JP2001028347A

JP2001028347A - 半導体装置の作製方法

Info

Publication number: JP2001028347A
Application number: JP2000191913A
Authority: JP
Inventors: Hideto Onuma; 英人大沼; Nobuhiro Tanaka; 信洋田中; Hiroki Adachi; 広樹安達
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 2000-01-01
Filing date: 2000-06-26
Publication date: 2001-01-30

Abstract

(57)【要約】【課題】レーザーアニールによってシリコン被膜の結晶
化、活性化を行うための最適な条件を提供する。【解決手段】平坦度が０．１μｍ以下である絶縁膜上に
CVD法により半導体膜を形成し、前記半導体膜を第１の
方向に移動させながらレーザー光を照射し、前記レーザ
ー光は、前記第１の方向に垂直な第２の方向に長い断面
を有し、前記絶縁膜のことを特徴とする半導体装置の作
製方法である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、信頼性および量産性に
優れ、ばらつきが小さく、歩留りの高いレーアーアニー
ル方法に関する。特に、本発明は、シリコン皮膜のアニ
ール方法に関し、非晶質もしくは非晶質に近い状態を結
晶化せしめる工程、もしくはイオン照射、イオン注入、
イオンドーピング等によってダメージを受け、結晶性が
著しく損なわれたシリコン被膜の活性化の工程に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体素子プロセスの低温化に関
して盛んに研究が進められている。その理由の１つは、
ガラス等の絶縁基板上に半導体素子を形成する必要が生
じたからである。レーザーアニール技術は究極の低温プ
ロセスと注目されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来、
レーザーアニールの条件等については、各装置や被膜の
条件によって異なるものとして、十分な検討がおこなわ
れなかった。その結果、レーザーアニール技術は非常に
ばらつきが大きくて、到底実用化には到らないというコ
ンセンサスができていた。本発明の目的は、このような
従来には認知されていなかった条件を提示し、よって、
レーザーアニールによって再現性のよい結果を得ること
である。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明者は、特に初期状
態から、または、イオン照射、イオン注入、イオンドー
ピング等のダメージによって、被膜がアモルファス、あ
るいはそれに類した非常に結晶性の悪化した状態で、半
導体としても十分な特性の示せないないような被膜を結
晶化、活性化せしめる目的でレーザーアニールの条件の
最適化を探していたが、その際には、レーザー光のエネ
ルギーの条件ばかりではなく、パルスの幅や波長によっ
ても最適な条件が変動することを発見した。

【０００５】本発明では、活性化されるべき被膜は主と
してシリコンから構成される被膜で、その膜厚は２μｍ
以下である。これらの被膜をレーザーアニールする際に
は、透光性を考慮して４００ｎｍ以下の短い波長のレー
ザーを使用するとよいことが知られている。

【０００６】例えば、一般にレーザーのエネルギー密度
が高ければ活性化が十分におこなわれ、シート抵抗が低
下するものと考えられている。しかし、実際には、レー
ザー光に対する吸収特性やレーザーの不安定性のため
に、再現の良い結果が得られなかった。

【０００７】本発明人は最適な条件を求めている際に、
レーザーのパルス幅が重要であることを見いだした。す
なわち、５０ｎｓｅｃ以下のパルス幅では、極めて再現
性が悪かった。これは、レーザーのエネルギーが５％程
度変動することを差し引いても説明できないものであっ
た。この事実についてはまだ、完全に説明できているわ
けではないが、本発明人は、詳細な検討の結果、瞬間的
に高エネルギーのレーザーが照射されて結晶化が進行す
る際に、欠陥が無秩序に発生しているためであろうとい
う結論に達した。このような欠陥は、均等に存在するも
のではなく、欠陥が生じると、それがさらなる欠陥の発
生源となるのであろうと推定した。この仮定を立証する
ために、レーザーのパルス幅を様々に変化させて実験を
おこなったところ、パルス幅が５０ｎｓｅｃ以上、好ま
しくは１００ｎｓｅｃ以上であれば極めて良好な結果が
得られることが明らかになった。

【０００８】また、レーザーアニールの際には、被膜が
大気中に露出しているのではなく、厚さ１０〜１００ｎ
ｍの透明な被膜によって覆われていることや減圧状態で
あるとより好ましい結果をもたらすことを見出した。

【０００９】また、レーザーアニールの効果は不純物の
種類によっても変動することがわかった。すなわち、不
純物の種類によってレーザー光の吸収係数が異なるから
である。上記の波長（４００ｎｍ以下）では、不純物と
しては、燐やホウ素、砒素が適当であることがわかっ
た。もちろん、このことから他の不純物の使用が適さな
いという訳ではない。

【００１０】さらにレーザー光の照射は基板の裏面から
でも上面からでもよい。ただし、裏面からレーザー照射
をおこなう場合には基板材料がレーザー光を透過するこ
とが必要である。

【００１１】本発明を実施するための装置とその操作方
法の例を図１に示す。図１は概念的なものであるので、
当然のことながら、実際の装置においては、必要に応じ
てその他の部品を具備することがある。以下、その使用
方法について概説する。

【００１２】図１において、試料１４は試料ホルダー１
５上に設置される。最初に、チャンバー１１は排気装置
に接続した排気系１７によって真空排気される。この場
合には、できるだけ高真空に排気することが望まれる。
すなわち、大気成分である炭素や窒素、酸素は半導体に
とっては一般に好ましくないからである。このような元
素は、半導体中に取り込まれるが、同時に添加された不
純物の活性度を低下させることがある。また、半導体の
結晶性を損ない、粒界における不対結合手の原因とな
る。したがって、１０^-6ｔｏｒｒ以下、好ましくは１０
^-8ｔｏｒｒ以下にまでチャンバー内を真空引きすること
が望まれる。

【００１３】また、排気と前後してヒーター１６を作動
させ、チャンバー内部に吸着した大気成分を追い出すこ
とも望ましい。現在の真空装置において使用されている
ように、チャンバー以外に予備室を設け、チャンバーが
直接、大気に触れないような構造とすることも望まし
い。当然のことながら、ロータリーポンプや油拡散ポン
プに比べて、炭素等の汚染の少ないターボ分子ポンプや
クライオポンプを用いることが望ましい。

【００１４】次に窓１２を通して、レーザー光１３が試
料に照射される。このとき、試料はヒーターによって、
一定の温度に加熱されている。レーザー光は、１か所に
付き通常５〜５０パルス程度照射される。レーザーパル
スのエネルギーのばらつきが非常に大きく、かつ、パル
ス数がすくない場合には不良発生の確率が大きい。一
方、あまりにも多くのパルスを１か所に照射することは
量産性（スループット）の面から望ましくない。本発明
人の知見では、上記のパルス数が量産性からも、歩留り
の点からも妥当であった。

【００１５】この場合、例えばレーザーのパルスが１０
ｍｍ（ｘ方向）×３０ｍｍ（ｙ方向）の特定の長方形の
形状をしていた場合に、同じ領域にレーザーパルスを１
０パルスを照射し、終了後は、次の部分に移動するとい
う方法でもよいが、レーザーを１パルスにつき、ｘ方向
に１ｍｍづつ移動させていってもよい。レーザー光の形
状に関しては、図２に示すような長方形のもので、図２
に示すように、基板上を上下左右に移動させる形式のも
のであってもよい。

【００１６】レーザー照射が終了したら、チャンバー内
を真空排気し、試料を室温まで冷却して、試料を取り出
す。このように、本発明では、ドーピングの工程は極め
て簡単であり、かつ、高速である。

【００１７】

【実施例】〔実施例１〕図３には本発明のドーピング
処置装置の様子を示す。すなわち、チャンバー３１に
は、無水石英ガラス製のスリット状の窓３２が設けられ
ている。レーザー光は、この窓に合わせて細長い形状に
成形される。レーザーのビームは、例えば１０ｍｍ×３
００ｍｍの長方形とした。なおレーザー光の位置は固定
されている。チャンバーには、排気系３７、およびパッ
シベーションガスを導入するためのガス系３８が接続さ
れている。また、チャンバー内には試料ホルダー３５が
設けられ、その上には試料３４が乗せられ、試料ホルダ
ーの下には赤外線ランプ（ヒーターとして機能する）３
６が設けられている。試料ホルダーは可動であり、試料
をレーザーのショットに合わせて移動することができ
る。

【００１８】このように、試料の移動のための機構がチ
ャンバー内に組み込まれている際には、ヒーターによる
試料ホルダーの熱膨張によって狂いが生じるので、温度
制御には細心の注意が必要である。また、試料移送機構
によってホコリが生じるので、チャンバー内のメンテナ
ンスは面倒である。

【００１９】〔実施例２〕図４（Ａ）には本発明のド
ーピング処置装置の様子を示す。すなわち、チャンバー
４０には、無水石英ガラス製の窓４１が設けられてい
る。この窓は実施例３の場合と異なり、試料４３全面を
覆うだけの広いものである。チャンバーには、排気系４
５、およびパッシベーションガスを導入するためのガス
系４６が接続されている。また、チャンバー内には試料
ホルダー４４が設けられ、その上には試料４３が乗せら
れ、試料ホルダーはヒーターが内蔵されている。試料ホ
ルダーはチャンバーに固定されている。チャンバーの下
部にはチャンバーの台４０ａが設けられており、レーザ
ーのパルスに合わせて、チャンバー全体を移動させるこ
とによって、逐次、レーザー照射をおこなう。レーザー
のビームは、実施例１の場合と同じく、細長い形状であ
る。例えば、５ｍｍ×１００ｍｍの長方形とした。実施
例１と同様、レーザー光の位置は固定されている。本実
施例では、実施例１と異なり、チャンバー全体が移動す
る機構を採用する。したがって、チャンバー内には機械
部分が存在せず、ホコリ等が生じないのでメンテナンス
が容易である。また、移送機構が、ヒーターの熱の影響
を受けることは少ない。

【００２０】本実施例では、実施例１に比べて上記のよ
うな点で優れているだけでなく、以下のような点でも優
れている。すなわち、実施例１の方式では、試料をチャ
ンバーに入れてから、十分な真空度まで真空排気できる
までレーザー放射をおこなえなかった。すなわちデッド
タイムが多かった。しかし、本実施例では、図４（Ａ）
のようなチャンバーを多数用意し、それぞれ、順次、試
料装填、真空排気、レーザー照射、試料取り出し、とい
うように回転させてゆけば、上記のようなデッドタイム
は生じない。そのようなシステムを図４（Ｂ）に示し
た。

【００２１】すなわち、未処理の試料を内蔵したチャン
バー４０Ａ、４０Ｂは、排気工程の間に連続的な搬送機
構５０Ａによって、精密な移動がおこなえるステージを
有する架台５０Ｂに向かう。ステージ上のチャンバー４
０Ｃには、レーザー装置４７から放射され、適当な光学
装置４８、４９で加工されたレーザー光が窓を通して中
の試料に照射される。ステージを動かすことによって、
必要なレーザー照射がおこなわれたチャンバー４０Ｃ
は、再び、連続的な搬送機構５０Ｃによって次の段階に
送られ、その間にチャンバー内のヒーターは消灯し、排
気され、十分温度が下がってから、試料が取り出され
る。

【００２２】このように、本実施例では連続的な処理が
おこなえることによって、排気待ちの時間を削減するこ
とができ、スループットを向上させられる。もちろん、
本実施例の場合には、スループットは向上するけれど
も、その分、実施例１の場合よりチャンバーを多く必要
とするので、量産規模や投資規模を考慮して実施すべき
である。

【００２３】〔実施例３〕本実施例は、ガラス基板上
に設けられたＮＴＦＴの作製に本発明の構成であるドー
ピング方を適用した例である。本実施例においては、基
板としてガラス基板また石英基板を用いた。まず、基板
であるガラス５１上にＳｉＯ₂膜を下地保護膜５２とし
て形成し、つぎに、プラズマＣＶＤ法によって実質的に
真性の水素化非晶質珪素半導体層５３を１００ｎｍの厚
さに形成する。つぎに、デバイス分離パターニングを行
った。そして、試料を真空中（１０^-6Torr以下）で、４
５０度、１時間加熱し、水素出しを徹底的に行い、膜中
のダングリングボンドを高密度で生成させた。その後、
ＲＦスパッタ法を用いてＳｉＯ₂膜５４を１００ｎｍ成
膜し、図５（Ａ）の形状を得た。そして、チャネルの部
分にのみ、酸化珪素マスク５４Ａを残置せしめた。そし
て、イオンドーピング法によって燐イオンを珪素膜中に
導入し、Ｎ型不純物領域５５Ａおよび５５Ｂを形成し
た。ただし、酸化珪素マスク５４Ａが存在するため、そ
の下部には燐は注入されない。

【００２４】ここで、図３に示す装置を用いて本発明の
構成であるレーザー光による不純物の活性化を行う。図
３に示す装置において、１０^-2ｔｏｒｒ以下の雰囲気下
で、試料（図５（Ｂ）の形状を有している）を加熱し、
レーザー光を照射してレーザーアニール（活性化）を行
った。レーザーとしては、ＸｅＦレーザー（波長３５０
ｎｍ、パルス幅７０ｎｓｅｃ）を使用した。この時、ソ
ース，ドレイン領域（図に示す５５Ａ、５５Ｂ）には燐
が活性化されるのでＮ型化すると同時に、チャネル形成
領域（図に示す５３Ａ）も酸化珪素マスク５４Ａがレー
ザーを透過し、結晶化する。

【００２５】上記ソース，ドレイン領域形成の後、酸化
珪素マスク５４Ａ（そのままゲイト酸化膜として使用さ
れる）上にゲイト電極５６を形成し、さらに、層間絶縁
膜としてＳｉＯ₂膜５７を１００ｎｍの厚さに成膜し、
コンタクト用の穴開けパターニングを行い、さらに電極
となるアルミを蒸着してソース電極５８Ａとドレイン電
極５８Ｂを形成し、さらに水素雰囲気中において３５０
度の温度で水素熱アニールを行うことによって、図５
（Ｃ）に示すように、ＮＴＦＴを完成した。

【００２６】本実施例では、セルフアライン的なソー
ス、ドレインの形成はできないが、レーザー結晶化と活
性化が同時におこなえ、また、ソースとチャネル形成領
域、ドレインとチャネル形成領域の接合部が連続的であ
るので、特性が良く、また、長期の信頼性に優れるもの
であった。

【００２７】〔実施例４〕図６を用いて、本発明を用
いた絶縁基板上の多層集積回路の作製実施例を説明す
る。本実施例では基板６１としてコーニング社の７０５
９番ガラス基板を使用した。基板は直径２インチの円形
とし、その厚さは１．１ｍｍであった。基板はこの他に
も様々な種類のものを使用することができるが、半導体
被膜中にナトリウム等の可動イオンが侵入しないように
基板に応じて対処しなければならない。理想的な基板は
アルカリ濃度の小さい合成石英基板であるが、コスト的
に利用することが難しい場合には、市販の低アルカリガ
ラスもしくは無アルカリカラスを使用することとなる。
本実施例では、基板６１上にはスパッタ法によって、厚
さ２０〜１０００ｎｍ、例えば５０ｎｍの酸化珪素膜６
２を形成した。被膜６２の膜厚は、可動イオンの侵入の
程度、あるいは活性層への影響の程度に応じて設計され
る。

【００２８】これらの皮膜の形成には、上記のようなス
パッタ法だけでなく、プラズマＣＶＤ法等の方法によっ
て形成してもよい。特にＴＥＯＳを利用してもよい。こ
の手段の選択は投資規模や量産性等を考慮して決定すれ
ばよい。

【００２９】その後、減圧ＣＶＤ法によって、モノシラ
ンを原料として、厚さ２０〜２００ｎｍ、例えば１００
ｎｍのアモルファスシリコン膜を形成した。基板温度は
５２０〜５６０℃、例えば５５０℃とした。このように
して得られたアモルファスシリコン膜を、６００℃で２
４時間熱アニールした。その結果、いわゆるセミアモル
ファスシリコンと言われる結晶性シリコンを得た。

【００３０】さて、アモルファスシリコン膜を熱アニー
ルによって、結晶性シリコン膜としたのち、これを適当
なパターンにエッチングして、島状半導体領域６３を形
成した。その後、酸素雰囲気中での酸化珪素をターゲッ
トとするスパッタ法によって、ゲイト絶縁膜（酸化珪
素）６４を厚さ５０〜３００ｎｍ、例えば１００ｎｍだ
け形成した。この厚さは、ＴＦＴの動作条件等によって
決定される。

【００３１】次にスパッタ法によって、アルミニウム皮
膜を厚さ５００ｎｍだけ形成し、これを混酸（５％の硝
酸を添加した燐酸溶液）によってパターニングし、ゲイ
ト電極・配線６５を形成した。エッチングレートは、エ
ッチングの温度を４０℃としたときに２２５ｎｍ／分で
あった。このようにして、ＴＦＴの外形を整えた。この
ときのチャネルの大きさは、いずれも長さ８μｍ、幅２
０μｍとした。

【００３２】さらに、陽極酸化法によってアルミニウム
配線の表面に酸化アルミニウムを形成した。陽極酸化の
方法としては、本発明人等の発明である特願平３−２３
１１８８もしくは特願平３−２３８７１３に記述される
方法を用いた。詳細な実施の様態については、目的とす
る素子の特性やプロセス条件、投資規模等によって変更
を加えればよい。本実施例では、陽極酸化によって、厚
さ２５０ｎｍの酸化アルミニウム被膜を形成した。

【００３３】その後、ゲイト酸化膜を通したイオン注入
法によって、Ｎ型ソース／ドレイン領域６６を形成し
た。不純物濃度は８×１０¹⁹ｃｍ^-3となるようにした。
イオン源としては、リンイオンを用い、加速電圧８０ｋ
ｅＶで注入した。加速電圧はゲイト酸化膜の厚さや半導
体領域６３の厚さを考慮して設定される。イオン注入法
のかわりに、イオンドーピング法を用いてもよい。イオ
ン注入法では注入されるイオンは質量によって分離され
るので、不必要なイオンは注入されることがないが、イ
オン注入装置で処理できる基板の大きさは限定される。
一方、イオンドーピング法では、比較的大きな基板（例
えば対角３０インチ以上）も処理する能力を有するが、
水素イオンやその他不必要なイオンまで同時に加速され
て注入されるので、基板が加熱されやすい。

【００３４】このようにして、オフセット領域を有する
ＴＦＴが作製された。さらに、レーザーアニール法によ
って、ゲイト電極部をマスクとしてソース／ドレイン領
域の再結晶化をおこなった。レーザーは、キセノンラン
プ励起のＮｄ：ＹＡＧレーザーの第４高調波（波長２６
５ｎｍ、パルス幅１５０ｎｓｅｃ）を使用した。エネル
ギー密度は２５０ｍＪ／ｃｍ²とし、ショット数は１０
ショットとした。そして層間絶縁物６７として、酸化珪
素をＲＦプラズマＣＶＤ法で形成した。この様子を図６
（Ａ）に示す。

【００３５】なお、レーザー照射の際に、基板を３００
〜４００℃、例えば３５０℃に加熱しておくと、再現性
よく、高移動度のシリコン膜が得られた。例えば、基板
を３５０℃に加熱してレーザーを照射した場合には、シ
リコン膜の電子移動度は、平均値が８０ｃｍ²／Ｖｓ
で、７０〜９０ｃｍ²／Ｖｓの範囲に８０％が存在した
のに対し、基板温度を室温として、レーザーを照射した
場合には平均値が６０ｃｍ²／Ｖｓで、５０〜７０ｃｍ
²／Ｖｓの範囲には、４０％しか存在しなかった。この
ように、基板温度を適当な温度に保つことによって信頼
性を高めることができた。

【００３６】その後、層間絶縁物６７とゲイト絶縁膜６
４にコンタクトホールを形成し、スパッタ法によってア
ルミニウム膜を厚さ２５０〜1000nm、例えば５００ｎｍ
形成し、これをパターニングして第１の集積回路層の配
線６８を形成した。そして、スピンコーティング法によ
って、ポリイミド原料（例えば東レ製セミコファイン）
を塗布し、これを４５０〜５５０℃で縮合させて、ポリ
イミド膜６９を厚さ０．５〜５μｍ、例えば３μｍ形成
した。その平坦度は、２インチウェファー内で０．１μ
ｍ以内となるようにした。ここまでの状態を図６（Ｂ）
に示す。

【００３７】その後、プラズマＣＶＤ法によって、基板
温度３００〜４００℃、例えば３２０℃でアモルファス
シリコン膜を堆積し、さらに、これを島状にパターニン
グした後、ゲイト酸化膜として、酸化膜６４と同じ条件
で酸化珪素膜７１を形成した。さらに、この状態で前記
レーザー光を照射して、島状半導体領域７０を結晶化し
た。この様子を図６（Ｃ）に示す。

【００３８】本実施例では、レーザーの照射にあたって
は、本実施例では、ソース／ドレイン６６の活性化や半
導体領域７０の結晶化においては、２インチウェファー
を図２に示すように３２分割し、番号の順番に、ほぼ正
方形のレーザー光（図の斜線部）を順番に照射した。レ
ーザーアニールは、熱アニールに比べて生産性が低いよ
うに思われるかもしれないが、本実施例で用いたＹＡＧ
レーザーの繰り返し周波数は２００Ｈｚであり、ウェフ
ァー上の１か所の処理に要する時間は、０．１秒であ
る。したがって、ウェファーが移動する時間を考慮して
も、１枚のウェファーを処理する時間は１０秒弱であ
り、ウェファーの自動搬送をおこなえば、１時間に２０
０枚以上のウェファーを処理することが出来る。

【００３９】ウェファーを大きくすることや、レーザー
の出力を大きくすることは、ウェファーの差換えを省略
し、また、レーザービームの面積を大きくすることが可
能で処理時間のさらなる短縮を可能とする。

【００４０】その後、第１の集積回路層と同じように、
アルミニウム（陽極酸化膜で覆われている）でゲイト配
線・電極７２を形成したのち、ボロンイオンの打ち込み
とレーザーアニールによってソース／ドレイン７３を形
成し、さらにスパッタ法によって酸化珪素膜７４を堆積
してこれを層間絶縁物とした。この様子を図６（Ｄ）に
示す。

【００４１】ついで、層間絶縁物（酸化珪素）７４、ゲ
イト絶縁膜（酸化珪素）７１、層間絶縁物（ポリイミ
ド）６９を貫通して、コンタクトホール７５を形成した
（図６（Ｅ））。コンタクトホールの直径は、ポリイミ
ド層間絶縁物の厚さの２倍の６μｍとした。そして、ス
パッタ法によってアルミニウム被膜を厚さ２５０〜３０
００ｎｍ、例えば１５００ｎｍだけ形成し、コンタクト
ホールを完全に埋めてから、異方性エッチングによっ
て、１０００ｎｍだけエッチングした。その後、このア
ルミニウム膜をパターニングして、配線７６を形成し
た。この際、アルミニウムの膜厚が小さいと、コンタク
トホールにおいて、断線をおこしてしまうので注意が必
要である。

【００４２】このようにして、図６（Ｆ）に示すような
２層集積回路を形成することができた。さらに多層の集
積回路を形成するには、以上の操作を繰り返せばよい。

【００４３】〔実施例５〕図７に本実施例を示す。本
実施例は、本発明を利用してＣＭＯＳ回路を作製したも
のである。まず、石英基板８０上に、スパッタ法によっ
て下地酸化膜８１を厚さ２０〜２００ｎｍ堆積した。さ
らに、その上にモノシランもしくはジシランを原料とす
るプラズマＣＶＤ法もしくは減圧ＣＶＤ法によって、ア
モルファスシリコン膜８２を厚さ１５０〜２５０ｎｍ堆
積した。このときには、アモルファスシリコン膜中の酸
素および窒素の濃度は１０¹⁸ｃｍ^-2以下、好ましくは１
０¹⁷ｃｍ^-2以下とする。この目的には減圧ＣＶＤ法が適
している。本実施例では、酸素濃度は１０¹⁷ｃｍ^-2以下
とした。

【００４４】そして、保護膜８３（酸化珪素膜、厚さ５
０〜１５０ｎｍ）を設け、アルゴンもしくは窒素の雰囲
気下で６００℃で４〜１００時間アニールをおこなっ
て、結晶化させた。この様子を図７（Ａ）に示す。

【００４５】その後、これらのＳｉ膜を島状にパターニ
ングし、図７（Ｂ）のように、ＰＭＯＳ領域８４ＡとＮ
ＭＯＳ領域８４Ｂを形成した。さらに、これらの島状領
域を覆って、スパッタ法によって酸化珪素膜（厚さ５０
〜１５０ｎｍ）を形成し、これをゲイト絶縁膜８５とし
た。その後、厚さ２００ｎｍ〜５μｍのアルミニウム膜
をスパッタ法によって形成して、これをパターニング
し、さらにこれに電解溶液中で通電して、膜の上面およ
び側面に陽極酸化膜を形成させた。以上の工程によって
各島状領域にゲイト電極部８６Ａ、８６Ｂを形成した。

【００４６】その後、イオンドーピング法によって、各
ＴＦＴの島状シリコン膜中に、ゲイト電極部をマスクと
して自己整合的に不純物を注入した。この際には、最初
に全面にフォスフィン（ＰＨ₃）をドーピングガスとし
て燐を注入し、その後、図の島状領域８４Ｂのみをフォ
トレジストで覆って、ジボラン（Ｂ₂Ｈ₆）をドーピン
グガスとして、島状領域８４Ａに硼素を注入した。ドー
ズ量は、燐は２〜８×１０¹⁵ｃｍ^-2、硼素は４〜１０×
１０¹⁵ｃｍ^-2とし、硼素のドーズ量が燐を上回るように
設定した。

【００４７】ドーピング工程によって、シリコン膜の結
晶性が破壊されたために本発明によるレーザーアニール
によって、その活性化をおこなった。活性化は図３に示
す装置を用いておこなった。図３に示す装置において、
１０^-2ｔｏｒｒ以下の雰囲気下で、試料（図５（Ｂ）の
形状を有している）を加熱し、レーザー光を照射してレ
ーザーアニール（活性化）を行った。レーザーとして
は、ＸｅＦレーザー（波長３５０ｎｍ、パルス幅７０ｎ
ｓｅｃ）を使用した。通常はレーザー光は上面から照射
されるが、本実施例では裏面から照射した。このような
裏面照射の場合には基板材料がレーザー光を透過するも
のとしなければならない。この時、ソース，ドレイン領
域（図に示す８７Ａ、８７Ｂ）にはレーザー照射によっ
て活性化すると同時に、チャネル形成領域にもレーザー
光が照射される。そのため、チャネル形成領域とソース
／ドレインの結晶性が境界においても連続的となり、信
頼性の向上に寄与する。

【００４８】以上の工程によって、Ｐ型の領域８７Ａ、
およびＮ型の領域８７Ｂが形成された。これらの領域の
シート抵抗は２００〜８００Ω／□であった。その後、
全面に層間絶縁物８８として、スパッタ法によって酸化
珪素膜を厚さ３００〜１０００ｎｍ形成した。これは、
プラズマＣＶＤ法による酸化珪素膜であってもよい。特
に、ＴＥＯＳを原料とするプラズマＣＶＤ法ではステッ
プカバレージの良好な酸化珪素膜が得られる。

【００４９】その後、ＴＦＴのソース／ドレイン（不純
物領域）にコンタクトホールを形成し、アルミ配線８９
Ａ〜８９Ｄを形成した。最後に、水素中で２５０〜３５
０℃で２時間アニールして、シリコン膜のダングリング
ボンドを減らした。以上の工程によって得られたＴＦＴ
の典型的な移動度はＰＭＯＳ、ＮＭＯＳとも６０ｃｍ ²
／Ｖｓであった。

【００５０】

【発明の効果】本発明によって最適なレーザーアニール
をおこない、よって、ばらつきが少なく信頼性の高い半
導体膜を得ること、および信頼性の高い半導体素子を形
成することができた。このように本発明は工業上、有益
なものと考えられる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を実施するためのレーザーアニール装置
の概念図を示す。

【図２】本発明におけるレーザー処理の手順を示す。

【図３】実施例で使用されたレーザーアニール装置の例
を示す。

【図４】実施例で使用されたレーザーアニール装置の例
を示す。

【図５】実施例におけるＴＦＴの作製工程を示す。

【図６】実施例におけるＴＦＴの作製工程を示す。

【図７】実施例におけるＴＦＴの作製工程を示す。

【符号の説明】

１光学架台２レーザー装置（発振段）３レーザー装置（増幅段）４ビーム成形光学系５〜９全反射ミラー１０試料ステージおよび駆動機構１１試料（ガラス基板）

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成１２年７月２６日（２０００．７．２
６）

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】請求項１

【補正方法】変更

【補正内容】

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｌ 29/78 ６２７Ｇ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】平坦度が０．１μｍ以下である絶縁膜上に
CVD法により半導体膜を形成し、前記半導体膜を第１の方向に移動させながらレーザー光
を照射し、前記レーザー光は、前記第１の方向に垂直な第２の方向
に長い断面を有し、前記絶縁膜のことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】平坦度が０．１μｍ以下である第１の絶縁
膜上に半導体膜を形成し、前記半導体膜上に第２の絶縁膜を形成し、前記第２の絶縁膜を通して前記半導体膜上にレーザー光
を照射し、前記レーザー光は、前記第１の方向に垂直な第２の方向
に長い断面を有することを特徴とする半導体装置の作製
方法。
【請求項３】請求項２において、前記半導体膜を大気にさらさないために、前記第２の絶
縁膜は厚さが１０〜１００ｎｍであることを特徴とする
半導体装置の作製方法。
【請求項４】請求項２において、前記第２の絶縁膜は、酸化珪素膜であることを特徴とす
る半導体装置の作製方法。
【請求項５】基板上方にポリイミド膜を有し、前記ポリイミド膜上に半導体膜を形成し、前記半導体膜を第１の方向に移動させながらレーザー光
を照射することにより、前記半導体膜をアニールし、前記レーザー光は、前記第１の方向に垂直な第２の方向
に長い断面を有することを特徴とする半導体装置の作製
方法。
【請求項６】基板上方に第１の半導体膜を形成し、前記第１の半導体膜上方に絶縁膜を形成し、前記絶縁膜上に第２の半導体膜を形成し、前記第２の半導体膜に第１の方向に移動させながらレー
ザー光を照射することにより、結晶化させる半導体装置
の作製方法であって、前記レーザー光は、前記第１の方向に垂直な第２の方向
に長い断面を有することを特徴とする半導体装置の作製
方法。
【請求項７】請求項１、２又は３において、前記半導体膜は、アモルファスシリコン膜であることを
特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】請求項１、２又は３において、前記レーザー光を照射することにより、前記半導体膜を
結晶化させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】請求項１、２又は３において、前記半導体膜は、燐、硼素が注入されており、前記レーザー光を照射することにより、前記燐及び硼素
を活性化させることを特徴とする半導体装置の作製方
法。
【請求項１０】請求項１乃至４のいずれか一項におい
て、前記レーザー光の照射は、１０^-6ｔｏｒｒ以下の雰囲気
で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】請求項１又は２において、前記基板とはガラス基板であることを特徴とする半導体
装置の作製方法。
【請求項１２】請求項１又は２において、前記基板とは石英基板であることを特徴とする半導体装
置の作製方法。
【請求項１３】請求項１又は２において、前記絶縁膜は、ポリイミドでなることを特徴とする半導
体装置の作製方法。
【請求項１４】請求項５又は６において、前記ポリイミド膜の平坦度は、０．１μｍ以下であるこ
とを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】請求項６において、前記第１の半導体膜と前記第２の半導体膜とは、アモル
ファスシリコン膜であることを特徴とする半導体装置の
作製方法。
【請求項１６】請求項６において、前記第１の半導体膜と前記第２の半導体膜とは、燐、硼
素又は砒素が注入されていることを特徴とする半導体装
置の作製方法。
【請求項１７】請求項６において、前記レーザー光を照射する前に、前記第２の半導体膜上
に絶縁膜が形成されることを特徴とする半導体装置の作
製方法。