【発明の詳細な説明】
面実装された電子素子のテストおよび取り付け方法
本発明は回路基板に面実装された電子素子をテストおよび取り付ける方法に関
する。
このような素子の例は、面実装素子の取り付け後にその素子の機能がテストで
きるようにするために、テスト基板上のパッドに対して電気的に接続されるソル
ダーボール（はんだの玉）などを一方の面に備えているボール・グリッド・アレ
ー（ＢＧＡ）素子またはフリップチップ素子および他の素子である。この方法は
チップ・スケール・パッケージ（ＣＰＳ）にも適用できる。
本発明はいずれかの特定の面実装素子に限定されるものではないが、以下にボ
ール・グリッド・アレー（ＢＧＡ）素子に関して説明する。
一体回路またはマルチチップモジュールの形態のチップをパッケージするボー
ル・グリッド・アレー（ＢＧＡ）素子は、急激に成長している技術である。近い
将来においてボール・グリッド・アレー（ＢＧＡ）素子はかなりの市場シェアー
を有することになるであろうと予測される。
ボール・グリッド・アレー（ＢＧＡ）素子における１つの問題点は、プリント
回路基板（ＰＣＢ）に対して素子を取り付ける前にその素子の作動における性能
をテストできないことである。高アナログ信号周波数および高デジタル信号速度
においてボール・グリッド・アレー（ＢＧＡ）素子をテストすることは特に困難
である。ボール・グリッド・アレー（ＢＧＡ）素子およと、テスト時にそのボー
ル・グリッド・アレー（ＢＧＡ）素子が接続されるテスト基板との間で良好な電
気的接触および他の有効な電気的状態をなすことは、実際、困難に遭遇する。
非常に少数の技術がこれに関して提案されている。１つの技術はボール・グリ
ッド・アレー（ＢＧＡ）素子とテスト基板との間に塗布された層であり、その平
面に対して直角方向に導電性である介在装置を使用するものである。これは導電
４ニードルと称され、介在装置の平面に対して直角に、ボール・グリッド・アレ
ー（ＢＧＡ）素子とテスト基板または非等方性導電フィルムとの間を延在される
。
少数ながら取り付け基板もボール・グリッド・アレー（ＢＧＡ）素子およびテス
ト基板のそれぞれに対する接続のために最近開発されている。
これらの全ての周知技術における１つの欠点は、テスト基板との十分に有効な
物理的且つ電気的な接触を得るために、ボール・グリッド・アレー（ＢＧＡ）素
子に大きな機械的圧力を掛けねばならないことである。
しかしながら他の問題点は、大きな電気的接触抵抗、寄生インダクタンスおよ
びキャパシタンスの発生という形でしばしば残る。さらに、前述した介在装置、
非等方性導電フィルムおよび取り付け基板は、組み立ておよび製造の両方におい
て高価である。
これらの問題点は本発明によって解決される。
本発明は、ボール・グリッド・アレー（ＢＧＡ）素子とテスト基板との間に低
い接触圧力しか要求せず、また小さな接触抵抗および小さな寄生インダクタンス
およびキャパシタンスしか与えないような安価な方法を提供する。
したがって本発明はテスト基板の一方の面の接触パッドと電気的に接触するよ
うに意図された複数の接触パッドを一方の面に含んでいる面実装される電子素子
、特にボール・グリッド・アレー（ＢＧＡ）素子および同様素子をテストする方
法、また或る場合は取り付ける方法に関し、この方法の第１段階では素子接触パ
ッドすなわち接点に室温または高めの室温で液体の金属を付与すること、この方
法の第２段階では液体金属の一部分が接点に残るようにして液体金属の表面から
素子を持ち上げること、またこの方法の第３段階では液体金属が付与された接点
をテスト基板の対応する接触パッドに接触させることを特徴とする。
本発明は以下にその代表的な実施例を参照し、また添付図面を参照してさらに
詳細に説明される。添付図面において、
図１〜図３は本発明の方法の異なる段階を示しており、
図４は本発明の実施例を示している。
図１〜図３はプリント回路基板上に面実装されるべき電子素子の性能をテスト
する本発明の方法を示している。図中に例示された電子素子はボール・グリッド
・アレー（ＢＧＡ）素子１である。ボール・グリッド・アレー（ＢＧＡ）素子１
の一方の面は複数の接触パッド２を含み、これは通常は約６０％の錫および４０
％の鉛で形成されている。これらの接触パッド２はテスト基板（プリント回路基
板（ＰＣＢ））４の一方の面上に位置する対応した接触パッド３と電気的接続を
意図される（図３参照）。
本発明によれば、ボール・グリッド・アレー（ＢＧＡ）素子１上の接触パッド
２は第１段階において金属５で被覆されるのであり、この金属は室温または高め
の室温で液体である。接触パッド２はその液体金属中に浸漬されるのが好ましい
。これに代えて、金属は圧力処理に応じた処理によって接触パッドに付与するこ
とができ、これにおいては液体金属を有する円筒面が接触パッドの見られる素子
面上を転動される。
１つの好ましい実施例によれば、液体金属はガラスプレート６またはシリコン
プレートのような平坦面上に含まれる。プレート上の金属の厚さは素子１上の接
触パッド２の高さより浅く、接触パッド２だけが液体金属５と接触されることが
好ましい。接触パッド２はこのようにして金属で濡らされる。
本発明の方法の第２段階において、素子は図２に示すように液体金属表面から
持ち上げられ、金属の一部分７は接触パッド上に残る。
本発明の第３段階において、液体金属７が付着して残っている接触パッド２は
図３に示されるようにテスト基板４上の対応する接触パッド３と接触され、素子
上の接触パッド２と対応するテスト基板上の接触パッド３との間の有効な電気的
接触を確立する。
電子素子１がその後にテストされる。
この方法の選択的な第４段階において、素子１は持ち上げられ、液体金属７が
その接触パッド２から除去される。液体金属７は水および通常の洗浄によって容
易に除去することができる。第４段階は常に行われるわけではないが、以下に明
確となる理由のために任意である。大いに好ましい実施例の１つによれば、液体
金属はガリウム（Ｇａ）またはガリウム合金とされる。
本発明の他の実施例によれば、液体金属は水銀（Ｈｇ）または水銀化合物とさ
れるが、これは環境を損なう理由で十分好ましいわけではない。
ガリウムおよびガリウム合金は、室温または室温よりも多少高い温度で液相と
して存在する。これらは抵抗が小さく、すなわち約１４μΩ×ｃｍの抵抗値を有
する。比較すれば、銅は１．５６μΩ×ｃｍの抵抗値を有する。さらに、ガリウ
ムおよびその合金は使用し易く、とりわけ蒸気圧が低いために健康や環境に対し
て危険でない。液体ガリウムは極めて低い蒸気圧、すなわち４００℃の下でたっ
たの１０-10トリチェリー（torr）を有する。水銀は高い蒸気圧、すなわち４０
０℃で１０+3トリチェリーを有する。
以下の表はこの蒸気で使用されることのできる合金例を示している。
表１
表１から明かとなるように、錫またはインジウム、または錫とインジウムとの
両方を含む多くのガリウム合金は室温よりも低い溶融点を有する。表１中のこの
物質は共晶成分を有する合金である。
これらの合金は粘性に関して、金属粉末を液体合金と混合することで適当にす
る（tailor-made）ことができる。多くのさまざまな金属がこのために使用でき
る。表１は右側欄に好ましい金属の例を開示している。最大２０重量％の金属粉
末を混合することが好ましい。金属粉末との混合は、接触パッドが前述した方法
でその中に浸漬される液体ガリウム基ペーストを生成できる。ガラスプレート６
上のペーストの厚さおよびその粘性は、接触パッドがペーストに浸漬されるとき
に接触パッドに付着されるペースト量を決定する。
以下の表２はガリウムおよびガリウム基合金の濡れ性を示している。
表２ 表２から明らかとなるように、ガリウムおよびガリウム基合金は良好または非
常に良好な金属濡れ性を有するが、セラミックおよびエポキシの濡れ性は不良で
ある。これは、ガリウム基合金をこの目的のために理想的な合金となす重要な特
性である。何故なら、素子１およびテスト基板４のそれぞれの接触パッド２およ
び接触パッド３は金属で構成される一方、それを取り囲む材料はセラミックかエ
ポキシ材料だからである。
ガリウムおよびガリウム基合金の他の重要な特性は、ガリウムが接触パッドを
構成している材料と合金を形成するという理由から、それらが接触パッド２，３
上に存在するいずれの酸化物も分解することである。このことは、接触抵抗が通
常は１ｍΩ以下である極めて良好な電気的接触が得られることを意味する。
上述した寄生(parasitic)インダクタンスおよび寄生キャパシタンスは、それ
それ接触パッド２，３間の接点での材料量が少ないために、非常に小さい。
ガリウムおよびガリウム基合金に関して上述したことがらは水銀にも当てはま
る。本発明の機能は、水銀または水銀合金のいずれか一方または両方がガリウム
およびガリウム合金の代わりに使用されるならば、損なわれることがなく、ガリ
ウムおよびガリウム合金の使用は環境および取り扱いの観点から好ましい。水銀
が使用されるならば、水銀の高い蒸気圧を考慮して、また水銀化合物の毒性の理
由から、対策を講じなければならない。例えば、水銀の使用は閉鎖された部屋内
で実施する方法を要求し、水銀化合物は健康の観点および環境の観点から受け入
れることのできる方法で回収される。
本発明の好ましい実施例によれば、素子１はフレーム８に取り付けられ、フレ
ームはテスト基板４を担持して、素子１をテスト基板４と整合する予め定められ
た位置へ移動させる（図４を参照）。フレーム８は底部９および頂部１０を含む
。底部９は素子１の外部寸法に対応する内部寸法を有することが好ましい。上部
１０は素子の上面に当接される上側に重なるアーム１１を備えられるのが好まし
い。図示フレームは引張りばね１２，１３を含み、これらのばねは適当な力で上
部１０を底部9へ向けて引っ張り下げて、全接触パッド２をテスト基板の接触パ
ッド３と良好に接触させることを保証できる力で素子１をテスト基板に押圧する
ようになされている。
本発明の方法の第４段階において、テストの完了により素子がテスト基板から
持ち上げられ、その後に接触パッドが洗浄される。
本発明の１つの他の好ましい実施例では、テスト基板４は素子１が最終的に予
め定められた位置に面実装されるべき回路基板とされる。
代替実施例では、その方法の第１、第2および第３段階が実行され、素子は前
述の予め定められた位置に配置された後に処理される。その素子が意図したよう
に性能を発揮することをテストが示したとき、素子１は接触パッド２，３に付与
されたフラックスによって回路基板４に保持され、回路基板はその後素子をその
位置に保持した状態で、素子の接触パッド２が回路基板４上の対応する接触パッ
ド３と融合する温度に加熱される。この温度は約２００℃である。溶融処理にお
いて、ガリウムおよびガリウム合金は接触パッド２および接触パッド３の材料と
互いに融合する。
テスト基板がまた回路基板４で構成され、その上に素子１が最終的に予め定め
られた位置で取り付けられるような本発明の第３の代替実施例では、素子はまた
この予め定められた位置に配置された後にテストされる。
この実施例では、素子は回路基板に対して意図された位置に機械的に固定され
る。素子の固定は図１に示されるようにフレームによって、または他の適当な方
法によって達成される。素子１が意図されたように性能を発揮することをテスト
が示したとき、回路基板を使用した場合は素子１は前記位置に保持される。
この後者の例の場合は、液体金属は素子の使用時は液体状態に保持されること
、および接触パッド２，３はしたがって互いに融合されないことが注目される。
この実施例の利点の１つは、素子が容易に交換できること、接触パッドの液体金
属
が温度変化によって生じる機械応力から素子および回路基板を解放することであ
る。
冒頭に述べた欠点は本発明によって解消される。本発明の方法は安価に適用で
きる。この方法は、接触抵抗、寄生インダクタンスおよび寄生キャパシタンスが
小さいので、相当な頻度でのテストおよび速いテスト速度に関して大いに有効で
ある。さらに、この方法は適用が容易である。何故なら、接触パッド間の接触圧
力が非常に小さく保持できるからである。
本発明は多くの代表的実施例を参照して上述したが、これらで説明した以外の
合金も使用できることを理解されよう。例えば、非共晶化合物を室温または高め
の室温で使用できる。
本発明はそれ故に上述の実施例に制限されない。何故なら以下の請求の範囲の
欄に記載した範囲内で変形例および変更例を成し得るからである。The present invention relates to a method for testing and mounting a surface-mounted electronic device on a circuit board. Examples of such devices include solder balls that are electrically connected to pads on a test board so that the functionality of the device can be tested after the device is mounted. A ball grid array (BGA) element or flip chip element and other elements provided on one side. This method can also be applied to a chip scale package (CPS). The present invention is not limited to any particular surface mount device, but will be described below with reference to a ball grid array (BGA) device. Ball grid array (BGA) devices that package chips in the form of integrated circuits or multi-chip modules are a rapidly growing technology. It is expected that in the near future ball grid array (BGA) devices will have a significant market share. One problem with ball grid array (BGA) devices is that they cannot be tested for performance in operation before mounting the device to a printed circuit board (PCB). Testing ball grid array (BGA) devices at high analog signal frequencies and high digital signal rates is particularly difficult. Making good electrical contact and other valid electrical conditions between the ball grid array (BGA) element and the test board to which the ball grid array (BGA) element is connected during testing. The thing, in fact, encounters difficulties. Very few techniques have been proposed in this regard. One technique uses a layer applied between a ball grid array (BGA) element and a test substrate and uses an interposer that is conductive in a direction perpendicular to its plane. This is referred to as a conductive four needle and extends between the ball grid array (BGA) element and the test substrate or anisotropic conductive film at right angles to the plane of the interposer. A small number of mounting substrates have also recently been developed for connection to each of the ball grid array (BGA) devices and test substrates. One disadvantage of all these known techniques is that large mechanical pressure must be applied to the ball grid array (BGA) element in order to obtain sufficiently effective physical and electrical contact with the test substrate. That is. However, other problems often remain in the form of high electrical contact resistance, the development of parasitic inductance and capacitance. Further, the intervening devices, anisotropic conductive films and mounting substrates described above are expensive both in assembly and in manufacturing. These problems are solved by the present invention. The present invention provides an inexpensive method that requires low contact pressure between a ball grid array (BGA) device and a test substrate, and provides low contact resistance and low parasitic inductance and capacitance. Accordingly, the present invention is directed to a surface mounted electronic device, in particular a ball grid array, including a plurality of contact pads on one side intended to make electrical contact with contact pads on one side of a test substrate. BGA) For testing and, in some cases, mounting devices and similar devices, the first step of the method is to apply a liquid metal to the device contact pads or contacts at room temperature or at room temperature. In a second step, the device is lifted from the surface of the liquid metal such that a portion of the liquid metal remains on the contacts, and in a third step of the method, the contacts provided with the liquid metal are brought into contact with corresponding contact pads on the test substrate. It is characterized by making it. The invention will be described in more detail hereinafter with reference to exemplary embodiments thereof and with reference to the accompanying drawings, in which: In the accompanying drawings, FIGS. 1-3 show different stages of the method of the invention, and FIG. 4 shows an embodiment of the invention. 1 to 3 show a method according to the invention for testing the performance of an electronic device to be surface mounted on a printed circuit board. The electronic device illustrated in the figure is a ball grid array (BGA) device 1. One side of the ball grid array (BGA) element 1 includes a plurality of contact pads 2, which are typically formed of about 60% tin and 40% lead. These contact pads 2 are intended for electrical connection with corresponding contact pads 3 located on one side of a test board (printed circuit board (PCB)) 4 (see FIG. 3). According to the invention, the contact pads 2 on the ball grid array (BGA) element 1 are coated in a first stage with a metal 5, which is liquid at room temperature or at a higher room temperature. The contact pad 2 is preferably immersed in the liquid metal. Alternatively, the metal can be applied to the contact pad by a treatment in response to a pressure treatment, in which the cylindrical surface with the liquid metal is rolled over the element surface where the contact pad is found. According to one preferred embodiment, the liquid metal is contained on a flat surface such as a glass plate 6 or a silicon plate. Preferably, the thickness of the metal on the plate is less than the height of the contact pads 2 on the element 1 and only the contact pads 2 are in contact with the liquid metal 5. The contact pads 2 are thus wetted with metal. In the second step of the method of the invention, the device is lifted from the liquid metal surface as shown in FIG. 2 and a portion 7 of the metal remains on the contact pads. In the third stage of the present invention, the contact pads 2 with the liquid metal 7 remaining thereon are brought into contact with the corresponding contact pads 3 on the test substrate 4 as shown in FIG. Establish an effective electrical contact with the contact pads 3 on the corresponding test board. The electronic device 1 is subsequently tested. In an optional fourth step of the method, the element 1 is lifted and the liquid metal 7 is removed from its contact pads 2. The liquid metal 7 can be easily removed by water and ordinary washing. The fourth step is not always performed, but is optional for reasons that will become clear below. According to one highly preferred embodiment, the liquid metal is gallium (Ga) or a gallium alloy. According to another embodiment of the present invention, the liquid metal is mercury (Hg) or a mercury compound, but this is not sufficiently preferred for environmental reasons. Gallium and gallium alloys exist as a liquid phase at or slightly above room temperature. They have low resistance, ie, a resistance of about 14 μΩ × cm. By comparison, copper has a resistance of 1.56 μΩ × cm. In addition, gallium and its alloys are easy to use and are not dangerous to health or the environment, especially because of their low vapor pressure. Liquid gallium has a very low vapor pressure, ie, only 10 -10 torr under 400 ° C. Mercury has a high vapor pressure, that is, 10 +3 trichries at 400 ° C. The following table shows examples of alloys that can be used with this steam. Table 1 As can be seen from Table 1, many gallium alloys containing tin or indium, or both tin and indium, have melting points below room temperature. This material in Table 1 is an alloy having a eutectic component. These alloys can be tailor-made for viscosity by mixing the metal powder with the liquid alloy. Many different metals can be used for this. Table 1 discloses examples of preferred metals in the right hand column. It is preferred to mix up to 20% by weight of metal powder. Mixing with the metal powder can produce a liquid gallium-based paste in which the contact pads are immersed in the manner described above. The thickness of the paste on the glass plate 6 and its viscosity determine the amount of paste that will be applied to the contact pads when they are immersed in the paste. Table 2 below shows the wettability of gallium and gallium-based alloys. Table 2 As is evident from Table 2, gallium and gallium based alloys have good or very good metal wettability, but ceramic and epoxy have poor wettability. This is an important property that makes gallium-based alloys ideal alloys for this purpose. This is because each of the contact pads 2 and 3 of the element 1 and the test board 4 is made of metal, while the surrounding material is ceramic or epoxy material. Another important property of gallium and gallium-based alloys is that they decompose any oxides present on the contact pads 2, 3 because gallium forms an alloy with the material making up the contact pads. That is. This means that a very good electrical contact with a contact resistance of usually 1 mΩ or less can be obtained. The parasitic inductances and parasitic capacitances mentioned above are very small, respectively, due to the small amount of material at the contact between the contact pads 2,3. What has been said above for gallium and gallium-based alloys also applies to mercury. The function of the present invention is not impaired if either or both of mercury or mercury alloy is used in place of gallium and gallium alloy, the use of gallium and gallium alloy is preferred from environmental and handling point of view . If mercury is used, measures must be taken in view of the high vapor pressure of mercury and because of the toxicity of mercury compounds. For example, the use of mercury requires a method to be performed in a closed room, and mercury compounds are recovered in a manner that is acceptable from a health and environmental standpoint. According to a preferred embodiment of the present invention, the device 1 is mounted on a frame 8 which carries a test substrate 4 and moves the device 1 to a predetermined position which is aligned with the test substrate 4 (see FIG. 4). reference). Frame 8 includes a bottom 9 and a top 10. The bottom 9 preferably has an internal dimension corresponding to the external dimension of the device 1. The upper part 10 is preferably provided with an upper overlapping arm 11 abutting on the upper surface of the element. The illustrated frame includes tension springs 12, 13 which pull the top 10 down to the bottom 9 with a suitable force to ensure that all contact pads 2 are in good contact with the contact pads 3 of the test board. The element 1 is pressed against the test substrate with a possible force. In the fourth step of the method of the invention, the completion of the test lifts the device from the test substrate, after which the contact pads are cleaned. In one other preferred embodiment of the present invention, the test board 4 is a circuit board on which the device 1 is to be finally surface-mounted at a predetermined position. In an alternative embodiment, the first, second and third steps of the method are performed, and the device is processed after being placed in the aforementioned predetermined location. When the tests show that the element performs as intended, element 1 is held on circuit board 4 by the flux applied to contact pads 2, 3, which then holds the element in place. In this state, the contact pads 2 of the element are heated to a temperature at which the corresponding contact pads 3 on the circuit board 4 fuse. This temperature is about 200 ° C. In the melting process, gallium and the gallium alloy fuse with the material of the contact pads 2 and 3 together. In a third alternative embodiment of the invention in which the test board is also constituted by a circuit board 4 on which the device 1 is finally mounted in a predetermined position, the device is also provided in this predetermined position. Tested after being placed in. In this embodiment, the component is mechanically fixed in the intended position relative to the circuit board. The fixing of the element is achieved by a frame, as shown in FIG. 1, or by any other suitable method. When tests indicate that element 1 performs as intended, element 1 is held in place when a circuit board is used. In this latter example, it is noted that the liquid metal is kept in a liquid state when the element is used, and that the contact pads 2, 3 are therefore not fused together. One of the advantages of this embodiment is that the components can be easily replaced and the contact pad liquid metal relieves the components and circuit board from mechanical stresses caused by temperature changes. The disadvantages mentioned at the outset are overcome by the present invention. The method of the present invention is inexpensive to apply. This method is very effective for significant testing and fast test speeds due to low contact resistance, parasitic inductance and parasitic capacitance. Furthermore, this method is easy to apply. This is because the contact pressure between the contact pads can be kept very small. Although the invention has been described above with reference to a number of exemplary embodiments, it will be appreciated that alloys other than those described may be used. For example, a non-eutectic compound can be used at or above room temperature. The invention is therefore not limited to the embodiments described above. This is because variations and modifications can be made within the scope described in the following claims.
【手続補正書】特許法第１８４条の８第１項
【提出日】平成１０年９月７日（１９９８．９．７）
【補正内容】
請求の範囲
１． プリント回路基板に面実装されるべき電子素子であって、テスト基板の
一方の面の接触パッドと電気的に接続されるべき複数の接触パッドを一方の面に
含んでいる電子素子、特にボール・グリッド・アレー（ＢＧＡ）素子および同様
素子をテストする方法、また或る場合は取り付ける方法であって、該方法の第１
段階では室温または高めの室温で液体で、液体金属の厚さが素子接触パッド（２
）の高さ以下である金属（５）の中に該素子接触パッド（２）を浸漬すること、
該方法の第２段階では前記液体金属（５）の一部分（７）が前記接触パッド（２
）に残るようにして前記液体金属（５）の表面から素子（１）を持ち上げること
、また該方法の第３段階では付与された前記液体金属を保持した前記素子接触パ
ッド（２）をテスト基板（４）上の対応する接触パッド（３）と接触させること
を特徴とする、面実装された電子素子のテストおよび取り付け方法。
２． 請求項１に記載された方法であって、ガラスプレート（６）またはシリ
コンプレートのような平坦面上に前記液体金属（５）を配置することを特徴とす
る、面実装された電子素子のテストおよび取り付け方法。
３． 請求項１または請求項２に記載された方法であって、前記液体金属（５
）がガリウム（Ｇａ）またはガリウム合金であることを特徴とする、面実装され
た電子素子のテストおよび取り付け方法。
４． 請求項３に記載された方法であって、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、銅（Ｃ
ｕ）またはニッケル（Ｎｉ）のような導電性金属粉末を前記液体金属（５）に含
めることを特徴とする、面実装された電子素子のテストおよび取り付け方法。
５． 請求項１または請求項２に記載された方法であって、前記液体金属（５
）が水銀（Ｈｇ）または水銀合金であることを特徴とする、面実装された電子素
子のテストおよび取り付け方法。
６． 請求項５に記載された方法であって、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、銅（Ｃ
ｕ）またはニッケル（Ｎｉ）のような導電性金属粉末を前記液体金属（５）に含
めることを特徴とする、面実装された電子素子のテストおよび取り付け方法。
７． 請求項１から請求項６までのいずれか一項に記載された方法であって、
前記素子（１）を前記テスト基板（４）に対して整合した子め定められた位置へ
移動させるようにするために、該テスト基板（４）によって担持されたフレーム
（８）に該素子（１）を配置することを特徴とする、面実装された電子素子のテ
ストおよび取り付け方法。
８． 請求項１から請求項７までのいずれか一項に記載された方法であって、
前記素子（１）が持ち上げられた後、前記液体金属（５）が前記素子接触パッド
（２）から除去される第４段階によって特徴づけられる、面実装された電子素子
のテストおよび取り付け方法。
９． 請求項１から請求項７までのいずれか一項に記載された方法であって、
前記テスト基板は前記素子（１）が最終的に予め定められた位置で面実装される
べきプリント回路基板（４）であること、前記素子（１）は前記予め定められた
位置に位置決めされた後にテストが行われること、また前記素子（１）が意図さ
れた性能を有することをテストが示したとき、前記素子接触パッド（２）が前記
回路基板の対応する接触パッド（３）と融合する温度となるまで前記位置に該素
子を備えた前記回路基板（４）が加熱されることを特徴とする、面実装された電
子素子のテストおよび取り付け方法。
１０． 請求項１から請求項７までのいずれか一項に記載された方法であって
、前記テスト基板は前記素子（１）が最終的に予め定められた位置で取り付けら
れるべきプリント回路基板（３）であること、前記素子（１）は前記予め定めら
れた位置に位置決めされた後にテストが行われること、前記素子（１）は前記位
置で前記回路基板（３）に対して機械的に固定されること、また前記素子（１）
が意図された性能を有することをテストが示したとき、前記回路基板（３）を使
用した場合に、前記位置に該素子が保持されることを特徴とする、面実装された
電子素子のテストおよび取り付け方法。[Procedure of Amendment] Article 184-8, Paragraph 1 of the Patent Act
[Submission date] September 7, 1998 (1998.9.7)
[Correction contents]
The scope of the claims
1. An electronic element to be surface mounted on a printed circuit board,
A plurality of contact pads to be electrically connected to the contact pads on one side
Including electronic devices, especially ball grid array (BGA) devices and the like
A method of testing and, in some cases, mounting a device, the method comprising:
In the stage, the liquid is liquid at room temperature or higher room temperature, and the thickness of the liquid metal is equal to the element contact pad (2).
D) immersing the element contact pad (2) in a metal (5) having a height of not more than
In a second stage of the method, a portion (7) of the liquid metal (5) is applied to the contact pad (2).
Lifting element (1) from the surface of said liquid metal (5) so as to remain in
And in the third step of the method, the element contact pad holding the applied liquid metal.
Contacting the pads (2) with the corresponding contact pads (3) on the test board (4)
A method for testing and mounting a surface-mounted electronic device, comprising:
2. 2. The method according to claim 1, wherein the glass plate (6) or the glass plate (6).
The liquid metal (5) is arranged on a flat surface such as a plate.
Testing and mounting methods for surface mounted electronic devices.
3. The method according to claim 1 or 2, wherein the liquid metal (5
) Is gallium (Ga) or a gallium alloy,
Testing and mounting methods for electronic devices.
4. The method according to claim 3, wherein silver (Ag), tin (Sn), copper (C
u) or a conductive metal powder such as nickel (Ni) in the liquid metal (5).
A method for testing and mounting a surface-mounted electronic device, comprising:
5. The method according to claim 1 or 2, wherein the liquid metal (5
) Is mercury (Hg) or a mercury alloy, wherein the surface-mounted electron element is
How to test and attach the child.
6. The method according to claim 5, wherein silver (Ag), tin (Sn), copper (C
u) or a conductive metal powder such as nickel (Ni) in the liquid metal (5).
A method for testing and mounting a surface-mounted electronic device, comprising:
7. A method according to any one of claims 1 to 6, wherein
Moving the element (1) to a defined position aligned with the test substrate (4)
Frame carried by the test board (4) for movement
(8) The element (1) is disposed on the surface of a surface-mounted electronic element.
Strike and mounting method.
8. A method according to any one of claims 1 to 7, wherein
After the element (1) has been lifted, the liquid metal (5) is placed on the element contact pad.
Surface mounted electronic device characterized by a fourth stage removed from (2)
How to test and install.
9. A method according to any one of claims 1 to 7, wherein
In the test board, the element (1) is finally surface-mounted at a predetermined position.
A printed circuit board (4), wherein the element (1) is the predetermined
The test is performed after it has been positioned and the device (1) is
When the tests indicate that the device contact pad (2) has improved performance,
The element is brought into said position until a temperature is reached that fuses with the corresponding contact pad (3) of the circuit board.
Wherein the circuit board (4) having the component is heated.
How to test and mount child devices.
10. A method according to any one of claims 1 to 7,
The test board is mounted with the element (1) finally at a predetermined position.
The element (1) is a printed circuit board (3) to be
That the test is performed after being positioned at the
Mechanically fixed to the circuit board (3) at a fixed position, and the device (1)
Use the circuit board (3) when the tests show that it has the intended performance.
Wherein said element is held in said position when used.
Testing and mounting of electronic devices.
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(72)発明者 ヘンツェル ハンス
スウェーデン国 エス―584 37 リンケ
ピング，ハイデンシュタムス ガタ 12────────────────────────────────────────────────── ───
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(72) Henzel Hans
Sweden S-584 37 Linke
Ping, Heidenstams Gata 12