JP2000508320A - 末端炭素原子に結合したフッ素を含有するハロゲン化プロパンの製法 - Google Patents

末端炭素原子に結合したフッ素を含有するハロゲン化プロパンの製法

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Abstract

(57)【要約】 式CF3CHXCF3-zz(XおよびYは独立にHおよびClからなるグループから選択され、zは0または1)の化合物の製法を開示する。この方法は、(1)CCl3CHXCCl3-zz、CCl2-zz=CXCC3、および/またはCCl2=CXCC3-zz出発原料を、200℃未満の温度でフッ化水素と接触させて、少なくとも90モル%の、C3HXYzCl6-z-xx飽和化合物と、C3XYzCl5-Z-yyオレフィン系化合物(xは1〜6−zの整数、yは1〜5−zの整数)の合計を含む、上記出発原料のフッ素化生成物を生成する工程と、(このフッ素化生成物は、約40モル%以下の所期の生成物であるCF3CHXCF3-zzを含む)、(2)上記(1)で生成した飽和化合物とオレフィン系化合物とを気相で200℃〜約400℃の温度で、フッ素化触媒の存在下でフッ化水素と接触させる工程と、(3)十分な量の上記(1)で生成した飽和化合物(xは1〜5−zの整数)と、上記オレフィン系化合物とを気相で200℃〜約400℃の温度で、(1)および(2)においてHFと反応させた出発原料の量を基準にして、CF3CHXCF3-zzに対して少なくとも約90%の総合選択度を与えるように、気相フッ素化触媒の存在下でフッ化水素と反応させる工程とを含む。

Description

【発明の詳細な説明】 末端炭素原子に結合したフッ素を含有するハロゲン化プロパンの製法 発明の技術分野 本発明は、少なくとも5個のフッ素原子により置換されたハロゲン化プロパン の製法に関するものであり、特に、選択された飽和化合物(たとえばCCl3C H2CCl3)および/または不飽和化合物(たとえばCCl2=CHCCl3)と フッ化水素との反応により、少なくとも5個の末端炭素原子に結合したフッ素原 子を含有するハロゲン化プロパン(たとえばCF3CH2CF3)の製造に関する ものである。 背景技術 1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン(すなわちHFC−236 fa)などの化合物は、冷媒、消火剤、伝熱媒体、気体誘電体、殺菌剤キャリア 、重合媒体、微粒子除去液、キャリア流体、バフ用研磨剤、置換乾燥剤、および パワーサイクル流体作業物質としての用途が見いだされている。特に、HFC− 236faはそれ自体が、高度に効果的な、環境的に受け入れられる消火剤およ び冷媒である。 カナダ特許第2073533号明細書は、液相触媒(たとえばスズおよびアン チモン化合物)の存在下で、HCC−230faをHFと接触させることにより 、HFC−236faを製造する液相法を開示している。1,1,1,3,3, 3−ヘキサクロロプロパンのすべてが、1−クロロ−1,1,3,3,3−ペン タフルオロプロパン(すなわちHCFC−235fa)と、HFC−236fa に関して45モル%を超える選択度を有するHFC−236faに変換される。 純粋なHFC−236faの分離は、HCFC−235faの存在により複雑に なる。さらに、 操作上の利点から、蒸気法が好ましい場合が多い(たとえばHFの腐食性の問題 は、液相では通常さらに激しくなる)。 米国特許第5414165号明細書は、HCC−230fa(およびHFC− 236faの十分なハロゲン前駆物質)を3価クロム触媒の存在下でHFと接触 させることによる、HFC−236fa製造の気相法を開示している。 CCl3CH2CCl3(HCC−230fa)は高沸点(101.3kPaで 沸点206℃)液体である。触媒を用いた気相反応装置を効率的に使用するには 、HCC−230faを蒸気として反応装置に導入する必要がある。液体を直接 触媒床に導入すると、触媒が不活性化することは当業者によく知られている。標 準的設計の蒸発装置でHCC−230faを蒸発させると、HCl、CCl3C H=CCl2、および特に、塩素化された6個の炭素原子を有する化合物、ター ルなどの好ましくない高沸点材料がかなり劣化する原因となる。さらに、フッ素 と塩素との交換反応は、通常高度に発熱反応である。触媒を用いた反応装置中で HCC−230faの6個の塩素全部をフッ素と置換してHFC−236faを 生成させると、熱管理の問題が生じることがある。 発明の概要 本発明により、式CF3CHXCF3-zz(XおよびYは独立にHおよびCl からなるグループから選択され、zは0または1)の化合物の製法が提供される 。この方法は、(1)式CCl3CHXCCl3-zzの化合物と、式CCl2-zz =CXCCl3の化合物と、式CCl2CX=CCl3-zzの化合物と、これら の混合物とからなるグループから選択された出発原料を200℃未満の温度でフ ッ化水素と接触させて、少なくとも90モル%の、式C3HXYzCl6-z-xxを 有する飽和化合物とおよび式C3XYzCl5-z-yyを有するオレフィン系化合物 (xは1〜6−zの整数、yは1〜5−zの整数)とからなるグループから選択 された化合物を含み、約40モル%以下のCF3CHXCF3-z zを含む上記出発原料のフッ素化生成物を生成し、(2)上記(1)で生成し た上記飽和化合物と、上記オレフィン系化合物とからなるグループから選択され た化合物とを気相で200℃〜約400℃の温度で、フッ素化触媒の存在下でフ ッ化水素と接触させ、(3)十分な量の上記(1)で生成した上記飽和化合物( xは1〜5−zの整数)と上記オレフィン系化合物とを、気相で200℃〜約4 00℃の温度で、(1)および(2)においてHFと反応させた出発原料の量を 基準にして、CF3CHXCF3-zzに対して少なくとも約90%の総合選択度 を与えるように、気相フッ素化触媒の存在下でフッ化水素と反応させる工程から なる。 詳細な説明 本発明の方法は特に、CCl3CH2CCl3(すなわちHCC−230fa) を出発原料とする、CF3CH2CF3(すなわちXがH、zが0である化合物) の製造に関するものである。HCC−230faの比較的高温での気相反応に関 連する問題は、第1段階でHCC−230faを予備フッ素化させ、第2の、気 相段階でフッ素化を完了することにより軽減される。さらに、HCC−230f aをフッ素化アルカンとフッ素化アルケンとの混合物にすることにより、タール 生成に関して純粋なHCC−230faより熱安定性の高い生成物が得られる。 また、HCC−230faの予備フッ素化により得られるフッ素化アルカンとフ ッ素化アルケンとの混合物は、HCC−230faそのものより低温で蒸発する 。このことは、蒸発装置での問題が減少することを意味する。 したがって、本発明の方法は、CCl3CH2CCl3(HCC−230fa) からCF3CH2CF3(HFC−236fa)を製造する多段階法を提供する。 工程の第1段階では、HCC−230faをフッ化水素(HF)に接触させ、フ ッ素化化合物の混合物を生成させる。使用するフッ化水素は無水物とすべきであ る。HCC−230faとHFとの接触は、いくつかの方法のひとつで、液相で 行われる。本発明の方法は、バッチ・モード、半連続モード、または連続モード で行うこ とができる。バッチ・モードでは、液体のHCC−230faとフッ化水素を通 常、オートクレーブまたは他の適当な反応容器中で混合し、所期の温度に加熱す る。好ましくは、本発明の方法は、液体HCC−230faを、HFまたはHF と、HFとHCC−230faとの反応により生成したフッ素化化合物との混合 物を入れ、所期の温度に保持した反応装置に導入することにより行う。代替方法 として、HFをHCC−230fa、またはHCC−230faと、HFとHC C−230faとの反応により生成したフッ素化化合物の混合物との混合物を入 れた反応装置に導入してもよい。 他の実施例では、HFとHCC−230faの両方を同時に、所期の化学量比 率で、HFと、HFとHCC−230faとの反応により生成したフッ素化化合 物との混合物を反応装置に導入してもよい。 さらに他の実施例では、液体のHCC−230faとHFとを加熱した管状の 反応装置に導入することができる。この反応装置は空であってもよいが、モネル( 登録商標) ・ニッケル合金の削りくずもしくはウール、ハステロイ( 登録商標)・ ニッケル合金の削りくずもしくはウール、または液体のHCC−230faとフ ッ化水素の蒸気とを効率よく混合させる他の材料を充てんしたものが好ましい。 上記の管状反応装置は、反応装置の上部から入るHCC−230faの液体と、 反応装置の下部から導入されるHFの蒸気を垂直に配向させることが好ましい。 HCC−230faの供給速度は反応装置の長さおよび直径、温度、ならびに所 期のフッ素化度によって決まる。所定の温度での供給速度が遅いほど、接触時間 が長くなり、出発原料の変換量と、生成物中のフッ素の量が増大する傾向がある 。 他の実施例では、HCC−230faがHFと反応する第1の反応ゾーンから の流出物が、HFと反応したHCC−230faの量を基準として少なくとも9 0%の総合選択制を有するHFC−236faが生成する第2の反応ゾーンに供 給される。式C32Cl6-xxを有する飽和化合物および/または式C3HCl5 -yyを有するオレフィン系化合物(xは1〜6−zの整数、yは1〜5−zの 整数)と、おそらくいくらかの未反応HCC−230fa(他の飽和化合物)、 および/またはCCl3CH=CCl2(他の不飽和化合物)も第2の反応ゾーン に存在する。HFC−236faの分離後、第2の反応ゾーンから流出するこれ らの飽和化合物およびオレフィン化合物を第1の反応ゾーン、第2の反応ゾーン 、または第1の反応ゾーンと第2の反応ゾーンの両方に再循環する。 段階1でHCC−230faがHFと反応するのに適した温度は、約80℃〜 約200℃、好ましくは約100℃〜約180℃、最も好ましくは約120℃〜 約175℃である。温度が高いほど、HCC−230faの変換率が高くなり、 フッ素化度が増大する。フッ素化度は、出発原料であるHCC−230fa中の 塩素を置換するフッ素の数を反映する。たとえば、生成物1,1−ジクロロ−3 ,3,3−トリフルオロ−1−プロパン、または1,1,1−トリクロロ−3, 3,3−トリフルオロプロパンは、生成物1,1,3−トリクロロ−3,3−ト リフルオロ−1−プロパン、または1,1,1,3−テトラクロロ−3,3−ジ フルオロプロパンより高いフッ素化度を示す。 段階(1)の圧力は重要ではなく、バッチ反応は通常、反応温度における自然 発生的なシステム圧力で行われる。システムの圧力は、HCC−230fa出発 原料中の塩素原子がフッ素原子に置換して生じる塩化水素の量が増大するにつれ て上昇する。連続工程では、反応装置の圧力は、反応により発生するHClが反 応装置から排気されるように圧力を設定することができる。代表的な反応圧力は 、約20psig(239kPa)〜約1000psig(6994kPa)で ある。 段階(1)におけるHFのHCC−230faに対するモル比は、通常約1: 1〜約100:1、好ましくは約1:1〜約20:1、さらに好ましくは約3: 1〜約8:1である。 段階(1)でHCC−230faとHFとの接触により生成するフッ素化飽和 化合物およびフッ素化オレフィン系化合物には、たとえば、1−クロロ−1,3 ,3,3−テトラフルオロ−1−プロパン(HCFC−1224zb)、1,1 −ジクロ ロ−1,3,3,3−テトラフルオロプロパン(HCFC−234fb)、1, 3−ジクロロ−1,1,3,3−テトラフルオロプロパン(HCFC−234f a)、1,1−ジクロロ−3,3,3−トリフルオロ−1−プロパン(HCFC −1223za)、1,1,1−トリクロロ−3,3,3−トリフルオロプロパ ン(HCFC−233fb)、1,1,3−トリクロロ−1,3,3−トリフル オロプロパン(HCFC−233fa)、1,1,3−トリクロロ−3,3−ジ フルオロ−1−プロパン(HCFC−1222za)、3,3,3−トリクロロ −1,1−ジフルオロ−1−プロパン(HCFC−1222zc)、1,1,1 ,3−テトラクロロ−3,3−ジフルオロプロパン(HCFC−232fb)、 1,1,3,3−テトラクロロ−1,3−ジフルオロプロパン(HCFC−23 2fa)、1,1,3,3−テトラクロロ−1,3−ジフルオロ−1−プロパン (HCFC−1221za)、1,3,3,3−テトラクロロ−1−フルオロ−1 −プロパン(HCFC−1221zb)、1,1,1,3,3−ペンタクロロ− 3−フルオロプロパン(HCFC−231fa)などがある。さらに、少量の1 −クロロ−1,1,3,3,3−ペンタフルオロプロパン(HCFC−235f a)および1,1,3,3,3−ペンタフルオロ−1−プロパン(HFC−12 25zc)も、特に触媒が存在する場合生成する。CCl3CH2CCl3を出発 原料として使用すると、CCl3CH=CCl2(他の可能な出発原料)もフッ素 化化合物の他に生成することがある。段階(1)の反応は、約40モル%以下の のHFC−236faを含むフッ素化生成物を生じるように制御する。 注目されるのは、1,1,3,3−テトラクロロ−1,3−ジフルオロプロパ ン(すなわちCCl2FCH2CCl2FまたはHCFC−232fa)、1,1 ,3,3−テトラクロロ−1,3−ジフルオロ−1−プロパン(すなわちCCl2 =CHCCl2FまたはHCFC−1221za)、1,3,3,3−テトラク ロロ−1−フルオロ−1−プロパン(すなわちCClF=CHCCl3またはH CFC−1221zb)、および1,1,1,3,3−ペンタクロロ−3−フル オロプロ パン(すなわちCCl3CH2CCl2FまたはHCFC−231fa)で、これ らは新規の化合物であると考えられる。 HCC−230faをHFと接触させて生成させた飽和化合物C32Cl6-x x(xは1〜6)およびオレフィン系化合物C3HCl5-yy(yは1〜5)は 、少なくとも90モル%の段階(1)における反応生成物、好ましくは少なくと も95モル%の反応生成物、さらに好ましくは少なくとも99モル%の反応生成 物で構成される。 HCC−230faのフッ素化の第1段階では触媒を必要としないが、HCC −230faの変換率、または生成したフッ素化化合物のフッ素化度を増大させ るために必要であれば添加してもよい。フッ素化の第1段階で使用できる(液相 で行う場合)適当な液相フッ素化触媒には、炭素、AlF3、BF3、FeZ3( ZはClおよびFからなるグループから選択された原子)、炭素に保持されたF eZ3、SbCl3-aa(a=0〜3)、AsF3、MCl5-bb(M=Sb、N b、Ta、Mo;b=0〜5)、およびM’Cl4-cc(M’=Sn、Ti、Z r、Hf;c=0〜4)がある。 HCC−230faをHFと接触させて生成させたフッ素化化合物は、直接工 程の次の段階で使用することも、いくつかの精製法のひとつにより精製すること もできる。好ましくは、反応はHCC−230faのフッ素化中に生成するHC lがシステム中に存在する蒸留塔を介して除去されるように行う。同一または異 なる蒸留塔が所期のフッ素化度を有する反応生成物を反応装置から取り出し、未 変換のHCC−230faまたはフッ素化度の低い生成物を、さらに反応を行わ せるために反応装置内に残す。反応装置から取り出されたフッ素化生成物は、次 に蒸発装置または加熱されたゾーンに送られ、ここでフッ素化工程の第2段階で 必要な温度に上昇させる。代替方法として、第1の反応ゾーンでHCC−230 faをHFと接触させて生成した反応流出物全体を蒸発装置または加熱されたゾ ーンに送り、次に任意でさらにHFを添加してフッ素化工程の第2段階に送って もよい。注目されるのは、 段階(1)でのCCl3CH2CCl3の変換率が少なくとも約60%であり、段 階(2)でHFと接触させるCCl3CH2CCl3の、段階(1)で生成され段 階(2)でHFと接触させる飽和化合物およびオレフィン系化合物の合計に対す る、モル比が約2:3より小さいことである。 HCC−230faからHFC−236faを製造する工程では、第1段階で 生成した生成物(すなわち式C32Cl6-xx(xは1〜5)の飽和化合物およ び式C3HCl5-yy(yは1〜5)のオレフィン系化合物)を(必要に応じて 未反応のCCl3CH2CCl3およびCCl3CH=CCl2とともに)気相触媒 の存在下でHFと反応させる。好ましくは、十分な量のこれらの化合物が第1段 階で生成し、HFと反応するCCl3CH2CCl3の量を基準にして、CF3CH2 CF3に対する総合選択度が少なくとも約95%となるように反応させる。 使用できる気相フッ素化触媒には、金属(金属元素、金属酸化物、および/ま たは他の金属塩)、アルミナ、フッ化アルミナ、フッ化アルミニウム、アルミナ 上の金属、フッ化アルミニウム上の金属、フッ化アルミニウム上のフッ化マグネ シウム、フッ化アルミナ上の金属、炭素上のアルミナ、炭素上のフッ化アルミニ ウム、炭素上のフッ化アルミナ、クロム触媒、(たとえばCr23単体またはM gおよび/またはZnなどの他の金属との混合物)、金属の混合物、フッ化アル ミニウムおよびグラファイト、ならびに任意でグラファイト上のクロム・マグネ シウムがある。 触媒として使用するのに適した金属(任意でアルミナ、フッ化アルミニウムま たは炭素上の)には、クロム、VIII族金属(鉄、コバルト、ニッケル、ルテ ニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、白金)、VIIB族 金属(マンガン、レニウム)、IIIB族金属(スカンジウム、イットリウム、 ランタン)、IB族金属(銅、銀、金)、亜鉛および/または原子番号58〜7 1の金属(セリウム、プラセオジム、ネオジム、プロメチウム、サマリウム、ユ ーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビ ウム、ツリウム、イッテルビウム、またはルテチウム)がある。好ましくは、指 示物とともに使用され る場合、触媒の全金属含有量は約0.1〜20重量%、通常約0.1〜10重量 %である。 フッ化アルミナとフッ化アルミニウムは、米国特許第4902838号明細書 に記載の方法で生成することができる。フッ化アルミニウム上の金属と、フッ化 アルミナ上の金属は、米国特許第4766260号明細書に記載の方法で生成す ることができる。クロムからなる触媒は当業界に周知(たとえば米国特許第50 36036号参照)である。アルミナで支持されたクロムは、米国特許第354 1165号明細書に記載の方法で生成することができる。炭素で支持されたクロ ムは、米国特許第3632834号明細書に記載の方法で生成することができる 。クロムおよびマグネシウムからなる触媒は、カナダ特許第2025145号明 細書に記載の方法で生成することができる。他の任意でグラファイト上の金属お よびマグネシウムは、最後の特許明細書と同様の方法で生成することができる。 好ましい気相フッ素化触媒(特にHFと反応したCCl3CH2CCl3の量を 基準にして、HFC−236faに対する選択度が約95%以上であることが望 ましい場合)には、3価クロムからなる触媒がある。特に注目されるのは、(N H42Cr27の熱分解により生成したCr23、表面積が約200m2/gよ り大きいCr23、および蒸発可能なフッ素含有化合物(たとえばHFまたはC Cl3F)とともに前処理した(NH42Cr27の熱分解により生成したCr2 3または表面積が約200m2/gより大きいCr23がある。これらの前処理 した触媒が最も好ましく、少なくとも約90%のHFC−236faに対する選 択度を得るのに適している。 本発明の方法に適した重クロム酸アンモニウムの熱分解により生成したCr2 3触媒は、本明細書に参照として添付された米国特許第4843181号およ び第5036036号明細書に開示された方法を含めて、当業界で周知のどの方 法によっても生成することができる。このような熱分解により得たCr23は、 原料(NH4)2Cr27の製造工程の結果存在する少量の汚染物質を含有してもよ い。 触媒の効果を完全に破壊するものではないが、たとえば汚染物質としてのカリウ ムは、本発明の触媒の活性と寿命に悪影響を与える。カリウムおよび他のアルカ リ金属の量は、重量で100ppm以下であることが望ましい。この量は水洗工 程により減少させることができる。水洗工程の条件は重要ではないが、5〜15 %、好ましくは10%のCr23と脱イオン水を含有するスラリの生成を含む。 この水性スラリを35〜65℃で、少なくとも1時間、好ましくは2時間以上撹 拌する。固形分はプレート・アンド・フレーム型フィルタ・プレスでろ過して回 収する。フィルタ・ケーキはアルカリ金属の含有量を分析することができる。そ の量が重量で100ppm以下(ドライ・ベース)であれば、固形分をその後乾 燥する。そうでない場合は、水洗工程を繰り返して、所期のアルカリ金属含有量 を得る。 本発明の方法に使用することができる他のCr23触媒には、表面積が約20 0m2/gより大きい触媒があり、これらの中には市販されているものがある。 触媒の形態は重要ではなく、ペレット、粉末、または顆粒状として使用するこ とができる。 一般に、得られたCr23は、HFで前処理する。これにより、表面の酸化ク ロムの一部が酸フッ化クロムに変換すると考えられる。この前処理は、Cr23 を適当な容器(本発明の第2の反応段階を行うのに使用する反応装置でよい)に 入れ、その後Cr23が部分的にHFで飽和するように、熱分解および乾燥した Cr23上にHFを通過させることにより行う。これは、HFをCr23上にた とえば15〜300分間、たとえば約200℃〜約450℃の温度で通過させる のが便利である。この前処理の目的は、有機反応物質が表面の酸化クロムをHF でコンディショニングしないで触媒と接触させた場合、高温の反復およびその結 果生じる触媒の粘結による触媒の損傷を防止するためである。それにもかかわら ず、この前処理は必須ではなく、高温および触媒の粘結の問題を回避するため、 最初の工程条件および装置を選択することができる。 工程の態様は各種の方法で組み合わせることができる。たとえば、段階(1) で、 CCl3CH2CCl3を第1の反応ゾーンで液相でHFと反応させ、式C32x Cl6-xを有する飽和化合物および式C3HFyCl5-yを有するオレフィン系化合 物からなるグループから選択した化合物を上記第1の反応ゾーンから200℃未 満の温度で蒸発させ、第2の反応ゾーンに供給し、(2)の接触を上記第2の反 応ゾーンで行う。注目すべきことは、段階(1)を第1の反応ゾーンで行い、( 2)を第2の反応ゾーンで行い、第1の反応ゾーンからの流出物の実質的に全量 を第2の反応ゾーンに供給する実施例、および段階(1)を第1の反応ゾーンで 行い、(2)を第2の反応ゾーンで行い、式C32xCl6-xを有する飽和化合 物および式C3HFyCl5-yを有するオレフィン系化合物からなるグループから 選択した化合物を第1の反応ゾーン、第2の反応ゾーン、または第1および第2 の反応ゾーンの両方に再循環する実施例である。 上記の詳細な説明はHCC−230faからのHFC−236faの製造に重 点を置いているが、他の出発原料および生成物も使用することができる。たとえ ば、ヘキサクロロプロパン(CCl2=CClCCl3)を出発原料として使用し て、HCFC−226da(CF3CHClCF3)またはHCFC−225da (CF3CHClCClF2)を生成させたり、1,1,1,3,3−ペンタクロ ロプロパン(CCl3CH=CCl2)を出発原料として使用して、HFC−23 6fa(CF3CH2CF3)またはHCFC−235fa(CF3CH2CClF2 )を生成させたり、1,1,1,3,3−ペンタクロロプロパン(HCC−24 0fa)を出発原料として使用して、1,1,1,3,3−ペンタフルオロプロ パン(HFC−245fa)を生成させたりすることができる。HFをヘキサク ロロプロパンまたはHCC−240faなどと接触させて生成させたフッ素化化 合物はもちろん、HFをHCC−230faとの反応により生成させたものと異 なる。HCFC−226daはHFC−236faの貴重な中間生成物であり、 HCFC−235faはCF3CH=CHF(重合原料)を生成する中間生成物 であり、HCFC−225daは洗浄用溶剤として有用であり、HFC−245 faは発泡剤としてC FC−11の代用となる。 反応ゾーンおよびこれに伴う供給ライン、流出ライン、および付属するユニッ トは、耐フッ化水素性の材料で製造すべきである。 フッ素化技術で周知の代表的構築材料には、ステンレス・スチール、特にオー ステナイト系、モネル( 登録商標)・ニッケル・銅合金、ハステロイ( 登録商標)・ ニッケルを主体とする合金、インコネル( 登録商標)・ニッケル・クロム合金など 、周知のニッケル合金、および銅をクラディングした鋼鉄がある。シリコン・カ ーバイドも反応装置の製造に適している。 当業者には、本明細書の記述により、特に努力をすることなく、本発明を十分 に利用することができると考えられる。したがって、下記の好ましい実施例は、 単に説明のためのものであり、開示の残りの部分をどのような形ででも制限する ものではない。 実施例 凡例 HFC−236fa CF3CH2CF3 HCFC−235fa CF3CH2CCIF2 HCFC−234fb CF3CH2CCl2F HCFC−1223za CF3CH=CCl2 HCC−230fa CCl3CH2CCl3 例1 触媒の存在下での、1,1,1,3,3,3−ヘキサクロロプロパンとHFの反 磁気駆動撹拌機、圧力変換器、気相サンプル採取バルブ、熱ウェル、およびバ ルブを装着した160mlのハステロイ( 登録商標)Cニッケル合金製パー型反応 装置に、HF50g(2.5モル)を真空移送した。このオートクレーブを0℃ に冷却し、 窒素で加圧したシリンダを介してHCC−230fa10.3g(0.041モ ル)を入れた。14℃における圧力は56psig(487kPa)であった。 次にオートクレーブを120℃に加熱するように設定した。15分の間に、温 度は133℃に達し、圧力は333psig(2397kPa)になった。約7 分のうちに、温度は120℃に低下し、120℃における圧力は327psig (2355kPa)から382psig(2734kPa)に、約1.8時間で 上昇した。 この時点で、反応装置の蒸気のサンプルは下記の組成であった。 組成 GC面積% 236fa 0.9 235fa 1.6 234fb 24.4 1223za 69.6 未知の物質 2.0 比較例A 四塩化ジルコニウム存在下での1,1,1,3,3,3−ヘキサクロロプロパン HFの反応 磁気駆動撹拌機、圧力変換器、気相サンプル採取バルブ、熱ウェル、およびバ ルブを装着した160mlのハステロイ( 登録商標)Cニッケル合金製パー型反応 装置に、ZrCl49.1g(0.039モル)を入れ、反応装置を密閉して、 HF50g(2.5モル)を真空移送した。このオートクレーブを8℃に冷却し 、15分撹拌した。圧力は103psig(811kPa)に上昇し、最終温度 は15℃となった。オートクレーブを0psig(101kPa)に減圧した後 、窒素で加圧したシリンダを介してHCC−230fa10.1g(0.040 モル)を入れた。 次にオートクレーブを120℃に加熱するように設定した。17分の間に、温 度は120℃に達し、圧力は272psig(1976kPa)になった。温度 を1 20℃で2時間保持したところ、圧力は440psig(3134kPa)にな った。 この時点で、反応装置の蒸気のサンプルは下記の組成であった。 組成 GC面積% 236fa 0.2 235fa 3.5 234fb 73.4 1223za 21.7 これらの結果を例1と比較すると、CCl3CH2CCl3とのHF交換反応は 、触媒を添加下も触媒を添加しなくても、類似した結果を示している。主要な差 異は、1223za(CF3CH=CCl2)と234fb(CF3CH2CCl2 F)の量で、これらは2回の実験で逆転している。CF3CH=CCl2はHFの 添加により容易にCF3CH2CCl2Fに変換する。 例2 触媒を添加しないで予備反応装置中で1,1,1,3,3,3−ヘキサクロロプ ロパンとHFの反応を行った後、酸化クロム触媒上に予備反応装置からの流出物 を流しての気相反応 液体HCC−230faを、一方の水平ポートを介して、1/16インチ(1 .6mm)のステンレス・スチール製チューブを使用して、1/4インチ(6. 4mm)のステンレス・スチール製スウェージロック( 登録商標)・クロスの中央 に直接導入した。他方の水平ポートはこの実験では使用しなかった。1/4イン チ(6.4mm)のモネル( 登録商標)・ニッケル合金製円盤をクロスの底部ポー トに圧入して、HCC−230faとHFとの反応に不活性な面として機能させ た。HFの蒸気を、底部ポートとモネル( 登録商標)・ニッケル合金製円盤を介し て上方に通過させ、液体のHCC−230faと反応させた。次に、反応生成物 をクロスの上部ポートを通過さ せ、加熱した1/4インチ(6.4mm)のステンレス・スチール製チューブ( 約36インチ(914mm))を介して、重クロム酸アンモニウムの熱分解で生 成し、12/20メッシュ(1.68/0.84mm)に粉砕した酸化クロム触 媒17.12g(約13ml)を充填した15インチ(381mm)×1/2イ ンチ(1.3mm)のインコネル( 登録商標)600合金のチューブである気相反 応装置に供給した。 HCC−230fa(1.09ml/時間、2.9sccm、4.8×10-8 3/秒)と無水HF(27.4sccm、4.6×10-73/秒)を315時 間供給したが、気相触媒の不活性化は見られなかった。下表は、各条件(各条件 は1時間毎に行った6回の連続ガスクロマトグラフィ分析の平均)の要約を示す 。 1VPは気相反応装置の温度を示す。 HFC−236faの収率は、反応装置流出物中のHCC−230faのモル 数/仕込み原料中のHCC−230faのモル数として算出した。 例3 触媒を使用しないHFと1,1,1,3,3,3−ヘキサクロロプロパンとの反 応生成物と、 酸化クロム触媒上のHFとの気相反応 15インチ(381mm)×3/8インチ(9.5mm)のハステロイ( 登録 商標) ・ニッケル合金のチューブに、Cr23(12−20メッシュ、1.4− 0.83 mm)2.29g(2ml)を充填した。触媒は窒素でパージしながら(50s ccm、8.3×10-73/秒)200℃に17時間加熱して活性化させた。 HF(50sccm、8.3×10-73/秒)を15分間流した。40分間窒 素の流れを減少させ(20sccm、3.3×10-73/秒)、HFの流れを 増加させた(80sccm、1.3×10-63/秒)。温度は段階的に、1時 間250℃、65分間300℃、85分間350℃、95分間400℃に上昇さ せた。その後温度を200℃に低下させ、85分間保った。 触媒を使用しないで175℃でCCl3CH2CCl3とHFとの液相反応生成 物で、主としてCCl2FCH2CF3、CCl2=CHCF3、CCl3CH2CF3 、CCl3CH2CClF2で構成される液体混合物を、上記触媒を充填した反応 装置に274℃で流速3.9sccm(6.5×10-83/秒、1.16ml /時間)で通過させた。同時にHFを、上記触媒を充填した反応装置に、流速3 7.3sccm(6.2×10-73/秒)で通過させた。気体流出物をGC/ MSで分析したところ、CF3CH2CF3の相対面積は>99%であることが判 明した。この流速では、CF3CH2CF3が224〜274℃で観察される唯一 の有機物であった。 例4 2%Co/アルミナ・フッ素化触媒 この触媒は、米国特許第4766260号明細書に記載の方法で調製した。触 媒(1.18g、2ml)の活性化およびCCl3CH2CCl3のフッ素化生成 物の反応方法は、例3に使用したものと同一とした。その結果を表に示すが、C Tは接触時間(秒)であり、百分率はGC/MSにより得られた面積%である。 例5 2%Zn/アルミナ・フッ素化触媒 この触媒は、米国特許第5300711号明細書に記載の方法で調製した。触 媒の活性化、およびCCl3CH2CCl3のフッ素化生成物の反応方法は、例3 に使用したものと同一とした。その結果を表に示すが、CTは接触時間(秒)で あり、百分率はGC/MSにより得られた面積%である。 例6 触媒を使用しない1,1,1,3,3−ペンタクロロプロパンとHFとの反応 磁気駆動撹拌機、圧力変換器、気相サンプル採取バルブ、熱ウエル、およびバ ルブを装着した160mlのハステロイ( 登録商標)Cニッケル合金製パー型反応 装置に、HF50g(2.5モル)を真空移送した。このオートクレーブを0℃ に冷却し、窒素で加圧したシリンダを介して1,1,1,3,3−ペンタクロロ プロパン(CCl3CH2CHCl2またはHCC−240fa)9.9g(0. 046モル)を入れた。17℃における圧力は51psig(444kPa)で あった。 次にオートクレーブを120℃に加熱するように設定した。25分の間に、温 度は120℃に達し、圧力は280psig(2015kPa)になった。温度 を120℃に2.2時間保持した。この時圧力は405psig(2917kP a)に上昇した。 この時点で、反応装置の蒸気のサンプルは下記の組成であった。成分 GC面積% CF3CH=CHF 1.1 CF3CH2CHF2 3.1 CF3CH=CHCl 91.1 CF3CH2CHClF 3.1 C3H2ClF3異性体 2.0 C3H3Cl2F3 異性体 0.1 未知の物質(2) 1.1
【手続補正書】特許法第184条の8第1項 【提出日】1998年3月13日(1998.3.13) 【補正内容】 CCl3CH2CCl3(HCC−230fa)は高沸点(101.3kPaで 沸点206℃)液体である。触媒を用いた気相反応装置を効率的に使用するには 、HCC−230faを蒸気として反応装置に導入する必要がある。液体を直接 触媒床に導入すると、触媒が不活性化することは当業者によく知られている。標 準的設計の蒸発装置でHCC−230faを蒸発させると、HCl、CCl3C H=CCl2、および特に、塩素化された6個の炭素原子を有する化合物、ター ルなどの好ましくない高沸点材料がかなり劣化する原因となる。さらに、フッ素 と塩素との交換反応は、通常高度に発熱反応である。触媒を用いた反応装置中で HCC−230faの6個の塩素全部をフッ素と置換してHFC−236faを 生成させると、熱管理の問題が生じることがある。 発明の概要 本発明により、式CF3CHXCF3-zz(XおよびYは独立にHおよびCl からなるグループから選択され、zは0または1)の化合物の製法が提供される 。この方法は、(1)式CCl3CHXCCl3-zzの化合物と、式CCl2-zz =CXCCl3の化合物と、式CCl2=CXCCl3-zzの化合物と、これら の混合物とからなるグループから選択された出発原料を200℃未満の温度でフ ッ化水素と接触させて、少なくとも90モル%の、式C3HXYzCl6-z-xxを 有する飽和化合物と、式C3XYzCl5-z-yyを有するオレフィン系化合物(x は1〜6−zの整数、yは1〜5−zの整数)とからなるグループから選択され た化合物を含み、約40モル%以下のCF3CHXCF3-zzを含む上記出発原 料のフッ素化生成物を生成し、(2)上記(1)で生成した上記飽和化合物と、 上記オレフィン系化合物とからなるグループから選択された化合物とを気相で2 00℃〜約400℃の温度で、フッ素化触媒の存在下でフッ化水素と 接触させ、(3)十分な量の上記(1)で生成した上記飽和化合物(xは1〜5 −zの整数)と、上記オレフィン系化合物とを気相で200℃〜約400℃の温 度で、(1)および(2)においてHFと反応させた出発原料の量を基準にして 、CF3CHXCF3-zzに対して少なくとも約90%の総合選択性を与えるよ うに、気相フッ素化触媒の存在下でフッ化水素と反応させる工程からなる。 詳細な説明 本発明の方法は特に、CCl3CH2CCl3(すなわちHCC−230fa) を出発原料とする、CF3CH2CF3(すなわちXがH、zが0である化合物) の製造に関するものである。HCC−230faの比較的高温での気相反応に関 連する問題は、第1段階でHCC−230faを予備フッ素化させ、第2の、気 相段階でフッ素化を完了することにより軽減される。さらに、HCC−230f aをフッ素化アルカンとフッ素化アルケンとの混合物にすることにより、タール 生成に関して純粋なHCC−230faより熱安定性の高い生成物が得られる。 また、HCC−230faの予備フッ素化により得られるフッ素化アルカンとフ ッ素化アルケンとの混合物は、HCC−230faそのものより低温で蒸発する 。このことは、蒸発装置での問題が減少することを意味する。 したがって、本発明の方法は、CCl3CH2CCl3(HCC−230fa) からCF3CH2CF3(HFC−236fa)を製造する多段階法を提供する。 工程の第1段階では、HCC−230faをフッ化水素(HF)に接触させ、フ ッ素化化合物の混合物を生成させる。使用するフッ化水素は無水物とすべきであ る。HCC−230faとHFとの接触は、いくつかの方法のひとつで、液相で 行われる。本発明の方法は、バッチ・モード、半連続モード、または連続モード で行うことができる。バッチ・モードでは、液体のHCC−230faとフッ化 水素を通常、オートクレーブまたは他の適当な反応容器中で混合し、所期の温度 に加熱する。好ましくは、本発明の方法は、液体HCC−230faを、HFま たはHFと、HF とHCC−230faとの反応により生成したフッ素化化合物との混合物を入れ 、所期の温度に保持した反応装置に導入することにより行う。代替方法として、 HFをHCC−230fa、またはHCC−230faと、HFとHCC−23 0faとの反応により生成したフッ素化化合物の混合物との混合物を入れた反応 装置に導入してもよい。 請求の範囲 1.式CF3CHXCF3-zz(XおよびYは独立にHおよびClからなるグル ープから選択され、zは0または1)の化合物の製法において、 (1)式CCl3CHXCCl3-zzの化合物と、これらの混合物とからなる グループから選択された出発原料を200℃未満の温度でフッ化水素と接触させ て、少なくとも90モル%の、式C3HXYzCl6-z-xxを有する飽和化合物と および式C3XYzCl5-z-yyを有するオレフィン系化合物(xは1〜6−zの 整数、yは1〜5−zの整数)とからなるグループから選択された化合物を含み 、約40モル%以下のCF3CHXCF3-zzを含む上記出発原料のフッ素化生 成物を生成する工程と、 (2)上記(1)で生成した上記飽和化合物と、上記オレフィン系化合物とか らなるグループから選択された化合物とを気相で200℃〜約400℃の温度で 、フッ素化触媒の存在下でフッ化水素と接触させる工程と、 (3)十分な量の上記(1)で生成した上記飽和化合物(xは1〜5−zの整 数)と上記オレフィン系化合物とを、気相で200℃〜約400℃の温度で、( 1)および(2)においてHFと反応させた出発原料の量を基準にして、CF3 CHXCF3-zzに対して少なくとも約90%の総合選択性を与えるように、気 相フッ素化触媒の存在下でフッ化水素と反応させる工程と を含むことを特徴とする方法。 2.CF3CH2CF3が、CCl3CH2CCl3出発原料から生成されることを特 徴とする請求項1に記載の方法。 3.上記(2)および(3)における気相フッ素化触媒が、3価クロムからなる 触媒であることを特徴とする請求項2に記載の方法。 4.気相フッ素化触媒が、(NH42Cr27を熱分解してCr23を生成し、 HFにより前処理することにより得られる触媒、および表而積が約200m2/ gより大きいCr23をHFにより前処理することにより得られる触媒からなる グループから選択されることを特徴とする請求項3に記載の方法。 5.十分な量の上記飽和化合物(xは1〜5)と、上記オレフィン系化合物とを 反応させ、HFと反応させたCCl3CH2CCl3の量を基準にして、CF3CH2 CF3に対して少なくとも約95%の総合選択性を与えることを特徴とする請求 項4に記載の方法。 6.上記(1)において、CCl3CH2CCl3を第1の反応ゾーンで、液相で HFと反応させ、式C32xCl6-xを有する飽和化合物と、式C3HFyCl5- y を有するオレフィン系化合物とからなるグループから選択された化合物を、上 記第1の反応ゾーンから200℃未満の温度で蒸発させて第2の反応ゾーンに供 給し、上記(2)における接触を上記第2の反応ゾーンで行わせることを特徴と する請求項2に記載の方法。 7.上記(1)において、CCl3CH2CCl3を、炭素、AlF3、BF3、F eZ3ならびに炭素に保持されたFeZ3(ZはClおよびFからなるグループか ら選択された元素)、SbCl3-aa(aは0〜3)、AsF3、MCl5-bb (MはSb、Nb、Ta、Moからなるグループから選択された元素、bは0〜 5)、およびM’Cl4-cc(M’はSn、Ti、Zr、Hfからなるグループ から選択された元素、cは0〜4)からなるグループから選択された液相フッ素 化触媒の存在下でHFと液相で反応させることを特徴とする請求項2に記載の方 法。 8.上記(1)を第1の反応ゾーンで行い、(2)を第2の反応ゾーンで行い、 第1の反応ゾーンからの流出物のほぼ全量を第2の反応ゾーンに供給することを 特徴とする請求項2に記載の方法。 9.上記(1)を第1の反応ゾーンで行い、(2)を第2の反応ゾーンで行い、 第2の反応ゾーンからの流出物中の、式C32xCl6-xを有する飽和化合物と 、式C3HFyCl5-yを有するオレフィン系化合物とからなるグループから選択 された化合物を、第1の反応ゾーン、第2の反応ゾーン、または第1および第2 の両反応ゾーンに再循環させることを特徴とする請求項2に記載の方法。 10.式CF3CHXCF3-zz(XおよびYは独立にHおよびClからなるグ ループから選択され、zは0または1)の化合物の製法において、 (1)式CCl3CHXCCl3-zzの化合物と、式CCl2-zz=CXCC l3の化合物と、式CCl2=CXCCl3-zzの化合物と、これらの混合物とか らなるグループから選択された出発原料を200℃未満の温度でフッ化水素と接 触させて、少なくとも90モル%の、式C3HXYzCl6-z-xxを有する飽和化 合物と、式C3XYzCl5-z-yyを有するオレフィン系化合物(xは1〜6−z の整数、yは1〜5−zの整数)とからなるグループから選択された化合物を含 み、約40モル%以下のCF3CHXCF3-zzを含む上記出発原料のフッ素化 生成物を生成する工程と、 (2)上記(1)で生成した上記飽和化合物と、上記オレフィン系化合物とか らなるグループから選択された化合物とを気相で200℃〜約400℃の温度で 、3価クロムからなるフッ素化触媒の存在下でフッ化水素と接触させる工程と、 (3)十分な量の上記(1)で生成した上記飽和化合物(xは1〜5−zの整 数)と、上記オレフィン系化合物とを気相で200℃〜約400℃の温度で、( 1)および(2)においてHFと反応させた出発原料の量を基準にして、CF3 CHXC F3-zzに対して少なくとも約90%の総合選択性を与えるように、3価クロム からなる気相フッ素化触媒の存在下でフッ化水素と反応させる工程と を含むことを特徴とする方法。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 EP(AT,BE,CH,DE, DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,IT,L U,MC,NL,PT,SE),OA(BF,BJ,CF ,CG,CI,CM,GA,GN,ML,MR,NE, SN,TD,TG),AP(GH,KE,LS,MW,S D,SZ,UG),EA(AM,AZ,BY,KG,KZ ,MD,RU,TJ,TM),AL,AM,AU,AZ ,BA,BB,BG,BR,BY,CA,CN,CU, CZ,EE,GE,HU,IL,IS,JP,KG,K P,KR,KZ,LC,LK,LR,LT,LV,MD ,MG,MK,MN,MX,NO,NZ,PL,RO, RU,SG,SI,SK,TJ,TM,TR,TT,U A,US,UZ,VN,YU (72)発明者 ウォーワズ,エドウィン,ジェイ. アメリカ合衆国 19807 デラウェア州 ウィルミントン ヴィニング レーン 7

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.式CF3CHXCF3-zz(XおよびYは独立にHおよびClからなるグル ープから選択され、zは0または1)の化合物の製法において、 (1)式CCl3CHXCCl3-zzの化合物と、式CCl2-zz=CXCC l3の化合物と、式CCl2CX=CCl3-ZZの化合物と、これらの混合物とか らなるグループから選択された出発原料を200℃未満の温度でフッ化水素と接 触させて、少なくとも90モル%の、式C3HXYzCl6-z-xxを有する飽和化 合物とおよび式C3XYZCl5-Z-yyを有するオレフィン系化合物(xは1〜6 −zの整数、yは1〜5−zの整数)とからなるグループから選択された化合物 を含み、約40モル%以下のCF3CHXCF3-zzを含む上記出発原料のフッ 素化生成物を生成する工程と、 (2)上記(1)で生成した上記飽和化合物と、上記オレフィン系化合物とか らなるグループから選択された化合物とを気相で200℃〜約400℃の温度で 、フッ素化触媒の存在下でフッ化水素と接触させる工程と、 (3)十分な量の上記(1)で生成した上記飽和化合物(xは1〜5−zの整 数)と上記オレフィン系化合物とを、気相で200℃〜約400℃の温度で、( 1)および(2)においてHFと反応させた出発原料の量を基準にして、CF3 CHXCF3-zzに対して少なくとも約90%の総合選択度を与えるように、気 相フッ素化触媒の存在下でフッ化水素と反応させる工程と を含むことを特徴とする方法。 2.CF3CH2CF3が、CCl3CH2CCl3出発原料から生成されることを特 徴とする請求項1に記載の方法。 3.上記(2)および(3)における気相フッ素化触媒が、3価クロムからなる 触 媒であることを特徴とする請求項2に記載の方法。 4.気相フッ素化触媒が、(NH42Cr27を熱分解してCr23を生成し、 HFにより前処理することにより得られる触媒、および表面積が約200m2/ gより大きいCr23をHFにより前処理することにより得られる触媒からなる グループから選択されることを特徴とする請求項3に記載の方法。 5.十分な量の上記飽和化合物(xは1〜5)と、上記オレフィン系化合物とを 反応させ、HFと反応させたCCl3CH2CCl3の量を基準にして、CF3CH2 CF3に対して少なくとも約95%の総合選択度を与えることを特徴とする請求 項4に記載の方法。 6.上記(1)において、CCl3CH2CCl3を第1の反応ゾーンで、液相で HFと反応させ、式C32XCl6-Xを有する飽和化合物と、式C3HFyCl5- y を有するオレフィン系化合物とからなるグループから選択された化合物を、上 記第1の反応ゾーンから200℃未満の温度で蒸発させて第2の反応ゾーンに供 給し、上記(2)における接触を上記第2の反応ゾーンで行わせることを特徴と する請求項2に記載の方法。 7.上記(1)において、CCl3CH2CCl3を、炭素、AlF3、BF3、F eZ3ならびに炭素に保持されたFeZ3(ZはClおよびFからなるグループか ら選択された元素)、SbCl3-aa(aは0〜3)、AsF3、MCl5-bb (MはSb、Nb、Ta、Moからなるグループから選択された元素、bは0〜 5)、およびM’Cl4cc(M’はSn、Ti、Zr、Hfからなるグルー プから選択された元素、cは0〜4)からなるグループから選択された液相フッ 素化触媒の存在下でHFと液相で反応させることを特徴とする請求項2に記載 の方法。 8.上記(1)において、CCl3CH2CCl3の変換率が約60%、上記(2) においてHFと接触させるCCl3CH2CCl3と、(2)においてHFと接触 させる(1)において生成する飽和化合物およびオレフィン系化合物との合計と のモル比が、2:3より小さいことを特徴とする請求項2に記載の方法。 9.上記(1)を第1の反応ゾーンで行い、(2)を第2の反応ゾーンで行い、 第1の反応ゾーンからの流出物のほぼ全量を第2の反応ゾーンに供給することを 特徴とする請求項2に記載の方法。 10.上記(1)を第1の反応ゾーンで行い、(2)を第2の反応ゾーンで行い 、第2の反応ゾーンからの流出物中の、式C32XCl6-xを有する飽和化合物 と、式C3HFyCl5-yを有するオレフィン系化合物とからなるグループから選 択された化合物を、第1の反応ゾーン、第2の反応ゾーン、または第1および第 2の両反応ゾーンに再循環させることを特徴とする請求項2に記載の方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004507515A (ja) * 2000-09-02 2004-03-11 イネオス フラウアー ホールデイングス リミテッド ハイドロフルオロアルカンの製造

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB9802487D0 (en) * 1998-02-06 1998-04-01 Ici Plc Production of heptafluoropane
US6547655B1 (en) * 2001-06-29 2003-04-15 Schaffner Manufacturing Company, Inc. Flame-resistant buffing wheel and method
US20030028057A1 (en) * 2001-07-20 2003-02-06 Stephen Owens Methods and materials for the preparation and purification of halogenated hydrocarbons
US20050177012A1 (en) * 2001-07-20 2005-08-11 Pcbu Services, Inc. Halocarbon production processes, halocarbon separation processes, and halocarbon separation systems
US7094936B1 (en) * 2001-07-20 2006-08-22 Great Lakes Chemical Corporation Process for preparing halogenated alkanes
US7880040B2 (en) * 2004-04-29 2011-02-01 Honeywell International Inc. Method for producing fluorinated organic compounds
AU2004281282A1 (en) 2003-10-14 2005-04-28 E.I. Dupont De Nemours And Company Process for the preparation of 1,1,1,3,3-pentafluoropropane and 1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane
KR101125343B1 (ko) 2003-10-14 2012-03-27 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 1,1,1,2,3,3-헥사플루오로프로판 및1,1,1,2,3,3,3-헵타플루오로프로판 중 1종 이상 및1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판의 제조 방법
US9308199B2 (en) * 2004-04-29 2016-04-12 Honeywell International Inc. Medicament formulations
US8383867B2 (en) * 2004-04-29 2013-02-26 Honeywell International Inc. Method for producing fluorinated organic compounds
JP4864879B2 (ja) * 2004-04-29 2012-02-01 ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド 1,3,3,3−テトラフルオロプロペンの合成方法
US7659434B2 (en) * 2004-04-29 2010-02-09 Honeywell International Inc. Method for producing fluorinated organic compounds
US7951982B2 (en) * 2004-04-29 2011-05-31 Honeywell International Inc. Method for producing fluorinated organic compounds
US7674939B2 (en) * 2004-04-29 2010-03-09 Honeywell International Inc. Method for producing fluorinated organic compounds
US20060036117A1 (en) * 2004-08-10 2006-02-16 Mitchel Cohn Catalyst preparation processes, catalyst regeneration processes, halocarbon production processes, and halocarbon production systems
EP1838648A1 (en) * 2004-12-22 2007-10-03 E.I. Dupont De Nemours And Company Photochlorination and fluorination process for preparation of fluorine-containing hydrocarbons
EP1831141A1 (en) * 2004-12-22 2007-09-12 E.I. Dupont De Nemours And Company Process for the production of 1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane
EP2336102A1 (en) * 2005-11-03 2011-06-22 Honeywell International Inc. Method for producing fluorinated organic compounds
US20070106099A1 (en) * 2005-11-10 2007-05-10 Pcbu Services, Inc. Production processes and systems
CN101528645B (zh) 2006-10-31 2013-10-30 纳幕尔杜邦公司 氟丙烷、卤代丙烯以及2-氯-3,3,3-三氟-1-丙烯与hf的共沸组合物和1,1,1,2,2-五氟丙烷与hf的共沸组合物的制备方法
US9724684B2 (en) 2011-02-21 2017-08-08 The Chemours Company Fc, Llc Selective catalytical dehydrochlorination of hydrochlorofluorocarbons
US9018428B2 (en) * 2012-09-06 2015-04-28 Honeywell International Inc. Reactor and agitator useful in a process for making 1-chloro-3,3,3-trifluoropropene

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1443616C3 (de) * 1963-11-13 1974-05-09 Chemische Fabrik Von Heyden Gmbh, 8000 Muenchen Verbessertes Verfahren zur Fluorierung und Polyfluorierung von Chlor enthaltenden niederen aliphatischen Halogenkohlenwasserstoffen
BE1005096A3 (fr) * 1991-07-10 1993-04-20 Solvay Procede pour la preparation de 1-chloro-1,1,3,3,3-pentafluoropropane et de 1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane.
US5414165A (en) * 1994-07-29 1995-05-09 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for the manufacture of 1,1,1,3,3,3,-hexafluoropropane
US5616819A (en) * 1995-08-28 1997-04-01 Laroche Industries Inc. Process for preparing fluorinated aliphatic compounds

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004507515A (ja) * 2000-09-02 2004-03-11 イネオス フラウアー ホールデイングス リミテッド ハイドロフルオロアルカンの製造

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