JP2000358384A - 電力制御装置 - Google Patents
電力制御装置Info
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- JP2000358384A JP2000358384A JP11166744A JP16674499A JP2000358384A JP 2000358384 A JP2000358384 A JP 2000358384A JP 11166744 A JP11166744 A JP 11166744A JP 16674499 A JP16674499 A JP 16674499A JP 2000358384 A JP2000358384 A JP 2000358384A
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- power supply
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 過電圧抑制用サイリスタの小容量化および過
電圧抑制抵抗の削減を図り、装置の小型化、低コスト化
のできる電力制御装置を得る。 【解決手段】 過電圧抑制用サイリスタ１３をブレーキ
チョッパ６のスイッチング半導体素子６ｃのゲートに接
続することにより、直流電源１の過電圧時や制御用電源
１２の停電時に過電圧抑制用サイリスタ１３を点弧さ
せ、スイッチング半導体素子６ｃのゲートに電圧を印加
し、スイッチング半導体素子６ｃをオンさせ、フィルタ
コンデンサ４の電荷を発電エネルギー吸収用の抵抗６ａ
とスイッチング半導体素子６ｃを介して放電させる。
電圧抑制抵抗の削減を図り、装置の小型化、低コスト化
のできる電力制御装置を得る。 【解決手段】 過電圧抑制用サイリスタ１３をブレーキ
チョッパ６のスイッチング半導体素子６ｃのゲートに接
続することにより、直流電源１の過電圧時や制御用電源
１２の停電時に過電圧抑制用サイリスタ１３を点弧さ
せ、スイッチング半導体素子６ｃのゲートに電圧を印加
し、スイッチング半導体素子６ｃをオンさせ、フィルタ
コンデンサ４の電荷を発電エネルギー吸収用の抵抗６ａ
とスイッチング半導体素子６ｃを介して放電させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、電気車などのモ
ータドライブ制御装置の過電圧防止および電動機の発電
エネルギー吸収用の回路を有する電力制御装置に関する
ものである。
ータドライブ制御装置の過電圧防止および電動機の発電
エネルギー吸収用の回路を有する電力制御装置に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は、例えば特開昭６２−２５０８７
８号公報に示された従来の放電用サイリスタ回路を用い
た３相誘導電動機のインバータ制御装置を示す図であ
り、１は直流電源、２は断流器、３はフィルタリアクト
ル、４はフィルタコンデンサ、５は電力変換回路である
三相インバータ、５Ｕ、５Ｖ、５Ｗ、５Ｘ、５Ｙ、５Ｚ
はそれぞれダイオードが逆並列された３相インバータを
構成するスイッチング半導体素子、７は三相誘導電動
機、６は三相誘導電動機７の発電エネルギーを吸収制御
するブレーキチョッパ、６ａは発電エネルギーを吸収す
る抵抗、６ｂはフライホイールダイオード、６ｃは発電
エネルギーの吸収量を制御するダイオードが逆並列接続
されたスイッチング半導体素子、８は過電圧抑制抵抗、
９は過電圧抑制用サイリスタ、１０は直流電源１の電圧
やフィルタコンデンサ４の電圧が過電圧になったときや
制御用電源電圧が低下・停電したときに過電圧抑制用サ
イリスタ９を点弧するためのサイリスタ点弧回路、１１
は三相インバータ５を構成するスイッチング半導体素子
５Ｕ〜５Ｚを順番に点弧させるためのゲート制御回路、
１２はゲート制御回路１１やサイリスタ点弧回路１０に
電源を供給する制御用電源である。
８号公報に示された従来の放電用サイリスタ回路を用い
た３相誘導電動機のインバータ制御装置を示す図であ
り、１は直流電源、２は断流器、３はフィルタリアクト
ル、４はフィルタコンデンサ、５は電力変換回路である
三相インバータ、５Ｕ、５Ｖ、５Ｗ、５Ｘ、５Ｙ、５Ｚ
はそれぞれダイオードが逆並列された３相インバータを
構成するスイッチング半導体素子、７は三相誘導電動
機、６は三相誘導電動機７の発電エネルギーを吸収制御
するブレーキチョッパ、６ａは発電エネルギーを吸収す
る抵抗、６ｂはフライホイールダイオード、６ｃは発電
エネルギーの吸収量を制御するダイオードが逆並列接続
されたスイッチング半導体素子、８は過電圧抑制抵抗、
９は過電圧抑制用サイリスタ、１０は直流電源１の電圧
やフィルタコンデンサ４の電圧が過電圧になったときや
制御用電源電圧が低下・停電したときに過電圧抑制用サ
イリスタ９を点弧するためのサイリスタ点弧回路、１１
は三相インバータ５を構成するスイッチング半導体素子
５Ｕ〜５Ｚを順番に点弧させるためのゲート制御回路、
１２はゲート制御回路１１やサイリスタ点弧回路１０に
電源を供給する制御用電源である。
【０００３】次に動作を説明する。サイリスタ９は通常
オフさせておく。断流器２を投入すると、直流電源１の
電圧がフィルタリアクトル３を介してフィルタコンデン
サ４に充電される。この状態で、ゲート制御回路１１に
よりスイッチング半導体素子５Ｕ〜５Ｚを順番に点弧さ
せることによって三相誘導電動機７は三相交流電圧を与
えられ回転を加速する。この状態を通常、「力行」とい
う。また、三相誘導電動機７の回転を減速させる場合
は、三相誘導電動機７の発電エネルギーをフィルタコン
デンサ４や直流電源１に吸収させる。この状態を通常、
「回生」という。この回生時、直流電源１の内部インピ
ーダンスが高い場合には、上記発電エネルギーが吸収し
きれずに直流電源１やフィルタコンデンサ４の直流電圧
が上昇する。このような場合にはブレーキチョッパ６の
スイッチング半導体素子６ｃをスイッチングさせ、抵抗
６ａによって上記発電エネルギーを吸収し直流電圧の上
昇を防止する。
オフさせておく。断流器２を投入すると、直流電源１の
電圧がフィルタリアクトル３を介してフィルタコンデン
サ４に充電される。この状態で、ゲート制御回路１１に
よりスイッチング半導体素子５Ｕ〜５Ｚを順番に点弧さ
せることによって三相誘導電動機７は三相交流電圧を与
えられ回転を加速する。この状態を通常、「力行」とい
う。また、三相誘導電動機７の回転を減速させる場合
は、三相誘導電動機７の発電エネルギーをフィルタコン
デンサ４や直流電源１に吸収させる。この状態を通常、
「回生」という。この回生時、直流電源１の内部インピ
ーダンスが高い場合には、上記発電エネルギーが吸収し
きれずに直流電源１やフィルタコンデンサ４の直流電圧
が上昇する。このような場合にはブレーキチョッパ６の
スイッチング半導体素子６ｃをスイッチングさせ、抵抗
６ａによって上記発電エネルギーを吸収し直流電圧の上
昇を防止する。
【０００４】この装置において、例えば直流電源１から
供給される電圧が過電圧になった場合、スイッチング素
子５Ｕ〜５Ｚ、および６ｃを過電圧から保護するため
に、三相インバータ５を停止させ、断流器２を開放し、
直流電源１から三相インバータを切り離すとともに、過
電圧抑制用サイリスタ９を点弧させ、過電圧抑制抵抗８
を介してフィルタコンデンサ４の電荷を放電させるのが
一般的である。さらに、制御用電源１２が停電した場合
も、スイッチング半導体素子５Ｕ〜５Ｚ、および６ｃの
ゲート制御電圧が０になることによる素子破壊を防止す
るため、制御用電源１２の電圧は常に監視され、その電
圧の停電や異常低下を招いた場合にはそれを検知し、制
御用電源１２の電圧が完全に０Ｖになる前にサイリスタ
点弧回路１０から過電圧抑制用サイリスタ９のゲートに
パルスを送出し、過電圧抑制用サイリスタ９を点弧させ
ると共に、上記と同様、三相インバータ５を停止させ、
断流器２を開放し、フィルタコンデンサ４の電荷を放電
させる。このとき、制御用電源１２の電圧が最終的に０
Ｖまで低下しても、フィルタコンデンサ４の電圧が０Ｖ
になるまで過電圧抑制用サイリスタ９が点弧し続け、各
スイッチング半導体素子への印加電圧は、最終的に０Ｖ
まで低下させることが出来る。
供給される電圧が過電圧になった場合、スイッチング素
子５Ｕ〜５Ｚ、および６ｃを過電圧から保護するため
に、三相インバータ５を停止させ、断流器２を開放し、
直流電源１から三相インバータを切り離すとともに、過
電圧抑制用サイリスタ９を点弧させ、過電圧抑制抵抗８
を介してフィルタコンデンサ４の電荷を放電させるのが
一般的である。さらに、制御用電源１２が停電した場合
も、スイッチング半導体素子５Ｕ〜５Ｚ、および６ｃの
ゲート制御電圧が０になることによる素子破壊を防止す
るため、制御用電源１２の電圧は常に監視され、その電
圧の停電や異常低下を招いた場合にはそれを検知し、制
御用電源１２の電圧が完全に０Ｖになる前にサイリスタ
点弧回路１０から過電圧抑制用サイリスタ９のゲートに
パルスを送出し、過電圧抑制用サイリスタ９を点弧させ
ると共に、上記と同様、三相インバータ５を停止させ、
断流器２を開放し、フィルタコンデンサ４の電荷を放電
させる。このとき、制御用電源１２の電圧が最終的に０
Ｖまで低下しても、フィルタコンデンサ４の電圧が０Ｖ
になるまで過電圧抑制用サイリスタ９が点弧し続け、各
スイッチング半導体素子への印加電圧は、最終的に０Ｖ
まで低下させることが出来る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような場
合、フィルタコンデンサ４の電荷をいち早く放電させる
ことが必要なため、過電圧抑制用サイリスタ９や過電圧
抑制抵抗８には大容量のものが要求され、装置の小型化
や低コスト化の弊害となっていた。例えば、一般的には
過電圧抑制用サイリスタ９などは、５００Ａ〜６００Ａ
の容量のものが適用されている。
合、フィルタコンデンサ４の電荷をいち早く放電させる
ことが必要なため、過電圧抑制用サイリスタ９や過電圧
抑制抵抗８には大容量のものが要求され、装置の小型化
や低コスト化の弊害となっていた。例えば、一般的には
過電圧抑制用サイリスタ９などは、５００Ａ〜６００Ａ
の容量のものが適用されている。
【０００６】この発明は上記の問題を解決するためにな
されたもので、三相インバータとブレーキチョッパを有
する三相誘導電動機の電力制御装置において、過電圧抑
制用サイリスタの小容量化および過電圧抑制抵抗の削減
を図り、装置の小型化、低コスト化のできる電力制御装
置を得ることを目的とする。
されたもので、三相インバータとブレーキチョッパを有
する三相誘導電動機の電力制御装置において、過電圧抑
制用サイリスタの小容量化および過電圧抑制抵抗の削減
を図り、装置の小型化、低コスト化のできる電力制御装
置を得ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明に係る電力制御
装置は、負荷電動機に接続され、直流電源から供給され
る直流電力を交流電力に変換する電力変換回路と、上記
電力変換回路に並列に接続され上記負荷電動機の発電エ
ネルギーを吸収する抵抗とスイッチング半導体素子から
なる発電エネルギー吸収制御回路とを備えた電力制御装
置であって、上記スイッチング半導体素子の制御端子に
スイッチ素子を介して上記直流電源から直流電圧を加え
るようにしたものである。
装置は、負荷電動機に接続され、直流電源から供給され
る直流電力を交流電力に変換する電力変換回路と、上記
電力変換回路に並列に接続され上記負荷電動機の発電エ
ネルギーを吸収する抵抗とスイッチング半導体素子から
なる発電エネルギー吸収制御回路とを備えた電力制御装
置であって、上記スイッチング半導体素子の制御端子に
スイッチ素子を介して上記直流電源から直流電圧を加え
るようにしたものである。
【０００８】また、スイッチ素子としてサイリスタを用
いたものである。
いたものである。
【０００９】また、スイッチ素子として電磁開閉器を用
いたものである。
いたものである。
【００１０】また、スイッチング半導体素子の制御端子
と陰極端子との間に抵抗と定電圧ダイオードとの並列回
路を接続したものである。
と陰極端子との間に抵抗と定電圧ダイオードとの並列回
路を接続したものである。
【００１１】また、スイッチ素子を、直流電源端が過電
圧となったときにオンするようにしたものである。
圧となったときにオンするようにしたものである。
【００１２】また、スイッチ素子を、電力変換回路制御
用電源電圧が低下したときにオンするようにしたもので
ある。
用電源電圧が低下したときにオンするようにしたもので
ある。
【００１３】
【発明の実施の形態】実施の形態１．以下、この発明の
実施の形態１を図について説明する。図１において、１
〜７および１０〜１２は従来の技術として示した図３と
同一のため説明を省略する。１３はスイッチング半導体
素子６ｃの制御端子であるゲートに接続された過電圧抑
制用サイリスタ、１４と１５は過電圧抑制用サイリスタ
１３がオンしたときにスイッチング半導体素子６ｃのゲ
ートに過電圧が加わらないようにするための分圧抵抗、
１６はスイッチング半導体素子６ｃのゲートに過電圧が
加わらないようにするための定電圧ダイオードである。
実施の形態１を図について説明する。図１において、１
〜７および１０〜１２は従来の技術として示した図３と
同一のため説明を省略する。１３はスイッチング半導体
素子６ｃの制御端子であるゲートに接続された過電圧抑
制用サイリスタ、１４と１５は過電圧抑制用サイリスタ
１３がオンしたときにスイッチング半導体素子６ｃのゲ
ートに過電圧が加わらないようにするための分圧抵抗、
１６はスイッチング半導体素子６ｃのゲートに過電圧が
加わらないようにするための定電圧ダイオードである。
【００１４】例えば、直流電源１の電圧が過電圧になっ
た場合や、制御用電源１２が停電したとき、サイリスタ
点弧回路１０からサイリスタ点弧のためのパルス信号を
送出し、過電圧抑制用サイリスタ１３をオンさせる。こ
のとき、スイッチング半導体素子６ｃはそのゲートに定
電圧ダイオードによって決まるゲート電圧が印加されオ
ンする。同時に、三相インバータ５を停止すると共に、
断流器２を開放し、直流電源１と三相インバータ５を切
り離す。フィルタコンデンサ４の電荷は発電エネルギー
吸収用の抵抗６ａからスイッチング素子６ｃを介して放
電される。例えば、制御用電源１２が停電した場合で
も、過電圧抑制用サイリスタ１３を一度点弧させると、
サイリスタはその陽極電流が消弧しないとオフしないこ
とから、フィルタコンデンサ４の電圧が低下するまで、
フィルタコンデンサ４→分圧抵抗１４→過電圧抑制用サ
イリスタ１３→定電圧ダイオード１６を介して電流が流
れ続けるため、スイッチング半導体素子６ｃのゲートに
は電圧が与え続けられる。
た場合や、制御用電源１２が停電したとき、サイリスタ
点弧回路１０からサイリスタ点弧のためのパルス信号を
送出し、過電圧抑制用サイリスタ１３をオンさせる。こ
のとき、スイッチング半導体素子６ｃはそのゲートに定
電圧ダイオードによって決まるゲート電圧が印加されオ
ンする。同時に、三相インバータ５を停止すると共に、
断流器２を開放し、直流電源１と三相インバータ５を切
り離す。フィルタコンデンサ４の電荷は発電エネルギー
吸収用の抵抗６ａからスイッチング素子６ｃを介して放
電される。例えば、制御用電源１２が停電した場合で
も、過電圧抑制用サイリスタ１３を一度点弧させると、
サイリスタはその陽極電流が消弧しないとオフしないこ
とから、フィルタコンデンサ４の電圧が低下するまで、
フィルタコンデンサ４→分圧抵抗１４→過電圧抑制用サ
イリスタ１３→定電圧ダイオード１６を介して電流が流
れ続けるため、スイッチング半導体素子６ｃのゲートに
は電圧が与え続けられる。
【００１５】実施の形態２．次に、この発明の実施の形
態２を図２によって説明する。図２において、１〜７お
よび１１〜１２は従来の技術として示した図３と同一の
ため説明を省略する。１７はスイッチング半導体６ｃの
ゲートに接続された通常は閉路となるｂ接点の電磁開閉
器、１４と１５は電磁開閉器１７がオンしたときにスイ
ッチング半導体素子６ｃのゲートに過電圧が加わらない
ようにするための分圧抵抗、１６はスイッチング半導体
素子６ｃのゲートに過電圧が加わらないようにするため
の定電圧ダイオード、１８は直流電源１の供給電圧が過
電圧になったとき電磁開閉器１７のコイル電圧をオフ
し、電磁開閉器１７をオンさせる電磁開閉器１次回路で
ある。
態２を図２によって説明する。図２において、１〜７お
よび１１〜１２は従来の技術として示した図３と同一の
ため説明を省略する。１７はスイッチング半導体６ｃの
ゲートに接続された通常は閉路となるｂ接点の電磁開閉
器、１４と１５は電磁開閉器１７がオンしたときにスイ
ッチング半導体素子６ｃのゲートに過電圧が加わらない
ようにするための分圧抵抗、１６はスイッチング半導体
素子６ｃのゲートに過電圧が加わらないようにするため
の定電圧ダイオード、１８は直流電源１の供給電圧が過
電圧になったとき電磁開閉器１７のコイル電圧をオフ
し、電磁開閉器１７をオンさせる電磁開閉器１次回路で
ある。
【００１６】図２において、通常、電磁開閉器１次回路
１８により電磁開閉器１７を開放状態にしておく。直流
電源１の電圧が過電圧になった場合、三相インバータ５
を停止させると共に断流器２を開放し、直流電源１と三
相インバータ５とを切り離す。同時に電磁開閉器１次回
路１８により電磁開閉器１７をオンさせ、スイッチング
半導体素子６ｃのゲートに電圧を与え、スイッチング半
導体素子６ｃをオンさせ、発電エネルギー吸収用の抵抗
６ａを介してフィルタコンデンサ４の電荷を放電させ
る。また、制御用電源１２が停電した場合は、電磁開閉
器１次回路１８の電源も停電するため電磁開閉器１７の
コイル電圧がなくなり、電磁開閉器１７はオンする。従
って、上記と同様、スイッチング半導体素子６ｃのゲー
トには電圧が与えられ、スイッチング半導体素子６ｃは
オンし、発電エネルギー吸収用の抵抗６ａを介してフィ
ルタコンデンサ４の電荷は放電される。
１８により電磁開閉器１７を開放状態にしておく。直流
電源１の電圧が過電圧になった場合、三相インバータ５
を停止させると共に断流器２を開放し、直流電源１と三
相インバータ５とを切り離す。同時に電磁開閉器１次回
路１８により電磁開閉器１７をオンさせ、スイッチング
半導体素子６ｃのゲートに電圧を与え、スイッチング半
導体素子６ｃをオンさせ、発電エネルギー吸収用の抵抗
６ａを介してフィルタコンデンサ４の電荷を放電させ
る。また、制御用電源１２が停電した場合は、電磁開閉
器１次回路１８の電源も停電するため電磁開閉器１７の
コイル電圧がなくなり、電磁開閉器１７はオンする。従
って、上記と同様、スイッチング半導体素子６ｃのゲー
トには電圧が与えられ、スイッチング半導体素子６ｃは
オンし、発電エネルギー吸収用の抵抗６ａを介してフィ
ルタコンデンサ４の電荷は放電される。
【００１７】なお、以上の実施の形態の説明図では、ス
イッチング半導体素子にＩＧＢＴ（ｌｎｓｕｌａｔｅｄ
Ｇａｔｅ Ｂｉｐｏｒ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を用
いたが、サイリスタ、ＧＴＯ、トランジスタ、ＧＣＴな
どの他の半導体を用いた電力制御装置においても同様の
効果を得ることができる。また、実施の形態２において
電磁開閉器を用いたが、その他の機構を有する開閉器で
も同様の効果を得ることができる。
イッチング半導体素子にＩＧＢＴ（ｌｎｓｕｌａｔｅｄ
Ｇａｔｅ Ｂｉｐｏｒ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を用
いたが、サイリスタ、ＧＴＯ、トランジスタ、ＧＣＴな
どの他の半導体を用いた電力制御装置においても同様の
効果を得ることができる。また、実施の形態２において
電磁開閉器を用いたが、その他の機構を有する開閉器で
も同様の効果を得ることができる。
【００１８】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、過電圧
抑制用サイリスタまたは開閉器（スイッチ素子）をブレ
ーキチョッパを構成するスイッチング半導体素子のゲー
ト（制御端子）に接続したので、フィルタコンデンサの
放電は、スイッチング半導体素子を介して行われるた
め、過電圧抑制用サイリスタまたは開閉器はスイッチン
グ半導体素子のゲートに電圧を与えるのに必要なだけの
容量でよく、１Ａ〜数Ａ程度の小容量サイリスタを適用
することができる。このため、従来のような大容量のス
イッチ素子が必要なく、かつ、ブレーキチョッパを構成
する発電エネルギー吸収用の抵抗をフィルタコンデンサ
の放電用に適用でき、従来の過電圧抑制抵抗が不要とな
るため、装置の小型化や低コスト化が可能となる。
抑制用サイリスタまたは開閉器（スイッチ素子）をブレ
ーキチョッパを構成するスイッチング半導体素子のゲー
ト（制御端子）に接続したので、フィルタコンデンサの
放電は、スイッチング半導体素子を介して行われるた
め、過電圧抑制用サイリスタまたは開閉器はスイッチン
グ半導体素子のゲートに電圧を与えるのに必要なだけの
容量でよく、１Ａ〜数Ａ程度の小容量サイリスタを適用
することができる。このため、従来のような大容量のス
イッチ素子が必要なく、かつ、ブレーキチョッパを構成
する発電エネルギー吸収用の抵抗をフィルタコンデンサ
の放電用に適用でき、従来の過電圧抑制抵抗が不要とな
るため、装置の小型化や低コスト化が可能となる。
【図１】 この発明の実施の形態１に係る三相誘導電動
機の電力制御装置を示す図である。
機の電力制御装置を示す図である。
【図２】 この発明の実施の形態２に係る三相誘導電動
機の電力制御装置を示す図である。
機の電力制御装置を示す図である。
【図３】 従来の三相誘導電動機の電力制御装置を示す
図である。
図である。
１ 直流電源、 ２ 断流器、３
フィルタリアクトル、 ４ フィルタコンデン
サ、５ 三相インバータ、 ６ ブレーキ
チョッパ、６ａ 発電エネルギー吸収用抵抗、 ６ｂ
フライホイールダイオード、６ｃ スイッチング半導体
素子、 ７ 三相誘導電動機、１０ サイリスタ点
弧回路、 １１ ゲート制御回路、１２ 制御用
電源、 １３ 過電圧抑制用サイリス
タ、１４ 分圧抵抗、 １５ 分圧抵
抗、１６ 定電圧ダイオード、 １７ 電磁開
閉器、１８ 電磁開閉器１次回路。
フィルタリアクトル、 ４ フィルタコンデン
サ、５ 三相インバータ、 ６ ブレーキ
チョッパ、６ａ 発電エネルギー吸収用抵抗、 ６ｂ
フライホイールダイオード、６ｃ スイッチング半導体
素子、 ７ 三相誘導電動機、１０ サイリスタ点
弧回路、 １１ ゲート制御回路、１２ 制御用
電源、 １３ 過電圧抑制用サイリス
タ、１４ 分圧抵抗、 １５ 分圧抵
抗、１６ 定電圧ダイオード、 １７ 電磁開
閉器、１８ 電磁開閉器１次回路。
フロントページの続き Ｆターム(参考） 5G065 AA08 BA01 EA01 GA09 JA02 LA01 MA02 MA10 NA02 NA07 NA08 NA10 5H007 AA17 BB01 BB06 CA01 CA03 CB05 CC01 DA06 DB03 FA01 FA03 FA12 FA17 5H530 AA02 CC23 CE16 DD03 EE05
Claims (6)
- 【請求項１】 負荷電動機に接続され、直流電源から供
給される直流電力を交流電力に変換する電力変換回路
と、上記電力変換回路に並列に接続され上記負荷電動機
の発電エネルギーを吸収する抵抗とスイッチング半導体
素子を含む発電エネルギー吸収制御回路とを備えた電力
制御装置であって、上記スイッチング半導体素子の制御
端子にスイッチ素子を介して上記直流電源から直流電圧
を加えるようにしたことを特徴とする電力制御装置。 - 【請求項２】 スイッチ素子としてサイリスタを用いた
ことを特徴とする請求項１記載の電力制御装置。 - 【請求項３】 スイッチ素子として電磁開閉器を用いた
ことを特徴とする請求項１記載の電力制御装置。 - 【請求項４】 スイッチング半導体素子の制御端子と陰
極端子との間に抵抗と定電圧ダイオードとの並列回路を
接続したことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいず
れか一項記載の電力制御装置。 - 【請求項５】 スイッチ素子を、直流電源端が過電圧と
なったときにオンするようにしたことを特徴とする請求
項１乃至請求項４のいずれか一項記載の電力制御装置。 - 【請求項６】 スイッチ素子を、電力変換回路制御用電
源電圧が低下したときにオンするようにしたことを特徴
とする請求項１乃至請求項４のいずれか一項記載の電力
制御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11166744A JP2000358384A (ja) | 1999-06-14 | 1999-06-14 | 電力制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11166744A JP2000358384A (ja) | 1999-06-14 | 1999-06-14 | 電力制御装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000358384A true JP2000358384A (ja) | 2000-12-26 |
Family
ID=15836956
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11166744A Pending JP2000358384A (ja) | 1999-06-14 | 1999-06-14 | 電力制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000358384A (ja) |
Cited By (7)
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- 1999-06-14 JP JP11166744A patent/JP2000358384A/ja active Pending
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