JP2001015414A

JP2001015414A - 露光装置

Info

Publication number: JP2001015414A
Application number: JP11185956A
Authority: JP
Inventors: Kenji Endo; 健次遠藤
Original assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1999-06-30
Filing date: 1999-06-30
Publication date: 2001-01-19

Abstract

(57)【要約】【課題】コスト上昇を抑制しつつ、光の利用効率が高
い露光装置を提供する。【解決手段】第１ミラー９１は、その焦点位置が導光
ロッド５６の出射面５６ｂと一致するように配置されて
いる。第２ミラー９２は、その焦点位置が照射対象領域
に一致するように配置されている。出射面５６ｂから出
射された光は、第１ミラー９１によって平行光として反
射され、さらに第２ミラー９２によって基板Ｗ上に結像
される。鏡を使用した反射光学系によって結像させてい
るため、従来のレンズを用いた場合の如き色収差は発生
しない。従って、干渉フィルターのような光を選択する
手段を設ける必要がなくなり、コスト上昇が抑制される
とともに、光の利用効率も高くなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板、フォ
トマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等（以下、単
に「基板」と称する）の露光を行うべき露光領域含む照
射対象領域に光を照射してその露光対象領域の露光を行
う露光装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、上記のような基板に対しては、
レジスト塗布処理、現像処理およびそれらに付随する熱
処理を順次行わせることにより一連の基板処理を達成し
ている。これらのうちレジスト塗布処理は、基板を回転
させつつフォトレジスト（以下、単に「レジスト」とい
う）を供給し、遠心力によって基板の表面全面にレジス
ト塗布を行う処理である。

【０００３】上述のようにしてレジストが塗布された基
板にはその全面にレジスト膜が形成される。しかしなが
ら、基板の端縁部に形成されたレジスト膜は基板搬送時
の機械的接触による発塵の原因となるため、端縁部に形
成されたレジスト膜は除去する必要がある。なお、基板
の端縁部においては半導体チップ等のパターンは形成さ
れないので端縁部に形成されたレジスト膜は除去しても
良い。また、基板の端縁部以外の領域においてもパター
ンが形成されない隙間等についてはレジスト膜を除去す
る場合もある。

【０００４】このため、従来より、光源からの光（一般
的には紫外線）を不要なレジスト膜に導き、そのレジス
ト膜を露光して除去することが行われてきた。光源から
の光を基板上のレジスト膜まで導いて露光を行う技術と
しては、以下のような手法が用いられている。

【０００５】まず、光源から出射された光を楕円鏡を用
いて石英製の四角柱形状の導光ロッドの入射面に集光さ
せる。導光ロッドの入射面から入射した光は、導光ロッ
ド内部において全反射を繰り返してミキシングされた
後、入射面とは反対側の出射面から均一な照度分布とな
って出射される。そして、その出射面から出射された光
を結像レンズによって、レジスト膜上の露光すべき領域
に結像させる。

【０００６】なお、レジスト感度の低い、波長の長い光
は熱の発生源になるので、誘電体多層膜を蒸着した楕円
鏡および折り返しミラーによって透過するようにしてい
た。また、結像レンズのみでは十分な結像性能が得られ
ない場合には、導光ロッドと楕円鏡との間に干渉フィル
ターを挿入して、狭い波長帯域のみの光を透過させ、露
光に使用するようにしていた。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】以上のような従来の技
術により露光を行った場合、結像レンズを組み込むこと
によって光の結像性能が向上するため、露光領域の境界
部分が鮮明になる。すなわち、露光を行った領域と行っ
ていない領域との境界部分の幅が狭くなり、そこに残留
するレジストも著しく低減され、パーティクルの発生要
因は少なくなる。

【０００８】しかしながら、光の利用効率が低いため、
露光時間に長時間を要し、スループットが低下するとい
う問題があった。その理由としては、まず、結像レンズ
や干渉フィルターの表面反射および吸収によるロスが大
きいことがある。また、色収差を防止して十分な結像性
能を得るべく、レジスト感度を有する波長域の光もカッ
トしているからである。さらに、導光ロッドから出射す
る光の全てをレンズによって結像させるためには、レン
ズの開口数（ＮＡ）を０．４程度の大きなものとするこ
とが必要であるが、かかる大きな開口数のレンズ設計は
非常に困難である。一定以上の結像性能を付与するため
には、開口数（ＮＡ）を０．２５程度にする必要があ
り、このようなレンズでは導光ロッドからの光を４０％
程度しか有効に使用することができないことも光の利用
効率低下の原因となっていた。

【０００９】また、従来の技術ではコスト上昇も問題と
なっていた。一般にレジストの露光に使用する光はその
波長が２５０ｎｍ〜４５０ｎｍの紫外線であり、通常の
光学ガラスでは紫外線の透過率が低い。このため、レン
ズの硝材としては石英や蛍石を使う必要があり、その材
料費や研磨コストが高く、装置としてのコスト上昇を招
いていた。また、干渉フィルターを組み込んでいること
もコスト上昇の原因となっていた。

【００１０】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
であり、コスト上昇を抑制しつつ、光の利用効率が高い
露光装置を提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項１の発明は、基板上の露光を行うべき露光対
象領域を含む照射対象領域に光を照射して前記露光対象
領域の露光を行う露光装置であって、前記基板を支持す
る基板支持手段と、前記光を照射する光源と、その中心
軸を基板支持手段に支持された基板の主面と直交する所
定の直交軸と一致させるとともに、その凹面部が前記基
板と反対側に向くように配置され、その中心部に第１開
口を有する第１凹面鏡と、その中心軸を前記所定の直交
軸と一致させるとともに、その凹面部が第１凹面鏡の凹
面部と対向するように配置され、その中心部に第２開口
を有する第２凹面鏡と、前記光源から照射された光を出
射する出射面を有するとともに第２開口を介して第１凹
面鏡に向けて出射する導光部と、を備えている。

【００１２】また、請求項２の発明は、請求項１の発明
にかかる露光装置において、前記導光部の出射面から出
射された光のうち直接第１開口を通過する光を遮蔽する
遮蔽板をさらに備えている。

【００１３】また、請求項３の発明は、請求項１の発明
にかかる露光装置において、前記導光部と第１凹面鏡と
の間にあってその焦点位置が第１凹面鏡と一致するよう
に配置されたフィールドレンズをさらに備えている。

【００１４】また、請求項４の発明は、基板上の露光を
行うべき露光対象領域を含む照射対象領域に光を照射し
て前記露光対象領域の露光を行う露光装置であって、前
記基板を支持する基板支持手段と、前記光を照射する光
源と、その中心軸を基板支持手段に支持された基板の主
面と直交する所定の直交軸と一致させるとともに、その
凹面部が前記基板と反対側に向くように配置され、その
中心部に第１開口を有する第１凹面鏡と、その中心軸を
前記所定の直交軸と一致させるとともに、その凹面部が
第１凹面鏡の凹面部と対向するように配置された第２凹
面鏡と、前記光源から照射された光を第１凹面鏡と第２
凹面鏡との間の空間に向けて出射面から出射する導光部
と、第１凹面鏡と第２凹面鏡との間にあって前記所定の
直交軸と交わる位置に配置され、前記導光部の前記出射
面から出射された光を第１凹面鏡に向けて反射する反射
鏡と、を備えている。

【００１５】また、請求項５の発明は、請求項４の発明
にかかる露光装置において、前記反射鏡の中央部に開口
を設けている。

【００１６】また、請求項６の発明は、請求項１から請
求項５のいずれかの発明にかかる露光装置において、前
記第１凹面鏡をその焦点位置が前記導光部の前記出射面
と一致するように配置された第１放物面鏡とし、前記第
２凹面鏡をその焦点位置が前記照射対象領域に一致する
ように配置された第２放物面鏡としている。

【００１７】また、請求項７の発明は、請求項１から請
求項６のいずれかの発明にかかる露光装置において、前
記導光部に、前記出射面を有する柱状の導光ロッドを含
ませている。

【００１８】また、請求項８の発明は、請求項１から請
求項６のいずれかの発明にかかる露光装置において、前
記導光部に、複数の光ファイバーを束ねたファイバーバ
ンドルを含ませ、前記導光部の出射面に、その開口部分
が前記ファイバーバンドルの断面サイズよりも小さいア
パーチャを配置している。

【００１９】また、請求項９の発明は、請求項１から請
求項８のいずれかの発明にかかる露光装置において、前
記所定の直交軸に露光対象領域の中心を通らせている。

【００２０】また、請求項１０の発明は、請求項１から
請求項８のいずれかの発明にかかる露光装置において、
前記露光対象領域を基板の端縁部としている。

【００２１】また、請求項１１の発明は、請求項１０の
発明にかかる露光装置において、前記所定の直交軸が露
光対象領域の境界位置と一致するように第１凹面鏡およ
び第２凹面鏡を配置するとともに、前記導光部の出射面
の一方の端部が前記所定の直交軸と一致するとともに他
方の端部が基板支持手段に支持された基板の中心側に位
置するように前記導光部を配置している。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態について詳細に説明する。

【００２３】＜第１実施形態＞図１は、本発明に係る露
光装置の一例を示す斜視図である。図１には、水平面を
Ｘ−Ｙ面とし、鉛直方向をＺ軸方向とするＸＹＺ直交座
標系を付している。以下、図１を用いてこの露光装置の
機構的構成について説明する。

【００２４】この露光装置は感光性樹脂被膜、取り分け
化学増幅型レジスト膜がその面上に形成された基板の露
光を行うのに好適な装置であって、基台１０、基板回動
部２０、Ｙ軸駆動部３０、Ｘ軸駆動部４０、露光部５
０、Ｘ軸センサ６０、Ｙ軸センサ７０、エッジセンサ８
０および制御部８５を備えている。

【００２５】基板回動部２０は吸着チャック２１（基板
支持手段）により基板Ｗを略水平姿勢にて吸着保持し、
基板回動モータ２２の駆動により鉛直方向を回動軸とし
て所望の角度についてその基板Ｗを回動する。

【００２６】Ｙ軸駆動部３０は、露光部５０をＹ軸方向
に並進駆動させる駆動機構である。Ｙ軸駆動部３０は、
基台１０に固設されたＹ軸モータ３１と、その回転軸に
連結されたＹ軸ボールネジ３２と、Ｙ軸リニアガイド３
３と、それに摺動自在に取り付けられるとともにＹ軸ボ
ールネジ３２により並進駆動されるＹ軸ベース３４とを
備えている。

【００２７】Ｘ軸駆動部４０は、露光部５０をＸ軸方向
に並進駆動させる駆動機構である。Ｘ軸駆動部４０は、
Ｙ軸駆動部３０のＹ軸ベース３４にＸ軸方向に沿って設
けられたＸ軸リニアガイド４１並びにＸ軸モータ４２お
よびそのＸ軸モータ４２の回動軸に掛けられるとともに
Ｘ軸方向に沿って設けられたタイミングベルト４３を備
えるＸ軸方向の駆動機構である。

【００２８】露光部５０はＸ軸駆動部４０のＸ軸リニア
ガイド４１に摺動自在に取り付けられた露光ベース５１
と、タイミングベルト４３に連結されその駆動力を露光
ベース５１に伝える駆動力伝達部材５２と、露光ベース
５１に設けられた露光ヘッド５３とを備えており、光を
基板Ｗ上に照射し、基板Ｗ上に形成されたレジスト膜を
露光する。なお、露光ヘッド５３の構造についてはさら
に後述する。

【００２９】Ｘ軸センサ６０は、発光素子および受光素
子が対向してＹ軸ベース３４上に設けられたフォトセン
サであり、露光部５０のＸ軸方向における所在位置を検
出する。発光素子と受光素子との間隙は露光部５０の露
光ベース５１の下端に設けられた図示しない突起が通過
可能であり、その通過状況を検知することによって露光
部５０（厳密には露光ベース５１）のＸ軸方向における
所在位置を検出する。

【００３０】Ｙ軸センサ７０は、基台１０上に設けられ
た上記Ｘ軸センサ６０と同様のフォトセンサであり、露
光部５０のＹ軸方向における所在位置を検出する。Ｙ軸
センサ７０は、Ｙ軸ベース３４の下面に設けられた突起
を検知することによって、露光部５０（厳密には、Ｙ軸
ベース３４）のＹ軸方向における所在位置を検出する。

【００３１】エッジセンサ８０もＸ軸センサ６０および
Ｙ軸センサ７０と同様のフォトセンサであり、上下から
基板回動部２０の吸着チャック２１上に保持された基板
Ｗを挟むように発光素子と受光素子とを備えており、そ
の基板Ｗのオリエンテーションフラットまたはノッチの
検出および基板回動部２０の鉛直方向の回動軸に対する
基板Ｗの偏心量の検出を行う。

【００３２】そして、上記の各部および各センサはＣＰ
Ｕおよびメモリを備える制御部８５に接続されている。
制御部８５は、各センサからの検出結果に基づいてＹ軸
駆動部３０およびＸ軸駆動部４０に信号を伝達し、露光
部５０の位置を調整するとともに、露光部５０の動作タ
イミングを制御することによって基板Ｗの露光を行って
いく。

【００３３】次に、上記露光装置の露光部５０につい
て、図２を用いつつ、より詳細に説明する。露光部５０
の露光ヘッド５３はキセノンフラッシュランプ５４、導
光ロッド５６、ダイクロイックミラー５５および反射光
学系９０を備えている。

【００３４】キセノンフラッシュランプ５４は小型バル
ブ５４ａ内にキセノンガスを封入するとともに、楕円鏡
５４ｂ、電極５４ｃ、トリガープローブ（図示せず）を
備えたフラッシュランプである。このキセノンフラッシ
ュランプ５４は、図外の電源からの電力供給に伴って、
紫外域から赤外域に渡る広範囲の波長領域に渡ってパル
ス発光を行うことが可能で、とりわけ、化学増幅型レジ
ストの感度がよい２００ｎｍ〜３００ｎｍの波長の光の
発光効率が良く、主に紫外線露光用光源としての使用に
適している。また、キセノンフラッシュランプ５４は制
御部８５に電気的に接続されており、制御部８５は発光
の期間、その開始タイミングおよび発光のパルス周期を
制御することができる。

【００３５】キセノンフラッシュランプ５４から発せら
れた光は楕円鏡５４ｂによって反射・集光された後、さ
らにダイクロイックミラー５５によって反射され、導光
ロッド５６に導かれる。ここで、ダイクロイックミラー
５５は、ほぼ紫外波長域、すなわち波長が約２００ｎｍ
〜３００ｎｍの領域の光のみ反射し、その他の波長の光
は透過する性質を備えており、これにより紫外光露光に
不要な波長の光はダイクロイックミラーを透過し、基板
の露光面には到達しない。そのため、熱による基板Ｗの
膨張やレジスト反応のムラを防ぐことができる。

【００３６】導光ロッド５６は、柱状（本実施形態では
四角柱形状）の石英製導光ロッドであり、その外面は全
て光学研磨されている。導光ロッド５６は、その両底面
のうちの一方を光を入射するための入射面５６ａとし、
他方を光を出射するための出射面５６ｂとしている。

【００３７】キセノンフラッシュランプ５４から発せら
れた光は楕円鏡５４ｂにより集光され、ダイクロイック
ミラー５５によって選択的に反射された後、導光ロッド
５６の入射面５６ａに入射され、その内部において各側
面により全反射を繰り返す。これにより、入射面５６ａ
から入射された光は導光ロッド５６内部でミキシングさ
れ、出射面５６ｂから出射される。ここで、導光ロッド
５６の外面が光学研磨されていることにより、それらの
面での反射の際の散乱によるロスは、ほとんど生じな
い。

【００３８】反射光学系９０は、第１ミラー９１と、第
２ミラー９２と、遮蔽板９３とを備えている。本実施形
態においては、第１ミラー９１および第２ミラー９２は
ともに放物面鏡である。

【００３９】第１ミラー９１の光軸は、吸着チャック２
１に支持された基板Ｗの主面と直交する直交軸のうち照
射対象領域の中心を通る照射軸ＡＸ１と一致している。
また、第１ミラー９１は、その凹面部が吸着チャック２
１に支持された基板Ｗと反対側に向けて（図中上側に向
けて）配置されるとともに、その中心部に第１開口９１
ａを有している。さらに、第１ミラー９１は、その焦点
位置が導光ロッド５６の出射面５６ｂと一致するように
配置されている。

【００４０】ここで、本明細書中における「露光対象領
域」および「照射対象領域」について説明しておく。図
３は、露光対象領域を示す図である。本発明にかかる露
光装置は、基板Ｗ上に形成された不要なレジスト膜を露
光して除去するための装置である。不要なレジスト膜と
は、簡潔に述べれば、パターン形成が行われることのな
い部分のレジスト膜である。そして、本発明にかかる露
光装置では、このようなパターン形成が行われることの
ない不要なレジスト膜のみに光照射を行って露光すべき
であり、本明細書の「露光対象領域」とはそのような基
板Ｗ上の露光すべき領域を意味している。基板Ｗの端縁
部露光を行うときには、例えば、図３中の円環状の領域
ＥＡ１が露光対象領域となる。また、基板Ｗの端縁部以
外の所定の面内領域の露光を行うときには、例えば、図
３中の四角形の領域ＥＡ２が露光対象領域となる。

【００４１】一方、「照射対象領域」とは、露光部５０
から光の照射を行うべき領域を意味している。基板Ｗの
端縁部以外の所定の面内領域の露光を行うときには、照
射対象領域と露光対象領域とが一致し、図３中の領域Ｅ
Ａ２がそのまま照射対象領域にもなる。これに対して、
基板Ｗの端縁部露光を行うときには、その端縁部よりも
さらに外側に光の照射を行うため、照射対象領域は露光
対象領域よりも大きくなる。これらを包括して表現すれ
ば、照射対象領域は露光対象領域を含む領域であると言
える。

【００４２】図２に戻り、第２ミラー９２の光軸も照射
軸ＡＸ１と一致している。また、第２ミラー９２は、そ
の凹面部が第１ミラー９１の凹面部と対向するように配
置されるとともに、その中心部に第２開口９２ａを有し
ている。さらに、第２ミラー９２は、その焦点位置が照
射対象領域に一致するように配置されている。なお、第
１ミラー９１の焦点距離と第２ミラー９２の焦点距離と
は等しい。

【００４３】また、遮蔽板９３は第１ミラー９１と第２
ミラー９２との間に配置されている。これら、第１ミラ
ー９１、第２ミラー９２および遮蔽板９３によって構成
される反射光学系９０は、導光ロッド５６から出射され
た光を照射対象領域に結像させる機能を有するものであ
り、その具体的な内容についてはさらに後述する。

【００４４】次に、上記構成を有する露光装置における
露光処理の手順について簡単に説明する。まず、装置外
部から搬入された基板Ｗが吸着チャック２１に略水平姿
勢にて吸着保持される。次に、制御部８５がＸ軸センサ
６０およびＹ軸センサ７０からの検出結果を参照しつ
つ、Ｙ軸駆動部３０およびＸ軸駆動部４０に信号を伝達
し、露光部５０を所定の露光位置まで移動させる。その
後、キセノンフラッシュランプ５４からのパルス発光を
繰り返しつつ、基板回動モータ２２が基板Ｗを所定速度
で回動させることにより、露光処理が進められる。基板
Ｗの端縁部露光を行う場合には、露光部５０が基板Ｗの
端縁部に位置して発光を繰り返すとともに、基板回動モ
ータ２２が基板Ｗを所定速度で回動させるため、基板Ｗ
の外周全体に渡る端縁部が露光されることとなる。

【００４５】上述の如く、導光ロッド５６の出射面５６
ｂから出射された光は反射光学系９０を介して照射対象
領域に結像される。そこで次に、図４を参照しつつ、反
射光学系９０における光の挙動について説明する。

【００４６】図４は、反射光学系９０における光の挙動
について説明するための図である。導光ロッド５６は第
２ミラー９２から見て基板Ｗと反対側に配置されるとと
もに、その出射面５６ｂは第２ミラー９２の第２開口９
２ａと対向しキセノンフラッシュランプ５４から照射さ
れた光を第２開口９２ａを介して第１ミラー９１に向け
て出射する。

【００４７】導光ロッド５６の入射面５６ａに入射され
る光の入射角は楕円鏡５４ｂの集光特性に依存してお
り、例えば本実施形態では６°〜２３°程度である。導
光ロッド５６の入射面５６ａと出射面５６ｂとは平行で
あるため、出射面５６ｂから出射される光の出射角も６
°〜２３°程度となる。出射面５６ｂの中心部から図中
右側寄りの最大出射角にて出射された光Ｌ１は、図４に
示すように、第２開口９２ａを通過して第１ミラー９１
によって反射され、さらに第２ミラー９２によって反射
された後、第１開口９１ａを通過して照射対象領域へと
向かう。また、出射面５６ｂの中心部から図中左側寄り
の最大出射角にて出射された光Ｌ３も、第１ミラー９１
によって反射され、さらに第２ミラー９２によって反射
された後、照射対象領域へと向かう。

【００４８】ここで、第１ミラー９１の焦点位置は導光
ロッド５６の出射面５６ｂと一致しているため、出射面
５６ｂの同一点から出た光は第１ミラー９１によって反
射されたときに相互に平行な光となる。すなわち、第１
ミラー９１によって反射された光Ｌ１と光Ｌ３とは相互
に平行な光となる。

【００４９】また、第２ミラー９２の焦点位置は基板Ｗ
上の露光対象領域と一致しているため、第２ミラー９２
に平行に入射した光は反射されて照射対象領域の一点に
集光する。すなわち、第１ミラー９１から第２ミラー９
２に向けて平行に進む光Ｌ１と光Ｌ３とは照射対象領域
の同一点に集光する。

【００５０】そして、第１ミラー９１および第２ミラー
９２の光軸はともに照射軸ＡＸ１と一致するため、第２
ミラー９２によって集光される光Ｌ１および光Ｌ３はと
もに照射対象領域の中心、すなわち照射軸ＡＸ１と照射
対象領域とが交わる位置に集光する。

【００５１】光Ｌ１および光Ｌ３はともに出射面５６ｂ
の中心部から最大出射角にて出射される光であり、それ
以下の出射角にて出射された光も同様に光Ｌ１および光
Ｌ３が集光する点に集まる。

【００５２】一方、出射面５６ｂの図中左側端部から図
中右側寄りの最大出射角にて出射された光Ｌ２は、図４
に示すように、第２開口９２ａを通過して第１ミラー９
１によって反射され、さらに第２ミラー９２によって反
射された後、第１開口９１ａを通過して照射対象領域へ
と向かう。また、出射面５６ｂの図中左側端部から図中
左側寄りの最大出射角にて出射された光Ｌ４も、第１ミ
ラー９１によって反射され、さらに第２ミラー９２によ
って反射された後、照射対象領域へと向かう。

【００５３】上記と同様の理由により、第１ミラー９１
によって反射された光Ｌ２と光Ｌ４とは相互に平行な光
となる。また、第１ミラー９１から第２ミラー９２に向
けて平行に進む光Ｌ２と光Ｌ４とは照射対象領域の同一
点に集光し、最大出射角以下にて出射された光もその同
一点に集光する。同様にして、出射面５６ｂ内の同一点
から出射された光のそれぞれは照射対象領域の同一点に
集光する。従って、結局、出射面５６ｂから出射された
光は、反射光学系９０によって出射面５６ｂと同一の形
状にて照射対象領域に結像されることになる。

【００５４】以上のようにすれば、出射面５６ｂ内の同
一点から出射された光のそれぞれは反射光学系９０によ
って同一点に集光することとなるため、結像性能は高
く、露光を行った領域と行っていない領域との境界部分
の幅が狭くなり、そこに残留するレジストも低減され、
パーティクルの発生要因は少なくなる。

【００５５】また、鏡を使用した反射光学系９０によっ
て結像させているため、従来のレンズを用いた場合の如
き色収差は発生しない。従って、干渉フィルターのよう
な光を選択する手段を設ける必要がなくなり、コスト上
昇が抑制されるとともに、光の利用効率も高くなる。

【００５６】また、本実施形態のように、第１ミラー９
１および第２ミラー９２を使用した反射光学系９０で
は、開口数（ＮＡ）が０．３５程度得られ、導光ロッド
５６から出射される光を８０％近く取り込むことができ
るため、光の利用効率は高い。反射光学系９０における
光学的な損失は鏡の反射率に依存するが、反射面は第１
ミラー９１および第２ミラー９２の２面のみであるた
め、光学的損失は比較的少ない。

【００５７】また、楕円鏡５４ｂによって集光され、導
光ロッド５６に入射する光の入射角は６°〜２３°程度
であるため、入射面５６ａにおける配光分布は円環状の
分布になっており、その分布は出射面５６ｂから出射さ
れる光においても保存されている。従って、第１ミラー
９１の第１開口９１ａおよび第２ミラー９２の第２開口
９２ａによる光のロスはほとんど生じない。

【００５８】また、第１ミラー９１および第２ミラー９
２の光軸はともに照射軸ＡＸ１と一致するため、出射面
５６ｂの中心部から出射された光Ｌ１および光Ｌ３は照
射対象領域の中心に集光するとともに、出射面５６ｂの
中心部以外から出射された光はその中心部からの距離に
応じた位置に集光する。例えば、出射面５６ｂの左側端
部から出射された光Ｌ２および光Ｌ４は照射対象領域の
右側端部に集光する。すなわち、第１ミラー９１および
第２ミラー９２の光軸をともに照射軸ＡＸ１と一致させ
ることにより、照射対象領域における結像特性が照射軸
ＡＸ１を中心とする軸対称となる。従って、例えば、エ
リア露光を行う場合（図３中の領域ＥＡ２を露光する場
合）には、異方性のない露光を行うことができる。

【００５９】また、本実施形態のように、第１ミラー９
１および第２ミラー９２の光軸をともに照射軸ＡＸ１に
一致させると、これを一致させていない場合に比較し
て、反射光学系９０の占有スペースを小さくすることが
できるとともに、収差をより小さくすることができる。

【００６０】ところで、キセノンフラッシュランプ５４
から導光ロッド５６に入射する光の中には、楕円鏡５４
ｂによって反射されることなく、直接入射面５６ａに到
達する光も存在する。このような光は第２開口９２ａを
通過した後、反射されることなく直接第１開口９１ａを
通過することもある。また、楕円鏡５４ｂによって反射
された光であっても、出射面５６ｂの端部から小さな出
射角にて出射された光が第２開口９２ａを通過した後、
直接第１開口９１ａを通過することもある。

【００６１】図４中の光Ｌ５は、このような光を例示し
たものであり、直接第１開口９１ａを通過した後、照射
対象領域の外側に到達する。照射対象領域の外側に光が
到達することは、結像性能の低下を意味しており、レジ
ストを残すべき領域においてもレジストが除去されるこ
とにつながる。よって、第１実施形態においては、遮蔽
板９３を設け、導光ロッド５６の出射面５６ｂから出射
され第２開口９２ａを通過した光のうち直接第１開口９
１ａを通過する光を遮蔽するようにして、高い結像性能
を維持し、レジストを残すべき領域においてレジストが
除去されるのを確実に防止している。

【００６２】＜第２実施形態＞第２実施形態の露光装置
の全体的な構成は、第１実施形態と同じであるためその
説明は省略する。第２実施形態の露光装置が第１実施形
態と異なるのは露光部５０についてである。図５は、第
２実施形態の露光装置の露光部５０の概略構成を説明す
る図である。第２実施形態の露光部５０は、第１実施形
態の露光部５０と同様の駆動機構の他に、ランプハウス
５７と、ファイバーバンドル５８と、露光ヘッド５３と
を備えている。

【００６３】ランプハウス５７は、筐体５７ａ内に水銀
灯５７ｃ、楕円鏡５７ｂおよびシャッター５７ｄを設け
て構成されている。ランプハウス５７には、ファイバー
バンドル５８の入射部５８ａが接続されている。また、
第１実施形態と同様に、ランプハウス５７は制御部８５
に電気的に接続されており、制御部８５は発光の期間、
シャッター５７ｄの開閉のタイミングおよび発光のパル
ス周期等を制御することができる。なお、ランプハウス
５７自体は固定されている。

【００６４】水銀灯５７ｃから発せられた光は楕円鏡５
７ｂによって反射され、ファイバーバンドル５８の入射
部５８ａに集光される。ファイバーバンドル５８は、複
数の光ファイバーを束ねたものであり、入射部５８ａに
集光された光を露光ヘッド５３まで導く機能を有する。

【００６５】露光ヘッド５３には、反射光学系９０とア
パーチャ５９とが設けられるとともに、ファイバーバン
ドル５８の出射部５８ｂが接続されている。アパーチャ
５９は、ファイバーバンドル５８の出射部５８ｂに接触
または近接して配置され、その開口部分はファイバーバ
ンドル５７の断面サイズよりも小さい。反射光学系９０
は、第１実施形態の反射光学系９０と同じであり、第１
ミラー９１と、第２ミラー９２と、遮蔽板９３とを備え
ている。なお、露光ヘッド５３は可動式とされている。

【００６６】ランプハウス５７から発せられた光は、入
射部５８ａに入射してファイバーバンドル５８内を導か
れ、出射部５８ｂから出射される。ここで、ファイバー
バンドル５８は、細い光ファイバーを束ねてバンドル状
にして用いているため、楕円鏡５７ｂによって集光され
た光を第１実施形態の導光ロッド５６と同様の配光分布
にて出射することができる。しかし、細い光ファイバー
を矩形状に束ねたとしても、出射部５８ｂの端部は乱雑
な状態となっている。従って、出射部５８ｂの端部から
出射された光をそのまま結像させると、露光を行った領
域と行っていない領域との境界部分が不明瞭になる。こ
のため、第２実施形態では、ファイバーバンドル５７の
断面サイズよりも小さな開口を有するアパーチャ５９を
出射部５８ｂに接触または近接させて配置し、出射部５
８ｂの端部から出射された光を遮蔽するようにしてい
る。

【００６７】反射光学系９０の構成および機能について
は、第１実施形態と同じである。従って、コスト上昇の
抑制、高い光利用効率等の第１実施形態と同様の効果を
得ることができる。

【００６８】また、それに加えて、露光ヘッド５３がラ
ンプハウス５７と分離され、反射光学系９０とアパーチ
ャ５９とによって構成されているため、その重量を軽量
化することができ、露光ヘッド５３を高速で移動させる
ことができる。

【００６９】また、アパーチャ５９によって出射部５８
ｂの端部から出射された乱雑な光が遮蔽されるため、露
光を行った領域と行っていない領域との境界部分が鮮明
になり、高い結像性能を損なうこともない。なお、第２
実施形態においては、必要に応じてアパーチャ５９を交
換することにより、照射対象領域の形状を適宜変更する
ことが可能である。

【００７０】＜第３実施形態＞第３実施形態の露光装置
の全体的な構成も第１実施形態と同じである。また、露
光部５０の露光ヘッド５３がキセノンフラッシュランプ
５４、導光ロッド５６、ダイクロイックミラー５５およ
び反射光学系９０を備える点についても第１実施形態と
同じである（図２参照）。第３実施形態の露光装置が第
１実施形態と異なるのは、導光ロッド５６と反射光学系
９０との間にさらにフィールドレンズを設けている点で
ある。図６は、第３実施形態の露光装置における光学系
を示す図である。

【００７１】導光ロッド５６と反射光学系９０との間、
すなわち第２ミラー９２との間にはフィールドレンズ１
０１が設けられている。フィールドレンズ１０１は、そ
の焦点位置が第１ミラー９１の反射面と一致するように
配置されている。

【００７２】反射光学系９０は、第１ミラー９１と第２
ミラー９２とを備えており、それらの配置構成について
は第１実施形態と同じである。厳密には、第１ミラー９
１は、その焦点位置がフィールドレンズ１０１によって
できる導光ロッド５６の出射面５６ｂの虚像と一致する
ように配置すべきであるが、フィールドレンズ１０１は
出射面５６ｂと近接して配置されており、上記虚像の位
置と実際の出射面５６ｂとの位置はほとんど差異がない
ため、第１実施形態と同じ配置にしても実質的には問題
ない。なお、第３実施形態の反射光学系９０には、遮蔽
板は設けていない。

【００７３】導光ロッド５６から出射された光は、フィ
ールドレンズ１０１によって屈折され、第２ミラー９２
の第２開口９２ａを通過した後、第１ミラー９１の反射
面へと向かう。ここで、フィールドレンズ１０１の焦点
位置は第１ミラー９１の反射面と一致しているため、導
光ロッド５６の出射面５６ｂ内の各位置から相互に平行
に出射された光は、第１ミラー９１の反射面上の同一点
に到達する。例えば、図６に示すように、出射面５６ｂ
の中心部から最大出射角にて出射された光Ｌ６と出射面
５６ｂの端部から最大出射角にて出射された光Ｌ７とは
第１ミラー９１の同一点に到達する。

【００７４】換言すれば、導光ロッド５６から出射され
る光は、出射面５６ｂ内のいずれの位置から出射された
かに関わらず、その出射角のみによって第１ミラー９１
の反射面上の到達位置が決まるのである。第１実施形態
において述べたように、出射面５６ｂから出射される光
の出射角は６°〜２３°程度であるため、第１ミラー９
１および第１開口９１ａの大きさを、６°〜２３°程度
の出射角の光が到達する領域に対応する大きさにすれ
ば、フィールドレンズ１０１から直接第１開口９１ａを
通過する光を遮蔽できる。但し、第１開口９１ａの大き
さは、第２ミラー９２によって反射され照射対象領域へ
と向かう光を遮蔽しない大きさ以上としなければならな
い。

【００７５】フィールドレンズ１０１から第１ミラー９
１に到達して反射された光は第２ミラー９２によってさ
らに反射された後、照射対象領域へと向かう。このとき
の光の挙動については第１実施形態と同じであるため、
その詳説は省略する。

【００７６】このようにしても、鏡を使用した反射光学
系９０によって結像させているため、高い光利用効率等
の第１実施形態と同様の効果を得ることができる。

【００７７】また、出射面５６ｂ内の出射位置に関わら
ず、導光ロッド５６から出射された光は全て第１ミラー
９１に到達するため、第１実施形態の如き遮蔽板を設け
ることなく、フィールドレンズ１０１から直接第１開口
９１ａを通過する光をなくして結像性能を向上できると
ともに、導光ロッド５６から出射された光の利用効率を
も高めることができる。例えば、図６において、導光ロ
ッド５６の出射面５６ｂの端部から小さな出射角にて出
射された光Ｌ８は、フィールドレンズ１０１がなければ
直接第１開口９１ａを通過して結像性を低下させるので
あるが、フィールドレンズ１０１によって第１ミラー９
１に入射されることとなるため、直接第１開口９１ａを
通過して結像性が低下することはない。

【００７８】第３実施形態の露光装置は、特に導光ロッ
ド５６の出射面５６ｂの面積が大きい場合に有効であ
り、大きな出射面５６ｂから出射された光を直接第１開
口９１ａを通過させることなく、第１ミラー９１に入射
させることができる。

【００７９】＜第４実施形態＞第４実施形態の露光装置
の全体的な構成も第１実施形態と同じである。また、露
光部５０の露光ヘッド５３がキセノンフラッシュランプ
５４、導光ロッド５６、ダイクロイックミラー５５およ
び反射光学系９０を備える点についても第１実施形態と
同じである。第４実施形態の露光装置が第１実施形態と
異なるのは、露光ヘッド５３内の導光ロッド５６の配置
である。図７は、第４実施形態の露光装置における光学
系を示す図である。

【００８０】図７に示すように、第４実施形態において
は、導光ロッド５６が第１ミラー９１と第２ミラー９２
との間の空間の側方に配置されている。導光ロッド５６
は、キセノンフラッシュランプ５４から照射された光を
第１ミラー９１と第２ミラー９２との間の空間に向けて
出射面５６ｂから出射できるように配置されており、第
４実施形態ではその長手方向が照射軸ＡＸ１と垂直に交
わるように配置されている。

【００８１】また、第１ミラー９１と第２ミラー９２と
の間の空間であって照射軸ＡＸ１と交わる位置には反射
鏡１１０が配置されている。反射鏡１１０は、導光ロッ
ド５６の出射面５６ｂから出射された光を第１ミラー９
１に向けて反射する。反射鏡１１０は、その中央部に開
口１１１を有している。

【００８２】第４実施形態の反射光学系９０は、第１ミ
ラー９１と第２ミラー９２とを備えており、それらの配
置構成については第１実施形態と同じである。但し、第
２ミラー９２には開口が設けられておらず、また遮蔽板
９３も設けていない。

【００８３】ここで、第４実施形態においては、導光ロ
ッド５６、反射鏡１１０および反射光学系９０の相互の
位置関係が光学的に第１実施形態と等価になるような配
置構成とされている。つまり、導光ロッド５６が仮想的
に図４に示す位置（図７の点線にて示す位置）に存在す
るように、導光ロッド５６、反射鏡１１０および反射光
学系９０が配置されているのである。従って、第１実施
形態と同様に、第１ミラー９１の焦点位置は、導光ロッ
ド５６の出射面５６ｂと一致する。

【００８４】導光ロッド５６の出射面５６ｂから出射さ
れた光は、反射鏡１１０から第１ミラー９１に向けて反
射され、第１ミラー９１から第２ミラー９２へと反射さ
れ、さらに第２ミラー９２によって反射された後、第１
開口９１ａを通過して照射対象領域へと向かう。導光ロ
ッド５６の出射面５６ｂの位置は、第１実施形態と光学
的に同じであるため、反射光学系９０における光の挙動
も第１実施形態と同じである。従って、コスト上昇の抑
制、高い光利用効率等の第１実施形態と同様の効果を得
ることができる。

【００８５】また、第１実施形態においては、導光ロッ
ド５６の出射面５６ｂから出射された光のうち直接第１
開口９１ａを通過する光を遮蔽板９３によって遮蔽する
ようにしていたが、第４実施形態では、そのような結像
性を低下させる光を開口１１１を通過させることによっ
て除去している。例えば、図７において、出射面５６ｂ
の端部から小さな出射角にて出射された光Ｌ９は、開口
１１１を通過してそのまま第１ミラー９１と第２ミラー
９２との間の空間の側方へと直進するため、反射鏡１１
０によって反射され直接第１開口９１ａを通過すること
はない。すなわち、第４実施形態では、反射鏡１１０の
中央部に開口１１１を設けることによって、高い結像性
能を維持している。

【００８６】＜変形例＞以上、本発明の実施の形態につ
いて説明したが、この発明は上記の例に限定されるもの
ではない。例えば、第３および第４実施形態では、導光
部として導光ロッド５６を使用していたが、これを第２
実施形態のようなファイバーバンドル５８とアパーチャ
５９との組み合わせにしても良い。

【００８７】また、上記各実施形態においては、第１ミ
ラー９１および第２ミラー９２をともに放物面鏡として
いたが、これに限定されるものではなく、第１ミラー９
１または第２ミラー９２を通常の凹面鏡としても良い。
通常の凹面鏡を使用しても、鏡を用いた反射光学系であ
れば色収差は発生しないため、上記各実施形態と同様
に、コスト上昇を抑制しつつ光の利用効率を高めること
ができる。もっとも、上記各実施形態の如く、第１ミラ
ー９１および第２ミラー９２をともに放物面鏡とし、そ
れらの焦点距離に基づいて配置を調整することにより、
第１ミラー９１からの反射光が完全な平行光となり、第
２ミラー９２によって無収差で照射対象領域に結像する
ことができるため、照射対象領域における結像性をより
高くすることができる。

【００８８】また、上記第１実施形態においては、導光
ロッド５６を第２ミラー９２から見て基板Ｗと反対側に
配置するとともに、その出射面５６ｂを第２ミラー９２
の第２開口９２ａと対向させていたが、これに限定され
るものではなく、導光ロッド５６の出射側端部を第２開
口９２ａに挿入するようにしても良い。つまり、出射面
５６ｂが第１ミラー９１と第２ミラー９２との間に位置
するように、導光ロッド５６を配置しても良い。このよ
うにしても光学的な位置関係（例えば、第１ミラー９１
の焦点位置が導光ロッド５６の出射面５６ｂと一致する
関係等）が第１実施形態と同じであれば、第１実施形態
と同様の効果を得ることができる。

【００８９】また、本発明にかかる露光装置は、基板Ｗ
の端縁部の露光および端縁部以外の所定の面内領域の露
光のいずれにも適用することができる。端縁部以外の所
定の面内領域の露光（エリア露光）を行う場合、例えば
図３中の領域ＥＡ２の露光を行う場合は、第１ミラー９
１および第２ミラー９２の光軸をともに照射軸ＡＸ１と
一致させることにより、異方性の少ない露光処理を行う
ことができる。

【００９０】一方、端縁部の露光を行う場合、例えば図
３中の領域ＥＡ１の露光を行う場合は、サジタル方向
（基板の表面に沿った面内で光軸を含む放射状の線を形
成する方向）のみ結像特性に留意すればよいため、光軸
を含むように導光部の辺を配置すれば、その辺はレジス
トを残留させないように露光することができる。すなわ
ち、図８に示すように、照射軸ＡＸ１が露光対象領域の
境界位置（図３中では、領域ＥＡ１の内周位置）と一致
するように第１ミラー９１および第２ミラー９２を配置
する。また、導光ロッド５６の出射面５６ｂの図中右側
端部が照射軸ＡＸ１と一致するとともに図中左側端部が
吸着チャック２１に支持された基板Ｗの中心側に位置す
るように導光ロッド５６を配置すれば、その右側端部か
ら出射された光Ｌ１１および光Ｌ１３は露光対象領域の
境界位置に集光する。また、出射面５６ｂの中心部から
出射された光Ｌ１２および光Ｌ１４は基板Ｗよりも外側
の位置Ｐ１に集光し、そのまま透過する。出射面５６ｂ
の右側端部から出射された光は全て露光対象領域の境界
位置に集光することとなるため、結像性能は高く、露光
対象領域の境界位置にレジストを残留させないように露
光することができる。

【００９１】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１の発明に
よれば、その中心軸を基板支持手段に支持された基板の
主面と直交する所定の直交軸と一致させるとともに、そ
の凹面部が基板と反対側に向くように配置され、その中
心部に第１開口を有する第１凹面鏡と、その中心軸を所
定の直交軸と一致させるとともに、その凹面部が第１凹
面鏡の凹面部と対向するように配置され、その中心部に
第２開口を有する第２凹面鏡と、光源から照射された光
を出射する出射面を有するとともに第２開口を介して第
１凹面鏡に向けて出射する導光部と、を備えているた
め、鏡を使用した反射光学系によって結像させることと
なり、色収差が発生せず、その結果光を選択する手段を
設ける必要がなくなり、コスト上昇が抑制されるととも
に、光の利用効率も高くなる。

【００９２】また、請求項２の発明によれば、導光部の
出射面から出射された光のうち直接第１開口を通過する
光を遮蔽する遮蔽板を備えているため、照射対象領域以
外に光が到達することを確実に防止できる。

【００９３】また、請求項３の発明によれば、その焦点
位置が第１凹面鏡と一致するように配置されたフィール
ドレンズを備えているため、直接第１開口を通過する光
をなくして結像性能を向上することができる。

【００９４】また、請求項４の発明によれば、その中心
軸を基板支持手段に支持された基板の主面と直交する所
定の直交軸と一致させるとともに、その凹面部が基板と
反対側に向くように配置され、その中心部に第１開口を
有する第１凹面鏡と、その中心軸を所定の直交軸と一致
させるとともに、その凹面部が第１凹面鏡の凹面部と対
向するように配置された第２凹面鏡と、光源から照射さ
れた光を第１凹面鏡と第２凹面鏡との間の空間に向けて
出射面から出射する導光部と、第１凹面鏡と第２凹面鏡
との間にあって所定の直交軸と交わる位置に配置され、
導光部の出射面から出射された光を第１凹面鏡に向けて
反射する反射鏡と、を備えているため、導光部の光学的
位置は請求項１の発明と等価になり、請求項１の発明と
同様の効果を得ることができる。

【００９５】また、請求項５の発明によれば、反射鏡は
その中央部に開口を有するため、出射面から出射された
光のうち直接第１開口を通過する光は、反射鏡の開口を
通過されることによって除去され、照射対象領域以外に
光が到達することを確実に防止できる。

【００９６】また、請求項６の発明によれば、第１凹面
鏡を、その焦点位置が導光部の出射面と一致するように
配置された第１放物面鏡とし、第２凹面鏡を、その焦点
位置が照射対象領域に一致するように配置された第２放
物面鏡としているため、第１放物面鏡からの反射光が完
全な平行光となり、第２放物面鏡によって無収差で照射
対象領域に結像することができる。

【００９７】また、請求項７の発明によれば、導光部が
出射面を有する柱状の導光ロッドを含むため、請求項１
から請求項６の発明の効果を好適に得ることができる。

【００９８】また、請求項８の発明によれば、導光部が
複数の光ファイバーを束ねたファイバーバンドルを含
み、導光部の出射面に、その開口部分がファイバーバン
ドルの断面サイズよりも小さいアパーチャを配置してい
るため、請求項１から請求項６の発明の効果を好適に得
ることができる。

【００９９】また、請求項９の発明によれば、所定の直
交軸が露光対象領域の中心を通るため、露光対象領域内
において異方性の少ない露光処理を行うことができる。

【０１００】また、請求項１０の発明によれば、露光対
象領域が基板の端縁部であるであるため、基板の端縁部
において請求項１の発明と同様の効果を得ることができ
る。

【０１０１】また、請求項１１の発明によれば、所定の
直交軸が露光対象領域の境界位置と一致するように第１
凹面鏡および第２凹面鏡が配置されるとともに、導光部
の出射面の一方の端部が所定の直交軸と一致するととも
に他方の端部が基板支持手段に支持された基板の中心側
に位置するように導光部が配置されているため、当該一
方の端部から出射した光は露光対象領域の境界位置に集
光され、その境界位置を鮮明に露光することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る露光装置の一例を示す斜視図であ
る。

【図２】図１の露光装置の露光ヘッドの構成を示す図で
ある。

【図３】露光対象領域を示す図である。

【図４】図１の露光装置の反射光学系における光の挙動
について説明するための図である。

【図５】第２実施形態の露光装置の露光部の概略構成を
説明する図である。

【図６】第３実施形態の露光装置における光学系を示す
図である。

【図７】第４実施形態の露光装置における光学系を示す
図である。

【図８】端縁部露光を説明するための図である。

【符号の説明】

２１吸着チャック５４キセノンフラッシュランプ５６導光ロッド５６ｂ出射面５８ファイバーバンドル５９アパーチャ９０反射光学系９１第１ミラー９１ａ第１開口９２第２ミラー９２ａ第２開口９３遮蔽板１０１フィールドレンズ１１０反射鏡１１１開口ＡＸ１照射軸Ｗ基板

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上の露光を行うべき露光対象領域を
含む照射対象領域に光を照射して前記露光対象領域の露
光を行う露光装置であって、前記基板を支持する基板支持手段と、前記光を照射する光源と、その中心軸を基板支持手段に支持された基板の主面と直
交する所定の直交軸と一致させるとともに、その凹面部
が前記基板と反対側に向くように配置され、その中心部
に第１開口を有する第１凹面鏡と、その中心軸を前記所定の直交軸と一致させるとともに、
その凹面部が第１凹面鏡の凹面部と対向するように配置
され、その中心部に第２開口を有する第２凹面鏡と、前記光源から照射された光を出射する出射面を有すると
ともに第２開口を介して第１凹面鏡に向けて出射する導
光部と、を備えることを特徴とする露光装置。
【請求項２】請求項１記載の露光装置において、前記導光部の出射面から出射された光のうち直接第１開
口を通過する光を遮蔽する遮蔽板をさらに備えることを
特徴とする露光装置。
【請求項３】請求項１記載の露光装置において、前記導光部と第１凹面鏡との間にあってその焦点位置が
第１凹面鏡と一致するように配置されたフィールドレン
ズをさらに備えることを特徴とする露光装置。
【請求項４】基板上の露光を行うべき露光対象領域を
含む照射対象領域に光を照射して前記露光対象領域の露
光を行う露光装置であって、前記基板を支持する基板支持手段と、前記光を照射する光源と、その中心軸を基板支持手段に支持された基板の主面と直
交する所定の直交軸と一致させるとともに、その凹面部
が前記基板と反対側に向くように配置され、その中心部
に第１開口を有する第１凹面鏡と、その中心軸を前記所定の直交軸と一致させるとともに、
その凹面部が第１凹面鏡の凹面部と対向するように配置
された第２凹面鏡と、前記光源から照射された光を第１凹面鏡と第２凹面鏡と
の間の空間に向けて出射面から出射する導光部と、第１凹面鏡と第２凹面鏡との間にあって前記所定の直交
軸と交わる位置に配置され、前記導光部の前記出射面か
ら出射された光を第１凹面鏡に向けて反射する反射鏡
と、を備えることを特徴とする露光装置。
【請求項５】請求項４記載の露光装置において、前記反射鏡はその中央部に開口を有することを特徴とす
る露光装置。
【請求項６】請求項１から請求項５のいずれかに記載
された露光装置において、前記第１凹面鏡は、その焦点位置が前記導光部の前記出
射面と一致するように配置された第１放物面鏡であり、前記第２凹面鏡は、その焦点位置が前記照射対象領域に
一致するように配置された第２放物面鏡であることを特
徴とする露光装置。
【請求項７】請求項１から請求項６のいずれかに記載
された露光装置において、前記導光部は、前記出射面を有する柱状の導光ロッドを
含むことを特徴とする露光装置。
【請求項８】請求項１から請求項６のいずれかに記載
された露光装置において、前記導光部は、複数の光ファイバーを束ねたファイバー
バンドルを含み、前記導光部の出射面に、その開口部分が前記ファイバー
バンドルの断面サイズよりも小さいアパーチャを配置す
ることを特徴とする露光装置。
【請求項９】請求項１から請求項８のいずれかに記載
の露光装置において、前記所定の直交軸は露光対象領域の中心を通ることを特
徴とする露光装置。
【請求項１０】請求項１から請求項８のいずれかに記
載された露光装置において、前記露光対象領域が基板の端縁部であることを特徴とす
る露光装置。
【請求項１１】請求項１０に記載の露光装置におい
て、前記所定の直交軸が露光対象領域の境界位置と一致する
ように第１凹面鏡および第２凹面鏡が配置されるととも
に、前記導光部の出射面の一方の端部が前記所定の直交軸と
一致するとともに他方の端部が基板支持手段に支持され
た基板の中心側に位置するように前記導光部が配置され
ていることを特徴とする露光装置。