JP2000347415A - レジスト下層膜用組成物 - Google Patents
レジスト下層膜用組成物Info
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- JP2000347415A JP2000347415A JP11158672A JP15867299A JP2000347415A JP 2000347415 A JP2000347415 A JP 2000347415A JP 11158672 A JP11158672 A JP 11158672A JP 15867299 A JP15867299 A JP 15867299A JP 2000347415 A JP2000347415 A JP 2000347415A
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
した後に使用する現像液に対する耐性に優れ、かつレジ
ストの酸素アッシング時の膜減りの少ないレジスト下層
膜用組成物を得る。 【構成】 (A)下記一般式(1)で表される化合物の
加水分解物およびその縮合物もしくはいずれか一方 R1 aSi(OR2)4-a ・・・・・(1) (R1は水素原子、フッ素原子または1価の有機基を示
し、R2は1価の有機基を示し、aは0〜2の整数を表
す。) (B)下記一般式(2)で表される化合物の少なくとも
1種 R2 3SiQ (2) [R2は1価の有機基を示し、Qは塩素原子、−OR3、
−OSiR3 3 、−NHSiR3 3、−NHCONHSiR3
3、および−OC(CH3)=NSiR3 3(ただしR3は
1価の有機基を示す)からなる群から選ばれた1種を示
す。]を含有することを特徴とするレジスト下層膜用組
成物。
Description
成物に関し、さらに詳しくは、レジストとの密着性に優
れ、レジストを露光した後に使用する現像液に対する耐
性に優れ、かつレジストの酸素アッシング時の膜減りの
少ないレジスト下層膜用組成物に関する。
射防止膜上に形成されたレジストを用いた現像プロセス
並びに現像後のレジストパターンをマスクに利用した有
機材料や無機材料のエッチングが多用されている。しか
しながら、半導体素子等の高集積化に伴い、現像後のレ
ジストパターンの剥離やレジストを被覆させる反射防止
膜やその下層の有機材料や無機材料がレジスト現像液で
溶解してしまう問題が生じている。また、レジストの微
細化及び薄膜化に伴い、レジストと反射防止膜とのエッ
チング速度が似通っているため、反射防止膜下層の有機
材料や無機材料を微細に加工できないという問題があ
る。さらには、レジストを酸素アッシングで除去する
際、酸素アッシングで反射防止膜やその下層の有機材料
や無機材料がダメージを受けてしまうという問題もあ
る。
ジストと反射防止膜の間に設け、レジストとの密着性と
耐レジスト現像液性を兼ね揃え、更にはレジスト除去時
の酸素アッシングに対して耐性の有るレジスト下層用組
成物を提供することを目的とする。
れる化合物(以下、「化合物A」という)の加水分解物
およびその縮合物もしくはいずれか一方(以下、
「(A)成分」ともいう) R1 aSi(OR2)4-a ・・・・・(1) (R1は水素原子、フッ素原子または1価の有機基を示
し、R2は1価の有機基を示し、aは0〜2の整数を表
す。)および(B)下記一般式(2)で表される化合物
(以下、「(B)成分」ともいう)の少なくとも1種 R2 3SiQ (2) [R2は1価の有機基を示し、Qは塩素原子、−OR3、
−OSiR3 3 、−NHSiR3 3、−NHCONHSiR3
3、および−OC(CH3)=NSiR3 3(ただしR3は
1価の有機基を示す)からなる群から選ばれた1種を示
す。]とを含有することを特徴とするレジスト下層膜用
組成物に関するものである。
ルキル基、アリール基、アリル基、グリシジル基などを
挙げることができる。ここで、アルキル基としては、メ
チル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などが挙げら
れ、好ましくは炭素数1〜5であり、これらのアルキル
基は鎖状でも、分岐していてもよく、さらに水素原子が
フッ素原子などに置換されていてもよい。一般式(1)
においてアリール基としてはフェニル基、ナフチル基、
メチルフェニル基、エチルフェニル基、クロロフェニル
基、ブロモフェニル基、フルオロフェニル基などを挙げ
ることができる。化合物Aの具体例としては、トリメト
キシシラン、トリエトキシシラン、トリ−n−プロポキ
シシラン、トリ−iso−プロポキシシラン、トリ−n
−ブトキシシラン、トリ−sec−ブトキシシラン、ト
リ−tert−ブトキシシラン、トリフェノキシシラ
ン、フルオロトリメトキシシラン、フルオロトリエトキ
シシラン、フルオロトリ−n−プロポキシシラン、フル
オロトリ−iso−プロポキシシラン、フルオロトリ−
n−ブトキシシラン、フルオロトリ−sec−ブトキシ
シラン、フルオロトリ−tert−ブトキシシラン、フ
ルオロトリフェノキシシラン、テトラメトキシシラン、
テトラエトキシシラン、テトラ−n−プロポキシシラ
ン、テトラ−iso−プロポキシシラン、テトラ−n−
ブトキシラン、テトラ−sec−ブトキシシラン、テト
ラ−tert−ブトキシシラン、テトラフェノキシシラ
ン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシ
ラン、メチルトリ−n−プロポキシシラン、メチルトリ
−iso−プロポキシシラン、メチルトリ−n−ブトキ
シシラン、メチルトリ−sec−ブトキシシラン、メチ
ルトリ−tert−ブトキシシラン、メチルトリフェノ
キシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエ
トキシシラン、エチルトリ−n−プロポキシシラン、エ
チルトリ−iso−プロポキシシラン、エチルトリ−n
−ブトキシシラン、エチルトリ−sec−ブトキシシラ
ン、エチルトリ−tert−ブトキシシラン、エチルト
リフェノキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニ
ルトリエトキシシラン、ビニルトリ−n−プロポキシシ
ラン、ビニルトリ−iso−プロポキシシラン、ビニル
トリ−n−ブトキシシラン、ビニルトリ−sec−ブト
キシシラン、ビニルトリ−tert−ブトキシシラン、
ビニルトリフェノキシシラン、n−プロピルトリメトキ
シシラン、n−プロピルトリエトキシシラン、n−プロ
ピルトリ−n−プロポキシシラン、n−プロピルトリ−
iso−プロポキシシラン、n−プロピルトリ−n−ブ
トキシシラン、n−プロピルトリ−sec−ブトキシシ
ラン、n−プロピルトリ−tert−ブトキシシラン、
n−プロピルトリフェノキシシラン、i−プロピルトリ
メトキシシラン、i−プロピルトリエトキシシラン、i
−プロピルトリ−n−プロポキシシラン、i−プロピル
トリ−iso−プロポキシシラン、i−プロピルトリ−
n−ブトキシシラン、i−プロピルトリ−sec−ブト
キシシラン、i−プロピルトリ−tert−ブトキシシ
ラン、i−プロピルトリフェノキシシラン、n−ブチル
トリメトキシシラン、n−ブチルトリエトキシシラン、
n−ブチルトリ−n−プロポキシシラン、n−ブチルト
リ−iso−プロポキシシラン、n−ブチルトリ−n−
ブトキシシラン、n−ブチルトリ−sec−ブトキシシ
ラン、n−ブチルトリ−tert−ブトキシシラン、n
−ブチルトリフェノキシシラン、sec−ブチルトリメ
トキシシラン、sec−ブチル−i−トリエトキシシラ
ン、sec−ブチル−トリ−n−プロポキシシラン、s
ec−ブチル−トリ−iso−プロポキシシラン、se
c−ブチル−トリ−n−ブトキシシラン、sec−ブチ
ル−トリ−sec−ブトキシシラン、sec−ブチル−
トリ−tert−ブトキシシラン、sec−ブチル−ト
リフェノキシシラン、t−ブチルトリメトキシシラン、
t−ブチルトリエトキシシラン、t−ブチルトリ−n−
プロポキシシラン、t−ブチルトリ−iso−プロポキ
シシラン、t−ブチルトリ−n−ブトキシシラン、t−
ブチルトリ−sec−ブトキシシラン、t−ブチルトリ
−tert−ブトキシシラン、t−ブチルトリフェノキ
シシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリ
エトキシシラン、フェニルトリ−n−プロポキシシラ
ン、フェニルトリ−iso−プロポキシシラン、フェニ
ルトリ−n−ブトキシシラン、フェニルトリ−sec−
ブトキシシラン、フェニルトリ−tert−ブトキシシ
ラン、フェニルトリフェノキシシラン、ビニルトリメト
キシシラン、ビニルトリエトキシシラン、γ−アミノプ
ロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエ
トキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシ
シラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラ
ン、γ−トリフロロプロピルトリメトキシシラン、γ−
トリフロロプロピルトリエトキシシランなど;ジメチル
ジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジメチ
ル−ジ−n−プロポキシシラン、ジメチル−ジ−iso
−プロポキシシラン、ジメチル−ジ−n−ブトキシシラ
ン、ジメチル−ジ−sec−ブトキシシラン、ジメチル
−ジ−tert−ブトキシシラン、ジメチルジフェノキ
シシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエト
キシシラン、ジエチル−ジ−n−プロポキシシラン、ジ
エチル−ジ−iso−プロポキシシラン、ジエチル−ジ
−n−ブトキシシラン、ジエチル−ジ−sec−ブトキ
シシラン、ジエチル−ジ−tert−ブトキシシラン、
ジエチルジフェノキシシラン、ジ−n−プロピルジメト
キシシラン、ジ−n−プロピルジエトキシシラン、ジ−
n−プロピル−ジ−n−プロポキシシラン、ジ−n−プ
ロピル−ジ−iso−プロポキシシラン、ジ−n−プロ
ピル−ジ−n−ブトキシシラン、ジ−n−プロピル−ジ
−sec−ブトキシシラン、ジ−n−プロピル−ジ−t
ert−ブトキシシラン、ジ−n−プロピル−ジ−フェ
ノキシシラン、ジ−iso−プロピルジメトキシシラ
ン、ジ−iso−プロピルジエトキシシラン、ジ−is
o−プロピル−ジ−n−プロポキシシラン、ジ−iso
−プロピル−ジ−iso−プロポキシシラン、ジ−is
o−プロピル−ジ−n−ブトキシシラン、ジ−iso−
プロピル−ジ−sec−ブトキシシラン、ジ−iso−
プロピル−ジ−tert−ブトキシシラン、ジ−iso
−プロピル−ジ−フェノキシシラン、ジ−n−ブチルジ
メトキシシラン、ジ−n−ブチルジエトキシシラン、ジ
−n−ブチル−ジ−n−プロポキシシラン、ジ−n−ブ
チル−ジ−iso−プロポキシシラン、ジ−n−ブチル
−ジ−n−ブトキシシラン、ジ−n−ブチル−ジ−se
c−ブトキシシラン、ジ−n−ブチル−ジ−tert−
ブトキシシラン、ジ−n−ブチル−ジ−フェノキシシラ
ン、ジ−sec−ブチルジメトキシシラン、ジ−sec
−ブチルジエトキシシラン、ジ−sec−ブチル−ジ−
n−プロポキシシラン、ジ−sec−ブチル−ジ−is
o−プロポキシシラン、ジ−sec−ブチル−ジ−n−
ブトキシシラン、ジ−sec−ブチル−ジ−sec−ブ
トキシシラン、ジ−sec−ブチル−ジ−tert−ブ
トキシシラン、ジ−sec−ブチル−ジ−フェノキシシ
ラン、ジ−tert−ブチルジメトキシシラン、ジ−t
ert−ブチルジエトキシシラン、ジ−tert−ブチ
ル−ジ−n−プロポキシシラン、ジ−tert−ブチル
−ジ−iso−プロポキシシラン、ジ−tert−ブチ
ル−ジ−n−ブトキシシラン、ジ−tert−ブチル−
ジ−sec−ブトキシシラン、ジ−tert−ブチル−
ジ−tert−ブトキシシラン、ジ−tert−ブチル
−ジ−フェノキシシラン、ジフェニルジメトキシシラ
ン、ジフェニル−ジ−エトキシシラン、ジフェニル−ジ
−n−プロポキシシラン、ジフェニル−ジ−iso−プ
ロポキシシラン、ジフェニル−ジ−n−ブトキシシラ
ン、ジフェニル−ジ−sec−ブトキシシラン、ジフェ
ニル−ジ−tert−ブトキシシラン、ジフェニルジフ
ェノキシシラン、ジビニルトリメトキシシラン、γ−ア
ミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピル
トリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメ
トキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシ
シラン、γ−トリフロロプロピルトリメトキシシラン、
γ−トリフロロプロピルトリエトキシシランなどを挙げ
ることができる。化合物Aのうち、好ましくはテトラメ
トキシシラン、テトラエトキシシラン、メチルトリメト
キシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメ
トキシシラン、エチルトリエトキシシランなどを挙げる
ことができる。これらは1種あるいは2種以上を同時に
使用しても良い。
せる際に、R1O−で表される基1モル当たり、0.2
5〜3モルの水を用いることが好ましく、0.3〜2.
5モルの水を加えることが特に好ましい。添加する水の
量が0.3〜2.5モルの範囲内の値であれば、塗膜の
均一性が低下する恐れが無く、また、レジスト下層膜用
組成物の保存安定性が低下する恐れが少ないためであ
る。具体的には化合物(A)を溶解させた後記する有機
溶剤中に水を断続的あるいは連続的に添加する。この際
触媒は有機溶剤中に予め添加しておいても良いし、水添
加時に水中に溶解あるいは分散させておいても良い。こ
の際の反応温度としては、通常0〜100℃、好ましく
は15〜80℃である。しかる後に(B)成分を添加し
て反応を行う。この際の反応温度としては、通常0〜1
00℃、好ましくは15〜80℃である。
させる際には、触媒を使用しても良い。この際に使用す
る触媒としては、金属キレート化合物、有機酸、無機
酸、有機塩基、無機塩基を挙げることができる。金属キ
レート化合物としては、例えばトリエトキシ・モノ(ア
セチルアセトナート)チタン、トリ−n−プロポキシ・
モノ(アセチルアセトナート)チタン、トリ−i−プロ
ポキシ・モノ(アセチルアセトナート)チタン、トリ−
n−ブトキシ・モノ(アセチルアセトナート)チタン、
トリ−sec−ブトキシ・モノ(アセチルアセトナー
ト)チタン、トリ−t−ブトキシ・モノ(アセチルアセ
トナート)チタン、ジエトキシ・ビス(アセチルアセト
ナート)チタン、ジ−n−プロポキシ・ビス(アセチル
アセトナート)チタン、ジ−i−プロポキシ・ビス(ア
セチルアセトナート)チタン、ジ−n−ブトキシ・ビス
(アセチルアセトナート)チタン、ジ−sec−ブトキ
シ・ビス(アセチルアセトナート)チタン、ジ−t−ブ
トキシ・ビス(アセチルアセトナート)チタン、モノエ
トキシ・トリス(アセチルアセトナート)チタン、モノ
−n−プロポキシ・トリス(アセチルアセトナート)チ
タン、モノ−i−プロポキシ・トリス(アセチルアセト
ナート)チタン、モノ−n−ブトキシ・トリス(アセチ
ルアセトナート)チタン、モノ−sec−ブトキシ・ト
リス(アセチルアセトナート)チタン、モノ−t−ブト
キシ・トリス(アセチルアセトナート)チタン、テトラ
キス(アセチルアセトナート)チタン、トリエトキシ・
モノ(エチルアセトアセテート)チタン、トリ−n−プ
ロポキシ・モノ(エチルアセトアセテート)チタン、ト
リ−i−プロポキシ・モノ(エチルアセトアセテート)
チタン、トリ−n−ブトキシ・モノ(エチルアセトアセ
テート)チタン、トリ−sec−ブトキシ・モノ(エチ
ルアセトアセテート)チタン、トリ−t−ブトキシ・モ
ノ(エチルアセトアセテート)チタン、ジエトキシ・ビ
ス(エチルアセトアセテート)チタン、ジ−n−プロポ
キシ・ビス(エチルアセトアセテート)チタン、ジ−i
−プロポキシ・ビス(エチルアセトアセテート)チタ
ン、ジ−n−ブトキシ・ビス(エチルアセトアセテー
ト)チタン、ジ−sec−ブトキシ・ビス(エチルアセ
トアセテート)チタン、ジ−t−ブトキシ・ビス(エチ
ルアセトアセテート)チタン、モノエトキシ・トリス
(エチルアセトアセテート)チタン、モノ−n−プロポ
キシ・トリス(エチルアセトアセテート)チタン、モノ
−i−プロポキシ・トリス(エチルアセトアセテート)
チタン、モノ−n−ブトキシ・トリス(エチルアセトア
セテート)チタン、モノ−sec−ブトキシ・トリス
(エチルアセトアセテート)チタン、モノ−t−ブトキ
シ・トリス(エチルアセトアセテート)チタン、テトラ
キス(エチルアセトアセテート)チタン、モノ(アセチ
ルアセトナート)トリス(エチルアセトアセテート)チ
タン、ビス(アセチルアセトナート)ビス(エチルアセ
トアセテート)チタン、トリス(アセチルアセトナー
ト)モノ(エチルアセトアセテート)チタン、等のチタ
ンキレート化合物;トリエトキシ・モノ(アセチルアセ
トナート)ジルコニウム、トリ−n−プロポキシ・モノ
(アセチルアセトナート)ジルコニウム、トリ−i−プ
ロポキシ・モノ(アセチルアセトナート)ジルコニウ
ム、トリ−n−ブトキシ・モノ(アセチルアセトナー
ト)ジルコニウム、トリ−sec−ブトキシ・モノ(ア
セチルアセトナート)ジルコニウム、トリ−t−ブトキ
シ・モノ(アセチルアセトナート)ジルコニウム、ジエ
トキシ・ビス(アセチルアセトナート)ジルコニウム、
ジ−n−プロポキシ・ビス(アセチルアセトナート)ジ
ルコニウム、ジ−i−プロポキシ・ビス(アセチルアセ
トナート)ジルコニウム、ジ−n−ブトキシ・ビス(ア
セチルアセトナート)ジルコニウム、ジ−sec−ブト
キシ・ビス(アセチルアセトナート)ジルコニウム、ジ
−t−ブトキシ・ビス(アセチルアセトナート)ジルコ
ニウム、モノエトキシ・トリス(アセチルアセトナー
ト)ジルコニウム、モノ−n−プロポキシ・トリス(ア
セチルアセトナート)ジルコニウム、モノ−i−プロポ
キシ・トリス(アセチルアセトナート)ジルコニウム、
モノ−n−ブトキシ・トリス(アセチルアセトナート)
ジルコニウム、モノ−sec−ブトキシ・トリス(アセ
チルアセトナート)ジルコニウム、モノ−t−ブトキシ
・トリス(アセチルアセトナート)ジルコニウム、テト
ラキス(アセチルアセトナート)ジルコニウム、トリエ
トキシ・モノ(エチルアセトアセテート)ジルコニウ
ム、トリ−n−プロポキシ・モノ(エチルアセトアセテ
ート)ジルコニウム、トリ−i−プロポキシ・モノ(エ
チルアセトアセテート)ジルコニウム、トリ−n−ブト
キシ・モノ(エチルアセトアセテート)ジルコニウム、
トリ−sec−ブトキシ・モノ(エチルアセトアセテー
ト)ジルコニウム、トリ−t−ブトキシ・モノ(エチル
アセトアセテート)ジルコニウム、ジエトキシ・ビス
(エチルアセトアセテート)ジルコニウム、ジ−n−プ
ロポキシ・ビス(エチルアセトアセテート)ジルコニウ
ム、ジ−i−プロポキシ・ビス(エチルアセトアセテー
ト)ジルコニウム、ジ−n−ブトキシ・ビス(エチルア
セトアセテート)ジルコニウム、ジ−sec−ブトキシ
・ビス(エチルアセトアセテート)ジルコニウム、ジ−
t−ブトキシ・ビス(エチルアセトアセテート)ジルコ
ニウム、モノエトキシ・トリス(エチルアセトアセテー
ト)ジルコニウム、モノ−n−プロポキシ・トリス(エ
チルアセトアセテート)ジルコニウム、モノ−i−プロ
ポキシ・トリス(エチルアセトアセテート)ジルコニウ
ム、モノ−n−ブトキシ・トリス(エチルアセトアセテ
ート)ジルコニウム、モノ−sec−ブトキシ・トリス
(エチルアセトアセテート)ジルコニウム、モノ−t−
ブトキシ・トリス(エチルアセトアセテート)ジルコニ
ウム、テトラキス(エチルアセトアセテート)ジルコニ
ウム、モノ(アセチルアセトナート)トリス(エチルア
セトアセテート)ジルコニウム、ビス(アセチルアセト
ナート)ビス(エチルアセトアセテート)ジルコニウ
ム、トリス(アセチルアセトナート)モノ(エチルアセ
トアセテート)ジルコニウム、等のジルコニウムキレー
ト化合物;トリス(アセチルアセトナート)アルミニウ
ム、トリス(エチルアセトアセテート)アルミニウム等
のアルミニウムキレート化合物;などを挙げることがで
きる。有機酸としては、例えば酢酸、プロピオン酸、ブ
タン酸、ペンタン酸、ヘキサン酸、ヘプタン酸、オクタ
ン酸、ノナン酸、デカン酸、シュウ酸、マレイン酸、メ
チルマロン酸、アジピン酸、セバシン酸、没食子酸、酪
酸、メリット酸、アラキドン酸、ミキミ酸、2−エチル
ヘキサン酸、オレイン酸、ステアリン酸、リノール酸、
リノレイン酸、サリチル酸、安息香酸、p−アミノ安息
香酸、p−トルエンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、
モノクロロ酢酸、ジクロロ酢酸、トリクロロ酢酸、トリ
フルオロ酢酸、ギ酸、マロン酸、スルホン酸、フタル
酸、フマル酸、クエン酸、酒石酸等を挙げることができ
る。無機酸としては、例えば塩酸、硝酸、硫酸、フッ
酸、リン酸等を挙げることができる。有機塩基として
は、例えばピリジン、ピロール、ピペラジン、ピロリジ
ン、ピペリジン、ピコリン、トリメチルアミン、トリエ
チルアミン、モノエタノールアミン、ジエタノールアミ
ン、ジメチルモノエタノールアミン、モノメチルジエタ
ノールアミン、トリエタノールアミン、ジアザビシクロ
オクラン、ジアザビシクロノナン、ジアザビシクロウン
デセン、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド
等を挙げることができる。無機塩基としては、例えばア
ンモニア、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化
バリウム、水酸化カルシウム等を挙げることができる。
これら触媒の内、金属キレート化合物、有機酸、無機酸
が好ましく、より好ましくはチタンキレート化合物、有
機酸を挙げることができる。これらは1種あるいは2種
以上を同時に使用しても良い。
分解縮合物換算)および(B)成分のそれぞれ100重
量部に対して、通常、0.001〜10重量部、好まし
くは0.01〜10重量部の範囲である。なお、本発明
において完全加水分解縮合物とは、化合物(A)中の−
OR1、5で表される基が100%加水加水分解してOH
基となり、完全に縮合したものを示す。
基としては、アルキル基、アリール基、アリル基、グリ
シジル基などを挙げることができる。ここで、アルキル
基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基などが挙げられ、好ましくは炭素数1〜5であり、こ
れらのアルキル基は鎖状でも、分岐していてもよく、さ
らに水素原子がフッ素原子などに置換されていてもよ
い。一般式(2)においてアリール基としてはフェニル
基、ナフチル基などを挙げることができる。一般式
(2)で表される化合物の具体例としては、トリメチル
クロロシラン、トリエチルクロロシシラン、t−ブチル
ジメチルクロロシラン、トリフェニルコロロシラン、ヘ
キサメチルジシロキサン、ヘキサエチルジシロキサン、
ヘキサプロピルジシロキサン、ヘキサi―ブチルジシロ
キサン、ヘキサフェニルジシロキサン、ヘキサメチルジ
シラザン、ヘキサエチルジシラザン、ヘキサプロピルジ
シラザン、ヘキサi―ブチルジシラザン、ヘキサフェニ
ルジシラザン、N,O―(ビストリメチルシリル)アセ
トアミド、N,N−ビス(トリメチルシリル)ウレア、
トリメチルモノメトキシシラン、トリメチルモノエトキ
シシラン、トリメチルモノ−n−プロポキシシラン,ト
リメチルモノ−iso−プロポキシシラン、トリメチル
モノ−n−ブトキシラン、トリメチルモノ−sec−ブ
トキシシラン、トリメチルモノ−tert−ブトキシシ
ラン、トリメチルモノフェノキシシラン、トリエチルモ
ノメトキシシラン、トリエチルモノエトキシシラン、ト
リエチルモノ−n−プロポキシシラン,トリエチルモノ
−iso−プロポキシシラン、トリエチルモノ−n−ブ
トキシラン、トリエチルモノ−sec−ブトキシシラ
ン、トリエチルモノ−tert−ブトキシシラン、トリ
エチルモノフェノキシシラン、トリ−n−プロピルモノ
メトキシシラン、トリ−n−プロピルモノエトキシシラ
ン、トリ−n−プロピルモノ−n−プロポキシシラン,
トリ−n−プロピルモノ−iso−プロポキシシラン、
トリ−n−プロピルモノ−n−ブトキシラン、トリ−n
−プロピルモノ−sec−ブトキシシラン、トリ−n−
プロピルモノ−tert−ブトキシシラン、トリ−n−
プロピルモノフェノキシシラン、トリ− iso −プロ
ピルモノメトキシシラン、トリ− iso −プロピルモ
ノエトキシシラン、トリ− iso −プロピルモノ−n
−プロポキシシラン,トリ−iso −プロピルモノ−
iso−プロポキシシラン、トリ− iso −プロピル
モノ−n−ブトキシラン、トリ− iso −プロピルモ
ノ−sec−ブトキシシラン、トリ− iso −プロピ
ルモノ−tert−ブトキシシラン、トリ−iso −
プロピルモノフェノキシシラン、トリフェニルモノメト
キシシラン、トリフェニルモノエトキシシラン、トリフ
ェニルモノ−n−プロポキシシラン,トリフェニルモノ
−iso−プロポキシシラン、トリフェニルモノ−n−
ブトキシラン、トリフェニルモノ−sec−ブトキシシ
ラン、トリフェニルモノ−tert−ブトキシシラン、
トリフェニルモノフェノキシシランなどを挙げることが
でき、トリメチルモノメトキシシラン、トリメチルモノ
エトキシシラン、トリエチルモノメトキシシラン、トリ
エチルモノエトキシシラン、トリフェニルモノメトキシ
シラン、トリフェニルモノエトキシシランをより好まし
い例として挙げることができる。これらは1種あるいは
2種以上を同時に使用しても良い。
成分および(B)成分を有機溶剤に溶解または分散して
なる。本発明に使用する有機溶剤としては、例えばn−
ペンタン、i−ペンタン、n−ヘキサン、i−ヘキサ
ン、n−ヘプタン、i−ヘプタン、2,2,4−トリメ
チルペンタン、n−オクタン、i−オクタン、シクロヘ
キサン、メチルシクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶
媒;ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、
トリメチルベンゼン、メチルエチルベンゼン、n−プロ
ピルベンセン、i−プロピルベンセン、ジエチルベンゼ
ン、i−ブチルベンゼン、トリエチルベンゼン、ジ−i
−プロピルベンセン、n−アミルナフタレン、トリメチ
ルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒;メタノール、エ
タノール、n−プロパノール、i−プロパノール、n−
ブタノール、i−ブタノール、sec−ブタノール、t
−ブタノール、n−ペンタノール、i−ペンタノール、
2−メチルブタノール、sec−ペンタノール、t−ペ
ンタノール、3−メトキシブタノール、n−ヘキサノー
ル、2−メチルペンタノール、sec−ヘキサノール、
2−エチルブタノール、sec−ヘプタノール、ヘプタ
ノール−3、n−オクタノール、2−エチルヘキサノー
ル、sec−オクタノール、n−ノニルアルコール、
2,6−ジメチルヘプタノール−4、n−デカノール、
sec−ウンデシルアルコール、トリメチルノニルアル
コール、sec−テトラデシルアルコール、sec−ヘ
プタデシルアルコール、フェノール、シクロヘキサノー
ル、メチルシクロヘキサノール、3,3,5−トリメチ
ルシクロヘキサノール、ベンジルアルコール、フェニル
メチルカルビノール、ジアセトンアルコール、クレゾー
ル等のモノアルコール系溶媒;エチレングリコール、
1,2−プロピレングリコール、1,3−ブチレングリ
コール、ペンタンジオール−2,4、2−メチルペンタ
ンジオール−2,4、ヘキサンジオール−2,5、ヘプ
タンジオール−2,4、2−エチルヘキサンジオール−
1,3、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコー
ル、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコー
ル、グリセリン等の多価アルコール系溶媒;アセトン、
メチルエチルケトン、メチル−n−プロピルケトン、メ
チル−n−ブチルケトン、ジエチルケトン、メチル−i
−ブチルケトン、メチル−n−ペンチルケトン、エチル
−n−ブチルケトン、メチル−n−ヘキシルケトン、ジ
−i−ブチルケトン、トリメチルノナノン、シクロヘキ
サノン、メチルシクロヘキサノン、2,4−ペンタンジ
オン、アセトニルアセトン、ジアセトンアルコール、ア
セトフェノン、フェンチョン等のケトン系溶媒;エチル
エーテル、i−プロピルエーテル、n−ブチルエーテ
ル、n−ヘキシルエーテル、2−エチルヘキシルエーテ
ル、エチレンオキシド、1,2−プロピレンオキシド、
ジオキソラン、4−メチルジオキソラン、ジオキサン、
ジメチルジオキサン、エチレングリコールモノメチルエ
ーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチ
レングリコールジエチルエーテル、エチレングリコール
モノ−n−ブチルエーテル、エチレングリコールモノ−
n−ヘキシルエーテル、エチレングリコールモノフェニ
ルエーテル、エチレングリコールモノ−2−エチルブチ
ルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、ジ
エチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレング
リコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジ
エチルエーテル、ジエチレングリコールモノ−n−ブチ
ルエーテル、ジエチレングリコールジ−n−ブチルエー
テル、ジエチレングリコールモノ−n−ヘキシルエーテ
ル、エトキシトリグリコール、テトラエチレングリコー
ルジ−n−ブチルエーテル、プロピレングリコールモノ
メチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエー
テル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プ
ロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレン
グリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコー
ルモノエチルエーテル、トリプロピレングリコールモノ
メチルエーテル、テトラヒドロフラン、2−メチルテト
ラヒドロフラン等のエーテル系溶媒;ジエチルカーボネ
ート、酢酸メチル、酢酸エチル、γ−ブチロラクトン、
γ−バレロラクトン、酢酸n−プロピル、酢酸i−プロ
ピル、酢酸n−ブチル、酢酸i−ブチル、酢酸sec−
ブチル、酢酸n−ペンチル、酢酸sec−ペンチル、酢
酸3−メトキシブチル、酢酸メチルペンチル、酢酸2−
エチルブチル、酢酸2−エチルヘキシル、酢酸ベンジ
ル、酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロヘキシル、
酢酸n−ノニル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチ
ル、酢酸エチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸
エチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレ
ングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジエチレングリ
コールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコール
モノ−n−ブチルエーテル、酢酸プロピレングリコール
モノメチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノエ
チルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノプロピル
エーテル、酢酸プロピレングリコールモノブチルエーテ
ル、酢酸ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、
酢酸ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジ酢
酸グリコール、酢酸メトキシトリグリコール、プロピオ
ン酸エチル、プロピオン酸n−ブチル、プロピオン酸i
−アミル、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジ−n−ブチ
ル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸n−ブチル、乳酸n
−アミル、マロン酸ジエチル、フタル酸ジメチル、フタ
ル酸ジエチル等のエステル系溶媒;N−メチルホルムア
ミド、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジエチ
ルホルムアミド、アセトアミド、N−メチルアセトアミ
ド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチルプロピ
オンアミド、N−メチルピロリドン等の含窒素系溶媒;
硫化ジメチル、硫化ジエチル、チオフェン、テトラヒド
ロチオフェン、ジメチルスルホキシド、スルホラン、
1,3−プロパンスルトン等の含硫黄系溶媒等を挙げる
ことができる。これらは1種あるいは2種以上を混合し
て使用することができる。
の有機溶剤を含有するが、(A)成分を加水分解および
/または部分縮合する際あるいは(A)成分と(B)成
分を反応する際に同様な溶剤を使用することができる。
にあたり、組成物中の沸点100℃以下のアルコールの
含量が、20重量%以下、特に5重量%以下であること
が好ましい。沸点100℃以下のアルコールは、上記
(A)成分の加水分解および/またはその部分縮合の際
に生じる場合があり、その含量が20重量%以下、好ま
しくは5重量%以下になるように蒸留等により除去する
事が好ましい。
る(A)成分と(B)成分の使用割合は、(A)成分の
含有量が100重量部に対して、(B)成分の含有量が
0.5〜30重量部、より好ましくは(B)成分の含有
量が0.5〜25重量部である。(B)成分の含有量が
0.5重量部未満であるとレジストに対する密着性が低
下し、(B)成分の含有量が30重量部を超えるとレジ
ストの酸素アッシング時にレジスト下層膜用組成物に膜
減りが生じてしまう。
下記のような成分を添加しても良い。β−ジケトン β−ジケトンとしては、アセチルアセトン、2,4−ヘ
キサンジオン、2,4−ヘプタンジオン、3,5−ヘプ
タンジオン、2,4−オクタンジオン、3,5−オクタ
ンジオン、2,4−ノナンジオン、3,5−ノナンジオ
ン、5−メチル−2,4−ヘキサンジオン、2,2,
6,6−テトラメチル−3,5−ヘプタンジオン、1,
1,1,5,5,5−ヘキサフルオロ−2,4−ヘプタ
ンジオン等の1種または2種以上である。本発明におい
て、膜形成用組成物中のβ−ジケトン含有量は、全溶剤
の1〜50重量%、好ましくは3〜30重量%とするこ
とが好ましい。このような範囲でβ−ジケトンを添加す
れば、一定の保存安定性が得られるとともに、膜形成用
組成物の塗膜均一性等の特性が低下するおそれが少な
い。
酸を発生する化合物 上記(B)成分において、酸発生剤としては、潜在性熱
酸発生剤、潜在性光酸発生剤を挙げることができる。本
発明で用いられる潜在性熱酸発生剤は、加熱により酸を
発生する化合物であり、スルホニウム塩、ベンゾチアゾ
リウム塩、アンモニウム塩、ホスホニウム塩などのオニ
ウム塩が用いられる。中でも、スルホニウム塩およびベ
ンゾチアゾリウム塩が好ましい。
−アセトフェニルジメチルスルホニウム ヘキサフルオ
ロアンチモネート、4−アセトキシフェニルジメチルス
ルホニウム ヘキサフルオロアルセネート、ジメチル−
4−(ベンジルオキシカルボニルオキシ)フェニルスル
ホニウム ヘキサフルオロアンチモネート、ジメチル−
4−(ベンゾイルオキシ)フェニルスルホニウム ヘキ
サフルオロアンチモネート、ジメチル−4−(ベンゾイ
ルオキシ)フェニルスルホニウム ヘキサフルオロアル
セネート、ジメチル−3−クロロ−4−アセトキシフェ
ニルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネートなど
のアルキルスルホニウム塩;ベンジル−4−ヒドロキシ
フェニルメチルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモ
ネート、ベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスル
ホニウム ヘキサフルオロホスフェート、4−アセトキ
シフェニルベンジルメチルスルホニウム ヘキサフルオ
ロアンチモネート、ベンジル−4−メトキシフェニルメ
チルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネート、ベ
ンジル−2−メチル−4−ヒドロキシフェニルメチルス
ルホニウム ヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル
−3−クロロ−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニ
ウム ヘキサフルオロアルセネート、4−メトキシベン
ジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウム ヘ
キサフルオロホスフェートなどのベンジルスルホニウム
塩;
ホニウム ヘキサフルオロアンチモネート、ジベンジル
−4−ヒドロキシフェニルスルホニウム ヘキサフルオ
ロホスフェート、4−アセトキシフェニルジベンジルス
ルホニウム ヘキサフルオロアンチモネート、ジベンジ
ル−4−メトキシフェニルスルホニウム ヘキサフルオ
ロアンチモネート、ジベンジル−3−クロロ−4−ヒド
ロキシフェニルスルホニウム ヘキサフルオロアルセネ
ート、ジベンジル−3−メチル−4−ヒドロキシ−5−
tert−ブチルフェニルスルホニウム ヘキサフルオ
ロアンチモネート、ベンジル−4−メトキシベンジル−
4−ヒドロキシフェニルスルホニウム ヘキサフルオロ
ホスフェートなどのジベンジルスルホニウム塩;p−ク
ロロベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニ
ウム ヘキサフルオロアンチモネート、p−ニトロベン
ジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウム ヘ
キサフルオロアンチモネート、p−クロロベンジル−4
−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウム ヘキサフル
オロホスフェート、p−ニトロベンジル−3−メチル−
4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウム ヘキサフ
ルオロアンチモネート、3,5−ジクロロベンジル−4
−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウム ヘキサフル
オロアンチモネート、o−クロロベンジル−3−クロロ
−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウム ヘキサ
フルオロアンチモネートなどの置換ベンジルスルホニウ
ム塩;
は3−ベンジルベンゾチアゾリウムヘキサフルオロアン
チモネート、3−ベンジルベンゾチアゾリウム ヘキサ
フルオロホスフェート、3−ベンジルベンゾチアゾリウ
ム テトラフルオロボレート、3−(p−メトキシベン
ジル)ベンゾチアゾリウム ヘキサフルオロアンチモネ
ート、3−ベンジル−2−メチルチオベンゾチアゾリウ
ム ヘキサフルオロアンチモネート、3−ベンジル−5
−クロロベンゾチアゾリウム ヘキサフルオロアンチモ
ネートなどのベンジルベンゾチアゾリウム塩が挙げられ
る。
メチルスルホニウム ヘキサフルオロアルセネート、ベ
ンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウム
ヘキサフルオロアンチモネート、4−アセトキシフェニ
ルベンジルメチルスルホニウム ヘキサフルオロアンチ
モネート、ジベンジル−4−ヒドロキシフェニルスルホ
ニウム ヘキサフルオロアンチモネート、4−アセトキ
シフェニルベンジルスルホニウム ヘキサフルオロアン
チモネート、3−ベンジルベンゾチアゾリウムヘキサフ
ルオロアンチモネートなどが好ましく用いられる。これ
らの市販品としては、サンエイド SI−L85、同S
I−L110、同SI−L145、同SI−L150、
同SI−L160(三新化学工業(株)製)などが挙げ
られる。これらの化合物は、単独であるいは2種以上組
み合わせて用いることができる。本発明で用いられる潜
在性光酸発生剤は、紫外光照射により酸を発生する化合
物であり、光酸発生剤としては、例えばジフェニルヨー
ドニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニル
ヨードニウムピレンスルホネート、ジフェニルヨードニ
ウムドデシルベンゼンスルホネート、ジフェニルヨード
ニウムノナフルオロn−ブタンスルホネート、ビス(4
―t−ブチルフェニル)ヨードニウムトリフルオロメタ
ンスルホネート、ビス(4―t−ブチルフェニル)ヨー
ドニウムドデシルベンゼンスルホネート、ビス(4―t
−ブチルフェニル)ヨードニウムナフタレンスルホネー
ト、ビス(4―t−ブチルフェニル)ヨードニウムヘキ
サフルオロアンチモネート、ビス(4―t−ブチルフェ
ニル)ヨードニウムノナフルオロn−ブタンスルホネー
ト、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスル
ホネート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロア
ンチモネート、トリフェニルスルホニウムナフタレンス
ルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロn
−ブタンスルホネート、(ヒドロキシフェニル)ベンゼ
ンメチルスルホニウムトルエンスルホネート、シクロヘ
キシルメチル(2―オキソシクロヘキシル)スルホニウ
ムトリフルオロメタンスルホネート、ジシクロヘキシル
(2―オキソシクロヘキシル)スルホニウムトリフルオ
ロメタンスルホネート、ジメチル(2―オキソシクロヘ
キシル)スルホニウムトリフルオロメタンスルホネー
ト、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネ
ート、トリフェニルスルホニウムカンファースルホネー
ト、(4―ヒドロキシフェニル)ベンジルメチルスルホ
ニウムトルエンスルホネート、1−ナフチルジメチルス
ルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、1―ナフ
チルジエチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネ
ート、4―シアノー1―ナフチルジメチルスルホニウム
トリフルオロメタンスルホネート、4―ニトロ−1―ナ
フチルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホ
ネート、4―メチル−1―ナフチルジメチルスルホニウ
ムトリフルオロメタンスルホネート、4―シアノ−1―
ナフチル−ジエチルスルホニウムトリフルオロメタンス
ルホネート、4―ニトロ−1―ナフチルジエチルスルホ
ニウムトリフルオロメタンスルホネート、4−メチル−
1−ナフチルジエチルスルホニウムトリフルオロメタン
スルホネート、4−ヒドロキシ−1−ナフチルジメチル
スルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4−ヒ
ドロキシ−1−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムト
リフルオロメタンスルホネート、4−メトキシ−1−ナ
フチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタン
スルホネート、4―エトキシ−1−ナフチルテトラヒド
ロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、4
―メトキシメトキシ−1−ナフチルテトラヒドロチオフ
ェニウムトリフルオロメタンスルホネート、4―エトキ
シメトキシ−1−ナフチルテトラヒドロチオフェニウム
トリフルオロメタンスルホネート、4−(1−メトキシ
エトキシ)−1−ナフチルテトラヒドロチオフェニウム
トリフルオロメタンスルホネート、4−(2−メトキシ
エトキシ)−1−ナフチルテトラヒドロチオフェニウム
トリフルオロメタンスルホネート、4−メトキシカルボ
ニルオキシ−1−ナフチルテトラヒドロチオフェニウム
トリフルオロメタンスルホネート、4−エトキシカルブ
ニルオキシ−1−ナフチルテトラヒドロチオフェニウム
トリフルオロメタンスルホネート、4−n−プロポキシ
カルボニルオキシ−1−ナフチルテトラヒドロチオフェ
ニウムトリフルオロメタンスルホネート、4−i−プロ
ポキシカルボニルオキシ−1−ナフチルテトラヒドロチ
オフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、4−n
−ブトキカルビニルオキシ−1−ナフチルテトラヒドロ
チオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、4−
t−ブトキシカルボニルオキシ−1−ナフチルテトラヒ
ドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、
4−(2−テトラヒドロフラニルオキシ)−1−ナフチ
ルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスル
ホネート、4−(2−テトラヒドロピラニルオキシ)−
1−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロ
メタンスルホネート、4−ベンジルオキシ−1−ナフチ
ルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスル
ホネート、1−(ナフチルアセトメチル)テトラヒドロ
チオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート等のオ
ニウム塩系光酸発生剤類;フェニル-ビス(トリクロロメ
チル)−s−トリアジン、メトキシフェニル−ビス(ト
リクロロメチル)−s−トリアジン、ナフチル−ビス
(トリクロロメチル)−s−トリアジン等のハロゲン含
有化合物系光酸発生剤類;1,2−ナフトキノンジアジ
ド−4−スルホニルクロリド、1,2−ナフトキノンジ
アジド−5−スルホニルクロリド、2,3,4,4‘−
テトラベンゾフェノンの1,2−ナフトキノンジアジド
−4−スルホン酸エステルまたは1,2−ナフトキノン
ジアジド−5−スルホン酸エステル等のジアゾケトン化
合物系光酸発生剤類;4−トリスフェナシルスルホン、
メシチルフェナシルスルホン、ビス(フェニルスルホニ
ル)メタン等のスルホン酸化合物系光酸発生剤類;ベン
ゾイントシレート、ピロガロールのトリストリフルオロ
メタンスルホネート、ニトロベンジル−9,10−ジエ
トキシアントラセン−2−スルホネート、トリフルオロ
メタンスルホニルビシクロ[2,2,1]ヘプト−5−
エン−2,3−ジカルボジイミド、N−ヒドロキシスク
シンイミドトリフルオロメタンスルホネート、1,8−
ナフタレンジカルボン酸イミドトリフルオロメタンスル
ホネート等のスルホン酸化合物系光酸発生剤類等が挙げ
られる。これらは一種単独でも二種以上組合わせても使
用することができる。紫外光照射および/または加熱処
理により酸を発生する化合物は、(A)成分の含有量
(完全加水分解縮合物換算)100重量部に対して、通常
1〜30重量部である。
状シリカ、コロイド状アルミナ、有機ポリマー、界面活
性剤などの成分を添加してもよい。コロイド状シリカと
は、例えば高純度の無水ケイ酸を前記親水性有機溶媒に
分散した分散液であり、通常、平均粒径が5〜30m
μ、好ましくは10〜20mμ、固形分濃度が10〜4
0重量%程度のものである。このような、コロイド状シ
リカとしては、例えば日産化学工業(株)製、メタノー
ルシリカゾルおよびイソプロパノールシリカゾル;触媒
化成工業(株)製、オスカルなどが挙げられる。コロイ
ド状アルミナとしては、日産化学工業(株)製のアルミ
ナゾル520、同100、同200;川研ファインケミ
カル(株)製のアルミナクリアーゾル、アルミナゾル1
0、同132などが挙げられる。有機ポリマーとして
は、例えばポリアルキレンオキサイド構造を有する化合
物、糖鎖構造を有する化合物、ビニルアミド系重合体、
(メタ)アクリレート化合物、芳香族ビニル化合物、デ
ンドリマー、ポリイミド,ポリアミック酸、ポリアリー
レン、ポリアミド、ポリキノキサリン、ポリオキサジア
ゾール、フッ素系重合体等を挙げることができる。界面
活性剤としては、例えばノニオン系界面活性剤、アニオ
ン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、両性界面活性
剤などが挙げられ、さらには、シリコーン系界面活性
剤、ポリアルキレンオキシド系界面活性剤、含フッ素界
面活性剤等を挙げることができる。
実施例に基づいて説明する。但し、以下の記載は、本発
明の態様例を概括的に示すものであり、特に理由なく、
かかる記載により本発明は限定されるものではない。 (合成例1)テトラメトキシシラン107.7gをプロ
ピレングリコールモノプロピルエーテル359gに溶解
させた後、スリーワンモーターで攪拌させ、溶液温度を
60℃に安定させた。次にマレイン酸2.5gを溶解さ
せたイオン交換水42gを1時間かけて溶液に添加し
た。その後、60℃で4時間反応させた後、ヘキサメチ
ルジシラザン3.5gを添加し、60℃で2時間さらに
反応を行い、反応液を室温まで冷却した。この反応液に
プロピレングリコールモノプロピルエーテル136g添
加し、50℃で反応液からメタノールを含む溶液を13
6gエバポレーションで除去し、反応液−1を得た。 (合成例2)合成例1において、テトラメトキシシラン
の代わりにテトラエトキシシラン96.4gを使用した
以外は合成例1と同様にして、反応液―2を得た。 (合成例3)合成例1において、マレイン酸の代わりに
イソプロポキシチタンテトラエチルアセチルアセテート
0.4gを使用した以外は合成例1と同様にして、反応
液−2を得た。 (合成例4)テトラメトキシシラン107.7gをプロ
ピレングリコールモノプロピルエーテル359gに溶解
させた後、スリーワンモーターで攪拌させ、溶液温度を
60℃に安定させた。次にマレイン酸2.5gを溶解さ
せたイオン交換水42gを1時間かけて溶液に添加し
た。その後、60℃で4時間反応させた後、反応液を室
温まで冷却した。この反応液にプロピレングリコールモ
ノプロピルエーテル136g添加し、50℃で反応液か
らメタノールを含む溶液を136gエバポレーションで
除去し、反応液−4を得た。
の評価を行った。(レジストの密着性評価) レジスト下層膜上にレジスト
(JSR製PFR3650)を塗布し、100℃で1分
間乾燥させた。0.5μmのライン・アンド・スペース
パターンを有する石英製マスクと通して15秒間i線照
射した。2.38%テトラメチルアンモニウムハイドロ
オキサイド水溶液で1分間現像した後の基板で、レジス
トパターンをSEMで観察し、レジストパターンの現像
剥離が生じていない場合を「良好」と判断した。(耐アルカリ性評価) レジスト下層膜を2.38%テト
ラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液に1分
間浸漬し前後での塗膜膜厚の変化が1nm以下の場合、
「良好」と判断した。(酸素アッシング耐性) レジスト下層膜をバレル型酸素
プラズマ灰化装置(ヤマト科学製PR−501A)を用
いて、200Wで15秒間O2処理し前後で膜厚の変化
が3nm以下の場合、「良好」と判断した。
1を0.2μm孔径のテフロン製フィルターで濾過を行
い、スピンコート法でシリコンウェハー上に塗布し、3
50℃のホットプレートで2分間乾燥を行った。塗膜の
膜厚を光学式膜厚計で測定したところ95nmであっ
た。この塗膜上でレジストのパターニングを行ったとこ
ろ、レジストパターンに剥がれは認められなかった。
2.38%テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイ
ド処理前後での膜厚の変化は0.3nmと良好であっ
た。。また、酸素アッシング処理前後での膜厚の変化は
1.8nmと良好であった。 (実施例2)合成例2で得られた反応液−2を使用した
以外は、実施例1と同様に塗膜の作製と評価を行った。
この塗膜上でレジストのパターニングを行ったところ、
レジストパターンに剥がれは認められなかった。2.3
8%テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド処理
前後での膜厚の変化は0.5nmと良好であった。。ま
た、酸素アッシング処理前後での膜厚の変化は1.6n
mと良好であった。
3を使用した以外は、実施例1と同様に塗膜の作製と評
価を行った。この塗膜上でレジストのパターニングを行
ったところ、レジストパターンに剥がれは認められなか
った。2.38%テトラメチルアンモニウムハイドロオ
キサイド処理前後での膜厚の変化は0.4nmと良好で
あった。。また、酸素アッシング処理前後での膜厚の変
化は1.8nmと良好であった。
4を使用した以外は実施例1と同様に塗膜の作製と評価
を行った。この塗膜上でレジストのパターニングを行っ
たところ、レジストパターンに剥がれが認められた。
に優れ、レジストを露光した後に使用する現像液に対す
る耐性に優れ、かつレジストの酸素アッシング時の膜減
りの少ないレジスト下層膜用組成物を提供することが可
能となった。
Claims (6)
- 【請求項1】 (A)下記一般式(1)で表される化合
物の加水分解物およびその縮合物もしくはいずれか一方 R1 aSi(OR2)4-a ・・・・・(1) (R1は水素原子、フッ素原子または1価の有機基を示
し、R2は1価の有機基を示し、aは0〜2の整数を表
す。) (B)下記一般式(2)で表される化合物の少なくとも
1種 R2 3SiQ (2) [R2は1価の有機基を示し、Qは塩素原子、−OR3、
−OSiR3 3 、−NHSiR3 3、−NHCONHSiR3
3、および−OC(CH3)=NSiR3 3(ただしR3は
1価の有機基を示す)からなる群から選ばれた1種を示
す。]を含有することを特徴とするレジスト下層膜用組
成物。 - 【請求項2】 (A)下記一般式(1)で表される化合
物の加水分解物およびその縮合物もしくはいずれか一方 R1 aSi(OR2)4-a ・・・・・(1) (R1は水素原子、フッ素原子または1価の有機基を示
し、R2は1価の有機基を示し、aは0〜2の整数を表
す。) (B)下記一般式(2)で表される化合物の少なくとも
1種 R2 3SiQ (2) [R2は1価の有機基を示し、Qは塩素原子、−OR3、
−OSiR3 3 、−NHSiR3 3、−NHCONHSiR3
3、および−OC(CH3)=NSiR3 3(ただしR3は
1価の有機基を示す)からなる群から選ばれた1種を示
す。]との反応生成物を含有することを特徴とするレジ
スト下層膜用組成物。 - 【請求項3】 (A)成分100重量部(完全加水分解
縮合物換算)に対して(B)成分を0.5〜30重量部
含有することを特徴とする請求項1記載のレジスト下層
膜用組成物。 - 【請求項4】 (A)成分100重量部(完全加水分解
縮合物換算)に対して(B)成分を0.5〜30重量部
を反応させることを特徴とする請求項2載のレジスト下
層膜用組成物。 - 【請求項5】 組成物中に含有される沸点100℃以
下のアルコールの含有量が5重量%以下であることを特
徴とする請求項1記載のレジスト下層膜用組成物。 - 【請求項6】 さらに紫外光照射および/または加熱
処理により酸を発生する化合物を含有することを特徴と
する請求項1または2記載のレジスト下層膜用組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15867299A JP4140129B2 (ja) | 1999-06-04 | 1999-06-04 | レジスト下層膜用組成物 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP15867299A JP4140129B2 (ja) | 1999-06-04 | 1999-06-04 | レジスト下層膜用組成物 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000347415A true JP2000347415A (ja) | 2000-12-15 |
JP2000347415A5 JP2000347415A5 (ja) | 2007-10-11 |
JP4140129B2 JP4140129B2 (ja) | 2008-08-27 |
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ID=15676852
Family Applications (1)
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---|---|---|---|
JP15867299A Expired - Lifetime JP4140129B2 (ja) | 1999-06-04 | 1999-06-04 | レジスト下層膜用組成物 |
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JP (1) | JP4140129B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000109694A (ja) * | 1998-08-04 | 2000-04-18 | Jsr Corp | 光硬化性樹脂組成物および硬化膜 |
JP2001288364A (ja) * | 2000-04-05 | 2001-10-16 | Jsr Corp | 放射線硬化性組成物およびそれを用いた光導波路ならびに光導波路の製造方法 |
-
1999
- 1999-06-04 JP JP15867299A patent/JP4140129B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
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---|---|---|---|---|
JP2000109694A (ja) * | 1998-08-04 | 2000-04-18 | Jsr Corp | 光硬化性樹脂組成物および硬化膜 |
JP2001288364A (ja) * | 2000-04-05 | 2001-10-16 | Jsr Corp | 放射線硬化性組成物およびそれを用いた光導波路ならびに光導波路の製造方法 |
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