JP2001025165A - Power supply unit for vehicle and intensively wired apparatus - Google Patents

Power supply unit for vehicle and intensively wired apparatus

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JP2001025165A
JP2001025165A JP11191207A JP19120799A JP2001025165A JP 2001025165 A JP2001025165 A JP 2001025165A JP 11191207 A JP11191207 A JP 11191207A JP 19120799 A JP19120799 A JP 19120799A JP 2001025165 A JP2001025165 A JP 2001025165A
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祐一 倉持
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent abnormalities in short circuit in a power supply line in advance by discriminating whether a circuit breaker is turned on, based on an electric signal an abnormality detection means outputs if abnormality occurs in a load or a power semiconductor element. SOLUTION: A control signal from a control circuit 170 turns on and off a semiconductor switching element 115, to control the current passing through the coil of a relay 111 and turns on and off the contact of the relay 111. At this time, by preventing reverse-current from passing through the coil of the relay 111 with a diode 113, the contact of the relay 111 is turned off to shut down the current passage of a load and prevents a load from coming into action, even when a battery 3 is in opposite contact. As a result the relay 111 can be controlled if no power supply is made due to breakage of power bus, so that shutting down and connecting of a load power supply shutdown circuit 110a are conducted.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、乗物に搭載された
複数の電気負荷に乗物に搭載された電源から電力を供給
するための乗物の電源供給装置に係り、特に自動車に好
適な電力供給装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a vehicle power supply device for supplying power from a power source mounted on a vehicle to a plurality of electric loads mounted on the vehicle, and more particularly to a power supply device suitable for an automobile. About.

【0002】[0002]

【従来の技術】車両には、各種の電気負荷としての電装
品が装備されている。そして、例えば、自動車では、バ
ッテリや発電機などの電源装置からいくつもの電気負荷
に電力を供給するため、何本もの電源線ワイヤハーネス
が用いられている。そして、実際の車両に電源線(ワイ
ヤハーネス)を配線する場合は、配線作業性や故障時の
修理作業を考慮して、エンジンルーム,室内,トランク
ルーム,ドアなどの各エリア毎にワイヤハーネスを分割
してコネクタで接続する方法が用いられている。従って
コネクタによって複数に区画されたこれらのワイヤハー
ネスは、バッテリなどの電源装置から未端の負荷に至る
までにいくつかのコネクタを通して電力が供給される。
2. Description of the Related Art Vehicles are equipped with electric components as various electric loads. For example, in an automobile, a number of power supply wire harnesses are used to supply power to a number of electric loads from a power supply device such as a battery or a generator. When wiring a power supply line (wire harness) to an actual vehicle, the wiring harness is divided into areas such as the engine room, the room, the trunk room, and the door in consideration of wiring workability and repair work in case of failure. And a method of connecting with a connector. Accordingly, these wire harnesses partitioned by a plurality of connectors are supplied with electric power through several connectors from a power supply device such as a battery to an endless load.

【0003】また、このような車両の電力供給系では、
一般に片側アース給電方式、すなわち、電源からの給電
路の一方として、車両の車体の一部を利用する給電方式
が採用されており、このため、電源線が車体に触れただ
けでショート(短絡異常)になってしまう。そこで、従
来の車両の電力供給装置では、車両の所定の場所にヒュ
ーズボックスを設け電源装置から所定の負荷系統毎に過
電流保護用のヒューズ(可溶片)を設け、電源線がショ
ートしたとき、このヒューズの溶断により電源から切り
離して保護が得られるようにしている。
In such a vehicle power supply system,
Generally, a single-sided ground power supply system, that is, a power supply system that uses a part of the vehicle body as one of the power supply paths from the power supply, is employed. )Become. Therefore, in a conventional vehicle power supply device, a fuse box is provided at a predetermined location of the vehicle, and a fuse (fusible piece) for overcurrent protection is provided from a power supply device for each predetermined load system. The protection is obtained by disconnecting from the power supply by blowing the fuse.

【0004】そして、このヒューズは自動車のコンソー
ルボックスの下や、トランクルームの中等に設けたヒュ
ーズボックスにまとめて収納されている。
[0004] The fuses are collectively stored in a fuse box provided under a console box of an automobile or in a trunk room.

【0005】従って従来技術では、負荷によっては、非
常に長いワイヤハーネスで電源と接続されている。また
電源線が短絡故障した場合、ヒューズが溶断する前に電
源線が発煙しないよう、電源線の定格電流をヒューズの
溶断定格電流以上にしなければならず、結果として太い
電線を電源線に使用している。また、ワイヤハーネス途
中のコネクタの嵌合がゆるんで接触不良となったとき
も、負荷への電源供給が不安定になる。また、ワイヤハ
ーネスはトリム(内装)の内側に隠されて配線されるた
め、電源線の短絡異常箇所の特定や、コネクタ嵌合不十
分な場所の特定が難しいという問題もある。
Therefore, in the prior art, depending on the load, a very long wire harness is connected to the power supply. If the power supply line is short-circuited, the rated current of the power supply line must be greater than the rated current of the fuse so that the power supply line does not smoke before the fuse is blown. ing. Further, even when the connection of the connector in the middle of the wire harness is loosened and the contact becomes poor, the power supply to the load becomes unstable. In addition, since the wiring harness is hidden inside the trim (interior) and wired, there is also a problem that it is difficult to specify a short-circuit abnormal position of the power supply line or a position where the connector is insufficiently fitted.

【0006】このような課題に対して、特開平9−37482
号公報では、電力半導体素子に直列に電源保護素子を接
続した電源供給システムを提案している。
To solve such a problem, Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-37482
Japanese Patent Application Laid-Open Publication No. H11-216555 proposes a power supply system in which a power protection element is connected in series with a power semiconductor element.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来例では、負荷や電力半導体素子(スイッチング素子)
の保護が十分ではない。なぜなら、電源保護素子として
ヒューズが用いられており、溶断した場合取り換える必
要があり、作業性が悪い。また、電源保護素子の動作
(溶断)は、それ自体の固有値として与えられており、
判断能力を持たないため、回路設計に自由度がない。
However, in this conventional example, a load and a power semiconductor element (switching element) are not provided.
Protection is not enough. This is because a fuse is used as a power supply protection element, and it is necessary to replace the fuse when it is blown, resulting in poor workability. In addition, the operation (fusing) of the power supply protection element is given as its own eigenvalue,
Since it has no judgment ability, there is no flexibility in circuit design.

【0008】本発明の目的は、更に負荷の異常(例えば
ショート)に対して能動的に保護動作し、信頼性の高い
電力供給装置を得るにある。
Another object of the present invention is to obtain a highly reliable power supply device that actively performs protection operation against a load abnormality (for example, short circuit).

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】上記の目的は、負荷若し
くは電力半導体素子の異常検出手段を設け、負荷若しく
は電力半導体素子の異常時に当該異常検出手段が出力す
る電気信号に基づいて電源と電気負荷との間の電源線路
に配置した電路遮断装置(例えばリレー,自己遮断スイ
ッチ素子)を遮断するか否かを判断することによって達
成される。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a load or power semiconductor element with an abnormality detecting means, and to provide a power supply and an electric load based on an electric signal output by the abnormality detecting means when the load or the power semiconductor element has an abnormality. This is achieved by determining whether or not to interrupt a circuit breaker (for example, a relay or a self-interrupting switch element) disposed on a power supply line between the power supply line and the power supply line.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】図1は本発明を適用した自動車の
システム全体図であり、本発明を構成する部品の配置を
示している。3はバッテリであり、バッテリの直近に配
置されたヒュージブルリンク4を介して車両全体に対し
て電源を供給する。パワートレインコントロールモジュ
ール(PCM)10は、エンジンの燃料噴射量や点火時
期の制御やスロットルバルブ開度の制御及びエンジント
ランスミッションの制御を行う。エンジン制御用のセン
サやアクチュエータが配置されたエンジンの近く(例え
ば吸気管外壁やサージタンクの外壁やエアクリーナ内部
等)に取付けられている。PCM10には、エアフロー
メータや水温センサ,クランン角センサなどのいくつか
のセンサや、インジェクタ9,点火装置,スロットルバ
ルブを開閉するスロットルモータ35などの電気負荷と
してのアクチュエータ群が接続されている。アンチロッ
クブレーキシステム(ABS)用のコントロールモジュ
ール11は、ABS用アクチュエータに隣接したエンジ
ンルームの後方に装着されている。エアコンディショナ
ーコントロールユニット(A/C)16は、A/C用温度
センサおよびアクチュエータの設置場所に近い助手席側
のダッシュボート近辺に配置される。エアバックコント
ロールモジュール(SDM)25は、センターコンソール
ボックス近辺に搭載されている。ボディコントロールモ
ジュール(BCM)14は、ステアリング近辺の表示デバ
イスやイグニッションキースイッチ26,ハザードスイ
ッチ27,ウィンカスイッチ,ワイパスイッチなどが接
続され、ダッシュボード近辺に設置される。各モジュー
ルには少なくとも演算処理装置(CPU)、および他のモ
ジュールとの間でデータ通信を行うための通信回路(通
信IC)を有している。各モジュールはそれぞれのモジ
ュールに接続されるセンサや電気負荷等のデバイスの近
くに設置されており、これにより各モジュールと接続さ
れるデバイスとの間のハーネス長は短くなる。FRONT IN
TEGRATION MODULE(FIM)5はヘッドランプ1,6やタ
ーンシグナルランプ2a,2b(左),7a,7b(右)
に隣接したエンジンルームの前方に配置されており、前
記ヘッドランプ1,6やターンシグナルランプ2a,2
b,7a,7bや近くに装着されているホーン8などを
駆動するように接続されている。DRIVER DOOR MODULE
(DDM)18,PASSENGER DOOR MODULE(PDM)20
は、それぞれ運転席側,助手席側のドアに搭載されてお
り、ドアロックモータ19,21,パワーウィンドウモ
ータ,ドアロックSW,パワーウィンドウSW,電動ミ
ラーモータ(以上図示せず)などが接続されている。RE
AR INTEGRATION MODULE(RIM)29は、テールランプ
32,33やターンシグナルランプ31,34に隣接し
たトランクルームの前方に配置されており、前記テール
ランプ32,33やターンシグナルランプ31,34の
他、トランクオープナ用モータ,リアデフォッガや後席
のドアロックモータ23,28,パワーウィンドウモー
タ,ドアロックSW,パワーウィンドウSWなどを駆動
するように接続されている。前記FIM5,RIM2
9,DDM18,PDM20にはそれぞれ他のモジュー
ルとの間でデータの授受を行うための通信回路を有す
る。また、センサ,スイッチ類や外部電気負荷等のデバ
イスが接続されている入出力インターフェースと、更に
電気負荷への制御信号を演算する演算処理装置(CP
U)を有している。
FIG. 1 is an overall view of an automobile system to which the present invention is applied, and shows an arrangement of parts constituting the present invention. Reference numeral 3 denotes a battery, which supplies power to the entire vehicle via a fusible link 4 disposed in the immediate vicinity of the battery. The powertrain control module (PCM) 10 controls the fuel injection amount and ignition timing of the engine, controls the throttle valve opening, and controls the engine transmission. It is mounted near the engine where the sensors and actuators for engine control are arranged (for example, the outer wall of the intake pipe, the outer wall of the surge tank, the inside of the air cleaner, etc.). The PCM 10 is connected to several sensors such as an air flow meter, a water temperature sensor, and a crank angle sensor, and an actuator group as an electric load such as an injector 9, an ignition device, and a throttle motor 35 for opening and closing a throttle valve. The control module 11 for the antilock brake system (ABS) is mounted behind the engine room adjacent to the actuator for the ABS. The air conditioner control unit (A / C) 16 is arranged near the dashboard on the passenger seat side near the installation location of the A / C temperature sensor and the actuator. The airbag control module (SDM) 25 is mounted near the center console box. The body control module (BCM) 14 is connected to a display device near the steering wheel, an ignition key switch 26, a hazard switch 27, a blinker switch, a wiper switch, and the like, and is installed near the dashboard. Each module has at least an arithmetic processing unit (CPU) and a communication circuit (communication IC) for performing data communication with other modules. Each module is installed near a device such as a sensor or an electric load connected to each module, thereby shortening a harness length between each module and a device connected thereto. FRONT IN
TEGRATION MODULE (FIM) 5 is for headlamps 1 and 6 and turn signal lamps 2a and 2b (left), 7a and 7b (right).
The head lamps 1, 6 and the turn signal lamps 2a, 2
b, 7a, 7b and a horn 8 mounted nearby are connected so as to be driven. DRIVER DOOR MODULE
(DDM) 18, PASSENGER DOOR MODULE (PDM) 20
Are mounted on doors on the driver's seat side and the passenger's seat side, respectively, and are connected to door lock motors 19 and 21, a power window motor, a door lock SW, a power window SW, an electric mirror motor (not shown), and the like. ing. RE
The AR INTEGRATION MODULE (RIM) 29 is disposed in front of the trunk room adjacent to the tail lamps 32 and 33 and the turn signal lamps 31 and 34, and is used for a trunk opener in addition to the tail lamps 32 and 33 and the turn signal lamps 31 and 34. Motors, rear defoggers, rear door lock motors 23 and 28, a power window motor, a door lock SW, a power window SW, and the like are connected so as to be driven. The FIM5 and RIM2
9, the DDM 18, and the PDM 20 each have a communication circuit for exchanging data with another module. Also, an input / output interface to which devices such as sensors, switches, and external electric loads are connected, and an arithmetic processing unit (CP) for calculating control signals to the electric loads.
U).

【0011】各モジュール間でのデータの授受を行うた
め、多重通信線30が各モジュールの通信回路間を接続
している。このように、各モジュールは接続されるデバ
イスの近いところに配置され、かつ自分に接続されてい
ないデバイスの入力データおよび出力データは多重通信
線を介して他のモジュールとの間で送受信するので、そ
れぞれのモジュールに必要なデータを得ることができ
る。多重通信線30は、コネクタ35を介して診断装置
13に接続することができ、診断装置13は診断に必要
な情報を通信線を介して各モジュールから得ることがで
きる。
In order to transfer data between the modules, a multiplex communication line 30 connects the communication circuits of the modules. In this way, since each module is arranged close to the device to be connected, and the input data and output data of the device not connected to itself are transmitted to and received from other modules via the multiplex communication line, The necessary data for each module can be obtained. The multiplex communication line 30 can be connected to the diagnostic device 13 via the connector 35, and the diagnostic device 13 can obtain information necessary for diagnosis from each module via the communication line.

【0012】バッテリ3からの電源線はヒュージブルリ
ンク4を介してFIM5に接続し、FIM5からBCM
14間は電源線12A,コネクタ17A,電源線12B
を介して、BCM14からRIM29間は電源線12
C,コネクタ17B,電源線12Dを介して、RIM2
9からBCM14間は電源線12E,コネクタ17C,
電源線12Fを介して、BCM14からFIM5間は電
源線12G,コネクタ17D,電源線12Hを介して接
続しており、車両内にループ状に配線されている。この
ように電源線を車両内にループ状に配線し、そのループ
状に配線された電源線に各モジュールを接続あるいは電
源線を各モジュールに接続し、電源線から各モジュール
を介して電気負荷としての各種アクチュエータに電力を
供給する。各モジュールはエンジンルーム,車室内,ト
ランクルームにそれぞれ1つ配置するように構成してい
る(本実施例では、それぞれFIM,BCM,RIMで
構成している)。実施例の構成によれば、各制御ユニッ
ト単位での電力線のインピーダンスが等価的に並列接続
され、定格電流が小さい電源線を使用して電力系統を構
成することができる。ドアに配置されたモジュールDD
M18,PDM20には、BCM14から電源を供給す
る構成としている。
A power supply line from the battery 3 is connected to the FIM 5 via the fusible link 4 and the FIM 5
Power supply line 12A, connector 17A, power supply line 12B
Through the power line 12 between the BCM 14 and the RIM 29.
C, the connector 17B, and the power supply line 12D, the RIM2
9 to the BCM 14, a power line 12E, a connector 17C,
The power supply line 12F connects the BCM 14 to the FIM 5 via a power supply line 12G, a connector 17D, and a power supply line 12H, and is wired in a loop in the vehicle. In this way, the power supply line is wired in a loop in the vehicle, and each module is connected to the power supply line wired in the loop or the power supply line is connected to each module. Power to various actuators. Each module is configured such that one module is arranged in each of the engine room, the vehicle interior, and the trunk room (in the present embodiment, each module is configured by FIM, BCM, and RIM). According to the configuration of the embodiment, the impedance of the power line in each control unit is equivalently connected in parallel, and the power system can be configured using a power supply line with a small rated current. Module DD placed on the door
Power is supplied from the BCM 14 to the M18 and the PDM 20.

【0013】ループ状に配線された電源線は、コネクタ
17A,17B,17C,17Dで脱着できるようにな
っており、電源線12A,電源線12Hはエンジンルー
ム、電源線12B,電源線12C,電源線12F,電源
線12Gは車室内、電源線12D,電源線12Eはトラ
ンクルームというように分離できるようになっている。
The power lines arranged in a loop can be detached by connectors 17A, 17B, 17C and 17D. The power lines 12A and 12H are connected to the engine room, the power lines 12B, 12C, and the power lines. The line 12F and the power line 12G can be separated from each other such as a vehicle cabin, and the power line 12D and the power line 12E can be separated into a trunk room.

【0014】従って、電源線は、ループ状のみならず制
御モジュールをスター状にもツリー状にも接続結線でき
る。例えば、コネクタ17D,17Cで接続されている
電源線12H,12F,12G,12Hをはずせば、ツ
リー結線となる。
Therefore, the power supply line can connect and connect not only the loop shape but also the control module in a star shape or a tree shape. For example, if the power supply lines 12H, 12F, 12G, and 12H connected by the connectors 17D and 17C are removed, a tree connection is obtained.

【0015】次に図1のループ式結線の電源供給系統を
適用した実施例を図2にて説明する。まず図2の実施例
についてその構成を説明する。図1で説明したループ状
に配線された電源線は、バッテリ3からヒュージブルリ
ンク4f,4eを介してFIM5の負荷電源遮断回路110
に接続される。ヒュージブルリンク4fからの電源は負
荷電源遮断回路110を経由して、電源線12Aに接続
される。電源線12Aは、コネクタ17Aで電源線12
Bの一端に接続され、他端はBCM14の負荷電源遮断
回路210に後述のBCMのモジュール側コネクタに接
続される。電源線12Bは負荷電源遮断回路210を経
由して、後述のBCMのモジュール側コネクタに一端が
接続された電源線12Cに電気的に接続され、電源線1
2Cの他端は、コネクタ17Bで電源線12Dの一端に
接続され、RIM29の負荷電源遮断回路310に後述
のRIMのモジュール側コネクタを介して接続される。
電源線12Dの他端はRIM29の負荷電源遮断回路3
10を経由して、後述のRIMのモジュール側コネクタ
に一端が接続された電源線12Eに電気的に接続され、
電源線12Eの他端は、コネクタ17Cで電源線12F
の一端に接続され、電源線12Fの他端はBCM14の
負荷電源遮断回路210に接続される。電源線12Fの
他端はBCM14の負荷電源遮断回路210を経由し
て、後述するBCMのモジュール側コネクタを介して電
源線12Gの一端に電気的に接続され、電源線12Gの
他端は、コネクタ17Dで電源線12Hの一端に接続さ
れ、他端はFIM5の負荷電源遮断回路110に後述す
るFIMのモジュール側コネクタを介して接続される。
一方ヒュージブルリンク4eからの電源はモジュールF
IM5の負荷電源遮断回路110を経由して、後述する
モジュール側コネクタを介して電源線12Hの他端に電
気的に接続されており、結果的に電源線12A〜12H
はヒューズ4e,4fを介して、ループ状に配線されて
いる。このループ状に配線された電源線を総称して以後
パワーバス12と称す。
Next, an embodiment to which the power supply system of the loop connection shown in FIG. 1 is applied will be described with reference to FIG. First, the configuration of the embodiment of FIG. 2 will be described. The power supply line wired in a loop described with reference to FIG. 1 is connected to the load power cutoff circuit 110 of the FIM 5 from the battery 3 via the fusible links 4f and 4e.
Connected to. The power supply from the fusible link 4f is connected to the power supply line 12A via the load power supply cutoff circuit 110. The power line 12A is connected to the power line 12 by the connector 17A.
B is connected to one end, and the other end is connected to a load-side power cutoff circuit 210 of the BCM 14 to a BCM module-side connector described later. The power supply line 12B is electrically connected to a power supply line 12C having one end connected to a module-side connector of a BCM, which will be described later, via a load power supply cutoff circuit 210.
The other end of 2C is connected to one end of the power supply line 12D by a connector 17B, and is connected to a load power cutoff circuit 310 of the RIM 29 via a RIM module-side connector described later.
The other end of the power supply line 12D is the load power supply cutoff circuit 3 of the RIM 29.
10, and is electrically connected to a power supply line 12E having one end connected to a module-side connector of a RIM described later,
The other end of the power line 12E is connected to the power line 12F by the connector 17C.
And the other end of the power supply line 12F is connected to the load power cutoff circuit 210 of the BCM 14. The other end of the power supply line 12F is electrically connected to one end of a power supply line 12G via a load power supply cutoff circuit 210 of the BCM 14 via a BCM module-side connector described later, and the other end of the power supply line 12G is connected to a connector. The power supply line 12H is connected at 17D to one end of the power supply line 12H, and the other end is connected to the load power supply cutoff circuit 110 of the FIM 5 via a FIM module side connector described later.
On the other hand, the power supply from the fusible link 4e is the module F
The power supply line 12H is electrically connected to the other end of the power supply line 12H through a module side connector to be described later via the load power supply cutoff circuit 110 of the IM5.
Are wired in a loop through the fuses 4e and 4f. The power supply lines arranged in a loop are collectively referred to as a power bus 12 hereinafter.

【0016】この電源線12A,12B,12C,12
D,12E,12F,12G,12Hの構造の一例は、図
26に示すように、電源線3020を中心として、その
周囲を覆う絶縁材3030と、この絶縁材3030の外
周を覆う導電体3010、それにこの導電体3010の
外周を覆う絶縁材3000とで構成されている。ここで
まず電源線3020は、通常、銅の単線、又は撚り線で
作られ、電力供給用の導電線となるものである。絶縁材
3030は、ゴムやプラスチックなどの絶縁体で作ら
れ、電源線3020を絶縁する働きをする。導電体30
10は、細い銅線を編み合わせる(以下編組線)ことによ
り、絶縁材3030の外周に層状に形成したものであ
る。絶縁材3000は、ゴムやプラスチックなどの絶縁
体で作られ、ケーブルの保護層として機能する。前記導
電体3010の機能は後で詳細に記すが、電源線12A
の導電体3010の一端はFIM5のショート検出回路
230に接続され、もう一端はコネクタ17Aの直近で
開放状態となっている。同様に電源線12Bの導電体3
010の一端はBCM14のショート検出回路230
に、電源線12Cの導電体3010の一端はBCM14
のショート検出回路230に、電源線12Dの導電体3
010の一端はRIM29のショート検出回路330に、
電源線12Eの導電体3010の一端はRIM29のシ
ョート検出回路330に、電源線12Fの導電体3010
の一端はBCM14のショート検出回路230に、電源線
12Gの導電体3010の一端はBCM14のショート
検出回路230に、電源線12Hの導電体3010の一端
はFIM5のショート検出回路130に、それぞれ接続
され、全ての電源線12B,12C,12D,12E,
12F,12G,12Hの他端はそれぞれのコネクタの
直近で開放状となっている。この導電体3010を以後
ショートセンサと称す。一方電源線3020は、前述し
たようにFIM5から出発して、電源線12A,コネク
タ17A,電源線12B,BCM14,電源線12C,
コネクタ17B,電源線12D,RIM29,電源線1
2E,コネクタ17C,電源線12F,BCM14,電
源線12G,コネクタ17D,電源線12Hを経由し、
FIM5に戻るループ状に接続されている。
The power supply lines 12A, 12B, 12C, 12
One example of the structure of D, 12E, 12F, 12G, and 12H is, as shown in FIG. 26, a power supply line 3020 as a center, an insulating material 3030 covering the periphery thereof, a conductor 3010 covering the outer periphery of the insulating material 3030, Further, an insulating material 3000 covering the outer periphery of the conductor 3010 is provided. Here, first, the power supply line 3020 is usually made of a single copper wire or a stranded wire, and serves as a conductive wire for supplying power. The insulating material 3030 is made of an insulator such as rubber or plastic, and functions to insulate the power line 3020. Conductor 30
Reference numeral 10 denotes a layer formed on the outer periphery of the insulating material 3030 by knitting a thin copper wire (hereinafter referred to as a braided wire). The insulating material 3000 is made of an insulator such as rubber or plastic, and functions as a protective layer of the cable. Although the function of the conductor 3010 will be described in detail later, the power supply line 12A
One end of the conductor 3010 is connected to the short detection circuit 230 of the FIM 5, and the other end is in the open state immediately near the connector 17A. Similarly, the conductor 3 of the power supply line 12B
One end of 010 is a short detection circuit 230 of BCM14.
One end of the conductor 3010 of the power supply line 12C is connected to the BCM 14
Is connected to the conductor 3 of the power supply line 12D.
One end of 010 is connected to the short detection circuit 330 of the RIM 29,
One end of the conductor 3010 of the power supply line 12E is connected to the short detection circuit 330 of the RIM 29 and the conductor 3010 of the power supply line 12F.
Is connected to the short detection circuit 230 of the BCM 14, one end of the conductor 3010 of the power line 12G is connected to the short detection circuit 230 of the BCM 14, and one end of the conductor 3010 of the power line 12H is connected to the short detection circuit 130 of the FIM5. , All power supply lines 12B, 12C, 12D, 12E,
The other ends of 12F, 12G, and 12H are open in the immediate vicinity of the respective connectors. This conductor 3010 is hereinafter referred to as a short sensor. On the other hand, the power supply line 3020 starts from the FIM 5 as described above, and starts from the power supply line 12A, the connector 17A, the power supply line 12B, the BCM 14, the power supply line 12C,
Connector 17B, power supply line 12D, RIM29, power supply line 1
2E, connector 17C, power supply line 12F, BCM 14, power supply line 12G, connector 17D, power supply line 12H,
It is connected in a loop to return to FIM5.

【0017】このようにループ状に配線された電源線1
2A〜12HはFIM5,BCM14,RIM29の各負
荷電源遮断回路110,210,310および、各モジ
ュールFIM5,BCM14,RIM29の各負荷駆動
回路(ドライバ回路)160,260,360を介して各
モジュールに接続されたそれぞれの電気負荷190,2
90,390に電力を供給する。また他のモジュールD
DM18,PDM20は、BCM14の負荷電源遮断回
路210に接続される電源線のうち、電源に近い側の1
2B,12Gから電源供給回路200を介して、電力が
供給される。A/C16,SDM25,ラジオ15は、
電源線50fを介してBCM14の電源供給回路200
からバックアップ電源が供給される。
The power line 1 wired in a loop as described above
2A to 12H are connected to the respective modules via the load power cutoff circuits 110, 210, 310 of the FIM5, BCM14, RIM29 and the respective load drive circuits (driver circuits) 160, 260, 360 of the modules FIM5, BCM14, RIM29. Electrical loads 190, 2
90, 390. Another module D
The DM 18 and the PDM 20 are one of the power supply lines connected to the load power supply cutoff circuit 210 of the BCM 14 on the side closer to the power supply.
Electric power is supplied from 2B and 12G via the power supply circuit 200. A / C16, SDM25, radio 15
Power supply circuit 200 of BCM 14 via power supply line 50f
Supplies backup power.

【0018】前述の負荷用の電源線とは別にバッテリ3
からは制御系用の電源もFIM5,BCM14,RIM
29に供給される。FIM5の制御系電源回路120に
はヒューズ4bを経由して、BCM14の制御系電源回
路220にはヒューズ4cを経由して、RIM29の制
御系電源回路320にはヒューズ4dを経由してバッテ
リ3から電源が供給される。このように制御系への電源
供給を別系統で行うことにより、どれか1つのモジュー
ルが故障しても他のモジュールは動作することができ
る。
The battery 3 is provided separately from the load power supply line described above.
From FIM5, BCM14, RIM
29. From the battery 3 via the fuse 4b to the control system power supply circuit 120 of the FIM 5, to the control system power supply circuit 220 of the BCM 14 via the fuse 4c, and to the control system power supply circuit 320 of the RIM 29 via the fuse 4d. Power is supplied. In this way, by supplying power to the control system by another system, even if one of the modules fails, the other modules can operate.

【0019】前記パワーバス12は、ヘッドランプやス
トップランプ,ワーニングランプ類,パワーウィンド
ウ,ドアロックなどの制御、いわゆるボディ電装系、あ
るいは艤装系と呼ばれる電気負荷に電力を供給する。エ
ンジンの燃料噴射量を制御するインジェクタや点火時期
を制御する点火装置やスロットルバルブ開度を制御する
モータ等の制御を行うエンジンコントロールモジュール
(ECM),エンジントランスミッションの制御を行う
オートトランスミッション(ATM),パワートレイン
系のパワートレインコントロールモジュール(PCM)
には、バッテリ3からヒュージブルリンク4a,イグニ
ッションスイッチ26a,ダッシュボード近辺に配置さ
れたヒューズボックス36内のヒューズ36bおよび電
源線50bを経由して、前述のボディ電装系の電源供給
系とは別系統で電力が供給されている。ABSコントロ
ールユニット11には、ヒュージブルリンク4a,イグ
ニッションスイッチ26a,ヒューズボックス36内の
ヒューズ36aおよび電源線50aを経由して電力が供
給されている。エアバックコントロールユニットSDM
25には、ヒュージブルリンク4a,イグニッションス
イッチ26a,ヒューズボックス36内のヒューズ36
cおよび電源線50cを経由して電力が供給されてい
る。ラジオ15には、ヒュージブルリンク4a,アクセ
サリスイッチ26b,ヒューズボックス36内のヒュー
ズ36dおよび電源線50dを経由して電力が供給され
ている。A/Cユニット16には、ヒュージブルリンク
4a,アクセサリスイッチ26b,ヒューズボックス3
6内のヒューズ36eを経由してバッテリ3から電力が
供給されている。このように、それぞれの別機能を持っ
た制御系毎に別系統の電源系としているので、どれか1
つの電源系が故障しても他の電源系に影響を与えること
がない。
The power bus 12 controls head lamps, stop lamps, warning lamps, power windows, door locks, etc., and supplies power to an electric load called a so-called body electric system or outfitting system. An engine control module (ECM) that controls an injector that controls the fuel injection amount of the engine, an ignition device that controls the ignition timing, a motor that controls the throttle valve opening, an automatic transmission (ATM) that controls the engine transmission, Powertrain control module (PCM) for powertrain system
From the battery 3 via the fusible link 4a, the ignition switch 26a, the fuse 36b in the fuse box 36 disposed near the dashboard, and the power supply line 50b. Power is being supplied by the grid. Power is supplied to the ABS control unit 11 via the fusible link 4a, the ignition switch 26a, the fuse 36a in the fuse box 36, and the power supply line 50a. Airbag control unit SDM
25 includes a fusible link 4a, an ignition switch 26a, and a fuse 36 in a fuse box 36.
c and the power supply line 50c. Power is supplied to the radio 15 via the fusible link 4a, the accessory switch 26b, the fuse 36d in the fuse box 36, and the power supply line 50d. The A / C unit 16 includes a fusible link 4a, an accessory switch 26b, a fuse box 3
Electric power is supplied from the battery 3 via the fuse 36e in 6. As described above, since each control system having a different function is set as a separate power supply system,
Even if one power supply system fails, the other power supply systems are not affected.

【0020】BCM14は電源供給回路200を有し、
この電源供給回路200は電源線12Bと12Gに電源
線210b,210gを介して接続されている。ラジオ
15,SDM25,A/C16にはアクセサリスイッチ
26bまたはイグニッションスイッチ26aを介して電
力が供給されているので、アクセサリスイッチ26bま
たはイグニッションスイッチ26aがオフになると電力
は供給されなくなる。その時、動作していたときのデー
タをバックアップするためには、イグニッションスイッ
チ26a,アクセサリスイッチ26bがオフになっても
電源を供給する必要がある。そこで、BCM14の電源
供給回路200から電源50fを介してこれらのモジュ
ールのデータをバックアップするための電源が供給され
ている。このデータバックアップ用の電源を、パワーバ
ス12から得るようにしたのでデータバックアップ用の
別の電源線およびヒューズを設ける必要がない。また、
このパワーバス系統12A〜12Hが故障して、バック
アップデータが消去されても、ラジオ15,SDM2
5,A/C16はアクセサリスイッチ26b,イグニッ
ションスイッチ26aを介して電力が供給されると初期
値で動作を始めるように構成しておけば、致命的な故障
にはならない。
The BCM 14 has a power supply circuit 200,
The power supply circuit 200 is connected to the power lines 12B and 12G via power lines 210b and 210g. Since power is supplied to the radio 15, the SDM 25, and the A / C 16 via the accessory switch 26b or the ignition switch 26a, no power is supplied when the accessory switch 26b or the ignition switch 26a is turned off. At that time, in order to back up the data during operation, it is necessary to supply power even when the ignition switch 26a and the accessory switch 26b are turned off. Therefore, power for backing up data of these modules is supplied from the power supply circuit 200 of the BCM 14 via the power supply 50f. Since the power supply for data backup is obtained from the power bus 12, there is no need to provide another power supply line and fuse for data backup. Also,
Even if the power bus systems 12A to 12H break down and the backup data is deleted, the radio 15, SDM2
5, if the A / C 16 is configured to start operating at an initial value when power is supplied via the accessory switch 26b and the ignition switch 26a, a fatal failure does not occur.

【0021】ボディ電装系のモジュールFIM5,BC
M14,RIM29,DDM18,PDM20をそれぞ
れ通信回路140,240,340,640,540を
有しており、それぞれの通信回路間は、多重通信線30
で接続されている。それぞれのモジュールは、例えばB
CM14に入力されるイグニッションキースイッチの状
態など車両全体に関連する入出力の情報を相互に送受信
することにより、1つのモジュールで取込まれた入力信
号によって別のモジュールに設けられた負荷を駆動制御
できる。
Body electrical module FIM5, BC
M14, RIM29, DDM18, and PDM20 have communication circuits 140, 240, 340, 640, and 540, respectively.
Connected by Each module is, for example, B
By mutually transmitting and receiving input / output information relating to the entire vehicle such as the state of an ignition key switch input to the CM 14, a drive provided in another module is driven and controlled by an input signal taken in one module. it can.

【0022】DDM18,PDM20にはBCM14の
電源供給回路200を介して電力が供給される。このた
めDDM18の電源回路520,PDMの電源回路62
0はそれぞれ電源線23,24を介してBCM14の電
力供給回路200に接続されている。
Power is supplied to the DDM 18 and the PDM 20 via a power supply circuit 200 of the BCM 14. Therefore, the power supply circuit 520 of the DDM 18 and the power supply circuit 62 of the PDM
0 is connected to the power supply circuit 200 of the BCM 14 via the power supply lines 23 and 24, respectively.

【0023】BCM14に接続された負荷群290は出
力回路(ドライバ回路)260を介して電力の供給を受
ける。
The load group 290 connected to the BCM 14 receives power supply via an output circuit (driver circuit) 260.

【0024】出力回路260は電源12cと12fに電
源線210c,210fを介して接続されている。
The output circuit 260 is connected to power supplies 12c and 12f via power supply lines 210c and 210f.

【0025】出力回路260は制御回路270の制御信
号出力線群270bから制御信号を受けて負荷を駆動制
御する。
The output circuit 260 receives a control signal from the control signal output line group 270b of the control circuit 270 and controls the driving of the load.

【0026】制御回路270は入力回路250及び通信
回路240の入力インターフェースから入力される入力
信号280,イグニッションスイッチ信号,アクセサリ
スイッチ信号及び受信信号に基づいて負荷制御信号を出
力回路260に出力する。
The control circuit 270 outputs a load control signal to the output circuit 260 based on the input signal 280, the ignition switch signal, the accessory switch signal, and the reception signal input from the input interface of the input circuit 250 and the communication circuit 240.

【0027】BCMモジュール14はショート検出回路
230を有し、電源線12B,12C,12F,12Gの
ショート異常を監視している。ショート検出回路230
によって例えば電源線12Fのショート異常が検出され
るとその信号は制御回路270に入力され、出力信号線2
70aを介して負荷電源遮断回路210が駆動され、シ
ョート異常の電源線区間12Fの一端が接離される。こ
の時制御回路270は通信回路240を介して、他のモ
ジュールにショート異常の電源線区間を特定する信号を
送信する。これを受けた所定のモジュールRIM29
は、自らの制御回路370を介してショート異常に関与
する電源線12Eを切離すべく自らの負荷遮断回路31
0を制御する。これによってショート異常の区間12F
と、この12Fにコネクタ17Cを介して接続されてい
る電源線12Eがループ状電源線路から切離され、その
後は電源線12A,12B,12C,12Dによる幹線
と、BCMモジュール14の電源供給回路200から配
線される技線23,24,50fとからなるツリー結線
によって、各負荷に電力が供給される。
The BCM module 14 has a short-circuit detection circuit 230, and monitors a short-circuit abnormality of the power supply lines 12B, 12C, 12F, and 12G. Short detection circuit 230
When, for example, a short-circuit abnormality of the power supply line 12F is detected, the signal is input to the control circuit 270, and the output signal line
The load power supply cutoff circuit 210 is driven via 70a, and one end of the power supply line section 12F having the short-circuit abnormality is connected and separated. At this time, the control circuit 270 transmits, via the communication circuit 240, a signal for specifying the power supply line section having the short-circuit abnormality to another module. A predetermined module RIM 29 receiving this
Is connected via its own control circuit 370 to disconnect the power supply line 12E involved in the short circuit abnormality.
Control 0. As a result, the short-circuit abnormal section 12F
Then, the power supply line 12E connected to the 12F via the connector 17C is disconnected from the loop-shaped power supply line, and thereafter the trunk line composed of the power supply lines 12A, 12B, 12C and 12D and the power supply circuit 200 Power is supplied to each load by a tree connection composed of the technique lines 23, 24, and 50f wired from.

【0028】FIMモジュール5は、ショート検出回路
130を有し、電源線12A,12Hのショート異常を監
視している。ショート検出回路130によって例えば電
源線12Aのショート異常が検出されるとその信号は制
御回路170に入力され、出力信号線170aを介して
負荷電源遮断回路110が駆動され、ショート異常の電
源線区間12Aの一端が接離される。この時制御回路1
70は通信回路140を介して他のモジュールにショー
ト異常の電源線区間を特定する信号を送信する。これを
受けたBCMモジュール14の制御回路は出力信号線2
70aを介して負荷電源遮断回路210を駆動し、電源
線12Aとコネクタ17Aを介して接続されている電源
線12Bの他端を開放する。
The FIM module 5 has a short-circuit detection circuit 130 and monitors a short-circuit abnormality of the power lines 12A and 12H. When the short-circuit detection circuit 130 detects, for example, a short-circuit abnormality of the power supply line 12A, the signal is input to the control circuit 170, the load power supply cut-off circuit 110 is driven via the output signal line 170a, and the short-circuit abnormality power supply line section 12A Are separated from each other. At this time, the control circuit 1
Reference numeral 70 transmits a signal specifying a power supply line section having a short-circuit abnormality to another module via the communication circuit 140. The control circuit of the BCM module 14 receiving this outputs the output signal line 2
The load power supply cutoff circuit 210 is driven via 70a, and the other end of the power supply line 12B connected to the power supply line 12A via the connector 17A is opened.

【0029】この状態では各モジュールは、バッテリ
3,ヒューズ4e,FIMモジュール5の負荷電源遮断
回路110,電源線12H,12G,BCMモジュール
14の負荷遮断回路210,電源線12F,12E,R
IMモジュール29の負荷遮断回路310からなる幹線
と、BCMモジュール14の電源供給回路200から配
線される技線23,24,50fとからなるツリー結線
によって負荷に電力が供給される。
In this state, each module includes a battery 3, a fuse 4e, a load power supply cutoff circuit 110 of the FIM module 5, power supply lines 12H and 12G, a load cutoff circuit 210 of the BCM module 14, and power supply lines 12F, 12E, R
Power is supplied to the load by a tree connection including the trunk line including the load cutoff circuit 310 of the IM module 29 and the technical lines 23, 24, and 50f wired from the power supply circuit 200 of the BCM module 14.

【0030】図3,図4,図5,図6,図7は、図2の
実施例のモジュールの構成図である。以降の本明細書の
図面に書かれている半導体スイッチング素子の表記は、
説明の便宜上、一般的にトランジスタを表すシンボル
は、ショート保護機能を有しない半導体スイッチング素
子を表しており、MOSFETを表すシンボルは、ショート保
護機能を有している半導体スイッチング素子を表してい
る。FIM5の構成を図3で説明する。図2の負荷電源
遮断回路110は、第1の負荷電源遮断回路110aと第2
の負荷電源遮断回路110bで構成される。第1の負荷
電源遮断回路110aは、リレー111とダイオード11
3,半導体スイッチング素子115で構成されている。
第2の負荷電源遮断回路110bも第1の負荷電源遮断
回路110aと同じであり、リレー112とダイオード
114,半導体スイッチング素子116で構成されてい
る。このリレー111,112はコイルに電流を流すと
接点がオンになり、電流を遮断すると接点がオフするリ
レーを使っている。動作および詳細構成について第1,
第2の負荷電源遮断回路110a,110bとも同じで
あるので、第1の負荷電源遮断回路110aで説明す
る。制御回路170からの制御信号で半導体スイッチン
グ素子115をオン,オフすることによりリレー111の
コイルに流れる電流を制御し、リレー111の接点をオ
ン,オフしている。ダイオード113がないと、バッテ
リ3が逆接されたとき、リレー111のコイルに逆電流
が流れリレー111の接点が制御信号に無関係にオンし
てしまい、負荷に正常時と逆方向に電流が流れ誤動作す
るが、ダイオード113によりリレー111のコイルに
逆電流が流れないようにして、リレー111の接点がオ
フするようにしている。このように、ダイオード113
を有することにより、もしバッテリ3が逆接されても、
リレーはオフするため、負荷の電流経路が遮断され、負
荷が動作し続けるような誤動作を防止できる。リレー1
11のコイルへの電源供給は、図2で説明した制御系の
電源に接続され、リレー111の接点の一端は、バッテ
リ3とヒュージブルリンク4fを経由して接続され、他
端はループ系電源供給系統の電源線12Aに接続されて
いると同時に、負荷に電源供給するための出力回路16
0に接続されている。このように、リレー111のコイ
ルへの電源供給は制御系電源から行い、またコイルの制
御信号を出力する制御回路170への電源供給も制御系
電源から行っているので、もしパワーバス12が故障し
て電源供給されなくても、リレー111の制御を行い、
第1の負荷電源遮断回路110aの遮断,接続を行うことが
できる。また、負荷を動作する必要がなく、電流を低減
したいときなどは、リレー111に流す電流を遮断し
て、負荷へ供給される電源を遮断できるため、消費電流
を少なくできる。また、逆に制御系電源が故障すると、
リレー111への電流は遮断されて負荷電源遮断回路1
10aが遮断され、負荷に電源が供給されないため、も
し制御回路が誤動作しても、負荷はすべて停止状態とな
り誤動作することはなくなる。
FIGS. 3, 4, 5, 6, and 7 are block diagrams of the module of the embodiment of FIG. The notation of the semiconductor switching element written in the drawings of the present specification is as follows:
For convenience of explanation, a symbol representing a transistor generally represents a semiconductor switching element having no short-circuit protection function, and a symbol representing a MOSFET represents a semiconductor switching element having a short-circuit protection function. The configuration of the FIM 5 will be described with reference to FIG. The load power cutoff circuit 110 of FIG.
Of the load power supply cutoff circuit 110b. The first load power cutoff circuit 110a includes a relay 111 and a diode 11
3. It is composed of a semiconductor switching element 115.
The second load power supply cutoff circuit 110b is the same as the first load power supply cutoff circuit 110a, and includes a relay 112, a diode 114, and a semiconductor switching element 116. The relays 111 and 112 use relays whose contacts are turned on when a current flows through the coil and turned off when the current is cut off. About operation and detailed configuration
Since the second load power cutoff circuits 110a and 110b are the same, only the first load power cutoff circuit 110a will be described. By turning on and off the semiconductor switching element 115 by a control signal from the control circuit 170, the current flowing through the coil of the relay 111 is controlled, and the contact of the relay 111 is turned on and off. Without the diode 113, when the battery 3 is connected in reverse, a reverse current flows through the coil of the relay 111, and the contact of the relay 111 turns on irrespective of the control signal. However, the reverse current is prevented from flowing through the coil of the relay 111 by the diode 113, and the contact of the relay 111 is turned off. Thus, the diode 113
, Even if the battery 3 is reversely connected,
Since the relay is turned off, the current path of the load is interrupted, and a malfunction such that the load continues to operate can be prevented. Relay 1
The power supply to the coil 11 is connected to the power supply of the control system described in FIG. 2, one end of the contact of the relay 111 is connected to the battery 3 via the fusible link 4f, and the other end is connected to the loop system power supply. An output circuit 16 connected to the power supply line 12A of the supply system and for supplying power to the load at the same time.
Connected to 0. As described above, the power supply to the coil of the relay 111 is performed from the control system power supply, and the power supply to the control circuit 170 that outputs the control signal of the coil is also performed from the control system power supply. Even if power is not supplied, the relay 111 is controlled,
The first load power supply cutoff circuit 110a can be cut off and connected. Further, when it is not necessary to operate the load and it is desired to reduce the current, the current supplied to the relay 111 can be cut off to cut off the power supplied to the load, so that the current consumption can be reduced. Conversely, if the control system power supply fails,
The current to the relay 111 is cut off and the load power cutoff circuit 1
Since the power supply 10a is shut off and power is not supplied to the load, even if the control circuit malfunctions, all the loads are stopped and no malfunction occurs.

【0031】出力回路160は、過電流検出回路16
1,162と負荷に対して電源を供給して駆動の制御を
行う半導体スイッチング素子163〜168で構成され
る。この実施例では、半導体スイッチング素子163〜
168には過温度検出遮断機能を内蔵したパワーMOSFET
を使用しており、過電流が流れ素子の温度が所定温度以
上になるとオフするようになっている。そのため、負荷
がショートしても電流が流れ続けることがなく、ハーネ
スが発煙したり、ヒューズが切れたり、バッテリが過放
電するようなこともない。半導体スイッチング素子は、
図示では6個しか記してないが、当然FIM5に接続さ
れた負荷に応じて増減する。半導体スイッチング素子1
63,164,165には、それぞれFIM5に接続さ
れた負荷190の車両の右側に配置されたウォッシャモ
ータ191,ターンランプ右7a,ヘッドランプ右6が
接続され、半導体スイッチング素子166,167,16
8には、それぞれFIM5に接続された負荷190の車
両の左側に配置されたホーン8,ターンランプ左2a,
ヘッドランプ左1が接続されている。また半導体スイッ
チング素子163,164,165の他端は、過電流検
出回路161に接続され、過電流検出回路161の上流
の他端には、第2の負荷電源遮断回路110bから電源が
供給されている。半導体スイッチング素子166,16
7,168の他端は、過電流検出回路162に接続さ
れ、過電流検出回路162の上流の他端には、第1の負
荷電源遮断回路110aから電源が供給されている。こ
のように、車両の右側と左側で別系統としており、どち
らかの系が故障しても別の系は動作するようにしてい
る。ここで、車両の右側と左側で別系統にする理由は、
FIM5には、ヘッドランプやフォグランプ,クリアランス
ランプなど左右で一対になっている負荷が多く接続され
ているためである。例えば、ヘッドランプ左1とヘッド
ランプ右6を同じ電源系統で電源供給していると、その
電源系の過電流検出回路が故障して電源が供給されなく
なると、ヘッドランプは左右どちらも消えるため、夜間
走行中などは非常に危険である。本実施例のように、車
両の右側と左側で別系統にすれば、どちらかは点灯して
いるので最悪の事態は回避できる。
The output circuit 160 includes an overcurrent detection circuit 16
1, 162 and semiconductor switching elements 163 to 168 for supplying power to the load and controlling the driving. In this embodiment, the semiconductor switching elements 163 to 163
Power MOSFET with built-in over temperature detection cutoff function
When an overcurrent flows and the temperature of the element becomes equal to or higher than a predetermined temperature, the element is turned off. Therefore, even if the load is short-circuited, the current does not continue to flow, and the harness does not smoke, the fuse does not blow, and the battery is not over-discharged. Semiconductor switching elements
Although only six are shown in the figure, the number naturally increases or decreases according to the load connected to the FIM 5. Semiconductor switching element 1
63, 164, 165 are respectively connected to a washer motor 191, a turn lamp right 7a, and a head lamp right 6 which are arranged on the right side of the vehicle with a load 190 connected to the FIM 5, and the semiconductor switching elements 166, 167, 16
8, a horn 8 arranged on the left side of the vehicle with a load 190 connected to the FIM 5, a turn lamp left 2a,
Headlamp left 1 is connected. The other ends of the semiconductor switching elements 163, 164, and 165 are connected to the overcurrent detection circuit 161. The other end on the upstream side of the overcurrent detection circuit 161 is supplied with power from the second load power supply cutoff circuit 110b. I have. Semiconductor switching elements 166, 16
The other ends of the circuits 7 and 168 are connected to an overcurrent detection circuit 162, and the other end upstream of the overcurrent detection circuit 162 is supplied with power from a first load power supply cutoff circuit 110a. As described above, the right and left sides of the vehicle are provided as separate systems, and even if one of the systems fails, another system operates. Here, the reason why the right and left sides of the vehicle are separated from each other is
This is because a large number of loads, such as headlamps, fog lamps, and clearance lamps, which are paired on the left and right, are connected to the FIM5. For example, if the headlamp left 1 and the headlamp right 6 are powered by the same power supply system, if the overcurrent detection circuit of the power supply system fails and power is not supplied, both the left and right headlights are turned off. It is very dangerous during night driving. If the right and left sides of the vehicle are separated from each other as in this embodiment, the worst situation can be avoided because either of them is lit.

【0032】制御系電源回路120は、ダイオード12
2,定電圧電源回路121,電源遮断回路123で構成
される。バッテリ3からヒューズ4bを経由して供給さ
れる制御系電源は、ダイオード122を経由して定電圧
電源回路121に供給される。定電圧電源回路121で
は、各種演算,制御処理を行う制御回路170などを動
作させるための定電圧を発生する。この電圧は、ショー
ト検出回路130の電圧印加駆動回路131や制御回路
170,通信回路140,電源遮断回路123に供給さ
れる。電源遮断回路123では、制御回路170の制御
信号によって、定電圧電源回路121から供給された定
電圧電源を入力回路150に供給したり、遮断したりす
る。入力回路150は入力信号180の外気温センサ1
81やブレーキ液量センサ182などからの信号を制御
回路170が取り込めるような電圧に変換している。そ
のために抵抗151,152でプルアップしている。と
ころが、車両に人がいなくて、放置されているようなと
きには、ブレーキ液量センサ182や外気温センサ18
1の情報により警報とかを出す必要もないにも関わら
ず、プルアップ抵抗151,152を経由してブレーキ
液量センサ182や外気温センサ181に電流が流れる
と、バッテリ3が放電し、バッテリ3があがってしまう
ことになる。そこで、必要ないときにはプルアップ抵抗
に供給される電源を電源遮断回路123で遮断するよう
にしている。
The control system power supply circuit 120 includes the diode 12
2, a constant voltage power supply circuit 121 and a power supply cutoff circuit 123. The control system power supplied from the battery 3 via the fuse 4b is supplied to the constant voltage power circuit 121 via the diode 122. The constant voltage power supply circuit 121 generates a constant voltage for operating a control circuit 170 for performing various arithmetic and control processes. This voltage is supplied to the voltage application drive circuit 131 of the short detection circuit 130, the control circuit 170, the communication circuit 140, and the power cutoff circuit 123. The power cutoff circuit 123 supplies or cuts off the constant voltage power supplied from the constant voltage power supply circuit 121 to the input circuit 150 according to the control signal of the control circuit 170. The input circuit 150 detects the outside temperature sensor 1 of the input signal 180.
Signals from the controller 81 and the brake fluid level sensor 182 are converted into voltages that can be taken by the control circuit 170. For this purpose, pull-up is performed by resistors 151 and 152. However, when there is no person in the vehicle and the vehicle is left unattended, the brake fluid level sensor 182 and the outside air temperature sensor 18
When the current flows through the brake fluid level sensor 182 and the outside air temperature sensor 181 via the pull-up resistors 151 and 152, though there is no need to issue an alarm or the like based on the information of the battery 1, the battery 3 is discharged and the battery 3 is discharged. Will go up. Therefore, when it is not necessary, the power supplied to the pull-up resistor is cut off by the power cutoff circuit 123.

【0033】ショート検出回路130は、電圧印加駆動
回路131とプルアップ抵抗132,135とグランド
へのプルダウン抵抗133,134で構成されている。
電圧印加駆動回路131は制御回路170の制御信号に
よって、プルアップ抵抗132,135への電源供給のオ
ン,オフを行っている。プルアップ抵抗132とプルダ
ウン抵抗133の他端は、FIM5の外部との接続用コ
ネクタを介してFIM5外部で接続され、かつ電源線1
2Hのショートセンサと接続されている。またFIM5
の内部では、制御回路170に入力されている。同様に
プルアップ抵抗135とプルダウン抵抗134の他端
は、FIM5の外部との接続用コネクタを介してFIM
5外部で接続され、かつ電源線12Aのショートセンサ
と接続されている。またFIM5の内部では、制御回路
170に入力されている。このようにプルアップ抵抗1
35とプルダウン抵抗134の他端を、FIM5の外部
との接続用コネクタを介してFIM5外部で接続するよ
うにしているのは次のような理由である。前述したよう
にショートセンサの他端は開放状態となっているため、
通常ショートセンサに電流が流れていない。そうすると
接続用コネクタにも電流が流れないため接触部が酸化し
て接触不良になる可能性がある。そこで本実施例のよう
な構成にすると、コネクタにはプルアップ抵抗135,
2つの接続コネクタ,プルダウン抵抗134の経路で電
流が流れるので、酸化を防止することができる。
The short detection circuit 130 comprises a voltage application drive circuit 131, pull-up resistors 132 and 135, and pull-down resistors 133 and 134 to the ground.
The voltage application drive circuit 131 turns on and off the power supply to the pull-up resistors 132 and 135 according to the control signal of the control circuit 170. The other end of the pull-up resistor 132 and the other end of the pull-down resistor 133 are connected to the outside of the FIM 5 via a connector for connection to the outside of the FIM 5, and the power line 1
Connected to 2H short sensor. Also FIM5
Is input to the control circuit 170. Similarly, the other ends of the pull-up resistor 135 and the pull-down resistor 134 are connected to the FIM 5
5 and connected to the short sensor of the power supply line 12A. Further, the signal is input to the control circuit 170 inside the FIM 5. Thus, pull-up resistor 1
The reason why the 35 and the other end of the pull-down resistor 134 are connected outside the FIM 5 via a connector for connection to the outside of the FIM 5 is as follows. Since the other end of the short sensor is open as described above,
Normally, no current flows to the short sensor. Then, since no current flows through the connector, the contact portion may be oxidized and a contact failure may occur. Therefore, when the configuration as in this embodiment is adopted, the pull-up resistors 135 and 135 are connected to the connector.
Since current flows through the path of the two connection connectors and the pull-down resistor 134, oxidation can be prevented.

【0034】図4はBCM14の構成図である。図2の
第1の負荷電源遮断回路210a,第2の負荷電源遮断
回路210bは、図3のFIM5の第1の負荷電源遮断
回路110a,第2の負荷電源遮断回路110bの構成
と同じであるが、リレー211のコイルへの電源供給は、
図2で説明した制御系の電源に接続され、リレー211の
接点の一端は、ループ系電源供給系統の電源線12Bに
接続され、他端はループ系電源供給系統の電源線12C
に接続されていると同時に、両端とも負荷に電源供給す
るための電源供給回路200または出力回路260に接
続されている。出力回路260と電源供給回路200
は、名称は違っているが機能,構成は同じであるので、
同時に説明する。過電流検出回路261,262,20
1,202と負荷に対して電源を供給して駆動の制御を行
う半導体スイッチング素子263〜266,203,2
04で構成される。この実施例では、半導体スイッチン
グ素子263〜266,203,204には過温度検出
遮断機能を内蔵したパワーMOSFETを使用しており、過電
流が流れ素子の温度が所定温度以上になるとオフするよ
うになっている。そのため、負荷がショートしても電流
が流れ続けることがなく、ハーネスが発煙したり、ヒュ
ーズが切れたり、バッテリが過放電するようなこともな
い。半導体スイッチング素子は、図示では6個しか記し
てないが、当然BCM14に接続された負荷に応じて増
減する。半導体スイッチング素子263,264には、それ
ぞれBCM14に接続された負荷290のルームランプ
類293,294などが接続され、半導体スイッチング素子
265,266には、それぞれBCM14に接続された
負荷290のインストルメントパネルに配置されたワー
ニングランプ類291,292などが接続され、半導体
スイッチング素子203には、運転席ドアに配置された
DDM18が、半導体スイッチング素子204には、助
手席ドアに配置されたPDM20が接続されている。ま
た半導体スイッチング素子263,264の他端は、過
電流検出回路261に接続され、過電流検出回路261
の上流の他端には、電源線12Fからの第2の負荷電源
遮断回路210bの電源が供給されている。半導体スイ
ッチング素子265,266の他端は、過電流検出回路
262に接続され、過電流検出回路262の上流の他端
には、電源線12Cからの第1の負荷電源遮断回路21
0aの電源が供給されている。半導体スイッチング素子
203の他端は、過電流検出回路201に接続され、過
電流検出回路201の上流の他端には、電源線12Gか
らの第2の負荷電源遮断回路210bの電源が供給され
ている。半導体スイッチング素子204の他端は、過電
流検出回路202に接続され、過電流検出回路202の
上流の他端には、電源線12Bからの第1の負荷電源遮
断回路210aの電源が供給されている。このように、
車室内の前方右側と前方左側,後方右側,後方左側で別
系統としており、どれかの系が故障しても別の系は動作
するようにしている。
FIG. 4 is a block diagram of the BCM 14. The first load power cutoff circuit 210a and the second load power cutoff circuit 210b of FIG. 2 have the same configuration as the first load power cutoff circuit 110a and the second load power cutoff circuit 110b of the FIM 5 of FIG. However, the power supply to the coil of relay 211 is
2, one end of a contact point of the relay 211 is connected to the power supply line 12B of the loop power supply system, and the other end is connected to the power supply line 12C of the loop power supply system.
At the same time, both ends are connected to a power supply circuit 200 or an output circuit 260 for supplying power to the load. Output circuit 260 and power supply circuit 200
Has a different name but the same function and configuration,
It will be explained at the same time. Overcurrent detection circuits 261, 262, 20
1,202 and semiconductor switching elements 263 to 266,203,2 for supplying power to the load and controlling the driving.
04. In this embodiment, a power MOSFET having a built-in over-temperature detection / shutoff function is used for the semiconductor switching elements 263 to 266, 203, and 204. Has become. Therefore, even if the load is short-circuited, the current does not continue to flow, and the harness does not smoke, the fuse does not blow, and the battery is not over-discharged. Although only six semiconductor switching elements are shown in the figure, the number of the semiconductor switching elements naturally increases or decreases according to the load connected to the BCM 14. The semiconductor switching elements 263 and 264 are connected to room lamps 293 and 294 of the load 290 connected to the BCM 14, respectively, and the semiconductor switching elements 265 and 266 are respectively connected to the instrument panel of the load 290 connected to the BCM 14. Are connected to the semiconductor switching element 203, the DDM 18 arranged at the driver's seat door, and the semiconductor switching element 204 are connected to the PDM 20 arranged at the passenger's seat door. ing. The other ends of the semiconductor switching elements 263 and 264 are connected to an overcurrent detection circuit 261,
The power supply of the second load power supply cut-off circuit 210b is supplied from the power supply line 12F to the other end on the upstream side. The other ends of the semiconductor switching elements 265 and 266 are connected to an overcurrent detection circuit 262, and the other end upstream of the overcurrent detection circuit 262 is connected to the first load power supply cutoff circuit 21 from the power line 12C.
0a is supplied. The other end of the semiconductor switching element 203 is connected to the overcurrent detection circuit 201, and the other end on the upstream side of the overcurrent detection circuit 201 is supplied with power of the second load power cutoff circuit 210b from the power supply line 12G. I have. The other end of the semiconductor switching element 204 is connected to the overcurrent detection circuit 202, and the other end upstream of the overcurrent detection circuit 202 is supplied with power of the first load power supply cutoff circuit 210a from the power supply line 12B. I have. in this way,
The front right side and the front left side, the rear right side, and the rear left side in the vehicle compartment are separate systems, and even if one of the systems fails, another system operates.

【0035】制御系電源回路220は、図3のFIM5
の制御系電源回路120と構成,動作とも同じである。
入力回路250は入力信号280の間欠ワイパボリュー
ム282やワイパスイッチ283,ライトスイッチ28
1,イグニッションキースイッチ(図4には図示せず)
などからの信号を制御回路270が取り込めるような電
圧に変換している。そのために抵抗251,252,2
53でプルアップしている。間欠ワイパボリューム28
2やワイパスイッチ283の入力信号によって制御する
負荷は必ずイグニッションスイッチがオンになったとき
しか動作しないので、車両に人がいなくて、放置されて
いるようなときには、入力情報を取り込む必要がないた
め、プルアップ抵抗251,252に供給される電源を
電源遮断回路123で遮断するようにしている。一方、
ライトスイッチ281やイグニッションスイッチなど
は、車両に人がいなくて、放置されている時に、突然オ
ンされることもありそれによって、負荷を駆動しなけれ
ばならないので、車両に人がいなくて、放置されている
時にも常に入力状態を検出している必要がある。そのた
め、プルアップ抵抗253の電源供給は常に電源供給さ
れている定電圧電源回路221の出力に接続されてい
る。
The control system power supply circuit 220 is the FIM5 of FIG.
The configuration and operation are the same as those of the control system power supply circuit 120.
The input circuit 250 includes an intermittent wiper volume 282, a wiper switch 283, and a light switch 28 for an input signal 280.
1, ignition key switch (not shown in FIG. 4)
Signals from such devices are converted into voltages that can be captured by the control circuit 270. Therefore, the resistors 251, 252, 2
Pulled up at 53. Intermittent wiper volume 28
2 and the load controlled by the input signal of the wiper switch 283 always operate only when the ignition switch is turned on. Therefore, when there is no person in the vehicle and the vehicle is left, it is not necessary to take in the input information. The power supplied to the pull-up resistors 251, 252 is cut off by the power cut-off circuit 123. on the other hand,
The light switch 281, the ignition switch, and the like may be turned on suddenly when the vehicle is left unattended and unattended, so that the load must be driven. It is necessary to always detect the input state even when it is running. Therefore, the power supply of the pull-up resistor 253 is always connected to the output of the constant voltage power supply circuit 221 to which the power is supplied.

【0036】ショート検出回路230は、電源線12
B,電源線12C,電源線12F,電源線12Gの4つ
のショートセンサと接続されている。
The short detection circuit 230 is connected to the power line 12
B, power supply line 12C, power supply line 12F, and power supply line 12G.

【0037】図5はRIM29の構成図である。負荷電
源遮断回路310は、図3のFIM5の第1の負荷電源遮断
回路110aの構成と同じであるが、リレー311のコ
イルへの電源供給は、図2で説明した制御系の電源に接
続され、リレー311の接点の一端は、ループ系電源供
給系統の電源線12Dに接続され、他端はループ系電源
供給系統の電源線12Eに接続されていると同時に、両
端とも負荷に電源供給するための出力回路360に接続
されている。
FIG. 5 is a block diagram of the RIM 29. The load power cutoff circuit 310 has the same configuration as that of the first load power cutoff circuit 110a of the FIM 5 in FIG. One end of the contact point of the relay 311 is connected to the power supply line 12D of the loop power supply system, and the other end is connected to the power supply line 12E of the loop power supply system. Is connected to the output circuit 360.

【0038】出力回路360は、過電流検出回路36
1,362と負荷に対して電源を供給して駆動の制御を
行う半導体スイッチング素子364〜368で構成され
る。この実施例では、半導体スイッチング素子364,
365,367,368には過温度検出遮断機能を内蔵
したパワーMOSFETを使用しており、過電流が流れ素子の
温度が所定温度以上になるとオフするようになってい
る。そのため、負荷がショートしても電流が流れ続ける
ことがなく、ハーネスが発煙したり、ヒューズが切れた
り、バッテリが過放電するようなこともない。半導体ス
イッチング素子は、図示では6個しか記してないが、当
然RIM29に接続された負荷に応じて増減する。半導
体スイッチング素子363,364,365には、それぞ
れRIM29に接続された負荷390の後席右側ドアの
パワーウィンドウモータ391,トランクルーム右側に
配置された燃料ポン392,ストップランプ右393な
どが接続され、半導体スイッチング素子366,36
7,368には、それぞれRIM29に接続された負荷39
0の後席左側ドアのパワーウィンドウモータ394,ト
ランクルーム左側に配置されたトランクルームランプ3
95,ストップランプ左396などが接続されている。
また半導体スイッチング素子363,364,365の
他端は、過電流検出回路361に接続され、過電流検出
回路361の上流の他端には、電源線12Eからの負荷
電源遮断回路310の電源が供給されている。半導体ス
イッチング素子366,367,368の他端は、過電
流検出回路362に接続され、過電流検出回路362の
上流の他端には、電源線12Dからの負荷電源遮断回路
310の電源が供給されている。このように、車両の右
側と左側で別系統としており、どちらかの系が故障して
も別の系は動作するようにしている。ここで、車両の右
側と左側で別系統にする理由は、RIM29には、スト
ップランプやテールランプなど左右で一対になっている
負荷が多く接続されているためである。例えば、ストッ
プランプ左396とストップランプ右393を同じ電源
系統で電源供給していると、その電源系の過電流検出回
路が故障して電源が供給されなくなると、ストップラン
プは左右どちらも消えるため、ブレーキング時点灯せず
非常に危険である。本実施例のように、車両の右側と左
側で別系統にすれば、どちらかは点灯しているので最悪
の事態は回避できる。半導体スイッチング素子363お
よび366は、モータを正転,逆転の両方向に駆動する
Hブリッジ回路であり、その構成は後で説明する。
The output circuit 360 is connected to the overcurrent detection circuit 36.
1 and 362 and semiconductor switching elements 364 to 368 for supplying power to the load and controlling the driving. In this embodiment, the semiconductor switching element 364,
Each of 365, 367 and 368 uses a power MOSFET having a built-in function for detecting and shutting off an over-temperature, and is turned off when an overcurrent flows and the temperature of the element becomes higher than a predetermined temperature. Therefore, even if the load is short-circuited, the current does not continue to flow, and the harness does not smoke, the fuse does not blow, and the battery is not over-discharged. Although only six semiconductor switching elements are shown in the figure, it naturally increases or decreases according to the load connected to the RIM 29. The semiconductor switching elements 363, 364, 365 are connected to a power window motor 391 of the rear right door of the load 390 connected to the RIM 29, a fuel pump 392 arranged on the right side of the trunk room, a stop lamp right 393, and the like. Switching elements 366, 36
7, 368 have loads 39 connected to the RIM 29, respectively.
0, power window motor 394 at the rear left door, trunk room lamp 3 arranged on the left side of the trunk room
95, stop lamp left 396, and the like.
The other ends of the semiconductor switching elements 363, 364, and 365 are connected to the overcurrent detection circuit 361, and the other end on the upstream side of the overcurrent detection circuit 361 is supplied with power of the load power supply cutoff circuit 310 from the power supply line 12E. Have been. The other ends of the semiconductor switching elements 366, 367, and 368 are connected to an overcurrent detection circuit 362, and the other end upstream of the overcurrent detection circuit 362 is supplied with power of the load power supply cutoff circuit 310 from the power supply line 12D. ing. As described above, the right and left sides of the vehicle are provided as separate systems, and even if one of the systems fails, another system operates. Here, the reason why the right and left sides of the vehicle are separated from each other is that many load pairs, such as stop lamps and tail lamps, are connected to the RIM 29 on the right and left sides. For example, if the stop lamp left 396 and the stop lamp right 393 are powered by the same power supply system, if the overcurrent detection circuit of the power supply system fails and power is not supplied, both the left and right stop lamps are turned off. It is very dangerous because it does not light when braking. If the right and left sides of the vehicle are separated from each other as in this embodiment, the worst situation can be avoided because either of them is lit. The semiconductor switching elements 363 and 366 are H-bridge circuits that drive the motor in both forward and reverse directions, and the configuration will be described later.

【0039】制御系電源回路320は、図3のFIM5
の制御系電源回路120と構成,動作とも同じである。
入力回路350は入力信号380のドア開閉スイッチ3
82や後席のパワーウィンドウスイッチ383などから
の信号を制御回路370が取り込めるような電圧に変換
している。そのために抵抗351,352でプルアップ
している。これらのスイッチは、車両に人がいなくて、
放置されているようなときには、入力情報を取り込む必
要がないため、プルアップ抵抗351,352に供給さ
れる電源を電源遮断回路323で遮断するようにしてい
る。
The control system power supply circuit 320 is the FIM5 of FIG.
The configuration and operation are the same as those of the control system power supply circuit 120.
The input circuit 350 is a door open / close switch 3 for the input signal 380.
Signals from the power window switch 82 and the power window switch 383 on the rear seat are converted into voltages that can be taken in by the control circuit 370. For this purpose, the pull-up is performed by the resistors 351 and 352. These switches are used when the vehicle is empty
Since it is not necessary to take in input information when left unattended, the power supplied to the pull-up resistors 351 and 352 is cut off by the power cutoff circuit 323.

【0040】ショート検出回路330は、電源線12
D,電源線12Eの2つのショートセンサと接続されて
いる。
The short detection circuit 330 is connected to the power line 12
D, and two short sensors of the power supply line 12E.

【0041】図6は、ループ状電源供給系とは別系統で
電源供給されるPCM10の構成である。図2の実施例
のPCM10は、電源回路720,制御回路770,入
力回路750,出力回路760で構成されている。電源
回路720は、ダイオード722,定電圧電源回路72
1で構成される。バッテリ3からヒューズ4a,イグニ
ッションスイッチ26a,ヒューズ36bを経由して供
給される電源は、ダイオード722を経由して定電圧電
源回路721に供給される一方、負荷駆動用の電源とし
て出力回路760の半導体スイッチング素子761,7
65にも供給されている。定電圧電源回路721では、
各種演算,制御処理を行う制御回路770などを動作さ
せるための定電圧を発生する。入力回路750は入力信
号780のクランク角センサ781とエアフローセンサ
782,スロットルセンサ783などからの信号を制御
回路770が取り込めるような電圧に変換している。
FIG. 6 shows a configuration of the PCM 10 supplied with power in a system different from the loop power supply system. 2 includes a power supply circuit 720, a control circuit 770, an input circuit 750, and an output circuit 760. The power supply circuit 720 includes a diode 722 and a constant voltage power supply circuit 72.
It is composed of 1. The power supplied from the battery 3 via the fuse 4a, the ignition switch 26a, and the fuse 36b is supplied to the constant voltage power supply circuit 721 via the diode 722, while the semiconductor of the output circuit 760 serves as a load driving power supply. Switching elements 761, 7
65. In the constant voltage power supply circuit 721,
A constant voltage for operating a control circuit 770 for performing various arithmetic and control processes is generated. The input circuit 750 converts a signal of the input signal 780 from the crank angle sensor 781, the air flow sensor 782, the throttle sensor 783, and the like into a voltage that can be taken by the control circuit 770.

【0042】出力回路760は、負荷に対して電源を供
給して駆動の制御を行う半導体スイッチング素子761
と765、および負荷のオン,オフを行う半導体スイッ
チング素子762,763,765で構成される。この
実施例では、半導体スイッチング素子765には過温度
検出遮断機能を内蔵したパワーMOSFETを使用しており、
過電流が流れ素子の温度が所定温度以上になるとオフす
るようになっている。そのため、負荷がショートしても
電流が流れ続けることがなく、ハーネスが発煙したり、
ヒューズが切れたり、バッテリが過放電するようなこと
もない。一方、半導体スイッチング素子762,76
3,765には保護機能がない単純な半導体スイッチン
グ素子を使用している。なぜなら、もし負荷とかがショ
ートして過電流が流れても、負荷の上流にあるヒューズ
が溶断するため、過電流が流れ続けることはないためで
ある。本実施例では保護機能がない半導体スイッチング
素子を使用したが、当然のごとく保護機能付の半導体ス
イッチング素子を使用してもなんら問題はない。半導体
スイッチング素子は、図示では5個しか記してないが、
当然PCM10に接続された負荷に応じて増減する。半
導体スイッチング素子762,763,764には、そ
れぞれPCM10に接続された負荷790のワーニング
ランプ792,インジェクタ793,EGRソレノイド
794などが接続され、これらの負荷の上流にはヒュー
ズ36f,36g,36hが接続されている。半導体ス
イッチング素子761には、PCM10に接続された負
荷790のATソレノイド791などが接続されてい
る。半導体スイッチング素子765は、スロットルモー
タ795を正転,逆転の両方向に駆動するHブリッジ回
路であり、その構成は後で説明する。
The output circuit 760 is a semiconductor switching element 761 for supplying power to a load and controlling driving.
And 765, and semiconductor switching elements 762, 763, and 765 for turning on and off the load. In this embodiment, the semiconductor switching element 765 uses a power MOSFET having a built-in over-temperature detection cutoff function.
When an overcurrent flows and the temperature of the element becomes equal to or higher than a predetermined temperature, the element is turned off. Therefore, even if the load is short-circuited, the current does not continue to flow, and the harness emits smoke,
There is no blown fuse or over-discharged battery. On the other hand, the semiconductor switching elements 762 and 76
3,765 uses a simple semiconductor switching element having no protection function. This is because, even if a load or the like is short-circuited and an overcurrent flows, a fuse located upstream of the load is blown and the overcurrent does not continue to flow. Although a semiconductor switching element having no protection function is used in this embodiment, it goes without saying that there is no problem if a semiconductor switching element having a protection function is used. Although only five semiconductor switching elements are shown in the figure,
Naturally, it increases or decreases according to the load connected to the PCM 10. The semiconductor switching elements 762, 763, and 764 are connected to a warning lamp 792, an injector 793, and an EGR solenoid 794 of a load 790 connected to the PCM 10, respectively. Fuses 36f, 36g, and 36h are connected upstream of these loads. Have been. An AT solenoid 791 of a load 790 connected to the PCM 10 and the like are connected to the semiconductor switching element 761. The semiconductor switching element 765 is an H-bridge circuit that drives the throttle motor 795 in both forward and reverse rotations, and its configuration will be described later.

【0043】PCM10と同様にループ状電源供給系と
は別系統で電源供給される図2のABS11,A/C1
6,SDM25,ラジオ15の構成も、図6のPCM1
0の構成とほぼ同じため説明は省略するが、当然、モジ
ュールに接続されている入力信号,負荷は異なってい
る。
Similarly to the PCM 10, the ABS 11 and the A / C 1 shown in FIG.
6, SDM 25, and radio 15 are also configured as PCM1 in FIG.
Since the configuration is almost the same as that of the module 0, the description is omitted, but the input signal and the load connected to the module are different.

【0044】図7は、BCM14の電源供給回路200
から電源供給されるDDM18の構成である。DDM1
8は、電源回路620,制御回路670,入力回路65
0,出力回路660,通信回路640,入力信号680
の一部,負荷690の一部で構成されている。電源回路
620は、定電圧電源回路621と電源遮断回路623で
構成される。BCM14の電源供給回路200から供給
される電源は、定電圧電源回路721に供給される一
方、負荷駆動用の電源として出力回路660のスイッチ
ング素子663,664,665、および負荷691に
も供給されている。定電圧電源回路621では、各種演
算,制御処理を行う制御回路670などを動作させるた
めの定電圧を発生する。入力回路650は入力信号68
0のモジュールに内蔵されたパワーウィンドウスイッチ
681やドアロックスイッチ682などからの信号を制
御回路370が取り込めるような電圧に変換している。
そのために抵抗651,652でプルアップしている。
これらのスイッチは、車両に人がいなくて、放置されて
いるようなときには、入力情報を取り込む必要がないた
め、プルアップ抵抗651,652に供給される電源を
電源遮断回路623で遮断するようにしている。
FIG. 7 shows a power supply circuit 200 of the BCM 14.
This is the configuration of the DDM 18 supplied with power from the. DDM1
8 is a power supply circuit 620, a control circuit 670, and an input circuit 65.
0, output circuit 660, communication circuit 640, input signal 680
And part of the load 690. The power supply circuit 620 includes a constant voltage power supply circuit 621 and a power supply cutoff circuit 623. The power supplied from the power supply circuit 200 of the BCM 14 is supplied to the constant voltage power supply circuit 721 and also supplied to the switching elements 663, 664, 665 and the load 691 of the output circuit 660 as power for driving the load. I have. The constant voltage power supply circuit 621 generates a constant voltage for operating a control circuit 670 for performing various arithmetic and control processes. The input circuit 650 receives the input signal 68
The signal from the power window switch 681 and the door lock switch 682 incorporated in the module No. 0 is converted into a voltage that can be taken by the control circuit 370.
For this purpose, pull-up is performed by resistors 651 and 652.
Since these switches do not need to take in input information when the vehicle is left unattended and unattended, the power supplied to the pull-up resistors 651 and 652 is cut off by the power cutoff circuit 623. ing.

【0045】出力回路660は、負荷に対して電源を供
給して駆動の制御を行うスイッチング素子663,66
4,665、および負荷のオン,オフを行う半導体スイ
ッチング素子661,662で構成される。この実施例
では、半導体スイッチング素子661,662には保護
機能がない単純な半導体スイッチング素子を使用してい
る。なぜなら、もし負荷とかがショートして過電流が流
れても、負荷の上流にあるBCM14の電源供給回路2
00に保護機能が付いているため、過電流が流れ続ける
ことはないためである。本実施例では保護機能がない半
導体スイッチング素子を使用したが、当然のごとく保護
機能付の半導体スイッチング素子を使用してもなんら問
題はない。パワーウィンドウモータ693,ドアロック
モータ694,ミラーモータ695を駆動するスイッチ
ング素子663,664,665には、リレーを使用して
いるが半導体スイッチング素子でも良い。半導体スイッ
チング素子661には、DDM18に内蔵された負荷6
90のスイッチイルミランプ691が接続され、半導体
スイッチング素子662には、ドアに設置されたステッ
プランプ692が接続され、これらの負荷の上流にはB
CM14の電源供給回路200が接続されている。
The output circuit 660 includes switching elements 663 and 66 for supplying power to the load and controlling driving.
4, 665, and semiconductor switching elements 661, 662 for turning on and off the load. In this embodiment, a simple semiconductor switching element having no protection function is used for the semiconductor switching elements 661 and 662. This is because even if the load is short-circuited and an overcurrent flows, the power supply circuit 2 of the BCM 14 located upstream of the load
This is because the overcurrent does not continue to flow because 00 has a protection function. Although a semiconductor switching element having no protection function is used in this embodiment, it goes without saying that there is no problem if a semiconductor switching element having a protection function is used. As the switching elements 663, 664, 665 for driving the power window motor 693, the door lock motor 694, and the mirror motor 695, relays are used, but semiconductor switching elements may be used. The semiconductor switching element 661 has a load 6 built in the DDM 18.
90, a switch illumination lamp 691 is connected, and a semiconductor switching element 662 is connected to a step lamp 692 installed on a door.
The power supply circuit 200 of the CM 14 is connected.

【0046】PDM20の構成も、図7のDDM18の
構成とほぼ同じため説明は省略する。
The configuration of the PDM 20 is almost the same as the configuration of the DDM 18 in FIG.

【0047】このように、ドアに設置されたDDM1
8,PDM20および負荷の電源は、BCM14の保護
機能を持った電源供給回路より供給しているため、電源
供給線には同軸構造の線を使用する必要がなく、普通の
電線を使用できる。したがって、電線の経が細くでき
る。また、出力回路に使用する半導体スイッチング素子
には保護機能がないものでも良い。
As described above, the DDM 1 installed at the door
8. Since the power supply of the PDM 20 and the load is supplied from a power supply circuit having a protection function of the BCM 14, it is not necessary to use a coaxial structure line as the power supply line, and an ordinary electric wire can be used. Therefore, the diameter of the wire can be reduced. Further, the semiconductor switching element used in the output circuit may not have a protection function.

【0048】図8,図9,図10,図11にモータを正
転,逆転の両方向に駆動するHブリッジ回路の構成を示
す。まず、図8を説明する。論理回路1050は、制御
回路からの2つの制御信号をもとに、ショート保護機能
を有していない4つの半導体スイッチング素子101
0,1020,1030,1040で構成されるHブリ
ッジの制御信号に変換している。すなわち、正転の時
は、半導体スイッチング素子1020と半導体スイッチ
ング素子1030をオンさせモータ1060に電流を流
し、逆転の時は、半導体スイッチング素子1010と半
導体スイッチング素子1040をオンさせてモータに逆
電流を流すような信号に変換する。図9は、Hブリッジ
を構成する半導体スイッチング素子の上流側2個をショ
ート保護機能を有する半導体スイッチング素子1010
a,1020aにしたものであり、図10は、Hブリッ
ジを構成する半導体スイッチング素子の下流側2個をシ
ョート保護機能を有する半導体スイッチング素子103
0a,1040aにしたものであり、図11は、Hブリ
ッジを構成する半導体スイッチング素子の上流側,下流
側4個すべてをショート保護機能を有する半導体スイッ
チング素子1010a,1020a,1030a,10
40aにしたものである。図8はHブリッジを構成する
半導体スイッチング素子にショート保護機能を有してい
ないので、別の所でショート保護機能が必要となる。図
9は上流にショート保護機能を有している半導体スイッ
チング素子を使用しているため、負荷がショートしても
保護され、かつ負荷に接続された電源がグランドにショ
ートしても保護される。しかし、負荷に接続された電源
が電源側にショートすると下流側の半導体スイッチング
素子が破壊する。図10は、下流にショート保護機能を
有している半導体スイッチング素子を使用しているた
め、負荷がショートしても保護され、かつ負荷に接続さ
れた電線が電源側にショートしても保護される。しか
し、負荷に接続された電線がグランドにショートすると
下流側の半導体スイッチング素子が破壊する。それに対
し、図11は上流,下流ともにショート保護機能を有し
ている半導体スイッチング素子を使用しているため、負
荷がショートしても保護され、かつ負荷に接続された電
線がグランドにショートしても、電源側にショートして
も保護される。
FIGS. 8, 9, 10, and 11 show the configuration of an H-bridge circuit that drives the motor in both forward and reverse directions. First, FIG. 8 will be described. The logic circuit 1050 includes four semiconductor switching elements 101 having no short-circuit protection function based on two control signals from the control circuit.
0, 1020, 1030, and 1040 are converted into H-bridge control signals. That is, at the time of forward rotation, the semiconductor switching element 1020 and the semiconductor switching element 1030 are turned on to supply a current to the motor 1060, and at the time of reverse rotation, the semiconductor switching element 1010 and the semiconductor switching element 1040 are turned on to supply a reverse current to the motor. Convert to a flowing signal. FIG. 9 shows a semiconductor switching element 1010 having a short-circuit protection function for two upstream semiconductor switching elements constituting an H-bridge.
FIG. 10 shows a semiconductor switching element 103 having a short-circuit protection function by connecting two downstream semiconductor switching elements constituting an H-bridge.
FIG. 11 shows a semiconductor switching element 1010a, 1020a, 1030a, 1010a, 1030a, 1030a, 1030a, 1030a, 1030a, which has a short-circuit protection function for all four upstream and downstream semiconductor switching elements constituting an H-bridge.
40a. FIG. 8 does not have the short-circuit protection function in the semiconductor switching element forming the H-bridge, so that a short-circuit protection function is required in another place. FIG. 9 uses a semiconductor switching element having a short-circuit protection function upstream, so that it is protected even if the load is short-circuited, and is protected even if the power supply connected to the load is short-circuited to the ground. However, when the power supply connected to the load is short-circuited to the power supply side, the downstream semiconductor switching element is destroyed. FIG. 10 uses a semiconductor switching element having a short-circuit protection function downstream, so that it is protected even if the load is short-circuited, and is protected even if the wire connected to the load is short-circuited to the power supply side. You. However, when the electric wire connected to the load is short-circuited to the ground, the semiconductor switching element on the downstream side is broken. On the other hand, FIG. 11 uses a semiconductor switching element having a short-circuit protection function at both the upstream and downstream sides. Is protected even if short-circuited to the power supply side.

【0049】この4つのHブリッジ回路の使い分けにつ
いて説明する。パワーバス12から電源の供給を受ける
モジュール、具体的には、図2の実施例の中のFIM
5,BCM14,RIM29の上流には、2個のヒュー
ジブルリンク4e,4fだけしかなく、負荷がショート
故障したときに出力回路にショート保護機能がないと、
ループ式電源系統全体が動作不能になるため、FIM5
(図3),BCM14(図4),RIM29(図5)内
のモータ駆動Hブリッジ回路には、図9,図10,図1
1のどれかを使う必要がある。ところが、図2の実施例
の中のPCM10(図6)やABS11,A/C16などは、
それぞれ機能毎かつ図6のPCM10の負荷のように負
荷毎にヒューズを有しているため、ショート保護機能を
有したHブリッジ回路でなくても、致命的な故障になる
ことはないので、本実施例では、図8のショート保護機
能を有しないHブリッジ回路を使用している。もちろん
図9,図10,図11のHブリッジ回路を使用しても問
題はない。同様にDDM18,PDM20の電源供給も、電源
供給側であるBCM14の電源供給回路200にショー
ト保護機能付の半導体スイッチング素子を使用している
ため、図8のショート保護機能を有しないHブリッジ回
路を使用している。
The proper use of the four H-bridge circuits will be described. A module which is supplied with power from the power bus 12, specifically, the FIM in the embodiment of FIG.
5, there are only two fusible links 4e and 4f upstream of the BCM 14 and the RIM 29. If the output circuit does not have a short-circuit protection function when the load short-circuits,
Since the entire loop power system becomes inoperable, the FIM5
(FIG. 3), the motor driven H-bridge circuit in the BCM 14 (FIG. 4), and the RIM 29 (FIG. 5) include FIGS.
You need to use one of them. However, PCM10 (FIG. 6), ABS11, A / C16, etc. in the embodiment of FIG.
Since a fuse is provided for each function and for each load like the load of the PCM 10 in FIG. 6, even if the H-bridge circuit does not have a short-circuit protection function, a fatal failure will not occur. In the embodiment, the H-bridge circuit having no short-circuit protection function shown in FIG. 8 is used. Of course, there is no problem even if the H-bridge circuits shown in FIGS. 9, 10 and 11 are used. Similarly, for the power supply of the DDM 18 and the PDM 20, the H-bridge circuit having no short-circuit protection function shown in FIG. I'm using

【0050】次に図3,図4,図5,図6,図7のモジ
ュールの出力回路内の過電流検出回路について説明す
る。図12は過電流検出回路の構成を示している。20
20は、シャント抵抗であり、上流側の一端は電源線に
接続され、下流側の一端は負荷を駆動する複数の半導体
スイッチング素子に接続されており、接続された負荷に
流れる電流全てがこのシャント抵抗2020を流れるよ
うに構成されている。このシャント抵抗2020の両端
の電位差を増幅回路2010により増幅して、制御回路
のA/D変換器2000でシャント抵抗に流れる電流、
すなわち接続されている負荷に流れる電流の総和を検出
するようにしている。本実施例では、この電流を検出す
ることにより、負荷のデッドショート故障,負荷のリー
クショート故障,負荷デッドショート故障と出力回路の
半導体スイッチング素子のデッドショート故障の複合故
障などを検出し、フェールセーフ動作を行っている。
Next, an overcurrent detection circuit in the output circuit of the module shown in FIGS. 3, 4, 5, 6, and 7 will be described. FIG. 12 shows the configuration of the overcurrent detection circuit. 20
Reference numeral 20 denotes a shunt resistor. One end on the upstream side is connected to a power supply line, and one end on the downstream side is connected to a plurality of semiconductor switching elements for driving a load. It is configured to flow through the resistor 2020. The potential difference between both ends of the shunt resistor 2020 is amplified by the amplifier circuit 2010, and the current flowing through the shunt resistor by the A / D converter 2000 of the control circuit is
That is, the sum of the currents flowing through the connected loads is detected. In the present embodiment, by detecting this current, a dead short failure of the load, a leak short failure of the load, a combined failure of the load dead short failure and the dead short failure of the semiconductor switching element of the output circuit, and the like are detected, and the fail safe operation is performed. Is working.

【0051】図13,図14の処理フローチャートを用
いて、図3,図4,図5,図6,図7のモジュールにお
ける前記故障検出の方法およびフェールセーフの方法に
ついて説明する。図13は、負荷のデッドショート故障
の検出方法とフェールセーフ方法を示している。最初
に、ステップ6000にて過電流検出回路に流れる電流
ITを図12のA/D変換器2000で測定する。次に
ステップ6010測定した電流ITが、所定の許容値以
上かどうかを判定する。この所定の許容値は、この値以
上流れたら、モジュールのどこかが破壊するという値以
下であり、モジュールに接続された負荷全てが動作して
いるときの電流値以上で設定した数値である。ステップ
6010で、電流ITが許容値以下だと判定すると致命
的なデッドショート故障はないと判断し、図14のステ
ップ6200を実行する。ステップ6010で電流IT
が許容値以上だと判定すると、いずれかの負荷がショー
トしていると見なして、ステップ6020以降を実行す
る。ステップ6020では、現在オンしている全ての負
荷をオフするため、出力回路の半導体スイッチング素子
を全てオフする。ステップ6030では、オンしていた
負荷の数mを算出し、ステップ6040では、再度電流
ITを測定する。ここで、半導体スイッチング素子をす
べてオフしたので、半導体スイッチング素子が故障して
いない限りは、電流は流れなくなるはずである。それを
判定するため、ステップ6050で再度測定した電流I
T(半導体スイッチング素子をすべてオフしたときの電
流)が前記許容値を超えているかどうかを比較してい
る。ここでも、電流ITが許容値以上であれば、半導体
スイッチング素子が故障しており、かつ負荷もデッドシ
ョート故障をしていることになる。なぜなら、負荷が正
常なら半導体スイッチング素子が故障していても電流I
Tが許容値以上になることはないはずである。したがっ
て、故障個所に電源供給されないようにループ式電源系
統を遮断するために、まずステップ6150において、
故障しているモジュールの負荷電源遮断回路をオフし、
さらに故障した電源系に接続されているモジュールの負
荷電源遮断回路をオフするために、ステップ6160に
おいて、故障情報を他のモジュールに多重通信により送
信する。この情報を受信したモジュールは、その情報が
自分の負荷電源遮断回路をオフするという情報であれ
ば、すぐに負荷電源遮断回路をオフする。このようにす
ることにより、故障した電源系を遮断することができ、
電流が流れ続けることを防止することができる。さら
に、ステップ6170において、故障個所や故障の内容
を表示したり、ディーラーでのサービス情報として記憶
したりする。この記憶された情報は、図1の診断装置1
3などで読み出すことができるようになっている。故障
した電源系を遮断する方法をよりわかりやすく図2の実
施例で説明する。一例として、図5のRIM29に接続
されている燃料ポンプ392とそれを駆動する半導体ス
イッチング素子364のどちらもデッドショート故障し
たとする。その時、RIM29の過電流検出回路361
に流れる電流により、故障を検出するとまず故障した電
源系の負荷電源遮断回路310のリレーの接点をオフ
し、故障した電源系の電源線12Eと正常な電源系の電
源線12Dを遮断する。さらに、故障した電源系の電源
線12Eは電源線12Fと接続されているので、電源線
12Fが接続されている図6のBCM14の第2の負荷
電源遮断回路210bのリレーの接点をオフし、故障し
た電源系の電源線12Fと正常な電源系の電源線12Gを
遮断する。このようにすると故障した電源系のみが遮断
されるので、正常な電源系に接続された負荷は正常に動
作する。
The method of detecting the failure and the method of fail-safe in the modules of FIGS. 3, 4, 5, 6, and 7 will be described with reference to the processing flowcharts of FIGS. FIG. 13 shows a method of detecting a load short-circuit fault and a fail-safe method. First, in step 6000, the current IT flowing to the overcurrent detection circuit is measured by the A / D converter 2000 in FIG. Next, in step 6010, it is determined whether the measured current IT is equal to or larger than a predetermined allowable value. The predetermined allowable value is a value that is equal to or less than a value at which any part of the module will be destroyed if the value exceeds this value, and is a value set to be equal to or greater than the current value when all the loads connected to the module are operating. If it is determined in step 6010 that the current IT is equal to or less than the allowable value, it is determined that there is no fatal dead short failure, and step 6200 in FIG. 14 is executed. In step 6010, the current IT
Is larger than the allowable value, it is determined that one of the loads is short-circuited, and the steps from step 6020 are executed. In step 6020, all the semiconductor switching elements of the output circuit are turned off to turn off all the loads that are currently turned on. In step 6030, the number m of the loads that have been turned on is calculated, and in step 6040, the current IT is measured again. Here, since all the semiconductor switching elements are turned off, the current should not flow unless the semiconductor switching elements have failed. To determine this, the current I measured again in step 6050
It is compared whether T (current when all the semiconductor switching elements are turned off) exceeds the allowable value. Here, if the current IT is equal to or larger than the allowable value, it means that the semiconductor switching element has failed and the load has also suffered a dead short failure. The reason is that if the load is normal, the current I
T should not be greater than the allowed value. Therefore, in order to cut off the loop power supply system so that power is not supplied to the failure point, first in step 6150,
Turn off the load power cutoff circuit of the faulty module,
In order to turn off the load power cutoff circuit of the module connected to the failed power supply system, in step 6160, failure information is transmitted to other modules by multiplex communication. The module that has received this information immediately turns off the load power cutoff circuit if the information indicates that the module turns off its own load power cutoff circuit. By doing so, the failed power supply system can be shut off,
It is possible to prevent the current from continuing to flow. Further, in step 6170, the location of the failure and the content of the failure are displayed or stored as service information at the dealer. The stored information is stored in the diagnostic device 1 of FIG.
3 can be read out. A method of shutting down a failed power supply system will be described in more detail with reference to the embodiment of FIG. As an example, it is assumed that both the fuel pump 392 connected to the RIM 29 in FIG. 5 and the semiconductor switching element 364 for driving the same have a dead short failure. At that time, the overcurrent detection circuit 361 of the RIM 29
When a failure is detected based on the current flowing through the power supply, first, the relay contact of the load power supply cutoff circuit 310 of the failed power supply system is turned off, and the power supply line 12E of the failed power supply system and the power supply line 12D of the normal power supply system are disconnected. Further, since the power supply line 12E of the failed power supply system is connected to the power supply line 12F, the relay contact of the second load power supply cutoff circuit 210b of the BCM 14 of FIG. 6 to which the power supply line 12F is connected is turned off. The power supply line 12F of the failed power supply system and the power supply line 12G of the normal power supply system are cut off. In this way, only the failed power supply system is shut off, so that the load connected to the normal power supply system operates normally.

【0052】前記ステップ6050で再度測定した電流
ITが許容値以下であれば、半導体スイッチング素子は
故障していないが、いずれかの負荷がデッドショートし
ていることになる。ステップ6060以降でいずれの負
荷がショートしているかを判定している。ステップ60
60では、以下の処理を何回繰り返すかの数値nを1に
初期化する。ステップ6070で、ステップ6020で
オフした負荷の1個だけをオンした後、ステップ607
0で、その時の電流ITを測定し、ステップ6090で
その電流ITが前記と同じ所定の許容値と比較する。こ
の時電流ITが許容値以上であれば、ステップ6070
でオンした負荷がデッドショートしているということ
で、ステップ6110において、以後復帰条件が成立し
ない限り、その負荷をオフする。またこの時も前述した
のと同じように、ステップ6120にて故障情報を表示した
り格納する。ステップ6090で電流値ITが許容値以
下であれば、負荷はデッドショートしてないと判断し、
ステップ6100にてその負荷を駆動する半導体スイッ
チング素子をオンし、正常時の動作とする。これで、1
個の負荷の診断が終了するが、残りの負荷を診断するた
め、ステップ6130にて前記数値nを1だけ増加させ、ス
テップ6140にて全部終了したかどうかを比較し、終
了してなければステップ6070以下の処理を繰り返
し、終了すれば次の処理である図14のステップ620
0を実行する。
If the current IT measured again in step 6050 is equal to or less than the allowable value, the semiconductor switching element has not failed, but one of the loads is dead short-circuited. After step 6060, it is determined which load is short-circuited. Step 60
At 60, a numerical value n for how many times the following processing is repeated is initialized to 1. In step 6070, after turning on only one of the loads turned off in step 6020, step 607
At 0, the current IT is measured, and at step 6090 the current IT is compared to the same predetermined tolerance as above. At this time, if the current IT is equal to or more than the allowable value, step 6070
In step 6110, the load turned off is dead-short unless the return condition is satisfied. Also at this time, the failure information is displayed and stored in step 6120 in the same manner as described above. If the current value IT is equal to or less than the allowable value in step 6090, it is determined that the load is not dead-short.
In step 6100, the semiconductor switching element for driving the load is turned on, and the normal operation is performed. This is 1
Although the diagnosis of the loads is completed, in order to diagnose the remaining loads, the numerical value n is increased by 1 in step 6130, and it is compared in step 6140 whether or not all of the loads have been completed. The processing of step 6070 and subsequent steps is repeated, and when the processing is completed, the next processing is step 620 in FIG.
Execute 0.

【0053】図14は、デッドショートではなく、負荷
のリークなどにより正常値以上の電流が流れるのを検出
して、負荷をオフする方法の処理を示している。ステッ
プ6210では、電流値ITを測定する。ステップ62
20では、電流ITを測定したとき動作しているすべて
の負荷の正常時の最大電流値ILmaxと最小ILminを検
索し、かつ動作している負荷の数mを算出する。例え
ば、図15には動作開始してからのランプの正常時の電
流の中心値の一例を示しており、図16には動作開始し
てからのモータの正常時の電流の中心値の一例を示して
いる。このようなすべての負荷の正常時の電流データが
あらかじめメモリに記憶されており、そのデータを検索
し、その検索した中心値にばらつきデータを加味して、
式1,式2にてすべての負荷の正常時の最大電流値IL
maxと最小ILminを算出する。
FIG. 14 shows a process of a method of detecting a current not less than a normal value due to a load leak or the like, instead of a dead short, and turning off the load. In step 6210, the current value IT is measured. Step 62
In step 20, the normal maximum current value ILmax and minimum ILmin of all the operating loads when the current IT is measured are searched, and the number m of operating loads is calculated. For example, FIG. 15 shows an example of the center value of the normal current of the lamp after the operation starts, and FIG. 16 shows an example of the center value of the normal current of the motor after the operation starts. Is shown. Normal current data of all such loads is stored in the memory in advance, and the data is searched for, and the variation data is added to the searched center value,
In Equations 1 and 2, the maximum current value IL of all loads at normal time
Calculate max and minimum ILmin.

【0054】 ILmax=正常時の電流x(1+ばらつき) :式1 ILmin=正常時の電流x(1−ばらつき) :式2 ステップ6230では、現在オンしている負荷の正常時
の電流値の最大,最小の総和ITmax,ITminを式3,
式4にて算出する。
ILmax = Normal current x (1 + variation): Expression 1 ILmin = Normal current x (1−variation): Expression 2 In step 6230, the maximum value of the normal current value of the load that is currently turned on. , The minimum sum ITmax, ITmin is given by Equation 3,
It is calculated by Equation 4.

【0055】 ITmax=ΣILmax_n(n=1〜m) :式3 ITmin=ΣILmin_n(n=1〜m) :式4 例えば、図15と図16の2つの負荷が動作していると
すると、総和は、図17のような電流値となる。次にス
テップ6240において、異常判定最大電流値INGma
x を式5で、異常判定最小電流値INGmin を式6で算
出する。
ITmax = ΣILmax_n (n = 1 to m): Equation 3 ITmin = ΣILmin_n (n = 1 to m): Equation 4 For example, if the two loads shown in FIGS. 15 and 16 are operating, the sum is , And the current value as shown in FIG. Next, at step 6240, the abnormality determination maximum current value INGma
x is calculated by Expression 5, and the abnormality determination minimum current value INGmin is calculated by Expression 6.

【0056】 INGmax=ITmax+A :式5 INGmin=ITmin−A :式6 式5,式6のAは、0以上の所定一定値である。本実施
例では異常判定電流値の計算は一定値を加算して求めた
が、比率計算して求めても良い。ステップ6210で測定し
た電流値ITとステップ6240で算出した異常判定電
流値をステップ6250で比較する。電流値ITが異常
判定最小電流値INGmin より大きくて、異常判定最大
電流値INGmax より小さければ、正常であるので処理
を終了する。それ以外の時は、いずれかの負荷に異常が
あると判断し、異常な負荷を特定するために以下の処理
を実行する。ステップ6260では、以下の処理を何回
繰り返すかの数値nを1に初期化する。ステップ627
0で現在オンしている負荷の1個だけをオフした1ms
後、ステップ6270で、その時の電流ITnew を測定
し、ステップ6290で、オフしたことによって変化し
た電流値(IT−ITnew )が、ステップ6220で検
索してもとめたオフした負荷の最大電流値ILmax より
小さく、最大電流値ILmin より大きければ、その負荷
は正常であるので、ステップ6300にてその負荷を駆
動する半導体スイッチング素子をオンし、正常時の動作
とする。ステップ6290で負荷異常と判断したら、ス
テップ6310において、以後復帰条件が成立しない限
り、その負荷をオフする。またステップ6320にて故
障情報を表示したり格納する。残りの負荷を診断するた
め、ステップ6330にて前記数値nを1だけ増加さ
せ、ステップ6340にて全部終了したかどうかを比較
し、終了してなければステップ6270以下の処理を繰
り返す。このように、負荷および半導体スイッチング素
子の両方がショート故障したときには、その電源系統を
遮断するため、ループ式電源系統に影響を与えることが
ない。また、負荷のショートおよびレアショートを検出
すれば該当する半導体スイッチング素子のみを遮断する
ことができるので、故障個所だけを分離でき他の負荷に
影響を与えないようになる。また、本実施例では半導体
スイッチング素子には過温度検出遮断機能を内蔵したも
のを使用しているが、このように各負荷の電流を検出で
きるため、半導体スイッチング素子の保護機能は、その
半導体スイッチング素子が破壊しない目的の為だけの、
ばらつきが大きくても良い過電流制限機能があれば、十
分にショート保護を行うことができ、半導体スイッチン
グ素子の構成が簡単にできる。
INGmax = ITmax + A: Equation 5 INGmin = ITmin−A: Equation 6 A in Equations 5 and 6 is a predetermined constant value of 0 or more. In this embodiment, the abnormality determination current value is calculated by adding a constant value, but may be calculated by calculating a ratio. In step 6250, the current value IT measured in step 6210 and the abnormality determination current value calculated in step 6240 are compared. If the current value IT is larger than the abnormality determination minimum current value INGmin and smaller than the abnormality determination maximum current value INGmax, the process is terminated because it is normal. At other times, it is determined that any of the loads has an abnormality, and the following processing is executed to identify the abnormal load. In step 6260, a numerical value n representing how many times the following processing is repeated is initialized to 1. Step 627
1 ms when only one of the loads currently on is turned off at 0
Thereafter, in step 6270, the current ITnew at that time is measured, and in step 6290, the current value (IT-ITnew) changed by the turning off is larger than the maximum current value ILmax of the off load determined by searching in step 6220. If it is smaller and larger than the maximum current value ILmin, the load is normal. Therefore, in step 6300, the semiconductor switching element that drives the load is turned on, and the operation at the time of normal operation is performed. If it is determined in step 6290 that the load is abnormal, in step 6310, the load is turned off unless a return condition is satisfied. In step 6320, the failure information is displayed or stored. In order to diagnose the remaining load, the numerical value n is incremented by 1 in step 6330, and it is compared in step 6340 whether or not all the processes have been completed. If not completed, the processes in and after step 6270 are repeated. As described above, when both the load and the semiconductor switching element are short-circuited, the power supply system is cut off, so that the loop power supply system is not affected. Further, if a short circuit and a rare short circuit of the load are detected, only the corresponding semiconductor switching element can be cut off, so that only a faulty portion can be isolated and other loads are not affected. Further, in this embodiment, the semiconductor switching element having a built-in function of detecting and shutting off the over-temperature is used. However, since the current of each load can be detected as described above, the protection function of the semiconductor switching element is based on the semiconductor switching element. Only for the purpose of not destroying the element,
If there is an overcurrent limiting function that may have a large variation, short-circuit protection can be sufficiently performed, and the configuration of the semiconductor switching element can be simplified.

【0057】図18,図19,図20は、図2の実施例
の別のモジュールFIM5,BCM14,RIM29の構成図
であり、他のモジュールPCM10,DDM18,PDM
20は図6,図7の実施例に対して変更がない。図18
はFIM5の構成図であり、図3のFIM5の構成図の
相違点のみを説明する。図3では、過電流検出回路16
1,162を有していたが、図18のFIM5では、過
電流検出回路を有しておらず、放熱板の温度を検出する
温度検出回路169および周温を検出する温度センサ1
83を有している。同様に図19および図20のBCM
14,RIM29も過電流検出回路を有さず、それぞれ放熱
板の温度を検出する温度検出回路209および369と周
温を検出する温度センサ284,383を有している。
FIGS. 18, 19, and 20 are block diagrams of another module FIM5, BCM14, RIM29 of the embodiment of FIG. 2, and the other modules PCM10, DDM18, PDM
20 is the same as the embodiment shown in FIGS. 6 and 7. FIG.
Is a configuration diagram of the FIM5, and only different points of the configuration diagram of the FIM5 in FIG. 3 will be described. In FIG. 3, the overcurrent detection circuit 16
18, the FIM 5 of FIG. 18 does not have an overcurrent detection circuit, and has a temperature detection circuit 169 for detecting the temperature of the heat sink and a temperature sensor 1 for detecting the peripheral temperature.
83. Similarly, the BCM shown in FIGS.
14 and RIM 29 also have no overcurrent detection circuit, and have temperature detection circuits 209 and 369 for detecting the temperature of the heat sink and temperature sensors 284 and 383 for detecting the peripheral temperature, respectively.

【0058】図21,図22,図23は温度検出回路の
構成例である。図21は3020〜3050のダイオー
ドと、ダイオードに流す電流を制限する抵抗3010お
よび抵抗3010とダイオード3020間の電圧を入力
しA/D変換するA/D変換器3000で構成してい
る。A/D変換器3000は、FIM5,BCM14,
RIM29のそれぞれのCPU170,270,370
に内蔵されている。ダイオード3020〜3040の4
個のダイオードは、図24のような特性を有している。
ダイオードに順方向に電流が流れると順方向の電圧が発
生し、その電圧は温度によってほぼ直線的に変化する特
性を有している。温度が低い時は順方向電圧は高く、温
度が高くなると順方向電圧は低くなっている。このよう
な特性を持っているダイオードを直列に接続してその時
の電圧を測定することにより温度を検出できる。図21
の例ではダイオードを4個直列に接続しているが、これ
は常温である25℃近辺の時の電圧が、A/D基準電圧
(5V)のほぼ半分になるようにするためである。この
ようにすれば、検出精度も向上し、検出範囲も広くな
る。ただし、4個接続しなくても1個だけでも温度を検
出できることは当然である。図24の特性図にも示して
いるようにダイオードの順方向電圧は、順方向電流によ
っても変化する。したがって、図21の構成の場合、温
度によってダイオードの順方向電圧が変化するとダイオ
ードに流れる順方向電流も変化するため、温度特性が直
線的にならず精度が落ちることになる。図22は、精度
が落ちないように、図21のダイオードに流す電流を制
限する抵抗3010の代わりに、ダイオードに流す電流
を一定に保つ定電流源3060を設けている。このよう
にすることにより、ダイオードに流れる電流が温度が変
化しても変わらないため、より高精度で温度を検出でき
る。図23はもう1つの温度検出回路の構成例である。
図23は図25のような特性有する温度検出用抵抗体3
080と、温度検出用抵抗体3080と接続される抵抗
3070および抵抗3070と温度検出用抵抗体308
0間の電圧を入力しA/D変換するA/D変換器300
0で構成している。温度検出用抵抗体3080の特性
は、図25の(a)のように高温になるに従って抵抗値
が低くなるものと、(b)のように高温になるに従って
抵抗値が高くなるものが有るが、高温側で精度が必要な
時は(b)の特性の温度検出用抵抗体を使用し、低温側
で精度が必要な時は(a)の特性の温度検出用抵抗体を
使用する。
FIGS. 21, 22, and 23 show examples of the configuration of the temperature detection circuit. FIG. 21 includes diodes 3020 to 3050, a resistor 3010 for limiting a current flowing through the diode, and an A / D converter 3000 for inputting a voltage between the resistor 3010 and the diode 3020 and performing A / D conversion. The A / D converter 3000 includes FIM5, BCM14,
CPU 170, 270, 370 of RIM 29
It is built in. 4 of diodes 3020 to 3040
The diodes have characteristics as shown in FIG.
When a current flows in the diode in the forward direction, a forward voltage is generated, and the voltage has a characteristic that changes substantially linearly with temperature. When the temperature is low, the forward voltage is high, and when the temperature is high, the forward voltage is low. Temperature can be detected by connecting diodes having such characteristics in series and measuring the voltage at that time. FIG.
In this example, four diodes are connected in series, in order to make the voltage at about 25 ° C., which is room temperature, approximately half the A / D reference voltage (5 V). By doing so, the detection accuracy is improved and the detection range is widened. However, it is natural that the temperature can be detected by only one without connecting four. As also shown in the characteristic diagram of FIG. 24, the forward voltage of the diode changes depending on the forward current. Therefore, in the case of the configuration shown in FIG. 21, when the forward voltage of the diode changes according to the temperature, the forward current flowing through the diode also changes, so that the temperature characteristics are not linear and the accuracy decreases. In FIG. 22, a constant current source 3060 that keeps the current flowing through the diode constant is provided instead of the resistor 3010 that limits the current flowing through the diode in FIG. 21 so that the accuracy does not decrease. By doing so, the current flowing through the diode does not change even when the temperature changes, so that the temperature can be detected with higher accuracy. FIG. 23 is a configuration example of another temperature detection circuit.
FIG. 23 shows a temperature detecting resistor 3 having characteristics as shown in FIG.
080, a resistor 3070 connected to the temperature detecting resistor 3080, and the resistor 3070 and the temperature detecting resistor 308.
A / D converter 300 for inputting a voltage between 0 and performing A / D conversion
0. The characteristics of the temperature detecting resistor 3080 are classified into two types, as shown in (a) of FIG. 25, the resistance value decreases as the temperature increases, and as shown in (b), the resistance value increases as the temperature increases. When accuracy is required on the high temperature side, a temperature detecting resistor having the characteristic (b) is used, and when accuracy is required on the low temperature side, a temperature detecting resistor having the characteristic (a) is used.

【0059】図26はモジュールの構造の代表例であ
る。4010は外部との接続を行うコネクタと一体のプ
ラスチックケース、そのプラスチックケース4010の
底部はアルミ製のベース4080でふさがれており、そ
の上には回路を形成する銅箔のパターンが貼られたアル
ミ製のプリント基板4070が搭載されている。そのア
ルミ製のプリント基板4070には、主に発熱の大きい
半導体素子4130〜4320および温度検出素子40
00が搭載されている。これら半導体素子4130〜432
0は、図18のFIM5では出力回路160内の半導体
素子163〜168であり、図19のBCM14では電
源供給回路200,出力回路260内の半導体素子20
3〜204,263〜266であり、図20のRIM2
9では出力回路360内の半導体素子363〜368で
ある。温度検出素子4000は、図21,図22のダイ
オード3020〜3050であり、図23の温度検出用
抵抗体3080である。この温度検出素子はアルミ製の
プリント基板4070のほぼ中央に搭載されている。プ
ラスチックケース4010の天井部はプラスチック製の
カバー4020でふさがれており、水が浸水しないよう
になっている。
FIG. 26 shows a typical example of the module structure. Reference numeral 4010 denotes a plastic case integrated with a connector for connection to the outside. The bottom of the plastic case 4010 is closed by an aluminum base 4080, and an aluminum foil on which a copper foil pattern for forming a circuit is pasted. Printed circuit board 4070 is mounted. The aluminum printed board 4070 mainly includes the semiconductor elements 4130 to 4320 that generate a large amount of heat and the temperature detecting element 4030.
00 is mounted. These semiconductor elements 4130 to 432
0 denotes the semiconductor elements 163 to 168 in the output circuit 160 in the FIM 5 in FIG. 18, and the power supply circuit 200 and the semiconductor element 20 in the output circuit 260 in the BCM 14 in FIG.
3 to 204 and 263 to 266, and RIM2 in FIG.
Reference numeral 9 denotes semiconductor elements 363 to 368 in the output circuit 360. The temperature detecting element 4000 is the diode 3030 to 3050 in FIGS. 21 and 22, and the temperature detecting resistor 3080 in FIG. This temperature detecting element is mounted substantially at the center of a printed board 4070 made of aluminum. The ceiling of the plastic case 4010 is covered with a plastic cover 4020 to prevent water from entering.

【0060】4030はアルミ製のプリント基板407
0に搭載されてない図18,図19,図20の回路素子
(例えばCPUなど)が搭載されたプリント基板であ
り、アルミ製のプリント基板4070との接続はフラッ
トケーブル4060で接続されている。また、アルミ製
のプリント基板4070と端子4050がワイヤボンデ
ィング線4040で接続することにより外部との接続を
行っている。このように発熱体である半導体素子をアル
ミ製のプリント基板4070に搭載し、更に外気に温度
を放熱するためのアルミ製のベース4080と接着され
ているので、放熱性が良く、素子の発熱が抑えられる。
また、温度検出素子4000をアルミ製のプリント基板
4070の中心に搭載しているので、アルミ製のプリン
ト基板4070に搭載された半導体素子の発熱のほぼ平均を
検出することが出来る。更に、発熱体をアルミ製のプリ
ント基板4070に搭載し、その他の部品を別のプリン
ト基板に搭載することにより、小型が可能になる。
Reference numeral 4030 denotes a printed circuit board 407 made of aluminum.
This is a printed circuit board on which the circuit elements (for example, CPU, etc.) of FIGS. 18, 19, and 20 which are not mounted on a printed circuit board 0 are connected. Further, by connecting the printed board 4070 made of aluminum and the terminal 4050 with the wire bonding wire 4040, the connection with the outside is made. As described above, since the semiconductor element as the heating element is mounted on the aluminum printed board 4070 and further bonded to the aluminum base 4080 for radiating the temperature to the outside air, the heat dissipation is good, and the heat generation of the element is reduced. Can be suppressed.
Further, since the temperature detecting element 4000 is mounted at the center of the aluminum printed board 4070, it is possible to detect almost the average of the heat generated by the semiconductor elements mounted on the aluminum printed board 4070. Further, by mounting the heating element on an aluminum printed board 4070 and mounting other components on another printed board, miniaturization becomes possible.

【0061】図27はモジュールの構造のもう1つ代表
例である。図26との相違点は、温度検出素子をアルミ
製のプリント基板4070の2個所に搭載したことであ
る。こうすることにより、より正確に温度を検出するこ
とが出来る。
FIG. 27 shows another representative example of the module structure. The difference from FIG. 26 is that the temperature detecting elements are mounted at two positions on a printed circuit board 4070 made of aluminum. By doing so, the temperature can be detected more accurately.

【0062】図28は、温度検出素子が1個の時の故障
検出およびフェールセーフの処理フローである。ステッ
プ7010にて、最初は正常であるのでステップ703
0を実行し、図26の温度検出素子4000の位置の温
度Tfを、図21または図22または図23の温度検出
回路で測定する。ステップ7040では測定した温度T
fが150℃かどうかを判定し、150℃以上であれ
ば、ステップ7050にて現在オンしている全ての負荷
をオフするため、出力回路の半導体スイッチング素子を
全てオフする。更にステップ7060では、故障してい
るモジュールの負荷電源遮断回路をオフし、さらに故障
した電源系に接続されているモジュールの負荷電源遮断
回路をオフするために、ステップ7070において、故
障情報を他のモジュールに多重通信により送信する。こ
の情報を受信したモジュールは、その情報が自分の負荷
電源遮断回路をオフするという情報であれば、すぐに負
荷電源遮断回路をオフする。このようにすることによ
り、故障した電源系を遮断することができ、電流が流れ
続けることを防止することができる。さらに、ステップ
7080において、故障個所や故障の内容を表示した
り、ディーラーでのサービス情報として記憶したりす
る。この記憶された情報は、図1の診断装置13などで
読み出すことができるようになっている。ステップ70
40で温度Tfが150℃以下と判定されれば、通常制
御を行う。異常と判定された後にこのルーチンが実行さ
れると、ステップ7010にて異常処理中とみなし、ス
テップ7020にて異常処理の解除条件が成立していなけれ
ばこの処理は終了し、解除条件が成立していれば、再度
ステップ7030以降を実行するようになっている。本
実施例での解除条件はイグニッションスイッチがオフに
なった時としているが、これは制御内容によって当然変
わるものである。このようにすることにより、一度異常
を検出すると解除条件が成立するまで、電流が遮断され
るようになる。どのような時に異常が検出されるかを分
かりやすく説明する。まず1つ目の場合は、負荷(例え
ば図18のFIM5のホーン8)がデッドショートする
とホーン8を鳴らそうとして、半導体スイッチング素子
166をオンすると非常に大きな電流が流れるため、半
導体スイッチング素子は急激に発熱して高温になる。こ
の熱が温度検出素子4000に伝わり、150℃を超え
る。この時、ホーンの半導体スイッチング素子のみオフ
すれば電流は流れなくなり、発熱はなくなるが、半導体
スイッチング素子もショートしていると電流を遮断でき
ない。したがって、モジュールの負荷電源遮断回路をも
オフするようにしている。もう1つの場合は、モータが
ロックした場合である。説明では図18のFIM5のウ
ォッシャモータがロックしたとして説明する。図35を
用いて説明する。モータがロックしてない時は電流も少
ないため、温度上昇も少なく半導体の保証温度を超える
ことはないが、モータがロックすると正常時の数倍の電
流が流れ、温度上昇も大きくなる。このような時、半導
体の保証温度を超えた時、半導体スイッチング素子その
ものの保護機能が働くような素子を本実施例では前述し
たように使用しているが、この保護機能を働かせるため
の温度検出誤差が大きいため、あるものは保護機能が働
き負荷はオフするが、別のものは保護機能が働かず負荷
はオフせずに駆動されつづける。このように、温度検出
誤差が大きいと働きが違ってしまうという問題が派生す
る。そこで本発明のように、半導体スイッチング素子の
保護機能と別の温度検出素子で温度を検出し電流を遮断
することにより、確実に電流を遮断できるように出来
る。
FIG. 28 is a processing flow of failure detection and fail-safe when one temperature detecting element is provided. In step 7010, since it is normal at first, step 703
0, and the temperature Tf at the position of the temperature detection element 4000 in FIG. 26 is measured by the temperature detection circuit in FIG. 21, FIG. 22, or FIG. In step 7040, the measured temperature T
It is determined whether or not f is 150 ° C., and if f is 150 ° C. or more, in step 7050 all the semiconductor switching elements of the output circuit are turned off in order to turn off all loads that are currently on. Further, in step 7060, the load power cutoff circuit of the failed module is turned off, and the load power cutoff circuit of the module connected to the faulty power supply system is turned off. Transmit to the module by multiplex communication. The module that has received this information immediately turns off the load power cutoff circuit if the information indicates that the module turns off its own load power cutoff circuit. By doing so, the failed power supply system can be cut off, and the current can be prevented from continuing to flow. Further, in step 7080, the location of the failure and the content of the failure are displayed and stored as service information at the dealer. The stored information can be read by the diagnostic device 13 shown in FIG. Step 70
If it is determined at 40 that the temperature Tf is 150 ° C. or lower, normal control is performed. If this routine is executed after it is determined that an abnormality has occurred, it is determined that an abnormal process is being performed in step 7010, and if the condition for canceling the abnormal process is not satisfied in step 7020, the process ends and the cancel condition is satisfied. If so, step 7030 and subsequent steps are executed again. In the present embodiment, the release condition is when the ignition switch is turned off, but this naturally changes depending on the control contents. By doing so, once an abnormality is detected, the current is interrupted until the release condition is satisfied. A simple description of when an abnormality is detected will be described. First, in the first case, when a load (for example, the horn 8 of the FIM 5 in FIG. 18) dead-shortens, the horn 8 is sounded, and when the semiconductor switching element 166 is turned on, a very large current flows. It generates heat and becomes hot. This heat is transmitted to the temperature detection element 4000 and exceeds 150 ° C. At this time, if only the semiconductor switching element of the horn is turned off, no current flows and no heat is generated, but if the semiconductor switching element is also short-circuited, the current cannot be cut off. Therefore, the load power cutoff circuit of the module is also turned off. Another case is when the motor is locked. In the description, it is assumed that the washer motor of the FIM 5 in FIG. 18 is locked. This will be described with reference to FIG. When the motor is not locked, since the current is small, the temperature rise is small and the temperature does not exceed the guaranteed temperature of the semiconductor. However, when the motor is locked, a current several times higher than normal flows and the temperature rise is large. In such a case, when the temperature exceeds the guaranteed temperature of the semiconductor, an element which performs a protection function of the semiconductor switching element itself is used as described above in the present embodiment, but a temperature detection for operating this protection function is performed. Because of the large error, some of them are activated by the protection function and turn off the load, while others are not activated by the protection function and continue to be driven without turning off the load. As described above, there is a problem that the function is different if the temperature detection error is large. Therefore, as in the present invention, the current can be reliably cut off by detecting the temperature with a temperature detecting element different from the protection function of the semiconductor switching element and cutting off the current.

【0063】図29は、温度検出素子が2個の時の故障
検出およびフェールセーフの処理フローである。ステッ
プ7110にて、最初は正常であるのでステップ713
0を実行し、図27の温度検出素子4000,4005
の位置の温度Tf1,Tf2を、温度検出回路で測定す
る。ステップ7140では測定した温度Tf1またはT
f2が150℃かどうかを判定し、どちらかが150℃
以上であれば、ステップ7150にて現在オンしている
全ての負荷をオフするため、出力回路の半導体スイッチ
ング素子を全てオフする。更にステップ7160では、
故障しているモジュールの負荷電源遮断回路をオフし、
さらに故障した電源系に接続されているモジュールの負
荷電源遮断回路をオフするために、ステップ7170に
おいて、故障情報を他のモジュールに多重通信により送
信する。この情報を受信したモジュールは、その情報が
自分の負荷電源遮断回路をオフするという情報であれ
ば、すぐに負荷電源遮断回路をオフする。このようにす
ることにより、故障した電源系を遮断することができ、
電流が流れ続けることを防止することができる。さら
に、ステップ7180において、故障個所や故障の内容
を表示したり、ディーラーでのサービス情報として記憶
したりする。この記憶された情報は、図1の診断装置1
3などで読み出すことができるようになっている。ステ
ップ7140で温度Tf1,Tf2のどちらもが150
℃以下と判定されれば、通常制御を行う。異常と判定さ
れた後にこのルーチンが実行されると、ステップ711
0にて異常処理中とみなし、ステップ7120にて異常
処理の解除条件が成立していなければこの処理は終了
し、解除条件が成立していれば、再度ステップ7130
以降を実行するようになっている。本実施例での解除条
件はイグニッションスイッチがオフになった時としてい
るが、これは制御内容によって当然変わるものである。
図28,図29による処理は、負荷や負荷駆動素子が故
障した時、発火などしないようにするために必要な最低
限の処理であるが、図18,図19,図20のモジュー
ル構成で図26,図27のような構造にした時の、故障
個所を特定する方法について、以下に説明する。
FIG. 29 is a processing flow of failure detection and fail-safe when there are two temperature detecting elements. At step 7110, since it is normal at first, step 713
0, and the temperature detection elements 4000, 4005 in FIG.
Are measured by a temperature detection circuit. At step 7140, the measured temperature Tf1 or T
It is determined whether f2 is 150 ° C.
If so, in step 7150 all the semiconductor switching elements of the output circuit are turned off in order to turn off all the loads that are currently on. Further, in step 7160,
Turn off the load power cutoff circuit of the faulty module,
Further, in order to turn off the load power cutoff circuit of the module connected to the failed power supply system, in step 7170, failure information is transmitted to other modules by multiplex communication. The module that has received this information immediately turns off the load power cutoff circuit if the information indicates that the module turns off its own load power cutoff circuit. By doing so, the failed power supply system can be shut off,
It is possible to prevent the current from continuing to flow. Further, in step 7180, the location of the failure and the content of the failure are displayed or stored as service information at the dealer. The stored information is stored in the diagnostic device 1 of FIG.
3 can be read out. In step 7140, both of the temperatures Tf1 and Tf2 are set to 150
If the temperature is determined to be lower than or equal to ° C, normal control is performed. If this routine is executed after it is determined to be abnormal, step 711 is executed.
At 0, it is considered that an abnormal process is being performed. If the condition for canceling the abnormal process is not satisfied at step 7120, this process ends.
And so on. In the present embodiment, the release condition is when the ignition switch is turned off, but this naturally changes depending on the control contents.
The processing according to FIGS. 28 and 29 is the minimum processing necessary to prevent the firing or the like when the load or the load driving element has failed. A method for specifying a failure point when the structure is as shown in FIGS. 26 and 27 will be described below.

【0064】図30は、過電流が流れている負荷を特定
して、その負荷の駆動を停止し、故障個所を記憶,表示
する処理を表している。ステップ8010にて周囲温度
Taと図26の温度検出素子4000の位置の温度Tf
を、図21または図22または図23の温度検出回路で
測定する。ステップ8020では、周囲温度Taと温度
検出素子4000の位置の温度Tfにより、温度検出素
子4000の位置の温度上昇値Tfd=Tf−Taを算
出する。次にステップ8030にて、温度検出素子40
00の位置の正常時の温度上昇の予測値を算出する。正
常であれば、負荷および負荷駆動素子に正常電流が流
れ、その電流により負荷駆動素子である半導体スイッチ
ング素子が発熱し、その発生した熱はアルミ基板および
アルミ製のベースによって放熱される。温度検出素子4
000の位置の温度は、負荷駆動素子の発熱量、負荷駆
動素子と温度検出素子4000の位置との間の熱抵抗に
よって決まってくる。また負荷駆動素子と温度検出素子
4000の位置との間の熱抵抗は、負荷駆動素子と温度
検出素子4000の位置との間の熱伝導率と距離によっ
て決まってくる。その結果として、ランプの場合の時間
経過に対する電流と温度上昇の関係は、図32のように
なり、モータなどの負荷の場合の時間経過に対する電流
と温度上昇の関係は、図33のようになる。また、図3
2と図33の負荷が図34のように同時に駆動される
と、温度上昇値は個々の温度上昇値を加算した温度上昇
値となる。したがって、図32,図33のような正常時
の全負荷の温度上昇特性をメモリにテーブルデータとし
て記憶しておき、現在駆動している負荷の温度上昇値を
テーブルデータより求め、それらを加算することによ
り、ステップ8030における温度検出素子4000の
位置の正常時の温度上昇の予測値を算出することができ
る。また、正常時の全負荷の温度上昇特性をメモリにテ
ーブルデータとして記憶しておかずに、駆動している負
荷の正常時の電流と負荷駆動素子と温度検出素子400
0の位置との距離と熱伝導率より計算で求めることもで
きる。計算で求めるようにすると、アルミ基板に搭載し
ている負荷駆動素子の駆動する負荷の電流が変更された
り、負荷駆動素子の位置が変更されたりした時でも、テ
ーブルデータを記憶させるためにデータを取得する必要
がなくなり、変更が容易に行えるようになる。
FIG. 30 shows a process in which a load in which an overcurrent is flowing is specified, the driving of the load is stopped, and a failure location is stored and displayed. In step 8010, the ambient temperature Ta and the temperature Tf at the position of the temperature detecting element 4000 in FIG.
Is measured by the temperature detection circuit of FIG. 21 or FIG. 22 or FIG. In step 8020, a temperature rise value Tfd = Tf−Ta at the position of the temperature detection element 4000 is calculated based on the ambient temperature Ta and the temperature Tf at the position of the temperature detection element 4000. Next, at step 8030, the temperature detecting element 40
The predicted value of the normal temperature rise at the position 00 is calculated. If the load is normal, a normal current flows through the load and the load driving element, and the current causes the semiconductor switching element, which is the load driving element, to generate heat. The generated heat is radiated by the aluminum substrate and the aluminum base. Temperature detection element 4
The temperature at the position 000 is determined by the amount of heat generated by the load driving element and the thermal resistance between the load driving element and the position of the temperature detecting element 4000. The thermal resistance between the load driving element and the position of the temperature detecting element 4000 is determined by the thermal conductivity and the distance between the load driving element and the position of the temperature detecting element 4000. As a result, the relationship between the current and the temperature rise over time for a lamp is as shown in FIG. 32, and the relationship between the current and the temperature rise over time for a load such as a motor is as shown in FIG. . FIG.
When the loads 2 and 33 are simultaneously driven as shown in FIG. 34, the temperature rise value is a temperature rise value obtained by adding the individual temperature rise values. Therefore, the temperature rise characteristics of all the loads under normal conditions as shown in FIGS. 32 and 33 are stored in the memory as table data, the temperature rise value of the currently driven load is obtained from the table data, and these are added. Thus, it is possible to calculate the predicted value of the temperature rise when the position of the temperature detecting element 4000 is normal in step 8030. In addition, the temperature rise characteristics of all the loads in the normal state are not stored in the memory as table data, and the normal current of the driven load, the load driving element and the temperature detecting element 400 are not stored.
It can also be obtained by calculation from the distance to the zero position and the thermal conductivity. If it is obtained by calculation, even if the current of the load driven by the load driving element mounted on the aluminum substrate is changed or the position of the load driving element is changed, the data is stored in order to store the table data. There is no need to acquire it, and changes can be made easily.

【0065】ステップ8040において、温度上昇値T
fdが温度上昇予測値に所定値αを加算した値を超えて
いれば、現在オンしているいずれかの負荷が異常で過電
流が流れているか、負荷駆動素子をオンしていないにも
かかわらず負荷駆動素子が異常で負荷に電流を流してい
るかである。そこでステップ8050以降の処理により
異常個所を特定する。まずステップ8050にて現在オ
ンしている負荷の数mと、異常の確率の高い順に整理し
順位付けをする。本実施例では、異常検出する前の最後
にオンした負荷を異常確率が高い順位n=1とし、最も
早くオンした負荷を異常確率が低い順位n=mとしてい
る。ステップ8060にて繰り返し回数nを1に初期化
し、ステップ8070にてn番目の負荷をオンし、ステ
ップ8080にて所定時間待った後に、周囲温度Taと図2
6の温度検出素子4000の位置の温度Tfを、図21
または図22または図23の温度検出回路で測定する。
ステップ8090では、周囲温度Taと温度検出素子4
000の位置の温度Tfにより、温度検出素子4000
の位置の温度上昇値Tfd=Tf−Taを算出する。次
にステップ8100にて、温度検出素子4000の位置
の温度上昇の予測値を算出する。ステップ8110にお
いて、温度上昇値Tfdが温度上昇予測値に所定値αを
加算した値以下であれば、現在オフした負荷が異常であ
ったということでステップ8160を実行し、その故障
情報を表示したり、ディーラーでのサービス情報として
記憶したりして、故障個所を特定して処理を終了する。
一方、ステップ8110において、温度上昇値Tfdが
温度上昇予測値に所定値αを加算した値を超えていた場
合は、現在オフした負荷は正常で、他の負荷が異常で過
電流が流れているか、負荷駆動素子をオンしていないに
もかかわらず負荷駆動素子が異常で負荷に電流を流して
いるかである。そこでステップ8120ではステップ8
070でオフした負荷を再びオンさせ、ステップ813
0にて次の負荷を診断するため、nを1増加させ、その
nが現在オンしている負荷すべてをチェックしたかどう
かの判定をステップ8140にてn>mかどうかを判定
する。ステップ8140ですべてのチェックが終了して
いないと判断されれば、ステップ8070以降を繰り返
し、オンしている全負荷の診断を行う。オンしている全
負荷の診断ですべての負荷が正常と判断されると、ステ
ップ8120において、現在オフしている負荷駆動素子
が故障して異常電流が流れていると判断し、その情報を
表示したり、記憶して、この処理を終了する。この時、
オフしている負荷を1個ずつオンしていって故障個所を
特定することも可能だが、通常の制御ではオフとなって
いる負荷を運転者の意図に無関係にオンすると、運転者
は違和感を感じるので本実施例ではこのような処理は行
わず、異常表示を行うにとどめている。異常個所を特定
するには、ディーラにて行う図36の処理を行うことに
より特定できるようにしている。ステップ8040に
て、温度上昇値Tfdが温度上昇予測値に所定値αを加
算した値以下であれば、過電流は流れていないと判断し
て、図31の処理を実行する。このようにすれば、過電
流が流れている個所を特定でき、遮断することができる
ので、連続して過電流が流れ続けることがないようにで
きる。
In step 8040, the temperature rise value T
If fd exceeds a value obtained by adding the predetermined value α to the predicted temperature rise value, it is possible that one of the loads currently turned on is abnormal and an overcurrent is flowing, or the load drive element is not turned on. First, whether the load drive element is abnormal and is passing current to the load. Therefore, the abnormal part is specified by the processing after step 8050. First, in step 8050, the number m of the loads that are currently turned on and the probability of abnormality are arranged and ranked in descending order. In the present embodiment, the load that was turned on last before the abnormality was detected is ranked n = 1 with a high abnormality probability, and the load that was turned on earliest is ranked n = m with a low abnormality probability. In step 8060, the number of repetitions n is initialized to 1, the n-th load is turned on in step 8070, and after waiting for a predetermined time in step 8080, the ambient temperature Ta and FIG.
The temperature Tf at the position of the temperature detection element 4000 of FIG.
Alternatively, it is measured by the temperature detection circuit of FIG. 22 or FIG.
In step 8090, the ambient temperature Ta and the temperature detection element 4
The temperature detection element 4000 is determined by the temperature Tf at the position 000.
The temperature rise value Tfd = Tf-Ta at the position is calculated. Next, in step 8100, a predicted value of the temperature rise at the position of the temperature detecting element 4000 is calculated. In step 8110, if the temperature rise value Tfd is equal to or less than the value obtained by adding the predetermined value α to the predicted temperature rise value, it is determined that the currently turned off load is abnormal, and step 8160 is executed to display the failure information. Or store the information as service information at the dealer to identify the failure location and end the process.
On the other hand, if the temperature increase value Tfd exceeds the value obtained by adding the predetermined value α to the predicted temperature increase value in step 8110, whether the currently turned off load is normal and another load is abnormal and an overcurrent is flowing. That is, whether the load driving element is abnormal and the current is flowing to the load even though the load driving element is not turned on. Therefore, in step 8120, step 8
In step 813, the load that was turned off in step 070 is turned on again.
In order to diagnose the next load at 0, n is incremented by 1, and it is determined at step 8140 whether or not n> m has been checked for all the loads that are currently on. If it is determined in step 8140 that all the checks have not been completed, step 8070 and subsequent steps are repeated to diagnose all the ON loads. If it is determined in the diagnosis of all the loads that are on that all the loads are normal, it is determined in step 8120 that the load drive element that is currently off has failed and an abnormal current is flowing, and the information is displayed. After that, the process is terminated. At this time,
Although it is possible to turn on the off-loads one by one to identify the fault location, it is possible for the driver to feel uncomfortable if the off-load is turned on regardless of the driver's intention under normal control. In the present embodiment, such processing is not performed, and only an abnormal display is performed. In order to specify the abnormal part, the processing can be performed by performing the processing of FIG. 36 performed by the dealer. In step 8040, if the temperature rise value Tfd is equal to or less than the value obtained by adding the predetermined value α to the predicted temperature rise value, it is determined that an overcurrent is not flowing, and the processing in FIG. 31 is executed. In this way, the location where the overcurrent is flowing can be specified and cut off, so that the continuous overcurrent can be prevented.

【0066】図31の処理では、負荷または負荷駆動素
子のオープン故障を検出する処理である。ステップ82
40において、図30のステップ8020で求めた温度
上昇値Tfdがステップ8030で求めた温度上昇予測
値から所定値βを減算した値を超えていれば、実際の温
度上昇値は予想値の許容範囲内であるので異常はないと
判断し、処理を終了する。ステップ8240において、
温度上昇値Tfdが温度上昇予測値から所定値βを減算
した値以下であれば、ステップ8250以下の故障負荷
を特定するための処理を実行する。ステップ8250に
て現在オンしている負荷の数mと、異常の確率の高い順
に整理し順位付けをする。本実施例では、異常検出する
前の最後にオンした負荷を異常確率が高い順位n=1と
し、最も早くオンした負荷を異常確率が低い順位n=m
としている。ステップ8260にて繰り返し回数nを1
に初期化し、ステップ8270にてn番目の負荷をオン
し、ステップ8280にて所定時間待った後に、周囲温
度Taと図26の温度検出素子4000の位置の温度T
fを、図21または図22または図23の温度検出回路
で測定する。ステップ8290では、周囲温度Taと温
度検出素子4000の位置の温度Tfにより、温度検出
素子4000の位置の温度上昇値Tfd=Tf−Taを
算出する。次にステップ8300にて、温度検出素子4
000の位置の温度上昇の予測値を算出する。ステップ
8310において、温度上昇値Tfdと温度上昇予測値の
差の絶対値が所定の値γ未満であれば、現在オフした負
荷が異常であったということでステップ8350を実行
し、その故障情報を表示したり、ディーラーでのサービ
ス情報として記憶したりして、故障個所を特定して処理
を終了する。一方、ステップ8310において、温温度
上昇値Tfdと温度上昇予測値の差の絶対値が所定の値
γ以上であれば、現在オフした負荷は正常で、他の負荷
が異常で電流が流れていないか、負荷駆動素子をオンし
ているにもかかわらず負荷駆動素子から負荷に電流を流
していないかである。そこでステップ8320ではステ
ップ8270でオフした負荷を再びオンさせ、ステップ
8330にて次の負荷を診断するため、nを1増加させ、そ
のnが現在オンしている負荷すべてをチェックしたかど
うかの判定をステップ8340にてn>mかどうかを判
定する。ステップ8340ですべてのチェックが終了し
ていないと判断されれば、ステップ8270以降を繰り
返し、オンしている全負荷の診断を行う。オンしている
全負荷の診断ですべての負荷が正常と判断されると、こ
の処理を終了する。このようにすれば、オープン状態で
故障した負荷を特定できる。
The process shown in FIG. 31 is a process for detecting an open failure of a load or a load driving element. Step 82
In 40, if the temperature rise value Tfd obtained in step 8020 of FIG. 30 exceeds the value obtained by subtracting the predetermined value β from the predicted temperature rise value obtained in step 8030, the actual temperature rise value is within the allowable range of the predicted value. Since it is within the range, it is determined that there is no abnormality, and the process ends. At step 8240,
If the temperature rise value Tfd is equal to or smaller than the value obtained by subtracting the predetermined value β from the predicted temperature rise value, the processing for specifying the fault load in step 8250 and thereafter is executed. In step 8250, the order is sorted and ranked in order from the number m of the loads currently turned on and the probability of abnormality. In the present embodiment, the load that was turned on last before the abnormality was detected is set to the rank n = 1 with the highest abnormality probability, and the load that was turned on earliest is set to the rank n = m with the low abnormality probability.
And In step 8260, the number of repetitions n is set to 1
26, the n-th load is turned on in step 8270, and after waiting for a predetermined time in step 8280, the ambient temperature Ta and the temperature T at the position of the temperature detecting element 4000 in FIG.
f is measured by the temperature detection circuit of FIG. 21 or FIG. 22 or FIG. In step 8290, a temperature rise value Tfd = Tf−Ta at the position of the temperature detection element 4000 is calculated from the ambient temperature Ta and the temperature Tf at the position of the temperature detection element 4000. Next, at step 8300, the temperature detecting element 4
The predicted value of the temperature rise at the position of 000 is calculated. In step 8310, if the absolute value of the difference between the temperature rise value Tfd and the predicted temperature rise value is less than the predetermined value γ, it is determined that the currently turned off load is abnormal, and step 8350 is executed. By displaying the information or storing it as service information at the dealer, the failure location is specified and the processing is terminated. On the other hand, in step 8310, if the absolute value of the difference between the temperature rise value Tfd and the predicted temperature rise value is equal to or greater than the predetermined value γ, the currently turned off load is normal and the other load is abnormal and no current is flowing. Or, the current is not flowing from the load driving element to the load even though the load driving element is turned on. Therefore, in step 8320, the load that was turned off in step 8270 is turned on again,
At 8330, in order to diagnose the next load, n is increased by 1, and it is determined at step 8340 whether or not n> m has been checked for all loads that are currently on. If it is determined in step 8340 that all the checks have not been completed, step 8270 and subsequent steps are repeated to diagnose all the ON loads. If it is determined that all the loads are normal in the diagnosis of all the loads that are turned on, this processing is ended. By doing so, it is possible to specify a load that has failed in the open state.

【0067】図36では、ディラーでの診断で故障個所
を特定する処理フローを表している。まずステップ90
10にてすべての負荷をオフする。次にステップ902
0で診断する負荷の順番nを1に初期化してステップ9
030以降を実行する。ステップ9030ではn番目の
負荷に電流を供給するため、対応する負荷駆動素子をオ
ンにする。そうすると駆動される負荷によって、図32
や図33のように電流が流れ、発熱する。そこでステッ
プ9040にて温度上昇で異常を検出できる所定時間待
って、周囲温度Taと図26の温度検出素子4000の
位置の温度Tfを、図21または図22または図23の
温度検出回路で測定する。ステップ9050では、周囲温度
Taと温度検出素子4000の位置の温度Tfにより、
温度検出素子4000の位置の温度上昇値Tfd=Tf
−Taを算出する。次にステップ9060にて、温度検
出素子4000の位置の温度上昇の予測値を算出する。
ステップ9070において、温度上昇値Tfdが温度上
昇予測値に所定値αを加算した値を超えていれば、現在
オンした負荷が短絡状態またはレアショート状態の異常
であるということでステップ9080を実行し、その故
障情報を表示する。一方、ステップ9070において、
温度上昇値Tfdが温度上昇予測値に所定値αを加算し
た値以下の場合は、ステップ9100にて温度上昇値T
fdが温度上昇予測値から所定値βを減算した値以下で
あれば、現在オンした負荷が開放状態の異常であるとい
うことでステップ9090を実行し、その故障情報を表
示する。ステップ9070において温度上昇値Tfdが
温度上昇予測値から所定値βを減算した値を超えていれ
ば、その負荷は正常と見なされるのでステップ9110
にて正常を表示する。ステップ9080,ステップ90
90での故障表示、ステップ9110での正常表示の後
には、次の負荷の診断を行うために、ステップ9120
ではステップ9030でオフした負荷を再びオンさせ、
ステップ9120にて次の負荷を診断するため、nを1増加
させ、そのnが全負荷すべてをチェックしたかどうかの
判定をステップ9130にてn>mかどうかを判定す
る。ステップ9130ですべてのチェックが終了してい
ないと判断されれば、ステップ9030以降を繰り返し、全
負荷の診断を行う。このようにすると全負荷の短絡また
は開放状態の異常を検出できる。
FIG. 36 shows a processing flow for specifying a fault location by diagnosis at the dealer. First, step 90
At 10 all loads are turned off. Next, step 902
Initialize the load order n to be diagnosed with 0 to 1 and step 9
030 and subsequent steps are executed. In step 9030, the corresponding load driving element is turned on to supply current to the n-th load. Then, depending on the driven load, FIG.
33, a current flows as shown in FIG. Therefore, after waiting for a predetermined time during which an abnormality can be detected due to a temperature rise in step 9040, the ambient temperature Ta and the temperature Tf at the position of the temperature detecting element 4000 in FIG. 26 are measured by the temperature detecting circuit in FIG. 21, FIG. 22, or FIG. . In step 9050, the ambient temperature Ta and the temperature Tf at the position of the temperature detecting element 4000
Temperature rise value Tfd = Tf at the position of temperature detection element 4000
Calculate Ta. Next, in step 9060, a predicted value of the temperature rise at the position of the temperature detecting element 4000 is calculated.
In step 9070, if the temperature rise value Tfd exceeds the value obtained by adding the predetermined value α to the predicted temperature rise value, it is determined that the currently turned on load is abnormal in the short-circuit state or the rare short-circuit state, and step 9080 is executed. And displays the failure information. On the other hand, in step 9070,
If the temperature rise value Tfd is equal to or less than the value obtained by adding the predetermined value α to the predicted temperature rise value, the temperature rise value T
If fd is equal to or less than the value obtained by subtracting the predetermined value β from the predicted temperature rise value, it is determined that the load that is currently turned on is abnormal in the open state, and step 9090 is executed to display the failure information. If the temperature rise value Tfd exceeds the value obtained by subtracting the predetermined value β from the predicted temperature rise value in step 9070, the load is regarded as normal, so that step 9110 is performed.
Indicates normal. Step 9080, Step 90
After the failure display at 90 and the normal display at step 9110, step 9120 is performed to diagnose the next load.
Then, the load that was turned off in step 9030 is turned on again,
In step 9120, n is incremented by 1 to diagnose the next load, and it is determined in step 9130 whether or not n has checked all the loads, in order to determine whether n> m. If it is determined in step 9130 that all the checks have not been completed, step 9030 and subsequent steps are repeated to diagnose all loads. In this way, it is possible to detect a short circuit or an open state abnormality of all loads.

【0068】[0068]

【発明の効果】本発明によれば、ヒューズの数が少な
く、また電源供給のためのワイヤハーネスを短く、細
く、あるいは本数を少なくできる効果がある。別の発明
では、電源線の短絡異常の発生を未然に防止できるだけ
でなく短絡異常発生時の異常箇所が特定できる。更にそ
の短絡区間を分離することができる。また別の発明では
過電流検出回路を設けたので故障している負荷があれば
それを切り離すことができる。また更に別の発明では車
両の不作動時の電力供給装置の消費電流を低減すること
ができる。
According to the present invention, the number of fuses is small, and the wire harness for supplying power can be shortened, thin, or reduced in number. According to another aspect of the present invention, not only the occurrence of a short circuit abnormality in the power supply line can be prevented, but also the abnormal point at the time of the occurrence of the short circuit abnormality can be specified. Further, the short-circuit section can be separated. In another invention, an overcurrent detection circuit is provided, so that if there is a faulty load, it can be disconnected. In still another invention, the current consumption of the power supply device when the vehicle is not operating can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明を適用した自動車のシステム配置図。FIG. 1 is a system layout diagram of an automobile to which the present invention is applied.

【図2】本発明を適用した自動車のシステム全体図の一
実施例。
FIG. 2 is an embodiment of an overall system of an automobile to which the present invention is applied.

【図3】図2のシステムのFIMモジュール構成図。FIG. 3 is a configuration diagram of an FIM module of the system of FIG. 2;

【図4】図2のシステムのBCMモジュール構成図。FIG. 4 is a BCM module configuration diagram of the system of FIG. 2;

【図5】図2のシステムのRIMモジュール構成図。FIG. 5 is a configuration diagram of an RIM module of the system of FIG. 2;

【図6】図2のシステムのPCMモジュール構成図。FIG. 6 is a configuration diagram of a PCM module of the system of FIG. 2;

【図7】図2のシステムのDDMモジュール構成図。FIG. 7 is a configuration diagram of a DDM module of the system of FIG. 2;

【図8】モータ駆動Hブリッジ回路構成1。FIG. 8 is a motor drive H-bridge circuit configuration 1;

【図9】モータ駆動Hブリッジ回路構成2。FIG. 9 is a motor drive H-bridge circuit configuration 2.

【図10】モータ駆動Hブリッジ回路構成3。FIG. 10 shows a motor drive H-bridge circuit configuration 3;

【図11】モータ駆動Hブリッジ回路構成4。FIG. 11 is a motor drive H-bridge circuit configuration 4;

【図12】シャント抵抗による過電流検出回路構成。FIG. 12 shows an overcurrent detection circuit configuration using a shunt resistor.

【図13】負荷と出力回路のショート検出および保護動
作のアルゴリズム。
FIG. 13 is a diagram illustrating an algorithm for detecting and protecting a short circuit between a load and an output circuit.

【図14】負荷過電流検出および保護動作のアルゴリズ
ム。
FIG. 14 is an algorithm of a load overcurrent detection and protection operation.

【図15】ランプ電流特性。FIG. 15 shows lamp current characteristics.

【図16】モータ電流特性。FIG. 16 shows motor current characteristics.

【図17】複数駆動時の電流特性。FIG. 17 shows current characteristics during multiple driving.

【図18】図2のシステムの別のFIMモジュール構成
図。
FIG. 18 is another FIM module configuration diagram of the system of FIG. 2;

【図19】図2のシステムの別のBCMモジュール構成
図。
FIG. 19 is another BCM module configuration diagram of the system of FIG. 2;

【図20】図2のシステムの別のRIMモジュール構成
図。
FIG. 20 is another RIM module configuration diagram of the system of FIG. 2;

【図21】温度検出回路構成1。FIG. 21 is a configuration example 1 of a temperature detection circuit.

【図22】温度検出回路構成2。FIG. 22 shows a temperature detection circuit configuration 2.

【図23】温度検出回路構成3。FIG. 23 shows a third temperature detection circuit configuration.

【図24】図21,図22の温度検出回路のダイオード
の特性。
FIG. 24 shows characteristics of diodes of the temperature detection circuits of FIGS. 21 and 22.

【図25】図23の温度検出回路の温度検出素子の特
性。
FIG. 25 shows characteristics of a temperature detecting element of the temperature detecting circuit of FIG. 23;

【図26】モジュールの構造図1。FIG. 26 is a structural diagram 1 of a module.

【図27】モジュールの構造図2。FIG. 27 is a structural diagram 2 of a module.

【図28】図26のモジュール構造における温度による
負荷と出力回路のショート検出および保護動作のアルゴ
リズム。
FIG. 28 is an algorithm for detecting a short-circuit between a load and an output circuit due to temperature and protecting operation in the module structure of FIG. 26;

【図29】図27のモジュール構造における温度による
負荷と出力回路のショート検出および保護動作のアルゴ
リズム。
FIG. 29 is an algorithm for detecting a short-circuit between a load and an output circuit due to temperature and protecting operation in the module structure of FIG. 27;

【図30】温度による負荷過電流検出および保護動作の
アルゴリズム1。
FIG. 30 is an algorithm 1 of load overcurrent detection and protection operation based on temperature.

【図31】温度による負荷過電流検出および保護動作の
アルゴリズム2。
FIG. 31 shows an algorithm 2 for detecting and protecting a load overcurrent based on temperature.

【図32】ランプ電流による温度上昇特性。FIG. 32 shows a temperature rise characteristic due to a lamp current.

【図33】モータ電流による温度上昇特性。FIG. 33 shows a temperature rise characteristic due to a motor current.

【図34】複数駆動時の電流による温度上昇特性。FIG. 34 is a graph showing a temperature rise characteristic caused by a current during multiple driving.

【図35】モータロック電流による温度上昇特性とシャ
ットダウン温度の関係。
FIG. 35 shows a relationship between a temperature rise characteristic due to a motor lock current and a shutdown temperature.

【図36】診断モード時の温度による負荷の異常検出の
アルゴリズム。
FIG. 36 is an algorithm for detecting a load abnormality based on temperature in the diagnostic mode.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

3…バッテリ、5…FIM、10…PCM、11…AB
S、12A〜12H…電源線、13…診断機、14…B
CM、14…ラジオ、16…A/C、17A〜17D…
コネクタ、18…DDM、20…PDM、25…SD
M、29…RIM、30…多重通信線、100…FIM
の電源供給回路、110…FIMの負荷電源遮断回路、
120…FIMの制御系電源回路、130…FIMのシ
ョート検出回路、140…FIMの通信回路、150…
FIMの入力回路、160…FIMの出力回路、169
…FIMの温度検出回路、170…FIMの制御回路、
180…FIMの入力信号、183…FIMの温度セン
サ、190…FIMの負荷、4000…温度検出素子。
3: Battery, 5: FIM, 10: PCM, 11: AB
S, 12A to 12H: power line, 13: diagnostic device, 14: B
CM, 14 radio, 16 A / C, 17A-17D ...
Connector, 18 ... DDM, 20 ... PDM, 25 ... SD
M, 29: RIM, 30: Multiple communication lines, 100: FIM
Power supply circuit 110, FIM load power cutoff circuit,
120: FIM control system power supply circuit, 130: FIM short detection circuit, 140: FIM communication circuit, 150 ...
Input circuit of FIM, 160 output circuit of FIM, 169
... FIM temperature detection circuit, 170 ... FIM control circuit,
180: FIM input signal, 183: FIM temperature sensor, 190: FIM load, 4000: temperature detection element.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 斎藤 博之 茨城県ひたちなか市大字高場2520番地 株 式会社日立製作所自動車機器事業部内 (72)発明者 坂本 伸一 茨城県ひたちなか市大字高場2520番地 株 式会社日立製作所自動車機器事業部内 (72)発明者 岡本 周幸 東京都千代田区神田駿河台四丁目6番地 株式会社日立製作所内 (72)発明者 倉持 祐一 茨城県ひたちなか市大字高場2520番地 株 式会社日立製作所自動車機器事業部内 (72)発明者 大坂 一朗 東京都千代田区神田駿河台四丁目6番地 株式会社日立製作所内 Fターム(参考) 5G053 AA01 BA01 BA06 CA01 DA01 DA03 EA01 EA05 EA09 EB01 EC03 FA05 5G065 BA04 EA02 FA01 GA09 LA02 LA07 PA01  ──────────────────────────────────────────────────の Continuing on the front page (72) Inventor Hiroyuki Saito 2520 Oji Takaba, Hitachinaka City, Ibaraki Prefecture Inside the Automotive Equipment Division of Hitachi, Ltd. (72) Inventor Shuyuki Okamoto 4-6 Kanda Surugadai, Chiyoda-ku, Tokyo Inside Hitachi, Ltd. (72) Inventor Yuichi Kuramochi 2520, Ojitakaba, Hitachinaka City, Ibaraki Prefecture Hitachi, Ltd. In the Automotive Equipment Division (72) Inventor Ichiro Osaka 4-6 Kanda Surugadai, Chiyoda-ku, Tokyo F-term in Hitachi, Ltd. 5G053 AA01 BA01 BA06 CA01 DA01 DA03 EA01 EA05 EA09 EB01 EC03 FA05 5G065 BA04 EA02 FA01 GA09 LA02 LA07 PA01

Claims (11)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】車内に設置した電源と、この電源から車内
に配線された電力線と、前記電力線と電気負荷との間に
直列に接続された電力半導体素子と、前記負荷若しくは
電力半導体素子の異常を検出する異常検出手段と、前記
負荷若しくは電力半導体素子の異常時に前記異常検出手
段が出力する電気信号に基づいて前記電源と電気負荷と
の間の電力供給路に接続された電路遮断装置若しくは前
記電力半導体素子を遮断する制御手段を有する乗物の電
力供給装置。
1. A power supply installed in a vehicle, a power line wired from the power supply to the vehicle, a power semiconductor element connected in series between the power line and an electric load, and an abnormality in the load or the power semiconductor element. Abnormality detecting means for detecting a load or a power semiconductor element when an abnormality occurs in the electric power supply path between the power supply and the electric load based on an electric signal output from the abnormality detecting means when the abnormality or the electric circuit breaker. A vehicle power supply device having control means for shutting off a power semiconductor element.
【請求項2】車両に搭載された負荷への電力の供給状態
を制御する電力半導体素子、当該電力半導体素子の発熱
を放熱する熱伝導体、当該熱伝導体の温度を検出する温
度検出手段、この温度検出手段で検出された温度に関連
して前記電力半導体素子の動作状態を制御する車両用負
荷制御装置。
2. A power semiconductor element for controlling a state of supplying power to a load mounted on a vehicle, a heat conductor for radiating heat generated by the power semiconductor element, a temperature detecting means for detecting a temperature of the heat conductor, A load control device for a vehicle for controlling an operation state of the power semiconductor element in relation to a temperature detected by the temperature detecting means.
【請求項3】電力半導体素子、この電力半導体素子に供
給する電源を遮断する電源遮断回路を有する車両用負荷
制御装置において、前記電力半導体素子の発熱を放熱す
る熱伝導体、この熱伝導体の温度を検出する温度検出手
段、当該温度検出手段によって検出された温度が特定の
温度になった際前記電力半導体素子および/または電源
遮断回路を遮断する車両用負荷制御装置。
3. A load control device for a vehicle having a power semiconductor element, a power cutoff circuit for shutting off power supplied to the power semiconductor element, a heat conductor radiating heat generated by the power semiconductor element, Temperature detecting means for detecting a temperature, and a load control device for a vehicle for shutting off the power semiconductor element and / or a power cutoff circuit when a temperature detected by the temperature detecting means reaches a specific temperature.
【請求項4】請求項1〜3のいずれかにおいて、前記電
力半導体素子若しくは電源遮断回路を遮断する温度は、
前記電力半導体素子の保証温度とする車両用負荷制御装
置。
4. The temperature according to claim 1, wherein the temperature at which the power semiconductor element or the power supply cutoff circuit is cut off is:
A load control device for a vehicle that sets the guaranteed temperature of the power semiconductor element.
【請求項5】請求項1〜3のいずれかにおいて、前記半
導体素子若しくは電源遮断回路を遮断する温度は、前記
電力半導体素子に流れる電流によって決定する車両用負
荷制御装置。
5. The vehicle load control device according to claim 1, wherein the temperature at which the semiconductor element or the power cutoff circuit is shut off is determined by a current flowing through the power semiconductor element.
【請求項6】請求項1〜3のいずれかにおいて、前記電
力半導体素子若しくは電源遮断回路を遮断する温度は、
前記電力半導体素子に流れる電流と当該電力半導体素子
と温度検出手段との設置距離によって決定することを特
徴とする車両用負荷制御装置。
6. The temperature according to claim 1, wherein the temperature at which the power semiconductor element or the power supply cutoff circuit is cut off is:
A vehicle load control device is determined by a current flowing through the power semiconductor element and an installation distance between the power semiconductor element and the temperature detecting means.
【請求項7】請求項1〜3のいずれかにおいて、前記電
力半導体素子若しくは電源遮断回路を遮断する温度は、
前記電力半導体素子に流れる電流と前記電力半導体素子
と温度検出手段との設置距離と周囲温度によって決定す
ることを特徴とする車両用負荷制御装置。
7. The temperature according to claim 1, wherein the temperature at which the power semiconductor element or the power supply cutoff circuit is cut off is:
A load control device for a vehicle, which is determined based on a current flowing through the power semiconductor element, an installation distance between the power semiconductor element and the temperature detecting means, and an ambient temperature.
【請求項8】請求項1〜3のいずれかにおいて、前記電
力半導体素子若しくは電源遮断回路を遮断した時には、
異常状態を表示することを特徴とする車両用負荷制御装
置。
8. The method according to claim 1, wherein when the power semiconductor element or the power supply cutoff circuit is cut off,
A vehicle load control device for displaying an abnormal state.
【請求項9】電力半導体素子、この電力半導体素子の発
熱を放熱する熱伝導体を有する車両用負荷制御装置にお
いて、当該熱伝導体の温度を検出する温度検出手段、負
荷がオンされた後の前記電力半導体素子の温度の上昇の
度合いによって異常負荷を検出する異常検出手段、異常
と検出した負荷に付属する電力半導体素子を遮断する車
両用負荷制御装置。
9. A vehicle load control device having a power semiconductor element, a heat conductor for radiating heat generated by the power semiconductor element, a temperature detecting means for detecting a temperature of the heat conductor, and a temperature detecting means for detecting a temperature of the heat conductor after the load is turned on. Abnormality detecting means for detecting an abnormal load according to the degree of temperature rise of the power semiconductor element, and a load control device for a vehicle for shutting off a power semiconductor element attached to the load detected as abnormal.
【請求項10】電力半導体素子、この電力半導体素子の
発熱を放熱する熱伝導体を有する車両用負荷制御装置に
おいて、この熱伝導体の温度を検出する温度検出手段、
負荷がオンされた後の前記電力半導体素子の温度の上昇
の度合いによって異常負荷を検出する異常検出手段、外
部からの操作によって前記異常検出手段と協動し装置を
診断する手段、異常が検出されたときこれを表示する表
示手段を有する車両用負荷制御装置。
10. A vehicle load control device having a power semiconductor element and a heat conductor for radiating heat generated by the power semiconductor element, a temperature detecting means for detecting a temperature of the heat conductor.
Abnormality detecting means for detecting an abnormal load according to the degree of temperature rise of the power semiconductor element after the load is turned on, means for diagnosing the device in cooperation with the abnormality detecting means by an external operation, and detecting an abnormality. A load control device for a vehicle having a display means for displaying when the vehicle is turned on.
【請求項11】請求項1〜3のいずれかにおいて、前記
電力半導体素子若しくは電源遮断回路を遮断する温度
は、あらかじめ記憶された各負荷ごとのテーブルデータ
の総和で求めることを特徴とする車両用負荷制御装置。
11. The vehicle according to claim 1, wherein the temperature at which the power semiconductor element or the power supply cutoff circuit is cut off is determined by a sum of table data for each load stored in advance. Load control device.
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