JP2000513894A - クロック信号周波数逓倍器 - Google Patents

クロック信号周波数逓倍器

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Abstract

(57)【要約】 本発明は、クロック信号周波数逓倍回路に関する。この回路は、集積回路(IC)のクロック信号の速度を係数Nで逓倍してN倍のクロック信号を生成する。回路は、先ずクロック信号を受け取る。次いで、回路は、このクロック信号を複写して複数N個の成分信号を生成する。J番目の成分信号は、(J-1)番目の成分信号に比べて1/Nサイクル遅延する。ここで、Jは1以上N以下の値となる。(J=1)番目の成分信号が、クロック信号である。N個の成分信号は、移相された成分として参照される。最後に、回路は、移相された成分を論理的に結合し、元のN倍のクロック信号を生成する。

Description

【発明の詳細な説明】 クロック信号周波数逓倍器 1.発明の背景 本発明は、広くは集積回路に関する。その中でも特に、消費電力と占有面積の 点で効率のよいクロック信号周波数逓倍器に関する。 2.発明の概要 本発明は、クロック信号周波数逓倍回路に関する。この回路は、集積回路(IC )のクロック信号の速度に係数Nを乗じて、N倍のクロック信号を生成するもので ある。先ず、回路はクロック信号を受け取る。次に、回路は、このクロック信号 を複写して、複数N個の成分信号を得る。各成分信号について、J番目の信号は(J -1)番目の信号に比べて1/Nサイクル遅延している。ここで、Jは1以上N以下 の値である。(J=1)番目の成分信号が、最初に受け取ったクロック信号である 。このN個の成分信号は、以下、移相成分とする。最後に、回路は、移相成分を 論理的に結合して、もとのN倍のクロック信号を生成する。適当な電気回路を使 えば、周波数を何倍にするかをソフトウェアで選択的に設定することもできる( 例えば、2倍、3倍..)。 本発明のクロック周波数逓倍器の具体例は、2つのエッジ検出器、RSラッチ、 複数の成分信号を扱う電圧制御遅延線(VCDL)回路、位相・周波数検出器、ロー パスフィルタ、そして、複数のタップを論理的に結合して高周波クロック回路を 生成する回路からなる。 第1のエッジ検出器は、クロックイン信号を受け取る。クロックイン信号は、 逓倍処理の対象となるクロック信号のことである。エッジ検出器からの出力信号 は、RSラッチをセットする。RSラッチからの出力信号(以下、ラッチされた出力 信号とする)を、VCDLが遅延させる。VCDLは、ラッチされた出力信号を半サイク ル分遅延させるように制御される。半サイクルの遅延とは、出力信号が180度 移相されるということである。半サイクル遅延させられた出力信号は、第2のエ ッジ検出器に送られる。第2のエッジ検出器からの出力信号は、RSラッチをリセ ットする。ラッチされた出力信号と半サイクル遅延させられた出力信号とは、位 相エラー信号を生成する位相・周波数検出器に送られる。位相エラー信号はロー パスフィルタによって積分され、その結果として生成される積分後位相エラー信 号が、VCDLによる遅延を制御する。最後に、複数のVCDL成分信号が論理的に結合 され、高速クロック信号となる。 図面の簡単な説明 図1は、クロック信号周波数逓倍器の具体例の回路図である。 図2は、図1のクロック信号周波数逓倍器が扱う各種信号のタイミング図であ る。 図3は、位相・周波数検出器の具体例の回路図である。 図4は、図3の位相・周波数検出器が扱う各種信号のタイミング図である。 図5は、ローパスフィルタの具体例の図である。 図6は、XORゲートの具体例の回路図である。 好適な実施例の詳細な説明 第1のエッジ検出器とRSラッチ 図1に示すように、クロック信号周波数逓倍器100は、クロックイン信号1 05を受け取る構成となっている。クロックイン信号105は、コンピュータシ ステムクロック、コンピュータバスクロック、あるいは、水晶発振器などが発す る何らかの周期的論理信号とする。クロックイン信号105は、先ず、通常のエ ッジ検出器110に送り込まれる。 図2に示すように、エッジ検出器110がクロックイン信号105を受け取る たびに、エッジ検出器からはTRUEの出力信号115が出力される。図1を見ると 、エッジ検出器110からの出力信号115は、通常のRSラッチ120にセット 信号として送られる。再び図2を参照すると、エッジ検出器110からの出力信 号115がTRUEであれば、RSラッチ120からの出力信号(以下、ラッチされた 出力信号125とする)も必ずTRUEとなる。 電圧制御遅延線 再び図1を見ると、ラッチされた出力信号125は、通常の電圧制御遅延線( 以下、VCDL 130とする)によって遅延させられる。VCDL 130は、これ以 外に、バッファもしくはインバーターによって分けられた一組の遅延素子で構成 することもできる。こうしたVCDL 130には、遅延線タップの立上がり時間お よび立下り時間を改善する効果もある。VCDL中間バッファの遅延と、VCDL最終バ ッファの遅延に第2エッジ検出器112の遅延とRSラッチ120のリセット時間 の遅延とを加えたものとを一致させることによって、より正確な高速クロック信 号225が得られる。 VCDL 130は以下に記す方式で制御され、その結果、ラッチされた出力信号 125は半サイクル分遅延させられる。これはつまり、信号が180度移相され るのと同じである。半サイクル遅延させられた出力信号135は、第2のエッジ 検出器112に送られる。第2のエッジ検出器112からの出力信号117は、 リセット信号として、RSラッチ120に送られる。 位相・周波数検出器 再び図1を参照すると、ラッチされた出力信号125と半サイクル遅延させら れた出力信号135とは、位相・周波数検出器140に送り込まれる。この位相 ・周波数検出器140は、ラッチされた出力信号125と半サイクル遅延させら れた出力信号135との位相差および周波数差を検出する。 位相・周波数検出器140の一具体例を図3に示す。この図3では、位相・周 波数検出器140は、2つの通常の負論理(negative-truth)スイッチ145、1 50を含む構成である。この具体例において、負論理(negative-truth)スイッチ 145、150は、p−チャネルトランジスタである。第1の負論理(negative- truth)スイッチ145は、ラッチされた出力信号135のステートによって制御 される。第2の負論理(negative-truth)スイッチ150は、半サイクル遅延させ られた出力信号125のステートによって制御される。2つの負論理(negative- truth)スイッチ145および150は、電流源155と位相エラー信号160の 間に直列に接続される。 位相・周波数検出器140はさらに、2つの通常の正論理(affirmative-trut h)スイッチ165、170を含む。この具体例において、正論理(affirmative- truth)スイッチ165、170はn−チャネルトランジスタである。第1の正論 理(affirmative-truth)スイッチ165は、ラッチされた出力信号125のステ ートによって制御される。第2の正論理(affirmative-truth)スイッチ170 は、半サイクル遅延させられた出力信号135のステートによって制御される。 2つの正論理(affirmative-truth)スイッチ165、170は、位相エラー信号 160とカレントシンク175の間に直列に接続される。 図4に示すように、ラッチされた出力信号125と半サイクル遅延させられた出 力信号135とが互いに排他的でない場合は、位相・周波数検出器140が必ず 位相エラー信号160を生成する。このように、一方の信号がTRUEであり、他方 の信号がFALSEである場合は、位相エラー信号160は0となる。しかし、ラッ チされた出力信号125と半サイクル遅延させられた出力信号135とが共にTR UEである場合は、位相エラー信号160はTRUEとなる。同じように、ラッチされ た出力信号125と半サイクル遅延させられた出力信号135とが共にFALSEで ある場合も、位相エラー信号160はTRUEとなる。 ローパスフィルタ 再び図1に戻ると、位相エラー信号160はローパスフィルタ180に送られ る。このローパスフィルタ180は、位相エラー信号160を積分する。本具体 例において、ローパスフィルタ180は通常のコンデンサである。それ以外の具 体例としては、ローパスフィルタ180は、図5に示すような回路である。 図5によれば、ローパスフィルタ180は第1のコンデンサ185と第2のコン デンサ190とを含む。第1のコンデンサ185は、電圧源195と位相エラー 信号160との間に接続される。第2のコンデンサ190は、位相エラー信号1 60とグラウンド200の間に接続される。第1のコンデンサ185と第2のコ ンデンサ190との値を適切に選択することによって、VCDL 130の遅延を最 適値に近い値に初期設定することが可能である。VCDL 130の遅延の初期設定 しておけば、クロックロック時間を短縮することも可能である。 特定のVCDL 130については、与えられた電圧信号に応じて遅延が決まる。し たがって、電圧信号が分かっていれば、第1のコンデンサ185と第2のコンデ ンサ190に対する静電容量値は以下の式によって決めることができる: V=Vsource*C1/(C1+C2) 上の式において、 V=所望のVCDL 130制御電圧。 Vsource=電圧源195の電圧。 C1=第1のコンデンサ185の静電容量、そして、 C2=第2のコンデンサ190の静電容量。 電圧制御遅延線の能動的制御 積分後位相エラー信号205は、アナログ電圧信号であり、通常のVCDL 130 に送られる。積分後位相エラー信号205は、VCDL 130を介して遅延を制御 する。このように、積分後位相エラー信号205は、VCDL 130によるラッチ された出力信号125の遅延が確実に180度になるようにする。 高周波クロック信号の生成 VCDLは、ラッチされた出力信号125を複写して、複数の成分信号210を生 成する。最初の成分信号215は、ラッチされた出力信号125から1/Nサイク ル遅延する。ここで、Nは成分信号の数を表す。第2の成分信号220は、ラッ チされた出力信号125から、2/Nサイクル遅延する。このように、各成分信号 について、J番目の信号は(J-1)番目の成分信号よりも1/Nサイクル分遅延する。 図2に示すように、複数の成分信号210は、論理的に結合され、高速クロック 信号225となる。実施例において、複数の成分信号210は、排他的論理和( XOR)処理によって結合される。このXOR演算は、通常のXORゲートを用いて実行 できる。それ以外にも、XOR演算は図6に示す回路によって実施することも可能 である。この回路では、2つの入力信号215と220の各々から高速クロック 信号225までの遅延が、ほぼ同じになっている。さらに、その回路の立上がり 時間は、その立下り時間とほとんど同じである。立上がり時間と立下り時間とを 等しくすることで、高速クロック信号225に対して、より厳密な制御を行うこ とができる。 発明の効果 集積回路の分野では、ある周波数からより高い周波数へとクロック信号を逓倍 できると便利がよい場合が多い。例えば、設計者は、高価な100MHzクリス タルを利用する代わりに、25MHzクリスタルを用いて、その周波数を4倍する という方法をとることができる。クロック信号を逓倍する際には、電源ノイズ( power supply noise)を可能な限り除去し、かつ回路のローブスト性を最大に するとともに、ダイエリア、消費電力、クロックロック時間および位相ジッター を最小にできることが望ましい。 本発明の効果は、クロックを逓倍してもとより大きくできるということである 。クロックは整数倍されることが多いが、逓倍の係数は1.0より大きい実数の 場合もある。本発明の効果は、さらに、クロックロック時間を最大限短縮するこ と、ならびに、ダイエリアおよび消費電力を最小限に押さえるということである 。さらに別の効果として、本発明は、電源ノイズを可能な限り除去する。 本発明については、特定の具体例をもとに説明したが、上記の具体例に対し、 当業者が本発明の精神や技術範囲から離れることなく修正や変更を加えることが 可能であることは、この開示内容を通常の知識を持つ当業者が見た場合には自明 のことである。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.クロック信号周波数逓倍器であって、以下を含む: (a)クロックイン信号を受け取って出力信号を生成するように構成された第 1のエッジ検出器; (b)第1のエッジ検出器の出力信号をセット信号として受け取り(1)、ラ ッチされた出力信号を生成する(2)ように構成されたRSラッチ; (c)ラッチされた出力信号を受け取って、半サイクル遅延させられた出力信 号を生成するように構成された電圧制御遅延線(VCDL)回路; (d)半サイクル遅延させられた出力信号を受け取って出力信号を生成するよ うに構成された第2のエッジ検出器; (e)さらに第2のエッジ検出器からの出力信号をリセット信号として受け取 るように構成された、前記のRSラッチ; (f)ラッチされた出力信号と半サイクル遅延させられた出力信号とを受け取 り(1)、位相エラー信号を生成する(2)ように構成された位相・周波数検出 器; (g)前記の位相エラー信号を受け取って積分後位相エラー出力信号を出力す るローパスフィルタ; (h)電圧遅延調節として前記の積分後位相エラー出力信号を受け取るように 接続された前記のVCDL回路; (i)複数のタップを出力するように構成された前記のVCDL回路; そして、 (j)論理的に結合されて高速クロックを生成する前記の複数のタップ。 2.前記位相・周波数検出器は、以下を含む: (a)電流源と出力信号との間に直列に設けられる2つのスイッチであり、以 下を含む: (1) ラッチされた出力信号のステートによって制御される負論理(n egative-truth)スイッチ; そして、 (2) 遅延させられた出力信号のステートによって制御される負論理 (negative-truth)スイッチ; (b)前記の出力信号とカレントシンクとの間に直列に設けられる2つのスイ ッチであり、以下を含む: (1) ラッチされた出力信号のステートによって制御される正論理( affirmative-truth)スイッチ; そして、 (2) 遅延させられた出力信号のステートによって制御される正論理 (affirmative-truth)スイッチ。 3.前記の負論理(negative-truth)スイッチがp-チャネルトランジスタから成 ることを特徴とする、請求項2記載の位相・周波数検出器。 4.前記の正論理(affirmative-truth)スイッチがn-チャネルトランジスタから 成ることを特徴とする、請求項2記載の位相・周波数検出器。 5.前記の遅延された出力信号はラッチされた出力信号から1/2サイクル遅延 していることを特徴とする、請求項2記載の位相・周波数検出器。 6.位相・周波数検出器であって、以下を含む: (a)電流源と出力信号との間に直列に設けられる2つのスイッチであって、 以下を含む: (1) 第1の出力信号のステートによって制御される負論理(negativ e-truth)スイッチ; そして、 (2) 第2の出力信号のステートによって制御される負論理(negativ e-truth)スイッチ; (b)前記の出力信号とカレントシンクとの間に直列に設けられる2つのスイ ッチであって、以下を含む: (1) 第1の出力信号のステートによって制御される正論理 (affirmative-truth)スイッチ; そして、 (2) 第2の出力信号のステートによって制御される正論理(affirm ative-truth)スイッチ。 7.前記の負論理(negative-truth)スイッチがp-チャネルトランジスタから成 ることを特徴とする、請求項6記載の位相・周波数検出器。 8.前記の正論理(affirmative-truth)スイッチがn-チャネルトランジスタから 成ることを特徴とする、請求項6記載の位相・周波数検出器。 9.前記の第2の出力信号が第1の出力信号から1/2サイクル遅延することを 特徴とする、請求項6記載の位相・周波数検出器。 10.集積回路(IC)のクロック信号の速度を係数Nで逓倍し、N倍のクロック信 号を生成するする方法であって、以下の手順を含む: (a)クロック信号を受け取る; (b)クロック信号を複写して複数N個の成分信号を生成するものであって: (1)前記成分信号のJ番目のものは、(J-1)番目のものよりも、1/Nサイク ル分遅延し、 (2)Jは1以上N以下の値であって、 (3)(J=1)番目の成分信号は前記クロック信号であり、 (4)前記のN個の成分信号は、移相された成分として参照される; そして、 (c)前記の移相された成分を論理的に結合して、前記のN倍のクロック信号を 生成する。 11.前記の論理結合処理がXOR結合であることを特徴とする、請求項10記載 の方法。 12.N=2であり前記の論理結合処理がOR結合であることを特徴とする、請求項 10記載の方法。 13.集積回路(IC)のクロック信号の速度を係数Nで逓倍し、N倍のクロック信 号を生成する装置であって、以下を含む: (a)前記のクロック信号受け取る手段; (b)前記のクロック信号を複写して複数N個の成分信号を生成する手段であっ て、以下を特徴とする: (1)前記の成分信号は、J番目のものが(J-1)番目のものより1/Nサイクル 遅延し、 (2)Jは1以上N以下の値であり、 (3)(J=1)番目の成分信号が、クロック信号であり、そして、 (4)前記のN個の成分信号は、移相された成分として参照される; そして、 (c)前記の移相された成分を論理的に結合してN倍のクロック信号を生成する 手段。
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