JP2001023878A - マスクならびに露光装置および電子ビーム寸法ドリフト補正方法 - Google Patents
マスクならびに露光装置および電子ビーム寸法ドリフト補正方法Info
- Publication number
- JP2001023878A JP2001023878A JP19186499A JP19186499A JP2001023878A JP 2001023878 A JP2001023878 A JP 2001023878A JP 19186499 A JP19186499 A JP 19186499A JP 19186499 A JP19186499 A JP 19186499A JP 2001023878 A JP2001023878 A JP 2001023878A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- opening
- electron beam
- drift
- shaping
- mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、可変成形電子ビーム描画方式の成
形ビームの寸法ドリフト補正をスループットを低下させ
ることなく実行できるマスクならびに露光装置および電
子ビーム寸法ドリフト補正方法を得ることを課題とす
る。 【解決手段】 第２開口３Ａ上に設けられた電子ビーム
寸法ドリフト補正用の開口部１３Ｂと、当該電子ビーム
寸法ドリフト補正用の開口部１３Ｂの下方に設置された
電子検出器５を備え、パターン描画中に当該電子ビーム
寸法ドリフト補正用の開口部１３Ｂを通過する電子ビー
ムの量を電子検出器５でリアルタイムに検出し、当該電
子検出器５で検出した電流量の変化に応じて上部の偏向
器４Ａ（第１偏向器）に偏向量にかかるフィードバック
を行うことによって、露光時にリアルタイムで電子ビー
ム寸法のドリフトの補正を実行する。
形ビームの寸法ドリフト補正をスループットを低下させ
ることなく実行できるマスクならびに露光装置および電
子ビーム寸法ドリフト補正方法を得ることを課題とす
る。 【解決手段】 第２開口３Ａ上に設けられた電子ビーム
寸法ドリフト補正用の開口部１３Ｂと、当該電子ビーム
寸法ドリフト補正用の開口部１３Ｂの下方に設置された
電子検出器５を備え、パターン描画中に当該電子ビーム
寸法ドリフト補正用の開口部１３Ｂを通過する電子ビー
ムの量を電子検出器５でリアルタイムに検出し、当該電
子検出器５で検出した電流量の変化に応じて上部の偏向
器４Ａ（第１偏向器）に偏向量にかかるフィードバック
を行うことによって、露光時にリアルタイムで電子ビー
ム寸法のドリフトの補正を実行する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ＭＰＵ（超小型
演算処理装置）やＲＡＭ（随時書き込み読み出しメモ
リ）に代表される半導体等の製造プロセスで用いられる
微細パターンの転写技術に係り、特に可変成形電子ビー
ム描画方式の成形ビームの寸法ドリフト補正をスループ
ットを低下させることなく実行できるマスクならびに露
光装置および電子ビーム寸法ドリフト補正方法に関する
ものである。
演算処理装置）やＲＡＭ（随時書き込み読み出しメモ
リ）に代表される半導体等の製造プロセスで用いられる
微細パターンの転写技術に係り、特に可変成形電子ビー
ム描画方式の成形ビームの寸法ドリフト補正をスループ
ットを低下させることなく実行できるマスクならびに露
光装置および電子ビーム寸法ドリフト補正方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】ＭＰＵ（超小型演算処理装置）やＲＡＭ
（随時書き込み読み出しメモリ）に代表される半導体等
の製造プロセスで用いられる微細パターンの転写技術の
１つとして、可変成形を用いた電子ビームのパターン形
成方法が知られている。このような可変成形を用いた電
子ビームのパターン形成方法は、電子ビームの照射エリ
アを規定する上段の第１開口と、当該第１開口を通過し
た電子ビームをさらに所望のサイズに成形する下段の第
２開口の２つを組み合わせて描画する技術である。しか
しながら、描画中に電子ビームによるチャージアップに
よって、時間とともに微妙に電子ビーム寸法が変動する
問題がある。そのため、連続描画のストライプ区切り
毎、または一定時間毎に電子ビーム寸法を補正する必要
がある。
（随時書き込み読み出しメモリ）に代表される半導体等
の製造プロセスで用いられる微細パターンの転写技術の
１つとして、可変成形を用いた電子ビームのパターン形
成方法が知られている。このような可変成形を用いた電
子ビームのパターン形成方法は、電子ビームの照射エリ
アを規定する上段の第１開口と、当該第１開口を通過し
た電子ビームをさらに所望のサイズに成形する下段の第
２開口の２つを組み合わせて描画する技術である。しか
しながら、描画中に電子ビームによるチャージアップに
よって、時間とともに微妙に電子ビーム寸法が変動する
問題がある。そのため、連続描画のストライプ区切り
毎、または一定時間毎に電子ビーム寸法を補正する必要
がある。
【０００３】図５を参照して従来の寸法ドリフト補正方
法を説明する。図５は通常の電子ビームドリフト補正を
説明するための装置概略図である。図５において、４１
は電子源、４１Ａは電子ビーム、４１Ｂ，４１Ｃは成形
ビーム、４２は電子源４１からの電子ビーム４１Ａを成
形する第１開口４２Ａを有する上段マスク、４２Ａは第
１開口、４３はさらに所望の電子ビームサイズに成形す
る第２開口４３Ａを有する下段マスク、４３Ａは第２開
口、４４Ａは第１開口４２Ａを通過した電子ビームを振
るための偏向器、４４Ｂは第２開口４３Ａを通過した電
子ビームを振るための偏向器、４５はターゲットパター
ン４８から出た反射電子を検出する電子検出器、４６は
ウェハーステージ４７上に載置されたウェハー、４７は
ウェハーステージ、４８はターゲットパターン、４９Ｂ
は電子ビーム直下の位置を示している。図５を参照する
と、従来の寸法ドリフト補正方法では、まず最初の電子
ビーム寸法校正を実行し、第１開口４２Ａを通過した成
形ビーム４１Ｂを第２開口４３Ａの所定の位置に照射し
て一定の寸法の成形ビーム４１Ｃを形成し、次いで、偏
向器４４Ｂで１方向に偏向しながらターゲットパターン
４８を照射し、このときのターゲットパターン４８を通
過した反射電子を電子検出器４５で検出するとともに、
当該検出結果に基づいて偏向器４４Ａを通して成形ビー
ム４１Ｃの電子ビーム寸法を校正する。次の電子ビーム
寸法校正では、ウェハー４６を数ｍｍ幅で連続に描画し
た後（１ストライプ描画の実行後）に、再び成形ビーム
４１Ｃ直下の位置４９Ｂにターゲットパターン４８が来
るようにウェハーステージ４７を移動し、最初の電子ビ
ーム寸法校正と同様の電子ビーム寸法校正を実行する。
このように１ストライプ描画する度に１回の電子ビーム
寸法校正を実行していた。
法を説明する。図５は通常の電子ビームドリフト補正を
説明するための装置概略図である。図５において、４１
は電子源、４１Ａは電子ビーム、４１Ｂ，４１Ｃは成形
ビーム、４２は電子源４１からの電子ビーム４１Ａを成
形する第１開口４２Ａを有する上段マスク、４２Ａは第
１開口、４３はさらに所望の電子ビームサイズに成形す
る第２開口４３Ａを有する下段マスク、４３Ａは第２開
口、４４Ａは第１開口４２Ａを通過した電子ビームを振
るための偏向器、４４Ｂは第２開口４３Ａを通過した電
子ビームを振るための偏向器、４５はターゲットパター
ン４８から出た反射電子を検出する電子検出器、４６は
ウェハーステージ４７上に載置されたウェハー、４７は
ウェハーステージ、４８はターゲットパターン、４９Ｂ
は電子ビーム直下の位置を示している。図５を参照する
と、従来の寸法ドリフト補正方法では、まず最初の電子
ビーム寸法校正を実行し、第１開口４２Ａを通過した成
形ビーム４１Ｂを第２開口４３Ａの所定の位置に照射し
て一定の寸法の成形ビーム４１Ｃを形成し、次いで、偏
向器４４Ｂで１方向に偏向しながらターゲットパターン
４８を照射し、このときのターゲットパターン４８を通
過した反射電子を電子検出器４５で検出するとともに、
当該検出結果に基づいて偏向器４４Ａを通して成形ビー
ム４１Ｃの電子ビーム寸法を校正する。次の電子ビーム
寸法校正では、ウェハー４６を数ｍｍ幅で連続に描画し
た後（１ストライプ描画の実行後）に、再び成形ビーム
４１Ｃ直下の位置４９Ｂにターゲットパターン４８が来
るようにウェハーステージ４７を移動し、最初の電子ビ
ーム寸法校正と同様の電子ビーム寸法校正を実行する。
このように１ストライプ描画する度に１回の電子ビーム
寸法校正を実行していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来技
術の寸法ドリフト補正方法は、１ストライプ描画する度
に１回の電子ビーム寸法校正を実行するので、スループ
ットの面で不利になるという第１の問題点があり、さら
に寸法ドリフトが大きな場合にストライプの書き終わり
で電子ビーム寸法のズレが大きくなるという第２の問題
点があった。
術の寸法ドリフト補正方法は、１ストライプ描画する度
に１回の電子ビーム寸法校正を実行するので、スループ
ットの面で不利になるという第１の問題点があり、さら
に寸法ドリフトが大きな場合にストライプの書き終わり
で電子ビーム寸法のズレが大きくなるという第２の問題
点があった。
【０００５】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、可変成形電子ビーム描画方式の
成形ビームの寸法ドリフト補正をスループットを低下さ
せることなく実行できるマスクならびに露光装置および
電子ビーム寸法ドリフト補正方法を得ることを目的とす
る。
ためになされたもので、可変成形電子ビーム描画方式の
成形ビームの寸法ドリフト補正をスループットを低下さ
せることなく実行できるマスクならびに露光装置および
電子ビーム寸法ドリフト補正方法を得ることを目的とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明の請求項１記載
の発明にかかるマスクは、可変成形電子ビーム描画方式
の成形ビームの寸法ドリフト補正をスループットを低下
させることなく実行できるマスクであって、上段マスク
を通過した第１の成形ビームをさらに所望の電子ビーム
サイズに成形して第２の成形ビームを生成する可変成形
用の開口である第２開口と、当該上段マスクを通過した
当該第１の成形ビームによって前記可変成形用の開口で
ある第２開口と同時に照明される電子ビームドリフト検
出用の開口である第３開口を有し、当該電子ビームドリ
フト検出用の開口である第３開口を当該可変成形用の開
口である第２開口と別個に設けた構成を有している。
の発明にかかるマスクは、可変成形電子ビーム描画方式
の成形ビームの寸法ドリフト補正をスループットを低下
させることなく実行できるマスクであって、上段マスク
を通過した第１の成形ビームをさらに所望の電子ビーム
サイズに成形して第２の成形ビームを生成する可変成形
用の開口である第２開口と、当該上段マスクを通過した
当該第１の成形ビームによって前記可変成形用の開口で
ある第２開口と同時に照明される電子ビームドリフト検
出用の開口である第３開口を有し、当該電子ビームドリ
フト検出用の開口である第３開口を当該可変成形用の開
口である第２開口と別個に設けた構成を有している。
【０００７】また請求項２記載の発明にかかるマスク
は、可変成形電子ビーム描画方式の成形ビームの寸法ド
リフト補正をスループットを低下させることなく実行で
きるマスクであって、上段マスクを通過した第１の成形
ビームをさらに所望の電子ビームサイズに成形して第２
の成形ビームを生成する可変成形用の開口である第２開
口と、当該上段マスクを通過した当該第１の成形ビーム
によって前記可変成形用の開口である第２開口と同時に
照明されるＸ方向用の電子ビームドリフト検出用の開口
である第３開口と、当該上段マスクを通過した当該第１
の成形ビームによって前記可変成形用の開口である第２
開口と同時に照明されるＹ方向用の電子ビームドリフト
検出用の開口である第３開口を有し、当該電子ビームド
リフト検出用の開口である第３開口を当該可変成形用の
開口である第２開口と別個に設けた構成を有している。
は、可変成形電子ビーム描画方式の成形ビームの寸法ド
リフト補正をスループットを低下させることなく実行で
きるマスクであって、上段マスクを通過した第１の成形
ビームをさらに所望の電子ビームサイズに成形して第２
の成形ビームを生成する可変成形用の開口である第２開
口と、当該上段マスクを通過した当該第１の成形ビーム
によって前記可変成形用の開口である第２開口と同時に
照明されるＸ方向用の電子ビームドリフト検出用の開口
である第３開口と、当該上段マスクを通過した当該第１
の成形ビームによって前記可変成形用の開口である第２
開口と同時に照明されるＹ方向用の電子ビームドリフト
検出用の開口である第３開口を有し、当該電子ビームド
リフト検出用の開口である第３開口を当該可変成形用の
開口である第２開口と別個に設けた構成を有している。
【０００８】また請求項３記載の発明にかかるマスク
は、可変成形電子ビーム描画方式の成形ビームの寸法ド
リフト補正をスループットを低下させることなく実行で
きるマスクであって、上段マスクを通過した第１の成形
ビームをさらに所望の電子ビームサイズに成形して第２
の成形ビームを生成する可変成形用の開口である第２開
口と、当該上段マスクを通過した当該第１の成形ビーム
によって前記可変成形用の開口である第２開口と同時に
照明される微細パターン幅の電子ビームドリフト検出用
の開口である第３開口と、当該上段マスクを通過した当
該第１の成形ビームによって前記可変成形用の開口であ
る第２開口と同時に照明される電子ビームドリフト検出
用の開口である第４開口を有し、当該電子ビームドリフ
ト検出用の開口である第３開口を当該可変成形用の開口
である第２開口と別個に設けた構成を有している。
は、可変成形電子ビーム描画方式の成形ビームの寸法ド
リフト補正をスループットを低下させることなく実行で
きるマスクであって、上段マスクを通過した第１の成形
ビームをさらに所望の電子ビームサイズに成形して第２
の成形ビームを生成する可変成形用の開口である第２開
口と、当該上段マスクを通過した当該第１の成形ビーム
によって前記可変成形用の開口である第２開口と同時に
照明される微細パターン幅の電子ビームドリフト検出用
の開口である第３開口と、当該上段マスクを通過した当
該第１の成形ビームによって前記可変成形用の開口であ
る第２開口と同時に照明される電子ビームドリフト検出
用の開口である第４開口を有し、当該電子ビームドリフ
ト検出用の開口である第３開口を当該可変成形用の開口
である第２開口と別個に設けた構成を有している。
【０００９】また請求項４記載の発明にかかるマスク
は、請求項１乃至３のいずれか一項に記載のマスクにお
いて、前記電子ビームドリフト検出用の開口である第３
開口は前記第２開口としての可変成形用の開口である第
２開口に対して垂直方向に微細なスリット状の開口形状
を有している。
は、請求項１乃至３のいずれか一項に記載のマスクにお
いて、前記電子ビームドリフト検出用の開口である第３
開口は前記第２開口としての可変成形用の開口である第
２開口に対して垂直方向に微細なスリット状の開口形状
を有している。
【００１０】また請求項５記載の発明にかかるマスク
は、請求項１乃至３のいずれか一項に記載のマスクにお
いて、前記電子ビームドリフト検出用の開口である第３
開口は前記第２開口としての可変成形用の開口である第
２開口に対して垂直方向に広がる開口形状を有してい
る。
は、請求項１乃至３のいずれか一項に記載のマスクにお
いて、前記電子ビームドリフト検出用の開口である第３
開口は前記第２開口としての可変成形用の開口である第
２開口に対して垂直方向に広がる開口形状を有してい
る。
【００１１】また請求項６記載の発明にかかるマスク
は、請求項１乃至３のいずれか一項に記載のマスクにお
いて、前記電子ビームドリフト検出用の開口である第３
開口は前記第２開口としての可変成形用の開口である第
２開口に対して垂直方向に狭まる開口形状を有してい
る。
は、請求項１乃至３のいずれか一項に記載のマスクにお
いて、前記電子ビームドリフト検出用の開口である第３
開口は前記第２開口としての可変成形用の開口である第
２開口に対して垂直方向に狭まる開口形状を有してい
る。
【００１２】また請求項７記載の発明にかかる露光装置
は、可変成形電子ビーム描画方式の成形ビームの寸法ド
リフト補正をスループットを低下させることなく実行で
きる露光装置であって、露光用の電子ビームを生成・出
力する電子源と、前記電子源からの電子ビームを成形し
て第１の成形ビームを生成する第１開口を備えた上段マ
スクと、前記上段マスクを通過した第１の成形ビームを
さらに所望の電子ビームサイズに成形して第２の成形ビ
ームを生成する可変成形用の開口である第２開口と当該
上段マスクを通過した第１の成形ビームによって前記可
変成形用の開口である第２開口と同時に照明される電子
ビームドリフト検出用の開口である第３開口を有すると
ともに、当該電子ビームドリフト検出用の開口である第
３開口が当該可変成形用の開口である第２開口と別個に
設けられた下段マスクと、前記第１開口を通過した電子
ビームの軌道を変えるための第１偏向器と、前記可変成
形用の開口である第２開口を通過した電子ビームの軌道
を変えるための第２偏向器と、前記電子ビームドリフト
検出用の開口である第３開口の下方に設置され当該電子
ビームドリフト検出用の開口である第３開口が生成・出
力する前記第２の成形ビームのビーム量を電流値に変換
する電子検出器と、ウェハーを載置するためのウェハー
ステージを有している。
は、可変成形電子ビーム描画方式の成形ビームの寸法ド
リフト補正をスループットを低下させることなく実行で
きる露光装置であって、露光用の電子ビームを生成・出
力する電子源と、前記電子源からの電子ビームを成形し
て第１の成形ビームを生成する第１開口を備えた上段マ
スクと、前記上段マスクを通過した第１の成形ビームを
さらに所望の電子ビームサイズに成形して第２の成形ビ
ームを生成する可変成形用の開口である第２開口と当該
上段マスクを通過した第１の成形ビームによって前記可
変成形用の開口である第２開口と同時に照明される電子
ビームドリフト検出用の開口である第３開口を有すると
ともに、当該電子ビームドリフト検出用の開口である第
３開口が当該可変成形用の開口である第２開口と別個に
設けられた下段マスクと、前記第１開口を通過した電子
ビームの軌道を変えるための第１偏向器と、前記可変成
形用の開口である第２開口を通過した電子ビームの軌道
を変えるための第２偏向器と、前記電子ビームドリフト
検出用の開口である第３開口の下方に設置され当該電子
ビームドリフト検出用の開口である第３開口が生成・出
力する前記第２の成形ビームのビーム量を電流値に変換
する電子検出器と、ウェハーを載置するためのウェハー
ステージを有している。
【００１３】また請求項８記載の発明にかかる露光装置
は、可変成形電子ビーム描画方式の成形ビームの寸法ド
リフト補正をスループットを低下させることなく実行で
きる露光装置であって、露光用の電子ビームを生成・出
力する電子源と、前記電子源からの電子ビームを成形し
て第１の成形ビームを生成する第１開口を備えた上段マ
スクと、前記上段マスクを通過した第１の成形ビームを
さらに所望の電子ビームサイズに成形して第２の成形ビ
ームを生成する可変成形用の開口である第２開口と、当
該上段マスクを通過した当該第１の成形ビームによって
前記可変成形用の開口である第２開口と同時に照明され
るＸ方向用の電子ビームドリフト検出用の開口である第
３開口と、当該上段マスクを通過した当該第１の成形ビ
ームによって前記可変成形用の開口である第２開口と同
時に照明されるＹ方向用の電子ビームドリフト検出用の
開口である第３開口を有するとともに、当該電子ビーム
ドリフト検出用の開口である第３開口が当該可変成形用
の開口である第２開口と別個に設けられた下段マスク
と、前記第１開口を通過した電子ビームの軌道を変える
ための第１偏向器と、前記可変成形用の開口である第２
開口を通過した電子ビームの軌道を変えるための第２偏
向器と、前記電子ビームドリフト検出用の開口である第
３開口の下方に設置され当該電子ビームドリフト検出用
の開口である第３開口が生成・出力する前記第２の成形
ビームのビーム量を電流値に変換する電子検出器と、ウ
ェハーを載置するためのウェハーステージを有してい
る。
は、可変成形電子ビーム描画方式の成形ビームの寸法ド
リフト補正をスループットを低下させることなく実行で
きる露光装置であって、露光用の電子ビームを生成・出
力する電子源と、前記電子源からの電子ビームを成形し
て第１の成形ビームを生成する第１開口を備えた上段マ
スクと、前記上段マスクを通過した第１の成形ビームを
さらに所望の電子ビームサイズに成形して第２の成形ビ
ームを生成する可変成形用の開口である第２開口と、当
該上段マスクを通過した当該第１の成形ビームによって
前記可変成形用の開口である第２開口と同時に照明され
るＸ方向用の電子ビームドリフト検出用の開口である第
３開口と、当該上段マスクを通過した当該第１の成形ビ
ームによって前記可変成形用の開口である第２開口と同
時に照明されるＹ方向用の電子ビームドリフト検出用の
開口である第３開口を有するとともに、当該電子ビーム
ドリフト検出用の開口である第３開口が当該可変成形用
の開口である第２開口と別個に設けられた下段マスク
と、前記第１開口を通過した電子ビームの軌道を変える
ための第１偏向器と、前記可変成形用の開口である第２
開口を通過した電子ビームの軌道を変えるための第２偏
向器と、前記電子ビームドリフト検出用の開口である第
３開口の下方に設置され当該電子ビームドリフト検出用
の開口である第３開口が生成・出力する前記第２の成形
ビームのビーム量を電流値に変換する電子検出器と、ウ
ェハーを載置するためのウェハーステージを有してい
る。
【００１４】また請求項９記載の発明にかかる露光装置
は、可変成形電子ビーム描画方式の成形ビームの寸法ド
リフト補正をスループットを低下させることなく実行で
きる露光装置であって、露光用の電子ビームを生成・出
力する電子源と、前記電子源からの電子ビームを成形し
て第１の成形ビームを生成する第１開口を備えた上段マ
スクと、前記上段マスクを通過した第１の成形ビームを
さらに所望の電子ビームサイズに成形して第２の成形ビ
ームを生成する可変成形用の開口である第２開口と、当
該上段マスクを通過した当該第１の成形ビームによって
前記可変成形用の開口である第２開口と同時に照明され
る微細パターン幅の電子ビームドリフト検出用の開口で
ある第３開口と、当該上段マスクを通過した当該第１の
成形ビームによって前記可変成形用の開口である第２開
口と同時に照明される電子ビームドリフト検出用の開口
である第４開口を有するとともに、当該電子ビームドリ
フト検出用の開口である第３開口が当該可変成形用の開
口である第２開口と別個に設けられた下段マスクと、前
記第１開口を通過した電子ビームの軌道を変えるための
第１偏向器と、前記可変成形用の開口である第２開口を
通過した電子ビームの軌道を変えるための第２偏向器
と、前記電子ビームドリフト検出用の開口である第３開
口の下方に設置され当該電子ビームドリフト検出用の開
口である第３開口が生成・出力する前記第２の成形ビー
ムのビーム量を電流値に変換する電子検出器と、ウェハ
ーを載置するためのウェハーステージを有している。
は、可変成形電子ビーム描画方式の成形ビームの寸法ド
リフト補正をスループットを低下させることなく実行で
きる露光装置であって、露光用の電子ビームを生成・出
力する電子源と、前記電子源からの電子ビームを成形し
て第１の成形ビームを生成する第１開口を備えた上段マ
スクと、前記上段マスクを通過した第１の成形ビームを
さらに所望の電子ビームサイズに成形して第２の成形ビ
ームを生成する可変成形用の開口である第２開口と、当
該上段マスクを通過した当該第１の成形ビームによって
前記可変成形用の開口である第２開口と同時に照明され
る微細パターン幅の電子ビームドリフト検出用の開口で
ある第３開口と、当該上段マスクを通過した当該第１の
成形ビームによって前記可変成形用の開口である第２開
口と同時に照明される電子ビームドリフト検出用の開口
である第４開口を有するとともに、当該電子ビームドリ
フト検出用の開口である第３開口が当該可変成形用の開
口である第２開口と別個に設けられた下段マスクと、前
記第１開口を通過した電子ビームの軌道を変えるための
第１偏向器と、前記可変成形用の開口である第２開口を
通過した電子ビームの軌道を変えるための第２偏向器
と、前記電子ビームドリフト検出用の開口である第３開
口の下方に設置され当該電子ビームドリフト検出用の開
口である第３開口が生成・出力する前記第２の成形ビー
ムのビーム量を電流値に変換する電子検出器と、ウェハ
ーを載置するためのウェハーステージを有している。
【００１５】また請求項１０記載の発明にかかる露光装
置は、請求項７乃至９のいずれか一項に記載の露光装置
において、前記電子ビームドリフト検出用の開口である
第３開口の下方に設置され当該電子ビームドリフト検出
用の開口である第３開口を通過した前記第２の成形ビー
ムのビーム量を電流値に変換する電子検出器を備え、パ
ターン描画中に前記電子ビームドリフト検出用の開口で
ある第３開口が生成・出力する前記第２の成形ビームの
ビーム量を前記電子検出器でリアルタイムに検出し、当
該電子検出器で検出した電流量の変化に応じて前記第１
偏向器に対して偏向量にかかるフィードバックを行うと
ともに、露光時にリアルタイムで電子ビーム寸法のドリ
フトの補正を実行するように構成されている。
置は、請求項７乃至９のいずれか一項に記載の露光装置
において、前記電子ビームドリフト検出用の開口である
第３開口の下方に設置され当該電子ビームドリフト検出
用の開口である第３開口を通過した前記第２の成形ビー
ムのビーム量を電流値に変換する電子検出器を備え、パ
ターン描画中に前記電子ビームドリフト検出用の開口で
ある第３開口が生成・出力する前記第２の成形ビームの
ビーム量を前記電子検出器でリアルタイムに検出し、当
該電子検出器で検出した電流量の変化に応じて前記第１
偏向器に対して偏向量にかかるフィードバックを行うと
ともに、露光時にリアルタイムで電子ビーム寸法のドリ
フトの補正を実行するように構成されている。
【００１６】また請求項１１記載の発明にかかる電子ビ
ーム寸法ドリフト補正方法は、可変成形電子ビーム描画
方式の成形ビームの寸法ドリフト補正をスループットを
低下させることなく実行できる電子ビーム寸法ドリフト
補正方法であって、上段マスクで成形された電子ビーム
を下段マスクに照射して微細なパターンを形成する際
に、当該下段マスクの可変成形用の開口である第２開口
とは別個に、当該上段マスクによって成形された電子ビ
ームによって前記可変成形用の開口である第２開口と同
時に照明される電子ビームドリフト検出用の開口である
第３開口を設けるとともに、当該電子ビームドリフト検
出用の開口である第３開口の下方に設置した電子検出器
によって電流値を測定し、当該測定した電流値の変化を
基に当該下段マスクの上方の偏向器にフィードバックし
て電子ビーム寸法を制御するものである。
ーム寸法ドリフト補正方法は、可変成形電子ビーム描画
方式の成形ビームの寸法ドリフト補正をスループットを
低下させることなく実行できる電子ビーム寸法ドリフト
補正方法であって、上段マスクで成形された電子ビーム
を下段マスクに照射して微細なパターンを形成する際
に、当該下段マスクの可変成形用の開口である第２開口
とは別個に、当該上段マスクによって成形された電子ビ
ームによって前記可変成形用の開口である第２開口と同
時に照明される電子ビームドリフト検出用の開口である
第３開口を設けるとともに、当該電子ビームドリフト検
出用の開口である第３開口の下方に設置した電子検出器
によって電流値を測定し、当該測定した電流値の変化を
基に当該下段マスクの上方の偏向器にフィードバックし
て電子ビーム寸法を制御するものである。
【００１７】また請求項１２記載の発明にかかる電子ビ
ーム寸法ドリフト補正方法は、可変成形電子ビーム描画
方式の成形ビームの寸法ドリフト補正をスループットを
低下させることなく実行できる電子ビーム寸法ドリフト
補正方法であって、上段マスクで成形された電子ビーム
を下段マスクに照射して微細なパターンを形成する際
に、当該下段マスクの可変成形用の開口である第２開口
とは別個に、当該上段マスクによって成形された電子ビ
ームによって前記可変成形用の開口である第２開口と同
時に照明されるＸ側の電子ビームドリフト検出用の開口
である第３開口およびＹ側の電子ビームドリフト検出用
の開口である第３開口を設け、当該Ｘ側の電子ビームド
リフト検出用の開口である第３開口の下方に設置した電
子検出器によって電流値を測定し当該測定した電流値を
当該下段マスク上方のＸ側の偏向器にフィードバックす
るとともに、当該Ｙ側の電子ビームドリフト検出用の開
口である第３開口の下方に設置した電子検出器によって
電流値を測定し当該測定した電流値を当該下段マスク上
方のＹ側の偏向器にフィードバックして電子ビーム寸法
を制御するものである。
ーム寸法ドリフト補正方法は、可変成形電子ビーム描画
方式の成形ビームの寸法ドリフト補正をスループットを
低下させることなく実行できる電子ビーム寸法ドリフト
補正方法であって、上段マスクで成形された電子ビーム
を下段マスクに照射して微細なパターンを形成する際
に、当該下段マスクの可変成形用の開口である第２開口
とは別個に、当該上段マスクによって成形された電子ビ
ームによって前記可変成形用の開口である第２開口と同
時に照明されるＸ側の電子ビームドリフト検出用の開口
である第３開口およびＹ側の電子ビームドリフト検出用
の開口である第３開口を設け、当該Ｘ側の電子ビームド
リフト検出用の開口である第３開口の下方に設置した電
子検出器によって電流値を測定し当該測定した電流値を
当該下段マスク上方のＸ側の偏向器にフィードバックす
るとともに、当該Ｙ側の電子ビームドリフト検出用の開
口である第３開口の下方に設置した電子検出器によって
電流値を測定し当該測定した電流値を当該下段マスク上
方のＹ側の偏向器にフィードバックして電子ビーム寸法
を制御するものである。
【００１８】また請求項１３記載の発明にかかる電子ビ
ーム寸法ドリフト補正方法は、請求項１１または１２に
記載の電子ビーム寸法ドリフト補正方法において、電子
源から放出された電子ビームが前記上段マスク上に設け
られた第１開口通過して第１の成形ビームに成形され、
第１偏向器によって前記下段マスク上に設けられた第２
開口および第３開口上に照射される工程と、前記第２開
口を通り抜けて成形された第２の成形ビームが第２偏向
器によってウェハー上の所定位置に偏向される工程と、
前記第３開口を通り抜けて成形された前記第２の成形ビ
ームが、下方に設置された前記電子検出器に照射されて
電子ビーム照射量に応じた電流値が計測される工程と、
描画中に常に前記電子検出器で当該電子ビーム照射量に
応じた電流値をモニターし、当該モニターした電流値の
変動に応じて上方の前記第２偏向器にフィードバックを
かけ、前記第２の成形ビームの前記ウェハー上の照射位
置を調整する工程を有している。
ーム寸法ドリフト補正方法は、請求項１１または１２に
記載の電子ビーム寸法ドリフト補正方法において、電子
源から放出された電子ビームが前記上段マスク上に設け
られた第１開口通過して第１の成形ビームに成形され、
第１偏向器によって前記下段マスク上に設けられた第２
開口および第３開口上に照射される工程と、前記第２開
口を通り抜けて成形された第２の成形ビームが第２偏向
器によってウェハー上の所定位置に偏向される工程と、
前記第３開口を通り抜けて成形された前記第２の成形ビ
ームが、下方に設置された前記電子検出器に照射されて
電子ビーム照射量に応じた電流値が計測される工程と、
描画中に常に前記電子検出器で当該電子ビーム照射量に
応じた電流値をモニターし、当該モニターした電流値の
変動に応じて上方の前記第２偏向器にフィードバックを
かけ、前記第２の成形ビームの前記ウェハー上の照射位
置を調整する工程を有している。
【００１９】また請求項１４記載の発明にかかる電子ビ
ーム寸法ドリフト補正方法は、請求項１１または１２に
記載の電子ビーム寸法ドリフト補正方法において、前記
下段マスク上の第２開口である可変成形用の開口である
第２開口の周辺に第３開口である電子ビームドリフト検
出用の開口である第３開口をＸ方向とＹ方向とで別々に
設ける工程と、前記電子ビームドリフト検出用の開口で
ある第３開口を通過した第２の成形ビームをＸ方向の前
記電子検出器とＹ方向の前記電子検出器とで別々に検出
する工程を有している。
ーム寸法ドリフト補正方法は、請求項１１または１２に
記載の電子ビーム寸法ドリフト補正方法において、前記
下段マスク上の第２開口である可変成形用の開口である
第２開口の周辺に第３開口である電子ビームドリフト検
出用の開口である第３開口をＸ方向とＹ方向とで別々に
設ける工程と、前記電子ビームドリフト検出用の開口で
ある第３開口を通過した第２の成形ビームをＸ方向の前
記電子検出器とＹ方向の前記電子検出器とで別々に検出
する工程を有している。
【００２０】また請求項１５記載の発明にかかる電子ビ
ーム寸法ドリフト補正方法は、請求項１１乃至１４のい
ずれか一項に記載の電子ビーム寸法ドリフト補正方法に
おいて、微細パターン幅を有する電子ビームドリフト検
出用の開口である第３開口を通過する電子ビーム量を当
該電子ビームドリフト検出用の開口である第３開口の下
方に設置した電子検出器によって電流値を測定するとと
もに、当該測定した電流値の変化を基に当該下段マスク
の上方の偏向器にフィードバックしてビーム量に応じて
電子ビーム寸法を補正する工程を有している。
ーム寸法ドリフト補正方法は、請求項１１乃至１４のい
ずれか一項に記載の電子ビーム寸法ドリフト補正方法に
おいて、微細パターン幅を有する電子ビームドリフト検
出用の開口である第３開口を通過する電子ビーム量を当
該電子ビームドリフト検出用の開口である第３開口の下
方に設置した電子検出器によって電流値を測定するとと
もに、当該測定した電流値の変化を基に当該下段マスク
の上方の偏向器にフィードバックしてビーム量に応じて
電子ビーム寸法を補正する工程を有している。
【００２１】また請求項１６記載の発明にかかる電子ビ
ーム寸法ドリフト補正方法は、請求項１１乃至１５のい
ずれか一項に記載の電子ビーム寸法ドリフト補正方法に
おいて、微細パターン長を有する電子ビームドリフト検
出用の開口である第３開口を通過する電子ビーム量を検
出するとともに、当該検出したビーム量に応じて電子ビ
ーム長を補正する工程を有している。
ーム寸法ドリフト補正方法は、請求項１１乃至１５のい
ずれか一項に記載の電子ビーム寸法ドリフト補正方法に
おいて、微細パターン長を有する電子ビームドリフト検
出用の開口である第３開口を通過する電子ビーム量を検
出するとともに、当該検出したビーム量に応じて電子ビ
ーム長を補正する工程を有している。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下に示す各実施の形態の特徴
は、第２開口上に設けられた電子ビーム寸法ドリフト補
正用の開口部と、当該電子ビーム寸法ドリフト補正用の
開口部の下方に設置された電子検出器を備え、パターン
描画中に当該電子ビーム寸法ドリフト補正用の開口部を
通過する電子ビームの量を電子検出器でリアルタイムに
検出し、当該電子検出器で検出した電流量の変化に応じ
て上部の偏向器に対して偏向量にかかるフィードバック
を行うことによって、露光時にリアルタイムで電子ビー
ム寸法のドリフトの補正を実行する構成とすることによ
り、ウェハー面内で安定したパターン寸法が形成できる
ようになり、その結果、スループットを向上させること
ができることにある。以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。
は、第２開口上に設けられた電子ビーム寸法ドリフト補
正用の開口部と、当該電子ビーム寸法ドリフト補正用の
開口部の下方に設置された電子検出器を備え、パターン
描画中に当該電子ビーム寸法ドリフト補正用の開口部を
通過する電子ビームの量を電子検出器でリアルタイムに
検出し、当該電子検出器で検出した電流量の変化に応じ
て上部の偏向器に対して偏向量にかかるフィードバック
を行うことによって、露光時にリアルタイムで電子ビー
ム寸法のドリフトの補正を実行する構成とすることによ
り、ウェハー面内で安定したパターン寸法が形成できる
ようになり、その結果、スループットを向上させること
ができることにある。以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。
【００２３】実施の形態１．以下、この発明の実施の形
態１を図面に基づいて詳細に説明する。図１は、本発明
の一実施の形態にかかるマスクを用いた電子ビーム寸法
ドリフト補正方法を実行する露光装置を説明するための
装置概略図である。図１において、１は電子源、１Ａは
電子ビーム、１Ｂ，１Ｃは成形ビーム、２は上段マス
ク、２Ａは上段マスク２上に設けられ電子源１からの電
子ビーム１Ａを成形して成形ビーム１Ｂ（第１の成形ビ
ーム）を生成する第１開口、３は下段マスク、３Ａは下
段マスク３に設けられ成形ビーム１Ｂ（第１の成形ビー
ム）をさらに所望の電子ビームサイズに成形して成形ビ
ーム１Ｃ（第２の成形ビーム）を生成する可変成形開口
としての第２開口、３Ｂは第２開口３Ａに併設された可
変成形開口としての第３開口、４Ａは第１開口２Ａを通
過した電子ビームの軌道を変えるための偏向器、４Ｂは
第２開口３Ａを通過した電子ビームの軌道を変えるため
の偏向器、５は電子検出器、６はウェハー、７はウェハ
ー６を載置するためのウェハーステージを示している。
図１を参照すると、本実施の形態の露光装置は、電子源
１、第１開口２Ａを備えた上段マスク２、第２開口３Ａ
および第３開口３Ｂを備えた下段マスク３、電子の軌道
を変える偏向器４Ａ（第１偏向器）および偏向器４Ｂ
（第２偏向器）、電子検出器５、ウェハー６をセットし
た状態でパターン描画のために２次元平面（Ｘ−Ｙ平
面）上で当該ウェハー６を移動するウェハーステージ７
を中心にして構成されている。
態１を図面に基づいて詳細に説明する。図１は、本発明
の一実施の形態にかかるマスクを用いた電子ビーム寸法
ドリフト補正方法を実行する露光装置を説明するための
装置概略図である。図１において、１は電子源、１Ａは
電子ビーム、１Ｂ，１Ｃは成形ビーム、２は上段マス
ク、２Ａは上段マスク２上に設けられ電子源１からの電
子ビーム１Ａを成形して成形ビーム１Ｂ（第１の成形ビ
ーム）を生成する第１開口、３は下段マスク、３Ａは下
段マスク３に設けられ成形ビーム１Ｂ（第１の成形ビー
ム）をさらに所望の電子ビームサイズに成形して成形ビ
ーム１Ｃ（第２の成形ビーム）を生成する可変成形開口
としての第２開口、３Ｂは第２開口３Ａに併設された可
変成形開口としての第３開口、４Ａは第１開口２Ａを通
過した電子ビームの軌道を変えるための偏向器、４Ｂは
第２開口３Ａを通過した電子ビームの軌道を変えるため
の偏向器、５は電子検出器、６はウェハー、７はウェハ
ー６を載置するためのウェハーステージを示している。
図１を参照すると、本実施の形態の露光装置は、電子源
１、第１開口２Ａを備えた上段マスク２、第２開口３Ａ
および第３開口３Ｂを備えた下段マスク３、電子の軌道
を変える偏向器４Ａ（第１偏向器）および偏向器４Ｂ
（第２偏向器）、電子検出器５、ウェハー６をセットし
た状態でパターン描画のために２次元平面（Ｘ−Ｙ平
面）上で当該ウェハー６を移動するウェハーステージ７
を中心にして構成されている。
【００２４】次に、図面に基づき図１の露光装置の動作
（電子ビーム寸法ドリフト補正方法）について説明す
る。まず、電子源１から放出された電子ビーム１Ａは上
段マスク２上に設けられた第１開口２Ａを通過し、成形
ビーム１Ｂ（第１の成形ビーム）に成形され、偏向器４
Ａ（第１偏向器）によって下段マスク３上に設けられた
第２開口３Ａおよび第３開口３Ｂ上に照射される。第２
開口３Ａを通り抜けて成形された成形ビーム１Ｃ（第２
の成形ビーム）は偏向器４Ｂ（第２偏向器）によってウ
ェハー６上の所定位置に偏向される。このとき同時に第
３開口３Ｂを通り抜けて成形された成形ビーム１Ｃ（第
２の成形ビーム）は、下方に設置された電子検出器５に
照射されて電子ビーム照射量に応じた電流値が計測され
る。本実施の形態では、描画中に常に電子検出器５で当
該電子ビーム照射量に応じた電流値をモニターし、当該
モニターした電流値の変動に応じて上方の偏向器４Ｂ
（第２偏向器）にフィードバックをかけ、成形ビーム１
Ｃ（第２の成形ビーム）のウェハー６上の照射位置を調
整することによって、電子ビーム寸法を常に一定に保つ
制御を実行している。
（電子ビーム寸法ドリフト補正方法）について説明す
る。まず、電子源１から放出された電子ビーム１Ａは上
段マスク２上に設けられた第１開口２Ａを通過し、成形
ビーム１Ｂ（第１の成形ビーム）に成形され、偏向器４
Ａ（第１偏向器）によって下段マスク３上に設けられた
第２開口３Ａおよび第３開口３Ｂ上に照射される。第２
開口３Ａを通り抜けて成形された成形ビーム１Ｃ（第２
の成形ビーム）は偏向器４Ｂ（第２偏向器）によってウ
ェハー６上の所定位置に偏向される。このとき同時に第
３開口３Ｂを通り抜けて成形された成形ビーム１Ｃ（第
２の成形ビーム）は、下方に設置された電子検出器５に
照射されて電子ビーム照射量に応じた電流値が計測され
る。本実施の形態では、描画中に常に電子検出器５で当
該電子ビーム照射量に応じた電流値をモニターし、当該
モニターした電流値の変動に応じて上方の偏向器４Ｂ
（第２偏向器）にフィードバックをかけ、成形ビーム１
Ｃ（第２の成形ビーム）のウェハー６上の照射位置を調
整することによって、電子ビーム寸法を常に一定に保つ
制御を実行している。
【００２５】図２は本発明の実施の形態１にかかるマス
クの他の実施の形態を説明するためのマスク上面図であ
る。図２において、１１Ｂは前述の上段マスク２の開口
を通過した成形ビーム（成形ビーム１Ｂ（第１の成形ビ
ーム））、１３は下段マスク、１３Ａは下段マスク１３
に設けられ成形ビーム１１Ｂ（第１の成形ビーム）をさ
らに所望の電子ビームサイズに成形して成形ビーム１Ｃ
（第２の成形ビーム）を生成する第２開口３Ａとしての
可変成形用の開口である第２開口、１３Ｂは可変成形用
の開口１３Ａ（第２開口３Ａ）に併設された第３開口３
Ｂとしての電子ビームドリフト検出用の開口を示してい
る。図２を参照すると、本実施の形態では、下段マスク
１３（３）上の可変成形用の開口１３Ａ（第２開口３
Ａ）の周辺に電子ビームドリフト検出用の開口１３Ｂ
（第３開口３Ｂ）をＸ方向とＹ方向とで別々に設けると
ともに、電子ビームドリフト検出用の開口１３Ｂ（第３
開口３Ｂ）を通過した成形ビーム１Ｃ（第２の成形ビー
ム）を検出する電子検出器５もＸ方向とＹ方向とで別々
に設けた点に特徴を有している。
クの他の実施の形態を説明するためのマスク上面図であ
る。図２において、１１Ｂは前述の上段マスク２の開口
を通過した成形ビーム（成形ビーム１Ｂ（第１の成形ビ
ーム））、１３は下段マスク、１３Ａは下段マスク１３
に設けられ成形ビーム１１Ｂ（第１の成形ビーム）をさ
らに所望の電子ビームサイズに成形して成形ビーム１Ｃ
（第２の成形ビーム）を生成する第２開口３Ａとしての
可変成形用の開口である第２開口、１３Ｂは可変成形用
の開口１３Ａ（第２開口３Ａ）に併設された第３開口３
Ｂとしての電子ビームドリフト検出用の開口を示してい
る。図２を参照すると、本実施の形態では、下段マスク
１３（３）上の可変成形用の開口１３Ａ（第２開口３
Ａ）の周辺に電子ビームドリフト検出用の開口１３Ｂ
（第３開口３Ｂ）をＸ方向とＹ方向とで別々に設けると
ともに、電子ビームドリフト検出用の開口１３Ｂ（第３
開口３Ｂ）を通過した成形ビーム１Ｃ（第２の成形ビー
ム）を検出する電子検出器５もＸ方向とＹ方向とで別々
に設けた点に特徴を有している。
【００２６】次に、図面に基づき図２の下段マスク１３
（３）を用いた露光装置の動作（電子ビーム寸法ドリフ
ト補正方法）について説明する。電子ビームドリフト検
出用の開口１３Ｂ（第３開口３Ｂ）は可変成形用の開口
１３Ａ（第２開口３Ａ）に併設されている。同様に、図
中破線で囲まれた開口１３Ｂ（第３開口３Ｂ）は、短い
微細パターンを形成する際の成形ビームの位置を示して
いる。電子ビームドリフト検出用の開口１３Ｂ（第３開
口３Ｂ）の位置は、長さの異なる微細パターンにも対応
できるような位置に配置している。本実施の形態では、
図２に示すように、Ｘ方向の微細なラインを形成する場
合を示しているが、ここで問題となるのはＹ方向のライ
ン幅Ｙ１である。そこで本実施の形態では、成形ビーム
１１Ｂ（成形ビーム１Ｂ（第１の成形ビーム））が通過
する電子ビームドリフト検出用の開口１３Ｂ（第３開口
３Ｂ）の下方に設置された前述のＹ方向の成形ビーム１
Ｃ（第２の成形ビーム）を検出する電子検出器５が、上
方に設置された偏向器４Ａ（第１偏向器）のＹ方向の制
御に連係するように構成するとともに、通過していない
電子ビームドリフト検出用の開口１３Ｂ（第３開口３
Ｂ）の下方に設定された前述のＸ方向の成形ビーム１Ｃ
（第２の成形ビーム）を検出する電子検出器５が、偏向
器４Ａ（第１偏向器）のＸ方向の制御に連係するように
構成されている。さらに、偏向器４Ａ（第１偏向器）が
常に（あるいは一定時間間隔で）電子ビーム照射量に応
じた電流値をモニター（検知）するとともに、当該モニ
ターした電流値の変動分を電子検出器５の制御手段（不
図示）に伝えることによって、電子ビームのズレ分を補
正してＹ方向の電子ビーム寸法Ｙ１を一定に保つように
構成されている。本実施の形態の電子ビーム寸法ドリフ
ト補正方法は、このような下段マスク１３（３）内の可
変成形の開口部１３Ａ（第２開口３Ａ）、電子ビームド
リフト検出用の開口１３Ｂ（第３開口３Ｂ）を用いて電
子ビームサイズを測って電子ビーム寸法校正を実行す
る。
（３）を用いた露光装置の動作（電子ビーム寸法ドリフ
ト補正方法）について説明する。電子ビームドリフト検
出用の開口１３Ｂ（第３開口３Ｂ）は可変成形用の開口
１３Ａ（第２開口３Ａ）に併設されている。同様に、図
中破線で囲まれた開口１３Ｂ（第３開口３Ｂ）は、短い
微細パターンを形成する際の成形ビームの位置を示して
いる。電子ビームドリフト検出用の開口１３Ｂ（第３開
口３Ｂ）の位置は、長さの異なる微細パターンにも対応
できるような位置に配置している。本実施の形態では、
図２に示すように、Ｘ方向の微細なラインを形成する場
合を示しているが、ここで問題となるのはＹ方向のライ
ン幅Ｙ１である。そこで本実施の形態では、成形ビーム
１１Ｂ（成形ビーム１Ｂ（第１の成形ビーム））が通過
する電子ビームドリフト検出用の開口１３Ｂ（第３開口
３Ｂ）の下方に設置された前述のＹ方向の成形ビーム１
Ｃ（第２の成形ビーム）を検出する電子検出器５が、上
方に設置された偏向器４Ａ（第１偏向器）のＹ方向の制
御に連係するように構成するとともに、通過していない
電子ビームドリフト検出用の開口１３Ｂ（第３開口３
Ｂ）の下方に設定された前述のＸ方向の成形ビーム１Ｃ
（第２の成形ビーム）を検出する電子検出器５が、偏向
器４Ａ（第１偏向器）のＸ方向の制御に連係するように
構成されている。さらに、偏向器４Ａ（第１偏向器）が
常に（あるいは一定時間間隔で）電子ビーム照射量に応
じた電流値をモニター（検知）するとともに、当該モニ
ターした電流値の変動分を電子検出器５の制御手段（不
図示）に伝えることによって、電子ビームのズレ分を補
正してＹ方向の電子ビーム寸法Ｙ１を一定に保つように
構成されている。本実施の形態の電子ビーム寸法ドリフ
ト補正方法は、このような下段マスク１３（３）内の可
変成形の開口部１３Ａ（第２開口３Ａ）、電子ビームド
リフト検出用の開口１３Ｂ（第３開口３Ｂ）を用いて電
子ビームサイズを測って電子ビーム寸法校正を実行す
る。
【００２７】以上説明したように実施の形態１によれ
ば、電子ビーム寸法をリアルタイムに補正することによ
ってウェハー６面内で安定したパターン寸法が形成でき
るようになり、その結果、スループットを向上させるこ
とができるようになるといった効果を奏する。
ば、電子ビーム寸法をリアルタイムに補正することによ
ってウェハー６面内で安定したパターン寸法が形成でき
るようになり、その結果、スループットを向上させるこ
とができるようになるといった効果を奏する。
【００２８】実施の形態２．以下、この発明の実施の形
態２を図面に基づいて詳細に説明する。なお、上記実施
の形態において既に記述したものと同一の部分について
は、同一符号を付し、重複した説明は省略する。図３
は、本発明の実施の形態２にかかるマスクを説明するた
めのマスク上面図である。図３において、２１Ｂは上部
の開口をすり抜けてきた成形ビーム（成形ビーム１Ｂ
（第１の成形ビーム））、２３は下段マスク３としての
ＥＢマスク、２３Ａは第２開口３Ａとしての可変成形用
の開口である第２開口、２３Ｂは第３開口３Ｂとしての
電子ビームドリフト検出用の開口を示している。図３を
参照すると、本実施の形態は、三角形パターンの開口形
状を有する電子ビームドリフト検出用の開口２３Ｂ（第
３開口３Ｂ）をＥＢマスク２３（下段マスク３）内に設
けた点に特徴を有している。
態２を図面に基づいて詳細に説明する。なお、上記実施
の形態において既に記述したものと同一の部分について
は、同一符号を付し、重複した説明は省略する。図３
は、本発明の実施の形態２にかかるマスクを説明するた
めのマスク上面図である。図３において、２１Ｂは上部
の開口をすり抜けてきた成形ビーム（成形ビーム１Ｂ
（第１の成形ビーム））、２３は下段マスク３としての
ＥＢマスク、２３Ａは第２開口３Ａとしての可変成形用
の開口である第２開口、２３Ｂは第３開口３Ｂとしての
電子ビームドリフト検出用の開口を示している。図３を
参照すると、本実施の形態は、三角形パターンの開口形
状を有する電子ビームドリフト検出用の開口２３Ｂ（第
３開口３Ｂ）をＥＢマスク２３（下段マスク３）内に設
けた点に特徴を有している。
【００２９】次に、図面に基づき図３のＥＢマスク２３
（下段マスク３）を用いた露光装置の動作（電子ビーム
寸法ドリフト補正方法）について説明する。図３におい
て、図中破線で囲まれた成形ビーム２１Ｂ（成形ビーム
１Ｂ（第１の成形ビーム））は、短い微細パターンを形
成する際の成形ビームの位置を示している。図３ではＸ
方向の微細なラインを形成するときの成形ビームの位置
を示しているが、通常の露光プロセスにおいて、多くの
場合問題となるのはＹ方向の微細ビーム幅Ｙ２である。
そこで本実施の形態では、成形ビーム１Ｂ（第１の成形
ビーム）が通過する電子ビームドリフト検出用の開口２
３Ｂ（第３開口３Ｂ）の下方に設置された前述のＹ方向
の成形ビーム１Ｃ（第２の成形ビーム）を検出する電子
検出器５が、上方に設置された偏向器４Ａ（第１偏向
器）のＹ方向の制御に連係するように構成するととも
に、通過していない電子ビームドリフト検出用の開口２
３Ｂ（第３開口３Ｂ）の下方に設定された前述のＸ方向
の成形ビーム１Ｃ（第２の成形ビーム）を検出する電子
検出器５が、偏向器４Ａ（第１偏向器）のＸ方向の制御
に連係するように構成されている。さらに、偏向器４Ａ
（第１偏向器）が常に（あるいは一定時間間隔で）電子
ビーム照射量に応じた電流値をモニター（検知）すると
ともに、当該モニターした電流値の変動分を電子検出器
５の制御手段（不図示）に伝えることによって、電子ビ
ームのズレ分を補正してＹ方向の電子ビーム寸法Ｙ１を
一定に保つように構成されている。本実施の形態の電子
ビーム寸法ドリフト補正方法は、このようなＥＢマスク
２３（下段マスク３）内の可変成形の開口部２３Ａ（第
２開口３Ａ）、電子ビームドリフト検出用の開口２３Ｂ
（第３開口３Ｂ）を用いて電子ビームサイズを測って電
子ビーム寸法校正を実行する。
（下段マスク３）を用いた露光装置の動作（電子ビーム
寸法ドリフト補正方法）について説明する。図３におい
て、図中破線で囲まれた成形ビーム２１Ｂ（成形ビーム
１Ｂ（第１の成形ビーム））は、短い微細パターンを形
成する際の成形ビームの位置を示している。図３ではＸ
方向の微細なラインを形成するときの成形ビームの位置
を示しているが、通常の露光プロセスにおいて、多くの
場合問題となるのはＹ方向の微細ビーム幅Ｙ２である。
そこで本実施の形態では、成形ビーム１Ｂ（第１の成形
ビーム）が通過する電子ビームドリフト検出用の開口２
３Ｂ（第３開口３Ｂ）の下方に設置された前述のＹ方向
の成形ビーム１Ｃ（第２の成形ビーム）を検出する電子
検出器５が、上方に設置された偏向器４Ａ（第１偏向
器）のＹ方向の制御に連係するように構成するととも
に、通過していない電子ビームドリフト検出用の開口２
３Ｂ（第３開口３Ｂ）の下方に設定された前述のＸ方向
の成形ビーム１Ｃ（第２の成形ビーム）を検出する電子
検出器５が、偏向器４Ａ（第１偏向器）のＸ方向の制御
に連係するように構成されている。さらに、偏向器４Ａ
（第１偏向器）が常に（あるいは一定時間間隔で）電子
ビーム照射量に応じた電流値をモニター（検知）すると
ともに、当該モニターした電流値の変動分を電子検出器
５の制御手段（不図示）に伝えることによって、電子ビ
ームのズレ分を補正してＹ方向の電子ビーム寸法Ｙ１を
一定に保つように構成されている。本実施の形態の電子
ビーム寸法ドリフト補正方法は、このようなＥＢマスク
２３（下段マスク３）内の可変成形の開口部２３Ａ（第
２開口３Ａ）、電子ビームドリフト検出用の開口２３Ｂ
（第３開口３Ｂ）を用いて電子ビームサイズを測って電
子ビーム寸法校正を実行する。
【００３０】なお、上記実施の形態２では、電子ビーム
ドリフト検出用の開口２３Ｂ（第３開口３Ｂ）の開口形
状を三角形パターンとしたが、これに特に限定されるこ
となく、可変成形用の開口である第２開口２３Ａ（第２
開口３Ａ）の垂直方向に対して広がりまたは挟まりを持
った開口形状であれば問題なく、台形や多角形であって
もよい。
ドリフト検出用の開口２３Ｂ（第３開口３Ｂ）の開口形
状を三角形パターンとしたが、これに特に限定されるこ
となく、可変成形用の開口である第２開口２３Ａ（第２
開口３Ａ）の垂直方向に対して広がりまたは挟まりを持
った開口形状であれば問題なく、台形や多角形であって
もよい。
【００３１】このように本実施の形態では、電子ビーム
ドリフト検出用の開口２３Ｂ（第３開口３Ｂ）の開口形
状を三角形パターンにすることにより、微細ビーム幅Ｙ
２がわずかに変化した場合であっても実施の形態１に比
べて大きな電流値の変化が検出できるようになり、その
結果、ウェハー６内全面で±５ｎｍ程度の寸法精度が達
成できる。また、電子ビーム寸法をリアルタイムに補正
することによってウェハー６面内で安定したパターン寸
法が形成できるようになり、その結果、スループットを
向上させることができるようになる。
ドリフト検出用の開口２３Ｂ（第３開口３Ｂ）の開口形
状を三角形パターンにすることにより、微細ビーム幅Ｙ
２がわずかに変化した場合であっても実施の形態１に比
べて大きな電流値の変化が検出できるようになり、その
結果、ウェハー６内全面で±５ｎｍ程度の寸法精度が達
成できる。また、電子ビーム寸法をリアルタイムに補正
することによってウェハー６面内で安定したパターン寸
法が形成できるようになり、その結果、スループットを
向上させることができるようになる。
【００３２】実施の形態３．以下、この発明の実施の形
態３を図面に基づいて詳細に説明する。なお、上記実施
の形態において既に記述したものと同一の部分について
は、同一符号を付し、重複した説明は省略する。図４
は、本発明の実施の形態３にかかるマスクを説明するた
めのマスク上面図である。図４において、３１Ｂは上部
の開口（上段マスク２の第１開口２Ａ）を通り抜けてき
た成形ビーム（成形ビーム１Ｂ（第１の成形ビー
ム））、３３は下段マスク３としてのＥＢマスク、３３
Ａは第２開口３Ａとしての可変成形用の開口である第２
開口、３３Ｂは微細パターン幅の電子ビームドリフト検
出用の開口、３３Ｃは電子ビームドリフト検出用の開口
を示している。
態３を図面に基づいて詳細に説明する。なお、上記実施
の形態において既に記述したものと同一の部分について
は、同一符号を付し、重複した説明は省略する。図４
は、本発明の実施の形態３にかかるマスクを説明するた
めのマスク上面図である。図４において、３１Ｂは上部
の開口（上段マスク２の第１開口２Ａ）を通り抜けてき
た成形ビーム（成形ビーム１Ｂ（第１の成形ビー
ム））、３３は下段マスク３としてのＥＢマスク、３３
Ａは第２開口３Ａとしての可変成形用の開口である第２
開口、３３Ｂは微細パターン幅の電子ビームドリフト検
出用の開口、３３Ｃは電子ビームドリフト検出用の開口
を示している。
【００３３】図４を参照すると、本実施の形態は、可変
成形用の開口である第２開口３３Ａ（第２開口３Ａ）、
微細パターン幅の電子ビームドリフト検出用の開口３３
Ｂ（第３開口３Ｂ）に加えて、Ｌ字形の電子ビームドリ
フト検出用の開口３３Ｃ（第４開口）も同時にＥＢマス
ク３３（下段マスク３）上に設定した点に特徴を有して
いる。これにより、電子ビーム寸法Ｙ３と同時に電子ビ
ーム長Ｘ３を補正することができ、その結果、ウェハー
６の面内で±５ｎｍ程度の寸法精度と安定したショット
つなぎを実現できるようになるといった効果を奏する。
また、電子ビーム寸法をリアルタイムに補正することに
よってウェハー６面内で安定したパターン寸法が形成で
きるようになり、その結果、スループットを向上させる
ことができるようになるといった効果を奏する。
成形用の開口である第２開口３３Ａ（第２開口３Ａ）、
微細パターン幅の電子ビームドリフト検出用の開口３３
Ｂ（第３開口３Ｂ）に加えて、Ｌ字形の電子ビームドリ
フト検出用の開口３３Ｃ（第４開口）も同時にＥＢマス
ク３３（下段マスク３）上に設定した点に特徴を有して
いる。これにより、電子ビーム寸法Ｙ３と同時に電子ビ
ーム長Ｘ３を補正することができ、その結果、ウェハー
６の面内で±５ｎｍ程度の寸法精度と安定したショット
つなぎを実現できるようになるといった効果を奏する。
また、電子ビーム寸法をリアルタイムに補正することに
よってウェハー６面内で安定したパターン寸法が形成で
きるようになり、その結果、スループットを向上させる
ことができるようになるといった効果を奏する。
【００３４】なお、本発明が上記各実施の形態に限定さ
れず、本発明の技術思想の範囲内において、各実施形態
は適宜変更され得ることは明らかである。また上記構成
部材の数、位置、形状等は上記実施の形態に限定され
ず、本発明を実施する上で好適な数、位置、形状等にす
ることができる。また、各図において、同一構成要素に
は同一符号を付している。
れず、本発明の技術思想の範囲内において、各実施形態
は適宜変更され得ることは明らかである。また上記構成
部材の数、位置、形状等は上記実施の形態に限定され
ず、本発明を実施する上で好適な数、位置、形状等にす
ることができる。また、各図において、同一構成要素に
は同一符号を付している。
【００３５】
【発明の効果】本発明は以上のように構成されているの
で、電子ビーム寸法をリアルタイムに補正することによ
ってウェハー面内で安定したパターン寸法が形成できる
ようになり、その結果、スループットを向上させること
ができるようになるといった効果を奏する。
で、電子ビーム寸法をリアルタイムに補正することによ
ってウェハー面内で安定したパターン寸法が形成できる
ようになり、その結果、スループットを向上させること
ができるようになるといった効果を奏する。
【図１】本発明の一実施の形態にかかるマスクを用いた
電子ビーム寸法ドリフト補正方法を実行する露光装置を
説明するための装置概略図である。
電子ビーム寸法ドリフト補正方法を実行する露光装置を
説明するための装置概略図である。
【図２】本発明の実施の形態１にかかるマスクの他の実
施の形態を説明するためのマスク上面図である。
施の形態を説明するためのマスク上面図である。
【図３】本発明の実施の形態２にかかるマスクを説明す
るためのマスク上面図である。
るためのマスク上面図である。
【図４】本発明の実施の形態３にかかるマスクを説明す
るためのマスク上面図である。
るためのマスク上面図である。
【図５】通常のビームドリフト補正を説明するための装
置概略図である。
置概略図である。
１ 電子源、 １Ａ 電子ビーム、 １Ｂ，１１Ｂ，２
１Ｂ，３１Ｂ 成形ビーム、 １Ｃ 成形ビーム、 ２
上段マスク、 ２Ａ 上段マスク上に設けられた第１
開口、 ３，１３ 下段マスク、 ３Ａ 下段マスクの
第２開口、 ３Ｂ 下段マスクの第３開口、 ４Ａ，４
Ｂ 偏向器、 ５ 電子検出器、 ６ウェハー、 ７
ウェハーステージ、 １３Ａ，２３Ａ，３３Ａ 可変成
形用の開口（第２開口）、 １３Ｂ，２３Ｂ，３３Ｂ
電子ビームドリフト検出用の開口（第３開口）、 ２
３，３３ ＥＢマスク（下段マスク）、 ３３Ｃ 電子
ビームドリフト検出用の開口、 ４１ 電子源、 ４１
Ａ 電子ビーム、 ４１Ｂ，４１Ｃ 成形ビーム、 ４
２ 上段マスク、 ４２Ａ 第１開口、 ４３ 下段マ
スク、 ４３Ａ 第２開口、 ４４Ａ，４４Ｂ 偏向
器、 ４５ 電子検出器、 ４６ ウェハー、 ４７
ウェハーステージ、 ４８ ターゲットパターン、 ４
９Ｂ 成形ビーム直下の位置、 Ｘ３ 電子ビーム長、
Ｙ１ 成形ビームの線幅、 Ｙ２ 微細ビーム幅、
Ｙ３ 電子ビーム寸法。
１Ｂ，３１Ｂ 成形ビーム、 １Ｃ 成形ビーム、 ２
上段マスク、 ２Ａ 上段マスク上に設けられた第１
開口、 ３，１３ 下段マスク、 ３Ａ 下段マスクの
第２開口、 ３Ｂ 下段マスクの第３開口、 ４Ａ，４
Ｂ 偏向器、 ５ 電子検出器、 ６ウェハー、 ７
ウェハーステージ、 １３Ａ，２３Ａ，３３Ａ 可変成
形用の開口（第２開口）、 １３Ｂ，２３Ｂ，３３Ｂ
電子ビームドリフト検出用の開口（第３開口）、 ２
３，３３ ＥＢマスク（下段マスク）、 ３３Ｃ 電子
ビームドリフト検出用の開口、 ４１ 電子源、 ４１
Ａ 電子ビーム、 ４１Ｂ，４１Ｃ 成形ビーム、 ４
２ 上段マスク、 ４２Ａ 第１開口、 ４３ 下段マ
スク、 ４３Ａ 第２開口、 ４４Ａ，４４Ｂ 偏向
器、 ４５ 電子検出器、 ４６ ウェハー、 ４７
ウェハーステージ、 ４８ ターゲットパターン、 ４
９Ｂ 成形ビーム直下の位置、 Ｘ３ 電子ビーム長、
Ｙ１ 成形ビームの線幅、 Ｙ２ 微細ビーム幅、
Ｙ３ 電子ビーム寸法。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｊ 37/147 Ｈ０１Ｊ 37/147 Ｃ
Claims (16)
- 【請求項１】 可変成形電子ビーム描画方式の成形ビー
ムの寸法ドリフト補正をスループットを低下させること
なく実行できるマスクであって、 上段マスクを通過した第１の成形ビームをさらに所望の
電子ビームサイズに成形して第２の成形ビームを生成す
る可変成形用の開口である第２開口と、当該上段マスク
を通過した当該第１の成形ビームによって前記可変成形
用の開口である第２開口と同時に照明される電子ビーム
ドリフト検出用の開口である第３開口を有し、当該電子
ビームドリフト検出用の開口である第３開口を当該可変
成形用の開口である第２開口と別個に設けた構成を有す
ることを特徴とするマスク。 - 【請求項２】 可変成形電子ビーム描画方式の成形ビー
ムの寸法ドリフト補正をスループットを低下させること
なく実行できるマスクであって、 上段マスクを通過した第１の成形ビームをさらに所望の
電子ビームサイズに成形して第２の成形ビームを生成す
る可変成形用の開口である第２開口と、当該上段マスク
を通過した当該第１の成形ビームによって前記可変成形
用の開口である第２開口と同時に照明されるＸ方向用の
電子ビームドリフト検出用の開口である第３開口と、当
該上段マスクを通過した当該第１の成形ビームによって
前記可変成形用の開口である第２開口と同時に照明され
るＹ方向用の電子ビームドリフト検出用の開口である第
３開口を有し、当該電子ビームドリフト検出用の開口で
ある第３開口を当該可変成形用の開口である第２開口と
別個に設けた構成を有することを特徴とするマスク。 - 【請求項３】 可変成形電子ビーム描画方式の成形ビー
ムの寸法ドリフト補正をスループットを低下させること
なく実行できるマスクであって、 上段マスクを通過した第１の成形ビームをさらに所望の
電子ビームサイズに成形して第２の成形ビームを生成す
る可変成形用の開口である第２開口と、当該上段マスク
を通過した当該第１の成形ビームによって前記可変成形
用の開口である第２開口と同時に照明される微細パター
ン幅の電子ビームドリフト検出用の開口である第３開口
と、当該上段マスクを通過した当該第１の成形ビームに
よって前記可変成形用の開口である第２開口と同時に照
明される電子ビームドリフト検出用の開口である第４開
口を有し、当該電子ビームドリフト検出用の開口である
第３開口を当該可変成形用の開口である第２開口と別個
に設けた構成を有することを特徴とするマスク。 - 【請求項４】 前記電子ビームドリフト検出用の開口で
ある第３開口は前記第２開口としての可変成形用の開口
である第２開口に対して垂直方向に微細なスリット状の
開口形状を有することを特徴とする請求項１乃至３のい
ずれか一項に記載のマスク。 - 【請求項５】 前記電子ビームドリフト検出用の開口で
ある第３開口は前記第２開口としての可変成形用の開口
である第２開口に対して垂直方向に広がる開口形状を有
することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に
記載のマスク。 - 【請求項６】 前記電子ビームドリフト検出用の開口で
ある第３開口は前記第２開口としての可変成形用の開口
である第２開口に対して垂直方向に狭まる開口形状を有
することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に
記載のマスク。 - 【請求項７】 可変成形電子ビーム描画方式の成形ビー
ムの寸法ドリフト補正をスループットを低下させること
なく実行できる露光装置であって、 露光用の電子ビームを生成・出力する電子源と、 前記電子源を通過した電子ビームを成形して第１の成形
ビームを生成する第１開口を備えた上段マスクと、 前記上段マスクを通過した第１の成形ビームをさらに所
望の電子ビームサイズに成形して第２の成形ビームを生
成する可変成形用の開口である第２開口と当該上段マス
クを通過した第１の成形ビームによって前記可変成形用
の開口である第２開口と同時に照明される電子ビームド
リフト検出用の開口である第３開口を有するとともに、
当該電子ビームドリフト検出用の開口である第３開口が
当該可変成形用の開口である第２開口と別個に設けられ
た下段マスクと、 前記第１開口を通過した電子ビームの軌道を変えるため
の第１偏向器と、 前記可変成形用の開口である第２開口を通過した電子ビ
ームの軌道を変えるための第２偏向器と、 前記電子ビームドリフト検出用の開口である第３開口の
下方に設置され当該電子ビームドリフト検出用の開口で
ある第３開口が生成・出力する前記第２の成形ビームの
ビーム量を電流値に変換する電子検出器と、 ウェハーを載置するためのウェハーステージを有するこ
とを特徴とする露光装置。 - 【請求項８】 可変成形電子ビーム描画方式の成形ビー
ムの寸法ドリフト補正をスループットを低下させること
なく実行できる露光装置であって、 露光用の電子ビームを生成・出力する電子源と、 前記電子源を通過した電子ビームを成形して第１の成形
ビームを生成する第１開口を備えた上段マスクと、 前記上段マスクを通過した第１の成形ビームをさらに所
望の電子ビームサイズに成形して第２の成形ビームを生
成する可変成形用の開口である第２開口と、当該上段マ
スクを通過した当該第１の成形ビームによって前記可変
成形用の開口である第２開口と同時に照明されるＸ方向
用の電子ビームドリフト検出用の開口である第３開口
と、当該上段マスクを通過した当該第１の成形ビームに
よって前記可変成形用の開口である第２開口と同時に照
明されるＹ方向用の電子ビームドリフト検出用の開口で
ある第３開口を有するとともに、当該電子ビームドリフ
ト検出用の開口である第３開口が当該可変成形用の開口
である第２開口と別個に設けられた下段マスクと、 前記第１開口を通過した電子ビームの軌道を変えるため
の第１偏向器と、 前記可変成形用の開口である第２開口を通過した電子ビ
ームの軌道を変えるための第２偏向器と、 前記電子ビームドリフト検出用の開口である第３開口の
下方に設置され当該電子ビームドリフト検出用の開口で
ある第３開口が生成・出力する前記第２の成形ビームの
ビーム量を電流値に変換する電子検出器と、 ウェハーを載置するためのウェハーステージを有するこ
とを特徴とする露光装置。 - 【請求項９】 可変成形電子ビーム描画方式の成形ビー
ムの寸法ドリフト補正をスループットを低下させること
なく実行できる露光装置であって、 露光用の電子ビームを生成・出力する電子源と、 前記電子源を通過した電子ビームを成形して第１の成形
ビームを生成する第１開口を備えた上段マスクと、 前記上段マスクを通過した第１の成形ビームをさらに所
望の電子ビームサイズに成形して第２の成形ビームを生
成する可変成形用の開口である第２開口と、当該上段マ
スクを通過した当該第１の成形ビームによって前記可変
成形用の開口である第２開口と同時に照明される微細パ
ターン幅の電子ビームドリフト検出用の開口である第３
開口と、当該上段マスクを通過した当該第１の成形ビー
ムによって前記可変成形用の開口である第２開口と同時
に照明される電子ビームドリフト検出用の開口である第
４開口を有するとともに、当該電子ビームドリフト検出
用の開口である第３開口が当該可変成形用の開口である
第２開口と別個に設けられた下段マスクと、 前記第１開口を通過した電子ビームの軌道を変えるため
の第１偏向器と、 前記可変成形用の開口である第２開口を通過した電子ビ
ームの軌道を変えるための第２偏向器と、 前記電子ビームドリフト検出用の開口である第３開口の
下方に設置され当該電子ビームドリフト検出用の開口で
ある第３開口が生成・出力する前記第２の成形ビームの
ビーム量を電流値に変換する電子検出器と、 ウェハーを載置するためのウェハーステージを有するこ
とを特徴とする露光装置。 - 【請求項１０】 前記電子ビームドリフト検出用の開口
である第３開口の下方に設置され当該電子ビームドリフ
ト検出用の開口である第３開口を通過した前記第２の成
形ビームのビーム量を電流値に変換する電子検出器を備
え、 パターン描画中に前記電子ビームドリフト検出用の開口
である第３開口が生成・出力する前記第２の成形ビーム
のビーム量を前記電子検出器でリアルタイムに検出し、
当該電子検出器で検出した電流量の変化に応じて前記第
１偏向器に対して偏向量にかかるフィードバックを行う
とともに、露光時にリアルタイムで電子ビーム寸法のド
リフトの補正を実行するように構成されていることを特
徴とする請求項７乃至９のいずれか一項に記載の露光装
置。 - 【請求項１１】 可変成形電子ビーム描画方式の成形ビ
ームの寸法ドリフト補正をスループットを低下させるこ
となく実行できる電子ビーム寸法ドリフト補正方法であ
って、 上段マスクで成形された電子ビームを下段マスクに照射
して微細なパターンを形成する際に、当該下段マスクの
可変成形用の開口である第２開口とは別個に、当該上段
マスクによって成形された電子ビームによって前記可変
成形用の開口である第２開口と同時に照明される電子ビ
ームドリフト検出用の開口である第３開口を設けるとと
もに、当該電子ビームドリフト検出用の開口である第３
開口の下方に設置した電子検出器によって電流値を測定
し、当該測定した電流値の変化を基に当該下段マスクの
上方の偏向器にフィードバックして電子ビーム寸法を制
御することを特徴とする電子ビーム寸法ドリフト補正方
法。 - 【請求項１２】 可変成形電子ビーム描画方式の成形ビ
ームの寸法ドリフト補正をスループットを低下させるこ
となく実行できる電子ビーム寸法ドリフト補正方法であ
って、 上段マスクで成形された電子ビームを下段マスクに照射
して微細なパターンを形成する際に、当該下段マスクの
可変成形用の開口である第２開口とは別個に、当該上段
マスクによって成形された電子ビームによって前記可変
成形用の開口である第２開口と同時に照明されるＸ側の
電子ビームドリフト検出用の開口である第３開口および
Ｙ側の電子ビームドリフト検出用の開口である第３開口
を設け、当該Ｘ側の電子ビームドリフト検出用の開口で
ある第３開口の下方に設置した電子検出器によって電流
値を測定し当該測定した電流値を当該下段マスク上方の
Ｘ側の偏向器にフィードバックするとともに、当該Ｙ側
の電子ビームドリフト検出用の開口である第３開口の下
方に設置した電子検出器によって電流値を測定し当該測
定した電流値を当該下段マスク上方のＹ側の偏向器にフ
ィードバックして電子ビーム寸法を制御することを特徴
とする電子ビーム寸法ドリフト補正方法。 - 【請求項１３】 電子源から放出された電子ビームが前
記上段マスク上に設けられた第１開口通過して第１の成
形ビームに成形され、第１偏向器によって前記下段マス
ク上に設けられた第２開口および第３開口上に照射され
る工程と、 前記第２開口を通り抜けて成形された第２の成形ビーム
が第２偏向器によってウェハー上の所定位置に偏向され
る工程と、 前記第３開口を通り抜けて成形された前記第２の成形ビ
ームが、下方に設置された前記電子検出器に照射されて
電子ビーム照射量に応じた電流値が計測される工程と、 描画中に常に前記電子検出器で当該電子ビーム照射量に
応じた電流値をモニターし、当該モニターした電流値の
変動に応じて上方の前記第２偏向器にフィードバックを
かけ、前記第２の成形ビームの前記ウェハー上の照射位
置を調整する工程を有することを特徴とする請求項１１
または１２に記載の電子ビーム寸法ドリフト補正方法。 - 【請求項１４】 前記下段マスク上の第２開口である可
変成形用の開口である第２開口の周辺に第３開口である
電子ビームドリフト検出用の開口である第３開口をＸ方
向とＹ方向とで別々に設ける工程と、 前記電子ビームドリフト検出用の開口である第３開口を
通過した第２の成形ビームをＸ方向の前記電子検出器と
Ｙ方向の前記電子検出器とで別々に検出する工程を有す
ることを特徴とする請求項１１または１２に記載の電子
ビーム寸法ドリフト補正方法。 - 【請求項１５】 微細パターン幅を有する電子ビームド
リフト検出用の開口である第３開口を通過する電子ビー
ム量を当該電子ビームドリフト検出用の開口である第３
開口の下方に設置した電子検出器によって電流値を測定
するとともに、当該測定した電流値の変化を基に当該下
段マスクの上方の偏向器にフィードバックしてビーム量
に応じて電子ビーム寸法を補正する工程を有することを
特徴とする請求項１１乃至１４のいずれか一項に記載の
電子ビーム寸法ドリフト補正方法。 - 【請求項１６】 微細パターン長を有する電子ビームド
リフト検出用の開口である第３開口を通過する電子ビー
ム量を検出するとともに、当該検出したビーム量に応じ
て電子ビーム長を補正する工程を有することを特徴とす
る請求項１１乃至１５のいずれか一項に記載の電子ビー
ム寸法ドリフト補正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19186499A JP3388204B2 (ja) | 1999-07-06 | 1999-07-06 | マスクならびに露光装置および電子ビーム寸法ドリフト補正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19186499A JP3388204B2 (ja) | 1999-07-06 | 1999-07-06 | マスクならびに露光装置および電子ビーム寸法ドリフト補正方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001023878A true JP2001023878A (ja) | 2001-01-26 |
| JP3388204B2 JP3388204B2 (ja) | 2003-03-17 |
Family
ID=16281771
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19186499A Expired - Fee Related JP3388204B2 (ja) | 1999-07-06 | 1999-07-06 | マスクならびに露光装置および電子ビーム寸法ドリフト補正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3388204B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100372060B1 (ko) * | 1999-12-10 | 2003-02-14 | 닛본 덴기 가부시끼가이샤 | 전자빔 노광 방법 |
| WO2008117358A1 (ja) * | 2007-03-22 | 2008-10-02 | Pioneer Corporation | 電子ビーム装置 |
| JP2010258339A (ja) * | 2009-04-28 | 2010-11-11 | Nuflare Technology Inc | ドリフト測定方法、荷電粒子ビーム描画方法および荷電粒子ビーム描画装置 |
| KR101404131B1 (ko) * | 2012-08-07 | 2014-06-13 | 포항공과대학교 산학협력단 | 무버블 마스크 조립체 |
-
1999
- 1999-07-06 JP JP19186499A patent/JP3388204B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100372060B1 (ko) * | 1999-12-10 | 2003-02-14 | 닛본 덴기 가부시끼가이샤 | 전자빔 노광 방법 |
| WO2008117358A1 (ja) * | 2007-03-22 | 2008-10-02 | Pioneer Corporation | 電子ビーム装置 |
| JPWO2008117358A1 (ja) * | 2007-03-22 | 2010-07-08 | パイオニア株式会社 | 電子ビーム装置 |
| JP2010258339A (ja) * | 2009-04-28 | 2010-11-11 | Nuflare Technology Inc | ドリフト測定方法、荷電粒子ビーム描画方法および荷電粒子ビーム描画装置 |
| KR101404131B1 (ko) * | 2012-08-07 | 2014-06-13 | 포항공과대학교 산학협력단 | 무버블 마스크 조립체 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3388204B2 (ja) | 2003-03-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6147528B2 (ja) | マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置 | |
| KR101432204B1 (ko) | 멀티 하전 입자빔 묘화 장치 및 멀티 하전 입자빔 묘화 방법 | |
| US6204509B1 (en) | Projection-microlithography apparatus, masks, and related methods incorporating reticle-distortion measurement and correction | |
| US7791022B2 (en) | Scanning electron microscope with length measurement function and dimension length measurement method | |
| JP5090887B2 (ja) | 電子ビーム描画装置の描画方法及び電子ビーム描画装置 | |
| JP6383228B2 (ja) | マルチ荷電粒子ビームのビーム位置測定方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置 | |
| JP5977550B2 (ja) | マルチ荷電粒子ビーム描画装置 | |
| JP2016225357A (ja) | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 | |
| JP6087154B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置、試料面へのビーム入射角調整方法、および荷電粒子ビーム描画方法 | |
| KR100581478B1 (ko) | 마이크로컬럼 어레이를 이용한 반도체 다이의 직기입 방법및 장치 | |
| KR101621784B1 (ko) | 하전 입자 빔 묘화 장치 및 하전 입자 빔 묘화 방법 | |
| JP2016103557A (ja) | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 | |
| CN108508707A (zh) | 多带电粒子束描绘装置及其调整方法 | |
| JP2006186125A (ja) | 荷電粒子線露光装置およびその露光方法 | |
| CN115113490A (zh) | 多带电粒子射束描绘装置及其调整方法 | |
| US6433347B1 (en) | Charged-particle-beam projection-exposure methods and apparatus that selectively expose desired exposure units of a reticle pattern | |
| JP2001023878A (ja) | マスクならびに露光装置および電子ビーム寸法ドリフト補正方法 | |
| US6822248B2 (en) | Spatial phase locking with shaped electron beam lithography | |
| US20030089863A1 (en) | Beam-calibration methods for charged-particle-beam microlithography systems | |
| JP2002289517A (ja) | 電子ビーム近接露光装置及び方法 | |
| JP7110831B2 (ja) | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 | |
| US6376137B1 (en) | Charged-particle-beam microlithography apparatus and methods including correction of stage-positioning errors using a deflector | |
| TW202001971A (zh) | 多帶電粒子束描繪裝置及其粒子束評價方法 | |
| JP7238672B2 (ja) | マルチビーム描画方法及びマルチビーム描画装置 | |
| JP7106297B2 (ja) | 可変成形型荷電粒子ビーム照射装置及び可変成形型荷電粒子ビーム照射方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080110 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090110 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090110 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100110 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110110 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110110 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120110 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |