JP2001001224A - Heat treatment device - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は熱処理装置に関す
る。特に、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ等
に用いられる基板（例えば、ガラス基板など）の表面に
各種処理を施す際の加熱処理後の粗熱を除いたり（冷却
用）、該基板の表面にレジスト液等を塗布した後に乾燥
のために加熱したり（加熱用）するための熱処理装置に
関する。[0001] The present invention relates to a heat treatment apparatus. In particular, it removes (for cooling) rough heat after heat treatment when performing various treatments on the surface of a substrate (for example, a glass substrate) used for a liquid crystal display, a plasma display, or the like; The present invention relates to a heat treatment apparatus for heating (for heating) for drying after application of.
【０００２】[0002]
【従来の技術】（第１の従来例）従来より用いられてい
るガラス基板冷却装置１の構造を図１（ａ）（ｂ）に示
す。このガラス基板冷却装置１にあっては、冷却水が通
過する冷却水循環通路３が、冷却プレート２のほぼ全面
を通過するようにして冷却プレート２内に配設されてい
る。冷却水循環通路３は、外部配管４を介して循環ポン
プのような循環装置５と冷却水を一定温度に冷却するた
めの冷却源６（例えば、冷媒との熱交換によって冷却す
るもの）に接続されている。コントローラ７は、循環装
置５による冷却水の循環流量や冷却水の温度を制御する
ものである。ここで、冷却プレート２の材質としては、
熱伝導性の高い金属が望ましく、例えばアルミニウムを
使用する場合が多い。熱伝導性が高いことにより、冷却
スピードが向上する。2. Description of the Related Art (First Conventional Example) FIGS. 1A and 1B show the structure of a glass substrate cooling apparatus 1 conventionally used. In the glass substrate cooling device 1, a cooling water circulation passage 3 through which cooling water passes is disposed in the cooling plate 2 so as to pass through almost the entire surface of the cooling plate 2. The cooling water circulation passage 3 is connected through an external pipe 4 to a circulation device 5 such as a circulation pump and a cooling source 6 for cooling the cooling water to a constant temperature (for example, one that cools by heat exchange with a refrigerant). ing. The controller 7 controls the circulation flow rate of the cooling water by the circulation device 5 and the temperature of the cooling water. Here, as a material of the cooling plate 2,
A metal having high thermal conductivity is desirable, and for example, aluminum is often used. The high thermal conductivity improves the cooling speed.
【０００３】しかして、このガラス基板冷却装置１にあ
っては、ガラス基板８を冷却する際には、加熱処理を伴
う工程を経たガラス基板８を冷却プレート２の上に置い
て吸引孔１０（図３参照）で吸着し、冷却水循環通路３
に冷却水を循環させることにより、ガラス基板８を急速
に冷却させることができる。In the glass substrate cooling apparatus 1, when cooling the glass substrate 8, the glass substrate 8, which has undergone a process involving a heat treatment, is placed on the cooling plate 2 and the suction holes 10 ( (See FIG. 3), and the cooling water circulation passage 3
By circulating the cooling water, the glass substrate 8 can be rapidly cooled.
【０００４】しかし、このようなガラス基板冷却装置１
にあっては、冷却プレート２の表面は平滑に仕上げられ
ているが、それでもガラス基板８が擦れると、ガラス基
板８に傷がつき、液晶ディスプレイ等に用いる場合では
不良品となる。However, such a glass substrate cooling apparatus 1
In this case, the surface of the cooling plate 2 is finished to be smooth, but if the glass substrate 8 is still rubbed, the glass substrate 8 is damaged and becomes defective when used for a liquid crystal display or the like.
【０００５】また、冷却プレート２はアルミニウム等の
導体であるから、冷却プレート２の表面が露出している
と、ガラス基板８を冷却プレート２から剥離するとき、
ガラス基板８と冷却プレート２間にスパーク（放電）が
発生し易くなる。これは、絶縁体であるガラス基板８側
に溜まった静電気が、ガラス基板８と冷却プレート２間
の放電を通じて冷却プレート２に流れるためである。Since the cooling plate 2 is a conductor made of aluminum or the like, if the surface of the cooling plate 2 is exposed, when the glass substrate 8 is peeled from the cooling plate 2,
Spark (discharge) is easily generated between the glass substrate 8 and the cooling plate 2. This is because static electricity accumulated on the glass substrate 8 side, which is an insulator, flows to the cooling plate 2 through discharge between the glass substrate 8 and the cooling plate 2.
【０００６】（第２の従来例）このため一般に、冷却プ
レート２の表面は、図２に示すように、保護膜９によっ
て覆われている。この保護膜９は、ガラス基板８の傷を
防ぐためにガラス基板８よりも柔らかな材質が用いられ
ており、またスパークを防止するため絶縁被膜が用いら
れる。(Second Conventional Example) For this reason, generally, the surface of the cooling plate 2 is covered with a protective film 9 as shown in FIG. The protective film 9 is made of a softer material than the glass substrate 8 to prevent the glass substrate 8 from being damaged, and an insulating film is used to prevent sparks.
【０００７】しかし、冷却プレート２の表面を保護膜９
によって覆っていると、ガラス基板８と保護膜９の間に
発生する静電気の帯電が問題となる。すなわち、冷却プ
レート２上にガラス基板８を置いただけで、負圧吸引す
る前の状態では、図３（ａ）に示すように、一般に冷却
プレート２上のガラス基板８は波打ったようになってお
り（目視ではほとんど確認できない）、ガラス基板８と
冷却プレート２の表面との間には非常に小さな隙間が存
在しているのが普通である。このような状況で、冷却プ
レート２に設けられている多数の吸引孔１０から同時に
一括して負圧吸引を行なえば、波打っているガラス基板
８が冷却プレート２に吸引されて平らに延ばされる結
果、ガラス基板８と冷却プレート２の表面との間にはガ
ラス基板８の凹凸歪を矯正するための機械的ずれが発生
する。However, the surface of the cooling plate 2 is covered with a protective film 9.
If it is covered with, the static electricity generated between the glass substrate 8 and the protective film 9 becomes a problem. That is, when the glass substrate 8 is merely placed on the cooling plate 2 and before the negative pressure suction is performed, the glass substrate 8 on the cooling plate 2 generally has a wavy shape as shown in FIG. In general, there is a very small gap between the glass substrate 8 and the surface of the cooling plate 2. In such a situation, if negative pressure suction is performed simultaneously from a large number of suction holes 10 provided in the cooling plate 2, the wavy glass substrate 8 is sucked by the cooling plate 2 and extended flat. As a result, a mechanical shift occurs between the glass substrate 8 and the surface of the cooling plate 2 to correct the unevenness of the glass substrate 8.
【０００８】この機械的ずれ量は、図３（ｂ）に示すよ
うに、ガラス基板８の中心部ではまだ小さいが、周辺部
では機械的ずれ量が加え合わされるので、かなり大きな
ものとなる。このため、ガラス基板８が吸着されながら
ずれ動く際に摩擦が起こり、特に周辺部では大きな摩擦
が起こる。ガラス基板８の剥離時にも同様な現象が起き
る。As shown in FIG. 3 (b), the mechanical deviation is still small at the center of the glass substrate 8, but is considerably large at the periphery because the mechanical deviation is added. For this reason, friction occurs when the glass substrate 8 is displaced while being sucked, and particularly large friction occurs in the peripheral portion. A similar phenomenon occurs when the glass substrate 8 is peeled off.
【０００９】保護膜９には一般に絶縁被膜が用いられて
いるので、上記のようにしてガラス基板８の吸引時や剥
離時に摩擦が起きると、保護膜９とガラス基板８との間
に帯電が起こり、ガラス基板８や保護膜９が帯電して静
電気を帯びることになる。こうしてガラス基板８や保護
膜９が帯電すると、ガラス基板８を冷却プレート２から
押し上げる際にガラス基板８と冷却プレート２との間に
静電引力が働き、例えばリフトピン等でガラス基板８を
押し上げてガラス基板８を冷却プレート２から剥離させ
ようとすると、静電引力に抗して押上げられたガラス基
板８は、ガラス基板８と保護膜９の間に働く静電引力に
よって湾曲し、ついには破損に至る。Since an insulating film is generally used for the protective film 9, if friction occurs when the glass substrate 8 is sucked or peeled as described above, a charge is generated between the protective film 9 and the glass substrate 8. As a result, the glass substrate 8 and the protective film 9 are charged and become static. When the glass substrate 8 and the protective film 9 are charged in this way, when the glass substrate 8 is pushed up from the cooling plate 2, an electrostatic attraction acts between the glass substrate 8 and the cooling plate 2, and the glass substrate 8 is pushed up by, for example, lift pins. When the glass substrate 8 is to be separated from the cooling plate 2, the glass substrate 8 pushed up against the electrostatic attraction is bent by the electrostatic attraction acting between the glass substrate 8 and the protective film 9, and finally, Leading to damage.
【００１０】（第３の従来例）そこで、ガラス基板８を
吸引する際、その吸引動作を複数領域に分けて行なうこ
とにより、ガラス基板８と冷却プレート２との間の摩擦
による帯電を小さくする方法が提案されている（特開平
９−２９５２３６号公報）。この方法を図４（ａ）〜
（ｄ）に示す。(Third Conventional Example) Therefore, when the glass substrate 8 is sucked, the suction operation is performed in a plurality of regions to reduce the charge due to friction between the glass substrate 8 and the cooling plate 2. A method has been proposed (JP-A-9-295236). This method is illustrated in FIGS.
(D).
【００１１】この方法では、図４（ａ）に示すように冷
却プレート２の上にガラス基板８を載置した後、図４
（ｂ）（ｃ）（ｄ）に示すように、中心部から周辺部ま
での多数の吸引孔１０を３つの領域に区画し（図４で
は、３つの領域を示すために７つの吸引孔１０だけを示
しているが、これらの吸引孔１０の間にも適宜吸引孔が
設けられている。）、中心部から中間部、周辺部へと３
段階に分け、時間的な遅れを持たせて順次負圧吸引を行
なっている。この方法によれば、ガラス基板８は中央部
から周辺部へと順次接触しながら吸引されてゆくので、
吸着された状態で位置ずれする量が少なくなる。詳しく
いうと、図４(a)のようにガラス基板８が中心部の吸引
孔１０で吸引された時には、ガラス基板８は冷却プレー
ト２に吸着されて中心部の波打ちを延ばされる。ガラス
基板８の中心部が平らに延ばされると、それに伴ってガ
ラス基板８の中間部及び周辺部はそのままの形状で平行
移動するが、冷却プレート２に吸着されていないので、
その摩擦は小さい。同じく、図４(b)のようにガラス基
板８が中間部の吸引孔１０で吸引された時には、ガラス
基板８は周辺部以外を冷却プレート２に吸着されて中間
部の波打ちを延ばされる。ガラス基板８の中間部が平ら
に延ばされると、それに伴ってガラス基板８の周辺部は
そのままの形状で平行移動するが、冷却プレート２に吸
着されていないので、その摩擦は小さい。従って、ガラ
ス基板８の周辺部で大きな摩擦を生じるのは、図４(c)
のようにガラス基板８が周辺部の吸引孔１０で吸着さ
れ、周辺部の波打ちが延ばされながら吸着された状態で
冷却プレート２に対してずれ動くときだけである。これ
に対し、図３の場合のように吸引孔１０全体で同時に吸
引する方式であると、ガラス基板の周辺部では、ガラス
基板８の中心部及び中間部の波打ちが延ばされることに
よる位置ずれまでも吸着状態で行われるため、冷却プレ
ート２に吸着されていて摩擦の大きな状態で比較的長い
距離位置ずれすることになる。従って、図４に説明する
方法によれば、ガラス基板８の摩擦を小さくでき、ガラ
ス基板８の帯電を軽減することができる。In this method, a glass substrate 8 is placed on a cooling plate 2 as shown in FIG.
(B) As shown in (c) and (d), a large number of suction holes 10 from the central portion to the peripheral portion are divided into three regions (in FIG. 4, seven suction holes 10 are shown to show the three regions). However, suction holes are appropriately provided between the suction holes 10), and 3 from the center to the middle and the periphery.
Negative pressure suction is performed sequentially with a time delay, divided into stages. According to this method, the glass substrate 8 is sucked while being sequentially contacted from the central portion to the peripheral portion.
The amount of displacement in the sucked state is reduced. More specifically, when the glass substrate 8 is sucked by the suction hole 10 at the center as shown in FIG. 4A, the glass substrate 8 is attracted to the cooling plate 2 and the waving at the center is extended. When the central portion of the glass substrate 8 is extended flat, the middle portion and the peripheral portion of the glass substrate 8 move in parallel with the shape as it is, but are not adsorbed on the cooling plate 2,
The friction is small. Similarly, as shown in FIG. 4B, when the glass substrate 8 is sucked by the suction hole 10 in the middle part, the glass substrate 8 is attracted to the cooling plate 2 except for the peripheral part, and the waving of the middle part is extended. When the middle portion of the glass substrate 8 is extended flat, the peripheral portion of the glass substrate 8 moves in parallel with the shape as it is, but the friction is small because it is not attracted to the cooling plate 2. Accordingly, the reason why large friction occurs at the peripheral portion of the glass substrate 8 is as shown in FIG.
It is only when the glass substrate 8 is sucked by the suction holes 10 in the peripheral portion as described above, and the peripheral portion is displaced with respect to the cooling plate 2 while being sucked while being stretched. On the other hand, in the case of the method in which the suction is performed at the same time by the entire suction hole 10 as in the case of FIG. Is also performed in the suction state, so that the position is shifted by a relatively long distance in a state of being in a state of high friction because of being sucked by the cooling plate 2. Therefore, according to the method described in FIG. 4, the friction of the glass substrate 8 can be reduced, and the charging of the glass substrate 8 can be reduced.
【００１２】また、この方法では、吸引孔１０からガラ
ス基板８と冷却プレート２との間にエアを排出して負圧
を解放すると共にリフトピンによって冷却プレート２上
に吸着されているガラス基板８を剥離する際も、エアー
排出とリフトピンの動作を一度に行なうのでなく、吸着
の場合とは逆に、周辺部から中心部へと向かって３段階
に分けて行なっている。従って、ガラス基板８の剥離時
においても、ガラス基板８に生じる摩擦を小さくし、ガ
ラス基板８の帯電を軽減することができる。In this method, air is discharged between the glass substrate 8 and the cooling plate 2 from the suction hole 10 to release the negative pressure, and the glass substrate 8 adsorbed on the cooling plate 2 by the lift pins is removed. When peeling off, the air discharge and the operation of the lift pins are not performed at once, but are performed in three stages from the peripheral part toward the center part, contrary to the case of suction. Therefore, even when the glass substrate 8 is peeled, the friction generated on the glass substrate 8 can be reduced, and the charging of the glass substrate 8 can be reduced.
【００１３】[0013]
【発明が解決しようとする課題】しかし、ガラス基板８
には、冷却プレート２への吸着時や剥離時以外にも、摩
擦が起き易い状況が存在する。すなわち、ガラス基板８
を冷却する場合でも、冷却プレート２にほとんど温度変
化がないから、冷却プレート２には温度変化による伸縮
は起きないが（あるいは、冷却プレート２はガラス基板
８に暖められて伸びる。）、冷却プレート２の上に吸着
されたガラス基板８は、冷却されるにつれて熱収縮す
る。このためガラス基板８と冷却プレート２の間には微
小な位置ずれによって摩擦が起こり、ガラス基板８や保
護膜９が帯電する。However, the glass substrate 8
There are situations in which friction is likely to occur in addition to the time of adsorption to the cooling plate 2 and the time of separation. That is, the glass substrate 8
Is cooled, there is almost no temperature change in the cooling plate 2, so that the cooling plate 2 does not expand or contract due to the temperature change (or the cooling plate 2 is heated by the glass substrate 8 and extends). The glass substrate 8 adsorbed on the heat shrinks as it cools. For this reason, friction occurs due to a minute displacement between the glass substrate 8 and the cooling plate 2, and the glass substrate 8 and the protective film 9 are charged.
【００１４】また、冷却プレート２の上にガラス基板８
を置いてから冷却水を循環させ、ガラス基板８と冷却プ
レート２とを同時に冷却する場合でも、ガラス基板８と
冷却プレート２との熱膨張係数の違いにより、ガラス基
板８と冷却プレート２の間には微小な位置ずれによって
摩擦が起こり、ガラス基板８や保護膜９が帯電する。A glass substrate 8 is placed on the cooling plate 2.
Even if the cooling water is circulated after placing the glass substrate 8 and the cooling plate 2 at the same time, even if the glass substrate 8 and the cooling plate 2 , Friction occurs due to a slight positional shift, and the glass substrate 8 and the protective film 9 are charged.
【００１５】上記のようにしてガラス基板８の冷却時に
起きるガラス基板８と冷却プレート２との間の位置ずれ
は微量であるが、たとえ数ミクロン単位であるとして
も、負圧吸引によってかなり大きな接触圧が働いている
場合には、その摩擦力も大きなものとなり、これによる
ガラス基板８や保護膜９における静電気の発生も無視す
ることができない。また、冷却効率をある程度向上させ
るためには、ガラス基板８を吸引してガラス基板８と冷
却プレート２を密着させることはどうしても必要であ
る。As described above, the displacement between the glass substrate 8 and the cooling plate 2 that occurs when the glass substrate 8 is cooled is minute, but even if it is on the order of several microns, a considerably large contact is caused by negative pressure suction. When a pressure is applied, the frictional force becomes large, and the generation of static electricity on the glass substrate 8 and the protective film 9 due to the frictional force cannot be ignored. In order to improve the cooling efficiency to some extent, it is absolutely necessary to suck the glass substrate 8 and bring the glass substrate 8 into close contact with the cooling plate 2.
【００１６】特開平９−２９５２３６号公報に記載され
た上記方法（以下、従来方法という）にあっては、ガラ
ス基板８の吸着時および剥離時における摩擦を軽減して
いるが、冷却中における位置ずれの問題は解決されてい
ない。すなわち、従来方法では、冷却プレート２の中心
部から周辺部まで全体的に多数の吸引孔１０が配置され
ており、ガラス基板８を負圧吸引した状態では、ガラス
基板８の凹凸歪が矯正され、ガラス基板８と冷却プレー
ト２の間の接触はかなり緊密なものとなっている。この
状況で冷却動作を行うと、図５に示すように、温度変化
によるガラス基板８の収縮による機械的位置ずれが生じ
る。この機械的な位置ずれは、ガラス基板８の重心が移
動しないとすれば、中心部から周辺部にいくに従って大
きなものとなる。そして機械的位置ずれに伴い摩擦帯電
による静電気が発生することになる。In the method described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-295236 (hereinafter referred to as a conventional method), the friction at the time of suction and separation of the glass substrate 8 is reduced, but the position during cooling is reduced. The problem of displacement has not been solved. That is, in the conventional method, a large number of suction holes 10 are arranged as a whole from the central portion to the peripheral portion of the cooling plate 2, and when the glass substrate 8 is sucked under negative pressure, the unevenness of the glass substrate 8 is corrected. The contact between the glass substrate 8 and the cooling plate 2 is quite tight. When the cooling operation is performed in this situation, as shown in FIG. 5, mechanical displacement occurs due to shrinkage of the glass substrate 8 due to a change in temperature. If the center of gravity of the glass substrate 8 does not move, the mechanical displacement becomes larger from the center to the periphery. Then, static electricity due to frictional charging is generated with the mechanical displacement.
【００１７】図６に示すように、冷却プレート２内には
リフトピン１１が配設されており、冷却済みのガラス基
板８は、リフトピン１１によって冷却プレート２から剥
離される。従来方法では、リフトピン１１を吸引孔１０
の近くに、かつ吸引孔１０と交互に配置している。吸引
孔１０が冷却プレート２全面にまんべんなく配設され、
ガラス基板８は全体を一様に吸着されるようになってい
るので、リフトピン１１も冷却プレート２全面に吸引孔
１０と交互に、かつまんべんなく配設しなければならな
い。吸引孔１０の近くにリフトピン１１がないと、ガラ
ス基板８が破損する可能性があるためである。このた
め、図６に示すように、ＴＦＴ等の液晶ディスプレイ回
路やカラーフィルタ等が形成される基板有効領域（破線
でハッチングを施した領域）にもリフトピン１１が当る
ことになり、不良率をいたずらに悪くする原因になって
いた。As shown in FIG. 6, lift pins 11 are provided in the cooling plate 2, and the cooled glass substrate 8 is separated from the cooling plate 2 by the lift pins 11. In the conventional method, the lift pin 11 is
And alternately with the suction holes 10. Suction holes 10 are evenly arranged on the entire surface of the cooling plate 2,
Since the entire glass substrate 8 is uniformly sucked, the lift pins 11 must also be arranged alternately and evenly on the entire surface of the cooling plate 2 alternately with the suction holes 10. If there is no lift pin 11 near the suction hole 10, the glass substrate 8 may be damaged. For this reason, as shown in FIG. 6, the lift pins 11 also hit the substrate effective area (the area hatched by a broken line) on which a liquid crystal display circuit such as a TFT, a color filter, etc. are formed. Was causing it to go bad.
【００１８】本発明は上述の技術的問題点を解決するた
めになされたものであり、その目的とするところは、基
板を熱処理プレートに吸着させる際、剥離する際、ある
いは基板を熱処理する際における基板の帯電を抑制し、
基板の損傷を防止することにある。本発明の別な目的
は、ピンによって基板を熱処理プレートから強制的に剥
離する際の、ピンの接触による基板の損傷を防止するこ
とにある。The present invention has been made to solve the above-mentioned technical problems, and an object of the present invention is to provide a method for adsorbing a substrate on a heat-treating plate, peeling the substrate, or heat-treating the substrate. Suppresses the electrification of the substrate,
The purpose is to prevent damage to the substrate. Another object of the present invention is to prevent damage to the substrate due to contact with the pins when the substrate is forcibly peeled from the heat-treated plate by the pins.
【００１９】[0019]
【課題を解決するための手段とその作用】請求項１に記
載の熱処理装置は、熱処理プレートの基板載置面に吸引
孔を備え、該吸引孔に供給した負圧の吸引力により基板
を吸着する熱処理装置において、前記吸引孔は、前記基
板載置面の一部領域にのみ設けられていることを特徴と
している。ここで、熱処理は、加熱と冷却とを問わな
い。According to a first aspect of the present invention, there is provided a heat treatment apparatus having a suction hole on a substrate mounting surface of a heat treatment plate, wherein a substrate is sucked by a suction force of a negative pressure supplied to the suction hole. In the heat treatment apparatus described above, the suction hole is provided only in a partial area of the substrate mounting surface. Here, the heat treatment may be either heating or cooling.
【００２０】請求項１に記載の熱処理装置にあっては、
基板載置面の一部領域にのみ吸引孔を設けているので、
熱処理プレートの基板載置面に基板を置き、吸引孔に負
圧吸引力を与えて基板を吸着させると、基板は吸引孔と
対向する部分だけが強く吸着される。しかし、基板は吸
引孔から離れた部分では、強く吸引されていないので、
基板の一部吸引に伴って吸引孔から離れた部分でも基板
に傷がついたり、静電気が発生して帯電したりしにくく
なる。In the heat treatment apparatus according to the first aspect,
Since suction holes are provided only in a part of the substrate mounting surface,
When the substrate is placed on the substrate mounting surface of the heat treatment plate and a suction force is applied to the suction hole by applying a negative pressure to the suction hole, only the portion of the substrate facing the suction hole is strongly sucked. However, since the substrate is not strongly sucked in the part away from the suction hole,
Even when the substrate is partially sucked, it is difficult for the substrate to be damaged or to be charged due to generation of static electricity even in a portion separated from the suction hole.
【００２１】また、熱処理に伴って基板が伸張したり収
縮したりしても、基板が強く吸着されている位置では基
板の位置ずれは小さく、吸引孔から離れていて基板と熱
処理プレートとの間に大きな位置ずれの起きる部分で
は、基板は強く吸着されていないので、基板に傷がつい
たり、静電気が発生して帯電しにくくなる。In addition, even if the substrate expands or contracts due to the heat treatment, the displacement of the substrate is small at the position where the substrate is strongly sucked, and the position of the substrate is away from the suction hole and the distance between the substrate and the heat treatment plate is increased. Since the substrate is not strongly adsorbed in a portion where a large positional deviation occurs, the substrate is damaged or static electricity is generated, making it difficult to be charged.
【００２２】従って、請求項１に記載の熱処理装置によ
れば、基板吸着時や解放時、あるいは熱処理中における
基板の傷や帯電を防止することができ、基板の不良品率
を小さくすることができる。Therefore, according to the heat treatment apparatus of the first aspect, it is possible to prevent the substrate from being scratched or charged during the adsorption or release of the substrate or during the heat treatment, and to reduce the defective rate of the substrate. it can.
【００２３】請求項２に記載の熱処理装置は、請求項１
に記載された熱処理装置における前記吸引孔が設けられ
ている前記基板載置面の一部領域は、前記基板載置面の
うち、基板の非有効領域に対応する領域及びその近傍で
あることを特徴としている。ここで、基板の非有効領域
とは、有効領域以外の領域をいい、基板の有効領域と
は、基板全体のうち最終的に切り出されて製品となる領
域、あるいは製品品質の要求される部分（例えば、液晶
ディスプレイなどに用いられる基板では、画像表示面と
なる領域）である。The heat treatment apparatus according to the second aspect is the first aspect of the invention.
In the heat treatment apparatus described in the above, the partial area of the substrate mounting surface provided with the suction hole is, in the substrate mounting surface, an area corresponding to a non-effective area of the substrate and its vicinity. Features. Here, the non-effective area of the substrate refers to an area other than the effective area, and the effective area of the substrate refers to an area of the entire substrate that is finally cut out to be a product or a part where product quality is required ( For example, in the case of a substrate used for a liquid crystal display or the like, it is an area that becomes an image display surface).
【００２４】請求項２に記載の熱処理装置にあっては、
前記基板載置面のうち、基板の有効領域に対応する領域
にはほとんど吸引孔が設けられていないから、吸引孔に
より基板を強く吸引しても基板の有効領域では基板に傷
がついたり、帯電したりしにくく、基板の不良を防ぐこ
とができる。また、基板を熱処理プレートから剥離させ
るためのピンを基板の有効領域外に設け易くなる。In the heat treatment apparatus according to the second aspect,
Of the substrate mounting surface, the area corresponding to the effective area of the substrate is hardly provided with a suction hole, so even if the substrate is strongly sucked by the suction hole, the substrate is damaged in the effective area of the substrate, It is hard to be charged and can prevent the substrate from being defective. Further, pins for peeling the substrate from the heat treatment plate can be easily provided outside the effective area of the substrate.
【００２５】請求項３に記載の熱処理装置は、請求項１
に記載された熱処理装置における前記吸引孔は、前記熱
処理プレートの基板載置面の中心部にのみ設けられてい
ることを特徴としている。The heat treatment apparatus according to the third aspect is the first aspect of the invention.
The suction hole in the heat treatment apparatus described in (1) is characterized in that the suction hole is provided only at the center of the substrate mounting surface of the heat treatment plate.
【００２６】吸引孔を熱処理プレートの基板載置面の中
心部にのみ設ければ、基板吸引に伴う基板と基板載置面
との間の位置ずれが一方に片寄ることが無くなるので、
請求項３に記載の熱処理装置によれば、基板の傷や摩擦
による帯電を抑制する効果をより向上させることができ
る。If the suction hole is provided only at the center of the substrate mounting surface of the heat treatment plate, the displacement between the substrate and the substrate mounting surface due to the substrate suction will not be shifted to one side.
According to the heat treatment apparatus of the third aspect, the effect of suppressing electrification due to scratches or friction on the substrate can be further improved.
【００２７】請求項４に記載の熱処理装置は、請求項２
に記載の熱処理装置において、前記熱処理プレートの基
板載置面から突出して基板載置面に吸着されていた基板
を剥離させるためのピンが、前記基板載置面のうち、基
板の非有効領域に対応する領域にのみ設けられているこ
とを特徴としている。[0027] The heat treatment apparatus according to the fourth aspect is the second aspect.
In the heat treatment apparatus according to the above, pins for projecting from the substrate mounting surface of the heat treatment plate and peeling the substrate that has been attracted to the substrate mounting surface, the substrate mounting surface of the substrate mounting surface, the non-effective area of the substrate It is characterized in that it is provided only in the corresponding area.
【００２８】請求項４に記載の熱処理装置にあっては、
基板剥離用のピンを前記基板載置面のうち基板の非有効
領域に対応する領域にのみ設けているから、基板を熱処
理プレートから剥離させる際、該ピンによって基板の有
効領域を傷つけることがない。よって、基板の不良率を
より低減させることができる。In the heat treatment apparatus according to the fourth aspect,
Since the substrate peeling pins are provided only in the area corresponding to the non-effective area of the substrate on the substrate mounting surface, when the substrate is peeled from the heat treatment plate, the pins do not damage the effective area of the substrate. . Therefore, the defect rate of the substrate can be further reduced.
【００２９】請求項５に記載の熱処理装置は、請求項
１、２、３又は４に記載の熱処理装置における前記基板
載置面を半導電性被膜によって覆ったことを特徴として
いる。A heat treatment apparatus according to a fifth aspect is characterized in that the substrate mounting surface in the heat treatment apparatus according to the first, second, third or fourth aspect is covered with a semiconductive film.
【００３０】請求項５に記載の熱処理装置にあっては、
熱処理プレートの基板載置面を半導電性被膜によって覆
っているから、摩擦等による静電気の発生をより低減さ
せることができ、基板を熱処理プレートから剥離する際
の破損をより低減することができる。[0030] In the heat treatment apparatus according to claim 5,
Since the substrate mounting surface of the heat treatment plate is covered with the semiconductive film, the generation of static electricity due to friction or the like can be further reduced, and the breakage when the substrate is peeled off from the heat treatment plate can be further reduced.
【００３１】[0031]
【発明の実施の形態】（第１の実施形態）本発明の熱処
理装置は、基板を加熱する加熱プレートを備えたもので
あってもよいが、以下においては、冷却プレートを備え
た実施形態を説明する。図７は本発明の一実施形態によ
る熱処理装置２１を示す概略図であって、吸引孔２２か
ら吸排気するための構成を表わしている。図８は冷却プ
レート２３の平面図である。図９は冷却プレート２３を
冷却するための構成を示す概略図である。図１０は冷却
プレート２３の一部破断した側面図である。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS (First Embodiment) The heat treatment apparatus of the present invention may be provided with a heating plate for heating a substrate. In the following, an embodiment provided with a cooling plate will be described. explain. FIG. 7 is a schematic view showing a heat treatment apparatus 21 according to one embodiment of the present invention, and shows a configuration for sucking and discharging air from a suction hole 22. FIG. 8 is a plan view of the cooling plate 23. FIG. 9 is a schematic diagram showing a configuration for cooling the cooling plate 23. FIG. 10 is a partially cutaway side view of the cooling plate 23.
【００３２】図１０に示すように、冷却プレート２３
は、アルミニウムやステンレス等の熱伝導性の良好な金
属によって形成されたプレート本体２４の上に絶縁性被
膜２５が形成されており、絶縁性被膜２５の表面は半導
電性被膜２６によって覆われている。半導電性被膜２６
としては、導電率が１０-10〜１０3（Ωｃｍ）-1の物質
が好ましく、例えばＳｉ、Ｇｅ等の真性半導体、不純物
半導体、テフロン複合樹脂やセラミックを主成分とする
半導電性塗料を塗布して被膜を形成している。また、絶
縁性被膜２５は、プレート本体２４の表面の絶縁を図る
と共に、半導電性被膜２６と付着の相性のよい生地を用
いることにより、半導電性被膜２６としてＳｉ，Ｇｅと
いった真性半導体や不純物半導体以外にも、テフロン複
合樹脂や、セラミック等の材料も使用できるようにして
いる。半導電性被膜２６は、直接グランドに接続され、
グランドへ静電気が逃がされる。As shown in FIG. 10, the cooling plate 23
Has an insulating coating 25 formed on a plate body 24 formed of a metal having good heat conductivity such as aluminum or stainless steel, and the surface of the insulating coating 25 is covered with a semiconductive coating 26. I have. Semiconductive coating 26
As the material, a substance having an electric conductivity of 10 −10 to 10 3 (Ωcm) −1 is preferable. For example, an intrinsic semiconductor such as Si or Ge, an impurity semiconductor, a Teflon composite resin, or a semiconductive coating mainly composed of ceramic is applied. To form a coating. The insulating film 25 is used to insulate the surface of the plate body 24 and to use a material having good compatibility with the semiconductive film 26 so that the semiconductive film 26 can be made of an intrinsic semiconductor such as Si or Ge or an impurity. In addition to semiconductors, materials such as Teflon composite resin and ceramic can be used. The semiconductive coating 26 is directly connected to the ground,
Static electricity is released to the ground.
【００３３】図８に示すように、冷却プレート２３の上
面には、ガラス基板２７の外周縁に当接してガラス基板
２７を所定位置に位置決めするための位置決めピン２９
が突設されている。この実施形態では、ガラス基板２７
は、最終的に縦横各２列の４枚の製品基板を得ることを
想定しており、図８では、ガラス基板２７の有効領域２
８を２点鎖線で囲むことによって示している。ここで、
ガラス基板２７の有効領域２８とは、基板全体のうち最
終的に切り出されて製品となる領域、あるいは製品品質
の要求される部分である。例えば、図８に示すガラス基
板２７において、２点鎖線で示す位置でガラス基板２７
をカットして（その外周部分を捨てて）４枚の製品基板
を得る場合である。あるいは、図８の１点鎖線３０でカ
ットして４枚の製品基板を得るが、液晶表示パネルとし
て用いられる場合には、２点鎖線の外側の領域はケース
に覆われ、液晶画面となるのは、２点鎖線で囲まれた領
域となるような場合である。As shown in FIG. 8, on the upper surface of the cooling plate 23, positioning pins 29 for abutting the outer peripheral edge of the glass substrate 27 to position the glass substrate 27 at a predetermined position.
Is protruding. In this embodiment, the glass substrate 27
FIG. 8 assumes that four product substrates are finally obtained in two rows each in the vertical and horizontal directions. In FIG.
8 is indicated by being surrounded by a two-dot chain line. here,
The effective region 28 of the glass substrate 27 is a region which is finally cut out of the entire substrate to become a product or a portion where product quality is required. For example, in the glass substrate 27 shown in FIG.
Is cut (the outer peripheral portion is discarded) to obtain four product substrates. Alternatively, four product substrates are obtained by cutting along the one-dot chain line 30 in FIG. 8, but when used as a liquid crystal display panel, the area outside the two-dot chain line is covered with a case, and becomes a liquid crystal screen. Is a case where the region is surrounded by a two-dot chain line.
【００３４】この熱処理装置２１にあっては、図８に示
すように、冷却プレート２３の基板載置面３１の中央部
にのみ吸引孔２２を設けている。すなわち、基板載置面
３１のガラス基板２７を載置する領域の縁に達しないよ
うに吸引孔２２を設けている。例えば、図８では、吸引
孔２２の設けられている領域の直径は、ガラス基板２７
の辺の長さの１／３以下となっている。In the heat treatment apparatus 21, as shown in FIG. 8, a suction hole 22 is provided only in the center of the substrate mounting surface 31 of the cooling plate 23. That is, the suction holes 22 are provided so as not to reach the edge of the region where the glass substrate 27 is mounted on the substrate mounting surface 31. For example, in FIG. 8, the diameter of the area where the suction holes 22 are provided is
Is 1/3 or less of the length of the side.
【００３５】冷却プレート２３の内部には、図７に示す
ように、吸引孔２２と連通した負圧室３２が設けられて
おり、冷却プレート２３には、負圧室３２を減圧したり
常圧に戻したりするための圧力コントロールシステムが
接続されている。すなわち、ガスオペレートバルブ（電
磁バルブ）３３をオフ側にセットしたままで、エアオペ
レートバルブ（電磁バルブ）３４をオン側にセットする
と、真空ポンプ等によって構成された真空源３５が排気
通路３６を介して負圧室３２まで導通し、基板載置面３
１の吸引孔２２からガラス基板２７が吸引される。ま
た、エアオペレートバルブ３４をオフ側にセットし、ガ
スオペレートバルブ３３をオン側にセットすると、吸気
通路３７、フィルタ３８及びスピードコントローラ３９
を経てＮ2ガス等のガス供給源４０から負圧室３２にガ
スが供給され、基板載置面３１のガラス基板２７が負圧
から解放される。As shown in FIG. 7, a negative pressure chamber 32 communicating with the suction hole 22 is provided inside the cooling plate 23, and the negative pressure chamber 32 is Or a pressure control system is connected to return to. That is, when the air operated valve (electromagnetic valve) 34 is set to the on side while the gas operated valve (electromagnetic valve) 33 is set to the off side, a vacuum source 35 constituted by a vacuum pump or the like is connected via the exhaust passage 36. To the negative pressure chamber 32 and the substrate mounting surface 3
The glass substrate 27 is sucked from one suction hole 22. When the air operated valve 34 is set to the off side and the gas operated valve 33 is set to the on side, the intake passage 37, the filter 38, and the speed controller 39 are set.
The gas is supplied from the gas supply source 40 such as N 2 gas to the negative pressure chamber 32 through the process, and the glass substrate 27 on the substrate mounting surface 31 is released from the negative pressure.
【００３６】また、ガラス基板２７の有効領域２８外の
領域には、ガラス基板２７を押し上げて基板載置面３１
から剥離させるためのリフトピン４１が配置されてい
る。特に、基板載置面３１の中央部に設けられている吸
引孔２２の中心にもリフトピン４１が配置されており、
吸引孔２２に吸着されたガラス基板２７を効率よく剥離
させられるようにしている。リフトピン４１は、後述の
昇降駆動装置によって昇降される昇降板４２の上面に立
設されており、冷却プレート２３に上下に貫通させられ
たピン貫通孔４３内に、冷却プレート２３の下面から挿
入されており、昇降板４２を昇降させると、リフトピン
４１が冷却プレート２３の上面から突出したり、ピン貫
通孔４３内へ後退したりするようになっている。Further, the glass substrate 27 is pushed up in the area outside the effective area 28 of the glass
A lift pin 41 is provided for peeling off the lift pins. In particular, the lift pin 41 is also arranged at the center of the suction hole 22 provided at the center of the substrate mounting surface 31,
The glass substrate 27 adsorbed to the suction holes 22 can be efficiently peeled off. The lift pins 41 are erected on the upper surface of an elevating plate 42 that is raised and lowered by an elevating drive device described later, and are inserted from the lower surface of the cooling plate 23 into pin through holes 43 vertically penetrated by the cooling plate 23. When the elevating plate 42 is moved up and down, the lift pins 41 project from the upper surface of the cooling plate 23 or retreat into the pin through holes 43.
【００３７】図９に示すように、冷却プレート２３内に
は、基板載置面３１のほぼ全面を通過するようにして、
冷却水が通過する冷却水循環通路４４が配設されてい
る。例えば、この冷却水循環通路４４は、図１０に示す
ように、負圧室３２よりも下面側に設けることができ
る。冷却水循環通路４４は、外部配管４５を介して循環
ポンプのような循環装置４６と冷却水を一定温度に冷却
するための冷却源４７に接続されている。コントローラ
４８は、循環装置４６による冷却水の循環流量や冷却水
の温度を制御する。内部を冷却源４７で冷却された冷却
水（冷媒）を冷却水循環通路４４を介して冷却プレート
２３内を流すことによって、冷却プレート２３上に置か
れたガラス基板２７を冷却する。As shown in FIG. 9, the cooling plate 23 passes through substantially the entire surface of the substrate
A cooling water circulation passage 44 through which the cooling water passes is provided. For example, as shown in FIG. 10, the cooling water circulation passage 44 can be provided on the lower surface side of the negative pressure chamber 32. The cooling water circulation passage 44 is connected via an external pipe 45 to a circulation device 46 such as a circulation pump and a cooling source 47 for cooling the cooling water to a constant temperature. The controller 48 controls the circulation flow rate of the cooling water by the circulation device 46 and the temperature of the cooling water. The glass substrate 27 placed on the cooling plate 23 is cooled by flowing cooling water (refrigerant) cooled inside by the cooling source 47 through the cooling plate 23 through the cooling water circulation passage 44.
【００３８】次に、上記熱処理装置２１の使用状態を説
明する。例えば、液晶ディスプレイ等に用いるガラス基
板２７の処理工程において、ガラス基板２７の表面にレ
ジストを塗布した後、レジストを加熱乾燥させる。つい
で、露光や現像工程へガラス基板２７を送る前に、加熱
乾燥後の粗熱を取り除くため、ガラス基板２７は冷却用
の熱処理装置２１へ送られる。熱処理装置２１へガラス
基板２７が供給されると、冷却プレート２３の表面から
リフトピン４１が突出してガラス基板２７を受け取り、
ガラス基板２７を支持しながらリフトピン４１が冷却プ
レート２３内に引っ込む。こうして冷却プレート２３上
にガラス基板２７が置かれると、エアオペレートバルブ
３４がオンとなり、吸引孔２２からの吸引によって基板
載置面３１の中央部が負圧となり、ガラス基板２７が冷
却プレート２３に吸着される。Next, the state of use of the heat treatment apparatus 21 will be described. For example, in a processing step of a glass substrate 27 used for a liquid crystal display or the like, a resist is applied to the surface of the glass substrate 27, and then the resist is heated and dried. Next, before sending the glass substrate 27 to the exposure and development processes, the glass substrate 27 is sent to a cooling heat treatment apparatus 21 in order to remove coarse heat after heating and drying. When the glass substrate 27 is supplied to the heat treatment apparatus 21, the lift pins 41 project from the surface of the cooling plate 23 to receive the glass substrate 27,
The lift pins 41 retract into the cooling plate 23 while supporting the glass substrate 27. When the glass substrate 27 is placed on the cooling plate 23 in this manner, the air operated valve 34 is turned on, and the central part of the substrate mounting surface 31 is negatively pressured by suction from the suction hole 22, and the glass substrate 27 is placed on the cooling plate 23. Adsorbed.
【００３９】ガラス基板２７が冷却プレート２３上に載
置されただけの状態では、図１１（ａ）に示すように、
ガラス基板２７は波打っていたり、凹凸があったりして
（目視ではほとんど確認できない）、ガラス基板２７と
冷却プレート２３の間には数１０ミクロン程度の隙間α
が存在している。このガラス基板２７を、中心部の吸引
孔２２から吸引して基板載置面３１に吸着させると、図
１１（ｂ）に示すように、ガラス基板２７の中心部は基
板載置面３１に強く吸着され、基板載置面３１との隙間
が周辺部よりも小さくなる。また、このときガラス基板
２７の周辺部は吸引孔２２に直接吸着されないが、吸引
孔２２による負圧の漏れがある場合には、ガラス基板２
７の周辺部も弱く吸着される。また、吸引孔２２がガラ
ス基板２７によって完全に塞がれ、負圧の漏れが生じな
い場合であっても、ガラス基板２７の中央部が平らに延
ばされることにより、ガラス基板２７の周辺部も多少は
平らに矯正される。In the state where the glass substrate 27 is merely placed on the cooling plate 23, as shown in FIG.
The glass substrate 27 is wavy or uneven (almost invisible visually), and a gap α of about several tens of microns exists between the glass substrate 27 and the cooling plate 23.
Exists. When the glass substrate 27 is sucked from the suction hole 22 at the center and sucked on the substrate mounting surface 31, the center of the glass substrate 27 is strongly attached to the substrate mounting surface 31, as shown in FIG. It is sucked and the gap with the substrate mounting surface 31 becomes smaller than the peripheral part. At this time, the peripheral portion of the glass substrate 27 is not directly sucked into the suction hole 22.
7 is also weakly adsorbed. Even when the suction hole 22 is completely closed by the glass substrate 27 and no negative pressure leaks, the central portion of the glass substrate 27 is flattened, so that the peripheral portion of the glass substrate 27 is also Somewhat flattened.
【００４０】このように基板吸着時には、ガラス基板２
７の中央部のみが冷却プレート２３に強く吸着され、こ
の部分ではガラス基板２７の位置ずれが極くわずかであ
るので、静電気が発生しにくい。ガラス基板２７の周辺
部では、位置ずれが大きくても冷却プレート２３に強く
吸着されていないので、やはり静電気は発生しにくい。As described above, when adsorbing the substrate, the glass substrate 2
Only the central portion of 7 is strongly adsorbed to the cooling plate 23, and since the displacement of the glass substrate 27 is extremely small in this portion, static electricity is hardly generated. In the peripheral portion of the glass substrate 27, even if the displacement is large, it is not strongly attracted to the cooling plate 23, so that the static electricity is hardly generated.
【００４１】また、ガラス基板２７を冷却プレート２３
に吸着させた状態で、冷却水循環通路４４に冷却液を通
して冷却すると、ガラス基板２７の温度低下によりガラ
ス基板２７が収縮する。冷却プレート２３も温度低下に
伴って収縮するが、ガラス基板２７と冷却プレート２３
とは熱膨張率が異なるので、ガラス基板２７と冷却プレ
ート２３との接触面においては相互の機械的位置ずれが
生じ、これが摩擦帯電による静電気を発生させる。冷却
に伴う機械的位置ずれは、ガラス基板２７の周辺部へい
くに従って大きくなるが、図１１（ｃ）に示すように、
周辺部でガラス基板が強く吸着されて充分に延ばされて
いない分だけガラス基板の位置ずれ量は小さくなる。し
かも、ガラス基板２７の中央部から離れた箇所では基板
載置面３１に強く吸着されていないので、ガラス基板２
７の周辺部においては摩擦による帯電を抑えることがで
きる。Further, the glass substrate 27 is
When the cooling liquid is passed through the cooling water circulation passage 44 in a state where the glass substrate 27 is adsorbed, the glass substrate 27 contracts due to a decrease in the temperature of the glass substrate 27. Although the cooling plate 23 also contracts with a decrease in temperature, the glass substrate 27 and the cooling plate 23
Since the thermal expansion coefficient differs from that of the glass plate 27, a mutual mechanical displacement occurs at the contact surface between the glass substrate 27 and the cooling plate 23, which generates static electricity due to triboelectric charging. The mechanical displacement caused by the cooling increases toward the periphery of the glass substrate 27, but as shown in FIG.
The amount of misalignment of the glass substrate is reduced by the extent that the glass substrate is strongly adsorbed at the peripheral portion and is not sufficiently extended. In addition, since the glass substrate 27 is not strongly adsorbed to the substrate mounting surface 31 at a position away from the center of the glass substrate 27, the glass substrate 2
In the peripheral portion of 7, the charging due to friction can be suppressed.
【００４２】ガラス基板２７の冷却が終わり、ガラス基
板２７を冷却プレート２３から剥がすときには、エアオ
ペレートバルブ３４をオフ側に切り換え、ガスオペレー
トバルブ３３をオン側にして真空破壊用のガス供給源４
０によってＮ2ガス等を吸引孔２２から送り出しなが
ら、昇降板４２を上昇させてリフトピン４１を突出さ
せ、リフトピン４１によってガラス基板２７を基板載置
面３１から押し上げる。このときガラス基板２７は、中
心部分のみしか基板載置面３１に吸着されておらず、中
心部分しか帯電していないため、容易にガラス基板２７
を基板載置面３１から剥離できる。特に、図１２に示す
ように、ガラス基板２７の外周部と中心とにリフトピン
４１を配置しているので、ガラス基板２７の非有効領域
にリフトピン４１が位置しており、ガラス基板２７の有
効領域２８がリフトピン４１の先端で傷つけられること
がない。When the cooling of the glass substrate 27 is completed and the glass substrate 27 is peeled off from the cooling plate 23, the air operated valve 34 is switched off and the gas operated valve 33 is switched on to set the gas supply source 4 for vacuum breaking.
While the N 2 gas or the like is sent out from the suction hole 22 according to 0, the lifting plate 42 is raised to lift the lift pins 41, and the glass pins 27 are pushed up from the substrate mounting surface 31 by the lift pins 41. At this time, only the central portion of the glass substrate 27 is attracted to the substrate mounting surface 31 and only the central portion is charged.
Can be separated from the substrate mounting surface 31. In particular, as shown in FIG. 12, the lift pins 41 are arranged at the outer peripheral portion and the center of the glass substrate 27, so that the lift pins 41 are located in the non-effective area of the glass substrate 27, and the effective area of the glass substrate 27 is 28 is not damaged by the tip of the lift pin 41.
【００４３】なお、上記冷却プレート２３は、図１３に
示すように、基台４９の下面側に納め、冷却プレート２
３の上面周囲を保護枠５０で囲み、さらに保護枠５０の
上面を天蓋５７によって覆うようにすることが好まし
い。このように冷却プレート２３の上面の空間を保護枠
５０及び天蓋５７で包むようにすることにより、外部と
の熱の出入りを遮断し、ガラス基板２７の冷却効率を向
上させることができる。この場合、保護枠５０には、ガ
ラス基板２７を出し入れするための開口５１を設けてお
き、この開口５１をシャッター５２で閉じられるように
する。シャッター５２は、スライド式で開閉するもので
もよく、回転式で開閉するものでもよいが、図１３では
エアシリンダ（図示せず）を動力として回転させる方式
のものを示している。また、リフトピン４１を立設され
た昇降板４２は、支持ロッド５３によって基台４９の下
面に支持されている。そして、サーボモータ５４によっ
てシャフト５５を回転させ、シャフト５５に連結された
昇降レバー５６を動かすことで昇降板４２を昇降させ、
リフトピン４１を上下させられるようになっている。The cooling plate 23 is placed on the lower surface side of the base 49 as shown in FIG.
It is preferable that the periphery of the upper surface of 3 is surrounded by a protective frame 50, and the upper surface of the protective frame 50 is further covered by a canopy 57. By wrapping the space on the upper surface of the cooling plate 23 with the protective frame 50 and the canopy 57 in this way, the flow of heat to and from the outside can be blocked, and the cooling efficiency of the glass substrate 27 can be improved. In this case, the protective frame 50 is provided with an opening 51 for taking the glass substrate 27 in and out, and the opening 51 is closed by a shutter 52. The shutter 52 may be a shutter that can be opened and closed by a slide system or a shutter that can be opened and closed by a rotary system. FIG. 13 shows a shutter that rotates using an air cylinder (not shown) as power. The elevating plate 42 on which the lift pins 41 are erected is supported on the lower surface of the base 49 by support rods 53. Then, the shaft 55 is rotated by the servomotor 54, and the elevating plate 42 is moved up and down by moving the elevating lever 56 connected to the shaft 55,
The lift pins 41 can be moved up and down.
【００４４】また、上記のように冷却プレート２３は、
導電率が１０-10〜１０3（Ωｃｍ） -1の半導電性被膜２
６によって覆われている。このような半導電性被膜２６
では、導体に比べれば電気伝導に寄与する自由電子はか
なり少なくなっているが、それでも絶縁体に比べれば比
較にならないくらい多い。この半導電性被膜２６の働き
により、ガラス基板２７の摩擦によりもたらされた静電
気をグランドに逃がし、絶縁性被膜２５の帯電を抑制す
ることができる。これにより、絶縁性被膜２５だけの場
合に比べて帯電量を抑えることができ、静電気の帯電に
よるガラス基板２７の不良を少なくできる。一方、半導
電性被膜２６を用いることにより、導電性被膜２５のみ
を用いた場合のようにガラス基板２７の剥離時にスパー
クが発生するのを避けることができる。Further, as described above, the cooling plate 23
Conductivity is 10-Ten-10Three(Ωcm) -1Semiconductive coating 2
6. Such a semiconductive coating 26
Then, what are the free electrons that contribute to electrical conduction compared to conductors?
Although it is less, it is still relatively small compared to insulators
There are too many to compare. Function of this semiconductive film 26
As a result, the electrostatic force caused by the friction of the glass substrate 27
Air to the ground to suppress charging of the insulating film 25
Can be Thereby, when only the insulating film 25 is formed,
The amount of charge can be reduced compared to
The defect of the glass substrate 27 due to this can be reduced. On the other hand,
By using the conductive film 26, only the conductive film 25 is used.
When the glass substrate 27 is peeled off as in the case where
Can be avoided.
【００４５】図１４は冷却プレート２３の上面に絶縁性
被膜、半導体被膜（半導電性被膜）、導体被膜を形成
し、ガラス基板の載置と剥離を繰り返し、各被膜につい
て基板載置回数と帯電量（Coulomb）との関係を調べた
ものである。この実験結果によれば、絶縁性被膜の場合
には、基板載置回数と共に急激に帯電量が増加するが、
半導体被膜の場合には、導体被膜ほどではないにして
も、グランドへ電荷が逃がされることによって帯電量が
抑えられる様子が分かる。FIG. 14 shows an insulating film, a semiconductor film (semiconductive film), and a conductor film formed on the upper surface of the cooling plate 23. The mounting and peeling of the glass substrate are repeated. It is a study of the relationship with the quantity (Coulomb). According to the experimental results, in the case of the insulating film, the charge amount increases rapidly with the number of times of mounting the substrate,
In the case of the semiconductor film, it can be seen that the charge is suppressed by being released to the ground, though not as much as the conductor film.
【００４６】[0046]
【発明の効果】請求項１に記載の熱処理装置にあって
は、基板載置面の一部領域にのみ吸引孔を設けているの
で、基板吸着位置から離れた箇所で基板に大きな位置ず
れが生じても、基板に傷がついたり、静電気が発生して
帯電したりしにくくなる。According to the heat treatment apparatus of the present invention, since the suction holes are provided only in a part of the substrate mounting surface, a large displacement of the substrate occurs at a position away from the substrate suction position. Even if it occurs, it becomes difficult for the substrate to be damaged or to be charged due to generation of static electricity.
【００４７】また、熱処理時の温度変化に伴って基板が
伸張したり収縮したりしても、基板が強く吸着されてい
る箇所では基板の位置ずれは小さく、基板の吸着位置か
ら離れた箇所では基板は強く吸着されていないので、基
板に傷がついたり、静電気が発生して帯電しにくくな
る。In addition, even if the substrate expands or contracts due to a change in temperature during the heat treatment, the displacement of the substrate is small in a place where the substrate is strongly sucked, and in a place far from the suction position of the substrate. Since the substrate is not strongly adsorbed, the substrate is damaged and static electricity is generated, making it difficult to be charged.
【００４８】従って、請求項１に記載の熱処理装置によ
れば、基板吸着時や解放時、あるいは熱処理中における
基板の傷や帯電を防止することができ、基板の不良品率
を低下させることができる。Therefore, according to the heat treatment apparatus of the first aspect, it is possible to prevent the substrate from being damaged or charged during the adsorption or release of the substrate or during the heat treatment, and to reduce the defective rate of the substrate. it can.
【００４９】請求項２に記載の熱処理装置によれば、前
記基板載置面のうち、基板の有効領域に対応する領域で
は、ほぼ吸引孔が設けられていないから、吸引孔により
基板を強く吸引しても基板の有効領域では基板に傷がつ
いたり、帯電したりしにくく、基板の不良を防ぐことが
できる。また、基板を熱処理プレートから剥離させるた
めのピンを基板の有効領域外に設けやすくなる。According to the heat treatment apparatus of the present invention, in the area corresponding to the effective area of the substrate on the substrate mounting surface, almost no suction hole is provided, so that the substrate is strongly sucked by the suction hole. Even in the effective region of the substrate, the substrate is unlikely to be scratched or charged, thereby preventing the substrate from being defective. Further, pins for peeling the substrate from the heat treatment plate are easily provided outside the effective area of the substrate.
【００５０】請求項３に記載の熱処理装置によれば、吸
引孔を熱処理プレートの基板載置面の中心部にのみ設け
ているので、基板吸引に伴う基板と基板載置面との間の
位置ずれが一方に片寄ることが無くなり、基板の傷や摩
擦による帯電を抑制する効果をより向上させることがで
きる。According to the third aspect of the present invention, since the suction hole is provided only at the center of the substrate mounting surface of the heat treatment plate, the position between the substrate and the substrate mounting surface accompanying the substrate suction is provided. The displacement does not shift to one side, and the effect of suppressing charging due to scratches or friction on the substrate can be further improved.
【００５１】請求項４に記載の熱処理装置によれば、基
板剥離用のピンを前記基板載置面のうち基板の非有効領
域にのみ設けているから、基板を熱処理プレートから剥
離させる際、該ピンによって基板の有効領域を傷つける
ことがない。よって、基板の不良率をより低減させるこ
とができる。According to the heat treatment apparatus of the present invention, since the pins for peeling the substrate are provided only on the non-effective area of the substrate on the substrate mounting surface, when the substrate is peeled from the heat treatment plate, The pins do not damage the effective area of the substrate. Therefore, the defect rate of the substrate can be further reduced.
【００５２】請求項５に記載の熱処理装置によれば、熱
処理プレートの基板載置面を半導電性被膜によって覆っ
ているから、摩擦等による静電気の発生をより低減させ
ることができ、基板を熱処理プレートから剥離する際の
破損をより低減することができる。According to the heat treatment apparatus of the present invention, since the substrate mounting surface of the heat treatment plate is covered with the semiconductive film, the generation of static electricity due to friction or the like can be further reduced, and the substrate can be heat treated. Breakage when peeling off from the plate can be further reduced.
【図１】（ａ）は従来の熱処理装置を示す概略構成図、
（ｂ）は該熱処理装置の冷却プレートの側面図である。FIG. 1A is a schematic configuration diagram showing a conventional heat treatment apparatus,
(B) is a side view of the cooling plate of the heat treatment apparatus.
【図２】従来例による別な冷却プレートを示す側面図で
ある。FIG. 2 is a side view showing another cooling plate according to a conventional example.
【図３】（ａ）（ｂ）は図２の冷却プレートによりガラ
ス基板を吸着する際、ガラス基板の変形する様子を示す
断面図である。FIGS. 3A and 3B are cross-sectional views showing how the glass substrate is deformed when the glass plate is sucked by the cooling plate of FIG. 2;
【図４】（ａ）〜（ｄ）は別な従来例であって、ガラス
基板を吸着する別な方法を説明する断面図である。FIGS. 4A to 4D are cross-sectional views illustrating another conventional example, and illustrating another method of adsorbing a glass substrate.
【図５】同上の従来例における冷却時のガラス基板の熱
収縮を説明するための断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view for explaining heat shrinkage of the glass substrate during cooling in the conventional example.
【図６】同上の従来例において、吸着されたガラス基板
を押上げて剥離させるためのリフトピンの配置を示す断
面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view showing an arrangement of lift pins for pushing up and detaching a glass substrate adsorbed in the conventional example.
【図７】本発明の一実施形態による熱処理装置を示す概
略構成図である。FIG. 7 is a schematic configuration diagram showing a heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図８】同上の熱処理装置に用いられている冷却プレー
トを示す平面図である。FIG. 8 is a plan view showing a cooling plate used in the heat treatment apparatus of the above.
【図９】同上の冷却プレートを冷却するための構成を示
す概略図である。FIG. 9 is a schematic diagram showing a configuration for cooling the cooling plate of the above.
【図１０】同上の冷却プレートの一部破断した側面図で
ある。FIG. 10 is a partially cutaway side view of the cooling plate.
【図１１】（ａ）は冷却プレート上に置かれたガラス基
板を誇張して示す概略断面図、（ｂ）は吸引孔でガラス
基板を吸着している様子を示す概略断面図、（ｃ）は冷
却時におけるガラス基板の様子を示す概略断面図であ
る。11A is a schematic cross-sectional view showing a glass substrate placed on a cooling plate in an exaggerated manner, FIG. 11B is a schematic cross-sectional view showing a state where the glass substrate is sucked by a suction hole, and FIG. FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing a state of the glass substrate during cooling.
【図１２】リフトピンによりガラス基板を押上げている
状態を模式的に表わした概略断面図である。FIG. 12 is a schematic sectional view schematically showing a state in which a glass substrate is pushed up by a lift pin.
【図１３】上記熱処理装置のより具体的な実施形態を示
す一部分解した斜視図である。FIG. 13 is a partially exploded perspective view showing a more specific embodiment of the heat treatment apparatus.
【図１４】絶縁体被膜、半導電性被膜、導体被膜を形成
された冷却パネル上でガラス基板の載置と剥離を繰り返
したときの、基板載置回数と帯電量との関係を示す図で
ある。FIG. 14 is a diagram showing the relationship between the number of times of mounting a glass substrate and the charge amount when mounting and peeling of a glass substrate are repeatedly performed on a cooling panel on which an insulating film, a semiconductive film, and a conductive film are formed. is there.
２２ 吸引孔 ２３ 冷却プレート ２６ 半導電性被膜 ２７ ガラス基板 ２８ ガラス基板の有効領域 ３１ 基板載置面 ４１ リフトピン Reference Signs List 22 suction hole 23 cooling plate 26 semiconductive coating 27 glass substrate 28 effective area of glass substrate 31 substrate mounting surface 41 lift pin
Claims (5)
備え、該吸引孔に供給した負圧の吸引力により基板を吸
着する熱処理装置において、 前記吸引孔は、前記基板載置面の一部領域にのみ設けら
れていることを特徴とする熱処理装置。1. A heat treatment apparatus, comprising: a suction hole on a substrate mounting surface of a heat treatment plate, wherein the suction hole sucks a substrate by a suction force of a negative pressure supplied to the suction hole; A heat treatment apparatus provided only in a partial region.
置面の一部領域は、前記基板載置面のうち、基板の非有
効領域に対応する領域及びその近傍であることを特徴と
する、請求項１に記載の熱処理装置。2. The method according to claim 1, wherein the partial area of the substrate mounting surface provided with the suction hole is an area corresponding to a non-effective area of the substrate on the substrate mounting surface and the vicinity thereof. The heat treatment apparatus according to claim 1, wherein the heat treatment is performed.
板載置面の中心部にのみ設けられていることを特徴とす
る、請求項１に記載の熱処理装置。3. The heat treatment apparatus according to claim 1, wherein the suction hole is provided only at a central portion of a substrate mounting surface of the heat treatment plate.
出して基板載置面に吸着されていた基板を剥離させるた
めのピンが、前記基板載置面のうち、基板の非有効領域
に対応する領域にのみ設けられていることを特徴とす
る、請求項２に記載の熱処理装置。4. A pin for projecting from the substrate mounting surface of the heat treatment plate and peeling off the substrate that has been attracted to the substrate mounting surface corresponds to a non-effective area of the substrate on the substrate mounting surface. The heat treatment apparatus according to claim 2, wherein the heat treatment apparatus is provided only in the region.
覆っていることを特徴とする、請求項１、２、３又は４
に記載の熱処理装置。5. The semiconductor device according to claim 1, wherein said substrate mounting surface is covered with a semiconductive film.
3. The heat treatment apparatus according to item 1.
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- 1999-06-16 JP JP16953699A patent/JP4418051B2/en not_active Expired - Fee Related
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