JP2000348660A - 電子プローブマイクロアナライザー - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 電子プローブマイクロアナライザーにおい
て、試料面が複雑な凹凸形状であっても煩雑な条件設定
作業を必要とせず、確実で高精度の高さ補正を行う。 【解決手段】 電子線の照射によって試料Ｓから放出さ
れる特性Ｘ線により試料表面の元素分析を行う電子プロ
ーブマイクロアナライザーにおいて、試料表面の三次元
データから試料ステージ１７を制御する座標値を算出す
る演算手段２と、演算手段で算出した座標値に基づいて
試料ステージを駆動する試料ステージ駆動手段３，４と
を備えた構成とし、演算手段２は、三次元データの座標
系を試料ステージ側の座標系に変換する二次元の第１の
座標変換と、三次元データ中のＺ座標値を、試料ステー
ジにおいて分析条件を満足する高さ方向の座標値に変換
する第二の座標変換とを含み、座標変換によって算出し
た座標値を用いることによって、試料表面が分析条件高
さを満足するよう試料のＺ軸方向の位置制御を行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子プローブマイ
クロアナライザーに関し、特に試料のＺ軸方向の位置制
御に関する。

【０００２】

【従来の技術】波長分散型分光器を用いた電子プローブ
マイクロアナライザー（ＥＰＭＡ）では、電子線照射に
よって試料から放出される特性Ｘ線を検出するための集
光条件として、試料及び分光結晶，検出器のＸ線分光器
がローランド円の円周上に精度よく配置されることが求
められている。通常、このＸ線分光器の集光条件は試料
面の高さを位置合わせすることによって行っている。電
子プローブマイクロアナライザーを用いた分析では、試
料面の１点を分析する点分析や、試料面上で分析位置を
逐一変更しながらその都度Ｘ線信号を検出することによ
ってＸ線信号の一次元分布を得る線分析や二次元の分布
を得るマッピング分析がある。凹凸のある試料面に対し
て、精度よく点分析，線分析，及びマッピング分析を行
うには、各分析位置において試料面の高さがＸ線分光器
の集光条件を満足するように常に試料ステージの高さ方
向を制御する必要がある。

【０００３】従来、電子プローブマイクロアナライザー
の高さ方向（Ｚ軸方向）の位置合わせは、（ａ）分析点
毎に試料面の現在の高さ情報を取得して試料ステージに
帰還させ、試料面上の分析点が集光条件を満たす位置と
なるように試料ステージの高さ位置を調整するフィード
バック制御や、（ｂ）試料面を最小単位領域に分割し、
各単位領域の交点における座標値をあらかじめ取得して
おき、この座標値から単位領域内の分析点の高さ情報を
近似計算し、得られた高さ情報に基づいて試料ステージ
の高さ位置を調整する制御が行われている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】従来の電子プローブマ
イクロアナライザーで点分析，線分析，及びマッピング
分析を行う場合、上記の（ａ）フィードバック制御や
（ｂ）分割領域を用いた近似計算によって高さ方向の位
置合わせを高い精度で行うためには、各分析点毎に座標
値を取得したり、領域の分割数や座標値の取得回数を増
大させる必要があり、膨大なデータ数を要し、また処理
時間も長時間化するという問題がある。特に、線分析や
マッピング分析を行う場合の座標値の取得回数は膨大な
ものとなる。

【０００５】また、線分析及びマッピング分析を行う場
合には、分析点を移動させながら高さ方向の位置制御を
行う必要がある。このように分析点を移動させながら高
さ方向の位置制御において、上記（ａ）のフィードバッ
ク制御では、単位時間当たりの高さ方向の変動量が大き
い場合には、位置制御の応答速度が変動速度に追いつか
ないために制御が発散し、追随状態からはずれる可能性
が高まるという問題がある。

【０００６】一方、上記（ｂ）の分割領域による制御に
よって、線分析及びマッピング分析を行う場合には、
（ａ）のフィードバック制御で起こる発散のおそれはな
い。しかしながら、得られる高さ情報は試料形状を正確
に表したものでないため、起伏の変化が密になっている
場所が部分的に存在する試料面に対して高さ補正を行う
には、起伏変化が最も密になっている領域に合わせて分
割領域を細分化しなければならない。そのため、領域の
分割数や座標値の取得回数が増大して、データ数や処理
時間が増大する。

【０００７】そこで、本発明は前記した従来の問題点を
解決し、電子プローブマイクロアナライザーにおいて、
試料面が複雑な凹凸形状であっても煩雑な条件設定作業
を必要とせず、確実で高精度の高さ補正を行うことを目
的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本出願の発明は、電子線
の照射によって試料から放出される特性Ｘ線により試料
表面の元素分析を行う電子プローブマイクロアナライザ
ーにおいて、試料表面の三次元データから試料ステージ
を制御する座標値を算出する演算手段と、演算手段で算
出した座標値に基づいて試料ステージを駆動する試料ス
テージ駆動手段とを備えた構成とする。演算手段は、三
次元データの座標系を試料ステージ側の座標系に変換す
る二次元の第１の座標変換と、三次元データ中のＺ座標
値を、試料ステージにおいて分析条件を満足する高さ方
向の座標値に変換する第二の座標変換とを含む。そし
て、この座標変換によって算出した座標値を用いること
によって、試料表面が分析条件高さを満足するよう試料
のＺ軸方向の位置制御を行う。

【０００９】試料表面の三次元データは、分析対象であ
る試料の三次元形状データをあらかじめ取得しておき、
取得した三次元形状データを本願発明の電子プローブマ
イクロアナライザーに導入するものである。この試料表
面の三次元データは、電子プローブマイクロアナライザ
ー本体と別個の三次元計測装置により取得することも、
また、電子プローブマイクロアナライザー本体が備える
オートフォーカス機能を用いて取得することもできる。
演算手段は、三次元計測装置等によってあらかじめ取得
しておいた試料表面の三次元データから試料ステージを
制御するための座標値を算出するものであり、２つの座
標変換によって座標値を算出する。なお、以下では、三
次元計測装置の座標系を（ｘ，ｙ，ｚ）の小文字で表
し、電子プローブマイクロアナライザーの試料ステージ
側の座標系を（Ｘ，Ｙ，Ｚ）の大文字で表す。

【００１０】第１の座標変換は、三次元計測装置側の座
標系と電子プローブマイクロアナライザーの試料ステー
ジ側の座標系との座標系の相違を補償するものであり、
三次元計測装置側の三次元データ中の二次元の座標
（ｘ，ｙ座標）を試料ステージ側の二次元の座標（Ｘ，
Ｙ座標）に変換する。この第１の座標変換は、三次元計
測装置側の座標系と試料ステージ側の座標系との座標系
間に位置関係によって一義的に定まり、試料に無関係で
あるため、一度求めた座標系間の関係は試料に関わらず
使用することができる。この第１の座標変換を行うこと
によって、あらかじめ取得した試料表面の二次元の位置
座標を、試料ステージ上に設置した試料の二次元の位置
に正確に対応させることができる。

【００１１】電子プローブマイクロアナライザーにおい
て分析点の分析を行うには、該分析点が分析条件を満足
する高さ位置となるように高さ方向（Ｚ軸方向）に制御
を行う必要がある。試料ステージ上に設置された試料の
二次元の座標（Ｘ，Ｙ座標）は、第１の座標変換によっ
てあらかじめ取得した三次元データから求めることがで
きるが、三次元計測装置側で取得した三次元データ中の
高さ（ｚ座標値）は必ずしも分析条件を満足する高さ位
置とならず、分析条件を満足する高さに合わせる必要が
ある。これは、分析条件を満足する高さは電子プローブ
マイクロアナライザーの分光素子や検出器の位置や設置
角度に依存する他に、三次元計測装置側の座標系と試料
ステージ側の座標系との座標系が相違し、三次元計測装
置で取得した高さ分布データは、ある基準位置からの相
対的な距離で与えられた値であって、そのままでは分析
条件を満足する高さとならないためであり、また、試料
ステージの傾斜や試料ステージ上に配置した試料の傾斜
によって、分析条件を満足する高さが変化する点等の要
因によるためである。

【００１２】そこで、第２の座標変換は、試料ステージ
において試料表面が分析条件を満足する高さ位置となる
ように高さ方向（Ｚ軸方向）で座標変換を行なって上記
の各点を補償するものであり、三次元計測装置側の三次
元データ中の一次元の座標（ｚ座標）を試料ステージ側
の一次元の座標（Ｚ座標）に変換する。試料表面の高さ
方向（Ｚ軸方向）の分布データは、試料ステージ上に試
料を配置するごとに異なる。そこで、第２の座標変換で
は、試料を配置する毎に、試料上の分析点が分析条件を
満足する高さとなるときの試料ステージのＺ座標値を求
め、三次元計測装置側で対応する分析点の高さ（ｚ座標
値）との関係を表す変換関数を求め、この変換関数を用
いてあらかじめ求めた三次元データから試料ステージ側
のＺ座標値を求める。上記変換関数は、例えば少なくと
も３点のＺ座標値を求めて得る傾斜面を表す変換式とす
ることができる。

【００１３】この第２の座標変換を行うことによって、
あらかじめ取得した試料表面のＺ座標値を、試料ステー
ジ上において試料上の分析点が分析条件を満足する高さ
に変換することができる。試料ステージ駆動手段は、演
算手段で算出した座標値に基づいて試料ステージを駆動
するため、試料面が複雑な凹凸形状であっても煩雑な条
件設定作業を行なうこと無く、確実で高精度の高さ補正
を行うことができる。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図を参照しながら詳細に説明する。図１は本発明の電
子プローブマイクロアナライザーの構成例の概略ブロッ
ク図である。図１において、電子プローブマイクロアナ
ライザー１は、フィラメント１１から発生した電子線１
２をコンデンサレンズ１３，対物レンズ１４を介して試
料ステージ１７上に配置した試料Ｓに照射する。電子線
１２の照射によって試料Ｓから放出されたＸ線は、波長
別に分光する分光素子１５と分光された特性Ｘ線を検出
する検出器１６を含むＸ線分光器で分析される。

【００１５】試料ステージ１７は、ステージコントロー
ラ３からドライバ４に制御パルスを送ることによって
Ｘ，Ｙ，Ｚ軸方向に移動可能である。ステージコントロ
ーラ３はコンピュータ２からの制御コマンドによって、
Ｘ，Ｙ軸方向の位置決め、及びＺ軸方向の高さ調整を行
う。試料Ｓを光学的に観察する場合には、反射鏡１８で
反射した像をＣＣＤカメラ等の撮像装置５で撮像し、オ
ートフォーカスコントローラ６を介してモニタ７に表示
する。オートフォーカスコントローラ６は、Ｚ軸方向の
データをステージコントローラ３に戻して試料ステージ
１７をフィードバック制御することによって像の焦点を
合わせる。この焦点合わせによって、試料Ｓの高さデー
タを取得することもできる。オートフォーカスコントロ
ーラ６による撮像装置５の試料Ｓ上の焦点位置と、Ｘ線
分光器による試料Ｓ上で集光条件を満足する分析位置と
が一致するよう設定し、オートフォーカスコントローラ
６で光学像の焦点合わせを行うことによってＸ線分光器
の集光条件を合わせることができる。従来の電子プロー
ブマイクロアナライザーでは、分析点毎に光学像を観察
して焦点が合うように試料ステージ１７のＺ軸方向の位
置合わせを行っている。

【００１６】本出願の発明ではコンピュータ２が備える
座標変換機能によって、分析点毎に光学像を観察するこ
となく、三次元計測装置で取得した三次元データを用い
て試料ステージ１７のＺ軸方向の位置合わせを行う。以
下、コンピュータが備える機能及びその動作について説
明する。図２は第１の例の機能を説明するための機能ブ
ロック図であり、図３は三次元計測装置の構成を説明す
るための概略図であり、図４，６は機能及び動作を説明
するためフローチャートであり、図５，７，８は座標変
換を説明するための概略図である。

【００１７】コンピュータ２が備える機能は、三次元計
測装置で取得した三次元データを取り込み、該三次元デ
ータを座標変換して、試料ステージを駆動するための位
置座標を算出し、算出した位置座標をステージコントロ
ーラ３に送出する。ステージコントローラ３はこの位置
座標を用いて、試料表面が分析条件高さを満足するよう
試料のＺ軸方向の位置制御を行う。図２において、一点
鎖線内に示す各ブロックはコンピュータ２が備える機能
ブロックを示し、各データを格納するデータ格納ブロッ
ク２０（二点鎖線内に示す）と、三次元計測装置のｘ，
ｙ座標から試料ステージ１７側のＸ，Ｙ座標に座標変換
するＸ，Ｙ座標変換機能ブロック２１と、三次元計測装
置のｚ座標から試料ステージ１７側のＺ座標に座標変換
するＺ座標変換機能ブロック２２と、該Ｚ座標変換に用
いるＺ座標変換関数ｆを求める演算機能ブロック２３を
備える。

【００１８】データ格納ブロック２０は、三次元計測装
置等であらかじめ求めておいた三次元データ（ｘ，ｙ，
ｚ座標値）２０Ａ、Ｘ，Ｙ座標変換後の座標データ
（Ｘ，Ｙ，ｚ座標値）２０Ｂ、Ｚ座標変換後の座標デー
タ（Ｘ，Ｙ，Ｚ座標値）２０Ｃの各データを格納する。
ステージコントローラ３は、座標データ（Ｘ，Ｙ，Ｚ座
標値）を用いてドライバを駆動し位置制御を行う。

【００１９】Ｘ，Ｙ座標変換機能ブロック２１は、三次
元計測装置側の三次元データ中の二次元の座標（ｘ，ｙ
座標）を試料ステージ側の二次元の座標（Ｘ，Ｙ座標）
に変換して、三次元計測装置側の座標系と電子プローブ
マイクロアナライザーの試料ステージ側の座標系との座
標系の相違を補償する。三次元計測装置及び試料ステー
ジにおいて、試料の配置位置を定めることによって、両
者の座標系の関係を試料と無関係に一義的に定めること
ができる。そこで、三次元計測装置側ｘ，ｙ座標と、試
料ステージ側のＸ，Ｙ座標との関係を定め、この関係に
基づいてＸ，Ｙ座標を座標変換する変換関数を求めてお
く。Ｘ，Ｙ座標変換機能ブロック２１は、この変換関数
を用いて三次元データのｘ，ｙ座標を試料ステージ側の
Ｘ，Ｙ座標に変換する。これによって、試料表面の二次
元の位置座標を、試料ステージ上に設置した試料の二次
元の位置に正確に対応させる。

【００２０】図３は三次元計測装置側のｘ，ｙ座標を定
めるための一構成例を示す図である。三次元計測装置８
は、試料ステージ８ａ上にプローブ８ｂを相対的に移動
可能に備え、該プローブ８ｂを試料表面に沿って移動さ
せえることによって、試料表面の三次元データを取得す
る。試料ステージ８ａ上には位置決め部材８ｃを備え、
これによって試料Ｓの試料ステージ１７に対する位置を
一定に定める。位置決め部材８ｃは試料Ｓの外周部の位
置を固定するための壁材で構成することができ、該壁材
面に試料Ｓの外周部を当接させることによって、試料Ｓ
にｘ，ｙ座標を固定することができる。Ｚ座標変換関数
ｆを求める演算機能ブロック２３は、試料を配置する毎
に、試料上の分析点が分析条件を満足する高さとなると
きの試料ステージのＺ座標値を求め、三次元計測装置側
で対応する分析点の高さ（ｚ座標値）との関係を表す変
換関数を求める。求めたＺ座標変換関数ｆはＺ座標変換
機能ブロック２２に導入され、Ｚ座標変換を行う。な
お、図２において、丸で囲むＡ，Ｂ，ＣはＺ座標変換関
数ｆを求めるためのデータの流れを示しており、図６の
フローチャートにしたがって後述する。

【００２１】次に、図４のフローチャート及び図５〜８
を用いて動作を説明する。電子プローブマイクロアナラ
イザーの試料ステージ１７上に試料Ｓを設置する前に、
三次元計測装置８において試料Ｓの表面形状を測定し、
三次元データ（ｘ，ｙ，ｚ）を求める。なお、別個の三
次元計測装置８に代えて、電子プローブマイクロアナラ
イザーが備えるオートフォーカス機能を用いて試料の三
次元データを求めることもできる（ステップＳ１）。求
めた三次元データ（ｘ，ｙ，ｚ）を電子プローブマイク
ロアナライザー本体の分析装置に入力し、データ格納ブ
ロック２０の三次元データ（ｘ，ｙ，ｚ）２０Ａ内に格
納する（ステップＳ２）。

【００２２】Ｘ，Ｙ座標変換機能ブロック２１におい
て、三次元データ（ｘ，ｙ，ｚ）中のｘ，ｙ座標を試料
ステージ側のＸ，Ｙ座標に座標変換し、（Ｘ，Ｙ，ｚ）
を得る。図５に示すＸ，Ｙ座標変換を説明するための概
略図において、図５（ａ）は三次元計測装置側のｘ，ｙ
座標系を示し、図５（ｂ）は分析装置側のＸ，Ｙ座標系
を示している。両座標系間において、ｘ，ｙ座標系の点
ｐ（ｘp ，ｙp ）をＸ，Ｙ座標系の点Ｐ（ＸP ，ＹP ）
間の関係をあらかじめ求めて、ｘ，ｙ座標系からＸ，Ｙ
座標系に座標変換する変換関数を求めておき、この変換
関数を用いてＸ，Ｙ座標の座標値（Ｘ，Ｙ）を求める。
これによって、試料ステージ上に配置した試料におい
て、三次元データ（ｘ，ｙ，ｚ）のｘ，ｙ座標位置を正
確に位置決めすることができる（ステップＳ３）。

【００２３】試料Ｓを試料ステージ１７上に配置した
後、ステップＳ４の工程によってＺ方向の高さ及び傾き
を補正するＺ座標変換関数ｆを求める。図６のフローチ
ャートはＺ座標変換関数ｆを算出する手順を示してい
る。試料ステージ１７上に配置した試料Ｓについて、試
料上の任意の点Ｐの座標値（ＸP ，ＹP ）を定める。こ
の点Ｐは、図２中のＡに示すように、図示していない入
力手段によってステージコントローラ３に入力すること
ができる（ステップＳ４１）。定めた点Ｐ（ＸP ，ＹP
）について、オートフォーカス機能によって分析条件
を満足する高さとなるときの試料ステージのＺ座標値
（ＺP ）を求める（図２中のＣに示す）（ステップＳ４
２）。点Ｐの座標値（ＸP ，ＹP ）に対する三次元計測
装置側におけるｚ座標値（ｚp ）を座標データ（Ｘ，
Ｙ，ｚ座標値）２０Ｂから読み出し、Ｚ座標変換関数ｆ
を求める演算機能ブロック２３に入力する（図２中のＢ
に示す）（ステップＳ４３）。演算機能ブロック２３
は、座標データ（ＸP ，ＹP，ｚp ）と試料ステージの
Ｚ座標値（ＺP ）を用いて、三次元計測装置から分析装
置へのＺ座標変換関数ｆを求める（ステップＳ４４）。

【００２４】点分析を行う場合（ステップＳ５）には、
分析範囲内において分析点のＸ，Ｙ座標値を定める。定
めた分析点のＸ，Ｙ座標値に対するｚ座標値を求め、こ
のｚ座標値をＺ座標変換関数ｆを用いてＺ座標変換して
補正したＺ座標値を求める（ステップＳ６ａ）。このＺ
軸補正値をステージコントローラ３を介してパルスモー
タドライバに制御信号を送り、試料ステージ１７のＺ軸
の高さ制御を行う。これによって、分析点における高さ
調整を行うことができる（ステップＳ７ａ）。図７は、
Ｚ座標変換関数ｆによって一点Ｐにおける高さ補正を説
明する図である。図７（ａ）は三次元計測装置のｘ，
ｙ，ｚ座標系での点ｐを示し、図７（ｂ）は、分析装置
のＸ，Ｙ，Ｚ座標系における対応する点Ｐを示してい
る。ステップＳ３のＸ，Ｙ座標の座標変換によって（ｘ
p ，ｙp ）に対応する座標値（ＸP，ＹP ）を求める。
（ＸP ，ＹP ）において、ｚ座標値（ｚp ）をＺ座標変
換関数ｆによってＺ座標変換し、高さ補正したＺ座標値
（ＺP ）を求める。このＺ座標値（ＺP ）は分析条件を
満足する高さであり、このＺ座標値（ＺP）に従って高
さを制御を行うことによって試料表面形状に応じた高さ
補正を行うことができる。

【００２５】また、線分析及びマッピング分析を行う場
合（ステップＳ５）には、分析範囲内において分析線な
いし分析範囲を定める。定めた分析線ないし分析範囲の
Ｘ，Ｙ座標値に対するｚ座標値を求め、このｚ座標値を
Ｚ座標変換関数ｆを用いてＺ座標変換して補正したＺ座
標値を求める（ステップＳ６ｂ）。このＺ軸補正値をス
テージコントローラ３を介してパルスモータドライバに
制御信号を送り、試料ステージ１７のＺ軸の高さ制御を
行う。これによって、分析点における高さ調整を行うこ
とができる（ステップＳ７ｂ）。

【００２６】図８は、Ｚ座標変換関数ｆによって高さ及
び傾斜補正を説明する図である。図８（ａ）は三次元計
測装置のｘ，ｙ，ｚ座標系での一面（例えば、点ｚａ，
ｚｂ，ｚｃで形成される面）を示し、図８（ｂ）は、分
析装置のＸ，Ｙ，Ｚ座標系における対応する面（例え
ば、点Ｚａ，Ｚｂ，Ｚｃで形成される面）を示してい
る。ステップＳ３のＸ，Ｙ座標の座標変換によって面内
の座標値（ｘ，ｙ）に対応する座標値（Ｘ，Ｙ）を求め
る。座標値（Ｘ，Ｙ）において、ｚ座標値（ｚ）をＺ座
標変換関数ｆによってＺ座標変換し、高さ補正したＺ座
標値（Ｚ）を求める。このＺ座標値（Ｚ）は分析条件を
満足する高さであり、このＺ座標値（Ｚ）に従って高さ
を制御を行うことによって、試料表面形状の高さ及び傾
斜を補正することができる。

【００２７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
電子プローブマイクロアナライザーにおいて試料面が複
雑な凹凸形状であっても煩雑な条件設定作業を必要とせ
ず、確実で高精度の高さ補正を行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の電子プローブマイクロアナライザーの
構成例の概略ブロック図である。

【図２】本発明の電子プローブマイクロアナライザーの
機能を説明するための機能ブロック図である。

【図３】三次元計測装置の構成を説明するための概略図
である。

【図４】本発明の電子プローブマイクロアナライザーの
機能及び動作を説明するためフローチャートである。

【図５】本発明のＸ，Ｙ座標変換を説明するための概略
図である。

【図６】本発明のＺ座標変換関数ｆを算出する手順を説
明するフローチャートである。

【図７】本発明のＺ座標変換関数ｆによって一点Ｐにお
ける高さ補正を説明する図である。

【図８】本発明のＺ座標変換関数ｆによって高さ及び傾
斜補正を説明する図である。

【符号の説明】

１…電子プローブマイクロアナライザー、２，９…コン
ピュータ、３…ステージコントローラ、４…ドライバ、
５…撮像手段、６…オートフォーカスコントローラ、７
…モニタ、８…三次元計測装置、８ａ…試料ステージ、
８ｂ…プローブ、８ｃ…位置決め部材、１１…フィラメ
ント、１２…電子線、１３…コンデンサレンズ、１４…
対物レンズ、１５…分光素子、１６…検出器、１７…試
料ステージ、２０…データ格納ブロック、２１…Ｘ，Ｙ
座標変換機能ブロック、２２…Ｚ座標変換機能ブロッ
ク、２３…Ｚ座標変換関数ｆ算出ブロック、Ｓ…試料。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 電子線の照射によって試料から放出され
   る特性Ｘ線により試料表面の元素分析を行う電子プロー
   ブマイクロアナライザーにおいて、試料表面の三次元デ
   ータから試料ステージを制御する座標値を算出する演算
   手段と、前記座標値に基づいて試料ステージを駆動する
   試料ステージ駆動手段とを備え、前記演算手段は、三次
   元データの座標系を試料ステージ側の座標系に変換する
   二次元の第１の座標変換と、三次元データ中のＺ座標値
   を、試料ステージにおいて分析条件を満足する高さ方向
   の座標値に変換する第二の座標変換を含み、該座標変換
   によって算出した座標値を用いることにより、試料表面
   が分析条件高さを満足するよう試料のＺ軸方向の位置制
   御を行う、電子プローブマイクロアナライザー。