JP2000357676A - ウエットエッチング装置及び転写マスク用ブランクスの製造方法 - Google Patents

ウエットエッチング装置及び転写マスク用ブランクスの製造方法

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JP2000357676A
JP2000357676A JP11170460A JP17046099A JP2000357676A JP 2000357676 A JP2000357676 A JP 2000357676A JP 11170460 A JP11170460 A JP 11170460A JP 17046099 A JP17046099 A JP 17046099A JP 2000357676 A JP2000357676 A JP 2000357676A
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JP
Japan
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etching
wet
silicon
holding
wet etching
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JP11170460A
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Inventor
Shinichi Takahashi
進一 高橋
Norihiro Katakura
則浩 片倉
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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Abstract

(57)【要約】 【目的】量産性が良く、エッチング過程においてエッチ
ング面のダメージが少ないウエットエッチング装置及び
それを用いた転写マスクブランクスの製造方法を提供す
る。 【解決手段】所定の容器内にウエットエッチング対象物
を水平方向に保持可能な保持機構を階層構造(多段式)
に配置したものを備えたウエットエッチング装置。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウエハ等のウエッ
トエッチングを行うウエットエッチング装置及びそれを
用いた転写マスクブランクスの製造方法に関するもので
ある。
【0002】
【従来技術】1970年代から特にシリコン基板を用い
て微細な寸法をもつ3次元構造体を精密に加工する技術
として、シリコンマイクロマシニング技術が注目を集め
るようになった。シリコンマイクロマシニング技術は、
多数の部品を集積化できること、一度に多数の部品を同
時に製作できることから大量生産に適した加工方法であ
る。
【0003】シリコンマイクロマシニング技術は、バル
クマイクロマシニング、表面マイクロマシニングの二つ
に大別される。バルクマイクロマシニングは、シリコン
基板をエッチングして3次元的な構造体を製作する加工
技術であり、構造体材料として、単結晶シリコンが利用
できることに特徴がある。単結晶シリコンは結晶欠陥が
著しく少ないために、機械構造体材料として優れた特性
を示すことが確認されている。
【0004】また、バルクマイクロマシニングによって
作製された構造体は厚さ方向に大きな自由度を持ってお
り(2μm〜1mm程度)、機械的に大きな強度を持つ
構造体を作製することが可能である。エッチング液を利
用した加工方法によるバルクマイクロマシニングには、
エッチング液の種類により、エッチング速度がシリコン
の結晶面方向に依存する性質を利用した異方性エッチン
グ技術と、結晶面方位に依存しない等方性エッチング技
術がある。
【0005】異方性エッチングに用いられるエッチング
溶液としては、KOH水溶液、エチレンジアミンピロカテ
コール水溶液(EDP)、4-メチル水酸化アンモニウム水
溶液(TMAH)等がある。シリコンの酸化物(酸化シリコ
ン)(SiO2)、窒化珪素(Si3N4)、多量に不純物を含
んだシリコン等は、シリコンに比べて前述したエッチン
グ溶液に対するエッチングレートが非常に小さい。
【0006】このようなエッチングの選択比を利用する
と、前述した酸化シリコン膜等が形成されたシリコン基
板を用いて、種々の立体形状を作製することができる。
図3は、バルクマイクロマシニング技術を用いて作製し
たシリコン基板上の窒化珪素からなる自立膜の概略図で
ある。これは、X線顕微鏡等のX線光学系の真空分離膜
等に用いられる。両面に窒化珪素膜が形成されたシリコ
ン基板を用意し、一方の窒化珪素膜上にレジストを塗布
し、投影露光装置を用いて所定の窓形状のパターンを焼
き付け、窓形状の開口を有するレジストをマスクとして
窒化珪素膜をエッチングし、窓形状の開口を有するウエ
ットエッチング用マスクを形成する。
【0007】かかる一方の面に窓形状の開口を有するウ
エットエッチング用マスクを備え、他方の面に窒化珪素
膜が形成されたシリコン基板を後述するウエットエッチ
ング装置に設置し、KOH水溶液中で窓形状の開口部分を
ウエットエッチングする。100結晶方位のシリコン基
板を用いており、111面の結晶方位は、他の結晶方位
に比べてエッチングレートが小さいので、111面がエ
ッチングされずに約55°のテーパーをもった開口が形
成される。
【0008】図4は、従来のウエットエッチング装置の
概略断面図である。従来のウエットエッチング装置は、
ビーカー11と、ウエットエッチング用マスクが形成さ
れたウエハ14をその表面が縦になるように保持する溝
を有する保持部12とその溝に入れたかかるウエハを固
定する固定部材13とからなる保持機構が支持台15
に、複数個、一定間隔で配置されたもの、とからなる。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のウエッ
トエッチング装置における保持機構は、かかるウエハが
縦に配置される様な構造をしているので、かかるウエハ
を縦に配置した場合の下側部分のエッチングによって生
じた気体(泡)が液面への上昇の過程で上側部分のエッ
チングに影響を与える。
【0010】即ち、下側部分のエッチングによる化学反
応によって発生した気体(泡)がエッチング溶液の液面
に上昇する過程で上側のエッチング面に流れ込み(図中
矢印方向)、エッチング速度を低下させ、またエッチン
グ面が荒れてしまう。そこで、本発明は従来のこのよう
な問題点に鑑みてなされたものであり、量産性が良く、
エッチング過程においてエッチング面のダメージが少な
いウエットエッチング装置及びそれを用いた転写マスク
ブランクスの製造方法を提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明は、第一に「 所
定の容器内にウエットエッチング対象物を水平方向に保
持可能な保持機構を階層構造(多段式)に配置したもの
を備えたウエットエッチング装置(請求項1)」を提供
する。また、本発明は、第二に「シリコン活性層と支持
シリコン部とからなるシリコン基板を用意する工程と、
前記支持シリコン部側に所定の開口を有するウエットエ
ッチング用マスクを前記シリコン基板に形成する工程
と、前記シリコン基板をエッチング溶液内で水平方向に
設置し、前記ウエットエッチング用マスクの開口から前
記支持シリコン部に向けてウエットエッチングする工程
と、前記ウエットエッチング用マスクを除去する工程
と、からなる転写マスクブランクスの製造方法(請求項
2)」を提供する。
【0012】
【発明の実施形態】以下、本発明にかかる実施形態のウ
エットエッチング装置を図面を参照しながら説明する。
図1は、本発明の実施形態にかかるウエットエッチング
装置の概略断面図である。
【0013】実施形態にかかるウエットエッチング装置
は、ビーカー1と、ウエットエッチング用マスクが形成
されたウエハ(エッチング対象物)4を水平に保持する
溝を有する保持部2とその溝に入れたかかるウエハ4を
固定する固定部材3とを有する保持機構(図中下側から
第一保持機構〜第四保持機構)が柱4により一定間隔で
階層構造に配置されたもの、とを備えている。
【0014】ビーカー1内には、所定のエッチング溶液
6が満たされている。エッチング溶液としては、KOH水
溶液、エチレンジアミンピロカテコール水溶液(ED
P)、4-メチル水酸化アンモニウム水溶液(TMAH)等が
用いられる。実施形態にかかるウエットエッチング装置
を用いてウエットエッチングを行うと、第一保持機構で
保持されたウエットエッチング用マスクが形成されたウ
エハのエッチングにおける化学反応によって生じる気体
(泡)は上昇し、第二保持機構の保持部の裏面に当た
り、裏面に沿って広がり、エッチング液6の液面に向け
て上昇する(図中矢印)。
【0015】第二保持機構〜第四保持機構で保持された
かかるウエハのエッチングにおける化学反応によって生
じた気体(泡)も同様な現象を引き起こす。従って、エ
ッチング面内の下側から上昇してきた気体(泡)によっ
てエッチング速度が低下する、エッチング面が荒れる、
という問題が生じない。図1では、保持機構が4段の階
層構造のものを示したが、ビーカー1の大きさに合わせ
て、任意の数の保持機構からなる階層構造にすることが
できる。
【0016】次に、本発明の実施形態にかかるウエット
エッチング装置を用いて、図2に示すような工程によ
り、転写マスク用ブランクスを製作した。転写マスク用
ブランクスは、ボロンを拡散したシリコン活性層からな
るシリコンメンブレンと、このメンブレンを支持する部
材であるシリコン製の外周及び支柱により構成されてい
る。
【0017】まず、(100)面方位を有するシリコン
基板21を用意し(図2a)、その基板の片面にボロン
を拡散(熱拡散法又はイオン注入法)してシリコン活性
層22を形成する。これはエッチング時にはエッチング
ストップ層としての役割を果たし、最終的には、シリコ
ンメンブレンとなる。シリコン基板21のうちシリコン
活性層22以外の部分は、支持シリコン部21aという
(図2b)。
【0018】次に、シリコン基板21の両面に窒化珪素
膜23を成膜し(図2c)、さらに基板裏面に形成され
た窒化珪素膜23の一部を窓(開口)パターン形状24
にエッチングすることによりウエットエッチング用マス
ク25を形成する(図2d)。 本実施形態では、簡単
のため、窓は一つである。ウエットエッチング用マスク
25が形成されたシリコン基板21を、本発明にかかる
ウエットエッチング装置の保持機構に設置し、KOH溶液
等のエッチング溶液が満たされている容器(ビーカー)
に浸すと、窒化珪素膜で保護されていない開口部24か
ら支持シリコン部21aのエッチングが進行する。
【0019】シリコン活性層22に達すると、エッチン
グレートが極端に落ちるので、そこでエッチングは停止
する(図2e)。実施形態にかかるウエットエッチング
装置の保持機構を用いて、かかるシリコン基板を水平方
向に設置したので、縦方向に保持する従来のウエットエ
ッチング装置によるウエットエッチングに比べて、エッ
チング速度が速く、エッチングムラがないので、エッチ
ング面が荒れていない。
【0020】なお、ボロン濃度が2×1019atoms/cm3
より小さいと、エッチングレートの低下が顕著ではな
く、エッチングを停止することができないので、シリコ
ン活性層12中のボロン濃度は2×1019atoms/cm3
上必要である。最後に、窒化珪素からなるウエットエッ
チング用マスク15及び窒化珪素膜13を除去すると、
転写マスク用ブランクスを完成する(図2f)。
【0021】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明にかかるウエ
ットエッチング装置によれば、エッチング対象物を水平
方向に配置することができる保持機構を、複数個、階層
構造的に配置したので、量産性が良く、エッチング過程
においてエッチング面のダメージが少ない。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態にかかるウエットエッチング
装置の概略断面図である。
【図2】本発明の実施形態にかかるウエットエッチング
装置を用いて転写マスクブランクスを製作工程を示した
図である。
【図3】バルクマイクロマシニング技術を用いて作製し
たシリコン基板上の窒化珪素からなる自立膜の概略図で
あり、(a)上面図、(b)側面図、(c)下面図であ
る。
【図4】従来のウエットエッチング装置の概略断面図で
ある。
【符号の説明】
1、11・・・ビーカー 2、12・・・保持部 3、13・・・固定部材 4、14・・・ウエットエッチング用マスクが形成され
たウエハ 5・・・柱 6、16・・・エッチング溶液 15・・・支持台 17・・・シリコンウエハ 18、23・・・窒化珪素膜 21・・・シリコン基板 22・・・シリコン活性層 21a・・・支持シリコン部 24・・・窓(開口)パターン形状 25・・・ウエットエッチング用マスク

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】所定の容器内にウエットエッチング対象物
    を水平方向に保持可能な保持機構を階層構造(多段式)
    に配置したものを備えたウエットエッチング装置。
  2. 【請求項2】シリコン活性層と支持シリコン部とからな
    るシリコン基板を用意する工程と、 前記支持シリコン部側に所定の開口を有するウエットエ
    ッチング用マスクを前記シリコン基板に形成する工程
    と、 前記シリコン基板をエッチング溶液内で水平方向に設置
    し、前記ウエットエッチング用マスクの開口から前記支
    持シリコン部に向けてウエットエッチングする工程と、
    前記ウエットエッチング用マスクを除去する工程と、か
    らなる転写マスクブランクスの製造方法。
JP11170460A 1999-06-17 1999-06-17 ウエットエッチング装置及び転写マスク用ブランクスの製造方法 Pending JP2000357676A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104388934A (zh) * 2014-12-11 2015-03-04 重庆墨希科技有限公司 一种用于化学气相沉积方法转移石墨烯薄膜的工装装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN104388934A (zh) * 2014-12-11 2015-03-04 重庆墨希科技有限公司 一种用于化学气相沉积方法转移石墨烯薄膜的工装装置

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