JP2001023967A - 誘導結合型ドライエッチング装置 - Google Patents
誘導結合型ドライエッチング装置Info
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- JP2001023967A JP2001023967A JP11195271A JP19527199A JP2001023967A JP 2001023967 A JP2001023967 A JP 2001023967A JP 11195271 A JP11195271 A JP 11195271A JP 19527199 A JP19527199 A JP 19527199A JP 2001023967 A JP2001023967 A JP 2001023967A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 誘導結合型ドライエッチング装置で、基板に
接続された配線層をエッチング加工する際に発生してい
た、電子シェーディングによる、例えばゲート酸化膜の
破壊を防止する。 【解決手段】 誘導結合型ドライエッチング装置１のプ
ラズマ処理室１１内に電位の基点となるアース４１が設
置されているもので、例えばアース４１をプラズマ処理
室１１の側壁１１Ｓもしくは側壁１１Ｓ側の底部１１Ｂ
に設けたものである。
接続された配線層をエッチング加工する際に発生してい
た、電子シェーディングによる、例えばゲート酸化膜の
破壊を防止する。 【解決手段】 誘導結合型ドライエッチング装置１のプ
ラズマ処理室１１内に電位の基点となるアース４１が設
置されているもので、例えばアース４１をプラズマ処理
室１１の側壁１１Ｓもしくは側壁１１Ｓ側の底部１１Ｂ
に設けたものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、誘導結合型ドライ
エッチング装置に関し、詳しくはプラズマ処理室内にア
ースを設けて電子シェーディングによるエッチング中の
絶縁膜破壊を防止した誘導結合型ドライエッチング装置
に関する。
エッチング装置に関し、詳しくはプラズマ処理室内にア
ースを設けて電子シェーディングによるエッチング中の
絶縁膜破壊を防止した誘導結合型ドライエッチング装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】アルミニウム配線層をドライエッチング
加工してアルミニウム配線を形成する際に、電子シェー
ディングによりトランジスタのゲート酸化膜が破壊され
ることが問題となっている。電子シェーディングの発生
は、プラズマ中の電子温度が深く関係している。そのた
め、比較的低い電子温度で高密度なプラズマを発生する
ことが可能な誘導結合型ドライエッチング装置を用いて
エッチング加工を行うことは、ゲート酸化膜の破壊を防
止する上で有効な方法とされている。
加工してアルミニウム配線を形成する際に、電子シェー
ディングによりトランジスタのゲート酸化膜が破壊され
ることが問題となっている。電子シェーディングの発生
は、プラズマ中の電子温度が深く関係している。そのた
め、比較的低い電子温度で高密度なプラズマを発生する
ことが可能な誘導結合型ドライエッチング装置を用いて
エッチング加工を行うことは、ゲート酸化膜の破壊を防
止する上で有効な方法とされている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、誘導結
合型ドライエッチング装置では、基板に接続された配線
とゲートの配線とが櫛形を成し、互いに櫛形部分の歯が
隣接して形成されているようなパターンでは、ゲート酸
化膜が破壊されやすいことが、本発明者によって確認さ
れた。このような誘導結合型ドライエッチング装置の配
線加工において見られるゲート酸化膜の破壊の原因は、
エッチング装置のプラズマ処理室内に電位の基点となる
アースポイントがないことより、被エッチング体のウエ
ハがフローティング状態になり、発生したプラズマがア
ースに向かう基点としてウエハの基板に接続された配線
が利用されるためと考えられる。
合型ドライエッチング装置では、基板に接続された配線
とゲートの配線とが櫛形を成し、互いに櫛形部分の歯が
隣接して形成されているようなパターンでは、ゲート酸
化膜が破壊されやすいことが、本発明者によって確認さ
れた。このような誘導結合型ドライエッチング装置の配
線加工において見られるゲート酸化膜の破壊の原因は、
エッチング装置のプラズマ処理室内に電位の基点となる
アースポイントがないことより、被エッチング体のウエ
ハがフローティング状態になり、発生したプラズマがア
ースに向かう基点としてウエハの基板に接続された配線
が利用されるためと考えられる。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するためになされた誘導結合型ドライエッチング装置
であり、すなわち、誘導結合型ドライエッチング装置の
プラズマ処理室内に電位の基点となるアースポイントが
設置されているものである。
決するためになされた誘導結合型ドライエッチング装置
であり、すなわち、誘導結合型ドライエッチング装置の
プラズマ処理室内に電位の基点となるアースポイントが
設置されているものである。
【０００５】上記誘導結合型ドライエッチング装置で
は、プラズマ処理室内に電位の基点となるアースが設置
されていることから、プラズマ処理室内に発生したプラ
ズマがアースに向かう基点として、上記プラズマ処理室
内に設けたアースが作用し、ウエハの基板に接続された
配線がアースの基点に利用されることがなくなる。その
ため、誘導結合型ドライエッチング装置で、配線形成層
をエッチング加工して、基板に接続された配線とゲート
の配線とが互いに櫛形を成し、交互に櫛形部分の歯が隣
接して形成されるようなパターンを形成しても、基板に
接続された配線がプラズマの電位の基点とはならないの
で、ゲート酸化膜の破壊が防止される。
は、プラズマ処理室内に電位の基点となるアースが設置
されていることから、プラズマ処理室内に発生したプラ
ズマがアースに向かう基点として、上記プラズマ処理室
内に設けたアースが作用し、ウエハの基板に接続された
配線がアースの基点に利用されることがなくなる。その
ため、誘導結合型ドライエッチング装置で、配線形成層
をエッチング加工して、基板に接続された配線とゲート
の配線とが互いに櫛形を成し、交互に櫛形部分の歯が隣
接して形成されるようなパターンを形成しても、基板に
接続された配線がプラズマの電位の基点とはならないの
で、ゲート酸化膜の破壊が防止される。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明の誘導結合型ドライエッチ
ング装置に係わる実施の形態の一例を、図１の概略構成
図によって説明する。
ング装置に係わる実施の形態の一例を、図１の概略構成
図によって説明する。
【０００７】図１に示すように、誘導結合型ドライエッ
チング装置１には、プラズマ処理室１１が備えられてい
る。このプラズマ処理室１１の上部にはプラズマ発生室
１２が設置されている。このプラズマ発生室１２の外周
には誘導結合アンテナの形状にコイル１３が設置されて
いる。このコイル１３には高周波電源（例えば２．０Ｍ
Ｈｚ）１４が接続されている。また、プラズマ処理室１
１の下部には、電極室２１が設けられている。またプラ
ズマ処理室１１と電極室２１との間には開口部１６が設
けられている。
チング装置１には、プラズマ処理室１１が備えられてい
る。このプラズマ処理室１１の上部にはプラズマ発生室
１２が設置されている。このプラズマ発生室１２の外周
には誘導結合アンテナの形状にコイル１３が設置されて
いる。このコイル１３には高周波電源（例えば２．０Ｍ
Ｈｚ）１４が接続されている。また、プラズマ処理室１
１の下部には、電極室２１が設けられている。またプラ
ズマ処理室１１と電極室２１との間には開口部１６が設
けられている。
【０００８】上記電極室２１の内部には、例えば矢印ア
方向に昇降自在に設けられたカソード電極２２が設置さ
れている。すなわち、上記カソード電極２２は、上昇さ
せたときに載置された被エッチング基板９１が開口部１
６より上記プラズマ処理室１１の内部を臨むことが可能
なようになっている。またカソード電極２２には高周波
電源２３が接続されている。
方向に昇降自在に設けられたカソード電極２２が設置さ
れている。すなわち、上記カソード電極２２は、上昇さ
せたときに載置された被エッチング基板９１が開口部１
６より上記プラズマ処理室１１の内部を臨むことが可能
なようになっている。またカソード電極２２には高周波
電源２３が接続されている。
【０００９】上記電極室２１の内部には、カソード電極
２２上に被エッチング基板９１を載置したり、カソード
電極２２上より被エッチング基板９１を持ち上げるため
の基板リフタ２４が設置されている。この基板リフタ２
４は、例えば矢印イ方向に昇降自在に設けられている。
さらに電極室２１の側壁には、被エッチング基板９１の
搬入搬出口となるゲートバルブ２５が設けられている。
２２上に被エッチング基板９１を載置したり、カソード
電極２２上より被エッチング基板９１を持ち上げるため
の基板リフタ２４が設置されている。この基板リフタ２
４は、例えば矢印イ方向に昇降自在に設けられている。
さらに電極室２１の側壁には、被エッチング基板９１の
搬入搬出口となるゲートバルブ２５が設けられている。
【００１０】また上記プラズマ処理室１１には、ゲート
バルブ３１を介して、その内部の気圧を調整する、また
プラズマ処理室１１内を真空にするためのターボポンプ
３２が接続されている。またプラズマ処理室１１には、
スロットルバルブ３３が設置されている。
バルブ３１を介して、その内部の気圧を調整する、また
プラズマ処理室１１内を真空にするためのターボポンプ
３２が接続されている。またプラズマ処理室１１には、
スロットルバルブ３３が設置されている。
【００１１】そして、上記プラズマ処理室１１の側壁１
１Ｓもしくは側壁１１Ｓ側の底部１１Ｂには電位の基点
となるアースポイント４１が設置されている。図面で
は、このアースポイント４１は、例えば断面形状が１０
ｍｍ×５ｍｍ程度の環状に形成されていて、例えば側壁
１１Ｓの下部に沿って設けられている。また、アースポ
イント４１はアース４３に接続されている。上記アース
ポイント４１は、例えばステンレス、アルミニウムのよ
うな導電性の金属材料からなる。もしくは導電性の金属
材料を炭化ケイ素、ボロンカーバイト、アルミナ等の絶
縁性セラミックスからなるプラズマ保護膜（図示せず）
によって被覆したものであってもよい。なお、アースポ
イント４１は、側壁１１Ｓや底部１１Ｂより浮かした状
態で設置しても差し支えはない。
１Ｓもしくは側壁１１Ｓ側の底部１１Ｂには電位の基点
となるアースポイント４１が設置されている。図面で
は、このアースポイント４１は、例えば断面形状が１０
ｍｍ×５ｍｍ程度の環状に形成されていて、例えば側壁
１１Ｓの下部に沿って設けられている。また、アースポ
イント４１はアース４３に接続されている。上記アース
ポイント４１は、例えばステンレス、アルミニウムのよ
うな導電性の金属材料からなる。もしくは導電性の金属
材料を炭化ケイ素、ボロンカーバイト、アルミナ等の絶
縁性セラミックスからなるプラズマ保護膜（図示せず）
によって被覆したものであってもよい。なお、アースポ
イント４１は、側壁１１Ｓや底部１１Ｂより浮かした状
態で設置しても差し支えはない。
【００１２】次に、上記アースポイント４１の具体的な
設置例を図２〜図３によって説明する。
設置例を図２〜図３によって説明する。
【００１３】図２の（１）は、プラズマ処理室１１の側
壁１１Ｓの下部にアースポイント４１を設けた場合であ
る。図２の（２）は、プラズマ処理室１１の側壁１１Ｓ
側の底部１１Ｂにアースポイント４１を設けた場合であ
る。いずれの場合も、被エッチング基板（図示せず）よ
り離れた位置に設置することにより、ポテンシャルの集
中を防止している。
壁１１Ｓの下部にアースポイント４１を設けた場合であ
る。図２の（２）は、プラズマ処理室１１の側壁１１Ｓ
側の底部１１Ｂにアースポイント４１を設けた場合であ
る。いずれの場合も、被エッチング基板（図示せず）よ
り離れた位置に設置することにより、ポテンシャルの集
中を防止している。
【００１４】また、図３に示すように、アースポイント
４１は、プラズマが直接照射されないように、プラズマ
処理室１１の側壁１１Ｓによって陰になるような位置に
設置されていてもよい。具体的には、側壁１１Ｓに断面
Ｌ字形の溝６１を形成し、その溝６１の上部６１Ｔにア
ースポイント４１を設置する。このようにアースポイン
ト４１を設置すれば、プラズマに対して側壁１１Ｓの内
側部分１１ｉによって陰になり、アースポイント４１に
プラズマが直接照射されることはない。
４１は、プラズマが直接照射されないように、プラズマ
処理室１１の側壁１１Ｓによって陰になるような位置に
設置されていてもよい。具体的には、側壁１１Ｓに断面
Ｌ字形の溝６１を形成し、その溝６１の上部６１Ｔにア
ースポイント４１を設置する。このようにアースポイン
ト４１を設置すれば、プラズマに対して側壁１１Ｓの内
側部分１１ｉによって陰になり、アースポイント４１に
プラズマが直接照射されることはない。
【００１５】また、図４に示すように、上記アースポイ
ント４１は、プラズマ処理室１１内の複数か所（図面で
は側壁１１Ｓの内側の３か所）に設けられている。各ア
ースポイント４１はそれぞれアース４３に接続されてい
る。
ント４１は、プラズマ処理室１１内の複数か所（図面で
は側壁１１Ｓの内側の３か所）に設けられている。各ア
ースポイント４１はそれぞれアース４３に接続されてい
る。
【００１６】上記アースポイント４１は、例えばプラズ
マ処理室１１の３か所、４か所、６か所もしくは８か所
のように複数か所に設けられるが、その設置数は、上記
説明した数に限定はされない。
マ処理室１１の３か所、４か所、６か所もしくは８か所
のように複数か所に設けられるが、その設置数は、上記
説明した数に限定はされない。
【００１７】次に、複数か所にアースポイント４１を設
ける場合のアースポイント４１の形状例を以下に説明す
る。
ける場合のアースポイント４１の形状例を以下に説明す
る。
【００１８】図５に示すように、上記アースポイント４
１は、導電性金属材料からなる円柱形状、多角柱形状等
の柱状のアースポイント本体４５（ここでは直径２０ｍ
ｍの円柱形状のアースポイント本体とする）と、アース
ポイント本体４５に設けたフランジ４７とからなり、フ
ランジ４７のアースポイント本体４５の周囲の複数か所
には複数の孔４８が設けらている。なお、アースポイン
ト４１の表面に炭化ケイ素、ボロンカーバイト、アルミ
ナ等の絶縁性セラミックスからなるプラズマ保護膜（図
示せず）を形成してもよい。また、アースポイント４１
はアース４３に接続されている。
１は、導電性金属材料からなる円柱形状、多角柱形状等
の柱状のアースポイント本体４５（ここでは直径２０ｍ
ｍの円柱形状のアースポイント本体とする）と、アース
ポイント本体４５に設けたフランジ４７とからなり、フ
ランジ４７のアースポイント本体４５の周囲の複数か所
には複数の孔４８が設けらている。なお、アースポイン
ト４１の表面に炭化ケイ素、ボロンカーバイト、アルミ
ナ等の絶縁性セラミックスからなるプラズマ保護膜（図
示せず）を形成してもよい。また、アースポイント４１
はアース４３に接続されている。
【００１９】一方、プラズマ処理室１１の側壁１１Ｓに
は、アースポイント４１が埋め込まれる貫通孔７１が設
けられている。この貫通孔７１は、例えば断面凸形を成
しており、プラズマ処理室１１の内側の径が例えば５ｍ
ｍ〜１０ｍｍ（ここでは１０ｍｍ）で、プラズマ処理室
１１の外側の径が例えば１５ｍｍ〜２０ｍｍ（ここでは
２０ｍｍ）となっている。
は、アースポイント４１が埋め込まれる貫通孔７１が設
けられている。この貫通孔７１は、例えば断面凸形を成
しており、プラズマ処理室１１の内側の径が例えば５ｍ
ｍ〜１０ｍｍ（ここでは１０ｍｍ）で、プラズマ処理室
１１の外側の径が例えば１５ｍｍ〜２０ｍｍ（ここでは
２０ｍｍ）となっている。
【００２０】上記アースポイント４１は、上記貫通孔７
１にプラズマ処理室１１の外側よりはめ込んで設置され
る。その際、側壁１１Ｓとフランジ４７との間は、アー
スポイント本体４５に沿って例えばＯリングシール５１
が設置されていて、プラズマ処理室１１の内部の気密性
を保持している。またフランジ４７に設けた孔４８にボ
ルト５３を通して、側壁１１Ｓに設けたネジ穴７３にそ
のボルト５３を螺合させてフランジ４７を側壁１１Ｓに
固定している。
１にプラズマ処理室１１の外側よりはめ込んで設置され
る。その際、側壁１１Ｓとフランジ４７との間は、アー
スポイント本体４５に沿って例えばＯリングシール５１
が設置されていて、プラズマ処理室１１の内部の気密性
を保持している。またフランジ４７に設けた孔４８にボ
ルト５３を通して、側壁１１Ｓに設けたネジ穴７３にそ
のボルト５３を螺合させてフランジ４７を側壁１１Ｓに
固定している。
【００２１】また、図６に示すように、上記アースポイ
ント４１は、例えば、導電性金属材料からなるボルト形
状を成している。このアースポイント４１の頭部４１Ｔ
は、例えば直径が５ｍｍ〜１０ｍｍに形成されている。
なお、アースポイント４１の表面には、炭化ケイ素、ボ
ロンカーバイト、アルミナ等の炭化物、酸化物もしくは
窒化物等の絶縁性セラミックスからなるプラズマ保護膜
（図示せず）を形成してもよい。
ント４１は、例えば、導電性金属材料からなるボルト形
状を成している。このアースポイント４１の頭部４１Ｔ
は、例えば直径が５ｍｍ〜１０ｍｍに形成されている。
なお、アースポイント４１の表面には、炭化ケイ素、ボ
ロンカーバイト、アルミナ等の炭化物、酸化物もしくは
窒化物等の絶縁性セラミックスからなるプラズマ保護膜
（図示せず）を形成してもよい。
【００２２】一方、プラズマ処理室１１の側壁１１Ｓの
内側には、アースポイント４１がネジ込まれるネジ穴７
５が設けられている。このネジ穴７５の底部にはアース
４３に接続するアース線７７が接続されている。
内側には、アースポイント４１がネジ込まれるネジ穴７
５が設けられている。このネジ穴７５の底部にはアース
４３に接続するアース線７７が接続されている。
【００２３】上記アースポイント４１は、プラズマ処理
室１１の内側より上記ネジ穴７５にネジ込んで設置され
る。その際、側壁１１Ｓとアースポイント４１の頭部４
１Ｔとの間に、アースポイント４１に沿って例えばＯリ
ングシール５５を設置して、プラズマ処理室１１の内側
の気密性を高めてもよい。そして、ネジ穴７５にネジ込
まれたアースポイント４１は、ネジ穴７５の底部に設け
たアース線７７に接触するようにネジ込まれる。なお、
アースポイント４１にネジ山を形成せず、また側壁１１
Ｓ側に形成したネジ穴７５を単なる穴に形成して、この
穴にアースポイントをはめ込むようにしてもよい。その
場合には、穴の形状およびアースポイントの形状を、ア
ースポイントが穴より抜け落ちないような大きさに形成
する必要がある。
室１１の内側より上記ネジ穴７５にネジ込んで設置され
る。その際、側壁１１Ｓとアースポイント４１の頭部４
１Ｔとの間に、アースポイント４１に沿って例えばＯリ
ングシール５５を設置して、プラズマ処理室１１の内側
の気密性を高めてもよい。そして、ネジ穴７５にネジ込
まれたアースポイント４１は、ネジ穴７５の底部に設け
たアース線７７に接触するようにネジ込まれる。なお、
アースポイント４１にネジ山を形成せず、また側壁１１
Ｓ側に形成したネジ穴７５を単なる穴に形成して、この
穴にアースポイントをはめ込むようにしてもよい。その
場合には、穴の形状およびアースポイントの形状を、ア
ースポイントが穴より抜け落ちないような大きさに形成
する必要がある。
【００２４】なお、上記アースポイント４１は、ポテン
シャルの集中が起こらないように、カソード電極（図示
せず）の近傍に設置することは避けることが望ましく、
上記説明したように、プラズマ処理室１１の側壁１１Ｓ
下部に設けることが望ましい。または、プラズマ処理室
１１の側壁１１Ｓ側の底部１１Ｂに設けてもよい。
シャルの集中が起こらないように、カソード電極（図示
せず）の近傍に設置することは避けることが望ましく、
上記説明したように、プラズマ処理室１１の側壁１１Ｓ
下部に設けることが望ましい。または、プラズマ処理室
１１の側壁１１Ｓ側の底部１１Ｂに設けてもよい。
【００２５】例えば、図７に示すように、エッチング時
のカソード電極２２の位置より絶縁体８１を介して、例
えばフォーカスリング８２の下方のプラズマ処理室１１
の底部１１Ｂにアースポイント４１を設けてもよい。こ
のアースポイント４１もアース４３に接続されている。
のカソード電極２２の位置より絶縁体８１を介して、例
えばフォーカスリング８２の下方のプラズマ処理室１１
の底部１１Ｂにアースポイント４１を設けてもよい。こ
のアースポイント４１もアース４３に接続されている。
【００２６】このように、上記誘導結合型ドライエッチ
ング装置１では、プラズマ処理室１１内に電位の基点と
なるアースポイント４１が設置されていることから、プ
ラズマ処理室１１内に発生したプラズマがアースポイン
ト４１に向かう基点として、上記プラズマ処理室１１内
に設けたアースポイント４１が作用し、例えば被エッチ
ング基板９１に形成され、その被エッチング基板９１に
接続された配線（図示せず）がアースの基点に利用され
ることがなくなる。そのため、上記誘導結合型ドライエ
ッチング装置１で、配線形成層をエッチング加工して、
被エッチング基板９１に接続された配線とゲートの配線
とが互いに櫛形を成し、交互に櫛形部分の歯が隣接して
形成されるようなパターンを形成しても、被エッチング
基板９１に接続された配線がプラズマの電位の基点とは
ならないので、例えばゲート酸化膜の破壊が防止され
る。
ング装置１では、プラズマ処理室１１内に電位の基点と
なるアースポイント４１が設置されていることから、プ
ラズマ処理室１１内に発生したプラズマがアースポイン
ト４１に向かう基点として、上記プラズマ処理室１１内
に設けたアースポイント４１が作用し、例えば被エッチ
ング基板９１に形成され、その被エッチング基板９１に
接続された配線（図示せず）がアースの基点に利用され
ることがなくなる。そのため、上記誘導結合型ドライエ
ッチング装置１で、配線形成層をエッチング加工して、
被エッチング基板９１に接続された配線とゲートの配線
とが互いに櫛形を成し、交互に櫛形部分の歯が隣接して
形成されるようなパターンを形成しても、被エッチング
基板９１に接続された配線がプラズマの電位の基点とは
ならないので、例えばゲート酸化膜の破壊が防止され
る。
【００２７】
【発明の効果】以上、説明したように本発明の誘導結合
型ドライエッチング装置によれば、プラズマ処理室内に
電位の基点となるアースポイントが設置されているの
で、被エッチング基板に形成された配線の電位に関係な
く、電子シェーディングによる絶縁膜破壊が起こらな
い、信頼性の高いエッチング加工が可能になる。
型ドライエッチング装置によれば、プラズマ処理室内に
電位の基点となるアースポイントが設置されているの
で、被エッチング基板に形成された配線の電位に関係な
く、電子シェーディングによる絶縁膜破壊が起こらな
い、信頼性の高いエッチング加工が可能になる。
【図１】本発明の誘導結合型ドライエッチング装置に係
わる実施の形態の一例を示す概略構成図である。
わる実施の形態の一例を示す概略構成図である。
【図２】アースポイントの具体的な設置例を示す概略構
成断面図である。
成断面図である。
【図３】アースポイントの具体的な設置例を示す概略構
成断面図である。
成断面図である。
【図４】アースポイントの設置位置を例示する概略構成
図である。
図である。
【図５】アースポイントの具体的な形状およびその設置
例を示す概略構成断面図である。
例を示す概略構成断面図である。
【図６】アースポイントの具体的な形状およびその設置
例を示す概略構成断面図である。
例を示す概略構成断面図である。
【図７】アースポイントの具体的な設置例を示す概略構
成断面図である。
成断面図である。
１…誘導結合型ドライエッチング装置、１１…プラズマ
処理室、４１…アースポイント
処理室、４１…アースポイント
Claims (7)
- 【請求項１】 誘導結合型ドライエッチング装置のプラ
ズマ処理室内に電位の基点となるアースポイントが設置
されていることを特徴とする誘導結合型ドライエッチン
グ装置。 - 【請求項２】 前記アースポイントは、前記プラズマ処
理室内の側壁もしくは側壁側底部に設けられていること
を特徴とする請求項１記載の誘導結合型ドライエッチン
グ装置。 - 【請求項３】 前記アースポイントは前記プラズマ処理
室内の複数箇所に設けられていることを特徴とする請求
項１記載の誘導結合型ドライエッチング装置。 - 【請求項４】 前記アースポイントは前記プラズマ処理
室内の複数箇所に設けられていることを特徴とする請求
項２記載の誘導結合型ドライエッチング装置。 - 【請求項５】 前記アースポイントは環状に形成されて
いることを特徴とする請求項１記載の誘導結合型ドライ
エッチング装置。 - 【請求項６】 前記アースポイントはその表面にプラズ
マ保護膜が形成されていることを特徴とする請求項１記
載の誘導結合型ドライエッチング装置。 - 【請求項７】 前記アースポイントは前記プラズマ処理
室内で発生するプラズマに対して陰になる位置に設置さ
れていることを特徴とする請求項２記載の誘導結合型ド
ライエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19527199A JP4106816B2 (ja) | 1999-07-09 | 1999-07-09 | 誘導結合型ドライエッチング装置 |
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