JP2000349958A

JP2000349958A - 光電変換装置用検査装置及びその検査方法

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Publication number: JP2000349958A
Application number: JP11155339A
Authority: JP
Inventors: Hiraki Kozuka; 開小塚
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1999-06-02
Filing date: 1999-06-02
Publication date: 2000-12-15

Abstract

(57)【要約】【課題】白黒原稿読み取り装置用のイメージセンサユ
ニットに用いる光電変換装置において、光電変換装置の
検査に関わるコストの低減を課題とする。【解決手段】複数の光電変換部を有する光電変換装置
と、光照射手段と、上記光照射手段の光を原稿面に照射
する導光手段と、を有するイメージセンサユニットに用
いる光電変換装置の検査方法において、第１の光源から
の光を照射した場合の光電変換装置の光出力をＶ１、第
２の光源からの光を照射した場合の光電変換装置の光出
力をＶ２、とした場合、上記Ｖ１と上記Ｖ２の比を演算
処理することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えばファクシミ
リ、イメージスキャナ、あるいはディジタル複写機等の
画像読みとりを行うイメージセンサユニットに用いる光
電変換装置の検査方法に関し、特に、光源切り換え方式
のカラーイメージセンサユニットに用いる光電変換装置
の分光感度特性バラツキの検査方法及びその装置に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、電荷結合素子（ＣＣＤ）や光トラ
ンジスタ、光ダイオード、またそれらを用いた増幅型の
光電変換装置は、ラインセンサやエリアセンサとして上
記イメージスキャナ等の情報機器の原稿読み取り装置と
して広く用いられている。

【０００３】また、近年、カラー画像読み取り装置とし
て、これまでのカラーフィルタ方式のカラーイメージセ
ンサに加えて、例えば特開平１０−９３７６５号公報に
開示されているような、光源切り換え式の密着型イメー
ジセンサ等も普及しはじめている。

【０００４】この光源切り換え方式の密着型イメージセ
ンサに用いる光電変換装置の光電変換部の平面構造、及
び断面構造の一例を図４に示す。図４において、光電変
換装置１に、ライン状に配置した複数の光電変換部１２
と周辺回路を同時に同一基板上に作製するような光電変
換装置の場合、図４の断面図に示すように、光電変換装
置１は、半導体基板１３上に、各光電変換部１２同士を
分離する画素分離領域１５と、ホトダイオード部１４
と、層間絶縁膜１６と、遮光層１７と、保護膜１８とか
ら構成されている。光電変換部１２上は層間絶縁膜１６
や保護膜１８などの多層構造になっている。これら光電
変換部１２上の各層の材質が違うと、屈折率が異なるこ
とによって、光の多重干渉が生じ、分光感度特性から、
わずかな波長のずれによって感度が大きく変化する。

【０００５】従って、光電変換部１２上の多層膜の膜厚
がばらつくと、分光感度特性は膜厚に応じてシフトし、
色再現時に問題を生じる。

【０００６】この光電変換装置の分光感度特性のバラツ
キは、光源切り換え型のイメージセンサユニットにおい
て、画像における色ムラや色スジ等の原因となり、光源
切り換え型のイメージセンサユニットの画像品質を大き
く左右する重要な特性となるため、画像品質維持しつ
つ、かつ後工程の歩留まりを高めるために、この光電変
換装置における分光感度特性のバラツキをできるだけ簡
便に、かつ正確に検査することが非常に重要となる。

【０００７】一般的に分光感度特性の評価は、例えば、
分光器等を用いてタングステンやハロゲン等の白色光源
から、ある単一波長を選択し、その波長に対する光電変
換装置の光出力を順次測定することによりなされる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、光電変
換装置における分光感度特性のバラツキを検査するため
には、光電変換装置内の、おのおのの光電変換部につい
て分光感度特性を測定し、すべての光電変換部の分光感
度特性を比較しなければならない。例えば、光電変換装
置が３００画素分の光電変換部を有している場合には、
分光感度特性を３００画素分測定し、比較演算しなけれ
ばならず、検査に莫大な検査時間を要する。

【０００９】また、例えば上記の光電変換装置を１５チ
ップマルチ実装して構成される密着型イメージセンサ用
のイメージセンサモジュールの場合、上記の光電変換装
置の検査時間の１５倍もの検査時間を要することにな
る。

【００１０】加えて、検査装置に分光器や、おのおのの
光電変換部に分光された光を照射するための光学系など
を搭載しなければならないため、検査装置も大規模でか
つ高価なものとなる。

【００１１】すなわち、従来技術においては、イメージ
センサユニットに用いる光電変換装置の分光感度特性の
バラツキを簡便に検査するための検査装置、及び検査手
法は確立されておらず、従って、白黒原稿読み取り装置
用のイメージセンサユニットに用いる光電変換装置に比
べて、光源切り換え方式によるカラー原稿読み取り用の
イメージセンサユニットに用いる光電変換装置のコス
ト、特に検査に関わるコストが非常に高いものとなって
いた。

【００１２】本発明は、上記問題点を解決することを主
として、白黒原稿読み取り装置用のイメージセンサユニ
ットに用いる光電変換装置において、光源切り換え方式
によるカラー原稿読み取り用のイメージセンサユニット
に用いる検査に関わるコストを低減することを課題とす
る。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記の問題を解決するた
めに、本発明は、複数の光電変換部を有する光電変換装
置と、光照射手段と、上記光照射手段の光を原稿に照射
する第１の導光手段と、を有するイメージセンサユニッ
トに用いられる前記光電変換装置用検査装置において、
上記検査装置は、光源手段と、上記光源手段の光を上記
光電変換部に照射する第２の導光手段と、を有すること
を特徴とする。

【００１４】また、本発明は、複数の光電変換部を有す
る光電変換装置と、光照射手段と、上記光照射手段の光
を原稿面に照射する導光手段と、を有するイメージセン
サユニットに用いる光電変換装置の検査方法において、
第１の光源からの光を照射した場合の光電変換装置の光
出力をＶ１、第２の光源からの光を照射した場合の光電
変換装置の光出力をＶ２、とした場合、上記Ｖ１と上記
Ｖ２の比を演算処理することを特徴とする。

【００１５】さらに、本発明は、複数の光電変換部を有
する光電変換装置と、光照射手段と、上記光照射手段の
光を原稿面に照射する第１の導光手段と、を有するイメ
ージセンサユニットに用いる光電変換装置の検査方法に
おいて、単一の光源手段と第２の導光手段によって、上
記光電変換部に光が照射されている状態の光電変換装置
の光出力を演算処理することを特徴とする。

【００１６】［作用］本発明の検査装置は、第１の単一
波長を有する第１の単一光源と、第２の単一波長を有す
る第２の単一光源と、から構成される光源手段と、導光
手段を備えた構成であるため、分光器や複雑な光学系を
有する検査装置と比較して、白黒原稿読み取り装置用の
イメージセンサユニットに用いる光電変換装置の検査装
置とほぼ同様に安価で簡便な検査装置を実現することが
可能となる。

【００１７】また、本発明の検査方法は、光源切り換え
における赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）のうち、
２種類の単一波長の光を照射した場合の光電変換装置の
光出力の比を比較演算するものである。従って、分光感
度特性のズレは光出力の変化となって検出されるため、
光電変換装置に照射される光量分布の効果が除去され、
分光感度特性のバラツキを評価することが可能となる。

【００１８】一方、検査に要する時間は、これまでの白
黒原稿読み取り装置用の光電変換装置とほぼ同程度であ
るため、分光感度特性を直接測定する場合に比較して検
査コストを低減することが可能となる。

【００１９】さらに、本発明の検査方法は、比較的半値
幅の小さい第１の単一光源を用いて光電変換装置の光出
力特性の均一性を測定することにより、分光感度特性の
バラツキを評価することが可能となる。

【００２０】一方、検査に要する時間はこれまでの白黒
原稿読み取り装置用の光電変換装置と同程度であるた
め、検査コストを低減することが可能となる。

【００２１】尚、本発明において、分光感度特性のシフ
ト量の測定精度を高めるためには、光源手段の半値幅は
小さい方が好ましい。また、複数個の光源を用いても良
いが、発光波長には固体差があり、単一光源に比較して
照射光の半値幅が大きくなる可能性があるため、単一光
源と導光手段を用いて、光電変換装置に光を照射する方
が好ましい。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、実施形態を用いて本発明の
詳細を説明する。

【００２３】まず、本実施形態に用いる光電変換装置を
用いるイメージセンサユニットについて簡単に説明す
る。図１０にその概要構成の奥行きの深い断面図を示
す。

【００２４】図１０において、密着型イメージセンサ
は、イメージセンサモジュール３１と、原稿３８からの
反射光を集光し光電変換部表面で結像させるレンズアレ
イ３４と赤、緑色、青色の光を発生するＬＥＤ光源３５
と、光透過性の支持体３６と、筐体３７を組み立てるこ
とにより構成されている。また、上記のイメージセンサ
モジュール３１は、セラミック実装基板３２上に光電変
換装置１を例えば１１チップマルチ実装し、さらに、光
電変換装置１の上には、光電変換装置の保護を目的とし
て、シリコーン樹脂３３が設けられている。ここで、原
稿３８が副走査方向（紙面上左右方向）に移動し、光電
変換装置１は主走査方向に走査されて逐次原稿３８の画
像を読み取る。本検査方法は上記光電変換装置を検査す
る。

【００２５】［実施形態１］本実施形態は、光電変換装
置が半導体ウエハに形成されている状態で、分光感度特
性のバラツキを検査する検査装置、及び検査方法につい
て詳細を述べる。

【００２６】図１は本発明の検査装置のブロック図、図
２は図１における検査装置の平面、及び断面構造の概略
図、図３は検査装置における光源手段の発光スペクト
ル、図４は光電変換装置の光電変換部近傍の平面、及び
断面構造図、図５は本発明の実施形態１における検査フ
ローの概略図である。

【００２７】図１において、本発明の検査装置は、光源
手段５１、及び導光手段５２を設けていることが特徴で
あり、その他の部分については通常の光電変換装置の検
査装置とほぼ同様である。図１において、検査装置は、
ＣＰＵ５０からの制御信号によって、光源駆動手段５３
を介して光源手段５１と導光手段５２を駆動し、センサ
駆動手段５４を介してプローブカード５８と光電変換装
置１を搭載した半導体ウエハ５９とを駆動し、プローバ
制御手段５６を介してプローバー５７を駆動し、プロー
ブカード５８とウエハ５９から光電変換信号を検出して
信号処理手段５５によってクランプ処理等を施してＣＰ
Ｕ５０に導入する。

【００２８】図２において、光電変換装置１は半導体ウ
エハ２上に複数形成されており、光電変換装置１と電気
的に接続したプローブカード３を介してプローバ４と電
気的に接続されている。

【００２９】また、光源手段５として、異なる発光スペ
クトルを有する２個のＬＥＤを有し、光源手段５で発生
した光は導光手段６を介して、ほぼ均等に光電変換装置
１上に照射される。上記導光手段６はアクリル樹脂や硝
子等の光透過性部材を用いて形成することができる。

【００３０】図３は、本実施形態の検査装置の光源手段
として用いている波長約６４０ｎｍの赤色（Ｒ）、及び
波長約４６０ｎｍの青色（Ｂ）のＬＥＤの発光スペクト
ルである。本発明においては、できるだけ半値幅の狭い
光源を用いた方が、分光感度特性バラツキの検出感度を
高められるため、光源の半値幅は３０ｎｍ程度以下であ
ることが好ましく、２０ｎｍ以下であればより好まし
い。

【００３１】また、図４において、光電変換装置１は光
電変換部１２として半導体基板１３に形成されたホトダ
イオード１４が一次元状に２３４画素分設けられてい
る。

【００３２】また、おのおののホトダイオード１４は画
素分離領域１５、及び主としてアルミニウムから成る遮
光層１７によって隣接画素と分離されている。

【００３３】また、ホトダイオード１４上部には層間絶
縁膜１６として、主として酸化シリコンから成る層間絶
縁膜１６と、主として窒化シリコンから成る保護膜１８
が形成されている。尚、本実施形態においては光電変換
部１２にはホトダイオード１４を用いているが、ホトト
ランジスタ等でも構わない。

【００３４】続いて、図５の検査フローチャートを用い
て、本発明の検査方法の詳細を述べる。

【００３５】本実施形態において、光電変換装置１は、
ファンクション検査Ｓ１０、ダーク特性検査Ｓ２０、光
特性検査Ｓ３０の、３種類の大項目から構成される検査
方式で検査される。図５によれば、暗状態でファンクシ
ョン検査Ｓ１０とダーク特性検査Ｓ２０とを実行する。
ファンクション検査Ｓ１０には、光電変換装置への照射
をオープン／ショートＳ１１と、センサ動作Ｓ１２と、
シフトレジスタ動作Ｓ１３と、消費電流Ｓ１４とで達成
され、各光電変換部１２の動作と、シフトレジスタを動
作させて、消費電流を測定する。またダーク特性検査Ｓ
２０はダーク出力／バラツキＳ２１とで達成され、この
とき各光電変換装置の各光電変換部１２のダーク出力値
を検出し、そのバラツキを検査する。また、光照射状態
で光特性検査Ｓ３０は、ＬＥＤ（Ｂ）による光出力／バ
ラツキ（Ｖｐ＿Ｂ／ＰＲＮＵＢ）を測定する（Ｓ３
１）。つぎに、ＬＥＤ（Ｒ）による光出力／バラツキ
（Ｖｐ＿Ｒ／ＰＲＮＵ＿Ｒ）を測定する（Ｓ３２）。つ
ぎに、光電変換部２１のリニアリティを測定する。次
に、飽和出力を測定する（Ｓ３４）。

【００３６】ここで、本発明の特徴は、光特性検査の部
分であり、ＬＥＤ（Ｒ）光源照射時の光出力（Ｖｐ＿
Ｒ）、ＬＥＤ（Ｂ）光源照射時の光出力（Ｖｐ＿Ｂ）を
用いて分光感度特性のバラツキを検査することである。

【００３７】まず、光電変換装置の２３４画素を３９画
素ごとに６ブロックに分割する。そのブロックを、仮に
１〜６とし、ＬＥＤ（Ｒ）照射時の光出力のブロック内
の平均値をそれぞれＶｐ＿Ｒ（Ａ）、Ｖｐ＿Ｒ（Ｂ）、……、Ｖｐ＿Ｒ
（Ｆ）、ＬＥＤ（Ｂ）照射時の光出力のブロック内の平均値をそ
れぞれＶｐ＿Ｂ（Ａ）、Ｖｐ＿Ｂ（Ｂ）、……、Ｖｐ＿Ｂ
（Ｆ）、とし、おのおののブロックのＬＥＤ（Ｒ）照射時の光出
力とＬＥＤ（Ｂ）照射時の光出力との比を、Ｒ（Ａ）、Ｒ（Ｂ）、……、Ｒ（Ｆ）として得る。（但し、Ｒ（ｎ）＝Ｖｐ＿Ｂ（ｎ）／Ｖｐ
＿Ｒ（ｎ））従って、上記のＲ（ｎ）の値を用いて、あるブロックの
値で次ブロックを規格化した場合のズレ量をΔＲとする
と、 ΔＲ（ｎ／ｎ＋１）＝１−｛Ｒ（ｎ）／Ｒ（ｎ＋１）｝ ……（１）となり、以上を順次演算することにより、隣接ブロック
間における分光感度のズレを把握することが可能とな
る。また、ズレ量ΔＲ（ｎ／ｎ＋１）の値は画像品質に
応じて任意に設定することができる。このズレ量は元々
０の値で有れば、光電変換装置内のバラツキはないとみ
てよいが、または所定のしきい値以下であれば、光電変
換装置内の規定のバラツキ範囲内とみてもよいが、ズレ
量が大きい場合には適切な光電変換装置ではないと判断
できる。

【００３８】本実施形態によって、例えば、光電変換装
置面に入射される光が光量分布が生じていても、その光
量分布が光源によらず一定であるため問題とならない。

【００３９】尚、本発明の特徴は、異なる２種類の単一
波長の光出力の比を何らかの形で演算処理することであ
るため、本実施形態における、光電変換装置に設けられ
た光電変換部の画素数、演算に用いる分割ブロック数、
等は全て任意に設定することができ、上記の値に限定さ
れるものではない。

【００４０】また、例えば、密着型イメージセンサに用
いる光電変換装置のように、光電変換装置のつなぎ目に
おける分光感動特性のズレを検出するために、例えば、
上記のＲ（ｎ）＝Ｖｐ＿Ｂ（ｎ）／Ｖｐ＿Ｒ（ｎ）の値
の絶対値でランク毎に選定するという方法を用いても良
い。

【００４１】本発明の検査装置における光源手段、及び
導光手段については、例えば光電変換装置が用いられる
イメージセンサユニットと同一のものを用いても良い。

【００４２】この場合、光電変換装置の検査結果とイメ
ージセンサユニットを構成した場合の検査結果との相関
が良くなり、歩留まりが向上する。

【００４３】更に、本実施形態においてはウエハ状態に
おける光電変換装置の検査装置、及び検査方法について
述べたが、例えば、密着型イメージセンサに用いられる
イメージセンサモジュール、すなわち、複数の光電変換
装置を実装基板上にマルチ実装し、光電変換装置上に透
明部材からなるチップコート剤を設けたようなイメージ
センサモジュール用の検査装置、及び検査方法にも適用
することが可能である。

【００４４】以上、述べたように、光電変換装置におけ
る個別の画素、又はブロックの分光感度特性を全て測定
し、演算することを考慮すると、本発明の検査装置、及
び検査方法は、検査コスト、検査時間という面において
非常に有効であることは明らかである。

【００４５】また、カラー用の光電変換装置の分光感度
特性のバラツキを検査する検査装置とする場合には、上
記と同様な検査装置として、光電変換装置としては３色
用画素ＲＧＢを一対として取り扱えば、大きな差異は生
じない。即ち、ＬＥＤ（Ｒ）（Ｂ）をそれぞれ照射し
て、一対の３色用画素ＲＧＢの出力を加算して、その出
力を隣接の一対のの３色用画素ＲＧＢの出力の加算出力
と差異をとってズレ量を算出すれば、上記と同様に扱え
る。

【００４６】［実施形態２］本実施形態は、上記実施形
態１で説明した図１乃至図４の検査装置を用いて、実施
形態１同様に、ＬＥＤ（Ｒ）光源照射時の光出力（Ｖｐ
＿Ｒ）、ＬＥＤ（Ｂ）光源照射時の光出力（Ｖｐ＿Ｂ）
を用いた、他の検査方法を述べる。

【００４７】本実施形態においては、１２８画素を有す
る光電変換装置を例にとる。

【００４８】まず、光電変換装置の１２８画素全てにつ
いて、ＬＥＤ（Ｒ）照射時の光出力を、Ｖｐ＿Ｒ（１）、Ｖｐ＿Ｒ（２）、……、Ｖｐ＿Ｒ（１
２８）、ＬＥＤ（Ｂ）照射時の光出力を、Ｖｐ＿Ｂ（１）、Ｖｐ＿Ｂ（２）、……、Ｖｐ＿Ｂ（１
２８）、とし、おのおのの画素のＬＥＤ（Ｒ）照射時の光出力と
ＬＥＤ（Ｂ）照射時の光出力との比を、Ｒ（１）、Ｒ（２）、……、Ｒ（１２８）として得る。（但し、Ｒ（ｎ）＝Ｖｐ＿Ｂ（ｎ）／Ｖｐ
＿Ｒ（ｎ））続いて、上記のＲ（ｎ）の全画素の平均値をＲａｖと
し、ある画素について平均値からのズレ量をΔＲとする
と、 ΔＲ（ｎ）＝１−｛Ｒ（ｎ）／Ｒａｖ｝ ……（２）となり、以上を順次演算することにより、おのおのの画
素における分光感度のズレを擬似的に把握することが可
能となる。また、平均値からのズレ量ΔＲ（ｎ）の値
は、所定のしきい値以下であれば規定値以下としてよい
が、ΔＲ（ｎ）の値の上限値は、画像品質に応じて任意
に設定することができる。

【００４９】本実施形態により、例えば、光電変換装置
面に入射される光が光量分布が生じていても、その光量
分布が光源によらず一定であるため問題とならない。

【００５０】本実施形態は光電変換装置のおのおのの画
素についての光出力比を全画素の光出力比の平均値と比
較したが、実施形態１に述べたように、ブロック単位に
分割しても構わない。

【００５１】［実施形態３］本実施形態は、実施形態１
よりも簡便に光電変換装置が半導体ウエハに形成されて
いる状態で、実施形態１よりも簡便に分光感度特性をバ
ラツキを検査する検査装置、及び検査方法について詳細
を述べる。

【００５２】図６は本実施形態における検査装置の平
面、及び断面構造の概略図、図７は本実施形態の検査装
置における光源手段の発光スペクトル、図８は本実施形
態における検査フローの概略図、図９は本実施形態にお
ける光源の半値幅と画像不良率との相関図である。

【００５３】本発明の検査装置は、実施形態１同様に光
源手段、及び導光手段を設けていることが特徴であり、
その他の部分については通常の光電変換装置の検査装置
とほぼ同様である。

【００５４】図６において、光電変換装置１は、半導体
ウエハ２上に複数形成されており、プローブカード３を
介してプローバ４と電気的に接続されている。

【００５５】また、光源手段５として、単一の発光スペ
クトルを有する１個のＬＥＤを有し、光源手段５で発生
した光は導光手段６を介して、ほぼ均等に光電変換装置
１上に照射される。上記導光手段７はアクリル樹脂や硝
子等の光透過性部材を用いて形成することができる。

【００５６】図７は、本実施形態の検査装置の光源手段
として用いている赤色（Ｒ）ＬＥＤの発光スペクトルで
ある。

【００５７】尚、本実施形態においては、実施形態１と
同様の光電変換装置を用いており、光電変換装置につい
ての説明は省略する。

【００５８】続いて、図８を用いて、本発明の検査方法
の詳細を述べる。本実施形態において、光電変換装置
は、ファンクション検査Ｓ１０、ダーク特性検査Ｓ２
０、光特性検査Ｓ３０の、３種類の大項目から構成され
る。暗状態でファンクション検査Ｓ１０及びダーク特性
検査Ｓ２０の検査を行うのは図５の場合と同様である。
光照射（ＬＥＤ（Ｒ））状態による光特性検査Ｓ３０に
は、光電変換部の光出力バラツキ（ＰＲＮＵ）を検査す
る（Ｓ３５）。次に、光電変換部のリニアリティを検出
する（Ｓ３３）。次に、光電変換部の飽和出力を検出す
る（Ｓ３４）。特に、光出力バラツキ（ＰＲＮＵ）を検
査工程で、簡略化したバラツキを検出することが重要で
ある。

【００５９】ここで、本発明の特徴は、光特性検査Ｓ３
０の部分であり、ＬＥＤ（Ｒ）光源照射時の光出力（Ｖ
ｐ＿Ｒ）を用いて分光感度特性のバラツキを検査するこ
とである。

【００６０】すなわち、半値幅の小さい光源を用いるこ
とにより、光出力は分光感度特性のシフトに対して敏感
に反応するため、光出力のバラツキ値をもって分光感度
特性のバラツキを検出することが可能となる。

【００６１】本実施形態においては、１２８画素を有す
る光電変換装置を例にとる。

【００６２】まず、光電変換装置の１２８画素全てにつ
いて、ＬＥＤ（Ｒ）照射時の光出力を、Ｖｐ＿Ｒ（１）、Ｖｐ＿Ｒ（２）、……、Ｖｐ＿Ｒ（１
２８）、として得る。

【００６３】続いて、上記のＶｐ＿Ｒ（ｎ）の全画素の
平均値をＶｐ＿Ｒａｖとし、ある画素について平均値か
らのズレ量をΔＶｐ＿Ｒとすると、 ΔＶｐ＿Ｒ（ｎ）＝１−Ｖｐ＿Ｒ（ｎ）／Ｖｐ＿Ｒａｖとなり、以上を順次演算することにより、おのおのの画
素における分光感度のズレを擬似的に把握することが可
能となる。また、平均値からのズレ量ΔＶｐ＿Ｒ（ｎ）
の上限値は画像品質に応じて任意に設定することができ
る。

【００６４】尚、本実施形態は全画素についての演算処
理を行っているが、例えば、密着型イメージセンサに用
いる光電変換装置のように、光電変換装置の端部の分光
感度特性の不連続を除去するために、光電変換装置の端
部近傍と、その他の領域とを分離して演算処理を行って
も構わない。

【００６５】本実施形態においては、光電変換装置に入
射される光量分布と分光感度特性バラツキとを切り分け
ることが困難であるため、極力、光電変換装置面に入射
される光が、光量分布が生じないように工夫することが
好ましい。

【００６６】尚、図９は、本実施形態において、数種類
の光源の半値幅と、その光源を用いて本実施形態の検査
による光電変換装置を用いた光源切り換え式の密着型イ
メージセンサにおける画像不良率との関係を示したもの
である。図９より、本実施形態においては、できるだけ
半値幅の狭い光源を用いた方が、画像不良率で示すよう
に、分光感度特性バラツキの検出感度を高められること
がわかる。従って、本実施形態においては、光源の半値
幅は３０ｎｍ程度以下であることが好ましく、２０ｎｍ
以下であればより好ましい。

【００６７】さらに、本実施形態においては、複数個の
光源を用いても良いが、発光波長には個体差があり、単
一光源に比較して照射光の半値幅が大きくなる可能性が
あるため、単一光源と導光手段を用いて光電変換装置に
光を照射する方が好ましい。

【００６８】また、実施形態１同様、本実施形態におい
ても、本発明の検査装置における光源手段、及び導光手
段については、例えば光電変換装置が用いられるイメー
ジセンサユニットと同一のものを用いることができ、こ
の場合、イメージセンサユニット構成時の歩留まりが向
上する。

【００６９】また、本実施形態においても、ウエハ状態
の光電変換装置の検査のみならず、イメージセンサモジ
ュール用の検査装置、及び検査方法に適用することが可
能である。

【００７０】本実施形態においては、光電変換装置の検
査装置、及び検査方法が、通常の白黒原稿読み取り用の
光電変換装置をほぼ同等となるため、カラー原稿読み取
り用の光電変換装置の検査コストを、白黒原稿読み取り
用の光電変換装置の検査コストと同等にすることが可能
となる。

【００７１】

【発明の効果】以上述べたように、本発明の検査装置、
及び検査方法を用いることにより、光源切り換え型のイ
メージセンサユニットの画質に大きく影響する光電変換
装置の分光感度特性のバラツキ量を、非常に簡便に、か
つ短い検査時間で定量化することが可能になるため、高
品質の光源切り換え型のイメージセンサユニット用光電
変換装置を安価に提供することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態１における検査装置のブロッ
ク図である。

【図２】本発明の実施形態１における検査装置の平面、
及び断面構造の概略図である。

【図３】本発明の実施形態１の検査装置における光源手
段の発光スペクトルである。

【図４】従来例と本発明の実施形態１における光電変換
装置の光電変換部近傍の平面、及び断面構造図である。

【図５】本発明の実施形態１における検査フローの概略
図である。

【図６】本発明の実施形態３における検査装置の平面、
及び断面構造の概略図である。

【図７】本発明の実施形態３の検査装置における光源手
段の発光スペクトルである。

【図８】本発明の実施形態３における検査フローの概略
図である。

【図９】本発明の実施形態３における光源の半値幅と画
像不良率との相関図である。

【図１０】本発明の光電変換装置を用いるイメージセン
サユニットの断面図である。

【符号の説明】

１光電変換装置２ウエハ３プロープカード４プローバ５ＬＥＤ（Ｒ）（Ｂ）６導光手段１２光電変換部１３半導体基板１４ホトダイオード１５画素分離領域１６層間絶縁膜１７遮光層１８保護膜５０ＣＰＵ５１光源手段５２導光手段５３光源駆動手段５４センサ駆動手段５５信号処理手段５６プローバ制御手段５７プローバー５８プローブカード５９半導体ウエハ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】複数の光電変換部を有する光電変換装置
と、前記光電変換部に向かって照射する光照射手段と、
前記光照射手段の光を原稿に照射する第１の導光手段
と、を有するイメージセンサユニットに用いられる前記
光電変換装置用検査装置において、前記光電変換装置を照射するための特定のスペクトラム
の光源手段と、上記光源手段の光を上記光電変換部に照射する第２の導
光手段と、を有することを特徴とする光電変換装置用検
査装置。
【請求項２】前記光源は第１の発光波長を有する単一
光源であることを特徴とする請求項１記載の光電変換装
置用検査装置。
【請求項３】前記光源手段はＬＥＤであることを特徴
とする請求項２記載の光電変換装置用検査装置。
【請求項４】前記ＬＥＤの発光スペクトルの半値幅は
２０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項３記載の光
電変換装置用検査装置。
【請求項５】前記光源手段は、第１の発光波長を有す
る第１の単一光源と、前記第１の発光波長とは異なる第
２の発光波長を有する第２の単一光源と、を有すること
を特徴とする請求項１記載の光電変換装置用検査装置。
【請求項６】前記光源手段はＬＥＤであることを特徴
とする請求項５記載の光電変換装置用検査装置。
【請求項７】前記第１の導光手段と前記第２の導光手
段は実質的に同一であることを特徴とする請求項１記載
の光電変換装置用検査装置。
【請求項８】前記光源手段はすくなくとも前記光照射
手段の一部分と実質的に同一であることを特徴とする請
求項１記載の光電変換装置用検査装置。
【請求項９】前記第２の導光手段に照射された前記光
電変換装置の各光電変換部の出力と前記各光電変換部の
出力の平均値との差によって、光特性検査を実行するこ
とを特徴とする請求項１記載の光電変換装置用検査装
置。
【請求項１０】前記第２の導光手段に照射された前記
光電変換装置の各光電変換部の出力と隣接する前記光電
変換部の出力の差によって、光特性検査を実行すること
を特徴とする請求項１記載の光電変換装置用検査装置。
【請求項１１】複数の光電変換部を有する光電変換装
置と、光照射手段と、上記光照射手段の光を原稿面に照
射する導光手段と、を有するイメージセンサユニットに
用いる光電変換装置の検査方法において、第１の光源からの光を照射した場合の前記光電変換部の
光出力をＶ１、第２の光源からの光を照射した場合の前記光電変換部の
光出力をＶ２、とした場合、上記Ｖ１と上記Ｖ２の比を演算処理することを特徴とす
る光電変換装置の検査方法。
【請求項１２】前記第１の光源、及び前記第２の光源
はＬＥＤであることを特徴とする請求項１１記載の光電
変換装置の検査方法。
【請求項１３】複数の光電変換部を有する光電変換装
置と、光照射手段と、上記光照射手段の光を原稿面に照
射する第１の導光手段と、を有するイメージセンサユニ
ットに用いる光電変換装置の検査方法において、単一の光源手段と第２の導光手段によって、上記光電変
換部に光が照射されている状態の光電変換装置の光出力
を演算処理することを特徴とする光電変換装置の検査方
法。
【請求項１４】前記光源手段は半値幅２０ｎｍ以下の
ＬＥＤであり、かつ前記光照射手段に含まれる光源と実
質的に同一であることを特徴とする請求項１３記載の光
電変換装置の検査方法。