JP2000349342A - 半導体発光装置 - Google Patents

半導体発光装置

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JP2000349342A
JP2000349342A JP15791099A JP15791099A JP2000349342A JP 2000349342 A JP2000349342 A JP 2000349342A JP 15791099 A JP15791099 A JP 15791099A JP 15791099 A JP15791099 A JP 15791099A JP 2000349342 A JP2000349342 A JP 2000349342A
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light emitting
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crystal display
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Tomio Inoue
登美男 井上
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Matsushita Electronics Corp
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements

Abstract

(57)【要約】 【課題】 単色及びフルカラーの液晶パネル等を一様に
高輝度で発光させることができる半導体発光装置を提供
すること。 【解決手段】 化合物半導体を利用した発光素子1と、
この発光素子1より大きな形状を持ち且つ発光素子1の
少なくとも主光取り出し面からの光を取り込んで発光先
へ配光する配光ヘッド3とを備え、配光ヘッド3には、
発光素子1の主光取り出し面のほぼ法線方向への配光分
布を、前記法線とほぼ直交する方向への配光分布より小
さく設定可能な光透過構造を備える。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、たとえば携帯電話
等の液晶表示部のバックライトやビデオカメラのビュー
ファインダー等のバックライトとして好適に利用できる
ようにした半導体発光装置に関する。
【0002】
【従来の技術】携帯電話等の小型機器の表示部には小型
で消費電力も小さい液晶ディスプレイが広く利用されて
いる。この液晶ディスプレイは、液晶表示パネルの下に
バックライトを配置し、暗い場所でも画像が見えるよう
にしたものが主流である。また、ビデオカメラのビュー
ファインダーに備えるフルカラーの液晶表示画面にも同
様にバックライトを設けるのが通常である。
【0003】携帯電話の液晶表示部は単色液晶としたも
のが一般的であり、表示面の面輝度を高くすることより
もむしろ表示面の全体から明暗の差がないように一様に
発光させることが必要である。このことから、従来の携
帯電話の分野では、光源としてチップLEDを備えると
ともに液晶表示パネルに一様に光を配光させるための導
光板が組み込まれる。図7にこのような導光板を備える
バックライト構造の概略を示す。
【0004】図7の(b)に示すように液晶表示パネル
51の下に透明アクリル板を利用した導光板52を配置
し、この導光板52の左側面のほぼ中央に対峙する位置
にチップ型の発光ダイオード(以下、「LED」と記
す)53を配置している。このLED53はその主光取
り出し面を導光板52の中央部に向けた姿勢とし、側方
から抜ける光を導光板52に向けて反射させるための反
射板54を備えている。
【0005】一方、フルカラーの液晶表示の場合では、
表示面全体の明るさを一様化するだけでなく面輝度を高
くする必要があるので、たとえば白色発光のLEDを複
数個備えたものが多い。そして、液晶表示パネルに対す
る配光は単色発光の場合と同様に導光板によるもので、
図8にフルカラー液晶表示部のバックライト構造を示
す。
【0006】図7の例と同様に液晶表示パネル55の下
に導光板56を配置し、この導光板56の左側面に沿っ
て複数のLED57を配置している。このように複数の
LED57を備えるのは、前述のように面輝度を高くす
るためである。そして、LED57からの光を取り込む
導光板56は拡散による配光だけでなく、液晶表示パネ
ル55の縦断面をエッジ状としてその底面で全反射する
光を液晶表示パネル55に入射させるようにしている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】このようなバックライ
ト用の光源として用いられるLED53,57は、近来
では高輝度化が進み、特にGaN系化合物半導体を利用
した緑色発光のものも多用されるようになった。
【0008】ところが、図7の単色発光の液晶表示パネ
ル51の場合、反射板54を備えるものの1個のLED
53を光源とするので、LED53に近い部分の配光分
布が高くなる。このため、導光板52の図中の破線で示
す部分からの配光分布の高い光量がそのまま液晶表示パ
ネル51に入射されるので、表示画面も幅方向に左端側
であって高さ方向のほぼ中央部分がほかの部分よりも明
るく光る。したがって、表示画像が鮮明な部分とそうで
ない領域とに別れてしまい、画像が見にくくなる。
【0009】これに対し、LEDの数を増やして導光板
52の左端に沿って配置したり、右端にも備えたりすれ
ば、液晶表示パネル51の画面全体は明るくなる。しか
しながら、LEDの配置数を増やしても、LEDに近い
部分の配光分布が高くなることに変わりはないので、液
晶表示パネル51の画面全体の輝度の一様化はきわめて
難しい。また、複数のLEDを組み込むのでは配線等も
含めて占有スペースが大きくなるため、表示画面の拡大
も図れず、機器の小型化にも制約を受けるほか、消費電
力も増えてしまう。
【0010】また、図8の例では、導光板56の側面か
ら入射した光の拡散と底面からの全反射を有効に活用し
て液晶表示パネル55の輝度を上げるために、複数のL
ED57を備えている。しかし、ビューファインダ用と
して用いる場合では、LED57は白色発光として対応
させることが必要である。この白色発光のLEDは、た
とえば高輝度の青色発光の素子に蛍光物質を利用して波
長変換した黄または黄緑の発光と素子自身の青色発光と
の合成によって白色を得るというものなので、発光効率
は低い。したがって、消費電力が増えるほか、LED5
7やその配線のためのスペースの確保の面で難点があ
る。また、LED57自身の発光効率だけでなく、導光
板56とLED57が一体化されていない場合は導光板
56を介して間接的に液晶表示パネル55に発光を入射
させるので、導光板56の開口角すなわちLED57の
光が導光板56に入る光量に制限があり、光の損失が生
じる。そして、導光板56を通過する間の光量の減衰も
伴うので、高輝度化が損ねられることになる。
【0011】このように、従来のバックライト構造では
チップ型のLED53,57の光をそのまま導光板5
2,56に入射させるので、液晶表示パネル51,55
の画面には輝度むらが発生し、画面全体を一様に高輝度
化できないという問題がある。
【0012】本発明は、単色及びフルカラーの液晶表示
パネル等を一様に高輝度で発光させることができる半導
体発光装置を提供することを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明は、化合物半導体
を利用した発光素子と、前記発光素子より大きな形状を
持ち且つ前記発光素子の少なくとも主光取り出し面から
の光を取り込んで発光先へ配光する配光ヘッドとを備
え、前記配光ヘッドは、前記発光素子の主光取り出し面
のほぼ法線方向への配光分布を、前記法線とほぼ直交す
る方向への配光分布より小さく設定可能な光透過構造を
備えていることを特徴とする。
【0014】
【発明の実施の形態】請求項1記載の発明は、化合物半
導体を利用した発光素子と、前記発光素子より大きな形
状を持ち且つ前記発光素子の少なくとも主光取り出し面
からの光を取り込んで発光先へ配光する配光ヘッドとを
備え、前記配光ヘッドは、前記発光素子の主光取り出し
面のほぼ法線方向への配光分布を、前記法線とほぼ直交
する方向への配光分布より小さく設定可能な光透過構造
を備えていることを特徴とする半導体発光装置であり、
点光源状の発光素子からの光であっても配光ヘッドを通
して配光先へ均一な光の照射が得られるという作用を有
する。
【0015】請求項2に記載の発明は、前記配光ヘッド
は、底面のほぼ中央に設けたキャビティに前記発光素子
を没入させて前記発光素子と一体化する光透過性のコア
と、前記コアの少なくとも上面を被覆するスクリーンと
を備え、前記スクリーンには、前記発光素子との間の距
離が大きくなるにつれて光透過面積を大きくした光透過
部を形成してなる請求項1記載の半導体発光装置であ
り、スクリーンに設ける孔やスリット等を光透過部とし
てその大きさを調整するだけで、発光先への光の照射量
を設定できるという作用を有する。
【0016】以下に、本発明の実施の形態の具体例を図
面を参照しながら説明する。
【0017】図1は本発明の半導体発光装置の詳細であ
って、(a)はプリント配線基板に実装したときの切欠
図、(b)は(a)のA−A線矢視方向に見た切欠図で
ある。
【0018】図において、半導体発光装置は発光素子1
と、これを搭載するサブマウント素子2と、配光ヘッド
3とから構成されたものである。
【0019】発光素子1はたとえばGaN系化合物半導
体を利用した緑色発光のもので、透明のサファイアを利
用した基板1aにGaNのn型層及びp型層を積層形成
し、これらの層のそれぞれの表面にn側電極1b及びp
側電極1cを形成したものである。そして、発光素子1
はフリップチップ型としてアセンブリされ、基板1a側
を主光取り出し面としてサブマウント素子2に実装され
ている。
【0020】サブマウント素子2は、たとえばシリコン
ウエハーから形成されたシリコン基板2aの表面にn電
極2bとp電極2cとをそれぞれ形成したものである。
このサブマウント素子2には、発光素子1のn側電極1
bをp電極2cに及びp側電極1cをn電極2bにそれ
ぞれバンプ電極4a,4bによって導通させて、発光素
子1が搭載固定される。
【0021】配光ヘッド3は直方体状の透明のガラスを
利用したコア3aと、左右の側面及び下端側を除いてコ
ア3aを被覆するスクリーン3bと、コア3aの底面に
貼り付けた2枚の電極3c,3dとから構成されたもの
である。コア3aは底面の中央部に円弧状に切欠したキ
ャビティ3a−1を形成したもので、このキャビティ3
a−1の中に発光素子1を埋没させて、キャビティ3a
−1の内面と発光素子1との隙間に樹脂を充填して埋め
る。また、電極3c,3dはアルミニュウムの薄膜を用
いたもので、図2の(b)の底面図に示すように、コア
3aの長辺方向の中間で区分けして形成されている。そ
して、サブマウント素子2のn電極2bを一方の電極3
c及びp電極2cを他方の電極3dに対応させ、それぞ
れ2個ずつのバンプ電極5a,5bによってサブマウン
ト素子2と配光ヘッド3とが一体に連結される。
【0022】スクリーン3bは電極3c,3dと同様に
アルミニュウムの薄膜層であり、コア3aの上面とその
長辺側の両側面の下端部を除いてコア3aを被覆してい
る。そして、図2の(a)の平面図に示すように、コア
3aの上面を被覆している部分には発光素子1からの光
を通すための透過孔3b−1を多数開けている。これら
の透過孔3b−1は、スクリーン3bの長辺方向にみ
て、中央部では1個、その左右には2個、更にその左右
には4個ずつのものを2列配置したパターンとなってい
る。すなわち、スクリーン3bの中央部では透過孔3b
−1の分布数が少なく、端部に向かうに連れて多くなる
分布であり、発光素子1に近い中央部では透過孔3b−
1は1個であり、中央部から少し離れた左右の部分では
2個であり、端部側では4個ずつの2列の配置となって
いる。
【0023】このようなスクリーン3bをコア3aに被
膜することで、発光素子1の光は配光ヘッド3のコア3
aの長手方向の両端面の全面から図1の(a)の矢印方
向に放射される。また、配光ヘッド3の上面の中央部で
は、発光素子1に近くてスクリーン3bに開けた透過孔
3b−1の個数は少ないので、配光ヘッド3の中央部分
では小さい発光面積から強い光が放射される。そして、
配光ヘッド3の中央部から離れた部分では、発光素子1
から遠ざかる一方で透過孔3b−1の分布数は増えてい
るので、大きな発光面積から弱い光が放射される。すな
わち、配光ヘッド3の上面の中央部では強い光であるが
光量分布は小さく、端部側では弱い光であるが光量分布
は大きい。したがって、発光素子1を配光ヘッド3の中
央の底面側に配置していても、配光ヘッド3の上面から
均一な光の照射分布として放射することができる。この
ように、発光素子1の主光取り出し面(図1の(a)及
び(b)において発光素子1の上面)のほぼ法線方向へ
の配光分布に比べて、この法線方向とほぼ直交する向き
への配光分布を強くすることにより、配光先への光の照
射量を均一化することができる。
【0024】発光素子1をサブマウント素子2に搭載
し、このサブマウント素子2を配光ヘッド3に一体化し
たアセンブリの半導体発光装置は、図1の(a)に示す
ようにプリント配線基板6の表面に実装される。このプ
リント配線基板6はサブマウント素子2を落とし込むた
めの装着孔6aを開けるとともに導通用の配線パターン
(図示せず)を表面に形成したものである。そして、導
電性接着剤6bを配光ヘッド3の電極3c,3dと配線
パターンとの間に介在させて、配光ヘッド3をプリント
配線基板6に導通固定し、これによりプリント配線基板
6と発光素子1とを導通させることができる。
【0025】なお、プリント配線基板のかわりにリード
フレームを用いてもよい。
【0026】図3は本発明の半導体発光装置を液晶表示
装置と組み合わせた例の概略であって、(a)は液晶表
示パネルを除いて示す要部の平面図、(b)は(a)の
B−B線矢視方向に見た図である。
【0027】従来例でも示したように、液晶表示パネル
7の下に導光板8が配置され、この導光板8の左側面の
中央部に対応する位置に半導体発光装置が配置されてい
る。なお、導光板8は透明のアクリル板であり、その底
面に発光素子からの入射光を液晶表示パネル7側に反射
させる微小な凹凸パターンを形成したものである。プリ
ント配線基板6に保持された半導体発光装置は、配光ヘ
ッド3を導光板8の左端面の一部を切り欠いた切欠の中
に埋め込まれ、この配光ヘッド3の長手方向の両端を挟
む位置にある導光板8の側面によって反射面9a,9b
を形成している。
【0028】以上の構成において、プリント配線基板6
からの通電によって発光素子1が発光し、その光はキャ
ビティ3a−1(図1の(a),(b)参照)から透明
ガラス製のコア3aに取り込まれる。コア3aは、図1
の(a)で説明したように長手方向の両端面の全面、ス
クリーン3bの透過孔3b−1、及びスクリーン3bが
被覆していないコア3aの底面部のそれぞれを光の放出
部とする。コア3aの両端面からの光は、反射面9a,
9b側に向かいこの反射面9a,9bで反射されて配光
ヘッド3から離れた部分の導光板8内に送り込まれる。
また、スクリーン3bの透過孔3b−1を抜けて導光板
8方向に向かう光は、先に説明したように、配光ヘッド
3の上面の中央部では強い光であるが光量分布は小さ
く、端部側では弱い光であるが光量分布は大きくなるの
で、均一な光の照射分布として放射される。そして、配
光ヘッド3の底面側に抜けようとする光は、アルミニュ
ウムの電極3c,3dで反射される成分となるが、その
殆どはコア3aの長手方向の両端面及び透過孔3b−1
から放出される光に合流する。
【0029】このような配光ヘッド3による光の配光性
では、発光輝度の高い発光素子1を用いても、導光板8
の中央部分だけが突出して明るくなるようなことはな
く、導光板8のほぼ全体に光を拡散させることができ
る。したがって、導光板8からの光によって照明される
液晶表示パネル7の画面にも明度のばらつきがなく、画
面全体を均一な明るさとして表示できる。
【0030】図4及び図5はフルカラーの液晶表示に最
適な半導体発光装置の例である。なお、発光素子1,サ
ブマウント素子2,プリント配線基板6のそれぞれの構
成及び導通構造は図1に示したものと同様であり、同じ
部材については共通の符号で指示し、その詳細な説明は
省略する。
【0031】サブマウント素子2を導通固定する配光ヘ
ッド10は、キャビティ10a−1を底面側の中心に形
成した透明ガラス製のコア10aを正方形の平面形状と
して形成したものである。コア10aの底面にはプリン
ト配線基板6とサブマウント素子2とを導通させるアル
ミニュウムの薄膜を利用した電極10b,10cを形成
し、上面には同様にアルミニュウム薄膜によるスクリー
ン10dを設けている。スクリーン10dは図5の
(a)に示すように、発光素子1の中心に位置合わせし
たスポット状の透過孔10d−1とその周りに年輪状に
配列した環状及び円弧状の透過スリット10d−2を形
成し、これらの透過孔10d−1と透過スリット10d
−2をコア10aからの光の放出路としたものである。
透過孔10d−1はその開口面積が最小であり、透過ス
リット10d−2は中心から離れるにつれて開口面積が
増えるような関係としている。
【0032】また、コア10aの四方の側面はいずれも
剥き出しとしたもので、これらの側面からそのまま光が
放出される。したがって、スクリーン10dによる透過
路のパターンと合成すると、配光ヘッド10の中心部で
は強い光が小さい発光面積から放射され、四方の側面に
いくに従い弱い光が大きな発光面積から放射され、先の
例と同様にスクリーン10dの上面から均一な照射分布
として光が放射される。なお、コア10aの四方の側面
の前面からかなり強い光が放射される。
【0033】図6は図4及び図5の半導体発光装置をフ
ルカラーの液晶表示装置と組み合わせた例の概略であっ
て、(a)は液晶表示パネルを除いて示す要部の平面
図、(b)は(a)のC−C線矢視による縦断面図であ
る。
【0034】図6の(b)に示すように、フルカラーの
液晶表示パネル11の下方に、配光ヘッド10の上面を
対向させて半導体発光装置が配置され、その周りに反射
フード12を設けている。この反射フード12は、配光
ヘッド10の周りを囲む平面部12aと、配光ヘッド1
0の四方の側面に対向する配置とした4面の傾斜面12
bとの組合せとしたものである。
【0035】このような構成において、通電によって発
光素子1が発光すると、キャビティ10a−1からの光
がコア10aに取り込まれる。コア10aは、スクリー
ン10dの透過孔10d−1及び透過スリット10d−
2と、スクリーン10dが被覆していないコア10aの
四方の側面を光の放出部とする。四方の側面からの光は
反射フード12の傾斜面12bに達してから液晶表示パ
ネル11側へ反射され、透過孔10d−1及び透過スリ
ット10d−2からは直接光が液晶表示パネル11に照
射される。このとき、透過孔10d−1及び透過スリッ
ト10d−2の分布により、先に説明したようにスクリ
ーン10dの上面からは均一な照射分布として光が放射
される。そして、たとえば配光ヘッド10及び反射フー
ド12の寸法は形状を最適化することによって、コア1
0aの四方の側面からの強い光が反射フード12の傾斜
面12bから反射した反射光の光量分布を、配光ヘッド
10の上面からの光量分布と同じ程度に設定できる。し
たがって、液晶表示パネル11の中央部分だけが突出し
て高輝度になることはなく、液晶表示パネル11の画面
にも明度のばらつきがなく、画面全体を均一な明るさと
して表示できる。
【0036】また、従来のように導光板の側面から光源
からの光を入射させるのではなく、発光素子1からの光
は配光ヘッド10のコア10aを中間的な発光体として
液晶表示パネル11に入射される。このため、発光素子
1の発光強度を減衰させることなく液晶表示パネル11
の照明に充てることができ、高輝度の照明光が得られ
る。したがって、液晶表示パネル11の画面全体を高輝
度でしかも一様な明るさで照明でき、高輝度が必要とさ
れるフルカラーの液晶表示装置に好適に利用できる。
【0037】
【発明の効果】本発明では、発光素子からの光を液晶表
示装置などのバックライト用の光源として利用すると
き、液晶表示面を均一な明るさで照明することができ、
表示画像が見やすくなる。また、配光ヘッドからの光を
直に液晶表示装置の裏面側に入射させるようなアセンブ
リとすれば、画面の明るさの均一さだけでなく輝度も上
げることができ、フルカラーの液晶表示装置のバックラ
イトとして最適に使用できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の半導体発光装置の詳細であって (a)はプリント配線基板に実装したときの切欠図 (b)は(a)のA−A線矢視方向に見た切欠図
【図2】(a)は図1の半導体発光装置の平面図 (b)は図1の半導体発光装置の底面図
【図3】図1及び図2の半導体発光装置を液晶表示装置
に組み込んだときの概略図であって (a)は液晶表示パネルを除いて示す平面図 (b)は(a)のB−B線矢視方向に見た図
【図4】フルカラーの液晶表示装置に好適な半導体発光
装置の例を示す切欠図
【図5】(a)は図4の半導体発光装置の平面図 (b)は底面図
【図6】図4及び図5の半導体発光装置をフルカラーの
液晶表示装置に組み込んだときの概略であって (a)は液晶表示パネルを除いて示す要部の平面図 (b)は(a)のC−C線矢視による要部の縦断面図
【図7】導光板による配光の従来例であって (a)は要部の概略平面図 (b)は液晶表示パネルを含めて示す正面図
【図8】フルカラーの液晶表示装置における導光板によ
る配光の従来例であって (a)は概略平面図 (b)は液晶表示パネルを含めて示す正面図
【符号の説明】
1 発光素子 1a 基板 1b n側電極 1c p側電極 2 サブマウント素子 2a シリコン基板 2b n電極 2c p電極 3 配光ヘッド 3a コア 3a−1 キャビティ 3b スクリーン 3b−1 透過孔 3c,3d 電極 4a,4b,5a,5b バンプ電極 6 プリント配線基板 6a 装着孔 6b 導電性接着剤 7 液晶表示パネル 8 導光板 9a,9b 反射面 10 配光ヘッド 10a コア 10a−1 キャビティ 10b,10c 電極 10d スクリーン 10d−1 透過孔 10d−2 透過スリット 11 液晶表示パネル 12 反射フード 12a 平面部 12b 傾斜面

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 化合物半導体を利用した発光素子と、前
    記発光素子より大きな形状を持ち且つ前記発光素子の少
    なくとも主光取り出し面からの光を取り込んで発光先へ
    配光する配光ヘッドとを備え、前記配光ヘッドは、前記
    発光素子の主光取り出し面のほぼ法線方向への配光分布
    を、前記法線とほぼ直交する方向への配光分布より小さ
    く設定可能な光透過構造を備えていることを特徴とする
    半導体発光装置。
  2. 【請求項2】 前記配光ヘッドは、底面のほぼ中央に設
    けたキャビティに前記発光素子を没入させて前記発光素
    子と一体化する光透過性のコアと、前記コアの少なくと
    も上面を被覆するスクリーンとを備え、前記スクリーン
    には、前記発光素子との間の距離が大きくなるにつれて
    光透過面積を大きくした光透過部を形成したことを特徴
    とする請求項1記載の半導体発光装置。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002170998A (ja) * 2000-12-01 2002-06-14 Sharp Corp 半導体発光装置およびその製造方法
WO2003075366A1 (en) * 2002-03-01 2003-09-12 Rohm Co., Ltd Packaged light emitting device
JP2004304041A (ja) * 2003-03-31 2004-10-28 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
EP1589590A2 (en) * 2004-04-21 2005-10-26 Nitto Denko Corporation Direct-type backlight

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002170998A (ja) * 2000-12-01 2002-06-14 Sharp Corp 半導体発光装置およびその製造方法
WO2003075366A1 (en) * 2002-03-01 2003-09-12 Rohm Co., Ltd Packaged light emitting device
JP2004304041A (ja) * 2003-03-31 2004-10-28 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
EP1589590A2 (en) * 2004-04-21 2005-10-26 Nitto Denko Corporation Direct-type backlight
EP1589590A3 (en) * 2004-04-21 2010-09-15 Nitto Denko Corporation Direct-type backlight

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