JP2001024422A - フォトニックバンドギャップ素子 - Google Patents
フォトニックバンドギャップ素子Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 異なる周波数に適合することができるバンド
ギャップ構造のフォトニックバンドギャップ素子を実現
すること。 【解決手段】 マトリクス状に配置された複数の配線
と、前記複数の配線の導通状態を制御する制御装置とを
有する。
ギャップ構造のフォトニックバンドギャップ素子を実現
すること。 【解決手段】 マトリクス状に配置された複数の配線
と、前記複数の配線の導通状態を制御する制御装置とを
有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、所望の用途に応じ
て特性を切り換えることが可能な金属フォトニックバン
ドギャップ素子に関する。
て特性を切り換えることが可能な金属フォトニックバン
ドギャップ素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】複数の金属フォトニックバンドギャップ
構造を使用して、各種周波数での伝搬を促進し、他の周
波数では抑制することが実際に行われている。しかしな
がらそれらの構造は常に、単一の固定された周波数範囲
専用のものであり、従って、用途が固定されている。
構造を使用して、各種周波数での伝搬を促進し、他の周
波数では抑制することが実際に行われている。しかしな
がらそれらの構造は常に、単一の固定された周波数範囲
専用のものであり、従って、用途が固定されている。
【０００３】周波数範囲を調整するための一般的な解決
は、空中や電磁気的物質中に特定の径および長さを有す
る金属配線を配列することにある。配線の間隔を的確に
取り、径を最適化することで、各種の所望の周波数を対
象とするバンドギャップ構造を得ることが可能である。
は、空中や電磁気的物質中に特定の径および長さを有す
る金属配線を配列することにある。配線の間隔を的確に
取り、径を最適化することで、各種の所望の周波数を対
象とするバンドギャップ構造を得ることが可能である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来技術の問題の一つ
は、それが幾何形状パラメータによって決定される固定
構造であるという点である。従って、その構造を援用し
たり、それを異なる周波数帯に適合するように変えるこ
とはほとんど不可能である。
は、それが幾何形状パラメータによって決定される固定
構造であるという点である。従って、その構造を援用し
たり、それを異なる周波数帯に適合するように変えるこ
とはほとんど不可能である。
【０００５】別の周波数に適合するバンドギャップ構造
を得ようとする場合、幾何寸法を再度最適化する必要が
あり、それは必ずしも簡単ではない。最適化は時間を要
する作業である。
を得ようとする場合、幾何寸法を再度最適化する必要が
あり、それは必ずしも簡単ではない。最適化は時間を要
する作業である。
【０００６】そこで本発明の目的は、上述した従来の技
術の問題を解決し、電子コマンドシステムを用いて異な
る周波数に適合することができるバンドギャップ構造の
フォトニックバンドギャップ素子を実現することを目的
とする。なお、その用途は、ビーム形成を伴うパーソナ
ル通信となろう。
術の問題を解決し、電子コマンドシステムを用いて異な
る周波数に適合することができるバンドギャップ構造の
フォトニックバンドギャップ素子を実現することを目的
とする。なお、その用途は、ビーム形成を伴うパーソナ
ル通信となろう。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のフォトニックバ
ンドギャップ素子は、マトリクス状に配置された複数の
配線と、前記複数の配線の導通状態を制御する制御装置
とを有することを特徴とする。
ンドギャップ素子は、マトリクス状に配置された複数の
配線と、前記複数の配線の導通状態を制御する制御装置
とを有することを特徴とする。
【０００８】この場合、複数の配線のそれぞれがギャッ
プにより複数の部分に分割されており、 前記複数の配
線のそれぞれについて、前記複数の部分を電気的に接続
する複数のスイッチング素子を具備し、制御装置は前記
複数のスイッチング素子を介して前記複数の配線の導通
状態を制御することとしてもよい。
プにより複数の部分に分割されており、 前記複数の配
線のそれぞれについて、前記複数の部分を電気的に接続
する複数のスイッチング素子を具備し、制御装置は前記
複数のスイッチング素子を介して前記複数の配線の導通
状態を制御することとしてもよい。
【０００９】また、前記複数の配線のそれぞれを電気的
に接続する複数のスイッチング素子を具備し、制御装置
は前記複数のスイッチング素子を介して前記複数の配線
の導通状態を制御することを特徴とするフォトニックバ
ンドギャップ素子。
に接続する複数のスイッチング素子を具備し、制御装置
は前記複数のスイッチング素子を介して前記複数の配線
の導通状態を制御することを特徴とするフォトニックバ
ンドギャップ素子。
【００１０】上記のスイッチング素子は電界効果型トラ
ンジスタであることとしてもよい。
ンジスタであることとしてもよい。
【００１１】また、スイッチング素子は光の入射状態に
応じて電気的特性が変化する光素子であり、制御装置が
その照射光により前記光素子の電気的特性を変化させる
光源であるとしてもよい。
応じて電気的特性が変化する光素子であり、制御装置が
その照射光により前記光素子の電気的特性を変化させる
光源であるとしてもよい。
【００１２】本発明の他の形態によるフォトニックバン
ドギャップ素子は、同じ領域に配置された上記のいずれ
かのフォトニックバンドギャップ素子を具備し、各フォ
トニックバンドギャップ素子は、マトリクス状に配置さ
れた複数の配線の周期が異なるものとされ、各制御装置
は、複数の配線の導通状態が互いに逆となるように前記
複数のスイッチング素子を制御することを特徴とする。
ドギャップ素子は、同じ領域に配置された上記のいずれ
かのフォトニックバンドギャップ素子を具備し、各フォ
トニックバンドギャップ素子は、マトリクス状に配置さ
れた複数の配線の周期が異なるものとされ、各制御装置
は、複数の配線の導通状態が互いに逆となるように前記
複数のスイッチング素子を制御することを特徴とする。
【００１３】上記のいずれの場合においても、複数の配
線が、その配置状態が周期性を持たないものであるとと
もに径も異なるものであることとしてもよい。
線が、その配置状態が周期性を持たないものであるとと
もに径も異なるものであることとしてもよい。
【００１４】「作用」上記のように構成される本発明に
おいては、制御装置によりスイッチング素子を「オン」
に設定した場合には配線が短絡された回路が形成され、
スイッチング素子が「オフ」の場合、配線が遮断された
回路が形成され、それぞれのフォトニックバンドギャッ
プ構造は完全に異なったものとなり、伝播する周波数特
性において別の特性を有するものとなる。
おいては、制御装置によりスイッチング素子を「オン」
に設定した場合には配線が短絡された回路が形成され、
スイッチング素子が「オフ」の場合、配線が遮断された
回路が形成され、それぞれのフォトニックバンドギャッ
プ構造は完全に異なったものとなり、伝播する周波数特
性において別の特性を有するものとなる。
【００１５】上記の構造を２組用いたものにおいては、
第１の構造が動作している時、それは一定の周波数帯を
有する金属フォトニックバンドギャップであり、それが
オフで第２の構造がオンの時、それは周波数において別
の特性を有する。その２つのオン状態の組み合わせによ
って、異なる周波数バンドギャップが得られる。
第１の構造が動作している時、それは一定の周波数帯を
有する金属フォトニックバンドギャップであり、それが
オフで第２の構造がオンの時、それは周波数において別
の特性を有する。その２つのオン状態の組み合わせによ
って、異なる周波数バンドギャップが得られる。
【００１６】なお、フォトニックバンドギャップを設計
する際には、配列に関係する各配線の間隔および径を最
適化する必要がある。通常、開始点は、第１の周波数バ
ンドギャップがある開始周波数を有し、等価な誘導１／
４波長が配線間距離と径の合計に等しい点である。
する際には、配列に関係する各配線の間隔および径を最
適化する必要がある。通常、開始点は、第１の周波数バ
ンドギャップがある開始周波数を有し、等価な誘導１／
４波長が配線間距離と径の合計に等しい点である。
【００１７】調節可能なバンドギャップ（counterpar
t）を設計したい場合は、それを各配線の高さにおいて
１以上の部分に分ける必要がある。従って、長さの分割
を最適化し、その後でスイッチング素子を設けて構造の
分路を行うことで、電磁気的挙動における変化と、次に
バンドギャップ挙動の変化をもたらすことができる。
t）を設計したい場合は、それを各配線の高さにおいて
１以上の部分に分ける必要がある。従って、長さの分割
を最適化し、その後でスイッチング素子を設けて構造の
分路を行うことで、電磁気的挙動における変化と、次に
バンドギャップ挙動の変化をもたらすことができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施例について図
面を参照して説明する。
面を参照して説明する。
【００１９】第１の実施例 図１は本発明の第１の実施例の構成を示す図である。
【００２０】本実施例では直径Ｄ１を有する１組の配線
１が複数用いられている。配線１は、ｘ方向については
Ｐ１の周期とされ、ｙ方向についてはＰ２の周期として
Ｎ×Ｍ（Ｎ，Ｍは任意数）配線として配置されている。
各配線１にはギャップが設けられて、部分５、６および
ギャップ部７に分けられている。部分５、６の間には３
ポート素子であるＦＥＴ８が設けられ、該ＦＥＴ８を介
して部分５、６が接続されている。
１が複数用いられている。配線１は、ｘ方向については
Ｐ１の周期とされ、ｙ方向についてはＰ２の周期として
Ｎ×Ｍ（Ｎ，Ｍは任意数）配線として配置されている。
各配線１にはギャップが設けられて、部分５、６および
ギャップ部７に分けられている。部分５、６の間には３
ポート素子であるＦＥＴ８が設けられ、該ＦＥＴ８を介
して部分５、６が接続されている。
【００２１】ＦＥＴ８は、一方のポート９が配線１の一
方の部分５の一端と連結され、他方のポート１０が配線
の他方の部分６の一端に連結されている。ＦＥＴ８の第
３のポートは、通常の導電線１２を介して制御装置（Ｃ
Ｓ）１１に接続されている。図１では、２つの配線１を
接続する１つの制御装置１１のみが示されているが、全
てのＦＥＴ８を同一の制御装置１１に接続することもで
き、あるいは制御装置１１を複数設けて、各ＦＥＴ８を
異なる制御装置に接続することもできる。
方の部分５の一端と連結され、他方のポート１０が配線
の他方の部分６の一端に連結されている。ＦＥＴ８の第
３のポートは、通常の導電線１２を介して制御装置（Ｃ
Ｓ）１１に接続されている。図１では、２つの配線１を
接続する１つの制御装置１１のみが示されているが、全
てのＦＥＴ８を同一の制御装置１１に接続することもで
き、あるいは制御装置１１を複数設けて、各ＦＥＴ８を
異なる制御装置に接続することもできる。
【００２２】ＦＥＴ８が「オン」となるように制御装置
１１の値を調節して短絡回路を形成することで、フォト
ニックバンドギャップ構造の完全な特性を得ることが可
能となる。
１１の値を調節して短絡回路を形成することで、フォト
ニックバンドギャップ構造の完全な特性を得ることが可
能となる。
【００２３】ＦＥＴ８が「オフ」の場合、ＦＥＴ８が高
抵抗となっていることから、配線１は完全に遮断されて
いると考えられる。従って、フォトニックバンドギャッ
プ構造はＦＥＴ８が「オン」の場合と「オフ」の場合と
では完全に異なったものとなり、伝播する周波数特性に
おいて別の特性を有するものとなる。
抵抗となっていることから、配線１は完全に遮断されて
いると考えられる。従って、フォトニックバンドギャッ
プ構造はＦＥＴ８が「オン」の場合と「オフ」の場合と
では完全に異なったものとなり、伝播する周波数特性に
おいて別の特性を有するものとなる。
【００２４】本実施例による効果について具体的な例を
挙げて説明する。長さ１８０ｍｍ、直径２ｍｍの配線１
を６×６配線とした場合について説明する。各配線１の
間隔は、ｘ方向およびｙ方向について、中心間にて１４
０ｍｍとし、使用するＦＥＴ８としては、オンの時の抵
抗値が３Ωであり、オフの時の抵抗値が５０００Ωとな
るものを用いたモデルをモーメント法を用いて作製し
た。
挙げて説明する。長さ１８０ｍｍ、直径２ｍｍの配線１
を６×６配線とした場合について説明する。各配線１の
間隔は、ｘ方向およびｙ方向について、中心間にて１４
０ｍｍとし、使用するＦＥＴ８としては、オンの時の抵
抗値が３Ωであり、オフの時の抵抗値が５０００Ωとな
るものを用いたモデルをモーメント法を用いて作製し
た。
【００２５】図２は、ＦＥＴ８がオンの場合のバンドギ
ャップ構造による特性を示す図であり、図３は、ＦＥＴ
８がオフの場合のバンドギャップ構造による特性を示す
図である。図２からは、内部にあるダイポールが放射し
ている時には利得が０ｄＢ未満であることが認められ
る。調べた周波数は第１のバンドギャップにある。それ
はこの場合水平方向であり、ＦＥＴ８が切り換わると、
図３に示されるように、ある方向で利得が上昇する。次
に、バンドギャップは同じ挙動を示さないことが明らか
である。
ャップ構造による特性を示す図であり、図３は、ＦＥＴ
８がオフの場合のバンドギャップ構造による特性を示す
図である。図２からは、内部にあるダイポールが放射し
ている時には利得が０ｄＢ未満であることが認められ
る。調べた周波数は第１のバンドギャップにある。それ
はこの場合水平方向であり、ＦＥＴ８が切り換わると、
図３に示されるように、ある方向で利得が上昇する。次
に、バンドギャップは同じ挙動を示さないことが明らか
である。
【００２６】実施例２ 次に、本発明の第２の実施例について、その構造を示す
図４を参照して説明する。本実施例は、制御装置（Ｃ
Ｓ）１１によりＦＥＴのオン、オフが制御される第１の
実施例の構造に、制御装置（ＣＳ）１８によりＦＥＴの
オン、オフが制御され、Ｐ１，Ｐ２とは異なるＰ３，Ｐ
４によるｘ方向およびｙ方向での周期にて第１の実施例
と同様に構成された構造が付加されている。従って、一
方の配線から他方の配線までのオフセット距離は、ｘ軸
およびｙ軸についてそれぞれＤ１およびＤ２である。
図４を参照して説明する。本実施例は、制御装置（Ｃ
Ｓ）１１によりＦＥＴのオン、オフが制御される第１の
実施例の構造に、制御装置（ＣＳ）１８によりＦＥＴの
オン、オフが制御され、Ｐ１，Ｐ２とは異なるＰ３，Ｐ
４によるｘ方向およびｙ方向での周期にて第１の実施例
と同様に構成された構造が付加されている。従って、一
方の配線から他方の配線までのオフセット距離は、ｘ軸
およびｙ軸についてそれぞれＤ１およびＤ２である。
【００２７】制御装置１１および制御装置１８はそれぞ
れが制御するＦＥＴのオン、オフ状態が逆となるように
制御するもので、制御装置１８に接続された第２の構造
のＦＥＴがオンの状態にある時には、制御装置１１に接
続されているＦＥＴはオフの状態となっている。従っ
て、図１に示した第１の実施例による構造が動作してい
る時、それは一定の周波数帯を有する金属フォトニック
バンドギャップであり、第１の実施例による構造がオフ
で、本実施例により付設された制御装置１８により制御
されるＦＥＴがオンとされたときには、伝播する周波数
特性において別の特性を有するものとなる。また、これ
以外にも、各制御装置により制御される各ＦＥＴのオン
状態の組み合わせによって、別の異なる周波数バンドギ
ャップが得られる。
れが制御するＦＥＴのオン、オフ状態が逆となるように
制御するもので、制御装置１８に接続された第２の構造
のＦＥＴがオンの状態にある時には、制御装置１１に接
続されているＦＥＴはオフの状態となっている。従っ
て、図１に示した第１の実施例による構造が動作してい
る時、それは一定の周波数帯を有する金属フォトニック
バンドギャップであり、第１の実施例による構造がオフ
で、本実施例により付設された制御装置１８により制御
されるＦＥＴがオンとされたときには、伝播する周波数
特性において別の特性を有するものとなる。また、これ
以外にも、各制御装置により制御される各ＦＥＴのオン
状態の組み合わせによって、別の異なる周波数バンドギ
ャップが得られる。
【００２８】実施例３ 次に、本発明の第３の実施例について、その構造を示す
図５を参照して説明する。本実施例は、図１に示した各
配線１の径をそれぞれ異なる配線１’とし、動作中、ま
たは、動作していない金属配線を、ｄ１１およびｄ１２
の間隔で、周期性を持たない配置とすることにより電磁
気的な構造が最適化されている。
図５を参照して説明する。本実施例は、図１に示した各
配線１の径をそれぞれ異なる配線１’とし、動作中、ま
たは、動作していない金属配線を、ｄ１１およびｄ１２
の間隔で、周期性を持たない配置とすることにより電磁
気的な構造が最適化されている。
【００２９】実施例４ 次に、本発明の第４の実施例について、その構造を示す
図６を参照して説明する。本実施例は、図１に示した第
１の実施例におけるＦＥＴに代えて、フォトトランジス
タやフォトダイオード等の光の入射状態に応じて電気的
特性が変化する光素子２２を設けたものである。各光素
子２２は、フォトニックバンドギャップ構造の外部に設
けられた光源２３からの照射光に応じてその電気的特性
が制御される。
図６を参照して説明する。本実施例は、図１に示した第
１の実施例におけるＦＥＴに代えて、フォトトランジス
タやフォトダイオード等の光の入射状態に応じて電気的
特性が変化する光素子２２を設けたものである。各光素
子２２は、フォトニックバンドギャップ構造の外部に設
けられた光源２３からの照射光に応じてその電気的特性
が制御される。
【００３０】実施例５ 次に、本発明の第５の実施例について、その構造を示す
図７を参照して説明する。本実施例は、図１に示した第
１の実施例における配線１をギャップ７を持たない配線
１”とし、各配線１”間を制御装置１１”によりそのオ
ン、オフが制御されるスイッチング素子としてのＦＥＴ
８”で接続したものである。
図７を参照して説明する。本実施例は、図１に示した第
１の実施例における配線１をギャップ７を持たない配線
１”とし、各配線１”間を制御装置１１”によりそのオ
ン、オフが制御されるスイッチング素子としてのＦＥＴ
８”で接続したものである。
【００３１】本実施例による効果について具体的な例を
挙げて説明する。長さ１８０ｍｍ、直径２ｍｍの６×６
配線とし、それぞれにおける間隔は、ｘ方向およびｙ方
向のいずれにおいても中心間にて１４０ｍｍとした。使
用するＦＥＴ８”は、オンの時の抵抗値が３Ωであり、
オフの時の抵抗値が５０００Ωとなるものを用いたモデ
ルをモーメント法を用いて作製した。
挙げて説明する。長さ１８０ｍｍ、直径２ｍｍの６×６
配線とし、それぞれにおける間隔は、ｘ方向およびｙ方
向のいずれにおいても中心間にて１４０ｍｍとした。使
用するＦＥＴ８”は、オンの時の抵抗値が３Ωであり、
オフの時の抵抗値が５０００Ωとなるものを用いたモデ
ルをモーメント法を用いて作製した。
【００３２】図８および図９は、上記のモデルのＦＥＴ
８”がオン状態のときとオフ状態のときとの間の差を示
してある。バンドギャップが変化しているために、内部
のダイポールの放射包絡線は一方から他方へ大きく変化
していることがわかる。
８”がオン状態のときとオフ状態のときとの間の差を示
してある。バンドギャップが変化しているために、内部
のダイポールの放射包絡線は一方から他方へ大きく変化
していることがわかる。
【００３３】なお、以上述べた各実施例は、様々に組み
合わせてもよい。例えば、第５の実施例に示される配線
にギャップを設けない構成に、第３の実施例に示される
ような配線の径を変えることや、第４の実施例に示され
るような制御光によりオン、オフが制御されるスイッチ
ング素子をＦＥＴの代わりに用いることが考えられる。
このように各実施例を組み合わせることにより、各実施
例それぞれの効果が相乗されたものとすることができ
る。
合わせてもよい。例えば、第５の実施例に示される配線
にギャップを設けない構成に、第３の実施例に示される
ような配線の径を変えることや、第４の実施例に示され
るような制御光によりオン、オフが制御されるスイッチ
ング素子をＦＥＴの代わりに用いることが考えられる。
このように各実施例を組み合わせることにより、各実施
例それぞれの効果が相乗されたものとすることができ
る。
【００３４】
【発明の効果】本発明は以上説明したように構成されて
いるので、異なる周波数に適合することができるバンド
ギャップ構造のフォトニックバンドギャップ素子を実現
することができる効果がある。
いるので、異なる周波数に適合することができるバンド
ギャップ構造のフォトニックバンドギャップ素子を実現
することができる効果がある。
【図１】本発明の第１の実施例の構成を示す図である。
【図２】図１に示した第１の実施例の、ＦＥＴ８がオン
の場合のバンドギャップ構造による特性を示す図であ
る。
の場合のバンドギャップ構造による特性を示す図であ
る。
【図３】図１に示した第１の実施例の、ＦＥＴ８がオフ
の場合のバンドギャップ構造による特性を示す図であ
る。
の場合のバンドギャップ構造による特性を示す図であ
る。
【図４】本発明の第２の実施例の構成を示す図である。
【図５】本発明の第３の実施例の構成を示す図である。
【図６】本発明の第４の実施例の構成を示す図である。
【図７】本発明の第５の実施例の構成を示す図である。
【図８】図７に示した第５の実施例の、ＦＥＴ８がオン
の場合のバンドギャップ構造による特性を示す図であ
る。
の場合のバンドギャップ構造による特性を示す図であ
る。
【図９】図７に示した第５の実施例の、ＦＥＴ８がオフ
の場合のバンドギャップ構造による特性を示す図であ
る。
の場合のバンドギャップ構造による特性を示す図であ
る。
１ 配線 ７ ギャップ ８ ＦＥＴ １１ 制御装置 ９、１０ ポート ２３ 光源
Claims (7)
- 【請求項１】 マトリクス状に配置された複数の配線
と、 前記複数の配線の導通状態を制御する制御装置とを有す
ることを特徴とするフォトニックバンドギャップ素子。 - 【請求項２】 請求項１記載のフォトニックバンドギャ
ップ素子において、 複数の配線のそれぞれがギャップにより複数の部分に分
割されており、 前記複数の配線のそれぞれについて、前記複数の部分を
電気的に接続する複数のスイッチング素子を具備し、 制御装置は前記複数のスイッチング素子を介して前記複
数の配線の導通状態を制御することを特徴とするフォト
ニックバンドギャップ素子。 - 【請求項３】 請求項２記載のフォトニックバンドギャ
ップ素子において、 スイッチング素子が電界効果型トランジスタであること
を特徴とするフォトニックバンドギャップ素子。 - 【請求項４】 請求項２記載のフォトニックバンドギャ
ップ素子において、 スイッチング素子が光の入射状態に応じて電気的特性が
変化する光素子であり、制御装置がその照射光により前
記光素子の電気的特性を変化させる光源であることを特
徴とするフォトニックバンドギャップ素子。 - 【請求項５】 同じ領域に配置された請求項２ないし請
求項４のいずれかに記載のフォトニックバンドギャップ
素子を具備し、 各フォトニックバンドギャップ素子は、マトリクス状に
配置された複数の配線の周期が異なるものとされ、各制
御装置は、複数の配線の導通状態が互いに逆となるよう
に前記複数のスイッチング素子を制御することを特徴と
するフォトニックバンドギャップ素子。 - 【請求項６】 請求項１記載のフォトニックバンドギャ
ップ素子において、 前記複数の配線のそれぞれを電気的に接続する複数のス
イッチング素子を具備し、 制御装置は前記複数のスイ
ッチング素子を介して前記複数の配線の導通状態を制御
することを特徴とするフォトニックバンドギャップ素
子。 - 【請求項７】 請求項１ないし請求項６のいずれかに記
載のフォトニックバンドギャップ素子において、 複数の配線が、その配置状態が周期性を持たないもので
あるとともに径も異なるものであることを特徴とするフ
ォトニックバンドギャップ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19322999A JP2001024422A (ja) | 1999-07-07 | 1999-07-07 | フォトニックバンドギャップ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19322999A JP2001024422A (ja) | 1999-07-07 | 1999-07-07 | フォトニックバンドギャップ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001024422A true JP2001024422A (ja) | 2001-01-26 |
Family
ID=16304481
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19322999A Pending JP2001024422A (ja) | 1999-07-07 | 1999-07-07 | フォトニックバンドギャップ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001024422A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006148929A (ja) * | 2004-11-24 | 2006-06-08 | Agilent Technol Inc | 電磁放射線を反射するための装置 |
| JP2008278162A (ja) * | 2007-04-27 | 2008-11-13 | National Institute Of Information & Communication Technology | 電波シャッター |
-
1999
- 1999-07-07 JP JP19322999A patent/JP2001024422A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006148929A (ja) * | 2004-11-24 | 2006-06-08 | Agilent Technol Inc | 電磁放射線を反射するための装置 |
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