JP2000348860A

JP2000348860A - 発光装置

Info

Publication number: JP2000348860A
Application number: JP11157400A
Authority: JP
Inventors: Shinichi Urakawa; 伸一浦川; Tatsuto Kawai; 達人川合
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1999-06-04
Filing date: 1999-06-04
Publication date: 2000-12-15
Anticipated expiration: 2019-06-04
Also published as: JP3880244B2

Abstract

(57)【要約】【課題】有機材料等の素子構成の全体を外気から隔絶
する封止が容易で確実であると共に、素子の発生熱を高
効率に放熱することができ、発光出力を高安定に得られ
て長寿命化が図れる発光装置を提供する。【解決手段】ＴＦＴ２等かなる駆動手段を絶縁基板１
０上に積層形成し、画素に対応した単位発光部を下部電
極（陽極層４０）の側から駆動する。陰極層４２上に、
接着剤１２により封止基板１３を固着して全体的に覆
う。接着剤１２と封止基板１３は、共に熱伝導性が高く
導電性を有する部材とし、封止基板１３を各単位発光部
の上部電極（陰極層４２）を一括にまとめる集合電極に
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、有機化合物による
単位発光部を画素に対応させて基板上に配列した発光装
置に関し、とりわけ、各単位発光部それぞれに能動的な
駆動手段を備えるような発光装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】発光素子として、有機材料の電界発光現
象を利用したものがあり、有機材料を少なくとも一方が
透光性である一対の電極に挟み込んだ構成とし、一方の
電極からは電子を、他方の電極からは正孔を注入させる
ことにより有機材料中で再結合が起こり、その再結合に
よって励起された分子が再び基底状態に戻る際に、エネ
ルギ差に等しいエネルギを持つ光子を放出する。

【０００３】そうした有機材料による発光素子は、自己
発光であることによる視認性のよさと、有機材料の選択
により任意の発光色が容易に得られ、また低電圧駆動，
高効率，高輝度が可能であるという特徴から、ディスプ
レイ等への応用が考えられている。

【０００４】しかし、有機材料は、酸素や水分，湿気そ
して熱などに弱く耐久性面に問題があり、大気中で駆動
すると劣化により輝度，発光効率が低下し、発光素子と
しての寿命が短いという欠点があった。このため、有機
材料による素子構成部分を封止して外気から保護するこ
とが行われている。この封止には、例えば特開平５−１
８２７５９号公報などに見られるように、非透水性ガラ
ス基板を光硬化性樹脂で固着させる方法があり、あるい
はシリコンオイル等で液体封止するという方法が採られ
ている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところが、有機材料に
よる発光素子では、電界を印加して発光させた際に発熱
があり、有機材料は上述したように熱にも弱いので放
熱，冷却する必要があるものの、かかる従来の封止技術
にあっては、外気から隔絶することはできても放熱，冷
却するようにはなっていなく、耐久性を悪化させてい
た。

【０００６】また、液体封止は、有機材料の劣化を防ぐ
要求から中に封入する液体材料が制限されて材料の選択
に幅がなく、製造に際して液体を扱う工程は繁雑で手間
がかかるため生産コストが高くつき、大量生産には不向
きであるという問題があった。

【０００７】一方、導電性の基板は熱伝導性の高いもの
が多いので、これを、有機材料による素子構成部分に絶
縁性接着剤により固着させて封止板とすれば放熱性を向
上することができる。しかし、有機発光素子を画素に対
応させて複数配列した発光装置では、駆動手段の構成に
もよるが、例えば単純マトリックス回路などは、固着し
た導電性封止板の下側にある各有機発光素子の電極電位
が駆動に伴って変動し、しかもその変動のタイミングも
配列各所で大きく異なる。このため、介在させた絶縁性
接着剤の膜層が薄いと、静電結合が強くなり電極電位の
変動がノイズとして素子配列の全体を巡るようになり、
甚だしい場合には発光を制御できなくなるおそれがあっ
て、導電性封止板は充分な厚さの絶縁性接着剤を介して
封止しなければならなく、それでは放熱効果を減殺する
ため問題の解決にはならない。

【０００８】そこで、本発明はかかる従来の課題に鑑み
てなされてものであって、有機材料等の素子構成の全体
を外気から隔絶する封止が容易で確実であると共に、素
子の発生熱を高効率に放熱することができ、発光出力を
高安定に得られて長寿命化が図れる発光装置を提供する
ことを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】かかる目的を達成するた
めに本発明の発光装置は、有機化合物からなる膜層を電
極で挟んだ単位発光部を、画素に対応させて基板上にラ
イン状あるいは行列状に配列した発光装置であって、前
記有機化合物からなる膜層下側に前記各単位発光部それ
ぞれについて配設され、当該単位発光部を選択的に駆動
する駆動手段と、前記単位発光部の配列上側に固着され
て配列全面を覆う導電性の封止体とを備えて構成する。

【００１０】以上の構成により、基板上に配列される単
位発光部それぞれに駆動手段が配設されるので、各単位
発光部を個々独立に発光させることができる。この駆動
手段は、各単位発光部をなす有機化合物の膜層下側に配
設されるので、その膜層下側の各下部電極と接続し、そ
して導電性の封止体が単位発光部の配列上側に固着され
て配列全面を覆うので、その固着に導電性接着剤を用い
れば各単位発光部（有機化合物膜層）上側の上部電極は
封止体に電気的に接続することになる。

【００１１】つまり、封止体は各単位発光部の上部電極
を一括にまとめる集合電極となり、封止体を電源に接続
して単位発光部の配列全体に所定のバイアス電位を与え
る。この集合電極となる封止体は、熱伝導性の高いもの
としたので、有機化合物の膜層全体を外気から隔絶でき
ると共に、単位発光部の発生熱を高効率に放熱すること
ができる。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の発光装置の実施形
態を添付図面に基づいて説明する。

【００１３】図１〜図３は、本発明の第１実施形態を示
し、図１は本発明にかかる発光装置の構成を示す回路
図、図２はその基板上の単位画素について各部配置を示
す平面図、図３は図２のＡ−Ａ断面図である。

【００１４】この発光装置は、有機化合物による発光素
子４を画素に対応させて基板上に行列状に配列し、各発
光素子４それぞれに能動的な駆動手段を備えた構成とさ
れている。各発光素子４の駆動手段は、薄膜トランジス
タ（ＴＦＴ）を用いたアクティブ・マトリックス方式を
採り、発光素子４を選択する論理機能のＴＦＴ１と、発
光素子４へ励起電圧を印加する電力機能のＴＦＴ２と、
励起電圧を維持するコンデンサ３とを備えて構成されて
いる。そして、ＴＦＴ１，２は、いわゆるＦＥＴとなっ
ている。

【００１５】基板上には、画素に対応した発光素子４を
選択するため、二本のバスラインが行列網目状に複数配
設されており、一方の並びがＴＦＴ１のゲートと接続さ
れ（選択信号線Ｓ）、他方の並びがＴＦＴ１のソースと
接続されている（データ信号線Ｄ）。そして、ＴＦＴ１
のドレインには、ＴＦＴ２のゲートとコンデンサ３とが
接続され、コンデンサ３の他端は接地されている。ＴＦ
Ｔ２は、ドレインが発光素子４の陽極と接続され、ソー
スが接地されている。当該発光素子４の陰極は、図示し
ない電源に接続されており、所定の負電圧にバイアスさ
れる。また、基板上には、図２に示すように、接地用の
バスライン（グランドラインＧ）が複数配設されてい
る。

【００１６】つまり、ＴＦＴ１は、行列網目状に組んだ
マトリックスに接続した論理トランジスタであり、ソー
スがデータ信号線Ｄに、ゲートが選択信号線Ｓに接続さ
れ、両信号線Ｄ，Ｓにおいて選択オンは、まず選択信号
線Ｓを高電位状態（オンバイアス）にすると、高電位状
態の選択信号線Ｓに接続した各論理ＴＦＴ１はゲートが
バイアスされるが、このときデータ信号線Ｄにはデータ
信号を印加するので、両信号線Ｄ，Ｓがオン信号状態に
ある交差ポイントの論理ＴＦＴ１が能動状態になり選択
される。このため選択ポイント（該当画素）において、
コンデンサ３にはその時点でのデータ信号線Ｄに現れて
いるデータ信号に応じて電荷が蓄積し、これに対応して
電力ＴＦＴ２はゲート電位が上昇するので能動状態とな
り、発光素子４がデータ信号に応じた輝度で発光する。

【００１７】選択オフは、選択信号線Ｓを低電位状態に
することであり、低電位とした選択信号線Ｓに接続した
各論理ＴＦＴ１はゲート電位が低下して逆バイアスが深
まるので、選択ポイントでは論理ＴＦＴ１がオフ状態と
なり、コンデンサ３が選択オン時に蓄積した電荷を保持
する。この保持，蓄積された電荷は、次の選択期間の直
前に論理ＴＦＴ１を通じて放出され、リセットされる。

【００１８】このように、発光素子４はその陽極側から
駆動制御されるので、その陰極は選択，駆動の期間を通
じて常に所定の電位に保たれる。後述するように、各発
光素子４の陰極は一つの導電性の膜層からなり一括にま
とめられる構成となっていて、そのような構成を採れる
のは発光素子４の駆動手段が、その陽極側から駆動制御
を行うことによる。

【００１９】発光装置の構成各部は、図３に示すよう
に、透光性の絶縁基板１０上に多段階プロセスにより形
成されている。これにはまず、絶縁基板１０の上に、Ｔ
ＦＴ１，２が積層により形成されるが、それらＴＦＴ
１，２は、ＭＯＳＦＥＴに構成されている。そして、図
２に示すように、ＴＦＴ１，２の近辺に、コンデンサ３
が形成されると共に、これらを接続するバスライン等の
配線パターンが形成され、上述した駆動手段に構成され
ている。さらに、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）等の透
明導電材料を積層させて陽極層４０としており、これは
ＴＦＴ２のドレインに接触するパターンに形成されてい
る。

【００２０】この駆動手段をなす膜層の上には、誘電体
絶縁材料が全体的に積層され、光導出部分の陽極層４０
とショートすることなく、任意の配線パターンをとるこ
とができる。そして、発光素子をなす部分つまり画素に
対応する光導出部分は、エッチングにより除かれて誘電
パシベーション層１１に形成されている。さらに、有機
材料を全体的に積層させて、光導出部分の陽極層４０上
に接触した部分を有機発光層４１としており、この有機
材料の膜層の上にはＡｌ等の導電性材料がやはり全体的
に積層されて陰極層４２に形成されている。即ち、誘電
パシベーション層１１を切除した光導出部分には、陽極
層４０，有機発光層４１，陰極層４２が順に積層され、
当該部分が画素に対応した単位発光部（発光素子４）と
なっている。

【００２１】陰極層４２の上には、接着剤１２を介して
封止基板１３が固着されており、封止基板１３は、絶縁
基板１０と同一サイズとされていて、陰極層４２を全体
的に覆うようになっている。接着剤１２及び封止基板１
３は、共に熱伝導性が高く導電性を有する部材からな
り、陰極層４２と電気的に接続されるようになってい
る。

【００２２】接着剤１２には、Ａｇペーストなど導電性
のものが好ましく、更に熱伝導性が高い材料にすること
により単位発光部から封止基板１３への熱伝導を良好に
行え、好ましい。尚、導電性を要しない部分については
耐湿性の接着剤を用いても良い有機材料の膜層（４１）としては、陽極層４０側から見
て、正孔輸送層，発光層の２層構成、正孔注入層，正孔
輸送層，発光層の３層構成、正孔輸送層，発光層，電子
注入層の３層構成、正孔注入層，正孔輸送層，発光層，
電子注入層の４層構成を採ることができる。

【００２３】正孔輸送層としては、正孔の注入性と電子
の障壁性の何れかを有しているものであればよい。例え
ば、トリアゾール誘電体，オキサジアゾール誘電体，イ
ミダゾール誘電体，ポリアリールアルカン誘電体，ピラ
ゾリン誘電体，ピラゾロン誘電体，フェニレンジアミン
誘電体，アリールアミン誘電体，アミノ置換カルコン誘
電体，オキサゾール誘電体，スチリルアントラセン誘電
体，フルオレノン誘電体，ヒドラゾン誘電体，スチルベ
ン誘電体，シラザン誘電体，ポリシラン系化合物，アニ
リン系共重合体，チオフェンオリゴマー等の導電性高分
子オリゴマー，ポルフィリン化合物，芳香族ジメチリデ
ィン系化合物等が挙げられる。

【００２４】発光層としては、電界印加時に陽極層４０
または正孔注入層から正孔を注入できると共に、陰極層
４２または電子注入層から電子を注入できる注入機能
や、注入された正孔あるいは電子を電界の力で移動させ
る輸送機能、及び正孔と電子の再結合の場を提供して光
放出を行わせる発光機能等を有する層を形成することが
できるものであればよい。例えば、ベンチアゾール系や
ベンゾイミダゾール系あるいはベンゾオキサゾール系な
どの蛍光増白剤，金属キレート化オキシノイド化合物，
スチリルベンゼン系化合物，ジスチリルピラジン誘電
体，ポリフェニル系化合物，１２−フタロペリノン，
１，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン，１，１，
４，４−テトラフェニル−１，３−ブタジエン，ナフタ
ルイミド誘電体，ペリレン誘電体，オキサジアゾール誘
電体，アルダジン誘電体，ピラジリン誘電体，シクロペ
ンタジエン誘電体，ピロロピロール誘電体，スチリルア
ミン誘電体，クマリン系化合物，芳香族ジメチリディン
化合物，８−キノリノール誘電体の金属錯体等が挙げら
れる。

【００２５】電子注入層としては、陰極層４２から注入
された電子を発光層に伝達する機能を有しているもので
あればよい。例えば、ニトロ置換フルオレノン誘電体，
アントラキノジメタン誘電体，ジフェニルキノン誘電
体，チオピランジオキシド誘電体，ナフタレンペリレン
等の複素環テトラカルボン酸無水物，カルボジイミド，
フレオレニリデンメタン誘電体，アントラキノジメタン
誘電体，アントロン誘電体，オキサジアゾール誘電体，
８−キノリノール誘電体の金属錯体，メタルフリーフタ
ロシアニンやメタルフタロシアニンあるいはこれらの末
端がアルキル基やスルホン基等で置換されているもの，
ジスチリルピラジン誘電体などが挙げられる。

【００２６】なお、正孔注入層，発光層，電子注入層な
ど各層の厚さは特に限定されるものではない。

【００２７】以上の構成により本実施形態の発光装置
は、絶縁基板１０上に配列される単位発光部（発光素子
４）それぞれに駆動手段が配設されるので、各単位発光
部を個々独立に発光させることができる。この駆動手段
は、各単位発光部をなす有機発光層４１の下側に配設さ
れるので、その下側の各陽極層４０と接続し、そして導
電性の封止基板１３が単位発光部の配列上側に固着され
て配列全面を覆い、その固着には導電性の接着剤１２が
用いられるので、各単位発光部（有機発光層４１）上側
の陰極層４２は封止基板１３に電気的に接続することに
なる。

【００２８】つまり、発光素子４の駆動手段が、その陽
極側から駆動制御を行うので、その陰極は選択，駆動の
期間を通じて常に所定の電位に保たれ、このため単純マ
トリックス回路のように発光素子４の陰極が独立である
必要がなく、封止基板１３は各単位発光部の上部電極を
一括にまとめる集合電極となる。ここでは各単位発光部
の上部電極は一つの導電性の膜層（陰極層４２）からな
る構成となっていて、封止基板１３を電源に接続して単
位発光部の配列全体に所定のバイアス電位を与えてい
る。この集合電極となる封止基板１３は、熱伝導性の高
いものとしたので、有機材料の膜層全体を外気から隔絶
できると共に、単位発光部の発生熱を高効率に放熱する
ことができる。その結果、発光出力を高安定に得られて
長寿命化が図れる。

【００２９】この封止には、封止基板１３を固着させれ
ばよいので作業が容易であり、単純な封止なので確実性
が高く、このため低コストな大量生産化が図れる。

【００３０】また、陰極層４２は集合電極でパターニン
グする必要がなく、陽極層４０のパターニングのみで高
精細化が図れる。

【００３１】なお、封止基板１３の配線上必要のない部
所は、絶縁膜層で覆うことが好ましい。絶縁膜層で覆う
ことにより、これを適用した画像表示装置等において、
配設部所の近辺各部と絶縁を保つことができ、リーク故
障の防止を図れる。

【００３２】また、封止基板１３の全面を絶縁膜層で覆
って、その絶縁膜層の上に配線パターンを所定にパター
ニングし、そこへ素子構成をなす膜層を順次に形成する
ようにして多層化してもよい。その場合、一枚の封止基
板１３上に他の関連回路をも集積させることができ、高
集積化が図れる。

【００３３】図４は、本発明の第２実施形態を示し、同
図は発光装置の構成を示す回路図である。

【００３４】この第２実施形態の発光装置は、第１実施
形態の論理ＴＦＴ１を２つのダイオード１０１，１０２
に置き換えた構成となっている。つまり、各発光素子４
の駆動手段は、発光素子４に対する発光データを取り込
むためのデータダイオード１０１と、当該画素のリセッ
トを行うためのリセットダイオード１０２と、発光素子
４へ励起電圧を印加する電力機能のＴＦＴ２と、励起電
圧を維持するコンデンサ３とを備えて構成されている。

【００３５】データ信号線Ｄには、データダイオード１
０１の陽極が接続されており、そのデータ信号線と交差
する選択信号線Ｓには、電力ＴＦＴ２のソースとコンデ
ンサ３の接地側とが接続され、コンデンサ３の他端は電
力ＴＦＴ２のゲートに接続されている。そして、電力Ｔ
ＦＴ２のゲートには、データダイオード１０１の陰極と
リセットダイオード１０２の陽極とが接続され、リセッ
トダイオード１０２の陰極は一本隣りの選択信号線Ｓと
接続され、電力ＴＦＴ２のドレインが発光素子４の陽極
に接続されている。また、当該発光素子４の陰極は、図
示しない電源に接続されており、所定の負電圧にバイア
スされる。

【００３６】両信号線Ｄ，Ｓにおいて選択オンは、該当
選択信号線Ｓを低電位状態にすることであり、低電位状
態の選択信号線Ｓに接続した各リセットダイオード１０
２は順バイアスになるが、このときデータ信号線Ｄには
データ信号を印加するので、両信号線Ｄ，Ｓがオン信号
状態にある交差ポイントでデータダイオード１０１とリ
セットダイオード１０２とが直列状態に導通して選択さ
れる。このため選択ポイント（該当画素）において、コ
ンデンサ３にはその時点でのデータ信号線Ｄに現れてい
るデータ信号に応じて電荷が蓄積し、これに対応して電
力ＴＦＴ２はゲート電位が上昇するので能動状態とな
り、発光素子４がデータ信号に応じた輝度で発光する。

【００３７】選択オフは、選択信号線Ｓを高電位状態に
することであり、高電位状態の選択信号線Ｓに接続した
各リセットダイオード１０２は逆バイアスとなるので、
選択ポイントではデータダイオード１０１がオフ状態と
なり、コンデンサ３が選択オン時に蓄積した電荷を保持
する。この保存，蓄積された電荷は、次の選択期間の直
前にリセットダイオード１０２を通じて放出され、リセ
ットされる。

【００３８】この場合も、発光素子４はその陽極側から
駆動制御されるので、その陰極は選択，駆動の期間を通
じて常に所定の電位に保たれる。そして、絶縁基板１０
上の積層構成も第１実施形態と同様となり、共に導電性
で高熱伝導性の接着剤１２及び封止基板１３が陰極層４
２の上に積層される。従って、封止が容易で確実であり
有機材料の膜層全体を外気から隔絶できると共に、単位
発光部の発生熱を高効率に放熱することができる。その
結果、発光出力を高安定に得られて長寿命化が図れる。

【００３９】図５は、本発明の第３実施形態を示し、同
図は発光装置の構成を示す回路図である。

【００４０】この第３実施形態の発光装置は、第２実施
形態の２つのダイオード１０１，１０２を１つのＭＩＭ
素子１０３に置き換えた構成となっている。

【００４１】ＭＩＭ素子１０３は、二層の金属または透
明導電層の間に薄い絶縁層を挟んだ構成の二端子素子で
あって、電圧・電流特性が図６に示すようにいわゆる双
方向ダイオード特性となっている。つまり、ＭＩＭ素子
１０３は、印加電圧が順方向，逆方向共に低値な特定範
囲では電流が流れなく高抵抗を示し、その範囲を越える
と急激に電流が流れて抵抗が低下する特性を持つ。

【００４２】各発光素子４の駆動手段は、発光素子４に
対する発光データを取り込み、かつ当該画素のリセット
を行うためのＭＩＭ素子１０３と、発光素子４へ励起電
圧を印加する電力機能のＴＦＴ２と、励起電圧を維持す
るコンデンサ３とを備えて構成されている。

【００４３】選択信号線Ｓには、ＭＩＭ素子１０３の一
方端が接続されており、その選択信号線Ｓと交差するデ
ータ信号線Ｄには、電力ＴＦＴ２のソースとコンデンサ
３の接地側とが接続され、コンデンサ３の他端は電力Ｔ
ＦＴ２のゲートに接続されている。そして、ＭＩＭ素子
１０３の他方端が電力ＴＦＴ２のゲートに接続され、電
力ＴＦＴ２のドレインが発光素子４の陽極に接続されて
いる。また、当該発光素子４の陰極は、図示しない電源
に接続されており、所定の負電圧にバイアスされる。

【００４４】両信号線Ｄ，Ｓにおいて選択オンは、該当
選択信号線Ｓを高電位状態にすることであり、高電位状
態の選択信号線Ｓに接続した各ＭＩＭ素子１０３は順バ
イアスになるが、このときデータ信号線Ｄにはデータ信
号を印加するので、両信号線Ｄ，Ｓがオン信号状態にあ
る交差ポイントでＭＩＭ素子１０３が導通して選択され
る。このため選択ポイント（該当画素）において、コン
デンサ３にはその時点でのデータ信号線Ｄに現れている
データ信号に応じて電荷が蓄積し、これに対応して電力
ＴＦＴ２はゲート電位が上昇するので能動状態となり、
発光素子４がデータ信号に応じた輝度で発光する。

【００４５】選択オフは、選択信号線Ｓを中電位状態に
することであり、中電位状態の選択信号線Ｓに接続した
各ＭＩＭ素子１０３は高抵抗範囲となるので、選択ポイ
ントではＭＩＭ素子１０３がオフ状態となり、コンデン
サ３が選択オン時に蓄積した電荷を保存する。この保
持，蓄積された電荷は、当該選択信号線Ｓを低電位状態
にすることでリセットされる。つまり、低電位状態の選
択信号線Ｓに接続した各ＭＩＭ素子１０３は逆方向の順
バイアスになり、コンデンサ３に保存，蓄積された電荷
は、ＭＩＭ素子１０３を通じて選択信号線Ｓ側へ放出さ
れ、リセットされる。

【００４６】この場合も、発光素子４はその陽極側から
駆動制御されるので、その陰極は選択，駆動の期間を通
じて常に所定の電位に保たれる。そして、絶縁基板１０
上の積層構成も第１実施形態と同様となり、共に導電性
で高熱伝導性の接着剤１２及び封止基板１３が陰極層４
２の上に積層される。従って、封止が容易で確実であり
有機材料の膜層全体を外気から隔絶できると共に、単位
発光部の発生熱を高効率に放熱することができる。その
結果、発光出力を高安定に得られて長寿命化が図れる。

【００４７】図７は、本発明の第４実施形態を示し、同
図は発光装置の構成を示す回路図である。

【００４８】この第４実施形態の発光装置は、第１実施
形態の論理ＴＦＴ１を１つのダイオードに置き換える
が、電力ＴＦＴ２は設けない構成となっている。つま
り、各発光素子４の駆動手段は、発光素子４に対する発
光データを取り込むためのデータダイオード１０１と、
励起電圧を維持するコンデンサ３とを備えて構成されて
いる。

【００４９】データ信号線Ｄには、データダイオード１
０１の陽極が接続されており、そのデータ信号線Ｄと交
差する選択信号線Ｓには、コンデンサ３の接地側が接続
され、コンデンサ３の他端はデータダイオード１０１の
陰極と発光素子４の陽極とに接続されている。そして、
当該発光素子４の陰極は、図示しない電源に接続されて
おり、所定の負電圧にバイアスされる。

【００５０】両信号線Ｄ，Ｓにおいて選択オンは、該当
選択信号線Ｓを低電位状態にすることであり、この電位
変動は選択信号線Ｓに接続した各コンデンサ３の他端に
出現し、このときデータ信号線Ｄにはデータ信号を印加
するので、両信号線Ｄ，Ｓがオン信号状態にある交差ポ
イントでデータダイオード１０１が導通して選択され
る。このため選択ポイント（該当画素）において、コン
デンサ３にはその時点でのデータ信号線Ｄに現れている
データ信号に応じて電荷が蓄積し、これに対応して発光
素子４が順バイアスされてデータ信号に応じた輝度で発
光する。

【００５１】選択オフは、選択信号線Ｓを高電位状態に
することであり、高電位状態の選択信号線Ｓに接続した
各コンデンサ３は電位が逆転するので、選択ポイントで
はデータダイオード１０１がオフ状態となり、コンデン
サ３が選択オン時に蓄積した電荷は発光素子４を通じて
放出され、リセットされる。

【００５２】この場合も、発光素子４はその陽極側から
駆動制御されるので、その陰極は選択，駆動の期間を通
じて常に所定の電位に保たれる。そして、絶縁基板１０
上の積層構成も第１実施形態と同様となり、共に導電性
で高熱伝導性の接着剤１２及び封止基板１３が陰極層４
２の上に積層される。従って、封止が容易で確実であり
有機材料の膜層全体を外気から隔絶できると共に、単位
発光部の発生熱を高効率に放熱することができる。その
結果、発光出力を高安定に得られて長寿命化が図れる。

【００５３】

【発明の効果】以上説明したように本発明の発光装置
は、基板上に配列される単位発光部それぞれに駆動手段
が配設されるので、各単位発光部を個々独立に発光させ
ることができ、その駆動手段は、各単位発光部をなす有
機化合物の膜層下側に配設されて下部電極側から駆動を
行う。そして、導電性の封止体が単位発光部の配列上側
に固着されて配列全面を覆い、その固着に導電接着剤を
用いることにより封止体は各単位発光部の上部電極を一
括にまとめる集合電極となる。この集合電極となる封止
体は、熱伝導性の高いものとしたので、有機化合物の膜
層全体を外気から隔絶できると共に、単位発光部の発生
熱を高効率に放熱することができる。その結果、発光出
力を高安定に得られて長寿命化が図れる。

【００５４】この封止には、封止体を固着させればよい
ので作業が容易であり、単純な封止なので確実性が高
く、このため低コストな大量生産化が図れる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態を示す発光装置の回路図
である。

【図２】図１の構成各部の配置を示す平面図である。

【図３】図２のＡ−Ａ断面図である。

【図４】本発明の第２実施形態を示す発光装置の断面図
である。

【図５】本発明の第３実施形態を示す発光装置の断面図
である。

【図６】図５のＭＩＭ素子の電圧・電流特性を示すグラ
フ図である。

【図７】本発明の第４実施形態を示す発光装置の断面図
である。

【符号の説明】

１，２ＴＦＴ３コンデンサ４発光素子（単位発光部）１０絶縁基板（基板）１１誘電パシベーション層１２接着剤１３封止基板（封止体）４０陽極層４１有機発光層４２陰極層１０１データダイオード１０２リセットダイオード１０３ＭＩＭ素子Ｄデータ信号線ＧグランドラインＳ選択信号線

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 3K007 AB00 AB02 AB03 AB06 AB14 AB18 BA06 BB01 CB01 DA00 DB03 EB00 FA02 GA00 5C094 AA10 AA24 AA37 AA43 AA44 AA46 AA60 BA27 CA19 DA07 DA09 EA05 FB01 5G435 AA03 AA17 BB05 CC09 EE36 GG25 KK05 KK09

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】有機化合物からなる膜層を電極で挟んだ
単位発光部を、画素に対応させて基板上にライン状ある
いは行列状に配列した発光装置であって、前記有機化合
物からなる膜層下側に前記各単位発光部それぞれについ
て配設され、当該単位発光部を選択的に駆動する駆動手
段と、前記単位発光部の配列上側に固着されて配列全面
を覆う導電性の封止体とを備えたことを特徴とする発光
装置。
【請求項２】駆動手段が、非線形素子と蓄積コンデン
サを有することを特徴とする請求項１に記載の発光装
置。
【請求項３】非線形素子が、トランジスタ、ダイオー
ド、ＭＩＭ素子から選ばれる少なくとも１種であること
を特徴とする請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】駆動手段が、誘電パシベーション層によ
り発光部の一方の電極と絶縁されていることを特徴とす
る請求項１〜３に記載の発光装置。
【請求項５】封止体と発光部の電極とが導電性接着剤
により電気的に接続されていることを特徴とする請求項
１〜４に記載の発光装置。
【請求項６】封止体の配線上必要のない部所が絶縁層
で覆われていることを特徴とする請求項１〜５に記載の
発光装置。
【請求項７】封止体が絶縁層で覆われており、該絶縁
層上に配線パターンが形成されていることを特徴とする
請求項１〜５に記載の発光装置。