JP2001014865A - Flash memory, flash memory rewriting frequency storing method and computer readable recording medium recorded with program making computer execute the method - Google Patents

Flash memory, flash memory rewriting frequency storing method and computer readable recording medium recorded with program making computer execute the method

Info

Publication number
JP2001014865A
JP2001014865A JP18149099A JP18149099A JP2001014865A JP 2001014865 A JP2001014865 A JP 2001014865A JP 18149099 A JP18149099 A JP 18149099A JP 18149099 A JP18149099 A JP 18149099A JP 2001014865 A JP2001014865 A JP 2001014865A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
storage means
flash memory
rewriting
word line
bit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP18149099A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP4146581B2 (en
Inventor
Mitsuru Sugita
充 杉田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP18149099A priority Critical patent/JP4146581B2/en
Publication of JP2001014865A publication Critical patent/JP2001014865A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4146581B2 publication Critical patent/JP4146581B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Read Only Memory (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce the cost of a flash memory by reducing the burden of a user and a user software and enhancing the reliability of rewriting frequency information and reducing a memory area for storing the rewriting frequency. SOLUTION: This flash memory is provided with a general flash memory ROM area 2 where various data are to be stored and a monitor area 3 where is installed apart from the general flash memory RAM area 2 and where the rewriting frequency of the area 2 is to be stored and where a security function prior to the executing of an erasing operation is higher than that in the area 2.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、書き換え回数を記
録するフラッシュメモリ、フラッシュメモリ書き換え回
数記憶方法およびその方法をコンピュータに実行させる
プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録
媒体に関し、特に、フラッシュメモリ内に書き換え回数
を記録するフラッシュメモリ、フラッシュメモリ書き換
え回数記憶方法およびその方法をコンピュータに実行さ
せるプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な
記録媒体に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a flash memory for recording the number of rewrites, a flash memory rewrite number storage method, and a computer-readable recording medium for recording a program for causing a computer to execute the method. The present invention relates to a flash memory for recording the number of rewrites in a flash memory, a flash memory rewrite number storage method, and a computer-readable recording medium in which a program for causing a computer to execute the method is recorded.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、書き込み可能な不揮発性メモリで
あるフラッシュメモリが広く用いられるようになってき
ている。フラッシュメモリは、安価で、高速であるが、
その書き換え回数に制限があるので、書き換え回数を記
録して管理する必要がある。ところで、従来のフラッシ
ュメモリとして、フラッシュメモリ内に書き換え回数を
記録するものが知られている。
2. Description of the Related Art In recent years, flash memories, which are writable nonvolatile memories, have been widely used. Flash memory is cheap and fast,
Since the number of times of rewriting is limited, it is necessary to record and manage the number of times of rewriting. By the way, there is known a conventional flash memory in which the number of rewrites is recorded in the flash memory.

【0003】図12は、従来におけるフラッシュメモリ
の概略構成を示す説明図である。従来のフラッシュメモ
リでは、メモリ全体50中の任意のブロック51を、フ
ラッシュメモリの書き換え回数を記憶するために使用す
る。つぎに、従来のフラッシュメモリの動作について説
明する。従来のフラッシュメモリにおいては、書き換え
を行なうたびに、ユーザがプログラムするユーザソフト
ウェアにより、ブロック51に、書き換えを示す情報の
書き込みを行なう。ここで、従来のフラッシュメモリで
は、一つの書き込み単位に対する追加書き込みが許され
ていないので、1回の書き換えを示す情報の書き込み
は、一つの書き込み単位分のメモリ領域を必要とする。
FIG. 12 is an explanatory diagram showing a schematic configuration of a conventional flash memory. In a conventional flash memory, an arbitrary block 51 in the entire memory 50 is used to store the number of times of rewriting of the flash memory. Next, the operation of the conventional flash memory will be described. In the conventional flash memory, every time rewriting is performed, information indicating rewriting is written in the block 51 by user software programmed by the user. Here, in the conventional flash memory, additional writing to one writing unit is not allowed, so that writing of information indicating one rewriting requires a memory area for one writing unit.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の技術によれば、書き換えを行なうたびにブロック5
1への書き込みを行なう機能を、ユーザがプログラムす
るユーザソフトウェアで実現するため、ユーザおよびユ
ーザソフトウェアの負荷を増大させるといった問題点が
あった。また、フラッシュメモリの書き換え回数を記憶
するブロック51が汎用的なブロックであるため、誤書
き込み等により、書き換え回数を消してしまう可能性が
高く、書き換え回数情報(書き換え回数を示す情報)の
信頼性が低下するといった問題点があった。さらに、1
回のフラッシュメモリの書き換えを示す情報の書き込み
は、一つの書き込み単位分のメモリ領域を必要とするた
め、書き換え回数と書き込み単位とを掛け合わした大き
なメモリ領域が必要となり、コストが上昇するといった
問題点があった。
However, according to the above-mentioned prior art, each time rewriting is performed, block 5 is rewritten.
Since the function of writing to 1 is realized by user software programmed by the user, there is a problem that the load on the user and the user software increases. Further, since the block 51 for storing the number of times of rewriting of the flash memory is a general-purpose block, there is a high possibility that the number of times of rewriting is erased due to erroneous writing or the like, and the reliability of the number of times of rewriting (information indicating the number of times of rewriting) is high. However, there was a problem such that the number of samples decreased. In addition, 1
Writing information indicating the number of times of rewriting of the flash memory requires a memory area for one writing unit, so a large memory area obtained by multiplying the number of times of rewriting and the writing unit is required, thereby increasing costs. was there.

【0005】本発明は、上記に鑑みてなされたものであ
って、ユーザおよびユーザソフトウェアの負荷を軽減
し、書き換え回数情報の信頼性を向上し、また、書き換
え回数記憶用のメモリ領域を減少させて、コストを低減
するフラッシュメモリ、フラッシュメモリ書き換え回数
記憶方法およびその方法をコンピュータに実行させるプ
ログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒
体を得ることを目的とする。
The present invention has been made in view of the above, and has been made to reduce the load on the user and the user software, improve the reliability of the rewrite frequency information, and reduce the memory area for storing the rewrite frequency. It is another object of the present invention to provide a flash memory that reduces costs, a flash memory rewrite frequency storage method, and a computer-readable recording medium that stores a program that causes a computer to execute the method.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】上述した課題を解決し、
目的を達成するために、本発明にかかるフラッシュメモ
リにあっては、各種データを記憶する通常記憶手段と、
前記通常記憶手段とは別に設けられ、前記通常記憶手段
の書き換え回数を記憶し、消去動作を実行に移すまでの
セキュリティー機能が前記通常記憶手段よりも高い回数
記憶手段と、を備えることを特徴とする。
Means for Solving the Problems To solve the above-mentioned problems,
In order to achieve the object, in the flash memory according to the present invention, a normal storage means for storing various data,
The security function is provided separately from the normal storage means, stores the number of times of rewriting of the normal storage means, and has a security function until the execution of an erasing operation is performed more frequently than the normal storage means. I do.

【0007】この発明によれば、通常に使用される通常
記憶手段とは別に設けられ、セキュリティー機能が高い
回数記憶手段が、通常記憶手段の書き換え回数を記憶す
る。これにより、誤書き込み等によって書き換え回数情
報(書き換え回数を示す情報)が消失する可能性を低減
することができる。
According to the present invention, the number-of-times storage means, which is provided separately from the normally used normal storage means and has a high security function, stores the number of rewrites of the normal storage means. This can reduce the possibility that the rewrite frequency information (information indicating the rewrite frequency) is lost due to erroneous writing or the like.

【0008】つぎの発明にかかるフラッシュメモリにあ
っては、各種のデータを記憶する通常記憶手段と、前記
通常記憶手段とは別に設けられ、前記通常記憶手段の書
き換え回数を記憶し、ユーザによる消去機能を持たない
回数記憶手段と、を備えることを特徴とする。
[0010] In the flash memory according to the next invention, a normal storage means for storing various data and a normal storage means are provided separately, and the number of rewrites of the normal storage means is stored and erased by a user. And a number storage means having no function.

【0009】この発明によれば、通常に使用される通常
記憶手段とは別に設けられ、ユーザによる消去機能を持
たない回数記憶手段が、通常記憶手段の書き換え回数を
記憶する。これにより、誤書き込み等によって書き換え
回数情報が消失する可能性を低減することができる。
According to the present invention, the number-of-times storage means provided separately from the normally used normal storage means and having no user erasing function stores the number of times of rewriting of the normal storage means. As a result, the possibility that the rewrite frequency information is lost due to erroneous writing or the like can be reduced.

【0010】つぎの発明にかかるフラッシュメモリにあ
っては、前記回数記憶手段は、追加書き込みが可能なこ
とを特徴とする。
[0010] In the flash memory according to the next invention, the number storage means is capable of additionally writing.

【0011】この発明によれば、回数記憶手段に対する
追加書き込みが可能であり、書き込み単位ごとではな
く、1ビットごとの書き込みが可能となる。
According to the present invention, additional writing to the number-of-times storage means can be performed, and writing can be performed not for each writing unit but for each bit.

【0012】つぎの発明にかかるフラッシュメモリにあ
っては、各種のデータを記憶する通常記憶手段と、前記
通常記憶手段の書き換え回数を記憶する回数記憶手段
と、前記通常記憶手段の書き換えの際に、前記回数記憶
手段に記憶された書き換え回数を更新する制御手段と、
を備えることを特徴とする。
[0012] In the flash memory according to the next invention, a normal storage means for storing various data, a number storage means for storing the number of rewrites of the normal storage means, and a flash memory for rewriting the normal storage means. Control means for updating the number of rewrites stored in the number storage means,
It is characterized by having.

【0013】この発明によれば、ユーザソフトウェアで
はなく、制御手段が、通常に使用される通常記憶手段と
は別に設けられた回数記憶手段の記憶する書き換え回数
を更新する。これにより、ユーザソフトウェアによって
書き換え回数の更新機能を実現する必要が無くなり、ま
た、プログラムミスによる誤書き込み等が防がれ、書き
換え回数情報が消失する可能性を低減することができ
る。
According to the present invention, instead of the user software, the control means updates the number of times of rewriting stored in the number storage means provided separately from the normal storage means normally used. This eliminates the need to implement the function of updating the number of times of rewriting by user software, prevents erroneous writing due to a program error, and reduces the possibility that the number of times of rewriting is lost.

【0014】つぎの発明にかかるフラッシュメモリにあ
っては、前記回数記憶手段は、追加書き込みが可能であ
り、前記制御手段は、前記データ記憶手段の書き換えが
行なわれるたびに、前記回数記憶手段の、書き込まれた
ビットと書き込まれていないビットとの境界を検索し、
前記回数記憶手段への1ビットの書き込みを所定の順序
で行なうことを特徴とする。
[0014] In the flash memory according to the next invention, the number-of-times storage means can perform additional writing, and the control means sets the number-of-times storage means every time the data storage means is rewritten. , Find the boundary between the written and unwritten bits,
It is characterized in that writing of one bit to the number storage means is performed in a predetermined order.

【0015】この発明によれば、回数記憶手段に対する
追加書き込みが可能であり、制御手段が、データ記憶手
段の書き換えが行なわれるたびに、回数記憶手段の、書
き込まれたビットと書き込まれていないビットとの境界
を検索することによって書き込みを行なうビットを決定
し、順次、1ビットの書き込みを行なう。これにより、
書き込み単位ごとではなく、1ビットごとの書き込みが
可能となる。
According to the present invention, additional writing can be performed on the number-of-times storage means, and the control means can control whether the written bits and the unwritten bits of the number-of-times storage means each time the data storage means is rewritten. A bit to be written is determined by searching for a boundary between the bits, and one bit is sequentially written. This allows
Writing can be performed not for each writing unit but for each bit.

【0016】つぎの発明にかかるフラッシュメモリにあ
っては、前記回数記憶手段は、一つのブロックであるこ
とを特徴とする。
In the flash memory according to the next invention, the number storage means is a single block.

【0017】この発明によれば、回数記憶手段を一つの
ブロックとした場合において、誤書き込み等によって書
き換え回数情報が消失する可能性を低減することができ
る。
According to the present invention, when the number-of-times storage means is a single block, the possibility that the number-of-times-of-rewriting information is lost due to erroneous writing or the like can be reduced.

【0018】つぎの発明にかかるフラッシュメモリにあ
っては、前記回数記憶手段は、一つのワード線領域であ
ることを特徴とする。
In the flash memory according to the next invention, the number storage means is one word line area.

【0019】この発明によれば、回数記憶手段を一つの
ワード線領域とした場合においても、誤書き込み等によ
って書き換え回数情報が消失する可能性を低減すること
ができる。
According to the present invention, even when the number-of-times storage means is one word line area, the possibility that the number-of-times-of-rewriting information is lost due to erroneous writing or the like can be reduced.

【0020】つぎの発明にかかるフラッシュメモリにあ
っては、前記回数記憶手段は、複数のワード線領域であ
り、各ワード線領域は、それぞれ、前記書き換え回数の
各桁に対応することを特徴とする。
In the flash memory according to the next invention, the number storage means is a plurality of word line regions, and each word line region corresponds to each digit of the number of rewrites. I do.

【0021】この発明によれば、複数のワード線領域が
書き換え回数の各桁に対応する。これにより、さらに、
書き換え回数記憶用のメモリ領域を減少させることがで
きる。
According to the present invention, the plurality of word line regions correspond to each digit of the number of times of rewriting. This further
The memory area for storing the number of rewrites can be reduced.

【0022】つぎの発明にかかるフラッシュメモリにあ
っては、さらに、前記回数記憶手段の記憶する書き換え
回数が、予め設定された回数を超えた場合に、アラーム
を発するアラーム手段を備えることを特徴とする。
The flash memory according to the next invention further comprises an alarm unit for issuing an alarm when the number of rewrites stored in the number storage unit exceeds a preset number. I do.

【0023】この発明によれば、アラーム手段が、回数
記憶手段の記憶する書き換え回数が、予め設定された回
数を超えた場合に、アラームを発する。これにより、書
き換え回数が書き換え保証回数を超えたことをユーザに
知らせることができる。
According to this invention, the alarm means issues an alarm when the number of rewrites stored in the number-of-times storage means exceeds a preset number. As a result, the user can be notified that the number of rewrites has exceeded the guaranteed number of rewrites.

【0024】つぎの発明にかかるフラッシュメモリにあ
っては、前記回数記憶手段は、前記通常記憶手段の、書
き換えを許可しているブロックごとに前記書き換え回数
を記憶することを特徴とする。
In the flash memory according to the next invention, the number-of-times storage means stores the number of times of rewriting for each block of the normal storage means for which rewriting is permitted.

【0025】この発明によれば、回数記憶手段が、通常
記憶手段の、書き換えを許可しているブロックごとに、
それぞれの書き換え回数を記憶し、ブロックごとに書き
換え回数を管理することができる。
According to the present invention, the number-of-times storage means stores, for each block of the normal storage means, for which rewriting is permitted,
The number of times of rewriting can be stored, and the number of times of rewriting can be managed for each block.

【0026】つぎの発明にかかるフラッシュメモリ書き
換え回数記憶方法にあっては、書き換え回数を記憶する
回数記憶手段を備えたフラッシュメモリに、書き換え回
数を記憶させるフラッシュメモリ書き換え回数記憶方法
であって、前記フラッシュメモリの書き換えが行なわれ
るたびに、前記回数記憶手段の、書き込まれたビットと
書き込まれていないビットとの境界を検索する検索工程
と、前記検索工程での検索結果に基いて前記回数記憶手
段への1ビットの書き込みを所定の順序で行なう更新工
程と、を含むことを特徴とする。
In a flash memory rewrite frequency storage method according to the next invention, the flash memory rewrite frequency storage method for storing a rewrite frequency in a flash memory provided with a frequency storage means for storing the rewrite frequency. A search step of searching for a boundary between a written bit and a non-written bit in the number storage means each time the flash memory is rewritten; and the number storage means based on a search result in the search step. Updating one bit of data in a predetermined order.

【0027】この発明によれば、フラッシュメモリの書
き換えが行なわれるたびに、回数記憶手段の、書き込ま
れたビットと書き込まれていないビットとの境界を検索
して書き込みビットを決定し、順次、回数記憶手段への
1ビットの書き込みを行なう。これにより、書き込み単
位ごとではなく、1ビットごとの書き込みが可能とな
る。
According to the present invention, each time the flash memory is rewritten, the boundary between the written bit and the unwritten bit in the count storage means is searched to determine the write bit, and the count is sequentially determined. 1-bit writing to the storage means is performed. As a result, writing can be performed not for each writing unit but for each bit.

【0028】つぎの発明にかかるフラッシュメモリ書き
換え回数記憶方法にあっては、前記回数記憶手段は、書
き換え回数の各桁に対応する複数のワード線領域からな
り、前記更新工程では、桁上がりの際に、下位の桁に対
応するワード線領域をクリアして、上位の桁に対応する
ワード線領域に1ビットを書き込むことを特徴とする。
In the flash memory rewriting number storage method according to the next invention, the number storage means comprises a plurality of word line regions corresponding to each digit of the number of rewritings. In addition, the word line area corresponding to the lower digit is cleared, and one bit is written to the word line area corresponding to the upper digit.

【0029】この発明によれば、複数のワード線領域
を、書き換え回数の各桁に割り当て、桁上がりの際に、
下位の桁に対応するワード線領域をクリアして、上位の
桁に対応するワード線領域に1ビットを書き込む。これ
により、さらに、書き換え回数記憶用のメモリ領域を減
少させることができる。
According to the present invention, a plurality of word line regions are assigned to each digit of the number of rewrites,
The word line area corresponding to the lower digit is cleared, and one bit is written to the word line area corresponding to the upper digit. Thereby, the memory area for storing the number of times of rewriting can be further reduced.

【0030】つぎの発明にかかるコンピュータ読み取り
可能な記録媒体にあっては、前述した発明にかかる方法
をコンピュータに実行させるプログラムを記録したこと
を特徴とする。
A computer-readable recording medium according to the next invention is characterized by recording a program for causing a computer to execute the method according to the above-described invention.

【0031】この発明によれば、前述した発明にかかる
方法をコンピュータに実行させて、書き換え回数記憶用
のメモリ領域を減少させることができる。
According to the present invention, it is possible to reduce the memory area for storing the number of times of rewriting by causing a computer to execute the method according to the above-described invention.

【0032】[0032]

【発明の実施の形態】以下、本発明にかかるフラッシュ
メモリ、フラッシュメモリ書き換え回数記憶方法および
その方法をコンピュータに実行させるプログラムを記録
したコンピュータ読み取り可能な記録媒体の実施の形態
を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形
態によりこの発明が限定されるものではない。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of a flash memory, a flash memory rewrite frequency storage method, and a computer-readable recording medium storing a program for causing a computer to execute the method will be described in detail with reference to the drawings. Will be described. The present invention is not limited by the embodiment.

【0033】実施の形態1.図1は、本発明の実施の形
態1にかかるフラッシュロム(フラッシュメモリ)の概
略構成を示すブロック図である。実施の形態1のフラッ
シュロム1は、各種データを記憶する通常のフラッシュ
ロム領域2と、通常のフラッシュロム領域2の書き換え
(以下、「単に書き換え」と呼ぶ場合がある)回数を記
憶するモニタメモリ領域3と、フラッシュロム1の制御
を行なう制御部4と、前記各部を接続するデータ・アド
レスバス5と、を備えている。モニタメモリ領域3は一
つのワード線領域で構成されており、追加書き込みを許
可するように設定されている。
Embodiment 1 FIG. 1 is a block diagram illustrating a schematic configuration of a flash ROM (flash memory) according to the first embodiment of the present invention. The flash ROM 1 according to the first embodiment has a normal flash ROM area 2 for storing various data and a monitor memory for storing the number of times of rewriting (hereinafter sometimes simply referred to as “rewriting”) the normal flash ROM area 2. An area 3, a control section 4 for controlling the flash ROM 1, and a data address bus 5 for connecting the above sections are provided. The monitor memory area 3 is composed of one word line area, and is set to permit additional writing.

【0034】モニタメモリ領域3への書き換え回数情報
(通常のフラッシュロム領域2の書き換え回数を示す情
報)の書き込みは、ユーザがプログラムするユーザソフ
トウェアによって行なわれる。ここで、ユーザソフトウ
ェアが誤って書き換え回数情報を消してしまわないよう
に、モニタメモリ領域3は、通常のフラッシュロム領域
2とは別に設けられており、消去動作を実行に移すまで
のセキュリティー機能が通常のフラッシュロム領域2よ
りも高く設定されている。具体的には、消去の手順を通
常のフラッシュロム領域2とは、異なるものにしたり、
ユーザによる消去機能を無くし、ユーザから消去動作を
行なうことができないようにしたりする。なお、通常の
フラッシュロム領域2は、本発明の通常記憶手段に対応
し、モニタメモリ領域3は、本発明の回数記憶手段対応
する。
Writing of the rewrite frequency information (information indicating the normal rewrite frequency of the flash ROM area 2) to the monitor memory area 3 is performed by user software programmed by the user. Here, the monitor memory area 3 is provided separately from the normal flash ROM area 2 so that the user software does not accidentally erase the rewrite frequency information. It is set higher than the normal flash ROM area 2. Specifically, the erasing procedure is different from that of the normal flash ROM area 2,
The erasing function by the user is eliminated, so that the erasing operation cannot be performed by the user. The normal flash ROM area 2 corresponds to the normal storage means of the present invention, and the monitor memory area 3 corresponds to the number storage means of the present invention.

【0035】以上の構成において、実施の形態1の動作
について、図2,3および4を参照して説明する。図2
は、実施の形態1にかかるユーザソフトウェアによる書
き換え動作の流れを示すフローチャートである。ユーザ
ソフトウェアは、まず、モニタメモリ領域3への書き込
み処理を行ない(S1)、その後、通常のフラッシュロ
ム領域2の書き換えを行なう(S2)。すなわち、通常
のフラッシュロム領域2の書き換えが行なわれるたび
に、モニタメモリ領域3への書き込み処理を行なう。
The operation of the first embodiment in the above configuration will be described with reference to FIGS. FIG.
6 is a flowchart showing a flow of a rewriting operation by user software according to the first exemplary embodiment; The user software first performs a write process on the monitor memory area 3 (S1), and then rewrites the normal flash ROM area 2 (S2). That is, each time the normal flash ROM area 2 is rewritten, a write process to the monitor memory area 3 is performed.

【0036】モニタメモリ領域3では、追加書き込みを
許可し、ワード線単位で1ビットごとに書き換え回数を
示すことにより、メモリ使用量を最小限とすることがで
きる。追加書き込みを許可することによる信頼性の問題
は、最後の書き込みデータが保証されるので、書き換え
の際に、前回の書き込みビットを検索するようにするこ
とで解決することができる。図3は、実施の形態1にか
かるモニタメモリ領域3への書き込み処理の流れを示す
フローチャートである。モニタメモリ領域3への書き込
み処理において、ユーザソフトウェアは、まず、すでに
書き込まれたビットと書き込まれていないビットとの境
界を検索する(S3)。続いて、検索結果に基き、固定
された所定の順序に従い、書き込みを行なうビットを決
定してモニタメモリ領域3への1ビットの書き込みをで
行なう(S4)。
In the monitor memory area 3, additional writing is permitted, and the number of rewrites is indicated for each bit on a word line basis, so that the memory usage can be minimized. The reliability problem caused by permitting additional writing can be solved by retrieving the previous writing bit at the time of rewriting because the last writing data is guaranteed. FIG. 3 is a flowchart illustrating a flow of a writing process to the monitor memory area 3 according to the first embodiment. In the process of writing to the monitor memory area 3, the user software first searches for a boundary between already written bits and unwritten bits (S3). Subsequently, based on the search result, a bit to be written is determined according to a fixed predetermined order, and one bit is written into the monitor memory area 3 (S4).

【0037】モニタメモリ領域3への書き込み処理にお
いては、たとえば、ワード線領域の端から、順次、1ビ
ットの書き込みを行ない、これと逆方向から検索を行な
って、書き込み済みのビットと未書き込みのビットとの
境界を検出する。図4は、実施の形態1にかかるモニタ
メモリ領域3への書き込み処理を説明するための説明図
であり、4回書き換えがあった後、5回目の書き換えの
際における書き込み処理の例を示している。この場合、
検索の結果、4ビット目と3ビット目の間に境界を検出
し、4ビット目に書き込みを行なう。
In the process of writing to the monitor memory area 3, for example, one bit is sequentially written from the end of the word line area, and a search is performed in the opposite direction, and the written bits and the unwritten bits are searched. Detect the boundary between bits. FIG. 4 is an explanatory diagram for explaining the writing process to the monitor memory area 3 according to the first embodiment, and shows an example of the writing process at the time of the fifth rewriting after four rewritings. I have. in this case,
As a result of the search, a boundary between the fourth and third bits is detected, and writing is performed on the fourth bit.

【0038】前述したように、実施の形態1によれば、
通常のフラッシュロム領域2とは別に設けられ、消去動
作を実行に移すまでのセキュリティー機能が高いモニタ
メモリ領域3に、書き換え回数情報の書き込みを行なう
ため、誤書き込み等により、書き換え回数を消してしま
う可能性を低減し、書き換え回数情報の信頼性を高める
ことができる。また、モニタメモリ領域3の追加書き込
みを可能にし、書き込み済みのビットと未書き込みのビ
ットとの境界を逆順に検索し、順次、書き込みを行なう
ビットを指定するため、書き換え回数記憶用のメモリ領
域を減少させて、コストを低減することができ、かつ、
何度も同じセルに書き換えを行なうことを防いで、書き
換え回数情報の信頼性を高めることができる。
As described above, according to the first embodiment,
Since the rewrite frequency information is written in the monitor memory area 3 which is provided separately from the normal flash ROM area 2 and has a high security function until the erase operation is executed, the rewrite frequency is erased due to erroneous writing or the like. It is possible to reduce the possibility and increase the reliability of the rewrite frequency information. Further, the additional writing of the monitor memory area 3 is enabled, the boundary between the written bit and the unwritten bit is searched in reverse order, and the bit to be written is sequentially specified. To reduce costs, and
It is possible to prevent the same cell from being rewritten many times, and to improve the reliability of the rewrite number information.

【0039】実施の形態2.実施の形態2のフラッシュ
ロムは、実施の形態1のフラッシュロム1と基本的に同
様の構成であって、モニタメモリ領域3に代えて、後述
するモニタメモリ領域10を設けたものである。実施の
形態1のように、ワード線単位で書き換え情報を記録し
ていく場合、最大値は、そのワード線に接続されるビッ
ト数に依存するが、実施の形態2では、複数のワード線
領域を使用し、あるワード線領域は、書き換え回数1回
ごとに書き込みを行ない、そのワード線領域が全て使用
された場合に、別のワード線領域に1ビットの情報を桁
上がりとして記録し、全て使用されたワード線領域をク
リア(消去)するようにして、少ない領域に、多くの書
き換え回数を記録できるようにしている。
Embodiment 2 The flash ROM according to the second embodiment has basically the same configuration as the flash ROM 1 according to the first embodiment, except that a monitor memory area 10 described later is provided instead of the monitor memory area 3. When rewriting information is recorded in word line units as in the first embodiment, the maximum value depends on the number of bits connected to the word line. , A certain word line area is written each time rewriting is performed, and when all the word line areas are used, 1-bit information is recorded as carry in another word line area, and The used word line area is cleared (erased) so that a large number of rewrites can be recorded in a small area.

【0040】図5は、本発明の実施の形態2にかかるモ
ニタメモリ領域10の概略構成を示す説明図である。実
施の形態2にかかるモニタメモリ領域10は、書き換え
回数の各桁に対応する複数のワード線領域10a,10
b〜10cで構成される。モニタメモリ領域10は、実
施の形態1にかかるモニタメモリ領域3と同様に、セキ
ュリティー機能が高く、追加書き込みが可能となってい
る。この例では、一つのワード線領域が8ビットなの
で、ワード線領域10a,10b〜10cは、それぞ
れ、8進数の各桁に対応することになる。
FIG. 5 is an explanatory diagram showing a schematic configuration of the monitor memory area 10 according to the second embodiment of the present invention. The monitor memory area 10 according to the second embodiment includes a plurality of word line areas 10a, 10a corresponding to each digit of the number of rewrites.
b to 10c. The monitor memory area 10, like the monitor memory area 3 according to the first embodiment, has a high security function and can additionally write. In this example, since one word line area is 8 bits, the word line areas 10a, 10b to 10c correspond to the respective digits of the octal number.

【0041】以上の構成において、実施の形態2の動作
について、図6,7を参照して説明する。図6は、実施
の形態2にかかるモニタメモリ領域10への書き込み処
理の流れを示すフローチャートである。なお、実施の形
態2の動作は、実施の形態1の動作と基本的に同様であ
るので、図3と同一の部分には、同一の符号を付して、
その説明を省略する。モニタメモリ領域10への書き込
み処理において、ユーザソフトウェアは、まず、最下位
桁に対応するワード線領域10aで、すでに書き込まれ
たビットと書き込まれていないビットとの境界を検索す
る(S3)。
The operation of the second embodiment in the above configuration will be described with reference to FIGS. FIG. 6 is a flowchart illustrating a flow of a writing process to the monitor memory area 10 according to the second embodiment. Since the operation of the second embodiment is basically the same as that of the first embodiment, the same parts as those of FIG.
The description is omitted. In the process of writing to the monitor memory area 10, the user software first searches the word line area 10a corresponding to the least significant digit for a boundary between already written bits and unwritten bits (S3).

【0042】つぎに、検索結果から、ワード線領域10
aが全て使用されているか否か、すなわち、全て書き込
みがされているか否かを判定する(S5)。全て書き込
み済みの場合は、ワード線領域10aをクリアし、上位
桁に対応するワード線領域10bに1ビットの情報を桁
上がりとして記憶させて(S6)、処理を終了する。一
方、全て書き込み済みでない場合は、ワード線領域10
aへの書き込みを行ない(S4)、処理を終了する。
Next, the word line region 10
It is determined whether or not a is completely used, that is, whether or not all are written (S5). If all the data has been written, the word line area 10a is cleared, the 1-bit information is stored as a carry in the word line area 10b corresponding to the upper digit (S6), and the process ends. On the other hand, if not all data has been written,
Then, writing to a is performed (S4), and the process ends.

【0043】図7は、実施の形態2にかかるモニタメモ
リ領域10への書き込み処理を説明するための説明図で
あり、8回書き換え後、9回目の書き換えの場合におけ
る例を示している。モニタメモリ領域10への書き込み
処理において、8回書き換え後、ワード線領域10aの
全てのビットは書き込み済みとなる。このため、9回目
の書き換えの際は、ワード線領域10aをクリアして、
ワード線領域10bに1ビットの書き込みを行なう。
FIG. 7 is an explanatory diagram for explaining the writing process to the monitor memory area 10 according to the second embodiment, and shows an example in the case of the ninth rewrite after the eight rewrites. In the writing process to the monitor memory area 10, after rewriting eight times, all bits in the word line area 10a have been written. Therefore, at the time of the ninth rewriting, the word line area 10a is cleared,
One-bit writing is performed in word line region 10b.

【0044】前述したように、実施の形態2によれば、
モニタメモリ領域10が、書き換え回数の各桁に対応す
る複数のワード線領域からなり、桁上がりの際に、下位
の桁に対応するワード線領域をクリアして、上位の桁に
対応するワード線領域に1ビットを書き込むため、さら
に、書き換え回数記憶用のメモリ領域を減少させて、コ
ストを低減することができる。また、モニタメモリ領域
10は、書き換えが行なわれる通常のフラッシュロム領
域2に対し、一つのワード線に接続されるビット数分の
1回以下の書き換えが行なわれるだけなので、書き換え
回数情報の信頼性が向上する。
As described above, according to the second embodiment,
The monitor memory area 10 is composed of a plurality of word line areas corresponding to each digit of the number of rewrites. When a carry occurs, the word line area corresponding to the lower digit is cleared and the word line area corresponding to the upper digit is cleared. Since one bit is written in the area, the memory area for storing the number of times of rewriting can be further reduced, and the cost can be reduced. In the monitor memory area 10, the normal flash ROM area 2 in which rewriting is performed is rewritten only once less than the number of bits connected to one word line. Is improved.

【0045】実施の形態3.実施の形態3のフラッシュ
ロムは、実施の形態1のフラッシュロム1と同様の構成
であって、モニタメモリ領域3に代えて、後述するモニ
タメモリ領域22を設けたものである。図8は、本発明
の実施の形態3にかかるフラッシュロムの概略構成を示
す説明図である。実施の形態3にかかるフラッシュロム
は、サブメモリ領域20と、メインメモリ領域21と、
一つのブロックからなるモニタメモリ領域22と、を備
えている。モニタメモリ領域22は、モニタメモリ領域
3と同様に、セキュリティー機能が高く、追加書き込み
が可能となっている。
Embodiment 3 The flash ROM according to the third embodiment has the same configuration as the flash ROM 1 according to the first embodiment, except that a monitor memory area 22 described later is provided instead of the monitor memory area 3. FIG. 8 is an explanatory diagram illustrating a schematic configuration of the flash ROM according to the third embodiment of the present invention. The flash ROM according to the third embodiment includes a sub memory area 20, a main memory area 21,
And a monitor memory area 22 composed of one block. The monitor memory area 22, like the monitor memory area 3, has a high security function and can additionally write.

【0046】ここで、たとえば、サブメモリ領域20の
書き換えが非常に多い場合など、メインメモリ領域21
内にモニタメモリ領域22を置くことで、書き換え回数
の少ないブロックでの記録による信頼度の高い書き換え
回数のモニタが可能となる。この場合、ワード線を特定
する必要が無くなる。
Here, for example, when the rewriting of the sub memory area 20 is extremely large, for example,
By arranging the monitor memory area 22 inside the block, it is possible to monitor the number of times of rewriting with high reliability by recording in a block with a small number of times of rewriting. In this case, there is no need to specify a word line.

【0047】以上の構成において、実施の形態3の動作
について、図9を参照して説明する。図9は、実施の形
態3にかかるモニタメモリ領域22への書き込み処理を
説明するための説明図である。実施の形態3にかかるモ
ニタメモリ領域22への書き込み処理においても、実施
の形態1と同様に、書き込み順を固定化し、書き換え時
のビット検索を逆順で行なうことにより、モニタメモリ
領域22のメモリ量を削減することができる。
The operation of the third embodiment having the above configuration will be described with reference to FIG. FIG. 9 is an explanatory diagram for explaining a writing process to the monitor memory area 22 according to the third embodiment. Also in the write processing to the monitor memory area 22 according to the third embodiment, as in the first embodiment, the write order is fixed and the bit search at the time of rewriting is performed in the reverse order, so that the memory amount of the monitor memory area 22 is reduced. Can be reduced.

【0048】前述したように、実施の形態3によれば、
一つのブロックをモニタメモリ領域とすることも可能で
あり、このブロックへの誤書き込み等にる書き換え回数
の消去の可能性を低減し、書き換え回数情報の信頼性を
高めることができる。
As described above, according to the third embodiment,
One block can be used as a monitor memory area, and the possibility of erasing the number of rewrites due to erroneous writing or the like in this block can be reduced, and the reliability of the number of rewrites information can be increased.

【0049】実施の形態4.実施の形態4のフラッシュ
ロムは、前述した実施の形態1のフラッシュロム1と同
様の構成であって、モニタメモリ領域3に代えて、後述
するモニタメモリ領域30を設けたものである。図10
は、本発明の実施の形態4にかかるモニタメモリ領域3
0の概略構成を示す説明図である。実施の形態4にかか
るモニタメモリ領域30は、通常フラッシュロム領域2
内の、書き換えを許可している各ブロックごとの書き換
え回数を記憶するモニタメモリ領域31,32〜33を
有している。また、セキュリティー機能が高く、追加書
き込みが可能となっている。
Embodiment 4 The flash ROM according to the fourth embodiment has the same configuration as the flash ROM 1 according to the first embodiment described above, and is provided with a monitor memory area 30 described later instead of the monitor memory area 3. FIG.
Is the monitor memory area 3 according to the fourth embodiment of the present invention.
FIG. 4 is an explanatory diagram showing a schematic configuration of a zero. The monitor memory area 30 according to the fourth embodiment includes the normal flash ROM area 2
And monitor memory areas 31, 32 to 33 for storing the number of times of rewriting for each block for which rewriting is permitted. In addition, the security function is high and additional writing is possible.

【0050】モニタメモリ領域31,32〜33は、実
施の形態1にかかるモニタメモリ領域3と同様に、一つ
のワード線領域から構成されていてもよいし、実施の形
態2にかかるモニタメモリ領域10と同様に、書き換え
回数の各桁に対応する複数のワード線領域から構成され
ていてもよい。さらに、モニタメモリ領域30は、実施
の形態3にかかるモニタメモリ領域22と同様に、一つ
のブロックであってもよい。書き換えがあった場合、ユ
ーザソフトウェアが、実施の形態1〜3と同様の処理を
行ない、書き換えのあったブロックに対応するモニタメ
モリ領域の書き換え回数を更新する。
The monitor memory areas 31, 32 to 33 may be composed of one word line area as in the case of the monitor memory area 3 according to the first embodiment, or may be constituted by a monitor memory area according to the second embodiment. As in the case of 10, it may be composed of a plurality of word line regions corresponding to each digit of the number of rewrites. Further, the monitor memory area 30 may be a single block, similarly to the monitor memory area 22 according to the third embodiment. If rewritten, the user software performs the same processing as in the first to third embodiments, and updates the number of rewrites in the monitor memory area corresponding to the rewritten block.

【0051】前述したように、実施の形態4によれば、
通常フラッシュロム領域2の、書き換えを許可している
各ブロックごとの書き換え回数を記憶するため、各ブロ
ックごとに、書き換え回数を管理することができる。
As described above, according to the fourth embodiment,
Since the number of rewrites for each block of the normal flash ROM area 2 for which rewriting is permitted is stored, the number of rewrites can be managed for each block.

【0052】実施の形態5.図11は、本発明の実施の
形態5にかかるフラッシュロムの概略構成を示すブロッ
ク図である。なお、実施の形態5にかかるフラッシュロ
ムは、実施の形態1にかかるフラッシュロムと、基本的
に同一の構成であるので、同一の部分には、同一の符号
を付してその説明を省略する。実施の形態5にかかるフ
ラッシュロム41は、通常のフラッシュロム領域2と、
モニタメモリ領域3と、フラッシュロム41の制御を行
なう制御部42と、データ・アドレスバス5と、を備え
ている。
Embodiment 5 FIG. FIG. 11 is a block diagram illustrating a schematic configuration of the flash ROM according to the fifth embodiment of the present invention. Since the flash ROM according to the fifth embodiment has basically the same configuration as the flash ROM according to the first embodiment, the same portions are denoted by the same reference numerals and description thereof will be omitted. . The flash ROM 41 according to the fifth embodiment includes a normal flash ROM area 2,
A monitor memory area 3, a control unit 42 for controlling the flash ROM 41, and a data address bus 5 are provided.

【0053】また、制御部42は、モニタメモリ領域3
への書き込み処理を制御する回数更新部44、および、
予め設定された規定回数を書き換え回数が超えたことを
知らせるアラーム信号を出力するアラーム部43を有し
ている。なお、モニタメモリ領域3に代えて、実施の形
態2にかかるモニタメモリ領域10を用いてもよいし、
実施の形態3にかかるモニタメモリ領域22を用いても
よいし、実施の形態4にかかるモニタメモリ領域30を
用いてもよい。
The control unit 42 also controls the monitor memory area 3
Number updating unit 44 for controlling the writing process to the
An alarm unit 43 is provided to output an alarm signal indicating that the number of times of rewriting has exceeded a predetermined number of times. Note that the monitor memory area 10 according to the second embodiment may be used instead of the monitor memory area 3,
The monitor memory area 22 according to the third embodiment may be used, or the monitor memory area 30 according to the fourth embodiment may be used.

【0054】以上の構成において、実施の形態5の動作
について説明する。なお、実施の形態5の動作は、実施
の形態1〜4と基本的に同様であるので、異なる部分に
ついてのみ説明する。回数更新部44は、実施の形態1
〜4でユーザソフトウェアが行なっていたモニタメモリ
領域3への書き込み処理を、フラッシュロム41内部で
行なう。すなわち、フラッシュロム41においては、ユ
ーザソフトウェアによりモニタメモリ領域3への書き込
み処理を行なうのではなく、フラッシュロム41内部の
回数更新部44により、実施の形態1〜4と同様にし
て、モニタメモリ領域3への書き込み処理を行なう。
In the above configuration, the operation of the fifth embodiment will be described. Note that the operation of the fifth embodiment is basically the same as that of the first to fourth embodiments, and therefore only different parts will be described. The number-of-times updating unit 44 is different from the first embodiment.
In the flash ROM 41, the writing process to the monitor memory area 3 which was performed by the user software in the steps 4 to 4 is performed. In other words, in the flash ROM 41, the writing process to the monitor memory area 3 is not performed by the user software, but the number updating unit 44 in the flash ROM 41 performs the same processing as in the first to fourth embodiments. 3 is written.

【0055】これにより、ユーザソフトウェアで、モニ
タメモリ領域3への書き込み処理を行なう必要が無くな
り、ユーザおよびユーザソフトウェアの負担を軽減する
ことができる。また、ユーザのプログラムミス等で誤書
き込みが発生することを防ぐことができ、書き換え回数
情報の信頼性を向上させることができる。
As a result, it is not necessary for the user software to perform the writing process to the monitor memory area 3, and the burden on the user and the user software can be reduced. In addition, it is possible to prevent erroneous writing due to a user's programming error or the like, and to improve the reliability of the rewrite frequency information.

【0056】アラーム部43は、モニタメモリ領域3に
記憶された書き換え回数が、フラッシュロム41の書き
換え保証回数等の規定回数を超過したか否かの判定を行
なう。そして、書き換え回数が書き換え保証回数を超え
た場合に、図示しない外部のCPUへの割り込み等のア
ラーム信号を出力する。これにより、ユーザに対し、書
き換え回数が書き換え保証回数を超えたことを知らせ、
プログラム的対処などを促すことができる。書き換え回
数が規定回数を超過したか否かの判定は、たとえば、書
き込み済みのビットと未書き込みのビットとの境界の検
索の際に行なうようにしてもよい。
The alarm unit 43 determines whether or not the number of rewrites stored in the monitor memory area 3 exceeds a specified number such as the guaranteed number of rewrites of the flash ROM 41. When the number of rewrites exceeds the guaranteed number of rewrites, an alarm signal such as an interrupt to an external CPU (not shown) is output. This informs the user that the number of rewrites has exceeded the guaranteed number of rewrites,
It can encourage programmatic measures. The determination as to whether or not the number of times of rewriting has exceeded the specified number of times may be made, for example, when searching for a boundary between a written bit and an unwritten bit.

【0057】前述したように、実施の形態5によれば、
実施の形態1〜4と同様の効果に加え、さらに、ユーザ
ソフトウェアではなく、回数更新部44が、モニタメモ
リ領域3への書き込み処理を行なうため、ユーザおよび
ユーザソフトウェアの負荷を軽減することができ、書き
換え回数情報の信頼性を向上させることができる。ま
た、アラーム部43が、フラッシュロム41の書き換え
保証回数等の規定回数を超過したか否かの判定を行な
い、ユーザに対し、書き換え回数が書き換え保証回数を
超えたことを知らせるため、ユーザが気付かないうちに
書き換え保証回数を超えてしまい、予期しないエラーを
発生する可能性を低減することができる。
As described above, according to the fifth embodiment,
In addition to the same effects as those of the first to fourth embodiments, the load of the user and the user software can be reduced because the number updating unit 44 performs the writing process to the monitor memory area 3 instead of the user software. In addition, the reliability of the rewrite frequency information can be improved. Further, the alarm unit 43 determines whether the specified number of times such as the guaranteed number of rewrites of the flash ROM 41 has been exceeded, and informs the user that the number of rewrites has exceeded the guaranteed number of rewrites. It is possible to reduce the possibility that the number of times of rewriting will exceed the guaranteed number of times before that and an unexpected error occurs.

【0058】[0058]

【発明の効果】以上説明したとおり、この発明によれ
ば、通常に使用される通常記憶手段とは別に設けられ、
セキュリティー機能が高い回数記憶手段が、通常記憶手
段の書き換え回数を記憶する。これにより、誤書き込み
等によって書き換え回数情報(書き換え回数を示す情
報)が消失する可能性を低減することができるため、書
き換え回数情報の信頼性を向上することができる、とい
う効果を奏する。
As described above, according to the present invention, the storage means is provided separately from the ordinary storage means normally used.
The number-of-times storage unit having a high security function stores the number of times of rewriting of the normal storage unit. Thus, the possibility that the rewrite frequency information (information indicating the rewrite frequency) is lost due to erroneous writing or the like can be reduced, so that the reliability of the rewrite frequency information can be improved.

【0059】つぎの発明によれば、通常に使用される通
常記憶手段とは別に設けられ、ユーザによる消去機能を
持たない回数記憶手段が、通常記憶手段の書き換え回数
を記憶する。これにより、誤書き込み等によって書き換
え回数情報が消失する可能性を低減することができるた
め、書き換え回数情報の信頼性を向上することができ
る、という効果を奏する。
According to the next invention, the number-of-times storage means provided separately from the normally used normal storage means and having no erasing function by the user stores the number of times of rewriting of the normal storage means. Thus, the possibility that the rewrite frequency information is lost due to erroneous writing or the like can be reduced, so that the reliability of the rewrite frequency information can be improved.

【0060】つぎの発明によれば、回数記憶手段に対す
る追加書き込みが可能であり、書き込み単位ごとではな
く、1ビットごとの書き込みが可能となるため、書き換
え回数記憶用のメモリ領域を減少させて、コストを低減
することができる、という効果を奏する。
According to the next invention, additional writing to the number-of-times storage means is possible, and writing can be performed for each bit instead of for each writing unit. Therefore, the memory area for storing the number of times of rewriting can be reduced. The effect that cost can be reduced is produced.

【0061】つぎの発明によれば、ユーザソフトウェア
ではなく、制御手段が、通常に使用される通常記憶手段
とは別に設けられた回数記憶手段の記憶する書き換え回
数を更新する。これにより、ユーザソフトウェアによっ
て書き換え回数の更新機能を実現する必要が無くなり、
また、プログラムミスを防ぎ、誤書き込み等による書き
換え回数情報の消失の可能性を低減することができるた
め、ユーザおよびユーザソフトウェアの負荷を軽減し、
また、書き換え回数情報の信頼性を向上することができ
る、という効果を奏する。
According to the next invention, instead of the user software, the control means updates the number of rewrites stored in the number storage means provided separately from the normal storage means normally used. This eliminates the need for user software to implement the function of updating the number of rewrites,
In addition, since it is possible to prevent a program error and reduce the possibility of losing the number of times of rewriting due to erroneous writing or the like, the load on the user and the user software is reduced,
In addition, there is an effect that the reliability of the rewrite frequency information can be improved.

【0062】つぎの発明によれば、回数記憶手段に対す
る追加書き込みが可能であり、制御手段が、データ記憶
手段の書き換えが行なわれるたびに、回数記憶手段の、
書き込まれたビットと書き込まれていないビットとの境
界を検索することによって書き込みを行なうビットを決
定し、順次、1ビットの書き込みを行なう。これによ
り、書き込み単位ごとではなく、1ビットごとの書き込
みが可能となるため、書き換え回数記憶用のメモリ領域
を減少させて、コストを低減することができる、という
効果を奏する。
According to the next invention, additional writing to the number-of-times storage means is possible, and the control means sets the number of times of the number-of-times storage means every time the data storage means is rewritten.
A bit to be written is determined by searching for a boundary between a written bit and a non-written bit, and one bit is sequentially written. As a result, since writing can be performed not for each writing unit but for each bit, there is an effect that the memory area for storing the number of times of rewriting can be reduced and the cost can be reduced.

【0063】つぎの発明によれば、回数記憶手段を一つ
のブロックとした場合において、誤書き込み等によって
書き換え回数情報が消失する可能性を低減することがで
きるため、回数記憶手段を一つのブロックとした場合に
おいても、書き換え回数情報の信頼性を向上することが
できる、という効果を奏する。
According to the next invention, when the number-of-times storage means is one block, the possibility that the number-of-times-of-rewriting information is lost due to erroneous writing or the like can be reduced. Also in this case, there is an effect that the reliability of the rewrite frequency information can be improved.

【0064】つぎの発明によれば、回数記憶手段を一つ
のワード線領域とした場合において、誤書き込み等によ
って書き換え回数情報が消失する可能性を低減すること
ができるため、回数記憶手段を一つのワード線領域とし
た場合においても、書き換え回数情報の信頼性を向上す
ることができる、という効果を奏する。
According to the next invention, when the number-of-times storage means is one word line area, the possibility that the number-of-times-of-rewrite information is lost due to erroneous writing or the like can be reduced. Even in the case of the word line region, there is an effect that the reliability of the number-of-rewrites information can be improved.

【0065】つぎの発明によれば、複数のワード線領域
が書き換え回数の各桁に対応するため、さらに、書き換
え回数記憶用のメモリ領域を減少させることができ、書
き換え回数記憶用のメモリ領域を減少させて、コストを
低減することができる、という効果を奏する。
According to the next invention, since the plurality of word line regions correspond to each digit of the number of times of rewriting, the memory area for storing the number of times of rewriting can be further reduced. This has the effect of reducing the cost and reducing the cost.

【0066】つぎの発明によれば、アラーム手段が、回
数記憶手段の記憶する書き換え回数が、予め設定された
回数を超えた場合に、アラームを発する。これにより、
書き換え回数が書き換え保証回数等の予め設定された回
数を超えたことをユーザに知らせることができるため、
ユーザが気付かないうちに書き換え保証回数を超えてし
まい、予期しないエラーを発生する可能性を低減するこ
とができる、という効果を奏する。
According to the next invention, the alarm means issues an alarm when the number of rewrites stored in the number-of-times storage means exceeds a preset number. This allows
Since the user can be notified that the number of rewrites has exceeded a preset number such as the number of guaranteed rewrites,
It is possible to reduce the possibility that the number of times of rewriting is exceeded before the user notices and an unexpected error occurs.

【0067】つぎの発明によれば、回数記憶手段が、通
常記憶手段の、書き換えを許可しているブロックごと
に、それぞれの書き換え回数を記憶し、ブロックごとに
書き換え回数を管理することができるため、各ブロック
の書き換え回数情報の信頼性を向上することができる、
という効果を奏する。
According to the next invention, the number-of-times storage means can store the number of times of rewriting for each block of the normal storage means for which rewriting is permitted, and can manage the number of times of rewriting for each block. , It is possible to improve the reliability of the rewrite frequency information of each block,
This has the effect.

【0068】つぎの発明によれば、フラッシュメモリの
書き換えが行なわれるたびに、回数記憶手段の、書き込
まれたビットと書き込まれていないビットとの境界を検
索して書き込みビットを決定し、順次、回数記憶手段へ
の1ビットの書き込みを行なう。これにより、書き込み
単位ごとではなく、1ビットごとの書き込みが可能とな
るため、書き換え回数記憶用のメモリ領域を減少させ
て、コストを低減することができる、という効果を奏す
る。
According to the next invention, every time the flash memory is rewritten, the boundary between the written bit and the unwritten bit in the count storage means is searched to determine the write bit. 1-bit writing to the number-of-times storage means is performed. As a result, since writing can be performed not for each writing unit but for each bit, there is an effect that the memory area for storing the number of times of rewriting can be reduced and the cost can be reduced.

【0069】つぎの発明によれば、複数のワード線領域
を、書き換え回数の各桁に割り当て、桁上がりの際に、
下位の桁に対応するワード線領域をクリアして、上位の
桁に対応するワード線領域に1ビットを書き込むため、
さらに、書き換え回数記憶用のメモリ領域を減少させる
ことができ、書き換え回数記憶用のメモリ領域を減少さ
せて、コストを低減することができる、という効果を奏
する。
According to the next invention, a plurality of word line areas are assigned to each digit of the number of rewrites,
To clear the word line area corresponding to the lower digit and write one bit to the word line area corresponding to the upper digit,
Further, the memory area for storing the number of times of rewriting can be reduced, and the memory area for storing the number of times of rewriting can be reduced, so that the cost can be reduced.

【0070】つぎの発明によれば、前述した発明にかか
る方法をコンピュータに実行させるため、書き換え回数
記憶用のメモリ領域を減少させて、コストを低減するこ
とができる、という効果を奏する。
According to the next invention, since the computer executes the method according to the invention described above, the memory area for storing the number of times of rewriting can be reduced and the cost can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の実施の形態1にかかるフラッシュロ
ム(フラッシュメモリ)の概略構成を示すブロック図で
ある。
FIG. 1 is a block diagram illustrating a schematic configuration of a flash ROM (flash memory) according to a first embodiment of the present invention;

【図2】 実施の形態1にかかるユーザソフトウェアに
よる書き換え動作の流れを示すフローチャートである。
FIG. 2 is a flowchart showing a flow of a rewriting operation by user software according to the first exemplary embodiment;

【図3】 実施の形態1にかかるモニタメモリ領域への
書き込み処理の流れを示すフローチャートである。
FIG. 3 is a flowchart illustrating a flow of a writing process to a monitor memory area according to the first embodiment;

【図4】 実施の形態1にかかるモニタメモリ領域への
書き込み処理を説明するための説明図である。
FIG. 4 is an explanatory diagram for explaining a writing process to a monitor memory area according to the first embodiment;

【図5】 本発明の実施の形態2にかかるモニタメモリ
領域の概略構成を示す説明図である。
FIG. 5 is an explanatory diagram illustrating a schematic configuration of a monitor memory area according to a second embodiment of the present invention;

【図6】 実施の形態2にかかるモニタメモリ領域への
書き込み処理の流れを示すフローチャートである。
FIG. 6 is a flowchart illustrating a flow of a writing process to a monitor memory area according to the second embodiment;

【図7】 実施の形態2にかかるモニタメモリ領域への
書き込み処理を説明するための説明図である。
FIG. 7 is an explanatory diagram for explaining a writing process to a monitor memory area according to the second embodiment;

【図8】 本発明の実施の形態3にかかるフラッシュロ
ムの概略構成を示す説明図である。
FIG. 8 is an explanatory diagram illustrating a schematic configuration of a flash ROM according to a third embodiment of the present invention.

【図9】 実施の形態3にかかるモニタメモリ領域への
書き込み処理を説明するための説明図である。
FIG. 9 is an explanatory diagram for explaining a writing process to a monitor memory area according to the third embodiment;

【図10】 本発明の実施の形態4にかかるモニタメモ
リ領域の概略構成を示す説明図である。
FIG. 10 is an explanatory diagram illustrating a schematic configuration of a monitor memory area according to a fourth embodiment of the present invention;

【図11】 本発明の実施の形態5にかかるフラッシュ
ロムの概略構成を示すブロック図である。
FIG. 11 is a block diagram showing a schematic configuration of a flash ROM according to a fifth embodiment of the present invention.

【図12】 従来におけるフラッシュメモリの概略構成
を示す説明図である。
FIG. 12 is an explanatory diagram showing a schematic configuration of a conventional flash memory.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,41 フラッシュロム、2 通常のフラッシュロム
領域、3,10,22,30 モニタメモリ領域、4,
42 制御部、5 データ・アドレスバス、43 アラ
ーム部、20 サブメモリ領域、21 メインメモリ領
域、44 回数更新部。
1,41 flash ROM, 2 normal flash ROM area, 3,10,22,30 monitor memory area, 4
42 control section, 5 data / address bus, 43 alarm section, 20 sub memory area, 21 main memory area, 44 number update section.

Claims (13)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 各種データを記憶する通常記憶手段と、
前記通常記憶手段とは別に設けられ、前記通常記憶手段
の書き換え回数を記憶し、消去動作を実行に移すまでの
セキュリティー機能が前記通常記憶手段よりも高い回数
記憶手段と、 を備えることを特徴とするフラッシュメモリ。
1. A normal storage means for storing various data,
It is provided separately from the normal storage means, stores the number of rewrites of the normal storage means, and has a security function until the execution of an erasing operation is performed more frequently than the normal storage means. Flash memory.
【請求項2】 各種のデータを記憶する通常記憶手段
と、前記通常記憶手段とは別に設けられ、前記通常記憶
手段の書き換え回数を記憶し、ユーザによる消去機能を
持たない回数記憶手段と、 を備えることを特徴とするフラッシュメモリ。
2. A normal storage means for storing various data, and a number storage means provided separately from the normal storage means for storing the number of rewrites of the normal storage means and having no erasing function by a user. A flash memory, comprising:
【請求項3】 前記回数記憶手段は、追加書き込みが可
能なことを特徴とする請求項1または2に記載のフラッ
シュメモリ。
3. The flash memory according to claim 1, wherein said number storage means is capable of additional writing.
【請求項4】 各種のデータを記憶する通常記憶手段
と、 前記通常記憶手段の書き換え回数を記憶する回数記憶手
段と、 前記通常記憶手段の書き換えの際に、前記回数記憶手段
に記憶された書き換え回数を更新する制御手段と、 を備えることを特徴とするフラッシュメモリ。
4. A normal storage unit for storing various data, a number storage unit for storing the number of rewrites of the normal storage unit, and a rewrite stored in the number storage unit when the normal storage unit is rewritten. A flash memory comprising: control means for updating the number of times.
【請求項5】 前記回数記憶手段は、追加書き込みが可
能であり、前記制御手段は、前記データ記憶手段の書き
換えが行なわれるたびに、前記回数記憶手段の、書き込
まれたビットと書き込まれていないビットとの境界を検
索し、前記回数記憶手段への1ビットの書き込みを所定
の順序で行なうことを特徴とする請求項4に記載のフラ
ッシュメモリ。
5. The number-of-times storage means is capable of additional writing, and the control means is configured such that each time the data storage means is rewritten, the written bits of the number-of-times storage means are not written. 5. The flash memory according to claim 4, wherein a boundary with a bit is searched, and one bit is written to said number storage means in a predetermined order.
【請求項6】 前記回数記憶手段は、一つのブロックで
あることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一つに記
載のフラッシュメモリ。
6. The flash memory according to claim 1, wherein said number storage means is one block.
【請求項7】 前記回数記憶手段は、一つのワード線領
域であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一つ
に記載のフラッシュメモリ。
7. The flash memory according to claim 1, wherein said number storage means is one word line area.
【請求項8】 前記回数記憶手段は、複数のワード線領
域であり、各ワード線領域は、それぞれ、前記書き換え
回数の各桁に対応することを特徴とする請求項1〜5の
いずれか一つに記載のフラッシュメモリ。
8. The memory according to claim 1, wherein said number storage means is a plurality of word line areas, and each word line area corresponds to each digit of said number of times of rewriting. Flash memory according to one of the above.
【請求項9】 さらに、前記回数記憶手段の記憶する書
き換え回数が、予め設定された回数を超えた場合に、ア
ラームを発するアラーム手段を備えることを特徴とする
請求項1〜8のいずれか一つに記載のフラッシュメモ
リ。
9. The apparatus according to claim 1, further comprising an alarm unit for issuing an alarm when the number of rewrites stored in said number storage unit exceeds a preset number. Flash memory according to one of the above.
【請求項10】 前記回数記憶手段は、前記通常記憶手
段の、書き換えを許可しているブロックごとに前記書き
換え回数を記憶することを特徴とする請求項1〜9のい
ずれか一つに記載のフラッシュメモリ。
10. The apparatus according to claim 1, wherein the number-of-times storage means stores the number of times of rewriting for each block of the normal storage means for which rewriting is permitted. Flash memory.
【請求項11】 書き換え回数を記憶する回数記憶手段
を備えたフラッシュメモリに、書き換え回数を記憶させ
るフラッシュメモリ書き換え回数記憶方法であって、 前記フラッシュメモリの書き換えが行なわれるたびに、
前記回数記憶手段の、書き込まれたビットと書き込まれ
ていないビットとの境界を検索する検索工程と、 前記検索工程での検索結果に基いて前記回数記憶手段へ
の1ビットの書き込みを所定の順序で行なう更新工程
と、 を含むことを特徴とするフラッシュメモリ書き換え回数
記憶方法。
11. A flash memory rewrite frequency storage method for storing a rewrite frequency in a flash memory provided with a frequency storage means for storing a rewrite frequency, wherein each time the flash memory is rewritten,
A search step of searching for a boundary between a written bit and a non-written bit in the count storage means; and writing a 1-bit into the count storage means in a predetermined order based on a search result in the search step. A flash memory rewriting frequency storage method, comprising:
【請求項12】 前記回数記憶手段は、書き換え回数の
各桁に対応する複数のワード線領域からなり、前記更新
工程では、桁上がりの際に、下位の桁に対応するワード
線領域をクリアして、上位の桁に対応するワード線領域
に1ビットを書き込むことを特徴とする請求項11に記
載のフラッシュメモリ書き換え回数記憶方法。
12. The number storage means comprises a plurality of word line areas corresponding to each digit of the number of rewrites, and in the updating step, when a carry occurs, a word line area corresponding to a lower digit is cleared. 12. The flash memory rewrite frequency storage method according to claim 11, wherein one bit is written in a word line area corresponding to an upper digit.
【請求項13】 前記請求項11または12に記載され
た方法をコンピュータに実行させるプログラムを記録し
たことを特徴とするコンピュータ読み取り可能な記録媒
体。
13. A computer-readable recording medium on which a program for causing a computer to execute the method according to claim 11 or 12 is recorded.
JP18149099A 1999-06-28 1999-06-28 Flash memory Expired - Fee Related JP4146581B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP18149099A JP4146581B2 (en) 1999-06-28 1999-06-28 Flash memory

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP18149099A JP4146581B2 (en) 1999-06-28 1999-06-28 Flash memory

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2001014865A true JP2001014865A (en) 2001-01-19
JP4146581B2 JP4146581B2 (en) 2008-09-10

Family

ID=16101679

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP18149099A Expired - Fee Related JP4146581B2 (en) 1999-06-28 1999-06-28 Flash memory

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4146581B2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7095672B2 (en) 2003-05-28 2006-08-22 Nec Corporation Semiconductor memory device and method of controlling the same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7095672B2 (en) 2003-05-28 2006-08-22 Nec Corporation Semiconductor memory device and method of controlling the same

Also Published As

Publication number Publication date
JP4146581B2 (en) 2008-09-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6154808A (en) Method and apparatus for controlling data erase operations of a non-volatile memory device
US7193923B2 (en) Semiconductor memory device and access method and memory control system for same
US7330995B2 (en) Nonvolatile memory apparatus which prevents destruction of write data caused by power shutdown during a writing process
JP2003015929A (en) Control method for nonvolatile memory
US4975872A (en) Dual port memory device with tag bit marking
JPS6022438B2 (en) Non-volatile memory refresh method
JPH07153284A (en) Non-volatile semiconductor memory and its control method
JP2007104708A (en) Data processing method
JP2001014865A (en) Flash memory, flash memory rewriting frequency storing method and computer readable recording medium recorded with program making computer execute the method
JP3924568B2 (en) Data access control method and data access control program in flash memory
JP3646679B2 (en) Non-volatile memory data rewrite method
JP6636930B2 (en) Microcomputer with built-in flash memory, method of writing data to flash memory built in microcontroller, and program for writing data to flash memory
JP2004030849A (en) Semiconductor nonvolatile memory having rewritable function for part of data
JP2011175361A (en) Data storage device and method
JP4031693B2 (en) Nonvolatile memory and data storage device having the same
JP4661748B2 (en) MEMORY CONTROLLER, FLASH MEMORY SYSTEM HAVING MEMORY CONTROLLER, AND FLASH MEMORY CONTROL METHOD
JP2000243093A (en) Data storing method for flash memory and data reading out method from flash memory
JPH11259357A (en) Semiconductor integrated device and nonvolatile memory writing system
JP2015049722A (en) Microcomputer and block control method of non-volatile memory
JP3166659B2 (en) Storage device
JP4580724B2 (en) Nonvolatile memory control method
JP4497124B2 (en) Memory controller, flash memory system, and flash memory control method
JP2001331371A (en) Semiconductor integrated circuit device with ferroelectric memory and rewrite control method for the ferroelectric memory
JP2003141880A (en) Nonvolatile semiconductor memory device
JP2001318824A (en) System for managing data of flash memory and recording medium with its program recorded

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050616

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20071218

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080213

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080318

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080501

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080617

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080620

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110627

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110627

Year of fee payment: 3

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110627

Year of fee payment: 3

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120627

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120627

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130627

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130627

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140627

Year of fee payment: 6

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees