JP2001023114A

JP2001023114A - 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法

Info

Publication number: JP2001023114A
Application number: JP11191648A
Authority: JP
Inventors: Kiyoshi Sato; 清佐藤
Original assignee: Alps Electric Co Ltd
Current assignee: Alps Alpine Co Ltd
Priority date: 1999-07-06
Filing date: 1999-07-06
Publication date: 2001-01-26
Anticipated expiration: 2019-07-06
Also published as: JP3363842B2; US6900963B1

Abstract

(57)【要約】【課題】下部コア層上に形成される絶縁層は、その膜
厚が厚く形成されているために、前記絶縁層にトラック
幅規制溝を形成する際に、エッチングの制御を適性に行
なうことが難しく、前記トラック幅規制溝の下には、絶
縁層の一部が残されやすい。絶縁層が残されると、前記
溝内に磁極層を適切にメッキ形成することができない。【解決手段】下部コア層１０と絶縁層１１との間に、前
記絶縁層１１の反応性イオンエッチングに対するエッチ
ングレートよりも小さいエッチングレートを有するスト
ッパ層１５を設ける。これにより前記絶縁層１１に、下
部コア層１０にまで確実に通じる溝１１ａを形成でき、
前記溝１１ａ内に下部磁極層１２を適切にメッキ成長さ
せて形成することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば浮上式磁気
ヘッドなどに使用される記録用の薄膜磁気ヘッドに係
り、特に、下部コア層と上部コア層との間に介在する絶
縁層に、完全に前記下部コア層にまで通じるトラック幅
規制溝を確実にしかも容易に形成でき、前記溝内に、適
切に磁極層等をメッキ成長させることができる薄膜磁気
ヘッド及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】図１３は、従来の薄膜磁気ヘッドを記録
媒体との対向面（ＡＢＳ面）から見た部分正面図であ
る。

【０００３】図１３に示す薄膜磁気ヘッドは、記録用の
インダクティブヘッドであり、このインダクティブヘッ
ドの図示下側に、再生用のＭＲヘッドが形成されていて
もよい。

【０００４】図１３に示す符号１は、磁性材料で形成さ
れた下部コア層であり、この下部コア層１の上に、Ｓｉ
Ｏ₂などの絶縁材料で形成された絶縁層９が形成されて
いる。

【０００５】この絶縁層９には、図１３に示すように、
トラック幅規制溝９ａが形成されており、前記トラック
幅規制溝９ａ内に下から、前記下部コア層１と磁気的に
接続する下部磁極層３、ギャップ層４、及び上部コア層
６に磁気的に接続する上部磁極層５がメッキ形成されて
いる。

【０００６】前記トラック幅規制溝９ａは、下部コア層
１上から絶縁層９の途中にまで形成され、前記溝９ａの
両側端部の上端から、前記絶縁層９の表面９ｃにかけ
て、前記溝９ａの内幅寸法がトラック幅Ｔｗから徐々に
広がるようにして傾斜する傾斜面９ｂ，９ｂが形成され
ている。

【０００７】そして前記上部磁極層５上に磁気的に接続
されて形成される上部コア層６の一部が、前記絶縁層９
に形成された傾斜面９ｂ，９ｂ上から、下部コア層１と
離れる方向に延びて形成されている。

【０００８】図１４及び図１５は、図１３に示す薄膜磁
気ヘッドの絶縁層９に設けられたトラック幅規制溝９ａ
の形成方法を示している。

【０００９】図１４に示す工程では、まず下部コア層１
上にＳｉＯ₂などの絶縁材料で形成された絶縁層９を形
成し、さらに前記絶縁層９上に、レジスト層７を形成す
る。その後、露光現像により前記レジスト層７に所定の
間隔７ａをパターン形成する。前記間隔７ａの幅寸法は
Ｔ１であり、この幅寸法Ｔ１は、ほぼトラック幅Ｔｗで
形成される。

【００１０】そして図１５に示す工程では、前記レジス
ト層７に開けられた間隔７ａ内に露出する絶縁層９の部
分を、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ法）により削
り、トラック幅規制溝９ａを形成する。前記トラック幅
規制溝９ａは、反応性イオンエッチングにより、絶縁層
９の表面から下部コア層１の表面にかけて、ほぼ一定の
幅寸法で形成されていき、前記溝９ａの幅寸法がトラッ
ク幅Ｔｗとして規定される。

【００１１】前記トラック幅規制溝９ａを形成した後、
例えば図１３に示す傾斜面９ｂ，９ｂの形成を行ない、
さらに前記トラック幅規制溝９ａ内に、下部磁極層３、
ギャップ層４、及び上部磁極層５をメッキ成長させて形
成する。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来に
おける上記の薄膜磁気ヘッドの構造及びその製造方法で
は、反応性イオンエッチングにより、絶縁層１１にトラ
ック幅規制溝９ａを完全に下部コア層１にまで通じるよ
うに形成することは難しく、図１５に示すように、前記
トラック幅規制溝９ａの底面９ｄと、下部コア層１との
間（Ａの部分）には、絶縁層９の一部が残り易い。

【００１３】このようにトラック幅規制溝９ａと下部コ
ア層１との間Ａに、絶縁層９の一部が残ると、前記トラ
ック幅規制溝９ａ内に、前記下部コア層１と連続する下
部磁極層３（図９参照）をメッキ形成してもメッキ成長
が鈍化し、メッキ剥れが起こり易く、また下部コア層１
と下部磁極層３との間に、絶縁層９が介在することによ
り、前記下部コア層１と下部磁極層３との磁気的な接続
が弱まり、記録特性を低減させる原因となる。

【００１４】以上のように、トラック幅規制溝９ａを完
全に下部コア層１表面にまで通じるように形成すること
ができず、前記トラック幅規制溝９ａ内に絶縁層９の一
部が残るのは、絶縁層９が厚い膜厚で形成されるため、
エッチングの制御性が非常に難しいからである。前記絶
縁層９を反応性イオンエッチングにより削っていくと、
図１５に示すように、削られた部分（トラック幅規制溝
９ａ）の底面９ｄにはうねりが発生し、エッチング時間
等の制御により、トラック幅規制溝９ａ内の絶縁層９を
完全に除去することは困難であった。また前記絶縁層９
が、反応性イオンエッチングに対するエッチングレート
の大きい例えばＳｉＯ₂などの絶縁材料で形成されてい
る場合には、なおさらエッチングの制御が難しくなる。

【００１５】本発明は上記従来の課題を解決するもので
あり、特に絶縁層に形成されるトラック幅規制溝を、確
実に下部コア層にまで通じるように形成でき、したがっ
て前記溝内に適切に磁極層等をメッキ成長させることが
でき、記録特性を向上させることが可能な薄膜磁気ヘッ
ド及びその製造方法を提供することを目的としている。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明における薄膜磁気
ヘッドは、下部コア層と、上部コア層と、両コア層の間
に位置する少なくとも１層の絶縁層とを有し、前記絶縁
層にはトラック幅規制溝が形成され、このトラック幅規
制溝内に、前記下部コア層と連続する下部磁極層及び／
または上部コア層と連続する上部磁極層、ならびに前記
一方のコア層とこれに対向する前記一方の磁極層との間
または両磁極層の間に位置するギャップ層が設けられて
おり、前記下部コア層と前記絶縁層との間には、前記ト
ラック幅規制溝を除いた部分にストッパ層が介在してお
り、このストッパ層は、前記絶縁層の反応性イオンエッ
チングに対するエッチングレートよりも小さいエッチン
グレートを有する絶縁材料で形成されていることを特徴
とするものである。

【００１７】上記のように本発明では、絶縁層と下部コ
ア層との間に、前記絶縁層の反応性イオンエッチングに
対するエッチングレートよりも小さいエッチングレート
を有する絶縁材料製のストッパ層が設けられている。そ
して本発明では、前記絶縁層に形成されるトラック幅規
制溝は、確実に下部コア層表面にまで通じて形成されて
おり、従来のように、前記トラック幅規制溝内に、絶縁
層が残されていない。

【００１８】よって本発明では、前記溝内に、例えば下
部コア層と磁気的に接続する下部磁極層を、適切にメッ
キ成長させて形成でき、良好な記録特性を有する薄膜磁
気ヘッドを製造することが可能になる。

【００１９】また本発明では、前記ストッパ層の膜厚
は、絶縁層の膜厚よりも薄い膜厚で形成されていること
が好ましい。

【００２０】また本発明では、前記ストッパ層の反応性
イオンエッチングに対するエッチングレートは、絶縁層
のエッチングレートに比べて１０倍以上小さいことが好
ましい。具体的には、前記絶縁層は、ＳｉＯ₂で形成さ
れ、前記ストッパ層は、Ａｌ₂Ｏ₃及び／またはＳｉ₃Ｎ₄
で形成されていることが好ましい。

【００２１】また本発明は、下部コア層、絶縁層、上部
コア層がこの順に積層されて成る薄膜磁気ヘッドの製造
方法において、下部コア層上に、絶縁材料製のストッパ
層を形成する工程と、前記ストッパ層の上に、前記スト
ッパ層に使用された絶縁材料の反応性イオンエッチング
に対するエッチングレートよりも大きいエッチングレー
トの絶縁材料による少なくとも１層の絶縁層を形成する
工程と、前記絶縁層上に、所定の間隔を開けてマスクを
形成する工程と、前記間隔内に露出する前記絶縁層を反
応性イオンエッチングで削り、前記間隔内で、前記スト
ッパ層が露出するまで前記絶縁層を除去してトラック幅
規制溝を形成する工程と、前記トラック幅規制溝内に露
出するストッパ層を、反応性イオンエッチングにより除
去し、下部コア層を露出させる工程と、前記トラック幅
規制溝内で、前記下部コア層と連続する下部磁極層およ
び前記下部磁極層の上にギャップ層を形成する工程、ま
たは前記下部コア層の上にギャップ層を形成する工程
と、前記トラック幅規制溝内で前記ギャップ層の上に上
部磁極層を形成し、さらに上部磁極層の上に上部コア層
を形成する工程、または前記ギャップ層の上に直接上部
コア層を形成する工程と、を有することを特徴とするも
のである。

【００２２】上記のように本発明では、下部コア層上に
ストッパ層を形成し、前記ストッパ層として使用された
絶縁材料の反応性イオンエッチングに対するエッチング
レートよりも大きいエッチングレートを有する絶縁材料
を絶縁層として、前記ストッパ層上に形成している。

【００２３】そして本発明では、前記絶縁層上に形成さ
れた、例えばレジストなどのマスクを利用して、反応性
イオンエッチングにより前記絶縁層にトラック幅規制溝
を形成する。このエッチングの際、本発明では、前記ス
トッパ層が露出するまで前記絶縁層を除去してトラック
幅規制溝を形成する。つまり前記エッチングにより、ト
ラック幅規制溝内に絶縁層を残さないようにする。

【００２４】このように本発明では、反応性イオンエッ
チングが終了すると、トラック幅規制溝の底面と下部コ
ア層との間には、ストッパ層が残された状態になる。

【００２５】そして本発明では、前記トラック幅規制溝
の下に残された前記ストッパ層を反応性イオンエッチン
グにより除去して、下部コア層の表面を露出させる。

【００２６】また本発明では、前記絶縁層を反応性イオ
ンエッチングで削る際に、前記絶縁層をその膜厚以上に
削るオーバーエッチングを行なって前記間隔内で前記絶
縁層を完全に除去してトラック幅規制溝を形成し、且つ
前記オーバーエッチングは、トラック幅規制溝の下に前
記ストッパ層が残される程度に行なうことが好ましい。

【００２７】このように、前記絶縁層に対しオーバーエ
ッチングを行なうことが可能なのは、前記絶縁層の下に
ストッパ層が設けられているからである。

【００２８】前記絶縁層にオーバーエッチングを行なう
と、トラック幅規制溝が形成されるべき部分の絶縁層は
完全に除去されるが、絶縁層を完全に除去した段階で、
まだエッチング時間が残されている場合には、前記絶縁
層の下に存在する層もまた前記エッチングにより削られ
る。本発明では、前記絶縁層の下にストッパ層を設けて
いるので、オーバーエッチングを行なっても、オーバー
したエッチング時間により削られる部分はストッパ層で
あり、前記ストッパ層の存在により、前記ストッパ層の
下側に位置する下部コア層を前記エッチングから適切に
保護することができる。そしてオーバーエッチングが終
了すると、トラック幅規制溝の底面と下部コア層との間
には、ストッパ層が残された状態になる。

【００２９】特に本発明では、前記ストッパ層を、絶縁
層に比べて反応性イオンエッチングに対するエッチング
レートの小さい絶縁材料で形成するので、絶縁層が完全
に除去されてストッパ層がエッチングされる段階になっ
ても、前記ストッパ層は、絶縁層に比べて、前記エッチ
ングにより削られにくい。

【００３０】ただし前記ストッパ層が、あまりにも薄い
膜厚で形成され、前記オーバーエッチングにより、スト
ッパ層までもが全て除去された場合には、下部コア層が
前記オーバーエッチングの影響を受けて好ましくないの
で、本発明では、前記オーバーエッチングは、トラック
幅規制溝の下に前記ストッパ層が残される程度に行なう
ことが好ましいとしている。

【００３１】なお前記ストッパ層は、オーバーエッチン
グによっても残される程度に薄い膜厚で形成されること
が好ましく、これによりエッチングの制御性を容易にす
ることができ、トラック幅規制溝の下に残された前記ス
トッパ層を確実に除去することができる。

【００３２】なお、絶縁層に対しオーバーエッチングを
行なった場合に、トラック幅規制溝の下に確実にストッ
パ層を残すようにするには、前記ストッパ層及び絶縁層
のエッチングレートや、オーバーエッチング量などを考
慮する必要性がある。そこで本発明では、以下の計算式
によりストッパ層の膜厚を導き出している。

【００３３】本発明では、ストッパ層の上に形成された
絶縁層のうち前記反応性イオンエッチングによって除去
する膜厚をＸ１、絶縁層のエッチングレート：ストッパ
層のエッチングレートの比をＹ：１とし、前記絶縁層の
膜厚Ｘ１に対するオーバーエッチング量をＮ％としたと
き、前記ストッパ層の膜厚Ｘ２を、Ｘ２≧（Ｘ１・Ｎ）
／（Ｙ・１００）で形成することが好ましい（ただし、
前記オーバーエッチング量とは、絶縁層と同じ材料を前
記膜厚Ｘ１を越えてオーバーエッチングしたと仮定した
ときに前記材料が前記膜厚Ｘ１を越えて削られる量（Ｘ
１・Ｎ／１００）から求められる）。

【００３４】上記の数式で計算された寸法値で、ストッ
パ層を形成することにより、オーバーエッチングをＮ％
かけた場合でも、絶縁層に形成されたトラック幅規制溝
の下には、必ずストッパ層が残される。よって、Ｎ％の
オーバーエッチングをかけた場合に、ストッパ層が完全
に除去されて、下部コア層表面までもが、削られる危険
性を回避することができる。

【００３５】また本発明では、前記ストッパ層に使用さ
れる絶縁材料のエッチングレートは、絶縁層に使用され
る絶縁材料のエッチングレートに比べて１０倍以上小さ
いことが好ましい。絶縁層のエッチングレートと、スト
ッパ層のエッチングレートとにあまり差がないと、従来
と同様に、エッチングの制御が難しくなり、トラック幅
規制溝の底面と下部コア層表面との間に、絶縁層やスト
ッパ層の一部が残されやすくなる。このために、ストッ
パ層のエッチングレートは、絶縁層のエッチングレート
に比べて適度に小さい必要性がある。本発明では、スト
ッパ層のエッチングレートを、絶縁層のエッチングレー
トよりも１０倍以上小さくすると、下部コア層にまで完
全に通じるトラック幅規制溝の形成が、より適切にしか
も容易に行なえることができるとしている。

【００３６】具体的には、前記絶縁層を、ＳｉＯ₂で形
成し、前記ストッパ層を、Ａｌ₂Ｏ₃及び／またはＳｉ₃
Ｎ₄で形成することが好ましい。

【００３７】

【発明の実施の形態】図１は、本発明の薄膜磁気ヘッド
の構造を示す部分正面図である。図２は図１に示す２−
２線から切断した薄膜磁気ヘッドを矢印方向から見た部
分断面図である。

【００３８】図１および図２に示す薄膜磁気ヘッドは書
き込み用のいわゆるインダクティブヘッドであり、この
インダクティブヘッドは、磁気抵抗効果を利用した読み
出しヘッドの上に積層されている。

【００３９】なお上記読み出しヘッドは、例えばスピン
バルブ膜に代表される巨大磁気抵抗効果を利用したＧＭ
Ｒ素子や、異方性磁気抵抗効果を利用したＡＭＲ素子で
形成される磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子
の上下にギャップ層を介して形成されたシールド層とを
有して構成されている。

【００４０】図１と図２に示す符号１０は、Ｆｅ―Ｎｉ
系合金（パーマロイ）などの高透磁率の軟磁性材料で形
成された下部コア層である。

【００４１】そして本発明では図１及び図２に示すよう
に、前記下部コア層１０上に、絶縁材料で形成されたス
トッパ層１５を介して絶縁材料で形成された絶縁層１１
が形成されている。

【００４２】前記絶縁層１１として使用される絶縁材料
は、ＡｌＯ、ＳｉＯ₂、Ｔａ₂Ｏ₅、ＴｉＯ、ＡｌＮ、Ａ
ｌＳｉＮ、ＴｉＮ、ＳｉＮ、ＮｉＯ、ＷＯ、ＷＯ₃、Ｂ
Ｎ、ＣｒＮ、ＳｉＯＮのうち少なくとも１種から選択さ
れることが好ましい。なお前記絶縁層１１は、単層膜で
形成されていてもよいし、多層膜で形成されていてもよ
い。

【００４３】また図１に示すように、前記絶縁層１１の
厚さ寸法は、膜厚Ｈ１で形成され、具体的には、前記厚
さ寸法Ｈ１は約１．０μｍから４．０μｍ程度であるこ
とが好ましい。

【００４４】さらに図１及び図２に示すように、前記絶
縁層１１には、少なくとも幅寸法がトラック幅Ｔｗで形
成されたトラック幅規制溝１１ａが形成されている。前
記トラック幅規制溝１１ａは、記録媒体との対向面（Ａ
ＢＳ面）から、ハイト方向（図示Ｙ方向）に所定の長さ
寸法Ｌ１を有して形成されている。

【００４５】そして図１及び図２に示す実施例では、前
記トラック幅規制溝１１ａ内に、最下層として、下部コ
ア層１０と連続する下部磁極層１２がメッキ形成され、
さらに前記下部磁極層１２上に、非磁性金属材料で形成
されたギャップ層１３がメッキ形成され、さらに前記ギ
ャップ層１３の上には、後述する上部コア層１６と連続
する上部磁極層１４がメッキ形成されている。前記下部
磁極層１２及び上部磁極層１４は、それぞれ、下部コア
層１０及び上部コア層１６に磁気的に接続された状態に
なっている。

【００４６】ただし、前記トラック幅規制溝１１ａ内に
形成される積層構成は、上記構成以外であってもかまわ
ない。すなわち本発明では、前記トラック幅規制溝１１
ａ内に、下部コア層１０と連続する下部磁極層１２及び
／または上部コア層１６と連続する上部磁極層１４、な
らびに前記一方のコア層１０，１６とこれに対向する前
記一方の磁極層１２，１４との間または両磁極層１２，
１４の間に位置するギャップ層１３が設けられていれば
よい。

【００４７】前記絶縁層１１に形成されたトラック幅規
制溝１１ａの幅寸法は、トラック幅Ｔｗとして規定され
ており、例えば図１のように、前記トラック幅規制溝１
１ａ内に、ギャップ層１３と、前記ギャップ層１３を介
して対向する磁極層１２，１４とが形成されていると、
前記磁極層１２，１４間で発生する漏れ磁界は、トラッ
ク幅Ｔｗ内に納まり、記録特性を良好に維持することが
できる。

【００４８】特に本発明では、前記絶縁層１１に形成さ
れたトラック幅規制溝１１ａの幅寸法（＝トラック幅Ｔ
ｗ）を１．０μｍ以下で形成でき、好ましくは０．７μ
ｍ以下で形成することができる。

【００４９】また図１に示す実施例では、前記絶縁層１
１には、トラック幅規制溝１１ａの両側端部の上端か
ら、前記絶縁層１１の表面１１ｂにかけて、徐々に幅寸
法がトラック幅Ｔｗから広がるように傾斜する傾斜面１
１ｃ，１１ｃが形成されており、トラック幅規制溝１１
ａ内に形成された上部磁極層１４上から傾斜面１１ｃ上
にかけて上部コア層１６がメッキ形成されている。前記
傾斜面１１ｃの形成により、上部コア層１６と、例えば
ギャップ層１３の下側に形成される下部磁極層１２との
距離を適性に離すことができ、ライトフリンジングの発
生を適切に防止することができる。

【００５０】ところで本発明では、図１及び図２に示す
ように、トラック幅規制溝１１ａの部分を除いた絶縁層
１１と下部コア層１０との間に、絶縁材料製のストッパ
層１５が設けられている。

【００５１】前記ストッパ層１５として使用される絶縁
材料は、上述した絶縁層１１として使用される絶縁材料
の中から選択されてもよいが、少なくとも前記ストッパ
層１５として使用される絶縁材料は、反応性イオンエッ
チングに対するエッチングレートが、絶縁層１１に使用
される絶縁材料のエッチングレートよりも小さいことが
条件とされる。

【００５２】特に本発明では、前記ストッパ層１５の反
応性イオンエッチングに対するエッチングレートは、絶
縁層１１のエッチングレートに比べて１０倍以上小さい
ことが好ましい。

【００５３】例えば、前記絶縁層１１は、ＳｉＯ₂で形
成され、前記ストッパ層１５は、Ａｌ₂Ｏ₃及び／または
Ｓｉ₃Ｎ₄で形成されていることが好ましい。

【００５４】前記絶縁層１１をＳｉＯ₂で形成し、スト
ッパ層１５をＡｌ₂Ｏ₃で形成し、反応性イオンエッチン
グの際のガスとしてＣ₃Ｆ₈＋（Ａｒ）を使用した場合、
反応性イオンエッチングに対する前記ストッパ層１５の
エッチングレートを、絶縁層１１のエッチングレートに
比べて１５倍程度小さくすることができる。

【００５５】また前記絶縁層１１をＳｉＯ₂で形成し、
ストッパ層１５をＳｉ₃Ｎ₄で形成し、反応性イオンエッ
チングの際のガスとしてＣ₅Ｆ₈＋（Ａｒ）を使用した場
合、反応性イオンエッチングに対する前記ストッパ層１
５のエッチングレートを、絶縁層１１のエッチングレー
トに比べて１５倍程度小さくすることができる。

【００５６】さらに本発明では、前記ストッパ層１５の
膜厚Ｈ２は、絶縁層１１の膜厚Ｈ１よりも薄く形成され
ていることが好ましい。前記ストッパ層１５が、あまり
に厚い膜厚で形成されると、後述する製造方法によっ
て、絶縁層１１にトラック幅規制溝１１ａを形成する際
に、前記トラック幅規制溝１１ａ内に前記ストッパ層１
５が残りやすく、確実に下部コア層１０にまで通じるト
ラック幅規制溝１１ａを形成できないからである。

【００５７】なお本発明では、図２に示すように、絶縁
層１１のトラック幅規制溝１１ａ内に形成されたギャッ
プ層１３上に、ＡＢＳ面からハイト方向（図示Ｙ方向）
に一定の間隔（Ｇｄ）が空けられ、この間隔の後方のギ
ャップ層１３上からハイト側に位置するストッパ層１５
上にかけてＧｄ決め絶縁層１７が形成されている。なお
前記Ｇｄ決め絶縁層１７は、例えばポリイミドやレジス
ト材料などの有機樹脂材料で形成されている。

【００５８】このＧｄ決め絶縁層１７は、ギャップデプ
スＧｄを決定するために設けられたものであり、ギャッ
プデプスＧｄは、薄膜磁気ヘッドの電気特性に大きな影
響を与えることから、適正な長さ寸法で形成される必要
性がある。

【００５９】このように本発明では、前記ギャップデプ
スＧｄを、所定の長さ寸法に設定するために、ギャップ
層１３の上にＧｄ決め絶縁層１７を形成しているが、本
発明では他の形態として、絶縁層１１に形成されたトラ
ック幅規制溝１１ａの長さ寸法Ｌ１を、ギャップデプス
Ｇｄとして設定した場合、前記トラック幅規制溝１１ａ
の長さ寸法Ｌ１がギャップデプスＧｄとなり、この場合
には、前記Ｇｄ決め絶縁層１７を形成する必要がない。

【００６０】また図２に示すように、前記絶縁層１１の
上には、コイル層１８が螺旋状にパターン形成されてい
る。図２に示す実施例では、前記コイル層１８が絶縁層
１１の上に直接形成されているが、前記コイル層１８と
絶縁層１１との間に、前述したＧｄ決め絶縁層１７が形
成されていてもよい。

【００６１】さらに前記コイル層１８の上には、前記コ
イル層１８を覆うようにしてコイル絶縁層１９が形成さ
れており、なお、このコイル絶縁層１９はレジスト材料
やポリイミドなどの有機樹脂材料で形成されている。

【００６２】また図２に示すように、上述した上部コア
層１６は、ＡＢＳ面からハイト方向に延びて形成され、
上部コア層１６の基端部１６ａは、下部コア層１０上に
磁気的に接続されて形成されている。

【００６３】図１に示す薄膜磁気ヘッドでは、コイル層
１８に記録電流が与えられると、下部コア層１０及び上
部コア層１６に記録磁界が誘導され、ギャップ層１３を
介して対向する下部磁極層１２及び上部磁極層１４間に
漏れ磁界が発生し、この漏れ磁界により、ハードディス
クなどの記録媒体に磁気信号が記録される。

【００６４】図３は、他の実施形態の薄膜磁気ヘッドの
構造を示す部分正面図である。この実施例では、下部コ
ア層１０上に、絶縁材料製のストッパ層２０を介して、
主絶縁層２１及び副絶縁層２２が連続して形成されてい
る。

【００６５】なお本発明では、主絶縁層２１の反応性イ
オンエッチングに対するエッチングレートは、ストッパ
層２０及び副絶縁層２２のエッチングレートに比べて大
きくなっており、例えば前記主絶縁層２１はＳｉＯ₂で
形成され、ストッパ層２０及び副絶縁層２２は、Ａｌ₂
Ｏ₃及び／またはＳｉ₃Ｎ₄で形成されていることが好ま
しい。

【００６６】また前記ストッパ層２０の膜厚Ｈ４は、主
絶縁層２１の膜厚Ｈ３に比べて薄いことが好ましい。

【００６７】図３に示すように、前記主絶縁層２１に
は、少なくともトラック幅規制溝２１ａが形成されてお
り、前記溝２１ａ内に、下から下部コア層１０と磁気的
に接続する下部磁極層１２、ギャップ層１３及び上部コ
ア層１６と磁気的に接続する上部磁極層１４が、メッキ
形成されている。

【００６８】図３に示すように、前記副絶縁層２２に
は、主絶縁層２１に形成されたトラック幅規制溝２１ａ
の両側端部の上端から、副絶縁層２２の表面２２ｂにか
けて間隔が広がる傾斜面２２ａ，２２ａが形成されてお
り、前記上部磁極層１４上から前記傾斜面２２ａ上にか
けて上部コア層１６がメッキ形成されている。

【００６９】前述した主絶縁層２１に形成されたトラッ
ク幅規制溝２１ａの幅寸法は、トラック幅Ｔｗとして規
定されており、本発明によれば前記トラック幅Ｔｗを、
レジストの露光現像の限界値よりも小さい値で形成する
ことが可能である。具体的には、前記トラック幅Ｔｗ
を、０．７μｍ以下、好ましくは０．５μｍ以下、より
好ましくは０．３μｍ以下で形成することが可能であ
る。

【００７０】また、副絶縁層２２に形成された傾斜面２
２ａ上には、上部コア層１６が形成されており、前記傾
斜面２２ａの形成により、前記上部コア層１６と、ギャ
ップ層１３の下側に形成された下部磁極層１２との距離
を適性に離すことができ、ライトフリンジングの発生を
抑制することができる。

【００７１】この実施例においても、トラック幅規制溝
２１ａの部分を除いた主絶縁層２１と、下部コア層１０
との間に、ストッパ層２０が介在しており、このストッ
パ層２０の形成により、前記トラック幅規制溝２１ａを
形成する際に使用される反応性イオンエッチングの制御
を容易にすることができる。

【００７２】図１及び図３に示す各薄膜磁気ヘッドの構
造では、絶縁層（主絶縁層）に形成されたトラック幅規
制溝は、確実に下部コア層１０上にまで通じて形成され
ており、従来のように、前記トラック幅規制溝内に、絶
縁層の一部が残されることはない。

【００７３】よって本発明における薄膜磁気ヘッドの構
造であれば、前記溝内に、メッキ成長を妨げることな
く、適切に下部磁極層１２あるいはギャップ層１３をメ
ッキ形成することが可能であり、記録特性を良好に保つ
ことができる。

【００７４】次に図１に示す薄膜磁気ヘッドの製造方法
について以下に説明する。図４ないし図８は、本発明に
おける薄膜磁気ヘッドの各製造工程を示している。

【００７５】図４では、まず下部コア層１０上に、絶縁
材料製のストッパ層１５を形成し、さらに前記ストッパ
層１５に使用された絶縁材料の反応性イオンエッチング
に対するエッチングレートよりも大きいエッチングレー
トを有する絶縁材料を絶縁層１１として、前記ストッパ
層１５上に形成する。換言すれば、反応性イオンエッチ
ングに対するエッチングレートは、ストッパ層１５の方
が絶縁層１１よりも小さくなるように、ストッパ層１５
及び絶縁層１１として使用される絶縁材料を選択しなけ
ればならない。

【００７６】本発明では、前記ストッパ層１５に使用さ
れる絶縁材料のエッチングレートは、絶縁層１１に使用
される絶縁材料のエッチングレートに比べて１０倍以上
小さいことが好ましい。この条件を満たすには、例えば
前記絶縁層１１を、ＳｉＯ₂で形成し、前記ストッパ層
１５を、Ａｌ₂Ｏ₃及び／またはＳｉ₃Ｎ₄で形成すること
が好ましい。これにより、ストッパ層１５のエッチング
レートを、絶縁層１１のエッチングレートに比べて約１
５倍程度小さくすることができる。

【００７７】そして、図４に示すように、絶縁層１１上
に、レジスト層３０をスピンコートで塗布し、前記レジ
スト層３０に、所定の間隔３０ａを露光現像によってパ
ターン形成する。

【００７８】前記間隔３０ａの幅寸法はＴ２であり、こ
の幅寸法Ｔ２は、ほぼトラック幅Ｔｗで形成される。

【００７９】そして図５に示すように、反応性イオンエ
ッチング法（ＲＩＥ法）により、前記レジスト層３０に
開けられた間隔３０ａ内から露出する絶縁層１１を削
り、前記絶縁層１１にトラック幅規制溝１１ａを形成す
る。

【００８０】ところで本発明では、この反応性イオンエ
ッチング工程の際に、前記間隔３０ａ内から露出する前
記絶縁層１１の膜厚Ｘ１に対しオーバーエッチングを行
なうことが好ましい。

【００８１】ここで本発明では、オーバーエッチング量
をＮ％とする。なお、前記オーバーエッチング量とは、
絶縁層１１と同じ材料を前記膜厚Ｘ１を越えてオーバー
エッチングしたと仮定したときに前記材料が前記膜厚Ｘ
１を越えて削られる量（Ｘ１・Ｎ／１００）から求めら
れる。

【００８２】そして上記のようにＮ％のオーバーエッチ
ングを行なうには、エッチングレート等を考慮しなが
ら、エッチング時間を適正に設定する必要がある。

【００８３】例えば、絶縁層１１の膜厚Ｘ１を２μｍ
（２００００Å）で形成し、前記膜厚Ｘ１に対して１０
％（つまり２０００Å）のオーバーエッチングを行なう
とすると、前記絶縁層１１に使用される絶縁材料の反応
性イオンエッチングに対するエッチングレートが１００
０Å／分である場合には、エッチング時間を、［絶縁層
１１の膜厚Ｘ１（２００００Å）＋オーバーエッチング
量（２０００Å）］／［絶縁層１１のエッチングレート
（１０００（Å／分）］で計算して、２２分とする。理
論的には２０分で、２μｍの膜厚Ｘ１の絶縁層１１を、
その表面から底面まで完全にエッチングにより削ること
ができるので、２分間だけオーバーしてエッチングが行
なわれることになる。

【００８４】しかしながら上記の例で言うと、エッチン
グ時間を２０分としても、絶縁層１１を、その表面から
底面にまで完全にエッチングにより削ることはできず、
前記エッチングにより形成されたトラック幅規制溝１１
ａ内には、依然として絶縁層１１の一部が残された状態
になる。これは、絶縁層１１は厚い膜厚Ｘ１で形成され
ているので、エッチングの制御が非常に難しく、レジス
ト層３０の間隔３０ａ内から露出する絶縁層１１をエッ
チングしていくと、削られやすい部分と削られにくい部
分が生じ、したがって理論的に、完全に絶縁層１１を除
去できるとして導き出されたエッチング時間では、前記
エッチングにより形成されたトラック幅規制溝１１ａ内
に、一部の絶縁層１１が残されてしまう。

【００８５】そこで本発明では、前述したようにオーバ
ーエッチングを行なう。つまり上記の例で言えば、２０
分のエッチング時間を２２分に延ばし、絶縁層１１の膜
厚Ｘ１に対して１０％のオーバーエッチングを行なう。

【００８６】このオーバーエッチングにより、トラック
幅規制溝１１ａが形成されるべき部分の絶縁層１１は完
全に除去され、前記トラック幅規制溝１１ａに、前記絶
縁層１１が残されることはない。

【００８７】前記オーバーエッチングを行なって、完全
に絶縁層１１を除去してもなおエッチング時間が残され
ている場合には、前記絶縁層１１の下の層が前記エッチ
ングの影響を受けることになる。

【００８８】本発明では、前記絶縁層１１の下には絶縁
材料製のストッパ層１５が設けられているので、オーバ
ーエッチングによって絶縁層１１を完全に除去しても、
次に削られる部分は、絶縁層１１の下側に存在するスト
ッパ層１５である。そして本発明では、前述したように
ストッパ層１５の反応性イオンエッチングは、絶縁層１
１のエッチングレートに比べて小さく設定されているた
めに、オーバーエッチングによってストッパ層１５が除
去される量は少なく、図５に示すように、オーバーエッ
チングが終了した時点で、絶縁層１１に形成されたトラ
ック幅規制溝１１ａの底面と下部コア層１０との間に
は、ストッパ層１５が残された状態にされる。

【００８９】前記ストッパ層１５は、絶縁層１１に対し
てオーバーエッチングを行ない、トラック幅規制溝１１
ａとなる部分の絶縁層１１を完全に除去しても、下部コ
ア層１０にまでエッチングが及ばないようにするために
設けられたものであり、そのために、オーバーエッチン
グを行なってもなお、下部コア層１０とトラック幅規制
溝１１ａの底面との間にストッパ層１５が残るように、
予め前記ストッパ層１５の膜厚Ｘ２を適正に調整する必
要がある。

【００９０】具体的には本発明では、ストッパ層の上に
形成された絶縁層のうち前記反応性イオンエッチングに
よって除去する膜厚をＸ１、絶縁層のエッチングレー
ト：ストッパ層のエッチングレートの比をＹ：１とし、
前記絶縁層の膜厚Ｘ１に対するオーバーエッチング量を
Ｎ％としたとき、前記ストッパ層の膜厚Ｘ２を、Ｘ２≧
（Ｘ１・Ｎ）／（Ｙ・１００）で形成することが好まし
い。これにより、オーバーエッチングを行なっても、前
記絶縁層１１に形成されたトラック幅規制溝１１ａの底
面と、下部コア層１０の表面との間には、ストッパ層１
５が残された状態にされる。

【００９１】例えば、絶縁層１１の膜厚Ｘ１を２μｍ
（２００００Å）で形成し、（絶縁層１１のエッチング
レート：ストッパ層１５のエッチングレート＝Ｙ：１）
を１０：１とし、オーバーエッチング量Ｎを１０％とし
た場合、前記ストッパ層１５の膜厚Ｈ２を、（２０００
０×１０）／（１０×１００）＝２００Å以上の膜厚で
形成すればよいことになる。

【００９２】ところで、オーバーエッチング量とエッチ
ングレート比にもよるが、上記の数式で計算されたスト
ッパ層１５の膜厚Ｘ２の最低値は、絶縁層１１の膜厚Ｘ
１に比べて十分に薄く形成されることがわかる。前記ス
トッパ層１５は、前記最低値よりも若干厚い膜厚で形成
されれば、オーバーエッチングを行なった場合でも確実
に、トラック幅規制溝１１ａの底面と下部コア層１０と
の間に、ストッパ層１５を残すことができる。逆に前記
ストッパ層１５があまりに厚い膜厚で形成されると以下
の問題が発生する。

【００９３】下部コア層１０と、絶縁層１１に形成され
たトラック幅規制溝１１ａの底面との間に介在するスト
ッパ層１５は、後の工程で説明するように、最終的に
は、反応性イオンエッチングにより除去される。しかし
ながら、前記ストッパ層１５の膜厚を、上記の計算式で
導き出した膜厚よりもかなり厚く形成すると、絶縁層１
１へのオーバーエッチングが終了した時点では、依然と
して、前記ストッパ層１５は、厚い膜厚を有したまま残
されてしまう。

【００９４】そうすると、前記ストッパ層１５を除去す
る際の反応性イオンエッチングの制御が難しくなり、従
来と同様に、適性に前記ストッパ層１５を除去できず、
前記トラック幅規制溝１１ａの下部コア層１０上に、ス
トッパ層１５の一部が残される可能性が高くなる。よっ
て本発明では、絶縁層１１にオーバーエッチングをかけ
た場合に、前記ストッパ層１５は、少なくとも下部コア
層１０上に残される程度の膜厚を有していればよい。

【００９５】以上のように図５に示す工程では、絶縁層
１１の膜厚に対してＮ％のオーバーエッチングを行な
い、レジスト層３０に開けられた間隔３０ａ内から露出
する絶縁層１１を、その表面から底面まで確実にエッチ
ングして除去し、前記エッチングにより形成されたトラ
ック幅規制溝１１ａの下面にストッパ層１５の表面を露
出させている。

【００９６】次に、絶縁層１１に形成されたトラック幅
規制溝１１ａの両側面に付着した不純物を、例えば温水
で洗浄して除去し、そして図６に示すように、前記レジ
スト層３０に対してポストベーク処理を行ない、前記レ
ジスト層３０の両側端面に、下部コア層１０から離れる
に従い徐々に間隔が広がる傾斜面３０ｂ，３０ｂを形成
する。

【００９７】次に図７に示す工程では、反応性イオンエ
ッチングにより、絶縁層１１に形成されたトラック幅規
制溝１１ａの底面に露出したストッパ層１５（Ａの部
分）を除去する。前記ストッパ層１５の除去は、前記ス
トッパ層１５の膜厚及び前記ストッパ層１５のエッチン
グレート等を考慮しながら、エッチング時間を適正に制
御することによって行なわれる。

【００９８】前述したように、ストッパ層１５は、絶縁
層１１に対してＮ％のオーバーエッチングを行なった場
合に、前記ストッパ層１５が下部コア層１０上に残る程
度の薄い膜厚で形成されており、しかも前記ストッパ層
１５に使用される絶縁材料の反応性イオンエッチングに
対するエッチングレートは、絶縁層１１に使用される絶
縁材料のエッチングレートに比べて小さくなっている。

【００９９】このため本発明では、エッチングの制御を
行ない易く、エッチングレートの小さいストッパ層１５
を、反応性イオンエッチングによって徐々に削りなが
ら、薄い膜厚の前記ストッパ層１５を、完全にしかも容
易に除去することができる。

【０１００】また図７に示す工程では、反応性イオンエ
ッチングによって、絶縁層１１の一部（Ｂの部分）も削
られる。図６に示す工程で、絶縁層１１上に形成された
レジスト層３０の両側端面は、ポストベーク処理によっ
て、傾斜面３０ｂに形成させられるために、レジスト層
３０及びその下に形成された絶縁層１１は、斜めに削ら
れていき、前記絶縁層１１には、レジスト層３０の傾斜
面３０ｂ，３０ｂと連続する傾斜面１１ｃ，１１ｃが形
成される。

【０１０１】本発明では、絶縁層１１の反応性イオンエ
ッチングに対するエッチングレートは、ストッパ層１５
のエッチングレートに比べて大きいために、図７に示す
工程での反応性イオンエッチングでは、ストッパ層１５
が、薄い膜厚の部分（Ａの部分）しか削り取られないの
に対し、絶縁層１１は、それよりも多く削り取られ、前
記絶縁層１１には、ライトフリンジングの発生を効果的
に抑制できる程度の大きさの傾斜面１１ｃ，１１ｃを形
成することができる。

【０１０２】このように図７に示す工程では、トラック
幅規制溝内１１ａ内の下部コア層１０上に残されたスト
ッパ層１５を、反応性イオンエッチングにより確実に削
り取り、同時に絶縁層１１に、トラック幅規制溝１１ａ
の途中から前記絶縁層１１の表面１１ｂ，１１ｂにかけ
て徐々に間隔が広がる傾斜面１１ｃ，１１ｃを形成して
いる。

【０１０３】図８に示す工程では、絶縁層１１上に残さ
れたレジスト層３０を除去している。また前記トラック
幅規制溝１１ａの両側端面に付着した不純物等を、酸処
理などによって適正に除去している。

【０１０４】以上詳述した本発明における薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法では、下部コア層１０と絶縁層１１との間
に、前記絶縁層１１の反応性イオンエッチングに対する
エッチングレートよりも小さいエッチングレートを有す
る絶縁材料で形成されたストッパ層１５を設けている。

【０１０５】なお前記ストッパ層１５は、絶縁層１１に
対してＮ％のオーバーエッチングを行なった場合に、前
記ストッパ層１５が下部コア層１０上に残る程度の薄い
膜厚で形成されていることが好ましい。

【０１０６】そして本発明では、反応性イオンエッチン
グによって、絶縁層１１にトラック幅規制溝１１ａを形
成するが、この際、オーバーエッチングをかけることに
より、前記トラック幅規制溝１１ａ内の絶縁層１１を確
実に除去でき、前記トラック幅規制溝１１ａの底面に、
ストッパ層１５の表面を露出させる。なおオーバーエッ
チングを行なっても、前記ストッパ層１５の反応性イオ
ンエッチングに対するエッチングレートは小さいため
に、トラック幅規制溝１１ａの下に存在するストッパ層
１５は全て除去されず、前記トラック幅規制溝１１ａの
底面と下部コア層１０との間には、ストッパ層１５が残
された状態にされる。

【０１０７】そして前記ストッパ層１５を、反応性イオ
ンエッチングにより除去する。前記ストッパ層１５は、
エッチングレートの小さい絶縁材料で形成され、さらに
オーバーエッチングをかけた場合に、下部コア層１０上
に残る程度の薄い膜厚で形成されていると、エッチング
の制御を容易にすることができ、トラック幅規制溝１１
ａ下に存在するストッパ層１５を、完全にしかも容易に
除去することができる。

【０１０８】このようにして形成されたトラック幅規制
溝１１ａは、下部コア層１０の表面にまで確実に通じて
形成され、前記トラック幅規制溝１１ａ内に、絶縁層１
１やストッパ層１５が残されることはない。

【０１０９】そして本発明では、前記トラック幅規制溝
１１ａ内に、図１に示す下部コア層１０と磁気的に接続
する下部磁極層１２を、メッキ形成する。

【０１１０】前述のように、前記トラック幅規制溝１１
ａ内には、絶縁層１１やストッパ層１５が残されておら
ず完全に除去されているので、適性に下部コア層１０上
に下部磁極層１２をメッキ成長させることができ、下部
コア層１０と下部磁極層１２との磁気的な接続を、確実
に行なうことができる。

【０１１１】そして下部磁極層１２上に、ギャップ層１
３、上部磁極層１４を連続してメッキ形成し、さらに前
記上部磁極層１４上から絶縁層１１に形成された傾斜面
１１ｃ，１１ｃにかけて上部コア層１６をメッキ形成す
ると薄膜磁気ヘッドが完成する。

【０１１２】なお本発明では、溝１１ａ内の下部コア層
１０上に、ギャップ層１３を直接メッキ形成してもよい
し、また前記ギャップ層１３の上に、直接上部コア層１
６をメッキ形成してもよい。

【０１１３】なお上記の製造方法では、図７に示す工程
で、トラック幅規制溝１１ａ内に露出するストッパ層１
５の除去と、絶縁層１１への傾斜面１１ｃ，１１ｃの形
成を同じ反応性イオンエッチングにより行なっている
が、別々の工程で行なってもかまわない。

【０１１４】また、絶縁層１１とストッパ層１５の膜厚
と、各層のエッチングレートなどを総合的に考慮して、
前記絶縁層１１とストッパ層１５を、同じ反応性イオン
エッチングの工程により、一度に除去できるようにして
もよい。

【０１１５】図９ないし図１２に示す工程図は、図３に
示す薄膜磁気ヘッドの製造方法を示している。図９で
は、まず下部コア層１０上に、絶縁材料製のストッパ層
２０を形成し、前記ストッパ層２０上に、主絶縁層２１
を形成し、さらに前記主絶縁層２１上に副絶縁層２２を
形成する。

【０１１６】ここで本発明では、主絶縁層２１に使用さ
れた絶縁材料の反応性イオンエッチングに対するエッチ
ングレートよりも小さい絶縁材料を、ストッパ層２０及
び副絶縁層２２として選択する。

【０１１７】特に本発明では、前記ストッパ層１５及び
副絶縁層２２に使用される絶縁材料のエッチングレート
は、主絶縁層２１に使用される絶縁材料のエッチングレ
ートに比べて１０倍以上小さいことが好ましい。この条
件を満たすには、例えば前記主絶縁層２１を、ＳｉＯ₂
で形成し、前記ストッパ層１５及び副絶縁層２２を、Ａ
ｌ₂Ｏ₃及び／またはＳｉ₃Ｎ₄で形成することが好まし
い。

【０１１８】次に図９に示すように、前記副絶縁層２２
の上に、レジスト層３１を形成する。このレジスト層３
１には、露光現像により、所定の間隔３１ａがパターン
形成により開けられている。また前記間隔３１ａが露光
現像された後、ポストベーク処理により、前記間隔３１
ａの両側端面に、下部コア層１０から離れるに従って徐
々に間隔が広がる傾斜面３１ｂ，３１ｂを形成する。

【０１１９】次に図１０に示す工程では、前記レジスト
層３１に開けられた間隔３１ａから露出する副絶縁層２
２を、イオンミリングにより斜めに削って前記副絶縁層
２２に溝２２ｃを形成し、前記溝２２ｃの両側端部に、
前記レジスト層３１の傾斜面３１ｂ，３１ｂと連続する
傾斜面２２ａ，２２ａを形成する。

【０１２０】またこのイオンミリングによって、前記副
絶縁層２２の溝２２ｃは、主絶縁層２１にまで通じて形
成されるため、前記溝２２ｃからは主絶縁層２１が露出
し、露出した前記主絶縁層２１もまた、前記イオンミリ
ングによって若干削り取られる（図１０に示すＣの部
分）。

【０１２１】次に、図１０に示すレジスト層３１を除去
する。さらに反応性イオンエッチング法（ＲＩＥ法）に
より、副絶縁層２２に形成された溝２２ｃから露出する
主絶縁層２１を削り、前記主絶縁層２１にトラック幅規
制溝２１ａを形成する（図１１参照）。

【０１２２】ここで前述したように、副絶縁層２２の反
応性イオンエッチングに対するエッチングレートは、主
絶縁層２１のエッチングレートよりも小さくなってい
る。

【０１２３】このため、図１０に示すレジスト層３１を
除去しても、前記副絶縁層２２がマスクとしての役割を
果たし、前記反応性イオンエッチングにより、主絶縁層
２１が主に削られていき、前記主絶縁層２１に所定形状
のトラック幅規制溝２１ａを形成することができる。特
に本発明では図９に示すレジスト層３１に開けられた間
隔３１ａの幅寸法Ｔ１が、露光現像の際の解像度のほぼ
限界値で形成されていると、副絶縁層２２には、下部コ
ア層１０に向かうにしたがって前記幅寸法Ｔ１よりも徐
々に間隔が狭まるように傾斜する傾斜面２２ａ，２２ａ
が形成されるので、前記副絶縁層２２に形成された溝２
２ｃから露出する主絶縁層２１の幅寸法は、前記幅寸法
Ｔ１よりも小さい寸法、すなわちレジストの露光現像の
際の解像度以下の幅寸法で形成される。

【０１２４】したがって本発明では、前記主絶縁層２１
に、レジストの露光現像の際の解像度以下の幅寸法で、
トラック幅規制溝２１ａを形成することができ、今後の
さらなる狭トラック化に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製
造することができる。

【０１２５】また本発明では、主絶縁層２１にトラック
幅規制溝２１ａを形成するために使用される反応性イオ
ンエッチングの際に、オーバーエッチングを行なうこと
が好ましい。これにより主絶縁層２１を完全に突き抜け
るトラック幅規制溝２１ａを形成して前記溝２１ａ内に
主絶縁層２１が残されないようにでき、図１１に示すよ
うに前記トラック幅規制溝２１ａの下にストッパ層２０
を露出させることができる。

【０１２６】ここでストッパ層２０の上に形成された主
絶縁層２１のうち前記反応性イオンエッチングによって
除去する膜厚をＸ１、主絶縁層２１のエッチングレー
ト：ストッパ層２０のエッチングレートの比をＹ：１と
し、前記主絶縁層２１の膜厚Ｘ１に対するオーバーエッ
チング量をＮ％としたとき、前記ストッパ層の膜厚Ｘ２
を、Ｘ２≧（Ｘ１・Ｎ）／（Ｙ・１００）で形成するこ
とが好ましい（ただし、前記オーバーエッチング量と
は、主絶縁層２１と同じ材料を前記膜厚Ｘ１を越えてオ
ーバーエッチングしたと仮定したときに前記材料が前記
膜厚Ｘ１を越えて削られる量（Ｘ１・Ｎ／１００）から
求められる）。これにより、オーバーエッチングを行な
っても、前記主絶縁層２１に形成されたトラック幅規制
溝２１ａの底面と、下部コア層１０の表面との間には、
ストッパ層２０が残された状態にされる。

【０１２７】そして本発明では、反応性イオンエッチン
グにより、トラック幅規制溝２１ａ内の下部コア層１０
上に残されたストッパ層２０を除去する。

【０１２８】前述したように、前記ストッパ層２０は、
反応性イオンエッチングに対するエッチングレートが小
さい絶縁材料により形成され、さらに、主絶縁層２１に
対してオーバーエッチングを行なった場合に、下部コア
層１０上に残る程度の薄い膜厚で形成されていると、エ
ッチングの制御を容易にすることができ、トラック幅規
制溝２１ａ下に存在するストッパ層２０を、完全にしか
も容易に除去することができる。

【０１２９】このようにして形成されたトラック幅規制
溝２１ａは、下部コア層１０の表面にまで完全に通じ、
前記トラック幅規制溝２１ａ内には、主絶縁層２１やス
トッパ層２０の一部が残されることはない。

【０１３０】そして本発明では、前記トラック幅規制溝
２１ａ内に、図３に示す下部コア層１０と磁気的に接続
する下部磁極層１２を、メッキ形成する。

【０１３１】前述のように、前記トラック幅規制溝２１
ａ内には、主絶縁層２１やストッパ層２０が残されてお
らず完全に除去されているので、適性に下部コア層１０
上に下部磁極層１２をメッキ成長させることができ、下
部コア層１０と下部磁極層１２との磁気的な接続を、確
実に行なうことができる。

【０１３２】そして下部磁極層１２上に、ギャップ層１
３、上部磁極層１４を連続してメッキ形成し、さらに前
記上部磁極層１４上から副絶縁層２２に形成された傾斜
面２２ａ，２２ａにかけて上部コア層１６をメッキ形成
すると薄膜磁気ヘッドが完成する。

【０１３３】なお本発明では、溝２１ａ内の下部コア層
１０上に、ギャップ層１３を直接メッキ形成してもよい
し、また前記ギャップ層１３の上に、直接上部コア層１
６をメッキ形成してもよい。

【０１３４】

【発明の効果】以上詳述した本発明によれば、下部コア
層上と絶縁層との間に、前記絶縁層の反応性イオンエッ
チングに対するエッチングレートよりも小さいエッチン
グレートを有するストッパ層を設けることにより、前記
絶縁層の表面から底面にまで確実に通じるトラック幅規
制溝を形成することができる。なお前記溝の形成の際に
オーバーエッチングを行なうことが好ましい。

【０１３５】また前記ストッパ層は、エッチングレート
の小さい絶縁材料で形成され、さらに、前記ストッパ層
を、前記絶縁層に対しオーバーエッチングを行なったと
きに、下部コア層上に残される程度の薄い膜厚で形成す
ることにより、絶縁層のトラック幅規制溝の下に残され
たストッパ層を除去する際に、エッチングの制御性を容
易ならしめることができ、確実に前記ストッパ層を除去
することができる。

【０１３６】このように、下部コア層の表面にまで確実
に通じ、絶縁層やストッパ層が残存しないトラック幅規
制溝を形成することにより、前記溝内に磁極層等を、適
切にメッキ成長させて形成でき、記録特性の良好な薄膜
磁気ヘッドを製造することが可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の薄膜磁気ヘッド（インダクティブヘッ
ド）のＡＢＳ面構造を示す部分正面図、

【図２】図１に示す２−２線から切断した薄膜磁気ヘッ
ドを、矢印方向から見た部分断面図、

【図３】本発明の他の薄膜磁気ヘッドのＡＢＳ面構造を
示す部分正面図、

【図４】図１に示す本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
を示す一工程図、

【図５】図４に示す製造工程の次に行なわれる一工程
図、

【図６】図５に示す製造工程の次に行なわれる一工程
図、

【図７】図６に示す製造工程の次に行なわれる一工程
図、

【図８】図７に示す製造工程の次に行なわれる一工程
図、

【図９】図３に示す本発明の他の薄膜磁気ヘッドの製造
方法を示す一工程図、

【図１０】図９に示す製造工程の次に行なわれる一工程
図、

【図１１】図１０に示す製造工程の次に行なわれる一工
程図、

【図１２】図１１に示す製造工程の次に行なわれる一工
程図、

【図１３】従来の薄膜磁気ヘッド（インダクティブヘッ
ド）のＡＢＳ面構造を示す部分正面図、

【図１４】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す一工
程図、

【図１５】図１４に示す製造工程の次に行なわれる一工
程図、

【符号の説明】

１０下部コア層１１絶縁層１１ａ、２１ａトラック幅規制溝１２下部磁極層１３ギャップ層１４上部磁極層１５、２０ストッパ層１６上部コア層１７Ｇｄ決め絶縁層１８コイル層１９コイル絶縁層２１主絶縁層２２副絶縁層３０、３１レジスト層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】下部コア層と、上部コア層と、両コア層
の間に位置する少なくとも１層の絶縁層とを有し、前記
絶縁層にはトラック幅規制溝が形成され、このトラック
幅規制溝内に、前記下部コア層と連続する下部磁極層及
び／または上部コア層と連続する上部磁極層、ならびに
前記一方のコア層とこれに対向する前記一方の磁極層と
の間または両磁極層の間に位置するギャップ層が設けら
れており、前記下部コア層と前記絶縁層との間には、前記トラック
幅規制溝を除いた部分にストッパ層が介在しており、こ
のストッパ層は、前記絶縁層の反応性イオンエッチング
に対するエッチングレートよりも小さいエッチングレー
トを有する絶縁材料で形成されていることを特徴とする
薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】前記ストッパ層は、絶縁層よりも薄い膜
厚で形成されている請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】前記ストッパ層の反応性イオンエッチン
グに対するエッチングレートは、絶縁層の前記エッチン
グレートに比べて１０倍以上小さい請求項１または２に
記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】前記絶縁層は、ＳｉＯ₂で形成され、前
記ストッパ層は、Ａｌ₂Ｏ₃及び／またはＳｉ₃Ｎ₄で形成
されている請求項３記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】下部コア層、絶縁層、上部コア層が順に
積層されて成る薄膜磁気ヘッドの製造方法において、下部コア層上に、絶縁材料製のストッパ層を形成する工
程と、前記ストッパ層の上に、前記ストッパ層に使用された絶
縁材料の反応性イオンエッチングに対するエッチングレ
ートよりも大きいエッチングレートの絶縁材料による少
なくとも１層の絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層上に、所定の間隔を開けてマスクを形成する
工程と、前記間隔内に露出する前記絶縁層を反応性イオンエッチ
ングで削り、前記間隔内で、前記ストッパ層が露出する
まで前記絶縁層を除去してトラック幅規制溝を形成する
工程と、前記トラック幅規制溝内に露出するストッパ層を、反応
性イオンエッチングにより除去し、下部コア層を露出さ
せる工程と、前記トラック幅規制溝内で、前記下部コア層と連続する
下部磁極層および前記下部磁極層の上にギャップ層を形
成する工程、または前記下部コア層の上にギャップ層を
形成する工程と、前記トラック幅規制溝内で前記ギャップ層の上に上部磁
極層を形成し、さらに上部磁極層の上に上部コア層を形
成する工程、または前記ギャップ層の上に直接上部コア
層を形成する工程と、を有することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項６】前記絶縁層を反応性イオンエッチングで
削る際に、前記絶縁層をその膜厚以上に削るオーバーエ
ッチングを行なって前記間隔内で前記絶縁層を完全に除
去してトラック幅規制溝を形成し、且つ前記オーバーエ
ッチングは、トラック幅規制溝の下に前記ストッパ層が
残される程度に行なう請求項５記載の薄膜磁気ヘッドの
製造方法。
【請求項７】ストッパ層の上に形成された絶縁層のう
ち前記反応性イオンエッチングによって除去する膜厚を
Ｘ１、絶縁層のエッチングレート：ストッパ層のエッチ
ングレートの比をＹ：１とし、前記絶縁層の膜厚Ｘ１に
対するオーバーエッチング量をＮ％としたとき、前記ス
トッパ層の膜厚Ｘ２を、Ｘ２≧（Ｘ１・Ｎ）／（Ｙ・１
００）で形成する請求項６記載の薄膜磁気ヘッドの製造
方法（ただし、前記オーバーエッチング量とは、絶縁層
と同じ材料を前記膜厚Ｘ１を越えてオーバーエッチング
したと仮定したときに前記材料が前記膜厚Ｘ１を越えて
削られる量（Ｘ１・Ｎ／１００）から求められる）。
【請求項８】前記ストッパ層に使用される絶縁材料の
エッチングレートは、絶縁層に使用される絶縁材料のエ
ッチングレートに比べて１０倍以上小さい請求項５ない
し７のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項９】前記絶縁層を、ＳｉＯ₂で形成し、前記
ストッパ層を、Ａｌ₂Ｏ₃及び／またはＳｉ₃Ｎ₄で形成す
る請求項８記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。