JP2000517108A - 回路基板装置および電子部品を噴霧冷却するための装置および方法 - Google Patents
回路基板装置および電子部品を噴霧冷却するための装置および方法Info
- Publication number
- JP2000517108A JP2000517108A JP10511625A JP51162598A JP2000517108A JP 2000517108 A JP2000517108 A JP 2000517108A JP 10511625 A JP10511625 A JP 10511625A JP 51162598 A JP51162598 A JP 51162598A JP 2000517108 A JP2000517108 A JP 2000517108A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fluid
- cavity
- opening
- housing
- electronic component
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001816 cooling Methods 0.000 title claims description 27
- 239000007921 spray Substances 0.000 title claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 19
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims abstract description 62
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 229910000962 AlSiC Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 230000005534 acoustic noise Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 239000012809 cooling fluid Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- RVZRBWKZFJCCIB-UHFFFAOYSA-N perfluorotributylamine Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)N(C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F RVZRBWKZFJCCIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010079 rubber tapping Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F28—HEAT EXCHANGE IN GENERAL
- F28F—DETAILS OF HEAT-EXCHANGE AND HEAT-TRANSFER APPARATUS, OF GENERAL APPLICATION
- F28F7/00—Elements not covered by group F28F1/00, F28F3/00 or F28F5/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/46—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids
- H01L23/473—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids by flowing liquids
- H01L23/4735—Jet impingement
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F28—HEAT EXCHANGE IN GENERAL
- F28F—DETAILS OF HEAT-EXCHANGE AND HEAT-TRANSFER APPARATUS, OF GENERAL APPLICATION
- F28F13/00—Arrangements for modifying heat-transfer, e.g. increasing, decreasing
- F28F13/02—Arrangements for modifying heat-transfer, e.g. increasing, decreasing by influencing fluid boundary
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
- H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
- H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
装置は、電子部品10を収納する寸法に設定される空洞部26を有するハウジング40を備える。ハウジングは、第1開口部を有する第1層72と、第2開口部を有する第2層74とを備える。第2開口部は第1開口部と連通し、また空洞部と連通する。第1および第2開口部は、流体を受け入れ、流体を霧化し、霧化された流体70を空洞部内に放出する寸法に設定される。
Description
【発明の詳細な説明】
回路基板装置および電子部品を噴霧冷却するための
装置および方法
発明の分野
本発明は、一般に発熱電子部品の冷却に関し、さらに詳しくは、回路基板装置
と、電子部品を噴霧冷却するための装置および方法とに関する。
発明の背景
集積回路,多重チップ・モジュール,受動部品および電力トランジスタなど、
回路基板のような表面に一般的に装着される電子部品は、通常動作の間は冷却を
必要とする熱源である。
電子部品は、自然のまたは強制的な空気の対流により冷却されることが多いが
、空気の対流は、空気の熱容量と熱伝達係数が相対的に悪いために、電子部品を
通して、あるいは部品に付属されるヒート・シンクを通して、大量の空気を移動
させることが必要とされる。しかし、空冷プロセスは、電子部品を均一に冷却せ
ず、望ましくない音響ノイズやほこりなどの汚染源を部品上にもたらすことがあ
る。
蒸発噴霧冷却は、電子部品などの熱源の表面に直接的に、あるいは間接的に霧
化された流体の液滴を噴霧することを特徴とする。流体の液滴が部品の表面に衝
突すると、液体の薄膜が部品を覆い、主に流体の蒸発によって、部品の表面から
熱が除去される。
多くの電子用途においては、蒸発噴霧冷却が好適な熱除去方法であるが、既知
の噴霧冷却システムは、特別に設計されたアセンブリを利用して、流体を電子部
品の表面に送り出し、そこから流体を除去するのが一般的である。通常、このア
センブリには複数の部分が含まれ、電子部品が装着される回路基板の表面に付着
される。このために、噴霧冷却アセンブリによって回路基板上の空間が使われ、
噴霧冷却の動作に先立って広範囲の密封が必要となり、さらに電磁放射により起
こる干渉から電子部品を遮蔽することが困難になる。また、既知の噴霧冷却シス
テムは、回路基板などのハウジング内に埋め込まれた電子部品を効率的に冷却す
ることができない場合がある。
従って、別のアセンブリを電子部品が装着される表面に付着する必要がなく、
部品点数が削減され、電磁放射に対する遮蔽を行い、回路基板に埋め込まれた電
子部品を冷却する電子部品噴霧冷却装置および方法が必要である。
発明の概要
本発明の一局面により、上記の必要性は、電子部品を包含する寸法に設定され
る空洞部を有するハウジングを備える電子部品噴霧冷却装置により解決される。
ハウジングは、第1開口部を有する第1層と、第2開口部を有する第2層とを備
える。第2開口部は、第1開口部と連通し、また空洞部と連通する。第1開口部
および第2開口部は、流体を受け入れ、流体を霧化し、霧化された流体を空洞部
内に放出するよう寸法が設定される。
本発明の別の局面により、回路基板装置は、第1壁を形成する第1群の層を備
える。第2群の層は第2壁を形成する。第2壁は第1壁に結合される。第3群の
層が第3壁を形成する。第3壁も第1壁に結合される。第4群の層が第4壁を形
成し、これは第2壁に結合され、第3壁に結合される。第1,第2,第3および
第4壁が空洞部を規定する。第4群の層のうち少なくともいくつかの層は、少な
くとも1つの開口部をその中に有する。開口部は、集合的にノズルを形成し、こ
のノズルは流体を霧化し、その流体を空洞部内に放出する寸法に設定される。
本発明のさらに別の局面により、電子モジュールを噴霧冷却する方法は、電子
部品を包含する寸法に設定される空洞部を有するハウジングを設ける段階を含む
。ハウジングは、第1開口部を有する第1層と、第2開口部を有する第2層とを
備える。第2開口部は第1開口部と連通し、また空洞部と連通する。次に流体が
第1開口部に供給される。
第1および第2開口部が流体を霧化し、霧化された流体は空洞部内に放出される
。
本発明の利点は、図面により図示および説明される本発明の好適な実施例の以
下の説明から、当業者には容易に理解頂けよう。言うまでもなく、本発明はその
他の異なる実施例も可能であり、その詳細は種々の点において変更が可能である
。従って、図面および説明は、説明のためのものであって、制限するためのもの
ではないと認識されたい。
図面の簡単な説明
第1図は、典型的な電子部品の等角図である。
第2図は、第1図に図示される電子部品の線2−2に沿う前面図であり、部品
を基板に搭載するための典型的方法を示す。
第3図は、本発明の好適な実施例による、第1図および第2図に図示される電
子部品を収納し噴霧冷却する装置の図である。
第4図は、第3図に図示されるノズルの個別の開口部の上面図である。
好適な実施例の詳細説明
図面を参照して、図面内では同様の数字は同様の部品を
指示するが、第1図は典型的な電子部品10の等角図である。部品10は、装置
基合12またはフランジ;複数の端子14;カバー16;および1つ以上のダイ
(図示せず)を備え、ダイはカバー16により囲まれる。
電子部品10は、たとえば、モトローラ社から発注番号MRF899/Dとして市販さ
れるNPNシリコン無線周波数(RF)電力トランジスタである。電子部品10に関
する言及は、第1図に図示される部品10に限らず、モトローラ社から発注番号
SRF7016として市販されるフランジレスRF電力トランジスタなどの異なる構造を
有する電力トランジスタや、受動部品,あらゆる種類の集積回路,多重チップ・
モジュールおよびハイブリッド回路などを含む全く異なる部品にも適応すること
が理解頂けよう。
第2図は、電子部品10の直線2−2に沿って切断した前面図であり、キャリ
ヤ・プレート19を用いて基板18に部品10を装着する方法を示す。基板18
は、好ましくは、1つ以上のセラミック層によって構成されるが、ガラス充填エ
ポキシ,液晶ポリマ,テフロン,アルミナ,高温プラスチックまたはその他の材
料でもよい。キャリヤ・プレート19は、たとえば、セラミック,銅,アルミニ
ウム−シリコン・カーバイド(AlSiC)またはグラファイトで作られる。キャリ
ヤ・プレート19はオプションであり、用いなくともよい。
図示されるように、端子14は基板18と連通する。端
子14は、基板18または、ハンダ付けや導電性エポキシの利用など種々の方法
で基板18上に位置決めされる金属被覆領域(図示せず)などの別の装置に付着
される。発熱ダイ22が端子14の上またはその間に置かれる(第1図に図示さ
れるカバー16は除去されており、第2図には図示されない)。ダイ22の電気
接地面となり熱拡散を強化するフランジ12が、たとえばネジを用いて、種々の
方法でキャリヤ・プレート19に固定される。
第3図は、本発明の好適な実施例により構築される電子部品10の、回路基板
などのハウジング40の前断面図である。ハウジング40は、複数層のセラミッ
クによって構築されることが好ましいが、ガラス充填エポキシ,液晶ポリマ,テ
フロン,アルミナ,高温プラスティックまたは別の材料でもよく、このハウジン
グは、周知の方法を用いて形成される空洞部26を備える。第2図に関して説明
されるように、この中に電子部品10が装着される。図示されるように、ハウジ
ング40の各層は約0.206ミリメートル厚であるが、各層は任意の適切な厚
みとすることができる。概念上は、それぞれが複数の層を有する4つの壁30,
32,34,36が空洞部26を規定する。図示されるように、空洞部26は矩
形の断面を持つが、任意の適切な断面形状とすることができる。空洞部26は、
電磁干渉減衰材料(図示せず)も備える。
部品10を空洞部26内に囲い込むのに適した方法の1
つに、ハウジング40を2つ以上のセラミック片として形成する方法がある。こ
れらのセラミック片は、その層を溶融するのに適した温度で個別に焼成される。
次に、電子部品10が少なくとも1つのセラミック片に装着されると、セラミッ
ク片は周知の材料および方法を用いて恒久的に付着される。あるいは、電子部品
10が高温に耐えられる場合は、ハウジング40を単独の部分として共に焼成お
よび溶融してもよい。
1つ以上のノズル60が、好ましくは、ハウジング40の上壁30内に置かれ
る。1つのノズル60が図示される。ノズル60は、好ましくは一重圧力渦アト
マイザなどの小型アトマイザである。一重圧力渦アトマイザは、本明細書に参考
文献として含まれるS.K.Chen他による「Factors Influencing the Effective Sp
ray Cone Angle of Pressure-Swirl Atomizers」(1992年1月発行;Journa
l of Engineering for Gas Turbines and Power,Vol.144,pp.97-103)に詳細
に説明される。
ノズル60は、ハウジング40と一体であり、好ましくは、第4図に部品62
〜74として図示される種々の寸法と形状を持つ複数の周知の開口部から構築さ
れる。本発明の好適な実施例により部品62,64,68,70,72,74は
、ハウジング40の1つ以上の層によって構成され、層はその中に形成される開
口部を有する。
層が他の層の上に積み重ねられると、流体を霧化するノ
ズル60が形成される。部品62,64は、流体の流入部として機能する3つ開
口部を備える。部品66は、ここでは渦開口部と呼ばれる細長い開口部を備える
。渦開口部の外側67が流体の回転流を開始させ、渦開口部の中心部65が中心
圧力を維持して、回転する流体を次の部品内を通過させて、スプレー・コーンを
流体で充填する。部品68,70,72,74の開口部は、累進的に小さくなり
、部品74は、たとえば約0.15mmの直径成の開口部を有する。回転する流
体が部品74の開口部を出ると、流体の遠心力は、そのせん断強度よりもはるか
に大きくなるので、細かい円錐形のミスト(霧)がノズル60を出る。
再び第3図を参照して、本発明の好適な実施例によるハウジング40内の電子
モジュール10噴霧冷却を行う閉ループ・システムの動作が説明される。管52
を介して流体流入口46に接続される流体ポンプ50がノズル60に冷却剤流体
を供給する。管52は、突起接合53を用いて、あるいはその他の任意の手段に
より、流体流入口46に結合されてもよい。
ノズル60は、冷却剤を霧化し(第4図に関して説明される)、霧化された流
体70を空洞部26内と、電子部品10の1つ以上のダイ22の上とに放出する
。流体70は、上壁30に対してある角度、好ましくは上壁30に対して実質的
に垂直の角度でノズル60から放出される。霧化された流体70がダイ22の表
面に衝突すると、薄い液体の
膜がダイ22を覆い、主に流体70の蒸発によってダイ22から熱が除去される
。
余分な流体70が回収され、流体流出口47によりハウジング40から、より
低圧の排気圧力を介して除去される。流出口47は、好ましくは空洞部26を作
成するために用いられる技術と同様の技術を用いてハウジング40の層によって
一体的に形成される。凝縮した流体を回収する水だめ層45が、空洞部26があ
ふれる可能性を減じ、さらに流体70の蒸発を助けるヒート・シンクとして機能
するために存在する場合もある。
コンデンサ53は、管54によりポンプ50に接続され、管56により流体流
出口47に接続されるが、流体流出口47から流体を受け取る。管56は、たと
えば1つ以上の突起接合部51を用いて、またはその他の任意の適切な手段によ
り流体流出口47に結合される。コンデンサ53は流体からの熱を拒絶して、主
としてそれを液相に戻す。ファン58を用いて、コンデンサ53の冷却能力を拡
張してもよい。冷却された流体はコンデンサ53からポンプ50に供給される。
かくして冷却剤の閉ループ流が形成される。言うまでもなく、特定の点において
は冷却剤は、蒸気,液体または蒸気と液体の混合物である。
冷却剤流体は、周知の広く入手可能な冷却剤などの、任意の誘電性冷却剤であ
る。適切な冷却剤の一例に3M社から発注番号FC-72で市販される3M's Fluorin
ert誘電性流
体がある。3M's Fluorinert誘電性流体に類似の別のペルフルオロカーボン流体
はAusimont Galdenから入手可能である。
冷却剤を流す任意の従来の手段を本発明の開示される実施例と組み合わせて用
いること、またより多くのハウジング40を1つの冷却剤源に接続すること、あ
るいは1つ以上の冷却剤源をたとえば冗長性の目的のために単独のハウジング4
0に接続することが企図される。
流体ポンプ50,コンデンサ53およびファン58の寸法は、熱除去と流速の
条件に基づき選択されるべきである。たとえば、典型的な閉ループ流体流量は、
500ないし1000ワットの熱放出に関して毎分500ないし1000ミリリ
ットルである。種々の寸法のポンプとコンデンサのアセンブリはIsothermal Sys
tems Research社から入手可能であり、適切な配管および接合部は、Cole-Parmer
社(イリノイ州Vernon Hills)から得ることができる。
平方センチあたり最大300ワットまでの電力密度を有する、回路基板などの
ハウジング40に埋め込まれた電子部品または電子部品群は、開示される装置を
用いて効率的に冷却される。これにより、大型で高熱を発する電子部品をハウジ
ング40内に埋め込むことができる。個別の電子部品から直接的に熱を除去する
ことは、部品の動作温度を下げることに役立ち、熱変動とそれに伴う熱応力を削
減して信頼性を向上させる。
ハウジング40の上壁30を電子部品10の表面近くに配置することができる
。これは、空気の容量要件によって間隔が決定されないためである。このため、
電子部品の実装寸法を小さくすることができる。さらに、熱が大きな面積、たと
えば大きなヒート・シンク全体に拡散する場合に最も有効となる空冷とは異なり
、噴霧冷却は熱集中も促進する。これは実装容量と重量とを軽減することに役立
つ別の要因となる。
そうでない場合には電子モジュールの熱負荷が低い領域内にある熱負荷の高い
隔離されたスポットとなる電子部品を回路基板内に選択的に埋め込むことにより
、従来の噴霧冷却システムを装着するために用いられるはずだった密集した電子
モジュール上で表面積が小さくなる。このため、噴霧冷却システムのために電子
モジュールの寸法が大きくならずに済む。
本明細書に説明される装置および方法により、電磁放射の干渉から実質的に保
護される気密に封止される電子部品と、部品数の少ない噴霧冷却システムとが得
られる。
ノズルを個別にマニフォールドに結合させずに、回路基板などのハウジング内
に直接的にノズルを形成することによって、ハンダなどの接着剤からの汚染源ま
たはその他の発生源からの汚染源が冷却流体に捕捉され、ノズルを破壊したり詰
まらせたりする危険性が実質的に軽減される。
本発明は、電子部品の冷却に限らず、任意の熱源を冷却
することに適応されることが理解頂けよう。
密封および/または固定が必要とされる場所にはどこでも、数多くの方法およ
び材料を用いることがさらに企図される。たとえば、ネジなどの固定装置,コン
プライアントガスケット,超音波溶接,鑞付け結合,ハンダ付けまたはタッピン
グを利用することができる。
本発明のその他の形態および更なる形態を、添付の請求項およびその等価物の
精神および範囲から逸脱することなく考案することができることは明らかである
。また本発明は上述された特定の実施例にいかなる場合にも制約されず、以下の
請求項およびその等価物によってのみ規定されることが理解頂けよう。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1.電子部品を噴霧冷却する装置であって: 前記電子部品を包含する寸法に設定される空洞部を有するハウジングであって 、前記ハウジングは第1開口部を有する第1層および第2開口部を有する第2層 によって構成され、前記第2開口部が前記第1開口部と連通し、さらに前記空洞 部と連通する第2層によって構成され、前記第1および第2開口部が流体を受け 入れ、前記流体を霧化し、前記霧化された流体を前記空洞部内に放出する寸法に 設定されるハウジングによって構成されることを特徴とする装置。 2.前記第1層がセラミックによって構成されることを特徴とする請求項1記 載の装置。 3.前記ハウジング内に配置され、前記流体を前記第1開口部に供給する寸法 に設定される流体流入口によってさらに構成されることを特徴とする請求項1記 載の装置。 4.前記空洞部と連通し、前記流体を前記空洞部から回収する寸法に設定され る流体流出口によってさらに構成されることを特徴とする請求項1記載の装置。 5.前記流体流入口と連通する流体ポンプ;および 前記流体ポンプおよび前記流体流出口と連通するコンデンサであって、前記流 体を前記流体流出口から受け取り、前記流体を前記流体流入口に供給して、閉ル ープ流体流を 形成するコンデンサ; によってさらに構成されることを特徴とする請求項4記載の装置。 6.前記流体が誘電性流体によって構成されることを特徴とする請求項1記載 の装置。 7.前記第1開口部の断面形状が実質的に円形であることを特徴とする請求項 1記載の装置。 8.前記空洞部内に配置される電子部品によってさらに構成されることを特徴 とする請求項1記載の装置。 9.前記電子部品が受動部品,多重チップ・モジュールおよび無線周波数電力 トランジスタによって基本的に成立する群から選択されることを特徴とする請求 項8記載の装置。 10.前記ハウジングが回路基板によって構成されることを特徴とする請求項 1記載の装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/709,247 US5768103A (en) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | Circuit board apparatus and apparatus and method for spray-cooling an electronic component |
US08/709,247 | 1996-08-30 | ||
PCT/US1997/011806 WO1998009129A1 (en) | 1996-08-30 | 1997-07-08 | Spray-cooling an electronic component |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000517108A true JP2000517108A (ja) | 2000-12-19 |
Family
ID=24849048
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10511625A Pending JP2000517108A (ja) | 1996-08-30 | 1997-07-08 | 回路基板装置および電子部品を噴霧冷却するための装置および方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5768103A (ja) |
EP (1) | EP0922192A4 (ja) |
JP (1) | JP2000517108A (ja) |
KR (1) | KR20000035950A (ja) |
CN (1) | CN1119619C (ja) |
WO (1) | WO1998009129A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007538384A (ja) * | 2004-02-24 | 2007-12-27 | アイソサーマル システムズ リサーチ,インコーポレイティッド | ホットスポット噴霧冷却(関連出願)なし(連邦政府の後援による研究又は開発に関する記述)本発明は、空軍研究所により発注された#f33615−03−m−2316契約により政府の支援のもとなされた。政府は、本発明に一定の権利を有する。 |
Families Citing this family (52)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8182473B2 (en) | 1999-01-08 | 2012-05-22 | Palomar Medical Technologies | Cooling system for a photocosmetic device |
US7204832B2 (en) * | 1996-12-02 | 2007-04-17 | Pálomar Medical Technologies, Inc. | Cooling system for a photo cosmetic device |
JPH10224061A (ja) * | 1997-02-10 | 1998-08-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ヒートシンクユニット及び電子機器 |
DE19815817C2 (de) * | 1998-04-08 | 2000-11-02 | Schulz Harder Juergen | Kühlsystem |
US5933700A (en) * | 1998-09-21 | 1999-08-03 | Tilton; Charles L | Method for manufacturing pressure swirl atomizers |
US6108201A (en) * | 1999-02-22 | 2000-08-22 | Tilton; Charles L | Fluid control apparatus and method for spray cooling |
US6205799B1 (en) * | 1999-09-13 | 2001-03-27 | Hewlett-Packard Company | Spray cooling system |
US6377458B1 (en) * | 2000-07-31 | 2002-04-23 | Hewlett-Packard Company | Integrated EMI containment and spray cooling module utilizing a magnetically coupled pump |
US6462949B1 (en) * | 2000-08-07 | 2002-10-08 | Thermotek, Inc. | Electronic enclosure cooling system |
WO2002046677A1 (en) * | 2000-12-04 | 2002-06-13 | Fujitsu Limited | Cooling system and heat absorbing device |
US6525420B2 (en) | 2001-01-30 | 2003-02-25 | Thermal Corp. | Semiconductor package with lid heat spreader |
US7082778B2 (en) * | 2001-02-22 | 2006-08-01 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Self-contained spray cooling module |
US6644058B2 (en) * | 2001-02-22 | 2003-11-11 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Modular sprayjet cooling system |
US6571569B1 (en) | 2001-04-26 | 2003-06-03 | Rini Technologies, Inc. | Method and apparatus for high heat flux heat transfer |
US7654100B2 (en) * | 2001-04-26 | 2010-02-02 | Rini Technologies, Inc. | Method and apparatus for high heat flux heat transfer |
US6993926B2 (en) | 2001-04-26 | 2006-02-07 | Rini Technologies, Inc. | Method and apparatus for high heat flux heat transfer |
US6498725B2 (en) * | 2001-05-01 | 2002-12-24 | Mainstream Engineering Corporation | Method and two-phase spray cooling apparatus |
US6646879B2 (en) * | 2001-05-16 | 2003-11-11 | Cray Inc. | Spray evaporative cooling system and method |
EP1388277B1 (en) * | 2001-05-16 | 2010-07-07 | Cray Inc. | Method and apparatus for cooling electronic components |
JP2003051689A (ja) * | 2001-08-06 | 2003-02-21 | Toshiba Corp | 発熱素子用冷却装置 |
US6604571B1 (en) | 2002-04-11 | 2003-08-12 | General Dynamics Land Systems, Inc. | Evaporative cooling of electrical components |
US6625023B1 (en) | 2002-04-11 | 2003-09-23 | General Dynamics Land Systems, Inc. | Modular spray cooling system for electronic components |
US7078803B2 (en) * | 2002-09-27 | 2006-07-18 | Isothermal Systems Research, Inc. | Integrated circuit heat dissipation system |
US7836706B2 (en) | 2002-09-27 | 2010-11-23 | Parker Intangibles Llc | Thermal management system for evaporative spray cooling |
US7159414B2 (en) * | 2002-09-27 | 2007-01-09 | Isothermal Systems Research Inc. | Hotspot coldplate spray cooling system |
US6976528B1 (en) | 2003-02-18 | 2005-12-20 | Isothermal Systems Research, Inc. | Spray cooling system for extreme environments |
US7806166B1 (en) * | 2003-02-18 | 2010-10-05 | Parker-Hannifin Corporation | Insulated spray cooling system for extreme environments |
US6771500B1 (en) * | 2003-03-27 | 2004-08-03 | Stmicroelectronics, Inc. | System and method for direct convective cooling of an exposed integrated circuit die surface |
US6952346B2 (en) * | 2004-02-24 | 2005-10-04 | Isothermal Systems Research, Inc | Etched open microchannel spray cooling |
US7079393B2 (en) * | 2004-11-16 | 2006-07-18 | International Business Machines Corporation | Fluidic cooling systems and methods for electronic components |
US7478769B1 (en) | 2005-03-09 | 2009-01-20 | Cray Inc. | Method and apparatus for cooling electronic components |
US7901191B1 (en) | 2005-04-07 | 2011-03-08 | Parker Hannifan Corporation | Enclosure with fluid inducement chamber |
US7233494B2 (en) * | 2005-05-06 | 2007-06-19 | International Business Machines Corporation | Cooling apparatus, cooled electronic module and methods of fabrication thereof employing an integrated manifold and a plurality of thermally conductive fins |
TWI279518B (en) * | 2006-06-12 | 2007-04-21 | Ind Tech Res Inst | Loop type heat dissipating apparatus with spray cooling device |
US7709296B2 (en) * | 2006-10-19 | 2010-05-04 | International Business Machines Corporation | Coupling metal clad fiber optics for enhanced heat dissipation |
US7911161B2 (en) * | 2007-06-28 | 2011-03-22 | GM Global Technology Operations LLC | Automotive power inverter with reduced capacitive coupling |
US8739856B2 (en) * | 2007-08-20 | 2014-06-03 | Georgia Tech Research Corporation | Evaporation-enhanced thermal management devices, systems, and methods of heat management |
US7755186B2 (en) * | 2007-12-31 | 2010-07-13 | Intel Corporation | Cooling solutions for die-down integrated circuit packages |
US7808780B2 (en) * | 2008-02-28 | 2010-10-05 | International Business Machines Corporation | Variable flow computer cooling system for a data center and method of operation |
US7866173B2 (en) * | 2008-02-28 | 2011-01-11 | International Business Machines Corporation | Variable performance server system and method of operation |
KR100921120B1 (ko) * | 2008-03-04 | 2009-10-12 | 현대자동차주식회사 | 모터 및 제어기 증발 냉각 시스템 |
US8953314B1 (en) * | 2010-08-09 | 2015-02-10 | Georgia Tech Research Corporation | Passive heat sink for dynamic thermal management of hot spots |
TWI419641B (zh) | 2010-10-29 | 2013-12-11 | Ind Tech Res Inst | 電子裝置之散熱結構 |
US8842435B2 (en) * | 2012-05-15 | 2014-09-23 | Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. | Two-phase heat transfer assemblies and power electronics incorporating the same |
US9398721B2 (en) * | 2013-07-25 | 2016-07-19 | Hamilton Sundstrand Corporation | Cooling fluid flow passage matrix for electronics cooling |
US10651112B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-05-12 | Massachusetts Institute Of Technology | Thermal management of RF devices using embedded microjet arrays |
DE112018003730T5 (de) * | 2017-07-21 | 2020-04-16 | Massachusetts Institute Of Technology | Modulare Mikrojet-Kühlung von gepackten elektronischen Komponenten |
US11482472B2 (en) | 2018-06-13 | 2022-10-25 | Intel Corporation | Thermal management solutions for stacked integrated circuit devices |
US11688665B2 (en) | 2018-06-13 | 2023-06-27 | Intel Corporation | Thermal management solutions for stacked integrated circuit devices |
CN111361293B (zh) * | 2018-12-26 | 2021-03-19 | 广东科达洁能股份有限公司 | 一种陶瓷喷墨打印机墨路系统 |
CN112582360B (zh) * | 2020-12-10 | 2024-01-26 | 江苏佳成冷却系统有限公司 | 一种分流式微通道散热器 |
US11903171B2 (en) * | 2021-08-05 | 2024-02-13 | Nan Chen | System for modular liquid spray cooling of electronic devices |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2906103A (en) * | 1957-06-10 | 1959-09-29 | Alvin R Saltzman | Chassis design for inert carrier gasliquid thermal diffusion cooling system |
US4494171A (en) * | 1982-08-24 | 1985-01-15 | Sundstrand Corporation | Impingement cooling apparatus for heat liberating device |
US4559580A (en) * | 1983-11-04 | 1985-12-17 | Sundstrand Corporation | Semiconductor package with internal heat exchanger |
US4912600A (en) * | 1988-09-07 | 1990-03-27 | Auburn Univ. Of The State Of Alabama | Integrated circuit packaging and cooling |
US5088005A (en) * | 1990-05-08 | 1992-02-11 | Sundstrand Corporation | Cold plate for cooling electronics |
JPH05152476A (ja) * | 1991-11-27 | 1993-06-18 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置及びその製造方法及び電子計算機 |
US5220804A (en) * | 1991-12-09 | 1993-06-22 | Isothermal Systems Research, Inc | High heat flux evaporative spray cooling |
JP2748762B2 (ja) * | 1992-01-22 | 1998-05-13 | 日本電気株式会社 | 集積回路用冷却装置 |
US5675473A (en) * | 1996-02-23 | 1997-10-07 | Motorola, Inc. | Apparatus and method for shielding an electronic module from electromagnetic radiation |
-
1996
- 1996-08-30 US US08/709,247 patent/US5768103A/en not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-07-08 KR KR1019997001691A patent/KR20000035950A/ko not_active Application Discontinuation
- 1997-07-08 CN CN97196828A patent/CN1119619C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1997-07-08 JP JP10511625A patent/JP2000517108A/ja active Pending
- 1997-07-08 WO PCT/US1997/011806 patent/WO1998009129A1/en not_active Application Discontinuation
- 1997-07-08 EP EP97932519A patent/EP0922192A4/en not_active Withdrawn
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007538384A (ja) * | 2004-02-24 | 2007-12-27 | アイソサーマル システムズ リサーチ,インコーポレイティッド | ホットスポット噴霧冷却(関連出願)なし(連邦政府の後援による研究又は開発に関する記述)本発明は、空軍研究所により発注された#f33615−03−m−2316契約により政府の支援のもとなされた。政府は、本発明に一定の権利を有する。 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0922192A1 (en) | 1999-06-16 |
WO1998009129A1 (en) | 1998-03-05 |
EP0922192A4 (en) | 2000-11-02 |
KR20000035950A (ko) | 2000-06-26 |
CN1119619C (zh) | 2003-08-27 |
CN1226313A (zh) | 1999-08-18 |
US5768103A (en) | 1998-06-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2000517108A (ja) | 回路基板装置および電子部品を噴霧冷却するための装置および方法 | |
EP0903060B1 (en) | Apparatus and method for mounting an electronic component to a substrate | |
EP1008281B1 (en) | Apparatus shielding electronic module from electromagnetic radiation | |
US5687577A (en) | Apparatus and method for spray-cooling an electronic module | |
AU701552B2 (en) | Apparatus and method for spray-cooling an electronic module | |
AU700152B2 (en) | Spray-cooling circuit board apparatus | |
US5831824A (en) | Apparatus for spray-cooling multiple electronic modules | |
US5818692A (en) | Apparatus and method for cooling an electrical component | |
EP0972166A1 (en) | Apparatus and method for cooling an electronic heat source | |
WO1999006782A1 (en) | Apparatus and method for cooling an electronic component using a porous material |