JP2001022082A - レジスト下層膜用組成物の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】レジストパターンの再現性、レジストとの密着
性、現像液に対する耐性に優れ、レジストの酸素アッシ
ング時の膜減りの少ないレジスト下層膜用組成物の製造
方法を提供する。 【解決手段】一般式（１）又は（２）からなる群から選
ばれる少なくとも一種の化合物を一般式（３）で表され
る有機溶剤と触媒の存在下で加水分解及び／又は縮合さ
せる。 Ｒ¹ _aＳｉ（ＯＲ²）_4-a・・・・・（１） Ｒ³ _b（Ｒ⁴Ｏ）_3-bＳｉ−（Ｒ⁷）_d−Ｓｉ（ＯＲ⁵）_3-cＲ
⁶ _c・・・・・（２） Ｒ⁸Ｏ（Ｒ¹²Ｏ）_eＲ⁹・・・・・（３） （Ｒ¹は水素原子、フッ素原子又は１価の有機基を、Ｒ²
〜Ｒ⁶は１価の有機基を、Ｒ⁷は酸素原子又は（ＣＨ₂）_n
−を、ａ〜ｃは０〜２、ｄは０又は１、ｎは１〜６の数
を示す。）

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はレジスト下層膜用組
成物の製造方法に関し、さらに詳しくは、レジストパタ
ーンの再現性に優れ、レジストとの密着性に優れ、レジ
ストを露光した後に使用する現像液に対する耐性に優
れ、かつレジストの酸素アッシング時の膜減りの少ない
レジスト下層膜用組成物の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体用素子等のパターン形成には、リ
ソグラフィー技術、レジスト現像プロセス、並びにレジ
スト現像後のパターン転写により、有機材料や無機材料
の微細加工が行われている。しかしながら、半導体素子
等の高集積化が進むとともに、露光工程でパターンを正
確にレジストに転写することが困難となり、被基板加工
工程で加工寸法に狂いが生ずることがある。そこで、加
工寸法が狂う原因である定在波の影響を軽減する反射防
止膜が、微細加工プロセスで必須となる。このような反
射防止膜として、レジストと基板との間に形成する下層
反射防止膜が挙げられる。

【０００３】一方、シリコン酸化膜や層間絶縁膜などの
基板を加工する際、レジストパターンをマスクとする
が、微細化とともにレジスト膜厚も薄膜化するためにレ
ジストのマスク性が不足し、ダメージを与えずに酸化膜
を加工することが困難となる。そこで、レジストパター
ンをまず酸化膜・層間絶縁膜加工用下層膜に転写したの
ち、該膜をマスクとして酸化膜・層間絶縁膜をドライエ
ッチ加工するプロセスがとられる。酸化膜・層間絶縁膜
加工用下層膜とは、下層反射防止膜を兼ねるものや、反
射防止膜の下層に形成される膜を指す。このプロセスで
は、レジストと酸化膜・層間絶縁膜加工用下層膜のエッ
チング速度が近いため、レジストと該下層膜との間に、
該下層膜を加工できるマスクを形成する必要がある。つ
まり、酸化膜上に、酸化膜・層間絶縁膜加工用下層膜−
下層膜加工用マスク−レジストの多層膜が構成されるこ
とになる。

【０００４】下層膜加工用マスクに要求される特性とし
て、裾引きなどのないレジストパターンが形成できるこ
と、レジストとの密着性に優れること、酸化膜加工用下
層膜を加工する際に十分なマスク性があること、溶液と
しての保存安定性にすぐれることが挙げられるが、すべ
ての要求を満たす材料は見あたらない。

【０００５】本発明は、上記問題点を解決するため、レ
ジストの下層に設けることにより、レジストはがれがな
くパターンの再現性を向上させ、アルカリおよびレジス
ト除去時の酸素アッシングに対して耐性の有り、かつ保
存安定性に優れたレジスト下層用組成物を提供すること
を目的とする。

【０００６】本発明は、（Ａ）（Ａ−１）下記一般式
（１）で表される化合物 Ｒ¹ _aＳｉ（ＯＲ²）_4-a ・・・・・（１） （Ｒ¹は水素原子、フッ素原子または１価の有機基を示
し、Ｒ²は１価の有機基を示し、ａは０〜２の整数を表
す。）および（Ａ−２）下記一般式（２) で表される化
合物 Ｒ³ _b（Ｒ⁴Ｏ）_3-bＳｉ−（Ｒ⁷）_d−Ｓｉ（ＯＲ⁵）_3-cＲ⁶ _c ・・・・・（２) （Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵およびＲ⁶は、同一でも異なっていても
よく、それぞれ１価の有機基を示し、ｂおよびｃは、同
一でも異なっていてもよく、０〜２の数を示し、Ｒ⁷は
酸素原子または−（ＣＨ₂）_n−を示し、ｄは０または１
を示し、ｎは１〜６の数を示す。）からなる群より選ば
れる少なくとも１種の化合物（以下、「化合物（１）」
という）を下記一般式（３）で表される有機溶剤と触媒
の存在下で加水分解および／または縮合することを特徴
とするレジスト下層膜用組成物の製造方法を提供するも
のである。 Ｒ⁸Ｏ（Ｒ¹²Ｏ）_eＲ⁹ ・・・・・（３） （Ｒ⁸およびＲ⁹は、それぞれ独立して水素原子、炭素数
１〜６のアルキル基、アルコキシカルボニル基およびフ
ェニル基から選ばれる１価の有機基を示し、Ｒ¹²はアル
キレン基を示し、ｅは１〜２の整数を表す。）

【０００７】（Ａ）成分 （Ａ−１）成分 上記一般式（１）において、Ｒ¹およびＲ²の１価の有機
基としては、アルキル基、アリール基、アリル基、グリ
シジル基などを挙げることができる。また、一般式
（１）において、Ｒ¹は１価の有機基、特にアルキル基
またはフェニル基であることが好ましい。ここで、アル
キル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブ
チル基などが挙げられ、好ましくは炭素数１〜５であ
り、これらのアルキル基は鎖状でも、分岐していてもよ
く、さらに水素原子がフッ素原子などに置換されていて
もよい。一般式（１）において、アリール基としては、
フェニル基、ナフチル基、メチルフェニル基、エチルフ
ェニル基、クロロフェニル基、ブロモフェニル基、フル
オロフェニル基などを挙げることができる。

【０００８】一般式（１）で表される化合物の具体例と
しては、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン、ト
リ−ｎ−プロポキシシラン、トリ−ｉｓｏ−プロポキシ
シラン、トリ−ｎ−ブトキシシラン、トリ−ｓｅｃ−ブ
トキシシラン、トリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、トリ
フェノキシシラン、フルオロトリメトキシシラン、フル
オロトリエトキシシラン、フルオロトリ−ｎ−プロポキ
シシラン、フルオロトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、
フルオロトリ−ｎ−ブトキシシラン、フルオロトリ−ｓ
ｅｃ−ブトキシシラン、フルオロトリ−ｔｅｒｔ−ブト
キシシラン、フルオロトリフェノキシシラン、テトラメ
トキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ−ｎ−プ
ロポキシシラン、テトラ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、
テトラ−ｎ−ブトキシラン、テトラ−ｓｅｃ−ブトキシ
シラン、テトラ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、テトラフ
ェノキシシランなど；メチルトリメトキシシラン、メチ
ルトリエトキシシラン、メチルトリ−ｎ−プロポキシシ
ラン、メチルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、メチル
トリ−ｎ−ブトキシシラン、メチルトリ−ｓｅｃ−ブト
キシシラン、メチルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、
メチルトリフェノキシシラン、エチルトリメトキシシラ
ン、エチルトリエトキシシラン、エチルトリ−ｎ−プロ
ポキシシラン、エチルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラ
ン、エチルトリ−ｎ−ブトキシシラン、エチルトリ−ｓ
ｅｃ−ブトキシシラン、エチルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキ
シシラン、エチルトリフェノキシシラン、ビニルトリメ
トキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリ
−ｎ−プロポキシシラン、ビニルトリ−ｉｓｏ−プロポ
キシシラン、ビニルトリ−ｎ−ブトキシシラン、ビニル
トリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ビニルトリ−ｔｅｒｔ
−ブトキシシラン、ビニルトリフェノキシシラン、ｎ−
プロピルトリメトキシシラン、ｎ−プロピルトリエトキ
シシラン、ｎ−プロピルトリ−ｎ−プロポキシシラン、
ｎ−プロピルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ｎ−プ
ロピルトリ−ｎ−ブトキシシラン、ｎ−プロピルトリ−
ｓｅｃ−ブトキシシラン、ｎ−プロピルトリ−ｔｅｒｔ
−ブトキシシラン、ｎ−プロピルトリフェノキシシラ
ン、ｉ−プロピルトリメトキシシラン、ｉ−プロピルト
リエトキシシラン、ｉ−プロピルトリ−ｎ−プロポキシ
シラン、ｉ−プロピルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラ
ン、ｉ−プロピルトリ−ｎ−ブトキシシラン、ｉ−プロ
ピルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ｉ−プロピルトリ
−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ｉ−プロピルトリフェノ
キシシラン、ｎ−ブチルトリメトキシシラン、ｎ−ブチ
ルトリエトキシシラン、ｎ−ブチルトリ−ｎ−プロポキ
シシラン、ｎ−ブチルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラ
ン、ｎ−ブチルトリ−ｎ−ブトキシシラン、ｎ−ブチル
トリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ｎ−ブチルトリ−ｔｅ
ｒｔ−ブトキシシラン、ｎ−ブチルトリフェノキシシラ
ン、ｓｅｃ−ブチルトリメトキシシラン、ｓｅｃ−ブチ
ル−ｉ−トリエトキシシラン、ｓｅｃ−ブチル−トリ−
ｎ−プロポキシシラン、ｓｅｃ−ブチル−トリ−ｉｓｏ
−プロポキシシラン、ｓｅｃ−ブチル−トリ−ｎ−ブト
キシシラン、ｓｅｃ−ブチル−トリ−ｓｅｃ−ブトキシ
シラン、ｓｅｃ−ブチル−トリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシ
ラン、ｓｅｃ−ブチル−トリフェノキシシラン、ｔ−ブ
チルトリメトキシシラン、ｔ−ブチルトリエトキシシラ
ン、ｔ−ブチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、ｔ−ブチ
ルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ｔ−ブチルトリ−
ｎ−ブトキシシラン、ｔ−ブチルトリ−ｓｅｃ−ブトキ
シシラン、ｔ−ブチルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラ
ン、ｔ−ブチルトリフェノキシシラン、フェニルトリメ
トキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、フェニル
トリ−ｎ−プロポキシシラン、フェニルトリ−ｉｓｏ−
プロポキシシラン、フェニルトリ−ｎ−ブトキシシラ
ン、フェニルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、フェニル
トリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、フェニルトリフェノ
キシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエ
トキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラ
ン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−グリ
シドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキ
シプロピルトリエトキシシラン、γ−トリフロロプロピ
ルトリメトキシシラン、γ−トリフロロプロピルトリエ
トキシシランなど；ジメチルジメトキシシラン、ジメチ
ルジエトキシシラン、ジメチル−ジ−ｎ−プロポキシシ
ラン、ジメチル−ジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジメ
チル−ジ−ｎ−ブトキシシラン、ジメチル−ジ−ｓｅｃ
−ブトキシシラン、ジメチル−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシ
シラン、ジメチルジフェノキシシラン、ジエチルジメト
キシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジエチル−ジ
−ｎ−プロポキシシラン、ジエチル−ジ−ｉｓｏ−プロ
ポキシシラン、ジエチル−ジ−ｎ−ブトキシシラン、ジ
エチル−ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジエチル−ジ−
ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジエチルジフェノキシシラ
ン、ジ−ｎ−プロピルジメトキシシラン、ジ−ｎ−プロ
ピルジエトキシシラン、ジ−ｎ−プロピル−ジ−ｎ−プ
ロポキシシラン、ジ−ｎ−プロピル−ジ−ｉｓｏ−プロ
ポキシシラン、ジ−ｎ−プロピル−ジ−ｎ−ブトキシシ
ラン、ジ−ｎ−プロピル−ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラ
ン、ジ−ｎ−プロピル−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラ
ン、ジ−ｎ−プロピル−ジ−フェノキシシラン、ジ−ｉ
ｓｏ−プロピルジメトキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピ
ルジエトキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピル−ジ−ｎ−
プロポキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピル−ジ−ｉｓｏ
−プロポキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピル−ジ−ｎ−
ブトキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピル−ジ−ｓｅｃ−
ブトキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピル−ジ−ｔｅｒｔ
−ブトキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピル−ジ−フェノ
キシシラン、ジ−ｎ−ブチルジメトキシシラン、ジ−ｎ
−ブチルジエトキシシラン、ジ−ｎ−ブチル−ジ−ｎ−
プロポキシシラン、ジ−ｎ−ブチル−ジ−ｉｓｏ−プロ
ポキシシラン、ジ−ｎ−ブチル−ジ−ｎ−ブトキシシラ
ン、ジ−ｎ−ブチル−ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジ
−ｎ−ブチル−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジ−ｎ
−ブチル−ジ−フェノキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチル
ジメトキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジエトキシシラ
ン、ジ−ｓｅｃ−ブチル−ジ−ｎ−プロポキシシラン、
ジ−ｓｅｃ−ブチル−ジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、
ジ−ｓｅｃ−ブチル−ジ−ｎ−ブトキシシラン、ジ−ｓ
ｅｃ−ブチル−ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジ−ｓｅ
ｃ−ブチル−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジ−ｓｅ
ｃ−ブチル−ジ−フェノキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブ
チルジメトキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジエトキ
シシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−ｎ−プロポキシ
シラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−ｉｓｏ−プロポキ
シシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−ｎ−ブトキシシ
ラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−ｓｅｃ−ブトキシシ
ラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシ
シラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−フェノキシシラ
ン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニル−ジ−エ
トキシシラン、ジフェニル−ジ−ｎ−プロポキシシラ
ン、ジフェニル−ジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジフ
ェニル−ジ−ｎ−ブトキシシラン、ジフェニル−ジ−ｓ
ｅｃ−ブトキシシラン、ジフェニル−ジ−ｔｅｒｔ−ブ
トキシシラン、ジフェニルジフェノキシシラン、ジビニ
ルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキ
シシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ
−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリ
シドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−トリフロロ
プロピルトリメトキシシラン、γ−トリフロロプロピル
トリエトキシシランなど；を挙げることができる。（Ａ
−１）成分のうち、好ましくは、テトラメトキシシラ
ン、テトラエトキシシラン、テトラ−ｎ−プロポキシシ
ラン、テトラ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、テトラフェ
ノキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリ
エトキシシラン、メチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、
メチルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、エチルトリメ
トキシシラン、エチルトリエトキシシラン、ビニルトリ
メトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、 ｉ−プ
ロピルトリメトキシシラン、ｉ−プロピルトリエトキシ
シラン、 ｎ−ブチルトリメトキシシラン、ｎ−ブチル
トリエトキシシラン、ｉ−ブチルトリメトキシシラン、
ｉ−ブチルトリエトキシシラン、ｔｅｒｔ−ブチルトリ
メトキシシラン、ｔｅｒｔ−ブチルトリエトキシシラ
ン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキ
シシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエト
キシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエ
トキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニ
ルジエトキシシラン、トリメチルモノメトキシシラン、
トリメチルモノエトキシシラン、トリエチルモノメトキ
シシラン、トリエチルモノエトキシシラン、トリフェニ
ルモノメトキシシラン、トリフェニルモノエトキシシラ
ンなどを挙げることができる。これらは、１種あるいは
２種以上を同時に使用してもよい。

【０００９】（Ａ−２）成分 上記一般式（２）において、１価の有機基としては、先
の一般式（１）と同様な有機基を挙げることができる。
一般式（２）のうち、Ｒ⁷が酸素原子の化合物として
は、ヘキサメトキシジシロキサン、ヘキサエトキシジシ
ロキサン、ヘキサフェノキシジシロキサン、１，１，
１，３，３−ペンタメトキシ−３−メチルジシロキサ
ン、１，１，１，３，３−ペンタエトキシ−３−メチル
ジシロキサン、１，１，１，３，３−ペンタメトキシ−
３−フェニルジシロキサン、１，１，１，３，３−ペン
タエトキシ−３−フェニルジシロキサン、１，１，３，
３−テトラメトキシ−１，３−ジメチルジシロキサン、
１，１，３，３−テトラエトキシ−１，３−ジメチルジ
シロキサン、１，１，３，３−テトラメトキシ−１，３
−ジフェニルジシロキサン、１，１，３，３−テトラエ
トキシ−１，３−ジフェニルジシロキサン、１，１，３
−トリメトキシ−１，３，３−トリメチルジシロキサ
ン、１，１，３−トリエトキシ−１，３，３−トリメチ
ルジシロキサン、１，１，３−トリメトキシ−１，３，
３−トリフェニルジシロキサン、１，１，３−トリエト
キシ−１，３，３−トリフェニルジシロキサン、１，３
−ジメトキシ−１，１，３，３−テトラメチルジシロキ
サン、１，３−ジエトキシ−１，１，３，３−テトラメ
チルジシロキサン、１，３−ジメトキシ−１，１，３，
３−テトラフェニルジシロキサン、１，３−ジエトキシ
−１，１，３，３−テトラフェニルジシロキサンなどを
挙げることができる。これらのうち、ヘキサメトキシジ
シロキサン、ヘキサエトキシジシロキサン、１，１，
３，３−テトラメトキシ−１，３−ジメチルジシロキサ
ン、１，１，３，３−テトラエトキシ−１，３−ジメチ
ルジシロキサン、１，１，３，３−テトラメトキシ−
１，３−ジフェニルジシロキサン、１，３−ジメトキシ
−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、１，３
−ジエトキシ−１，１，３，３−テトラメチルジシロキ
サン、１，３−ジメトキシ−１，１，３，３−テトラフ
ェニルジシロキサン、１，３−ジエトキシ−１，１，
３，３−テトラフェニルジシロキサンなどを、好ましい
例として挙げることができる。一般式（２）においてｄ
が０の化合物としては、ヘキサメトキシジシラン、ヘキ
サエトキシジシラン、ヘキサフェニキシジシラン、１，
１，１，２，２−ペンタメトキシ−２−メチルジシラ
ン、１，１，１，２，２−ペンタエトキシ−２−メチル
ジシラン、１，１，１，２，２−ペンタメトキシ−２−
フェニルジシラン、１，１，１，２，２−ペンタエトキ
シ−２−フェニルジシラン、１，１，２，２−テトラメ
トキシ−１，２−ジメチルジシラン、１，１，２，２−
テトラエトキシ−１，２−ジメチルジシラン、１，１，
２，２−テトラメトキシ−１，２−ジフェニルジシラ
ン、１，１，２，２−テトラエトキシ−１，２−ジフェ
ニルジシラン、１，１，２−トリメトキシ−１，２，２
−トリメチルジシラン、１，１，２−トリエトキシ−
１，２，２−トリメチルジシラン、１，１，２−トリメ
トキシ−１，２，２−トリフェニルジシラン、１，１，
２−トリエトキシ−１，２，２−トリフェニルジシラ
ン、１，２−ジメトキシ−１，１，２，２−テトラメチ
ルジシラン、１，２−ジエトキシ−１，１，２，２−テ
トラメチルジシラン、１，２−ジメトキシ−１，１，
２，２−テトラフェニルジシラン、１，２−ジエトキシ
−１，１，２，２−テトラフェニルジシランなどを、一
般式（２）においてＲ⁷が−（ＣＨ₂）_n−の化合物とし
ては、ビス（ヘキサメトキシシリル）メタン、ビス（ヘ
キサエトキシシリル）メタン、ビス（ヘキサフェノキシ
シリル）メタン、ビス（ジメトキシメチルシリル）メタ
ン、ビス（ジエトキシメチルシリル）メタン、ビス（ジ
メトキシフェニルシリル）メタン、ビス（ジエトキシフ
ェニルシリル）メタン、ビス（メトキシジメチルシリ
ル）メタン、ビス（エトキシジメチルシリル）メタン、
ビス（メトキシジフェニルシリル）メタン、ビス（エト
キシジフェニルシリル）メタン、ビス（ヘキサメトキシ
シリル）エタン、ビス（ヘキサエトキシシリル）エタ
ン、ビス（ヘキサフェノキシシリル）エタン、ビス（ジ
メトキシメチルシリル）エタン、ビス（ジエトキシメチ
ルシリル）エタン、ビス（ジメトキシフェニルシリル）
エタン、ビス（ジエトキシフェニルシリル）エタン、ビ
ス（メトキシジメチルシリル）エタン、ビス（エトキシ
ジメチルシリル）エタン、ビス（メトキシジフェニルシ
リル）エタン、ビス（エトキシジフェニルシリル）エタ
ン、１，３−ビス（ヘキサメトキシシリル）プロパン、
１，３−ビス（ヘキサエトキシシリル）プロパン、１，
３−ビス（ヘキサフェノキシシリル）プロパン、１，３
−ビス（ジメトキシメチルシリル）プロパン、１，３−
ビス（ジエトキシメチルシリル）プロパン、１，３−ビ
ス（ジメトキシフェニルシリル）プロパン、１，３−ビ
ス（ジエトキシフェニルシリル）プロパン、１，３−ビ
ス（メトキシジメチルシリル）プロパン、１，３−ビス
（エトキシジメチルシリル）プロパン、１，３−ビス
（メトキシジフェニルシリル）プロパン、１，３−ビス
（エトキシジフェニルシリル）プロパンなどを挙げるこ
とができる。これらのうち、ヘキサメトキシジシラン、
ヘキサエトキシジシラン、ヘキサフェニキシジシラン、
１，１，２，２−テトラメトキシ−１，２−ジメチルジ
シラン、１，１，２，２−テトラエトキシ−１，２−ジ
メチルジシラン、１，１，２，２−テトラメトキシ−
１，２−ジフェニルジシラン、１，１，２，２−テトラ
エトキシ−１，２−ジフェニルジシラン、１，２−ジメ
トキシ−１，１，２，２−テトラメチルジシラン、１，
２−ジエトキシ−１，１，２，２−テトラメチルジシラ
ン、１，２−ジメトキシ−１，１，２，２−テトラフェ
ニルジシラン、１，２−ジエトキシ−１，１，２，２−
テトラフェニルジシラン、ビス（ヘキサメトキシシリ
ル）メタン、ビス（ヘキサエトキシシリル）メタン、ビ
ス（ジメトキシメチルシリル）メタン、ビス（ジエトキ
シメチルシリル）メタン、ビス（ジメトキシフェニルシ
リル）メタン、ビス（ジエトキシフェニルシリル）メタ
ン、ビス（メトキシジメチルシリル）メタン、ビス（エ
トキシジメチルシリル）メタン、ビス（メトキシジフェ
ニルシリル）メタン、ビス（エトキシジフェニルシリ
ル）メタンを、好ましい例として挙げることができる。
本発明において、（Ａ）成分としては、上記（Ａ−１）
成分および（Ａ−２）成分、もしくはいずれか一方を用
い、（Ａ−１）成分および（Ａ−２）成分はそれぞれ２
種以上用いることもできる。

【００１０】本発明において、化合物（１）が下記ま
たはであること、特にである場合がレジストに対す
る密着性がより良好である点で特に好ましい。 下記一般式（５）で表される化合物 Ｓｉ（ＯＲ²）₄ （５） （Ｒ²は、１価の有機基を示し、具体例は前記一般式
（１）と同じである） 上記一般式（５）で表される化合物および下記一般式
（６）で表される化合物 Ｒ¹ _nＳｉ（ＯＲ²）_4-n （６） （Ｒ¹およびＲ²は、同一でも異なっていても良く、それ
ぞれ１価の有機基を示し、具体例は一般式（１）と同じ
であり、ｎは１〜２の整数を示す。） 上記の場合一般式（６）で表される化合物（完全加水
分解縮合物換算）は一般式（５）で表される化合物（完
全加水分解縮合物換算）１００重量部に対して０．５〜
３０重量部、より好ましくは０．５〜２５重量部であ
る。

【００１１】また、化合物（１）を２種以上使用する場
合には、(a)２種以上の化合物（１）を混合後に加水分
解、縮合してもよいし、（ｂ）２種以上の化合物（１）
をそれぞれ別個に加水分解、縮合した後混合して使用し
てもよいが、特に（ｂ）が好ましい。

【００１２】本発明において、化合物（１）の加水分
解、縮合は前記一般式（３）で表される有機溶媒の存在
下に行われる。一般式（３）において、Ｒ⁹およびＲ¹⁰
のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル
基、ブチル基、ヘキシル基などを挙げることができ、Ｒ
12のアルキレン基としては、エチレン基、n-プロピレン
基、ｉ−プロピレン基、n−ブチレン基、ｉ−ブチレン
基など炭素数２〜６のアルキレン基を挙げることができ
る。一般式（３）で表される有機溶剤としては、エチレ
ングリコール、プロピレングリコール、１，３−ブチレ
ングリコール、ペンタンジオール−２，４、２−メチル
ペンタンジオール−２，４、ヘキサンジオール−２，
５、ヘプタンジオール−２，４、２−エチルヘキサンジ
オール−１，３、ジエチレングリコール、ジプロピレン
グリコール、トリエチレングリコール、エチレングリコ
ールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチ
ルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エ
チレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、エチレン
グリコールモノ−ｎ−ヘキシルエーテル、エチレングリ
コールモノフェニルエーテル、エチレングリコールモノ
−２−エチルブチルエーテル、エチレングリコールジブ
チルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテ
ル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチ
レングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコー
ルモノ−ｎ−ブチルエーテル、ジエチレングリコールジ
−ｎ−ブチルエーテル、ジエチレングリコールモノ−ｎ
−ヘキシルエーテル、プロピレングリコールモノメチル
エーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、
プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレ
ングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコ
ールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノ
エチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピル
エーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル
などを挙げることができる。これらの中でも、式Ｒ⁸Ｏ
（ＣＨＣＨ₃ＣＨ₂Ｏ）_eＲ⁹で表される有機溶媒がもっと
も好ましい。

【００１３】本発明においては前記一般式（３）で表さ
れる有機溶剤以外に全有機溶媒の５０重量％未満となる
量で他の有機溶剤を使用することもできる。他の有機溶
剤としては、例えばｎ−ペンタン、ｉ−ペンタン、ｎ−
ヘキサン、ｉ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、ｉ−ヘプタ
ン、２，２，４−トリメチルペンタン、ｎ−オクタン、
ｉ−オクタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン
等の脂肪族炭化水素系溶媒；ベンゼン、トルエン、キシ
レン、エチルベンゼン、トリメチルベンゼン、メチルエ
チルベンゼン、ｎ−プロピルベンセン、ｉ−プロピルベ
ンセン、ジエチルベンゼン、ｉ−ブチルベンゼン、トリ
エチルベンゼン、ジ−ｉ−プロピルベンセン、ｎ−アミ
ルナフタレン、トリメチルベンゼン等の芳香族炭化水素
系溶媒；メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、
ｉ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ｉ−ブタノール、
ｓｅｃ−ブタノール、ｔ−ブタノール、ｎ−ペンタノー
ル、ｉ−ペンタノール、２−メチルブタノール、ｓｅｃ
−ペンタノール、ｔ−ペンタノール、３−メトキシブタ
ノール、ｎ−ヘキサノール、２−メチルペンタノール、
ｓｅｃ−ヘキサノール、２−エチルブタノール、ｓｅｃ
−ヘプタノール、ヘプタノール−３、ｎ−オクタノー
ル、２−エチルヘキサノール、ｓｅｃ−オクタノール、
ｎ−ノニルアルコール、２，６−ジメチルヘプタノール
−４、ｎ−デカノール、ｓｅｃ−ウンデシルアルコー
ル、トリメチルノニルアルコール、ｓｅｃ−テトラデシ
ルアルコール、ｓｅｃ−ヘプタデシルアルコール、フェ
ノール、シクロヘキサノール、メチルシクロヘキサノー
ル、３，３，５−トリメチルシクロヘキサノール、ベン
ジルアルコール、フェニルメチルカルビノール、ジアセ
トンアルコール、クレゾール等のモノアルコール系溶
媒；アセトン、メチルエチルケトン、メチル−ｎ−プロ
ピルケトン、メチル−ｎ−ブチルケトン、ジエチルケト
ン、メチル−ｉ−ブチルケトン、メチル−ｎ−ペンチル
ケトン、エチル−ｎ−ブチルケトン、メチル−ｎ−ヘキ
シルケトン、ジ−ｉ−ブチルケトン、トリメチルノナノ
ン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、２，
４−ペンタンジオン、アセトニルアセトン、ジアセトン
アルコール、アセトフェノン、フェンチョン等のケトン
系溶媒；エチルエーテル、ｉ−プロピルエーテル、ｎ−
ブチルエーテル、ｎ−ヘキシルエーテル、２−エチルヘ
キシルエーテル、エチレンオキシド、１，２−プロピレ
ンオキシド、ジオキソラン、４−メチルジオキソラン、
ジオキサン、ジメチルジオキサン、トリプロピレングリ
コールモノメチルエーテル、テトラヒドロフラン、２−
メチルテトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒；ジエチ
ルカーボネート、酢酸メチル、酢酸エチル、γ−ブチロ
ラクトン、γ−バレロラクトン、酢酸ｎ−プロピル、酢
酸ｉ−プロピル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸ｉ−ブチル、酢
酸ｓｅｃ−ブチル、酢酸ｎ−ペンチル、酢酸ｓｅｃ−ペ
ンチル、酢酸３−メトキシブチル、酢酸メチルペンチ
ル、酢酸２−エチルブチル、酢酸２−エチルヘキシル、
酢酸ベンジル、酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロ
ヘキシル、酢酸ｎ−ノニル、アセト酢酸メチル、アセト
酢酸エチル、酢酸エチレングリコールモノメチルエーテ
ル、酢酸エチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸
ジエチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジエチ
レングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレング
リコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、酢酸プロピレング
リコールモノメチルエーテル、酢酸プロピレングリコー
ルモノエチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノ
プロピルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノブチ
ルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノメチルエ
ーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノエチルエーテ
ル、ジ酢酸グリコール、酢酸メトキシトリグリコール、
プロピオン酸エチル、プロピオン酸ｎ−ブチル、プロピ
オン酸ｉ−アミル、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジ−ｎ
−ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ｎ−ブチル、
乳酸ｎ−アミル、マロン酸ジエチル、フタル酸ジメチ
ル、フタル酸ジエチル等のエステル系溶媒；Ｎ−メチル
ホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ
−ジエチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ−メチルア
セトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチ
ルプロピオンアミド、Ｎ−メチルピロリドン等の含窒素
系溶媒；硫化ジメチル、硫化ジエチル、チオフェン、テ
トラヒドロチオフェン、ジメチルスルホキシド、スルホ
ラン、１，３−プロパンスルトン等の含硫黄系溶媒等を
挙げることができ、好ましくはプロピレングリコールモ
ノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエ
ーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、
プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレン
グリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジ
エチルエーテル、プロピレングリコールジプロピルエー
テル、プロピレングリコールジブチルエーテル、ジプロ
ピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレング
リコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコール
モノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノブ
チルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテ
ル、ジプロピレングリコールジエチルエーテル、ジプロ
ピレングリコールジプロピルエーテル、ジプロピレング
リコールジブチルエーテル、プロピレングリコールモノ
メチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ
エチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ
プロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモ
ノブチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコール
モノメチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコー
ルモノエチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコ
ールモノプロピルエーテルアセテート、ジプロピレング
リコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレング
リコールジアセテート、ジプロピレングリコールジアセ
テート、プロピレングリコールなどが挙げられ、プロピ
レングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコ
ールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプ
ロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエー
テル、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピ
レングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコー
ルモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコー
ルモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコー
ルモノプロピルエーテルアセテートが溶液の保存安定性
の点で特に好ましい。これらは１種あるいは２種以上を
混合して使用することができる。

【００１４】また、化合物（１）を加水分解、縮合させ
る際には、触媒を使用する。この際に使用する触媒とし
ては、金属キレート化合物、有機酸、無機酸、有機塩
基、無機塩基を挙げることができる。金属キレート化合
物としては、例えばトリエトキシ・モノ（アセチルアセ
トナート）チタン、トリ−ｎ−プロポキシ・モノ（アセ
チルアセトナート）チタン、トリ−ｉ−プロポキシ・モ
ノ（アセチルアセトナート）チタン、トリ−ｎ−ブトキ
シ・モノ（アセチルアセトナート）チタン、トリ−ｓｅ
ｃ−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナート）チタン、
トリ−ｔ−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナート）チ
タン、ジエトキシ・ビス（アセチルアセトナート）チタ
ン、ジ−ｎ−プロポキシ・ビス（アセチルアセトナー
ト）チタン、ジ−ｉ−プロポキシ・ビス（アセチルアセ
トナート）チタン、ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（アセチル
アセトナート）チタン、ジ−ｓｅｃ−ブトキシ・ビス
（アセチルアセトナート）チタン、ジ−ｔ−ブトキシ・
ビス（アセチルアセトナート）チタン、モノエトキシ・
トリス（アセチルアセトナート）チタン、モノ−ｎ−プ
ロポキシ・トリス（アセチルアセトナート）チタン、モ
ノ−ｉ−プロポキシ・トリス（アセチルアセトナート）
チタン、モノ−ｎ−ブトキシ・トリス（アセチルアセト
ナート）チタン、モノ−ｓｅｃ−ブトキシ・トリス（ア
セチルアセトナート）チタン、モノ−ｔ−ブトキシ・ト
リス（アセチルアセトナート）チタン、テトラキス（ア
セチルアセトナート）チタン、トリエトキシ・モノ（エ
チルアセトアセテート）チタン、トリ−ｎ−プロポキシ
・モノ（エチルアセトアセテート）チタン、トリ−ｉ−
プロポキシ・モノ（エチルアセトアセテート）チタン、
トリ−ｎ−ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）
チタン、トリ−ｓｅｃ−ブトキシ・モノ（エチルアセト
アセテート）チタン、トリ−ｔ−ブトキシ・モノ（エチ
ルアセトアセテート）チタン、ジエトキシ・ビス（エチ
ルアセトアセテート）チタン、ジ−ｎ−プロポキシ・ビ
ス（エチルアセトアセテート）チタン、ジ−ｉ−プロポ
キシ・ビス（エチルアセトアセテート）チタン、ジ−ｎ
−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）チタン、
ジ−ｓｅｃ−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテー
ト）チタン、ジ−ｔ−ブトキシ・ビス（エチルアセトア
セテート）チタン、モノエトキシ・トリス（エチルアセ
トアセテート）チタン、モノ−ｎ−プロポキシ・トリス
（エチルアセトアセテート）チタン、モノ−ｉ−プロポ
キシ・トリス（エチルアセトアセテート）チタン、モノ
−ｎ−ブトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）チ
タン、モノ−ｓｅｃ−ブトキシ・トリス（エチルアセト
アセテート）チタン、モノ−ｔ−ブトキシ・トリス（エ
チルアセトアセテート）チタン、テトラキス（エチルア
セトアセテート）チタン、モノ（アセチルアセトナー
ト）トリス（エチルアセトアセテート）チタン、ビス
（アセチルアセトナート）ビス（エチルアセトアセテー
ト）チタン、トリス（アセチルアセトナート）モノ（エ
チルアセトアセテート）チタン、等のチタンキレート化
合物；トリエトキシ・モノ（アセチルアセトナート）ジ
ルコニウム、トリ−ｎ−プロポキシ・モノ（アセチルア
セトナート）ジルコニウム、トリ−ｉ−プロポキシ・モ
ノ（アセチルアセトナート）ジルコニウム、トリ−ｎ−
ブトキシ・モノ（アセチルアセトナート）ジルコニウ
ム、トリ−ｓｅｃ−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナ
ート）ジルコニウム、トリ−ｔ−ブトキシ・モノ（アセ
チルアセトナート）ジルコニウム、ジエトキシ・ビス
（アセチルアセトナート）ジルコニウム、ジ−ｎ−プロ
ポキシ・ビス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、
ジ−ｉ−プロポキシ・ビス（アセチルアセトナート）ジ
ルコニウム、ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（アセチルアセト
ナート）ジルコニウム、ジ−ｓｅｃ−ブトキシ・ビス
（アセチルアセトナート）ジルコニウム、ジ−ｔ−ブト
キシ・ビス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、モ
ノエトキシ・トリス（アセチルアセトナート）ジルコニ
ウム、モノ−ｎ−プロポキシ・トリス（アセチルアセト
ナート）ジルコニウム、モノ−ｉ−プロポキシ・トリス
（アセチルアセトナート）ジルコニウム、モノ−ｎ−ブ
トキシ・トリス（アセチルアセトナート）ジルコニウ
ム、モノ−ｓｅｃ−ブトキシ・トリス（アセチルアセト
ナート）ジルコニウム、モノ−ｔ−ブトキシ・トリス
（アセチルアセトナート）ジルコニウム、テトラキス
（アセチルアセトナート）ジルコニウム、トリエトキシ
・モノ（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、トリ
−ｎ−プロポキシ・モノ（エチルアセトアセテート）ジ
ルコニウム、トリ−ｉ−プロポキシ・モノ（エチルアセ
トアセテート）ジルコニウム、トリ−ｎ−ブトキシ・モ
ノ（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、トリ−ｓ
ｅｃ−ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）ジル
コニウム、トリ−ｔ−ブトキシ・モノ（エチルアセトア
セテート）ジルコニウム、ジエトキシ・ビス（エチルア
セトアセテート）ジルコニウム、ジ−ｎ−プロポキシ・
ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、ジ−ｉ
−プロポキシ・ビス（エチルアセトアセテート）ジルコ
ニウム、ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテ
ート）ジルコニウム、ジ−ｓｅｃ−ブトキシ・ビス（エ
チルアセトアセテート）ジルコニウム、ジ−ｔ−ブトキ
シ・ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、モ
ノエトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）ジルコ
ニウム、モノ−ｎ−プロポキシ・トリス（エチルアセト
アセテート）ジルコニウム、モノ−ｉ−プロポキシ・ト
リス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、モノ−
ｎ−ブトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）ジル
コニウム、モノ−ｓｅｃ−ブトキシ・トリス（エチルア
セトアセテート）ジルコニウム、モノ−ｔ−ブトキシ・
トリス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、テト
ラキス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、モノ
（アセチルアセトナート）トリス（エチルアセトアセテ
ート）ジルコニウム、ビス（アセチルアセトナート）ビ
ス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、トリス
（アセチルアセトナート）モノ（エチルアセトアセテー
ト）ジルコニウム、等のジルコニウムキレート化合物；
トリス（アセチルアセトナート）アルミニウム、トリス
（エチルアセトアセテート）アルミニウム等のアルミニ
ウムキレート化合物；などを挙げることができる。有機
酸としては、例えば酢酸、プロピオン酸、ブタン酸、ペ
ンタン酸、ヘキサン酸、ヘプタン酸、オクタン酸、ノナ
ン酸、デカン酸、シュウ酸、マレイン酸、メチルマロン
酸、アジピン酸、セバシン酸、没食子酸、酪酸、メリッ
ト酸、アラキドン酸、ミキミ酸、２−エチルヘキサン
酸、オレイン酸、ステアリン酸、リノール酸、リノレイ
ン酸、サリチル酸、安息香酸、ｐ−アミノ安息香酸、ｐ
−トルエンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、モノクロ
ロ酢酸、ジクロロ酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ
酢酸、ギ酸、マロン酸、スルホン酸、フタル酸、フマル
酸、クエン酸、酒石酸等を挙げることができる。無機酸
としては、例えば塩酸、硝酸、硫酸、フッ酸、リン酸等
を挙げることができる。有機塩基としては、例えばピリ
ジン、ピロール、ピペラジン、ピロリジン、ピペリジ
ン、ピコリン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、
モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、ジメチル
モノエタノールアミン、モノメチルジエタノールアミ
ン、トリエタノールアミン、ジアザビシクロオクラン、
ジアザビシクロノナン、ジアザビシクロウンデセン、テ
トラメチルアンモニウムハイドロオキサイド等を挙げる
ことができる。無機塩基としては、例えばアンモニア、
水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化バリウム、
水酸化カルシウム等を挙げることができる。これら触媒
の内、金属キレート化合物、有機酸、無機酸が好まし
く、より好ましくはチタンキレート化合物、有機酸を挙
げることができる。これらは１種あるいは２種以上を同
時に使用しても良い。

【００１５】上記触媒の使用量は（Ａ）成分（完全加水
分解縮合物換算）のそれぞれ１００重量部に対して、通
常、０．００１〜１０重量部、好ましくは０．０１〜１
０重量部の範囲である。本発明において、化合物（１）
を加水分解、部分縮合させる際に、Ｒ¹Ｏ−、Ｒ⁴Ｏ−ま
たはＲ⁵Ｏ−で表される基１モル当たり、０．２５〜３
モルの水を用いることが好ましく、０．３〜２．５モル
の水を加えることが特に好ましい。添加する水の量が
０．３〜２．５モルの範囲内の値であれば、塗膜の均一
性が低下する恐れが無く、また、レジスト下層膜用組成
物の保存安定性が低下する恐れが少ないためである。具
体的には化合物（１）を溶解させた有機溶剤中に水を断
続的あるいは連続的に添加する。この際触媒は有機溶剤
中に予め添加しておいても良いし、水添加時に水中に溶
解あるいは分散させておいても良い。この際の反応温度
としては、通常０〜１００℃、好ましくは１５〜８０℃
である。

【００１６】本発明の製造方法により得られる組成物に
は酸発生剤を添加することもできる。酸発生剤として
は、潜在性熱酸発生剤、潜在性光酸発生剤を挙げること
ができる。本発明で用いられる潜在性熱酸発生剤は、通
常５０〜４５０℃、好ましくは２００〜３５０℃に加熱
することにより酸を発生する化合物であり、スルホニウ
ム塩、ベンゾチアゾリウム塩、アンモニウム塩、ホスホ
ニウム塩などのオニウム塩が用いられる。

【００１７】上記スルホニウム塩の具体例としては、４
−アセトフェニルジメチルスルホニウム ヘキサフルオ
ロアンチモネート、４−アセトキシフェニルジメチルス
ルホニウム ヘキサフルオロアルセネート、ジメチル−
４−（ベンジルオキシカルボニルオキシ）フェニルスル
ホニウム ヘキサフルオロアンチモネート、ジメチル−
４−（ベンゾイルオキシ）フェニルスルホニウム ヘキ
サフルオロアンチモネート、ジメチル−４−（ベンゾイ
ルオキシ）フェニルスルホニウム ヘキサフルオロアル
セネート、ジメチル−３−クロロ−４−アセトキシフェ
ニルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネートなど
のアルキルスルホニウム塩；ベンジル−４−ヒドロキシ
フェニルメチルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモ
ネート、ベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスル
ホニウム ヘキサフルオロホスフェート、４−アセトキ
シフェニルベンジルメチルスルホニウム ヘキサフルオ
ロアンチモネート、ベンジル−４−メトキシフェニルメ
チルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネート、ベ
ンジル−２−メチル−４−ヒドロキシフェニルメチルス
ルホニウム ヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル
−３−クロロ−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニ
ウム ヘキサフルオロアルセネート、４−メトキシベン
ジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウム ヘ
キサフルオロホスフェート、ベンゾイントシレート、２
−ニトロベンジルトシレート、などのベンジルスルホニ
ウム塩；

【００１８】ジベンジル−４−ヒドロキシフェニルスル
ホニウム ヘキサフルオロアンチモネート、ジベンジル
−４−ヒドロキシフェニルスルホニウム ヘキサフルオ
ロホスフェート、４−アセトキシフェニルジベンジルス
ルホニウム ヘキサフルオロアンチモネート、ジベンジ
ル−４−メトキシフェニルスルホニウム ヘキサフルオ
ロアンチモネート、ジベンジル−３−クロロ−４−ヒド
ロキシフェニルスルホニウム ヘキサフルオロアルセネ
ート、ジベンジル−３−メチル−４−ヒドロキシ−５−
ｔｅｒｔ−ブチルフェニルスルホニウム ヘキサフルオ
ロアンチモネート、ベンジル−４−メトキシベンジル−
４−ヒドロキシフェニルスルホニウム ヘキサフルオロ
ホスフェートなどのジベンジルスルホニウム塩；ｐ−ク
ロロベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニ
ウム ヘキサフルオロアンチモネート、ｐ−ニトロベン
ジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウム ヘ
キサフルオロアンチモネート、ｐ−クロロベンジル−４
−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウム ヘキサフル
オロホスフェート、ｐ−ニトロベンジル−３−メチル−
４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウム ヘキサフ
ルオロアンチモネート、３,５−ジクロロベンジル−４
−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウム ヘキサフル
オロアンチモネート、ｏ−クロロベンジル−３−クロロ
−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウム ヘキサ
フルオロアンチモネートなどの置換ベンジルスルホニウ
ム塩；

【００１９】上記ベンゾチアゾニウム塩の具体例として
は３−ベンジルベンゾチアゾリウムヘキサフルオロアン
チモネート、３−ベンジルベンゾチアゾリウム ヘキサ
フルオロホスフェート、３−ベンジルベンゾチアゾリウ
ム テトラフルオロボレート、３−（ｐ−メトキシベン
ジル）ベンゾチアゾリウム ヘキサフルオロアンチモネ
ート、３−ベンジル−２−メチルチオベンゾチアゾリウ
ム ヘキサフルオロアンチモネート、３−ベンジル−５
−クロロベンゾチアゾリウム ヘキサフルオロアンチモ
ネートなどのベンジルベンゾチアゾリウム塩が挙げられ
る。さらに、上記以外の熱酸発生剤として、２，４，
４，６−テトラブロモシクロヘキサジエノンを例示でき
る。

【００２０】これらのうち、４−アセトキシフェニルジ
メチルスルホニウム ヘキサフルオロアルセネート、ベ
ンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウム
ヘキサフルオロアンチモネート、４−アセトキシフェニ
ルベンジルメチルスルホニウム ヘキサフルオロアンチ
モネート、ジベンジル−４−ヒドロキシフェニルスルホ
ニウム ヘキサフルオロアンチモネート、４−アセトキ
シフェニルベンジルスルホニウム ヘキサフルオロアン
チモネート、３−ベンジルベンゾチアゾリウムヘキサフ
ルオロアンチモネートなどが好ましく用いられる。これ
らの市販品としては、サンエイド ＳＩ−Ｌ８５、同Ｓ
Ｉ−Ｌ１１０、同ＳＩ−Ｌ１４５、同ＳＩ−Ｌ１５０、
同ＳＩ−Ｌ１６０（三新化学工業（株）製）などが挙げ
られる。これらの化合物は、単独であるいは２種以上組
み合わせて用いることができる。

【００２１】本発明で用いられる潜在性光酸発生剤は、
通常１〜１００ｍＪ、好ましくは１０〜５０ｍＪの紫外
光照射により酸を発生する化合物であり、光酸発生剤と
しては、例えばジフェニルヨードニウムトリフルオロメ
タンスルホネート、ジフェニルヨードニウムピレンスル
ホネート、ジフェニルヨードニウムドデシルベンゼンス
ルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロｎ−
ブタンスルホネート、ビス（４―ｔ−ブチルフェニル）
ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス
（４―ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムドデシルベン
ゼンスルホネート、ビス（４―ｔ−ブチルフェニル）ヨ
ードニウムナフタレンスルホネート、ビス（４―ｔ−ブ
チルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロアンチモネ
ート、ビス（４―ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムノ
ナフルオロｎ−ブタンスルホネート、トリフェニルスル
ホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニ
ルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリフ
ェニルスルホニウムナフタレンスルホネート、トリフェ
ニルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネー
ト、ジフェニル（４−メチルフェニル）スルホニウムト
リフルオロメタンスルホネート、ジフェニル（４−メト
キシフェニル）スルホニウムトリフルオロメタンスルホ
ネート、（ヒドロキシフェニル）ベンゼンメチルスルホ
ニウムトルエンスルホネート、シクロヘキシルメチル
（２―オキソシクロヘキシル）スルホニウムトリフルオ
ロメタンスルホネート、ジシクロヘキシル（２―オキソ
シクロヘキシル）スルホニウムトリフルオロメタンスル
ホネート、ジメチル（２―オキソシクロヘキシル）スル
ホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニル
ヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリフェ
ニルスルホニウムカンファースルホネート、（４―ヒド
ロキシフェニル）ベンジルメチルスルホニウムトルエン
スルホネート、１−ナフチルジメチルスルホニウムトリ
フルオロメタンスルホネート、１―ナフチルジエチルス
ルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４―シア
ノー１―ナフチルジメチルスルホニウムトリフルオロメ
タンスルホネート、４―ニトロ−１―ナフチルジメチル
スルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４―メ
チル−１―ナフチルジメチルスルホニウムトリフルオロ
メタンスルホネート、４―シアノ−１―ナフチル−ジエ
チルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４
―ニトロ−１―ナフチルジエチルスルホニウムトリフル
オロメタンスルホネート、４−メチル−１−ナフチルジ
エチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、
４−ヒドロキシ−１−ナフチルジメチルスルホニウムト
リフルオロメタンスルホネート、４−ヒドロキシ−１−
ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタ
ンスルホネート、４−メトキシ−１−ナフチルテトラヒ
ドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、
４―エトキシ−１−ナフチルテトラヒドロチオフェニウ
ムトリフルオロメタンスルホネート、４―メトキシメト
キシ−１−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフ
ルオロメタンスルホネート、４―エトキシメトキシ−１
−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメ
タンスルホネート、４−（１−メトキシエトキシ）−１
−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメ
タンスルホネート、４−（２−メトキシエトキシ）−１
−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメ
タンスルホネート、４−メトキシカルボニルオキシ−１
−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメ
タンスルホネート、４−エトキシカルブニルオキシ−１
−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメ
タンスルホネート、４−ｎ−プロポキシカルボニルオキ
シ−１−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフル
オロメタンスルホネート、４−ｉ−プロポキシカルボニ
ルオキシ−１−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムト
リフルオロメタンスルホネート、４−ｎ−ブトキカルビ
ニルオキシ−１−ナフチルテトラヒドロチオフェニウム
トリフルオロメタンスルホネート、４−ｔ−ブトキシカ
ルボニルオキシ−１−ナフチルテトラヒドロチオフェニ
ウムトリフルオロメタンスルホネート、４−（２−テト
ラヒドロフラニルオキシ）−１−ナフチルテトラヒドロ
チオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−
（２−テトラヒドロピラニルオキシ）−１−ナフチルテ
トラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネ
ート、４−ベンジルオキシ−１−ナフチルテトラヒドロ
チオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−
（ナフチルアセトメチル）テトラヒドロチオフェニウム
トリフルオロメタンスルホネート等のオニウム塩系光酸
発生剤類;フェニル-ビス（トリクロロメチル）−ｓ−ト
リアジン、メトキシフェニル−ビス（トリクロロメチ
ル）−ｓ−トリアジン、ナフチル−ビス（トリクロロメ
チル）−ｓ−トリアジン等のハロゲン含有化合物系光酸
発生剤類;１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホ
ニルクロリド、１，２−ナフトキノンジアジド−５−ス
ルホニルクロリド、２，３，４，４‘−テトラベンゾフ
ェノンの１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン
酸エステルまたは１,２−ナフトキノンジアジド−５−
スルホン酸エステル等のジアゾケトン化合物系光酸発生
剤類;４−トリスフェナシルスルホン、メシチルフェナ
シルスルホン、ビス（フェニルスルホニル）メタン等の
スルホン酸化合物系光酸発生剤類；ベンゾイントシレー
ト、ピロガロールのトリストリフルオロメタンスルホネ
ート、ニトロベンジル−９，１０−ジエトキシアントラ
セン−２−スルホネート、トリフルオロメタンスルホニ
ルビシクロ［２，２，１］ヘプト−５−エン−２，３−
ジカルボジイミド、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドトリ
フルオロメタンスルホネート、１，８−ナフタレンジカ
ルボン酸イミドトリフルオロメタンスルホネート等のス
ルホン酸化合物系光酸発生剤類等が挙げられる。これら
は一種単独でも二種以上組合わせても使用することがで
きる。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を、
実施例に基づいて説明する。但し、以下の記載は、本発
明の態様例を概括的に示すものであり、特に理由なく、
かかる記載により本発明は限定されるものではない。

【００２３】なお以下に示す方法でレジスト下層膜用組
成物の評価を行った。（レジストの密着性評価） シリコンウェハー上に反射防
止膜（ＪＳＲ製ＮＦＣ Ｂ００７）をスピンコート法塗
布し、１９０℃のホットプレート上で１分間乾燥させ
た。得られた反射防止膜の膜厚は３００ｎｍであった。
次いで、レジスト下層膜組成物をスピンコートで塗布
し、１９０℃のホットプレート上で２分間乾燥させた。
この際のレジスト下層膜の膜厚は７０ｎｍに制御した。
さらに、レジスト下層膜上にレジスト（ＪＳＲ製Ｍ２０
Ｇ）を塗布し、１３０℃で９０秒間乾燥させた。この際
のレジストの膜厚は７００ｎｍに制御した。（株）ニコ
ン製ＫｒＦエキシマレーザー照射装置（商品名ＮＳＲ−
２２０５ ＥＸ８Ａ）を用い、ＫｒＦエキシマレーザー
（波長２４８ｎｍ）を０．２μｍのライン・アンド・ス
ペースパターンを有する石英製マスクを介して基板に２
２ｍＪ照射した。この後、基板を１３０℃で９０秒間加
熱した。２．３８％テトラメチルアンモニウムハイドロ
オキサイド水溶液で３０秒間現像した後の基板で、レジ
ストパターンをＳＥＭで観察し、レジストパターンの現
像剥離が生じていない場合を「剥離なし」と判断した。

【００２４】（レジストパターンの再現性評価）上記現
像後の基板で、レジストパターンをＳＥＭで観察し、露
光部にレジストの現像残りが生じず、０．２μｍのライ
ン・アンド・スペースパターンを有する石英製マスクの
矩形を再現できている場合を「良好」と判断した。

【００２５】（耐アルカリ性評価）レジスト下層膜を
２．３８％テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイ
ド水溶液に３０秒間浸漬し前後での塗膜膜厚の変化が２
ｎｍ以下の場合、「良好」と判断した。

【００２６】（酸素アッシング耐性）レジスト下層膜を
バレル型酸素プラズマ灰化装置（ヤマト科学製ＰＲ−５
０１Ａ）を用いて、３００Ｗで１５秒間Ｏ₂処理し前後
で膜厚の変化が５ｎｍ以下の場合、「良好」と判断し
た。

【００２７】（溶液の保存安定性）４０℃で１ヶ月保存
したレジスト下層膜用組成物を、シリコンウエハ上に、
スピンコーターを用いて、回転数２，０００ｒｐｍ、２
０秒の条件で以て塗布した。その後、１９０℃の温度に
保持したホットプレートを用いて、レジスト下層膜用組
成物を塗布したシリコンウエハを２分間加熱し、シリコ
ンウエハ上に塗膜を形成させた。このようにして得られ
た塗膜の膜厚を、光学式膜厚計（Ｒｕｄｏｌｐｈ Ｔｅ
ｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ社製、Ｓｐｅｃｔｒａ Ｌａｓｅ
ｒ２００）を用いて塗膜面内で５０点測定した。得られ
た膜厚の膜厚を測定し、下式により求めた膜厚増加率に
より、保存安定性を評価した。 膜厚増加率（％）＝（（保存後の膜厚）−（保存前の膜
厚））÷（保存前の膜厚）×１００ 良好：膜厚変化率 ≦１０％ 不良：１０％＜ 膜厚変化率

【００２８】実施例１ （１）テトラメトキシシラン３０．１ｇをプロピレング
リコールモノプロピルエーテル１５４ｇに溶解させた
後、スリーワンモーターで攪拌させ、溶液温度を６０℃
に安定させた。次にマレイン酸０．１２ｇを溶解させた
イオン交換水１５．７ｇを１時間かけて溶液に添加し
た。その後、６０℃で４時間反応させた後、反応液を室
温まで冷却した。５０℃で反応液からメタノールを含む
溶液を５１ｇエバポレーションで除去したのち、プロピ
レングリコールモノプロピルエーテル５１ｇを加えて反
応液を得た。 （２）上記（１）で得られた反応液５０ｇにトリフェ
ニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート０．
０９ｇを添加し十分攪拌した。この溶液を０．２μｍ孔
径のテフロン製フィルターでろ過を行い本発明のレジス
ト下層膜用組成物を得た。評価結果 レジストの密着性：剥離なし レジストパターンの再現性：良好 耐アルカリ性：良好（膜厚変化０．４ｎｍ） 酸素アッシング耐性：良好（膜厚変化２．５ｎｍ） 溶液保存安定性：良好（膜厚増加率４．５％）

【００２９】実施例２ 実施例１（１）で得られた反応液５０ｇに（Ｂ）成分
としてトリフェニルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブ
タンスルホネート０．０９ｇを添加し十分攪拌した。こ
の溶液を０．２μｍ孔径のテフロン製フィルターでろ過
を行い本発明のレジスト下層膜用組成物を得た。評価結果 レジストの密着性：剥離なし レジストパターンの再現性：良好 耐アルカリ性：良好（膜厚変化０．５ｎｍ） 酸素アッシング耐性：良好（膜厚変化２．６ｎｍ） 溶液保存安定性：良好（膜厚増加率４．３％）

【００３０】実施例３ （１） テトラメトキシシラン３０．１ｇとジイソプロ
ポキシチタンビスエチルアセチルアセテート０．０３ｇ
をプロピレングリコールモノメチルエーテル１５４ｇと
エタノール２０ｇに溶解させたのち、スリーワンモータ
ーで攪拌させ、溶液温度を６０℃に安定させた。次に、
イオン交換水１５．７ｇを１時間かけて溶液に添加し
た。その後、６０℃で４時間反応させたのち、反応液を
室温まで冷却した。５０℃で反応液からメタノールを含
む溶液を５１ｇエバポレーションで除去したのち、プロ
ピレングリコールモノメチルエーテル５１ｇを加えて反
応液を得た。 （２）上記（１）で得られた反応液５０ｇに（Ｂ）成
分としてトリフェニルスルホニウムトリフルオロメタン
スルホネート０．０９ｇを添加し十分攪拌した。この溶
液を０．２μｍ孔径のテフロン製フィルターでろ過を行
い本発明のレジスト下層膜用組成物を得た。評価結果 レジストの密着性：剥離なし レジストパターンの再現性：良好 耐アルカリ性：良好（膜厚変化０．７ｎｍ） 酸素アッシング耐性：良好（膜厚変化２．９ｎｍ） 溶液保存安定性：良好（膜厚増加率３．４％）

【００３１】実施例４ （１）メチルトリメトキシシラン２４．１ｇをプロピレ
ングリコールモノエチルエーテル１６５ｇに溶解させた
後、スリーワンモーターで攪拌させ、溶液温度を６０℃
に安定させた。次にマレイン酸０．１２ｇを溶解させた
イオン交換水１０．５ｇを１時間かけて溶液に添加し
た。その後、６０℃で４時間反応させた後、反応液を室
温まで冷却した。５０℃で反応液からメタノールを含む
溶液を３４ｇエバポレーションで除去したのち、プロピ
レングリコールモノエチルエーテル３４ｇを加えて反応
液を得た。 （２）上記（１）で得られた反応液５ｇと実施例２
（１）で得られた反応液４５ｇを混合し、トリフェニ
ルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート０．０
９ｇを添加し十分攪拌した。この溶液を０．２μｍ孔径
のテフロン製フィルターでろ過を行い本発明のレジスト
下層膜用組成物を得た。評価結果 レジストの密着性：剥離なし レジストパターンの再現性：良好 耐アルカリ性：良好（膜厚変化０．３ｎｍ） 酸素アッシング耐性：良好（膜厚変化２．９ｎｍ） 溶液保存安定性：良好（膜厚増加率３．２％）

【００３２】比較例１ （１）実施例１において、プロピレングリコールモノプ
ロピルエーテルの代わりに酢酸ブチルを用いた以外は実
施例１と同様にして反応液を得た。 （２）上記（１）で得られた反応液５０ｇとトリフェ
ニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート０．
０９ｇを添加し十分攪拌した。この溶液を０．２μｍ孔
径のテフロン製フィルターでろ過を行い本発明のレジス
ト下層膜用組成物を得た。評価結果 レジストの密着性：剥離なし レジストパターンの再現性：良好 耐アルカリ性：良好（膜厚変化０．９ｎｍ） 酸素アッシング耐性：良好（膜厚変化３．２ｎｍ） 溶液保存安定性：不良（膜厚増加率１６．３％）

【００３３】

【発明の効果】本発明によれば、アルコキシシランの加
水分解縮合物に紫外光照射および／または加熱により酸
を発生する化合物を添加することにより、レジストパタ
ーンの再現性、レジストとの密着性、レジストを露光し
た後に使用する現像液に対する耐性、レジストの酸素ア
ッシング耐性に優れ、かつ溶液の保存安定性が良好なレ
ジスト下層膜用組成物を提供することが可能である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山田 欣司 東京都中央区築地二丁目11番24号 ジェイ エスアール株式会社内 (72)発明者 齊藤 明夫 東京都中央区築地二丁目11番24号 ジェイ エスアール株式会社内 (72)発明者 大田 芳久 東京都中央区築地二丁目11番24号 ジェイ エスアール株式会社内 Ｆターム(参考） 2H025 AA00 AA03 AA04 AA08 AA14 AB16 AC04 AC08 AD01 AD03 BJ10 CC06 DA35 4J002 CP021 CP031 CP081 CP141 DD017 DF027 DG047 DH027 EA016 EC036 EC046 EC077 ED026 ED056 EF037 EF057 EF067 EF097 EH036 FD206 FD207 GP03 5F046 HA01

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （Ａ）（Ａ−１）下記一般式（１）で表
   される化合物 Ｒ¹ _aＳｉ（ＯＲ²）_4-a ・・・・・（１） （Ｒ¹は水素原子、フッ素原子または１価の有機基を示
   し、Ｒ²は１価の有機基を示し、ａは０〜２の整数を表
   す。）および（Ａ−２）下記一般式（２) で表される化
   合物 Ｒ³ _b（Ｒ⁴Ｏ）_3-bＳｉ−（Ｒ⁷）_d−Ｓｉ（ＯＲ⁵）_3-cＲ⁶ _c ・・・・・（２) （Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵およびＲ⁶は、同一でも異なっていても
   よく、それぞれ１価の有機基を示し、ｂおよびｃは、同
   一でも異なっていてもよく、０〜２の数を示し、Ｒ⁷は
   酸素原子または−（ＣＨ₂）_n−を示し、ｄは０または１
   を示し、ｎは１〜６の数を示す。）からなる群より選ば
   れる少なくとも１種の化合物を下記一般式（３）で表さ
   れる有機溶剤と触媒の存在下で加水分解および／または
   縮合させることを特徴とするレジスト下層膜用組成物の
   製造方法。 Ｒ⁸Ｏ（Ｒ¹²Ｏ）_eＲ⁹ ・・・・・（３） （Ｒ⁸およびＲ⁹は、それぞれ独立して水素原子、炭素数
   １〜６のアルキル基、アルコキシカルボニル基およびフ
   ェニル基から選ばれる１価の有機基を示し、Ｒ¹²はアル
   キレン基を示し、ｅは１〜２の整数を表す。）
2. 【請求項２】 触媒が下記一般式（４）で表される金属
   のキレート化合物および酸触媒から選ばれる少なくとも
   １種であることを特徴とする請求項１記載のレジスト下
   層膜用組成物の製造方法。 Ｒ¹⁰ _fＭ（ＯＲ¹¹）_g-f ・・・・・（４） （Ｒ¹⁰はキレート剤、Ｍは金属原子、Ｒ¹¹は炭素数２〜
   ５のアルキル基または炭素数６〜２０のアリール基を示
   し、ｇは金属Ｍの原子価、ｆは１〜ｇの整数を表す。）
3. 【請求項３】 （Ａ）成分が下記一般式（５）で表され
   る化合物の加水分解物およびその縮合物もしくはいずれ
   か一方であることを特徴とする請求項１記載のレジスト
   下層膜用組成物の製造方法。 Ｓｉ（ＯＲ²）₄ ・・・・・（５） （Ｒ²は１価の有機基を示す。）
4. 【請求項４】 （Ａ）成分が下記一般式（５）で表さ
   れる化合物および下記一般式（６）で表される化合物か
   らなるシラン化合物の加水分解物およびその縮合物もし
   くはいずれか一方であることを特徴とする請求項１記載
   のレジスト下層膜用組成物の製造方法。 Ｓｉ（ＯＲ²）₄ ・・・・・（５） （Ｒ²は、１価の有機基を示す。） Ｒ¹ _nＳｉ（ＯＲ²）_{4 ー n} ・・・・・（６） （Ｒ¹およびＲ²は、同一でも異なっていても良く、それ
   ぞれ１価の有機基を示し、ｎは１〜２の整数を示す。）
5. 【請求項５】 下記一般式（５）で表される化合物の
   加水分解縮合物と下記一般式（６）で表される化合物の
   加水分解縮合物とを混合することを特徴とする請求項４
   記載のレジスト下層膜用組成物の製造方法。 Ｓｉ（ＯＲ²）₄ （５） （Ｒ²は、１価の有機基を示す。） Ｒ¹ _nＳｉ（ＯＲ²）_{4 ー n} （６） （Ｒ¹およびＲ²は、同一でも異なっていても良く、それ
   ぞれ１価の有機基を示し、ｎは１〜２の整数を示す。）