オール、3−メチル−3−ブテン−1−オ
ール、1−ペンチン−3−オール、2−ペンチン−1−
オール、3−ペンチン−1−オール、4−ペンチン−1
−オール、4−ペンチン−2−オール、1−ヘキサノー
ル、2−ヘキサノール、3−ヘキサノール、2−メチル
−1−ペンタノール、3−メチル−1−ペンタノール、
2−メチル−2−ペンタノール、3−メチル−2−ペン
タノール、3−メチル−3−ペンタノール、4−メチル
−1−ペンタノール、4−メチル−2−ペンタノール、
3,3−ジメチル−1−ブタノール、3,3−ジメチル
−2−ブタノール、2,2−ジメチル−1−ブタノー
ル、2−エチルブタノール、1−ヘキセン−3−オー
ル、2−ヘキセン−1−オール、3−ヘキセン−1−オ
ール、4−ヘキセン−1−オール、5−ヘキセン−1−
オール、2,4−ヘキサジエン−1−オール、1−ヘキ
シン−3−オール、2−ヘキシン−1−オール、3−ヘ
キシン−1−オール、5−ヘキシン−1−オール、5−
ヘキシン−3−オール、3−メチル−1−ペンチン−3
−オール、1−ヘプタノール、2−ヘプタノール、3−
ヘプタノール、4−ヘプタノール、3−エチル−3−ペ
ンタノール、2−メチル−2−ヘキサノール、2−ヘプ
テン−1−オール、4−ヘプテン−1−オール、1−ヘ
プチン−3−オール、2−ヘプチン−1−オール、3−
ヘプチン−1−オール、4−ヘプチン−2−オール、5
−ヘプチン−3−オール、5−メチル−1−ヘキシン−
3−オール、1−オクタノール、2−オクタノール、3
−オクタノール、4−オクタノール、2−メチル−2−
ヘプタノール、3−メチル−3−ヘプタノール、4−メ
チル−4−ヘプタノール、5−メチル−1−ヘプタノー
ル、5−メチル−2−ヘプタノール、5−メチル−3−
ヘプタノール、6−メチル−2−ヘプタノール、6−メ
チル−3−ヘプタノール、2,2−ジメチル−3−ヘキ
サノール、2,3−ジメチル−2−ヘキサノール、2,
5−ジメチル−2−ヘキサノール、2,5−ジメチル−
3−ヘキサノール、3,4−ジメチル−3−ヘキサノー
ル、3,5−ジメチル−3−ヘキサノール、2−エチル
−1−ヘキサノール、3−エチル−2−メチル−3−ペ
ンタノール、1−デカノール、1−ドデカノール、1−
テトラデカノール、1−ヘキサデカノール、1−オクタ
デカノール等が挙げられるが、1−デカノール、1−ド
デカノール及び1−テトラデカノールが好ましい。
Embedded image R 1 —OH (I) (R 1 is an alkyl group or an alkenyl group having 4 to 18, preferably 10 to 18, more preferably 10 to 14 carbon atoms;
Represents an alkynyl group, an alkylaryl group or an aryl group, preferably an alkyl group. ) Is a primary to tertiary alcohol, preferably a primary alcohol. Examples of these are 1-
Butanol, isobutanol, 2-butanol, ter
t-butanol, 1-buten-3-ol, 3-buten-1-ol, 2-buten-1-ol, 1-butyne-
3-ol, 2-butyn-1-ol, 3-butyn-1
-Ol, 1-pentanol, 2-pentanol, 3-
Pentanol, tert-amyl alcohol, 3-methyl-1-butanol, 1-penten-3-ol, 2-
Penten-1-ol, 4-penten-1-ol, 2
-Methyl-3-buten-2-ol, 3-methyl-2-
Buten-1-ol, 3-methyl-3-buten-1-ol, 1-pentyn-3-ol, 2-pentyn-1-
All, 3-pentin-1-ol, 4-pentin-1
-Ol, 4-pentyn-2-ol, 1-hexanol, 2-hexanol, 3-hexanol, 2-methyl-1-pentanol, 3-methyl-1-pentanol,
2-methyl-2-pentanol, 3-methyl-2-pentanol, 3-methyl-3-pentanol, 4-methyl-1-pentanol, 4-methyl-2-pentanol,
3,3-dimethyl-1-butanol, 3,3-dimethyl-2-butanol, 2,2-dimethyl-1-butanol, 2-ethylbutanol, 1-hexen-3-ol, 2-hexen-1-ol , 3-hexen-1-ol, 4-hexen-1-ol, 5-hexen-1-
All, 2,4-hexadien-1-ol, 1-hexyn-3-ol, 2-hexyn-1-ol, 3-hexyn-1-ol, 5-hexyn-1-ol, 5-hexyn-1-ol
Hexin-3-ol, 3-methyl-1-pentin-3
-Ol, 1-heptanol, 2-heptanol, 3-
Heptanol, 4-heptanol, 3-ethyl-3-pentanol, 2-methyl-2-hexanol, 2-hepten-1-ol, 4-hepten-1-ol, 1-heptin-3-ol, 2-heptin -1-ol, 3-
Heptin-1-ol, 4-heptin-2-ol, 5
-Heptin-3-ol, 5-methyl-1-hexyne-
3-ol, 1-octanol, 2-octanol, 3
-Octanol, 4-octanol, 2-methyl-2-
Heptanol, 3-methyl-3-heptanol, 4-methyl-4-heptanol, 5-methyl-1-heptanol, 5-methyl-2-heptanol, 5-methyl-3-
Heptanol, 6-methyl-2-heptanol, 6-methyl-3-heptanol, 2,2-dimethyl-3-hexanol, 2,3-dimethyl-2-hexanol, 2,
5-dimethyl-2-hexanol, 2,5-dimethyl-
3-hexanol, 3,4-dimethyl-3-hexanol, 3,5-dimethyl-3-hexanol, 2-ethyl-1-hexanol, 3-ethyl-2-methyl-3-pentanol, 1-decanol, -Dodecanol, 1-
Examples thereof include tetradecanol, 1-hexadecanol, 1-octadecanol and the like, with 1-decanol, 1-dodecanol and 1-tetradecanol being preferred.

【0018】本発明に用いられるポリオキシアルキレン
モノエーテル化合物は下式
The polyoxyalkylene monoether compound used in the present invention is represented by the following formula:

【化8】R2O−(Cn2n+1O)mH (II) (R2は炭素数が1〜18、好ましくは1〜10、より
好ましくは1〜4のアルキル基、アルケニル基、アルキ
ニル基、アルキルアリール基又はアリール基、好ましく
はアルキル基、nは2〜4、好ましくは2〜3、より好
ましくは2、mは1〜4、好ましくは1又は2を表
す。)で表される。これらの例としては2−メトキシエ
タノール、2−エトキシエタノール、2−n−プロポキ
シエタノール、2−イソプロポキシエタノール、2−ブ
トキシエタノール、2−イソブトキシエタノール、2−
(ヘキシルオキシ)エタノール、2−(ドデシルオキ
シ)エタノール、2―(アリルオキシ)エタノール、2
−フェノキシエタノール、2−(ベンジルオキシ)エタ
ノール、2−(2−メトキシエトキシ)エタノール、2
−(2−エトキシエトキシ)エタノール、2−(2−ブ
トキシエトキシ)エタノール、2−(2−イソブトキシ
エトキシ)エタノール、2−(2−tert−ブトキシ
エトキシ)エタノール、2−〔2−(ヘキシルオキシ)
エトキシ〕エタノール、2−〔2−(ドデシルオキシ)
エトキシ〕エタノール、2−〔2−(テトラデシルオキ
シ)エトキシ〕エタノール、2−〔2−(ヘキサデシル
オキシ)エトキシ〕エタノール、2−〔2−(オクタデ
シルオキシ)エトキシ〕エタノール、2−〔2−(2−
メトキシエトキシ)エトキシ〕エタノール、2−〔2−
(2−エトキシエトキシ)エトキシ〕エタノール、2−
〔2−(2−ブトキシエトキシ)エトキシ〕エタノー
ル、2−[2−〔2−(ドデシルオキシ)エトキシ〕エ
トキシ]エタノール、2−[2−〔2−(テトラデシル
オキシ)エトキシ〕エトキシ]エタノール、1−メトキ
シ−2−プロパノール、1−エトキシ−2−プロパノー
ル、1−ブトキシ−2−プロパノール、1−フェノキシ
−2−プロパノール、2−(2−メトキシプロポキシ)
プロパノール、2−〔2−(オクチルフェニルオキシ)
エトキシ〕エタノール、2−〔2−(ノニルフェニルオ
キシ)エトキシ〕エタノール、2−〔2−(ジノニルフ
ェニルオキシ)エトキシ〕エタノールなどが挙げられる
が、特に2−エトキシエタノールが好ましい。
Embedded image R 2 O— (C n H 2n + 1 O) m H (II) (R 2 is an alkyl group or alkenyl having 1 to 18, preferably 1 to 10, more preferably 1 to 4 carbon atoms. A group, an alkynyl group, an alkylaryl group or an aryl group, preferably an alkyl group, n represents 2 to 4, preferably 2 to 3, more preferably 2, and m represents 1 to 4, preferably 1 or 2.) expressed. Examples of these are 2-methoxyethanol, 2-ethoxyethanol, 2-n-propoxyethanol, 2-isopropoxyethanol, 2-butoxyethanol, 2-isobutoxyethanol,
(Hexyloxy) ethanol, 2- (dodecyloxy) ethanol, 2- (allyloxy) ethanol, 2
Phenoxyethanol, 2- (benzyloxy) ethanol, 2- (2-methoxyethoxy) ethanol, 2
-(2-ethoxyethoxy) ethanol, 2- (2-butoxyethoxy) ethanol, 2- (2-isobutoxyethoxy) ethanol, 2- (2-tert-butoxyethoxy) ethanol, 2- [2- (hexyloxy) )
Ethoxy] ethanol, 2- [2- (dodecyloxy)
Ethoxy] ethanol, 2- [2- (tetradecyloxy) ethoxy] ethanol, 2- [2- (hexadecyloxy) ethoxy] ethanol, 2- [2- (octadecyloxy) ethoxy] ethanol, 2- [2- (2-
Methoxyethoxy) ethoxy] ethanol, 2- [2-
(2-ethoxyethoxy) ethoxy] ethanol, 2-
[2- (2-butoxyethoxy) ethoxy] ethanol, 2- [2- [2- (dodecyloxy) ethoxy] ethoxy] ethanol, 2- [2- [2- (2- (tetradecyloxy) ethoxy] ethoxy] ethanol, 1-methoxy-2-propanol, 1-ethoxy-2-propanol, 1-butoxy-2-propanol, 1-phenoxy-2-propanol, 2- (2-methoxypropoxy)
Propanol, 2- [2- (octylphenyloxy)
Ethoxy] ethanol, 2- [2- (nonylphenyloxy) ethoxy] ethanol, 2- [2- (dinonylphenyloxy) ethoxy] ethanol, and the like are preferred, with 2-ethoxyethanol being particularly preferred.

【0019】本発明に用いられるポリオキシアルキレン
モノエステル化合物は下式
The polyoxyalkylene monoester compound used in the present invention is represented by the following formula:

【化9】R3COO−(Cn2n+1O)mH (III) (R3は炭素数が1〜18、好ましくは1〜10、より
好ましくは1〜3のアルキル基、nは2〜4、好ましく
は2〜3、より好ましくは2、mは1〜4、好ましくは
1〜2を表す。)で表される。これらの例としては2−
ヒドロキシエチルアセテート、2−ヒドロキシエチルカ
プリレート、2−ヒドロキシエチルカプリネート、2−
ヒドロキシエチルラウレート、2−ヒドロキシエチルパ
ルミテート、2−ヒドロキシエチルオレート、モノオレ
イン酸ポリエチレングリコール2EOなどが挙げられ
る。
Embedded image R 3 COO— (C n H 2n + 1 O) m H (III) (R 3 is an alkyl group having 1 to 18, preferably 1 to 10, more preferably 1 to 3 carbon atoms, n Is 2 to 4, preferably 2 to 3, more preferably 2, and m represents 1 to 4, preferably 1 to 2.) Examples of these are 2-
Hydroxyethyl acetate, 2-hydroxyethyl caprylate, 2-hydroxyethyl caprynate, 2-
Examples include hydroxyethyl laurate, 2-hydroxyethyl palmitate, 2-hydroxyethyl oleate, polyethylene glycol monooleate 2EO, and the like.

【0020】これらのアルコール性水酸基を有する化合
物を単独若しくは二種類以上任意の割合で添加した遊離
砥粒スラリー組成物は、異硬度材料の研磨加工によって
発生する軟質材料の選択研磨を防止し、尚且つ研磨能率
(研磨速度)を低下することなく均一にしかも金属/セ
ラミックス間の加工段差を小さくすることが可能であ
る。本発明に用いるこれらのアルコール性水酸基を有す
る化合物は、沸点が80℃以上、好ましくは沸点が10
0℃以上である。これは、蒸発速度の速い選択研磨防止
剤は研磨作業中に蒸発して安定な研磨加工を困難にする
からである。また、本発明に用いるこれらの選択研磨防
止剤の添加濃度は、遊離砥粒スラリー組成物に対して
0.5wt%以上、好ましくは1.0wt%以上、更に
好ましくは1.0〜50wt%である。
The free abrasive slurry composition to which the compound having an alcoholic hydroxyl group is added alone or in an optional ratio of two or more prevents selective polishing of a soft material generated by polishing of a material having a different hardness, and furthermore, It is possible to reduce the processing step between metal and ceramics uniformly without lowering the polishing efficiency (polishing speed). These compounds having an alcoholic hydroxyl group used in the present invention have a boiling point of 80 ° C. or higher, preferably a boiling point of 10 ° C.
0 ° C. or higher. This is because the selective polishing inhibitor having a high evaporation rate evaporates during the polishing operation and makes stable polishing difficult. The concentration of the selective polishing inhibitor used in the present invention is 0.5 wt% or more, preferably 1.0 wt% or more, more preferably 1.0 to 50 wt%, based on the free abrasive slurry composition. is there.

【0021】本発明に用いる分散媒は、薄膜型磁気ヘッ
ドの構成材料であるパーマロイおよびセンダストなどの
金属膜が一般的に水に対して弱く腐食や錆を発生するの
で分散媒として非水系溶媒を用いることが望ましく、更
に極性の低い非極性溶媒を用いることが望ましい。ここ
で、分散媒の極性とは普通に使用される意味で溶媒分子
内の原子とその結合の種類、原子団および原子配列とそ
の位置などによって分子内に生じる双極子に基づく性質
である。この極性の大きさは相互作用する分子の極性に
よって相対的に決まるものである。溶媒の極性は、定性
的にHildebrandの溶解性パラメーター(sp値)δ値で
表される。このδ値が大きい程極性が大きく、小さいも
の程極性は小さい。このδ値は、更に分散、極性による
配向および水素結合などの分子間相互作用によっていく
つか分けられるが、これらの値は、その溶媒がどのよう
な化合物をよく溶かすかという、化合物に対する溶解の
選択性を決定するものである。本発明の遊離砥粒スラリ
ー研磨液の分散媒に適した有機溶媒は、このδ値が低い
ものが望ましい。これは、極性成分が増加することによ
り分散媒の臭気が問題になったり、分散媒自体が人体や
被研磨物に対して悪影響を与えるからである。
The dispersion medium used in the present invention is made of a non-aqueous solvent as the dispersion medium since metal films such as permalloy and sendust, which are constituent materials of the thin-film magnetic head, are generally weak against water and generate corrosion and rust. It is desirable to use a non-polar solvent having a low polarity. Here, the polarity of the dispersion medium is a property based on the dipole generated in the molecule depending on the kind of atoms in the solvent molecule and its bond, the atomic group and the arrangement of the atoms and the position thereof in a commonly used sense. The magnitude of this polarity is relatively determined by the polarity of the interacting molecules. The polarity of the solvent is qualitatively represented by the Hildebrand solubility parameter (sp value) δ value. The greater the δ value, the greater the polarity, and the smaller the δ value, the smaller the polarity. This δ value can be further divided by some molecular interactions such as dispersion, orientation by polarity, and hydrogen bonding, and these values are used to determine the solubility of a compound in a compound such as what kind of compound the solvent dissolves well. Determines gender. The organic solvent suitable for the dispersion medium of the free abrasive slurry slurry of the present invention preferably has a low δ value. This is because the odor of the dispersion medium becomes a problem due to the increase of the polar component, and the dispersion medium itself has a bad influence on the human body and the object to be polished.

【0022】更に本発明では、研磨加工中の研磨スラリ
ーの蒸発を無くし、安定な研磨加工を行うために分散媒
の蒸発速度が遅い溶媒が適している。これは、蒸発速度
の速い分散媒は研磨作業中に分散媒が蒸発してしまい、
安定な研磨加工が困難になるからである。これらのこと
から、本発明に用いる分散媒は、沸点が100℃以上、
より好ましくは120℃以上であり、溶解性パラメータ
ーsp値が10.0以下、好ましくは8.0以下、相対
速度が5.0以下、より好ましくは2.0以下のものが
適している。これらの分散媒としては例えば、エクソン
化学(株)製無臭イソパラフィン系溶媒:アイソパーシ
リーズや低臭ナフテン系溶媒:EXXSOLシリーズ、
モービル化学製n−パラフィン系溶媒:ホワイトレック
スシリーズおよび工業用脂肪族系溶媒であるペガソー
ル、ペガホワイト、サートレックスなどがある。
Further, in the present invention, a solvent having a low evaporation rate of the dispersion medium is suitable for eliminating the evaporation of the polishing slurry during the polishing process and performing a stable polishing process. This is because the dispersion medium with a high evaporation rate evaporates during the polishing operation,
This is because stable polishing becomes difficult. From these, the dispersion medium used in the present invention has a boiling point of 100 ° C. or higher,
More preferably, it is 120 ° C. or more, and the solubility parameter sp value is 10.0 or less, preferably 8.0 or less, and the relative speed is 5.0 or less, more preferably 2.0 or less. Examples of these dispersion media include odorless isoparaffinic solvents: Isopar series and low odor naphthenic solvents: EXXXSOL series manufactured by Exxon Chemical Co., Ltd.
Mobil Chemical's n-paraffinic solvents: White Rex series and industrial aliphatic solvents such as Pegasol, Pegawhite, Sartrex and the like.

【0023】分散剤には界面活性剤、高分子化合物及び
表面改質剤があり、これらは組合わせて用いてもよい。
粉体の状態から安定な分散系を作るには、固/液界面で
のぬれ性が良くなければならない。ここでぬれ性とは、
液体が固体表面から気体を押しのける現象を言うが、乾
燥した粉体の表面には空気が強く吸着しているため、こ
れを液体で置換する必要がある。また、ぬれ性を良くす
るには、固/液の化学的親和性を強めればよく、親和性
は両者の極性や化学構造が近いものほど大きくなる。一
般的な研磨材粒子は、その表面に水酸基などの極性官能
基が存在するため親水性を示し、水のようなδ値の高い
極性溶媒中ではぬれ性が良いため容易に分散させること
が可能である。しかし、本発明で用いる分散媒は非極性
溶媒であるため、親水性粒子である研磨材を非極性溶媒
中に均一に分散させるには、粒子表面と分散媒との親和
性を高めなければならず、粒子表面の疎水化処理を施す
必要がある。疎水化処理の方法には、界面活性剤などの
分散剤を添加する方法がある。
The dispersant includes a surfactant, a polymer compound and a surface modifier, and these may be used in combination.
In order to produce a stable dispersion from the state of powder, the wettability at the solid / liquid interface must be good. Here, the wettability
A phenomenon in which a liquid displaces a gas from a solid surface. Since air is strongly adsorbed on the surface of a dried powder, it is necessary to replace the air with a liquid. Further, in order to improve the wettability, the chemical affinity between solid and liquid may be increased, and the affinity increases as the polarity and chemical structure of the two become closer. General abrasive particles exhibit hydrophilic properties due to the presence of polar functional groups such as hydroxyl groups on their surface, and can be easily dispersed in polar solvents with high δ values such as water because of their good wettability. It is. However, since the dispersion medium used in the present invention is a non-polar solvent, it is necessary to increase the affinity between the particle surface and the dispersion medium in order to uniformly disperse the abrasive particles, which are hydrophilic particles, in the non-polar solvent. Instead, it is necessary to perform a hydrophobic treatment on the particle surface. As a method of the hydrophobic treatment, there is a method of adding a dispersant such as a surfactant.

【0024】分散剤として界面活性剤を用いる方法は、
界面活性剤が分子中に疎水性の長い炭化水素鎖と末端に
強い極性基(=親水基)を持つ両親媒性物質であること
を利用している。具体的には、親水性である粒子表面と
界面活性剤の極性基との相互作用により疎水性である炭
化水素鎖を外側に向けて吸着するため、全体的に見ると
粒子の表面性は親水性から疎水性に変化し、非極性溶媒
中で沈降することなく安定に存在することが可能とな
る。
The method of using a surfactant as a dispersant is as follows.
Utilizing that a surfactant is an amphiphilic substance having a long hydrophobic hydrocarbon chain in a molecule and a strong polar group (= hydrophilic group) at a terminal. Specifically, the interaction between the hydrophilic particle surface and the polar group of the surfactant causes the hydrophobic hydrocarbon chains to be adsorbed outward, so that the overall surface properties of the particles are hydrophilic. From hydrophobic to hydrophobic, and can be stably present in non-polar solvents without sedimentation.

【0025】本発明に用いられる分散剤としての界面活
性剤は非極性溶媒に溶解するものでなければならず、そ
のような界面活性剤は、その分子骨格中に二重結合や三
重結合を有するか、又は分岐が存在するものが一般的で
ある。この様な界面活性剤としては、例えばソルビタン
脂肪酸エステル系であるモノオレイン酸ソルビタン、セ
スキオレイン酸ソルビタン、トリオレイン酸ソルビタ
ン、グリセリンエステル系としてはペンタオレイン酸デ
カグリセリル、ペンタイソステアリン酸デカグリセリ
ル、トリオレイン酸デカグリセリル、ペンタオレイン酸
ヘキサグリセリル、モノイソステアリン酸グリセリル、
モノイソステアリン酸ジグリセリルなど、ポリオキシエ
チレンソルビット脂肪酸エステル系であるテトラオレイ
ン酸ポリオキシエチレンソルビット、ポリエチレングリ
コール脂肪酸エステル系であるモノオレイン酸ポリエチ
レングリコール2EO、6EO、ポリオキシエチレンア
ルキルエーテル系であるPOE(2)オレイルエーテ
ル、POE(3)2級アルキルエーテルなどがある。本
発明に使用される界面活性剤濃度は、粒子に飽和吸着を
起こす濃度以上であればよく、使用する研磨材粒子の表
面性および界面活性剤種により変化する。これは、非極
性溶媒中では水系に比べ、一層目での界面活性剤の吸着
量は小さいため、界面活性剤同士が疎水−疎水相互作用
を利用し二層吸着することは困難となり、水系のように
界面活性剤の添加濃度と伴に表面性が変化することがな
いためである。
The surfactant as a dispersant used in the present invention must be soluble in a non-polar solvent, and such a surfactant has a double bond or triple bond in its molecular skeleton. In general, there is a branch or a branch. Such surfactants include, for example, sorbitan monooleate, sorbitan sesquioleate, and sorbitan trioleate, which are sorbitan fatty acid esters, and decaglyceryl pentaoleate, decaglyceryl pentaisostearate, and triolein, which are glycerin esters. Acid decaglyceryl, hexaglyceryl pentaoleate, glyceryl monoisostearate,
Polyoxyethylene sorbite fatty acid esters such as diglyceryl monoisostearate, polyoxyethylene sorbite tetraoleate, polyethylene glycol fatty acid esters, polyethylene glycol monooleate 2EO, 6EO, and POE, polyoxyethylene alkyl ether based 2) Oleyl ether, POE (3) secondary alkyl ether and the like. The concentration of the surfactant used in the present invention may be not less than the concentration at which the particles cause saturated adsorption, and varies depending on the surface properties of the abrasive particles used and the type of the surfactant. This is because, in a non-polar solvent, the amount of adsorption of the surfactant in the first layer is smaller than that in the aqueous system, so that it is difficult for the surfactants to perform two-layer adsorption using hydrophobic-hydrophobic interaction. This is because the surface properties do not change with the addition concentration of the surfactant.

【0026】更に、分散剤として高分子化合物やシラン
カップリング剤に代表される表面改質剤を使用してもよ
い。高分子化合物は粒子表面に吸着し、厚い吸着層を形
成する。この厚い吸着層によって、粒子同士の接近を立
体障害的に防止することを利用している。また表面改質
剤を用いる方法では、粒子表面にある表面官能基と表面
改質剤を化学反応により結合させ、粒子の表面性を親水
性から疎水性へと変化させることを利用している。上記
の方法に限定されず、疎水化処理を行うことにより親水
性である研磨材粒子を非極性溶媒中に均一に分散させる
ことが可能となる。遊離砥粒スラリー組成物中の分散剤
の含有量は0.01重量%以上、好ましくは0.05〜
5.0重量%である。
Further, a surface modifier such as a polymer compound or a silane coupling agent may be used as the dispersant. The polymer compound is adsorbed on the particle surface to form a thick adsorption layer. Utilizing that the thick adsorption layer prevents the particles from approaching each other sterically. In the method using a surface modifier, a method is used in which the surface functional group on the particle surface is bonded to the surface modifier by a chemical reaction to change the surface property of the particle from hydrophilic to hydrophobic. The method is not limited to the method described above, and the hydrophobic abrasive particles can be uniformly dispersed in the non-polar solvent by performing the hydrophobic treatment. The content of the dispersant in the free abrasive slurry composition is 0.01% by weight or more, preferably 0.05 to
5.0% by weight.

【0027】研磨材粒子は、研磨加工一般に用いられる
ものであれば、特に制限されることなく使用することが
出来る。具体的には、ダイヤモンド、アルミナ、シリコ
ンカーバイド、酸化セリウム、酸化ジルコニウム、酸化
ケイ素、酸化鉄などが挙げられる。薄膜型磁気ヘッドの
加工には一般的に、基材がアルチックと硬質であるため
にダイヤモンド研磨材粒子が用いられ、一般的粒子径は
概ね1.0ミクロン以下、更に好ましくは0.5ミクロ
ン以下のダイヤモンド研磨材粒子が用いられる。また、
ダイヤモンドの結晶構造は、その製法により多結晶と単
結晶が存在するが研磨の目的に合わせどちらを用いても
よい。遊離砥粒スラリーに添加されるダイヤモンド粒子
の濃度は一般的には0.05〜1.0重量%程度であ
り、これも研磨効率や研磨面品質によって調整される。
The abrasive particles can be used without any particular limitation as long as they are generally used for polishing. Specific examples include diamond, alumina, silicon carbide, cerium oxide, zirconium oxide, silicon oxide, iron oxide, and the like. Generally, diamond abrasive particles are used for processing a thin-film magnetic head because the base material is Altic and hard, and the general particle size is generally 1.0 μm or less, more preferably 0.5 μm or less. Diamond abrasive particles are used. Also,
The crystal structure of diamond may be polycrystal or single crystal depending on the manufacturing method, and either may be used depending on the purpose of polishing. The concentration of diamond particles added to the free abrasive slurry is generally about 0.05 to 1.0% by weight, which is also adjusted by the polishing efficiency and the polished surface quality.

【0028】本発明の遊離砥粒スラリー組成物の製造方
法は、一般的な遊離砥粒スラリーの製造方法が適用出来
る。即ち、界面活性剤等を適量溶解してもよい分散媒に
研磨材粒子を適量混合する。この状態において研磨材粒
子表面は親水性であるために非極性溶媒中では凝集状態
で存在している。そこで、凝集した研磨材粒子を一次粒
子にするために分散を実施する。分散工程では一般的な
分散方法および分散装置を用いることが出来る。具体的
には、例えば超音波分散機、各種ビーズミル分散機、ニ
ーダー、ボールミルなどが適用出来る。分散装置の使用
によって粒子が一次粒子まで分散され、現れた表面に界
面活性剤が吸着し、ぬれ性を改善することにより凝集す
ることなく分散安定性が良好なスラリーを調製すること
が可能となる。
As the method for producing the free abrasive slurry composition of the present invention, a general method for producing a free abrasive slurry can be applied. That is, an appropriate amount of abrasive particles is mixed with a dispersion medium in which an appropriate amount of a surfactant or the like can be dissolved. In this state, since the surface of the abrasive particles is hydrophilic, they exist in an agglomerated state in the nonpolar solvent. Therefore, dispersion is performed to make the aggregated abrasive particles primary particles. In the dispersing step, a general dispersing method and dispersing apparatus can be used. Specifically, for example, an ultrasonic dispersing machine, various bead mill dispersing machines, a kneader, a ball mill and the like can be applied. By using a dispersing device, particles are dispersed to primary particles, a surfactant is adsorbed on the surface where the particles appear, and by improving the wettability, it becomes possible to prepare a slurry having good dispersion stability without agglomeration. .

【0029】この発明の被研磨物は、主にビッカース硬
度(Hv)が26〜360の軟材料とHvが700〜4
000の異硬度材料が混在する複合材料である。ここに
含まれる軟材料と硬材料はそれぞれ一種類又は複数であ
ってもよい。この軟材料は特に金属であり、例えばTi
(Hv:60),Pb(Hv:37),Ag(Hv:2
6),W(Hv:360),V(Hv:55),Nb
(Hv:80),Ta(Hv:355),Pd(Hv:
38),Cr(Hv:130),Ru(Hv:35
0),Cu(Hv:117),Pt(Hv:39),M
o(Hv:160),Th(Hv:38),Ni(H
v:60),センダスト(Fe−Al−Si、Hv:6
00)、パーマロイ(Fe−Ni、Hv:200)、ア
ルミニウム(Hv:200)が挙げられる。硬材料はセ
ラミックス、ガラス等であり、例えば、石英ガラス(H
v:620)、アルチック(Al23−TiC、Hv:
2500)、TiC(Hv:3200),AlN(Hv:1
370),Si34(Hv:2160),ZrO2(Hv:70
0),cBN(Hv:4000),SiO2(Hv:620),
SiC(Hv:2400),hBN(Hv:4700),AlT
iC(Hv:2500),Al23(Hv:2000),Si3
4(Hv:2160),AlN(Hv:1370),MgO
(Hv:920),B4C(Hv:3200),TaN(Hv:
1080)が挙げられる。また特に、被研磨物が薄膜型磁気
ヘッドの場合には、この被研磨物は例えば図1に示すよ
うなアルチック、センダスト、パーマロイ、アルミナ等
の異硬度材料が混在する構造になる。
The object to be polished according to the present invention is mainly composed of a soft material having a Vickers hardness (Hv) of 26 to 360 and a Hv of 700 to 4
It is a composite material in which 000 different hardness materials are mixed. The soft material and the hard material included here may be one kind or plural kinds, respectively. This soft material is in particular a metal, for example Ti
(Hv: 60), Pb (Hv: 37), Ag (Hv: 2)
6), W (Hv: 360), V (Hv: 55), Nb
(Hv: 80), Ta (Hv: 355), Pd (Hv:
38), Cr (Hv: 130), Ru (Hv: 35)
0), Cu (Hv: 117), Pt (Hv: 39), M
o (Hv: 160), Th (Hv: 38), Ni (Hv
v: 60), sendust (Fe-Al-Si, Hv: 6)
00), permalloy (Fe-Ni, Hv: 200), and aluminum (Hv: 200). The hard material is ceramics, glass, etc., for example, quartz glass (H
v: 620), AlTiC (Al 2 O 3 -TiC, Hv :
2500), TiC (Hv: 3200), AlN (Hv: 1
370), Si 3 N 4 (Hv: 2160), ZrO 2 (Hv: 70
0), cBN (Hv: 4000), SiO 2 (Hv: 620),
SiC (Hv: 2400), hBN (Hv: 4700), AlT
iC (Hv: 2500), Al 2 O 3 (Hv: 2000), Si 3
N 4 (Hv: 2160), AlN (Hv: 1370), MgO
(Hv: 920), B 4 C (Hv: 3200), TaN (Hv:
1080). In particular, when the object to be polished is a thin film type magnetic head, the object to be polished has a structure in which different hardness materials such as Altic, Sendust, Permalloy, and alumina are mixed as shown in FIG.

【0030】Hvの測定法はJIS Z2251に規定されてい
る。具体的には、対面角が136°のダイヤモンド正四角
錐圧子を用い、試験片にくぼみを付けた時の試験荷重と
くぼみの対角線長さから求めた表面積とから、次式を用
いて算出する。
The method of measuring Hv is specified in JIS Z2251. Specifically, using a diamond square quadrangular pyramid indenter having a diagonal angle of 136 °, it is calculated from the test load when a test piece is provided with a depression and the surface area obtained from the diagonal length of the depression using the following equation.

【数1】 HV=0.102(F/S)=0.102・(2Fsinθ/2)/d2=0.18909F/d2 ここで、HVはビッカース硬度、Fは試験荷重(N)、Sはく
ぼみの表面積、Dはくぼみの対角線の長さの平均(mm)、
θはダイヤモンド圧子の対面角を表わす。なお、ビッカ
ース硬度の試験機はJIS B7725に、硬度の基準となる基
準片は鋼製(JIS G4401, JIS G4805)、黄銅製(JIS H31
00)、銅製(JIS H3100)とそれぞれ定められている。ま
た、基準片の使用範囲の表面粗さはJIS B0601(表面粗
さ)により0.1sの鏡面、基準片の表面および裏面の平行
度はJIS B0621(形状および位置の精度の定義および表
示)により、50mm当たり0.02mm以下と定められている。
HV = 0.102 (F / S) = 0.102 · (2Fsinθ / 2) /d2=0.18909F/d2 where HV is the Vickers hardness, F is the test load (N), S is the surface area of the depression, D Average diagonal length of the hollow (mm),
θ represents the facing angle of the diamond indenter. The tester for Vickers hardness is JIS B7725, and the reference piece for hardness is steel (JIS G4401, JIS G4805) and brass (JIS H31
00) and copper (JIS H3100). In addition, the surface roughness of the range of use of the reference piece is a mirror surface of 0.1 s according to JIS B0601 (surface roughness), and the parallelism of the front and back surfaces of the reference piece is according to JIS B0621 (definition and display of accuracy of shape and position), It is specified to be 0.02mm or less per 50mm.

【0031】本発明の遊離砥粒スラリー組成物を用いて
研磨加工される事例としては、光ファイバーコネクタ、
半導体素子、VTRヘッド、フロッピーヘッドなどのよ
うな硬度と表面性質の異なる異種複合材料について何で
も適用出来るが、一例として次に薄膜型磁気ヘッド加工
への応用例について述べる。浮上型磁気へッドは一般的
に以下のような工程で製造されている: 1.バーの切り出し このバーは図2に示すように多数の磁気交換素子がマト
リックス状に形成されたウエハを切断したものであり、
複数のスライダーが列状に配列されている。 2.バーを加工治具に接着(図3参照) 3.バーのラッピング処理(図4参照) ラッピング処理とは、図4に示すように錫等を主材料と
した定盤を回転させ、この上に被研磨物をおいて遊離砥
粒スラリー等を供給しながら行う、スライダーのABS
の研磨加工を言う。 4.加工治具からバーを剥離 5.レールエッチング工程 6.バーをスライダーに切断分離
Examples of polishing using the free abrasive slurry composition of the present invention include optical fiber connectors,
Any kind of composite material having different hardness and surface properties, such as a semiconductor element, a VTR head, and a floppy head, can be applied to anything, and an example of application to the processing of a thin-film magnetic head will be described below as an example. Levitation type magnetic heads are generally manufactured in the following steps: Bar cutting This bar is obtained by cutting a wafer in which a large number of magnetic exchange elements are formed in a matrix as shown in FIG.
A plurality of sliders are arranged in a row. 2. 2. Adhere the bar to the processing jig (see Fig. 3) Bar lapping process (see FIG. 4) The lapping process is as shown in FIG. 4, in which a platen mainly made of tin or the like is rotated, and a polished object is placed on the platen to supply free abrasive slurry or the like. While doing, slider ABS
The polishing process. 4. 4. Remove the bar from the processing jig. Rail etching step 6. Bar separated into sliders

【0032】この工程の中で、本発明は3.バーのラッ
ピング処理における研磨に関する。スライダーのABS
の一般的な研磨加工は、遊離砥粒スラリーを用いて、ス
ロートハイトおよびMRハイトを管理しながら行われて
いる。ここでスロートハイト(Throat Height:TH)と
は、薄膜型磁気ヘッドの記録書き込み特性を決定する因
子の一つであり、このスロートハイトは、図1のTHで表
す様に、ABSから薄膜コイルを電気的に分離する絶縁
層の端部までの磁極部分の距離のことである。また、薄
膜型磁気ヘッドの内、磁気抵抗再生素子を備えたものを
MR-インダクティブ複合ヘッドと言い、このMR-イン
ダクティブ複合ヘッドにおいて記録再生特性を決定する
一つの因子として、磁気抵抗再生素子の高さがあり、こ
れをMRハイト(MR-Height:MR-h)と呼んでい
る。このMRハイトは、図1のMR-hで示す様に端面が
ABSに露出する磁気抵抗再生素子のABSから測った
距離のことである。
[0032] In this step, the present invention provides: It relates to polishing in lapping processing of bars. Slider ABS
Is generally performed using a free abrasive slurry while controlling the throat height and the MR height. Here, the throat height (TH) is one of the factors that determine the recording / writing characteristics of the thin-film magnetic head. The throat height is obtained by removing a thin-film coil from ABS as shown by TH in FIG. It is the distance of the magnetic pole portion to the end of the insulating layer that is electrically separated. A thin-film type magnetic head having a magnetoresistive reproducing element is referred to as an MR-inductive composite head. As one factor for determining the recording / reproducing characteristics in this MR-inductive composite head, a high magnetic resistance reproducing element is used. This is called MR height (MR-h). The MR height is a distance measured from the ABS of the magnetoresistive reproducing element whose end face is exposed to the ABS as indicated by MR-h in FIG.

【0033】[0033]

【実施例】実施例1 本実施例では、アルチック、センダストおよびパーマロ
イによって構成される薄膜型磁気ヘッドを研磨加工する
際の選択研磨防止効果について検討した。また研磨助剤
として知られているオレイン酸およびステアリン酸を用
いたスラリ―並びに無添加のスラリ―を比較した。本実
施例および比較例に用いた遊離砥粒スラリーの組成を表
1に示す。
EXAMPLE 1 In this example, the effect of selective polishing prevention when polishing a thin-film magnetic head composed of Altic, Sendust and Permalloy was examined. Also, a slurry using oleic acid and stearic acid, which are known as polishing aids, and a slurry with no additive were compared. The compositions of the free abrasive slurries used in the examples and comparative examples are shown in Tables.
Shown in 1.

【0034】[0034]

【表1】 [Table 1]

【0035】分散媒として非極性溶媒であるアイソパー
Mを用い、界面活性剤として非イオン性界面活性剤であ
るモノオレイン酸ソルビタン(日光ケミカルズ(株)
製.商品名:SP−O10 )を用いた。研磨実験に
は、日本エンギス(株)製自動精密ラッピングマシンHY
PREZEJ−3801N型を用いた。研磨条件はラッ
プ盤に錫/鉛定盤、定盤回転速度60rpm、スラリー
研磨液供給量を30秒間隔に3秒間噴霧、加工荷重13
00g/cm2、加工時間30分間とした。研磨特性の
評価は研磨加工後の薄膜磁気型ヘッドのアルチック/金
属膜間に発生する段差、つまりポールチップリセッショ
ン値(PTR値)を走査型プローブ顕微鏡(AFM)に
より求めた。ここで、薄膜型磁気ヘッドのPTR値は3
nm以下で良好とした。スクラッチおよび面荒れの評価
はAFMおよび微分干渉光学顕微鏡を用いた。研磨レー
トの測定は研磨前と30分間上述した研磨条件で研磨加
工を行った後の被研磨物の重量変化から測定した。結果
を表2に示す。
Isopar M, a nonpolar solvent, is used as a dispersion medium, and sorbitan monooleate, a nonionic surfactant, is used as a surfactant (Nikko Chemicals Co., Ltd.)
Made. Trade name: SP-O10) was used. For the polishing experiment, an automatic precision lapping machine HY manufactured by Nippon Engis Co., Ltd.
PREZEJ-3801N type was used. The polishing conditions were as follows: tin / lead platen on lapping machine, platen rotation speed 60 rpm, slurry slurry supply rate sprayed at 30 second intervals for 3 seconds, processing load 13
00 g / cm 2 and the processing time were 30 minutes. The polishing characteristics were evaluated by using a scanning probe microscope (AFM) to determine the step generated between the AlTiC and the metal film of the thin-film magnetic head after polishing, that is, the pole tip recession value (PTR value). Here, the PTR value of the thin film magnetic head is 3
nm or less was regarded as good. The AFM and the differential interference optical microscope were used for the evaluation of the scratch and the surface roughness. The polishing rate was measured from the weight change of the object to be polished before polishing and after polishing for 30 minutes under the above-mentioned polishing conditions. Table 2 shows the results.

【0036】[0036]

【表2】 [Table 2]

【0037】ここで研磨レートとは添加剤を含まない遊
離砥粒スラリー組成物による薄膜型磁気ヘッドの研磨量
を100としたそれぞれの研磨レートの相対値である。
この実験結果から、アルコール性水酸基を有する化合物
を含む遊離砥粒スラリーを用いて研磨した薄膜型磁気ヘ
ッドのPTR値はいずれも比較例であるオレイン酸、ス
テアリン酸および無添加を用いたときよりも低くなり、
硬度の異なる複合材料から構成される薄膜型磁気ヘッド
をより均一に研磨出来た。また、脂肪酸(オレイン酸、
ステアリン酸)を添加したスラリーでは研磨レートの著
しい低下が観察されるが、アルコール性水酸基を有する
化合物を添加した遊離砥粒スラリーでは、無添加に比較
しても研磨レートが向上していることが確認された。研
磨面に関してはオレイン酸、ステアリン酸および無添加
よりも同等又は良好であった。更に研磨面は1−デカノ
ール、1−テトラデカノールが特に良好であった。ま
た、アルコール性水酸基を有する化合物を一種類以上含
む遊離砥粒スラリーを用いて研磨した薄膜型磁気ヘッド
のPTR値はいずれも比較例であるオレイン酸、ステア
リン酸および無添加を用いたときよりも低くなり、硬度
の異なる複合材料から構成される薄膜型磁気ヘッドをよ
り均一に研磨出来た。研磨面に関してはオレイン酸、ス
テアリン酸および無添加よりも同等又は良好であった。
Here, the polishing rate is a relative value of each polishing rate when the amount of polishing of the thin film type magnetic head by the free abrasive slurry composition containing no additive is 100.
From these experimental results, the PTR values of the thin-film magnetic heads polished using the free abrasive slurry containing the compound having an alcoholic hydroxyl group were lower than those of the comparative examples in which oleic acid, stearic acid and no additive were used. Lower,
The thin film magnetic head composed of composite materials having different hardnesses could be polished more uniformly. In addition, fatty acids (oleic acid,
A remarkable decrease in the polishing rate is observed in the slurry to which (stearic acid) is added, but the polishing rate is improved in the free abrasive slurry to which the compound having an alcoholic hydroxyl group is added as compared with the case where no compound is added. confirmed. The polished surface was equivalent or better than oleic acid, stearic acid and no additive. Further, 1-decanol and 1-tetradecanol were particularly good on the polished surface. In addition, the PTR values of the thin-film magnetic heads polished using a free abrasive slurry containing one or more compounds having an alcoholic hydroxyl group are lower than those of the comparative examples in which oleic acid, stearic acid and no additive are used. As a result, the thin film magnetic head composed of composite materials having different hardnesses could be polished more uniformly. The polished surface was equivalent or better than oleic acid, stearic acid and no additive.

【0038】実施例2 本実施例では、アルコール性水酸基を有する化合物の添
加量を0〜50wt%まで変化したときのPTR値、研
磨面および相対研磨速度について評価した。アルコール
性水酸基を有する化合物を1−デカノールにして、条件
は実施例1と同様にして行った。結果を表3に示す。
Example 2 In this example, the PTR value, the polished surface and the relative polishing rate when the addition amount of the compound having an alcoholic hydroxyl group was changed from 0 to 50 wt% were evaluated. The conditions were the same as in Example 1 except that the compound having an alcoholic hydroxyl group was 1-decanol. Table 3 shows the results.

【0039】[0039]

【表3】 [Table 3]

【0040】本実施例の実験結果から、0.5wt%以
上でPTR値が小さくなり、複合材料である薄膜型磁気
ヘッドの選択研磨を防止する効果が発現し、試験した全
範囲において無添加の比較例と比べて研磨面状態は良好
であった。更に1.0wt%以上、より好ましくは1.
0〜30.0wt%の範囲において最もスクラッチや面
荒れがなく特に良好であった。これらの実施例の結果か
ら、アルコール性水酸基を有する化合物を単独若しくは
二種類以上含む遊離砥粒スラリーを用いて研磨すること
により、硬度の異なる複合材料を材料間の硬度差によっ
て発生する軟質材料の選択研磨を防止した均一な研磨加
工が可能になった。
From the experimental results of this example, it was found that the PTR value was reduced at 0.5 wt% or more, and the effect of preventing the selective polishing of the thin film type magnetic head as a composite material was exhibited. The polished surface condition was better than the comparative example. 1.0 wt% or more, more preferably 1.
In the range of 0 to 30.0% by weight, scratches and surface roughness were the least and particularly good. From the results of these examples, by polishing using a free abrasive slurry containing a single compound or two or more compounds having an alcoholic hydroxyl group, a composite material having a different hardness is generated by a difference in hardness between the materials. Uniform polishing processing that prevented selective polishing became possible.

【0041】本発明を薄膜型磁気ヘッドの研磨に適用し
た事例で説明したが、本発明はこれに限定されるもので
はなく、他の硬度の異なる複合材料の研磨においても、
要はアルコール性水酸基を有する化合物の材料表面への
選択的な作用によって、異種材料間の研磨量に差を生じ
させることなく、均一な研磨加工と、且高い研磨レート
を必要とする場合に適用出来る。
Although the present invention has been described with reference to an example in which the present invention is applied to polishing of a thin-film magnetic head, the present invention is not limited to this, and can be applied to polishing of other composite materials having different hardnesses.
The point is that the compound having an alcoholic hydroxyl group selectively acts on the material surface without causing a difference in the amount of polishing between different materials, and is applicable when a uniform polishing process and a high polishing rate are required. I can do it.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】研磨される薄膜型磁気ヘッドの断面構造であ
る。
FIG. 1 is a cross-sectional structure of a thin-film magnetic head to be polished.

【図2】薄膜型磁気ヘッドの構造である。FIG. 2 shows the structure of a thin-film magnetic head.

【図3】切り出したバーの加工治具への貼り付けを示す
斜視図である。
FIG. 3 is a perspective view showing sticking of the cut bar to a processing jig.

【図4】バーのラッピング処理の一例を示す斜視図であ
る。
FIG. 4 is a perspective view showing an example of a bar wrapping process.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 折井 一也 東京都台東区台東1丁目5番1号東京磁気 印刷株式会社内 (72)発明者 藤田 恭敏 東京都中央区日本橋一丁目13番1号ティー ディーケイ株式会社内 (72)発明者 山口 正雄 東京都中央区日本橋一丁目13番1号ティー ディーケイ株式会社内 (72)発明者 佐々木 正博 東京都中央区日本橋一丁目13番1号ティー ディーケイ株式会社内 Fターム(参考) 5D033 CA05 DA01  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (72) Inventor Kazuya Orii 1-5-1, Taito, Taito-ku, Tokyo Inside Tokyo Magnetic Printing Co., Ltd. (72) Inventor Yasutoshi Fujita 1-3-1, Nihonbashi, Chuo-ku, Tokyo (72) Inventor Masao Yamaguchi 1-1-13 Nihonbashi, Chuo-ku, Tokyo Inside T-DC Corporation (72) Inventor Masahiro Sasaki 1-13-1 Nihonbashi, Chuo-ku, Tokyo F term in the company (reference) 5D033 CA05 DA01

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 異硬度材料が混在する複合材料を研磨す
るための遊離砥粒スラリー組成物であって、研磨材粒
子、分散媒及び少なくとも一種のアルコール性水酸基を
有する化合物並びに任意に分散剤を含む遊離砥粒スラリ
ー組成物。
A free abrasive slurry composition for polishing a composite material in which different hardness materials are mixed, comprising abrasive particles, a dispersion medium, a compound having at least one alcoholic hydroxyl group, and optionally a dispersant. A free abrasive slurry composition comprising:
【請求項2】 前記アルコール性水酸基を有する化合物
が構造式(I) 【化1】R1−OH (I) (R1は炭素数が4〜18のアルキル基、アルケニル
基、アルキニル基、アルキルアリール基又はアリール基
を表す。)で表される1〜3級アルコールである請求項
1に記載の遊離砥粒スラリー組成物。
2. The compound having an alcoholic hydroxyl group is represented by the following structural formula (I): R 1 —OH (I) (R 1 is an alkyl group having 4 to 18 carbon atoms, an alkenyl group, an alkynyl group, an alkyl group) The free abrasive slurry composition according to claim 1, which is a primary to tertiary alcohol represented by an aryl group or an aryl group.
【請求項3】 前記アルコール性水酸基を有する化合物
が構造式(II) 【化2】R2O−(Cn2n+1O)mH (II) (R2は炭素数が1〜18のアルキル基、アルケニル
基、アルキニル基、アルキルアリール基又はアリール
基、nは2〜4、mは1〜4を表す。)で表されるポリ
オキシアルキレンモノエーテル化合物である請求項1に
記載の遊離砥粒スラリー組成物。
3. The compound having an alcoholic hydroxyl group is represented by the formula (II): ## STR2 ## R 2 O— (C n H 2n + 1 O) m H (II) (where R 2 has 1 to 18 carbon atoms) The alkyl group, the alkenyl group, the alkynyl group, the alkylaryl group or the aryl group, wherein n represents 2 to 4 and m represents 1 to 4). Free abrasive slurry composition.
【請求項4】 前記アルコール性水酸基を有する化合物
が構造式(III) 【化3】R3COO−(Cn2n+1O)mH (III) (R3は炭素数が1〜18のアルキル基、nは2〜4、
mは1〜4を表す。)で表されるポリオキシアルキレン
モノエステル化合物である請求項1に記載の遊離砥粒ス
ラリー組成物。
4. The compound having an alcoholic hydroxyl group is represented by the structural formula (III): ## STR3 ## R 3 COO— (C n H 2n + 1 O) m H (III) (where R 3 has 1 to 18 carbon atoms) Wherein n is 2 to 4,
m represents 1-4. The free abrasive slurry composition according to claim 1, which is a polyoxyalkylene monoester compound represented by the formula:
【請求項5】 薄膜型磁気ヘッドのエアベアリング面と
なる面の研磨加工を行う工程を含む薄膜型磁気へッドの
製造方法であって、前記研磨加工が請求項1〜4のいず
れか一項に記載の遊離砥粒スラリー組成物を用いる薄膜
型磁気へッドの研磨方法。
5. A method for manufacturing a thin-film magnetic head, comprising a step of polishing a surface serving as an air bearing surface of a thin-film magnetic head, wherein the polishing is performed by any one of claims 1 to 4. 13. A method for polishing a thin-film magnetic head using the free abrasive grain slurry composition described in the above section.
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